JP2002057148A - イオンプレーティングによる成膜方法 - Google Patents
イオンプレーティングによる成膜方法Info
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- JP2002057148A JP2002057148A JP2000246336A JP2000246336A JP2002057148A JP 2002057148 A JP2002057148 A JP 2002057148A JP 2000246336 A JP2000246336 A JP 2000246336A JP 2000246336 A JP2000246336 A JP 2000246336A JP 2002057148 A JP2002057148 A JP 2002057148A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速で平滑な絶縁膜、特にＳｉＯ2 薄膜を成
膜できる成膜方法を提供すること。 【解決手段】 プラズマビーム発生器１３と、真空容器
１１内に配置されプラズマビームの入射面を持つ主ハー
ス３０とを含み、主ハースの近傍に該主ハースの中心軸
に対して同心的に配置された環状永久磁石により定常磁
界を形成し、主ハースの中心軸に対して同心的に配置さ
れた電磁コイルにより調整磁界を定常磁界に重畳して主
ハースの近傍の磁場を変化させ、プラズマビーム発生器
からのプラズマビームを主ハースに収容された絶縁膜成
膜用の蒸発物質３２に導いて基板４１上に絶縁膜を成膜
するイオンプレーティング装置を用い、蒸発物質として
棒状に成形されたものを用い、平均表面粗さ（Ｒａ）１
ｎｍ以下の絶縁膜を得る。
膜できる成膜方法を提供すること。 【解決手段】 プラズマビーム発生器１３と、真空容器
１１内に配置されプラズマビームの入射面を持つ主ハー
ス３０とを含み、主ハースの近傍に該主ハースの中心軸
に対して同心的に配置された環状永久磁石により定常磁
界を形成し、主ハースの中心軸に対して同心的に配置さ
れた電磁コイルにより調整磁界を定常磁界に重畳して主
ハースの近傍の磁場を変化させ、プラズマビーム発生器
からのプラズマビームを主ハースに収容された絶縁膜成
膜用の蒸発物質３２に導いて基板４１上に絶縁膜を成膜
するイオンプレーティング装置を用い、蒸発物質として
棒状に成形されたものを用い、平均表面粗さ（Ｒａ）１
ｎｍ以下の絶縁膜を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は絶縁膜の成膜方法及
び絶縁膜とＩＴＯ膜からなる複合膜の成膜方法に関し、
特に改善された表面粗さを持つ成膜方法に関する。
び絶縁膜とＩＴＯ膜からなる複合膜の成膜方法に関し、
特に改善された表面粗さを持つ成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気光学部品や表示素子、例えば有機Ｅ
Ｌディスプレイの電極に用いられる透明電極膜に要求さ
れる特性には、比抵抗が小さいこと、膜表面が平坦であ
ること、可視光透過率が高いこと等があげられる。
Ｌディスプレイの電極に用いられる透明電極膜に要求さ
れる特性には、比抵抗が小さいこと、膜表面が平坦であ
ること、可視光透過率が高いこと等があげられる。
【０００３】この種の透明電極膜には様々な種類がある
が、最近ではＩＴＯ膜が注目を集めている。ＩＴＯ膜
を、有機ＥＬディスプレイ用の透明電極膜として用いる
場合、ＩＴＯ膜の表面形態を平坦にすることで局部的な
電界集中による異常放電を予防し、ブラックアウトの発
生を抑制することができる。
が、最近ではＩＴＯ膜が注目を集めている。ＩＴＯ膜
を、有機ＥＬディスプレイ用の透明電極膜として用いる
場合、ＩＴＯ膜の表面形態を平坦にすることで局部的な
電界集中による異常放電を予防し、ブラックアウトの発
生を抑制することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機ＥＬデ
ィスプレイや液晶ディスプレイのようなガラス基板上に
ＩＴＯ膜を成膜する場合には、これらの間にバリア膜を
介在させる必要がある。これは、ガラス基板は通常ソー
ダガラスであり、アルカリ溶出が起こってＩＴＯ膜に悪
影響を及ぼすことを防ぐためである。バリア膜の一例と
して、ＳｉＯ2 膜は、有機ＥＬディスプレイや液晶ディ
スプレイのガラス基板からのアルカリ溶出防止に広く利
用されている透明な絶縁膜である。
ィスプレイや液晶ディスプレイのようなガラス基板上に
ＩＴＯ膜を成膜する場合には、これらの間にバリア膜を
介在させる必要がある。これは、ガラス基板は通常ソー
ダガラスであり、アルカリ溶出が起こってＩＴＯ膜に悪
影響を及ぼすことを防ぐためである。バリア膜の一例と
して、ＳｉＯ2 膜は、有機ＥＬディスプレイや液晶ディ
スプレイのガラス基板からのアルカリ溶出防止に広く利
用されている透明な絶縁膜である。
【０００５】一方、プラスチック基板の場合にも水分の
溶出が起こる場合があるので、ＳｉＯ2 膜のようなバリ
ア膜を形成することが要求される場合がある。
溶出が起こる場合があるので、ＳｉＯ2 膜のようなバリ
ア膜を形成することが要求される場合がある。
【０００６】いずれにしても、ＳｉＯ2 膜の一般的な成
膜方法としては、スパッタリング法が用いられている
が、絶縁材料のため非常に成膜レートが低い。成膜レー
トの高い成膜方法としては、Ｓｉを蒸発材料として、酸
素ガスと反応させて成膜を行う反応性スパッタリング法
が知られているが、基板加熱が必要で、安定な膜質を得
ることが困難である。また、膜の平滑度も悪く、アルカ
リ溶出防止効果も小さい。このように、これまでのスパ
ッタリング法によるＳｉＯ2 膜は、膜の平滑度が悪いた
めに有機ＥＬディスプレイ用途の使用には問題が残る。
膜方法としては、スパッタリング法が用いられている
が、絶縁材料のため非常に成膜レートが低い。成膜レー
トの高い成膜方法としては、Ｓｉを蒸発材料として、酸
素ガスと反応させて成膜を行う反応性スパッタリング法
が知られているが、基板加熱が必要で、安定な膜質を得
ることが困難である。また、膜の平滑度も悪く、アルカ
リ溶出防止効果も小さい。このように、これまでのスパ
ッタリング法によるＳｉＯ2 膜は、膜の平滑度が悪いた
めに有機ＥＬディスプレイ用途の使用には問題が残る。
【０００７】そこで、本発明の課題は、高速で平滑な絶
