JP2002076726A - バトラーマトリクス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気特性や実装の信頼性が低いという課題
や、高価であり、製造工程が複雑であるという課題があ
った。 【解決手段】 単層構造の主誘電体基板２の上面２ａに
単層構造の第１〜第５の小誘電体基板３〜７をフリップ
チップ方式で実装し、第１〜第４のハイブリッド部９〜
１２及び線路交差部１５を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はハイブリッドと固
定移相器とを用いて構成され、信号の入力端に応じて各
出力端から出力される信号の位相を変化させ、各出力端
から出力される信号により形成される波面の向きを制御
するバトラーマトリクスに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の携帯機器、無線装置等の急増によ
り、実装基板の小型軽量化および高周波における信号の
減衰防止、低ノイズ化等の要求が急速に強まり、特にミ
リ波帯においてはこれらの実現が急務となっている。こ
れらの要求に応えるため、ＩＣチップの実装方法も従来
のワイヤボンディングからフリップチップ方式に変わり
つつある。このフリップチップ方式は接続用金属(バン
プ)を介して、チップと基板とを直接接続する実装方法
である。

【０００３】フリップチップ実装方法は、金ワイヤ等を
用いて接続するワイヤボンディング実装方法に比べて回
路面積が小さい、大幅な多ピン化が可能という特長があ
る。さらに、従来のワイヤボンディング実装方法と比べ
てチップと基板との接続長さを大幅に短くできるので、
接続部のインダクタンスを小さくでき、かつ工作時のば
らつきを抑制できる利点がある。

【０００４】これらは、例えば「“高密度実装の最新動
向”，株式会社東レリサーチセンタ，１９９８年２月１
日発行」に記載されている。

【０００５】次にバトラーマトリクスについて説明す
る。図３１は、例えば「昭和５９年度電子通信学会総合
全国大会」に発表された従来のバトラーマトリクスを構
成する主誘電体基板の上面図である。図３２は図３１の
Ａ−Ａ線に沿った位置における従来のバトラーマトリク
スの断面図である。図において、２０１はバトラーマト
リクス、２０２は主誘電体基板、２０２ａは主誘電体基
板２０２の上面、２０２ｂは主誘電体基板２０２の下
面、２０３は主誘電体基板２０２の上側に配置された第
１の誘電体基板、２０３ａは第１の誘電体基板２０３の
上面、２０４は主誘電体基板２０２の下側に配置された
第２の誘電体基板、２０４ｂは第２の誘電体基板２０４
の下面、２０５は主誘電体基板２０２の上面２０２ａに
形成された第１のストリップ導体、２０６は主誘電体基
板２０２の下面２０２ｂに形成された第２のストリップ
導体、２０７は第１の誘電体基板２０３の上面２０３ａ
に形成された第１のグランド導体、２０８は第２の誘電
体基板２０４の下面２０４ｂに形成された第２のグラン
ド導体である。各誘電体基板の誘電率は同一である。

【０００６】Ａ〜Ｄは第１〜第４の９０°ハイブリッド
を備えた第１〜第４のハイブリッド部を構成する、主誘
電体基板２０２の第１〜第４の領域、Ｅはストリップ導
体が交差する線路交差部を構成する、主誘電体基板２０
２の第５の領域、Ｔ１〜Ｔ４はバトラーマトリクス２０
１に入力する信号の第１〜第４の入力端、Ｔ５〜Ｔ８は
バトラーマトリクス２０１から出力する信号の第１〜第
４の出力端である。第１〜第４の領域Ａ〜Ｄの構成は同
一である。なお、第１の領域Ａと第２の領域Ｂとの間及
び第３の領域Ｃと第４の領域Ｄとの間は、４５°固定移
相器を備えた固定移相器部を構成する領域である。バト
ラーマトリクス２０１は、９０°ハイブリッドを４つ、
４５°固定移相器を２つ備え、ストリップ導体は一箇所
で交差する。

【０００７】図３３は主誘電体基板２０２の上面２０２
ａの第１の領域Ａの拡大図である。図３４は主誘電体基
板２０２の下面２０２ｂの第１の領域Ａの拡大図であ
る。図において、２０９は第１のストリップ導体２０５
の第１の１／４波長長さ部、Ｔ９は第１のハイブリッド
部に入力する信号の第５の入力端、Ｔ１２は第１のハイ
ブリッド部から出力する信号の第６の出力端、２１０は
第２のストリップ導体２０６の第２の１／４波長長さ
部、Ｔ１０は第１のハイブリッド部に入力する信号の第
６の入力端、Ｔ１１は第１のハイブリッド部から出力す
る信号の第５の出力端である。第１，第２の１／４波長
長さ部２０９，２１０は所望の周波数における波長の１
／４の長さを有する。第５，第６の入力端Ｔ９，Ｔ１０
には、第１，第２の入力端Ｔ１，Ｔ２に入力した信号が
入力する。

【０００８】図３５は主誘電体基板２０２の上面２０２
ａに垂直な方向から見た、主誘電体基板２０２の第１の
領域Ａの構成要素の位置関係を示す図である。図３５に
示すように、主誘電体基板２０２の上面２０２ａに垂直
な方向から見たとき、第１，第２の１／４波長長さ部２
０９，２１０が一致するように、第１，第２のストリッ
プ導体２０５，２０６が主誘電体基板２０２に形成され
ている。このように第１，第２の１／４波長長さ部２０
９，２１０が一致することにより、結合線路が構成され
ている。

【０００９】図３６は主誘電体基板２０２の上面２０２
ａの第５の領域Ｅの拡大図である。図３７は主誘電体基
板２０２の下面２０２ｂの第５の領域Ｅの拡大図であ
る。図において、２１１は第１のストリップ導体２０５
の第１の幅狭部、Ｔ１３は線路交差部に入力する信号の
第７の入力端、Ｔ１６は線路交差部から出力する信号の
第８の出力端、２１２は第２のストリップ導体２０６の
第２の幅狭部、Ｔ１４は線路交差部に入力する信号の第
８の入力端、Ｔ１５は線路交差部から出力する信号の第
７の出力端である。

【００１０】図３８は主誘電体基板２０２の上面２０２
ａに垂直な方向から見た、主誘電体基板２０２の第５の
領域Ｅの構成要素の位置関係を示す図である。図３８に
示すように、主誘電体基板２０２の上面２０２ａに垂直
な方向から見たとき、第１，第２の幅狭部２１１，２１
２の中心が一致し、第１，第２の幅狭部２１１，２１２
が交差するように、第１，第２のストリップ導体２０
５，２０６が主誘電体基板２０２に形成されている。こ
のように第１，第２のストリップ導体２０５，２０６の
交差部分の幅を狭くすることにより、結合が抑制されて
いる。

【００１１】なお、図３１に示すａ位置及びｂ位置で
は、バイアホールにより、第１のストリップ導体２０５
と第２のストリップ導体２０６が接続されている。ま
た、ねじ止めにより、第１，第２の誘電体基板２０３，
２０４は、主誘電体基板２０２に固定されている。

【００１２】このように従来のバトラーマトリクス２０
１は、上面２０２ａに第１のストリップ導体２０５が形
成され下面２０２ｂに第２のストリップ導体２０６が形
成された主誘電体基板２０２を、上面２０３ａに第１の
グランド導体２０７が形成された第１の誘電体基板２０
３と、下面２０４ｂに第２のグランド導体２０８が形成
された第２の誘電体基板２０４とで挟んだ３層構造をし
ている。

【００１３】次に動作について説明する。第１の入力端
Ｔ１から入力した信号は、第５の入力端Ｔ９から第１の
ハイブリッド部に入力する。第１のハイブリッド部に入
力した信号は、上記結合線路を通じて磁界結合し、第
５，第６の出力端Ｔ１１，Ｔ１２に分配される。第５の
出力端Ｔ１１から出力する信号は、第６の出力端Ｔ１２
から出力する信号より位相が９０°進んでいる。

【００１４】第５の出力端Ｔ１１から出力した信号は、
固定移相器部を通過し、第２のハイブリッド部に入力す
る。第６の出力端Ｔ１２から出力した信号は、線路交差
部を通過し、第４のハイブリッド部に入力する。

【００１５】固定移相器部を通過する場合、線路交差部
を通過する場合より、位相が４５°遅れる。従って、第
５の出力端Ｔ１１から出力し、固定移相器部を通過して
第２のハイブリッド部に入力する信号は、第６の出力端
Ｔ１２から出力し、線路交差部を通過して第４のハイブ
リッド部に入力する信号と比べて、第１のハイブリッド
部で９０°進み、固定移相器部で４５°遅れるため、あ
わせて４５°進んでいる。

【００１６】第２のハイブリッド部に入力した信号は、
上述した場合と同様に、第１の出力端Ｔ５と第２の出力
端Ｔ６に分配され、第４のハイブリッド部に入力した信
号は、上述した場合と同様に、第３の出力端Ｔ７と第４
の出力端Ｔ８に分配される。第１の出力端Ｔ５から出力
する信号は、第２の出力端Ｔ６から出力する信号より位
相が９０°進んでおり、第３の出力端Ｔ７から出力する
信号は、第４の出力端Ｔ８から出力する信号より位相が
９０°進んでいる。従って、第４の出力端Ｔ８から出力
する信号と比べて、第１の出力端Ｔ５から出力する信号
は位相が１３５°進み、第２の出力端Ｔ６から出力する
信号は位相が４５°進み、第３の出力端Ｔ７から出力す
る信号は位相が９０°進んでいる。また、９０°ハイブ
リッドを１回通過すると、３ｄＢの電力損失が生じるた
め、第１〜第４の出力端Ｔ５〜Ｔ８からの出力信号は、
第１の入力端Ｔ１への入力信号と比較すると、６ｄＢの
電力損失がある。

