JP2002069011A - テトラシクロドデセン誘導体組成物 - Google Patents
テトラシクロドデセン誘導体組成物Info
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- JP2002069011A JP2002069011A JP2000254722A JP2000254722A JP2002069011A JP 2002069011 A JP2002069011 A JP 2002069011A JP 2000254722 A JP2000254722 A JP 2000254722A JP 2000254722 A JP2000254722 A JP 2000254722A JP 2002069011 A JP2002069011 A JP 2002069011A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 オレフィン、シクロペンタジエンおよび／ま
たはジシクロペンタジエン場合により特定構造のノルボ
ルネン誘導体を加熱反応させ、原料を回収、再使用して
製造し、臭気を低減したテトラシクロドデセン誘導体組
成物を提供することである。 【解決手段】 テトラシクロドデセン誘導体中にノルボ
ルナン誘導体含有量を特定量以下に低減することにより
臭気を低減し、またこれを重合して得たポリマーの臭気
を改善し、耐光性、耐候性を向上することができる。
たはジシクロペンタジエン場合により特定構造のノルボ
ルネン誘導体を加熱反応させ、原料を回収、再使用して
製造し、臭気を低減したテトラシクロドデセン誘導体組
成物を提供することである。 【解決手段】 テトラシクロドデセン誘導体中にノルボ
ルナン誘導体含有量を特定量以下に低減することにより
臭気を低減し、またこれを重合して得たポリマーの臭気
を改善し、耐光性、耐候性を向上することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はテトラシクロドデセ
ン誘導体の組成物に関するものである。
ン誘導体の組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】優れた光学特性、高透明性や耐熱性、吸
油性を有するポリマーとしてシクロオレフィン（コ）ポ
リマーは注目されており、その原料としてテトラシクロ
ドデセン類に代表される環状オレフィンは有用である。
これらの環状オレフィンは、一般には有機金属錯体触媒
を用いる重合に供されるが、これらの重合はチグラー触
媒やメタロセン触媒を用いる環状オレフィンのオレフィ
ン部位での単独重合、あるいは低級α−オレフィンとの
共重合と、カルベン型錯体を使用したメタセシス重合の
二つの重合形式に大別される。アルキルテトラシクロド
デセンの代表であるテトラシクロドデセンの製造方法と
しては、シクロペンタジエン（以下、ＣＰＤと称するこ
とがある）、ジシクロペンタジエン（以下、ＤＣＰＤと
称することがある）またはこれらの混合物、ノルボルネ
ンおよびエチレンを加熱混合することによりテトラシク
ロドデセンとノルボルネンを含む反応混合液が製造さ
れ、その際ノルボルネンは回収、循環させる方法が例示
されている。またエチレンの代わりに他のオレフィン、
例えばプロピレンを用いるとメチルテトラシクロドデセ
ンのようなアルキルテトラシクロドデセンが得られる。
この方法は、たとえば、特開平３−１２８３３３号公
報、特開平６−９４３７号公報、特開平６−７２９０９
号公報等により提案されている。そして、これらの方法
では、いずれも、具体的態様としては、エチレン、ＤＣ
ＰＤおよびノルボルネンの混合物を反応させ、反応器か
ら得られた反応混合物を冷却後、脱圧分離し、その後の
精製工程において、ノルボルネンおよびジシクロペンタ
ジエンを分離回収し、これを循環、再使用する態様が開
示されている。しかし、これらのテトラシクロドデセン
誘導体を重合させて得られたポリマーは臭気などにおい
て問題がある場合があった。
油性を有するポリマーとしてシクロオレフィン（コ）ポ
リマーは注目されており、その原料としてテトラシクロ
ドデセン類に代表される環状オレフィンは有用である。
これらの環状オレフィンは、一般には有機金属錯体触媒
を用いる重合に供されるが、これらの重合はチグラー触
媒やメタロセン触媒を用いる環状オレフィンのオレフィ
ン部位での単独重合、あるいは低級α−オレフィンとの
共重合と、カルベン型錯体を使用したメタセシス重合の
二つの重合形式に大別される。アルキルテトラシクロド
デセンの代表であるテトラシクロドデセンの製造方法と
しては、シクロペンタジエン（以下、ＣＰＤと称するこ
とがある）、ジシクロペンタジエン（以下、ＤＣＰＤと
称することがある）またはこれらの混合物、ノルボルネ
ンおよびエチレンを加熱混合することによりテトラシク
ロドデセンとノルボルネンを含む反応混合液が製造さ
れ、その際ノルボルネンは回収、循環させる方法が例示
されている。またエチレンの代わりに他のオレフィン、
例えばプロピレンを用いるとメチルテトラシクロドデセ
ンのようなアルキルテトラシクロドデセンが得られる。
この方法は、たとえば、特開平３−１２８３３３号公
報、特開平６−９４３７号公報、特開平６−７２９０９
号公報等により提案されている。そして、これらの方法
では、いずれも、具体的態様としては、エチレン、ＤＣ
ＰＤおよびノルボルネンの混合物を反応させ、反応器か
ら得られた反応混合物を冷却後、脱圧分離し、その後の
精製工程において、ノルボルネンおよびジシクロペンタ
ジエンを分離回収し、これを循環、再使用する態様が開
示されている。しかし、これらのテトラシクロドデセン
誘導体を重合させて得られたポリマーは臭気などにおい
て問題がある場合があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記課題を
解決するものであり、臭気が少なく、またこれを重合し
て臭気、色相、耐候性等に問題の無いポリマーが得られ
るテトラシクロドデセン誘導体組成物を供給することを
目的とする。
解決するものであり、臭気が少なく、またこれを重合し
て臭気、色相、耐候性等に問題の無いポリマーが得られ
