JP2002057139A - 凹凸基板の製造方法、凹凸構造形成用界面活性剤並びに光起電力素子の製造方法 - Google Patents
凹凸基板の製造方法、凹凸構造形成用界面活性剤並びに光起電力素子の製造方法Info
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- JP2002057139A JP2002057139A JP2000241242A JP2000241242A JP2002057139A JP 2002057139 A JP2002057139 A JP 2002057139A JP 2000241242 A JP2000241242 A JP 2000241242A JP 2000241242 A JP2000241242 A JP 2000241242A JP 2002057139 A JP2002057139 A JP 2002057139A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 界面活性剤を含むアルカリ性溶液中に結晶系
半導体基板１を浸漬することによって、該基板の表面１
ａをエッチングし、良好な凹凸形状を有する凹凸構造を
表面１ａに形成する。 【解決手段】 界面活性剤としてカプリル酸またはラウ
リン酸を主成分とする界面活性剤を用いることを特徴と
している。
半導体基板１を浸漬することによって、該基板の表面１
ａをエッチングし、良好な凹凸形状を有する凹凸構造を
表面１ａに形成する。 【解決手段】 界面活性剤としてカプリル酸またはラウ
リン酸を主成分とする界面活性剤を用いることを特徴と
している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池等に用い
られる、光閉じ込めのための凹凸構造を表面に有する結
晶系半導体基板を製造する方法、及び該方法を用いた光
起電力素子の製造方法に関するものである。
られる、光閉じ込めのための凹凸構造を表面に有する結
晶系半導体基板を製造する方法、及び該方法を用いた光
起電力素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、界面活性剤を含むアルカリ性
溶液を用いて結晶系半導体基板の表面をエッチングし、
該基板の表面にテクスチャ構造と呼ばれる凹凸構造を形
成する方法が知られている（特開平１１−２３３４８４
号公報）。界面活性剤をアルカリ性溶液中に添加するこ
とにより、エッチングの際に生じるシリコン小片または
反応生成物が基板に再付着し、基板表面に微細な荒れが
生じることを防止することができる。
溶液を用いて結晶系半導体基板の表面をエッチングし、
該基板の表面にテクスチャ構造と呼ばれる凹凸構造を形
成する方法が知られている（特開平１１−２３３４８４
号公報）。界面活性剤をアルカリ性溶液中に添加するこ
とにより、エッチングの際に生じるシリコン小片または
反応生成物が基板に再付着し、基板表面に微細な荒れが
生じることを防止することができる。
【０００３】上記公報においては、界面活性剤として、
シントレッキス（商品名、日本油脂株式会社製）が用い
られている。シントレッキスの主成分である界面活性剤
は、２−エチルヘキシル硫酸ナトリウムである。
シントレッキス（商品名、日本油脂株式会社製）が用い
られている。シントレッキスの主成分である界面活性剤
は、２−エチルヘキシル硫酸ナトリウムである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、２−エ
チルヘキシル硫酸ナトリウムを界面活性剤として用いた
場合、この界面活性剤は、テクスチャ化処理を行う温度
（約８０℃）において、２−エチルヘキシル基と硫酸基
との間の結合が切れ易く、このため、テクスチャ化処理
を繰り返す毎に界面活性剤の成分が変化するという問題
があった。
チルヘキシル硫酸ナトリウムを界面活性剤として用いた
場合、この界面活性剤は、テクスチャ化処理を行う温度
（約８０℃）において、２−エチルヘキシル基と硫酸基
との間の結合が切れ易く、このため、テクスチャ化処理
を繰り返す毎に界面活性剤の成分が変化するという問題
があった。
【０００５】従って、このような界面活性剤を用いた場
合、良好な形状を有する凹凸基板を再現性良く製造する
