JP2002100753A - 半導体装置及び放射線検出装置並びに放射線撮像システム - Google Patents
半導体装置及び放射線検出装置並びに放射線撮像システムInfo
- Publication number
- JP2002100753A JP2002100753A JP2001177325A JP2001177325A JP2002100753A JP 2002100753 A JP2002100753 A JP 2002100753A JP 2001177325 A JP2001177325 A JP 2001177325A JP 2001177325 A JP2001177325 A JP 2001177325A JP 2002100753 A JP2002100753 A JP 2002100753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- wiring
- spare
- redundant
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 50
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 35
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 67
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- MINPZZUPSSVGJN-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,4,4,4-hexachlorobutane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)CCC(Cl)(Cl)Cl MINPZZUPSSVGJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGCPZMJBXSCWQY-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,4-pentachlorobutane Chemical compound ClCC(Cl)C(Cl)C(Cl)Cl AGCPZMJBXSCWQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 101150049492 DVR gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Closed-Circuit Television Systems (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電変換素子部の開口率を減らすことのない
予備配線による冗長回路を形成し、パネル製造工程にお
ける配線の断線による歩留まりの低下を防ぐ。 【解決手段】 ゲート線Ｖｇ４とＶｇ冗長配線は電気的
に絶縁され、配線間のクロス部Ｇ点を形成するように配
置されている。Ｖｇ冗長配線ＹはＳｉｇ線と同時に形成
されるため、Ｖｇ冗長配線Ｙを形成するために製造プロ
セスを増やす必要はない。ゲート線Ｖｇ４に断線が生じ
た場合、クロス部Ｇをレーザー照射することによりゲー
ト線Ｖｇ４とＶｇ冗長配線Ｙが電気的に接続される。よ
って、断線した配線上の薄膜トランジスタにも、Ｖｇ冗
長配線Ｙを介してゲート駆動パルスが印加される。つま
り、光電変換素子部の開口率を減らすことなく、ゲート
線Ｖｇ４の断線による歩留まりの低下を防ぐことにな
る。
予備配線による冗長回路を形成し、パネル製造工程にお
ける配線の断線による歩留まりの低下を防ぐ。 【解決手段】 ゲート線Ｖｇ４とＶｇ冗長配線は電気的
に絶縁され、配線間のクロス部Ｇ点を形成するように配
置されている。Ｖｇ冗長配線ＹはＳｉｇ線と同時に形成
されるため、Ｖｇ冗長配線Ｙを形成するために製造プロ
セスを増やす必要はない。ゲート線Ｖｇ４に断線が生じ
た場合、クロス部Ｇをレーザー照射することによりゲー
ト線Ｖｇ４とＶｇ冗長配線Ｙが電気的に接続される。よ
って、断線した配線上の薄膜トランジスタにも、Ｖｇ冗
長配線Ｙを介してゲート駆動パルスが印加される。つま
り、光電変換素子部の開口率を減らすことなく、ゲート
線Ｖｇ４の断線による歩留まりの低下を防ぐことにな
る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、マトリックス状に配列された光電変換素子を
有する光電変換装置、エリアセンサー、Ｘ線撮像装置に
関する。
し、特に、マトリックス状に配列された光電変換素子を
有する光電変換装置、エリアセンサー、Ｘ線撮像装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図１３は、従来の光電変換装置の等価回
路図である。Ｐ１１〜Ｐ４４は光電変換素子などの半導
体変換素子、Ｔ１１〜Ｔ４４は薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）である。図示するように、一般に、各ＴＦＴのゲー
ト電極は、共通のゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ４に接続されて
いる。各ゲート線は、ＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦを制御す
る。
路図である。Ｐ１１〜Ｐ４４は光電変換素子などの半導
体変換素子、Ｔ１１〜Ｔ４４は薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）である。図示するように、一般に、各ＴＦＴのゲー
ト電極は、共通のゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ４に接続されて
いる。各ゲート線は、ＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦを制御す
る。
【０００３】又、各ＴＦＴのソース若しくはドレイン電
極は、共通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４に接続されてお
り、Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４は、読み出し装置に接続されて
いる。入射する可視光や放射線によって半導体変換素子
で発生した電荷は、ゲート駆動装置により印加されるゲ
ート駆動パルスによって信号線に転送され、読み出し装
置により読み出される。
極は、共通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４に接続されてお
り、Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４は、読み出し装置に接続されて
いる。入射する可視光や放射線によって半導体変換素子
で発生した電荷は、ゲート駆動装置により印加されるゲ
ート駆動パルスによって信号線に転送され、読み出し装
置により読み出される。
【０００４】図１４は、図１３に示した光電変換装置の
平面図である。Ｖｇ線の冗長配線（Ｖｇ冗長配線）とし
て、Ｖｇ線の上部にＶｇ線とは別の配線が設けられ、コ
ンタクトホールを介してＶｇ線と接合している。
平面図である。Ｖｇ線の冗長配線（Ｖｇ冗長配線）とし
て、Ｖｇ線の上部にＶｇ線とは別の配線が設けられ、コ
ンタクトホールを介してＶｇ線と接合している。
【０００５】図１５は、半導体装置の１画素の層構成を
示す平面図及び断面図である。絶縁基板上に第１の電極
層、絶縁層、第１の半導体層、ｎ＋型半導体層、第２の
電極層から構成される半導体変換素子すなわち光電変換
素子もしくは放射線検出素子等と、ゲート電極層、ゲー
ト絶縁層、第２の半導体層、オーミックコンタクト層か
ら成るスイッチＴＦＴとを備えている。各Ｖｇ線はＴＦ
Ｔのゲート電極が形成される電極層に、各Ｓｉｇ線はソ
ース・ドレイン電極を形成する層にそれぞれ接続されて
いる。
示す平面図及び断面図である。絶縁基板上に第１の電極
層、絶縁層、第１の半導体層、ｎ＋型半導体層、第２の
電極層から構成される半導体変換素子すなわち光電変換
素子もしくは放射線検出素子等と、ゲート電極層、ゲー
ト絶縁層、第２の半導体層、オーミックコンタクト層か
ら成るスイッチＴＦＴとを備えている。各Ｖｇ線はＴＦ
Ｔのゲート電極が形成される電極層に、各Ｓｉｇ線はソ
ース・ドレイン電極を形成する層にそれぞれ接続されて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＴＦＴを用い
た液晶パネルの製造技術の発展や、光電変換素子を有す
るエリアセンサーの各分野への利用（例えばＸ線撮像装
置）の進展により、ＴＦＴを用いたパネルの大画面化が
急速に進んでいる。又、その大画面化の流れと共に、パ