るテトラシクロドデセン誘導体組成物を供給することを
目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは詳細に反応
を検討した結果、オレフィンとノルボルネン誘導体とか
らノルボルナン誘導体が生成することを見出した。また
このノルボルナン誘導体はテトラシクロドデセン誘導体
と沸点が近いため分離が困難である。さらにノルボルナ
ン誘導体を含んだテトラシクロドデセン誘導体の重合に
おいては、ノルボルナン誘導体はテトラシクロドデセン
誘導体と反応性が異なるため、重合反応物中に残存し、
得られたポリマーがノルボルナン誘導体による独特の臭
気を有するようになることを見出し本発明に至った。
を検討した結果、オレフィンとノルボルネン誘導体とか
らノルボルナン誘導体が生成することを見出した。また
このノルボルナン誘導体はテトラシクロドデセン誘導体
と沸点が近いため分離が困難である。さらにノルボルナ
ン誘導体を含んだテトラシクロドデセン誘導体の重合に
おいては、ノルボルナン誘導体はテトラシクロドデセン
誘導体と反応性が異なるため、重合反応物中に残存し、
得られたポリマーがノルボルナン誘導体による独特の臭
気を有するようになることを見出し本発明に至った。
【０００５】すなわち本発明の第１は、下記式［１］で
表されるオレフィン化合物と、シクロペンタジエンおよ
び／またはジシクロペンタジエンとを加熱反応して得ら
れ、下記式［２］で表されるノルボルナン誘導体を５０
０００ｐｐｍ以下含む、下記式［３］で表されるテトラ
シクロドデセン誘導体組成物である。
表されるオレフィン化合物と、シクロペンタジエンおよ
び／またはジシクロペンタジエンとを加熱反応して得ら
れ、下記式［２］で表されるノルボルナン誘導体を５０
０００ｐｐｍ以下含む、下記式［３］で表されるテトラ
シクロドデセン誘導体組成物である。
【化５】 （R1〜R5は水素または炭素数１〜６までのヒドロカルビ
ル基を表す）
ル基を表す）
【化６】 （R1〜R5は水素または炭素数１〜６までのヒドロカルビ
ル基を表す）
ル基を表す）
【化７】 （R1〜R5は水素または炭素数１〜６までのヒドロカルビ
ル基を表す）
ル基を表す）
【０００６】また本発明の第２は、式［１］で表される
オレフィン化合物と下記式［４］で表されるノルボルネ
ン誘導体、シクロペンタジエンおよび／またはジシクロ
ペンタジエンとを加熱反応して得られる、式［２］で表
されるノルボルナン誘導体を５００００ｐｐｍ以下含
む、式［３］で表されるテトラシクロドデセン誘導体組
成物である。
オレフィン化合物と下記式［４］で表されるノルボルネ
ン誘導体、シクロペンタジエンおよび／またはジシクロ
ペンタジエンとを加熱反応して得られる、式［２］で表
されるノルボルナン誘導体を５００００ｐｐｍ以下含
む、式［３］で表されるテトラシクロドデセン誘導体組
成物である。
【化８】 （R1〜R5は水素または炭素数１〜６までのヒドロカルビ
ル基を表す）
ル基を表す）
【０００７】以下本発明について詳しく説明する。本発
明に使用する式［１］で表されるオレフィン化合物にお
いて、前記式［１］中のR1〜R5は水素、または炭素数１
〜６までのヒドロカルビル基である。オレフィンの立体
配置は全く任意である。具体的には、プロピレン、1−
ブテン、2−ブテン、イソブテン、1−ペンテン、２−ペ
ンテン、２−メチル−１−ブテン、２−メチル−２−ブ
テン、３−メチル−１−ブテン、１−ヘキセン、２−ヘ
キセン、３−ヘキセン、２−メチル−１−ペンテン、３
−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、
２−メチル−２−ペンテン、３−メチル−２−ペンテ
ン、４−メチル−２−ペンテン、２，３−ジメチル−１
−ブテン、２，３−ジメチル−２−ブテンなどがあげら
れる。これらの中で低級オレフィンがテトラシクロドデ
セン誘導体収率が高く好ましい。具体的には工業的に入
手が容易なプロピレン、１−ブテン、２−ブテン、イソ
ブテンが好ましい。
明に使用する式［１］で表されるオレフィン化合物にお
いて、前記式［１］中のR1〜R5は水素、または炭素数１
〜６までのヒドロカルビル基である。オレフィンの立体
配置は全く任意である。具体的には、プロピレン、1−
ブテン、2−ブテン、イソブテン、1−ペンテン、２−ペ
ンテン、２−メチル−１−ブテン、２−メチル−２−ブ
テン、３−メチル−１−ブテン、１−ヘキセン、２−ヘ
キセン、３−ヘキセン、２−メチル−１−ペンテン、３
−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、
２−メチル−２−ペンテン、３−メチル−２−ペンテ
ン、４−メチル−２−ペンテン、２，３−ジメチル−１
−ブテン、２，３−ジメチル−２−ブテンなどがあげら
れる。これらの中で低級オレフィンがテトラシクロドデ
セン誘導体収率が高く好ましい。具体的には工業的に入
手が容易なプロピレン、１−ブテン、２−ブテン、イソ
ブテンが好ましい。
【０００８】ここで用いられるＣＰＤは、好ましくはあ
らかじめＤＣＰＤを熱分解蒸留したものである。ＣＰＤ
はＤＣＰＤの熱分解により容易に得られる。本発明にお
いては、通常の反応条件下ではＤＣＰＤはＣＰＤへ分解
する。また工業的にはＤＣＰＤの入手は容易である。し
たがって、本発明においてはＤＣＰＤを用いると、ナフ
サ等の熱分解油から回収されるものが工業的に大量に得
られしかも安価であるので好ましい。
らかじめＤＣＰＤを熱分解蒸留したものである。ＣＰＤ
はＤＣＰＤの熱分解により容易に得られる。本発明にお
いては、通常の反応条件下ではＤＣＰＤはＣＰＤへ分解
する。また工業的にはＤＣＰＤの入手は容易である。し
たがって、本発明においてはＤＣＰＤを用いると、ナフ
サ等の熱分解油から回収されるものが工業的に大量に得
られしかも安価であるので好ましい。
【０００９】本発明において使用される前記式［４］で
表されるノルボルネン誘導体において、R1〜R5は水素、
または炭素数１〜６までのヒドロカルビル基である。ま
た置換基の立体配置は全く任意である。ノルボルネン誘
導体は前記式［１］で表されるオレフィン化合物と、Ｃ
