JP2002071501A - 半導体式センサの検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体ウエハ上の分割前のセンサチップに対し
て、安価で簡単な装置で同時にバーンインや特性調整が
行える検査装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ２６上にスクライブエリア
１２によって多数区画形成された分割前のセンサチップ
１が設けてある。スクライブエリアには、検査用の電源
線９と信号線１１とが形成される。電源線がスイッチン
グ素子５を介して各センサチップ１の電源端子４に接続
され、信号線１１がスイッチング素子７を介して各セン
サチップ１の信号出力端子６に接続される。電源線９を
介してバーンイン電源が各センサチップ１に与えられ、
信号線１１を介して出力が取り出され、信号出力端子６
は、ＸＹの座標指定により選択される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は物理量を検出するセ
ンサ、例えば自動車のエンジン制御等に使用される圧力
センサ等、半導体式センサの検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の圧力センサの例としては、特公平
７−５０７８９号公報に記載の圧力センサなどがある。
これは半導体基板上に圧力を検知するセンサ素子がマイ
クロマシニング加工により形成され、センサ素子と信号
処理回路とが同一チップ上に集積化して製造可能な構成
となっている。

【０００３】CMOS回路を用いた半導体式センサ、特に自
動車用等の高信頼性を求められる半導体の製造プロセス
過程では、ゲート酸化膜等の不良を取り除くことを目的
に、高電圧、高温度印加状態でスクリーニングを行うバ
ーンイン工程が必須となっている。

【０００４】バーンイン工程は、センサチップに通常の
電源電圧よりも大きな電圧（検査用電圧）を高温雰囲気
でかけるものであり、これにより欠陥のあるセンサチッ
プについては予め破壊させて取り除こうとするものであ
る。

【０００５】更に、センサ素子の製造バラツキを補償す
るため、入出力特性が一致するように個々のセンサIC毎
に特性調整を行う必要がある。しかしながら、このバー
ンイン工程と特性調整工程はチップ切断後、パッケージ
に組み込んでから行っているのが現状である。

【０００６】通常の半導体製造工程では、ダイシング前
のウエハを載せたステージを移動しながら、オートプロ
ーバによって各ICチップ毎にプロービングを繰り返し、
特性検査選別を行っている。このように通常の工程と同
様にウエハ状態で作業が完了できると、製造時間的にも
装置コスト的にも少なくてすみ、従って製品コスト的に
メリットが大きい。

【０００７】このウエハ上での特性検査方法と同様の方
法でバーンインと特性調整を行うことも考えられるが、
以下の問題があり実現が容易ではない。

【０００８】通常のプロービング方式でウエハバーンイ
ンを行うことを考えると、バーンインには通常１チップ
当たり数時間〜十数時間の時間がかかるため、全チップ
を完了するには膨大な時間が費やされるという問題があ
る。また、特性調整を考えた場合、プロービングしたま
まの状態で圧力等の外力（測定したい物理量）を印加し
ながら特性を測定し、調整作業を行わなければならない
ため、装置が大がかりなものとなり、実現が難しい。

【０００９】これまでは、ウエハ上にセンサ素子と信号
検出回路を形成し、各チップにダイシングを行い、パッ
ケージにセンサICを実装後に個別にバーンインや特性調
整を行っていたため、バーンイン装置や調整装置が大規
模になり、且つ製造時間が増加していた。

【００１０】以上のような事情を配慮して、例えば、特
開昭６２−２８３６４１号公報、特開平８−５５８８４
号公報、特開平１１−３５４７２１号公報などに開示さ
れるように、多数の分割前のチップがダイシングライン
（スクライブエリア）により区画形成された半導体ウエ
ハにおいて、そのダイシングラインにバーンイン電圧を
供給する電源線を形成して、各半導体チップにバーンイ
ン電圧を同時に印加する技術が提案されている。この従
来技術は、バーンインの結果については、センサチップ
ごとに個々の出力端子からモニタしている。

【００１１】また、特開平８−３０６７４７号公報に開
示されるように、半導体装置の検査に用いるプローブカ
ードを利用して、半導体ウエハのチップの縦一列ずつに
入力信号線を介してバーンイン電圧を供給し、その出力
を横一列ずつの出力ラインを介して取り出してチップご
とに信号モニタする技術が提案されている。