ターンピッチの微細化が進んでいる。
た液晶パネルの製造技術の発展や、光電変換素子を有す
るエリアセンサーの各分野への利用（例えばＸ線撮像装
置）の進展により、ＴＦＴを用いたパネルの大画面化が
急速に進んでいる。又、その大画面化の流れと共に、パ
ターンピッチの微細化が進んでいる。
【０００７】これに伴い、パネル製造工程における歩留
まりの低下がおこっている。その原因として、次のよう
なことが考えられる。
まりの低下がおこっている。その原因として、次のよう
なことが考えられる。
【０００８】まず、パネルの大画面化が進むにつれて、
パネル当たりの配線距離が増加し、断線確率が上がる。
パネル当たりの配線距離が増加し、断線確率が上がる。
【０００９】又、パターンの微細化が進むにつれて、パ
ネル当たりのＴＦＴの面積や配線クロス部の面積が増加
したため、異物等により上下の金属配線間のショート確
率が上がる。
ネル当たりのＴＦＴの面積や配線クロス部の面積が増加
したため、異物等により上下の金属配線間のショート確
率が上がる。
【００１０】又、パネルサイズの大画面化により、パネ
ルを搬送、処理するための装置とそのパネルとの接触部
の面積が大きくなったことから、静電気の発生量が増加
し、静電気破壊（ＥＳＤ）による不良発生確率が上が
る。
ルを搬送、処理するための装置とそのパネルとの接触部
の面積が大きくなったことから、静電気の発生量が増加
し、静電気破壊（ＥＳＤ）による不良発生確率が上が
る。
【００１１】上記技術課題が解決されることによって、
歩留まりの向上が可能となり、特に断線の問題は、配線
幅を太くすることにより解決される。
歩留まりの向上が可能となり、特に断線の問題は、配線
幅を太くすることにより解決される。
【００１２】しかし、配線を太くすることによって、Ｓ
ｉｇ線とＶｇ線とのクロス部のような上下の金属配線間
に形成されるコンデンサのキャパシタンスが増加し、転
送する信号の感度が減少してしまう。
ｉｇ線とＶｇ線とのクロス部のような上下の金属配線間
に形成されるコンデンサのキャパシタンスが増加し、転
送する信号の感度が減少してしまう。
【００１３】又、断線した際に補修する意味で各配線に
冗長配線を形成すると、光電変換素子部の開口率の減少
を招き、感度が更に減少するといった問題が起こる。
冗長配線を形成すると、光電変換素子部の開口率の減少
を招き、感度が更に減少するといった問題が起こる。
【００１４】以上述べたように、配線幅、冗長回路等の
設計が非常に難しいものとなっている。
設計が非常に難しいものとなっている。
【００１５】そこで、本発明は、開口率を減らすことな
く冗長回路を形成し、パネル製造工程おける配線の断線
による歩留まりの低下を防止することを目的としてい
る。
く冗長回路を形成し、パネル製造工程おける配線の断線
による歩留まりの低下を防止することを目的としてい
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、絶縁基板上に、エネルギーを電荷に変換
する複数個の半導体変換素子と、スイッチ素子と、それ
らの素子に駆動信号を供給する駆動線（Ｖｇ線）と、前
記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線
（Ｓｉｇ線）とを有する半導体装置において、前記素子
を駆動するための駆動予備配線（Ｖｇ冗長配線）と、前
記電荷を読み出すための信号予備配線（Ｓｉｇ冗長配
線）とを、いずれか一方又は両方を有し、前記駆動予備
配線（Ｖｇ冗長配線）は駆動線（Ｖｇ線）と、前記信号
予備配線（Ｓｉｇ冗長配線）は信号線（Ｓｉｇ線）と、
それぞれ配線間にクロス部を形成し、各クロス部が電気
的に絶縁されるように配置されていることを特徴とす
る。
め、本発明は、絶縁基板上に、エネルギーを電荷に変換
する複数個の半導体変換素子と、スイッチ素子と、それ
らの素子に駆動信号を供給する駆動線（Ｖｇ線）と、前
記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線
（Ｓｉｇ線）とを有する半導体装置において、前記素子
を駆動するための駆動予備配線（Ｖｇ冗長配線）と、前
記電荷を読み出すための信号予備配線（Ｓｉｇ冗長配
線）とを、いずれか一方又は両方を有し、前記駆動予備
配線（Ｖｇ冗長配線）は駆動線（Ｖｇ線）と、前記信号
予備配線（Ｓｉｇ冗長配線）は信号線（Ｓｉｇ線）と、
それぞれ配線間にクロス部を形成し、各クロス部が電気
的に絶縁されるように配置されていることを特徴とす
る。
【００１７】上記光電変換装置において、前記駆動線又
は信号線が断線箇所を有する場合、この断線した配線と
前記予備配線とのクロス部を電気的に接続することによ
って、開口率を減らすことなく、配線の断線による製作
プロセスの歩留まり低下を防止する。
は信号線が断線箇所を有する場合、この断線した配線と
前記予備配線とのクロス部を電気的に接続することによ
って、開口率を減らすことなく、配線の断線による製作
プロセスの歩留まり低下を防止する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００１９】〔実施形態１〕図１は、本発明の光電変換
装置の第１の実施形態を示す等価回路図である。Ｐ１１
〜Ｐ４４は光電変換素子又は放射線検出素子などの、エ
ネルギーを電荷に変換する半導体変換素子、Ｔ１１〜Ｔ
４４はＴＦＴなどのスイッチ素子である。ＴＦＴのゲー
ト電極は、共通の駆動配線であるゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ
４に接続されている。Ｖｇ１〜Ｖｇ４は、ＴＦＴのＯ
Ｎ、ＯＦＦを制御するゲート駆動装置に接続されてい
る。又、各ＴＦＴのソース若しくはドレイン電極は、共
通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４に接続されており、Ｓｉ
ｇ１〜Ｓｉｇ４は読み出し装置に接続されている。
装置の第１の実施形態を示す等価回路図である。Ｐ１１
〜Ｐ４４は光電変換素子又は放射線検出素子などの、エ
ネルギーを電荷に変換する半導体変換素子、Ｔ１１〜Ｔ
４４はＴＦＴなどのスイッチ素子である。ＴＦＴのゲー
ト電極は、共通の駆動配線であるゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ
４に接続されている。Ｖｇ１〜Ｖｇ４は、ＴＦＴのＯ
Ｎ、ＯＦＦを制御するゲート駆動装置に接続されてい
る。又、各ＴＦＴのソース若しくはドレイン電極は、共
通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４に接続されており、Ｓｉ
ｇ１〜Ｓｉｇ４は読み出し装置に接続されている。
【００２０】更に、ゲート駆動装置に接続された予備配
線（Ｖｇ冗長配線）は、Ｖｇ線の冗長配線の役割を果た
し、画素エリア外で、各Ｖｇ線とクロス部を形成する。
又、読み出し装置に接続された予備配線（Ｓｉｇ冗長配
線）は、Ｓｉｇ線の冗長配線の役割を果たし、画素エリ
ア外で、各Ｓｉｇ線とクロス部を形成する。
線（Ｖｇ冗長配線）は、Ｖｇ線の冗長配線の役割を果た
し、画素エリア外で、各Ｖｇ線とクロス部を形成する。
又、読み出し装置に接続された予備配線（Ｓｉｇ冗長配
線）は、Ｓｉｇ線の冗長配線の役割を果たし、画素エリ
ア外で、各Ｓｉｇ線とクロス部を形成する。
【００２１】ここで、Ｖｇ冗長配線は、Ｖｇ冗長配線Ｘ
とＶｇ冗長配線Ｙとから成り、図中のＣ点でコンタクト
ホールを介して接合されている。Ｓｉｇ冗長配線は、Ｓ
ｉｇ冗長配線ＸとＳｉｇ冗長配線Ｙとから成り、図中の
Ｃ点でコンタクトホールを介して接合されている。前記
Ｖｇ冗長配線及びＳｉｇ冗長配線は、画素エリア外に形
成される。
とＶｇ冗長配線Ｙとから成り、図中のＣ点でコンタクト
ホールを介して接合されている。Ｓｉｇ冗長配線は、Ｓ
ｉｇ冗長配線ＸとＳｉｇ冗長配線Ｙとから成り、図中の
Ｃ点でコンタクトホールを介して接合されている。前記
Ｖｇ冗長配線及びＳｉｇ冗長配線は、画素エリア外に形
成される。
【００２２】可視光もしくは放射線などの入射によって
半導体変換素子で発生した電荷は、ゲート駆動装置によ
り印加されるゲート駆動パルスによって信号線に転送さ
れ、読み出し装置により読み出される。
半導体変換素子で発生した電荷は、ゲート駆動装置によ
り印加されるゲート駆動パルスによって信号線に転送さ
れ、読み出し装置により読み出される。
【００２３】図２は、図１に示した光電変換装置の平面
図である。
図である。
【００２４】図３は、図１及び図２に示したクロス部Ｇ
点の拡大平面図及びその断面図である。図３において、
Ｖｇ線とＶｇ冗長配線とは電気的に絶縁され、配線間の
クロス部を形成するように配置されている。このとき半
導体層に関しては、配線に比べて電気伝導度がかなり小
さく、冗長配線とゲート配線の絶縁性が保たれる場合に
は残しておいてもよい。もちろん絶縁性が保たれるのな
らば取り除いてもよい。例えば半導体装置が図１３のよ
