JP2002100582A

JP2002100582A - 熱処理装置

Info

Publication number: JP2002100582A
Application number: JP2000291593A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Masuda; 充弘増田
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-09-26
Filing date: 2000-09-26
Publication date: 2002-04-05

Abstract

(57)【要約】【課題】コストの上昇を抑制しつつも基板の面内温度
均一性を向上させることができる熱処理装置を提供す
る。【解決手段】被処理基板の中心に対応するとともに８
５個のランプ１２の配列における最も内側に位置するラ
ンプ１２（Ｃ１）が１つのランプ群を構成し、そのラン
プ群に専用の光源制御部が設けられている。従って、当
該ランプ１２（Ｃ１）については供給電力量を個別に調
整して、照射光量の細かな調整を行うことができ、基板
の面内温度均一性の向上に寄与する。一方、上記配列に
おいて外側に向かうにしたがって、ランプ群を構成する
ランプ１２の個数が多くなる。これによって、光量の細
かな調整が不要な領域に対応するランプ１２（Ｒ１〜Ｒ
４８）については１６個ごとに１つの光源制御部を設け
ればよく、光源制御部の個数増加を抑制することがで
き、コストの上昇を抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、「基板」と称する）に光を照
射して熱処理を行うランプアニール装置等の熱処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板の製造工程においては、
種々の熱処理が行われている。基板に対して熱処理を行
う熱処理装置としては、例えば、光照射によって基板の
急速加熱を行う急速加熱装置（いわゆるランプアニール
装置）が用いられている。特に、半導体デバイス等の微
細加工に対する要求が厳しくなるにつれ、急速加熱装置
による急速加熱プロセス（RTP; Rapid Thermal Proces
s）が重要なものとなってきている。

【０００３】このような光照射型の熱処理装置の光源に
は、例えば赤外線ハロゲンランプ等が使用されている。
光照射型の熱処理装置における熱処理時の基板表面の温
度制御は、光源たるランプの光量を調節することによっ
て行われる。このときに、ランプの光量の調節は、ラン
プに供給する電力を調整することによって行われ、一般
的には逆接続サイリスタによる交流の位相角制御によっ
て供給電力量が調整される。なお、逆接続サイリスタを
用いるのに替えて、トライアックやトランジスタを用い
る場合もある。

【０００４】また、光照射型の熱処理装置は、通常多数
のランプを備えており、これらによって基板の全体を照
射して熱処理を行う。これら多数のランプは複数のラン
プ群に分けられ、各ランプ群に含まれる所定数のランプ
が１つの光源制御部（上記の逆接続サイリスタ、トライ
アックまたはトランジスタ）に並列的に接続される。従
って、従来より、熱処理装置にはランプ群と同数の光源
制御部が設置され、各光源制御部にはほぼ同数（６個〜
８個）の複数のランプが並列的に接続されていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ランプアニ
ール装置における熱処理時には、処理の均一性を保つべ
く基板の温度分布を均一にすることが重要であり、装置
内における各ランプごとに電力供給量を制御して光量の
調整を行うことが望ましい。

【０００６】また、１つの装置に配設される複数のラン
プは同じ定格のものではあるが、製作精度の問題からあ
る程度の出力のバラツキがあり、その結果同じ電力を供
給したとしても各ランプの光量に若干のバラツキが生じ
ていた。このことからも装置内における各ランプごとに
光量の調整を行うのが望ましいことが理解される。特
に、基板の中心部近傍においては基板回転による光量均
一化の効果が少ないため、各ランプごとの個別の光量調
整が強く望まれる。

【０００７】しかしながら、光源制御部に接続されるラ
ンプ群単位での供給電力を調整することは可能であるも
のの、１つの光源制御部に並列的に接続されたランプへ
の供給電力を個別に調整することはできない。従って、
各ランプごとに光量の調整を行うことができず、その結
果特に基板の中心部近傍における温度均一性の維持が困
難になるという問題が生じていた。

【０００８】このような問題を解決する手法として、ラ
ンプ数と同数の光源制御部を設け、１つの光源制御部に
よって１つのランプへの電力供給量を制御するようにす
れば、各ランプごとに光量の調整を行うことができる。
しかし、相当数の光源制御部を設ける必要があり、大幅
なコストアップにつながるとともに、各光源制御部間で
の出力バランスの調整が著しく困難となる。

