JP2002084020A - レーザリソグラフィ・クォリティ・アラーム・システム - Google Patents
レーザリソグラフィ・クォリティ・アラーム・システムInfo
- Publication number
- JP2002084020A JP2002084020A JP2001086382A JP2001086382A JP2002084020A JP 2002084020 A JP2002084020 A JP 2002084020A JP 2001086382 A JP2001086382 A JP 2001086382A JP 2001086382 A JP2001086382 A JP 2001086382A JP 2002084020 A JP2002084020 A JP 2002084020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam quality
- laser
- value
- data
- quality
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
-
- G—PHYSICS
- G07—CHECKING-DEVICES
- G07C—TIME OR ATTENDANCE REGISTERS; REGISTERING OR INDICATING THE WORKING OF MACHINES; GENERATING RANDOM NUMBERS; VOTING OR LOTTERY APPARATUS; ARRANGEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS FOR CHECKING NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- G07C3/00—Registering or indicating the condition or the working of machines or other apparatus, other than vehicles
- G07C3/005—Registering or indicating the condition or the working of machines or other apparatus, other than vehicles during manufacturing process
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/31—From computer integrated manufacturing till monitoring
- G05B2219/31205—Remote transmission of measured values from site, local to host
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/31—From computer integrated manufacturing till monitoring
- G05B2219/31485—Verify and update all related data in relational database
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/80—Management or planning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
・システムを提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、(1)ヒストリカルデータに
基づいてビームクォリティ・パラメータをオペレータが
特定することができ、(2)それらのパラメータを監視
し、(3)ビームクォリティが集積回路製造に適してい
るときにオペレータに知らせる通知信号を提供するよう
に関連したプログラム可能なコントローラを備えた放電
レーザを提供する。
Description
ステムに関し、特に、放電レーザ及び集積回路リソグラ
フィに関する高品質アラームシステムに関する。
紫外レーザは、集積回路製造のための光源としての用途
が重要である。これらのレーザは典型的には、ステッパ
及びスキャナマシンと呼ばれるリソグラフィマシンで使
用される。リソグラフィレーザは典型的には、ウェハの
多数(例えば、85)のダイ部分が一度に照射される、
「バースト」モードで作動される。1パルス当たり(例
えば)10mJで(約400のような)レーザパルスの
典型的なバーストが、約0.2秒、単一のダイ部分を照
射するために、約2000パルス/秒の繰り返し数でも
たらされる。ダイ部分が照射された後、レーザは、(約
0.3秒のような)非常に短い時間、アイドリングし、
その間、リソグラフィ装置が、次のダイ部分を照射する
ためにウェハ及びリソグラフィマシンのレンズ装置を位
置決めする。このオン/オフ・プロセスは、ウェハの全
てのダイ部分が照射されるまで続き、その後、レーザ
は、(約8秒のような)数秒間アイドリングし、その間
に新しいウェハがプロセスのためにロードされる。この
サイクルは、1日24時間、1週間のうち7日間作動す
る集積回路製造ラインの一部として続く。予定外のダウ
ンタイムは、製造損失において数千ドルもの費用がかか
るので、全ての装置は、非常に信頼性が高い。更に、レ
ーザ光源からのレーザビームの品質が、狭い品質の範囲
内で維持されることが、高品質回路製造に関しては非常
に重要である。
モニタリングを備えたレーザと、予め選択可能な質の標
準と、ビームの質が製造について適当かそうでないかを
レーザのユーザに警告するための通知技術とが必要であ
る。
リカルデータに基づいてビームクォリティ・パラメータ
をオペレータが特定することができ、(2)それらのパ
ラメータを監視し、(3)ビームクォリティが集積回路
製造に適しているときにオペレータに知らせる通知信号
を提供するように関連したプログラム可能なコントロー
ラを備えた放電レーザを提供する。1又はそれ以上のク
ォリティ・パラメータが、3つのクォリティ測定中の2
つが4標準偏差以上はずれ、及び/又は、4つのクォリ
ティ測定中の3つが3標準偏差以上はずれるような特定
の非ランダムな挙動を示すとき、コントローラは、制御
状態外であることを示すようにプログラムされる。好ま
しい実施形態では、プログラムは、悪い量のデータのそ
れらの「ラン(runs)」を見つけることによって劣等な
クォリティを検出し、平均で2ヶ月に1回より少ない制
御外状態のシステムの故障表示を示すようおに設計され
る。
せるか集積回路の製造における重要な論点は、ビームの
質が仕様の範囲内に無いときにオペレータがどうすべき
かである。オペレータは、製造し続けるか、ユニットを
シャットダウンさせるべきか、ビームの質を仕様の範囲
内に戻すようにすることになる。シャットダウンするこ
とは、製造の損失を生じさせる。オペレーションを続け
ることは、貧弱な品質の集積回路を生じさせる。統計上
の規則がレーザビームの質に適用されるので、所望の品
質の範囲から時折、自然的な変化が実質的な偏差を生じ
させる。
め、集積回路製造者は、集積回路白グラフィ装置が、
(「mean time between failure;平均故障間隔」と呼
ばれMTBFと省略される)シャットダウンの平均時間
が50%装荷率で約1500時間であるような信頼性で
あることを好む。
障」が発生したか?を判断することである。故障が、
(1シグマ(標準偏差)変化を表す、若しくは、30パ
ルスのような少数のイベントにわたる最大平均パラメー
タ偏差を表す)典型的な設計仕様から導き出されるビー
ムの質を意味するならば、統計的な偏差は、1500時
間あたり1回以上の故障が生じる。実際に、統計原理に
基づいて、質(クオリティ)は、50%装荷率で150
0時間あたり1回だけ「誤りアラーム」タイプの故障を
生じる統計的なチャンスを有するように自然な変化に関
して、約6シグマで設定される。
障アラームが、典型的には、クォリティビーム・パラメ
ータの標準偏差の約6倍より実質的に高く設定されてい
ることを示す。しかしながら、この結果は、制御不能な
状況において、集積回路の低下したクォリティをもたら
すことを検出できないことを示すいくつかのアラームで
ある。
に対するクォリティ・コントロール・システムの感度を