うな構成になっている場合においては、クロス部は絶縁
層、第１の半導体層、ｎ＋型半導体層、もしくはゲート
絶縁層、第２の半導体層、オーミックコンタクト層とう
いように、それぞれの素子構成をそのまま用いればよ
く、余分なプロセスを設けることなく、簡易なプロセス
でクロス部を形成することができる。
点の拡大平面図及びその断面図である。図３において、
Ｖｇ線とＶｇ冗長配線とは電気的に絶縁され、配線間の
クロス部を形成するように配置されている。このとき半
導体層に関しては、配線に比べて電気伝導度がかなり小
さく、冗長配線とゲート配線の絶縁性が保たれる場合に
は残しておいてもよい。もちろん絶縁性が保たれるのな
らば取り除いてもよい。例えば半導体装置が図１３のよ
うな構成になっている場合においては、クロス部は絶縁
層、第１の半導体層、ｎ＋型半導体層、もしくはゲート
絶縁層、第２の半導体層、オーミックコンタクト層とう
いように、それぞれの素子構成をそのまま用いればよ
く、余分なプロセスを設けることなく、簡易なプロセス
でクロス部を形成することができる。
【００２５】図４は、図１及び図２に示したクロス部Ｓ
点の拡大平面図及びその断面図である。図４において、
Ｓｉｇ線とＳｉｇ冗長配線とは電気的に絶縁され、配線
間のクロス部を形成するように配置されている。このと
き同様に、半導体層、ｎ＋型半導体層に関しては、配線
に比べて電気伝導度がかなり小さく、冗長配線と信号線
の絶縁性が保たれる場合には残しておいてもよい。もち
ろん絶縁性が保たれるのならば取り除いてもよい。
点の拡大平面図及びその断面図である。図４において、
Ｓｉｇ線とＳｉｇ冗長配線とは電気的に絶縁され、配線
間のクロス部を形成するように配置されている。このと
き同様に、半導体層、ｎ＋型半導体層に関しては、配線
に比べて電気伝導度がかなり小さく、冗長配線と信号線
の絶縁性が保たれる場合には残しておいてもよい。もち
ろん絶縁性が保たれるのならば取り除いてもよい。
【００２６】ここでは、Ｖｇ冗長配線Ｘ及びＳｉｇ冗長
配線ＸはＶｇ線と同時に形成され、光電変換素子と同様
の膜を絶縁層としており、Ｖｇ冗長配線Ｙ及びＳｉｇ冗
長配線ＹはＳｉｇ線と同時に形成される。したがって、
各冗長配線を形成するために製造プロセスを増やす必要
はない。
配線ＸはＶｇ線と同時に形成され、光電変換素子と同様
の膜を絶縁層としており、Ｖｇ冗長配線Ｙ及びＳｉｇ冗
長配線ＹはＳｉｇ線と同時に形成される。したがって、
各冗長配線を形成するために製造プロセスを増やす必要
はない。
【００２７】図１、図２に示したＡ点のように、ゲート
線Ｖｇ４に断線が生じた場合、Ｖｇ４とＶｇ冗長配線Ｙ
とのクロス部Ｇ点をレーザー照射することにより、ゲー
ト線Ｖｇ４とＶｇ冗長配線とが電気的に接続される。よ
って、断線した配線（ゲート線Ｖｇ４）上のＴ１４、Ｔ
２４、Ｔ３４にも、Ｖｇ冗長配線を介してゲート駆動パ
ルスが印加される。
線Ｖｇ４に断線が生じた場合、Ｖｇ４とＶｇ冗長配線Ｙ
とのクロス部Ｇ点をレーザー照射することにより、ゲー
ト線Ｖｇ４とＶｇ冗長配線とが電気的に接続される。よ
って、断線した配線（ゲート線Ｖｇ４）上のＴ１４、Ｔ
２４、Ｔ３４にも、Ｖｇ冗長配線を介してゲート駆動パ
ルスが印加される。
【００２８】又、図１、図２に示したＢ点のように、信
号線Ｓｉｇ１に断線が生じた場合、Ｓｉｇ１とＳｉｇ冗
長配線Ｘとのクロス部Ｓ点をレーザー照射することによ
り、信号線Ｓｉｇ１とＳｉｇ冗長配線とが電気的に接続
される。よって、断線した配線（信号線Ｓｉｇ１）上の
Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ１４においても、ゲート駆動装置に
より印加されるゲート駆動パルスによって転送された電
荷が、Ｓｉｇ冗長配線を介して読み出し装置により読み
出される。
号線Ｓｉｇ１に断線が生じた場合、Ｓｉｇ１とＳｉｇ冗
長配線Ｘとのクロス部Ｓ点をレーザー照射することによ
り、信号線Ｓｉｇ１とＳｉｇ冗長配線とが電気的に接続
される。よって、断線した配線（信号線Ｓｉｇ１）上の
Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ１４においても、ゲート駆動装置に
より印加されるゲート駆動パルスによって転送された電
荷が、Ｓｉｇ冗長配線を介して読み出し装置により読み
出される。
【００２９】つまり、従来ならば断線が起こった際に、
その配線に接続されている全ての素子を使うことが不可
能となり、パネル自体の歩留まりが低下していたが、本
実施形態によれば、断線してもその断線した配線に接続
されている素子を使うことができ、歩留まり確保のため
に線幅を太くする必要がないため、光電変換素子部の開
口率を減らすことなく、Ｖｇ線又はＳｉｇ線の断線によ
る歩留りの低下を防ぐことができる。
その配線に接続されている全ての素子を使うことが不可
能となり、パネル自体の歩留まりが低下していたが、本
実施形態によれば、断線してもその断線した配線に接続
されている素子を使うことができ、歩留まり確保のため
に線幅を太くする必要がないため、光電変換素子部の開
口率を減らすことなく、Ｖｇ線又はＳｉｇ線の断線によ
る歩留りの低下を防ぐことができる。
【００３０】本実施形態では、予備配線として、Ｖｇ冗
長配線とＳｉｇ冗長配線の２本を配置したが、どちらか
１本でもそれぞれ同様の効果が得られるため、各配線の
断線数に応じてその数と用途を選択すればよい。
長配線とＳｉｇ冗長配線の２本を配置したが、どちらか
１本でもそれぞれ同様の効果が得られるため、各配線の
断線数に応じてその数と用途を選択すればよい。
【００３１】〔実施形態２〕図５は、本発明の光電変換
装置の第２の実施形態を示す等価回路図である。Ｐ０１
〜Ｐ５４は光電変換素子又は放射線検出素子などの半導
体変換素子、Ｔ０１〜Ｔ５４はＴＦＴなどのスイッチ素
子である。各ＴＦＴのゲート電極は、共通の駆動配線で
あるゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ４又はＶｇ５〜Ｖｇ８に接続
されている。Ｖｇ１〜Ｖｇ４はＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦを
制御するゲート駆動装置１に、同様にＶｇ５〜Ｖｇ８は
ゲート駆動装置２に接続されている。又、各ＴＦＴのソ
ース若しくはドレイン電極は共通の信号線Ｓｉｇ０〜Ｓ
ｉｇ５に接続されており、Ｓｉｇ０〜Ｓｉｇ５は読み出
し装置に接続されている。
装置の第２の実施形態を示す等価回路図である。Ｐ０１
〜Ｐ５４は光電変換素子又は放射線検出素子などの半導
体変換素子、Ｔ０１〜Ｔ５４はＴＦＴなどのスイッチ素
子である。各ＴＦＴのゲート電極は、共通の駆動配線で
あるゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ４又はＶｇ５〜Ｖｇ８に接続
されている。Ｖｇ１〜Ｖｇ４はＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦを
制御するゲート駆動装置１に、同様にＶｇ５〜Ｖｇ８は
ゲート駆動装置２に接続されている。又、各ＴＦＴのソ
ース若しくはドレイン電極は共通の信号線Ｓｉｇ０〜Ｓ
ｉｇ５に接続されており、Ｓｉｇ０〜Ｓｉｇ５は読み出
し装置に接続されている。
【００３２】更に、読み出し装置には予備配線が３本接
続されている。すなわち、Ｓｉｇ線の冗長配線としての
Ｓｉｇ冗長配線１、２、３である。Ｓｉｇ冗長配線１
は、Ｓｉｇ０，１と、Ｓｉｇ冗長配線２はＳｉｇ２，３
と、Ｓｉｇ冗長配線３はＳｉｇ４，５と、それぞれ絶縁
基板の端部でクロス部を形成する。
続されている。すなわち、Ｓｉｇ線の冗長配線としての
Ｓｉｇ冗長配線１、２、３である。Ｓｉｇ冗長配線１
は、Ｓｉｇ０，１と、Ｓｉｇ冗長配線２はＳｉｇ２，３
と、Ｓｉｇ冗長配線３はＳｉｇ４，５と、それぞれ絶縁
基板の端部でクロス部を形成する。
【００３３】ここで、各Ｓｉｇ冗長配線は、Ｓｉｇ冗長
配線ＸとＳｉｇ冗長配線Ｙとから成り、図中のＣ点で接
合されている。入射する可視光もしくは放射線などによ
って半導体変換素子で発生した電荷は、ゲート駆動装置
により印加されるゲート駆動パルスによって信号線に転
送され、読み出し装置により読み出される。
配線ＸとＳｉｇ冗長配線Ｙとから成り、図中のＣ点で接
合されている。入射する可視光もしくは放射線などによ
って半導体変換素子で発生した電荷は、ゲート駆動装置
により印加されるゲート駆動パルスによって信号線に転
送され、読み出し装置により読み出される。
【００３４】尚、各Ｓｉｇ線と各Ｓｉｇ冗長配線とは電
気的に絶縁され、配線間のクロス部を形成するように配
置されている。
気的に絶縁され、配線間のクロス部を形成するように配
置されている。
【００３５】Ｂ点のように、信号線Ｓｉｇ１に断線が生
じた場合、Ｓｉｇ１とＳｉｇ冗長配線１とのクロス部Ｓ
点をレーザー照射することにより、Ｓｉｇ１とＳｉｇ冗
長配線１とが電気的に接続される。よって、断線した配
線（信号線Ｓｉｇ１）上のＴ１２、Ｔ１３、Ｔ１４にお
