JP2002097577A - 金属酸化物薄膜及びその形成方法 - Google Patents
金属酸化物薄膜及びその形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基体上に、クラックのない均質な金属酸化物
薄膜を形成させる方法及び該方法により形成される金属
酸化物薄膜を提供。 【解決手段】 基体上に、金属塩及び飽和有機化合物溶
媒を含む溶液から調製された金属酸化物オリゴマー―飽
和有機化合物溶媒錯体含有溶液を付着させた後、基体成
分と金属酸化物オリゴマー間の拡散、混合を実質的に生
じさせない手段を用いて、前記付着溶液中の飽和有機化
合物溶媒の２０％以上を除去させ、ついで、温度１００
〜１３００℃で１〜２４時間、熱処理させて、基体上に
金属酸化物薄膜を形成させる。
薄膜を形成させる方法及び該方法により形成される金属
酸化物薄膜を提供。 【解決手段】 基体上に、金属塩及び飽和有機化合物溶
媒を含む溶液から調製された金属酸化物オリゴマー―飽
和有機化合物溶媒錯体含有溶液を付着させた後、基体成
分と金属酸化物オリゴマー間の拡散、混合を実質的に生
じさせない手段を用いて、前記付着溶液中の飽和有機化
合物溶媒の２０％以上を除去させ、ついで、温度１００
〜１３００℃で１〜２４時間、熱処理させて、基体上に
金属酸化物薄膜を形成させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学材料、光電変
換材料、電子材料、ピエゾ素子、強誘電体材料、超伝導
材料、メモリー、保護膜等に好適な金属酸化物薄膜を形
成させる方法に関する。
換材料、電子材料、ピエゾ素子、強誘電体材料、超伝導
材料、メモリー、保護膜等に好適な金属酸化物薄膜を形
成させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属酸化物薄膜は、一般に化学的気相成
長法（以下、「ＣＶＤ法」と略記）、物理的蒸着法（以
下、「ＰＶＤ法」と略記）及びゾルゲル法により、基体
上に形成される。
長法（以下、「ＣＶＤ法」と略記）、物理的蒸着法（以
下、「ＰＶＤ法」と略記）及びゾルゲル法により、基体
上に形成される。
【０００３】ＣＶＤ法やＰＶＤ法は、大面積の基体上に
金属酸化物薄膜を形成させることができず、真空系を必
要とするため高価となり、経済性の点で問題がある。
金属酸化物薄膜を形成させることができず、真空系を必
要とするため高価となり、経済性の点で問題がある。
【０００４】一方、ゾルゲル法は、上記欠点がなく、大
面積の基体上にも金属酸化物薄膜が形成でき、経済性に
優れており、廉価な金属酸化物薄膜の形成方法として注
目されている。
面積の基体上にも金属酸化物薄膜が形成でき、経済性に
優れており、廉価な金属酸化物薄膜の形成方法として注
目されている。
【０００５】ゾルゲル法では、一般に、金属塩をアルコ
ール溶媒で溶解させた後、酸やアルカリ触媒を添加させ
て調製した溶液を、ハケ塗りや浸漬等により、基体上に
付着させ、乾燥させた後、ついで熱処理させることによ
り、微粒子状の金属酸化物薄膜を形成させる。ゾルゲル
法で形成された金属酸化物薄膜は、微粒子状であり、金
属酸化物薄膜形成時の微粒子間の結合力が弱く、一度に
厚い金属酸化物薄膜を形成させると、クラックが発生す
るという問題点があった。
ール溶媒で溶解させた後、酸やアルカリ触媒を添加させ
て調製した溶液を、ハケ塗りや浸漬等により、基体上に
付着させ、乾燥させた後、ついで熱処理させることによ
り、微粒子状の金属酸化物薄膜を形成させる。ゾルゲル
法で形成された金属酸化物薄膜は、微粒子状であり、金
属酸化物薄膜形成時の微粒子間の結合力が弱く、一度に
厚い金属酸化物薄膜を形成させると、クラックが発生す
るという問題点があった。
【０００６】特開平第１１―２２２６９０号公報には、
チタン基体及び電極活性層間に拡散混合層を形成させ
て、チタン基体上と電極活性層との密着性を向上させた
電解用電極が開示されている。
チタン基体及び電極活性層間に拡散混合層を形成させ
て、チタン基体上と電極活性層との密着性を向上させた
電解用電極が開示されている。
【０００７】特開平第１１−２２２６９０号公報では、
チタン基体上に、高分子状二酸化チタン(金属酸化物オ
リゴマー―芳香族化合物溶媒錯体）含有溶液を、浸漬等
により付着させ、ついで熱処理させて形成させた二酸化
チタン超薄膜を介して、チタン基体成分と電極活性層成
分とが、分子レベルで相互に拡散した拡散混合層が形成
され、基体と電極活性層間に強固な結合が形成される。
チタン基体上に、高分子状二酸化チタン(金属酸化物オ
リゴマー―芳香族化合物溶媒錯体）含有溶液を、浸漬等
により付着させ、ついで熱処理させて形成させた二酸化
チタン超薄膜を介して、チタン基体成分と電極活性層成
分とが、分子レベルで相互に拡散した拡散混合層が形成
され、基体と電極活性層間に強固な結合が形成される。
【０００８】特開平第１１−２２２６９０号公報は、二
層以上の積層構造、特に隣接する層同士を相互に拡散、
混合させた積層構造を得るには適しているが、結晶性が
良く、均質でかつクラックを有しない薄膜が要求される
材料、例えば光学材料、光電変換材料、電子材料、ピエ
ゾ素子、強誘電体材料、超伝導材料等には不適であっ
た。
層以上の積層構造、特に隣接する層同士を相互に拡散、
混合させた積層構造を得るには適しているが、結晶性が
良く、均質でかつクラックを有しない薄膜が要求される
材料、例えば光学材料、光電変換材料、電子材料、ピエ
ゾ素子、強誘電体材料、超伝導材料等には不適であっ
た。
【０００９】本発明の目的は、従来技術の上記問題点を
解決し得る、基体上に、クラックのない均質な金属酸化
物薄膜を形成させる方法及び該方法により形成される金
属酸化物薄膜を提供することである。
解決し得る、基体上に、クラックのない均質な金属酸化
物薄膜を形成させる方法及び該方法により形成される金
属酸化物薄膜を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、特開平第
１１−２２２６９０号公報のように、基体上に高分子状
二酸化チタン（金属酸化物オリゴマー―芳香族化合物溶
媒錯体）含有溶液を付着させた基体を、直接加熱処理さ
せると、基体成分が金属酸化物オリゴマーの金属成分に
拡散してしまうことに鑑み、生成させた金属酸化物オリ
ゴマー−有機化合物溶媒錯体含有溶液中の、均質な金属
酸化物オリゴマーの形態を可能な限り保持したまま、基
体上にほとんどクラックのない状態を保持できるか、種
々検討した結果、熱処理の前に、基体上の前記付着溶液
中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除去させる
ことにより、上記課題が解決し得ることを見出し、本発
明に完成するに至った。
１１−２２２６９０号公報のように、基体上に高分子状
二酸化チタン（金属酸化物オリゴマー―芳香族化合物溶
媒錯体）含有溶液を付着させた基体を、直接加熱処理さ
せると、基体成分が金属酸化物オリゴマーの金属成分に
拡散してしまうことに鑑み、生成させた金属酸化物オリ
ゴマー−有機化合物溶媒錯体含有溶液中の、均質な金属
酸化物オリゴマーの形態を可能な限り保持したまま、基
体上にほとんどクラックのない状態を保持できるか、種
々検討した結果、熱処理の前に、基体上の前記付着溶液
中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除去させる
ことにより、上記課題が解決し得ることを見出し、本発
明に完成するに至った。
【００１１】すなわち、本発明は、第１に、金属塩及び
飽和有機化合物溶媒を含む溶液から調製された金属酸化
物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を、基
体上に付着させ、ついで前記付着溶液中の飽和有機化合
物溶媒の少なくとも一部を除去させた後、さらに熱処理
させることにより、金属酸化物薄膜を形成させることを
特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法であり、該方法に
より形成される金属酸化物薄膜である。
飽和有機化合物溶媒を含む溶液から調製された金属酸化
物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を、基
体上に付着させ、ついで前記付着溶液中の飽和有機化合
物溶媒の少なくとも一部を除去させた後、さらに熱処理
させることにより、金属酸化物薄膜を形成させることを
特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法であり、該方法に
より形成される金属酸化物薄膜である。
【００１２】また、本発明は、第２に、金属塩を溶解さ
せた飽和有機化合物溶媒を含む溶液に、水―アルコール
混合溶液を添加させて調製された金属酸化物オリゴマー
―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を、基体上に付着さ
せ、ついで前記付着溶液中の飽和有機化合物溶媒の少な
くとも一部を除去させた後、さらに熱処理させることに
より、金属酸化物薄膜を形成させることを特徴とする金
属酸化物薄膜の形成方法であり、該方法により形成され
る金属酸化物薄膜である。
せた飽和有機化合物溶媒を含む溶液に、水―アルコール
