JP2002074620A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JP2002074620A JP2002074620A JP2000256716A JP2000256716A JP2002074620A JP 2002074620 A JP2002074620 A JP 2002074620A JP 2000256716 A JP2000256716 A JP 2000256716A JP 2000256716 A JP2000256716 A JP 2000256716A JP 2002074620 A JP2002074620 A JP 2002074620A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 一対のＣｏ系磁区制御膜がＭＲ素子に対して
所望の磁界を印加する。 【解決手段】 センス電流の印加により外部磁界の変化
を電気抵抗を変化させる磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効
果膜（ＦｅＮｉ層）６と、上記磁気抵抗効果膜６の両端
に位置するとともに下地層８とＣｏ系磁石膜９とが繰り
返し積層されてなるＣｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂとを備
え、上記Ｃｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂが上記磁気抵抗効
果膜６に対して面内方向（矢印Ａ方向）の磁化を印加す
る。このＭＲヘッドは、バルクハウゼンノイズを防止す
ることができ、再生波形が乱れることなく良好な再生出
力を得ることができる。
所望の磁界を印加する。 【解決手段】 センス電流の印加により外部磁界の変化
を電気抵抗を変化させる磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効
果膜（ＦｅＮｉ層）６と、上記磁気抵抗効果膜６の両端
に位置するとともに下地層８とＣｏ系磁石膜９とが繰り
返し積層されてなるＣｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂとを備
え、上記Ｃｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂが上記磁気抵抗効
果膜６に対して面内方向（矢印Ａ方向）の磁化を印加す
る。このＭＲヘッドは、バルクハウゼンノイズを防止す
ることができ、再生波形が乱れることなく良好な再生出
力を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感磁素子として磁
気抵抗効果素子を有するとともに、この磁気抵抗効果素
子に対して面内方向の磁界を印加する一対のＣｏ系磁区
制御膜を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
気抵抗効果素子を有するとともに、この磁気抵抗効果素
子に対して面内方向の磁界を印加する一対のＣｏ系磁区
制御膜を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気ヘッドとしては、感磁素
子として磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と呼ぶ）を
有する磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと
呼ぶ）が知られている。このＭＲヘッドは、外部磁界が
存在するとＭＲ素子の抵抗値が変化し、ＭＲ素子の抵抗
変化を電圧変化として感知することによって、当該外部
磁界を検出する。
子として磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と呼ぶ）を
有する磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと
呼ぶ）が知られている。このＭＲヘッドは、外部磁界が
存在するとＭＲ素子の抵抗値が変化し、ＭＲ素子の抵抗
変化を電圧変化として感知することによって、当該外部
磁界を検出する。
【０００３】ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗効果を
示すＡＭＲ素子や、スピンバルブ型素子（ｓｖ素子）等
に代表される巨大磁気抵抗効果を示すＧＭＲ素子が知ら
れている。これらいずれのＭＲ素子においても、外部磁
界の変化に対する抵抗変化が線形性を示すことが好まし
い。言い換えると、外部磁界の変化に対する抵抗が線形
変化することによって、ＭＲヘッドとしては、優れた感
度で外部磁界を検出することができるのである。
示すＡＭＲ素子や、スピンバルブ型素子（ｓｖ素子）等
