JP2002057384A - 有機電子デバイスとその製造方法とその動作方法、及びそれを用いた表示装置とその製造方法 - Google Patents
有機電子デバイスとその製造方法とその動作方法、及びそれを用いた表示装置とその製造方法Info
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- JP2002057384A JP2002057384A JP2000243056A JP2000243056A JP2002057384A JP 2002057384 A JP2002057384 A JP 2002057384A JP 2000243056 A JP2000243056 A JP 2000243056A JP 2000243056 A JP2000243056 A JP 2000243056A JP 2002057384 A JP2002057384 A JP 2002057384A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】０．１μｍ以下の微細加工がなされても結晶性
に左右されない有機物を用いたデバイスを作製すること
で、高集積化されたデバイスを提供する。また、プラス
チック基板等に形成できフレキシビリティーに優れたデ
バイスを提供する。また高速な応答を要求する電子機器
に適用できる、高速なスイッチ素子を提供する。 【解決手段】電子デバイスのチャネル部に導電性を有す
る有機薄膜を使用するとプラスチック基板等も使用でき
る。光応答性の官能基を有する有機分子から成る有機薄
膜の場合、有機薄膜の導電性は光照射で制御できる。ま
た、有極性の官能基を有する有機分子から成る有機薄膜
の場合、有機薄膜の導電性は印加電界で極めて高速に制
御できる。これにより表示装置等の電子機器に適用しう
るスイッチ素子が提供できる。
に左右されない有機物を用いたデバイスを作製すること
で、高集積化されたデバイスを提供する。また、プラス
チック基板等に形成できフレキシビリティーに優れたデ
バイスを提供する。また高速な応答を要求する電子機器
に適用できる、高速なスイッチ素子を提供する。 【解決手段】電子デバイスのチャネル部に導電性を有す
る有機薄膜を使用するとプラスチック基板等も使用でき
る。光応答性の官能基を有する有機分子から成る有機薄
膜の場合、有機薄膜の導電性は光照射で制御できる。ま
た、有極性の官能基を有する有機分子から成る有機薄膜
の場合、有機薄膜の導電性は印加電界で極めて高速に制
御できる。これにより表示装置等の電子機器に適用しう
るスイッチ素子が提供できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チャネル部に有機
材料を用いた２端子及び３端子電子デバイス（以下、有
機電子デバイス）とその製造方法及びその動作方法に関
するものである。さらに詳しくは、導電性を有する単分
子膜または単分子累積膜あるいは薄膜の導電性変化を利
用した有機電子デバイスとその製造方法およびその動作
方法に関するものである。また、それを用いた表示装置
とその製造方法に関する。
材料を用いた２端子及び３端子電子デバイス（以下、有
機電子デバイス）とその製造方法及びその動作方法に関
するものである。さらに詳しくは、導電性を有する単分
子膜または単分子累積膜あるいは薄膜の導電性変化を利
用した有機電子デバイスとその製造方法およびその動作
方法に関するものである。また、それを用いた表示装置
とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子デバイスには、シリコン
結晶に代表されるように無機系の半導体材料が用いられ
ている。有機系の電子デバイス（以下、有機電子デバイ
ス）としては、例えば日本国特許第２０３４１９７号及
び第２５０７１５３号等に開示されている。これら各公
報に記載されている有機電子デバイスは、印加された電
界に応答し端子間に流れる電流をスイッチングする有機
電子デバイスである。
結晶に代表されるように無機系の半導体材料が用いられ
ている。有機系の電子デバイス（以下、有機電子デバイ
ス）としては、例えば日本国特許第２０３４１９７号及
び第２５０７１５３号等に開示されている。これら各公
報に記載されている有機電子デバイスは、印加された電
界に応答し端子間に流れる電流をスイッチングする有機
電子デバイスである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来より用いられてき
た無機結晶では、微細化が進展するに伴い結晶欠陥が問
題となり、デバイス性能が結晶に大きく左右される欠点
があった。また、フレキシビリティーが悪いという欠点
があった。また、従来例の有機電子デバイスは、電流の
スイッチ素子を提供するという所期の目的は達するにし
ても、高速な応答を要求する電子機器への適用は実現さ
れていない。
た無機結晶では、微細化が進展するに伴い結晶欠陥が問
題となり、デバイス性能が結晶に大きく左右される欠点
があった。また、フレキシビリティーが悪いという欠点
があった。また、従来例の有機電子デバイスは、電流の
スイッチ素子を提供するという所期の目的は達するにし
ても、高速な応答を要求する電子機器への適用は実現さ
れていない。
【０００４】本発明では上記に鑑みなされたものであ
り、その目的は、デバイスの高密化が進展し０．１μｍ
以下の微細加工がなされても、結晶性に左右されない有
機物質を用いたデバイスを作製することにより高集積化
されたデバイスを提供することにある。また、プラスチ
ック基板等に形成することにより、フレキシビリティに
優れた有機電子デバイスを提供することにある。
り、その目的は、デバイスの高密化が進展し０．１μｍ
以下の微細加工がなされても、結晶性に左右されない有
機物質を用いたデバイスを作製することにより高集積化
されたデバイスを提供することにある。また、プラスチ
ック基板等に形成することにより、フレキシビリティに
優れた有機電子デバイスを提供することにある。
【０００５】また、電界効果型のスイッチ素子にあって
は、高速な応答を要求される電子機器、例えば表示装
置、に対しても適用できる、高速な応答性を有するデバ
イスを提供することにある。
は、高速な応答を要求される電子機器、例えば表示装
置、に対しても適用できる、高速な応答性を有するデバ
イスを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決する為
に、請求項１に記載の発明は、基板上に形成された、第
１の電極と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、
前記第１と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、
を備えた２端子有機電子デバイスであって、前記有機薄
膜は、光応答性の官能基を有する有機分子群からなり、
前記有機分子群を構成する分子相互が共役結合した導電
ネットワークを有することを特徴とする。
に、請求項１に記載の発明は、基板上に形成された、第
１の電極と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、
前記第１と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、
を備えた２端子有機電子デバイスであって、前記有機薄
膜は、光応答性の官能基を有する有機分子群からなり、
前記有機分子群を構成する分子相互が共役結合した導電
ネットワークを有することを特徴とする。
【０００７】上記構成によれば、前記第１と第２の電極
間を電気的に接続するチャネル部が有機薄膜で形成さ
れ、前記有機薄膜の導電性が光の照射により変化する有
機電子デバイスが提供できる。さらに、前記有機分子が
光応答性の官能基を含むことにより光に対する感度が上
がり応答速度が高速になる、したがって前記有機薄膜の
導電性を高速に変化できる。光を照射された際の有機薄
膜の導電性の変化は、光応答性の官能基の応答による影
響が前記導電ネットワークの構造に波及されたため生じ
たと考えられる。
間を電気的に接続するチャネル部が有機薄膜で形成さ
れ、前記有機薄膜の導電性が光の照射により変化する有
機電子デバイスが提供できる。さらに、前記有機分子が
光応答性の官能基を含むことにより光に対する感度が上
がり応答速度が高速になる、したがって前記有機薄膜の
導電性を高速に変化できる。光を照射された際の有機薄
膜の導電性の変化は、光応答性の官能基の応答による影
響が前記導電ネットワークの構造に波及されたため生じ
たと考えられる。
【０００８】前記有機薄膜は前記第１と第２の電極間を
電気的に接続する導電性の薄膜であり、前記有機薄膜の
一部または全部が単分子膜または単分子膜が積層した単
分子累積膜であってもよい。
電気的に接続する導電性の薄膜であり、前記有機薄膜の
一部または全部が単分子膜または単分子膜が積層した単
分子累積膜であってもよい。
【０００９】光応答性は光照射により可逆的に分子の状
態を変化する特性であり、光応答には分子を構成する原
子相互の結合の順序（配列）は同じで空間的な配置を変
化するシス−トランス異性化他の光異性化等をも含む。
したがって、有機薄膜の導電性の変化は、波長の異なる
光の照射の組合せ等で所定の状態に戻すことができる可
逆的なものである。
態を変化する特性であり、光応答には分子を構成する原
子相互の結合の順序（配列）は同じで空間的な配置を変
化するシス−トランス異性化他の光異性化等をも含む。
したがって、有機薄膜の導電性の変化は、波長の異なる
光の照射の組合せ等で所定の状態に戻すことができる可
逆的なものである。
【００１０】また、導電ネットワークは前記第１と第２
の電極間の電気伝導に関与する伝導路を形成する分子の
集合体である。さらに、ドーピングにより導電ネットワ
ークにドーパント物質の組み込めば導電率を向上でき
る。
の電極間の電気伝導に関与する伝導路を形成する分子の
集合体である。さらに、ドーピングにより導電ネットワ
ークにドーパント物質の組み込めば導電率を向上でき
る。
【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の２端子有機電子デバイスに於いて、前記有機薄膜が有
機分子が基板上に固定された単分子膜または単分子累積
膜であることを特徴とする。
の２端子有機電子デバイスに於いて、前記有機薄膜が有
機分子が基板上に固定された単分子膜または単分子累積
膜であることを特徴とする。
【００１２】上記の構成によれば、各単分子層を構成す
る分子の集合群はある程度配向した状態にあり、各分子
の重合性基はほぼ平面内に存在するため容易に共役結合
させることができ、多数の分子が共役結合で連結された
高い導電性の導電ネットワークを形成することが可能に
なる。さらに、導電ネットワークが平面上に展開されて
いる為、１次元性の鎖状共役系高分子を形成する分子を
有機薄膜の材料物質として使用しても２次元的な電気伝
導が可能と考えられる。したがって膜厚が薄くても良好
な導電性を有する。
る分子の集合群はある程度配向した状態にあり、各分子
の重合性基はほぼ平面内に存在するため容易に共役結合
させることができ、多数の分子が共役結合で連結された
高い導電性の導電ネットワークを形成することが可能に
なる。さらに、導電ネットワークが平面上に展開されて
いる為、１次元性の鎖状共役系高分子を形成する分子を
有機薄膜の材料物質として使用しても２次元的な電気伝
導が可能と考えられる。したがって膜厚が薄くても良好
な導電性を有する。
【００１３】また、膜厚が極めて薄くできるため応答速
度を向上することができる。また、基板に結合固定され
ているため耐剥離性等の耐久性に優れ、長期間の使用に
対して安定な動作が可能である。したがって、膜厚が薄
くとも良好且つ均質な導電性と高速で安定な応答性を有
する２端子有機電子デバイスを提供できる。
度を向上することができる。また、基板に結合固定され
ているため耐剥離性等の耐久性に優れ、長期間の使用に
対して安定な動作が可能である。したがって、膜厚が薄
くとも良好且つ均質な導電性と高速で安定な応答性を有
する２端子有機電子デバイスを提供できる。
【００１４】また、ドーピングを行う際には、ドーパン
ト物質を効果的に導電ネットワークに組み込むことが可
能となる。任意の膜厚の有機薄膜を形成する、またはド
ーピングを行う等により有機薄膜の導電性を容易に調整
することができる。
ト物質を効果的に導電ネットワークに組み込むことが可
能となる。任意の膜厚の有機薄膜を形成する、またはド
ーピングを行う等により有機薄膜の導電性を容易に調整
することができる。
【００１５】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の２端子有機電子デバイスに於いて、前記導電
ネットワークの導電率は前記有機薄膜に照射される光の
光量により変化することを特徴とする。
２に記載の２端子有機電子デバイスに於いて、前記導電
ネットワークの導電率は前記有機薄膜に照射される光の
光量により変化することを特徴とする。
【００１６】上記構成によれば、有機薄膜に吸収される
光のエネルギーを、光の照射強度や照射時間等により調
整すれば、導電ネットワークの導電率を変化することが
可能である。また、導電率が変化する特性により可変抵
抗等の有機電子デバイスを提供できる。
光のエネルギーを、光の照射強度や照射時間等により調
整すれば、導電ネットワークの導電率を変化することが
可能である。また、導電率が変化する特性により可変抵
抗等の有機電子デバイスを提供できる。
【００１７】一般的に吸収スペクトルにおいて、光応答
性の官能基はそれぞれ固有の吸収特性を有しているの
で、吸収率の優れた波長の光を用いると効率良くまた高
速に導電性を変化させることが可能となる。
性の官能基はそれぞれ固有の吸収特性を有しているの
で、吸収率の優れた波長の光を用いると効率良くまた高
速に導電性を変化させることが可能となる。
【００１８】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の２端子有機電子デバイスに於いて、前記導電ネットワ
ークの導電率は、有機薄膜に照射される波長の異なる第
１の光または第２の光によりそれぞれ第１の導電率また
は第２の導電率に移行し且つ遮光後もそれぞれ前記第１
または第２の導電率が維持されることを特徴とする。
の２端子有機電子デバイスに於いて、前記導電ネットワ
ークの導電率は、有機薄膜に照射される波長の異なる第
１の光または第２の光によりそれぞれ第１の導電率また
は第２の導電率に移行し且つ遮光後もそれぞれ前記第１
または第２の導電率が維持されることを特徴とする。
【００１９】上記の構成によれば、第１と第２の電極間
に電圧印加した状態で第１または第２の光を照射し、第
１または第２の導電率を有する安定状態間を移行させる
ことにより、導電ネットワークの導電率をスイッチング
することが可能となる。さらに、安定状態が遮光後も維
持されるためメモリ機能を有する。したがって、可変抵
抗、スイッチ素子、メモリ素子、または光センサー等の
有機電子デバイスを提供できる。
に電圧印加した状態で第１または第２の光を照射し、第
１または第２の導電率を有する安定状態間を移行させる
ことにより、導電ネットワークの導電率をスイッチング
することが可能となる。さらに、安定状態が遮光後も維
持されるためメモリ機能を有する。したがって、可変抵
抗、スイッチ素子、メモリ素子、または光センサー等の
有機電子デバイスを提供できる。
【００２０】また、第１または第２の導電率は、光を照
射する前の状態及び照射される第１または第２の光の光
量に依存する為、光強度や照射時間等を調整することに
よりそれぞれの安定状態の導電率を可変制御できる。
射する前の状態及び照射される第１または第２の光の光
量に依存する為、光強度や照射時間等を調整することに
よりそれぞれの安定状態の導電率を可変制御できる。
【００２１】請求項５に記載の発明は、請求項１及至４
のいずれかに記載の２端子有機電子デバイスに於いて、
前記光応答性の官能基が光異性化する官能基であること
を特徴とする
のいずれかに記載の２端子有機電子デバイスに於いて、
前記光応答性の官能基が光異性化する官能基であること
を特徴とする
【００２２】上記の構成によれば、異性化に伴い前記第
１と第２の導電率を有する安定状態をとることが可能と
なる。また、導電ネットワークの導電率の極めて高速な
制御が可能となる。
１と第２の導電率を有する安定状態をとることが可能と
なる。また、導電ネットワークの導電率の極めて高速な
制御が可能となる。
【００２３】ここで、安定状態とは、あくまで導電ネッ
トワークが安定且つ所定の導電率を有する状態であれば
よい。例えば、第１の異性体と第２の異性体とがある比
率で存在する場合に導電ネットワークが有する導電率が
第１の導電率とし、その状態が第１の導電率を有する安
定状態である。
トワークが安定且つ所定の導電率を有する状態であれば
よい。例えば、第１の異性体と第２の異性体とがある比
率で存在する場合に導電ネットワークが有する導電率が
第１の導電率とし、その状態が第１の導電率を有する安
定状態である。
【００２４】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の２端子有機電子デバイスに於いて、前記光異性化する
官能基がアゾ基であることを特徴とする。
の２端子有機電子デバイスに於いて、前記光異性化する
官能基がアゾ基であることを特徴とする。
【００２５】上記の構成によれば、可視光の照射でトラ
ンス型の第１の異性体に、また紫外線の照射でシス型の
第２の異性体に異性化され、導電ネットワークの導電率
は変化する。
ンス型の第１の異性体に、また紫外線の照射でシス型の
第２の異性体に異性化され、導電ネットワークの導電率
は変化する。
【００２６】請求項７に記載の発明は、請求項１及至６
のいずれかに記載の２端子有機電子デバイスに於いて、
前記導電ネットワークはポリアセチレン型、ポリジアセ
チレン型、ポリピロール型、ポリチェニレン型、ポリア
セン型の共役系よりなる群から選択される１つ以上の共
役系を含むことを特徴とする。
のいずれかに記載の２端子有機電子デバイスに於いて、
前記導電ネットワークはポリアセチレン型、ポリジアセ
チレン型、ポリピロール型、ポリチェニレン型、ポリア
セン型の共役系よりなる群から選択される１つ以上の共
役系を含むことを特徴とする。
【００２７】上記の構成によれば、高い導電率の導電ネ
ットワークを有する２端子有機電子デバイスを提供でき
る。ここに、ポリアセチレンの高分子主鎖の結合構造を
ポリアセチレン型とする。（以下、ポリアセチレン型。
他の高分子についても同様とする）
ットワークを有する２端子有機電子デバイスを提供でき
る。ここに、ポリアセチレンの高分子主鎖の結合構造を
ポリアセチレン型とする。（以下、ポリアセチレン型。
他の高分子についても同様とする）
【００２８】請求項８に記載の発明は、基板上に形成さ
れた、第１の電極と、前記第１の電極と離隔した第２の
電極と、前記第１と第２の電極を電気的に接続する有機
薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の間に挟まれ、それぞ
れと絶縁された第３の電極と、を備えた３端子有機電子
デバイスであって、前記第３の電極は、前記第１の電極
または前記第２の電極との電極間に電圧を印加すること
により前記有機薄膜に作用させる電界を制御する電極で
あり、前記有機薄膜は、有極性の官能基を有する有機分
子群からなり、前記有機分子群を構成する分子相互が共
役結合した導電ネットワークを有することを特徴とする
れた、第１の電極と、前記第１の電極と離隔した第２の
電極と、前記第１と第２の電極を電気的に接続する有機
薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の間に挟まれ、それぞ
れと絶縁された第３の電極と、を備えた３端子有機電子
デバイスであって、前記第３の電極は、前記第１の電極
または前記第２の電極との電極間に電圧を印加すること
により前記有機薄膜に作用させる電界を制御する電極で
あり、前記有機薄膜は、有極性の官能基を有する有機分
子群からなり、前記有機分子群を構成する分子相互が共
役結合した導電ネットワークを有することを特徴とする
【００２９】上記の構成によれば、前記第３の電極に印
加した電圧により前記有機薄膜の導電性が変化する。さ
らに、有極性の官能基を含むことにより印加された電界
に対する感度が高くなり、応答速度が高速になる。した
がって前記有機薄膜の導電性の変化が高速になる。前記
有機薄膜に電界が印加された際の前記有機薄膜の導電性
の変化は、有極性の官能基の電界応答による影響が前記
導電ネットワークの構造に波及された為、生じたと考え
られる。
加した電圧により前記有機薄膜の導電性が変化する。さ
らに、有極性の官能基を含むことにより印加された電界
に対する感度が高くなり、応答速度が高速になる。した
がって前記有機薄膜の導電性の変化が高速になる。前記
有機薄膜に電界が印加された際の前記有機薄膜の導電性
の変化は、有極性の官能基の電界応答による影響が前記
導電ネットワークの構造に波及された為、生じたと考え
られる。
【００３０】前記有機薄膜は前記第１と第２の電極間を
電気的に接続する導電性の薄膜であり、前記有機薄膜の
一部または全部が単分子膜または単分子膜が積層した単
分子累積膜であってもよい。
電気的に接続する導電性の薄膜であり、前記有機薄膜の
一部または全部が単分子膜または単分子膜が積層した単
分子累積膜であってもよい。
【００３１】請求項９に記載の発明は、請求項８に記載
の３端子有機電子デバイスに於いて、前記有機薄膜が基
板上に固定された単分子膜または単分子累積膜であるこ
とを特徴とする。
の３端子有機電子デバイスに於いて、前記有機薄膜が基
板上に固定された単分子膜または単分子累積膜であるこ
とを特徴とする。
【００３２】上記の構成によれば、各単分子層を構成す
る分子の集合群はある程度配向した状態にあり、各分子
の重合性基はほぼ平面内に存在するため容易に共役結合