混合溶液を添加させて調製された金属酸化物オリゴマー
―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を、基体上に付着さ
せ、ついで前記付着溶液中の飽和有機化合物溶媒の少な
くとも一部を除去させた後、さらに熱処理させることに
より、金属酸化物薄膜を形成させることを特徴とする金
属酸化物薄膜の形成方法であり、該方法により形成され
る金属酸化物薄膜である。
【００１３】さらに、本発明は、金属塩及び飽和有機化
合物溶媒を含む溶液から金属酸化物オリゴマー―飽和有
機化合物溶媒錯体含有溶液を調製させ、ついで前記溶液
中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除去させた
後、熱処理、粉砕させてなることを特徴とする金属酸化
物粉末である。
合物溶媒を含む溶液から金属酸化物オリゴマー―飽和有
機化合物溶媒錯体含有溶液を調製させ、ついで前記溶液
中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除去させた
後、熱処理、粉砕させてなることを特徴とする金属酸化
物粉末である。
【００１４】本発明を、以下、詳細に説明する。
【００１５】本発明の金属酸化物薄膜の形成方法は、金
属塩及び飽和有機化合物溶媒を含む溶液から金属酸化物
オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を調製さ
せるＡ工程、基体上に、調製された金属酸化物オリゴマ
ー―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を付着させるＢ工
程、前記付着溶液中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも
一部を除去させるＣ工程、及び基体を熱処理させて、基
体上に金属酸化物薄膜を形成させるＤ工程からなる。
属塩及び飽和有機化合物溶媒を含む溶液から金属酸化物
オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を調製さ
せるＡ工程、基体上に、調製された金属酸化物オリゴマ
ー―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を付着させるＢ工
程、前記付着溶液中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも
一部を除去させるＣ工程、及び基体を熱処理させて、基
体上に金属酸化物薄膜を形成させるＤ工程からなる。
【００１６】まず、金属塩及び飽和有機化合物溶媒を含
む溶液から金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒
錯体含有溶液を調製させるＡ工程について、以下に説明
する。
む溶液から金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒
錯体含有溶液を調製させるＡ工程について、以下に説明
する。
【００１７】Ａ工程としては、１）飽和有機化合物溶媒
に、所定量の金属塩を溶解または懸濁させ、ついで所定
量の水−アルコール混合溶液を添加させた後、加水分
解、脱水縮合反応させて、金属酸化物オリゴマー―飽和
有機化合物溶媒錯体含有溶液を調製する方法、２）予め
所定量の水を加えた飽和有機化合物溶媒に、所定量の金
属塩を溶解または懸濁させた後、加熱させて、金属水酸
化物−飽和有機化合物溶媒錯体と金属塩−飽和有機化合
物溶媒錯体との含有溶液を得、ついで所定量の水−アル
コール混合溶液を加えた後、加水分解、脱水縮合反応さ
せて、金属酸化物オリゴマー−飽和有機化合物溶媒錯体
含有溶液を調製する方法、３）所定量の金属塩、アルコ
ール及び塩基性有機化合物溶媒を加熱させて形成させた
金属アルコキシド配位錯体含有溶液に、所定量の飽和有
機化合物溶媒及び水−アルコール混合溶液を加えた後、
加水分解、脱水縮合反応させて、金属酸化物オリゴマー
―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を調製する方法等が
あげられる。
に、所定量の金属塩を溶解または懸濁させ、ついで所定
量の水−アルコール混合溶液を添加させた後、加水分
解、脱水縮合反応させて、金属酸化物オリゴマー―飽和
有機化合物溶媒錯体含有溶液を調製する方法、２）予め
所定量の水を加えた飽和有機化合物溶媒に、所定量の金
属塩を溶解または懸濁させた後、加熱させて、金属水酸
化物−飽和有機化合物溶媒錯体と金属塩−飽和有機化合
物溶媒錯体との含有溶液を得、ついで所定量の水−アル
コール混合溶液を加えた後、加水分解、脱水縮合反応さ
せて、金属酸化物オリゴマー−飽和有機化合物溶媒錯体
含有溶液を調製する方法、３）所定量の金属塩、アルコ
ール及び塩基性有機化合物溶媒を加熱させて形成させた
金属アルコキシド配位錯体含有溶液に、所定量の飽和有
機化合物溶媒及び水−アルコール混合溶液を加えた後、
加水分解、脱水縮合反応させて、金属酸化物オリゴマー
―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を調製する方法等が
あげられる。
【００１８】作業性を考慮すると、飽和有機化合物溶媒
に、所定量の金属塩を溶解または懸濁させ、ついで所定
量の水−アルコール混合溶液を添加させた後、加水分
解、脱水縮合反応させて、金属酸化物オリゴマー―飽和
有機化合物溶媒錯体含有溶液を調製する方法が、好まし
い。
に、所定量の金属塩を溶解または懸濁させ、ついで所定
量の水−アルコール混合溶液を添加させた後、加水分
解、脱水縮合反応させて、金属酸化物オリゴマー―飽和
有機化合物溶媒錯体含有溶液を調製する方法が、好まし
い。
【００１９】本発明に用いられる金属塩としては、Ｍ
ｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｒ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂ
ａ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｇｄ等のアルコキシド、有機酸塩、無機塩等があ
げられ、これらの少なくとも１種が用いられる。
ｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｒ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂ
ａ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｇｄ等のアルコキシド、有機酸塩、無機塩等があ
げられ、これらの少なくとも１種が用いられる。
【００２０】上記アルコキシドとしては、エトキシド、
ｎ―プロポキシド、ｉｓｏ−プロポキシド、ｎ―ブトキ
シド、ｉｓｏ−ブトキシド、ｓｅｃ−ブトキシド、ｔｅ
ｒｔ―ブトキシド等があげられ、有機酸塩としては、フ
ェノール塩、カルボン酸塩、１，３―ジケトン型塩等が
あげられ、無機塩としては、塩化物塩、硫酸塩及び硝酸
塩等があげられる。
ｎ―プロポキシド、ｉｓｏ−プロポキシド、ｎ―ブトキ
シド、ｉｓｏ−ブトキシド、ｓｅｃ−ブトキシド、ｔｅ
ｒｔ―ブトキシド等があげられ、有機酸塩としては、フ
ェノール塩、カルボン酸塩、１，３―ジケトン型塩等が
あげられ、無機塩としては、塩化物塩、硫酸塩及び硝酸
塩等があげられる。
【００２１】本発明に用いられる飽和化合物溶媒として
は、脂肪族飽和炭化水素または脂環式飽和炭化水素、ハ
ロゲン化飽和炭化水素、ジアルキルエーテル類、ヘテロ
環式脂肪族飽和炭化水素及び炭素数４以上の飽和アルコ
ール等あげられ、少なくとも１種が用いられる。
は、脂肪族飽和炭化水素または脂環式飽和炭化水素、ハ
ロゲン化飽和炭化水素、ジアルキルエーテル類、ヘテロ
環式脂肪族飽和炭化水素及び炭素数４以上の飽和アルコ
ール等あげられ、少なくとも１種が用いられる。
【００２２】脂肪族飽和炭化水素としては、へキサン、
ペンタン、オクタン、並びにへキサン及びペンタンの混
合物である石油エーテル等があげられ、脂環式飽和炭化
水素としては、シクロへキサン、メチルシクロへキサン
等があげられ、ハロゲン化飽和炭化水素としては、四塩
化炭素、クロロフォルム及び四フッ化炭素等があげら
れ、ジアルキルエーテル類としては、ジエチルエーテ
ル、ジブチルエーテルあげられ、、ヘテロ環式脂肪族炭
化水素としては、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ピ
ペラジン、Ｎ―メチルピペラジンがあげられ炭素数４以
上の飽和アルコールとしては、ｎ―ブタノール、ｎ―ア
ミルアルコール、シクロへキサノール等があげられる。
さらに、上記以外の飽和有機化合物溶媒として、ジエチ
ルメルカプタン(沸点３７℃）等があげられる。
ペンタン、オクタン、並びにへキサン及びペンタンの混
合物である石油エーテル等があげられ、脂環式飽和炭化
水素としては、シクロへキサン、メチルシクロへキサン
等があげられ、ハロゲン化飽和炭化水素としては、四塩
化炭素、クロロフォルム及び四フッ化炭素等があげら
れ、ジアルキルエーテル類としては、ジエチルエーテ
ル、ジブチルエーテルあげられ、、ヘテロ環式脂肪族炭
化水素としては、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ピ