【００１７】このようにして第１の入力端Ｔ１から入力
した信号は、４５°の位相差で第１〜第４の出力端Ｔ５
〜Ｔ８から出力する。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】従来のバトラーマトリ
クスは以上のように上下面にストリップ導体が形成され
た誘電体基板を、片面にグランド導体が形成された誘電
体基板で挟むように構成されているので、誘電体基板間
にわずかな隙間が生じ、誘電体基板間の接続が弱い。ま
た、このように構成されているので、バトラーマトリク
スを構成する回路の測定などに使用する装置の端子や他
の部品の実装が難しい。また、他の回路と同一基板上に
構成することも困難である。従って、電気特性や実装の
信頼性が低いという課題があった。

【００１９】また、多層基板を用い、その多層基板は上
下面にストリップ導体が形成された誘電体基板を、片面
にグランド導体が形成された誘電体基板で挟み、ねじ止
めすることにより製造するので、高価であり、製造工程
が複雑であるという課題があった。

【００２０】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、電気特性や実装の信頼性が高く、
また安価で製造が容易なバトラーマトリクスを得ること
を目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】この発明に係るバトラー
マトリクスは、上面に第１のストリップ導体が形成され
た主誘電体基板と、下面に第２のストリップ導体が形成
され、主誘電体基板の上面のハイブリッド部構成用領域
にフリップチップ方式で実装されたハイブリッド部構成
用小誘電体基板と、下面に第３のストリップ導体、上面
に第４のストリップ導体が形成され、主誘電体基板の上
面の線路交差部構成用領域にフリップチップ方式で実装
された線路交差部構成用小誘電体基板とを備え、ハイブ
リッド部が、ハイブリッド部構成用領域に設けられた、
所望の周波数における出力端間の位相差が９０°となる
長さを有する第１のストリップ導体の第１の結合線路構
成部と、所望の周波数における出力端間の位相差が９０
°となる長さを有する第２のストリップ導体の第２の結
合線路構成部とを用いて構成された結合線路と、ハイブ
リッド部構成用領域に第１の結合線路構成部を挟んで離
間して設けられ、第２の結合線路構成部と接続した第２
のストリップ導体と第１のバンプを介して接続した、第
１のストリップ導体の第１の上下接続部と、第１の上下
接続部と第１のバンプとの間に設けられたコンデンサと
を用いて構成され、線路交差部が、ハイブリッド部構成
用領域に離間して設けられた、第１のストリップ導体の
第２の上下接続部と、第２の上下接続部間を結ぶ直線を
横切る第１のストリップ導体と、第２の上下接続部間を
結ぶ直線と第１のストリップ導体とが交差する領域上に
位置する線路交差部構成用小誘電体基板の下面の領域に
設けられたグランド導体と、グランド導体を挟んで離間
して設けられ、第２の上下接続部と第２のバンプを介し
て接続した第３のストリップ導体と、離間して設けられ
た第３のストリップ導体間をバイアホールを介して接続
した第４のストリップ導体とを用いて構成されたもので
ある。

【００２２】この発明に係るバトラーマトリクスは、上
面に第１のストリップ導体が形成された主誘電体基板
と、下面に第２のストリップ導体が形成され、主誘電体
基板の上面のハイブリッド部構成用領域にフリップチッ
プ方式で実装されたハイブリッド部構成用小誘電体基板
と、下面に第３のストリップ導体、上面に第４のストリ
ップ導体が形成され、主誘電体基板の上面の線路交差部
構成用領域にフリップチップ方式で実装された線路交差
部構成用小誘電体基板とを備え、ハイブリッド部が、ハ
イブリッド部構成用領域に設けられた、所望の周波数に
おける出力端間の位相差が９０°となる長さを有するメ
アンダ形状の第１のストリップ導体の第１の結合線路構
成部と、所望の周波数における出力端間の位相差が９０
°となる長さを有するメアンダ形状の第２のストリップ
導体の第２の結合線路構成部とを用いて構成された結合
線路と、ハイブリッド部構成用領域に第１の結合線路構
成部を挟んで離間して設けられ、第２の結合線路構成部
と接続した第２のストリップ導体と第１のバンプを介し
て接続した、第１のストリップ導体の第１の上下接続部
とを用いて構成され、線路交差部が、ハイブリッド部構
成用領域に離間して設けられた、第１のストリップ導体
の第２の上下接続部と、第２の上下接続部間を結ぶ直線
を横切る第１のストリップ導体と、第２の上下接続部間
を結ぶ直線と第１のストリップ導体とが交差する領域上
に位置する線路交差部構成用小誘電体基板の下面の領域
に設けられたグランド導体と、グランド導体を挟んで離
間して設けられ、第２の上下接続部と第２のバンプを介
して接続した第３のストリップ導体と、離間して設けら
れた第３のストリップ導体間をバイアホールを介して接
続した第４のストリップ導体とを用いて構成されたもの
である。

【００２３】この発明に係るバトラーマトリクスは、上
面に第１のストリップ導体が形成された主誘電体基板
と、下面に第２のストリップ導体、上面に第３のストリ
ップ導体が形成され、主誘電体基板の上面のハイブリッ
ド部構成用領域にフリップチップ方式で実装されたハイ
ブリッド部構成用小誘電体基板と、下面に第４のストリ
ップ導体、上面に第５のストリップ導体が形成され、主
誘電体基板の上面の線路交差部構成用領域にフリップチ
ップ方式で実装された線路交差部構成用小誘電体基板と
を備え、ハイブリッド部が、所望の周波数における出力
端間の位相差が９０°となる長さを有する第２のストリ
ップ導体の第１の結合線路構成部と、所望の周波数にお
ける出力端間の位相差が９０°となる長さを有する第３
のストリップ導体の第２の結合線路構成部とを用いて構
成された結合線路と、ハイブリッド部構成用領域に離間
して設けられ、第１の結合線路構成部と接続した第２の
ストリップ導体と第１のバンプを介して接続した、第１
のストリップ導体の第１の上下接続部と、ハイブリッド
部構成用領域に離間して設けられ、第２の結合線路構成
部と接続した第３のストリップ導体とバイアホールを介
して接続した第２のストリップ導体と第２のバンプを介
して接続した、第１のストリップ導体の第２の上下接続
部と、第１の上下接続部と第１のバンプとの間に設けら
れた第１のコンデンサと、第２の上下接続部と第２のバ
ンプとの間に設けられた第２のコンデンサとを用いて構
成され、線路交差部が、ハイブリッド部構成用領域に離
間して設けられた、第１のストリップ導体の第３の上下
接続部と、第３の上下接続部間を結ぶ直線を横切る第１
のストリップ導体と、第３の上下接続部間を結ぶ直線と
第１のストリップ導体とが交差する領域上に位置する線
路交差部構成用小誘電体基板の下面の領域に設けられた
グランド導体と、グランド導体を挟んで離間して設けら
れ、第３の上下接続部と第３のバンプを介して接続した
第４のストリップ導体と、離間して設けられた第４のス
トリップ導体間をバイアホールを介して接続した第５の
ストリップ導体とをを用いて構成されたものである。

【００２４】この発明に係るバトラーマトリクスは、上
面に第１のストリップ導体が形成された主誘電体基板
と、下面に第２のストリップ導体、上面に第３のストリ
ップ導体が形成され、主誘電体基板の上面のハイブリッ
ド部構成用領域にフリップチップ方式で実装されたハイ
ブリッド部構成用小誘電体基板と、下面に第４のストリ
ップ導体、上面に第５のストリップ導体が形成され、主
誘電体基板の上面の線路交差部構成用領域にフリップチ
ップ方式で実装された線路交差部構成用小誘電体基板と
を備え、ハイブリッド部が、所望の周波数における出力
端間の位相差が９０°となる長さを有するメアンダ形状
の第２のストリップ導体の第１の結合線路構成部と、所
望の周波数における出力端間の位相差が９０°となる長
さを有するメアンダ形状の第３のストリップ導体の第２
の結合線路構成部とを用いて構成された結合線路と、ハ
イブリッド部構成用領域に離間して設けられ、第１の結
合線路構成部と接続した第２のストリップ導体と第１の
バンプを介して接続した、第１のストリップ導体の第１
の上下接続部と、ハイブリッド部構成用領域に離間して
設けられ、第２の結合線路構成部と接続した第３のスト
リップ導体とバイアホールを介して接続した第２のスト
リップ導体と第２のバンプを介して接続した、第１のス
トリップ導体の第２の上下接続部とを用いて構成され、
線路交差部が、ハイブリッド部構成用領域に離間して設
けられた、第１のストリップ導体の第３の上下接続部
と、第３の上下接続部間を結ぶ直線を横切る第１のスト
リップ導体と、第３の上下接続部間を結ぶ直線と第１の
ストリップ導体とが交差する領域上に位置する線路交差
部構成用小誘電体基板の下面の領域に設けられたグラン
ド導体と、グランド導体を挟んで離間して設けられ、第
３の上下接続部と第３のバンプを介して接続した第４の
ストリップ導体と、グランド導体を挟んで離間して設け
られた第４のストリップ導体間をバイアホールを介して
接続した第５のストリップ導体とを用いて構成されたも
のである。