向上させるために、Westinghouse Corporationによって
開発されたランルール(Runs Rules)コンセプトをレー
ザリソグラフィに適用する。
す。レイジングは、出力カプラ2及び(この図において
大きく拡大して示された)線狭帯域化パッケージ(LN
P)4によって構成された共鳴キャビティで生じる。増
幅は、レーザチャンバ6のKrFレーザガスにおいて放
電によって生成される利得媒体で生じる。放電は、レー
ザコントローラ102によって制御された高電圧電源8
によって生成する。このレーザは、典型的には、200
0パルス/秒のような高パルス繰り返し数及び約10m
J/パルスで、パルスレーザビームを作り出す。
それ以上の周波数で各レーザパルスを監視し、以下のビ
ームパラメータの量をレポートすることができる非常に
高速なウェーブメータ10によって測定される: ・中心線(センターライン)波長 ・バンド幅 ・パルスエネルギ この一般的なタイプのウェーブメータは、従来技術で知
られている。かかるウェーブメータの記述は、米国特許
第5,991,324号に提供されており、リファレンスとして
ここに組み入れる。
ーザコントローラによって解析され、パルスエネルギ信
号は、高電圧電源システムのフロントエンドでキャパシ
タチャージ電圧を調節することによって所望の目標値に
パルスエネルギを制御するための高速フィードバックア
レンジメントで使用される。
長値は、レーザビームがグレーティング16からプリズ
ムを介してミラーに戻り、利得媒体を通って戻るように
後ろ向きに反射される角度を調整するために、LNP4
においてミラー14の枢動位置を調節することによって
ビーム波長を制御するようにフィードバックアレンジメ
ントにおいて使用される。(従来技術の波長フィードバ
ック制御は、波長補正に関して数ミリ秒の期間を要する
のに対し、パルスエネルギは、パルスの間のタイムイン
ターバルにおいて能動的に補正することができる。)ビ
ームのバンド幅は、ベンディング機構18を利用したグ
レーティング16のアクティブ表面の曲率を変化させる
ことによって調整することができる。このベンディング
は、一般には、手動でなされるが、まれに、フィードバ
ックアレンジメントでなされ得る。
ィ情報を監視し、報告するためにレーザコントローラ1
02によって解析される。好ましい実施形態では、以下
のビームクォリティパラメータを計算する: (1)以下の式で定義されるエネルギシグマ(σE):
ウの最初のパルスであり(kは、ウィンドゥにおけるパ
ルスの数である)、ETは、10mJのような目標パル
スエネルギである。 (2)EV=kパルスウィンドウにおけるEi−ETの
最大値として定義される目標(EV)からのエネルギ変
化 (3)以下の式で定義されるドーズ変化(DV):
する目標ドーズである。 (4)以下の式で定義される波長シグマ(σλ):
V):
スペクトル幅として定義されるバンド幅(Δλ) 伝統的には、σE及びDVの単位は、パーセントで表さ
れる。EVの単位は、ミリジュール;mJである。
σλ、δλ及びλVの単位は、ピコメートル;pmであ
る。
リバッファに一時的にストアされ、外部情報プロセッサ
又は記憶装置に読み出され、若しくは、所望のステッパ
/スキャナによって読み出され得る。
ラは、レーザが、「ラン・ルール(Runs Rules)」の変
化及び、約1500時間(2ヶ月)のMTBFを提供す
るように設計された基準を用いて「制御外」かどうか判
断するために、上記クォリティパラメータを連続的に解
析する。
る: 波長変化(30パルスウィンドウ) =±0.07pm 波長シグマ =±0.06pm バンド幅 = 0.6pm ドーズ変化(30パルスウィンドウ) =0.4% エネルギシグマ(30パルスウィンドウ)=12% エネルギ変化(30パルスウィンドウ) =7.5% これらの仕様は、レーザのパフォーマンスが、レーザ製
造プラントからの出荷前の合格テストをパスしたかどう
か判断するのに適用される典型的な品質標準の例であ
る。
troduction to Statistical Quality Controlの第11
4乃至119頁に記載されている。この概念は、クォリ
ティにおいて、小さいが著しく無作為でない変化に対し
て高感度であるクォリティ・コントロール技術を開発す
るためにトライすることである。目標値からのこれらの
パターン化された偏差は、ラン(runs)と呼ばれる。そ
れらは、単一の値が、「故障」と判断するのには十分な
変化でないときでさえ、クォリティ・コントロールの問
題として捉える。
ghouse)ラン・ルール(Runs Rule)アプローチからこ
こに記載されたクォリティ・コントロール技術を識別す
ることには、ここに記載した2つの特別な特徴がある。
第1の特徴は、ウェスティングハウスシステムは、各5
00サンプルあたり一つの故障アラームを生じる3シグ
マアプローチを使用することである。集積回路製造にお
いて、500サンプルは、数分で製造される。集積回路
製造に関して、約1500時間のようなより長い期間の
間、故障アラーム無しのオペレーションが必要である。
(産業において典型的に経験する装荷率を想定した)故
障アラームのこの割合は、約6シグマ又は、10億分の
1の故障アラームと相関する。
に関する。エキシマレーザからのパルスデータは、パル
スクォリティ値が、目標又は平均値に対してランダムで
はないが対称的に変化するレーザパルスであるように、
わりと良好に定義されたパターンをバーストモードオペ
レーションが作り出すような正規分布ではない。対称な
変化によって支配された一連の測定に関する最も悪いケ
ースの値を使用することが、パフォーマンスの無作為に
分布した測定を得た最高の方法であると判断されてき
た。無作為分布測定があれば、ラン・ルールを使用する
ことができる。在来の統計処理制御は、データの大きな
サブグループ(>10)に関して、標準偏差の計算を用
いることがベストな方法であると教示する。大きな対称
変化を取り扱うとき、最も悪いケースの値又はレンジの
作用を用いることが最高であると判断されてきた。各バ
ーストデータに関する最も悪いケースのデータが、目標
値について典型的には正規分布していると判断されてき
た。それ故、ここで使用されるアプローチは、ビームク
ォリティを測定するためのサンプルとしてパルスのバー
ストを利用することである。
スは、以下の通りである: (1)データにおいて自然変化を判断するために複数の
レーザの寿命にわたって十分なビームクォリティデータ
を収集する。 (2)各バーストに関して種々のビームクォリティパラ
メータ(例えば、σE、EV、λV及びσλ)の各々に
関する「悪い値」を判断し、これらの悪い値の母集団に
関する平均及び標準偏差を計算する。 (3)以下のような故障に関する制限を設定する; A)一つのイベント :平均プラス6σ B)3つの逐次イベント中の2つ:平均プラス4σ C)4つの逐次イベント中の3つ:平均プラス3σ (4)上記制限と比較してビームクォリティパラメータ
(例えば、σE、EV、λV及びσλ)を監視し、いか
なる故障イベントの発生において制御信号以外(out of
control signal)を提供する。
1のカラム2,3,又は4にリストアップされた測定を
示すならば、レーザ制御はレーザ故障(又は、制御状態
外)を示すように設定される。カラム2,3又は4にお
けるビームクォリティ値は、最先端のリソグラフィレー
ザの1000Hz及び2000Hzから出願人によって
収集された実際のヒストリカルデータに基づいて計算さ
れた。表の値は、以下の番号が付された段落において推
奨されるデータ収集技術と一致する。(オペレーティン
グデータを収集する方法が以下の推奨されるものから変
更されるならば、読者は、表に示された制限が改訂され
る必要があることに注意すべきである。例えば、ローリ
ングウィンドウサイズが、30から、60のようなより
大きな数に変更されるならば、Δλ、λV、EV及びΔ
Dに関する表1の制限は幾分増大する。)標準偏差の値
は、たぶん変化しない。また、表の値は、技術の向上及
びビームクォリティの改良によって改訂されるべきであ
る。実際に、コンピュータプロセッサは、作動クォリテ
ィデータを蓄積するように、クォリティ・コントロール
・データの標準偏差の更新された値を装置オペレータに
提供するようにプログラムされるべきであり、それによ
り、制限が改訂されたかどうかをオペレータが判断する
ことができる。
以下の計算が、レーザコントローラによってなされる: (1)レーザは、各30の連続したパルスに関する平均
