JP2007093449A - 放射線検出器 - Google Patents

Abstract

【課題】高精細であり、パッドとの接続を良好に行うことができ、良好なノイズ特性を得ることができる放射線検出器を提供する。
【解決手段】放射線検出器は、基板１０と、基板上に配設され、第１方向ｄ１に互い違いに設けられ、かつ、第１方向に直交した第２方向ｄ２にそれぞれ延出した複数の第１駆動線１１および複数の第２駆動線１２と、複数の第１駆動線の一端に接続された複数の第１パッド１１ｐと、複数の第１駆動線に対して複数の第１パッドと反対側に設けられ、複数の第２駆動線の一端に接続された複数の第２パッド１２ｐと、第１駆動線および第２駆動線に交差して基板上に配設され、第２方向に互い違いに設けられ、かつ、第１方向にそれぞれ延出した複数の第１信号線１３および複数の第２信号線１４と、第１駆動線、第２駆動線、第１信号線および第２信号線で囲まれたマトリクス状の複数の領域に設けられ、入射される放射線の量に対応した信号を出力する複数の画素部１５とを備えている。
【選択図】 図１

Description

この発明は、放射線検出器に関する。

近年、放射線検出器として、例えば、Ｘ線検出用の複数の画素部が２次元的にマトリクス状に設けられたＸ線検出器が開発されている。Ｘ線検出器には、大きく分けて間接変換方式と、直接変換方式との２つがある。

間接変換方式のＸ線検出器は、大面積の矩形状の基板と、この基板上に互いに交差して形成された複数の駆動線および複数の信号線と、駆動線および信号線の各交差部近傍に配置されたスイッチング素子としての複数のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）と、ＴＦＴの上部にそれぞれ形成された光電変換素子としての複数のフォトダイオードと、これらフォトダイオード上に形成されたシンチレータ層とを備えている（例えば、特許文献１参照）。

隣合う２本の駆動線および隣合う２本の信号線で囲まれた領域にはそれぞれ画素が設けられている。ＴＦＴとしては、液晶ディスプレイで開発された水素化ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）による電界効果型のＴＦＴが用いられている。各画素部はＴＦＴおよびフォトダイオードを１つずつ含んでいる。光電変換の方式としては、Ｘ線をシンチレータ層で一旦光に変換し、変換した光をフォトダイオードで検知して電荷に変換する方式である。また、直接変換方式としては、フォトダイオードおよびシンチレータ層の換わりにａ−Ｓｅ等の材料からなる光導電膜を設けてＸ線検出器を形成し、光導電膜でＸ線を直接電荷に変換する方式である。

上記したＸ線検出器において、駆動線は一端が基板の一辺まで延出して形成され、その一辺に形成された複数の駆動線接続パッドにそれぞれ接続されている。また、信号線は一端が基板の他の一辺まで延出して形成され、その他の一辺に形成された複数の信号線接続パッドにそれぞれ接続されている。

Ｘ線検出器の周辺には、駆動線を走査するゲートドライバＩＣ（集積回路）等の駆動回路と、信号線の信号を読み取る読み取り回路とが設けられている。駆動回路および読み取り回路はＸ線が照射されると動作が不安定になるため、駆動線および信号線が形成された基板の表側には設けられず基板の外側または基板の裏側に設けられている。駆動回路および駆動線接続パッドは、熱圧着されたフレキシブルプリント基板を介して接続されている。読み取り回路および信号線接続パッドは、熱圧着されたフレキシブルプリント基板を介して接続されている。
特開２００４−３１７３００号公報