いても、ゲート駆動装置により印加されるゲート駆動パ
ルスによって転送された電荷が、Ｓｉｇ冗長配線１を介
して読み出し装置により読み出される。
じた場合、Ｓｉｇ１とＳｉｇ冗長配線１とのクロス部Ｓ
点をレーザー照射することにより、Ｓｉｇ１とＳｉｇ冗
長配線１とが電気的に接続される。よって、断線した配
線（信号線Ｓｉｇ１）上のＴ１２、Ｔ１３、Ｔ１４にお
いても、ゲート駆動装置により印加されるゲート駆動パ
ルスによって転送された電荷が、Ｓｉｇ冗長配線１を介
して読み出し装置により読み出される。
【００３６】つまり、Ｓｉｇ線の断線による歩留りの低
下を防ぐことができる。更に、本実施形態のように複数
の冗長配線を形成することにより、断線が複数発生する
場合でも、歩留りの低下を防止できる。
下を防ぐことができる。更に、本実施形態のように複数
の冗長配線を形成することにより、断線が複数発生する
場合でも、歩留りの低下を防止できる。
【００３７】本実施形態では、予備配線を読み出し装置
に接続したが、Ｖｇ線の断線が複数発生する場合は、予
備配線をゲート駆動装置に接続し、Ｖｇ線の冗長配線と
する等、各配線の断線数に応じてその数と用途を選択す
ることができる。
に接続したが、Ｖｇ線の断線が複数発生する場合は、予
備配線をゲート駆動装置に接続し、Ｖｇ線の冗長配線と
する等、各配線の断線数に応じてその数と用途を選択す
ることができる。
【００３８】〔実施形態３〕図６は、本発明の光電変換
装置の第３の実施形態を示す等価回路図である。Ｐ１１
〜Ｐ４４は光電変換素子又は放射線検出素子などの半導
体変換素子、Ｔ１１〜Ｔ４４はＴＦＴなどのスイッチ素
子である。ＴＦＴのゲート電極は、共通の駆動配線であ
るゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ４に接続されている。Ｖｇ１〜
Ｖｇ４は、ＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦを制御するゲート駆動
装置に接続されている。又、各ＴＦＴのソース若しくは
ドレイン電極は共通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４に接続
されており、Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４は読み出し装置に接続
されている。
装置の第３の実施形態を示す等価回路図である。Ｐ１１
〜Ｐ４４は光電変換素子又は放射線検出素子などの半導
体変換素子、Ｔ１１〜Ｔ４４はＴＦＴなどのスイッチ素
子である。ＴＦＴのゲート電極は、共通の駆動配線であ
るゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ４に接続されている。Ｖｇ１〜
Ｖｇ４は、ＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦを制御するゲート駆動
装置に接続されている。又、各ＴＦＴのソース若しくは
ドレイン電極は共通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４に接続
されており、Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４は読み出し装置に接続
されている。
【００３９】更に、ゲート駆動装置に接続された予備配
線（Ｖｇ冗長配線）は、Ｖｇ線の冗長配線の役割を果た
し、画素エリア外で、各Ｖｇ線とクロス部を形成する。
又、読み出し装置に接続された予備配線（Ｓｉｇ冗長配
線）は、Ｓｉｇ線の冗長配線の役割を果たし、画素エリ
ア外で、各Ｓｉｇ線とクロス部を形成する。
線（Ｖｇ冗長配線）は、Ｖｇ線の冗長配線の役割を果た
し、画素エリア外で、各Ｖｇ線とクロス部を形成する。
又、読み出し装置に接続された予備配線（Ｓｉｇ冗長配
線）は、Ｓｉｇ線の冗長配線の役割を果たし、画素エリ
ア外で、各Ｓｉｇ線とクロス部を形成する。
【００４０】ここで、Ｖｇ冗長配線は、Ｖｇ冗長配線Ｘ
とＶｇ冗長配線Ｙとから成り、図中のＣ点で接合されて
いる。Ｓｉｇ冗長配線は、Ｓｉｇ冗長配線ＸとＳｉｇ冗
長配線Ｙとから成り、図中のＣ点で接合されている。
とＶｇ冗長配線Ｙとから成り、図中のＣ点で接合されて
いる。Ｓｉｇ冗長配線は、Ｓｉｇ冗長配線ＸとＳｉｇ冗
長配線Ｙとから成り、図中のＣ点で接合されている。
【００４１】入射する可視光や放射線によって半導体変
換素子で発生した電荷は、ゲート駆動装置により印加さ
れるゲート駆動パルスによって信号線に転送され、読み
出し装置により読み出される。
換素子で発生した電荷は、ゲート駆動装置により印加さ
れるゲート駆動パルスによって信号線に転送され、読み
出し装置により読み出される。
【００４２】尚、Ｖｇ線とＶｇ冗長配線は電気的に絶縁
され、配線間のクロス部を形成するように配置されてい
る。又、Ｓｉｇ線とＳｉｇ冗長配線とは、電気的に絶縁
され、配線間のクロス部を形成するように配置されてい
る。
され、配線間のクロス部を形成するように配置されてい
る。又、Ｓｉｇ線とＳｉｇ冗長配線とは、電気的に絶縁
され、配線間のクロス部を形成するように配置されてい
る。
【００４３】Ａ点のように、ゲート線Ｖｇ４に断線が生
じた場合、Ｖｇ４のパッド部Ｐｖｇ４とＶｇ冗長配線と
の間に電圧を加えることにより、Ｖｇ４とＶｇ冗長配線
との間にある絶縁膜が破壊され、クロス部Ｇ点が電気的
に接続される。よって、断線した配線（ゲート線Ｖｇ
４）上のＴ１４、Ｔ２４、Ｔ３４にも、Ｖｇ冗長配線を
介してゲート駆動パルスが印加される。
じた場合、Ｖｇ４のパッド部Ｐｖｇ４とＶｇ冗長配線と
の間に電圧を加えることにより、Ｖｇ４とＶｇ冗長配線
との間にある絶縁膜が破壊され、クロス部Ｇ点が電気的
に接続される。よって、断線した配線（ゲート線Ｖｇ
４）上のＴ１４、Ｔ２４、Ｔ３４にも、Ｖｇ冗長配線を
介してゲート駆動パルスが印加される。
【００４４】又、Ｂ点のように、信号線Ｓｉｇ１に断線
が生じた場合、Ｓｉｇ１のパッド部Ｐｓｉｇ１とＳｉｇ
冗長配線との間に電圧を加えることにより、絶縁層が破
壊されてクロス部Ｓ点が電気的に接続される。よって、
断線した配線（信号線Ｓｉｇ１）上のＴ１１、Ｔ１２、
Ｔ１３、Ｔ１４においても、ゲート駆動装置により印加
されるゲート駆動パルスによって転送された電荷が、Ｓ
ｉｇ冗長配線を介して読み出し装置により読み出され
る。
が生じた場合、Ｓｉｇ１のパッド部Ｐｓｉｇ１とＳｉｇ
冗長配線との間に電圧を加えることにより、絶縁層が破
壊されてクロス部Ｓ点が電気的に接続される。よって、
断線した配線（信号線Ｓｉｇ１）上のＴ１１、Ｔ１２、
Ｔ１３、Ｔ１４においても、ゲート駆動装置により印加
されるゲート駆動パルスによって転送された電荷が、Ｓ
ｉｇ冗長配線を介して読み出し装置により読み出され
る。
【００４５】つまり、パッド部を設けそこに電圧を印加
することによって冗長配線と駆動線もしくは信号線との
絶縁を破壊し、冗長配線との電気接続を行っている。こ
のようにパッド部を設けることによって、このパッド部
を断線の検査にも用いることができ、検査した後に、検
査時よりも大きな電圧を印加して絶縁破壊すればよい。
本実施形態の構成によれば、Ｖｇ線の断線、Ｓｉｇ線の
断線による歩留りの低下を防ぐことができる。更に、本
実施形態では、予備配線を画素エリア外に配置している
ため、光電変換素子の開口率を減少させることもない。
することによって冗長配線と駆動線もしくは信号線との
絶縁を破壊し、冗長配線との電気接続を行っている。こ
のようにパッド部を設けることによって、このパッド部
を断線の検査にも用いることができ、検査した後に、検
査時よりも大きな電圧を印加して絶縁破壊すればよい。
本実施形態の構成によれば、Ｖｇ線の断線、Ｓｉｇ線の
断線による歩留りの低下を防ぐことができる。更に、本
実施形態では、予備配線を画素エリア外に配置している
ため、光電変換素子の開口率を減少させることもない。
【００４６】本実施形態では、予備配線として、Ｖｇ冗
長配線とＳｉｇ冗長配線の２本を配置したが、どちらか
１本でもそれぞれ同様の効果が得られるため、各配線の
断線数に応じてその数と用途を選択することができる。
長配線とＳｉｇ冗長配線の２本を配置したが、どちらか
１本でもそれぞれ同様の効果が得られるため、各配線の
断線数に応じてその数と用途を選択することができる。
【００４７】〔実施形態４〕図７は、本発明の光電変換
装置の第４の実施形態を示す等価回路図である。Ｐ１１
〜Ｐ４４は光電変換素子又は放射線検出素子などの半導
体変換素子、Ｔ１１〜Ｔ４４はＴＦＴなどのスイッチ素
子である。ＴＦＴのゲート電極は、共通の駆動配線であ
るゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ４に接続されている。Ｖｇ１〜
Ｖｇ４は、ＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦを制御するゲート駆動
装置に接続されている。又、各ＴＦＴのソース若しくは