波長を計算し、平均波長と目標波長との間の差λVを計
算するようにプログラムされる。各バーストに関してλ
Vの最も悪い値をストアする。あるλVが0.16pm
よりも大きいならば、又は、3つの連続バースの中の2
つに関するλVの最も悪い値が0.13pmよりも大き
いならば、又は、λVの最も悪い値が4つの連続バース
トのうちの3つに関して0.08pmよりも大きいなら
ば、アラーム信号が生成される。 (2)各バースト内の各々連続した30パルスの標準偏
差σλを計算し、各バーストの最も悪い値をストアす
る。標準偏差σλの単一の値が0.12pmよりも大き
い場合、又は、σλの最悪値が3つの連続バーストのう
ちの2つに関して0.095pmを超える場合、又は、
最悪値が、4つの連続バーストのうちの3つにおいて
0.08pmを超える場合、アラーム信号が生成され
る。 (3)各パルスのバンド幅を計算し、各バーストにおけ
る最悪値をストアする。一つのイベントが0.73pm
よりも大きい場合、又は、バンド幅の最悪値が3つの連
続バースト中の2つにおいて0.66pmを超える場
合、又は、バンド幅の最悪値が4つの連続バースト中の
3つにおいて0.60pmを超える場合、アラーム信号
が生成される。 (4)各30パルスウィンドウのドーズ変化を計算し、
各バーストの悪い値をストアする。単一の値が0.6パ
ーセントよりも大きい場合、又は、最悪値が3つの連続
バースト中の2つに関して0.47パーセントを超える
場合、又は、最悪値が4つの連続バースト中の3つにお
いて0.4パーセントを超える場合、アラーム信号が生
成される。 (5)エネルギシグマを各30パルスに関して計算し、
3σEの最悪値を各バーストに関して判断し、ストアす
る。一つのイベントに関する3σE値が16パーセント
よりも大きい場合、又は、3σEの値が3つの連続バー
スト中の2つに関して13パーセントを超える場合、又
は、3σEの値が4つの連続バースト中の3つに関して
11パーセントを超える場合、アラーム信号が生成され
る。 (6)エネルギ変化を各30連続パルスに関して計算す
る。単一のイベントが15パーセントを超えるならば、
アラーム信号が生成される。この好ましい実施形態で
は、3つのイベント中の2つ又は4つのイベント中の3
つに関してはアラームは提供されない。その理由は、出
願人の好ましいエネルギ制御システムは、ドーズを制御
するためにパルスエネルギを故意に変化させるからであ
る。それ故、これらの状況では、エネルギ変化は、ビー
ムクォリティの著しく良好な測定ではない。ドーズがよ
り重要な測定である。
身によって主に監視され、ビームクォリティ情報は、レ
ーザが照射を提供するステッパ又はスキャナマシンに転
送される。図1は、レーザコントローラによってなされ
るビームクォリティ解析を示す。しかしながら、それ
は、ステッパデバイスのプロセッサ又は外部プロセッサ
によってなされる。他のアプローチとしては、製造プラ
ントにおける多数のリソグラフィユニット、又は、全て
のリソグラフィユニットに関して管理機能を有するマス
タコンピュータシステムによってなされる解析によるも
のである。変形実施形態では、計算はレーザで実行さ
れ、その結果をマスタコンピュータシステムに通知す
る。一つのコンピュータシステムにおいてこの情報を備
えることは、工場の幅広いクォリティ・コントロールと
メンテナンスプログラムと他のプロセスを簡単にする。
い)特別な状況があり、本発明が特に有用である。それ
らのいくつかの特別な状況は以下の通りである; (1)製造が完全に自動化され、間違ったアラームダウ
ンタイムのための製造損失が非常に高コストである。 (2)商業的に興味のあるアイテムはダイ(die)であ
る。製造者は、故障の間に数十億のダイを処理したい。 (3)ダイ内又はダイからダイのシステマティックな変
化は、材料のランダムな変化よりも10倍以上大きい。 (4)(各ダイに適用可能な)大きな数の測定が利用さ
れている。
ユニットごとに故障アラームを受け入れることができ
る。従って、アラームは、単一の不良製品の低リスクを
提供する約3シグマ値で設定されてきた。大雑把にいえ
ば、3シグマは、製造装置の仕様と殆ど同じである。一
方、半導体製造に関するアラームは、通常約6シグマに
設定されており、それは、10億ユニット毎に一回の故
障アラームという関係である。このことにより、故障ア
ラームの間のオペレーションを約1500時間にするこ
とができる。
答時間は、単一のウェハを照射するのに要する時間とお
およそ等しく、典型的には約1分である。3バースト中
の2つ又は4バースト中の3つからのデータに基づいた
アラームを有することにより、おおよそ1分の応答時間
よりも実質的に短いアラーム機能を提供する。
るレーザビームクォリティパラメータのコンテキストに
おいて記載されていることに注意すべきである。本発明
の原理は、集積回路製造の他の態様にも適用することが
できる。ダイ・クォリティに影響を与えうる他のクォリ
ティパラメータは以下の通りである; (1)フォーカスにおけるダイとダイとの間の変化と、
ステッパにおけるXYステージ調整時間。 (2)ウェハのダイをテストするのに使用するプローバ
における、Z及びXYステージの調整時間におけるダイ
とダイとの間の変化 (3)テスタにおける電圧較正信号におけるダイとダイ
との間の変化 (4)ダイとダイとの間の線幅変化 (5)コータ及びデベロッパにおけるウェハ間の厚さの
変化 (6)各システムにおけるデポジション(deposition;
堆積)のウェハ間の厚さの変化 (7)デポジションシステムにおけるウェハ間の伝導率
の変化 (8)半導体装置におけるウェハ間の欠陥の計測 読者は、これらのパラメータが、適切な各ダイ又は各ウ
ェハに関して測定することができ、上述の原理を上述の
タイプの制御外のアラームを確立するのに使用すること
ができることに注意すべきである。各ケースにおいて、
統計の基本原理が、不良であるが不良すぎないデータの
「ラン(runs)」のコンテキストにおいて制限を設定す
るように用いられ得るように、ランダムな変化を提供す
るクォリティ・パラメータを選択しなければならない。
種々の修正をすることができる。上述した全ての内容
は、本発明の例示に過ぎない。例えば、パラメータの種
々の組合せは、アラームを一緒に又は別々にトリガする
のに使用することができる。あるケースでは、1500
時間の代わりに、750時間毎に1回の故障アラームに
相当する制限を設定することにより、より厳格なクォリ
ティ・コントロールを提供することができる。他の同様
なパラメータを置換することも可能である。非常に明白
な例は、3σEに関してσE又は2σEと置換すること
であるが、多くの不良データイベントで要求される。ア
ラームを起こすことに加えて、3つの連続イベント中の
2つが、平均プラス4σを超え、4つのうちの3つが平
均プラス3σを超えるならば、約6σに相当する統計的
組合せは、11連続イベント中の10が2σ制限を越
え、15中の14が1σを超え、10連続イベント中の
9が2.2σを超え、又は、25連続イベント中の24
が0よりも大きく又は小さく超えるように利用されう
る。当業者は、ここに記載したある特定の内容ではな
く、制御状態外の状況を探すためにビームクォリティを
監視するように使用されうるビームクォリティパラメー
タがあることを認識する。また、分散及び二乗平均のよ
うな標準偏差ではない測定が、制限を設定し、データを
調査するのに使用されうる。本発明の精神及び範囲を逸
脱することなく多くの他の修正及び変更をすることがで
きることが当業者には容易に認識できうる。従って、上
述の開示内容に限定されるのではなく、本発明の範囲
は、特許請求の範囲によって決定されるべきである。
Claims (25)
- 【請求項1】A)2つの細長い電極と、 B)利得媒体を前記細長い電極の間に作り出すための、
放電を生成するように前記細長い電極に高電圧電気パル
スを供給するパルス電源システムと、 C)パルスレーザビームを作り出すための、前記利得媒
体を包含する共鳴キャビティを作る線狭帯域化手段及び
出力カプラと、 D)ビームクォリティパラメータを監視するために、前
記パルスレーザビームのパルスのサンプリング部分に配
置されたウェーブメータと、 E)ビームクォリティが、統計的に著しく悪いデータの
ラン(runs)に基づいて集積回路製造に関して適当でな
い場合に、オペレータに知らせるために、オペレータに
通知を提供するように設計されたソフトウェアでプログ