ペラジン、Ｎ―メチルピペラジンがあげられ炭素数４以
上の飽和アルコールとしては、ｎ―ブタノール、ｎ―ア
ミルアルコール、シクロへキサノール等があげられる。
さらに、上記以外の飽和有機化合物溶媒として、ジエチ
ルメルカプタン(沸点３７℃）等があげられる。
【００２３】本発明に用いられる飽和有機化合物溶媒
は、常温で液状ものが作業性の面から好ましく、また、
後工程であるＣ工程において、比較的容易に除去できる
ものが好ましい。
は、常温で液状ものが作業性の面から好ましく、また、
後工程であるＣ工程において、比較的容易に除去できる
ものが好ましい。
【００２４】また、本発明に用いられる飽和有機化合物
溶媒は、全量に対して２分の１未満の不飽和有機化合物
溶媒を含んでいても差支えない。
溶媒は、全量に対して２分の１未満の不飽和有機化合物
溶媒を含んでいても差支えない。
【００２５】加水分解、脱水縮合反応において、飽和有
機化合物溶媒は、金属イオンを囲むように配置される。
上記飽和有機化合物溶媒は、疎水性が高く、水による金
属塩への攻撃を抑制し、かつ飽和有機化合物溶媒中への
水の溶解度も極めて小さいので、加水分解反応が遅くな
り、均質なネットワークを有する金属酸化物オリゴマー
を形成することができる。なお、加水分解、脱水縮合反
応は、大気中、加圧下いずれで行ってもよい。
機化合物溶媒は、金属イオンを囲むように配置される。
上記飽和有機化合物溶媒は、疎水性が高く、水による金
属塩への攻撃を抑制し、かつ飽和有機化合物溶媒中への
水の溶解度も極めて小さいので、加水分解反応が遅くな
り、均質なネットワークを有する金属酸化物オリゴマー
を形成することができる。なお、加水分解、脱水縮合反
応は、大気中、加圧下いずれで行ってもよい。
【００２６】以下、飽和有機化合物溶媒に、所定量の金
属塩を溶解または懸濁させ、ついで所定量の水−アルコ
ール混合溶液を添加させた後、加水分解、脱水縮合反応
させて、金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯
体含有溶液を調製する場合について、さらに詳細に説明
する。
属塩を溶解または懸濁させ、ついで所定量の水−アルコ
ール混合溶液を添加させた後、加水分解、脱水縮合反応
させて、金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯
体含有溶液を調製する場合について、さらに詳細に説明
する。
【００２７】まず、飽和有機化合物溶媒に、金属イオン
濃度が０．０１〜３モル／Ｌとなる量の金属塩を溶解ま
たは懸濁させる。ついで、温度０〜１００℃で、金属イ
オン１モルに対して水０．１〜３モルとなる量の水濃度
０．０４６〜９．２モル／Ｌの水―アルコール混合溶液
を滴下させた後、温度０〜２００℃で１〜２４時間、加
水分解、脱水縮合反応させて、金属酸化物オリゴマー−
飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を形成させる。さら
に、適宜濃縮、希釈により、金属イオン濃度として０．
０１〜５モル／Ｌの金属酸化物オリゴマー−飽和有機化
合物溶媒錯体含有溶液が調製される。
濃度が０．０１〜３モル／Ｌとなる量の金属塩を溶解ま
たは懸濁させる。ついで、温度０〜１００℃で、金属イ
オン１モルに対して水０．１〜３モルとなる量の水濃度
０．０４６〜９．２モル／Ｌの水―アルコール混合溶液
を滴下させた後、温度０〜２００℃で１〜２４時間、加
水分解、脱水縮合反応させて、金属酸化物オリゴマー−
飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を形成させる。さら
に、適宜濃縮、希釈により、金属イオン濃度として０．
０１〜５モル／Ｌの金属酸化物オリゴマー−飽和有機化
合物溶媒錯体含有溶液が調製される。
【００２８】金属イオン濃度が０．０１モル／Ｌ未満の
場合、金属塩間距離が大き過ぎて、金属酸化物オリゴマ
ーがうまく形成されず、また３モル／Ｌを超の場合、金
属塩間距離が小さ過ぎて、金属酸化物オリゴマーの三次
元成長が抑制できず、不都合である。
場合、金属塩間距離が大き過ぎて、金属酸化物オリゴマ
ーがうまく形成されず、また３モル／Ｌを超の場合、金
属塩間距離が小さ過ぎて、金属酸化物オリゴマーの三次
元成長が抑制できず、不都合である。
【００２９】水−アルコール混合溶液のアルコールとし
ては、炭素数１〜１０のアルコールから選ばれる少なく
とも１種であり、例えば、エチルアルコール、ｎ―プロ
ピルアルコール、ｉｓｏ―プロピルアルコール、ｎ―ブ
チルアルコール、ｉｓｏ―ブチルアルコール、ｔｅｒｔ
―ブチルアルコール、アミルアルコール、ヘキシルアル
コール、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシ
ルアルコール、グリセリン、エチレングリコール等があ
げられる。
ては、炭素数１〜１０のアルコールから選ばれる少なく
とも１種であり、例えば、エチルアルコール、ｎ―プロ
ピルアルコール、ｉｓｏ―プロピルアルコール、ｎ―ブ
チルアルコール、ｉｓｏ―ブチルアルコール、ｔｅｒｔ
―ブチルアルコール、アミルアルコール、ヘキシルアル
コール、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシ
ルアルコール、グリセリン、エチレングリコール等があ
げられる。
【００３０】水−アルコール混合溶液中のアルコール
は、水の活量を制御して、加水分解反応を抑制し、ゆっ
くりと反応させる役割を有し、また水は、加水分解の反
応速度に大きな影響を及ぼす。
は、水の活量を制御して、加水分解反応を抑制し、ゆっ
くりと反応させる役割を有し、また水は、加水分解の反
応速度に大きな影響を及ぼす。
【００３１】水濃度が０．０４６モル未満／Ｌの場合、
形成される金属酸化物オリゴマーの配列には乱れはない
が、加水分解反応が遅すぎて、効率が低下し、経済性が
劣り、実用的でない。また９．６モル超／Ｌの場合、加
水分解が急激に進行し、微粒子状金属水和酸化物の凝集
体が形成され、好ましくない。
形成される金属酸化物オリゴマーの配列には乱れはない
が、加水分解反応が遅すぎて、効率が低下し、経済性が
劣り、実用的でない。また９．６モル超／Ｌの場合、加
水分解が急激に進行し、微粒子状金属水和酸化物の凝集
体が形成され、好ましくない。
【００３２】金属塩を溶解または懸濁させた飽和有機化
合物溶媒に添加される水−アルコール混合溶液は、金属
塩１モルに対して水０．１〜３モルとなる量である。水
が０．１モル未満の場合、加水分解、脱水縮合反応が遅
すぎて、効率が低下し、経済性に劣り、実用的でない。
また３モル超の場合、加水分解が急激に進行し、金属酸
化物オリゴマーの三次元成長が抑制できず、不都合であ
る。
合物溶媒に添加される水−アルコール混合溶液は、金属
塩１モルに対して水０．１〜３モルとなる量である。水
が０．１モル未満の場合、加水分解、脱水縮合反応が遅
すぎて、効率が低下し、経済性に劣り、実用的でない。
また３モル超の場合、加水分解が急激に進行し、金属酸
化物オリゴマーの三次元成長が抑制できず、不都合であ
る。
【００３３】水―アルコール混合溶液の添加温度が０℃
未満の場合、加水分解、脱水縮合反応が遅くなり、また
１００℃超の場合、急激な反応が部分的に起こり、形成
される金属酸化物オリゴマー−飽和有機化合物溶媒錯体
が不均質になり易く、不都合である。
未満の場合、加水分解、脱水縮合反応が遅くなり、また
１００℃超の場合、急激な反応が部分的に起こり、形成
される金属酸化物オリゴマー−飽和有機化合物溶媒錯体
が不均質になり易く、不都合である。
【００３４】また、加水分解、脱水縮合反応温度が０℃
未満の場合、反応が十分進行せず、また２００℃超の場
合、反応制御が困難となり、不都合である。
未満の場合、反応が十分進行せず、また２００℃超の場
合、反応制御が困難となり、不都合である。
【００３５】調製された金属酸化物オリゴマー―飽和有
機化合物溶媒錯体含有溶液は、冷暗所に保存した場合、
１年経過後でも安定であり、経時安定性に優れている。
機化合物溶媒錯体含有溶液は、冷暗所に保存した場合、
１年経過後でも安定であり、経時安定性に優れている。
【００３６】つぎに、基体上に、前のＡ工程で調製され
た金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有
溶液を、付着させるＢ工程について、以下に説明する。
た金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有
溶液を、付着させるＢ工程について、以下に説明する。
【００３７】大気中または溶媒飽和蒸気中で、基体上
に、Ａ工程で調製された金属イオン濃度として０．０１
〜５モル／Ｌの金属酸化物オリゴマー−飽和有機化合物
溶媒錯体含有溶液を付着させる。
に、Ａ工程で調製された金属イオン濃度として０．０１
〜５モル／Ｌの金属酸化物オリゴマー−飽和有機化合物
溶媒錯体含有溶液を付着させる。
【００３８】本発明に用いられる基体は、特に限定され
ず、目的や用途に応じて、材質、形状及び大きさが適宜
選択される。材質としては、例えば、シリコンウエハの
ような単結晶、多結晶、ガラス、金属、セラミックス、
高分子等があげられ、形状としては、例えば、板状、小
断片、ビーズ状球体、リング状体、筒状、繊維状及び鎖