させることができ、多数の分子が共役結合で連結された
高い導電性の導電ネットワークを形成することが可能に
なる。さらに、導電ネットワークが平面上に展開される
ため、１次元性の鎖状共役系高分子を形成する分子を単
分子膜または単分子累積膜の材料物質として使用しても
２次元的な電気伝導が可能と考えられる。したがって有
機薄膜の導電性は膜厚が薄くても良好である。
る分子の集合群はある程度配向した状態にあり、各分子
の重合性基はほぼ平面内に存在するため容易に共役結合
させることができ、多数の分子が共役結合で連結された
高い導電性の導電ネットワークを形成することが可能に
なる。さらに、導電ネットワークが平面上に展開される
ため、１次元性の鎖状共役系高分子を形成する分子を単
分子膜または単分子累積膜の材料物質として使用しても
２次元的な電気伝導が可能と考えられる。したがって有
機薄膜の導電性は膜厚が薄くても良好である。
【００３３】また、膜厚が極めて薄くできるため応答速
度を向上することができる。また、基板に結合固定され
ているため耐剥離性等の耐久性に優れ、長期間の使用に
対して安定な動作が可能である。したがって、膜厚が薄
くとも良好且つ均質な導電性を有し、且つ高速で安定な
応答性を有する３端子有機電子デバイスの製造が可能と
なる。
度を向上することができる。また、基板に結合固定され
ているため耐剥離性等の耐久性に優れ、長期間の使用に
対して安定な動作が可能である。したがって、膜厚が薄
くとも良好且つ均質な導電性を有し、且つ高速で安定な
応答性を有する３端子有機電子デバイスの製造が可能と
なる。
【００３４】また、ドーピングを行う際には、ドーパン
ト物質を効果的に導電ネットワークに組み込むことが可
能となる。任意の膜厚の有機薄膜を形成する、またはド
ーピングを行う等により有機薄膜の導電性を容易に調整
することができる。
ト物質を効果的に導電ネットワークに組み込むことが可
能となる。任意の膜厚の有機薄膜を形成する、またはド
ーピングを行う等により有機薄膜の導電性を容易に調整
することができる。
【００３５】請求項１０に記載の発明は、請求項８また
は９に記載の３端子有機電子デバイスに於いて、前記導
電ネットワークの導電性は前記有機薄膜に印加される電
界により変化することを特徴とする
は９に記載の３端子有機電子デバイスに於いて、前記導
電ネットワークの導電性は前記有機薄膜に印加される電
界により変化することを特徴とする
【００３６】上記の構成によれば、有機薄膜に印加され
る電界は前記第３の電極に印加した電圧で制御できる
為、印加する電圧により前記導電ネットワークの導電率
の制御が可能となる。
る電界は前記第３の電極に印加した電圧で制御できる
為、印加する電圧により前記導電ネットワークの導電率
の制御が可能となる。
【００３７】請求項１１に記載の発明は、請求項８及至
１０のいずれかに記載の３端子有機電子デバイスに於い
て、前記有極性の官能基が電界印加により分極する分極
性の官能基であることを特徴とする。
１０のいずれかに記載の３端子有機電子デバイスに於い
て、前記有極性の官能基が電界印加により分極する分極
性の官能基であることを特徴とする。
【００３８】上記の構成によれば、有極性の官能基が電
界印加により分極が大きくなる官能基（以下、分極性の
官能基）であると、印加電界に対する感度が極めて高く
なる為、応答速度も極めて高速になる。
界印加により分極が大きくなる官能基（以下、分極性の
官能基）であると、印加電界に対する感度が極めて高く
なる為、応答速度も極めて高速になる。
【００３９】請求項１２に記載の発明は、請求項１１に
記載の３端子有機電子デバイスに於いて、前記分極性の
官能基がカルボニル基、オキシカルボニル基であること
を特徴とする。
記載の３端子有機電子デバイスに於いて、前記分極性の
官能基がカルボニル基、オキシカルボニル基であること
を特徴とする。
【００４０】応答速度を向上する官能基としてカルボニ
ル基またはオキシカルボニル基が適している。
ル基またはオキシカルボニル基が適している。
【００４１】請求項１３に記載の発明は、請求項９及至
１２のいずれかに記載の３端子有機電子デバイスに於い
て、前記導電ネットワークがポリアセチレン型、ポリジ
アセチレン型、ポリチェニレン型、ポリピロール型、ポ
リアセン型の共役系よりなる群から選択される１つ以上
の共役系を含むことを特徴とする。
１２のいずれかに記載の３端子有機電子デバイスに於い
て、前記導電ネットワークがポリアセチレン型、ポリジ
アセチレン型、ポリチェニレン型、ポリピロール型、ポ
リアセン型の共役系よりなる群から選択される１つ以上
の共役系を含むことを特徴とする。
【００４２】上記の構成によれば、高い導電率の導電ネ
ットワークを有する有機薄膜を備えた３端子有機電子デ
バイスを提供できる。
ットワークを有する有機薄膜を備えた３端子有機電子デ
バイスを提供できる。
【００４３】請求項１４に記載の発明は、絶縁性の基板
上、または任意の基板表面に絶縁膜が形成された絶縁膜
付き基板上に、光応答性の官能基及び共役結合で結合す
る重合性基を有する有機分子群から成る有機薄膜を形成
する成膜工程と、前記有機薄膜を構成する分子相互を共
役結合させ導電ネットワークを形成する導電ネットワー
ク形成工程と、前記導電ネットワークに接触するよう
に、互いに離隔する第１の電極と第２の電極とを形成す
る対電極形成工程と、を含むことを特徴とする。
上、または任意の基板表面に絶縁膜が形成された絶縁膜
付き基板上に、光応答性の官能基及び共役結合で結合す
る重合性基を有する有機分子群から成る有機薄膜を形成
する成膜工程と、前記有機薄膜を構成する分子相互を共
役結合させ導電ネットワークを形成する導電ネットワー
ク形成工程と、前記導電ネットワークに接触するよう
に、互いに離隔する第１の電極と第２の電極とを形成す
る対電極形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００４４】上記の構成によれば、前記第１と第２の電
極を繋ぐチャネル部が導電性の有機材料で形成され、光
照射により第１と第２の電極間の導電性を変化する２端
子有機電子デバイスを製造できる。ガラス基板やプラス
チック基板等の絶縁性の基板を用いる場合、第１の絶縁
膜はなくてもよく、基板上に直接に有機薄膜を形成する
ことができる。
極を繋ぐチャネル部が導電性の有機材料で形成され、光
照射により第１と第２の電極間の導電性を変化する２端
子有機電子デバイスを製造できる。ガラス基板やプラス
チック基板等の絶縁性の基板を用いる場合、第１の絶縁
膜はなくてもよく、基板上に直接に有機薄膜を形成する
ことができる。
【００４５】請求項１５に記載の発明は、請求項１４に
記載の２端子有機電子デバイスの製造方法に於いて、前
記光応答性の官能基が光異性化する官能基であることを
特徴とする。
記載の２端子有機電子デバイスの製造方法に於いて、前
記光応答性の官能基が光異性化する官能基であることを
特徴とする。
【００４６】上記の構成によれば、導電ネットワークの
導電率が、波長の異なる第１または第２の光の照射によ
りそれぞれ第１または第２の導電率に移行し、且つ遮光
後もそれぞれ第１または第２の導電率を維持する２端子
有機電子デバイスを製造できる。この有機電子デバイス
は可変抵抗、スイッチ素子、光センサー素子、またはメ
モリー素子等として利用できる。
導電率が、波長の異なる第１または第２の光の照射によ
りそれぞれ第１または第２の導電率に移行し、且つ遮光
後もそれぞれ第１または第２の導電率を維持する２端子
有機電子デバイスを製造できる。この有機電子デバイス
は可変抵抗、スイッチ素子、光センサー素子、またはメ
モリー素子等として利用できる。
【００４７】請求項１６に記載の発明は、絶縁性の基板
上、または任意の基板表面に第１の絶縁膜が形成された
絶縁膜付き基板上に、第３の電極を形成する工程と、直
接または第２の絶縁膜を介して前記第３の電極を覆うよ
うに、有極性の官能基及び共役結合で結合する重合性基
を有する有機分子から成る有機薄膜を形成する成膜工程
と、前記有機薄膜を構成する分子相互を共役結合させ導
電ネットワークを形成する導電ネットワーク形成工程
と、前記導電ネットワークに接触するように、互いに離
隔し且つ第３の電極とも離隔した第１の電極と第２の電
極とを形成する対電極形成工程とを含むことを特徴とす
る。
上、または任意の基板表面に第１の絶縁膜が形成された
絶縁膜付き基板上に、第３の電極を形成する工程と、直
接または第２の絶縁膜を介して前記第３の電極を覆うよ
うに、有極性の官能基及び共役結合で結合する重合性基
を有する有機分子から成る有機薄膜を形成する成膜工程
と、前記有機薄膜を構成する分子相互を共役結合させ導
電ネットワークを形成する導電ネットワーク形成工程
と、前記導電ネットワークに接触するように、互いに離
隔し且つ第３の電極とも離隔した第１の電極と第２の電
極とを形成する対電極形成工程とを含むことを特徴とす
る。
【００４８】上記の構成によれば、第１と第２の電極を
電気的に接続するチャネル部が導電性の有機材料で形成
され、第１または第２の電極と第３の電極との電極間の
印加電圧により第１と第２の電極間の導電性を変化する
３端子有機電子デバイスを製造できる。また、有極性の
官能基を含むことにより、電界に対する応答が高速にな
る。
電気的に接続するチャネル部が導電性の有機材料で形成
され、第１または第２の電極と第３の電極との電極間の
印加電圧により第１と第２の電極間の導電性を変化する
３端子有機電子デバイスを製造できる。また、有極性の
官能基を含むことにより、電界に対する応答が高速にな
る。
【００４９】ガラス基板やプラスチック基板等の絶縁性
の基板を用いる場合、第１の絶縁膜はなくてもよく、基
板上に直接第３の電極を形成することができる。また第
３の電極がシリコン電極等の絶縁性の電極である場合、
第２の絶縁膜はなくてもよく、第３の電極を被うように
直接有機薄膜を形成することができる。
の基板を用いる場合、第１の絶縁膜はなくてもよく、基
板上に直接第３の電極を形成することができる。また第
３の電極がシリコン電極等の絶縁性の電極である場合、
第２の絶縁膜はなくてもよく、第３の電極を被うように
直接有機薄膜を形成することができる。
【００５０】請求項１７に記載の発明は、請求項１６に
記載の３端子有機電子デバイスの製造方法に於いて、前
記有極性の官能基が電界印加により分極する分極性の官
能基であることを特徴とする。
記載の３端子有機電子デバイスの製造方法に於いて、前
記有極性の官能基が電界印加により分極する分極性の官
能基であることを特徴とする。
【００５１】上記の構成によれば、分極性の官能基は有
極性の官能基よりも電界に対する感度が高い為、応答速
度が極めて高速な３端子有機電子デバイスを製造でき
る。
極性の官能基よりも電界に対する感度が高い為、応答速
度が極めて高速な３端子有機電子デバイスを製造でき
る。
【００５２】請求項１８に記載の発明は、請求項１４及
至１７のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法
に於いて、前記有機薄膜は有機分子が単分子層状に配列
した単分子膜または単分子膜が複数積層した単分子累積
膜であることを特徴とする。
至１７のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法
に於いて、前記有機薄膜は有機分子が単分子層状に配列
した単分子膜または単分子膜が複数積層した単分子累積
膜であることを特徴とする。
【００５３】上記の構成によれば、各単分子層を構成す
る分子の集合群はある程度配向した状態にあり、各分子
の重合性基は平面内に存在するため容易に共役結合させ
ることができ、多数の分子が共役結合で連結された導電
性の高い導電ネットワークを形成することが可能にな
る。さらに、導電ネットワークが平面上に展開されてい
る為、１次元性の鎖状共役系高分子を形成する分子を膜
材料物質として使用しても２次元的な電気伝導が可能と
考えられる。したがって膜厚が薄くても良好な導電性を
有する３端子有機電子デバイスの製造が可能となる。
る分子の集合群はある程度配向した状態にあり、各分子
の重合性基は平面内に存在するため容易に共役結合させ
ることができ、多数の分子が共役結合で連結された導電
性の高い導電ネットワークを形成することが可能にな
る。さらに、導電ネットワークが平面上に展開されてい
る為、１次元性の鎖状共役系高分子を形成する分子を膜
材料物質として使用しても２次元的な電気伝導が可能と
考えられる。したがって膜厚が薄くても良好な導電性を
有する３端子有機電子デバイスの製造が可能となる。
【００５４】また、膜厚が極めて薄くできるため応答速
度を向上することができる。また、基板に結合固定され
ているため耐剥離性等の耐久性に優れ、長期間の使用に
対して安定な動作が可能である。したがって、膜厚が薄
くとも良好且つ均質な導電性を有し、且つ高速で安定な
応答性を有する有機電子デバイスの製造が可能となる。
度を向上することができる。また、基板に結合固定され
ているため耐剥離性等の耐久性に優れ、長期間の使用に
対して安定な動作が可能である。したがって、膜厚が薄
くとも良好且つ均質な導電性を有し、且つ高速で安定な
応答性を有する有機電子デバイスの製造が可能となる。
【００５５】また、ドーピングを行う際には、ドーパン
ト物質を効率よく導電ネットワークに組み込むことが可
能となる。任意の膜厚の有機薄膜を形成する、またはド
ーピングを行う等により導電性を簡便に調整することが
できる。
ト物質を効率よく導電ネットワークに組み込むことが可
能となる。任意の膜厚の有機薄膜を形成する、またはド
ーピングを行う等により導電性を簡便に調整することが
できる。
【００５６】請求項１９に記載の発明は、請求項１８に
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記成膜
工程で化学吸着法またはラングミュア−ブロジェット法
を適用することを特徴とする。
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記成膜
工程で化学吸着法またはラングミュア−ブロジェット法
を適用することを特徴とする。
【００５７】上記の構成によれば、基板上に結合固定し
た単分子膜または単分子累積膜を作製できる。また、任
意の膜厚の単分子累積膜を簡便に作製できる。
た単分子膜または単分子累積膜を作製できる。また、任
意の膜厚の単分子累積膜を簡便に作製できる。
【００５８】請求項２０に記載の発明は、請求項１９に
記載の有機電子デバイス製造方法に於いて、前記化学吸
着法を適用した成膜工程でシラン系界面活性剤を用いる
ことを特徴とする。
記載の有機電子デバイス製造方法に於いて、前記化学吸
着法を適用した成膜工程でシラン系界面活性剤を用いる
ことを特徴とする。
【００５９】上記の構成の如く、シラン系界面活性剤を
用いると効率良く成膜できる。
用いると効率良く成膜できる。
【００６０】請求項２１に記載の発明は、請求項１４及
至１８のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法
に於いて、前記導電ネットワーク形成工程で、前記有機
薄膜を構成する分子相互を重合により、または重合及び
該重合後の架橋により共役結合させ導電ネットワークを
形成することを特徴とする。
至１８のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法
に於いて、前記導電ネットワーク形成工程で、前記有機
薄膜を構成する分子相互を重合により、または重合及び
該重合後の架橋により共役結合させ導電ネットワークを
形成することを特徴とする。
【００６１】上記の構成によれば、分子の前記重合性基
を共役結合で連結させ電気伝導を可能にする導電ネット
ワークを形成できる。重合の種類としては電解重合、触
媒重合、エネルギービームの照射による重合等が利用で
きる。
を共役結合で連結させ電気伝導を可能にする導電ネット
ワークを形成できる。重合の種類としては電解重合、触
媒重合、エネルギービームの照射による重合等が利用で
きる。
【００６２】また、前記有機薄膜を形成する分子が共役
結合で結合する重合性基を複数有する場合、一方の重合
性基の重合で形成された高分子に対して、さらに架橋反
応を行い他方の重合性基を共役結合させることにより、
重合後の構造と異なる構造を有する導電ネットワークを
形成できる。この際、重合により形成された高分子の側
鎖にある前記他方の重合性基が架橋される結合基であ
る。
結合で結合する重合性基を複数有する場合、一方の重合
性基の重合で形成された高分子に対して、さらに架橋反
応を行い他方の重合性基を共役結合させることにより、
重合後の構造と異なる構造を有する導電ネットワークを
形成できる。この際、重合により形成された高分子の側
鎖にある前記他方の重合性基が架橋される結合基であ
る。
【００６３】例えば、ジアセチレン基を有する分子の集
合群からなる単分子膜を形成し、触媒重合を行いさらに
エネルギービーム照射により架橋を行うと、極めて高い
導電率ポリアセン型の共役系を含む導電ネットワークを
形成することができる。
合群からなる単分子膜を形成し、触媒重合を行いさらに
エネルギービーム照射により架橋を行うと、極めて高い
導電率ポリアセン型の共役系を含む導電ネットワークを
形成することができる。
【００６４】請求項２２に記載の発明は、請求項２１に
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記架橋
を行う工程が触媒作用による架橋工程、電解作用による
架橋工程、エネルギービーム照射作用による架橋工程よ
りなる群から選択される１つ以上の架橋工程であること
を特徴とする。
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記架橋
を行う工程が触媒作用による架橋工程、電解作用による
架橋工程、エネルギービーム照射作用による架橋工程よ
りなる群から選択される１つ以上の架橋工程であること
を特徴とする。
【００６５】上記の構成によれば、重合後の高分子が異
なる架橋性の結合基を複数有する場合であっても複数回
の架橋工程を行い導電ネットワークを形成することがで
きる。また、架橋に触媒作用、電解作用、エネルギービ
ーム作用による架橋反応が利用できる。
なる架橋性の結合基を複数有する場合であっても複数回
の架橋工程を行い導電ネットワークを形成することがで
きる。また、架橋に触媒作用、電解作用、エネルギービ
ーム作用による架橋反応が利用できる。
【００６６】複数回の架橋工程とは、異なる作用による
架橋工程の組合せのみではなく、同じ作用であるが反応
条件が異なる工程の組合せをも含む。例えば、触媒作用
による架橋工程後に第１の種類のエネルギービーム照射
による架橋工程を行い、さらに第２の種類のエネルギー
ビーム照射による架橋工程を行う等により導電ネットワ
ークを形成する。
架橋工程の組合せのみではなく、同じ作用であるが反応
条件が異なる工程の組合せをも含む。例えば、触媒作用
による架橋工程後に第１の種類のエネルギービーム照射
による架橋工程を行い、さらに第２の種類のエネルギー
ビーム照射による架橋工程を行う等により導電ネットワ
ークを形成する。
【００６７】請求項２３に記載の発明は、請求項２１に
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記対電
極形成工程を前記導電ネットワーク形成工程前に行うこ
とを特徴とする。
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記対電
極形成工程を前記導電ネットワーク形成工程前に行うこ
とを特徴とする。
【００６８】上記の構成によれば、対電極形成工程で形
成された前記第１と第２の電極を利用して、電解重合を
行うことが可能となる。
成された前記第１と第２の電極を利用して、電解重合を
行うことが可能となる。
【００６９】請求項２４に記載の発明は、請求項２３に
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記有機
薄膜を構成する分子の前記重合性基が電解重合性を有す
る電解重合性基である場合に、前記第１と第２の電極間
に電圧を印加し電解重合を行うことを特徴とする。
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記有機
薄膜を構成する分子の前記重合性基が電解重合性を有す
る電解重合性基である場合に、前記第１と第２の電極間
に電圧を印加し電解重合を行うことを特徴とする。
【００７０】上記の構成によれば、電解重合性の重合性
基（以下、電界重合性基）を有する有機薄膜を構成する
分子相互を電解重合して導電ネットワークを形成するこ
とが可能である。
基（以下、電界重合性基）を有する有機薄膜を構成する
分子相互を電解重合して導電ネットワークを形成するこ
とが可能である。
【００７１】また、第１と第２の電極を導電ネットワー
ク形成工程で使用でき、第１と第２の電極間に電圧を印
加して重合を行うことで、導電ネットワークが自己成長
的に第１と第２の電極間に形成される。したがって、電
極間の導電性が簡便に確保でき、且つ均質な導電率を有
する導電ネットワークを形成できる。
ク形成工程で使用でき、第１と第２の電極間に電圧を印
加して重合を行うことで、導電ネットワークが自己成長
的に第１と第２の電極間に形成される。したがって、電
極間の導電性が簡便に確保でき、且つ均質な導電率を有
する導電ネットワークを形成できる。
【００７２】請求項２５に記載の発明は、請求項２４に
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記電解
重合性基がピロール基またはチェニレン基であることを
特徴とする。
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記電解
重合性基がピロール基またはチェニレン基であることを
特徴とする。
【００７３】上記の構成の如く、電解重合性基としてピ
ロール基やチェニレン基が使用できる。電界重合性基と
してピロール基またはチェニレン基を有する有機薄膜の