上記したＸ線検出器において、駆動線の間隔（ピッチ）および信号線の間隔は画像の分解能と関係があり、最大画像分解能はこれらの間隔で決定される。要求される画像分解能は用途によって異なり、例えばＸ線胸部撮影では１５０μｍないし２００μｍの間隔、マンモグラフィでは５０μｍないし８０μｍの間隔が必要である。駆動線の間隔および信号線の間隔が短くなると駆動線接続パッドの間隔および信号線接続パッドの間隔も短くなる。配線の間隔が短いフレキシブルプリント基板も必要である。フレキシブルプリント基板の配線の間隔は４０μｍが限界である。また、フレキシブルプリント基板は熱による縮みがあるため、駆動線の間隔および信号線の間隔が短くなると、駆動線の間隔およびフレキシブルプリント基板の間隔とを合わせた熱圧着と、信号線の間隔およびフレキシブルプリント基板の間隔とを合わせた熱圧着とは極めて困難である。

さらに、読み取り回路は信号線接続パッドにそれぞれ接続された複数の読み取り部を有し、これらの読み取り部は電荷増幅機能を有している。読み取り部の大きさはノイズ量と密接に関係し、アナログ部分の回路面積が小さくなると回路ノイズが大きくなると言う特性があるため、サイズを小さくできない。このため、信号線の間隔が狭くなると読み取り回路を基板の周辺に配置することが困難である。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、高精細であり、パッドとの接続を良好に行うことができ、良好なノイズ特性を得ることができる放射線検出器を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明の態様に係る放射線検出器は、
基板と、
前記基板上に配設され、第１方向に互い違いに設けられ、かつ、前記第１方向に直交した第２方向にそれぞれ延出した複数の第１配線および複数の第２配線と、
前記複数の第１配線の一端に接続された複数の第１パッドと、
前記複数の第１配線に対して前記複数の第１パッドと反対側に設けられ、前記複数の第２配線の一端に接続された複数の第２パッドと、
前記第１配線および第２配線に交差して前記基板上に配設され、前記第２方向に互い違いに設けられ、かつ、前記第１方向にそれぞれ延出した複数の第３配線および複数の第４配線と、
前記第１配線、第２配線、第３配線および第４配線で囲まれたマトリクス状の複数の領域に設けられ、入射される放射線の量に対応した信号を出力する複数の画素部とを備えている。

この発明によれば、高精細であり、パッドとの接続を良好に行うことができ、良好なノイズ特性を得ることができる放射線検出器を提供することができる。

以下、図面を参照しながらこの発明の放射線検出器を直接変換方式のＸ線検出器に適用した実施の形態について詳細に説明する。
図１および図２に示すように、Ｘ線検出器は、アクティブマトリクス型の光電変換基板１を備えている。光電変換基板１は、ガラス等の絶縁性の材料で形成された矩形状の基板１０と、複数の第１駆動線１１と、複数の第２駆動線１２と、複数の第１信号線１３と、複数の第２信号線１４と、複数の第１パッド１１ｐないし第４パッド１４ｐと、入射される放射線の量に対応した電荷信号を出力する複数の画素部１５とを備えている。複数の画素部１５は画素領域Ｒに設けられ、複数の第１パッド１１ｐないし第４パッド１４ｐは画素領域Ｒの外側に設けられている。より詳しくは、複数の画素部１５は、複数の第１駆動線１１、複数の第２駆動線１２、複数の第１信号線１３および複数の第２信号線１４で囲まれたマトリクス状の複数の領域に設けられている。図１に示した例では、１６個の画素部１５が図示されている。

第１配線としての第１駆動線１１および第２配線としての第２駆動線１２は、基板１０上に配設され、第１方向ｄ１に互い違いに設けられているとともに第１方向に直交した第２方向ｄ２にそれぞれ延出している。複数の第１パッド１１ｐと複数の第２パッド１２ｐとは、基板１０の対向する一対の辺に設けられている。複数の第１パッド１１ｐは第１駆動線１１の一端にそれぞれ接続されている。複数の第２パッド１２ｐは、第１駆動線１１に対して第１パッド１１ｐと反対側に設けられ、第２駆動線１２の一端にそれぞれ接続されている。