ＰＤとのディールス−アルダー反応付加体である。前述
の好ましいオレフィンから誘導されるノルボルネン誘導
体は、具体的には５−メチル−２−ノルボルネン、５−
エチル−２−ノルボルネン、５，６−ジメチル−２−ノ
ルボルネン、５，５−ジメチル−２−ノルボルネンなど
があげられる。
表されるノルボルネン誘導体において、R1〜R5は水素、
または炭素数１〜６までのヒドロカルビル基である。ま
た置換基の立体配置は全く任意である。ノルボルネン誘
導体は前記式［１］で表されるオレフィン化合物と、Ｃ
ＰＤとのディールス−アルダー反応付加体である。前述
の好ましいオレフィンから誘導されるノルボルネン誘導
体は、具体的には５−メチル−２−ノルボルネン、５−
エチル−２−ノルボルネン、５，６−ジメチル−２−ノ
ルボルネン、５，５−ジメチル−２−ノルボルネンなど
があげられる。
【００１０】前記式［３］で表されるテトラシクロドデ
セン誘導体において、R1〜R5は水素、または炭素数１〜
６までのヒドロカルビル基である。また置換基の立体配
置は全く任意である。前述の好ましいオレフィンから誘
導されるテトラシクロドデセン誘導体は、具体的には８
−メチルテトラシクロ[４．４．０．１2、5．１7、10]
−３−ドデセン、８−エチルテトラシクロ[４．４．
０．１2、5．１7、10]−３−ドデセン、８，９−ジメチ
ルテトラシクロ[４．４．０．１2、5．１7、10]−３−
ドデセン、８，８−ジメチルテトラシクロ[４．４．
０．１2、5．１7、10]−３−ドデセンなどがあげられ
る。
セン誘導体において、R1〜R5は水素、または炭素数１〜
６までのヒドロカルビル基である。また置換基の立体配
置は全く任意である。前述の好ましいオレフィンから誘
導されるテトラシクロドデセン誘導体は、具体的には８
−メチルテトラシクロ[４．４．０．１2、5．１7、10]
−３−ドデセン、８−エチルテトラシクロ[４．４．
０．１2、5．１7、10]−３−ドデセン、８，９−ジメチ
ルテトラシクロ[４．４．０．１2、5．１7、10]−３−
ドデセン、８，８−ジメチルテトラシクロ[４．４．
０．１2、5．１7、10]−３−ドデセンなどがあげられ
る。
【００１１】前記式［４］で表されるノルボルナン誘導
体において、R1〜R5は水素、または炭素数１〜６までの
ヒドロカルビル基である。また置換基の立体配置は全く
任意である。前述の好ましいオレフィンから誘導される
ノルボルナン誘導体は、具体的には２−メチル−４−プ
ロペニルノルボルナン、２−メチル−５−プロペニルノ
ルボルナン、２−エチル−４−ブテニルノルボルナン、
２−エチル−５−ブテニルノルボルナン、２，３−ジメ
チル−４−イソブテニルノルボルナン、２，３−ジメチ
ル−５−イソブテニルノルボルナン、２，２−ジメチル
−４−イソブテニルノルボルナン、２，２−ジメチル−
５−イソイソブテニルノルボルナンなどがあげられる。
なおこれらのオレフィンの立体配置は任意である。
体において、R1〜R5は水素、または炭素数１〜６までの
ヒドロカルビル基である。また置換基の立体配置は全く
任意である。前述の好ましいオレフィンから誘導される
ノルボルナン誘導体は、具体的には２−メチル−４−プ
ロペニルノルボルナン、２−メチル−５−プロペニルノ
ルボルナン、２−エチル−４−ブテニルノルボルナン、
２−エチル−５−ブテニルノルボルナン、２，３−ジメ
チル−４−イソブテニルノルボルナン、２，３−ジメチ
ル−５−イソブテニルノルボルナン、２，２−ジメチル
−４−イソブテニルノルボルナン、２，２−ジメチル−
５−イソイソブテニルノルボルナンなどがあげられる。
なおこれらのオレフィンの立体配置は任意である。
【００１２】本発明においては、前記式［１］で表され
るオレフィン化合物とＣＰＤおよび／またはＤＣＰＤと
を加熱反応する。反応液を適宜精製することで、式
［２］で表されるノルボルナン誘導体を含んだ式［３］
で表されるテトラシクロドデセン誘導体組成物が得られ
る。
るオレフィン化合物とＣＰＤおよび／またはＤＣＰＤと
を加熱反応する。反応液を適宜精製することで、式
［２］で表されるノルボルナン誘導体を含んだ式［３］
で表されるテトラシクロドデセン誘導体組成物が得られ
る。
【００１３】本発明においては、反応型式はバッチ式で
も連続式でもよい。バッチ式の場合は完全混合型の反応
器が使用される。連続式の場合、反応器に関しては完全
混合型およびピストンフロー型のいずれも使用すること
ができる。ピストンフロー型反応器の市販品としては、
（株）ノリタケカンパニー製「スタティックミキサ
ー」、住友重機械工業（株）製「スルーザーミキサ
ー」、（株）櫻製作所製「スケヤミキサー」などがあげ
られる。反応は一段または多段で行なうことができる。
多段で行なう場合には、完全混合型またはピストンフロ
ー型の反応器を直列または並列で使用することができ
る。
も連続式でもよい。バッチ式の場合は完全混合型の反応
器が使用される。連続式の場合、反応器に関しては完全
混合型およびピストンフロー型のいずれも使用すること
ができる。ピストンフロー型反応器の市販品としては、
（株）ノリタケカンパニー製「スタティックミキサ
ー」、住友重機械工業（株）製「スルーザーミキサ
ー」、（株）櫻製作所製「スケヤミキサー」などがあげ
られる。反応は一段または多段で行なうことができる。
多段で行なう場合には、完全混合型またはピストンフロ
ー型の反応器を直列または並列で使用することができ
る。
【００１４】次に式［１］で表されるオレフィン化合物
とＤＣＰＤおよび／またはＣＰＤとから、式［２］で表
されるノルボルナン誘導体を含んだ式［３］で表される
テトラシクロドデセン誘導体を合成する条件について述
べる。反応温度は１５０〜３００℃が適当で、好ましく
は１６０〜２７０℃、より好ましくは１７０〜２５０℃
である。下限値以下であると、テトラシクロドデセン誘
導体の生成が少なく、上限値以上であると重質の副生成
物が多くなる。滞留時間は１０分〜１２時間が適当で、
好ましくは１０分〜６時間、より好ましくは１０分〜２
時間である。下限値以下であると、テトラシクロドデセ
ン誘導体の生成が少なく、上限値以上であると重質の副
生成物が多くなる。
とＤＣＰＤおよび／またはＣＰＤとから、式［２］で表