分子相互を電解重合して、高い導電性の導電ネットワー
クを有する有機電子デバイスを製造できる。
ロール基やチェニレン基が使用できる。電界重合性基と
してピロール基またはチェニレン基を有する有機薄膜の
分子相互を電解重合して、高い導電性の導電ネットワー
クを有する有機電子デバイスを製造できる。
【００７４】請求項２６に記載の発明は、請求項２４に
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記電解
重合性基がピロール基またはチェニレン基であり、前記
有機薄膜が単分子膜である場合、前記対電極形成工程後
にピロール基又はチェニレン基を含む物質を溶かした有
機溶媒中に浸漬し、且つ前記第１と第２の電極間、及び
前記第１または第２の電極と前記有機溶媒に接触し前記
有機薄膜の上方に配置された外部電極との電極間にそれ
ぞれ電圧を印加して、前記単分子膜の表面に更にピロー
ル基またはチェニレン基を有する分子から成る被膜を形
成し且つ前記単分子膜と前記被膜にそれぞれ導電ネット
ワークを形成することを特徴とする。
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記電解
重合性基がピロール基またはチェニレン基であり、前記
有機薄膜が単分子膜である場合、前記対電極形成工程後
にピロール基又はチェニレン基を含む物質を溶かした有
機溶媒中に浸漬し、且つ前記第１と第２の電極間、及び
前記第１または第２の電極と前記有機溶媒に接触し前記
有機薄膜の上方に配置された外部電極との電極間にそれ
ぞれ電圧を印加して、前記単分子膜の表面に更にピロー
ル基またはチェニレン基を有する分子から成る被膜を形
成し且つ前記単分子膜と前記被膜にそれぞれ導電ネット
ワークを形成することを特徴とする。
【００７５】上記の構成によれば、被膜を形成し且つ単
分子膜と被膜にそれぞれ導電ネットワークを形成でき
る。この場合、有機電子デバイスの構成要素である有機
薄膜は、それぞれ導電ネットワークを有する単分子膜と
ポリマー状の被膜からなる。被膜の厚さは電圧を印加し
ている時間に依存するため、時間を調整すれば所定の厚
さの被膜を形成できる。また、有機薄膜全体としての前
記導電ネットワークの導電率は形成される前記被膜の厚
さに依存する。したがって、電圧印加時間を調整するこ
とにより所定の導電特性を有する有機電子デバイスを簡
便に製造できる。
分子膜と被膜にそれぞれ導電ネットワークを形成でき
る。この場合、有機電子デバイスの構成要素である有機
薄膜は、それぞれ導電ネットワークを有する単分子膜と
ポリマー状の被膜からなる。被膜の厚さは電圧を印加し
ている時間に依存するため、時間を調整すれば所定の厚
さの被膜を形成できる。また、有機薄膜全体としての前
記導電ネットワークの導電率は形成される前記被膜の厚
さに依存する。したがって、電圧印加時間を調整するこ
とにより所定の導電特性を有する有機電子デバイスを簡
便に製造できる。
【００７６】また、単分子膜と同種の有機分子からなる
被膜を形成する場合、単分子膜中にさらに分子が入り込
める隙間があればこの隙間へ分子が充填され稠密度が上
がる。したがって、より確実且つ良好な導電性を確保で
きる。
被膜を形成する場合、単分子膜中にさらに分子が入り込
める隙間があればこの隙間へ分子が充填され稠密度が上
がる。したがって、より確実且つ良好な導電性を確保で
きる。
【００７７】請求項２７に記載の発明は、請求項２１に
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、導電ネッ
トワーク形成工程で、前記重合性基として触媒重合性の
触媒重合性基を有する前記有機薄膜を構成する分子相互
を触媒重合することを特徴とする。
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、導電ネッ
トワーク形成工程で、前記重合性基として触媒重合性の
触媒重合性基を有する前記有機薄膜を構成する分子相互
を触媒重合することを特徴とする。
【００７８】上記の構成によれば、触媒重合性の重合性
基（以下、触媒重合性基）を有する分子群を重合して導
電ネットワークを形成することが可能となる。
基（以下、触媒重合性基）を有する分子群を重合して導
電ネットワークを形成することが可能となる。
【００７９】請求項２８に記載の発明は、請求項２７に
記載の有機電子デバイス製造方法に於いて、前記触媒重
合性基がピロール基、チェニレン基、アセチレン基、ま
たはジアセチレン基であることを特徴とする。
記載の有機電子デバイス製造方法に於いて、前記触媒重
合性基がピロール基、チェニレン基、アセチレン基、ま
たはジアセチレン基であることを特徴とする。
【００８０】上記の構成によれば、触媒重合性基として
ピロール基、チェニレン基、アセチレン基、またはジア
セチレン基を有する有機分子群を触媒重合して、高い導
電率の導電ネットワークを有する有機電子デバイスを製
造できる。
ピロール基、チェニレン基、アセチレン基、またはジア
セチレン基を有する有機分子群を触媒重合して、高い導
電率の導電ネットワークを有する有機電子デバイスを製
造できる。
【００８１】請求項２９に記載の発明は、請求項２１に
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記導電
ネットワーク形成工程で、前記重合性基としてエネルギ
ービーム照射により重合するビーム照射重合性基を有す
る前記有機薄膜を構成する分子相互をエネルギービーム
照射により重合することを特徴とする。
記載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記導電
ネットワーク形成工程で、前記重合性基としてエネルギ
ービーム照射により重合するビーム照射重合性基を有す
る前記有機薄膜を構成する分子相互をエネルギービーム
照射により重合することを特徴とする。
【００８２】上記の構成によれば、エネルギービーム照
射により重合が進行する特性（以下、ビーム照射重合
性）を有する重合性基（以下、ビーム照射重合性基）を
有する分子群を重合し導電ネットワークを形成すること
が可能である。エネルギービームには、赤外線、可視光
線、紫外線等の光線、Ｘ線等の放射線、または電子線等
の粒子線をも含む。
射により重合が進行する特性（以下、ビーム照射重合
性）を有する重合性基（以下、ビーム照射重合性基）を
有する分子群を重合し導電ネットワークを形成すること
が可能である。エネルギービームには、赤外線、可視光
線、紫外線等の光線、Ｘ線等の放射線、または電子線等
の粒子線をも含む。
【００８３】請求項３０に記載の発明は、請求項２９記
載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記エネル
ギービーム重合性基がアセチレン基またはジアセチレン
基であることを特徴とする。
載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、前記エネル
ギービーム重合性基がアセチレン基またはジアセチレン
基であることを特徴とする。
【００８４】上記の構成によれば、ビーム照射重合性基
としてアセチレン基、またはジアセチレン基を有する有
機薄膜の分子相互を重合して、高い導電性の導電ネット
ワークを有する有機電子デバイスを製造できる。
としてアセチレン基、またはジアセチレン基を有する有
機薄膜の分子相互を重合して、高い導電性の導電ネット
ワークを有する有機電子デバイスを製造できる。
【００８５】請求項３１に記載の発明は、請求項２９ま
たは３０に記載の有機電子デバイスの製造方法に於い
て、前記導電ネットワーク形成工程で前記エネルギービ
ームとして紫外線、遠紫外線、Ｘ線、または電子線を用
いることを特徴とする
たは３０に記載の有機電子デバイスの製造方法に於い
て、前記導電ネットワーク形成工程で前記エネルギービ
ームとして紫外線、遠紫外線、Ｘ線、または電子線を用
いることを特徴とする
【００８６】上記の構成によれば、多くのビーム照射重
合性基がこれらのビームの少なくとも１つに対し吸収特
性を有する為、様々な種類のビーム照射重合性基を有す
る分子群に適用できる。ビーム照射重合性基によりそれ
ぞれ吸収特性は異なるので、吸収効率の良いエネルギー
ビームの種類及びエネルギーを選択すれば反応効率を向
上できる。
合性基がこれらのビームの少なくとも１つに対し吸収特
性を有する為、様々な種類のビーム照射重合性基を有す
る分子群に適用できる。ビーム照射重合性基によりそれ
ぞれ吸収特性は異なるので、吸収効率の良いエネルギー
ビームの種類及びエネルギーを選択すれば反応効率を向
上できる。
【００８７】請求項３２に記載の発明は、基板上に形成
された、第１の電極と、前記第１の電極と離隔した第２
の電極と、前記第１と第２の電極を電気的に接続する有
機薄膜とを備え、前記有機薄膜は光応答性の官能基を有
する有機分子群から成り、前記有機薄膜を構成する分子
相互が共役結合した導電ネットワークを有する２端子有
機電子デバイスの動作方法であって、前記第１と第２の
電極間に電圧を印加した状態で前記有機薄膜に光を照射
することにより、前記導電ネットワークの導電率を変化
させ前記第１と第２の電極間に流れる電流をスイッチン
グすることを特徴とする。
された、第１の電極と、前記第１の電極と離隔した第２
の電極と、前記第１と第２の電極を電気的に接続する有
機薄膜とを備え、前記有機薄膜は光応答性の官能基を有
する有機分子群から成り、前記有機薄膜を構成する分子
相互が共役結合した導電ネットワークを有する２端子有
機電子デバイスの動作方法であって、前記第１と第２の
電極間に電圧を印加した状態で前記有機薄膜に光を照射
することにより、前記導電ネットワークの導電率を変化
させ前記第１と第２の電極間に流れる電流をスイッチン
グすることを特徴とする。
【００８８】上記の構成によれば、照射された光は光応
答性の官能基に吸収され、その応答による影響で導電ネ
ットワークの導電率が変化する。したがって、前記第１
と第２の電極間に電圧を印加した状態で、前記有機薄膜
に光を照射することにより前記第１と第２の電極間に流
れる電流をスイッチングすることができる。
答性の官能基に吸収され、その応答による影響で導電ネ
ットワークの導電率が変化する。したがって、前記第１
と第２の電極間に電圧を印加した状態で、前記有機薄膜
に光を照射することにより前記第１と第２の電極間に流
れる電流をスイッチングすることができる。
【００８９】一般的に吸収スペクトルにおいて、光応答
性の官能基はそれぞれ固有の吸収特性を有しているの
で、吸収率の優れた波長の光を用いると効率よくまた高
速に導電率を変化させることが可能となる。
性の官能基はそれぞれ固有の吸収特性を有しているの
で、吸収率の優れた波長の光を用いると効率よくまた高
速に導電率を変化させることが可能となる。
【００９０】請求項３３に記載の発明は、前記光応答性
の官能基が光異性化する官能基であり、前記有機薄膜に
照射される波長の異なる第１の光または第２の光の照射
により前記導電ネットワークの導電率を変化させること
を特徴とする２端子有機電子デバイスの動作方法。
の官能基が光異性化する官能基であり、前記有機薄膜に
照射される波長の異なる第１の光または第２の光の照射
により前記導電ネットワークの導電率を変化させること
を特徴とする２端子有機電子デバイスの動作方法。
【００９１】上記の構成によれば、有機薄膜に照射され
る波長の異なる第１の光または第２の光による有機薄膜
を構成する分子の異性化により、導電ネットワークの導
電率はそれぞれ第１の導電率または第２の導電率に移行
し且つ遮光後もそれぞれ第１または第２の導電率が維持
される為、前記第１と第２の電極間に電圧を印加した状
態で、前記有機薄膜に第１または第２の光を照射するこ
とにより前記第１と第２の電極間に流れる電流をスイッ
チングすることが可能となる。
る波長の異なる第１の光または第２の光による有機薄膜
を構成する分子の異性化により、導電ネットワークの導
電率はそれぞれ第１の導電率または第２の導電率に移行
し且つ遮光後もそれぞれ第１または第２の導電率が維持
される為、前記第１と第２の電極間に電圧を印加した状
態で、前記有機薄膜に第１または第２の光を照射するこ
とにより前記第１と第２の電極間に流れる電流をスイッ
チングすることが可能となる。
【００９２】また、光応答性の官能基が光異性化する官
能基であるので、導電ネットワークの導電率を極めて高
速に変化できる。また、異性化の進行は照射された光の
光量に依存するため、照射する光の強度または照射時間
等を調整することで第１または第２の導電率を可変制御
できる。したがって、スイッチング動作する導電率の変
化範囲を照射する光の強度または照射時間等で調整でき
る。
能基であるので、導電ネットワークの導電率を極めて高
速に変化できる。また、異性化の進行は照射された光の
光量に依存するため、照射する光の強度または照射時間
等を調整することで第１または第２の導電率を可変制御
できる。したがって、スイッチング動作する導電率の変
化範囲を照射する光の強度または照射時間等で調整でき
る。
【００９３】ただし、第１または第２の光の一方が照射
されると遮光後も安定状態が維持されるメモリ機能を有
する為、スイッチング動作をさせるためには続いて第１
または第２の光の他方を照射しなくてはならない。
されると遮光後も安定状態が維持されるメモリ機能を有
する為、スイッチング動作をさせるためには続いて第１
または第２の光の他方を照射しなくてはならない。
【００９４】請求項３４に記載の発明は、請求項３３に
記載の２端子有機電子デバイスの動作方法に於いて、前
記光異性化する官能基がアゾ基であることを特徴とす
る。
記載の２端子有機電子デバイスの動作方法に於いて、前
記光異性化する官能基がアゾ基であることを特徴とす
る。
【００９５】上記の構成によれば、可視光の照射でトラ
ンス型の第１の異性体に、また紫外線の照射でシス型の
第２の異性体に異性化され、導電ネットワークの導電率
はそれぞれ第１の導電率または第２の導電率に移行し且
つ遮光後もそれぞれ第１または第２の導電率が維持され
る為、前記第１と第２の電極間に電圧を印加した状態
で、前記有機薄膜に可視光線の照射後に紫外線を照射す
る、または紫外線を照射後に可視光線を照射することに
より前記第１と第２の電極間に流れる電流をスイッチン
グすることが可能となる。
ンス型の第１の異性体に、また紫外線の照射でシス型の
第２の異性体に異性化され、導電ネットワークの導電率
はそれぞれ第１の導電率または第２の導電率に移行し且
つ遮光後もそれぞれ第１または第２の導電率が維持され
る為、前記第１と第２の電極間に電圧を印加した状態
で、前記有機薄膜に可視光線の照射後に紫外線を照射す
る、または紫外線を照射後に可視光線を照射することに
より前記第１と第２の電極間に流れる電流をスイッチン
グすることが可能となる。
【００９６】請求項３５に記載の発明は、請求項３３ま
たは３４に記載の２端子有機電子デバイスの動作方法に
於いて、前記有機薄膜に照射される前記第１または第２
の光としてそれぞれ紫外線または可視光線を用いること
を特徴とする。
たは３４に記載の２端子有機電子デバイスの動作方法に
於いて、前記有機薄膜に照射される前記第１または第２
の光としてそれぞれ紫外線または可視光線を用いること
を特徴とする。
【００９７】上記の構成によれば、光異性化する官能基
の多くは、紫外線または可視光線の照射により、それぞ
れ第１の異性体または第２の異性体へ異性化する為、様
々な光異性化する官能基に対して適している。
の多くは、紫外線または可視光線の照射により、それぞ
れ第１の異性体または第２の異性体へ異性化する為、様
々な光異性化する官能基に対して適している。
【００９８】さらに、一般的に吸収スペクトルにおい
て、光異性化の官能基はそれぞれ固有の吸収特性を有し
ているので、吸収効率の優れた波長の光を用いると効率
が良く、これにより高速に導電率を変化させることが可
能となる。
て、光異性化の官能基はそれぞれ固有の吸収特性を有し
ているので、吸収効率の優れた波長の光を用いると効率
が良く、これにより高速に導電率を変化させることが可
能となる。
【００９９】請求項３６に記載の発明は、基板上に形成
された、第１の電極と、前記第１の電極と離隔した第２
の電極と、前記第１と第２の電極を電気的に接続する有
機薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の間に挟まれ、それ
ぞれと絶縁された第３の電極とを備え、前記第３の電極
は前記第１または第２の電極との間に印加された電圧に
より前記有機薄膜に作用させる電界を制御する電極であ
り、前記有機薄膜は有極性の官能基を有する有機分子群
からなり、且つ前記有機分子群を構成する分子相互が共
役結合した導電ネットワークを有する３端子有機電子デ
バイスであって、前記第１と第２の電極の電極間に電圧
を印加した状態で、前記第１の電極と前記第３の電極間
の印加電圧で前記導電ネットワークの導電率を変化させ
前記第１と第２の電極間に流れる電流をスイッチングす
ることを特徴とする。
された、第１の電極と、前記第１の電極と離隔した第２
の電極と、前記第１と第２の電極を電気的に接続する有
機薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の間に挟まれ、それ
ぞれと絶縁された第３の電極とを備え、前記第３の電極
は前記第１または第２の電極との間に印加された電圧に
より前記有機薄膜に作用させる電界を制御する電極であ
り、前記有機薄膜は有極性の官能基を有する有機分子群
からなり、且つ前記有機分子群を構成する分子相互が共
役結合した導電ネットワークを有する３端子有機電子デ
バイスであって、前記第１と第２の電極の電極間に電圧
を印加した状態で、前記第１の電極と前記第３の電極間
の印加電圧で前記導電ネットワークの導電率を変化させ
前記第１と第２の電極間に流れる電流をスイッチングす
ることを特徴とする。
【０１００】上記の構成によれば、印加された電界に感
度良く応答する有極性の官能基を有する為、高速な電流
のスイッチング動作が可能になる。
度良く応答する有極性の官能基を有する為、高速な電流
のスイッチング動作が可能になる。
【０１０１】請求項３７に記載の発明は、請求項３６に
記載の３端子有機電子デバイスの動作方法に於いて、前
記有極性の官能基が分極性の官能基であることを特徴と
する。
記載の３端子有機電子デバイスの動作方法に於いて、前
記有極性の官能基が分極性の官能基であることを特徴と
する。
【０１０２】上記の構成によれば、分極性の官能基は印
加電界に対する感度が極めて高く、したがって極めて高
速なスイッチング動作が可能になる。
加電界に対する感度が極めて高く、したがって極めて高
速なスイッチング動作が可能になる。
【０１０３】請求項３８に記載の発明は、請求項３２及
至３７のいずれかに記載の有機電子デバイスの動作方法
に於いて、前記有機薄膜が基板上で結合固定された単分
子膜または単分子累積膜であることを特徴とする。
至３７のいずれかに記載の有機電子デバイスの動作方法
に於いて、前記有機薄膜が基板上で結合固定された単分
子膜または単分子累積膜であることを特徴とする。
【０１０４】上記の構成によれば、各層を構成する分子
群は全体として配向している為、重合により形成される
導電ネットワークが平面上に形成することが可能にな
り、膜厚が薄くとも、良好且つ均質な導電性を有する。
さらに、膜厚が非常に薄いため、非常に高速なスイッチ
ング動作が可能である。また、最下層は基板に結合固定
され、耐剥離性等の耐久性に優れている。したがって、
安定性、高速性、且つ耐久性に優れたスイッチング動作
が可能になる。
群は全体として配向している為、重合により形成される
導電ネットワークが平面上に形成することが可能にな
り、膜厚が薄くとも、良好且つ均質な導電性を有する。
さらに、膜厚が非常に薄いため、非常に高速なスイッチ
ング動作が可能である。また、最下層は基板に結合固定
され、耐剥離性等の耐久性に優れている。したがって、
安定性、高速性、且つ耐久性に優れたスイッチング動作
が可能になる。
【０１０５】請求項３９に記載の発明は、第１の電極
と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１
と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板
と前記有機薄膜の間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された
第３の電極とを備え、前記第１または第２の電極と前記
第３の電極間の印加電圧により前記有機薄膜に作用され
る電界を制御できる電極であり、前記有機薄膜は有極性
の官能基を有する有機分子群からなり、前記有機分子群
を構成する分子相互が共役結合した導電ネットワークを
有することを特徴とする３端子有機電子デバイスをスイ
ッチ素子として用いた液晶表示装置であって、複数の前
記スイッチ素子が第１の基板上にマトリックス状に配列
配置され且つその表面に第１の配向膜が形成されたアレ
イ基板と、第２の基板上にマトリックス状に色要素が配
列配置され且つその表面に第２の配向膜が形成されたカ
ラーフィルター基板と、前記第１の配向膜と前記第２の
配向膜を内側にし対向された前記アレイ基板と前記カラ
ーフィルター基板との間に封止された液晶と、を有する
ことを特徴とする。
と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１
と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板
と前記有機薄膜の間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された
第３の電極とを備え、前記第１または第２の電極と前記
第３の電極間の印加電圧により前記有機薄膜に作用され
る電界を制御できる電極であり、前記有機薄膜は有極性
の官能基を有する有機分子群からなり、前記有機分子群
を構成する分子相互が共役結合した導電ネットワークを
有することを特徴とする３端子有機電子デバイスをスイ