【００２５】この発明に係るバトラーマトリクスは、第
１及び第２の結合線路構成部が、直線形状であるもので
ある。

【００２６】この発明に係るバトラーマトリクスは、第
１及び第２の結合線路構成部が、メアンダ形状であるも
のである。

【００２７】この発明に係るバトラーマトリクスは、ハ
イブリッド部構成用小誘電体基板が、主誘電体基板の誘
電率より大きい誘電率を有するものである。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるバ
トラーマトリクスの上面図である。図２はこの発明の実
施の形態１によるバトラーマトリクスを構成する主誘電
体基板の上面図である。図において、１はバトラーマト
リクス、２は主誘電体基板、２ａは主誘電体基板２の上
面、３〜６は主誘電体基板２の上面２ａにフリップチッ
プ方式で実装された第１〜第４の小誘電体基板（ハイブ
リッド部構成用小誘電体基板）、７は主誘電体基板２の
上面２ａにフリップチップ方式で実装された第５の小誘
電体基板（線路交差部構成用小誘電体基板）、８は主誘
電体基板２の上面２ａに形成された第１のストリップ導
体、９〜１２は第１〜第４の９０°ハイブリッドを備え
た第１〜第４のハイブリッド部、１３，１４は第１，第
２の４５°固定移相器を備えた第１，第２の固定移相器
部、１５はマイクロストリップ線路が交差する線路交差
部である。第１〜第４のハイブリッド部９〜１２の構成
は同一である。

【００２９】Ａ１〜Ｄ１は第１〜第４のハイブリッド部
９〜１２を構成する、主誘電体基板２の第１〜第４の領
域（ハイブリッド部構成用領域）、Ｅは線路交差部１５
を構成する、主誘電体基板２の第５の領域（線路交差部
構成用領域）、Ｔ１〜Ｔ４はバトラーマトリクス１に入
力する信号の第１〜第４の入力端、Ｔ５〜Ｔ８はバトラ
ーマトリクス１から出力する信号の第１〜第４の出力端
である。第１〜第４の小誘電体基板３〜６は、それぞれ
主誘電体基板２の上面２ａの第１〜第４の領域Ａ１〜Ｄ
１にフリップチップ方式で実装されており、第５の小誘
電体基板７は、主誘電体基板２の上面２ａの第５の領域
Ｅにフリップチップ方式で実装されている。

【００３０】図３は主誘電体基板２の上面２ａの第１の
領域Ａ１の拡大図である。図４は第１の小誘電体基板３
の下面の拡大図である。図５は第１のハイブリッド部９
の側面図であり、第１の小誘電体基板３を主誘電体基板
２の上面２ａの第１の領域Ａ１にフリップチップ方式で
実装した状態を示している。図において、１６は第１の
ストリップ導体８の直線形状の第１の結合線路構成部、
１７は第１のストリップ導体８の第１の上下接続部、１
８は第１の上下接続部１７上に形成された第１のコンデ
ンサ、１９は第１のコンデンサ１８上に形成された第１
のバンプ、Ｔ９，Ｔ１０は第１のハイブリッド部９に入
力する信号の第５，第６の入力端、Ｔ１１，Ｔ１２は第
１のハイブリッド部９から出力する信号の第５，第６の
出力端、３ｂは第１の小誘電体基板３の下面、２０は第
１の小誘電体基板３の下面３ｂに形成された第２のスト
リップ導体、２１は第２のストリップ導体２０の直線形
状の第２の結合線路構成部、２２は第２のストリップ導
体２０の端部、２ｂは主誘電体基板２の下面、２３は主
誘電体基板２の下面２ｂに形成された第１のグランド導
体である。第１，第２の結合線路構成部１６，２１は、
所望の周波数における波長の１／４の長さ（すなわち、
所望の周波数における出力端間の位相差が９０°となる
長さ）を有する。第１の上下接続部１７は、第１の結合
線路構成部１６を挟んで離間して設けられ、第２の結合
線路構成部１６と接続した第２のストリップ導体２０の
端部２２と第１のバンプ１９を介して接続する。第１の
コンデンサ１８は、第１の上下接続部１７と第１のバン
プ１９との間に設けられている。第５，第６の入力端Ｔ
９，Ｔ１０には、第１，第２の入力端Ｔ１，Ｔ２に入力
した信号が入力する。

【００３１】図６は主誘電体基板２の上面２ａに垂直な
方向から見た、第１のハイブリッド部９の構成要素の位
置関係を示す図である。図６に示すように、主誘電体基
板２の上面２ａに垂直な方向から見たとき、第１，第２
の結合線路構成部１６，２１が一致するように、第１の
小誘電体基板３は主誘電体基板２の上面２ａの第１の領
域Ａ１に実装されている。このように第１，第２の結合
線路構成部１６，２１が一致することにより、結合線路
が構成されている。また、第１のバンプ１９が第２のス
トリップ導体２０の端部２２と接続するように、第１の
小誘電体基板３は主誘電体基板２の上面２ａの第１の領
域Ａ１に実装されている。

【００３２】図７は主誘電体基板２の上面２ａの第５の
領域Ｅの拡大図である。図８は第５の小誘電体基板７の
下面の拡大図である。図９は第５の小誘電体基板７の上
面の拡大図である。図１０は線路交差部１５の側面図で
あり、第５の小誘電体基板７を主誘電体基板２の上面２
ａの第５の領域Ｅにフリップチップ方式で実装した状態
を示している。図において、２４は第１のストリップ導
体８の第２の上下接続部、２５は第２の上下接続部２４
上に形成された第２のバンプ、２６は主誘電体基板２の
上面２ａに形成された第２のグランド導体、２７は第２
のグランド導体２６上に形成された第３のバンプ、２８
は主誘電体基板２の下面２ｂに形成された第１のグラン
ド導体２３と上面２ａに形成された第２のグランド導体
２６とを接続する第１のバイアホール、Ｔ１３，Ｔ１４
は線路交差部１５に入力する信号の第７，第８の入力
端、Ｔ１５，Ｔ１６は線路交差部１５から出力する信号
の第７，第８の出力端、７ｂは第５の小誘電体基板７の
下面、２９は第５の小誘電体基板７の下面７ｂに形成さ
れた第３のストリップ導体、３０は第３のストリップ導
体２９の外側端部、３１は第３のストリップ導体２９の
内側端部、３２は第５の小誘電体基板７の下面７ｂに形
成された第３のグランド導体、３３は第３のストリップ
導体２９の内側端部３１間に位置する第３のグランド導
体３２の中央部、３４は中央部３３と接続する第３のグ
ランド導体３２の周辺部、７ａは第５の小誘電体基板７
の上面、３５は第５の小誘電体基板７の上面７ａに形成
された第４のストリップ導体、３６は第５の小誘電体基
板７の下面７ｂに形成された第３のストリップ導体２９
の内側端部３１と上面７ａに形成された第４のストリッ
プ導体３５とを接続する第２のバイアホールである。第
２の上下接続部２４は、離間して設けられ、第２の上下
接続部２４間を結ぶ直線を第８の入力端Ｔ１４及び第７
の出力端Ｔ１５に接続する第１のストリップ導体８が横
切る。中央部３３は、第２の上下接続部２４間を結ぶ直
線と第１のストリップ導体８とが交差する領域上に位置
する。第３のストリップ導体２９は、中央部３３を挟ん
で離間して設けられ、第２の上下接続部２４と第２のバ
ンプ２５を介して接続する。第４のストリップ導体３５
は、離間して設けられた第３のストリップ導体２９間を
第２のバイアホール３６を介して接続する。

【００３３】図１１は主誘電体基板２の上面２ａに垂直
な方向から見た、線路交差部１５の構成要素の位置関係
を示す図である。図１１に示すように、主誘電基板２の
上面２ａに垂直な方向から見たとき、第７の入力端Ｔ１
３及び第８の出力端Ｔ１６に接続する第１のストリップ
導体８、第３のストリップ導体２９、第４のストリップ
導体３５が一直線となるとともに、第４のストリップ導
体３５が第８の入力端Ｔ１４及び第７の出力端Ｔ１５に
接続する第１のストリップ導体８と交差するように、第
５の小誘電体基板７は主誘電体基板２の上面２ａの第５
の領域Ｅに実装されている。このため、第３のグランド
導体３２の中央部３３が、第４のストリップ導体３５と
第１のストリップ導体８とが交差する部分での第４のス
トリップ導体３５と第１のストリップ導体８との間に位
置し、第３のグランド導体３２の周辺部３４が、第７の
入力端Ｔ１３と第８の出力端Ｔ１６とを結ぶ線路と第８
の入力端Ｔ１４と第７の出力端Ｔ１５とを結ぶ線路とで
挟まれる領域に位置する。このように第３のグランド導
体３２の中央部３３が、第４のストリップ導体３５と第
１のストリップ導体８とが交差する部分に位置すること
により、結合が抑制されている。また、第２のバンプ２
５が第３のストリップ導体２９の外側端部３０と接続
し、第３のバンプ２７が第３のグランド導体３２の周辺
部３４と接続するように、第５の小誘電体基板７は主誘
電体基板２の上面２ａの第５の領域Ｅに実装されてい
る。

【００３４】第２のグランド導体２６は第３のバンプ２
７を介して第３のグランド導体３２と電気的に接続し、
第１のバイアホール２８を介して第１のグランド導体２
３と電気的に接続するので、第１のグランド導体２３、
第２のグランド導体２６、及び第３のグランド導体３２
は、すべて同電位である。