に代表される巨大磁気抵抗効果を示すＧＭＲ素子が知ら
れている。これらいずれのＭＲ素子においても、外部磁
界の変化に対する抵抗変化が線形性を示すことが好まし
い。言い換えると、外部磁界の変化に対する抵抗が線形
変化することによって、ＭＲヘッドとしては、優れた感
度で外部磁界を検出することができるのである。
【０００４】ここで、従来のＭＲヘッドの一構成例を図
４に示す。図４に示すように、ＭＲヘッドは、ＭＲ素子
１００と、ＭＲ素子１００の長手方向に配された一対の
Ｃｏ系磁区制御膜１０１と、Ｃｏ系磁区制御膜１０１上
に配設された導体１０２とを有している。ＭＲ素子１０
０は、ＳＡＬ（Soft-Adjacent-Layer）バイアス層１０
３と、Ｔａ中間層１０４と、ＦｅＮｉ層１０５と保護層
１０６とがこの順で積層されてなる。一対のＣｏ系磁区
制御膜１０１は、磁気異方性を制御するためにそれぞれ
Ｃｒ下地層１０６上に形成されており、図４中矢印ａで
示す方向に磁界を発生する。
４に示す。図４に示すように、ＭＲヘッドは、ＭＲ素子
１００と、ＭＲ素子１００の長手方向に配された一対の
Ｃｏ系磁区制御膜１０１と、Ｃｏ系磁区制御膜１０１上
に配設された導体１０２とを有している。ＭＲ素子１０
０は、ＳＡＬ（Soft-Adjacent-Layer）バイアス層１０
３と、Ｔａ中間層１０４と、ＦｅＮｉ層１０５と保護層
１０６とがこの順で積層されてなる。一対のＣｏ系磁区
制御膜１０１は、磁気異方性を制御するためにそれぞれ
Ｃｒ下地層１０６上に形成されており、図４中矢印ａで
示す方向に磁界を発生する。
【０００５】このように構成されたＭＲヘッドでは、Ｓ
ＡＬバイアス層１０３からのバイアス磁界をＭＲ素子１
００に印加している。ＭＲ素子は、このバイアス磁界が
印加されることによって、外部磁界に対する抵抗変化を
線形動作させることができる。
ＡＬバイアス層１０３からのバイアス磁界をＭＲ素子１
００に印加している。ＭＲ素子は、このバイアス磁界が
印加されることによって、外部磁界に対する抵抗変化を
線形動作させることができる。
【０００６】また、ＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子１
００におけるＦｅＮｉ層１０５が複数の磁区を有するよ
うな場合、磁壁の移動に起因するノイズ（バルクハウゼ
ンノイズ）が発生する。このため、ＭＲヘッドにおいて
は、一対のＣｏ系磁区制御膜１０１間に、図４中矢印ａ
で示す方向にバイアス磁界を印加して、ＭＲ素子１００
のＦｅＮｉ層１０５を単磁区化するようにしていた。
００におけるＦｅＮｉ層１０５が複数の磁区を有するよ
うな場合、磁壁の移動に起因するノイズ（バルクハウゼ
ンノイズ）が発生する。このため、ＭＲヘッドにおいて
は、一対のＣｏ系磁区制御膜１０１間に、図４中矢印ａ
で示す方向にバイアス磁界を印加して、ＭＲ素子１００
のＦｅＮｉ層１０５を単磁区化するようにしていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＭＲヘッドでは、一対のＣｏ系磁区制御膜１０１間
に所望の磁界を発生させることができない場合があり、
上述したノイズが大きな問題となっていた。すなわち、
従来のＭＲヘッドには、ＭＲ素子１００のＦｅＮｉ層１
０５を単磁区化することができず、Ｓ／Ｎが低いといっ
た問題点があった。
うなＭＲヘッドでは、一対のＣｏ系磁区制御膜１０１間
に所望の磁界を発生させることができない場合があり、
上述したノイズが大きな問題となっていた。すなわち、
従来のＭＲヘッドには、ＭＲ素子１００のＦｅＮｉ層１
０５を単磁区化することができず、Ｓ／Ｎが低いといっ
た問題点があった。
【０００８】そこで、本発明は、上述したような実状に
鑑みてなされたものであり、一対のＣｏ系磁区制御膜が
ＭＲ素子に対して所望の磁界を印加することのできるＭ
Ｒヘッドを提供することを目的としている。
鑑みてなされたものであり、一対のＣｏ系磁区制御膜が
ＭＲ素子に対して所望の磁界を印加することのできるＭ
Ｒヘッドを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明者が鋭意検討した結果、Ｃｏ系磁区制御
膜がＭＲ素子の厚みに応じて厚膜となるため、当該Ｃｏ
系磁区制御膜におけるＭＲ素子面内方向の異方性が低下
し、ＭＲ素子に対して所望の磁界を印加することができ
ないといった知見を得て、Ｃｏ系磁区制御膜の膜厚を制
御することによって磁気特性を良好に制御することが可
能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
ために、本発明者が鋭意検討した結果、Ｃｏ系磁区制御
膜がＭＲ素子の厚みに応じて厚膜となるため、当該Ｃｏ
系磁区制御膜におけるＭＲ素子面内方向の異方性が低下
し、ＭＲ素子に対して所望の磁界を印加することができ