縁膜、特にＳｉＯ2 薄膜を成膜できる成膜方法を提供す
ることにある。
縁膜、特にＳｉＯ2 薄膜を成膜できる成膜方法を提供す
ることにある。
【０００８】本発明の他の課題は、絶縁膜とＩＴＯ膜か
らなる複合膜であって、改善された表面粗さを持つ複合
膜の成膜方法を提供することにある。
らなる複合膜であって、改善された表面粗さを持つ複合
膜の成膜方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、プラズ
マビーム発生源と、真空容器内に配置されプラズマビー
ムの入射面を持つハースとを含み、前記ハースの近傍に
該ハースの中心軸に対して同心的に配置された環状永久
磁石により定常磁界を形成し、前記ハースの中心軸に対
して同心的に配置された電磁コイルにより調整磁界を前
記定常磁界に重畳して前記ハースの近傍の磁場を変化さ
せ、前記プラズマビーム発生源からのプラズマビームを
前記ハースに収容された絶縁膜成膜用の蒸発材料に導い
て基板上に絶縁膜を成膜するイオンプレーティング法に
より成膜され、前記蒸発材料として棒状に成形されたも
のを用い、平均表面粗さ（Ｒａ）１ｎｍ以下を得ること
を特徴とするイオンプレーティングによる絶縁膜の成膜
方法が提供される。
マビーム発生源と、真空容器内に配置されプラズマビー
ムの入射面を持つハースとを含み、前記ハースの近傍に
該ハースの中心軸に対して同心的に配置された環状永久
磁石により定常磁界を形成し、前記ハースの中心軸に対
して同心的に配置された電磁コイルにより調整磁界を前
記定常磁界に重畳して前記ハースの近傍の磁場を変化さ
せ、前記プラズマビーム発生源からのプラズマビームを
前記ハースに収容された絶縁膜成膜用の蒸発材料に導い
て基板上に絶縁膜を成膜するイオンプレーティング法に
より成膜され、前記蒸発材料として棒状に成形されたも
のを用い、平均表面粗さ（Ｒａ）１ｎｍ以下を得ること
を特徴とするイオンプレーティングによる絶縁膜の成膜
方法が提供される。
【００１０】本成膜方法においては、前記プラズマビー
ムにより前記蒸発材料が蒸発を始めるまでの間、前記ハ
ースから不活性ガスを前記蒸発材料の周囲に導入するよ
うにされる。
ムにより前記蒸発材料が蒸発を始めるまでの間、前記ハ
ースから不活性ガスを前記蒸発材料の周囲に導入するよ
うにされる。
【００１１】本成膜方法においてはまた、成膜速度が１
ｎｍ／ｓｅｃ以上とされる。
ｎｍ／ｓｅｃ以上とされる。
【００１２】本成膜方法においては更に、前記基板がプ
ラスチック基板である場合、基板温度１５０℃以下で成
膜が行われる。
ラスチック基板である場合、基板温度１５０℃以下で成
膜が行われる。
【００１３】特に、前記蒸発材料としてＳｉＯ2 を用い
ることにより、ＳｉＯ2 膜の成膜が行われる。
ることにより、ＳｉＯ2 膜の成膜が行われる。
【００１４】本発明によればまた、第１の成膜を行う第
１のイオンプレーティング装置と第２の成膜を行う第２
のイオンプレーティング装置との間を基板搬送経路で結
び、前記第１のイオンプレーティング装置では蒸発材料
として棒状に成形された絶縁材料を用いて、平均表面粗
さ（Ｒａ）１ｎｍ以下の絶縁膜を基板上に成膜し、前記
第２のイオンプレーティング装置では蒸発材料として棒
状に成形されたＩＴＯ材料を用いて、前記基板上に形成
された絶縁膜上に平均表面粗さ（Ｒａ）１ｎｍ以下のＩ
ＴＯ膜を成膜し、前記基板搬送経路を通して前記第１の
イオンプレーティング装置から前記第２のイオンプレー
ティング装置への前記基板の移送を行うことにより、前
記第１のイオンプレーティング装置による成膜と前記第
２のイオンプレーティング装置による成膜とを連続して
行うことができるようにしたことを特徴とするイオンプ
レーティングによる成膜方法が提供される。
１のイオンプレーティング装置と第２の成膜を行う第２
のイオンプレーティング装置との間を基板搬送経路で結
び、前記第１のイオンプレーティング装置では蒸発材料
として棒状に成形された絶縁材料を用いて、平均表面粗
さ（Ｒａ）１ｎｍ以下の絶縁膜を基板上に成膜し、前記
第２のイオンプレーティング装置では蒸発材料として棒
状に成形されたＩＴＯ材料を用いて、前記基板上に形成
された絶縁膜上に平均表面粗さ（Ｒａ）１ｎｍ以下のＩ
ＴＯ膜を成膜し、前記基板搬送経路を通して前記第１の
イオンプレーティング装置から前記第２のイオンプレー
ティング装置への前記基板の移送を行うことにより、前
記第１のイオンプレーティング装置による成膜と前記第
２のイオンプレーティング装置による成膜とを連続して
行うことができるようにしたことを特徴とするイオンプ
レーティングによる成膜方法が提供される。
【００１５】前記第１のイオンプレーティング装置は、
第１のプラズマビーム発生源と、第１の真空容器内に配
置されプラズマビームの入射面を持つ第１のハースとを
含み、前記第１のハースの近傍に該第１のハースの中心
軸に対して同心的に配置された第１の環状永久磁石によ
り定常磁界を形成し、前記第１のハースの中心軸に対し
て同心的に配置された第１の電磁コイルにより調整磁界
を前記定常磁界に重畳して前記第１のハースの近傍の磁
場を変化させ、前記第１のプラズマビーム発生源からの
プラズマビームを前記第１のハースに収容された前記絶
縁膜成膜用の蒸発材料に導いて前記基板上に絶縁膜を成
膜するものであり、前記第２のイオンプレーティング装
置は、第２のプラズマビーム発生源と、第２の真空容器
内に配置されプラズマビームの入射面を持つ第２のハー
スとを含み、前記第２のハースの近傍に該第２のハース
の中心軸に対して同心的に配置された第２の環状永久磁
石により定常磁界を形成し、前記第２のハースの中心軸
に対して同心的に配置された第２の電磁コイルにより調
整磁界を前記定常磁界に重畳して前記第２のハースの近
傍の磁場を変化させ、前記第２のプラズマビーム発生源
からのプラズマビームを前記第２のハースに収容された
ＩＴＯ膜成膜用の蒸発材料に導いて前記基板上に成膜さ
れた絶縁膜にＩＴＯ膜を成膜するものである。
第１のプラズマビーム発生源と、第１の真空容器内に配
置されプラズマビームの入射面を持つ第１のハースとを
含み、前記第１のハースの近傍に該第１のハースの中心
軸に対して同心的に配置された第１の環状永久磁石によ
り定常磁界を形成し、前記第１のハースの中心軸に対し
て同心的に配置された第１の電磁コイルにより調整磁界
を前記定常磁界に重畳して前記第１のハースの近傍の磁
場を変化させ、前記第１のプラズマビーム発生源からの