ラミングされたプロセッサと、を有する放電レーザ。 - 【請求項2】統計的に悪いビームクォリティデータの前
記ランが、目標値からの1標準偏差(1σ)と6標準偏
差(6σ)との間の範囲であることを特徴とする請求項
1に記載のレーザ。 - 【請求項3】統計的に悪いビームクォリティデータの前
記ランが、目標値からの3標準偏差(3σ)と6標準偏
差(6σ)との間の範囲であることを特徴とする請求項
1に記載のレーザ。 - 【請求項4】前記ビームクォリティデータが、エネルギ
シグマ、エネルギ変化、ドーズ変化、波長シグマ、波長
変化及びバンド幅を有するパラメータのグループから選
択されたビームクォリティパラメータの値を有すること
を特徴とする請求項1に記載のレーザ。 - 【請求項5】前記ビームクォリティデータが、エネルギ
シグマ、エネルギ変化、ドーズ変化、波長シグマ、波長
変化及びバンド幅を有するパラメータのグループから選
択されたビームクォリティパラメータの値を有すること
を特徴とする請求項2に記載のレーザ。 - 【請求項6】前記通知が信号の形態であり、 ビームクォリティ値のm連続セット中のnセットの最悪
値が所定の値を超えたとき、統計的に悪いデータのラン
が、ビームクォリティ・パラメータの複数の連続セット
の各々における最悪のビームクォリティ値を調べること
によって判断され、次いで、前記通知信号を提供する、
ことを特徴とする請求項2に記載のレーザ。 - 【請求項7】各連続セットが、ビームクォリティデータ
の数を制限し、前記数は、最悪のビームクォリティ値の
実質的にランダムな自然変化を安定したものにするよう
に選択されることを特徴とする請求項6に記載のレー
ザ。 - 【請求項8】前記ビームクォリティデータの数が、パル
スのバーストにおけるビームクォリティ測定の数と等し
い、ことを特徴とする請求項7に記載のレーザ。 - 【請求項9】前記nが2であり、前記mが3であること
を特徴とする請求項6に記載のレーザ。 - 【請求項10】前記nが3であり、前記mが4であるこ
とを特徴とする請求項6に記載のレーザ。 - 【請求項11】第1の所定の値に関してnが2であり、
mが3であるとき、又は、第2の好ましい値に関してn
が3であり、mが4である場合、前記通知信号が提供さ
れることを特徴とする請求項6に記載のレーザ。 - 【請求項12】統計的に著しく悪いデータとしてデータ
を明示するための前記基準が、目標値から所定の値より
も大きくそれる前記データに基づいていることを特徴と
する請求項1に記載のレーザ。 - 【請求項13】前記所定の値が、データの自然の統計的
な変化を明確にするのに十分に大きな多数のビームクォ
リティデータを利用するように選択される、ことを特徴
とする請求項12に記載のレーザ。 - 【請求項14】前記所定の値が、約1500時間の作動
において平均1回より少ない故障アラームを保証するよ
うに選択されることを特徴とする請求項13に記載のレ
ーザ。 - 【請求項15】A)2つの細長い電極と、 B)利得媒体を前記細長い電極の間に作り出すための、
放電を生成するように前記細長い電極に高電圧電気パル
スを供給するパルス電源システムと、 C)パルスレーザビームを作り出すための、前記利得媒
体を包含する共鳴キャビティを作る線狭帯域化手段及び
出力カプラと、 D)ビームクォリティパラメータを監視するために、前
記パルスレーザビームのパルスのサンプリング部分に配
置されたウェーブメータと、 E)ビームクォリティが、1標準偏差以上6標準偏差以
下に相当する所定の範囲だけ目標値から逸れたビームク
ォリティデータのラン(runs)に基づいて集積回路製造
に関して適当でない場合に、オペレータに知らせるため
に、オペレータに通知信号を提供するように設計された
ソフトウェアでプログラミングされたプロセッサと、を
有する放電レーザ。 - 【請求項16】前記範囲が、データに自然の統計的変化
を提供するのに十分大きなビームクォリティデータの量
を測定することによって決定されることを特徴とする請
求項15に記載のレーザ。 - 【請求項17】前記ビームクォリティデータが、エネル
ギシグマ、エネルギ変化、ドーズ変化、波長シグマ、波
長変化及びバンド幅を有するパラメータのグループから
選択されたビームクォリティパラメータの値を有するこ
とを特徴とする請求項16に記載のレーザ。 - 【請求項18】ビームクォリティ値のm連続セット中の
nセットの最悪値が所定の値を超えたとき、ビームクォ
リティデータのランが、ビームクォリティ・パラメータ
の複数の連続セットの各々における最悪のビームクォリ
ティ値を調べることによって判断され、次いで、前記通
知信号を提供する、ことを特徴とする請求項17に記載
のレーザ。 - 【請求項19】ディジタルプロセッサを備えた制御外の
リソグラフィレーザを知らせるアラーム信号をいつ発す
るのかを決定する方法であって、 A)目標値から特定の値だけそれた、悪いが悪すぎない
ランに基づいて、アラーム基準を確立したデータにに基
づき、自然の統計的データを提供するのに十分大きい大
量のヒストリカル・ビームクォリティ・データを収集
し、 B)mビームクォリティ値中のnのランが、前記特定の
値を超えたならば、アラーム通知信号を起こすように構
成されたアルゴリズムで前記ディジタルプロセッサをプ
ログラミングし、 前記特定の値が、750時間の作動毎に、一回より少な
い故障アラームの、所望の非常に低レベルの故障アラー
ムを提供するように設定されたことを特徴とする方法。 - 【請求項20】前記好ましい値が、おおよそ1500時
間あたり1回の故障アラームを提供するように設定され
たことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 【請求項21】前記ビームクォリティデータが、エネル
ギシグマ、エネルギ変化、ドーズ変化、波長シグマ、波
長変化及びバンド幅を有するパラメータのグループから
選択されたビームクォリティパラメータの値を有するこ
とを特徴とする請求項20に記載の方法。 - 【請求項22】ビームクォリティ値のm連続セット中の
nセットの最悪値が所定の値を超えたとき、前記特定の
値が、ビームクォリティ・パラメータの複数の連続セッ
トの各々における最悪のビームクォリティ値を調べるこ
とによって判断され、次いで、前記通知信号を提供す
る、ことを特徴とする請求項21に記載の方法。 - 【請求項23】前記ビームクォリティデータが、レーザ
パルスのバーストにおけるビームクォリティデータの悪
い値を示すことを特徴とする請求項22に記載の方法。 - 【請求項24】ディジタルプロセッサを備えた制御外の
リソグラフィレーザを知らせるアラーム信号をいつ発す
るのかを決定する方法であって、 A)目標値から特定の値だけそれた、悪いが悪すぎない
ランに基づいて、アラーム基準を確立したデータにに基
づき、自然の統計的データを提供するのに十分大きい大
量のヒストリカル・レーザ・リソグラフィ・クォリティ
・データを収集し、 B)mビームクォリティ値中のnのランが、前記特定の
値を超えたならば、アラーム通知信号を起こすように構
成されたアルゴリズムで前記ディジタルプロセッサをプ
ログラミングし、 前記特定の値が、750時間の作動毎に、一回より少な
い故障アラームの、所望の非常に低レベルの故障アラー
ムを提供するように設定されたことを特徴とする方法。 - 【請求項25】前記レーザ・リソグラフィ・クォリティ
・データが、 エネルギシグマ、エネルギ変化、ドーズ変化、波長シグ
マ、波長変化、バンド幅を含むビーム変数と、 フォーカスXY調整時間、Z及びXY調整時間、電圧較
正信号、線幅を含むダイ間の変数と、 デポジションのデベロッピング厚及び/又はコート厚、
デポジションシステム及び欠陥カウントにおける伝導率
の変化を含むウェハ間の変数と、を有するパラメータの
グループから選択されたクォリティ・パラメータの値を
有することを特徴とする請求項24に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/505,233 US6408260B1 (en) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | Laser lithography quality alarm system |
US09/505233 | 2000-02-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002084020A true JP2002084020A (ja) | 2002-03-22 |