第３配線としての第１信号線１３および第４配線としての第２信号線１４は、第１駆動線１１および第２駆動線１２に交差して基板１０上に配設され、第２方向ｄ２に互い違いに設けられているとともに第１方向ｄ１にそれぞれ延出している。複数の第３パッド１３ｐと複数の第４パッド１４ｐとは、基板１０の対向する他の一対の辺に設けられている。複数の第３パッド１３ｐは第１信号線１３の一端にそれぞれ接続されている。複数の第４パッド１４ｐは、第１信号線１３に対して第３パッド１３ｐと反対側に設けられ、第２信号線１４の一端にそれぞれ接続されている。

複数の画素部１５は、第１駆動線１１、第２駆動線１２、第１信号線１３および第２信号線１４で囲まれた領域にそれぞれ設けられている。画素部１５は、ＴＦＴ１６と、蓄積コンデンサ１７と、画素電極１９とを備えている。

ＴＦＴ１６は、基板１０上に形成され、第１駆動線１１および第２駆動線１２の一部を延出したゲート電極１６ａと、基板およびゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜１６ｂと、ゲート電極に重ねて基板上に形成された半導体膜１６ｃと、半導体膜のソース領域に接続されたソース電極１６ｄと、半導体膜のドレイン領域に接続されたドレイン電極１６ｅとで形成されている。蓄積コンデンサ１７は、基板１０上に形成された下部電極１７ａと、ゲート絶縁膜１６ｂを介して下部電極に対向して設けられた上部電極１７ｂとで形成されている。上部電極１７ｂはＴＦＴ１６のドレイン電極１６ｅと電気的に接続されている。

画素電極１９は、ＴＦＴ１６および蓄積コンデンサ１７上の絶縁層１８上に形成され、この絶縁層の一部に形成されたコンタクトホール１８ｈを介してＴＦＴ１６のドレイン電極１６ｅに電気的に接続されている。

光電変換基板１は、さらに、絶縁層１８および画素電極１９上に形成された光導電層２０と、この光導電層上に形成されたバイアス電極層２１と、このバイアス電極層上に形成された絶縁層２２と、この絶縁層上に形成されたＸ線グリッド２３とを備えている。Ｘ線グリッド２３は画素部１５に隣合う画素部から入射されるＸ線を遮蔽する機能を有している。

図３および図４に示すように、Ｘ線検出器は、光電変換基板１の他、さらに、第１駆動線１１を駆動するゲートドライバＩＣ（集積回路）等の第１駆動回路２と、第２駆動線１２を駆動するゲートドライバＩＣ（集積回路）等の第２駆動回路３と、第１信号線１３の信号を読み取る第１読み取り回路４と、第２信号線１４の信号を読み取る第２読み取り回路５と、第１フレキシブルプリント基板６ａと、第２フレキシブルプリント基板６ｂと、第３フレキシブルプリント基板６ｃと、第４フレキシブルプリント基板６ｄとを備えている。

第１駆動回路２は、第１パッド１１ｐの間隔と同じ間隔の複数のパッドおよびこれらパッドに接続された複数の配線ｌ１が形成された第１フレキシブルプリント基板６ａを介して第１パッド１１ｐと接続されている。第２駆動回路３は、第２パッド１２ｐの間隔と同じ間隔の複数のパッドおよびこれらパッドに接続された複数の配線ｌ２が形成された第２フレキシブルプリント基板６ｂを介して第２パッド１２ｐと接続されている。

第１読み取り回路４は、複数の読み取り部４０ａと、複数の増幅器５０と、複数のＡ／Ｄ変換器６０と、並列／直列変換器７０とを有している。読み取り部４０ａは、第３パッド１３ｐの間隔と同じ間隔の複数のパッドおよびこれらパッドに接続された複数の配線ｌ３が形成された第３フレキシブルプリント基板６ｃを介して第３パッド１３ｐとそれぞれ接続されている。各読み取り部４０ａは、第３パッド１３ｐと接続された電荷増幅器４１と、フィードバックコンデンサ４２と、リセットスイッチ４３と、シフトレジスタ４４とを有している。