ドレイン電極は、共通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４に接
続されており、Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４は読み出し装置に接
続されている。
装置の第４の実施形態を示す等価回路図である。Ｐ１１
〜Ｐ４４は光電変換素子又は放射線検出素子などの半導
体変換素子、Ｔ１１〜Ｔ４４はＴＦＴなどのスイッチ素
子である。ＴＦＴのゲート電極は、共通の駆動配線であ
るゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ４に接続されている。Ｖｇ１〜
Ｖｇ４は、ＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦを制御するゲート駆動
装置に接続されている。又、各ＴＦＴのソース若しくは
ドレイン電極は、共通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４に接
続されており、Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４は読み出し装置に接
続されている。
【００４８】更に、予備配線（Ｖｇ冗長配線）は、基準
電位（例えばＧＮＤ）に接続され、Ｖｇ線の冗長配線と
されており、画素エリア外で各Ｖｇ線とクロス部を形成
する。
電位（例えばＧＮＤ）に接続され、Ｖｇ線の冗長配線と
されており、画素エリア外で各Ｖｇ線とクロス部を形成
する。
【００４９】ここで、Ｖｇ冗長配線は、Ｖｇ冗長配線Ｘ
とＶｇ冗長配線Ｙとから成り、図中のＣ点で接合されて
いる。
とＶｇ冗長配線Ｙとから成り、図中のＣ点で接合されて
いる。
【００５０】可視光もしくは放射線などの入射によって
半導体変換素子で発生した電荷は、ゲート駆動装置によ
り印加されるゲート駆動パルスにより信号線に転送さ
れ、読み出し装置により読み出される。
半導体変換素子で発生した電荷は、ゲート駆動装置によ
り印加されるゲート駆動パルスにより信号線に転送さ
れ、読み出し装置により読み出される。
【００５１】尚、Ｖｇ線とＶｇ冗長配線とは電気的に絶
縁され、配線間のクロス部を形成するように配置されて
いる。
縁され、配線間のクロス部を形成するように配置されて
いる。
【００５２】Ａ点のように、ゲート線Ｖｇ４に断線が生
じた場合、Ｖｇ４とＶｇ冗長配線Ｙとのクロス部Ｇ点を
レーザー照射することにより、Ｖｇ４とＶｇ冗長配線Ｙ
とが電気的に接続される。よって、断線した配線（ゲー
ト線Ｖｇ４）上のＴ１４、Ｔ２４、Ｔ３４の電位を固定
でき、断線した配線（ゲート線Ｖｇ４）の電位が不安定
になって周囲の画素に悪影響を及ぼすことを防止でき
る。
じた場合、Ｖｇ４とＶｇ冗長配線Ｙとのクロス部Ｇ点を
レーザー照射することにより、Ｖｇ４とＶｇ冗長配線Ｙ
とが電気的に接続される。よって、断線した配線（ゲー
ト線Ｖｇ４）上のＴ１４、Ｔ２４、Ｔ３４の電位を固定
でき、断線した配線（ゲート線Ｖｇ４）の電位が不安定
になって周囲の画素に悪影響を及ぼすことを防止でき
る。
【００５３】更に、本実施形態では、予備配線を画素エ
リア外に配置しているため、光電変換素子の開口率を減
少させることもない。又、前記クロス部Ｇ点を電気的に
接続する方法としては、第３の実施形態に示したよう
な、電圧を加えて絶縁膜を破壊する方法を用いても良
い。
リア外に配置しているため、光電変換素子の開口率を減
少させることもない。又、前記クロス部Ｇ点を電気的に
接続する方法としては、第３の実施形態に示したよう
な、電圧を加えて絶縁膜を破壊する方法を用いても良
い。
【００５４】本実施形態では、予備配線としてＶｇ冗長
配線を１本配置したが、Ｓｉｇ線の冗長配線を一本配置
する、又は予備配線を２本配置してそれぞれをＶｇ冗長
配線、Ｓｉｇ冗長配線とする等、各配線の断線数に応じ
てその数と用途を選択することができる。
配線を１本配置したが、Ｓｉｇ線の冗長配線を一本配置
する、又は予備配線を２本配置してそれぞれをＶｇ冗長
配線、Ｓｉｇ冗長配線とする等、各配線の断線数に応じ
てその数と用途を選択することができる。
【００５５】〔実施形態５〕図８は、本発明の光電変換
装置の第５の実施形態を示す等価回路図である。Ｐ１１
〜Ｐ４４は光電変換素子又は放射線検出素子などの半導
体変換素子、Ｔ１１〜Ｔ４４はＴＦＴなどのスイッチ素
子である。ＴＦＴのゲート電極は、共通の駆動配線であ
るゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ４に接続されている。Ｖｇ１〜
Ｖｇ４はＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦを制御するゲート駆動装
置に接続されている。又、各ＴＦＴのソース若しくはド
レイン電極は共通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４に接続さ
れており、Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４は読み出し装置に接続さ
れている。
装置の第５の実施形態を示す等価回路図である。Ｐ１１
〜Ｐ４４は光電変換素子又は放射線検出素子などの半導
体変換素子、Ｔ１１〜Ｔ４４はＴＦＴなどのスイッチ素
子である。ＴＦＴのゲート電極は、共通の駆動配線であ
るゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ４に接続されている。Ｖｇ１〜
Ｖｇ４はＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦを制御するゲート駆動装
置に接続されている。又、各ＴＦＴのソース若しくはド
レイン電極は共通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４に接続さ
れており、Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４は読み出し装置に接続さ
れている。
【００５６】更に、ゲート駆動装置に接続された予備配
線（Ｖｇ冗長配線）が複数本（ここでは４本）存在し、
それぞれがＶｇ線の冗長配線の役割を果たし、絶縁基板
との端部で、各Ｖｇ線とクロス部を形成する。
線（Ｖｇ冗長配線）が複数本（ここでは４本）存在し、
それぞれがＶｇ線の冗長配線の役割を果たし、絶縁基板
との端部で、各Ｖｇ線とクロス部を形成する。
【００５７】ここで、Ｖｇ冗長配線は、Ｖｇ冗長配線Ｘ
とＶｇ冗長配線Ｙとから成り、図中のＣ点で接合されて
いる。
とＶｇ冗長配線Ｙとから成り、図中のＣ点で接合されて
いる。
【００５８】入射する可視光や放射線によって半導体変
換素子で発生した電荷は、ゲート駆動装置により印加さ
れるゲート駆動パルスによって信号線に転送され、読み
出し装置により読み出される。
換素子で発生した電荷は、ゲート駆動装置により印加さ
れるゲート駆動パルスによって信号線に転送され、読み
出し装置により読み出される。
【００５９】尚、Ｖｇ線とＶｇ冗長配線とは電気的に絶
縁され、配線間のクロス部を形成するように配置されて
いる。
縁され、配線間のクロス部を形成するように配置されて
いる。
【００６０】Ａ点のように、ゲート線Ｖｇ４に断線が生
じた場合、Ｖｇ４とＶｇ冗長配線４Ｙとのクロス部Ｇ点
をレーザー照射することにより、Ｖｇ４とＶｇ冗長配線
４Ｙとが電気的に接続される。よって、断線した配線
（ゲート線Ｖｇ４）上のＴ１４、Ｔ２４、Ｔ３４にも、
Ｖｇ冗長配線４Ｙを介してゲート駆動パルスが印加され
る。したがって、配線の断線による歩留りの低下を防ぐ
ことができる。
じた場合、Ｖｇ４とＶｇ冗長配線４Ｙとのクロス部Ｇ点
をレーザー照射することにより、Ｖｇ４とＶｇ冗長配線
４Ｙとが電気的に接続される。よって、断線した配線
（ゲート線Ｖｇ４）上のＴ１４、Ｔ２４、Ｔ３４にも、
Ｖｇ冗長配線４Ｙを介してゲート駆動パルスが印加され
る。したがって、配線の断線による歩留りの低下を防ぐ
ことができる。
【００６１】又、前記クロス部Ｇ点を電気的に接続する
方法としては、第３の実施形態に示したような、電圧を
加えて絶縁膜を破壊する方法を用いても良い。
方法としては、第３の実施形態に示したような、電圧を
加えて絶縁膜を破壊する方法を用いても良い。
【００６２】本実施形態では、予備配線として、Ｖｇ冗
長配線を４本配置したが、Ｓｉｇ冗長配線を配置する
等、各配線の断線数に応じて、その数と用途を選択でき
る。
長配線を４本配置したが、Ｓｉｇ冗長配線を配置する
等、各配線の断線数に応じて、その数と用途を選択でき
る。
【００６３】〔実施形態６〕図９は、本発明の第６の実
施形態である放射線検出装置の模式的な断面図であり、
図１０は、その平面図である。本実施の形態の放射線検
出装置は、少なくともＴＦＴを有した二次元ＴＦＴアレ
イに、アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）を蒸着したもの