Family
ID=24009524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001086382A Pending JP2002084020A (ja) | 2000-02-16 | 2001-02-16 | レーザリソグラフィ・クォリティ・アラーム・システム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6408260B1 (ja) |
JP (1) | JP2002084020A (ja) |
KR (1) | KR100477301B1 (ja) |
AU (1) | AU2001236702A1 (ja) |
WO (1) | WO2001061515A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014030645A1 (ja) * | 2012-08-23 | 2014-02-27 | ギガフォトン株式会社 | 光源装置及びデータ処理方法 |
JP2020534555A (ja) * | 2017-09-14 | 2020-11-26 | サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー | フォトリソグラフィのためのディザ不要な適応ドーズ制御及びロバストドーズ制御の方法 |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6868106B1 (en) * | 1998-06-04 | 2005-03-15 | Lambda Physik Ag | Resonator optics for high power UV lasers |
US8958917B2 (en) | 1998-12-17 | 2015-02-17 | Hach Company | Method and system for remote monitoring of fluid quality and treatment |
US9056783B2 (en) | 1998-12-17 | 2015-06-16 | Hach Company | System for monitoring discharges into a waste water collection system |
US20100332149A1 (en) * | 1998-12-17 | 2010-12-30 | Hach Company | Method and system for remote monitoring of fluid quality and treatment |
US6560543B2 (en) | 1998-12-17 | 2003-05-06 | Perlorica, Inc. | Method for monitoring a public water treatment system |
US7454295B2 (en) * | 1998-12-17 | 2008-11-18 | The Watereye Corporation | Anti-terrorism water quality monitoring system |
US6954701B2 (en) * | 1998-12-17 | 2005-10-11 | Watereye, Inc. | Method for remote monitoring of water treatment systems |
AU2001238036A1 (en) * | 2000-02-16 | 2001-08-27 | Cymer, Inc. | Process monitoring system for lithography lasers |
US6408260B1 (en) * | 2000-02-16 | 2002-06-18 | Cymer, Inc. | Laser lithography quality alarm system |
US6941259B2 (en) * | 2000-03-01 | 2005-09-06 | Lamda Physik Ag | Laser software control system |
US20010049618A1 (en) * | 2000-03-23 | 2001-12-06 | Rainer Patzel | Method for allocating predictable costs for consumable items |
WO2001080065A2 (en) | 2000-04-18 | 2001-10-25 | Icplanet Acquisition Corporation | Method, system, and computer program product for propagating remotely configurable posters of host site content |
US6578022B1 (en) | 2000-04-18 | 2003-06-10 | Icplanet Corporation | Interactive intelligent searching with executable suggestions |
AU2001255611A1 (en) * | 2000-04-25 | 2001-11-07 | Icplanet Acquisition Corporation | System and method for scheduling execution of cross-platform computer processes |
US6697695B1 (en) * | 2000-04-25 | 2004-02-24 | Komatsu Ltd. | Laser device management system |
US7079564B2 (en) * | 2001-04-09 | 2006-07-18 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
US7039086B2 (en) * | 2001-04-09 | 2006-05-02 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
US7061959B2 (en) * | 2001-04-18 | 2006-06-13 | Tcz Gmbh | Laser thin film poly-silicon annealing system |
US7009140B2 (en) * | 2001-04-18 | 2006-03-07 | Cymer, Inc. | Laser thin film poly-silicon annealing optical system |
US20050259709A1 (en) | 2002-05-07 | 2005-11-24 | Cymer, Inc. | Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate |
JP4307759B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2009-08-05 | 富士通株式会社 | 読取装置および方法 |
US6963595B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-11-08 | Cymer, Inc. | Automatic gas control system for a gas discharge laser |
US7830934B2 (en) * | 2001-08-29 | 2010-11-09 | Cymer, Inc. | Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing |
US6700916B1 (en) | 2001-09-26 | 2004-03-02 | Lambda Physik Ag | E-diagnostic, laser simulator, automated testing and deconvolution of spectra for lithographic exposure radiation generating systems such as excimer or molecular fluorine laser or EUV source systems |