ことは困難であった。また、このような界面活性剤を用
いた場合、使用できる濃度範囲が、０．００５ｍｏｌ／
ｌ〜０．０５ｍｏｌ／ｌと狭いという問題もあった。
合、良好な形状を有する凹凸基板を再現性良く製造する
ことは困難であった。また、このような界面活性剤を用
いた場合、使用できる濃度範囲が、０．００５ｍｏｌ／
ｌ〜０．０５ｍｏｌ／ｌと狭いという問題もあった。
【０００６】本発明の目的は、良好な凹凸形状を有する
凹凸基板を再現性良く製造するための製造方法及び該方
法に用いる界面活性剤並びに該方法を用いた光起電力素
子の製造方法を提供することにある。
凹凸基板を再現性良く製造するための製造方法及び該方
法に用いる界面活性剤並びに該方法を用いた光起電力素
子の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の凹凸基板の製造
方法は、界面活性剤を含むアルカリ性溶液中に結晶系半
導体基板を浸漬することによって該基板の表面をエッチ
ングし凹凸構造を形成する凹凸基板の製造方法であり、
界面活性剤としてカプリル酸またはラウリン酸を主成分
とする界面活性剤を用いることを特徴としている。
方法は、界面活性剤を含むアルカリ性溶液中に結晶系半
導体基板を浸漬することによって該基板の表面をエッチ
ングし凹凸構造を形成する凹凸基板の製造方法であり、
界面活性剤としてカプリル酸またはラウリン酸を主成分
とする界面活性剤を用いることを特徴としている。
【０００８】カプリル酸またはラウリン酸を主成分とす
る界面活性剤を用いることにより、良好な形状の凹凸構
造を再現性良く形成することが可能となる。界面活性剤
として、カプリル酸を主成分とする界面活性剤を用いる
場合、アルカリ性溶液中のカプリル酸の濃度は、０．０
１ｍｏｌ／ｌ以上であることが好ましい。このような濃
度範囲とすることにより、さらに確実に良好な形状の凹
凸構造を再現性良く形成することができる。
る界面活性剤を用いることにより、良好な形状の凹凸構
造を再現性良く形成することが可能となる。界面活性剤
として、カプリル酸を主成分とする界面活性剤を用いる
場合、アルカリ性溶液中のカプリル酸の濃度は、０．０
１ｍｏｌ／ｌ以上であることが好ましい。このような濃
度範囲とすることにより、さらに確実に良好な形状の凹
凸構造を再現性良く形成することができる。
【０００９】カプリル酸を主成分とする界面活性剤を用
いる場合、界面活性剤中に不純物として含まれるミリス
チン酸の濃度は、０．４重量％以下であることが好まし
い。ミリスチン酸の濃度を、このような範囲とすること
により、さらに確実に良好な形状の凹凸構造を再現性良
く形成することができる。
いる場合、界面活性剤中に不純物として含まれるミリス
チン酸の濃度は、０．４重量％以下であることが好まし
い。ミリスチン酸の濃度を、このような範囲とすること
により、さらに確実に良好な形状の凹凸構造を再現性良
く形成することができる。
【００１０】界面活性剤としてラウリン酸を主成分とす
る界面活性剤を用いる場合、アルカリ性溶液中のラウリ
ン酸の濃度が、０．０００１ｍｏｌ／ｌ〜０．００１ｍ
ｏｌ／ｌの範囲であることが好ましい。このような範囲
とすることにより、より確実に良好な形状の凹凸構造を
再現性良く形成することができる。
る界面活性剤を用いる場合、アルカリ性溶液中のラウリ
ン酸の濃度が、０．０００１ｍｏｌ／ｌ〜０．００１ｍ
ｏｌ／ｌの範囲であることが好ましい。このような範囲
とすることにより、より確実に良好な形状の凹凸構造を
再現性良く形成することができる。
【００１１】本発明の界面活性剤は、結晶系半導体基板
の表面をエッチングして凹凸構造を形成するためのアル
カリ性溶液中に混合される界面活性剤であり、カプリル
酸を主成分とし、かつミリスチン酸の濃度が０．４重量
％以下であることを特徴としている。
の表面をエッチングして凹凸構造を形成するためのアル
カリ性溶液中に混合される界面活性剤であり、カプリル
酸を主成分とし、かつミリスチン酸の濃度が０．４重量
％以下であることを特徴としている。
【００１２】本発明の界面活性剤をアルカリ性溶液に添
加し、結晶系半導体基板の表面をエッチングするための
エッチング溶液として用いることにより、結晶系半導体
基板の表面に、良好な形状の凹凸構造を再現性良く形成