電荷増幅器４１は、例えば演算増幅器で構成され、その一方の入力端子は第３パッド１３ｐと接続され、他方の入力端子は接地されている。フィードバックコンデンサ４２は、電荷増幅器４１の一方の入力端子と出力端子との間に接続され、積分機能を有している。リセットスイッチ４３は、フィードバックコンデンサ４２に並列に接続され、例えば、オフからオンに切替えることでフィードバックコンデンサに残った電荷を放電するよう構成されている。

シフトレジスタ４４には、動作のタイミング信号となるクロック信号が与えられる。各シフトレジスタ４４は、クロック信号に同期して同一読み取り部４０ａから増幅器５０への信号の出力をオフからオンに切替える機能を有している。上記したことから、第１読み取り回路４の有する複数の読み取り部４０ａにより、複数の第１信号線１３の信号は、順にサンプリングおよびホールドされ、順に、並列／直列変換される。

各増幅器５０は、複数の読み取り部４０ａまたは１つの読み取り部４０ａ毎に設けられている。Ａ／Ｄ変換器６０は、増幅器５０と一対一で接続されている。並列／直列変換器７０には、複数のＡ／Ｄ変換器６０が接続されている。並列／直列変換器７０は、複数のＡ／Ｄ変換器６０から並列に入力される複数の電気信号を直列の信号に変換する機能を有している。

第２読み取り回路５は、複数の読み取り部４０ｂと、図示しない複数の増幅器５０と、複数のＡ／Ｄ変換器６０と、並列／直列変換器７０とを有している。第２読み取り回路５は、第４パッド１４ｐの間隔と同じ間隔の複数のパッドおよびこれらパッドに接続された複数の配線ｌ４が形成された第４フレキシブルプリント基板６ｄを介して第４パッド１４ｐと接続されている。第２読み取り回路５は第１読み取り回路４と同様に形成されている。読み取り部４０ｂは読み取り部４０ａと同様に形成されている。

この実施の形態において、第１駆動回路２、第２駆動回路３、第１読み取り回路４および第２読み取り回路５は基板１０の外側に設けられているが、これに限らず、画素部１５が形成されていない基板１０の裏側に設けても良い。

Ｘ線検出器は、さらに、操作制御部７と、制御部８とを備えている。操作制御部７は、画像制御ＩＣ７ａと、メモリ７ｂと、モニタ７ｃとを有している。画像制御ＩＣ７ａには第１読み取り回路４の並列／直列変換器７０の他、図示しない第２読み取り回路５の並列／直列変換器７０が接続されている。画像制御ＩＣ７ａは、２つの並列／直列変換器７０からの信号を合成してメモリ７ｂに伝送する他、モニタ７ｃに伝送する。

メモリ７ｂには、画像制御ＩＣ７ａから伝送された信号が記憶される。モニタ７ｃには画像制御ＩＣ７ａから信号が画像信号として伝送され、そのモニタの表示画面に画像が表示される。画像制御ＩＣ７ａおよびメモリ７ｂは制御部８によって制御され、駆動している。制御部８は、画素領域Ｒに照射されるＸ線の制御も行っている。

次に、上記したようなＸ線検出器を用いて例えば人体を検査し、Ｘ線像を撮影する場合について説明する。
まず、光電変換基板１およびＸ線管を人体を挟むように配置する。光電変換基板１のバイアス電極層２１に所定のバイアス電圧Ｖｂが印加された状態で、Ｘ線管から光電変換基板１に向けてＸ線が当てられる。

Ｘ線は人体を透過する等して光電変換基板１の光導電層２０に照射される。これにより、光導電層２０で生起された電荷２０ａはバイアス電極層２１に印加されているバイアス電圧Ｖｂにより方向付けられる電界により、任意の各画素部１５の画素電極１９に移動する。なお、図２においては、電子ｅがバイアス電極層２１に、ホール（正孔）ｈが画素電極１９にそれぞれ向かう状態として説明されている。各画素電極１９に移動した電荷２０ａは、ＴＦＴ１６のドレイン電極１６ｅを経由して各蓄積コンデンサ１７に蓄積される。