US20050100072A1 (en) * | 2001-11-14 | 2005-05-12 | Rao Rajasekhar M. | High power laser output beam energy density reduction |
US20030208448A1 (en) * | 2002-03-12 | 2003-11-06 | Stuart Perry | Data brokering system for integrated remote tool access, data collection, and control |
US8910241B2 (en) | 2002-04-25 | 2014-12-09 | Citrix Systems, Inc. | Computer security system |
JP2004046780A (ja) * | 2002-05-21 | 2004-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | リモートサービス提供システム |
TW200412616A (en) * | 2003-01-08 | 2004-07-16 | Nikon Corp | Exposure device, exposure method, method of making devices, measuring method and measuring device |
US7741639B2 (en) * | 2003-01-31 | 2010-06-22 | Cymer, Inc. | Multi-chambered excimer or molecular fluorine gas discharge laser fluorine injection control |
US8920619B2 (en) | 2003-03-19 | 2014-12-30 | Hach Company | Carbon nanotube sensor |
US7277188B2 (en) * | 2003-04-29 | 2007-10-02 | Cymer, Inc. | Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate |
US20050080608A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-04-14 | Joe Burns | Simulator for request/response systems |
US7249000B2 (en) * | 2004-05-07 | 2007-07-24 | Sensicore, Inc. | Fluid monitoring systems and methods with data communication to interested parties |
US7104115B2 (en) * | 2004-05-07 | 2006-09-12 | Sensicore, Inc. | Fluid treatment apparatus with input and output fluid sensing |
US20060020427A1 (en) * | 2004-05-07 | 2006-01-26 | Sensicore, Inc. | Systems and methods for fluid quality monitoring using portable sensors in connection with supply and service entities |
US20050251366A1 (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-10 | Sensicore, Inc. | Monitoring systems and methods for fluid testing |
US7100427B2 (en) * | 2004-05-07 | 2006-09-05 | Sensicore, Inc. | Multi-sensor system for fluid monitoring with selective exposure of sensors |
US7904181B2 (en) * | 2004-06-01 | 2011-03-08 | Ils Technology Llc | Model for communication between manufacturing and enterprise levels |
US7596803B1 (en) | 2004-07-12 | 2009-09-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for generating access policies |
JP2006127425A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | プラント診断支援システムおよびプラント診断支援方法 |
US7643522B2 (en) * | 2004-11-30 | 2010-01-05 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for gas discharge laser bandwidth and center wavelength control |
US20060222034A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Cymer, Inc. | 6 Khz and above gas discharge laser system |
WO2006135849A2 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Sensicore, Inc. | Systems and methods for fluid quality sensing, data sharing and data visualization |
US7653095B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-01-26 | Cymer, Inc. | Active bandwidth control for a laser |
DE102005047543A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Siemens Ag | Verfahren zur Simulation eines Steuerungs- und/oder Maschinenverhaltens einer Werkzeugmaschine oder einer Produktionsmaschine |
US7317179B2 (en) * | 2005-10-28 | 2008-01-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate |
US7679029B2 (en) * | 2005-10-28 | 2010-03-16 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations |
US20070266080A1 (en) * | 2006-04-17 | 2007-11-15 | Mcnicol Steven D | System and Method for Virtual Benchmarking |
US7608808B2 (en) * | 2006-11-07 | 2009-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Injection-locked pulsed laser with high wavelength stability |
KR100843765B1 (ko) * | 2006-12-15 | 2008-07-04 | 홍운식 | 노광용 광 에너지의 전달 효율값 산출시스템 및산출시스템을 이용한 광 에너지의 전달 효율값 산출방법 |