プラズマビームを前記第１のハースに収容された前記絶
縁膜成膜用の蒸発材料に導いて前記基板上に絶縁膜を成
膜するものであり、前記第２のイオンプレーティング装
置は、第２のプラズマビーム発生源と、第２の真空容器
内に配置されプラズマビームの入射面を持つ第２のハー
スとを含み、前記第２のハースの近傍に該第２のハース
の中心軸に対して同心的に配置された第２の環状永久磁
石により定常磁界を形成し、前記第２のハースの中心軸
に対して同心的に配置された第２の電磁コイルにより調
整磁界を前記定常磁界に重畳して前記第２のハースの近
傍の磁場を変化させ、前記第２のプラズマビーム発生源
からのプラズマビームを前記第２のハースに収容された
ＩＴＯ膜成膜用の蒸発材料に導いて前記基板上に成膜さ
れた絶縁膜にＩＴＯ膜を成膜するものである。
【００１６】前記第１のイオンプレーティング装置で
は、プラズマビームにより前記蒸発材料が蒸発を始める
までの間、前記第１のハースから不活性ガスが前記蒸発
材料の周囲に導入される。
は、プラズマビームにより前記蒸発材料が蒸発を始める
までの間、前記第１のハースから不活性ガスが前記蒸発
材料の周囲に導入される。
【００１７】また、前記第１、第２のイオンプレーティ
ング装置ではそれぞれ、成膜速度が１ｎｍ／ｓｅｃ以上
とされる。
ング装置ではそれぞれ、成膜速度が１ｎｍ／ｓｅｃ以上
とされる。
【００１８】本成膜方法においても、前記基板がプラス
チック基板である場合、基板温度１５０℃以下で成膜が
行われる。そして、前記第１のイオンプレーティング装
置における前記蒸発材料をＳｉＯ2 とすることで、Ｓｉ
Ｏ2 膜が成膜が行われる。
チック基板である場合、基板温度１５０℃以下で成膜が
行われる。そして、前記第１のイオンプレーティング装
置における前記蒸発材料をＳｉＯ2 とすることで、Ｓｉ
Ｏ2 膜が成膜が行われる。
【００１９】なお、厳密に言えば、ＳｉとＯの比率は完
全には１：２にはならず、ＳｉＯxと記すことも多い
が、ここではＳｉＯ2 と記すこととする。
全には１：２にはならず、ＳｉＯxと記すことも多い
が、ここではＳｉＯ2 と記すこととする。
【００２０】
【発明の実施の形態】図３を参照して、本発明が適用さ
れるイオンプレーティング装置について説明する。図３
において、真空容器１１の側壁に設けられた筒状部１２
には圧力勾配型のプラズマビーム発生器１３が装着され
ている。プラズマビーム発生器１３は、陰極１４により
一端が閉塞されたガラス管１５を備えている。このガラ
ス管１５内では、ＬａＢ6 による円盤１６、タンタルＴ
ａによるパイプ１７を内蔵したモリブデンＭｏによる円
筒１８が陰極１４に固定されている。パイプ１７は、ア
ルゴンＡｒ、ヘリウムＨｅ等の不活性ガスからなるキャ
リアガス１０をプラズマビーム発生器１３内に導入する
ためのものである。キャリアガス１０に加えて、本形態
では酸素ガスが導入される。
れるイオンプレーティング装置について説明する。図３
において、真空容器１１の側壁に設けられた筒状部１２
には圧力勾配型のプラズマビーム発生器１３が装着され
ている。プラズマビーム発生器１３は、陰極１４により
一端が閉塞されたガラス管１５を備えている。このガラ
ス管１５内では、ＬａＢ6 による円盤１６、タンタルＴ
ａによるパイプ１７を内蔵したモリブデンＭｏによる円
筒１８が陰極１４に固定されている。パイプ１７は、ア
ルゴンＡｒ、ヘリウムＨｅ等の不活性ガスからなるキャ
リアガス１０をプラズマビーム発生器１３内に導入する
ためのものである。キャリアガス１０に加えて、本形態
では酸素ガスが導入される。
【００２１】ガラス管１５の陰極１４と反対側の端部と
筒状部１２との間には、第１、第２の中間電極１９、２
０が同心的に配置されている。第１の中間電極（第１の
グリッド）１９内にはプラズマビームを収束するための
環状永久磁石２１が内蔵されている。第２の中間電極２
０（第２のグリッド）内にもプラズマビームを収束する
ための電磁石コイル２２が内蔵されている。この電磁石
コイル２２は電源２３から給電される。
筒状部１２との間には、第１、第２の中間電極１９、２
０が同心的に配置されている。第１の中間電極（第１の
グリッド）１９内にはプラズマビームを収束するための
環状永久磁石２１が内蔵されている。第２の中間電極２
０（第２のグリッド）内にもプラズマビームを収束する
ための電磁石コイル２２が内蔵されている。この電磁石
コイル２２は電源２３から給電される。
【００２２】プラズマビーム発生器１３が装着された筒
状部１２の周囲には、プラズマビームを真空容器１１内
に導くステアリングコイル２４が設けられている。この
ステアリングコイル２４はステアリングコイル用の電源
２５により励磁される。陰極１４と第１、第２の中間電
極１９、２０との間にはそれぞれ、垂下抵抗器２６、２
７を介して、可変電圧型の主電源２８が接続されてい
る。
状部１２の周囲には、プラズマビームを真空容器１１内
に導くステアリングコイル２４が設けられている。この
ステアリングコイル２４はステアリングコイル用の電源
２５により励磁される。陰極１４と第１、第２の中間電
極１９、２０との間にはそれぞれ、垂下抵抗器２６、２
７を介して、可変電圧型の主電源２８が接続されてい
る。
【００２３】図４をも参照して、真空容器１１の内側の
底部に、主ハース３０とその周囲に配置された環状の補
助ハース（補助陽極）３１が設置されている。主ハース
３０は、筒状のハース本体３３により構成され、プラズ
マビーム発生器１３からのプラズマビームが入射する凹
部３３ａを有している。ハース本体３３の貫通孔にはＳ
ｉＯ2 のような蒸発物質３２を収納している。補助ハー
ス３１は、環状の容器３４によリ構成されている。容器
３４内には環状の永久磁石、特にフェライト磁石３５と
同心的に積層されたハースコイル３６が収納されてい
る。主ハース３０及び補助ハース３１はいずれも熱伝導
率の良い導電性材料、例えば、銅が使用される。主ハー
ス３０に対して補助ハース３１は、絶縁物を介して取り
付けられている。また、主ハース３０と補助ハース３１
は、抵抗４８を介して接続されている。主ハース３０
は、主電源２８の正側に接続されている。従って、主ハ
ース３０は、プラズマビーム発生器１３に対してそのプ
ラズマビームが吸引される陽極を構成している。
底部に、主ハース３０とその周囲に配置された環状の補
助ハース（補助陽極）３１が設置されている。主ハース
３０は、筒状のハース本体３３により構成され、プラズ
