JP2002099334A - 基準電圧発生回路 - Google Patents

基準電圧発生回路

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JP2002099334A
JP2002099334A JP2000292158A JP2000292158A JP2002099334A JP 2002099334 A JP2002099334 A JP 2002099334A JP 2000292158 A JP2000292158 A JP 2000292158A JP 2000292158 A JP2000292158 A JP 2000292158A JP 2002099334 A JP2002099334 A JP 2002099334A
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diode
reference voltage
resistor
voltage
ground
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JP2000292158A
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Fumihiro Sasaki
文博 佐々木
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構成で、温度変化の少ない基準電圧を
発生する。 【解決手段】 第1抵抗と、第1ダイオードを電源とグ
ランドの間に配置する。第1抵抗と第1ダイオードの接
続点にコンパレータの1入力端を接続する。電源とグラ
ンドの間に、制御入力端がコンパレータの出力に接続さ
れたトランジスタと、第2抵抗、第3抵抗及び第2ダイ
オードを配置する。そして、第2抵抗と第3抵抗の接続
点を前記コンパレータの他の入力端に接続し、前記トラ
ンジスタの他端と、第2抵抗の接続点から基準電圧を出
力する。第1ダイオードの温度特性を第2ダイオードの
温度特性で補償することで、基準電圧における温度依存
性が除去される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基準電圧を発生す
る基準電圧発生回路、特に基準電圧の温度依存性を除去
したものに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、各種の回路において基準電圧
発生回路が利用されている。例えば、乾電池を使用した
携帯型ラジオなどにおいては、液晶パネルが備えられて
おり、乾電池の電圧をそのまま印加すると電圧変動に応
じて表示の濃さが変動する。そそこで、基準電圧発生回
路を利用して、一定の基準電圧を発生し、この基準電圧
を昇圧して液晶パネルの電源としている。
【0003】ここで、このような基準電圧発生回路とし
て、ダイオードの電圧降下を利用したものが知られてい
る。すなわち、半導体集積回路において、ダイオードの
順方向電圧降下は一定であり、この一定電圧に基づいて
各種の基準電圧を発生している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ダイオードの
順方向電圧降下は、温度依存性があり、基準電圧が温度
により変動するという問題がある。一般的には、1℃当
たり4mVの電圧変動がある。
【0005】さらに、この基準電圧を倍電圧回路を利用
して増幅して利用する場合には、倍圧後の電源電圧の変
動幅はダイオード電圧の変動幅の2倍になる。このた
め、このような電源を利用した液晶パネルでは、温度に
より表示の濃さが変動してしまうという問題があった。
【0006】さらに、乾電池の乾電池の残量検出などの
ために、その電圧を検出する場合に、電圧検出基準とし
て、基準電圧を利用する。このため、基準電圧が変動す
ると、検出電圧に大きな誤差が生じてしまうという問題
があった。
【0007】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、簡単な構成で、温度変化の少ない基準電圧を発生す
ることができる基準電圧発生回路を提供することを目的
とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、一端が電源に
接続された第1抵抗と、この第1抵抗とグランドの間に
配置され、グランドに向けて電流を流す第1ダイオード
と、前記第1抵抗と第1ダイオードの接続点に一方の入
力端が接続されるコンパレータと、一端が電源に接続さ
れ、制御入力端がコンパレータの出力に接続されたトラ
ンジスタと、このトランジスタの他端とグランドの間に
接続され、グランドに向けて電流を流す第2抵抗、第3
抵抗及び第2ダイオードと、を有し、前記第2抵抗と第
3抵抗の接続点を前記コンパレータの他の入力端に接続
し、前記トランジスタの他端と、第2抵抗の接続点から
基準電圧を出力することを特徴とする。
【0009】このように、本発明によれば、第2ダイオ
ードを有している。そこで、温度によって第1ダイオー
ドD1における電圧降下が変動した場合に、第2ダイオ
ードD2における電圧降下がほぼ同一に変化する。この
とき、第2ダイオードに流れる電流の変化が第1ダイオ
ードと同様に働くため、第2抵抗の上端電圧は、第3抵
抗の上端電圧と反比例する方向に動作する。従って、第
1ダイオードでの温度特性が、第2ダイオードの温度特
性で補償され、出力される抵抗R2の上端電圧である基
準電圧における温度依存性が除去される。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態(以下
実施形態という)について、図面に基づいて説明する。
【0011】図1は、本実施形態の基準電圧発生回路の
構成を示す図である。1.8V〜3.6V程度の電池電
圧である電源VDDには、抵抗R1の一端が接続され、
この抵抗の他端には、ダイオードD1のアノードが接続
され、このダイオードD1のカソードがグランドに接続
されている。従って、電源VDDからグランドに電流が
流れ、ダイオードD1において順方向電流による0.6
V程度の電流降下発生する。
【0012】抵抗R1とダイオードD1の接続点には、
コンパレータCOMPの1入力端(正入力端)が接続さ
れている。ここで、このコンパレータCOMPの正入力
端の電圧をV1とする。コンパレータ出力は、Nチャン
ネルトランジスタTR1の制御端子であるゲートが接続
されている。このトランジスタTR1の一端(ドレイ
ン)は電源VDDに接続され、他端(ソース)は、抵抗
R2、抵抗R3、ダイオードD2を介しグランドに接続
されている。なお、ダイオードD2はグランドに向けて
電流を流すため、グランド側にカソードが接続されてい
る。
【0013】抵抗R2と抵抗R3の接続点がコンパレー