【００１２】本発明の目的は、上記従来方式より進んだ
検査方式を提供しようとするものであり、特に、簡単な
装置により、半導体ウエハ上の分割前の全てのセンサチ
ップに同時に検査用の電源（例えばバーンイン電圧）を
供給したり特性調整が行なえるようにし、さらに、その
検査結果を共通の信号モニタ端子を介して選択的に知り
得ることができる半導体センサの検査装置を提供するこ
とにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、半導体式
センサを検査する装置において、被検査対象となる前記
半導体式センサは、半導体ウエハ上にスクライブエリア
によって多数区画形成された分割前のセンサチップであ
り、前記各センサチップには、物理量を検知するセンサ
素子及び信号処理回路が形成されており、前記スクライ
ブエリアには、検査用の電源線と信号線とが形成され、
前記電源線がスイッチング素子を介して前記各センサチ
ップの電源端子に接続され、前記信号線がスイッチング
素子を介して前記各センサチップの信号出力端子に接続
され、前記スイッチング素子は、前記各センサチップ内
に設けられ、前記半導体ウエハにおけるセンサチップ形
成領域周辺の空きスペースに、前記各センサチップに共
通の検査用電源供給端子と、前記各センサチップ共通の
検査用信号モニタ端子とを設け、前記共通の検査用電源
供給端子が前記電源線に接続され、前記共通の検査用信
号モニタ端子が前記信号線に接続され、且つ前記半導体
ウエハは、前記センサチップの信号出力端子をＸＹの座
標指定により選択する信号出力選択回路を備えているこ
とを特徴とする。

【００１４】第２の発明は、半導体式センサを検査する
装置において、被検査対象となる前記半導体式センサ
は、上記同様であり、検査装置として、次のような検査
用半導体ウエハを用いる。

【００１５】すなわち、検査器として、前記半導体ウエ
ハに対向状態で重ね合わせて使用する検査用半導体ウエ
ハを備え、前記検査用半導体ウエハには、前記各センサ
チップの電源パッドに接触可能に配置された検査用電源
パッドと、前記各センサチップの信号出力パッドに接触
可能に配置された検査用信号出力パッドと、検査用の電
源を印加するための前記各センサチップ共通の検査用電
源供給端子と、前記各センサチップ共通の検査用信号モ
ニタ端子と、前記共通の検査用電源供給端子と前記検査
用電源パッドとを接続する電源線と、前記共通の検査用
信号モニタ端子と前記検査用信号出力パッドとを接続す
る信号線と、前記検査用信号出力パッドをＸＹの座標指
定により選択する信号出力選択回路とを備えていること
を特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例を示
す部分平面図、図２はその全体を示す概略平面図であ
る。

【００１７】半導体ウエハ２６上には、分割前の多数の
センサチップ１がスクライブエリア１２によりマトリク
ス状に区画形成されている。

【００１８】各半導体センサチップ１には、圧力等の物
理量を検出する検出素子２、検出素子２からの信号を処
理する信号処理回路３、信号処理回路３に電源を供給す
るための電源パッド（電源端子）４、信号処理回路３か
らの出力信号を取り出すための信号出力パッド（信号出
力端子）６、各電源パッド４とスクライブエリア１２に
形成された電源線９との間の引込み線９ａ上に設けられ
たスイッチング素子５と、各信号出力パッド６とスクラ
イブエリア１２に形成された信号線１１との間の引込み
線１１ａ上に設けられたスイッチング素子７と、これら
のスイッチング素子の状態を設定するためのメモリ素子
１３，１４が配設されている。

【００１９】スクライブエリア１２には、各センサチッ
プ１の信号を選択するためのセレクタ８、バーンインな
どの検査用電源を各センサチップに同時に供給するため
の検査用電源線９、Ｘデコーダ２２によりセンサチップ
１のうち縦一列のセンサチップのセレクタ８を選択する
制御線１０、Ｙスイッチ２４により選択される検査用の
信号線１１がある。