ないといった知見を得て、Ｃｏ系磁区制御膜の膜厚を制
御することによって磁気特性を良好に制御することが可
能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】すなわち、本発明に係る磁気抵抗効果型磁
気ヘッドは、外部磁界の変化をセンス電流に対する電気
抵抗変化として感知する磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効
果膜と、上記磁気抵抗効果膜の両端に位置するとともに
下地層とＣｏ系磁石膜とが繰り返し積層されてなるＣｏ
系磁区制御膜とを備え、上記Ｃｏ系磁区制御膜が上記磁
気抵抗効果膜に対して面内方向の磁化を印加することを
特徴とするものである。
気ヘッドは、外部磁界の変化をセンス電流に対する電気
抵抗変化として感知する磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効
果膜と、上記磁気抵抗効果膜の両端に位置するとともに
下地層とＣｏ系磁石膜とが繰り返し積層されてなるＣｏ
系磁区制御膜とを備え、上記Ｃｏ系磁区制御膜が上記磁
気抵抗効果膜に対して面内方向の磁化を印加することを
特徴とするものである。
【００１１】以上のように構成された本発明に係る磁気
抵抗効果型磁気ヘッドは、Ｃｏ系磁区制御膜を、下地層
とＣｏ系磁石膜とが繰り返し積層された構成となってい
る。ここで、Ｃｏ系磁石膜は、膜厚が増加するに従って
垂直方向の異方性が増大し、磁気抵抗効果膜面内方向の
異方性が低下する特徴を有している。この磁気抵抗効果
型磁気ヘッドでは、Ｃｏ系磁石膜を下地層によって分断
しているため、個々のＣｏ系磁石膜は磁気抵抗効果膜の
面内方向に大きな異方性を有して所望の磁界を印加する
ことができる。したがって、この磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいては、磁気抵抗効果膜の磁区を良好に制御す
ることができる。
抵抗効果型磁気ヘッドは、Ｃｏ系磁区制御膜を、下地層
とＣｏ系磁石膜とが繰り返し積層された構成となってい
る。ここで、Ｃｏ系磁石膜は、膜厚が増加するに従って
垂直方向の異方性が増大し、磁気抵抗効果膜面内方向の
異方性が低下する特徴を有している。この磁気抵抗効果
型磁気ヘッドでは、Ｃｏ系磁石膜を下地層によって分断
しているため、個々のＣｏ系磁石膜は磁気抵抗効果膜の
面内方向に大きな異方性を有して所望の磁界を印加する
ことができる。したがって、この磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいては、磁気抵抗効果膜の磁区を良好に制御す
ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの好適な実施の形態を図面を参照して詳細
に説明する。
型磁気ヘッドの好適な実施の形態を図面を参照して詳細
に説明する。
【００１３】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド（以下、ＭＲヘッドと呼ぶ）は、図１に示すように、
外部磁界を検出する磁気抵抗効果素子１（以下、ＭＲ素
子１と呼ぶ）と、ＭＲ素子１の長手方向の両端部に当該
ＭＲ素子１を挟み込むように配設された一対のＣｏ系磁
区制御膜２ａ，２ｂと、一対のＣｏ系磁区制御膜２ａ，
２ｂ上に配設され、ＭＲ素子１にセンス電流を供給する
導体３とを備えている。
ド（以下、ＭＲヘッドと呼ぶ）は、図１に示すように、
外部磁界を検出する磁気抵抗効果素子１（以下、ＭＲ素
子１と呼ぶ）と、ＭＲ素子１の長手方向の両端部に当該
ＭＲ素子１を挟み込むように配設された一対のＣｏ系磁
区制御膜２ａ，２ｂと、一対のＣｏ系磁区制御膜２ａ，
２ｂ上に配設され、ＭＲ素子１にセンス電流を供給する
導体３とを備えている。
【００１４】ＭＲ素子１は、図示しないセラミック基板
上の絶縁膜上に、ＳＡＬバイアス層４、磁気分離層５、
ＦｅＮｉ層６及び保護層７が積層されてなる。ＳＡＬバ
イアス層４は、例えば、ＣｏＺｒＭｏ等の軟磁性膜から
なりＦｅＮｉ層６に対してバイアス磁界を印加するため
の層である。また、磁気分離層５は、例えば、タンタ
ル、アルミナ等の酸化物等の比較的高い比抵抗を有する
材料からなり、導体３からのセンス電流がＳＡＬバイア
ス層４に分流するのを防ぐための層である。ＦｅＮｉ層
６は、外部磁界の変化に応じてセンス電流に対する電気
抵抗を変化させる磁気抵抗効果能を有する層である。保
護層７は、例えば、タンタル、アルミナ等の酸化物等の
材料からなり、ＦｅＮｉ層６の酸化を防止するとともに
不測の磁界がＦｅＮｉ層６に印加することを防止するた
めの層である。
上の絶縁膜上に、ＳＡＬバイアス層４、磁気分離層５、
ＦｅＮｉ層６及び保護層７が積層されてなる。ＳＡＬバ