KR100856579B1 (ko) * | 2007-01-18 | 2008-09-04 | 홍운식 | 웨이퍼의 노광 에너지 정보를 축적하는 시스템에 의해 누적된 웨이퍼의 노광 에너지 정보를 이용한 노광용 마스크의 관리방법 |
US8516539B2 (en) | 2007-11-09 | 2013-08-20 | Citrix Systems, Inc | System and method for inferring access policies from access event records |
US8990910B2 (en) | 2007-11-13 | 2015-03-24 | Citrix Systems, Inc. | System and method using globally unique identities |
US9240945B2 (en) | 2008-03-19 | 2016-01-19 | Citrix Systems, Inc. | Access, priority and bandwidth management based on application identity |
US8943575B2 (en) * | 2008-04-30 | 2015-01-27 | Citrix Systems, Inc. | Method and system for policy simulation |
US7756171B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-07-13 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser |
US7720120B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-05-18 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser |
US7751453B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-07-06 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser |
US8990573B2 (en) | 2008-11-10 | 2015-03-24 | Citrix Systems, Inc. | System and method for using variable security tag location in network communications |
US9035673B2 (en) * | 2010-01-25 | 2015-05-19 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of in-process intralayer yield detection, interlayer shunt detection and correction |
RU2488155C1 (ru) * | 2012-04-27 | 2013-07-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет" | Адаптивная система управления для априорно неопределенных объектов с самонастройкой динамического корректора |
JP6204363B2 (ja) | 2012-09-07 | 2017-09-27 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及びレーザ装置の制御方法 |
JP7132021B2 (ja) * | 2018-08-07 | 2022-09-06 | 三菱重工業株式会社 | 通知装置、通知方法及びプログラム |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980702629A (ko) * | 1995-09-27 | 1998-08-05 | 안자끼 사토루 | 레이저장치 |
US5764505A (en) * | 1996-01-23 | 1998-06-09 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser control systems using multiple CPU's with shared memory on a common bus |
US5805442A (en) * | 1996-05-30 | 1998-09-08 | Control Technology Corporation | Distributed interface architecture for programmable industrial control systems |
US5779799A (en) * | 1996-06-21 | 1998-07-14 | Micron Technology, Inc. | Substrate coating apparatus |
JPH10161707A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Sukiyan Technol:Kk | Faシステムの制御方法 |
US6128323A (en) | 1997-04-23 | 2000-10-03 | Cymer, Inc. | Reliable modular production quality narrow-band high REP rate excimer laser |
US5991324A (en) * | 1998-03-11 | 1999-11-23 | Cymer, Inc. | Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser |
US5982800A (en) * | 1997-04-23 | 1999-11-09 | Cymer, Inc. | Narrow band excimer laser |
JP3578886B2 (ja) * | 1997-05-02 | 2004-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プロセス制御システムとそのプロセスデータ転送制御方法 |
US6014398A (en) * | 1997-10-10 | 2000-01-11 | Cymer, Inc. | Narrow band excimer laser with gas additive |
US6282454B1 (en) * | 1997-09-10 | 2001-08-28 | Schneider Automation Inc. | Web interface to a programmable controller |
US6188710B1 (en) * | 1997-10-10 | 2001-02-13 | Cymer, Inc. | Narrow band gas discharge laser with gas additive |
KR19990065486A (ko) * | 1998-01-14 | 1999-08-05 | 윤종용 | 반도체 제조설비 관리시스템의 공정조건 관리방법 |
US5978406A (en) * | 1998-01-30 | 1999-11-02 | Cymer, Inc. | Fluorine control system for excimer lasers |
US6199018B1 (en) * | 1998-03-04 | 2001-03-06 | Emerson Electric Co. | Distributed diagnostic system |
US6201996B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-03-13 | Control Technology Corporationa | Object-oriented programmable industrial controller with distributed interface architecture |
JP4139015B2 (ja) * | 1999-09-21 | 2008-08-27 | 株式会社小松製作所 | パルスレーザ制御システム |