【００２０】図２にウエハ２６上のチップ配置イメージ
とスクライブエリア１２の配線イメージを示す。

【００２１】各センサチップ１の電源パッド４は、最終
的製品としては、ワイヤボンディングを介して駆動電源
を供給するための電源端子であるが、分割前の製造プロ
セス工程では、バーンイン電源供給用として使用される
ものであり、そのために、スイッチング素子５及び引込
み線９ａを介してスクライブエリアの検査用電源線９に
接続されている。また、信号出力パッド６も、最終的製
品としては、ワイヤボンディングを介して本来のセンサ
信号を出力する出力端子として使用されるものである
が、製造プロセスにおいては、検査及び特性調整の信号
出力端子として使用するために、スイッチング素子７，
引込み線１１ａ及びセレクタ８を介してスクライブエリ
ア１２に設けた信号線１１に接続される。

【００２２】更に、ウエハ２６のセンサチップ形成領域
の周辺部（ウエハの空き領域）には各センサチップに共
通の検査用電源供給端子２１と、各センサチップの信号
引込み線１１ａをセレクタ８を介して選択するためのＸ
デコーダ２２と、外部からＸデコーダ制御信号を入力す
るデコーダ入力端子２３と、上記Ｘデコーダ２２と協働
して各センサチップ１の信号出力パッド６を選択するＹ
スイッチ２４と、各センサチップ１に共通の検査用信号
モニタ用端子２５がレイアウトされている。Ｘデコーダ
２２及び及びＹスイッチ２４が各センサチップ１の信号
出力パッド６をＸＹの座標指定により選択する信号出力
選択回路を構成する。

【００２３】電源線９は、検査用電源供給端子２１に接
続され、セレクタ制御線１０は、Ｘデコーダ回路２２に
接続され、信号線１１は、Ｙスイッチ回路２４に接続さ
れている。

【００２４】検査用の電源供給端子２１に外部からバー
ンイン用の電源を供給すると、各スイッチング素子５を
閉じた状態にしておくことによって、ウエハ２６にレイ
アウトされた各センサチップ１に電源が供給される。

【００２５】電源供給端子２１は、チップを配置できな
いウエハ周縁寄りの空きスペース（捨てスペース）にレ
イアウトされるため、パッドサイズを比較的大きく設定
可能（0.02ｍｍ²以上）である。

【００２６】このため、チップごとに配したパッドに直
接プロービングして電源を供給する場合に比べ、容易に
接触ピン等によって給電可能であるという効果がある。
なお、アース線は本実施例からは省略したが、電源供給
と同様な方法で配線を行っても良いし、半導体基板２６
の裏面から直接アースをとることも可能である。

【００２７】また、あるチップが短絡モード故障してい
た場合、短絡電流が流れ、他の正常なセンサチップにバ
ーンイン用電源電圧が正しく印加されないことが考えら
れるが、本実施例に示したようにスイッチ５を介して各
センサチップに電源が供給されているため、故障チップ
のスイッチを開放状態にすることによって異常チップへ
の電流供給を遮断でき、他の正常チップへの悪影響を排
除可能であるという効果がある。

【００２８】更に、チップ１をダイシングした際、チッ
プ端面に電源線９の配線材が残るため、基板２６と電気
的に短絡する可能性がある。これを防止するため、チッ
プ１をダイシングした後はメモリ素子１３の情報を書き
換えることによって、全てのチップについてこのスイッ
チ５を開放状態とすれば、上記短絡の心配はなくなると
いう効果もある。

【００２９】このメモリ素子は例えば、EPROMやRAM等の
半導体メモリでも良いし、ポリシリコンヒューズやツェ
ナーザッピングによるROMを用いても良い。この場合、
一般的な半導体製造プロセスで容易に形成可能であると
いう効果がある。 また、レーザービームによる配線切
断によってメモリ情報を作ることも可能である。この場
合、チップの製造プロセスは何も変更なしに製造可能で
あるという効果がある。

【００３０】バーンイン中において、信号パッド６から
の信号は、チップ１内のスイッチング素子７及びスクラ
イブエリア１２に設けたセレクタ回路８を通して信号線
１１に出力される。セレクタ回路８は、Ｘデコーダ２２
からのセレクタ制御線１０によりＸ方向の一列が選択さ
れ、このセレクタ回路８の選択とＹスイッチ２４による
よる信号線１１の選択とにより１つのチップ１の信号が
選択され、この信号がＹスイッチ２４を介して検査用信
号モニタ端子２５から取り出せるようにしてある。