マビーム発生器１３からのプラズマビームが入射する凹
部３３ａを有している。ハース本体３３の貫通孔にはＳ
ｉＯ2 のような蒸発物質３２を収納している。補助ハー
ス３１は、環状の容器３４によリ構成されている。容器
３４内には環状の永久磁石、特にフェライト磁石３５と
同心的に積層されたハースコイル３６が収納されてい
る。主ハース３０及び補助ハース３１はいずれも熱伝導
率の良い導電性材料、例えば、銅が使用される。主ハー
ス３０に対して補助ハース３１は、絶縁物を介して取り
付けられている。また、主ハース３０と補助ハース３１
は、抵抗４８を介して接続されている。主ハース３０
は、主電源２８の正側に接続されている。従って、主ハ
ース３０は、プラズマビーム発生器１３に対してそのプ
ラズマビームが吸引される陽極を構成している。
【００２４】補助ハース３１内のハースコイル３６は電
磁石を構成し、導線３７により、図３に示されたハース
コイル電源３８から給電される。この場合、励磁された
ハースコイル３６における中心側の磁界の向きは、フェ
ライト磁石３５により発生する中心側の磁界と同じ向き
になるように構成される。ハースコイル電源３８は可変
電源であり、電圧を変化させることにより、ハースコイ
ル３６に供給する電流を変化できる。主ハース３０及び
補助ハース３１にはそれぞれ、図４に示されるように、
冷却水配管３９、４０により冷却水が流れるように供給
されている。なお、補助ハース３１おいては冷却水を供
給する配管のみを示し、冷却水を排出する配管は図示を
省略している。
磁石を構成し、導線３７により、図３に示されたハース
コイル電源３８から給電される。この場合、励磁された
ハースコイル３６における中心側の磁界の向きは、フェ
ライト磁石３５により発生する中心側の磁界と同じ向き
になるように構成される。ハースコイル電源３８は可変
電源であり、電圧を変化させることにより、ハースコイ
ル３６に供給する電流を変化できる。主ハース３０及び
補助ハース３１にはそれぞれ、図４に示されるように、
冷却水配管３９、４０により冷却水が流れるように供給
されている。なお、補助ハース３１おいては冷却水を供
給する配管のみを示し、冷却水を排出する配管は図示を
省略している。
【００２５】図３に戻って、真空容器１１の内部にはま
た、主ハース３０の上部に蒸発粒子が蒸着される基板４
１を保持するための基板ホルダ４２が設けられている。
基板ホルダ４２にはヒータ４３や冷却部（図示せず）が
設けられている。ヒータ４３はヒータ電源４４から給電
されている。冷却部は、冷却源として冷却水を用い、冷
却水の循環経路を備えている。基板ホルダ４２は、真空
容器１１に対しては電気的に絶縁支持されている。真空
容器１１と基板ホルダ４２との間にはバイアス電源４５
が接続されている。このことにより、基板ホルダ４２は
ゼロ電位に接続された真空容器１１に対して負電位にバ
イアスされている。補助ハース３１はハース切り替えス
イッチ４６を介して主電源２８の正側に接続されてい
る。主電源２８には、これと並列に垂下抵抗器２９と補
助放電電源４７とがスイッチＳ１を介して接続されてい
る。
た、主ハース３０の上部に蒸発粒子が蒸着される基板４
１を保持するための基板ホルダ４２が設けられている。
基板ホルダ４２にはヒータ４３や冷却部（図示せず）が
設けられている。ヒータ４３はヒータ電源４４から給電
されている。冷却部は、冷却源として冷却水を用い、冷
却水の循環経路を備えている。基板ホルダ４２は、真空
容器１１に対しては電気的に絶縁支持されている。真空
容器１１と基板ホルダ４２との間にはバイアス電源４５
が接続されている。このことにより、基板ホルダ４２は
ゼロ電位に接続された真空容器１１に対して負電位にバ
イアスされている。補助ハース３１はハース切り替えス
イッチ４６を介して主電源２８の正側に接続されてい
る。主電源２８には、これと並列に垂下抵抗器２９と補
助放電電源４７とがスイッチＳ１を介して接続されてい
る。
【００２６】このイオンプレーティング装置において
は、ブラズマビーム発生器１３の陰極と真空容器１１内
の主ハース３０との間で放電が生じ、これによりプラズ
マビーム（図示せず）が形成される。このプラズマビー
ムはステアリングコイル２４と補助ハース３１内のフェ
ライト磁石３５により決定される磁界に案内されて主ハ
ース３０に到達する。主ハース３０に収納された蒸発物
質３２はプラズマビームにより加熱されて蒸発する。こ
の蒸発粒子はプラズマビームによりイオン化され、負電
圧が印加された基板４１の表面に付着し、ＳｉＯ2 膜が
形成される。
は、ブラズマビーム発生器１３の陰極と真空容器１１内
の主ハース３０との間で放電が生じ、これによりプラズ
マビーム（図示せず）が形成される。このプラズマビー
ムはステアリングコイル２４と補助ハース３１内のフェ
ライト磁石３５により決定される磁界に案内されて主ハ
ース３０に到達する。主ハース３０に収納された蒸発物
質３２はプラズマビームにより加熱されて蒸発する。こ
の蒸発粒子はプラズマビームによりイオン化され、負電
圧が印加された基板４１の表面に付着し、ＳｉＯ2 膜が
形成される。
【００２７】なお、フェライト磁石３５と同心的に積層
されたハースコイル３６に供給する電流を変化させるこ
とにより、基板４１の表面上の膜厚分布と被膜形成の速
度を調整することができる。フェライト磁石３５とハー
スコイル３６との位置関係は図３に示される関係と上下
逆であっても良いし、フェライト磁石３５の磁極の向き
も図３に示される向きと逆であっても良い。
されたハースコイル３６に供給する電流を変化させるこ
とにより、基板４１の表面上の膜厚分布と被膜形成の速
度を調整することができる。フェライト磁石３５とハー
スコイル３６との位置関係は図３に示される関係と上下
逆であっても良いし、フェライト磁石３５の磁極の向き
も図３に示される向きと逆であっても良い。
【００２８】図１を参照して、本発明の第１の実施の形
態を適用する成膜装置について説明する。この成膜装置
の基本構成は、図３で説明したイオンプレーティング装
置と同じであるので、図３と同じ部分には同じ参照番号
を付している。すなわち、本イオンプレーティング装置
も、プラズマビーム発生器１３と、真空容器１１内に配
置されプラズマビームの入射面を持つ主ハース３０と補
助ハース３１とを含む。補助ハース３１では、主ハース
３０の近傍にこの主ハース３０の中心軸に対して同心的
に配置されたフェライト磁石により定常磁界を形成し、