状体等があげられる。
ず、目的や用途に応じて、材質、形状及び大きさが適宜
選択される。材質としては、例えば、シリコンウエハの
ような単結晶、多結晶、ガラス、金属、セラミックス、
高分子等があげられ、形状としては、例えば、板状、小
断片、ビーズ状球体、リング状体、筒状、繊維状及び鎖
状体等があげられる。
【００３９】基体上への金属酸化物オリゴマー−飽和有
機化合物溶媒錯体含有溶液の付着は、ハケ塗り、スプレ
ー塗布，スピンコート、ディップコート等により行われ
る。
機化合物溶媒錯体含有溶液の付着は、ハケ塗り、スプレ
ー塗布，スピンコート、ディップコート等により行われ
る。
【００４０】溶媒飽和蒸気中での付着の場合、調製され
た前記溶液中の飽和有機化合物溶媒と同一溶媒、また、
前記溶液中に含まれる飽和有記化合物溶媒以外の他の飽
和有機化合物溶媒や、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水
素、ヘテロ原子を含む脂環式炭化水素等の不飽和有機化
合物溶媒のいずれを用いてもよい。好ましくは、疎水性
を有する溶媒である。
た前記溶液中の飽和有機化合物溶媒と同一溶媒、また、
前記溶液中に含まれる飽和有記化合物溶媒以外の他の飽
和有機化合物溶媒や、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水
素、ヘテロ原子を含む脂環式炭化水素等の不飽和有機化
合物溶媒のいずれを用いてもよい。好ましくは、疎水性
を有する溶媒である。
【００４１】本発明では、Ｂ工程での１回の付着操作に
より、通常、厚さ０．０１〜５μｍの金属酸化物薄膜が
形成される。この厚さは、主としてＡ工程で調製される
金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶
液中の金属酸化物オリゴマーの濃度と塗布量に依存す
る。また、必要に応じ、複数回の付着操作により、より
厚い金属酸化物薄膜を形成させてもよい。
より、通常、厚さ０．０１〜５μｍの金属酸化物薄膜が
形成される。この厚さは、主としてＡ工程で調製される
金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶
液中の金属酸化物オリゴマーの濃度と塗布量に依存す
る。また、必要に応じ、複数回の付着操作により、より
厚い金属酸化物薄膜を形成させてもよい。
【００４２】つぎに、基体上に付着させた金属酸化物オ
リゴマー−飽和有機溶媒錯体含有溶液中の飽和有機化合
物溶媒の少なくとも一部を除去させるＣ工程について、
以下に説明する。
リゴマー−飽和有機溶媒錯体含有溶液中の飽和有機化合
物溶媒の少なくとも一部を除去させるＣ工程について、
以下に説明する。
【００４３】前のＢ工程により、金属酸化物オリゴマー
−飽和有機溶媒錯体含有溶液を付着させた基体に、基体
成分と金属酸化物オリゴマー間の拡散、混合を実質的に
生じさせない手段を用いて、上記付着溶液中の飽和有機
化合物溶媒の少なくとも一部を除去させ、ついで、必要
に応じて乾燥させる。
−飽和有機溶媒錯体含有溶液を付着させた基体に、基体
成分と金属酸化物オリゴマー間の拡散、混合を実質的に
生じさせない手段を用いて、上記付着溶液中の飽和有機
化合物溶媒の少なくとも一部を除去させ、ついで、必要
に応じて乾燥させる。
【００４４】飽和有機化合物溶媒の除去は、１）不活性
ガス中または減圧下で、基体金属と金属酸化物オリゴマ
ー間の拡散、混合を生じさせない温度で、基体を加熱さ
せる、２）減圧下で、基体を加熱なしに保持させる、
３）溶媒飽和蒸気中、密閉容器中の基体に、赤外線ラン
プ等により赤外線及び／または紫外線ランプにより紫外
線を間接照射させる、４）基体に、赤外線ランプ等によ
り赤外線及び／または紫外線ランプにより紫外線を直接
照射させる等、基体成分と金属酸化物オリゴマー間の拡
散、混合を実質的に生じさせない手段であればよい。
ガス中または減圧下で、基体金属と金属酸化物オリゴマ
ー間の拡散、混合を生じさせない温度で、基体を加熱さ
せる、２）減圧下で、基体を加熱なしに保持させる、
３）溶媒飽和蒸気中、密閉容器中の基体に、赤外線ラン
プ等により赤外線及び／または紫外線ランプにより紫外
線を間接照射させる、４）基体に、赤外線ランプ等によ
り赤外線及び／または紫外線ランプにより紫外線を直接
照射させる等、基体成分と金属酸化物オリゴマー間の拡
散、混合を実質的に生じさせない手段であればよい。
【００４５】上記Ｃ工程で除去される飽和有機化合物溶
媒は、２０％以上であり、好ましくは、４０〜８０％で
ある。
媒は、２０％以上であり、好ましくは、４０〜８０％で
ある。
【００４６】つぎに、基体上に付着させた金属酸化物オ
リゴマー−飽和有機溶媒錯体含有溶液中の飽和有機化合
物溶媒の少なくとも一部を除去させた基体を、熱処理さ
せるＤ工程について、以下に説明する。
リゴマー−飽和有機溶媒錯体含有溶液中の飽和有機化合
物溶媒の少なくとも一部を除去させた基体を、熱処理さ
せるＤ工程について、以下に説明する。
【００４７】前のＣ工程により、基体上に付着させた金
属酸化物オリゴマー−飽和有機溶媒錯体含有溶液中の飽
和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除去させた基体
を、電気炉等を用いて、温度１００〜１３００℃で１〜
２４時間熱処理させて、基体上に、金属酸化物のゲル状
薄膜を結合化させた金属酸化物薄膜を形成させる。
属酸化物オリゴマー−飽和有機溶媒錯体含有溶液中の飽
和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除去させた基体
を、電気炉等を用いて、温度１００〜１３００℃で１〜
２４時間熱処理させて、基体上に、金属酸化物のゲル状
薄膜を結合化させた金属酸化物薄膜を形成させる。
【００４８】熱処理温度が１００℃未満の場合、金属酸
化物薄膜の結晶化が困難であり、また１３００℃超の場
合、目的とする結晶以外の結晶が形成される上、経済性
にも劣り、好ましくない。
化物薄膜の結晶化が困難であり、また１３００℃超の場
合、目的とする結晶以外の結晶が形成される上、経済性
にも劣り、好ましくない。
【００４９】本発明において、２種以上の金属からなる
複合金属酸化物薄膜を形成させる場合には、目的とする
２種以上の金属塩を出発原料とし、加熱分解、脱水縮合
反応させて調製された、２種以上の金属からなる金属酸
化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を用
いる。
複合金属酸化物薄膜を形成させる場合には、目的とする
２種以上の金属塩を出発原料とし、加熱分解、脱水縮合
反応させて調製された、２種以上の金属からなる金属酸
化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液を用
いる。
【００５０】上記複合金属酸化物としては、ＰｂＺｒＯ
3、ＰｂＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＳｒＲｕ
ＴｉＯ3、ＹＭｎＯ3、ＣｕＦｅ2Ｏ4、ＬｉＮｂＯ3、Ｐ
ｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3（以下、「ＰＺＴ」と略記）、Ｉ
ｎ4Ｓｎ3Ｏ12、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3、ＳｒＢｉ2Ｔａ
2Ｏ9、（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ3、Ｂｉ４Ｔｉ3Ｏ12、（Ｌ
ａ，Ｌｉ）ＴｉＯ3、（Ｌａ，Ｌｉ）ＺｒＯ3、ＣａＢｉ
2Ｔａ2Ｏ9、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3等があげ
られる。
3、ＰｂＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＳｒＲｕ
ＴｉＯ3、ＹＭｎＯ3、ＣｕＦｅ2Ｏ4、ＬｉＮｂＯ3、Ｐ
ｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3（以下、「ＰＺＴ」と略記）、Ｉ
ｎ4Ｓｎ3Ｏ12、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3、ＳｒＢｉ2Ｔａ
2Ｏ9、（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ3、Ｂｉ４Ｔｉ3Ｏ12、（Ｌ
ａ，Ｌｉ）ＴｉＯ3、（Ｌａ，Ｌｉ）ＺｒＯ3、ＣａＢｉ
2Ｔａ2Ｏ9、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3等があげ
られる。
【００５１】本発明では、基体上に付着させた金属酸化
物オリゴマー−飽和有機溶媒錯体含有溶液中の飽和有機
化合物溶媒の少なくとも一部を除去させるＣ工程によ
り、基体の成分と金属酸化物オリゴマー間での拡散、混
合が防止され、均質でクラック等のほとんどない金属酸
化物薄膜が形成できる。
物オリゴマー−飽和有機溶媒錯体含有溶液中の飽和有機
化合物溶媒の少なくとも一部を除去させるＣ工程によ
り、基体の成分と金属酸化物オリゴマー間での拡散、混
合が防止され、均質でクラック等のほとんどない金属酸
化物薄膜が形成できる。
【００５２】本発明の金属酸化物薄膜を形成させた基体