【００３１】セレクタ制御線１０の選択は、チップ切り
替え信号印加用端子２３からのシリアル信号をＸデコー
ダ２２が受け取ることにより行なわれる。

【００３２】なお、チップ切り替え信号印加用端子２３
と検査用信号モニタ端子２５は、検査用電源供給端子２
１と同様にチップ形成領域周辺の空きスペースに配置さ
れるために、比較的大きなパッドサイズにすることがで
き、簡単な装置で容易に信号を入出力可能である。この
ような構成とすることによってバーンイン中の全てのチ
ップの信号を選択的に簡単にモニターすることが可能で
あり、バーンイン中の不良発生状況を容易に検出可能で
あるという効果がある。

【００３３】また、圧力等の物理量を検出素子２に印加
しながらセンサチップの信号をモニターすることも可能
であり、出力調整をウエハ状態で行うことが可能とな
り、大幅な効率化が図れるという効果がある。

【００３４】このウエハ上での各チップの信号取り出し
の場合において、あるチップが短絡モードで故障してい
る場合には、前記した電源供給の場合と同様に、故障チ
ップのスイッチング素子７を開放状態にすることによっ
て、他の正常チップへの悪影響を排除できる効果があ
る。

【００３５】更に、各センサチップ１をダイシングした
際のチップ端面での短絡を防止するため、ダイシング後
はメモリ素子１４の情報を書き換えることによって、全
てのチップについてこのスイッチング素子７を開放状態
とすることで短絡を防止するという効果もある。このメ
モリ素子１４も電源用のものと同様の構成が考えられ、
同様の効果がある。

【００３６】図３に本実施例におけるウエハ１上の多数
のチップ１（ここではI1aからIijにより示す）の中から
任意のチップの信号パッドを選択する場合の模式図を示
す。

【００３７】各チップI1aからIijはマトリクス状にレイ
アウトされており、これまで説明した回路に従い検査用
電源供給端子２１からバーンイン電源が供給される。

【００３８】Ｘデコーダ２２からの制御信号によって、
各チップの信号線に直列に接続されたS1aからSijのセレ
クタ（図１のセレクタ８に相当する）が制御される。こ
のうちＹスイッチ２４によって選択された１つのチップ
の信号が信号モニター用端子２５につながり、取り出さ
れる。

【００３９】以上のような簡単な信号セレクター回路構
成によってウエハ上の特定のチップの情報を少ない端子
数でアクセス可能になる効果がある。

【００４０】図４にセレクタ回路８の素子部の１実施例
を示す。セレクタ回路８は、MOSトランジスタ形のスイ
ッチ４１，４２、インバータ１１等のアナログスイッチ
Ｓ１で構成される。本実施例のようなコンプリメンタリ
型のアナログスイッチを構成することによって、信号デ
ータが電源電圧範囲とほぼ同様の範囲まで変化するよう
なアナログ信号であっても、確実に信号を伝達可能であ
るという効果がある。

【００４１】図５に上記半導体ウエハ上に形成されたセ
ンサ検査装置に適用するバーンイン、圧力特性測定装置
の１実施例を示す。

【００４２】本装置は、バーンイン電源印加ピン５１，
チップ切り替え信号入力ピン５９，信号モニタ用ピン５
２を備えたチャンバ５３を本体とし、チャンバ５３内に
上記した半導体ウエハ２６を設置している。

【００４３】チャンバ５３はウエハ２６の固定と裏面か
らの電気的接地を兼用している。バーンイン電源等の電
源印加ピン５１、信号モニタ用ピン５２、切り替え信号
入力ピン５９は、ハーメチックシール５４等で絶縁固定
されている。これらのピンは、それぞれチャンバ５３外
部に設けた電源５５とマルチメータ５８、信号発生器６
０と電気的に接続可能である。電源印加ピン５１は、ウ
エハ２６上の検査用電源供給端子２１に接触し、信号モ
ニタ用ピン５２は、ウエハ２６上の検査用信号モニタ端
子２５に接触し、切り替え信号入力ピン５９は、ウエハ
２６上のチップ切り替え信号印加用端子２３に接触し
て、バーンイン電源供給や信号の取出し或いはチップ選
択を可能にしている。