主ハース３０の中心軸に対して同心的に配置されたハー
スコイルにより調整磁界を定常磁界に重畳して主ハース
３０の近傍の磁場を変化させる。これにより、プラズマ
ビーム発生器１３からのプラズマビームを主ハース３０
に収容された絶縁膜成膜用の蒸発物質３２に導いて基板
４１上に絶縁膜を成膜する。
態を適用する成膜装置について説明する。この成膜装置
の基本構成は、図３で説明したイオンプレーティング装
置と同じであるので、図３と同じ部分には同じ参照番号
を付している。すなわち、本イオンプレーティング装置
も、プラズマビーム発生器１３と、真空容器１１内に配
置されプラズマビームの入射面を持つ主ハース３０と補
助ハース３１とを含む。補助ハース３１では、主ハース
３０の近傍にこの主ハース３０の中心軸に対して同心的
に配置されたフェライト磁石により定常磁界を形成し、
主ハース３０の中心軸に対して同心的に配置されたハー
スコイルにより調整磁界を定常磁界に重畳して主ハース
３０の近傍の磁場を変化させる。これにより、プラズマ
ビーム発生器１３からのプラズマビームを主ハース３０
に収容された絶縁膜成膜用の蒸発物質３２に導いて基板
４１上に絶縁膜を成膜する。
【００２９】図３に示されたイオンプレーティング装置
と異なる点は、主ハース３０に収納される蒸発物質３２
をロッド状としてこれを連続的に供給する機構を備えた
こと、及び主ハース３０に、そこからＡｒガスのような
不活性ガスを蒸発物質３２の周囲に導入する機構を備え
た点にある。
と異なる点は、主ハース３０に収納される蒸発物質３２
をロッド状としてこれを連続的に供給する機構を備えた
こと、及び主ハース３０に、そこからＡｒガスのような
不活性ガスを蒸発物質３２の周囲に導入する機構を備え
た点にある。
【００３０】なお、蒸発物質を連続的に供給する機構
は、例えば特開平１１−４３７６３に開示されている材
料突き上げ機構を利用することができ、主ハース３０に
おいて不活性ガスを蒸発物質３２の周囲に導入する機構
は、例えば特開２０００−１７４２８に開示されている
ものを利用することができる。また、主ハース３０は、
その上部がカーボンで作られ、下部は銅で作られている
のが好ましい。
は、例えば特開平１１−４３７６３に開示されている材
料突き上げ機構を利用することができ、主ハース３０に
おいて不活性ガスを蒸発物質３２の周囲に導入する機構
は、例えば特開２０００−１７４２８に開示されている
ものを利用することができる。また、主ハース３０は、
その上部がカーボンで作られ、下部は銅で作られている
のが好ましい。
【００３１】絶縁膜を高い成膜レートで成膜する装置と
しては、図３で説明したように、補助ハース（補助陽
極）を備えたイオンプレーティング装置がある。しか
し、これまで、ＳｉＯ2 膜の成膜には蒸発物質として粒
状の材料が用いられている。しかし、粒状の蒸発材料を
用いると、非常に小さくなった粒が飛び出す、いわゆる
スプラッシュなどの影響で、膜の平滑性が十分に得られ
ない場合がある。
しては、図３で説明したように、補助ハース（補助陽
極）を備えたイオンプレーティング装置がある。しか
し、これまで、ＳｉＯ2 膜の成膜には蒸発物質として粒
状の材料が用いられている。しかし、粒状の蒸発材料を
用いると、非常に小さくなった粒が飛び出す、いわゆる
スプラッシュなどの影響で、膜の平滑性が十分に得られ
ない場合がある。
【００３２】そこで、本形態では蒸発材料にＳｉＯ2 の
ロッド（丸棒）を使用し、これを前に述べた材料突き上
げ機構により連続成膜運転を可能にしている。また、イ
オンプレーティング装置の放電を容易にするために、蒸
発材料の着火時にはガスハースを使用する。これは、主
ハース３０から不活性ガスを出すものであるが、この不
活性ガスは、ＳｉＯ2 材料が着火、すなわち蒸発を開始
した後は必要無い。
ロッド（丸棒）を使用し、これを前に述べた材料突き上
げ機構により連続成膜運転を可能にしている。また、イ
オンプレーティング装置の放電を容易にするために、蒸
発材料の着火時にはガスハースを使用する。これは、主
ハース３０から不活性ガスを出すものであるが、この不
活性ガスは、ＳｉＯ2 材料が着火、すなわち蒸発を開始
した後は必要無い。
【００３３】このようなイオンプレーティング装置を用
いることで、高速で平滑（平均表面粗さＲａ：１ｎｍ以
下）なＳｉＯ2 膜の成膜がガラス基板上やプラスチック
基板上で可能となる。但し、プラスチック基板の場合
は、１５０℃以下の低温成膜とする必要がある。
いることで、高速で平滑（平均表面粗さＲａ：１ｎｍ以
下）なＳｉＯ2 膜の成膜がガラス基板上やプラスチック
基板上で可能となる。但し、プラスチック基板の場合
は、１５０℃以下の低温成膜とする必要がある。
【００３４】（実施例）以下に実施例を説明する。
【００３５】イオンプレーテイング装置：補助陽極を持
ち、蒸発材料の突き上げ機構、主ハースに不活性ガスの
導入機構を持つ。主ハース先端の材料にはカーボンを使
用する。
ち、蒸発材料の突き上げ機構、主ハースに不活性ガスの
導入機構を持つ。主ハース先端の材料にはカーボンを使
用する。
【００３６】放電電流：１５０Ａ 導入ガス：Ａｒ４０ｓｃｃｍ（プラズマビーム発生器か
らの導入） 酸素１００ｓｃｃｍ（膜質調整用） 主ハースからのＡｒは２０ｓｃｃｍ（放電安定後は導入
停止） 蒸発材料：純度９９．９％のＳｉＯ2 丸棒（φ３０×４
０ｍｍ） 成膜圧力：１×１０-1Ｐａ 基板温度：５０℃ 以上の成膜条件により、ガラス基板上に成膜レート４ｎ
ｍ／ｓｅｃで１３０ｎｍ厚のＳｉＯ2 の成膜を行った。
その結果、表面平均粗さＲａ：０．１５ｎｍ（但し、原
子間力顕微鏡ＡＦＭによる測定結果）が得られた。
らの導入） 酸素１００ｓｃｃｍ（膜質調整用） 主ハースからのＡｒは２０ｓｃｃｍ（放電安定後は導入
停止） 蒸発材料：純度９９．９％のＳｉＯ2 丸棒（φ３０×４
０ｍｍ） 成膜圧力：１×１０-1Ｐａ 基板温度：５０℃ 以上の成膜条件により、ガラス基板上に成膜レート４ｎ
ｍ／ｓｅｃで１３０ｎｍ厚のＳｉＯ2 の成膜を行った。
その結果、表面平均粗さＲａ：０．１５ｎｍ（但し、原
子間力顕微鏡ＡＦＭによる測定結果）が得られた。
【００３７】図２を参照して、本発明の第２の実施の形
態について説明する。本形態は、ＳｉＯ2 膜上にＩＴＯ
膜を形成する複合膜の成膜方法である。本成膜方法のた
めの成膜装置は、ＳｉＯ2 膜による第１の成膜を行う第
１のイオンプレーティング装置５０とＩＴＯ膜による第
２の成膜を行う第２のイオンプレーティング装置６０と