ッチ素子として用いた液晶表示装置であって、複数の前
記スイッチ素子が第１の基板上にマトリックス状に配列
配置され且つその表面に第１の配向膜が形成されたアレ
イ基板と、第２の基板上にマトリックス状に色要素が配
列配置され且つその表面に第２の配向膜が形成されたカ
ラーフィルター基板と、前記第１の配向膜と前記第２の
配向膜を内側にし対向された前記アレイ基板と前記カラ
ーフィルター基板との間に封止された液晶と、を有する
ことを特徴とする。
【０１０６】上記の構成によれば、既存の無機系の薄膜
トランジスター（以下、ＴＦＴ）に代わり、有機系のＴ
ＦＴを用いた液晶表示装置を提供できる。また、有機系
のＴＦＴを用いるため高温で処理する工程がなく、プラ
スチィク基板等の従来使用できなかった基板も使用でき
ることになる。これにより基板選択の幅が広がり、適切
な基板の選択で小型化や軽量化等が可能となる。
トランジスター（以下、ＴＦＴ）に代わり、有機系のＴ
ＦＴを用いた液晶表示装置を提供できる。また、有機系
のＴＦＴを用いるため高温で処理する工程がなく、プラ
スチィク基板等の従来使用できなかった基板も使用でき
ることになる。これにより基板選択の幅が広がり、適切
な基板の選択で小型化や軽量化等が可能となる。
【０１０７】請求項４０に記載の発明は、第１の電極
と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１
と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板
と前記有機薄膜の間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された
第３の電極とを備え、前記第３の電極が前記第１または
第２の電極との間に印加する電圧により前記有機薄膜に
作用させる電界を制御する電極であり、前記有機薄膜は
有極性の官能基を有する有機分子群からなり、且つ前記
有機分子群の分子相互が共役結合して導電ネットワーク
を形成していることを特徴とする３端子有機電子デバイ
スをスイッチ素子として用いたエレクトロルミネッセン
ス型表示装置であって、複数の前記スイッチ素子が基板
上にマトリックス状に配列配置されたアレイ基板と、前
記アレイ基板と対向する共通電極と、前記アレイ基板と
前記共通電極との間に形成された、電界の印加により発
光する蛍光物質から成る発光層と、を有することを特徴
とする
と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１
と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板
と前記有機薄膜の間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された
第３の電極とを備え、前記第３の電極が前記第１または
第２の電極との間に印加する電圧により前記有機薄膜に
作用させる電界を制御する電極であり、前記有機薄膜は
有極性の官能基を有する有機分子群からなり、且つ前記
有機分子群の分子相互が共役結合して導電ネットワーク
を形成していることを特徴とする３端子有機電子デバイ
スをスイッチ素子として用いたエレクトロルミネッセン
ス型表示装置であって、複数の前記スイッチ素子が基板
上にマトリックス状に配列配置されたアレイ基板と、前
記アレイ基板と対向する共通電極と、前記アレイ基板と
前記共通電極との間に形成された、電界の印加により発
光する蛍光物質から成る発光層と、を有することを特徴
とする
【０１０８】上記の構成によれば、既存の無機系の薄膜
トランジスター（以下、ＴＦＴ）に代わり、有機系のＴ
ＦＴを用いたエレクトロクミネッセンス型表示装置を提
供できる。また、有機系のＴＦＴを用いるため高温で処
理する工程がなく、プラスチィク基板等の従来使用でき
なかった基板も使用できることになる。これにより基板
選択の幅が広がり、適切な基板の選択で小型化や軽量化
等が可能となる。
トランジスター（以下、ＴＦＴ）に代わり、有機系のＴ
ＦＴを用いたエレクトロクミネッセンス型表示装置を提
供できる。また、有機系のＴＦＴを用いるため高温で処
理する工程がなく、プラスチィク基板等の従来使用でき
なかった基板も使用できることになる。これにより基板
選択の幅が広がり、適切な基板の選択で小型化や軽量化
等が可能となる。
【０１０９】請求項４１に記載の発明は、請求項４０に
記載のエレクトロルミネッセンス型表示装置に於いて、
赤色、青色、または緑色の光を発光する３種類の前記蛍
光物質が配列配置されカラー表示することを特徴とす
る。
記載のエレクトロルミネッセンス型表示装置に於いて、
赤色、青色、または緑色の光を発光する３種類の前記蛍
光物質が配列配置されカラー表示することを特徴とす
る。
【０１１０】上記の構成によれば、有機系のＴＦＴを用
いたエレクトロクミネッセンス型カラー表示装置を提供
できる。
いたエレクトロクミネッセンス型カラー表示装置を提供
できる。
【０１１１】請求項４２に記載の発明は、請求項３９及
至４１のいずれかに記載の表示装置に於いて、前記有機
薄膜が基板上に固定された単分子膜または単分子累積膜
であることを特徴とする。
至４１のいずれかに記載の表示装置に於いて、前記有機
薄膜が基板上に固定された単分子膜または単分子累積膜
であることを特徴とする。
【０１１２】上記の構成によれば、表示速度が極めて高
速で且つ動作安定性の高いエレクトロクミネッセンス型
表示装置、エレクトロクミネッセンス型カラー表示装
置、または液晶表示装置を提供できる。
速で且つ動作安定性の高いエレクトロクミネッセンス型
表示装置、エレクトロクミネッセンス型カラー表示装
置、または液晶表示装置を提供できる。
【０１１３】請求項４３に記載の発明は、第１の電極
と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１
と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板
と前記有機薄膜の間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された
第３の電極とを備え、前記第１または第２の電極と前記
第３の電極間の印加電圧により前記有機薄膜に作用され
る電界を制御できる電極であり、前記有機薄膜は有極性
の官能基を有する有機分子群からなり、前記有機分子群
を構成する分子相互が共役結合した導電ネットワークを
有することを特徴とする３端子有機電子デバイスをスイ
ッチ素子として用いた液晶表示装置の製造方法であっ
て、第１の基板上にマトリックス状に配列するように複
数個の前記スイッチ素子を形成して、その表面に配向膜
を形成するアレイ基板形成工程と、第２の基板表面にマ
トリックス状に色要素を配列配置しカラーフィルターを
作製して、その表面に配向膜を形成するカラーフィルタ
ー基板形成工程と、前記アレイ基板と前記カラーフィル
ター基板のそれぞれの配向膜を内側にしてそれぞれの基
板を所定の間隔で向かい合わせ、前記アレイ基板と前記
カラーフィルター基板との間に液晶を充填し前記液晶を
封止する工程と、を含むことを特徴とする。
と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１
と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板
と前記有機薄膜の間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された
第３の電極とを備え、前記第１または第２の電極と前記
第３の電極間の印加電圧により前記有機薄膜に作用され
る電界を制御できる電極であり、前記有機薄膜は有極性
の官能基を有する有機分子群からなり、前記有機分子群
を構成する分子相互が共役結合した導電ネットワークを
有することを特徴とする３端子有機電子デバイスをスイ
ッチ素子として用いた液晶表示装置の製造方法であっ
て、第１の基板上にマトリックス状に配列するように複
数個の前記スイッチ素子を形成して、その表面に配向膜
を形成するアレイ基板形成工程と、第２の基板表面にマ
トリックス状に色要素を配列配置しカラーフィルターを
作製して、その表面に配向膜を形成するカラーフィルタ
ー基板形成工程と、前記アレイ基板と前記カラーフィル
ター基板のそれぞれの配向膜を内側にしてそれぞれの基
板を所定の間隔で向かい合わせ、前記アレイ基板と前記
カラーフィルター基板との間に液晶を充填し前記液晶を
封止する工程と、を含むことを特徴とする。
【０１１４】上記の構成によれば、既存の無機系の薄膜
トランジスター（以下、ＴＦＴ）に代わり、有機系のＴ
ＦＴを用いた液晶表示装置を製造できる。また、有機系
のＴＦＴを用いるため高温で処理する工程が必要でなく
なる。従来使用できなかったプラスチィク基板等も使用
することが可能になる。
トランジスター（以下、ＴＦＴ）に代わり、有機系のＴ
ＦＴを用いた液晶表示装置を製造できる。また、有機系
のＴＦＴを用いるため高温で処理する工程が必要でなく
なる。従来使用できなかったプラスチィク基板等も使用
することが可能になる。
【０１１５】請求項４４に記載の発明は、第１の電極
と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１
と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板
と前記有機薄膜の間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された
第３の電極とを備え、前記第３の電極が前記第１または
第２の電極との間に印加する電圧により前記有機薄膜に
作用させる電界を制御する電極であり、前記有機薄膜は
有極性の官能基を有する有機分子群からなり、且つ前記
有機分子群の分子相互が共役結合して導電ネットワーク
を形成していることを特徴とする３端子有機電子デバイ
スをスイッチ素子として用い、電界を印加された蛍光体
が発光する現象を利用したエレクトロルミネッセンス型
表示装置であって、基板上にマトリックス状に配列する
ように複数個の前記スイッチ素子を形成するアレイ基板
形成工程と、前記アレイ基板上に、個々の前記スイッチ
素子の第１または第２の電極のいずれか一方に接続する
第４の電極を形成し、電圧の印加で発光する発光物質か
ら成る発光層を前記第４の電極上に形成し、前記発光層
を前記第４の電極とでは挟むように透明電極を形成する
エレクトロルミネッセンス素子形成工程と、を含むこと
を特徴とする。
と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１
と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板
と前記有機薄膜の間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された
第３の電極とを備え、前記第３の電極が前記第１または
第２の電極との間に印加する電圧により前記有機薄膜に
作用させる電界を制御する電極であり、前記有機薄膜は
有極性の官能基を有する有機分子群からなり、且つ前記
有機分子群の分子相互が共役結合して導電ネットワーク
を形成していることを特徴とする３端子有機電子デバイ
スをスイッチ素子として用い、電界を印加された蛍光体
が発光する現象を利用したエレクトロルミネッセンス型
表示装置であって、基板上にマトリックス状に配列する
ように複数個の前記スイッチ素子を形成するアレイ基板
形成工程と、前記アレイ基板上に、個々の前記スイッチ
素子の第１または第２の電極のいずれか一方に接続する
第４の電極を形成し、電圧の印加で発光する発光物質か
ら成る発光層を前記第４の電極上に形成し、前記発光層
を前記第４の電極とでは挟むように透明電極を形成する
エレクトロルミネッセンス素子形成工程と、を含むこと
を特徴とする。
【０１１６】上記の構成によれば、既存の無機系の薄膜
トランジスター（以下、ＴＦＴ）に代わり、有機系のＴ
ＦＴを用いたエレクトロルミネッセンス型表示装置を製
造できる。また、有機系のＴＦＴを用いるため高温で処
理する工程がなく、プラスチィク基板等の従来使用でき
なかった基板も使用することが可能となる。
トランジスター（以下、ＴＦＴ）に代わり、有機系のＴ
ＦＴを用いたエレクトロルミネッセンス型表示装置を製
造できる。また、有機系のＴＦＴを用いるため高温で処
理する工程がなく、プラスチィク基板等の従来使用でき
なかった基板も使用することが可能となる。
【０１１７】請求項４５に記載の発明は、請求項４４に
記載のエレクトロルミネッセンス型表示装置の製造方法
に於いて、前記発光層形成工程で赤、青、または緑色の
光を発光する３種類の前記発光物質を所定の位置に形成
し、カラー表示させることを特徴とする。
記載のエレクトロルミネッセンス型表示装置の製造方法
に於いて、前記発光層形成工程で赤、青、または緑色の
光を発光する３種類の前記発光物質を所定の位置に形成
し、カラー表示させることを特徴とする。
【０１１８】上記の構成によれば、有機系のＴＦＴを用
いたエレクトロルミネッセンス型カラー表示装置を製造
できる。
いたエレクトロルミネッセンス型カラー表示装置を製造
できる。
【０１１９】請求項４６に記載の発明は、請求項４３及
至４５のいずれかに記載の表示装置の製造方法に於い
て、前記有機薄膜は、有機分子が単分子層状に配列した
単分子膜または単分子膜が積層して成る単分子累積膜で
ある。
至４５のいずれかに記載の表示装置の製造方法に於い
て、前記有機薄膜は、有機分子が単分子層状に配列した
単分子膜または単分子膜が積層して成る単分子累積膜で
ある。
【０１２０】上記の構成によれば、表示速度が極めて高
速で且つ動作安定性の高いエレクトロクミネッセンス型
表示装置とエレクトロクミネッセンス型カラー表示装置
及び液晶表示装置を製造できる。
速で且つ動作安定性の高いエレクトロクミネッセンス型
表示装置とエレクトロクミネッセンス型カラー表示装置
及び液晶表示装置を製造できる。
【０１２１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に於いては、
有機薄膜が単分子膜である例をもとにして図面を参照し
ながら詳述する。
有機薄膜が単分子膜である例をもとにして図面を参照し
ながら詳述する。
【０１２２】（実施の形態１）図１（ａ）（ｂ）は、２
端子有機電子デバイスの構造の例を模式的に説明した説
明図である。図１に基づいて２端子有機電子デバイスの
製造方法及び構造を説明する。
端子有機電子デバイスの構造の例を模式的に説明した説
明図である。図１に基づいて２端子有機電子デバイスの
製造方法及び構造を説明する。
【０１２３】まず、絶縁性の基板上または任意の基板表
面に絶縁膜が形成された絶縁膜付き基板上に、光応答性
の官能基及び共役結合で結合する重合性基を有する有機
分子群から成る単分子膜４を形成し、単分子膜４を構成
する分子相互を共役結合させ導電ネットワーク５を形成
し、導電ネットワーク５に接触するように、互いに離隔
する第１の電極２と第２の電極３とを形成すれば２端子
有機電子デバイスが製造できる。
面に絶縁膜が形成された絶縁膜付き基板上に、光応答性
の官能基及び共役結合で結合する重合性基を有する有機
分子群から成る単分子膜４を形成し、単分子膜４を構成
する分子相互を共役結合させ導電ネットワーク５を形成
し、導電ネットワーク５に接触するように、互いに離隔
する第１の電極２と第２の電極３とを形成すれば２端子
有機電子デバイスが製造できる。
【０１２４】これにより、基板上に形成された、第１の
電極２と、前記第１の電極２と離隔した第２の電極３
と、第１の電極２と第２の電極３を電気的に接続する有
機薄膜とを備えた２端子有機電子デバイスであって、前
記単分子膜４は光応答性の官能基を有する有機分子群か
らなり、前記有機分子群を構成する分子相互が共役結合
した導電ネットワーク５を有する２端子有機電子デバイ
スが提供できる。
電極２と、前記第１の電極２と離隔した第２の電極３
と、第１の電極２と第２の電極３を電気的に接続する有
機薄膜とを備えた２端子有機電子デバイスであって、前
記単分子膜４は光応答性の官能基を有する有機分子群か
らなり、前記有機分子群を構成する分子相互が共役結合
した導電ネットワーク５を有する２端子有機電子デバイ
スが提供できる。
【０１２５】図１（ａ）は第１の電極２と第２の電極３
が基板１の表面と単分子膜４の側面に接した構造の２端
子有機電子デバイスであり、図１（ｂ）は第１の電極２
と第２の電極３が単分子膜表面に形成された構造の２端
子有機電子デバイスである。第１の電極２と第２の電極
３の形成に於いて、それぞれの電極を形成する物質を蒸
着した後、フォトレジストでマスクパターンを形成し、
エッチングにより所定の第１の電極２と第２の電極３を
形成する場合、異なるマスクパターンを用いることによ
り図１（ａ）または（ｂ）に示された構造の２端子有機
電子デバイスを製造できる。
が基板１の表面と単分子膜４の側面に接した構造の２端
子有機電子デバイスであり、図１（ｂ）は第１の電極２
と第２の電極３が単分子膜表面に形成された構造の２端
子有機電子デバイスである。第１の電極２と第２の電極
３の形成に於いて、それぞれの電極を形成する物質を蒸
着した後、フォトレジストでマスクパターンを形成し、
エッチングにより所定の第１の電極２と第２の電極３を
形成する場合、異なるマスクパターンを用いることによ
り図１（ａ）または（ｂ）に示された構造の２端子有機
電子デバイスを製造できる。
【０１２６】図１（ａ）に示された構造であれば、分子
内の任意の位置に重合性基を含む有機分子が利用でき、
また分子に重合性基が複数存在する場合も第１の電極と
第２の電極との間を電気的に接続する複数の導電ネット
ワークを形成できる。また有機薄膜が単分子累積膜であ
れば各単分子層に導電ネットワークが形成できる。ま
た、この構造の２端子有機電子デバイスを製造する際、
前記成膜工程より前に前記対電極工程を行ってもよい。
内の任意の位置に重合性基を含む有機分子が利用でき、
また分子に重合性基が複数存在する場合も第１の電極と
第２の電極との間を電気的に接続する複数の導電ネット
ワークを形成できる。また有機薄膜が単分子累積膜であ
れば各単分子層に導電ネットワークが形成できる。ま
た、この構造の２端子有機電子デバイスを製造する際、
前記成膜工程より前に前記対電極工程を行ってもよい。
【０１２７】図１（ｂ）に示された構造であれば、導電
ネットワークが基板と反対側の単分子膜表面に存在して
いないと、導電ネットワークと電極との間の電気伝導が
悪くなる。したがって、材料物質としては分子の端末に
重合性基を有するものを用いた方がよい。このような分
子を用いた場合、単分子膜の導電ネットワークと電極と
の接触面積を大きくとれる為、接点抵抗を低減すること
が可能となり、単分子膜であっても良好な導電性を確保
できる利点がある。
ネットワークが基板と反対側の単分子膜表面に存在して
いないと、導電ネットワークと電極との間の電気伝導が
悪くなる。したがって、材料物質としては分子の端末に
重合性基を有するものを用いた方がよい。このような分
子を用いた場合、単分子膜の導電ネットワークと電極と
の接触面積を大きくとれる為、接点抵抗を低減すること
が可能となり、単分子膜であっても良好な導電性を確保
できる利点がある。
【０１２８】さらに高い導電性が必要であれば、第１の
電極２と第２の電極３の電極間に導電ネットワークを有
する被膜を形成することができる。例えば、前記前記対
電極工程後に、電解重合性の官能基を含む物質を溶かし
た有機溶媒中に浸漬し、第１の電極２と第２の電極３の
電極間に第１の電圧を印加し且つ第１の電極２または第
２の電極３と前記有機溶媒に接触し前記有機薄膜の上方
に配置された外部電極との電極間に第２の電圧を印加す
れば、第１の構造の導電ネットワークを有する単分子膜
の表面にさらに被膜が形成され且つ被膜を構成する分子
相互は電解重合して第２の構造の導電ネットワークが形
成される。
電極２と第２の電極３の電極間に導電ネットワークを有
する被膜を形成することができる。例えば、前記前記対
電極工程後に、電解重合性の官能基を含む物質を溶かし
た有機溶媒中に浸漬し、第１の電極２と第２の電極３の
電極間に第１の電圧を印加し且つ第１の電極２または第
２の電極３と前記有機溶媒に接触し前記有機薄膜の上方
に配置された外部電極との電極間に第２の電圧を印加す
れば、第１の構造の導電ネットワークを有する単分子膜
の表面にさらに被膜が形成され且つ被膜を構成する分子
相互は電解重合して第２の構造の導電ネットワークが形
成される。
【０１２９】また被膜を形成する際、電解重合性の官能
基を含む物質を塗布し、第１の電極１２と第２の電極１
３との間に電圧を印加すれば、同様に導電ネットワーク
を有するポリマー膜状の被膜を形成できる。
基を含む物質を塗布し、第１の電極１２と第２の電極１
３との間に電圧を印加すれば、同様に導電ネットワーク
を有するポリマー膜状の被膜を形成できる。
【０１３０】有機薄膜を構成する有機分子が単分子層状
に配列した単分子膜を含まない有機薄膜であれば、図１
（ａ）、（ｂ）のどちらの構造であっても上記のような
差はない。
に配列した単分子膜を含まない有機薄膜であれば、図１
（ａ）、（ｂ）のどちらの構造であっても上記のような
差はない。
【０１３１】２端子有機電子デバイスの光照射による導
電率の時間変化及びスイッチング動作を図２に基づいて
説明する。
電率の時間変化及びスイッチング動作を図２に基づいて
説明する。
【０１３２】図２（ａ）は、有機薄膜に一定強度の光を
照射した場合の照射時間による導電率の変化を定性的に
示した模式図である。照射された光の光量が照射光強度
と照射時間の積に比例すると考えると、横軸として有機
薄膜に照射された光量をとる、光の強度が一定の条件下
での時間をとる、または照射時間が一定の条件下での光
強度をとることは等価である。以下、光の強度が一定の
場合について記述する。また、導電性の変化は、第１と
第２の電極間に一定電圧を印加した状態での電流の変化
で記述する。
照射した場合の照射時間による導電率の変化を定性的に