されるノルボルナン誘導体を含んだ式［３］で表される
テトラシクロドデセン誘導体を合成する条件について述
べる。反応温度は１５０〜３００℃が適当で、好ましく
は１６０〜２７０℃、より好ましくは１７０〜２５０℃
である。下限値以下であると、テトラシクロドデセン誘
導体の生成が少なく、上限値以上であると重質の副生成
物が多くなる。滞留時間は１０分〜１２時間が適当で、
好ましくは１０分〜６時間、より好ましくは１０分〜２
時間である。下限値以下であると、テトラシクロドデセ
ン誘導体の生成が少なく、上限値以上であると重質の副
生成物が多くなる。
【００１５】式［１］で表されるオレフィン化合物とＤ
ＣＰＤとのモル比（ＣＰＤを用いた時はＤＣＰＤに換算
する）はオレフィン／ＤＣＰＤ＝０．１／１〜１０／１
が適当で、好ましくは０．５／１〜９／１、より好まし
くは１／１〜８／１である。下限値以下であると、重質
の副生成物が多く、上限値以上であるとテトラシクロド
デセン誘導体の生成が少なくなる。
ＣＰＤとのモル比（ＣＰＤを用いた時はＤＣＰＤに換算
する）はオレフィン／ＤＣＰＤ＝０．１／１〜１０／１
が適当で、好ましくは０．５／１〜９／１、より好まし
くは１／１〜８／１である。下限値以下であると、重質
の副生成物が多く、上限値以上であるとテトラシクロド
デセン誘導体の生成が少なくなる。
【００１６】また式［２］で表されるノルボルナン誘導
体の式［３］で表されるテトラシクロドデセン誘導体に
対する含有量は５００００ｐｐｍ以下であり、１ｐｐｍ
以上であることが好ましい。式［２］で表されるノルボ
ルナン誘導体の含有量が、限りなく０に近いとテトラシ
クロドデセン誘導体の純度は非常に高く、例えば重合に
供した場合、非常に優れたモノマーとなるが、精製のた
めの労力が多大で好ましくない。ノルボルナン誘導体を
５００００ｐｐｍ以上含んだ組成物では、例えばチグラ
ータイプやメタロセンタイプの重合では、テトラシクロ
ドデセン誘導体よりも重合性が低いノルボルナン誘導体
が残存し、ノルボルナン化合物独特の臭気を発生した
り、オレフィンが残存するため耐光性や耐候性を悪化さ
せたりする。
体の式［３］で表されるテトラシクロドデセン誘導体に
対する含有量は５００００ｐｐｍ以下であり、１ｐｐｍ
以上であることが好ましい。式［２］で表されるノルボ
ルナン誘導体の含有量が、限りなく０に近いとテトラシ
クロドデセン誘導体の純度は非常に高く、例えば重合に
供した場合、非常に優れたモノマーとなるが、精製のた
めの労力が多大で好ましくない。ノルボルナン誘導体を
５００００ｐｐｍ以上含んだ組成物では、例えばチグラ
ータイプやメタロセンタイプの重合では、テトラシクロ
ドデセン誘導体よりも重合性が低いノルボルナン誘導体
が残存し、ノルボルナン化合物独特の臭気を発生した
り、オレフィンが残存するため耐光性や耐候性を悪化さ
せたりする。
【００１７】本発明においては、原料を加熱反応させる
ことで、まずオレフィンとＣＰＤとが付加反応をおこ
し、式［４］で表されるノルボルネン誘導体が合成され
る。さらにこれにＣＰＤが付加することで、式［３］で
表されるテトラシクロドデセン誘導体が合成される。式
［２］で表される化合物は、式［４］で表される化合物
と式［１］で表される化合物とがエン反応と呼ばれる、
熱的な付加反応したものである。反応温度が高いほど、
式［２］で表される化合物が生成しやすいので、過度の
加熱は避けることが好ましい。
ことで、まずオレフィンとＣＰＤとが付加反応をおこ
し、式［４］で表されるノルボルネン誘導体が合成され
る。さらにこれにＣＰＤが付加することで、式［３］で
表されるテトラシクロドデセン誘導体が合成される。式
［２］で表される化合物は、式［４］で表される化合物
と式［１］で表される化合物とがエン反応と呼ばれる、
熱的な付加反応したものである。反応温度が高いほど、
式［２］で表される化合物が生成しやすいので、過度の
加熱は避けることが好ましい。
【００１８】次に式［１］で表されるオレフィン化合
物、式［４］で表されるノルボルネン誘導体とＤＣＰＤ
および／またはＣＰＤとから、式［２］で表されるノル
ボルナン誘導体を含んだ式［３］で表されるテトラシク
ロドデセン誘導体を合成する条件について述べる。反応
温度、滞留時間については、オレフィンとＤＣＰＤおよ
び／またはＣＰＤとから反応液を合成する場合と同じで
ある。すなわち、式［１］で表されるオレフィン化合物
とＤＣＰＤとのモル比（ＣＰＤを用いた時はＤＣＰＤに
換算する）はオレフィン／ＤＣＰＤ＝０．１／１〜１０
／１が適当で、好ましくは０．５／１〜９／１、より好
ましくは１／１〜８／１である。下限値以下であると、
重質の副生成物が多く、上限値以上であるとテトラシク
ロドデセン誘導体の生成が少なくなる。
物、式［４］で表されるノルボルネン誘導体とＤＣＰＤ
および／またはＣＰＤとから、式［２］で表されるノル
ボルナン誘導体を含んだ式［３］で表されるテトラシク
ロドデセン誘導体を合成する条件について述べる。反応
温度、滞留時間については、オレフィンとＤＣＰＤおよ
び／またはＣＰＤとから反応液を合成する場合と同じで
ある。すなわち、式［１］で表されるオレフィン化合物
とＤＣＰＤとのモル比（ＣＰＤを用いた時はＤＣＰＤに
換算する）はオレフィン／ＤＣＰＤ＝０．１／１〜１０
／１が適当で、好ましくは０．５／１〜９／１、より好
ましくは１／１〜８／１である。下限値以下であると、
重質の副生成物が多く、上限値以上であるとテトラシク
ロドデセン誘導体の生成が少なくなる。
【００１９】また式［４］で表されるノルボルネン化合
物と式［１］で表されるオレフィン化合物とのモル比は
オレフィン／ノルボルネン≦１０／１が適当で、好まし
くはオレフィン／ノルボルネン≦９／１、より好ましく
はオレフィン／ノルボルネン≦８／１である。上限値以
上であるとテトラシクロドデセン誘導体の生成が少なく
なる。いずれの場合においても式［２］で表されるノル
ボルナン誘導体の式［３］で表されるテトラシクロドデ
セン誘導体に対する含有量は１〜５００００ｐｐｍであ
ることが肝要である。
物と式［１］で表されるオレフィン化合物とのモル比は
オレフィン／ノルボルネン≦１０／１が適当で、好まし