は、光学材料、光電変換材料、電子材料、保護膜等、例
えば、コンデンサー、ピエゾ素子、ＳＡＷフィルター、
メモリー、超伝導材料等として用いられる。
は、光学材料、光電変換材料、電子材料、保護膜等、例
えば、コンデンサー、ピエゾ素子、ＳＡＷフィルター、
メモリー、超伝導材料等として用いられる。
【００５３】また、本発明の金属酸化物粉体は、前記Ａ
工程で調製された金属塩及び飽和有機化合物溶媒を含む
溶液から金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯
体含有溶液をそのまま、前記Ｃ工程に準じて、前記溶液
中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除去させた
後、電気炉等を用いて、温度１００〜１３００℃で１〜
２４時間熱処理させて金属酸化物固体とし、さらにボー
ルミル等を用いて粉砕させて得る。
工程で調製された金属塩及び飽和有機化合物溶媒を含む
溶液から金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯
体含有溶液をそのまま、前記Ｃ工程に準じて、前記溶液
中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除去させた
後、電気炉等を用いて、温度１００〜１３００℃で１〜
２４時間熱処理させて金属酸化物固体とし、さらにボー
ルミル等を用いて粉砕させて得る。
【００５４】上記金属酸化物粉体は、前記Ａ工程で調製
された、三次元成長を抑制させた金属酸化物オリゴマー
―飽和有機化合物溶媒錯体の構造が保持されたまま、金
属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液
中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除去させた
後、熱処理させることにより得られる、基体上に形成さ
れた前記金属酸化物薄膜とほぼ同等の組成、構造を有す
る金属酸化物粉体である。
された、三次元成長を抑制させた金属酸化物オリゴマー
―飽和有機化合物溶媒錯体の構造が保持されたまま、金
属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有溶液
中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除去させた
後、熱処理させることにより得られる、基体上に形成さ
れた前記金属酸化物薄膜とほぼ同等の組成、構造を有す
る金属酸化物粉体である。
【００５５】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を、以下、実施
例に基き説明する。なお、本発明は、実施例によりなん
ら限定されない。
例に基き説明する。なお、本発明は、実施例によりなん
ら限定されない。
【００５６】実施例１ 飽和有機化合物溶媒であるヘキサンに、チタンイオン濃
度として１モル／Ｌとなる量の、金属塩であるチタン―
ｎ―ブトキシドを溶解させ、温度０℃での攪拌下、チタ
ンイオン１モルに対して水１．６モルとなる量の、水濃
度４．０モル／Ｌの水―ブタノール混合溶液を滴下さ
せ、ついで温度０℃で１時間攪拌させた後、温度８０〜
９０℃で１０時間、加水分解、脱水縮合反応させて、チ
タン酸化物オリゴマー−ヘキサン錯体を形成させ、さら
にエバポレーターを用いて濃縮させ、ついでチタンイオ
ン濃度が１モル／Ｌとなるように希釈させて、チタン酸
化物オリゴマー−ヘキサン錯体含有溶液を調製した。
度として１モル／Ｌとなる量の、金属塩であるチタン―
ｎ―ブトキシドを溶解させ、温度０℃での攪拌下、チタ
ンイオン１モルに対して水１．６モルとなる量の、水濃
度４．０モル／Ｌの水―ブタノール混合溶液を滴下さ
せ、ついで温度０℃で１時間攪拌させた後、温度８０〜
９０℃で１０時間、加水分解、脱水縮合反応させて、チ
タン酸化物オリゴマー−ヘキサン錯体を形成させ、さら
にエバポレーターを用いて濃縮させ、ついでチタンイオ
ン濃度が１モル／Ｌとなるように希釈させて、チタン酸
化物オリゴマー−ヘキサン錯体含有溶液を調製した。
【００５７】平均粒径１μｍのアルミナで研磨させたチ
タン基体を、脱脂、洗浄させた後、ヘキサン飽和蒸気
中、先に調製したチタン酸化物オリゴマー−ヘキサン錯
体含有溶液中に５分間浸漬させた後、ステッピングモー
ターを用いて、０．１５ｍｍ／秒の速度で引き上げ、チ
タン基体上に、チタン酸化物オリゴマー−ヘキサン錯体
含有溶液を付着させた。
タン基体を、脱脂、洗浄させた後、ヘキサン飽和蒸気
中、先に調製したチタン酸化物オリゴマー−ヘキサン錯
体含有溶液中に５分間浸漬させた後、ステッピングモー
ターを用いて、０．１５ｍｍ／秒の速度で引き上げ、チ
タン基体上に、チタン酸化物オリゴマー−ヘキサン錯体
含有溶液を付着させた。
【００５８】次に、チタン酸化物オリゴマー−ヘキサン
錯体含有溶液を付着させたチタン基体を、ガラス容器に
入れた後、チタン基体から約２０ｃｍ離したガラス容器
外の赤外線ランプを用いて、ヘキサン飽和蒸気中、１５
分間、間接照射させて、前記付着溶液中のヘキサンの約
４０％を除去させた。さらに温度１２０℃で３０分間乾
燥させた。
錯体含有溶液を付着させたチタン基体を、ガラス容器に
入れた後、チタン基体から約２０ｃｍ離したガラス容器
外の赤外線ランプを用いて、ヘキサン飽和蒸気中、１５
分間、間接照射させて、前記付着溶液中のヘキサンの約
４０％を除去させた。さらに温度１２０℃で３０分間乾
燥させた。
【００５９】ついで、電気炉中、温度５８０℃で１時間
熱処理させた後、室温まで自然放冷させて、チタン基体
上にチタン酸化物薄膜を形成させた。
熱処理させた後、室温まで自然放冷させて、チタン基体
上にチタン酸化物薄膜を形成させた。
【００６０】走査型電子顕微鏡（以下、「ＳＥＭ」と略
記）を用いて測定したチタン酸化物薄膜の厚さは、約
０．６μｍであった。図１に示したＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのほとんどないチタン酸化物薄膜で
あった。
記）を用いて測定したチタン酸化物薄膜の厚さは、約
０．６μｍであった。図１に示したＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのほとんどないチタン酸化物薄膜で
あった。
【００６１】実施例２ 実施例１において、ヘキサンに、チタンイオン濃度とし
て０．５モル／Ｌとなる量のチタン―ｎ―ブトキシドを
溶解させ、温度５℃での攪拌下、チタンイオン１モルに
対して水０．２モルとなる量の、水濃度２．３モル／Ｌ
の水―ブタノール混合溶液を滴下させた後、温度５℃で
１時間攪拌させたこと、また、希釈により、チタンイオ
ン濃度が０．５モルのチタン酸化物オリゴマー−ヘキサ
ン錯体含有溶液を調製したこと以外は、実施例１と同様
にして、チタン基体上にチタン酸化物薄膜を形成させ
た。なお、付着溶液中のヘキサンの除去率は、約４０％
であった。
て０．５モル／Ｌとなる量のチタン―ｎ―ブトキシドを
溶解させ、温度５℃での攪拌下、チタンイオン１モルに
対して水０．２モルとなる量の、水濃度２．３モル／Ｌ
の水―ブタノール混合溶液を滴下させた後、温度５℃で
１時間攪拌させたこと、また、希釈により、チタンイオ
ン濃度が０．５モルのチタン酸化物オリゴマー−ヘキサ
ン錯体含有溶液を調製したこと以外は、実施例１と同様
にして、チタン基体上にチタン酸化物薄膜を形成させ
た。なお、付着溶液中のヘキサンの除去率は、約４０％
であった。
【００６２】実施例１に準じて測定したチタン酸化物薄
膜の厚さは、約０．１μｍであった。ＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのないチタン酸化物薄膜であった。
膜の厚さは、約０．１μｍであった。ＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのないチタン酸化物薄膜であった。
【００６３】実施例３ 実施例１において、チタン基体から約２０ｃｍ離したガ
ラス容器外の赤外線ランプを用いて、ヘキサン飽和蒸気
中、１５分間、間接照射させた代りに、圧力１３３ｈＰ
ａの減圧下、温度４０〜６０℃で加熱させた以外は、実
施例１と同様にして、チタン基体上にチタン酸化物薄膜
を形成させた。付着溶液中のヘキサンの除去率は、約７
０％であった。
ラス容器外の赤外線ランプを用いて、ヘキサン飽和蒸気
中、１５分間、間接照射させた代りに、圧力１３３ｈＰ
ａの減圧下、温度４０〜６０℃で加熱させた以外は、実
施例１と同様にして、チタン基体上にチタン酸化物薄膜
を形成させた。付着溶液中のヘキサンの除去率は、約７
０％であった。
【００６４】実施例１に準じて測定したチタン酸化物薄
膜の厚さは、約０．６μｍであった。ＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのないチタン酸化物被膜であった。
膜の厚さは、約０．６μｍであった。ＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのないチタン酸化物被膜であった。
【００６５】実施例４ 実施例１において、飽和有機化合物溶媒であるヘキサン
をシクロヘキサンに代えた以外は、実施例１と同様にし
て、チタン基体上にチタン酸化物薄膜を形成させた。