示した模式図である。照射された光の光量が照射光強度
と照射時間の積に比例すると考えると、横軸として有機
薄膜に照射された光量をとる、光の強度が一定の条件下
での時間をとる、または照射時間が一定の条件下での光
強度をとることは等価である。以下、光の強度が一定の
場合について記述する。また、導電性の変化は、第１と
第２の電極間に一定電圧を印加した状態での電流の変化
で記述する。
【０１３３】導電ネットワークの導電性は照射とともに
変化しある一定の値となる。図２（ａ）の場合とは異な
り、変化するために十分な時間、光が照射されたとき、
電流値が０Ａに至るものであってもよい。さらに、図２
（ａ）は光照射により電流値が減少する場合を示してい
るが、増加するものであってもよい。これらは有機薄膜
の構成物質や構造または導電ネットワークの構造等に依
存する。
変化しある一定の値となる。図２（ａ）の場合とは異な
り、変化するために十分な時間、光が照射されたとき、
電流値が０Ａに至るものであってもよい。さらに、図２
（ａ）は光照射により電流値が減少する場合を示してい
るが、増加するものであってもよい。これらは有機薄膜
の構成物質や構造または導電ネットワークの構造等に依
存する。
【０１３４】次に、図２（ｂ）は、光官能性の官能基が
光異性化する官能基であり、第１または第２の光照射に
よる異性化に伴うそれぞれ第１と第２の導電率を有する
安定状態間の移行によるスイッチング動作の概念図であ
る。図２（ｂ）のラインＬ１とラインＬ２はそれぞれ第
１と第２の光が照射中（Ｐ1ON、Ｐ2ON）または遮光中
（Ｐ1OFF、Ｐ2OFF）の照射状態を表す。図２（ｂ）のラ
インＬ３はその応答を表し、第１の光が照射された際の
電流値がＩ1、第２の光が照射された際の電流値がＩ2で
ある。
光異性化する官能基であり、第１または第２の光照射に
よる異性化に伴うそれぞれ第１と第２の導電率を有する
安定状態間の移行によるスイッチング動作の概念図であ
る。図２（ｂ）のラインＬ１とラインＬ２はそれぞれ第
１と第２の光が照射中（Ｐ1ON、Ｐ2ON）または遮光中
（Ｐ1OFF、Ｐ2OFF）の照射状態を表す。図２（ｂ）のラ
インＬ３はその応答を表し、第１の光が照射された際の
電流値がＩ1、第２の光が照射された際の電流値がＩ2で
ある。
【０１３５】第１と第２の電極間に電圧を印加した状態
で、第１と第２の電極間に流れる電流のスイッチングを
表している。図２（ｂ）のラインＬ３にから、第１の光
及び第２の光をトリガとした電流のスイッチングであ
り、リセット−セット型（Ｒ−Ｓ型）フリップフロップ
と同様の動作であることがわかる。
で、第１と第２の電極間に流れる電流のスイッチングを
表している。図２（ｂ）のラインＬ３にから、第１の光
及び第２の光をトリガとした電流のスイッチングであ
り、リセット−セット型（Ｒ−Ｓ型）フリップフロップ
と同様の動作であることがわかる。
【０１３６】ただし、図２（ｂ）では、異なる異性体の
一方のみを含む場合を第１の導電率を有する安定状態と
し、また他方のみを含む場合を第２の導電率を有する安
定状態とした。つまり、完全に異性化した２つの状態が
第１または第２の導電率を有する安定状態である。この
場合、第１の安定状態に第１の光をさらに照射しても導
電率を変化することはない。第２の安定状態についても
同様である。
一方のみを含む場合を第１の導電率を有する安定状態と
し、また他方のみを含む場合を第２の導電率を有する安
定状態とした。つまり、完全に異性化した２つの状態が
第１または第２の導電率を有する安定状態である。この
場合、第１の安定状態に第１の光をさらに照射しても導
電率を変化することはない。第２の安定状態についても
同様である。
【０１３７】（実施の形態２）上記実施の形態１におい
て、第１と第２の電極間の電流のスイッチ素子としての
動作を例示したが、光照射により有機薄膜の導電性が変
化するので、光制御の可変抵抗として利用できる。
て、第１と第２の電極間の電流のスイッチ素子としての
動作を例示したが、光照射により有機薄膜の導電性が変
化するので、光制御の可変抵抗として利用できる。
【０１３８】光応答性の官能基として光異性化する官能
基を有する分子群から成る有機薄膜の場合、第１と第２
の電極間に一定電流を流した状態または一定電圧を印加
した状態で、第１または第２の光を照射し、第１と第２
の電極間の電圧変化または電流変化を読み出すことによ
り光センサーとして、あるいは照射時間と共にそれぞれ
電圧変化または電流変化を読み出せば照度計の受光素子
としての利用も可能である。ただしこの際、第１または
第２の光の一方を状態を初期化する光として用い、他方
の光の照射後に有機薄膜の導電性を初期化する必要があ
る。
基を有する分子群から成る有機薄膜の場合、第１と第２
の電極間に一定電流を流した状態または一定電圧を印加
した状態で、第１または第２の光を照射し、第１と第２
の電極間の電圧変化または電流変化を読み出すことによ
り光センサーとして、あるいは照射時間と共にそれぞれ
電圧変化または電流変化を読み出せば照度計の受光素子
としての利用も可能である。ただしこの際、第１または
第２の光の一方を状態を初期化する光として用い、他方
の光の照射後に有機薄膜の導電性を初期化する必要があ
る。
【０１３９】また、異性化に伴う２つの異性体の状態間
を移行し、その異性体の状態が遮光後も維持されるので
メモリー素子としての利用も可能である。
を移行し、その異性体の状態が遮光後も維持されるので
メモリー素子としての利用も可能である。
【０１４０】（実施の形態３）図３（ａ）（ｂ）は、３
端子有機電子デバイスの構造の例を模式的に説明した説
明図である。図３に基づいて３端子有機電子デバイスの
製造方法及び構造を説明する。
端子有機電子デバイスの構造の例を模式的に説明した説
明図である。図３に基づいて３端子有機電子デバイスの
製造方法及び構造を説明する。
【０１４１】まず、絶縁性の基板上、または任意の基板
１１表面に絶縁膜１８が形成された絶縁膜付き基板上に
第３の電極１７を形成する。次に、直接または絶縁膜１
９を介して前記第３の電極１３を覆うように、有極性の
官能基及び共役結合で結合する重合性基を有する有機分
子群から成る有機薄膜１４を形成する。次に、前記有機
薄膜１４を構成する分子相互を共役結合させ導電ネット
ワーク１５を形成する。次に、前記導電ネットワーク１
５に接触するように、互いに離隔し且つ第３の電極１７
とも離隔した第１の電極１２と第２の電極１３とを形成
すれば３端子有機電子デバイスが製造できる。
１１表面に絶縁膜１８が形成された絶縁膜付き基板上に
第３の電極１７を形成する。次に、直接または絶縁膜１
９を介して前記第３の電極１３を覆うように、有極性の
官能基及び共役結合で結合する重合性基を有する有機分
子群から成る有機薄膜１４を形成する。次に、前記有機
薄膜１４を構成する分子相互を共役結合させ導電ネット
ワーク１５を形成する。次に、前記導電ネットワーク１
５に接触するように、互いに離隔し且つ第３の電極１７
とも離隔した第１の電極１２と第２の電極１３とを形成
すれば３端子有機電子デバイスが製造できる。
【０１４２】これにより、基板上に形成された、第１の
電極１２と、前記第１の電極１２と離隔した第２の電極
１３と、前記第１の電極１２と第２の電極１３を電気的
に接続する有機薄膜１４と、前記基板１１と前記有機薄
膜１４の間に挟まれ、それぞれと絶縁された第３の電極
１７と、を備えた３端子有機電子デバイスであって、前
記第３の電極１７は、前記第１の電極または前記第２の
電極と前記第３の電極間の電圧印加により前記有機薄膜
に作用させる電界を制御できる電極であり、前記有機薄
膜１４は、有極性の官能基を有する有機分子群からな
り、前記有機分子群を構成する分子相互が共役結合した
導電ネットワークを有する３端子有機電子デバイスが提
供できる。
電極１２と、前記第１の電極１２と離隔した第２の電極
１３と、前記第１の電極１２と第２の電極１３を電気的
に接続する有機薄膜１４と、前記基板１１と前記有機薄
膜１４の間に挟まれ、それぞれと絶縁された第３の電極
１７と、を備えた３端子有機電子デバイスであって、前
記第３の電極１７は、前記第１の電極または前記第２の
電極と前記第３の電極間の電圧印加により前記有機薄膜
に作用させる電界を制御できる電極であり、前記有機薄
膜１４は、有極性の官能基を有する有機分子群からな
り、前記有機分子群を構成する分子相互が共役結合した
導電ネットワークを有する３端子有機電子デバイスが提
供できる。
【０１４３】図３（ａ）は第１の電極１２と第２の電極
１３が、基板１１上の絶縁膜１８の表面と単分子膜１４
の側面に接した構造の３端子有機電子デバイスであり、
図３（ｂ）は第１の電極１２と第２の電極１３が単分子
膜表面に形成された構造の３端子有機電子デバイスであ
る。第１の電極１２と第２の電極１３の形成に於いて、
電極を形成する物質を蒸着した後、フォトレジストでマ
スクパターンを形成し、エッチングにより所定の第１の
電極２と第２の電極３を形成する場合、異なるマスクパ
ターンを用いることにより図３（ａ）または（ｂ）の構
造の３端子有機電子デバイスを製造できる。
１３が、基板１１上の絶縁膜１８の表面と単分子膜１４
の側面に接した構造の３端子有機電子デバイスであり、
図３（ｂ）は第１の電極１２と第２の電極１３が単分子
膜表面に形成された構造の３端子有機電子デバイスであ
る。第１の電極１２と第２の電極１３の形成に於いて、
電極を形成する物質を蒸着した後、フォトレジストでマ
スクパターンを形成し、エッチングにより所定の第１の
電極２と第２の電極３を形成する場合、異なるマスクパ
ターンを用いることにより図３（ａ）または（ｂ）の構
造の３端子有機電子デバイスを製造できる。
【０１４４】図３（ａ）に示された構造であれば、任意
の位置に重合性基を含む有機分子が利用でき、また分子
に重合性基が複数存在する場合も第１と第２の電極間を
電気的に接続する複数層の導電ネットワークを形成でき
る。さらに単分子累積膜であれば、各単分子層に導電ネ
ットワークを形成できる。
の位置に重合性基を含む有機分子が利用でき、また分子
に重合性基が複数存在する場合も第１と第２の電極間を
電気的に接続する複数層の導電ネットワークを形成でき
る。さらに単分子累積膜であれば、各単分子層に導電ネ
ットワークを形成できる。
【０１４５】図３（ｂ）に示された構造であれば、導電
ネットワークが基板と反対側の単分子膜表面に存在して
いないと、導電ネットワークと電極との間の電気伝導が
悪くなる。したがって、材料物質としては分子の端末に
重合性基を有するものを用いた方がよい。
ネットワークが基板と反対側の単分子膜表面に存在して
いないと、導電ネットワークと電極との間の電気伝導が
悪くなる。したがって、材料物質としては分子の端末に
重合性基を有するものを用いた方がよい。
【０１４６】このような分子を用いた場合、単分子膜の
導電ネットワークと電極との接触面積を大きくとれる
為、接点抵抗を低減することが可能となり、単分子膜で
あっても良好な導電性を確保できる利点がある。
導電ネットワークと電極との接触面積を大きくとれる
為、接点抵抗を低減することが可能となり、単分子膜で
あっても良好な導電性を確保できる利点がある。
【０１４７】さらに高い導電性が必要であれば、第１の
電極１２と第２の電極１３の電極間に導電ネットワーク
を有する被膜を形成することができる。例えば、前記前
記対電極工程後に、電解重合性の官能基を含む物質を溶
かした有機溶媒中に浸漬し、前記第１の電極１２と第２
の電極１３の電極間に第１の電圧を印加し且つ前記第１
の電極１２または第２の電極１３と前記有機溶媒に接触
し前記有機薄膜の上方に配置された外部電極との電極間
に第２の電圧を印加すれば、第１の構造の導電ネットワ
ークを有する単分子膜または単分子累積膜の表面にさら
に被膜が形成され且つ前記被膜を構成する分子相互は電
解重合して第２の構造の導電ネットワークが形成され
る。
電極１２と第２の電極１３の電極間に導電ネットワーク
を有する被膜を形成することができる。例えば、前記前
記対電極工程後に、電解重合性の官能基を含む物質を溶
かした有機溶媒中に浸漬し、前記第１の電極１２と第２
の電極１３の電極間に第１の電圧を印加し且つ前記第１
の電極１２または第２の電極１３と前記有機溶媒に接触
し前記有機薄膜の上方に配置された外部電極との電極間
に第２の電圧を印加すれば、第１の構造の導電ネットワ
ークを有する単分子膜または単分子累積膜の表面にさら
に被膜が形成され且つ前記被膜を構成する分子相互は電
解重合して第２の構造の導電ネットワークが形成され
る。
【０１４８】また、被膜を形成する際、電解重合性の官
能基を含む物質を塗布し、第１と第２の電極間に電圧を
印加すれば、同様に導電ネットワークを有するポリマー
膜状の被膜を形成できる。
能基を含む物質を塗布し、第１と第２の電極間に電圧を
印加すれば、同様に導電ネットワークを有するポリマー
膜状の被膜を形成できる。
【０１４９】有機薄膜を構成する有機分子が単分子層状
に配列した単分子膜を含まない有機薄膜であれば、図３
（ａ）、（ｂ）のどちらの構造であっても上記のような
差はない。
に配列した単分子膜を含まない有機薄膜であれば、図３
（ａ）、（ｂ）のどちらの構造であっても上記のような
差はない。
【０１５０】次に、この３端子有機電子デバイスの電界
印加による導電率の時間変化及びスイッチング動作を図
４に基づいて説明する。図４（ａ）は、第３の電極１７
に電圧を印加した場合の導電率の変化を定性的に示した
模式図である。第３の電極１３に印加した電圧は有機薄
膜に作用された電界に比例すると考えると、横軸として
印加電界または第３の電極１７の印加電圧をとることは
等価であるので以下、印加電圧を用いて記述する。また
導電ネットワークの導電率の変化は、第１の電極１２と
第２の電極１３との間に一定電圧を印加した状態での電
流の変化で記述する。
印加による導電率の時間変化及びスイッチング動作を図
４に基づいて説明する。図４（ａ）は、第３の電極１７
に電圧を印加した場合の導電率の変化を定性的に示した
模式図である。第３の電極１３に印加した電圧は有機薄
膜に作用された電界に比例すると考えると、横軸として
印加電界または第３の電極１７の印加電圧をとることは
等価であるので以下、印加電圧を用いて記述する。また
導電ネットワークの導電率の変化は、第１の電極１２と
第２の電極１３との間に一定電圧を印加した状態での電
流の変化で記述する。
【０１５１】導電ネットワークの導電率は第３の電極１
７に印加された電圧により変化し、印加電圧の増加とと
もにある一定の値に収束していくことがわかる。つまり
第３の電極に電圧が印加されていないときの導電率と収
束した導電率との範囲内で、第３の電極の印加電圧で導
電率を制御できる。
７に印加された電圧により変化し、印加電圧の増加とと
もにある一定の値に収束していくことがわかる。つまり
第３の電極に電圧が印加されていないときの導電率と収
束した導電率との範囲内で、第３の電極の印加電圧で導
電率を制御できる。
【０１５２】図４に於いて、電圧印加中の電流が０Ａの
場合を示しているが、電圧印加中のオン電流または電圧
印加されていないオフ電流のいずれか一方が０Ｖの場合
に限定されるものではない。また、電圧印加により電流
値が減少する場合を例示したが、電流が増加するもので
あっても良い。これらは有機薄膜の構成や導電ネットワ
ークの構造等に依存する。
場合を示しているが、電圧印加中のオン電流または電圧
印加されていないオフ電流のいずれか一方が０Ｖの場合
に限定されるものではない。また、電圧印加により電流
値が減少する場合を例示したが、電流が増加するもので
あっても良い。これらは有機薄膜の構成や導電ネットワ
ークの構造等に依存する。
【０１５３】電圧を印加していない第１の導電率を有す
る安定状態と所定の電圧を印加した第２の導電率を有す
る安定状態との状態間の移行により、導電ネットワーク
の導電率のスイッチングが可能となる。
る安定状態と所定の電圧を印加した第２の導電率を有す
る安定状態との状態間の移行により、導電ネットワーク
の導電率のスイッチングが可能となる。
【０１５４】図４（ｂ）は３端子有機電子デバイスのス
イッチング動作の概念図であり、第１の電極１２と第２
の電極１３との電極間に電圧を印加した状態での、所定
の電圧印加状態（ＶON）のオン電流（ＩV=ON）と電圧を
印加していない状態（ＶOFF）のオフ電流（ＩV=OFF）が
スイッチング動作することを示している。したがって、
図４（ｂ）から、第３の電極１７に印加される所定の電
圧のオン・オフで、電流をスイッチングできることがわ
かる。
イッチング動作の概念図であり、第１の電極１２と第２
の電極１３との電極間に電圧を印加した状態での、所定
の電圧印加状態（ＶON）のオン電流（ＩV=ON）と電圧を
印加していない状態（ＶOFF）のオフ電流（ＩV=OFF）が
スイッチング動作することを示している。したがって、
図４（ｂ）から、第３の電極１７に印加される所定の電
圧のオン・オフで、電流をスイッチングできることがわ
かる。
【０１５５】電圧のオン・オフによるスイッチングの場
合を示したが、第３の電極１７に第１の電圧を印加した
場合の電流値と第２の電圧を印加した場合の電流値との
間のスイッチングも可能である。
合を示したが、第３の電極１７に第１の電圧を印加した
場合の電流値と第２の電圧を印加した場合の電流値との
間のスイッチングも可能である。
【０１５６】上記において、第１と第２の電極間の電流
をスイッチングするスイッチ素子を例示したが、電界制
御の可変抵抗としても利用できる。
をスイッチングするスイッチ素子を例示したが、電界制
御の可変抵抗としても利用できる。
【０１５７】（実施の形態４）第１の電極と、前記第１
の電極と離隔した第２の電極と、前記第１と第２の電極
を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板と前記有機薄
膜の間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された第３の電極と
を備え、前記第１または第２の電極と前記第３の電極間
の印加電圧により前記有機薄膜に作用される電界を制御
できる電極であり、前記有機薄膜は有極性の官能基を有
する有機分子群からなり、前記有機分子群を構成する分
子相互が共役結合した導電ネットワークを有することを
特徴とする３端子有機電子デバイスをスイッチ素子と
し、第１の基板上にマトリックス状に配列するように複
数個の前記スイッチ素子を形成して、その表面に第１の
配向膜を形成するアレイ基板形成工程と、第２の基板表
面にマトリックス状に色要素を配列配置しカラーフィル
ターを作製して、その表面に第２の配向膜を形成するカ
ラーフィルター基板形成工程と、第１の配向膜と第２の
配向膜を内側にして前記アレイ基板と前記カラーフィル
ター基板を所定の間隔で向かい合わせ、前記アレイ基板
と前記カラーフィルター基板との間に液晶を充填し、前
記液晶を封止する工程により、液晶表示装置を製造でき
る。
の電極と離隔した第２の電極と、前記第１と第２の電極
を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板と前記有機薄
膜の間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された第３の電極と
を備え、前記第１または第２の電極と前記第３の電極間
の印加電圧により前記有機薄膜に作用される電界を制御
できる電極であり、前記有機薄膜は有極性の官能基を有
する有機分子群からなり、前記有機分子群を構成する分
子相互が共役結合した導電ネットワークを有することを
特徴とする３端子有機電子デバイスをスイッチ素子と
し、第１の基板上にマトリックス状に配列するように複
数個の前記スイッチ素子を形成して、その表面に第１の
配向膜を形成するアレイ基板形成工程と、第２の基板表
面にマトリックス状に色要素を配列配置しカラーフィル
ターを作製して、その表面に第２の配向膜を形成するカ
ラーフィルター基板形成工程と、第１の配向膜と第２の
配向膜を内側にして前記アレイ基板と前記カラーフィル
ター基板を所定の間隔で向かい合わせ、前記アレイ基板
と前記カラーフィルター基板との間に液晶を充填し、前
記液晶を封止する工程により、液晶表示装置を製造でき
る。
【０１５８】これにより、第１の電極と、前記第１の電
極と離隔した第２の電極と、前記第１と第２の電極を電
気的に接続する有機薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の
間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された第３の電極とを備
え、前記第１または第２の電極と前記第３の電極間の印
加電圧により前記有機薄膜に作用される電界を制御でき
る電極であり、前記有機薄膜は有極性の官能基を有する
有機分子群からなり、前記有機分子群を構成する分子相
互が共役結合した導電ネットワークを有することを特徴
とする３端子有機電子デバイスをスイッチ素子として用
いた液晶表示装置であって、複数の前記スイッチ素子が
第１の基板上にマトリックス状に配列配置され且つその
表面に第１の配向膜が形成されたアレイ基板と、第２の
基板上にマトリックス状に色要素が配列配置され且つそ
の表面に第２の配向膜が形成されたカラーフィルター基
板と、前記第１の配向膜と前記第２の配向膜を内側にし
対向された前記アレイ基板と前記カラーフィルター基板
との間に封止された液晶と、を有する液晶表示装置を提
供する。 （実施の形態５）第１の電極と、前記第１の電極と離隔
した第２の電極と、前記第１と第２の電極を電気的に接
続する有機薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の間に挟ま
れ且つそれぞれと絶縁された第３の電極とを備え、前記
第３の電極が前記第１または第２の電極との間に印加す
る電圧により前記有機薄膜に作用させる電界を制御るる
電極であり、前記有機薄膜は有極性の官能基を有する有
機分子群からなり、且つ前記有機分子群の分子相互が共
役結合して導電ネットワークを形成していることを特徴
とする３端子有機電子デバイスをスイッチ素子とし、基