【００３５】図１２はこの発明の実施の形態１によるバ
トラーマトリクスの回路図である。図において、３７〜
４０は第１〜第４の９０°ハイブリッド、４１，４２は
第１，第２の４５°固定移相器、４３〜４５は第２〜第
４のコンデンサである。その他の構成要素は、図１〜図
１０において同一符号を付して示したものと同一あるい
は同等である。図１２に示すように、第１のコンデンサ
１８は第１の９０°ハイブリッド３７の入出力端に接続
され、第２のコンデンサ４３は第２の９０°ハイブリッ
ド３８の入出力端に接続され、第３のコンデンサ４４は
第３の９０°ハイブリッド３９の入出力端に接続され、
第４のコンデンサ４５は第４の９０°ハイブリッド４０
の入出力端に接続されている。

【００３６】このようにこの実施の形態のバトラーマト
リクス１は、単層構造の主誘電体基板２の上面２ａに、
単層構造の第１〜第４の小誘電体基板３〜６をフリップ
チップ方式で実装し、主誘電体基板２に形成された導体
と第１〜第４の小誘電体基板３〜６に形成された導体と
を用いて第１〜第４のハイブリッド部９〜１２を構成す
るとともに、単層構造の主誘電体基板２の上面２ａに、
単層構造の第５の小誘電体基板７をフリップチップ方式
で実装し、主誘電体基板２に形成された導体と第５の小
誘電体基板７に形成された導体とを用いて線路交差部１
５を構成する構造をしている。

【００３７】次に動作について説明する。第１の入力端
Ｔ１から入力した信号は、第５の入力端Ｔ９から第１の
ハイブリッド部９に入力し、第１のコンデンサ１８、第
１のバンプ１９を介して第２の結合線路構成部２１に到
達する。第１，第２の結合線路構成部１６，２１が上下
に位置するように、第１の小誘電体基板３が主誘電体基
板２の上面に実装され結合線路が構成されているので、
第２の結合線路構成部２１に到達した信号は、上記結合
線路を通じて磁界結合し、第５の出力端Ｔ１１から第１
のハイブリッド部９外に出力するとともに、第１のバン
プ１９、第１のコンデンサ１８を介して第６の出力端Ｔ
１２から第１のハイブリッド部９外に出力する。第５の
出力端Ｔ１１から出力する信号は、第６の出力端Ｔ１２
から出力する信号より位相が９０°進んでいる。

【００３８】第６の出力端Ｔ１２から出力した信号は、
第７の入力端Ｔ１３から線路交差部１５に入力し、第２
のバンプ２５、第３のストリップ導体２９、第２のバイ
アホール３６を介して第４のストリップ導体３５に到達
する。第３のグランド導体３２の中央部３３が第４のス
トリップ導体３５と第１のストリップ導体８とが交差す
る部分に位置するように、第５の小誘電体基板７が主誘
電体基板２の上面に実装され結合が抑制されているの
で、第４のストリップ導体３５に到達した信号は、第２
のバイアホール３６、第３のストリップ導体２９、第２
のバンプ２５を介してそのまま第８の出力端Ｔ１６から
線路交差部１５外に出力する。第８の出力端Ｔ１６から
出力した信号は、第４のハイブリッド部１２に入力す
る。

【００３９】一方、第５の出力端Ｔ１１から出力した信
号は、第１の固定移相器部１３を通過し、第２のハイブ
リッド部１０に入力する。

【００４０】第１の固定移相器部１３を通過する場合、
線路交差部１５を通過する場合より、位相が４５°遅れ
る。従って、第５の出力端Ｔ１１から出力し、第１の固
定移相器部１３を通過して第２のハイブリッド部１０に
入力する信号は、第６の出力端Ｔ１２から出力し、線路
交差部１５を通過して第４のハイブリッド部１２に入力
する信号と比べて、第１のハイブリッド部９で９０°進
み、第１の固定移相器部１３で４５°遅れるため、あわ
せて４５°進んでいる。

【００４１】第２のハイブリッド部１０に入力した信号
は、上述した場合と同様に、第１の出力端Ｔ５と第２の
出力端Ｔ６に分配され、第４のハイブリッド部１２に入
力した信号は、上述した場合と同様に、第３の出力端Ｔ
７と第４の出力端Ｔ８に分配される。第１の出力端Ｔ５
から出力する信号は、第２の出力端Ｔ６から出力する信
号より位相が９０°進んでおり、第３の出力端Ｔ７から
出力する信号は、第４の出力端Ｔ８から出力する信号よ
り位相が９０°進んでいる。従って、第４の出力端Ｔ８
から出力する信号と比べて、第１の出力端Ｔ５から出力
する信号は位相が１３５°進み、第２の出力端Ｔ６から
出力する信号は位相が４５°進み、第３の出力端Ｔ７か
ら出力する信号は位相が９０°進んでいる。また、９０
°ハイブリッドを１回通過すると、３ｄＢの電力損失が
生じるため、第１〜第４の出力端Ｔ５〜Ｔ８からの出力
信号は、第１の入力端Ｔ１への入力信号と比較すると、
６ｄＢの電力損失がある。

【００４２】このようにして第１の入力端Ｔ１から入力
した信号は、４５°の位相差で第１〜第４の出力端Ｔ５
〜Ｔ８から出力する。第２〜第４の入力端Ｔ２〜Ｔ４か
ら入力した信号も、同様にして、４５°の位相差で第１
〜第４の出力端Ｔ５〜Ｔ８から出力する。スイッチによ
り、信号の入力端を切り替えることにより、各出力端か
ら出力される信号の位相を変化させ、各出力端から出力
される信号により形成される波面の向きを制御すること
ができる。

【００４３】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、単層構造の主誘電体基板２の上面２ａに単層構造の
第１〜第５の小誘電体基板３〜７をフリップチップ方式
で実装し、第１〜第４のハイブリッド部９〜１２及び線
路交差部１５を構成したので、誘電体基板間の接続強度
が問われない。また、主誘電体基板２の上面２ａが露出
しているため、バトラーマトリクス１を構成する回路の
測定などに使用する装置の端子や他の部品の実装が容易
である。従って、電気特性や実装の信頼性が高いという
効果が得られる。

【００４４】また、単層基板を用い、主誘電体基板２の
上面２ａに第１〜第５の小誘電体基板３〜７をフリップ
チップ方式で実装することにより製造するので、安価で
あり、製造工程が簡易であるという効果が得られる。

【００４５】また、９０°ハイブリッドの入出力部にコ
ンデンサを設けるので、結合線路の短縮化、通過帯域の
広帯域化、増幅器との組み合わせた際の直流電流の阻止
が小型にできるという効果が得られる。

【００４６】また、主誘電体基板２の他の領域に所望の
回路を形成することもでき、また、主誘電体基板２の下
面２ｂにグランド導体が形成されているため、他のアク
ティブ素子と同様に、金属パッケージに実装することも
できる。

【００４７】実施の形態２．図１３はこの発明の実施の
形態２によるバトラーマトリクスの上面図である。図１
４はこの発明の実施の形態２によるバトラーマトリクス
を構成する主誘電体基板の上面図である。図において、
５１はバトラーマトリクス、５２は主誘電体基板２の上
面２ａに形成された第１のストリップ導体、５３〜５６
は第１〜第４の９０°ハイブリッドを備えた第１〜第４
のハイブリッド部である。第１〜第４のハイブリッド部
５３〜５６の構成は同一である。

【００４８】Ａ２〜Ｄ２は第１〜第４のハイブリッド部
５３〜５６を構成する、主誘電体基板２の第１〜第４の
領域（ハイブリッド部構成用領域）である。第１〜第４
の小誘電体基板３〜６は、それぞれ主誘電体基板２の上
面２ａの第１〜第４の領域Ａ２〜Ｄ２にフリップチップ
方式で実装されている。

【００４９】図１５は主誘電体基板２の上面２ａの第１
の領域Ａ２の拡大図である。図１６は第１の小誘電体基
板３の下面の拡大図である。図において、５７は第１の
ストリップ導体５２のメアンダ形状の第１の結合線路構
成部、５８は第１のストリップ導体５２の第１の上下接
続部、５９は第１の上下接続部５８上に形成された第１
のバンプ、６０は第１の小誘電体基板３の下面３ｂに形
成された第２のストリップ導体、６１は第２のストリッ
プ導体６０のメアンダ形状の第２の結合線路構成部、６
２は第２のストリップ導体６０の端部である。第１，第
２の結合線路構成部５７，６１は、所望の周波数におけ
る出力端間の位相差が９０°となる長さを有する。第１
の上下接続部５８は、第１の結合線路構成部５７を挟ん
で離間して設けられ、第２の結合線路構成部６１と接続
した第２のストリップ導体６０の端部６２と第１のバン
プ５９を介して接続する。

【００５０】図１７は主誘電体基板２の上面２ａに垂直
な方向から見た、第１のハイブリッド部５３の構成要素
の位置関係を示す図である。図１７に示すように、主誘
電基板２の上面２ａに垂直な方向から見たとき、第１，
第２の結合線路構成部５７，６１が一致するように、第
１の小誘電体基板３は主誘電体基板２の上面２ａの第１
の領域Ａ２に実装されている。このように第１，第２の
結合線路構成部５７，６１が一致することにより、結合
線路が構成されている。また、第１のバンプ５９が第２
のストリップ導体６０の端部６２と接続するように、第
１の小誘電体基板３は主誘電体基板２の上面２ａの第１
の領域Ａ２に実装されている。