続いて、第１駆動回路２および第２駆動回路３は、第１駆動線１１および第２駆動線１２に接続された複数のＴＦＴ１６をオン／オフを制御するための駆動信号を出力する。駆動信号によりＴＦＴ１６がオン状態になると、各画素部１５の蓄積コンデンサ１７に蓄積された電荷は電荷信号として第１信号線１３または第２信号線１４に出力される。第１信号線１３に出力された電荷信号は第１読み取り回路４に送られ、第２信号線１４に流れ込んだ電荷信号は第２読み取り回路５に送られる。なお、画素部１５の電位は、電荷信号が第１信号線１３または第２信号線１４に出力されることによりリセットされる。

第１読み取り回路４に送られた電荷信号は、読み取り部４０ａ、増幅器５０およびＡ／Ｄ変換器６０を介して並列／直列変換器７０にて複合化された後、操作制御部７に送られる。第２読み取り回路５に送られた電荷信号は、読み取り部４０ｂ、増幅器５０およびＡ／Ｄ変換器６０を介して並列／直列変換器７０にて複合化された後、操作制御部７に送られる。これにより、モニタ７ｃの表示画面にはＸ線検出器によって撮影された画像を表示させることができる。

次に、上記した第１駆動線１１、第２駆動線１２、第１信号線１３、第２信号線１４および第１パッド１１ｐないし第４パッド１４ｐについて説明する。
図５に示すように、第１パッド１１ｐの幅Ｗ１ｐおよび第２パッド１２ｐの幅Ｗ２ｐは、第１駆動線１１の幅Ｗ１および第２駆動線１２の幅Ｗ２よりも大きい。図６に示すように、第３パッド１３ｐの幅Ｗ３ｐおよび第４パッド１４ｐの幅Ｗ４ｐは、第１信号線１３の幅Ｗ３および第２信号線１４の幅Ｗ４よりも大きい。

第１パッド１１ｐおよびフレキシブルプリント基板６ａ、第２パッド１２ｐおよびフレキシブルプリント基板６ｂ、第３パッド１３ｐおよびフレキシブルプリント基板６ｃ、並びに第４パッド１４ｐおよびフレキシブルプリント基板６ｄは、それぞれフレキシブルプリント基板上のパッド部分に熱で溶融する導電性接着剤を塗布して、それぞれ両者の間隔が合うように熱圧着されている。

フレキシブルプリント基板６ａ〜６ｄは熱で縮む特性があり、第１ないし第４パッド１１ｐ〜１４ｐとフレキシブルプリント基板６ａ〜６ｄのそれぞれのパッドとの間隔を合わせるため、フレキシブルプリント基板６ａ〜６ｄのそれぞれのパッドの間隔は、フレキシブルプリント基板６ａ〜６ｄの縮む量を想定して大きめに設定されている。

第１パッド１１ｐの間隔Ｐ１および第１パッド１１ｐの幅Ｗ１の比、並びに第２パッド１２ｐの間隔Ｐ２および第２パッド１２ｐの幅Ｗ２の比は、それぞれ２：１が理想的であるが、上記熱圧着時の位置ずれおよび製作精度を考慮すれば、それぞれ２±０．５：１であることが望ましい。

同じく、第３パッド１３ｐの間隔Ｐ３および第３パッド１３ｐの幅Ｗ３の比、並びに第４パッド１４ｐの間隔Ｐ４および第４パッド１４ｐの幅Ｗ４の比は、それぞれ２：１が理想的であるが、上記熱圧着時の位置ずれおよび製作精度を考慮すれば、それぞれ２±０．５：１であることが望ましい。

以上のように構成されたＸ線検出器によれば、第１パッド１１ｐの間隔Ｐ１および第２パッド１２ｐの間隔Ｐ２は、それぞれ第１駆動線１１および第２駆動線１２の間隔の２倍に設定することができる。第３パッド１３ｐの間隔Ｐ３および第４パッド１４ｐの間隔Ｐ４は、それぞれ第１信号線１３および第２信号線１４の間隔の２倍に設定することができる。