板上にマトリックス状に配列するように複数個の前記ス
イッチ素子を形成するアレイ基板形成工程と、前記アレ
イ基板上に、電圧の印加で発光する蛍光物質から成る発
光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層上に共通
電極膜を形成する共通電極形成工程と、によりエレクト
ロルミネッセンス型表示装置が製造できる。
極と離隔した第２の電極と、前記第１と第２の電極を電
気的に接続する有機薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の
間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された第３の電極とを備
え、前記第１または第２の電極と前記第３の電極間の印
加電圧により前記有機薄膜に作用される電界を制御でき
る電極であり、前記有機薄膜は有極性の官能基を有する
有機分子群からなり、前記有機分子群を構成する分子相
互が共役結合した導電ネットワークを有することを特徴
とする３端子有機電子デバイスをスイッチ素子として用
いた液晶表示装置であって、複数の前記スイッチ素子が
第１の基板上にマトリックス状に配列配置され且つその
表面に第１の配向膜が形成されたアレイ基板と、第２の
基板上にマトリックス状に色要素が配列配置され且つそ
の表面に第２の配向膜が形成されたカラーフィルター基
板と、前記第１の配向膜と前記第２の配向膜を内側にし
対向された前記アレイ基板と前記カラーフィルター基板
との間に封止された液晶と、を有する液晶表示装置を提
供する。 （実施の形態５）第１の電極と、前記第１の電極と離隔
した第２の電極と、前記第１と第２の電極を電気的に接
続する有機薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の間に挟ま
れ且つそれぞれと絶縁された第３の電極とを備え、前記
第３の電極が前記第１または第２の電極との間に印加す
る電圧により前記有機薄膜に作用させる電界を制御るる
電極であり、前記有機薄膜は有極性の官能基を有する有
機分子群からなり、且つ前記有機分子群の分子相互が共
役結合して導電ネットワークを形成していることを特徴
とする３端子有機電子デバイスをスイッチ素子とし、基
板上にマトリックス状に配列するように複数個の前記ス
イッチ素子を形成するアレイ基板形成工程と、前記アレ
イ基板上に、電圧の印加で発光する蛍光物質から成る発
光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層上に共通
電極膜を形成する共通電極形成工程と、によりエレクト
ロルミネッセンス型表示装置が製造できる。
【０１５９】これにより、第１の電極と、前記第１の電
極と離隔した第２の電極と、前記第１と第２の電極を電
気的に接続する有機薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の
間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された第３の電極とを備
え、前記第３の電極が前記第１または第２の電極との間
に印加する電圧により前記有機薄膜に作用させる電界を
制御する電極であり、前記有機薄膜は有極性の官能基を
有する有機分子群からなり、且つ前記有機分子群の分子
相互が共役結合して導電ネットワークを形成しているこ
とを特徴とする３端子有機電子デバイスをスイッチ素子
として用いたエレクトロルミネッセンス型表示装置であ
って、複数の前記スイッチ素子が基板上にマトリックス
状に配列配置されたアレイ基板と、前記アレイ基板と対
向する共通電極と、前記アレイ基板と前記共通電極との
間に形成された、電界の印加により発光する蛍光物質か
ら成る発光層と、を有するエレクトロルミネッセンス型
表示装置を提供する。
極と離隔した第２の電極と、前記第１と第２の電極を電
気的に接続する有機薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の
間に挟まれ且つそれぞれと絶縁された第３の電極とを備
え、前記第３の電極が前記第１または第２の電極との間
に印加する電圧により前記有機薄膜に作用させる電界を
制御する電極であり、前記有機薄膜は有極性の官能基を
有する有機分子群からなり、且つ前記有機分子群の分子
相互が共役結合して導電ネットワークを形成しているこ
とを特徴とする３端子有機電子デバイスをスイッチ素子
として用いたエレクトロルミネッセンス型表示装置であ
って、複数の前記スイッチ素子が基板上にマトリックス
状に配列配置されたアレイ基板と、前記アレイ基板と対
向する共通電極と、前記アレイ基板と前記共通電極との
間に形成された、電界の印加により発光する蛍光物質か
ら成る発光層と、を有するエレクトロルミネッセンス型
表示装置を提供する。
【０１６０】
【実施例】以下、実施例に基づいて、本発明の内容を具
体的に説明する。
体的に説明する。
【０１６１】（実施例１）まず、重合により共役結合し
て導電ネットワークを形成するアセチレン基（−Ｃ≡Ｃ
−）と、光異性化する官能基であるアゾ基（−Ｎ＝Ｎ
−）と、基板表面の活性水素（例えば水酸基（−Ｏ
Ｈ））と反応するクロロシリル基（−ＳｉＣｌ）とを含
む化学式（１）の物質を用い、
て導電ネットワークを形成するアセチレン基（−Ｃ≡Ｃ
−）と、光異性化する官能基であるアゾ基（−Ｎ＝Ｎ
−）と、基板表面の活性水素（例えば水酸基（−Ｏ
Ｈ））と反応するクロロシリル基（−ＳｉＣｌ）とを含
む化学式（１）の物質を用い、
【化１】 脱水したジメチルシリコーン系の有機溶媒で１％に薄め
て化学吸着液を調製した。
て化学吸着液を調製した。
【０１６２】次に、単分子膜を形成する部分を残してフ
ォトレジストでマスクパターン形成した絶縁性の基板２
１（ガラス基板）を前記化学吸着液に浸漬して化学吸着
を行い、前記マスクパターン開口部に選択的に化学吸着
を行い、さらに表面に残った未反応の前記物質をクロロ
フォルムで洗浄除去し、続いて前記フォトレジストのマ
スクパターンを除去して、前記物質よりなる単分子膜２
４を選択的に形成した。化学吸着を行う際、マスクパタ
ーン開口部のガラス基板１１表面には活性水素を含む水
酸基が多数存在するので、前記物質のクロロシリル基
（−ＳｉＣｌ）は水酸基と脱塩酸反応し、基板２１表面
に共有結合した化学式（２）で構成される単分子膜２４
が形成されている。（図５（ａ））
ォトレジストでマスクパターン形成した絶縁性の基板２
１（ガラス基板）を前記化学吸着液に浸漬して化学吸着
を行い、前記マスクパターン開口部に選択的に化学吸着
を行い、さらに表面に残った未反応の前記物質をクロロ
フォルムで洗浄除去し、続いて前記フォトレジストのマ
スクパターンを除去して、前記物質よりなる単分子膜２
４を選択的に形成した。化学吸着を行う際、マスクパタ
ーン開口部のガラス基板１１表面には活性水素を含む水
酸基が多数存在するので、前記物質のクロロシリル基
（−ＳｉＣｌ）は水酸基と脱塩酸反応し、基板２１表面
に共有結合した化学式（２）で構成される単分子膜２４
が形成されている。（図５（ａ））
【化２】
【０１６３】その後、トルエン溶媒中でチグラーナッタ
触媒を用いて前記単分子膜内の前記アセチレン基を重合
してポリアセチレン型の導電ネットワーク２５を形成し
た。（図５（ｂ））
触媒を用いて前記単分子膜内の前記アセチレン基を重合
してポリアセチレン型の導電ネットワーク２５を形成し
た。（図５（ｂ））
【０１６４】次に、全面にニッケル薄膜を蒸着形成し、
ホトリソグラフィ法を用いてギャップ間距離が１０μｍ
で長さが３０μｍの第１の電極２２及び第２の電極２３
をエッチングして形成した。
ホトリソグラフィ法を用いてギャップ間距離が１０μｍ
で長さが３０μｍの第１の電極２２及び第２の電極２３
をエッチングして形成した。
【０１６５】これらにより、基板２１上に形成された、
第１の電極２２と、第２の電極２３と、第１の電極２２
と第２の電極２３を電気的に接続する単分子膜とを備え
た２端子有機電子デバイスであって、単分子膜２４はア
ゾ基を有する有機分子群からなり、前記有機分子群を構
成する分子相互がポリアセチレン型に共役結合した導電
ネットワーク２５を有する２端子有機電子デバイスを製
造した。（図５（ｃ））
第１の電極２２と、第２の電極２３と、第１の電極２２
と第２の電極２３を電気的に接続する単分子膜とを備え
た２端子有機電子デバイスであって、単分子膜２４はア
ゾ基を有する有機分子群からなり、前記有機分子群を構
成する分子相互がポリアセチレン型に共役結合した導電
ネットワーク２５を有する２端子有機電子デバイスを製
造した。（図５（ｃ））
【０１６６】このデバイスでは、第１の電極２２と第２
の電極２３との電極間はポリアセチレン型の導電ネット
ワーク２５で接続されているので、前記第１の電極２２
と第２の電極２３との間に数ボルトの電圧を印加すると
数ナノアンペアの電流（１Ｖで２ｎＡ程度）が流れた。
ただし、測定前に単分子膜２４には可視光線を照射して
いる。
の電極２３との電極間はポリアセチレン型の導電ネット
ワーク２５で接続されているので、前記第１の電極２２
と第２の電極２３との間に数ボルトの電圧を印加すると
数ナノアンペアの電流（１Ｖで２ｎＡ程度）が流れた。
ただし、測定前に単分子膜２４には可視光線を照射して
いる。
【０１６７】次に、引き続き単分子膜２４に紫外線を照
射すると、アゾ基がトランス型からシス型に転移して、
電流値がほぼ０Ａとなった。また、その後、可視光線を
照射すると、アゾ基がシス型からトランス型に転移して
元の導電性が再現された。
射すると、アゾ基がトランス型からシス型に転移して、
電流値がほぼ０Ａとなった。また、その後、可視光線を
照射すると、アゾ基がシス型からトランス型に転移して
元の導電性が再現された。
【０１６８】なお、このような紫外線の照射による導電
性の低下は、アゾ基の光異性化（トランス型からシス型
への転移）により、単分子膜２４内のポリアセチレン型
の共役結合が歪み導電ネットワーク２５の導電率が低下
することにより生じるものと考えられる。
性の低下は、アゾ基の光異性化（トランス型からシス型
への転移）により、単分子膜２４内のポリアセチレン型
の共役結合が歪み導電ネットワーク２５の導電率が低下
することにより生じるものと考えられる。
【０１６９】すなわち、光照射により、導電ネットワー
ク２５の導電率を制御して第１の電極２２と第２の電極
２３との電極間に流れる電流をスイッチングできた。
ク２５の導電率を制御して第１の電極２２と第２の電極
２３との電極間に流れる電流をスイッチングできた。
【０１７０】なお、ポリアセチレン型の共役系を導電ネ
ットワーク２５として用いる場合、重合度が低いと抵抗
が高くなる。すなわち、オン電流が低くなるが、その場
合には、電荷移動性の官能基を有するドーパント物質
（例えば、アクセプタ分子としてハロゲンガスやルイス
酸、ドナー分子としてアルカリ金属やアンモニウム塩）
を導電ネットワーク２５に拡散する、すなわちドーピン
グすることで、オン電流を大きくできた。例えば、この
単分子膜２４に沃素をドープした場合、第１の電極２２
と第２の電極２３との間に１Ｖの電圧を印加すると０．
２ｍＡの電流が流れた。
ットワーク２５として用いる場合、重合度が低いと抵抗
が高くなる。すなわち、オン電流が低くなるが、その場
合には、電荷移動性の官能基を有するドーパント物質
（例えば、アクセプタ分子としてハロゲンガスやルイス
酸、ドナー分子としてアルカリ金属やアンモニウム塩）
を導電ネットワーク２５に拡散する、すなわちドーピン
グすることで、オン電流を大きくできた。例えば、この
単分子膜２４に沃素をドープした場合、第１の電極２２
と第２の電極２３との間に１Ｖの電圧を印加すると０．
２ｍＡの電流が流れた。
【０１７１】ここで、基板として金属等の導電性の基板
を用いる場合には、導電性の基板表面に絶縁性の薄膜を
介して単分子膜を形成しておけばよい。なお、このよう
な構造では、基板自体が帯電することがないので、有機
電子デバイスの動作安定性が向上した。
を用いる場合には、導電性の基板表面に絶縁性の薄膜を
介して単分子膜を形成しておけばよい。なお、このよう
な構造では、基板自体が帯電することがないので、有機
電子デバイスの動作安定性が向上した。
【０１７２】なお、より大きなオン電流を必要とする場
合には、第１の電極２２と第２の電極２３との電極間距
離を小さくするか、電極幅を広げればよい。さらに大き
なオン電流を必要とする場合には、単分子膜を累積す
る、または第１の電極２２と第２の電極２３との間に導
電ネットワークを有する被膜を形成しておけばよい。
合には、第１の電極２２と第２の電極２３との電極間距
離を小さくするか、電極幅を広げればよい。さらに大き
なオン電流を必要とする場合には、単分子膜を累積す
る、または第１の電極２２と第２の電極２３との間に導
電ネットワークを有する被膜を形成しておけばよい。
【０１７３】上記実施例１では、導電ネットワークの形
成に触媒重合法を用いたが、電解重合法、または光や電
子線やＸ線等のエネルギービーム照射による重合法を用
いて、同様に導電ネットワークを形成できた。
成に触媒重合法を用いたが、電解重合法、または光や電
子線やＸ線等のエネルギービーム照射による重合法を用
いて、同様に導電ネットワークを形成できた。
【０１７４】また、導電ネットワークとしてポリアセチ
レン型の共役系以外に、ポリジアセチレン型、ポリアセ
ン型、ポリピロール型、ポリチェニレン型等の共役系が
利用できた。なお、触媒重合を行う際には、重合性基と
して前記アセチレン基以外にピロール基、チェニレン
基、ジアセチレン基等が適していた。
レン型の共役系以外に、ポリジアセチレン型、ポリアセ
ン型、ポリピロール型、ポリチェニレン型等の共役系が
利用できた。なお、触媒重合を行う際には、重合性基と
して前記アセチレン基以外にピロール基、チェニレン
基、ジアセチレン基等が適していた。
【０１７５】さらに、単分子膜または単分子累積膜の作
製には、化学吸着法以外に、ラングミュアーブロジェッ
ト法が適用できた。
製には、化学吸着法以外に、ラングミュアーブロジェッ
ト法が適用できた。
【０１７６】また、前記有機薄膜を構成する分子相互を
重合する前記導電ネットワーク形成工程の前に、前記第
１と第２の電極を形成する前記対電極形成工程を行う
と、導電ネットワークの作製に際して、前記第１と第２
電極を電解重合に利用できた。すなわち、電解重合性の
官能基としてピロール基またはチェニレン基を有する有
機分子群から成る前記有機薄膜の前記第１と第２の電極
間に電圧を印加して、第１と第２の電極間の有機薄膜を
選択的に電解重合できた。
重合する前記導電ネットワーク形成工程の前に、前記第
１と第２の電極を形成する前記対電極形成工程を行う
と、導電ネットワークの作製に際して、前記第１と第２
電極を電解重合に利用できた。すなわち、電解重合性の
官能基としてピロール基またはチェニレン基を有する有
機分子群から成る前記有機薄膜の前記第１と第２の電極
間に電圧を印加して、第１と第２の電極間の有機薄膜を
選択的に電解重合できた。
【０１７７】基板上にピロール基またはチェニレン基を
有する有機分子群から成る単分子膜と第１の電極と、第
２の電極とを形成した後に、ピロール基またはチェニレ
ン基を含む物質を溶かした有機溶媒中に浸漬し、且つ前
記第１の電極と第２の電極との間に第１の電圧を印加
し、さらに前記第１または第２の電極と前記有機溶媒に
接触し前記単分子膜の上方に配置された外部電極との電
極間に第２の電圧を印加して、前記単分子膜の表面にさ
らに被膜を形成すると同時に前記単分子膜と前記被膜に
それぞれ導電ネットワークを形成できた。この場合、有
機電子デバイスは、それぞれに導電ネットワークを有す
る単分子膜部とポリマー膜状の被膜部とからなる有機薄
膜を備えている。
有する有機分子群から成る単分子膜と第１の電極と、第
２の電極とを形成した後に、ピロール基またはチェニレ
ン基を含む物質を溶かした有機溶媒中に浸漬し、且つ前
記第１の電極と第２の電極との間に第１の電圧を印加
し、さらに前記第１または第２の電極と前記有機溶媒に
接触し前記単分子膜の上方に配置された外部電極との電
極間に第２の電圧を印加して、前記単分子膜の表面にさ
らに被膜を形成すると同時に前記単分子膜と前記被膜に
それぞれ導電ネットワークを形成できた。この場合、有
機電子デバイスは、それぞれに導電ネットワークを有す
る単分子膜部とポリマー膜状の被膜部とからなる有機薄
膜を備えている。
【０１７８】また、基板上に、ピロール基またはチェニ
レン基を有する有機分子群から成る単分子膜と第１の電
極と第２の電極とを形成し、単分子膜に第１の構造の導
電ネットワークを形成した後に、ピロール基またはチェ
ニレン基を含む物質を溶かした有機溶媒中に浸漬し、第
１と第２の電極間に第１の電圧を印加し、且つ前記第１
または第２の電極と前記有機溶媒に接触し前記有機薄膜
の上方に配置された外部電極との電極間に第２の電圧を
印加して、ポリピロール型またはポリチェニレン型の導
電ネットワークが形成された単分子膜の表面にさらに被
膜を形成すると同時に前記被膜にもポリピロール型また
はポリチェニレン型の第２の構造の導電ネットワークを
形成できた。この場合、有機電子デバイスは、それぞれ
に導電ネットワークを有する単分子膜部とポリマー膜状
の被膜部とからなる有機薄膜を備えている。
レン基を有する有機分子群から成る単分子膜と第１の電
極と第２の電極とを形成し、単分子膜に第１の構造の導
電ネットワークを形成した後に、ピロール基またはチェ
ニレン基を含む物質を溶かした有機溶媒中に浸漬し、第
１と第２の電極間に第１の電圧を印加し、且つ前記第１
または第２の電極と前記有機溶媒に接触し前記有機薄膜
の上方に配置された外部電極との電極間に第２の電圧を
印加して、ポリピロール型またはポリチェニレン型の導
電ネットワークが形成された単分子膜の表面にさらに被
膜を形成すると同時に前記被膜にもポリピロール型また
はポリチェニレン型の第２の構造の導電ネットワークを
形成できた。この場合、有機電子デバイスは、それぞれ
に導電ネットワークを有する単分子膜部とポリマー膜状
の被膜部とからなる有機薄膜を備えている。
【０１７９】また、重合性基としてエネルギービームに
より重合する官能基であるアセチレン基やジアセチレン
基等を有する有機分子群から成る単分子膜または単分子
累積膜に、紫外線、遠紫外線、電子線またはＸ線等のエ
ネルギービームを照射して、単分子膜または単分子累積
膜の分子相互を重合させ、導電ネットワークを形成でき
た。
より重合する官能基であるアセチレン基やジアセチレン
基等を有する有機分子群から成る単分子膜または単分子
累積膜に、紫外線、遠紫外線、電子線またはＸ線等のエ
ネルギービームを照射して、単分子膜または単分子累積
膜の分子相互を重合させ、導電ネットワークを形成でき
た。
【０１８０】なお、単分子膜の材料として使用できる物
質は、一般に化学式（３）で示される物質であり、本実
施例１と同様にして使用できる。
質は、一般に化学式（３）で示される物質であり、本実
施例１と同様にして使用できる。
【化３】 ここで、Ａは共役結合で結合して導電ネットワークを形
成する官能基、Ｂは光応答性の官能基、Ｄはハロゲン原
子、イソシアネート基、またはアルコキシル基等の基板
表面の活性水素と反応する原子または官能基、Ｅは水
素、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、ま
たは他のアルキル基、等の官能基である。また、ｍ、ｎ
は整数であり、ｍ＋ｎは２以上２５以下、特に好ましく
は１０以上２０以下である。さらに、ｐは整数であり、
１、２、または３である。
成する官能基、Ｂは光応答性の官能基、Ｄはハロゲン原
子、イソシアネート基、またはアルコキシル基等の基板
表面の活性水素と反応する原子または官能基、Ｅは水
素、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、ま
たは他のアルキル基、等の官能基である。また、ｍ、ｎ
は整数であり、ｍ＋ｎは２以上２５以下、特に好ましく
は１０以上２０以下である。さらに、ｐは整数であり、
１、２、または３である。
【０１８１】さらに詳しくは、化学式（４）から（７）
で表される物質等が使用できた。
で表される物質等が使用できた。
【化４】
【化５】
【化６】
【化７】 ここで、ｍ，ｎは整数であり、ｍ＋ｎは２以上２５以下
である。
である。
【０１８２】（実施例２）まず、電解重合により導電ネ
ットワークを形成するピロール基（Ｃ4Ｈ4Ｎ−）と、分
極性の官能基であるオキシカルボニル基（−ＯＣＯ−）
と、基板表面の活性水素（例えば水酸基（−ＯＨ））と
反応するクロロシリル基（−ＳｉＣｌ）とを有する化学
式（８）の物質を用い、
ットワークを形成するピロール基（Ｃ4Ｈ4Ｎ−）と、分
極性の官能基であるオキシカルボニル基（−ＯＣＯ−）
と、基板表面の活性水素（例えば水酸基（−ＯＨ））と
反応するクロロシリル基（−ＳｉＣｌ）とを有する化学
式（８）の物質を用い、
【化８】 脱水したジメチルシリコーン系の有機溶媒で１％に薄め
て化学吸着液を調製した。
て化学吸着液を調製した。
【０１８３】次に、絶縁性のポリイミド基板３１（ある
いは導電性のメタル基板表面に第１の絶縁膜、例えばシ
リカ膜３８を介してでも良い）表面にアルミニウム（Ａ
ｌ）を蒸着し、フォトリソグラフィ法を適用し長さが１
５μｍで幅が４０μｍの第３の電極２３をエッチング形
成した。さらに前記Ａｌ製の第３の電極３７を電解酸化
して表面に絶縁性のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）膜３９を形成
した。（図６（ａ））
いは導電性のメタル基板表面に第１の絶縁膜、例えばシ
リカ膜３８を介してでも良い）表面にアルミニウム（Ａ
ｌ）を蒸着し、フォトリソグラフィ法を適用し長さが１
５μｍで幅が４０μｍの第３の電極２３をエッチング形
成した。さらに前記Ａｌ製の第３の電極３７を電解酸化
して表面に絶縁性のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）膜３９を形成
した。（図６（ａ））