することができる。
加し、結晶系半導体基板の表面をエッチングするための
エッチング溶液として用いることにより、結晶系半導体
基板の表面に、良好な形状の凹凸構造を再現性良く形成
することができる。
【００１３】本発明の光起電力素子の製造方法は、カプ
リル酸またはラウリン酸のいずれか一方を主成分とする
界面活性剤を含むアルカリ性溶液中に結晶系半導体基板
を浸漬することによって該基板の表面をエッチングし、
表面に凹凸構造を形成する工程と、結晶系半導体基板の
凹凸構造が形成された表面上に、該結晶系半導体基板と
半導体接合を形成する半導体層を形成する工程とを備え
ることを特徴としている。
リル酸またはラウリン酸のいずれか一方を主成分とする
界面活性剤を含むアルカリ性溶液中に結晶系半導体基板
を浸漬することによって該基板の表面をエッチングし、
表面に凹凸構造を形成する工程と、結晶系半導体基板の
凹凸構造が形成された表面上に、該結晶系半導体基板と
半導体接合を形成する半導体層を形成する工程とを備え
ることを特徴としている。
【００１４】本発明の光起電力素子の製造方法において
は、本発明の凹凸基板の製造方法に従い結晶系半導体基
板の表面に凹凸構造を形成しているので、良好な形状を
有する凹凸基板を再現性良く製造することができる。従
って、本発明の光起電力素子の製造方法によれば、良好
な形状の凹凸構造を有する凹凸基板を用いて光起電力素
子を製造することができるので、光電変換特性の高い光
起電力素子を再現性良く製造することができる。
は、本発明の凹凸基板の製造方法に従い結晶系半導体基
板の表面に凹凸構造を形成しているので、良好な形状を
有する凹凸基板を再現性良く製造することができる。従
って、本発明の光起電力素子の製造方法によれば、良好
な形状の凹凸構造を有する凹凸基板を用いて光起電力素
子を製造することができるので、光電変換特性の高い光
起電力素子を再現性良く製造することができる。
【００１５】本発明において用いるアルカリ性溶液とし
ては、例えば、ＮａＯＨまたはＫＯＨなどのアルカリ性
化合物の水溶液が用いられる。ＮａＯＨ及びＫＯＨのア
ルカリ性溶液を用いる場合、０．０５〜２．０ｍｏｌ／
ｌの濃度であることが好ましい。
ては、例えば、ＮａＯＨまたはＫＯＨなどのアルカリ性
化合物の水溶液が用いられる。ＮａＯＨ及びＫＯＨのア
ルカリ性溶液を用いる場合、０．０５〜２．０ｍｏｌ／
ｌの濃度であることが好ましい。
【００１６】本発明において、結晶系半導体基板をエッ
チングする際、基板を上下に揺動させたり、基板に超音
波振動を与えたりしてもよい。また、エッチング溶液で
あるアルカリ性溶液に超音波振動を与えたり、あるいは
Ｎ2 、Ａｒ等の不活性ガスでアルカリ性溶液をバブリン
グしてもよい。
チングする際、基板を上下に揺動させたり、基板に超音
波振動を与えたりしてもよい。また、エッチング溶液で
あるアルカリ性溶液に超音波振動を与えたり、あるいは
Ｎ2 、Ａｒ等の不活性ガスでアルカリ性溶液をバブリン
グしてもよい。
【００１７】
【実施例】〔種々の界面活性剤の検討〕界面活性剤とし
て、カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、ラウリン
酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、及び
オレイン酸をそれぞれ主成分とする界面活性剤を準備
し、これらの界面活性剤を、０．５ｍｏｌ／ｌのＮａＯ
Ｈ溶液中に種々の濃度となるように混合してエッチング
溶液を準備した。
て、カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、ラウリン
酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、及び
オレイン酸をそれぞれ主成分とする界面活性剤を準備
し、これらの界面活性剤を、０．５ｍｏｌ／ｌのＮａＯ
Ｈ溶液中に種々の濃度となるように混合してエッチング
溶液を準備した。
【００１８】このエッチング溶液を加温し、ｎ型単結晶
シリコン基板を約８５℃の温度で約３０分間浸漬し、基
板の表面をエッチングすることにより表面に凹凸構造を
形成した。
シリコン基板を約８５℃の温度で約３０分間浸漬し、基