くはオレフィン／ノルボルネン≦９／１、より好ましく
はオレフィン／ノルボルネン≦８／１である。上限値以
上であるとテトラシクロドデセン誘導体の生成が少なく
なる。いずれの場合においても式［２］で表されるノル
ボルナン誘導体の式［３］で表されるテトラシクロドデ
セン誘導体に対する含有量は１〜５００００ｐｐｍであ
ることが肝要である。
【００２０】また式［３］で表されるテトラシクロドデ
セン誘導体の精製には、いかなる方法も採用できる。工
業的には蒸留が好ましく使用される。
セン誘導体の精製には、いかなる方法も採用できる。工
業的には蒸留が好ましく使用される。
【００２１】本発明における組成物を製造する際には溶
媒を使用してもよい。パラフィン系、ナフテン系、芳香
族系のいずれの溶媒も使用できる。例えば、炭素数６〜
１３程度の炭化水素が好ましい。これらの中でも一般的
にはイソヘキサン、ヘプタン、イソヘプタン、ノルマル
オクタン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘ
キサン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチル
ベンゼンなどが好ましく使用される。
媒を使用してもよい。パラフィン系、ナフテン系、芳香
族系のいずれの溶媒も使用できる。例えば、炭素数６〜
１３程度の炭化水素が好ましい。これらの中でも一般的
にはイソヘキサン、ヘプタン、イソヘプタン、ノルマル
オクタン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘ
キサン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチル
ベンゼンなどが好ましく使用される。
【００２２】また本反応においては酸化防止剤、重合禁
止剤等を加えることができる。以上のようにして製造さ
れるテトラシクロドデセン誘導体組成物は、公知の方法
により重合に供することができる。メタセシス重合を行
なう場合には、例えば、特開平９−１８３８３２号公
報、特開平８−１５１４３５号公報、特開平５−４３６
６３号公報、特開平１−１７２４２２号公報、特開平１
−１７２４２１号公報、特開平１−１６８７２５号公
報、特開平１−１６８７２４号公報、特開昭６０−２６
０２４号公報などに開示されているような方法で行うこ
とができる。具体的には、（ａ）遷移金属化合物触媒成
分と、（ｂ）金属化合物助触媒成分からなる触媒を用い
る方法である。ここで、（ａ）遷移金属化合物触媒成分
とは、周期律表第IVB、VB、VIB、VIIBまたは VIII族の
遷移金属の化合物であり、これら遷移金属のハロゲン化
物、オキシハロゲン化物、アルコキシハロゲン化物、ア
ルコキシド、カルボン酸塩、（オキシ）アセチルアセト
ネート、カルボニル錯体、アセトニトリル錯体、ヒドリ
ド錯体、これらの誘導体、これらのホスフィン化合物
等の錯化剤による錯化物が挙げられる。また、（ｂ）金
属化合物助触媒成分としては、周期律表第IA、IIA、II
B、IIIAまたはIVA族金属の化合物で少なくとも一つの金
属元素−炭素結合、または金属元素−水素結合を有する
ものであり、例えば、Ａl、Ｓn、Ｌi、Ｎa、Ｍg、Ｚn、
Ｃd、Ｂなどの有機化合物が挙げられる。また、メタセ
シス重合活性を高めるために、（ａ）、（ｂ）両成分の
他に、脂肪族第三級アミン、芳香族第三級アミン、分子
状酸素、アルコール、エーテル、過酸化物、カルボン
酸、酸無水物、酸クロリド、エステル、ケトン、含窒素
化合物、含硫黄化合物、含ハロゲン化合物、分子状ヨウ
素、その他ルイス酸等を加えることができる。
止剤等を加えることができる。以上のようにして製造さ
れるテトラシクロドデセン誘導体組成物は、公知の方法
により重合に供することができる。メタセシス重合を行
なう場合には、例えば、特開平９−１８３８３２号公
報、特開平８−１５１４３５号公報、特開平５−４３６
６３号公報、特開平１−１７２４２２号公報、特開平１
−１７２４２１号公報、特開平１−１６８７２５号公
報、特開平１−１６８７２４号公報、特開昭６０−２６
０２４号公報などに開示されているような方法で行うこ
とができる。具体的には、（ａ）遷移金属化合物触媒成
分と、（ｂ）金属化合物助触媒成分からなる触媒を用い
る方法である。ここで、（ａ）遷移金属化合物触媒成分
とは、周期律表第IVB、VB、VIB、VIIBまたは VIII族の
遷移金属の化合物であり、これら遷移金属のハロゲン化
物、オキシハロゲン化物、アルコキシハロゲン化物、ア
ルコキシド、カルボン酸塩、（オキシ）アセチルアセト
ネート、カルボニル錯体、アセトニトリル錯体、ヒドリ
ド錯体、これらの誘導体、これらのホスフィン化合物
等の錯化剤による錯化物が挙げられる。また、（ｂ）金
属化合物助触媒成分としては、周期律表第IA、IIA、II
B、IIIAまたはIVA族金属の化合物で少なくとも一つの金
属元素−炭素結合、または金属元素−水素結合を有する
ものであり、例えば、Ａl、Ｓn、Ｌi、Ｎa、Ｍg、Ｚn、
Ｃd、Ｂなどの有機化合物が挙げられる。また、メタセ
シス重合活性を高めるために、（ａ）、（ｂ）両成分の
他に、脂肪族第三級アミン、芳香族第三級アミン、分子
状酸素、アルコール、エーテル、過酸化物、カルボン
酸、酸無水物、酸クロリド、エステル、ケトン、含窒素
化合物、含硫黄化合物、含ハロゲン化合物、分子状ヨウ
素、その他ルイス酸等を加えることができる。
【００２３】一方、テトラシクロドデセン類のオレフィ
ン部位における単独重合、あるいは低級α−オレフィン
との共重合は、メタロセン触媒を含むチーグラー触媒を
用いて行うことができる。メタロセン触媒を用いる場合
は、例えば、特開平３−４５６１２号公報、特開平２−
１７３１１２号公報、特開平４−６３８０７号公報、特
開昭６４−１０６号公報、特開昭６１−２２１２０６号
公報などに開示されている方法で行うことができる。具
体的には、（ｃ）周期律表のIVB、VB または VIB族から
なる遷移金属の化合物成分と、（ｄ）有機アルミニウム
オキシ化合物成分からなる触媒を用いる方法である。
（ｃ）の遷移金属化合物成分は、周期律表のIVB、VBま
たはVIB族の遷移金属の化合物であり、少なくとも２個