【０００９】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、コストの上昇を抑制しつつも基板の面内温度均
一性を向上させることができる熱処理装置を提供するこ
とを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板に光を照射して熱処理を行
う熱処理装置において、略平面状に配列されそれぞれが
光の照射を行う複数の光源と、前記複数の光源への電力
供給量を制御して基板に照射される光量を調節する複数
の光源制御手段と、前記平面と略平行な面内にて被処理
基板を回転させる回転手段と、を備え、前記配列におけ
る最も内側に位置する光源を被処理基板の中心に対応さ
せ、前記複数の光源を前記複数の光源制御手段と同数の
複数の光源群に分割し、前記複数の光源制御手段のそれ
ぞれに異なる一つの光源群への電力供給量を制御させ、
前記複数の光源群のうちの特定光源群よりも前記配列に
おける外側の光源群に、前記特定光源群に含まれる光源
数よりも多い数の光源を含ませている。

【００１１】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る熱処理装置において、前記複数の光源群のうちの
前記配列における最も内側の光源群を１つの光源からな
るものとしている。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１３】図１は、本発明に係る熱処理装置の全体構
成を示す側面断面図である。図１の熱処理装置は、光照
射によって基板Ｗの急速加熱処理を行ういわゆるランプ
アニール装置である。この熱処理装置は、大別して上部
のランプハウス１と、下部の炉壁２とを備えている。

【００１４】ランプハウス１には、８５個のランプ１２
（光源）と８５個のリフレクタ６が設けられている。そ
れぞれのリフレクタ６の内側には、その中心軸と同軸に
ランプ挿入用の穴が開けられており、その穴に１つのラ
ンプ１２が上方より挿入される。各ランプ１２は、必要
とされる照射強度およびランプ寿命や製作性の制限か
ら、円筒形状の石英管内にハロゲンガスを封入するとと
もに、その中心軸近傍に円筒状のフィラメント３を設け
る赤外線ハロゲンランプとしている。フィラメント３
は、その長手方向を石英管の中心軸に沿わせるようにし
て配置されている。また、各ランプ１２の上部にはフィ
ラメント３に電力を供給するためのフィラメント導出端
子４が設けられている。なお、本実施形態において、ラ
ンプ１２は平面状に配列されているが、その平面配列形
態およびランプ１２への電力供給についてはさらに後述
する。

【００１５】リフレクタ６は、楕円球面形状の反射鏡で
あり、ランプ１２から出射された光を下方に向けて（基
板Ｗに向けて）反射するものである。各ランプ１２から
出射された光はリフレクタ６によって、概ねそのランプ
１２の直下領域を照射することとなる。

【００１６】ランプハウス１の上部に設けられたベース
板８の下面には、リフレクタ６の上端部が固設されてい
る。各ランプ１２は、リフレクタ６の中心軸と同軸とな
るように取り付けフランジ５を介してベース板８に固定
されている。また、ベース板８の内部には複数の水冷経
路７が設けられており、ランプ１２からベース板８に伝
達される熱を冷却できるように構成されている。

【００１７】炉壁２の内部には基板Ｗの熱処理を行うた
めの処理室ＰＲが形成されている。また、炉壁２には基
板搬入搬出用の炉口２１が形成されており、炉口２１の
外側にはシャッター２２が設けられている。シャッター
２２は図示を省略する開閉機構によって開閉可能とされ
ている。シャッター２２が開放されている状態において
は、図外の搬送機構によって未処理の基板Ｗを炉口２１
から処理室ＰＲに搬入することと、処理済みの基板Ｗを
処理室ＰＲから搬出することができる。一方、シャッタ
ー２２が閉鎖されている状態（図１の状態）において
は、シャッター２２および後述のチャンバ窓２３によっ
て処理室ＰＲがＯ−リング（図示省略）を介してシール
されることとなり、処理室ＰＲが密閉空間となる。