このため、要求される画像分解能が高くても良好なＸ線検出器を提供することができる。第１駆動線１１および第２駆動線１２の間隔並びに第１信号線１３および第２信号線１４の間隔を狭くした高精細のＸ線検出器であっても第１ないし第４パッド１１ｐ〜１４ｐの間隔Ｐ１〜Ｐ４を大きく設定できる利点がある。これにより、フレキシブルプリント基板６ａ〜６ｄのパッド（配線ｌ１〜ｌ４）の間隔は第１ないし第４パッド１１ｐ〜１４ｐの間隔Ｐ１〜Ｐ４に合わせれば良いため、フレキシブルプリント基板６ａ〜６ｄと第１ないし第４パッド１１ｐ〜１４ｐとを確実に接続することができ、フレキシブルプリント基板６ａ〜６ｄの光電変換基板１への固着を良好に行うことができる。

第１ないし第４パッド１１ｐ〜１４ｐの間隔Ｐ１〜Ｐ４およびフレキシブルプリント基板６ａ〜６ｄのパッドの間隔を大きく設定できるため、読み取り部４０ａを設けた第１読み取り回路４および読み取り部４０ｂを設けた第２読み取り回路５を光電変換基板１の周辺に容易に配置することができる。この場合でも、読み取り部４０ａ、４０ｂのアナログ部分の回路面積を小さくする必要は無いため、良好なノイズ特性を得ることができる。

第１ないし第４パッド１１ｐ〜１４ｐの面積および間隔Ｐ１〜Ｐ４を大きく設定できるが、その面積は、第１パッド１１ｐの幅Ｗ１ｐおよび第２パッド１２ｐの幅Ｗ２ｐを第１駆動線１１の幅Ｗ１および第２駆動線１２の幅Ｗ２よりも大きくし、また、第３パッド１３ｐの幅Ｗ３ｐおよび第４パッド１４ｐの幅Ｗ４ｐを第１信号線１３の幅Ｗ３および第２信号線１４の幅Ｗ４よりも大きくすることにより実現している。このため、フレキシブルプリント基板６ａ〜６ｄと第１ないし第４パッド１１ｐ〜１４ｐとを一層確実に接続することができる。

なお、この発明は、上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、図７に示すように、第３パッド１３ｐと接続されるフレキシブルプリント基板６ｃのパッド６ｐの面積は大きく設定されていても良い。上記したことは、パッド６ｐの幅Ｗ５ｐを配線ｌ３の幅Ｗ５よりも大きくすることにより実現している。上記した場合は、第３パッド１３ｐの面積が大きく設定されていなくてもフレキシブルプリント基板６ｃと第３パッド１３ｐとを一層確実に接続することができる。なお、上記したことはフレキシブルプリント基板６ｃに限らず、フレキシブルプリント基板６ａ、６ｂ、６ｄのパッドの面積をフレキシブルプリント基板６ｃと同様大きく設定しても良い。

第１読み取り回路４はフレキシブルプリント基板６ｃを介さずに第３パッド１３ｐと接続されても良い。上記した場合、第３パッド１３ｐと重なった個所または第３パッド１３ｐ付近の基板１０にスルーホールを形成し、スルーホールを介して第３パッド１３ｐと基板１０の裏側に設けられた第１読み取り回路４とを接続すれば良い。なお、上記したことは第１読み取り回路４に限らず、第１駆動回路２、第２駆動回路３および第２読み取り回路５もフレキシブルプリント基板を介さずにスルーホールを介して第１パッド１１ｐ、第２パッド１２ｐおよび第４パッド１４ｐとそれぞれ接続されても良い。

高精細のＸ線検出器を得るため、第１パッド１１ｐと第２パッド１２ｐとが基板１０の対向する一対の辺に設けられれば良く、第３パッド１３ｐと第４パッド１４ｐとは基板１０の対向する他の一対の辺に設けられなくても良い。