やＧａＡｓ基板を貼り合わせた構造等のように放射線を
直接電荷に変換するエネルギー変換体を備えている。
施形態である放射線検出装置の模式的な断面図であり、
図１０は、その平面図である。本実施の形態の放射線検
出装置は、少なくともＴＦＴを有した二次元ＴＦＴアレ
イに、アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）を蒸着したもの
やＧａＡｓ基板を貼り合わせた構造等のように放射線を
直接電荷に変換するエネルギー変換体を備えている。
【００６４】図９には共通電極１０１とエネルギー変換
体１０２で変換された電荷を収集する電荷収集用電極１
０３と、電荷収集用電極１０３で収集された電荷を蓄積
する蓄積容量１０４と、蓄積容量１０４で蓄積された電
荷の読み出しを制御するスイッチ素子１０５とを示して
いる。この際、電荷収集用電極１０３を複数に分割する
ことにより複数の画素を形成している。
体１０２で変換された電荷を収集する電荷収集用電極１
０３と、電荷収集用電極１０３で収集された電荷を蓄積
する蓄積容量１０４と、蓄積容量１０４で蓄積された電
荷の読み出しを制御するスイッチ素子１０５とを示して
いる。この際、電荷収集用電極１０３を複数に分割する
ことにより複数の画素を形成している。
【００６５】図１０には、電荷収集用電極１０３等を複
数備えた画素領域１００と、画素領域１００から読み出
された電荷を増幅するアンプ２０１及びコンデンサＣＲ
０〜ＣＲ３を有する積分回路２０２と画素領域１００と
積分回路２０２とを接続するデータ信号ラインＤ０〜Ｄ
３とＴＦＴ１０５のゲート端子に接続されたゲート駆動
ラインＧ１〜Ｇ３とを示している。ここで、Ｄ０はＤ０
ＸとＤ０Ｙから成る予備配線、すなわち冗長配線であ
り、Ｄ０ＸとＤ０Ｙは絶縁膜を介して上下に配置されて
おり、図中Ｃで接続されている。また、Ｄ０は各データ
信号ラインＤ１〜Ｄ３と画素領域以外で上下にクロス部
を有しており、各クロス部は電気的に絶縁されている。
数備えた画素領域１００と、画素領域１００から読み出
された電荷を増幅するアンプ２０１及びコンデンサＣＲ
０〜ＣＲ３を有する積分回路２０２と画素領域１００と
積分回路２０２とを接続するデータ信号ラインＤ０〜Ｄ
３とＴＦＴ１０５のゲート端子に接続されたゲート駆動
ラインＧ１〜Ｇ３とを示している。ここで、Ｄ０はＤ０
ＸとＤ０Ｙから成る予備配線、すなわち冗長配線であ
り、Ｄ０ＸとＤ０Ｙは絶縁膜を介して上下に配置されて
おり、図中Ｃで接続されている。また、Ｄ０は各データ
信号ラインＤ１〜Ｄ３と画素領域以外で上下にクロス部
を有しており、各クロス部は電気的に絶縁されている。
【００６６】図１０の断線Ｖに示すように、Ｄ２に断線
が生じた場合、クロス部Ｚをレーザー照射することによ
って、Ｄ２とＤ０が電気的に接続されるため、断線した
配線においても電荷の読み出しが可能となる。すなわ
ち、データ信号ラインの断線による歩留まりの低下を防
止することができる。
が生じた場合、クロス部Ｚをレーザー照射することによ
って、Ｄ２とＤ０が電気的に接続されるため、断線した
配線においても電荷の読み出しが可能となる。すなわ
ち、データ信号ラインの断線による歩留まりの低下を防
止することができる。
【００６７】本実施形態では予備配線、すなわち冗長配
線をデータ信号ラインに接続する構成としたが、ゲート
駆動ラインに接続する構成であってもよいし、両者が接
続される構成にしてもよい。
線をデータ信号ラインに接続する構成としたが、ゲート
駆動ラインに接続する構成であってもよいし、両者が接
続される構成にしてもよい。
【００６８】〔実施形態７〕次に、本発明による半導体
装置を用いた、Ｘ線等の放射線を検出する放射線検出装
置の実装例及びそれを用いた放射線撮像システムについ
て説明する。放射線撮像システムの一例として、Ｘ線診
断システムを説明する。
装置を用いた、Ｘ線等の放射線を検出する放射線検出装
置の実装例及びそれを用いた放射線撮像システムについ
て説明する。放射線撮像システムの一例として、Ｘ線診
断システムを説明する。
【００６９】図１１（ａ），（ｂ）は本発明による半導
体装置に蛍光体層を接着し、Ｘ線等の放射線を検出する
放射線検出装置の実装例の模式的構成図及び模式的断面
図である。
体装置に蛍光体層を接着し、Ｘ線等の放射線を検出する
放射線検出装置の実装例の模式的構成図及び模式的断面
図である。
【００７０】光電変換素子とＴＦＴはａ−Ｓｉ（アモル
ファスシリコン）センサ基板６０１１内に複数個形成さ
れ、シフトレジスタＳＲ１と検出用集積回路ＩＣが実装
されたフレキシブル回路基板６０１０が接続されてい
る。フレキシブル回路基板６０１０のａ−Ｓｉと反対側
は回路基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続されている。前記
ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１の複数枚が基台６０１２の
上に接着され大型の光検出装置を構成する基台６０１２
の下には処理回路６０１８内のメモリ６０１４をＸ線か
ら保護するため鉛板６０１３が実装されている。ａ−Ｓ
ｉセンサ基板６０１１上には入射した電磁波を可視光に
変換するための波長変換体である蛍光体６０３０たとえ
ばＣｓＩが、蒸着されている。ここで、放射線に関して
直接感応性のある半導体材料を用いるなどすれば、特に
蛍光体などの波長変換体を設ける必要はない。図１１
（ｂ）に示されるように全体をカーボンファイバー製の
ケース６０２０に収納している。
ファスシリコン）センサ基板６０１１内に複数個形成さ
れ、シフトレジスタＳＲ１と検出用集積回路ＩＣが実装
されたフレキシブル回路基板６０１０が接続されてい
る。フレキシブル回路基板６０１０のａ−Ｓｉと反対側
は回路基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続されている。前記
ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１の複数枚が基台６０１２の
上に接着され大型の光検出装置を構成する基台６０１２
の下には処理回路６０１８内のメモリ６０１４をＸ線か
ら保護するため鉛板６０１３が実装されている。ａ−Ｓ
ｉセンサ基板６０１１上には入射した電磁波を可視光に
変換するための波長変換体である蛍光体６０３０たとえ
ばＣｓＩが、蒸着されている。ここで、放射線に関して
直接感応性のある半導体材料を用いるなどすれば、特に
蛍光体などの波長変換体を設ける必要はない。図１１
（ｂ）に示されるように全体をカーボンファイバー製の
ケース６０２０に収納している。
【００７１】図１２は上記の放射線検出装置のＸ線診断
システムへの応用例を示したものである。
システムへの応用例を示したものである。
【００７２】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、光検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ
線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ
線の入射に対応して蛍光体は発光し、これを光電変換し
て、電荷などの電気的情報を得る。この情報はディジタ
ル変換されイメージプロセッサ６０７０により画像処理
され制御室のディスプレイ６０８０で観察できる。
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、光検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ
線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ
線の入射に対応して蛍光体は発光し、これを光電変換し
て、電荷などの電気的情報を得る。この情報はディジタ
ル変換されイメージプロセッサ６０７０により画像処理
され制御室のディスプレイ６０８０で観察できる。
【００７３】また、この情報は電話回線６０９０等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
【００７４】なお、放射線とはＸ線やα，β，γ線等を
いい、光は光電変換素子により検出可能な波長領域の電
磁波であり、可視光を含む。
いい、光は光電変換素子により検出可能な波長領域の電
磁波であり、可視光を含む。
【００７５】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、画素エリ
ア外に冗長配線を形成することにより、以下のような効
果をもつ。
ア外に冗長配線を形成することにより、以下のような効
果をもつ。
【００７６】まず、各配線幅を太くする必要がないた
め、Ｓｉｇ線とＶｇ線のクロス部のような上下の金属配
線間に形成されるコンデンサのキャパシタンスを増加さ
せることなく、歩留りの低下を防ぐことができる。つま