【００１８】また、炉壁２の内部には基板Ｗを処理室Ｐ
Ｒに支持するとともに、基板Ｗの周縁部から放出される
熱を補償するための均熱リング２４が回転自在に設けら
れている。均熱リング２４は、基板Ｗの径よりも大きな
外径を有する焼結ＳｉＣ製の円環状部材であって、支持
部２４ａに固定支持されている。支持部２４ａの下部に
は磁石２５が固設されている。そして、炉壁２の外部下
側であって、磁石２５と対向する位置には円環状の磁石
リング２６が設けられている。磁石リング２６は、モー
タ２７のモータ軸と噛合しており、モータ２７の回転に
伴って回転する。磁石リング２６と磁石２５とは、磁力
によって相互に引力を作用させており、磁石リング２６
が回転すると磁石２５が固設されている支持部２４ａお
よび均熱リング２４も回転することとなる。均熱リング
２４が回転すると、それに支持されている基板Ｗも水平
面内にて回転する。すなわち、モータ２７は、均熱リン
グ２４およびそれに支持される基板Ｗを８５個のランプ
１２の配列が形成する平面（水平面）と平行な面内にて
回転させる回転手段に相当する。なお、基板Ｗの回転中
心となる回転軸は基板Ｗの中心を垂直に通る中心軸と一
致する。

【００１９】炉壁２の内部であって処理室ＰＲの上方に
はチャンバ窓２３が設けられている。チャンバ窓２３
は、透明な石英製の円盤であって、ランプ１２から出射
された光を下方に透過することができるとともに、処理
室ＰＲをシールする機能を有している。

【００２０】また、炉壁２にはガス導入口２８および排
気口２９が設けられている。ガス導入口２８および排気
口２９はそれぞれ図外のガス供給ラインおよび排気ライ
ンに接続されている。これにより、処理室ＰＲ内にガス
導入口２８から窒素ガス、酸素ガス等のプロセスガスを
供給することができるとともに、排気口２９から処理室
ＰＲ内の雰囲気ガスを排気することができる。

【００２１】さらに、炉壁２の底部外側には放射温度計
３０ａ、３０ｂ、３０ｃが設けられている。放射温度計
３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、基板Ｗの下側、すなわち基
板Ｗを挟んでランプ１２とは反対側に配置される。熱処
理時に加熱された基板Ｗから放射された赤外光は、炉壁
２の底部に設けられた覗き窓３１を通過して各放射温度
計３０ａ、３０ｂ、３０ｃに到達することとなる。各放
射温度計３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、石英を透過する波
長域にて非接触の温度計測を行うことができ、加熱処理
中の基板Ｗの温度を計測する。

【００２２】次に、上記構成を有する図１の熱処理装置
における処理手順の概略について簡単に述べておく。ま
ず、排気口２９から排気を行うとともにガス導入口２８
から処理室ＰＲに不活性ガス（例えば、窒素ガス）を供
給し、処理室ＰＲ内を不活性ガスの雰囲気に置換してお
く。そして、シャッター２２を開放して炉口２１から未
処理の基板Ｗを搬入し、均熱リング２４に載置する。次
に、シャッター２２を閉じて炉口２１を閉鎖するととも
に、ガス導入口２８から所定のプロセスガスを導入し、
処理室ＰＲ内の基板Ｗの周辺をそのプロセスガスの雰囲
気に置換する。

【００２３】その後、ランプ１２への電力供給を開始
し、ランプ１２からの光照射を行う。ランプ１２から出
射された光はチャンバ窓２３を透過して基板Ｗに到達
し、基板Ｗを急速に加熱する。ランプ１２からの光照射
を行うときには、モータ２７によって基板Ｗを回転させ
ている。また、光照射時には基板Ｗを回転させるととも
に、放射温度計３０ａ、３０ｂ、３０ｃによって基板Ｗ
の温度を計測し、その計測結果に基づいて８５個のラン
プ１２への供給電力量をフィードバック制御している。
なお、ランプ１２への供給電力量の制御についてはさら
に後述する。

【００２４】その後、所定時間が経過し、基板Ｗの加熱
処理が終了すると、ランプ１２からの光照射を停止す
る。そして、ガス導入口２８から処理室ＰＲに不活性ガ
スを供給する。最後に、シャッター２２を開けて炉口２
１を開放し、処理済みの基板Ｗを装置外に搬出し、一連
の熱処理が終了する。

【００２５】次に、上記の熱処理装置におけるランプ１
２への電力供給制御機構についてさらに説明する。図２
は、図１の熱処理装置におけるランプ１２への電力供給
制御機構の概略構成を示す図である。