その他、高精細のＸ線検出器を得るため、第３パッド１３ｐと第４パッド１４ｐとが基板１０の対向する他の一対の辺に設けられれば良く、第１パッド１１ｐと第２パッド１２ｐとは基板１０の対向する一対の辺に設けられなくても良い。この場合、第１配線は第１信号線１３、第２配線は第２信号線１４、第３配線は第１駆動線１１、第４配線は第２駆動線１２である。

Ｘ線検出器は直接変換方式に限定されるものではなく、間接変換方式であっても上述した効果を得ることができる。この発明は、放射線検出器としてＸ線検出器について説明したが、これに限らずγ線等、他の放射線を検出する放射線検出器に適用することができる。

この発明の実施の形態に係るＸ線検出器の光電変換基板を模式的に示す平面図。 上記光電変換基板の一部を拡大して模式的に示す断面図。 上記光電変換基板、第１駆動回路、第２駆動回路、第１読み取り回路および第２読み取り回路を示す概略構成図。 上記第１読み取り回路、操作制御部および制御部を示す概略構成図。 上記光電変換基板の第１駆動線および第２駆動線を拡大して示す平面図。 上記光電変換基板の第１信号線および第２信号線を拡大して示す平面図。 上記Ｘ線検出器のフレキシブルプリント基板の一部を拡大して示す平面図。

符号の説明

１…光電変換基板、２…第１駆動回路、３…第２駆動回路、４…第１読み取り回路、５…第２読み取り回路、６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ…フレキシブルプリント基板、７…操作制御部、８…制御部、１０…基板、１１…第１駆動線、１１ｐ…第１パッド、１２…第２駆動線、１２ｐ…第２パッド、１３…第１信号線、１３ｐ…第３パッド、１４…第２信号線、１４ｐ…第４パッド、１５…画素部、１６…ＴＦＴ、１７…蓄積コンデンサ、１９…画素電極、２０…光導電層、４０ａ，４０ｂ…読み取り部、４１…電荷増幅器、５０…増幅器、６０…Ａ／Ｄ変換器、７０…並列／直列変換器、ｄ１…第１方向、ｄ２…第２方向、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…間隔、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４，Ｗ１ｐ，Ｗ２ｐ，Ｗ３ｐ，Ｗ４ｐ…幅。

Claims (6)

1. 基板と、
   前記基板上に配設され、第１方向に互い違いに設けられ、かつ、前記第１方向に直交した第２方向にそれぞれ延出した複数の第１配線および複数の第２配線と、
   前記複数の第１配線の一端に接続された複数の第１パッドと、
   前記複数の第１配線に対して前記複数の第１パッドと反対側に設けられ、前記複数の第２配線の一端に接続された複数の第２パッドと、
   前記第１配線および第２配線に交差して前記基板上に配設され、前記第２方向に互い違いに設けられ、かつ、前記第１方向にそれぞれ延出した複数の第３配線および複数の第４配線と、
   前記第１配線、第２配線、第３配線および第４配線で囲まれたマトリクス状の複数の領域に設けられ、入射される放射線の量に対応した信号を出力する複数の画素部とを備えた放射線検出器。
2. 前記複数の第３配線の一端に接続された複数の第３パッドと、
   前記複数の第３配線に対して前記複数の第３パッドと反対側に設けられ、前記複数の第４配線の一端に接続された複数の第４パッドとを備えた請求項１に記載の放射線検出器。
3. 前記第１パッドの幅および第２パッドの幅は、前記第１配線の幅および第２配線の幅よりも大きい請求項１に記載の放射線検出器。
4. 前記第１パッドの間隔および前記第１パッドの幅の比、並びに前記第２パッドの間隔および前記第２パッドの幅の比は、それぞれ２±０．５：１である請求項１または３に記載の放射線検出器。
5. 前記第３パッドの幅および第４パッドの幅は、前記第３配線の幅および第４配線の幅よりも大きい請求項２に記載の放射線検出器。
6. 前記第３パッドの間隔および前記第３パッドの幅の比、並びに前記第４パッドの間隔および前記第４パッドの幅の比は、それぞれ２±０．５：１である請求項２または５に記載の放射線検出器。

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