のシクロアルカジエニル基またはその置換体の多座配位
性化合物を配位子とし、あるいはそれらシクロアルカジ
エニル基またはその置換体が炭化水素基またはシリレン
基あるいは置換シリレン基を介して結合した多座配位性
化合物を配位子とした化合物が挙げられる。（ｄ）有機
アルミニウムオキシ化合物成分は下記式［５］および下
記式［６］で表される化合物である。
ン部位における単独重合、あるいは低級α−オレフィン
との共重合は、メタロセン触媒を含むチーグラー触媒を
用いて行うことができる。メタロセン触媒を用いる場合
は、例えば、特開平３−４５６１２号公報、特開平２−
１７３１１２号公報、特開平４−６３８０７号公報、特
開昭６４−１０６号公報、特開昭６１−２２１２０６号
公報などに開示されている方法で行うことができる。具
体的には、（ｃ）周期律表のIVB、VB または VIB族から
なる遷移金属の化合物成分と、（ｄ）有機アルミニウム
オキシ化合物成分からなる触媒を用いる方法である。
（ｃ）の遷移金属化合物成分は、周期律表のIVB、VBま
たはVIB族の遷移金属の化合物であり、少なくとも２個
のシクロアルカジエニル基またはその置換体の多座配位
性化合物を配位子とし、あるいはそれらシクロアルカジ
エニル基またはその置換体が炭化水素基またはシリレン
基あるいは置換シリレン基を介して結合した多座配位性
化合物を配位子とした化合物が挙げられる。（ｄ）有機
アルミニウムオキシ化合物成分は下記式［５］および下
記式［６］で表される化合物である。
【化９】 （式中のＲは炭化水素基であり、具体的には、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などであり、ｍは
２以上の整数を示す。）
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などであり、ｍは
２以上の整数を示す。）
【化１０】 （式中のＲは炭化水素基であり、具体的には、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などであり、ｍは
２以上の整数を示す。）
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などであり、ｍは
２以上の整数を示す。）
【００２４】また、チーグラー触媒としてはチタン、バ
ナジウム化合物が触媒に用いられており、例えば特開平
９−１７６３９６号公報、特開昭６２−２５２４０６号
公報、特開昭６２−２５２４０７号公報などに記載の、
炭化水素溶媒に可溶性のバナジウム化合物および有機ア
ルミニウム化合物から形成される触媒を用いる方法によ
って、エチレンのようなα−オレフィンと環状オレフィ
ンの共重合体が合成される。またノルボルネン、ジシク
ロペンタジエン等の他の環状オレフィンとの共重合も可
能である。また、本発明におけるテトラシクロドデセン
誘導体を重合する際には、他の種類のオレフィン性化合
物と共重合することが可能であり、例えば特公平７−１
０３２２３号公報に開示されているように、共重合の割
合を変化させることにより、種々の物性バランスを調整
することができる。なお開環重合を行った場合、得られ
るポリマーは不飽和二重結合を含むことがあり、そのた
め耐熱劣化性や耐光性が低い場合には、これを改善する
ためにオレフィンの一部あるいは全部を水素化すること
ができる。水素添加反応はニッケル、パラジウム、白金
などの貴金属を無機担体に分散して担持させたものが使
用される。また均一系の水素化触媒も用いることができ
る。水素添加反応の圧力は０.１〜２０ＭＰa、温度は０
〜２００℃の範囲である。
ナジウム化合物が触媒に用いられており、例えば特開平
９−１７６３９６号公報、特開昭６２−２５２４０６号
公報、特開昭６２−２５２４０７号公報などに記載の、
炭化水素溶媒に可溶性のバナジウム化合物および有機ア
ルミニウム化合物から形成される触媒を用いる方法によ
って、エチレンのようなα−オレフィンと環状オレフィ
ンの共重合体が合成される。またノルボルネン、ジシク
ロペンタジエン等の他の環状オレフィンとの共重合も可
能である。また、本発明におけるテトラシクロドデセン
誘導体を重合する際には、他の種類のオレフィン性化合
物と共重合することが可能であり、例えば特公平７−１
０３２２３号公報に開示されているように、共重合の割
合を変化させることにより、種々の物性バランスを調整
することができる。なお開環重合を行った場合、得られ
るポリマーは不飽和二重結合を含むことがあり、そのた
め耐熱劣化性や耐光性が低い場合には、これを改善する
ためにオレフィンの一部あるいは全部を水素化すること
ができる。水素添加反応はニッケル、パラジウム、白金
などの貴金属を無機担体に分散して担持させたものが使
用される。また均一系の水素化触媒も用いることができ
る。水素添加反応の圧力は０.１〜２０ＭＰa、温度は０
〜２００℃の範囲である。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 ＜実施例１＞プロピレンとＤＣＰＤとをモル比で３：１
に混合し、１Ｌのオートクレーブに合計量５００gを導
入した。反応温度２４５℃まで１時間かけて昇温し、２
時間反応させた。反応生成物を冷却し、蒸留することで
８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１2、5．
１7、10]−３−ドデセンを得た。なお得られたテトラシ
クロドデセン誘導体に対して２−メチル−４−プロペニ
ルノルボルナンおよび２−メチル−５−プロペニルノル
ボルナンが合計で１０００ｐｐｍ含まれていた。なおこ
れら２−メチル−４−プロペニルノルボルナンおよび２
−メチル−５−プロペニルノルボルナンは質量分析によ
り、Ｍ／ｅ＝１５０、Ｍ／ｅ＝１０９から同定した。 ≪重合例１≫撹拌羽を取り付けた２Ｌなす型フラスコ
に、窒素雰囲気下で乾燥したトルエンを１０００ｍｌ導
入した。このフラスコにさらにジクロロエトキシオキソ
バナジウム（１ｍｍｏｌ）と、実施例１で得られたメチ
ルテトラシクロドデセン（１０ｇ）を加えた。この溶液
を撹拌しながら、エチレンと窒素の混合ガス（モル比：