【０１８４】次に、単分子膜を形成する部分を残してレ
ジストでマスクパターンを形成した後、前記吸着液に浸
漬して化学吸着を行い、前記マスクパターン開口部に選
択手的に化学吸着を行い、さらに表面に残った未反応の
前記物質をクロロホルムで洗浄除去し、続いて前記レジ
ストのマスクパターンを除去して、前記物質よりなる単
分子膜３４を選択的に形成した。（図６（ｂ））
ジストでマスクパターンを形成した後、前記吸着液に浸
漬して化学吸着を行い、前記マスクパターン開口部に選
択手的に化学吸着を行い、さらに表面に残った未反応の
前記物質をクロロホルムで洗浄除去し、続いて前記レジ
ストのマスクパターンを除去して、前記物質よりなる単
分子膜３４を選択的に形成した。（図６（ｂ））
【０１８５】このとき、開口部の基板３１表面（シリカ
膜３８およびＡｌ2Ｏ3膜３９表面）には活性水素を含む
水酸基が多数存在するので、前記物質のクロロシリル基
（−ＳｉＣｌ）が水酸基と脱塩酸反応を生じて基板３１
表面に共有結合した化学式（９）で示される分子で構成
された単分子膜３４が形成された。
膜３８およびＡｌ2Ｏ3膜３９表面）には活性水素を含む
水酸基が多数存在するので、前記物質のクロロシリル基
（−ＳｉＣｌ）が水酸基と脱塩酸反応を生じて基板３１
表面に共有結合した化学式（９）で示される分子で構成
された単分子膜３４が形成された。
【化９】
【０１８６】次に、全面にニッケル薄膜を蒸着形成した
後、ホトリソグラフィ法を適用しギャップ間距離が１０
μｍ長さが３０μｍの第１の電極２２及び第２電極２３
を第３の電極３７を挟むようにエッチングして形成し
た。（図２（ｃ））次に、アセトニトリル溶液中に浸漬
し、第１及び第２電極間に５Ｖ／ｃｍ程度の電界を印加
し、電解重合により導電ネットワーク３５を第１の電極
２２及び第２の電極２３の電極間を接続するように形成
した。このとき、電界の方向に沿って共役結合が自己組
織的に形成されて行くので、完全に重合が終われば、第
１の電極２２と第２の電極２３とは導電ネットワーク３
５で電気的に接続されていることになる。（図６
（ｃ））最後に、第３の電極３７を基板３１側から取り
出して、３端子有機電子デバイスを製造できた。
後、ホトリソグラフィ法を適用しギャップ間距離が１０
μｍ長さが３０μｍの第１の電極２２及び第２電極２３
を第３の電極３７を挟むようにエッチングして形成し
た。（図２（ｃ））次に、アセトニトリル溶液中に浸漬
し、第１及び第２電極間に５Ｖ／ｃｍ程度の電界を印加
し、電解重合により導電ネットワーク３５を第１の電極
２２及び第２の電極２３の電極間を接続するように形成
した。このとき、電界の方向に沿って共役結合が自己組
織的に形成されて行くので、完全に重合が終われば、第
１の電極２２と第２の電極２３とは導電ネットワーク３
５で電気的に接続されていることになる。（図６
（ｃ））最後に、第３の電極３７を基板３１側から取り
出して、３端子有機電子デバイスを製造できた。
【０１８７】この３端子有機電子デバイスでは、第１の
電極２２と第２の電極２３との間は、ポリピロール型の
導電ネットワーク３５で接続されているので、ＢＦ−イ
オンをドープした後、第１の電極２２と第２の電極２３
との間に１Ｖの電圧を印加し、且つ第１の電極２２と第
３の電極２７との間の電圧を０Ｖにすると、０．５ｍＡ
程度の電流が流れた。
電極２２と第２の電極２３との間は、ポリピロール型の
導電ネットワーク３５で接続されているので、ＢＦ−イ
オンをドープした後、第１の電極２２と第２の電極２３
との間に１Ｖの電圧を印加し、且つ第１の電極２２と第
３の電極２７との間の電圧を０Ｖにすると、０．５ｍＡ
程度の電流が流れた。
【０１８８】次に、第１の電極２２と第２の電極２３と
の間に１Ｖの電圧を印加した状態で、第１の電極２２と
第３の電極３７との間に５Ｖの電圧を印加すると、第１
の電極２２と第２の電極２３との電極間の電流値がほぼ
０Ａとなった。その後、第１の電極２２と第３の電極２
７との間の電圧を５Ｖから０Ｖにもどすと元の導電性が
再現された。
の間に１Ｖの電圧を印加した状態で、第１の電極２２と
第３の電極３７との間に５Ｖの電圧を印加すると、第１
の電極２２と第２の電極２３との電極間の電流値がほぼ
０Ａとなった。その後、第１の電極２２と第３の電極２
７との間の電圧を５Ｖから０Ｖにもどすと元の導電性が
再現された。
【０１８９】このような導電性の低下は、第３の電極３
７と第１の電極２２との電極間に５Ｖの電圧を印加した
際、有極性の官能基であるオキシカルボニル基（−ＯＣ
Ｏ−）の分極が大きくなることにより、ポリピロール型
の共役系が歪み導電ネットワーク３５の導電率が低下す
ることにより生じた考えられる。
７と第１の電極２２との電極間に５Ｖの電圧を印加した
際、有極性の官能基であるオキシカルボニル基（−ＯＣ
Ｏ−）の分極が大きくなることにより、ポリピロール型
の共役系が歪み導電ネットワーク３５の導電率が低下す
ることにより生じた考えられる。
【０１９０】すなわち、第１の電極２２と第３の電極３
７との間に印加された電圧で、前記導電ネットワークの
導電率を制御して第１の電極２２と第２の電極２３との
間に流れる電流をスイッチングできた。ここで、有極性
の官能基が分極性のオキシカルボニル基であると、スイ
ッチングを極めて高速で行えた。オキシカルボニル基以
外に、カルボニル基等の官能基を有する分子を使用でき
た。
７との間に印加された電圧で、前記導電ネットワークの
導電率を制御して第１の電極２２と第２の電極２３との
間に流れる電流をスイッチングできた。ここで、有極性
の官能基が分極性のオキシカルボニル基であると、スイ
ッチングを極めて高速で行えた。オキシカルボニル基以
外に、カルボニル基等の官能基を有する分子を使用でき
た。
【０１９１】また、導電ネットワークとしてポリアセチ
レン型、ポリジアセチレン型、ポリアセン型、ポリピロ
ール型、ポリチェニレン型の共役系が使用でき、導電率
が高かった。また、導電ネットワークを形成する共役結
合で結合する重合性基として、電解重合性の官能基であ
るピロール基以外に、チェニレン基が利用できた。な
お、重合方法を変えれば、アセチレン基、ジアセチレン
基を有する物質も利用できた。
レン型、ポリジアセチレン型、ポリアセン型、ポリピロ
ール型、ポリチェニレン型の共役系が使用でき、導電率
が高かった。また、導電ネットワークを形成する共役結
合で結合する重合性基として、電解重合性の官能基であ
るピロール基以外に、チェニレン基が利用できた。な
お、重合方法を変えれば、アセチレン基、ジアセチレン
基を有する物質も利用できた。
【０１９２】単分子膜または単分子累積膜の作製には、
化学吸着法以外に、ラングミュアーブロジェット法を使
用できた。
化学吸着法以外に、ラングミュアーブロジェット法を使
用できた。
【０１９３】また、有機薄膜を重合する工程の前に、第
１の電極２２と第２の電極２３を形成する工程を行う
と、導電ネットワークの作製に際して、第１の電極２２
と第２の電極２３を電解重合に利用できた。すなわち、
電解重合性の官能基としてピロール基またはチェニレン
基を有する有機分子群から成る有機薄膜の第１の電極２
２と第２の電極２３との電極間に電圧を印加し第１の電
極２２と第２の電極２３との電極間の有機薄膜を選択的
に電解重合できた。
１の電極２２と第２の電極２３を形成する工程を行う
と、導電ネットワークの作製に際して、第１の電極２２
と第２の電極２３を電解重合に利用できた。すなわち、
電解重合性の官能基としてピロール基またはチェニレン
基を有する有機分子群から成る有機薄膜の第１の電極２
２と第２の電極２３との電極間に電圧を印加し第１の電
極２２と第２の電極２３との電極間の有機薄膜を選択的
に電解重合できた。
【０１９４】基板上に第３の電極３７とピロール基また
はチェニレン基を有する有機分子群から成る単分子膜３
４と、第１の電極と、第２の電極とを形成した後に、ピ
ロール基またはチェニレン基を含む物質を溶かした有機
溶媒中に浸漬して、第１の電極２２と第２の電極２３と
の間に第１の電圧を印加し、且つ第１の電極２２または
第２の電極２３と前記有機溶媒に接触し単分子膜３４の
上方に配置された外部電極との電極間に第２の電圧を印
加して、単分子膜３４の表面に被膜を形成すると同時に
単分子膜と被膜のそれぞれにポリピロール型またはポリ
チェニレン型の導電ネットワークを形成できた。この場
合、有機電子デバイスは、それぞれに導電ネットワーク
を有する単分子膜部とポリマー膜状の被膜部とからなる
有機薄膜を備えている。
はチェニレン基を有する有機分子群から成る単分子膜３
４と、第１の電極と、第２の電極とを形成した後に、ピ
ロール基またはチェニレン基を含む物質を溶かした有機
溶媒中に浸漬して、第１の電極２２と第２の電極２３と
の間に第１の電圧を印加し、且つ第１の電極２２または
第２の電極２３と前記有機溶媒に接触し単分子膜３４の
上方に配置された外部電極との電極間に第２の電圧を印
加して、単分子膜３４の表面に被膜を形成すると同時に
単分子膜と被膜のそれぞれにポリピロール型またはポリ
チェニレン型の導電ネットワークを形成できた。この場
合、有機電子デバイスは、それぞれに導電ネットワーク
を有する単分子膜部とポリマー膜状の被膜部とからなる
有機薄膜を備えている。
【０１９５】また、基板上に第３の電極とピロール基ま
たはチェニレン基を有する有機分子群から成る単分子膜
と第１の電極と第２の電極とを形成し、単分子膜にポリ
ピロールまたはポリチェニレン型の第１の構造の導電ネ
ットワークを形成した後に、ピロール基またはチェニレ
ン基を含む物質を溶かした有機溶媒中に浸漬して、第１
の電極と第２の電極との間に第１の電圧を印加し、且つ
前記第１または第２の電極と前記有機溶媒に接触し前記
有機薄膜の上方に配置された外部電極との間に第２の電
圧を印加して、導電ネットワークが形成された単分子膜
の表面にさらに被膜を形成すると同時に被膜にポリピロ
ール型またはポリチェニレン型の第２の構造の導電ネッ
トワークを形成できた。この場合、有機電子デバイス
は、それぞれに導電ネットワークを有する単分子膜部と
ポリマー膜状の被膜部とから成る有機薄膜を備えてい
る。
たはチェニレン基を有する有機分子群から成る単分子膜
と第１の電極と第２の電極とを形成し、単分子膜にポリ
ピロールまたはポリチェニレン型の第１の構造の導電ネ
ットワークを形成した後に、ピロール基またはチェニレ
ン基を含む物質を溶かした有機溶媒中に浸漬して、第１
の電極と第２の電極との間に第１の電圧を印加し、且つ
前記第１または第２の電極と前記有機溶媒に接触し前記
有機薄膜の上方に配置された外部電極との間に第２の電
圧を印加して、導電ネットワークが形成された単分子膜
の表面にさらに被膜を形成すると同時に被膜にポリピロ
ール型またはポリチェニレン型の第２の構造の導電ネッ
トワークを形成できた。この場合、有機電子デバイス
は、それぞれに導電ネットワークを有する単分子膜部と
ポリマー膜状の被膜部とから成る有機薄膜を備えてい
る。
【０１９６】導電ネットワークの形成において電解重合
以外では、重合性基として触媒重合性の官能基であるピ
ロール基、チェニレン基、アセチレン基、またはジアセ
チレン基等を有する単分子膜または単分子累積膜の分子
相互を触媒重合して、導電ネットワークを形成できた。
さらにまた、重合性基としてアセチレン基、ジアセチレ
ン基等のビーム照射重合性基を有する有機分子群から成
る単分子膜または単分子累積膜に、紫外線、遠紫外線、
電子線またはＸ線等のエネルギービームを照射して、有
機分子相互を重合し導電ネットワークを形成できた。
以外では、重合性基として触媒重合性の官能基であるピ
ロール基、チェニレン基、アセチレン基、またはジアセ
チレン基等を有する単分子膜または単分子累積膜の分子
相互を触媒重合して、導電ネットワークを形成できた。
さらにまた、重合性基としてアセチレン基、ジアセチレ
ン基等のビーム照射重合性基を有する有機分子群から成
る単分子膜または単分子累積膜に、紫外線、遠紫外線、
電子線またはＸ線等のエネルギービームを照射して、有
機分子相互を重合し導電ネットワークを形成できた。
【０１９７】（実施例３）上記実施例２と同様の方法
で、複数の有機電子デバイスを液晶の動作スイッチとし
てアクリル基板表面に配列配置してＴＦＴアレイ基板を
作製し、さらにその表面に配向膜を作製した。次に、ス
クリーン印刷法を用いてシール接着剤を封口部を除いて
パターン形成した後、プレキュアーしてカラーフィルタ
ー基板の配向膜面を向かい合わせにし、貼り合わせて圧
着し前記パターン形成された接着剤を硬化させ、液晶セ
ルを作製した。最後に、所定の液晶を真空注入して封止
すると、液晶表示装置を製造できた。
で、複数の有機電子デバイスを液晶の動作スイッチとし
てアクリル基板表面に配列配置してＴＦＴアレイ基板を
作製し、さらにその表面に配向膜を作製した。次に、ス
クリーン印刷法を用いてシール接着剤を封口部を除いて
パターン形成した後、プレキュアーしてカラーフィルタ
ー基板の配向膜面を向かい合わせにし、貼り合わせて圧
着し前記パターン形成された接着剤を硬化させ、液晶セ
ルを作製した。最後に、所定の液晶を真空注入して封止
すると、液晶表示装置を製造できた。
【０１９８】この方法では、ＴＦＴアレイの製造におい
て、基板加熱の必要がないので、アクリル基板のような
ガラス転移（Ｔｇ）点が低い基板を用いても十分高画質
なＴＦＴ型液晶表示装置を製造できた。
て、基板加熱の必要がないので、アクリル基板のような
ガラス転移（Ｔｇ）点が低い基板を用いても十分高画質
なＴＦＴ型液晶表示装置を製造できた。
【０１９９】（実施例４）上記実施例２と同様の方法
で、複数の３端子有機電子デバイスを液晶の動作スイッ
チとしてアクリル基板表面に配列配置してＴＦＴアレイ
基板を作製した。その後、公知の方法を用いて前記３端
子有機電子デバイスのに接続される画素電極を形成し、
ＴＦＴアレイ基板上に電界が印加されると発光する蛍光
物質から成る発光層を形成し、ＴＦＴアレイ基板に対向
する透明共通電極を発光層上に形成して、エレクトロル
ミネッセンス型カラー表示装置を製造できた。
で、複数の３端子有機電子デバイスを液晶の動作スイッ
チとしてアクリル基板表面に配列配置してＴＦＴアレイ
基板を作製した。その後、公知の方法を用いて前記３端
子有機電子デバイスのに接続される画素電極を形成し、
ＴＦＴアレイ基板上に電界が印加されると発光する蛍光
物質から成る発光層を形成し、ＴＦＴアレイ基板に対向
する透明共通電極を発光層上に形成して、エレクトロル
ミネッセンス型カラー表示装置を製造できた。
【０２００】発光層を形成する際、赤、青、緑色の光を
発光する３種類の素子をそれぞれ所定の位置に形成する
ことにより、エレクトロルミネッセンス型カラー表示装
置が製造できた。
発光する３種類の素子をそれぞれ所定の位置に形成する
ことにより、エレクトロルミネッセンス型カラー表示装
置が製造できた。
【０２０１】
【発明の効果】以上で説明したように、本発明では第１
に、基板上に形成された、第１の電極と、前記第１の電
極と離隔した第２の電極と、前記第１と第２の電極を電
気的に接続する有機薄膜と、を備えた２端子有機電子デ
バイスであって、前記有機薄膜は、光応答性の官能基を
有する有機分子群からなり、前記有機分子群を構成する
分子相互が共役結合した導電ネットワークを有する２端
子有機電子デバイスを提供できる効果がある。
に、基板上に形成された、第１の電極と、前記第１の電
極と離隔した第２の電極と、前記第１と第２の電極を電
気的に接続する有機薄膜と、を備えた２端子有機電子デ
バイスであって、前記有機薄膜は、光応答性の官能基を
有する有機分子群からなり、前記有機分子群を構成する
分子相互が共役結合した導電ネットワークを有する２端
子有機電子デバイスを提供できる効果がある。
【０２０２】第２に、基板上に形成された、第１の電極
と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１
と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板
と前記有機薄膜の間に挟まれ、それぞれと絶縁された第
３の電極とを備えた３端子有機電子デバイスであって、
前記第３の電極は前記第１の電極または前記第２の電極
と前記第３の電極間の電圧印加により前記有機薄膜に作
用させる電界を制御できる電極であり、前記有機薄膜は
有極性の官能基を有する有機分子群からなり、前記有機
分子群を構成する分子相互が共役結合した導電ネットワ
ークを有する３端子有機電子デバイスを提供できる効果
がある。
と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１
と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板
と前記有機薄膜の間に挟まれ、それぞれと絶縁された第
３の電極とを備えた３端子有機電子デバイスであって、
前記第３の電極は前記第１の電極または前記第２の電極
と前記第３の電極間の電圧印加により前記有機薄膜に作
用させる電界を制御できる電極であり、前記有機薄膜は
有極性の官能基を有する有機分子群からなり、前記有機
分子群を構成する分子相互が共役結合した導電ネットワ
ークを有する３端子有機電子デバイスを提供できる効果
がある。
【０２０３】第３に、有極性の官能基を有する材料物質
を使用する３端子有機電子デバイスにより、従来例に比
べ極めて高速なスイッチングを行う有機系ＴＦＴを提供
できる効果がある。したがって、３端子有機電子デバイ
スを表示素子の動作スイッチとして用いた液晶表示装置
やエレクトロルミネッセンス型表示装置等を提供できる
効果がある。
を使用する３端子有機電子デバイスにより、従来例に比
べ極めて高速なスイッチングを行う有機系ＴＦＴを提供
できる効果がある。したがって、３端子有機電子デバイ
スを表示素子の動作スイッチとして用いた液晶表示装置
やエレクトロルミネッセンス型表示装置等を提供できる
効果がある。
【０２０４】第４に、本発明の３端子有機電子デバイス
動作スイッチを基板表面に配列配置してアレイ基板を形
成する際、高温で処理する工程が含まれない為、フレキ
シビリティーに優れたプラスチック基板等を使用した表
示装置を提供できる効果がある。
動作スイッチを基板表面に配列配置してアレイ基板を形
成する際、高温で処理する工程が含まれない為、フレキ
シビリティーに優れたプラスチック基板等を使用した表
示装置を提供できる効果がある。
【０２０５】
【図１】２端子有機電子デバイスの構造を分子レベルま
で拡大した断面概念図であり、（ａ）は第１と第２の電
極が基板に直接形成された構造の断面概念図、（ｂ）は
第１と第２の電極が有機薄膜上に形成された構造の断面
概念図である。
で拡大した断面概念図であり、（ａ）は第１と第２の電
極が基板に直接形成された構造の断面概念図、（ｂ）は
第１と第２の電極が有機薄膜上に形成された構造の断面
概念図である。
【図２】光照射に対する２端子有機電子デバイスの導電
性の変化を説明する概念図であり、（ａ）は光照射に対
する有機薄膜の導電性の変化を説明する概念図、（ｂ）
は光異性化に伴うスイッチング動作を説明する概念図で
ある。
性の変化を説明する概念図であり、（ａ）は光照射に対
する有機薄膜の導電性の変化を説明する概念図、（ｂ）
は光異性化に伴うスイッチング動作を説明する概念図で
ある。
【図３】３端子有機電子デバイスの構造を分子レベルま
で拡大した断面概念図であり、（ａ）は第１と第２の電
極が基板に直接形成された構造の断面概念図、（ｂ）は
第１と第２の電極が有機薄膜上に形成された構造の断面
概念図である。
で拡大した断面概念図であり、（ａ）は第１と第２の電
極が基板に直接形成された構造の断面概念図、（ｂ）は
第１と第２の電極が有機薄膜上に形成された構造の断面
概念図である。
【図４】印加電界に対する３端子有機電子デバイスの導
電性の変化を説明する概念図であり、（ａ）は導電ネッ
トワークの導電率と第３の電極に印加された電圧との依
存性を説明する概念図、（ｂ）は第３の電極への電圧印
加の有無によるスイッチング動作を説明する概念図であ
る。
電性の変化を説明する概念図であり、（ａ）は導電ネッ
トワークの導電率と第３の電極に印加された電圧との依
存性を説明する概念図、（ｂ）は第３の電極への電圧印
加の有無によるスイッチング動作を説明する概念図であ
る。
【図５】実施例１における２端子有機電子デバイスの製
造プロセスを説明するための工程断面概念図であり、
（ａ）は単分子膜を形成した状態を分子レベルまで拡大
した断面概念図、（ｂ）は重合により導電ネットワーク
を形成した状態を分子レベルまで拡大した断面概念図で
ある。
造プロセスを説明するための工程断面概念図であり、
（ａ）は単分子膜を形成した状態を分子レベルまで拡大
した断面概念図、（ｂ）は重合により導電ネットワーク
を形成した状態を分子レベルまで拡大した断面概念図で
ある。
【図６】実施例３における３端子有機電子デバイスの製
造プロセスを説明するための工程断面概念図であり、
（ａ）は第３の電極を形成した状態を拡大した断面概念
図、（ｂ）は単分子膜を形成した状態を分子レベルまで
拡大した断面概念図、（ｃ）は重合により導電ネットワ
ークを形成した状態を分子レベルまで拡大した断面概念
図である。
造プロセスを説明するための工程断面概念図であり、
（ａ）は第３の電極を形成した状態を拡大した断面概念
図、（ｂ）は単分子膜を形成した状態を分子レベルまで
拡大した断面概念図、（ｃ）は重合により導電ネットワ
ークを形成した状態を分子レベルまで拡大した断面概念
図である。
１ 基板 ２ 第１の電極 ３ 第２の電極 ４ 光応答性の官能基を有する単分子膜 ５ 導電ネットワーク ６ 集光された照射光 １１ 基板 １２ 第１の電極 １３ 第２の電極 １４ 有極性の官能基を有する単分子膜 １５ 導電ネットワーク １７ 第３の電極 １８ 第１の絶縁膜 １９ 第２の絶縁膜 ２１ ガラス基板 ２２ ニッケル製の第１の電極 ２３ ニッケル製の第２の電極 ２４ アセチレン基とアゾ基を含む分子から成る化学吸
着単分子膜 ２５ ポリアセチレン型の導電ネットワーク ３１ ポリイミド基板 ３４ ピロール基とオキシカルボニル基を含む分子から