【００２６】加熱中の基板Ｗから放射された赤外光の強
度は、放射温度計３０ａ、３０ｂ、３０ｃによって測定
される。放射温度計３０ａは基板Ｗの中心領域の放射強
度を測定し、放射温度計３０ｃは基板Ｗの周縁領域の放
射強度を測定し、放射温度計３０ｂはそれらの中間領域
の放射強度をそれぞれ測定する。

【００２７】放射温度計３０ａ、３０ｂ、３０ｃのそれ
ぞれによって測定された放射強度は温度変換部３５にお
いて所定の変換式に従って温度に変換される。ここで
は、基板Ｗの中心領域、中間領域、周縁領域のそれぞれ
における温度が算出される。

【００２８】算出された基板Ｗの各領域における温度は
温度制御部３６に伝達される。温度制御部３６は、予め
設定されている基板Ｗの目標温度や各領域間での温度分
布設定と上記算出された基板Ｗのその時点での温度（実
測温度）とに基づいて、ランプ１２への電力供給量を決
定している。一般的には、熱の放出の大きい基板Ｗの周
縁領域に近いほど大きな光量を照射する必要があり、基
板Ｗの周縁領域に対応するランプ１２に大きな電力を供
給するとともに、基板Ｗの中心領域に対応するランプ１
２へは相対的に小さな電力を供給するようにする。

【００２９】温度制御部３６によって決定されたランプ
１２への電力供給量についての信号は、パワーバランス
設定部３７に伝達される。パワーバランス設定部３７
は、温度制御部３６からの指示に基づいて、複数の光源
制御部４０のそれぞれについての出力（より厳密には各
光源制御部４０の定格出力値に対する比率）を決定し、
各光源制御部４０に伝達する。

【００３０】光源制御部４０は、パワーバランス設定部
３７の指示に従って、電源５０から８５個のランプ１２
に供給される電力供給量を直接的に制御し、基板Ｗに照
射される光量を調節する。それぞれの光源制御部４０
は、後述する異なる一つのランプ群への電力供給量を制
御する。

【００３１】図３は、光源制御部４０の内部構成を示す
図である。各光源制御部４０は、２つのサイリスタ４
１，４２と、電流検知トランス４３と、ヒューズ４４
と、電圧検知トランス４５とを備えている。２つのサイ
リスタ４１，４２は逆並列に接続された、いわゆる逆接
続サイリスタである。このように２つのサイリスタ４
１，４２を逆並列に接続しているのは、電源５０が交流
電源であることに対応したものである。なお、逆接続サ
イリスタに代えてトライアックやトランジスタ等を用い
るようにしても良い。パワーバランス設定部３７の指示
に基づいて、２つのサイリスタ４１，４２で構成される
逆接続サイリスタによる位相角制御を行うことによりラ
ンプ１２への供給電力が調整される。位相角制御とは、
各サイリスタ４１，４２においてトリガーをかけるタイ
ミングを調整することによって位相角（または導通角）
を制御し、ランプ１２への電力供給量を可変に調整する
手法であり、交流用サイリスタの基本的な電力供給量制
御手法である。

【００３２】電流検知トランス４３は電源５０からラン
プ１２に流れる交流電流を検知し、電圧検知トランス４
５は電源５０からランプ１２に印加される電圧を検知す
る。また、ヒューズ４４は、ランプ１２に過剰の電流が
流れたときに、ランプ１２への電力供給を遮断する機能
を有する。

【００３３】以上のような光源制御部４０によって各ラ
ンプ群への電力供給量が制御され、基板Ｗに照射される
光量が調節される。図２に示したようなランプ１２への
電力供給制御は、基板Ｗの実測温度に基づいたフィード
バック制御であると言える。

【００３４】ここで本実施形態においては、ランプハウ
ス１に設けられた８５個のランプ１２が平面状に配列さ
れるとともに、複数のランプ群（光源群）に分割されて
いる。図４は、図１の熱処理装置におけるランプ１２の
平面配列を示す平面図である。同図に示すように、本発
明に係る熱処理装置におけるランプ１２の平面配列はハ
ニカム状のランプ配列であり、１つのランプ１２の周囲
に６つのランプ１２を相互に隣接して設ける平面配列で
ある。