【００５１】なお、図１３〜図１７において、実施の形
態１と同一あるいは同等の構成要素には、実施の形態１
と同一の符号を付して示している。動作は実施の形態１
と同様である。

【００５２】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、コンデンサを設けたことにより得られる効果を除い
て、実施の形態１と同様の効果が得られる。

【００５３】また、この実施の形態２によれば、結合線
路がメアンダ形状であるので、９０°ハイブリッドをよ
り小型にできるという効果が得られる。

【００５４】なお、実施の形態１と同様に、９０°ハイ
ブリッドの入出力部にコンデンサを設けることにより、
結合線路の短縮化、通過帯域の広帯域化、増幅器との組
み合わせた際の直流電流の阻止が小型にできるという効
果が得られる。

【００５５】実施の形態３．図１８はこの発明の実施の
形態３によるバトラーマトリクスの上面図である。図１
９はこの発明の実施の形態３によるバトラーマトリクス
を構成する主誘電体基板の上面図である。図において、
７１はバトラーマトリクス、７２は主誘電体基板２の上
面２ａに形成された第１のストリップ導体、７３〜７６
は第１〜第４の９０°ハイブリッドを備えた第１〜第４
のハイブリッド部である。第１〜第４のハイブリッド部
７３〜７６の構成は同一である。

【００５６】Ａ３〜Ｄ３は第１〜第４のハイブリッド部
７３〜７６を構成する、主誘電体基板２の第１〜第４の
領域（ハイブリッド部構成用領域）である。第１〜第４
の小誘電体基板３〜６は、それぞれ主誘電体基板２の上
面２ａの第１〜第４の領域Ａ３〜Ｄ３にフリップチップ
方式で実装されている。

【００５７】図２０は主誘電体基板２の上面２ａの第１
の領域Ａ３の拡大図である。図２１は第１の小誘電体基
板３の下面の拡大図である。図２２は第１の小誘電体基
板３の上面の拡大図である。図２３は第１のハイブリッ
ド部７３の側面図であり、第１の小誘電体基板３を主誘
電体基板２の上面２ａの第１の領域Ａ３にフリップチッ
プ方式で実装した状態を示している。図において、７７
は第１のストリップ導体７２の第１の上下接続部、７８
は第１のストリップ導体７２の第２の上下接続部、７９
は第１の上下接続部７７上に形成された第１のコンデン
サ、８０は第２の上下接続部７８上に形成された第２の
コンデンサ、８１は第１のコンデンサ７９上に形成され
た第１のバンプ、８２は第２のコンデンサ８０上に形成
された第２のバンプ、８３は第１の小誘電体基板３の下
面３ｂに形成された第２のストリップ導体、８４は第２
のストリップ導体８３の直線形状の第１の結合線路構成
部、８５は第２のストリップ導体８３の第１の端部、８
６は第２のストリップ導体８３の第３の上下接続部、３
ａは第１の小誘電体基板３の上面、８７は第１の小誘電
体基板３の上面３ａに形成された第３のストリップ導
体、８８は第３のストリップ導体８７の直線形状の第２
の結合線路構成部、８９は第３のストリップ導体８７の
第２の端部、９０は第１の小誘電体基板３の下面３ｂに
形成された第２のストリップ導体８３の第３の上下接続
部８６と上面３ａに形成された第３のストリップ導体８
７の第２の端部８９とを接続するバイアホールである。
第１，第２の結合線路構成部８４，８８は、所望の周波
数における波長の１／４の長さ（すなわち、所望の周波
数における出力端間の位相差が９０°となる長さ）を有
する。第１の上下接続部７７は離間して設けられ、第１
の結合線路構成部８４と接続した第２のストリップ導体
８３の第１の端部８５と第１のバンプ８１を介して接続
する。第２の上下接続部７８は離間して設けられ、第２
の結合線路構成部８８と接続した第３のストリップ導体
８７の第２の端部８９とバイアホール９０を介して接続
した第２のストリップ導体８３の第３の上下接続部８６
と第２のバンプ８２を介して接続する。第１のコンデン
サ７９は、第１の上下接続部７７と第１のバンプ８１と
の間に設けられている。第２のコンデンサ８０は、第２
の上下接続部７８と第２のバンプ８２との間に設けられ
ている。

【００５８】図２４は主誘電体基板２の上面２ａに垂直
な方向から見た、第１のハイブリッド部７３の構成要素
の位置関係を示す図である。図２４に示すように、主誘
電基板２の上面２ａに垂直な方向から見たとき、第１，
第２の結合線路構成部８４，８８が一致するように、第
２，第３のストリップ導体８３，８７が第１の小誘電体
基板３に形成されている。このように第１，第２の結合
線路構成部８４，８８が一致することにより、結合線路
が構成されている。また、第１のバンプ８１が第２のス
トリップ導体８３の第１の端部８５と接続し、第２のバ
ンプ８２が第２のストリップ導体８３の第３の上下接続
部８６と接続するように、第１の小誘電体基板３は主誘
電体基板２の上面２ａの第１の領域Ａ３に実装されてい
る。

【００５９】なお、図１８〜図２４において、実施の形
態１，２と同一あるいは同等の構成要素には、実施の形
態１，２と同一の符号を付して示している。動作は実施
の形態１と同様である。

【００６０】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、実施の形態１と同様の効果が得られる。

【００６１】また、この実施の形態３によれば、小誘電
体基板の上面及び下面に形成されたストリップ導体を用
いて結合線路を構成するので、結合線路間距離が小誘電
体基板の厚さで決まる。このため、結合線路間距離が高
精度に定まり、９０°ハイブリッドに入力した信号を高
精度で分配できるという効果が得られる。

【００６２】実施の形態４．図２５はこの発明の実施の
形態４によるバトラーマトリクスの上面図である。図２
６はこの発明の実施の形態４によるバトラーマトリクス
を構成する主誘電体基板の上面図である。図において、
９１はバトラーマトリクス、９２〜９５は第１〜第４の
９０°ハイブリッドを備えた第１〜第４のハイブリッド
部である。第１〜第４のハイブリッド部９２〜９５の構
成は同一である。

【００６３】Ａ４〜Ｄ４は第１〜第４のハイブリッド部
９２〜９５を構成する、主誘電体基板２の第１〜第４の
領域（ハイブリッド部構成用領域）である。第１〜第４
の小誘電体基板３〜６は、それぞれ主誘電体基板２の上
面２ａの第１〜第４の領域Ａ４〜Ｄ４にフリップチップ
方式で実装されている。

【００６４】図２７は主誘電体基板２の上面２ａの第１
の領域Ａ４の拡大図である。図２８は第１の小誘電体基
板３の下面の拡大図である。図２９は第１の小誘電体基
板３の上面の拡大図である。図において、９６は第１の
上下接続部７７上に形成された第１のバンプ、９７は第
２の上下接続部７８上に形成された第２のバンプ、９８
は第１の小誘電体基板３の下面３ｂに形成された第２の
ストリップ導体、９９は第２のストリップ導体９８のメ
アンダ形状の第１の結合線路構成部、１００は第２のス
トリップ導体９８の第１の端部、１０１は第２のストリ
ップ導体９８の第３の上下接続部、１０２は第１の小誘
電体基板３の上面３ａに形成された第３のストリップ導
体、１０３は第３のストリップ導体１０２のメアンダ形
状の第２の結合線路構成部、１０４は第３のストリップ
導体１０２の第２の端部、１０５は第１の小誘電体基板
３の下面３ｂに形成された第２のストリップ導体９８の
第３の上下接続部１０１と上面３ａに形成された第３の
ストリップ導体１０２の端部１０４とを接続するバイア
ホールである。第１，第２の結合線路構成部９９，１０
３は、所望の周波数における出力端間の位相差が９０°
となる長さを有する。第１の上下接続部７７は離間して
設けられ、第１の結合線路構成部９９と接続した第２の
ストリップ導体９８の第１の端部１００と第１のバンプ
９６を介して接続する。第２の上下接続部７８は離間し
て設けられ、第２の結合線路構成部１０３と接続した第
３のストリップ導体１０２の第２の端部１０４とバイア
ホール１０５を介して接続した第２のストリップ導体９
８の第３の上下接続部１０１と第２のバンプ９７を介し
て接続する。

【００６５】図３０は主誘電体基板２の上面２ａに垂直
な方向から見た、第１のハイブリッド部９２の構成要素
の位置関係を示す図である。図３０に示すように、主誘
電基板２の上面２ａに垂直な方向から見たとき、第１，
第２の結合線路構成部９９，１０３が一致するように、
第２，第３のストリップ導体９８，１０２が第１の小誘
電体基板３に形成されている。このように第１，第２の
結合線路構成部９９，１０３が一致することにより、結
合線路が構成されている。また、第１のバンプ９６が第
２のストリップ導体９８の第１の端部１００と接続し、
第２のバンプ９７が第２のストリップ導体９８の第３の
上下接続部１０１と接続するように、第１の小誘電体基
板３は主誘電体基板２の上面２ａの第１の領域Ａ４に実
装されている。

【００６６】なお、図２５〜図３０において、実施の形
態１〜３と同一あるいは同等の構成要素には、実施の形
態１〜３と同一の符号を付して示している。動作は実施
の形態１と同様である。

【００６７】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、コンデンサを設けたことにより得られる効果を除い
て、実施の形態１と同様の効果が得られる。