の間を基板搬送経路７０で結んでいる。
態について説明する。本形態は、ＳｉＯ2 膜上にＩＴＯ
膜を形成する複合膜の成膜方法である。本成膜方法のた
めの成膜装置は、ＳｉＯ2 膜による第１の成膜を行う第
１のイオンプレーティング装置５０とＩＴＯ膜による第
２の成膜を行う第２のイオンプレーティング装置６０と
の間を基板搬送経路７０で結んでいる。
【００３８】第１、第２のイオンプレーティング装置５
０、６０はそれぞれ、図１で説明したイオンプレーティ
ング装置と同じ構成で良いが、特にここでは真空容器内
を排気するための排気系５１、６１をも図示している。
排気系５１は、排気ポンプ５１−１、ゲートバルブ５１
−２を持つ。排気系６１も同様である。また、第１、第
２のイオンプレーティング装置５０、６０に共通に、Ａ
ｒガス供給系８０、酸素ガス供給系９０を備えている。
Ａｒガス供給系８０は、プラズマビーム発生器１３−
１、１３−２への供給ラインと、主ハース３０−１、３
０−２への供給ラインとを持つ。
０、６０はそれぞれ、図１で説明したイオンプレーティ
ング装置と同じ構成で良いが、特にここでは真空容器内
を排気するための排気系５１、６１をも図示している。
排気系５１は、排気ポンプ５１−１、ゲートバルブ５１
−２を持つ。排気系６１も同様である。また、第１、第
２のイオンプレーティング装置５０、６０に共通に、Ａ
ｒガス供給系８０、酸素ガス供給系９０を備えている。
Ａｒガス供給系８０は、プラズマビーム発生器１３−
１、１３−２への供給ラインと、主ハース３０−１、３
０−２への供給ラインとを持つ。
【００３９】第１のイオンプレーティング装置５０では
蒸発材料として棒状に成形された絶縁材料を用いて、平
均表面粗さ（Ｒａ）１ｎｍ以下の絶縁膜を基板上に成膜
する。続いて、第２のイオンプレーティング装置６０で
は蒸発材料として棒状に成形されたＩＴＯ材料を用い
て、前記基板上に形成された絶縁膜上に平均表面粗さ
（Ｒａ）１ｎｍ以下のＩＴＯ膜を成膜する。
蒸発材料として棒状に成形された絶縁材料を用いて、平
均表面粗さ（Ｒａ）１ｎｍ以下の絶縁膜を基板上に成膜
する。続いて、第２のイオンプレーティング装置６０で
は蒸発材料として棒状に成形されたＩＴＯ材料を用い
て、前記基板上に形成された絶縁膜上に平均表面粗さ
（Ｒａ）１ｎｍ以下のＩＴＯ膜を成膜する。
【００４０】本成膜装置では、基板搬送経路７０を通し
て第１のイオンプレーティング装置５０から第２のイオ
ンプレーティング装置６０への基板の移送を行うことに
より、第１のイオンプレーティング装置５０による成膜
と第２のイオンプレーティング装置６０による成膜とを
連続して行うことができるようにしている。
て第１のイオンプレーティング装置５０から第２のイオ
ンプレーティング装置６０への基板の移送を行うことに
より、第１のイオンプレーティング装置５０による成膜
と第２のイオンプレーティング装置６０による成膜とを
連続して行うことができるようにしている。
【００４１】第１のイオンプレーティング装置５０につ
いて言えば、プラズマビーム発生器１３−１と、真空容
器１１−１内に配置されプラズマビームの入射面を持つ
主ハース３０−１と補助ハース３１−１とを含む。補助
ハース３１−１では、主ハース３０−１の近傍にこの主
ハース３０−１の中心軸に対して同心的に配置されたフ
ェライト磁石３５−１により定常磁界を形成し、主ハー
ス３０−１の中心軸に対して同心的に配置されたハース
コイル３６−１により調整磁界を定常磁界に重畳して主
ハース３０−１の近傍の磁場を変化させる。これによ
り、プラズマビーム発生器１３−１からのプラズマビー
ムを主ハース３０−１に収容されたＳｉＯ 2 膜成膜用の
蒸発物質３２−１に導いて基板４１上にＳｉＯ2 膜を成
膜する。
いて言えば、プラズマビーム発生器１３−１と、真空容
器１１−１内に配置されプラズマビームの入射面を持つ
主ハース３０−１と補助ハース３１−１とを含む。補助
ハース３１−１では、主ハース３０−１の近傍にこの主
ハース３０−１の中心軸に対して同心的に配置されたフ
ェライト磁石３５−１により定常磁界を形成し、主ハー
ス３０−１の中心軸に対して同心的に配置されたハース
コイル３６−１により調整磁界を定常磁界に重畳して主
ハース３０−１の近傍の磁場を変化させる。これによ
り、プラズマビーム発生器１３−１からのプラズマビー
ムを主ハース３０−１に収容されたＳｉＯ 2 膜成膜用の
蒸発物質３２−１に導いて基板４１上にＳｉＯ2 膜を成
膜する。
【００４２】第２のイオンプレーティング装置６０につ
いても、プラズマビーム発生器１３−２と、真空容器１
１−２内に配置されプラズマビームの入射面を持つ主ハ
ース３０−２と補助ハース３１−２とを含む。補助ハー
ス３１−２では、主ハース３０−２の近傍にこの主ハー
ス３０−２の中心軸に対して同心的に配置されたフェラ
イト磁石３５−２により定常磁界を形成し、主ハース３
０−２の中心軸に対して同心的に配置されたハースコイ
ル３６−２により調整磁界を定常磁界に重畳して主ハー
ス３０−２の近傍の磁場を変化させる。これにより、プ
ラズマビーム発生器１３−２からのプラズマビームを主
ハース３０−２に収容されたＩＴＯ膜成膜用の蒸発物質
３２−２に導いて基板４１上にＩＴＯ膜を成膜する。
いても、プラズマビーム発生器１３−２と、真空容器１
１−２内に配置されプラズマビームの入射面を持つ主ハ
ース３０−２と補助ハース３１−２とを含む。補助ハー
ス３１−２では、主ハース３０−２の近傍にこの主ハー
ス３０−２の中心軸に対して同心的に配置されたフェラ
イト磁石３５−２により定常磁界を形成し、主ハース３
０−２の中心軸に対して同心的に配置されたハースコイ
ル３６−２により調整磁界を定常磁界に重畳して主ハー
ス３０−２の近傍の磁場を変化させる。これにより、プ
ラズマビーム発生器１３−２からのプラズマビームを主
ハース３０−２に収容されたＩＴＯ膜成膜用の蒸発物質
３２−２に導いて基板４１上にＩＴＯ膜を成膜する。
【００４３】勿論、第１、第２のイオンプレーテイング
装置５０、６０はそれぞれ、上記の補助陽極の他に、蒸
発物質の突き上げ機構５５−１、６５−１を有するとと
もに、蒸発物質が蒸発を始めるまでの間だけ主ハースに
不活性ガス、すなわちＡｒガス供給部８０からのＡｒガ
スを導入するための導入機構を持つ。また、それぞれの
主ハース先端の材料にはカーボンを使用している。
装置５０、６０はそれぞれ、上記の補助陽極の他に、蒸