【００４４】チャンバ５３には、圧力導入孔５６が引き
出され、ポンプ５７によってチャンバ内の圧力を変化さ
せることができる。このチャンバ５３はウエハ２６を包
括できる程の大きさであればよく、比較的小さなものと
なる。このため、このチャンバごと恒温層に投入でき、
ウエハにレイアウトされたセンサチップ（約数１００か
ら数１０００個）が同時に、バーンインと圧力を変えな
がらの出力調整や温度を変えながらの出力調整を、短時
間で簡単に、且つ安価に実現できるという効果がある。

【００４５】図６に本発明のセンサチップを用いた場合
の製造プロセスを示す。通常のトランジスタ等の半導体
素子を形成するウエハ製造プロセスが完了した後、前記
ウエハバーンイン、特性調整装置（例えば図５の装置）
にウエハをセットする。

【００４６】この状態で、高電圧、高温度状態を数時間
から十数時間保持することでバーンインが完了する。こ
の間、ウエハ上のチップの故障は前記信号モニタ端子２
５を用いて確認可能である。その後、チャンバ５３内の
圧力や温度を変化させ、各センサチップの特性バラツキ
を補償するための出力調整データを信号モニタ端子２５
を使って取得する。

【００４７】更にチャンバ５３からウエハを取り出し、
通常の半導体製品と同様に各チップのパッドにプロービ
ングし、検査を行う際に、前記工程で取得した調整デー
タを各チップに書き込み、端子の短絡処理のためのスイ
ッチ開放処理を行いプロービング試験を終了させる。そ
の後、各チップにダイシングし、工程が完了する。

【００４８】以上のようなプロセスにすることによって
チップのバーンインから調整データ取得、プロービング
検査、出力調整までを一貫したラインでウエハ状態で処
理可能となるため、大幅な工程簡略化が図られるという
効果がある。

【００４９】図７に本発明のセンサチップの他の実施例
を示す。

【００５０】本実施例において、前記した実施例と同一
符号は同一要素を示すものである。

【００５１】本実施例では、各チップの引き込み線９
ａ，１１ａにそれぞれ２個のパッド４ａ，４ｂとパッド
６ａ，６ｂを配置したものである。直列配置の電源パッ
ド４ａ，４ｂ間にスイッチング素子５が配置され、直列
配置の信号出力パッド５ａ，５ｂ間にスイッチング素子
７が配置されている。

【００５２】このようにすることによって、スイッチン
グ素子５、７をポリシリコンヒューズ等の電流、電圧印
加で開放処理をする場合に、確実に開放処理が行えると
いう効果がある。

【００５３】図８，図９に本発明の他の実施例を示す。

【００５４】本実施例は、請求項２に係る発明の具体的
態様例である。図９にその検査用半導体ウエハ（プロー
ビングウエハ）８２の平面図を示し、図８にこの検査用
ウエハ８２を用いて被検査対象となる半導体ウエハ８１
をバーンイン検査や特性検査する装置の一例を示す。

【００５５】図８において、プロービングウエハ８２
は、被検査対象の半導体ウエハ８１に対向状態で重ね合
わせて使用するものである。被検査対象の半導体ウエハ
８１は、スクライブエリアによって多数区画形成された
分割前のセンサチップを備えており、前記各センサチッ
プには、図１同様に物理量を検知するセンサ素子及び信
号処理回路が形成されている。