【００３５】８５個のランプ１２のそれぞれは、配置位
置に応じてセンターゾーン、ミドルゾーン、エッジゾー
ンまたはリングゾーンのいずれかのゾーンに属してい
る。すなわち、基板Ｗの中心領域に対応するＣ１〜Ｃ７
までの７個のランプ１２がセンターゾーンに属してい
る。基板Ｗの中間領域に対応するＭ１〜Ｍ１２までの１
２個のランプ１２がミドルゾーンに属している。また、
基板Ｗの周縁領域に対応するＥ１〜Ｅ１８までの１８個
のランプ１２がエッジゾーンに属している。さらに、均
熱リング２４に対応するＲ１〜Ｒ４８までの４８個のラ
ンプ１２がリングゾーンに属している。なお、本明細書
においてある領域に対応するランプ１２とは、当該領域
の直上に配置され、主として当該領域に光の照射を行う
ランプ１２を意味する。また、上記の各ゾーンがそのま
まランプ群を構成するものではない。

【００３６】図４に示すように、８５個のランプ１２の
配列において、センターゾーン、ミドルゾーン、エッジ
ゾーン、リングゾーンの順に内側から外側へと向かうゾ
ーンとなっている。そして、８５個のランプ１２の配列
における最も内側に位置するランプ１２、すなわちセン
ターゾーンの中心に位置するランプ１２（Ｃ１）が被処
理基板Ｗの中心に対応するランプ１２となっている。

【００３７】また、本実施形態においては、８５個のラ
ンプ１２を１２個のランプ群に分割するとともに、ラン
プ群と同数（１２個）の光源制御部４０を設けている。
１２個の光源制御部４０のそれぞれは異なる一つのラン
プ群への電力供給量を制御している。すなわち、ランプ
群と光源制御部４０とは１対１に対応しているのであ
る。次の表１は、ランプ群と光源制御部４０との対応関
係を示すものである。

【００３８】

【表１】

【００３９】この表１は、ランプ群と光源制御部４０と
の対応関係を示すとともに、各ランプ群の構成を示して
いる。なお、表１において「光源制御部番号」とは各光
源制御部４０を識別するための番号であり、「容量」と
は光源制御部４０の定格出力容量を示す。

【００４０】表１に示すように、センターゾーンに属す
る７個のランプ１２は４個のランプ群に分割されてい
る。それらのうちの１つのランプ群は、１個のランプ１
２（Ｃ１）のみによって構成されている。センターゾー
ンに属する他の３つのランプ群はそれぞれ２個のランプ
１２（Ｃ２とＣ３、Ｃ４とＣ５、Ｃ６とＣ７）によって
構成されている。

【００４１】また、ミドルゾーンに属する１２個のラン
プ１２は２個のランプ群に分割されている。ミドルゾー
ンに属する２個のランプ群のそれぞれは６個のランプ１
２（Ｍ１〜Ｍ６、Ｍ７〜Ｍ１２）によって構成されてい
る。

【００４２】同様に、エッジゾーンに属する１８個のラ
ンプ１２は３個のランプ群に分割されている。エッジゾ
ーンに属する３個のランプ群のそれぞれは６個のランプ
１２（Ｅ１〜Ｅ６、Ｅ７〜Ｅ１２、Ｅ１３〜Ｅ１８）に
よって構成されている。さらに、リングゾーンに属する
４８個のランプ１２は３個のランプ群に分割されてい
る。リングゾーンに属する３個のランプ群のそれぞれは
１６個のランプ１２（Ｒ１〜Ｒ１６、Ｒ１７〜Ｒ３２、
Ｒ３３〜Ｒ４８）によって構成されている。

【００４３】以上のようなランプ群分割形態において、
Ｎｏ．１の光源制御部４０は、１個のランプ１２（Ｃ
１）のみによって構成されるランプ群と対応している。
すなわち、Ｎｏ．１の光源制御部４０には１個のランプ
１２（Ｃ１）のみが接続され、当該ランプ１２（Ｃ１）
のみによって構成されるランプ群への電力供給量を制御
している（図３参照）。

【００４４】また、Ｎｏ．２〜Ｎｏ．４の光源制御部４
０は、２個のランプ１２（それぞれＣ２とＣ３、Ｃ４と
Ｃ５、Ｃ６とＣ７）によって構成されるランプ群に対応
し、それぞれへの電力供給量を制御している。Ｎｏ．１
〜Ｎｏ．４の光源制御部４０は、いずれもセンターゾー
ンに属するランプ群への電力供給量を制御するものであ
って、１個または２個のランプ１２への電力供給ができ
ればよく、それらの容量は「小」が適当である。