エチレン／窒素＝１：５）を、溶液に２００Ｌ／ｈの流
量でバブリングを行った。ここにさらにエチルアルミニ
ウムセスキクロリド（１０ｍｍｏｌ）を滴下して反応を
開始し、５℃で２０分間重合を行った。メタノールを３
０ｍｌ加えて重合を停止し、反応混合物を２Ｌのメタノ
ールに注ぎ、共重合体を析出させた。共重合体を真空乾
燥し、サノールＬＳ７７０を１００ｐｐｍ、サノール２
００を２００ｐｐｍ添加し、窒素下で２４０℃にてラボ
プラストミルで溶融混練し、２００℃で厚さ１ｍｍのプ
レスシートを作製した。シートには独特のノルボルナン
臭は感じられなかった。シートを１ヶ月間屋外に放置し
たが、とくに変化はみられなかった。
に混合し、１Ｌのオートクレーブに合計量５００gを導
入した。反応温度２４５℃まで１時間かけて昇温し、２
時間反応させた。反応生成物を冷却し、蒸留することで
８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１2、5．
１7、10]−３−ドデセンを得た。なお得られたテトラシ
クロドデセン誘導体に対して２−メチル−４−プロペニ
ルノルボルナンおよび２−メチル−５−プロペニルノル
ボルナンが合計で１０００ｐｐｍ含まれていた。なおこ
れら２−メチル−４−プロペニルノルボルナンおよび２
−メチル−５−プロペニルノルボルナンは質量分析によ
り、Ｍ／ｅ＝１５０、Ｍ／ｅ＝１０９から同定した。 ≪重合例１≫撹拌羽を取り付けた２Ｌなす型フラスコ
に、窒素雰囲気下で乾燥したトルエンを１０００ｍｌ導
入した。このフラスコにさらにジクロロエトキシオキソ
バナジウム（１ｍｍｏｌ）と、実施例１で得られたメチ
ルテトラシクロドデセン（１０ｇ）を加えた。この溶液
を撹拌しながら、エチレンと窒素の混合ガス（モル比：
エチレン／窒素＝１：５）を、溶液に２００Ｌ／ｈの流
量でバブリングを行った。ここにさらにエチルアルミニ
ウムセスキクロリド（１０ｍｍｏｌ）を滴下して反応を
開始し、５℃で２０分間重合を行った。メタノールを３
０ｍｌ加えて重合を停止し、反応混合物を２Ｌのメタノ
ールに注ぎ、共重合体を析出させた。共重合体を真空乾
燥し、サノールＬＳ７７０を１００ｐｐｍ、サノール２
００を２００ｐｐｍ添加し、窒素下で２４０℃にてラボ
プラストミルで溶融混練し、２００℃で厚さ１ｍｍのプ
レスシートを作製した。シートには独特のノルボルナン
臭は感じられなかった。シートを１ヶ月間屋外に放置し
たが、とくに変化はみられなかった。
【００２６】＜実施例２＞２−ブテンとＤＣＰＤとをモ
ル比で４：１に混合し、１Ｌのオートクレーブに合計量
５００gを導入した。反応温度２５０℃まで１時間かけ
て昇温し、１時間反応させた。反応生成物を冷却し、蒸
留することで８，９−ジメチルテトラシクロ[４．４．
０．１2、5．１7、10]−３−ドデセンを得た。なお得ら
れたテトラシクロドデセン誘導体に対して２，３−ジメ
チル−４−イソブテニルノルボルナンが８０００ｐｐｍ
含まれていた。なお２，３−ジメチル−４−イソブテニ
ルノルボルナンは質量分析により、Ｍ／ｅ＝１７８、Ｍ
／ｅ＝１２３から同定した。 ≪重合例２≫実施例２で合成したジメチルテトラシクロ
ドデセンを１０g使用すること以外は、重合例１と同様
に行なった。同様にシートには独特のノルボルナン臭は
感じられなかった。シートを１ヶ月間屋外に放置した
が、とくに変化はみられなかった。
ル比で４：１に混合し、１Ｌのオートクレーブに合計量
５００gを導入した。反応温度２５０℃まで１時間かけ
て昇温し、１時間反応させた。反応生成物を冷却し、蒸
留することで８，９−ジメチルテトラシクロ[４．４．
０．１2、5．１7、10]−３−ドデセンを得た。なお得ら
れたテトラシクロドデセン誘導体に対して２，３−ジメ
チル−４−イソブテニルノルボルナンが８０００ｐｐｍ
含まれていた。なお２，３−ジメチル−４−イソブテニ
ルノルボルナンは質量分析により、Ｍ／ｅ＝１７８、Ｍ
／ｅ＝１２３から同定した。 ≪重合例２≫実施例２で合成したジメチルテトラシクロ
ドデセンを１０g使用すること以外は、重合例１と同様
に行なった。同様にシートには独特のノルボルナン臭は
感じられなかった。シートを１ヶ月間屋外に放置した
が、とくに変化はみられなかった。
【００２７】＜実施例３＞１−ブテン、５−エチル−２
−ノルボルネンとＤＣＰＤとをモル比で６：４：１に混
合し、１Ｌのオートクレーブに合計量５００gを導入し
た。反応温度２４０℃まで１時間かけて昇温し、０．５
時間反応させた。反応生成物を冷却し、蒸留することで
８−エチルテトラシクロ[４．４．０．１2、5．
１7、10]−３−ドデセンを得た。なお得られたテトラシ
クロドデセン誘導体に対して２−エチル−４−ブテニル
ノルボルナンおよび２−エチル−５−ブテニルノルボル
ナンが合計で３０００ｐｐｍ含まれていた。なおこれら
２−エチル−４−ブテニルノルボルナンおよび２−エチ
ル−５−ブテニルノルボルナンは質量分析により、Ｍ／
ｅ＝１７８、Ｍ／ｅ＝１２３から同定した。 ≪重合例３≫実施例３で合成したエチルテトラシクロド
デセンを１０ｇ使用すること以外は、重合例１と同様に
行なった。同様にシートには独特のノルボルナン臭は感
じられなかった。シートを１ヶ月間屋外に放置したが、
とくに変化はみられなかった。
−ノルボルネンとＤＣＰＤとをモル比で６：４：１に混
合し、１Ｌのオートクレーブに合計量５００gを導入し
た。反応温度２４０℃まで１時間かけて昇温し、０．５
時間反応させた。反応生成物を冷却し、蒸留することで
８−エチルテトラシクロ[４．４．０．１2、5．
１7、10]−３−ドデセンを得た。なお得られたテトラシ
クロドデセン誘導体に対して２−エチル−４−ブテニル
ノルボルナンおよび２−エチル−５−ブテニルノルボル
ナンが合計で３０００ｐｐｍ含まれていた。なおこれら
２−エチル−４−ブテニルノルボルナンおよび２−エチ
ル−５−ブテニルノルボルナンは質量分析により、Ｍ／
ｅ＝１７８、Ｍ／ｅ＝１２３から同定した。 ≪重合例３≫実施例３で合成したエチルテトラシクロド
デセンを１０ｇ使用すること以外は、重合例１と同様に
行なった。同様にシートには独特のノルボルナン臭は感
じられなかった。シートを１ヶ月間屋外に放置したが、