発物質の突き上げ機構５５−１、６５−１を有するとと
もに、蒸発物質が蒸発を始めるまでの間だけ主ハースに
不活性ガス、すなわちＡｒガス供給部８０からのＡｒガ
スを導入するための導入機構を持つ。また、それぞれの
主ハース先端の材料にはカーボンを使用している。
【００４４】一方、基板搬送経路７０は、真空容器１１
−１と１１−２の上部を結ぶように形成され、内部には
基板４１を搬送するための手段としてローラコンベヤ等
による基板搬送系７１が設けられている。図２には図示
されていないが、基板搬送経路７０における第１のイオ
ンプレーティング装置５０の入り口側、第１のイオンプ
レーティング装置５０と第２のイオンプレーティング装
置６０との間、第２のイオンプレーティング装置６０の
出口側にはそれぞれ、ゲートバルブが設けられる。
−１と１１−２の上部を結ぶように形成され、内部には
基板４１を搬送するための手段としてローラコンベヤ等
による基板搬送系７１が設けられている。図２には図示
されていないが、基板搬送経路７０における第１のイオ
ンプレーティング装置５０の入り口側、第１のイオンプ
レーティング装置５０と第２のイオンプレーティング装
置６０との間、第２のイオンプレーティング装置６０の
出口側にはそれぞれ、ゲートバルブが設けられる。
【００４５】成膜に際しての動作は、蒸発物質が異なる
だけであり、図１の装置と同じであるので詳しい説明は
省略する。なお、本成膜装置でも、基板がプラスチック
基板である場合には、基板温度は１５０℃以下にされる
のが好ましい。
だけであり、図１の装置と同じであるので詳しい説明は
省略する。なお、本成膜装置でも、基板がプラスチック
基板である場合には、基板温度は１５０℃以下にされる
のが好ましい。
【００４６】以上、本発明を２つの実施の形態について
説明したが、絶縁膜としては、ＳｉＯ2 の他に、アルミ
ナＡｌ2 Ｏ3 、窒化アルミＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 等の薄膜
の成膜への適用も可能である。
説明したが、絶縁膜としては、ＳｉＯ2 の他に、アルミ
ナＡｌ2 Ｏ3 、窒化アルミＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 等の薄膜
の成膜への適用も可能である。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、スパッタリング法では
不可能であった絶縁膜、特にＳｉＯ2薄膜の高速成膜が
可能となった。得られたＳｉＯ2 膜は緻密でバリア性に
優れ、また非常に平滑でＥＬディスプレイ用に適する。
更には、絶縁膜とＩＴＯ膜からなる複合膜を、改善され
た表面粗さで提供することができる。
不可能であった絶縁膜、特にＳｉＯ2薄膜の高速成膜が
可能となった。得られたＳｉＯ2 膜は緻密でバリア性に
優れ、また非常に平滑でＥＬディスプレイ用に適する。
更には、絶縁膜とＩＴＯ膜からなる複合膜を、改善され
た表面粗さで提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を適用するイオンプ
レーテイング装置の概略構成を示した図である。
レーテイング装置の概略構成を示した図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態による、複合膜成膜
用のイオンプレーテイング装置の概略構成を示した図で
ある。
用のイオンプレーテイング装置の概略構成を示した図で
ある。
【図３】本発明が適用されるイオンプレーテイング装置
の構成を示した図である。
の構成を示した図である。
【図４】図３に示された主ハースとその周囲に配置され
る補助ハースの内部構造を示した図である。
る補助ハースの内部構造を示した図である。
１１、１１−１、１１−２ 真空容器 １３、１３−１、１３−２ プラズマビーム発生器 １４ 陰極 １５ ガラス管 １８ キャリアガス １９ 第１の中間電極 ２０ 第２の中間電極 ２４ ステアリングコイル ２８ 主電源 ３０、３０−１、３０−２ 主ハース ３１ 補助ハース ３５、３５−１、３５−２ フェライト磁石 ３６、３６−１、３６−２ ハースコイル ４１ 基板 ５０ 第１のイオンプレーティング装置 ５１、６１ 排気系 ７０ 基板搬送経路 ７１ 基板搬送系 ８０ Ａｒガス供給系 ９０ 酸素ガス供給系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｚ Ｈ０５Ｈ 1/24 Ｈ０５Ｈ 1/24 Ｆターム(参考） 2H090 HB03X HC03 JB02 JB03 JD10 4K029 AA09 BA03 BA35 BA44 BA46 BA50 BA58 BB02 BC05 BC09 CA03 DB08 DD02 5F045 AA18 AB32 AB33 AB37 AB40 AD04 AD05 AF07 BB09 CA09 DP05 EH13 5F103 AA02 BB14 BB23 DD27 LL01 RR02
Claims (11)
- 【請求項１】 プラズマビーム発生源と、真空容器内に
配置されプラズマビームの入射面を持つハースとを含
み、前記ハースの近傍に該ハースの中心軸に対して同心
的に配置された環状永久磁石により定常磁界を形成し、
前記ハースの中心軸に対して同心的に配置された電磁コ
イルにより調整磁界を前記定常磁界に重畳して前記ハー
スの近傍の磁場を変化させ、前記プラズマビーム発生源
からのプラズマビームを前記ハースに収容された絶縁膜
成膜用の蒸発材料に導いて基板上に絶縁膜を成膜するイ
オンプレーティング法により成膜され、前記蒸発材料と
して棒状に成形されたものを用い、平均表面粗さ（Ｒ
ａ）１ｎｍ以下を得ることを特徴とするイオンプレーテ
ィングによる絶縁膜の成膜方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の成膜方法において、前記
プラズマビームにより前記蒸発材料が蒸発を始めるまで
の間、前記ハースから不活性ガスを前記蒸発材料の周囲
に導入するようにしたことを特徴とするイオンプレーテ
ィングによる絶縁膜の成膜方法。 - 【請求項３】 請求項１あるいは２記載の成膜方法にお
いて、成膜速度を１ｎｍ／ｓｅｃ以上とすることを特徴
とするイオンプレーティングによる絶縁膜の成膜方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の成膜方