成る単分子膜 ３５ ポリピロール型の導電ネットワーク ３７ アルミ製の第３の電極 ３８ シリカ膜 ３９ アルミナ膜
着単分子膜 ２５ ポリアセチレン型の導電ネットワーク ３１ ポリイミド基板 ３４ ピロール基とオキシカルボニル基を含む分子から
成る単分子膜 ３５ ポリピロール型の導電ネットワーク ３７ アルミ製の第３の電極 ３８ シリカ膜 ３９ アルミナ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｈ０５Ｂ 33/10 ５Ｆ０３８ ３６５ 33/14 Ａ ５Ｆ１１０ Ｈ０１Ｌ 27/04 33/26 Ａ ５Ｇ４３５ 21/822 Ｈ０１Ｌ 29/28 29/786 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｐ 33/14 Ｖ 33/26 29/78 ６１８Ｂ Ｆターム(参考） 2H090 LA15 2H091 FA02Y FA44Z GA13 LA30 2H092 JA01 JA21 JA24 KA09 MA09 NA25 3K007 AB18 BA06 BA07 CA01 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 5C094 AA43 AA53 BA03 BA27 BA43 CA19 DA06 ED02 HA08 5F038 AR07 AV01 AZ07 EZ06 5F110 AA01 AA04 BB01 CC07 DD01 GG05 5G435 AA17 BB05 BB12 EE25 GG12 GG25 KK05 KK10 LL00
Claims (46)
- 【請求項１】 基板上に形成された、第１の電極と、
前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１と第
２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、を備えた２端
子有機電子デバイスであって、 前記有機薄膜は、光応答性の官能基を有する有機分子群
からなり、前記有機分子群を構成する分子相互が共役結
合した導電ネットワークを有することを特徴とする２端
子有機電子デバイス。 - 【請求項２】 請求項１に記載の２端子有機電子デバ
イスに於いて、 前記有機薄膜が有機分子が基板上に固定された単分子膜
または単分子累積膜であることを特徴とする２端子有機
電子デバイス。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の２端子有機
電子デバイスに於いて、 前記導電ネットワークの導電率は、前記有機薄膜に照射
される光の光量により変化することを特徴とする２端子
有機電子デバイス。 - 【請求項４】 請求項３に記載の２端子有機電子デバ
イスに於いて、 前記導電ネットワークの導電率は、有機薄膜に照射され
る波長の異なる第１の光または第２の光によりそれぞれ
第１の導電率または第２の導電率に移行し且つ遮光後も
それぞれ前記第１または第２の導電率が維持されること
を特徴とする２端子有機電子デバイス。 - 【請求項５】 請求項１及至４のいずれかに記載の２
端子有機電子デバイスに於いて、 前記光応答性の官能基が光異性化する官能基であること
を特徴とする２端子有機電子デバイス。 - 【請求項６】 請求項５に記載の２端子有機電子デバ
イスに於いて、 前記光異性化する官能基がアゾ基であることを特徴とす
る２端子有機電子デバイス。 - 【請求項７】 請求項１及至６のいずれかに記載の２
端子有機電子デバイスに於いて、 前記導電ネットワークはポリアセチレン型、ポリジアセ
チレン型、ポリピロール型、ポリチェニレン型、ポリア
セン型の共役系よりなる群から選択される１つ以上の共
役系を含むことを特徴とする２端子有機電子デバイス。 - 【請求項８】 基板上に形成された、第１の電極と、
前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１と第
２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板と前
記有機薄膜の間に挟まれ、それぞれと絶縁された第３の
電極と、を備えた３端子有機電子デバイスであって、 前記第３の電極は、前記第１の電極または前記第２の電
極との電極間に電圧を印加することにより前記有機薄膜
に作用させる電界を制御する電極であり、前記有機薄膜
は、有極性の官能基を有する有機分子群からなり、前記
有機分子群を構成する分子相互が共役結合した導電ネッ
トワークを有することを特徴とする３端子有機電子デバ
イス。 - 【請求項９】 請求項８に記載の３端子有機電子デバ
イスに於いて、 前記有機薄膜が基板上に固定された単分子膜または単分
子累積膜であることを特徴とする３端子有機電子デバイ
ス。 - 【請求項１０】 請求項８または９に記載の３端子有
機電子デバイスに於いて、 前記導電ネットワークの導電性は前記有機薄膜に印加さ
れる電界により変化することを特徴とする３端子有機電
子デバイス。 - 【請求項１１】 請求項８及至１０のいずれかに記載
の３端子有機電子デバイスに於いて、 前記有極性の官能基が電界印加により分極する分極性の
官能基であることを特徴とする３端子有機電子デバイ
ス。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の３端子有機電子
デバイスに於いて、 前記分極性の官能基がカルボニル基、オキシカルボニル
基であることを特徴とする３端子有機電子デバイス。 - 【請求項１３】 請求項９及至１２のいずれかに記載
の３端子有機電子デバイスに於いて、 前記導電ネットワークがポリアセチレン型、ポリジアセ
チレン型、ポリチェニレン型、ポリピロール型、ポリア
セン型の共役系よりなる群から選択される１つ以上の共
役系を含むことを特徴とする３端子有機電子デバイス。 - 【請求項１４】 絶縁性の基板上、または任意の基板
表面に絶縁膜が形成された絶縁膜付き基板上に、 光応答性の官能基及び共役結合で結合する重合性基を有
する有機分子群から成る有機薄膜を形成する成膜工程
と、 前記有機薄膜を構成する分子相互を共役結合させ導電ネ
ットワークを形成する導電ネットワーク形成工程と、 前記導電ネットワークに接触するように、互いに離隔す
る第１の電極と第２の電極とを形成する対電極形成工程
と、を含むことを特徴とする２端子有機電子デバイスの
製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載の２端子有機電子
デバイスの製造方法に於いて、 前記光応答性の官能基が光異性化する官能基であること
を特徴とする２端子有機電子デバイス。 - 【請求項１６】 絶縁性の基板上、または任意の基板
表面に第１の絶縁膜が形成された絶縁膜付き基板上に、 第３の電極を形成する工程と、 直接または第２の絶縁膜を介して前記第３の電極を覆う
ように、有極性の官能基及び共役結合で結合する重合性
基を有する有機分子から成る有機薄膜を形成する成膜工
程と、 前記有機薄膜を構成する分子相互を共役結合させ導電ネ
ットワークを形成する導電ネットワーク形成工程と、 前記導電ネットワークに接触するように、互いに離隔し
且つ第３の電極とも離隔した第１の電極と第２の電極と
を形成する対電極形成工程と、を含むことを特徴とする
３端子有機電子デバイスの製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１６に記載の３端子有機電子
デバイスの製造方法に於いて、 前記有極性の官能基が電界印加により分極する分極性の
官能基であることを特徴とする３端子有機電子デバイス
の製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１４及至１７のいずれかに記
載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、 前記有機薄膜は有機分子が単分子層状に配列した単分子
膜または単分子膜が複数積層した単分子累積膜であるこ
とを特徴とする有機電子デバイスの製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の有機電子デバイ
スの製造方法に於いて、 前記成膜工程で化学吸着法またはラングミュア−ブロジ
ェット法を適用することを特徴とする有機電子デバイス
の製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載の有機電子デバイ
スの製造方法に於いて、 前記化学吸着法を適用した成膜工程でシラン系界面活性
剤を用いることを特徴とする有機電子デバイスの製造方
法。 - 【請求項２１】 請求項１４及至１８のいずれかに記
載の有機電子デバイスの製造方法に於いて、 前記導電ネットワーク形成工程で、前記有機薄膜を構成
する分子相互を重合により、または重合及び該重合後の
架橋により共役結合させ導電ネットワークを形成するこ
とを特徴とする有機電子デバイスの製造方法。 - 【請求項２２】 請求項２１に記載の有機電子デバイ
スの製造方法に於いて、 前記架橋を行う工程が触媒作用による架橋工程、電解作
用による架橋工程、エネルギービーム照射作用による架
橋工程よりなる群から選択される１つ以上の架橋工程で
あることを特徴とする有機電子デバイスの製造方法。 - 【請求項２３】 請求項２１に記載の有機電子デバイ
スの製造方法に於いて、 前記対電極形成工程を前記導電ネットワーク形成工程前
に行うことを特徴とする有機電子デバイスの製造方法。 - 【請求項２４】 請求項２３に記載の有機電子デバイ
スの製造方法に於いて、 前記有機薄膜を構成する分子の前記重合性基が電解重合
性を有する電解重合性基である場合に、前記第１と第２
の電極間に電圧を印加し電解重合を行うことを特徴とす
る有機電子デバイスの製造方法。 - 【請求項２５】 請求項２４に記載の有機電子デバイ
スの製造方法に於いて、 前記電解重合性基がピロール基またはチェニレン基であ
ることを特徴とする有機電子デバイスの製造方法 - 【請求項２６】 請求項２４に記載の有機電子デバイ
スの製造方法に於いて、 前記電解重合性基がピロール基またはチェニレン基であ
り、前記有機薄膜が単分子膜である場合、 前記対電極形成工程後にピロール基又はチェニレン基を
含む物質を溶かした有機溶媒中に浸漬し、且つ前記第１
と第２の電極間、及び前記第１または第２の電極と前記
有機溶媒に接触し前記有機薄膜の上方に配置された外部
電極との電極間にそれぞれ電圧を印加して、前記単分子
膜の表面に更にピロール基またはチェニレン基を有する
分子から成る被膜を形成し且つ前記単分子膜と前記被膜
にそれぞれ導電ネットワークを形成することを特徴とす
る有機電子デバイスの製造方法。 - 【請求項２７】 請求項２１に記載の有機電子デバイ
スの製造方法に於いて、 前記導電ネットワーク形成工程で、前記重合性基として
触媒重合性の触媒重合性基を有する前記有機薄膜を構成
する分子相互を触媒重合することを特徴とする有機電子
デバイスの製造方法。 - 【請求項２８】 請求項２７に記載の有機電子デバイ
スの製造方法に於いて、 前記触媒重合性基がピロール基、チェニレン基、アセチ
レン基、またはジアセチレン基であることを特徴とする
有機電子デバイスの製造方法。 - 【請求項２９】 請求項２１に記載の有機電子デバイ
スの製造方法に於いて、 導電ネットワーク形成工程で、前記重合性基としてエネ
ルギービームの照射で重合するビーム照射重合性基を有
する前記有機薄膜を構成する分子相互をエネルギービー
ムの照射により重合することを特徴とする有機電子デバ
イスの製造方法。 - 【請求項３０】 請求項２９に記載の有機電子デバイ
スの製造方法に於いて、 前記ビーム照射重合性基がアセチレン基またはジアセチ
レン基であることを特徴とする有機電子デバイスの製造
方法。 - 【請求項３１】 請求項２９または３０に記載の有機
電子デバイスの製造方法に於いて、 前記導電ネットワーク形成工程で、前記エネルギービー
ムとして紫外線、遠紫外線、Ｘ線、または電子線を用い
ることを特徴とする有機電子デバイスの製造方法。 - 【請求項３２】 基板上に形成された、第１の電極
と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１
と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜とを備え、 前記有機薄膜は光応答性の官能基を有する有機分子群か
ら成り、前記有機薄膜を構成する分子相互が共役結合し
た導電ネットワークを有する２端子有機電子デバイスの
動作方法であって、 前記第１と第２の電極間に電圧を印加した状態で前記有
機薄膜に光を照射することにより、前記導電ネットワー
クの導電率を変化させ前記第１と第２の電極間に流れる
電流をスイッチングすることを特徴とする２端子有機電
子デバイスの動作方法。 - 【請求項３３】 請求項３２に記載の２端子有機電子
デバイスの動作方法に於いて、 前記光応答性の官能基が光異性化する官能基であり、前
記有機薄膜に照射される波長の異なる第１の光または第
２の光の照射により前記導電ネットワークの導電率を変
化させることを特徴とする２端子有機電子デバイスの動
作方法。 - 【請求項３４】 請求項３３に記載の２端子有機電子
デバイスの動作方法に於いて、 前記光異性化する官能基がアゾ基であることを特徴とす
る２端子有機電子デバイスの動作方法。 - 【請求項３５】 請求項３３または３４に記載の２端
子有機電子デバイスの動作方法に於いて、 前記有機薄膜に照射される前記第１または第２の光とし
てそれぞれ紫外線または可視光線を用いることを特徴と
する２端子有機電子デバイスの動作方法。 - 【請求項３６】 基板上に形成された、第１の電極
と、前記第１の電極と離隔した第２の電極と、前記第１
と第２の電極を電気的に接続する有機薄膜と、前記基板
と前記有機薄膜の間に挟まれ、それぞれと絶縁された第
３の電極とを備え、前記第３の電極は前記第１または第
２の電極との間に印加された電圧により前記有機薄膜に
作用させる電界を制御する電極であり、前記有機薄膜は
有極性の官能基を有する有機分子群からなり、且つ前記
有機分子群を構成する分子相互が共役結合した導電ネッ
トワークを有する３端子有機電子デバイスの動作方法で
あって、 前記第１と第２の電極間に電圧を印加した状態で、前記
第１または第２の電極と前記第３の電極との間に印加さ
れた電圧で前記導電ネットワークの導電率を変化させ前
記第１と第２の電極間に流れる電流をスイッチングする
ことを特徴とする３端子有機電子デバイスの動作方法。 - 【請求項３７】 請求項３６に記載の３端子有機電子
デバイスの動作方法に於いて、 前記有極性の官能基が分極性の官能基であることを特徴
とする３端子有機電子デバイスの動作方法。 - 【請求項３８】 請求項３２及至３７のいずれかに記
載の有機電子デバイスの動作方法に於いて、 前記有機薄膜が基板上で結合固定された単分子膜または
単分子累積膜であることを特徴とする有機電子デバイス
の動作方法。 - 【請求項３９】 第１の電極と、前記第１の電極と離
隔した第２の電極と、前記第１と第２の電極を電気的に
接続する有機薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の間に挟
まれ且つそれぞれと絶縁された第３の電極とを備え、前
記第３の電極は前記第１または第２の電極との間に印加
された電圧により前記有機薄膜に作用させる電界を制御
する電極であり、前記有機薄膜は有極性の官能基を有す
る有機分子群から成り、且つ前記有機分子群の分子相互
が共役結合して導電ネットワークを形成していることを
特徴とする３端子有機電子デバイスをスイッチ素子とし
て用いた液晶表示装置であって、 複数の前記スイッチ素子が第１の基板上にマトリックス
状に配列配置され且つその表面に第１の配向膜が形成さ
れたアレイ基板と、 第２の基板上にマトリックス状に色要素が配列配置され
且つその表面に第２の配向膜が形成されたカラーフィル
ター基板と、 前記第１の配向膜と前記第２の配向膜を内側にし対向さ
れた前記アレイ基板と前記カラーフィルター基板との間
に封止された液晶と、を有することを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項４０】第１の電極と、前記第１の電極と離隔し
た第２の電極と、前記第１と第２の電極を電気的に接続
する有機薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の間に挟まれ
且つそれぞれと絶縁された第３の電極とを備え、前記第
３の電極が前記第１または第２の電極との間に印加する
電圧により前記有機薄膜に作用させる電界を制御する電
極であり、前記有機薄膜は有極性の官能基を有する有機
分子群からなり、且つ前記有機分子群の分子相互が共役
結合して導電ネットワークを形成していることを特徴と
する３端子有機電子デバイスをスイッチ素子として用い
たエレクトロルミネッセンス型表示装置であって、 複数の前記スイッチ素子が基板上にマトリックス状に配
列配置されたアレイ基板と、 前記アレイ基板と対向する共通電極と、 前記アレイ基板と前記共通電極との間に形成された、電
界の印加により発光する蛍光物質から成る発光層と、を
有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス型表
示装置。 - 【請求項４１】 請求項４０に記載のエレクトロルミ
ネッセンス型表示装置に於いて、 赤色、青色、または緑色の光を発光する３種類の前記蛍
光物質が配列配置されカラー表示することを特徴とする
エレクトロルミネッセンス型表示装置。 - 【請求項４２】 請求項３９及至４１のいずれかに記
載の表示装置に於いて、 前記有機薄膜が基板上に固定された単分子膜または単分
子累積膜であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項４３】 第１の電極と、前記第１の電極と離
隔した第２の電極と、前記第１と第２の電極を電気的に
接続する有機薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の間に挟
まれ且つそれぞれと絶縁された第３の電極とを備え、前
記第３の電極が前記第１または第２の電極との間に印加
する電圧により前記有機薄膜に作用させる電界を制御る
る電極であり、前記有機薄膜は有極性の官能基を有する
有機分子群からなり、且つ前記有機分子群の分子相互が
共役結合して導電ネットワークを形成していることを特
徴とする３端子有機電子デバイスをスイッチ素子として
用いた液晶表示装置の製造方法であって、 第１の基板上にマトリックス状に配列するように複数個
の前記スイッチ素子を形成して、その表面に第１の配向
膜を形成するアレイ基板形成工程と、 第２の基板表面にマトリックス状に色要素を配列配置し
カラーフィルターを作製して、その表面に第２の配向膜
を形成するカラーフィルター基板形成工程と、 第１の配向膜と第２の配向膜を内側にして前記アレイ基
板と前記カラーフィルター基板を所定の間隔で向かい合
わせ、前記アレイ基板と前記カラーフィルター基板との
間に液晶を充填し、前記液晶を封止する工程と、を含む
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４４】 第１の電極と、前記第１の電極と離
隔した第２の電極と、前記第１と第２の電極を電気的に
接続する有機薄膜と、前記基板と前記有機薄膜の間に挟
まれ且つそれぞれと絶縁された第３の電極とを備え、前
記第３の電極が前記第１または第２の電極との間に印加
する電圧により前記有機薄膜に作用させる電界を制御す
る電極であり、前記有機薄膜は有極性の官能基を有する
有機分子群からなり、且つ前記有機分子群の分子相互が
共役結合して導電ネットワークを形成していることを特
徴とする３端子有機電子デバイスをスイッチ素子として
用いたエレクトロルミネッセンス型表示装置の製造方法
であって、 基板上にマトリックス状に配列するように複数個の前記
スイッチ素子を形成するアレイ基板形成工程と、 前記アレイ基板上に、電圧の印加で発光する蛍光物質か
ら成る発光層を形成する発光層形成工程と、 前記発光層上に共通電極膜を形成する共通電極形成工程
と、を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス
型表示装置の製造方法。 - 【請求項４５】 請求項４４に記載のエレクトロルミ
ネッセンス型表示装置の製造方法に於いて、 前記発光層形成工程で赤、青、または緑色の光を発光す
る３種類の前記発光物質を所定の位置に形成し、カラー
表示させることを特徴とするエレクトロルミネッセンス
型表示装置の製造方法。 - 【請求項４６】 請求項４３及至４５のいずれかに記
載の表示装置の製造方法に於いて、 前記有機薄膜は、有機分子が単分子層状に配列した単分
子膜または単分子膜が積層して成る単分子累積膜である
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| WO2007060793A1 (ja) * | 2005-11-24 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 微小電気機械素子およびこれを用いた電気機械スイッチ |
| JP2009105416A (ja) * | 2002-07-18 | 2009-05-14 | Sharp Corp | 有機トランジスタおよびその製造方法 |
| KR100913616B1 (ko) | 2007-11-16 | 2009-08-26 | 포항공과대학교 산학협력단 | 페리옥살레이트 폴리옥소메탈레이트 광량계 |
-
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- 2000-08-10 JP JP2000243056A patent/JP3703380B2/ja not_active Expired - Fee Related
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