イアス層４は、例えば、ＣｏＺｒＭｏ等の軟磁性膜から
なりＦｅＮｉ層６に対してバイアス磁界を印加するため
の層である。また、磁気分離層５は、例えば、タンタ
ル、アルミナ等の酸化物等の比較的高い比抵抗を有する
材料からなり、導体３からのセンス電流がＳＡＬバイア
ス層４に分流するのを防ぐための層である。ＦｅＮｉ層
６は、外部磁界の変化に応じてセンス電流に対する電気
抵抗を変化させる磁気抵抗効果能を有する層である。保
護層７は、例えば、タンタル、アルミナ等の酸化物等の
材料からなり、ＦｅＮｉ層６の酸化を防止するとともに
不測の磁界がＦｅＮｉ層６に印加することを防止するた
めの層である。
【００１５】また、このＭＲヘッドにおいて、Ｃｏ系磁
区制御膜２ａ，２ｂは、下地層８及びＣｏ系磁石層９が
繰り返し積層されてなる。下地層８は、例えば、Ｃｒか
らなりＣｏ系磁石層９の磁気異方性を、ＭＲ素子１の面
内方法に誘導させるための層である。また、Ｃｏ系磁石
層９は、例えば、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ等からなり、
下地層８の制御により図１中Ａで示す方向に磁界を発生
させる層である。
区制御膜２ａ，２ｂは、下地層８及びＣｏ系磁石層９が
繰り返し積層されてなる。下地層８は、例えば、Ｃｒか
らなりＣｏ系磁石層９の磁気異方性を、ＭＲ素子１の面
内方法に誘導させるための層である。また、Ｃｏ系磁石
層９は、例えば、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ等からなり、
下地層８の制御により図１中Ａで示す方向に磁界を発生
させる層である。
【００１６】Ｃｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂは、下地層８
及びＣｏ系磁石層９が繰り返し積層されている。Ｃｏ系
磁石層９の厚みは、４０ｎｍである。具体的に、ＭＲ素
子１の厚みが８０ｎｍ程度である場合、下地層８の厚み
を１０ｎｍ及びＣｏ系磁石層９の厚みを４０ｎｍとし
て、それぞれ２層ずつ積層する。また、ＭＲ素子１の厚
みが１２０ｎｍ程度である場合、下地層８の厚みを１０
ｎｍ及びＣｏ系磁石層９の厚みを２０ｎｍとして、それ
ぞれ４層ずつ積層する。
及びＣｏ系磁石層９が繰り返し積層されている。Ｃｏ系
磁石層９の厚みは、４０ｎｍである。具体的に、ＭＲ素
子１の厚みが８０ｎｍ程度である場合、下地層８の厚み
を１０ｎｍ及びＣｏ系磁石層９の厚みを４０ｎｍとし
て、それぞれ２層ずつ積層する。また、ＭＲ素子１の厚
みが１２０ｎｍ程度である場合、下地層８の厚みを１０
ｎｍ及びＣｏ系磁石層９の厚みを２０ｎｍとして、それ
ぞれ４層ずつ積層する。
【００１７】このように構成されたＭＲヘッドでは、一
対のＣｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂ間に生じる磁界がＭＲ
素子１に印加された状態で、ＭＲ素子１が外部磁界を検
出する。このとき、ＭＲ素子１に対しては、一対の導体
３から一定の電流（センス電流）が供給される。ＭＲ素
子１は、外部磁界が印加されると、センス電流に対する
抵抗値を変化させる。したがって、ＭＲヘッドでは、Ｍ
Ｒ素子１の抵抗変化を、センス電流の電圧変化として感
知することができ、外部磁界を検出することができる。
対のＣｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂ間に生じる磁界がＭＲ
素子１に印加された状態で、ＭＲ素子１が外部磁界を検
出する。このとき、ＭＲ素子１に対しては、一対の導体
３から一定の電流（センス電流）が供給される。ＭＲ素
子１は、外部磁界が印加されると、センス電流に対する
抵抗値を変化させる。したがって、ＭＲヘッドでは、Ｍ
Ｒ素子１の抵抗変化を、センス電流の電圧変化として感
知することができ、外部磁界を検出することができる。
【００１８】このとき、一対のＣｏ系磁区制御膜２ａ，
２ｂにおいて、下地層８は、Ｃｏ系磁石膜９の磁気異方
性をＭＲ素子１の面内方向と平行な方向とするように制
御している。また、一対のＣｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂ
においては、下地層８及びＣｏ系磁石層９が繰り返し積
層されているため、単一のＣｏ系磁石層を使用する場合
と比較して個々のＣｏ系磁石層９が薄くなっている。
２ｂにおいて、下地層８は、Ｃｏ系磁石膜９の磁気異方
性をＭＲ素子１の面内方向と平行な方向とするように制
御している。また、一対のＣｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂ
においては、下地層８及びＣｏ系磁石層９が繰り返し積
層されているため、単一のＣｏ系磁石層を使用する場合
と比較して個々のＣｏ系磁石層９が薄くなっている。