【００６８】また、この実施の形態４によれば、結合線
路がメアンダ形状であるので、９０°ハイブリッドをよ
り小型にできるという効果が得られる。

【００６９】また、この実施の形態４によれば、小誘電
体基板の上面及び下面に形成されたストリップ導体を用
いてメアンダ形状の結合線路を構成するので、結合線路
間距離が小誘電体基板の厚さで決まる。このため、結合
線路間距離が高精度に定まり、９０°ハイブリッドに入
力した信号を高精度で分配できるという効果が得られ
る。

【００７０】なお、実施の形態３と同様に、９０°ハイ
ブリッドの入出力部にコンデンサを設けることにより、
結合線路の短縮化、通過帯域の広帯域化、増幅器との組
み合わせた際の直流電流の阻止が小型にできるという効
果が得られる。

【００７１】実施の形態５．実施の形態５は、第１〜第
４の小誘電体基板３〜６が主誘電体基板２の誘電率より
大きい誘電率を有する点を除いて、実施の形態３と同様
である。

【００７２】このように第１〜第４の小誘電体基板３〜
６の誘電率が主誘電体基板２の誘電率より大きい場合、
波長短縮率が大きくなり、９０°ハイブリッドをより小
型にできるという効果が得られる。

【００７３】実施の形態６．実施の形態６は、第１〜第
４の小誘電体基板３〜６が主誘電体基板２の誘電率より
大きい誘電率を有する点を除いて、実施の形態４と同様
である。

【００７４】このように第１〜第４の小誘電体基板３〜
６の誘電率が主誘電体基板２の誘電率より大きい場合、
波長短縮率が大きくなり、９０°ハイブリッドをより小
型にできるという効果が得られる。

【００７５】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、上面
に第１のストリップ導体が形成された主誘電体基板と、
下面に第２のストリップ導体が形成され、主誘電体基板
の上面のハイブリッド部構成用領域にフリップチップ方
式で実装されたハイブリッド部構成用小誘電体基板と、
下面に第３のストリップ導体、上面に第４のストリップ
導体が形成され、主誘電体基板の上面の線路交差部構成
用領域にフリップチップ方式で実装された線路交差部構
成用小誘電体基板とを備え、ハイブリッド部が、ハイブ
リッド部構成用領域に設けられた、所望の周波数におけ
る出力端間の位相差が９０°となる長さを有する第１の
ストリップ導体の第１の結合線路構成部と、所望の周波
数における出力端間の位相差が９０°となる長さを有す
る第２のストリップ導体の第２の結合線路構成部とを用
いて構成された結合線路と、ハイブリッド部構成用領域
に第１の結合線路構成部を挟んで離間して設けられ、第
２の結合線路構成部と接続した第２のストリップ導体と
第１のバンプを介して接続した、第１のストリップ導体
の第１の上下接続部と、第１の上下接続部と第１のバン
プとの間に設けられたコンデンサとを有し、線路交差部
が、ハイブリッド部構成用領域に離間して設けられた、
第１のストリップ導体の第２の上下接続部と、第２の上
下接続部間を結ぶ直線を横切る第１のストリップ導体
と、第２の上下接続部間を結ぶ直線と第１のストリップ
導体とが交差する領域上に位置する線路交差部構成用小
誘電体基板の下面の領域に設けられたグランド導体と、
グランド導体を挟んで離間して設けられ、第２の上下接
続部と第２のバンプを介して接続した第３のストリップ
導体と、離間して設けられた第３のストリップ導体間を
バイアホールを介して接続した第４のストリップ導体と
を有するようにバトラーマトリクスを構成したので、電
気特性や実装の信頼性が高く、また、安価で、製造工程
が簡易であり、さらに、結合線路の短縮化、通過帯域の
広帯域化、増幅器との組み合わせた際の直流電流の阻止
が小型にできるバトラーマトリクスが得られる効果があ
る。

【００７６】この発明によれば、上面に第１のストリッ
プ導体が形成された主誘電体基板と、下面に第２のスト
リップ導体が形成され、主誘電体基板の上面のハイブリ
ッド部構成用領域にフリップチップ方式で実装されたハ
イブリッド部構成用小誘電体基板と、下面に第３のスト
リップ導体、上面に第４のストリップ導体が形成され、
主誘電体基板の上面の線路交差部構成用領域にフリップ
チップ方式で実装された線路交差部構成用小誘電体基板
とを備え、ハイブリッド部が、ハイブリッド部構成用領
域に設けられた、所望の周波数における出力端間におけ
る位相差が９０°となる長さを有するメアンダ形状の第
１のストリップ導体の第１の結合線路構成部と、所望の
周波数における出力端間の位相差が９０°となる長さを
有するメアンダ形状の第２のストリップ導体の第２の結
合線路構成部とを用いて構成された結合線路と、ハイブ
リッド部構成用領域に第１の結合線路構成部を挟んで離
間して設けられ、第２の結合線路構成部と接続した第２
のストリップ導体と第１のバンプを介して接続した、第
１のストリップ導体の第１の上下接続部とを有し、線路
交差部が、ハイブリッド部構成用領域に離間して設けら
れた、第１のストリップ導体の第２の上下接続部と、第
２の上下接続部間を結ぶ直線を横切る第１のストリップ
導体と、第２の上下接続部間を結ぶ直線と第１のストリ
ップ導体とが交差する領域上に位置する線路交差部構成
用小誘電体基板の下面の領域に設けられたグランド導体
と、グランド導体を挟んで離間して設けられ、第２の上
下接続部と第２のバンプを介して接続した第３のストリ
ップ導体と、離間して設けられた第３のストリップ導体
間をバイアホールを介して接続した第４のストリップ導
体とを有するようにバトラーマトリクスを構成したの
で、電気特性や実装の信頼性が高く、また、安価で、製
造工程が簡易であるバトラーマトリクスが得られる効果
がある。

【００７７】この発明によれば、上面に第１のストリッ
プ導体が形成された主誘電体基板と、下面に第２のスト
リップ導体、上面に第３のストリップ導体が形成され、
主誘電体基板の上面のハイブリッド部構成用領域にフリ
ップチップ方式で実装されたハイブリッド部構成用小誘
電体基板と、下面に第４のストリップ導体、上面に第５
のストリップ導体が形成され、主誘電体基板の上面の線
路交差部構成用領域にフリップチップ方式で実装された
線路交差部構成用小誘電体基板とを備え、ハイブリッド
部が、所望の周波数における出力端間の位相差が９０°
となる長さを有する第２のストリップ導体の第１の結合
線路構成部と、所望の周波数における出力端間の位相差
が９０°となる長さを有する第３のストリップ導体の第
２の結合線路構成部とを用いて構成された結合線路と、
ハイブリッド部構成用領域に離間して設けられ、第１の
結合線路構成部と接続した第２のストリップ導体と第１
のバンプを介して接続した、第１のストリップ導体の第
１の上下接続部と、ハイブリッド部構成用領域に離間し
て設けられ、第２の結合線路構成部と接続した第３のス
トリップ導体とバイアホールを介して接続した第２のス
トリップ導体と第２のバンプを介して接続した、第１の
ストリップ導体の第２の上下接続部と、第１の上下接続
部と第１のバンプとの間に設けられた第１のコンデンサ
と、第２の上下接続部と第２のバンプとの間に設けられ
た第２のコンデンサとを有し、線路交差部が、ハイブリ
ッド部構成用領域に離間して設けられた、第１のストリ
ップ導体の第３の上下接続部と、第３の上下接続部間を
結ぶ直線を横切る第１のストリップ導体と、第３の上下
接続部間を結ぶ直線と第１のストリップ導体とが交差す
る領域上に位置する線路交差部構成用小誘電体基板の下
面の領域に設けられたグランド導体と、グランド導体を
挟んで離間して設けられ、第３の上下接続部と第３のバ
ンプを介して接続した第４のストリップ導体と、離間し
て設けられた第４のストリップ導体間をバイアホールを
介して接続した第５のストリップ導体とを有するように
バトラーマトリクスを構成したので、電気特性や実装の
信頼性が高く、また、安価で、製造工程が簡易であり、
さらに、結合線路の短縮化、通過帯域の広帯域化、増幅
器との組み合わせた際の直流電流の阻止が小型にできる
バトラーマトリクスが得られる効果がある。

【００７８】この発明によれば、上面に第１のストリッ
プ導体が形成された主誘電体基板と、下面に第２のスト
リップ導体、上面に第３のストリップ導体が形成され、
主誘電体基板の上面のハイブリッド部構成用領域にフリ
ップチップ方式で実装されたハイブリッド部構成用小誘
電体基板と、下面に第４のストリップ導体、上面に第５
のストリップ導体が形成され、主誘電体基板の上面の線
路交差部構成用領域にフリップチップ方式で実装された
線路交差部構成用小誘電体基板とを備え、ハイブリッド
部が、所望の周波数における出力端間の位相差が９０°
となる長さを有するメアンダ形状の第２のストリップ導
体の第１の結合線路構成部と、所望の周波数における出
力端間の位相差が９０°となる長さを有するメアンダ形
状の第３のストリップ導体の第２の結合線路構成部とを
用いて構成された結合線路と、ハイブリッド部構成用領
域に離間して設けられ、第１の結合線路構成部と接続し
た第２のストリップ導体と第１のバンプを介して接続し
た、第１のストリップ導体の第１の上下接続部と、ハイ
ブリッド部構成用領域に離間して設けられ、第２の結合
線路構成部と接続した第３のストリップ導体とバイアホ
ールを介して接続した第２のストリップ導体と第２のバ
ンプを介して接続した、第１のストリップ導体の第２の
上下接続部とを有し、線路交差部が、ハイブリッド部構
成用領域に離間して設けられた、第１のストリップ導体
の第３の上下接続部と、第３の上下接続部間を結ぶ直線
を横切る第１のストリップ導体と、第３の上下接続部間
を結ぶ直線と第１のストリップ導体とが交差する領域上
に位置する線路交差部構成用小誘電体基板の下面の領域
に設けられたグランド導体と、グランド導体を挟んで離
間して設けられ、第３の上下接続部と第３のバンプを介
して接続した第４のストリップ導体と、離間して設けら
れた第４のストリップ導体間をバイアホールを介して接
続した第５のストリップ導体とを有するようにバトラー
マトリクスを構成したので、電気特性や実装の信頼性が
高く、また、安価で、製造工程が簡易であるバトラーマ
トリクスが得られる効果がある。