法において、前記基板はプラスチック基板であり、基板
温度１５０℃以下で成膜を行うことを特徴とするイオン
プレーティングによる絶縁膜の成膜方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の成膜方
法において、前記蒸発材料はＳｉＯ2 であり、ＳｉＯ2
膜の成膜を行うことを特徴とするイオンプレーティング
による絶縁膜の成膜方法。 - 【請求項６】 第１の成膜を行う第１のイオンプレーテ
ィング装置と第２の成膜を行う第２のイオンプレーティ
ング装置との間を基板搬送経路で結び、前記第１のイオ
ンプレーティング装置では蒸発材料として棒状に成形さ
れた絶縁材料を用いて、平均表面粗さ（Ｒａ）１ｎｍ以
下の絶縁膜を基板上に成膜し、前記第２のイオンプレー
ティング装置では蒸発材料として棒状に成形されたＩＴ
Ｏ材料を用いて、前記基板上に形成された絶縁膜上に平
均表面粗さ（Ｒａ）１ｎｍ以下のＩＴＯ膜を成膜し、前
記基板搬送経路を通して前記第１のイオンプレーティン
グ装置から前記第２のイオンプレーティング装置への前
記基板の移送を行うことにより、前記第１のイオンプレ
ーティング装置による成膜と前記第２のイオンプレーテ
ィング装置による成膜とを連続して行うことができるよ
うにしたことを特徴とするイオンプレーティングによる
成膜方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の成膜方法において、 前記第１のイオンプレーティング装置は、第１のプラズ
マビーム発生源と、第１の真空容器内に配置されプラズ
マビームの入射面を持つ第１のハースとを含み、前記第
１のハースの近傍に該第１のハースの中心軸に対して同
心的に配置された第１の環状永久磁石により定常磁界を
形成し、前記第１のハースの中心軸に対して同心的に配
置された第１の電磁コイルにより調整磁界を前記定常磁
界に重畳して前記第１のハースの近傍の磁場を変化さ
せ、前記第１のプラズマビーム発生源からのプラズマビ
ームを前記第１のハースに収容された前記絶縁膜成膜用
の蒸発材料に導いて前記基板上に絶縁膜を成膜するもの
であり、 前記第２のイオンプレーティング装置は、第２のプラズ
マビーム発生源と、第２の真空容器内に配置されプラズ
マビームの入射面を持つ第２のハースとを含み、前記第
２のハースの近傍に該第２のハースの中心軸に対して同
心的に配置された第２の環状永久磁石により定常磁界を
形成し、前記第２のハースの中心軸に対して同心的に配
置された第２の電磁コイルにより調整磁界を前記定常磁
界に重畳して前記第２のハースの近傍の磁場を変化さ
せ、前記第２のプラズマビーム発生源からのプラズマビ
ームを前記第２のハースに収容されたＩＴＯ膜成膜用の
蒸発材料に導いて前記基板上に成膜された絶縁膜にＩＴ
Ｏ膜を成膜するものであることを特徴とするイオンプレ
ーティングによる成膜方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の成膜方法において、前記
第１のイオンプレーティング装置では、プラズマビーム
により前記蒸発材料が蒸発を始めるまでの間、前記第１
のハースから不活性ガスを前記蒸発材料の周囲に導入す
るようにしたことを特徴とするイオンプレーティングに
よる成膜方法。 - 【請求項９】 請求項７あるいは８記載の成膜方法にお
いて、前記第１、第２のイオンプレーティング装置では
それぞれ、成膜速度を１ｎｍ／ｓｅｃ以上とすることを
特徴とするイオンプレーティングによる成膜方法。 - 【請求項１０】 請求項７〜９のいずれかに記載の成膜
方法において、前記基板はプラスチック基板であり、基
板温度１５０℃以下で成膜を行うことを特徴とするイオ
ンプレーティングによる成膜方法。 - 【請求項１１】 請求項７〜１０のいずれかに記載の成
膜方法において、前記第１のイオンプレーティング装置
における前記蒸発材料はＳｉＯ2 であり、ＳｉＯ2 膜の
成膜を行うことを特徴とするイオンプレーティングによ
る成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000246336A JP2002057148A (ja) | 2000-08-15 | 2000-08-15 | イオンプレーティングによる成膜方法 |
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|---|---|
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| JP2000246336A Pending JP2002057148A (ja) | 2000-08-15 | 2000-08-15 | イオンプレーティングによる成膜方法 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005148582A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Hoya Corp | 液晶表示パネル用防塵基板及び液晶表示パネル |
| KR100744767B1 (ko) * | 2005-06-18 | 2007-08-01 | 삼성전자주식회사 | 가전제품의 도어개폐장치 |
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2000
- 2000-08-15 JP JP2000246336A patent/JP2002057148A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005148582A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Hoya Corp | 液晶表示パネル用防塵基板及び液晶表示パネル |
| JP4484240B2 (ja) * | 2003-11-19 | 2010-06-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | 液晶表示パネル用防塵基板及び液晶表示パネル |
| KR100744767B1 (ko) * | 2005-06-18 | 2007-08-01 | 삼성전자주식회사 | 가전제품의 도어개폐장치 |
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