【００１９】このため、Ｃｏ系磁石層９は、ＭＲ素子１
の面内方向と平行な方向における残留磁化（Ｍｒ）及び
保磁力（Ｈｃ）が優れた値を示す。ここで、Ｃｏ系磁石
層９の厚みと残留磁化（Ｍｒ）との関係を図２に示し、
Ｃｏ系磁石層９の厚みと保磁力（Ｈｃ）との関係を図３
に示す。
の面内方向と平行な方向における残留磁化（Ｍｒ）及び
保磁力（Ｈｃ）が優れた値を示す。ここで、Ｃｏ系磁石
層９の厚みと残留磁化（Ｍｒ）との関係を図２に示し、
Ｃｏ系磁石層９の厚みと保磁力（Ｈｃ）との関係を図３
に示す。
【００２０】これら図２及び図３から明らかなように、
Ｃｏ系磁石層９は、膜厚が薄いほど、面内方向に優れた
残留磁化（Ｍｒ）及び保磁力（Ｈｃ）を示している。特
に、Ｃｏ系磁石膜９の厚みが４０ｎｍ以下である場合に
は、残留磁化（Ｍｒ）及び保磁力（Ｈｃ）が顕著に優れ
ていることが解る。なお、上記Ｃｏ系磁石層９の厚みが
４０ｎｍであると記載しましたが、Ｃｏ系磁石層９の厚
みが５０ｎｍであっても効果が発生されます。
Ｃｏ系磁石層９は、膜厚が薄いほど、面内方向に優れた
残留磁化（Ｍｒ）及び保磁力（Ｈｃ）を示している。特
に、Ｃｏ系磁石膜９の厚みが４０ｎｍ以下である場合に
は、残留磁化（Ｍｒ）及び保磁力（Ｈｃ）が顕著に優れ
ていることが解る。なお、上記Ｃｏ系磁石層９の厚みが
４０ｎｍであると記載しましたが、Ｃｏ系磁石層９の厚
みが５０ｎｍであっても効果が発生されます。
【００２１】このように、このＭＲヘッドでは、Ｃｏ系
磁石膜９の厚みを小とすることができるため、優れた残
留磁化（Ｍｒ）及び保磁力（Ｈｃ）を達成することがで
き、その結果、図１中Ａで示す方向の磁界を良好に発生
させることができる。
磁石膜９の厚みを小とすることができるため、優れた残
留磁化（Ｍｒ）及び保磁力（Ｈｃ）を達成することがで
き、その結果、図１中Ａで示す方向の磁界を良好に発生
させることができる。
【００２２】このため、このＭＲヘッドでは、一対のＣ
ｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂ間に生ずる磁界によって、Ｍ
Ｒ素子１におけるＦｅＮｉ層６を確実に単磁区化するこ
とができる。したがって、このＭＲヘッドは、バルクハ
ウゼンノイズを防止することができ、再生波形が乱れる
ことなく良好な再生出力を得ることができる。したがっ
て、このＭＲヘッドは、非常に優れたＳ／Ｎを示すもの
となる。
ｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂ間に生ずる磁界によって、Ｍ
Ｒ素子１におけるＦｅＮｉ層６を確実に単磁区化するこ
とができる。したがって、このＭＲヘッドは、バルクハ
ウゼンノイズを防止することができ、再生波形が乱れる
ことなく良好な再生出力を得ることができる。したがっ
て、このＭＲヘッドは、非常に優れたＳ／Ｎを示すもの
となる。
【００２３】これに対して、Ｃｏ系磁区制御膜２ａ，２
ｂを単層のＣｏ系磁石膜から構成した場合、Ｃｏ系磁石
膜の厚みが増加するため、図２及び図３にも示したよう
に、面内方向の残留磁化（Ｍｒ）及び保磁力（Ｈｃ）が
劣化してしまう。これは、Ｃｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂ
がＭＲ素子１の垂直方向と平行な方向に磁気異方性を示
すこととなるため、ＦｅＮｉ層６を単磁区化することが
困難となる。したがって、Ｃｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂ
を単層のＣｏ系磁石膜とした場合には、ノイズ成分が増
大してしまい、優れたＳ／Ｎを達成することができない
のである。
ｂを単層のＣｏ系磁石膜から構成した場合、Ｃｏ系磁石
膜の厚みが増加するため、図２及び図３にも示したよう
に、面内方向の残留磁化（Ｍｒ）及び保磁力（Ｈｃ）が
劣化してしまう。これは、Ｃｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂ
がＭＲ素子１の垂直方向と平行な方向に磁気異方性を示
すこととなるため、ＦｅＮｉ層６を単磁区化することが
困難となる。したがって、Ｃｏ系磁区制御膜２ａ，２ｂ
を単層のＣｏ系磁石膜とした場合には、ノイズ成分が増
大してしまい、優れたＳ／Ｎを達成することができない
のである。
【００２４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、Ｃｏ系磁区制御膜を
下地層とＣｏ系磁石層とを繰り返し積層してなるため、
磁気抵抗効果膜を単磁区化するための磁界を確実に生じ
させることができる。このため、この磁気抵抗効果型磁
気ヘッドは、ノイズの発生を防止することができ、図ぐ
れたＳ／Ｎを実現することができる。