板の表面をエッチングすることにより表面に凹凸構造を
形成した。
【００１９】凹凸構造を形成された単結晶のシリコン基
板の表面を光学顕微鏡を用いて観察し、基板表面の全面
にわたって略同一形状のピラミッド状の凹凸が形成され
ているものを「良」、基板表面に比較的平坦な部分が存
在するものを「不良」として判定した。結果を図１に示
す。図１において、○で示したものが良、×で示したも
のが不良である。
板の表面を光学顕微鏡を用いて観察し、基板表面の全面
にわたって略同一形状のピラミッド状の凹凸が形成され
ているものを「良」、基板表面に比較的平坦な部分が存
在するものを「不良」として判定した。結果を図１に示
す。図１において、○で示したものが良、×で示したも
のが不良である。
【００２０】図１から明らかなように、界面活性剤とし
てカプリル酸またはラウリン酸のいずれかを主成分とす
る界面活性剤を用いることにより、良好な形状の凹凸構
造を有する基板を製造できることがわかる。
てカプリル酸またはラウリン酸のいずれかを主成分とす
る界面活性剤を用いることにより、良好な形状の凹凸構
造を有する基板を製造できることがわかる。
【００２１】また、カプリル酸を主成分とする界面活性
剤を用いる場合、良好な形状の凹凸構造を形成するため
には、アルカリ性溶液中のカプリル酸濃度が０．０１ｍ
ｏｌ／ｌ以上であることが好ましいことがわかる。ま
た、ラウリン酸を主成分とする界面活性剤を用いる場
合、良好な形状の凹凸構造を形成するためには、アルカ
リ性溶液中のラウリン酸の濃度が０．０００１ｍｏｌ／
ｌ〜０．００１ｍｏｌ／ｌの範囲であることが好ましい
ことがわかる。
剤を用いる場合、良好な形状の凹凸構造を形成するため
には、アルカリ性溶液中のカプリル酸濃度が０．０１ｍ
ｏｌ／ｌ以上であることが好ましいことがわかる。ま
た、ラウリン酸を主成分とする界面活性剤を用いる場
合、良好な形状の凹凸構造を形成するためには、アルカ
リ性溶液中のラウリン酸の濃度が０．０００１ｍｏｌ／
ｌ〜０．００１ｍｏｌ／ｌの範囲であることが好ましい
ことがわかる。
【００２２】なお、ラウリン酸を主成分とする界面活性
剤を用いた場合、好ましい濃度範囲は一桁程度であり、
「シントレッキス」の濃度範囲と比べてそれほど広くな
いように思われるが、「シントレッキス」に比べると、
温度に対して変化しにくく、また「シントレッキス」よ
りも低い濃度で良好な形状の凹凸構造が形成されること
から、使用量を少なくすることができる。従って、従来
に比べ、再現性に優れ、かつ製造コストの低減を図るこ
とができる。
剤を用いた場合、好ましい濃度範囲は一桁程度であり、
「シントレッキス」の濃度範囲と比べてそれほど広くな
いように思われるが、「シントレッキス」に比べると、
温度に対して変化しにくく、また「シントレッキス」よ
りも低い濃度で良好な形状の凹凸構造が形成されること
から、使用量を少なくすることができる。従って、従来
に比べ、再現性に優れ、かつ製造コストの低減を図るこ
とができる。
【００２３】〔カプリル酸を主成分とする界面活性剤中
のミリスチン酸の含有量の影響〕界面活性剤の製造工程
の管理等の問題により、界面活性剤中に不純物として他
の界面活性剤が含まれる場合がある。そこで、カプリル
酸を主成分とする界面活性剤中に不純物として含まれる
ミリスチン酸の影響について調べた。
のミリスチン酸の含有量の影響〕界面活性剤の製造工程
の管理等の問題により、界面活性剤中に不純物として他
の界面活性剤が含まれる場合がある。そこで、カプリル
酸を主成分とする界面活性剤中に不純物として含まれる
ミリスチン酸の影響について調べた。
【００２４】カプリル酸を、０．５ｍｏｌ／ｌのＮａＯ
Ｈ溶液中に、０．１ｍｏｌ／ｌの濃度となるように混合
した後、ミリスチン酸を種々の濃度で添加しエッチング
溶液とした。このエッチング溶液を用いて、上記と同様
にして、ｎ型単結晶シリコン基板の表面をエッチング
し、表面に凹凸構造を形成した。結果を図２に示す。図
２において、縦軸は、界面活性剤中に含まれるミリスチ
ン酸の量を示している。
Ｈ溶液中に、０．１ｍｏｌ／ｌの濃度となるように混合
した後、ミリスチン酸を種々の濃度で添加しエッチング
溶液とした。このエッチング溶液を用いて、上記と同様
にして、ｎ型単結晶シリコン基板の表面をエッチング