とくに変化はみられなかった。
【００２８】＜比較例１＞プロピレンとＤＣＰＤとをモ
ル比で１２：１に混合し、１Ｌのオートクレーブに合計
量５００ｇを導入した。反応温度２７０℃まで１時間か
けて昇温し、４時間反応させた。反応生成物を冷却し、
蒸留することで８−メチルテトラシクロ[４．４．０．
１2、5．１7、10]−３−ドデセンを得た。なお得られた
テトラシクロドデセン誘導体に対して２−メチル−４−
プロペニルノルボルナンおよび２−メチル−５−プロペ
ニルノルボルナンが合計で７００００ｐｐｍ含まれてい
た。 ≪重合例４≫比較例１で得たメチルテトラシクロドデセ
ンを使用すること以外は、重合例１と同様に行なった。
プレスシートには独特のノルボルナン臭があり、１ヶ月
の屋外暴露により著しい黄変がみられた。
ル比で１２：１に混合し、１Ｌのオートクレーブに合計
量５００ｇを導入した。反応温度２７０℃まで１時間か
けて昇温し、４時間反応させた。反応生成物を冷却し、
蒸留することで８−メチルテトラシクロ[４．４．０．
１2、5．１7、10]−３−ドデセンを得た。なお得られた
テトラシクロドデセン誘導体に対して２−メチル−４−
プロペニルノルボルナンおよび２−メチル−５−プロペ
ニルノルボルナンが合計で７００００ｐｐｍ含まれてい
た。 ≪重合例４≫比較例１で得たメチルテトラシクロドデセ
ンを使用すること以外は、重合例１と同様に行なった。
プレスシートには独特のノルボルナン臭があり、１ヶ月
の屋外暴露により著しい黄変がみられた。
【００２９】＜比較例２＞２−ブテンとＤＣＰＤとをモ
ル比で１１：１に混合し、１Ｌのオートクレーブに合計
量５００gを導入した。反応温度２８０℃まで２時間か
けて昇温し、３時間反応させた。反応生成物を冷却し、
蒸留することで８，９−ジメチルテトラシクロ[４．
４．０．１2、5．１7、10]−３−ドデセンを得た。なお
得られたテトラシクロドデセン誘導体に対して２，３−
ジメチル−４−イソブテニルノルボルナンが６５０００
ｐｐｍ含まれていた。 ≪重合例５≫比較例２で得たジメチルテトラシクロドデ
センを使用すること以外は、重合例２と同様に行なっ
た。プレスシートには独特のノルボルナン臭があり、１
ヶ月の屋外暴露により著しい黄変がみられた。
ル比で１１：１に混合し、１Ｌのオートクレーブに合計
量５００gを導入した。反応温度２８０℃まで２時間か
けて昇温し、３時間反応させた。反応生成物を冷却し、
蒸留することで８，９−ジメチルテトラシクロ[４．
４．０．１2、5．１7、10]−３−ドデセンを得た。なお
得られたテトラシクロドデセン誘導体に対して２，３−
ジメチル−４−イソブテニルノルボルナンが６５０００
ｐｐｍ含まれていた。 ≪重合例５≫比較例２で得たジメチルテトラシクロドデ
センを使用すること以外は、重合例２と同様に行なっ
た。プレスシートには独特のノルボルナン臭があり、１
ヶ月の屋外暴露により著しい黄変がみられた。
【００３０】＜比較例３＞１−ブテンとＤＣＰＤとをモ
ル比で１１：１に混合し、１Ｌのオートクレーブに合計
量５００gを導入した。反応温度２８０℃まで２時間か
けて昇温し、３時間反応させた。反応生成物を冷却し、
蒸留することで８−エチルテトラシクロ[４．４．０．
１2、5．１7、10]−３−ドデセンを得た。なお得られた
テトラシクロドデセン誘導体に対して２−エチル−４−
ブテニルノルボルナンおよび２−エチル−５−ブテニル
ノルボルナンが合計で５５０００ｐｐｍ含まれていた。 ≪重合例６≫比較例３で合成したエチルテトラシクロド
デセンを使用すること以外は、重合例３と同様に行なっ
た。プレスシートには独特のノルボルナン臭があり、１
ヶ月の屋外暴露により著しい黄変がみられた。
ル比で１１：１に混合し、１Ｌのオートクレーブに合計
量５００gを導入した。反応温度２８０℃まで２時間か
けて昇温し、３時間反応させた。反応生成物を冷却し、
蒸留することで８−エチルテトラシクロ[４．４．０．
１2、5．１7、10]−３−ドデセンを得た。なお得られた
テトラシクロドデセン誘導体に対して２−エチル−４−
ブテニルノルボルナンおよび２−エチル−５−ブテニル
ノルボルナンが合計で５５０００ｐｐｍ含まれていた。 ≪重合例６≫比較例３で合成したエチルテトラシクロド
デセンを使用すること以外は、重合例３と同様に行なっ
た。プレスシートには独特のノルボルナン臭があり、１
ヶ月の屋外暴露により著しい黄変がみられた。
【００３１】
【発明の効果】本発明のテトラシクロドデセン誘導体組
成物は、独特の臭気を有する特定のノルボルナン誘導体
を不純物として特定量以下含むことを特徴とする。また
その含有量が特定量以下であるため、特にポリマーとし
た時の臭気を改善し、耐光性、耐候性を向上することが
できる。
成物は、独特の臭気を有する特定のノルボルナン誘導体
を不純物として特定量以下含むことを特徴とする。また
その含有量が特定量以下であるため、特にポリマーとし
た時の臭気を改善し、耐光性、耐候性を向上することが
できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 下記式［１］で表されるオレフィン化合
物と、シクロペンタジエンおよび／またはジシクロペン
タジエンとを加熱反応させて得られ、下記式［２］で表
されるノルボルナン誘導体を５００００ｐｐｍ以下含
む、下記式［３］で表されるテトラシクロドデセン誘導
体組成物。 【化１】 （R1〜R5は水素または炭素数１〜６までのヒドロカルビ
ル基を表す） 【化２】 （R1〜R5は水素または炭素数１〜６までのヒドロカルビ
ル基を表す） 【化３】 （R1〜R5は水素または炭素数１〜６までのヒドロカルビ
ル基を表す） - 【請求項２】 式［１］で表されるオレフィン化合物と
下記式［４］で表されるノルボルネン誘導体、シクロペ
ンタジエンおよび／またはジシクロペンタジエンとを加
熱反応させて得られる、式［２］で表されるノルボルナ
ン誘導体を５００００ｐｐｍ以下含む、式［３］で表さ
れるテトラシクロドデセン誘導体組成物。 【化４】 （R1〜R5は水素または炭素数１〜６までのヒドロカルビ
ル基を表す）
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