係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、Ｃｏ系磁区制御膜を
下地層とＣｏ系磁石層とを繰り返し積層してなるため、
磁気抵抗効果膜を単磁区化するための磁界を確実に生じ
させることができる。このため、この磁気抵抗効果型磁
気ヘッドは、ノイズの発生を防止することができ、図ぐ
れたＳ／Ｎを実現することができる。
【図１】本発明に係るＭＲヘッドの要部断面図である。
【図２】Ｃｏ系磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ）の厚みと残留磁
化（Ｍｒ）との関係を示す特性図である。
化（Ｍｒ）との関係を示す特性図である。
【図３】Ｃｏ系磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ）の厚みと保磁力
（Ｈｃ）との関係を示す特性図である。
（Ｈｃ）との関係を示す特性図である。
【図４】従来の磁気ヘッドの要部断面図である。
１ ＭＲ素子 ２ａ，２ｂ Ｃｏ系磁区制御膜層 ３ 導体 ４ ＳＡＬバイアス層 ５ 磁気分離層 ６ ＦｅＮｉ層 ７ 保護層 ８ 下地層 ９ Ｃｏ系磁石層
Claims (2)
- 【請求項１】 外部磁界の変化をセンス電流に対する電
気抵抗変化として感知する磁気抵抗効果を示す磁気抵抗
効果膜と、 上記磁気抵抗効果膜の両端に位置するとともに下地層と
Ｃｏ系磁石膜とが繰り返し積層されてなるＣｏ系磁区制
御膜とを備え、 上記Ｃｏ系磁区制御膜は、上記磁気抵抗効果膜に対して
面内方向の磁化を印加することを特徴とする磁気抵抗効
果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上記磁気抵抗効果膜は、磁気分離層を介
して軟磁性膜と積層されたものであることを特徴とする
請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000256716A JP2002074620A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000256716A JP2002074620A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002074620A true JP2002074620A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18745281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000256716A Pending JP2002074620A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002074620A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005024861A1 (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 磁気バイアス膜およびこれを用いた磁気センサ |
| JP2006510208A (ja) * | 2002-12-17 | 2006-03-23 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 磁気抵抗性の多層デバイスおよびセンサエレメント |
-
2000
- 2000-08-28 JP JP2000256716A patent/JP2002074620A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006510208A (ja) * | 2002-12-17 | 2006-03-23 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 磁気抵抗性の多層デバイスおよびセンサエレメント |
| JP2010153895A (ja) * | 2002-12-17 | 2010-07-08 | Robert Bosch Gmbh | 磁気抵抗性の多層デバイスおよびセンサエレメント |
| WO2005024861A1 (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 磁気バイアス膜およびこれを用いた磁気センサ |
| US7400143B2 (en) | 2003-09-05 | 2008-07-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic bias film and magnetic sensor using the same |
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