【００７９】この発明によれば、第１及び第２の結合線
路構成部が、直線形状であるようにバトラーマトリクス
を構成したので、結合線路の設計が容易なバトラーマト
リクスが得られる効果がある。

【００８０】この発明によれば、第１及び第２の結合線
路構成部が、メアンダ形状であるようにバトラーマトリ
クスを構成したので、９０°ハイブリッドをより小型に
できるバトラーマトリクスが得られる効果がある。

【００８１】この発明によれば、ハイブリッド部構成用
小誘電体基板が、主誘電体基板の誘電率より大きい誘電
率を有するようにバトラーマトリクスを構成したので、
９０°ハイブリッドをより小型にできるバトラーマトリ
クスが得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１によるバトラーマト
リクスの上面図である。

【図２】 この発明の実施の形態１によるバトラーマト
リクスを構成する主誘電体基板の上面図である。

【図３】 主誘電体基板の上面の第１の領域の拡大図で
ある。

【図４】 第１の小誘電体基板の下面の拡大図である。

【図５】 第１のハイブリッド部の側面図である。

【図６】 主誘電体基板の上面に垂直な方向から見た、
第１のハイブリッド部の構成要素の位置関係を示す図で
ある。

【図７】 主誘電体基板の上面の第５の領域の拡大図で
ある。

【図８】 第５の小誘電体基板の下面の拡大図である。

【図９】 第５の小誘電体基板の上面の拡大図である。

【図１０】 線路交差部の側面図である。

【図１１】 主誘電体基板の上面に垂直な方向から見
た、線路交差部の構成要素の位置関係を示す図である。

【図１２】 この発明の実施の形態１によるバトラーマ
トリクスの回路図である。

【図１３】 この発明の実施の形態２によるバトラーマ
トリクスの上面図である。

【図１４】 この発明の実施の形態２によるバトラーマ
トリクスを構成する主誘電体基板の上面図である。

【図１５】 主誘電体基板の上面の第１の領域の拡大図
である。

【図１６】 第１の小誘電体基板の下面の拡大図であ
る。

【図１７】 主誘電体基板の上面に垂直な方向から見
た、第１のハイブリッド部の構成要素の位置関係を示す
図である。

【図１８】 この発明の実施の形態３によるバトラーマ
トリクスの上面図である。

【図１９】 この発明の実施の形態３によるバトラーマ
トリクスを構成する主誘電体基板の上面図である。

【図２０】 主誘電体基板の上面の第１の領域の拡大図
である。

【図２１】 第１の小誘電体基板の下面の拡大図であ
る。

【図２２】 第１の小誘電体基板の上面の拡大図であ
る。

【図２３】 第１のハイブリッド部の側面図である。

【図２４】 主誘電体基板の上面に垂直な方向から見
た、第１のハイブリッド部の構成要素の位置関係を示す
図である。

【図２５】 この発明の実施の形態４によるバトラーマ
トリクスの上面図である。

【図２６】 この発明の実施の形態４によるバトラーマ
トリクスを構成する主誘電体基板の上面図である。

【図２７】 主誘電体基板の上面の第１の領域の拡大図
である。

【図２８】 第１の小誘電体基板の下面の拡大図であ
る。

【図２９】 第１の小誘電体基板の上面の拡大図であ
る。

【図３０】 主誘電体基板の上面に垂直な方向から見
た、第１のハイブリッド部の構成要素の位置関係を示す
図である。

【図３１】 従来のバトラーマトリクスを構成する主誘
電体基板の上面図である。

【図３２】 図３１のＡ−Ａ線に沿った位置における従
来のバトラーマトリクスの断面図である。

【図３３】 主誘電体基板の上面の第１の領域の拡大図
である。

【図３４】 主誘電体基板の下面の第１の領域の拡大図
である。

【図３５】 主誘電体基板の上面に垂直な方向から見
た、主誘電体基板の第１の領域の構成要素の位置関係を
示す図である。

【図３６】 主誘電体基板の上面の第５の領域の拡大図
である。

【図３７】 主誘電体基板の下面の第５の領域の拡大図
である。

【図３８】 主誘電体基板の上面に垂直な方向から見
た、主誘電体基板の第５の領域の構成要素の位置関係を
示す図である。

【符号の説明】

１ バトラーマトリクス、２ 主誘電体基板、２ａ 上
面、２ｂ 下面、３〜６ 第１〜第４の小誘電体基板
（ハイブリッド部構成用小誘電体基板）、３ａ上面、３
ｂ 下面、７ 第５の小誘電体基板（線路交差部構成用
小誘電体基板）、７ａ 上面、７ｂ 下面、８ 第１の
ストリップ導体、９〜１２ 第１〜第４のハイブリッド
部、１３，１４ 第１，第２の固定移相器部、１５ 線
路交差部、１６ 第１の結合線路構成部、１７ 第１の
上下接続部、１８ 第１のコンデンサ、１９ 第１のバ
ンプ、２０ 第２のストリップ導体、２１ 第２の結合
線路構成部、２２ 端部、２３ 第１のグランド導体、
２４ 第２の上下接続部、２５ 第２のバンプ、２６
第２のグランド導体、２７ 第３のバンプ、２８第１の
バイアホール、２９ 第３のストリップ導体、３０ 外
側端部、３１ 内側端部、３２ 第３のグランド導体、
３３ 中央部、３４ 周辺部、３５ 第４のストリップ
導体、３６ 第２のバイアホール、３７〜４０ 第１〜
第４の９０°ハイブリッド、４１，４２ 第１，第２の
４５°固定移相器、４３〜４５ 第２〜第４のコンデン
サ、５１ バトラーマトリクス、５２ 第１のストリッ
プ導体、５３〜５６ 第１〜第４のハイブリッド部、５
７ 第１の結合線路構成部、５８ 第１の上下接続部、
５９ 第１のバンプ、６０ 第２のストリップ導体、６
１ 第２の結合線路構成部、６２ 端部、７１ バトラ
ーマトリクス、７２第１のストリップ導体、７３〜７６
第１〜第４のハイブリッド部、７７ 第１の上下接続
部、７８ 第２の上下接続部、７９ 第１のコンデン
サ、８０ 第２のコンデンサ、８１ 第１のバンプ、８
２ 第２のバンプ、８３ 第２のストリップ導体、８４
第１の結合線路構成部、８５ 第１の端部、８６ 第
３の上下接続部、８７ 第３のストリップ導体、８８
第２の結合線路構成部、８９ 第２の端部、９０ バイ
アホール、９１ バトラーマトリクス、９２〜９５ 第
１〜第４のハイブリッド部、９６ 第１のバンプ、９７
第２のバンプ、９８ 第２のストリップ導体、９９
第１の結合線路構成部、１００ 第１の端部、１０１
第３の上下接続部、１０２ 第３のストリップ導体、１
０３ 第２の結合線路構成部、１０４ 第２の端部、１
０５ バイアホール。Ａ１〜Ｄ１ 第１〜第４の領域
（ハイブリッド部構成用領域）、Ａ２〜Ｄ２ 第１〜第
４の領域（ハイブリッド部構成用領域）、Ａ３〜Ｄ３
第１〜第４の領域（ハイブリッド部構成用領域）、Ａ４
〜Ｄ４ 第１〜第４の領域（ハイブリッド部構成用領
域）、Ｅ第５の領域（線路交差部構成用領域）、Ｔ１〜
Ｔ４ 第１〜第４の入力端、Ｔ５〜Ｔ８ 第１〜第４の
出力端、Ｔ９，Ｔ１０ 第５，第６の入力端、Ｔ１１，
Ｔ１２ 第５，第６の出力端、Ｔ１３，Ｔ１４ 第７，
第８の入力端、Ｔ１５，Ｔ１６ 第７，第８の出力端。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 礒田 陽次 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 川上 憲司 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ９０°ハイブリッドを備えたハイブリッ
   ド部と、固定移相器を備えた固定移相器部と、マイクロ
   ストリップ線路が交差する線路交差部とを備えたバトラ
   ーマトリクスにおいて、 上面に第１のストリップ導体が形成された主誘電体基板
   と、 下面に第２のストリップ導体が形成され、上記主誘電体
   基板の上面のハイブリッド部構成用領域にフリップチッ
   プ方式で実装されたハイブリッド部構成用小誘電体基板
   と、 下面に第３のストリップ導体、上面に第４のストリップ
   導体が形成され、上記主誘電体基板の上面の線路交差部
   構成用領域にフリップチップ方式で実装された線路交差
   部構成用小誘電体基板とを備え、 上記ハイブリッド部は、上記ハイブリッド部構成用領域
   に設けられた、所望の周波数における出力端間の位相差
   が９０°となる長さを有する上記第１のストリップ導体
   の第１の結合線路構成部と、所望の周波数における出力
   端間の位相差が９０°となる長さを有する上記第２のス
   トリップ導体の第２の結合線路構成部とを用いて構成さ
   れた結合線路と、上記ハイブリッド部構成用領域に上記
   第１の結合線路構成部を挟んで離間して設けられ、上記
   第２の結合線路構成部と接続した上記第２のストリップ
   導体と第１のバンプを介して接続した、上記第１のスト
   リップ導体の第１の上下接続部と、上記第１の上下接続
   部と上記第１のバンプとの間に設けられたコンデンサと