US6408260B1 (en) * | 2000-02-16 | 2002-06-18 | Cymer, Inc. | Laser lithography quality alarm system |
US6564171B1 (en) * | 2000-09-14 | 2003-05-13 | Advanced Micro Devices Inc. | Method and apparatus for parsing event logs to determine tool operability |
-
2000
- 2000-02-16 US US09/505,233 patent/US6408260B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-08 US US09/733,194 patent/US6687562B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-05 KR KR10-2002-7010689A patent/KR100477301B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-02-06 AU AU2001236702A patent/AU2001236702A1/en not_active Abandoned
- 2001-02-06 WO PCT/US2001/003833 patent/WO2001061515A1/en active Application Filing
- 2001-02-16 JP JP2001086382A patent/JP2002084020A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014030645A1 (ja) * | 2012-08-23 | 2014-02-27 | ギガフォトン株式会社 | 光源装置及びデータ処理方法 |
JPWO2014030645A1 (ja) * | 2012-08-23 | 2016-07-28 | ギガフォトン株式会社 | 光源装置及びデータ処理方法 |
US9841684B2 (en) | 2012-08-23 | 2017-12-12 | Gigaphoton Inc. | Light source apparatus and data processing method |
JP2020534555A (ja) * | 2017-09-14 | 2020-11-26 | サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー | フォトリソグラフィのためのディザ不要な適応ドーズ制御及びロバストドーズ制御の方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2001236702A1 (en) | 2001-08-27 |
US6687562B2 (en) | 2004-02-03 |
KR100477301B1 (ko) | 2005-03-17 |
US20010020195A1 (en) | 2001-09-06 |
US6408260B1 (en) | 2002-06-18 |
KR20020073555A (ko) | 2002-09-26 |
WO2001061515A1 (en) | 2001-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002084020A (ja) | レーザリソグラフィ・クォリティ・アラーム・システム | |
TW480556B (en) | Method and apparatus for monitoring process exhaust gas, semiconductor-manufacturing device, and method and system for managing semiconductor manufacturing device | |
US5991324A (en) | Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser | |
US5528510A (en) | Equipment performance apparatus and method | |
KR20160018716A (ko) | 웨이퍼 기반 광원 파라미터 제어 | |
JP7258028B2 (ja) | リソグラフィシステムのメインテナンス管理方法、メインテナンス管理装置、及びコンピュータ可読媒体 | |
KR20180114893A (ko) | 반복 레이트 의존 성능 변수들에 대한 온라인 교정 | |
KR20180012828A (ko) | 펄스형 광 빔 스펙트럼 특성 제어 | |
US11822324B2 (en) | Machine learning method, consumable management apparatus, and computer readable medium | |
US20220373893A1 (en) | Exposure system, laser control parameter production method, and electronic device manufacturing method | |
US9945730B2 (en) | Adjusting an amount of coherence of a light beam | |
KR102576392B1 (ko) | 가스 모니터링 시스템 | |
CN110651228B (zh) | 用于光学光刻系统的监视系统 | |
US9647411B2 (en) | Method of controlling wavelength of laser beam and laser apparatus | |
JP2024016176A (ja) | 複数の深紫外光発振器のための制御システム | |
WO2021126520A1 (en) | Predictive apparatus in a gas discharge light source | |
EP1335460B1 (en) | Laser apparatus, exposure apparatus and method | |
EP1060543B1 (en) | MODULAR, NARROW-BAND KrF EXCIMER LASER | |
JP2001332793A (ja) | レーザ装置 | |
JP7402313B2 (ja) | センサ劣化判定方法 | |
WO2022157897A1 (ja) | レーザシステムの制御方法、レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP2024512352A (ja) | 半導体フォトリソグラフィで使用される光源のためのモジュールの保守 | |
CN116997864A (zh) | 对用于半导体光刻的光源的模块的维护 | |
Das et al. | Reliability studies of 1-kHz KrF excimer lasers for DUV lithography | |
Plambeck et al. | Implications of 64-MB reticle specifications on metrology tool requirements |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060403 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060703 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060706 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070813 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071113 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080213 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080825 |