タCOMPの他の入力端(負入力端)に接続されてい
る。ここで、このコンパレータCOMPの負入力端の電
圧をV2とする。従って、コンパレータCOMPは、V
1とV2を比較し両者の電圧が等しくなるように、トラ
ンジスタTR1を制御する。
【0014】そして、トランジスタTR1のソースと抵
抗R2の接続点から基準電圧1.5Vが出力される。な
お、この基準電圧の出力端には、他端がグランドに接続
されたコンデンサなどが接続され、基準電圧の変動を防
止している。
【0015】このような回路において、ダイオードD1
では、その順方向電流による一定の電圧降下(0.6
V)が生じ、この電圧V1がコンパレータCOMPの正
入力端に入力される。
【0016】そして、電圧V1より電圧V2の方が低い
とコンパレータCOMPの出力がHとなり、トランジス
タTR1がオンする。これによって、トランジスタTR
1でのVCE、抵抗R2、R3、ダイオードD2での電
圧降下に応じた電圧が抵抗R2,R3の接続点に発生す
る。
【0017】ここで、この電圧V2がダイオードD1に
おける電圧降下である0.6Vと等しい場合に、基準電
圧出力が1.5Vとなるように抵抗値などを設定してあ
る。そこで、本回路においては、基準電圧が1.5Vよ
り下がった場合にトランジスタTR1がオンして基準電
圧が上昇され、基準電圧が1.5Vを超えるとトランジ
スタTR1がオフして、基準電圧が降下され、従って基
準電圧が常に1.5Vに維持される。
【0018】そして、ダイオードD1と、D2は、同じ
半導体集積回路(基板上で近傍に作成されることが好ま
しい。)に作成されており、その特性はほぼ同一であ
る。そこで、これらダイオードD1,D2の温度特性は
ほぼ同一である。
【0019】このため、温度によってダイオードD1に
おける電圧降下が変動した場合に、ダイオードD2にお
ける電圧降下がほぼ同一に変化する。このとき、ダイオ
ードD2に流れる電流の変化がダイオードD1と同様に
働くため、抵抗R2の上端電圧は、V2と反比例する方
向に動作する。従って、ダイオードD1での温度特性
が、ダイオードD2の温度特性で補償され、出力される
抵抗R2の上端電圧である基準電圧における温度依存性
が除去される。
【0020】なお、本回路においては、ダイオードD1
における電圧降下は、ダイオードD2および抵抗R3に
おける電圧降下に対応されている。従って、ダイオード
D2における電圧降下の方がダイオードD1における電
圧降下より小さい。これはダイオードD2は、非飽和状
態で動作しているからである。抵抗R3を除去すること
も可能であるが、この抵抗R3を配置しておくことで回
路動作を安定させることができる。
【0021】図2に、本実施形態の回路における温度特
性を、図1の回路における抵抗R3とダイオードD2
を、1つの抵抗に置き換えた比較例とともに示す。
【0022】このようにダイオードD2を配置すること
で、広範な温度範囲において、基準電圧の変動を抑制す
ることができる。
【0023】図3に、本実施形態の回路が利用されるポ
ータブル機器の構成を示す。この例は、携帯型ラジオで
あり、LCDパネル用の電源に基準電圧を利用する。
【0024】すなわち、マイクロコンピュータ10に
は、外付けの電池12が接続されている。この電池12
の電圧VDDは、1.8〜3.6V程度である。この電
池12の出力は、CPU20に供給される。CPU20
には、プログラムROM22が接続されており、CPU
20は電池12の電圧VDDを電源として、プログラム
ROM22内のプログラムを実行し各種の処理を実行す
る。
【0025】一方、電池12の電圧VDDは、基準電圧
発生回路30にも供給される。この基準電圧発生回路3
0が図1に示した構成を有しており、安定して1.5V
の基準電圧を出力する。
【0026】この基準電圧は、倍電圧回路32に供給さ
れ、ここで、3Vに昇圧され出力される。この倍電圧回
路は、コイルの出力端に他端がグランドに接続されたス
イッチング素子を接続し、このスイッチング素子をオン
オフすることで、コイルの出力端に昇圧された電圧を生
成し、これをダイオードを介し他端がグランドに接続さ
れたコンデンサの上端に3Vの昇圧された電圧を得るも
のである。
【0027】そして、この昇圧された3VがLCDパネ
ル40に供給される。そして、この3Vは、温度によっ
ても安定な1.5Vの基準電圧から発生されているた
め、温度に対し安定であり、一定したコントラストの表
示がLCDパネル40において得られる。
【0028】
【発明の効果】このように、本発明によれば、第2ダイ
オードを有しているため、第1ダイオードでの温度特性
が、第2ダイオードの温度特性で補償され、出力される
抵抗R2の上端電圧である基準電圧における温度依存性
が除去される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、実施形態の基準電圧発生回路の構成
を示す図である。
【図2】 図2は、基準電圧の温度依存性を示す図であ
る。
【図3】 図3は、実施形態の回路を適用した装置の構
成を示す図である。
【符号の説明】
D1,D2 ダイオード、R1,R2,R3 抵抗、T
R1 トランジスタ、COMP コンパレータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一端が電源に接続された第1抵抗と、 この第1抵抗とグランドの間に配置され、グランドに向
    けて電流を流す第1ダイオードと、 前記第1抵抗と第1ダイオードの接続点に一方の入力端
    が接続されるコンパレータと、 一端が電源に接続され、制御入力端がコンパレータの出
    力に接続されたトランジスタと、 このトランジスタの他端とグランドの間に接続され、グ
    ランドに向けて電流を流す第2抵抗、第3抵抗及び第2
    ダイオードと、 を有し、 前記第2抵抗と第3抵抗の接続点を前記コンパレータの
    他の入力端に接続し、前記トランジスタの他端と、第2
    抵抗の接続点から基準電圧を出力する基準電圧発生回
    路。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007241777A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Nec Corp 温度補償レギュレータ回路
JP2009055438A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Mitsubishi Electric Corp 温度補償バイアス回路、高周波増幅器及び高周波減衰器
JP2022540454A (ja) * 2019-07-11 2022-09-15 ソニーグループ株式会社 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)ベースの電圧調整回路