をシクロヘキサンに代えた以外は、実施例１と同様にし
て、チタン基体上にチタン酸化物薄膜を形成させた。
【００６６】実施例１に準じて測定したチタン酸化物薄
膜の厚さは、約０．４μｍであった。ＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのないチタン酸化物薄膜であった。
膜の厚さは、約０．４μｍであった。ＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのないチタン酸化物薄膜であった。
【００６７】実施例５ 実施例１において、飽和有機化合物溶媒であるヘキサン
をジオキサンに代えた以外は、実施例１と同様にして、
チタン基体上にチタン酸化物薄膜を形成させた。
をジオキサンに代えた以外は、実施例１と同様にして、
チタン基体上にチタン酸化物薄膜を形成させた。
【００６８】実施例１に準じて測定したチタン酸化物薄
膜の厚さは、約０．５μｍであった。ＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのないチタン酸化物薄膜であった。
膜の厚さは、約０．５μｍであった。ＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのないチタン酸化物薄膜であった。
【００６９】実施例６ 実施例１において、飽和有機化合物溶媒であるヘキサン
をテトラヒドロフランに代えた以外は、実施例１と同様
にして、チタン基体上に金属酸化物薄膜を形成させた。
をテトラヒドロフランに代えた以外は、実施例１と同様
にして、チタン基体上に金属酸化物薄膜を形成させた。
【００７０】実施例１に準じて測定したチタン酸化物薄
膜の厚さは、約０．５μｍであった。ＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのないチタン酸化物薄膜であった。
膜の厚さは、約０．５μｍであった。ＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのないチタン酸化物薄膜であった。
【００７１】実施例７ 実施例１において、飽和有機化合物溶媒であるヘキサン
をｎ−ブタノールに代えた以外は、実施例１と同様にし
て、チタン基体上に金属酸化物薄膜を形成させた。
をｎ−ブタノールに代えた以外は、実施例１と同様にし
て、チタン基体上に金属酸化物薄膜を形成させた。
【００７２】実施例１に準じて測定したチタン酸化物薄
膜の厚さは、約０．４μｍであった。ＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのないチタン酸化物薄膜であった。
膜の厚さは、約０．４μｍであった。ＳＥＭ写真によれ
ば、均質でクラックのないチタン酸化物薄膜であった。
【００７３】実施例８ 実施例１において、金属塩であるチタン―ｎ―ブトキシ
ドをジルコニウム−ｎ−ブトキシドに代えた以外は、実
施例１と同様にして、チタン基体上にジルコニウム酸化
物薄膜を形成させた。付着溶液中のヘキサンの除去率
は、約４０％であった。
ドをジルコニウム−ｎ−ブトキシドに代えた以外は、実
施例１と同様にして、チタン基体上にジルコニウム酸化
物薄膜を形成させた。付着溶液中のヘキサンの除去率
は、約４０％であった。
【００７４】実施例１に準じて測定したジルコニウム酸
化物薄膜の厚さは、約０．３μｍであった。ＳＥＭ写真
によれば、均質でクラックのないジルコニウム酸化物薄
膜であった。
化物薄膜の厚さは、約０．３μｍであった。ＳＥＭ写真
によれば、均質でクラックのないジルコニウム酸化物薄
膜であった。
【００７５】実施例９ 実施例１で調製されたチタン酸化物オリゴマー−ヘキサ
ン錯体含有溶液を、脱脂、洗浄させた石英ガラス基体上
に、スピンコータを用いて塗布させ、石英ガラス基体か
ら２０ｃｍ離した紫外線ランプを用いて紫外線を１時
間、直接照射させた後、ついで、石英ガラス基体から２
０ｃｍ離した赤外線ランプを用いて赤外線を３０分間、
直接照射させ、付着溶液中のヘキサンを、１００％除去
させた。さらに、大気中、電気炉を用いて、温度１００
℃で１時間熱処理させて、チタン酸化物薄膜を形成させ
た。
ン錯体含有溶液を、脱脂、洗浄させた石英ガラス基体上
に、スピンコータを用いて塗布させ、石英ガラス基体か
ら２０ｃｍ離した紫外線ランプを用いて紫外線を１時
間、直接照射させた後、ついで、石英ガラス基体から２
０ｃｍ離した赤外線ランプを用いて赤外線を３０分間、
直接照射させ、付着溶液中のヘキサンを、１００％除去
させた。さらに、大気中、電気炉を用いて、温度１００
℃で１時間熱処理させて、チタン酸化物薄膜を形成させ
た。
【００７６】形成されたチタン酸化物薄膜を、Ｘ線回折
装置を用いて分析した。Ｘ線回折パターン図により、酸
化チタンのアナターゼの結晶であることが確認された。
装置を用いて分析した。Ｘ線回折パターン図により、酸
化チタンのアナターゼの結晶であることが確認された。
【００７７】実施例１０ 実施例１で調製されたチタン酸化物オリゴマー−ヘキサ
ン錯体含有溶液に、チタンイオン１モルに対して１モル
になる量の酢酸バリウムを加え、温度８０〜９０℃で８
時間、加水分解、脱水縮合反応させた後、エバポレータ
ーを用いて濃縮させ、ついでチタン酸バリウム濃度が１
モル／Ｌとなるように希釈させて、チタン酸バリウムオ
リゴマー−ヘキサン錯体含有溶液を調製した。
ン錯体含有溶液に、チタンイオン１モルに対して１モル
になる量の酢酸バリウムを加え、温度８０〜９０℃で８
時間、加水分解、脱水縮合反応させた後、エバポレータ
ーを用いて濃縮させ、ついでチタン酸バリウム濃度が１
モル／Ｌとなるように希釈させて、チタン酸バリウムオ
リゴマー−ヘキサン錯体含有溶液を調製した。
【００７８】調製されたチタン酸バリウムオリゴマー−
ヘキサン錯体含有溶液を、脱脂、洗浄させた石英ガラス
上に、スピンコータを用いて塗布させ、石英ガラス基体
から約２０cｍ離した赤外線ランプを用いて、３０分
間、直接照射して、付着溶液中のヘキサンの一部を除去
させた後、さらに温度１２０℃で３０分間乾燥させた。
さらに、大気中、電気炉を用いて、温度７００℃で１時
間、熱処理させた後、室温まで自然冷却させ、石英ガラ
ス上にチタン酸バリウム薄膜を形成させた。
ヘキサン錯体含有溶液を、脱脂、洗浄させた石英ガラス
上に、スピンコータを用いて塗布させ、石英ガラス基体
から約２０cｍ離した赤外線ランプを用いて、３０分
間、直接照射して、付着溶液中のヘキサンの一部を除去
させた後、さらに温度１２０℃で３０分間乾燥させた。
さらに、大気中、電気炉を用いて、温度７００℃で１時
間、熱処理させた後、室温まで自然冷却させ、石英ガラ
ス上にチタン酸バリウム薄膜を形成させた。
【００７９】図２に示したＸ線回折パターン図により、
チタン酸バリウム薄膜が形成されていることが確認され
た。
チタン酸バリウム薄膜が形成されていることが確認され
た。
【００８０】実施例１１ チタンイオンとして０．９６モルとなる量の、実施例１
で調製されたチタン酸化物オリゴマー−ヘキサン錯体溶
液と、ジルコニウムイオンとして１．０４モルとなる量
の、実施例９で調製されたジルコニウム酸化物オリゴマ
ー−ヘキサン錯体溶液とを混合させ、温度８０〜９０℃
で４時間、加水分解、脱水縮合反応させた。ついで、
〔チタンイオン＋ジルコニウムイオン〕の１モルに対し
て１モルとなる量の酢酸鉛を加え、温度８０〜９０℃で
８時間、加水分解、脱水縮合反応させた後、エバポレー
ターで濃縮させ、さらにＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸
鉛）濃度が１モル／Ｌとなるように希釈させて、ＰＺＴ
オリゴマー−ヘキサン錯体含有溶液を調製した。以下、
実施例１１と同様にして、石英ガラス上にＰＺＴ薄膜を
形成させた。
で調製されたチタン酸化物オリゴマー−ヘキサン錯体溶
液と、ジルコニウムイオンとして１．０４モルとなる量
の、実施例９で調製されたジルコニウム酸化物オリゴマ
ー−ヘキサン錯体溶液とを混合させ、温度８０〜９０℃
で４時間、加水分解、脱水縮合反応させた。ついで、
〔チタンイオン＋ジルコニウムイオン〕の１モルに対し
て１モルとなる量の酢酸鉛を加え、温度８０〜９０℃で
８時間、加水分解、脱水縮合反応させた後、エバポレー
ターで濃縮させ、さらにＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸
鉛）濃度が１モル／Ｌとなるように希釈させて、ＰＺＴ
オリゴマー−ヘキサン錯体含有溶液を調製した。以下、
実施例１１と同様にして、石英ガラス上にＰＺＴ薄膜を
形成させた。
【００８１】図３に示したＸ線回折パターン図により、
ＰＺＴ薄膜が形成されていることが確認された。
ＰＺＴ薄膜が形成されていることが確認された。
【００８２】比較例１ Ｔ．Ｙｏｋｏ，Ｋ．Ｋａｍｉｙａｍａ ａｎｄ Ｓ．Ｓ
ａｋｋａ．ＹｏｇｙｏＫｙｏｋａｉｓｈｉ．９５，１９
８７,ｐ．１５０に準じて、ゾルゲル法による金属酸化
物薄膜を形成させた。
ａｋｋａ．ＹｏｇｙｏＫｙｏｋａｉｓｈｉ．９５，１９
８７,ｐ．１５０に準じて、ゾルゲル法による金属酸化
物薄膜を形成させた。
【００８３】室温下、チタンイソプロポキシド０．１モ
ル及び脱水エタノール０．４モルを混合、攪拌させた
後、温度０℃での攪拌下、脱水エタノール０．４モル、
水０．１モル及び塩酸０．００８モルの混合溶液を滴下