【００４５】また、Ｎｏ．５およびＮｏ．６の光源制御
部４０は、６個のランプ１２（それぞれＭ１〜Ｍ６、Ｍ
７〜Ｍ１２）によって構成されるランプ群に対応し、そ
れぞれへの電力供給量を制御している。Ｎｏ．５および
Ｎｏ．６の光源制御部４０は、いずれもミドルゾーンに
属するランプ群への電力供給量を制御する。

【００４６】同様に、Ｎｏ．７〜Ｎｏ．９の光源制御部
４０は、６個のランプ１２（それぞれＥ１〜Ｅ６、Ｅ７
〜Ｅ１２、Ｅ１３〜Ｅ１８）によって構成されるランプ
群に対応し、それぞれへの電力供給量を制御している。
Ｎｏ．７〜Ｎｏ．９の光源制御部４０は、いずれもエッ
ジゾーンに属するランプ群への電力供給量を制御する。

【００４７】Ｎｏ．５〜Ｎｏ．９の光源制御部４０は、
少なくとも６個のランプ１２への電力供給ができるもの
である必要があり、それらの容量は「中」が適当であ
る。

【００４８】さらに、Ｎｏ．１０〜Ｎｏ．１２の光源制
御部４０は、１６個のランプ１２（それぞれＲ１〜Ｒ１
６、Ｒ１７〜Ｒ３２、Ｒ３３〜Ｒ４８）によって構成さ
れるランプ群に対応し、それぞれへの電力供給量を制御
している。Ｎｏ．１０〜Ｎｏ．１２の光源制御部４０
は、いずれもリングゾーンに属するランプ群への電力供
給量を制御するものであって、１６個のランプ１２への
電力供給が可能である必要があり、それらの容量は
「大」が適当である。なお、Ｎｏ．２〜Ｎｏ．１２の光
源制御部４０には複数のランプ１２が並列にて接続され
ることとなる。

【００４９】以上のように、本実施形態においては、被
処理基板Ｗの中心に対応するとともに８５個のランプ１
２の配列における最も内側に位置するランプ１２（Ｃ
１）が１つのランプ群を構成し、そのランプ群に専用の
光源制御部４０（Ｎｏ．１）が設けられている。従っ
て、当該ランプ１２（Ｃ１）については、Ｎｏ．１の光
源制御部４０が供給電力量を個別に調整して、照射光量
の細かな調整を行うことができる。特に、基板Ｗの中心
においては回転による光量均一化の効果が得られにくい
のであるが、基板Ｗの中心に対応するランプ１２（Ｃ
１）への供給電力量を微調整することによって最適な光
量にて照射することができる。

【００５０】そして、８５個のランプ１２の配列におい
て外側に向かうにしたがって、すなわちセンターゾーン
からミドルゾーン、エッジゾーン、リングゾーンの順に
内側から外側へと向かうにしたがって、各ゾーンに属す
るランプ群を構成するランプ１２の個数が１個から２
個、２個から６個、６個から１６個と多くなる（但し、
ミドルゾーンおよびエッジゾーンに属するランプ群を構
成するランプ１２の個数は同じ）。１つのランプ群を構
成するランプ１２の個数は、１つの光源制御部４０に並
列接続されるランプ１２の個数である。これによって、
回転による光量均一化の効果が十分に得られるために光
量の細かな調整が不要な均熱リング２４に対応するラン
プ１２（Ｒ１〜Ｒ４８）については１６個ごとに１つの
光源制御部４０を設ければよく、装置全体としての光源
制御部４０の個数増加を抑制することができる。