【００５６】図９に示すように、プロービングウエハ８
２には、前記各センサチップの電源パッド（図１の電源
パッド４に相当）に接触可能に配置された検査用電源パ
ッド８５ａと、前記各センサチップの信号出力パッド
（図１の信号出力パッド６に相当）に接触可能に配置さ
れた検査用信号出力パッド８５ｂと、検査用の電源を印
加するための前記各センサチップ共通の検査用電源供給
端子８３と、前記各センサチップ共通の検査用信号モニ
タ端子８４と、共通の検査用電源供給端子８３と検査用
電源パッド８５ａとを接続する電源線８８と、共通の検
査用モニタ端子８４と検査用信号出力パッド８５ｂとを
接続する信号線８９と、検査用信号出力パッド８５ｂを
ＸＹの座標指定により選択する信号出力選択回路（Ｘデ
コーダ９４、Ｙスイッチ９５）とを備えている 電源供給端子８３と信号モニタ用端子８４とチップ切り
替え信号印加用端子９３とＸデコーダ９４とＹスイッチ
９５とが、上記した被検査対象の半導体ウエハ８１の空
きスペースに対向する位置（ウエハ周縁寄りの３辺のス
ペース）に配置されている。

【００５７】また、検査用電源パッド８５ａ、検査用信
号出力パッド８５ｂは、丁度被検査ウエハの対応する端
子（図示省略）とミラー反転された位置にレイアウトさ
れている。このパッド８５ａ，８５ｂには、電源制御回
路９１、信号制御回路９２がレイアウトされ、それぞれ
電源供給回路やチップ故障時の電源遮断回路、信号遮断
回路や信号切り替え回路等の機能をなして、チップ個別
のデータをアクセス可能になっている。

【００５８】図８における測定用チャンバ１００には、
上記プロービングウエハ８２と被検査用のウエハ８１と
が重ね合わせて配置されている。この場合、被検査用ウ
エハ８１がプロービングウエハ８２上に押さえジグ８６
と押さえバネ８７ａ，８７ｂによってばね荷重を与えら
れてセットされる。

【００５９】プロービングウエハ８２の接触用端子８５
（検査用電源パッド８５ａ，検査用信号出力パッド８５
ｂ）が被検査用の対応の電源パッド及び出力パッドに接
触することで、プロービングウエハ８２から被検査用ウ
エハ８１の各センサチップにバーンイン電源を同時に供
給可能になり、また、出力調整のモニタも可能になる。

【００６０】すなわち、図８に示すように検査用の電源
印加ピン１０１がプロービングウエハ８２に設けた検査
用電源供給端子８３に接触して、検査用の電源線８８及
び電源パッド８５ａを介して被検査用ウエハ８１の各セ
ンサチップにバーンイン電源や調整用の電源が供給され
る。５５は外部電源である。

【００６１】一方、被検査用ウエハ８１の各センサチッ
プの出力端子のモニタは、プロービングウエハ８２に設
けたＸデコーダ９４によるセレクタ制御線９６の選択、
及びＹスイッチ９５による信号線８９の選択により一つ
が選ばれ、その出力信号が共通のモニタ端子８４及び信
号出力ピン１０２を介して出力され、マルチメータ５８
により測定される。

【００６２】Ｘデコーダ９４を制御するための信号モニ
タ用端子９３にも外部からの信号供給用ピン（図面には
レイアウト上記載されていないが）と接触する。

【００６３】以上のように構成することにより、被検査
用ウエハには特別な配慮をしなくても、プロービング用
ウエハを用いることで容易にバーンインや出力調整が行
える効果がある。

【００６４】なお、これまで圧力センサを例にとって説
明を行ったが、この考えを利用して加速度や温度、位置
センサ，空気流量等様々なセンサに応用可能であること
は言うまでもない。

【００６５】上記各実施例によれば、ウエハ状態でバー
ンイン作業と出力調整作業が行え、センサチップの製造
工程が簡略化されるという効果がある。また、これまで
のバーンイン装置や出力調整装置はパッケージに組み込
んだ後での作業であったために、複雑であり装置が大が
かりなものとなっていたが、本発明によってウエハを包
括できる程度の小さなチャンバーと恒温層のみで実現で
きるため、装置コストが大幅に低減できるという効果も
ある。

【００６６】更に、ウエハ上でチップの良否判定が行え
るため、これまでのパッケージに組み込んでから不良品
を排除していた場合に比べ、不良品に費やされるコスト
が大幅に低減可能であるという効果もある。

【００６７】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、簡単な
装置により、半導体ウエハ上の分割前の全てのセンサチ
ップに同時に検査用の電源（例えばバーンイン電圧）を
供給したり特性調整が行なえるようにし、さらに、その
検査結果を共通の信号モニタ端子を介して選択的に知り
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す部分平面図。