させた後、室温で加水分解反応させて、チタン酸化物ゾ
ルを調製した。調製されたチタン酸化物ゾルは、冷暗所
での保存下、２ヶ月経過後に、ゾル中のチタン酸化物微
粒子が凝集し、使用不能となった。
ル及び脱水エタノール０．４モルを混合、攪拌させた
後、温度０℃での攪拌下、脱水エタノール０．４モル、
水０．１モル及び塩酸０．００８モルの混合溶液を滴下
させた後、室温で加水分解反応させて、チタン酸化物ゾ
ルを調製した。調製されたチタン酸化物ゾルは、冷暗所
での保存下、２ヶ月経過後に、ゾル中のチタン酸化物微
粒子が凝集し、使用不能となった。
【００８４】実施例１と同様のチタン基体を、先に調製
した酸化物ゾル中に浸漬させた後、ステッピングモータ
ーを用いて、０．１５ｍｍ／秒の速度で引き上げ、自然
乾燥させた。ついで、大気中、電気炉を用いて、温度５
８０℃で１時間熱処理させた後、室温になるまで自然放
冷させて、チタン基体上にチタン酸化物薄膜を形成させ
た。
した酸化物ゾル中に浸漬させた後、ステッピングモータ
ーを用いて、０．１５ｍｍ／秒の速度で引き上げ、自然
乾燥させた。ついで、大気中、電気炉を用いて、温度５
８０℃で１時間熱処理させた後、室温になるまで自然放
冷させて、チタン基体上にチタン酸化物薄膜を形成させ
た。
【００８５】実施例１に準じて測定したチタン酸化物薄
膜の厚さは、約０．０７μｍであった。また、図４に示
したＳＥＭ写真によれば、チタン酸化物微粒子が分散し
たゾルにより形成されるチタン酸化物薄膜に特有の細か
いクラックが散在していた。
膜の厚さは、約０．０７μｍであった。また、図４に示
したＳＥＭ写真によれば、チタン酸化物微粒子が分散し
たゾルにより形成されるチタン酸化物薄膜に特有の細か
いクラックが散在していた。
【００８６】比較例２ 実施例１と同様のチタン基体を、実施例９と同様にして
調整されたジルコニウム酸化物オリゴマー−ヘキサン錯
体含有溶液中に、５分間浸漬させた後、ステッピングモ
ーターを用いて、０．１５ｍｍ／秒の速度で引き上げ
た。さらに、電気炉を用いて、温度５８０℃で１時間熱
処理させた後、室温になるまで自然放冷し、ジルコニウ
ム酸化物薄膜を形成させた。
調整されたジルコニウム酸化物オリゴマー−ヘキサン錯
体含有溶液中に、５分間浸漬させた後、ステッピングモ
ーターを用いて、０．１５ｍｍ／秒の速度で引き上げ
た。さらに、電気炉を用いて、温度５８０℃で１時間熱
処理させた後、室温になるまで自然放冷し、ジルコニウ
ム酸化物薄膜を形成させた。
【００８７】電子線プローブＸ線マイクロアナリシスを
用いて、チタン基体とジルコニウム酸化物薄膜の断面を
観察したところ、チタン基体のチタンとジルコニウム酸
化物薄膜の酸化ジルコニウムとが相互に拡散し、両者の
界面付近には、混合層が形成されていた。
用いて、チタン基体とジルコニウム酸化物薄膜の断面を
観察したところ、チタン基体のチタンとジルコニウム酸
化物薄膜の酸化ジルコニウムとが相互に拡散し、両者の
界面付近には、混合層が形成されていた。
【００８８】本発明では、基体の熱処理前に、基体上に
付着させた金属酸化物オリゴマー−飽和有機溶媒錯体含
有溶液中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除去
させることにより、基体の成分と金属酸化物オリゴマー
間での拡散、混合が防止され、均質でクラック等のほと
んどない金属酸化物薄膜が形成できる。
付着させた金属酸化物オリゴマー−飽和有機溶媒錯体含
有溶液中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除去
させることにより、基体の成分と金属酸化物オリゴマー
間での拡散、混合が防止され、均質でクラック等のほと
んどない金属酸化物薄膜が形成できる。
【００８９】本発明の金属酸化物薄膜を形成させた基体
は、光学材料、光電変換材料、電子材料、保護膜等、例
えば、コンデンサー、ピエゾ素子、ＳＡＷフィルター、
メモリー、超伝導材料等として用いられる。
は、光学材料、光電変換材料、電子材料、保護膜等、例
えば、コンデンサー、ピエゾ素子、ＳＡＷフィルター、
メモリー、超伝導材料等として用いられる。
【図１】実施例１で形成させたチタン酸化物薄膜のＳＥ
Ｍ写真である。
Ｍ写真である。
【図２】実施例１０で形成させた金属酸化物薄膜のＸ線
回折パターン図である。
回折パターン図である。
【図３】実施例１１で形成させた金属酸化物薄膜のＸ線
回折パターン図である。
回折パターン図である。
【図４】比較例１で形成されたチタン酸化物薄膜のＳＥ
Ｍ写真である。
Ｍ写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 進藤 修光 群馬県渋川市半田2470番地 日本カーリッ ト株式会社研究開発センター内 (72)発明者 久保田 一浩 群馬県渋川市半田2470番地 日本カーリッ ト株式会社研究開発センター内 (72)発明者 加藤 琢朗 群馬県渋川市半田2470番地 日本カーリッ ト株式会社研究開発センター内 (72)発明者 蓮覚寺 聖一 富山県富山市粟島１丁目８番27−110号 Ｆターム(参考） 4G047 CA02 CA07 CB05 CC02 CC03 CD02 4G048 AA02 AA03 AB02 AB05 AC02 AC04 AC08 AD02 AE05 AE08 4K022 AA02 AA03 AA04 AA05 AA13 AA31 AA33 AA34 AA35 AA36 AA41 BA02 BA06 BA07 BA08 BA09 BA10 BA11 BA12 BA14 BA15 BA17 BA20 BA22 BA23 BA24 BA25 BA26 BA27 BA28 BA33 DA06 DB01 DB07
Claims (26)
- 【請求項１】 金属塩及び飽和有機化合物溶媒を含む溶
液から調製された金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合
物溶媒錯体含有溶液を、基体上に付着させ、ついで前記
付着溶液中の飽和有機化合物溶媒の少なくとも一部を除
去させた後、さらに熱処理させることにより、基体上に
金属酸化物薄膜を形成させることを特徴とする金属酸化
物薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 金属塩及び飽和有機化合物溶媒を含む溶
液から金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体
含有溶液を調製させるＡ工程、基体上に、先に調製され
た金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶媒錯体含有
溶液を付着させるＢ工程、前記付着溶液中の飽和有機化
合物溶媒の少なくとも一部を除去させるＣ工程、及び基
体を熱処理させて、金属酸化物薄膜を形成させるＤ工程
からなることを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 飽和有機化合物溶媒の除去が、基体成分
と金属酸化物オリゴマー間の拡散、混合を生じさせない
温度で、基体を加熱させることにより行われることを特
徴とする請求項１または請求項２に記載の金属酸化物薄
膜の形成方法。 - 【請求項４】 飽和有機化合物溶媒の除去が、減圧下
で、基体を保持させ、かつ基体成分と金属酸化物オリゴ
マー間の拡散、混合を生じさせずに行われることを特徴
とする請求項１または請求項２に記載の金属酸化物薄膜
の形成方法。 - 【請求項５】 飽和有機化合物溶媒の除去が、赤外線及
び／または紫外線を、基体に照射、かつ基体成分と金属
酸化物オリゴマー間の拡散、混合を生じさせずに行われ
ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金
属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項６】 金属塩が、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓ
ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄのアルコキシド、
有機酸塩または無機酸塩からなる群から選ばれる少なく
とも１種である請求項１から請求項５のいずれか１項に
記載の金属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項７】 飽和有機化合物溶媒が、脂肪族飽和炭化
水素、脂環式飽和炭化水素、ハロゲン化飽和炭化水素、
ジアルキルエーテル類、ヘテロ環式飽和脂肪族炭化水
素、並びに炭素数４以上の飽和アルコールからなる群か
ら選ばれる少なくとも１種である請求項１から請求項６
のいずれか１項に記載の金属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項８】 飽和有機化合物溶媒が、ヘキサン、シク
ロヘキサン、石油エーテル、ジエチルエーテル、ジオキ
サン及びテトラヒドロフラン、ｎ−ブタノールからなる
群から選ばれる少なくとも１種である請求項７に記載の
金属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項９】 熱処理温度が、１００〜１３００℃であ
ることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１
項に記載の金属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項１０】 金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合
物溶媒錯体含溶液が、金属塩を溶解させた飽和有機化合
物溶媒を含む溶液に、水―アルコール混合溶液を添加さ
せて調製されることを特徴とする請求項１から請求項９
のいずれか１項に記載の金属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項１１】 水―アルコール混合溶液のアルコール
が、炭素数１〜１０のアルコールから選ばれる少なくと
も１種であり、かつ水濃度が、０．０４６〜９．６モル
／Ｌであることを特徴とする請求項１０に記載の金属酸
化物薄膜の形成方法。 - 【請求項１２】 飽和有機化合物溶媒中の金属イオン濃
度が、０．０１〜３モル／Ｌであり、かつ、水―アルコ
ール混合溶液の添加量が、金属イオン１モルに対して水
０．１〜３モルであることを特徴とする請求項１０また
は請求項１１に記載の金属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項１３】 金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合
物溶媒含有溶液が、金属塩を溶解させた飽和有機化合物
溶媒を含む溶液に、温度０〜１００℃で水―アルコール
混合溶液を添加させ、さらに温度０〜２００℃で反応さ
せて調製されることを特徴とする請求項１０から請求項
１２のいずれか１項に記載の金属酸化物薄膜の形成方
法。 - 【請求項１４】 請求項１から請求項１３のいずれか１
項に記載の方法により形成されてなることを特徴とする
金属酸化物薄膜。 - 【請求項１５】 金属酸化物及び飽和有機化合物溶媒を
含む溶液から金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合物溶
媒錯体含有溶液を調製させ、ついで前記溶液中の飽和有
機化合物溶媒の少なくとも一部を除去させた後、熱処
理、粉砕させてなることを特徴とする金属酸化物粉末。 - 【請求項１６】 飽和有機化合物溶媒の除去が、請求項
３に記載の温度での加熱により行われることを特徴とす
る請求項１５に記載の金属酸化物粉末。 - 【請求項１７】 飽和有機化合物溶媒の除去が、請求項
４に記載の減圧下での保持により行われることを特徴と
する請求項１５に記載の金属酸化物粉末。 - 【請求項１８】 飽和有機化合物溶媒の除去が、請求項
５に記載の赤外線及び／または紫外線の照射により行わ
れることを特徴とする請求項１５に記載の金属酸化物粉
末。 - 【請求項１９】 金属塩が、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、
Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄのアルコキシ
ド、有機酸塩または無機酸塩からなる群から選ばれる少
なくとも１種である請求項１５から請求項１８のいずれ
か１項に記載の金属酸化物粉末。 - 【請求項２０】 飽和有機化合物溶媒が、脂肪族飽和炭
化水素、脂環式飽和炭化水素、ハロゲン化飽和炭化水
素、ジアルキルエーテル類、ヘテロ環式飽和脂肪族炭化
水素、並びに炭素数４以上の飽和アルコールからなる群
から選ばれる少なくとも１種である請求項１５から請求
項１９のいずれか１項に金属酸化物粉末。 - 【請求項２１】 飽和有機化合物溶媒が、ヘキサン、シ
クロヘキサン、石油エーテル、ジエチルエーテル、ジオ
キサン及びテトラヒドロフラン、ｎ−ブタノールからな
る群から選ばれる少なくとも１種である請求項１５から
請求項２０のいずれか１項に記載の金属酸化物粉末。 - 【請求項２２】 熱処理温度が、１００〜１３００℃で
あることを特徴とする請求項１５から請求項２１のいず
れか１項に記載の金属酸化物粉末。 - 【請求項２３】 金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合
物溶媒錯体含有溶液が、金属塩を溶解させた飽和有機化
合物溶媒を含む溶液に、水―アルコール混合溶液を添加
させて調製されることを特徴とする請求項１５から請求
項２２のいずれか１項に記載の金属酸化物粉末。 - 【請求項２４】 水―アルコール混合溶液のアルコール
が、炭素数１〜１０のアルコールから選ばれる少なくと
も１種であり、かつ水濃度が、０．０４６〜９．６モル
／Ｌであることを特徴とする請求項２３に記載の金属酸
化物粉末。 - 【請求項２５】 飽和有機化合物溶媒中の金属イオン濃
度が、０．０１〜３モル／Ｌであり、かつ、水―アルコ
ール混合溶液の添加量が、金属イオン１モルに対して水
０．１〜３モルであることを特徴とする請求項２３また
は請求項２４に記載の金属酸化物粉末。 - 【請求項２６】 金属酸化物オリゴマー―飽和有機化合
物溶媒含有溶液が、金属塩を溶解させた飽和有機化合物
溶媒を含む溶液に、温度０〜１００℃で水―アルコール
混合溶液を添加させ、さらに温度０〜２００℃で反応さ
せて調製されることを特徴とする請求項２３から請求項
２５のいずれか１項に記載の金属酸化物粉末。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000291395A JP3449617B2 (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 金属酸化物薄膜及びその形成方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000291395A JP3449617B2 (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 金属酸化物薄膜及びその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002097577A true JP2002097577A (ja) | 2002-04-02 |
| JP3449617B2 JP3449617B2 (ja) | 2003-09-22 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000291395A Expired - Fee Related JP3449617B2 (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 金属酸化物薄膜及びその形成方法 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005162914A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Nippon Shokubai Co Ltd | 紫外線遮断膜、紫外線遮断用金属酸化物粒子および紫外線遮断材料形成用組成物 |
| JP2006515388A (ja) * | 2003-01-03 | 2006-05-25 | セミカ エス アー | 絶縁性基体上への金属付着用の粘度調整可能な感光性分散液およびその使用 |
| JP2006283143A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP4837682B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2011-12-14 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 金属表面を持つ素材を保護する被覆物を形成するためのゾル−ゲル溶液を調製するための方法およびこの溶液の使用 |
-
2000
- 2000-09-26 JP JP2000291395A patent/JP3449617B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| US7731786B2 (en) | 2003-01-03 | 2010-06-08 | Semika | Photosensitive dispersion with adjustable viscosity for the deposition of metal on an insulating substrate and use thereof |
| JP2005162914A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Nippon Shokubai Co Ltd | 紫外線遮断膜、紫外線遮断用金属酸化物粒子および紫外線遮断材料形成用組成物 |
| JP4837682B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2011-12-14 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 金属表面を持つ素材を保護する被覆物を形成するためのゾル−ゲル溶液を調製するための方法およびこの溶液の使用 |
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