し、表面に凹凸構造を形成した。結果を図２に示す。図
２において、縦軸は、界面活性剤中に含まれるミリスチ
ン酸の量を示している。
【００２５】図２から明らかなように、カプリル酸に対
するミリスチン酸の割合を０．４重量％以下とすること
により、良好な形状の凹凸構造を形成できることがわか
る。従って、カプリル酸を主成分とする界面活性剤を用
いる場合、その中に含まれるミリスチン酸の量を０．４
重量％以下とすることにより、良好な形状の凹凸構造を
形成できることがわかる。
するミリスチン酸の割合を０．４重量％以下とすること
により、良好な形状の凹凸構造を形成できることがわか
る。従って、カプリル酸を主成分とする界面活性剤を用
いる場合、その中に含まれるミリスチン酸の量を０．４
重量％以下とすることにより、良好な形状の凹凸構造を
形成できることがわかる。
【００２６】〔光起電力素子の製造〕以上のようにし
て、カプリル酸またはラウリン酸を主成分とする界面活
性剤を含むアルカリ性溶液をエッチング溶液として用
い、表面に凹凸構造を形成した基板の上に、該基板と半
導体接合を形成する半導体層を形成することにより、良
好な光電変換特性を有する光起電力素子を再現性良く製
造することができる。
て、カプリル酸またはラウリン酸を主成分とする界面活
性剤を含むアルカリ性溶液をエッチング溶液として用
い、表面に凹凸構造を形成した基板の上に、該基板と半
導体接合を形成する半導体層を形成することにより、良
好な光電変換特性を有する光起電力素子を再現性良く製
造することができる。
【００２７】図３は、本発明の製造方法により製造され
る光起電力素子の一例を示す模式的断面図である。図３
を参照して、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面１ａに
は、上述のようにして、良好なピラミッド形状の凹凸構
造が形成されている。この表面１ａ上には、例えば、２
０〜１００Åの膜厚の真性非晶質シリコン薄膜２が形成
され、さらにその上に、例えば２０〜１００Åの膜厚の
ｐ型非晶質シリコン薄膜３が形成される。このｐ型非晶
質シリコン薄膜３の上には、例えばＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｓ
ｎＯ2等からなる膜厚約１０００Åの透明導電膜４がス
パッタ法により形成され、さらにＡｇペーストを用い
て、櫛形状の集電極５がスクリーン印刷法により形成さ
れる。また、基板１の裏面１ｂには、Ａｌペーストを用
いて全面に裏面電極６がスクリーン印刷法により形成さ
れる。
る光起電力素子の一例を示す模式的断面図である。図３
を参照して、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面１ａに
は、上述のようにして、良好なピラミッド形状の凹凸構
造が形成されている。この表面１ａ上には、例えば、２
０〜１００Åの膜厚の真性非晶質シリコン薄膜２が形成
され、さらにその上に、例えば２０〜１００Åの膜厚の
ｐ型非晶質シリコン薄膜３が形成される。このｐ型非晶
質シリコン薄膜３の上には、例えばＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｓ
ｎＯ2等からなる膜厚約１０００Åの透明導電膜４がス
パッタ法により形成され、さらにＡｇペーストを用い
て、櫛形状の集電極５がスクリーン印刷法により形成さ
れる。また、基板１の裏面１ｂには、Ａｌペーストを用
いて全面に裏面電極６がスクリーン印刷法により形成さ
れる。
【００２８】また、基板１の裏面１ｂと裏面電極６との
間には、ＢＳＦ（back surface field）領域が形成され
ていてもよい。また、このＢＳＦ領域には、結晶系半導
体基板と非晶質半導体層の接合部の界面準位を低減する
ため、これらの間に真性非晶質半導体層が設けられてい
てもよい。
間には、ＢＳＦ（back surface field）領域が形成され
ていてもよい。また、このＢＳＦ領域には、結晶系半導
体基板と非晶質半導体層の接合部の界面準位を低減する
ため、これらの間に真性非晶質半導体層が設けられてい
てもよい。
【００２９】また、本発明により製造される光起電力素
子は、上記のような構造のものに限定されるものではな
く、例えば、表面に凹凸構造が形成されたｐ型単結晶シ