   を備え、 上記線路交差部は、上記ハイブリッド部構成用領域に離
   間して設けられた、上記第１のストリップ導体の第２の
   上下接続部と、上記第２の上下接続部間を結ぶ直線を横
   切る上記第１のストリップ導体と、上記第２の上下接続
   部間を結ぶ直線と上記第１のストリップ導体とが交差す
   る領域上に位置する上記線路交差部構成用小誘電体基板
   の下面の領域に設けられたグランド導体と、上記グラン
   ド導体を挟んで離間して設けられ、上記第２の上下接続
   部と第２のバンプを介して接続した上記第３のストリッ
   プ導体と、離間して設けられた上記第３のストリップ導
   体間をバイアホールを介して接続した上記第４のストリ
   ップ導体とを備えたことを特徴とするバトラーマトリク
   ス。
2. 【請求項２】 ９０°ハイブリッドを備えたハイブリッ
   ド部と、固定移相器を備えた固定移相器部と、マイクロ
   ストリップ線路が交差する線路交差部とを備えたバトラ
   ーマトリクスにおいて、 上面に第１のストリップ導体が形成された主誘電体基板
   と、 下面に第２のストリップ導体が形成され、上記主誘電体
   基板の上面のハイブリッド部構成用領域にフリップチッ
   プ方式で実装されたハイブリッド部構成用小誘電体基板
   と、 下面に第３のストリップ導体、上面に第４のストリップ
   導体が形成され、上記主誘電体基板の上面の線路交差部
   構成用領域にフリップチップ方式で実装された線路交差
   部構成用小誘電体基板とを備え、 上記ハイブリッド部は、上記ハイブリッド部構成用領域
   に設けられた、所望の周波数における出力端間の位相差
   が９０°となる長さを有するメアンダ形状の上記第１の
   ストリップ導体の第１の結合線路構成部と、所望の周波
   数における出力端間の位相差が９０°となる長さを有す
   るメアンダ形状の上記第２のストリップ導体の第２の結
   合線路構成部とを用いて構成された結合線路と、上記ハ
   イブリッド部構成用領域に上記第１の結合線路構成部を
   挟んで離間して設けられ、上記第２の結合線路構成部と
   接続した上記第２のストリップ導体と第１のバンプを介
   して接続した、上記第１のストリップ導体の第１の上下
   接続部とを備え、 上記線路交差部は、上記ハイブリッド部構成用領域に離
   間して設けられた、上記第１のストリップ導体の第２の
   上下接続部と、上記第２の上下接続部間を結ぶ直線を横
   切る上記第１のストリップ導体と、上記第２の上下接続
   部間を結ぶ直線と上記第１のストリップ導体とが交差す
   る領域上に位置する上記線路交差部構成用小誘電体基板
   の下面の領域に設けられたグランド導体と、上記グラン
   ド導体を挟んで離間して設けられ、上記第２の上下接続
   部と第２のバンプを介して接続した上記第３のストリッ
   プ導体と、離間して設けられた上記第３のストリップ導
   体間をバイアホールを介して接続した上記第４のストリ
   ップ導体とを備えたことを特徴とするバトラーマトリク
   ス。
3. 【請求項３】 ９０°ハイブリッドを備えたハイブリッ
   ド部と、固定移相器を備えた固定移相器部と、マイクロ
   ストリップ線路が交差する線路交差部とを備えたバトラ
   ーマトリクスにおいて、 上面に第１のストリップ導体が形成された主誘電体基板
   と、 下面に第２のストリップ導体、上面に第３のストリップ
   導体が形成され、上記主誘電体基板の上面のハイブリッ
   ド部構成用領域にフリップチップ方式で実装されたハイ
   ブリッド部構成用小誘電体基板と、 下面に第４のストリップ導体、上面に第５のストリップ
   導体が形成され、上記主誘電体基板の上面の線路交差部
   構成用領域にフリップチップ方式で実装された線路交差
   部構成用小誘電体基板とを備え、 上記ハイブリッド部は、所望の周波数における出力端間
   の位相差が９０°となる長さを有する上記第２のストリ
   ップ導体の第１の結合線路構成部と、所望の周波数にお
   ける出力端間の位相差が９０°となる長さを有する上記
   第３のストリップ導体の第２の結合線路構成部とを用い
   て構成された結合線路と、上記ハイブリッド部構成用領
   域に離間して設けられ、上記第１の結合線路構成部と接
   続した上記第２のストリップ導体と第１のバンプを介し
   て接続した、上記第１のストリップ導体の第１の上下接
   続部と、上記ハイブリッド部構成用領域に離間して設け
   られ、上記第２の結合線路構成部と接続した上記第３の
   ストリップ導体とバイアホールを介して接続した上記第
   ２のストリップ導体と第２のバンプを介して接続した、
   上記第１のストリップ導体の第２の上下接続部と、上記
   第１の上下接続部と上記第１のバンプとの間に設けられ
   た第１のコンデンサと、上記第２の上下接続部と上記第
   ２のバンプとの間に設けられた第２のコンデンサとを備
   え、 上記線路交差部は、上記ハイブリッド部構成用領域に離
   間して設けられた、上記第１のストリップ導体の第３の
   上下接続部と、上記第３の上下接続部間を結ぶ直線を横
   切る上記第１のストリップ導体と、上記第３の上下接続
   部間を結ぶ直線と上記第１のストリップ導体とが交差す
   る領域上に位置する上記線路交差部構成用小誘電体基板
   の下面の領域に設けられたグランド導体と、上記グラン
   ド導体を挟んで離間して設けられ、上記第３の上下接続
   部と第３のバンプを介して接続した上記第４のストリッ
   プ導体と、離間して設けられた上記第４のストリップ導
   体間をバイアホールを介して接続した上記第５のストリ
   ップ導体とを備えたことを特徴とするバトラーマトリク
   ス。
4. 【請求項４】 ９０°ハイブリッドを備えたハイブリッ
   ド部と、固定移相器を備えた固定移相器部と、マイクロ
   ストリップ線路が交差する線路交差部とを備えたバトラ
   ーマトリクスにおいて、 上面に第１のストリップ導体が形成された主誘電体基板
   と、 下面に第２のストリップ導体、上面に第３のストリップ
   導体が形成され、上記主誘電体基板の上面のハイブリッ
   ド部構成用領域にフリップチップ方式で実装されたハイ
   ブリッド部構成用小誘電体基板と、 下面に第４のストリップ導体、上面に第５のストリップ
   導体が形成され、上記主誘電体基板の上面の線路交差部
   構成用領域にフリップチップ方式で実装された線路交差
   部構成用小誘電体基板とを備え、 上記ハイブリッド部は、所望の周波数における出力端間
   の位相差が９０°となる長さを有するメアンダ形状の上
   記第２のストリップ導体の第１の結合線路構成部と、所
   望の周波数における出力端間の位相差が９０°となる長
   さを有するメアンダ形状の上記第３のストリップ導体の
   第２の結合線路構成部とを用いて構成された結合線路
   と、上記ハイブリッド部構成用領域に離間して設けら
   れ、上記第１の結合線路構成部と接続した上記第２のス
   トリップ導体と第１のバンプを介して接続した、上記第
   １のストリップ導体の第１の上下接続部と、上記ハイブ
   リッド部構成用領域に離間して設けられ、上記第２の結
   合線路構成部と接続した上記第３のストリップ導体とバ
   イアホールを介して接続した上記第２のストリップ導体
   と第２のバンプを介して接続した、上記第１のストリッ
   プ導体の第２の上下接続部とを備え、 上記線路交差部は、上記ハイブリッド部構成用領域に離
   間して設けられた、上記第１のストリップ導体の第３の
   上下接続部と、上記第３の上下接続部間を結ぶ直線を横
   切る上記第１のストリップ導体と、上記第３の上下接続
   部間を結ぶ直線と上記第１のストリップ導体とが交差す
   る領域上に位置する上記線路交差部構成用小誘電体基板
   の下面の領域に設けられたグランド導体と、上記グラン
   ド導体を挟んで離間して設けられ、上記第３の上下接続
   部と第３のバンプを介して接続した上記第４のストリッ
   プ導体と、離間して設けられた上記第４のストリップ導
   体間をバイアホールを介して接続した上記第５のストリ
   ップ導体とを備えたことを特徴とするバトラーマトリク
   ス。
5. 【請求項５】 第１及び第２の結合線路構成部は、直線
   形状であることを特徴とする請求項１または請求項３記
   載のバトラーマトリクス。
6. 【請求項６】 第１及び第２の結合線路構成部は、メア
   ンダ形状であることを特徴とする請求項１または請求項
   ３記載のバトラーマトリクス。
7. 【請求項７】 ハイブリッド部構成用小誘電体基板は、
   主誘電体基板の誘電率より大きい誘電率を有することを
   特徴とする請求項３または請求項４記載のバトラーマト
   リクス。