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53103534U (ja) * 1977-01-27 1978-08-21
JPS58158724A (ja) * 1982-03-16 1983-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基準電圧発生回路
JPH03206507A (ja) * 1989-04-13 1991-09-09 Philips Gloeilampenfab:Nv 電圧調整回路
JPH05289760A (ja) * 1992-04-06 1993-11-05 Mitsubishi Electric Corp 基準電圧発生回路
JPH1011987A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Toshiba Corp 中間電圧発生回路及びこれを有する不揮発性半導体メモリ
JPH10214487A (ja) * 1996-12-31 1998-08-11 Sgs Thomson Microelectron Inc 電力散逸制御を有する集積回路

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53103534U (ja) * 1977-01-27 1978-08-21
JPS58158724A (ja) * 1982-03-16 1983-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基準電圧発生回路
JPH03206507A (ja) * 1989-04-13 1991-09-09 Philips Gloeilampenfab:Nv 電圧調整回路
JPH05289760A (ja) * 1992-04-06 1993-11-05 Mitsubishi Electric Corp 基準電圧発生回路
JPH1011987A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Toshiba Corp 中間電圧発生回路及びこれを有する不揮発性半導体メモリ
JPH10214487A (ja) * 1996-12-31 1998-08-11 Sgs Thomson Microelectron Inc 電力散逸制御を有する集積回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007241777A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Nec Corp 温度補償レギュレータ回路
JP2009055438A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Mitsubishi Electric Corp 温度補償バイアス回路、高周波増幅器及び高周波減衰器
JP2022540454A (ja) * 2019-07-11 2022-09-15 ソニーグループ株式会社 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)ベースの電圧調整回路

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