リコン基板の表面に、リン（Ｐ）を熱拡散させることに
よりｎ型層を形成し、半導体接合を形成したものであっ
てもよい。
子は、上記のような構造のものに限定されるものではな
く、例えば、表面に凹凸構造が形成されたｐ型単結晶シ
リコン基板の表面に、リン（Ｐ）を熱拡散させることに
よりｎ型層を形成し、半導体接合を形成したものであっ
てもよい。
【００３０】上述の実施例においては、結晶系半導体基
板として単結晶シリコン基板を用いているが、本発明は
これに限定されるものではなく、多結晶シリコン基板、
単結晶または多結晶のゲルマニウム基板等の他の結晶系
半導体基板にも適用することができるものである。
板として単結晶シリコン基板を用いているが、本発明は
これに限定されるものではなく、多結晶シリコン基板、
単結晶または多結晶のゲルマニウム基板等の他の結晶系
半導体基板にも適用することができるものである。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、良好な凹凸形状を有す
る凹凸基板を再現性良く製造することができる。
る凹凸基板を再現性良く製造することができる。
【００３２】また、本発明の製造方法により得られた凹
凸基板を用いて光起電力素子を製造することにより、光
電変換特性の高い光起電力素子を再現性良く製造するこ
とができる。
凸基板を用いて光起電力素子を製造することにより、光
電変換特性の高い光起電力素子を再現性良く製造するこ
とができる。
【図１】種々の界面活性剤を種々の濃度でエッチング溶
液中に添加したときの凹凸基板形成に与える影響を示す
図。
液中に添加したときの凹凸基板形成に与える影響を示す
図。
【図２】カプリル酸を界面活性剤として用いたときのミ
リスチン酸の含有量の影響を示す図。
リスチン酸の含有量の影響を示す図。
【図３】本発明に従う光起電力素子の製造方法の一例を
説明するための模式的断面図。
説明するための模式的断面図。
１…ｎ型単結晶シリコン基板 １ａ…基板の表面 １ｂ…基板の裏面 ２…真性非晶質シリコン薄膜 ３…ｐ型非晶質シリコン薄膜 ４…透明導電膜 ５…集電極 ６…裏面電極
Claims (6)
- 【請求項１】 界面活性剤を含むアルカリ性溶液中に結
晶系半導体基板を浸漬することによって該基板の表面を
エッチングし凹凸構造を形成する凹凸基板の製造方法で
あって、 前記界面活性剤としてカプリル酸またはラウリン酸を主
成分とする界面活性剤を用いることを特徴とする凹凸基
板の製造方法。 - 【請求項２】 前記界面活性剤がカプリル酸を主成分と
しており、前記アルカリ性溶液中のカプリル酸の濃度が
０．０１ｍｏｌ／ｌ以上であることを特徴とする請求項
１に記載の凹凸基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記界面活性剤がカプリル酸を主成分と
しており、前記界面活性剤中のミリスチン酸の濃度が
０．４重量％以下であることを特徴とする請求項１また
は２に記載の凹凸基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記界面活性剤がラウリン酸を主成分と
しており、前記アルカリ性溶液中のラウリン酸の濃度が
０．０００１ｍｏｌ／ｌ〜０．００１ｍｏｌ／ｌの範囲
であることを特徴とする請求項１に記載の凹凸基板の製
造方法。 - 【請求項５】 結晶系半導体基板の表面をエッチングし
て凹凸構造を形成するためのアルカリ性溶液中に混合さ
れる界面活性剤であって、 カプリル酸を主成分とし、かつミリスチン酸の濃度が
０．４重量％以下であることを特徴とする凹凸構造形成
用界面活性剤。 - 【請求項６】 カプリル酸またはラウリン酸のいずれか
一方を主成分とする界面活性剤を含むアルカリ性溶液中
に結晶系半導体基板を浸漬することによって該基板の表
面をエッチングし凹凸構造を形成する工程と、 前記結晶系半導体基板の前記凹凸構造が形成された表面
上に、該結晶系半導体基板と半導体接合を形成する半導
体層を形成する工程とを備えることを特徴とする光起電
力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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