【図２】上記実施例の全体構成を示す概略平面図。

【図３】上記実施例のセンサチップをセレクトする場合
の回路模式図。

【図４】上記実施例に用いるセレクター素子の回路構成
図。

【図５】上記実施例の半導体ウエハを測定装置にセット
した場合の断面概略図。

【図６】上記実施例に係る半導体センサチップの製造プ
ロセスを示す図。

【図７】本発明の第２の実施例に係る部分平面図。

【図８】本発明の第３実施例に係り、そのプロービング
用ウエハを用いて被検査対象となる半導体ウエハを検査
している状態を示す断面概略図。

【図９】上記プロービング用ウエハの構成を示す平面
図。

【符号の説明】

１…センサチップ、２…検出素子、３…信号処理回路、
４…電源パッド（電源端子）、５、７…スイッチング素
子、６…信号出力パッド（信号出力端子）、８…セレク
タ素子、９…電源線、１０…セレクタ制御線、１１…信
号線、１２…スクライブエリア、２１…検査用電源供給
端子、２２…Ｘデコーダ、２４…Ｙスイッチ、２５…検
査用信号モニタ端子、２６…ウエハ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 嶋田 智 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 小町谷 昌宏 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 宮崎 敦史 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器グループ内 (72)発明者 助迫 浩康 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器グループ内 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC60 DD04 EE40 FF49 GG01 HH19 2G032 AB02 AK02 4M106 AA01 AA02 AC05 BA14 CA56 DJ32 4M112 AA01 DA17 EA02 GA03

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体式センサを検査する装置におい
   て、被検査対象となる前記半導体式センサは、半導体ウ
   エハ上にスクライブエリアによって多数区画形成された
   分割前のセンサチップであり、前記各センサチップに
   は、物理量を検知するセンサ素子及び信号処理回路が形
   成されており、 前記スクライブエリアには、検査用の電源線と信号線と
   が形成され、前記電源線がスイッチング素子を介して前
   記各センサチップの電源端子に接続され、前記信号線が
   スイッチング素子を介して前記各センサチップの信号出
   力端子に接続され、前記スイッチング素子は、前記各セ
   ンサチップ内に設けられ、 前記半導体ウエハにおけるセンサチップ形成領域周辺の
   空きスペースに、前記各センサチップに共通の検査用電
   源供給端子と、前記各センサチップ共通の検査用信号モ
   ニタ端子とを設け、前記共通の検査用電源供給端子が前
   記電源線に接続され、前記共通の検査用信号モニタ端子
   が前記信号線に接続され、 且つ前記半導体ウエハは、前記センサチップの信号出力
   端子をＸＹの座標指定により選択する信号出力選択回路
   を備えていることを特徴とする半導体式センサの検査装
   置。
2. 【請求項２】 半導体式センサを検査する装置におい
   て、被検査対象となる前記半導体式センサは、半導体ウ
   エハ上にスクライブエリアによって多数区画形成された
   分割前のセンサチップであり、前記各センサチップに
   は、物理量を検知するセンサ素子及び信号処理回路が形
   成されており、 検査器として、前記半導体ウエハに対向状態で重ね合わ
   せて使用する検査用半導体ウエハを備え、 前記検査用半導体ウエハには、前記各センサチップの電
   源パッドに接触可能に配置された検査用電源パッドと、
   前記各センサチップの信号出力パッドに接触可能に配置
   された検査用信号出力パッドと、検査用の電源を印加す
   るための前記各センサチップ共通の検査用電源供給端子
   と、前記各センサチップ共通の検査用信号モニタ端子
   と、前記共通の検査用電源供給端子と前記検査用電源パ
   ッドとを接続する電源線と、前記共通の検査用信号モニ
   タ端子と前記検査用信号出力パッドとを接続する信号線
   と、前記検査用信号出力パッドをＸＹの座標指定により
   選択する信号出力選択回路とを備えていることを特徴と
   する半導体式センサの検査装置。
3. 【請求項３】 前記信号出力選択回路は、Ｘデコーダ及
   びＹスイッチ回路よりなる請求項１又は２記載の半導体
   式センサの検査装置。