り、転送する信号の感度が減少することがない。又、光
電変換素子の開口率が減少することもない。
め、Ｓｉｇ線とＶｇ線のクロス部のような上下の金属配
線間に形成されるコンデンサのキャパシタンスを増加さ
せることなく、歩留りの低下を防ぐことができる。つま
り、転送する信号の感度が減少することがない。又、光
電変換素子の開口率が減少することもない。
【００７７】更に、冗長配線を基準電位（例えばＧＮ
Ｄ）に接続することによって、断線した配線の電位を固
定できることから、断線した配線の電位が不安定になっ
て周囲の画素に悪影響を及ぼすことを防止できる。
Ｄ）に接続することによって、断線した配線の電位を固
定できることから、断線した配線の電位が不安定になっ
て周囲の画素に悪影響を及ぼすことを防止できる。
【図１】本発明の光電変換装置の第１の実施形態を示す
等価回路図
等価回路図
【図２】本発明の光電変換装置の第１の実施形態を示す
平面図
平面図
【図３】図１、図２中のクロス部Ｇ点の拡大平面図及び
その断面図
その断面図
【図４】図１、図２中のクロス部Ｓ点の拡大平面図及び
その断面図
その断面図
【図５】本発明の光電変換装置の第２の実施形態を示す
等価回路図
等価回路図
【図６】本発明の光電変換装置の第３の実施形態を示す
等価回路図
等価回路図
【図７】本発明の光電変換装置の第４の実施形態を示す
等価回路図
等価回路図
【図８】本発明の光電変換装置の第５の実施形態を示す
等価回路図
等価回路図
【図９】本発明の第６の実施形態である放射線検出装置
の模式的な断面図
の模式的な断面図
【図１０】図９に示す放射線検出装置の平面図
【図１１】本発明によるＸ線検出装置の実装例の模式的
構成図及び模式的断面図
構成図及び模式的断面図
【図１２】本発明によるＸ線検出装置のＸ線診断システ
ムへの応用例を示す図
ムへの応用例を示す図
【図１３】従来の光電変換装置の等価回路図
【図１４】図１３に示す光電変換装置の平面図
【図１５】従来の光電変換装置の１画素の層構成を示す
平面図及び断面図
平面図及び断面図
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ Ｖｇ線 ゲート線 Ｓｉｇ線 信号線 Ｐ０１〜Ｐ５４ 光電変換素子（ここではフォトダイオ
ード） Ｔ０１〜Ｔ５４ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） Ｖｇ１〜Ｖｇ８ 共通のゲート線 Ｖｇ冗長配線１〜４ Ｖｇ線の冗長配線 Ｖｇ冗長配線Ｘ Ｖｇ冗長配線のＸ方向の配線 Ｖｇ冗長配線Ｙ Ｖｇ冗長配線のＹ方向の配線 Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４ 共通の信号線 Ｓｉｇ冗長配線１〜３ Ｓｉｇ線の冗長配線 Ｓｉｇ冗長配線Ｘ Ｓｉｇ冗長配線のＸ方向の配線 Ｓｉｇ冗長配線Ｙ Ｓｉｇ冗長配線のＹ方向の配線 Ｇ Ｖｇ線とＶｇ冗長配線のクロス部 Ｓ Ｓｉｇ線とＳｉｇ冗長配線のクロス部 Ａ Ｖｇ線の断線個所 Ｂ Ｓｉｇ線の断線個所 Ｃ Ｖｇ冗長配線ＸとＶｇ冗長配線Ｙとの接合部分 Ｓｉｇ冗長配線ＸとＳｉｇ冗長配線Ｙとの接合部分 Ｐｖｇ１〜４ Ｖｇ線のパッド部 Ｐｓｉｇ〜４ Ｓｉｇ線のパッド部
ード） Ｔ０１〜Ｔ５４ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） Ｖｇ１〜Ｖｇ８ 共通のゲート線 Ｖｇ冗長配線１〜４ Ｖｇ線の冗長配線 Ｖｇ冗長配線Ｘ Ｖｇ冗長配線のＸ方向の配線 Ｖｇ冗長配線Ｙ Ｖｇ冗長配線のＹ方向の配線 Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４ 共通の信号線 Ｓｉｇ冗長配線１〜３ Ｓｉｇ線の冗長配線 Ｓｉｇ冗長配線Ｘ Ｓｉｇ冗長配線のＸ方向の配線 Ｓｉｇ冗長配線Ｙ Ｓｉｇ冗長配線のＹ方向の配線 Ｇ Ｖｇ線とＶｇ冗長配線のクロス部 Ｓ Ｓｉｇ線とＳｉｇ冗長配線のクロス部 Ａ Ｖｇ線の断線個所 Ｂ Ｓｉｇ線の断線個所 Ｃ Ｖｇ冗長配線ＸとＶｇ冗長配線Ｙとの接合部分 Ｓｉｇ冗長配線ＸとＳｉｇ冗長配線Ｙとの接合部分 Ｐｖｇ１〜４ Ｖｇ線のパッド部 Ｐｓｉｇ〜４ Ｓｉｇ線のパッド部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｔ 7/00 Ｈ０４Ｎ 5/32 ５Ｆ０３３ Ｈ０１Ｌ 21/3205 5/335 Ｕ ５Ｆ０８８ 27/146 7/18 Ｌ 31/09 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｃ 5/335 21/88 Ｚ 7/18 31/00 Ａ Ｆターム(参考） 2G065 AA04 AB04 BA03 BA34 BC02 BC03 BE01 2G088 FF02 GG19 GG21 JJ05 JJ33 JJ37 4M118 AA10 AB01 BA05 CA02 CB02 CB05 EA05 FB09 FB10 FB13 FB16 GA10 HA20 HA22 5C024 AX12 AX16 CX41 CY47 5C054 CA02 DA09 GA02 GB01 HA12 5F033 HH00 KK00 UU04 VV06 VV15 XX36 5F088 AA01 AB05 BA20 BB03 BB07 EA04 EA08 GA04 KA03 LA08
Claims (13)
- 【請求項１】 絶縁基板上に、エネルギーを電荷に変換
する複数個の半導体変換素子と、スイッチ素子と、それ
らの素子に駆動信号を供給する駆動線（Ｖｇ線）と、前
記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線
（Ｓｉｇ線）とを有する半導体装置において、 前記素子を駆動するための駆動予備配線（Ｖｇ冗長配
線）と、前記電荷を読み出すための信号予備配線（Ｓｉ
ｇ冗長配線）とを、いずれか一方又は両方を有し、 前記駆動予備配線（Ｖｇ冗長配線）は駆動線（Ｖｇ線）
と、前記信号予備配線（Ｓｉｇ冗長配線）は信号線（Ｓ
ｉｇ線）と、それぞれ配線間にクロス部を形成し、 各クロス部が電気的に絶縁されるように配置されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記駆動線又は信号線が断線箇所を有す
る場合、この断線した配線と前記予備配線とのクロス部
を電気的に接続することを特徴とする請求項１記載の光
電変換装置。 - 【請求項３】 前記断線した配線と前記予備配線とのク
ロス部をレーザー照射することにより、前記断線した配
線と前記予備配線とを電気的に接続することを特徴とす
る請求項２記載の光電変換装置。 - 【請求項４】 前記断線した配線と前記予備配線との間
に電圧を加えることにより、そのクロス部を電気的に接
続することを特徴とする請求項２記載の光電変換装置。 - 【請求項５】 前記駆動線又は信号線に、前記予備配線
との接続のためのパッド部を有することを特徴とする請
求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項６】 前記予備配線が基準電位に接続されてい
ることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項７】 前記基準電位が接地電位であることを特
徴とする請求項６記載の光電変換装置。 - 【請求項８】 前記駆動線又は信号線と、それらの予備
配線とのクロス部は、半導体層を介して構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項９】 入射した電磁波の波長を変換して出射す
る波長変換体を備え、 この変換後の波長の電磁波を前記半導体変換素子にて電
荷に変換することを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項１０】 絶縁基板上に第１の電極層、絶縁層、
第１の半導体層、ｎ＋型半導体層、第２の電極層から構
成される半導体変換素子と、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、第２の半導体層、オーミックコンタクト層から成る
スイッチＴＦＴと、前記半導体変換素子及びスイッチＴ
ＦＴに駆動信号を供給する駆動線と、前記半導体変換素
子にて変換された電荷を読み出す信号線とを有する半導
体装置において、 前記素子を駆動するための駆動予備配線と、前記電荷を
読み出すための信号予備配線とを、いずれか一方又は両
方を有し、 前記駆動予備配線は駆動線と、前記信号予備配線は信号
線と、それぞれ配線間にクロス部を形成し、 各クロス部は、前記絶縁層、第１の半導体層、ｎ＋型半
導体層又はゲート絶縁層、第２の半導体層、オーミック
コンタクト層から構成されることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項１１】 共通電極と、放射線を電荷に変換する
エネルギー変換体と、この変換された電荷を収集する複