【００５１】換言すれば、上記複数のランプ群のうちの
任意のランプ群を特定ランプ群とし、８５個のランプ１
２の配列においてその特定ランプ群よりも外側のランプ
群は、特定ランプ群に含まれるランプ１２の数よりも多
い数のランプ１２を含むため、１つの光源制御部４０に
接続されるランプ１２の個数は内側ほど少なく外側ほど
多くなり、基板回転による光量均一化の効果が得られに
くい基板内側においては少ない個数のランプ１２への供
給電力量を個別に調整して、照射光量の細かな調整を行
うことができる。また、照射光量の細かな調整が不要な
領域においては１つの光源制御部４０に多くのランプ１
２を接続することによって光源制御部４０の個数を削減
している。その結果、装置全体として１つの光源制御部
４０に接続されるランプ数が最適化されることとなり、
光源制御部４０の個数増加によるコストの上昇を抑制し
つつも、基板内側における照射光量の細かな調整により
ランプ１２の出力バラツキを軽減して基板の面内温度均
一性を向上させることができる。

【００５２】特に、複数のランプ群のうちの８５個のラ
ンプ１２の配列における最も内側のランプ群、つまり基
板Ｗの回転中心に対応するランプ群を１個のランプ１２
のみによって構成することにより、基板回転による光量
均一化の効果が最も得られにくい基板Ｗの回転中心にお
いても１個のランプ１２のみへの供給電力量を個別に調
整して、照射光量の細かな調整を行うことができ、基板
の面内温度均一性をより確実に向上させることができ
る。

【００５３】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態においては、ミドルゾーンおよび
エッジゾーンに属するランプ群を構成するランプ１２の
個数を６個としていたが、これは６個から８個程度すれ
ばよい。また、リングゾーンに属するランプ群を構成す
るランプ１２の個数は１６個としていたが、これは９個
から１６個程度とすればよい。

【００５４】また、エッジゾーンに属するランプ群を構
成するランプ１２の個数をミドルゾーンに属するランプ
群を構成するランプ１２の数より多くしても良いことは
勿論である。

【００５５】また、上記実施形態においては、ランプ１
２の個数を８５個としていたが、ランプ１２の個数は複
数であれば任意であり、その配列形態も図４の如き配列
に限定されるものではない。

【００５６】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、複数の光源が略平面状に配列されるととも
に、複数の光源制御手段と同数の複数の光源群に分割さ
れ、上記配列における最も内側に位置する光源は被処理
基板の中心に対応し、複数の光源制御手段のそれぞれが
異なる一つの光源群への電力供給量を制御し、複数の光
源群のうちの特定光源群よりも上記配列における外側の
光源群は、特定光源群に含まれる光源数よりも多い数の
光源を含むため、１つの光源制御手段によって制御され
る光源数は上記配列における内側ほど少なく、外側ほど
多くなり、被処理基板の中心近傍では照射光量の細かな
調整を行うことができ、外側では光源制御手段の数を削
減することができ、コストの上昇を抑制しつつも基板の
面内温度均一性を向上させることができる。

【００５７】また、請求項２の発明によれば、複数の光
源群のうちの上記配列における最も内側の光源群は１つ
の光源からなるため、１つの光源制御手段によって被処
理基板の中心に対応する１つの光源が専用に制御される
こととなり、被処理基板の中心近傍では照射光量の細か
な調整を個別に行うことができ、基板の面内温度均一性
をさらに向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る熱処理装置の全体構成を示す側面
断面図である。

【図２】図１の熱処理装置におけるランプへの電力供給
制御機構の概略構成を示す図である。

【図３】図２の光源制御部の内部構成を示す図である。

【図４】図１の熱処理装置におけるランプの平面配列を
示す平面図である。

【符号の説明】

１２ランプ２７モータ４０光源制御部Ｗ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に光を照射して熱処理を行う熱処理
装置であって、略平面状に配列され、それぞれが光の照射を行う複数の
光源と、前記複数の光源への電力供給量を制御して、基板に照射
される光量を調節する複数の光源制御手段と、前記平面と略平行な面内にて被処理基板を回転させる回
転手段と、を備え、前記配列における最も内側に位置する光源は被処理基板
の中心に対応し、前記複数の光源は、前記複数の光源制御手段と同数の複
数の光源群に分割され、前記複数の光源制御手段のそれぞれは異なる一つの光源
群への電力供給量を制御し、前記複数の光源群のうちの特定光源群よりも前記配列に
おける外側の光源群は、前記特定光源群に含まれる光源
数よりも多い数の光源を含むことを特徴とする熱処理装
置。
【請求項２】請求項１記載の熱処理装置において、前記複数の光源群のうちの前記配列における最も内側の
光源群は１つの光源からなることを特徴とする熱処理装
置。