数の電極と、この収集された電荷を蓄積する容量素子
と、この蓄積された電荷を読み出すためのトランジスタ
と、前記蓄積された電荷を読み出すためのデータ信号線
と、前記トランジスタに接続されたゲート駆動線とを有
する放射線検出装置において、 前記データ信号線又はゲート駆動線と複数のクロス部を
有する予備配線を備えることを特徴とする放射線検出装
置。 - 【請求項１２】 前記エネルギー変換体は、アモルファ
スセレン、ＧａＡｓからなることを特徴とする請求項１
１記載の放射線検出装置。 - 【請求項１３】 被験者または被験物に放射線を照射す
るための放射線源と、 この放射線を検出する請求項１ないし１０のいずれかに
記載の半導体装置、又は請求項１１若しくは１２に記載
の放射線検出装置装置と、 この検出された信号をディジタル変換して画像処理する
画像処理手段と、 この処理された画像を表示する表示手段とを備えること
を特徴とする放射線撮像システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001177325A JP3467027B2 (ja) | 2000-06-15 | 2001-06-12 | 半導体装置及び放射線検出装置並びに放射線撮像システム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-180256 | 2000-06-15 | ||
| JP2000180256 | 2000-06-15 | ||
| JP2001177325A JP3467027B2 (ja) | 2000-06-15 | 2001-06-12 | 半導体装置及び放射線検出装置並びに放射線撮像システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002100753A true JP2002100753A (ja) | 2002-04-05 |
| JP3467027B2 JP3467027B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=26594009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001177325A Expired - Fee Related JP3467027B2 (ja) | 2000-06-15 | 2001-06-12 | 半導体装置及び放射線検出装置並びに放射線撮像システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3467027B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013180077A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置および放射線検出器 |
| JP2019144172A (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
| US10715755B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-07-14 | Sony Corporation | Solid-state image sensor and imaging device |
| WO2020158400A1 (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
-
2001
- 2001-06-12 JP JP2001177325A patent/JP3467027B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013180077A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置および放射線検出器 |
| JPWO2013180077A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2016-01-21 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置および放射線検出器 |
| US10715755B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-07-14 | Sony Corporation | Solid-state image sensor and imaging device |
| JP2019144172A (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
| WO2020158400A1 (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3467027B2 (ja) | 2003-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6995373B2 (en) | Semiconductor device, radiation detection device, and radiation detection system | |
| US7932946B2 (en) | Imaging apparatus and radiation imaging system | |
| EP1420453B1 (en) | Image pickup apparatus, radiation image pickup apparatus and radiation image pickup system | |
| JP4401488B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP5159065B2 (ja) | 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム | |
| US20100277630A1 (en) | Imaging apparatus and radiation imaging apparatus | |
| JP4018725B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2006004998A (ja) | 放射線撮像用基板、放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
| JPH07209430A (ja) | 放射線固体検出パネル | |
| JP4938961B2 (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
| JP4067055B2 (ja) | 撮像装置及びその製造方法、放射線撮像装置、放射線撮像システム | |
| JP2002050754A (ja) | 半導体装置とその製造方法、放射線検出装置とそれを用いた放射線検出システム | |
| JP2004251892A (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
| CN100511693C (zh) | 辐射检测设备、辐射成像设备和辐射成像系统 | |
| JP2008098391A (ja) | 放射線画像検出器 | |
| US6809357B2 (en) | Flat panel detection type solid-state imaging device | |
| JP3467027B2 (ja) | 半導体装置及び放射線検出装置並びに放射線撮像システム | |
| JP4311693B2 (ja) | 光電変換装置及びそのリペア方法、それを用いたｘ線撮像システム | |
| JP2007184407A (ja) | 電磁波検出装置及び放射線撮像システム | |
| JP5677353B2 (ja) | 放射線検出装置および放射線撮像システム | |
| JP2008096278A (ja) | 放射線画像検出器 | |
| JP2004303925A (ja) | 撮像用基板 | |
| JP2007093449A (ja) | 放射線検出器 | |
| JP4621161B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2006005150A (ja) | 撮像装置及び放射線撮像装置、放射線撮像システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070829 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100829 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |