JP2002055332A - 液晶表示パネルおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射板の膜厚の均一化を行い、液晶表示パネ
ルの表示品質の均一化を目的とする。 【解決手段】 液晶表示パネルを構成する第１の基板あ
るいは第２の基板上の液晶層に面する側に反射板を有
し、前記反射板には、絶縁膜を有し、前記反射板の厚さ
は場所によらずほぼ一定であり、該反射板上に設ける絶
縁膜の厚さが場所により異なる構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示パネルの構
造に関し、膜厚分布を有する反射板の膜厚を均一にする
ために、反射板上の反射板の一部を改質して絶縁化する
膜を有する構成に関するものである。特に、反射板に透
過性を有する場合には、反射板の僅かな膜厚の違いによ
り透過率が大きくことなるため、反射板の膜厚の均一性
が非常に重要となる。そのため、反射板の膜厚分布を補
正するために、反射板上に絶縁膜を設け、さらに絶縁膜
は反射板を構成する材質自体を絶縁化処理するものであ
る。すなわち半透過反射板を有する液晶表示パネルの表
示品質の均一化と個体差を改善するものである。

【０００２】

【従来の技術】半透過反射板を有する液晶表示パネルに
使用する半透過反射板は、反射板の膜厚を薄くし、反射
と透過の比率を制御することにより作成していた。透過
率は、反射板の膜厚により大きく変化し、さらに、透過
率を１０％程度確保する場合には、アルミニウム膜を反
射板の材料として使用する場合には、２０ナノメートル
（ｎｍ）程度の膜厚が必要であり、１８ナノメートル
（ｎｍ）と２２ナノメートル（ｎｍ）では大きく透過率
が変化してしまっていた。

【０００３】半透過反射板の製造方法は、複数の液晶表
示パネルをマトリクス状に切り取れる元基板上に反射板
を真空蒸着法、あるいはスパッタリング法等により形成
している。この場合、大きい元基板を利用することによ
り、同時に多くの液晶表示パネルの作成が可能であり、
コストの削減も可能であるが、反射板の膜厚の制御が非
常に厳しくなる。そのため、パネルのコストの増加、あ
るいは反射板の製造条件の厳しい制御が必要となるが、
これでも膜厚制御には限界があった。

【０００４】さらに、透過性を有する半透過反射板の膜
厚は、一般的に使用する反射板に比較して数段薄く、さ
らに、膜厚制御が非常に厳しいため、多少厚く半透過反
射板を形成し、後処理で半透過反射板の膜厚制御する手
法が有効である。

【０００５】本発明の目的は、反射板の膜厚を均一かつ
安定化するための構成を提案するものである。さらに、
半透過反射板として使用する場合に、反射板の膜厚を均
一にすることにより、透過率の均一化を行い、表示分布
の低減と液晶表示パネルの表示品質の個体差を低減する
ことである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】以上に説明したよう
に、液晶表示パネルに使用する反射板の膜厚を制御する
こと。および、半透過反射板の透過率と反射率分布を小
さくし、表示品質のバラツキを低減することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示パネルは、以下の構成を採用す
る。

【０００８】本発明の液晶表示パネルは、第１の基板上
に設ける信号電極と、第２の基板上に設けるデーター電
極と、第１の基板と第２の基板との間に封入する液晶と
を備え、信号電極とデーター電極との交点に複数の画素
部を有し、各画素部に電圧を印加し、液晶の光学特性変
化を利用し表示を行う液晶表示パネルを有する液晶表示
パネルにおいて、第１の基板あるいは第２の基板上の液
晶層に面する側に反射板を有し、前記反射板には、絶縁
膜を有し、前記反射板の厚さは場所によらずほぼ一定で
あり、該反射板上に設ける絶縁膜の厚さが場所により異
なることを特徴とする。

【０００９】本発明の液晶表示パネルは、第１の基板上
に設ける信号電極と、第２の基板上に設けるデーター電
極と、第１の基板と第２の基板との間に封入する液晶と
を備え、信号電極とデーター電極との交点に複数の画素
部を有し、各画素部に電圧を印加し液晶の光学特性変化
を利用し表示を行う液晶表示パネルを有する液晶表示パ
ネルにおいて、第１の基板あるいは第２の基板上の液晶
層に面する側に反射板を有し、前記反射板には、反射板
を構成する材料の絶縁膜を有し、前記絶縁膜の厚さが場
所により異なることを特徴とする。

【００１０】本発明の液晶表示パネルは、複数の液晶表
示パネルを同一基板上に設ける第１の基板あるいは第２
の基板からなる元基板上には、複数の反射板のブロック
を有し、該反射板のブロックは複数個が相互に連結部に
より接続した連結ブロックを有し、さらに連結ブロック
が複数個あり、該反射板のブロック部に、第１の基板上
に設ける信号電極と、第２の基板上に設けるデーター電
極と、第１の基板と第２の基板との間に封入する液晶と
を備え、前記反射板には、反射板を構成する材料の絶縁
膜を有することを特徴とする。

【００１１】本発明の液晶表示パネルは、複数の液晶表
示パネルを同一基板上に設ける第１の基板あるいは第２
の基板からなる元基板上には、複数の反射板のブロック
を有し、該反射板のブロックは複数個が相互に連結部に
より接続した連結ブロックを有し、さらに連結ブロック
が複数個あり、前記連結ブロック毎に反射板上に設ける
絶縁膜の膜厚が異なることを特徴とする。

【００１２】本発明の液晶表示パネルに用いる反射板上
に設ける絶縁膜は、反射板を構成する材料は陽極酸化膜
であることを特徴とする。

【００１３】本発明の液晶表示パネルに用いる反射板は
少なくとも透過性を有することを特徴とする。

【００１４】本発明の液晶表示パネルに用いる反射板上
に設ける絶縁膜上には、前記絶縁膜と異なる保護用絶縁
膜を有することを特徴とする。

【００１５】本発明の液晶表示パネルに用いる反射板上
に設ける絶縁膜上には、カラーフィルターを有すること
を特徴とする。

【００１６】本発明の液晶表示パネルに用いる反射板の
切断断面部、または、外周部には、絶縁膜を形成するた
めの領域を第１の基板上で、第２の基板との重なり合う
外側に設けることを特徴とする。

【００１７】本発明の液晶表示パネルに用いる反射板の
膜厚が信号電極とデーター電極との交点に設ける画素部
の集合体である表示領域と、その周囲とでは異なること
を特徴とする。

【００１８】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、第
１の基板上に陽極酸化性を有する反射板を形成する工程
と、反射板の膜厚のほぼ等しいブロックを相互に連結部
により連結する連結ブロックと、膜厚の異なる連結ブロ
ックを分離する工程と、反射板を陽極酸化処理を行い、
異なる膜厚の反射板を同一の膜厚とするために、連結ブ
ロック毎に異なる電圧により反射板上に陽極酸化膜を形
成する工程を少なくとも有することを特徴とする。

【００１９】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、第
１の基板上に陽極酸化性を有する反射板を形成する工程
と、反射板の膜厚のほぼ等しいブロックを相互に連結す
る絶縁性保護シートを塗布する工程と、反射板を陽極酸
化処理を行い、異なる膜厚の反射板を同一の膜厚とする
ために、まづ、反射板の膜厚が最も厚い反射板上に陽極
酸化膜を形成する工程と、次に膜厚の厚い反射板上の絶
縁性保護シートを除去する工程と、陽極酸化処理を行う
工程と、次に膜厚の厚い反射板上の絶縁性保護シートを
除去する工程と、陽極酸化処理を行う工程とを繰り返し
行う工程とを有することを特徴とする。

【００２０】本発明の液晶表示パネルの製造工程は、反
射板の膜厚は、ほぼ全面で等しくする工程と、反射板上
の場所により膜厚の異なる絶縁膜を形成する工程と、前
記反射板上に設ける絶縁膜上にカラーフィルターを形成
する工程とカラーフィルター上に透明導電膜を形成し、
透明導電膜からなる信号電極を形成する工程とを少なく
とも有することを特徴とする。

【００２１】本発明の液晶表示パネルの製造工程は、反
射板の膜厚は、ほぼ全面で等しくする工程と、反射板上
の場所により膜厚の異なる絶縁膜を形成する工程と、前
記反射板上に設ける絶縁膜上には、絶縁膜の膜厚を補正
するための保護用絶縁膜を形成する工程と、該保護用絶
縁膜上にカラーフィルターを形成する工程とカラーフィ
ルター上に透明導電膜を形成し、透明導電膜からなる信
号電極を形成する工程とを少なくとも有することを特徴
とする。

【００２２】＜作用＞本発明の液晶表示パネルは、反射
板上に、反射板の材料を絶縁処理してなる絶縁膜を設
け、絶縁膜の膜厚を制御することにより、反射板の膜厚
を制御することが可能となる。

【００２３】本発明の液晶表示パネルに用いる反射板
は、初期反射板を複数のブロックに分類し、同一膜厚の
ブロックをグループ化する。同一膜厚のグループ毎に絶
縁膜処理を可変し、絶縁膜の膜厚を制御することによ
り、残りの反射板（改良後反射板）の膜厚の制御が可能
となる。そのため、成膜時に発生する初期反射板に膜厚
分布が発生しても、使用時の反射板（改良後反射板）の
膜厚を再制御でき、均一な反射板の膜厚を達成すること
ができる。

【００２４】成膜時の反射板（初期反射板）の膜厚分布
は概ね一定であるため、同一膜厚のグループ構成は、ほ
ぼ同一のパターンを使用することができる。グループ構
成は、初期反射板をブロックにパターン形成し、同一膜
厚のブロックを連結部にて連結して連結ブロックとする
方式を採用する。連結ブロック毎に異なる陽極酸化電圧
を印加することにより異なる陽極酸化膜が形成でき、結
果として初期の異なる反射板の膜厚が改良後反射板とし
ては均一化できる。

【００２５】グループ化の別の方式としては、初期反射
板をブロックにパターン形成し、全てのブロックを連結
部にて連結し、一個の複合連結ブロックとし、まず小さ
い陽極酸化電圧で処理を行い、最も薄い領域の反射板の
ブロック部に相当する連結部を除去する。除去の方法
は、レーザー光線、あるいは物理的処方を採用する。次
に少し大きい陽極酸化電極名で処理を行い、最初の反射
板の膜厚と同等に処理されたブロック部の連結部を除去
する。この工程を複数回繰り返すことにより、改良後反
射板の膜厚を均一にすることができる。

【００２６】グループ化の別の方式としては、初期反射
板上に絶縁性保護シートを接着して、まず、最も小さい
第１の電圧で陽極酸化を行う。最も初期反射板の膜厚が
薄く、かつ第１の電圧で陽極酸化処理を行った領域に絶
縁性保護シートを塗布する。次に絶縁性保護シートの塗
布していない領域を第１の電圧より大きい第２の電圧で
陽極酸化を行う。露出している領域で最も初期反射板の
膜厚が薄い領域に絶縁性保護シートを塗布する。露出部
を第３の電圧で陽極酸化を行う。これを繰り返し行うこ
とで最終的な反射板の膜厚を均一にできる。また、陽極
酸化を行う電圧は、第１の電圧が最も小さく、第２の電
圧、第３の電圧と大きくする。

【００２７】また、膜厚を均一化処理した反射板上に
は、カラーフィルターを設ける。例えば、アルミニウム
等の化学処理に弱い材質の反射板上に、膜厚制御用の絶
縁膜を設けることにより、カラーフィルターを形成する
工程での反射板の劣化を防止することができる。また、
反射板と絶縁膜上にカラーフィルターを設けることによ
り、さらに、透明導電膜である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）膜のパターン形成工程での反射板の劣化を防止で
きるため、非常に有効である。

【００２８】また、膜厚の制御用の絶縁膜上に保護用絶
縁膜を設けることにより、絶縁膜のピンホール部、ある
いは連結部の断面等の絶縁膜が被覆できていない部分に
おいて、後処理工程で発生する劣化を防止することが可
能となり、非常に有効である。また、反射板上に設ける
絶縁膜の膜厚の差（干渉色）による色見の差を低減する
ことができるため有効である。

【００２９】また、反射板上には、絶縁膜を形成するた
め、例えばアルミニウム膜を反射板材料として使用する
場合には、アルミニウム膜はカラーフィルターを形成す
る工程の化学処理工程により、簡単に腐食、あるいは除
去されてしまうが、アルミニウム膜の陽極酸化膜により
反射板の表面が化学的に非常に安定にできる。カラーフ
ィルターを形成する工程、あるいは透明導電膜をパター
ン形成する工程に対して非常に有効である。反射板上に
陽極酸化膜を形成する工程のみではなく、本発明では、
初期反射板の膜厚が厚い領域では、陽極酸化膜厚を厚く
し、液晶表示パネルで使用する反射板（改良後反射板）
の膜厚を薄くして改良後反射板を所定の膜厚に制御す
る。逆に初期反射板の膜厚の薄い領域では、陽極酸化膜
厚を薄くして、改良後反射板の膜厚を所定の膜厚に制御
する。

【００３０】そのため、本発明の特徴は、反射板上に絶
縁膜を形成して、反射板上に形成する機能膜等の処理を
容易にすることと、液晶表示パネルに使用する反射板
（改良後反射板）の膜厚を制御している作用の２種類を
同時に達成している点である。そのため、単純に反射板
上に絶縁膜を形成する手法とは、作用として大きく異な
る。

【００３１】また、改良後反射板（半透過反射板）の膜
厚の均一性を達成する方法は、第１の元基板から複数個
の液晶表示パネル用の第１の基板を作成する際に、第１
の元基板の初期反射板の膜厚の近いものをブロック分け
し、ブロック毎に処理を行う。処理法としては、陽極酸
化法、真空プラズマ処理法、ランプ（レーザー）処理法
があり、反射板の材質によるが、陽極酸化法が簡便であ
る。

【００３２】また、１個の液晶表示パネルに使用する初
期反射板の膜厚を、初期反射板上に絶縁膜を形成するこ
とにより、液晶表示パネル内の改良後反射板の特性を均
一化することができる。そのため、反射率と透過率の均
一化が可能となる。

【００３３】また、本発明の改良後反射板を作成する工
程は、液晶表示パネルの液晶層に面する側に配置する改
良後反射板のみではなく、液晶表示パネルの液晶層と反
対の面に設ける改良後反射板、あるいは、液晶表示パネ
ルと別体に設ける改良後反射板においても有効である。
すなわち、半透過反射板の製造方法として有効である。

【００３４】

【発明の実施の形態】＜第１の実施形態＞以下に本発明
を実施するための最良の形態における改良後反射板、お
よび改良後反射板を使用する液晶表示パネルについて図
面を参照しながら説明する。第１の実施形態の特徴は液
晶表示パネル用の改良後反射板を複数個有する元基板に
おいて、個々の液晶表示パネルに使用する領域をブロッ
ク化している。さらに、初期反射板の膜厚の近いブロッ
クを連結部により連結ブロックとしている点である。図
１は、本発明の第１の実施形態における液晶表示パネル
の平面図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ線における
液晶表示パネルの断面図である。図３は、図１に示す液
晶表示パネル用の反射板が４行４列の１６面取り可能な
元基板と連結ブロックを示す平面図である。図４は、図
３に示すＢ−Ｂ線における元基板の断面図である。図５
は、初期反射板と改良後反射板との膜厚分布を示すグラ
フである。以下に、図１と図２と図３と図４と図５とを
交互に用いて第１の実施形態を説明する。

【００３５】まづ、第１の基板１上にはアルミニウム膜
からなる反射板１１を真空スパッタリング法にて設け
る。初期反射板の膜厚は、最小膜厚が１５ナノメートル
（ｎｍ）とする。分布のため、最大膜厚は、２０ナノメ
ートル（ｎｍ）であり、透過率差は、４％である。

【００３６】アルミニウム膜を設ける第１の元基板４上
には、液晶表示パネルが４行、４列の計１６パネル分の
ブロックを有する。前記１６ブロックは、初期反射板９
の膜厚分布から本第１の実施形態では、４つの領域にな
る。各領域間の初期反射板の膜厚差は、１ナノメートル
（ｎｍ）以下であり、透過率差は、僅かに１％から１．
５％程度となる。本第１の実施形態では、改良後反射板
１１の膜厚を１５ナノメートル（ｎｍ）とするが、初期
反射板の膜厚は、最も薄い第１の連結ブロック５１で、
２０ナノメートル（ｎｍ）、最も厚い第４の連結ブロッ
ク５４で、２５ナノメートル（ｎｍ）を用いている。理
由は、陽極酸化膜が薄すぎると処理が安定せず、さら
に、絶縁膜１２としての機能が不十分なためである。

【００３７】初期反射板９の最も膜厚の薄い第１の連結
ブロック５１、次に膜厚の薄い第２の連結ブロック５
２、第３の連結ブロック５３、最も膜厚の厚い第４の連
結ブロック５４となっている。第１の連結ブロック５１
は、１個のブロックと第１の陽極酸化用電極４５を有
し、第２の連結ブロック５２は、４個のブロックと第２
の陽極酸化用電極４６を有し、相互のブロックは連結部
４１により連結している。

【００３８】連結部４１の位置は、液晶表示パネルの注
入孔２５を設ける辺以外に設ける構成としている。理由
は、改良後反射板１１の材質が液晶層１０を注入する工
程で液晶層１０と接触することをできるだけ防止するた
めである。また、連結部４１は、液晶表示パネルを構成
する個々の改良後反射板１１に切断するため、連結切断
部４２の部分では、絶縁膜１２が被覆できない部分があ
り、改良後反射板１１の材質が直接露出している部分が
あり、液晶層１０に混入することにより、液晶層１０の
汚染を発生する危険があるためである。実験により、ア
ルミニウム膜、あるいは、アルミニウム合金の場合に
は、連結部４１を注入孔２５以外の辺に設けることが好
ましかった。

【００３９】同様に、第３の連結ブロック５３は、７個
のブロックと第３の陽極酸化用電極４７を有し、相互の
ブロックは連結部４１により連結している。また、第４
の連結ブロック５４は、３個のブロックと第４の陽極酸
化用電極４８を有し、相互のブロックは連結部４１によ
り連結している。第４の陽極酸化用電極４８は、他の陽
極酸化用電極４５、４６と４７と異なる連結ブロックと
接続しているため、連結ブロックの周囲を介して、第４
の陽極酸化用電極４８の末端は、他の陽極酸化用電極４
５、４６と４７と同一の辺まで延長している。陽極酸化
用電極により連結ブロックを陽極酸化処理する場合に、
本発明の第１の実施形態の配置とすることにより、容易
に電圧を各陽極酸化用電極に印加でき、単なる設計的な
面の改善ではない。

【００４０】また、初期反射板４は、各陽極酸化用電極
４５、４６、４７と４８に同時に異なる電圧を印加す
る。あるいは、個別に電圧を印加してもよいが、同時に
異なる電圧を印加することが時間の短縮のために有効で
ある。また、第１の連結ブロック５１は短時間で所定の
陽極酸化膜を形成できるため、初期には、所定の電圧ま
で一定のスピードで電圧を上昇し、ほぼ所定の陽極酸化
膜を成長させた後に、一定の電圧で、最も厚い第４の連
結ブロック５４の陽極酸化処理が完了するまで処理を持
続することにより、緻密な陽極酸化膜を達成できるた
め、薄い膜のために発生するピンホール、欠陥を防止す
ることができるため有効である。

【００４１】以上により初期反射板４の一部を陽極酸化
処理により、絶縁膜１２として完成した改良後反射板１
１は、図４の断面図に示すように、第２の連結ブロック
５２相当する第２の絶縁膜厚領域６６では、酸化アルミ
ニウム膜からなる第２の絶縁膜６１を有する。第２の絶
縁膜６２は、７．１ナノメートル（ｎｍ）である。

【００４２】第３の連結ブロック５３相当する第３の絶
縁膜厚領域６７では、酸化アルミニウム膜からなる第３
の絶縁膜６２を有する。第３の絶縁膜６２は、８．８ナ
ノメートル（ｎｍ）である。第４の連結ブロック５４相
当する第４の絶縁膜厚領域６８では、酸化アルミニウム
膜からなる第４の絶縁膜６３を有する。第４の絶縁膜６
３は、１０．５ナノメートル（ｎｍ）である。また、第
４の連結ブロック５４に接続する陽極酸化用電極に相当
する第５の絶縁膜領域では、第４の絶縁膜６３と同様
に、１０．５ナノメートル（ｎｍ）の酸化アルミニウム
膜を形成している。

【００４３】図４には図示していないが、第１の連結ブ
ロック５１に相当する最も初期反射板９の薄い領域で
は、僅かにアルミニウム膜を陽極酸化処理している。絶
縁膜の膜厚は、５．５ナノメートル（ｎｍ）であり、非
常に薄くしている。以上により、改良後反射板１１はほ
ぼ１５ナノメートル（ｎｍ）となり、差は、１ナノメー
トル（ｎｍ）程度まで改善できている。

【００４４】以上の初期反射板９と改良後反射板１１の
元基板４内の膜厚分に関して、図５を用いて説明する。
図５は横軸に元基板４の第１の連結ブロック５１から第
４の連結ブロック５４の位置を示し、右側に第１の連結
ブロック５１に相当するＰ１、左側に第４の連結ブロッ
ク５４に相当するＰ４がある。縦軸は、反射板の膜厚を
とる。初期反射板９の元基板４内の分布を曲線Ｘで示
す。位置Ｐ１での膜厚は、Ｔ１であり、位置Ｐ４での膜
厚がＴ４である。Ｔ１とＴ４との膜厚の差は、５ナノメ
ートル（ｎｍ）である。

【００４５】改良後反射板１１の元基板４内での分布を
曲線Ｙにより示します。位置Ｐ１と位置Ｐ４のいずれの
位置でも膜厚は、Ｔａとなり、１５ナノメートル（ｎ
ｍ）である。位置による差は、１ナノメートル（ｎｍ）
以下であり、改良後反射板１１の膜厚が元基板４内で均
一であるかがわかる。

【００４６】以上の改良後反射板４の第１の連結ブロッ
クを液晶表示パネルに利用した実施形態を図１と図２を
用いて説明する。元基板４の１６分の１からなる第１の
基板１上には、改良後反射板１１を有する。改良後反射
板１１の膜厚は１５ナノメートル（ｎｍ）である。改良
後反射板１１上には、絶縁膜１２として、改良後反射板
１１の陽極酸化膜である酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）
膜を５．５ナノメートル（ｎｍ）設けている。

【００４７】絶縁膜１１上には、赤カラーフィルター１
５と緑カラーフィルター１６と青カラーフィルター１７
とをお互いに近接してパターン形成している。カラーフ
ィルター１５、１６、１７上には、保護用絶縁膜２０を
設けている。保護用絶縁膜２０は、カラーフィルター１
５、１６、１７の段差を平坦化することと、カラーフィ
ルターあるいは改良後反射板１１を透明導電膜の成膜工
程、および、エッチング工程から劣化を防止するための
ものである。

【００４８】保護用絶縁膜２０上には、酸化インジウム
スズ（ＩＴＯ）膜からなる透明導電膜を設け、ストライ
プ状にパターン形成して複数本の信号電極２を設けてい
る。第１の基板１と所定の間隙を設けて対向する透明基
板からなる第２の基板６上には、透明導電膜からなるデ
ーター電極７を設ける。第１の基板１と第２の基板６と
は、絶縁性のスペーサー（図示せず）により所定の間隙
を設けて対向し、シール部１８により接着している。シ
ール部１８には、第１の基板１と第２の基板６とを間隙
に液晶層１０を注入するために注入孔２５を液晶層１０
の注入が終了した後に、液晶層１０の劣化を防止するた
めに、封孔部２６により注入孔２５を封止している。

【００４９】また、信号電極２とデーター電極７との交
点が画素部２７であり、信号電極２とデーター電極７と
に所定の電圧を印加して、液晶層１０の印加電圧による
光学変化を利用して表示を達成する。第２の基板６を観
察者側に配置し、第２の基板６の観察者側には、位相差
フィルム（図示せず）、あるいは偏光板（図示せず）を
配置して液晶層１０の光学変化を観察者に視認しやすく
している。

【００５０】また、改良後反射板１１の連結部４１は、
元基板４から液晶表示パネルを構成する第１の基板１に
加工を行う際に、連結切断部４２により切断している。
連結切断部４２では、アルミニウム膜がそのまま露出し
ているため、連結切断部４２は、封孔部２６と異なる辺
に設けている。以上の構成の改良後反射板１１を利用す
ることにより、透過率と反射率の均一な液晶表示パネル
を達成することができ、表示むらのない液晶表示パネル
の表示が可能となる。さらに、個々の液晶表示パネルの
表示品質のバラツキを非常に小さくすることが可能とな
る。

【００５１】＜第２の実施形態＞以下に本発明の第２の
実施形態における液晶表示パネルについて図面を参照し
ながら説明する。第２の実施形態の特徴は、第１の元基
板上に１６面の第１の基板を配置し、最も絶縁膜の厚い
領域に、絶縁膜の膜厚の異なる第１の基板が島状に配置
している点である。第１の基板の周囲には、第４の連結
ブロックを配置している。図６は、本発明の第２の実施
形態における液晶表示パネルの平面図である。図７は、
図６に示すＢ−Ｂ線における液晶表示パネルの断面図で
ある。以下に、図６と図７とを交互に用いて第２の実施
形態を説明する。なお第１の実施形態と同様な構成に関
しては同一の符号を用いて説明する。

【００５２】まづ、第１の基板１上にはアルミニウム膜
からなる反射板１１を真空スパッタリング法にて設け
る。初期反射板の膜厚は、最小膜厚が１５ナノメートル
（ｎｍ）とする。分布のため、最大膜厚は、２０ナノメ
ートル（ｎｍ）であり、透過率差は、４％である。

【００５３】アルミニウム膜を設ける第１の元基板４上
には、液晶表示パネルが４行、４列の計１６パネル分の
ブロックを有する。前記１６ブロックは、初期反射板９
の膜厚分布から本第２の実施形態では、４つの領域にな
る。各領域間の初期反射板の膜厚差は、１ナノメートル
（ｎｍ）以下であり、透過率差は、僅かに１％から１．
５％程度となる。本第１の実施形態では、改良後反射板
１１の膜厚を１５ナノメートル（ｎｍ）とするが、初期
反射板の膜厚は、最も薄い第１の連結ブロック５１で、
２０ナノメートル（ｎｍ）、最も厚い第４の連結ブロッ
ク５４で、２５ナノメートル（ｎｍ）を用いている。理
由は、陽極酸化膜が薄すぎると処理が安定せず、さら
に、絶縁膜１２としての機能が不十分なためである。

【００５４】初期反射板９の最も膜厚の薄い第１の連結
ブロック５１、次に膜厚の薄い第２の連結ブロック５
２、第３の連結ブロック５３、最も膜厚の厚い第４の連
結ブロック５４となっている。第１の連結ブロック５１
は、１個のブロックからなり、第２の連結ブロック５２
は、４個のブロックを有する。

【００５５】同様に、第３の連結ブロック５３は、７個
のブロックを有し、また、第４の連結ブロック５４は、
３個分のブロックと各連結ブロックの周囲を構成してい
る。

【００５６】まづ、第１の連結ブロック５１に相当する
最も初期反射板９の薄い領域では、僅かにアルミニウム
膜を陽極酸化処理している。絶縁膜の膜厚は、５．５ナ
ノメートル（ｎｍ）であり、非常に薄くしている。第２
の連結ブロック５２相当する第２の絶縁膜厚領域６６で
は、酸化アルミニウム膜からなる第２の絶縁膜６１を有
する。第２の絶縁膜６２は、７．１ナノメートル（ｎ
ｍ）である。

【００５７】第３の連結ブロック５３に相当する第３の
絶縁膜厚領域６７では、酸化アルミニウム膜からなる第
３の絶縁膜６２を有する。第３の絶縁膜６２は、８．８
ナノメートル（ｎｍ）である。第４の連結ブロック５４
に相当する第４の絶縁膜厚領域６８では、酸化アルミニ
ウム膜からなる第４の絶縁膜６３を有する。第４の絶縁
膜６３は、１０．５ナノメートル（ｎｍ）である。以上
により、改良後反射板１１はほぼ１５ナノメートル（ｎ
ｍ）となり、差は、１ナノメートル（ｎｍ）程度まで改
善できている。

【００５８】すなわち、図７の断面図に示すように、反
射板１１上には、第１の絶縁膜領域６５、第２の絶縁膜
領域６６、第３の絶縁膜領域（図示せず）と第４の絶縁
膜６８とを有し、例えば第２の絶縁膜領域６６と第１の
絶縁膜領域６５あるいは第３の絶縁膜領域との間には、
最厚い絶縁膜である第４の絶縁膜６３と同様な膜厚を有
する絶縁膜を有する。

【００５９】第１の基板１の製造方法としては、第１の
元基板４上にアルミニウム膜を設ける。つぎに、アルミ
ニウム膜の全面を第１の陽極酸化電圧により陽極酸化処
理を行う。ここで、第１の絶縁膜領域６５上にポリイミ
ド樹脂からなる陽極酸化用マスクを設ける。つぎに、ア
ルミニウム膜の全面を第２の陽極酸化電圧により陽極酸
化処理を行う。前記第１の絶縁膜領域６５には、陽極酸
化用マスクがあるため、第１の絶縁膜厚のままである。
その他の領域は、第２の絶縁膜厚となる。ここで、第２
の絶縁膜領域６６上にポリイミド樹脂からなる陽極酸化
用マスクを設ける。つぎに、アルミニウム膜の全面を第
３の陽極酸化電圧により陽極酸化処理を行う。前記第１
の絶縁膜領域６５と第２の絶縁膜領域６６には、陽極酸
化用マスクがあるため、絶縁膜の膜厚は成長しない。そ
の他の領域は、第３の絶縁膜厚となる。ここで、第３の
絶縁膜領域上にポリイミド樹脂からなる陽極酸化用マス
クを設ける。最後に、アルミニウム膜の全面を第４の陽
極酸化電圧により陽極酸化処理を行う。前記第１の絶縁
膜領域６５と第２の絶縁膜領域６６と第３の絶縁膜領域
には、陽極酸化用マスクがあるため、絶縁膜の膜厚は成
長しない。その他の領域は、第４の絶縁膜厚となる。

【００６０】さらに、絶縁膜上に設けるポリイミド樹脂
を酸素プラズマ処理により除去して反射板１１を作成す
る。ポリイミド樹脂の形成方法は、位置精度が数十マイ
クロメートル（μｍ）から１００マイクロメートル（μ
ｍ）程度でよいため印刷法で行う。印刷法を採用するこ
とにより、フォトリソ工程を採用する場合に比較して簡
便である。

【００６１】＜第３の実施形態＞以下に本発明の第３の
実施形態における液晶表示パネルを構成する改良後反射
板について図面を参照しながら説明する。第３の実施形
態の特徴は第１の元基板の反射板の膜厚の異なる領域を
ブロック化し、各ブロック間を連結部で接続し、さらに
連結部をレーザー切断部で一部除去している点である。
図８は、本発明の第３の実施形態における液晶表示パネ
ル用の反射板が４行４列の１６面取り可能な元基板と連
結ブロックを示す平面図である。図９は、図８に示すＤ
−Ｄ線における元基板の断面図である。以下に、図８と
図９とを交互に用いて第３の実施形態を説明する。なお
第１の実施形態と同様な構成に関しては同一の符号を用
いて説明する。

【００６２】まづ第１の基板１上には第四属の元素を含
むアルミニウム膜からなる反射板１１を真空スパッタリ
ング法にて設ける。第３の実施形態ではシリコン（Ｓ
ｉ）を選択している。シリコンを含むアルミニウム膜と
することにより腐食による反射率の低下を防止すること
が可能である。また、初期反射板の膜厚は、最小膜厚が
１５ナノメートル（ｎｍ）とする。分布のため、最大膜
厚は、２０ナノメートル（ｎｍ）であり、透過率差は、
４％である。

【００６３】アルミニウム膜を設ける第１の元基板４上
には、液晶表示パネルが４行、４列の計１６パネル分の
ブロックを有する。前記１６ブロックは、初期反射板９
の膜厚分布から本第１の実施形態では、４つの領域にな
る。各領域間の初期反射板の膜厚差は、１ナノメートル
（ｎｍ）以下であり、透過率差は、僅かに１％から１．
５％程度となる。本第１の実施形態では、改良後反射板
１１の膜厚を１５ナノメートル（ｎｍ）とするが、初期
反射板の膜厚は、最も薄い第１の連結ブロック５１で、
２０ナノメートル（ｎｍ）、最も厚い第４の連結ブロッ
ク５４で、２５ナノメートル（ｎｍ）を用いている。理
由は、陽極酸化膜が薄すぎると処理が安定せず、さら
に、絶縁膜１２としての機能が不十分なためである。

【００６４】初期反射板９の最も膜厚の薄い第１の連結
ブロック５１、次に膜厚の薄い第２の連結ブロック５
２、第３の連結ブロック５３、最も膜厚の厚い第４の連
結ブロック５４となっている。また、各ブロック間は連
結部４１により接続し、３辺あるいは４辺に連結部を設
けている。

【００６５】連結部４１の位置は、各ブロックの近傍で
レーザーにより除去できるため、限定の必要がない。さ
らに、レーザーを利用することにより反射板上に陽極酸
化処理を行いながら連結部４１を除去することが可能と
なる。また、レーザー切断部７６は、液晶表示パネルの
表示部（図示せず）近傍とし、液晶層１０の注入孔（図
示せず）と表示部との間に設け、さらに、注入孔の部分
からずらした位置に設けている。液晶層１０の注入時に
できる限り液晶層１０に触れる頻度をすくなくしてい
る。

【００６６】また、連結ブロックには、陽極酸化用電極
４５、４６、４７、４８、４９を設けている。陽極酸化
用電極４５、４６、４７、４８は、第１の元基板４の一
辺に所定の間隙を配置する。第５の陽極酸化用電極４９
は、前記の陽極酸化用電極を挟んで両側に設けている。
各連結ブロックは相互に連結部４１により接続している
ため、最後まで陽極酸化処理を行う、第５の陽極酸化用
電極４９のみを設けても良いが、反射板１１の膜厚均一
性を重視する。すなわち、陽極酸化膜の膜厚の制御を重
視するため、電圧分布のないために、陽極酸化用電極を
複数箇所に設けている。

【００６７】また、第１の絶縁膜領域６５のレーザー切
断部７６では、切断面には陽極酸化膜は形成されていな
い。第２の絶縁膜領域６６のレーザー切断部７６では、
第１の絶縁膜領域６５側の切断面には絶縁膜が形成でき
る。これは、レーザー切断後に再度陽極酸化処理するた
め、断面に絶縁膜が形成できる。同様に、第３の絶縁膜
領域６７のレーザー切断部７６では、第２の絶縁膜領域
６６側の切断面には絶縁膜が形成できる。また、第５の
陽極酸化用電極のレーザー切断面にも絶縁膜が形成でき
る。

【００６８】以上のように膜厚分布改良前の反射板１１
を複数のブロックに分割し、各ブロックを連結部４１に
て接続を行い、所定膜厚の絶縁膜１２を形成後、連結部
４１のレーザー切断部７６により切断することにより、
簡単に膜厚の異なるブロック毎に分断できる。また、陽
極酸化処理により膜厚分布改良後の反射板１１の膜厚は
非常に均一とすることができる。

【００６９】＜第４の実施形態＞以下に本発明の第４の
実施形態における液晶表示パネルを構成する改良後反射
板について図面を参照しながら説明する。第４の実施形
態の特徴は第１の元基板の反射板の膜厚の異なる領域を
各処理後に分離し、膜厚分布改良後の反射板の膜厚を一
定にする点である。図１０は、本発明の第４の実施形態
における液晶表示パネル用の反射板を複数個配置する元
基板を示す平面図である。なお第１の実施形態と同様な
構成に関しては同一の符号を用いて説明する。

【００７０】まづ第１の基板１上にはアルミニウム膜か
らなる反射板１１を真空スパッタリング法にて設ける。
また、初期反射板の膜厚は、最小膜厚が１５ナノメート
ル（ｎｍ）とする。分布のため、最大膜厚は、２０ナノ
メートル（ｎｍ）であり、透過率差は、４％である。

【００７１】アルミニウム膜を設ける第１の元基板４上
には、初期反射板９の膜厚分布から本第４の実施形態で
は、４つの領域になる。各領域間の初期反射板の膜厚差
は、１ナノメートル（ｎｍ）以下であり、透過率差は、
僅かに１％から１．５％程度となる。本第１の実施形態
では、改良後反射板１１の膜厚を１５ナノメートル（ｎ
ｍ）とするが、初期反射板の膜厚は、最も薄い第１の絶
縁膜領域６５で、２０ナノメートル（ｎｍ）、最も厚い
第４の絶縁膜領域６８で、２５ナノメートル（ｎｍ）を
用いている。理由は、陽極酸化膜が薄すぎると処理が安
定せず、さらに、絶縁膜１２としての機能が不十分なた
めである。

【００７２】各絶縁膜領域６５、６６、６７、６８の間
はレーザー切断領域７７により分離している。すなわ
ち、膜厚分布改良前の反射板１１の全面を第１の陽極酸
化処理電圧により第１の絶縁膜を形成する。ここで、レ
ーザー切断領域７７により第１の絶縁膜領域６５を分離
する。つぎに、第２の陽極酸化処理電圧により第２の絶
縁膜を形成する。ここで、レーザー切断領域７７により
第２の絶縁膜領域６６を分離する。つぎに、第３の陽極
酸化処理電圧により第３の絶縁膜を形成する。ここで、
レーザー切断領域７７により第３の絶縁膜領域６７を分
離する。最後に第４の陽極酸化電圧により第４の絶縁膜
領域に第４の絶縁膜を形成することにより、膜厚分布改
良後の反射板１１は、非常に膜厚の均一な状態とするこ
とができる。

【００７３】また、絶縁膜厚が部分的に異なること、あ
るいはレーザー切断領域の端面で反射板１１に段差が発
生する場合があるが、第１の元基板４と反射板１１上に
例えばポリイミド樹脂を塗布することで、平滑化と絶縁
膜の膜厚差による色彩の差を均一化することが可能とな
る。また、反射板１１の液晶層（図示せず）に面する側
にカラーフィルターを設ける場合には、カラーフィルタ
ーを段差部を覆う形状に形成することにより、段差をな
だらかにすることが可能となり、反射板１１の段差上を
横断する信号電極の断線を防止することができるため有
効である。

【００７４】＜第５の実施形態＞以下に本発明の第５の
実施形態における液晶表示パネルを構成する改良後反射
板について図面を参照しながら説明する。第５の実施形
態の特徴は第１の元基板上に設ける連結ブロック内に複
数の液晶表示パネルを構成する反射板を配置する点であ
る。図１１は、本発明の第５の実施形態における液晶表
示パネル用の反射板を複数個配置する元基板と連結ブロ
ックとを示す平面図である。なお第１の実施形態と同様
な構成に関しては同一の符号を用いて説明する。

【００７５】まづ、第１の基板１上にはアルミニウム膜
からなる反射板１１を真空スパッタリング法にて設け
る。アルミニウム膜は場所により異なるため、複数の連
結ブロックに分け、相互に連結部にて接続する。図１１
は、代表として、第１の連結ブロック５１の部分を示し
ている。第１の連結ブロック５１には、３行２列の液晶
表示パネル用反射板領域７９を配置している。

【００７６】第１の連結ブロック５１内の各液晶表示パ
ネル用反射板領域７９毎の切断は、第１の元基板４と第
２の元基板（図示せず）とを所定の間隙を会してシール
部１８により貼り合せた後に、例えば、各液晶表示パネ
ル毎に切断する。この場合に、反射板１１の切断面がア
ルミニウムとして外部に露出するため、液晶層１１を封
入後、再度反射板１１を陽極酸化処理して反射板１１の
切断面に陽極酸化膜を形成することができる。実際に
は、第１の基板１上に反射板１１を有するため、第２の
基板６から張り出す第１の基板１の部分、例えば信号電
極２に外部から信号を印加するための接続部の外周部の
反射板１１に陽極酸化電圧を印加して強制的に陽極酸化
処理を行う。

【００７７】以上により、元基板から多くの液晶表示パ
ネルを切り出す場合に、連結ブロックを非常に多くする
必要がないため、有効である。また、連結ブロックとせ
ず、レーザー切断部によりブロックを分割する場合に
も、レーザーの切断長さを短くできるため、非常に有効
である。

【００７８】＜第６の実施形態＞以下に本発明の第６の
実施形態における液晶表示パネルを構成する改良後反射
板の製造方法について図面を参照しながら説明する。第
６の実施形態の特徴は第１の元基板上に同心円状に膜厚
分布を有する膜厚分布改良前の反射板を本発明の第６の
実施形態を採用することにより、膜厚分布改良を均一化
する点である。図１２は、本発明の第６の実施形態にお
ける液晶表示パネル用の反射板の膜厚分布を示す平面図
である。図１３は、図１２のＥ−Ｅ線における断面図で
ある。図１４から図１８は反射板の膜厚分布改良を行う
工程を示す断面図である。図１９は、反射板の膜厚分布
改良後の状況を示す断面図である。以下に図１２、１
３、１４、１５、１６、１７、１８と１９とを用いて説
明する。なお第１の実施形態と同様な構成に関しては同
一の符号を用いて説明する。

【００７９】まづ、第１の基板１上にはアルミニウム膜
からなる反射板１１を真空スパッタリング法にて設け
る。アルミニウム膜は場所により膜厚が同心円状に分布
している。そのため、本第６の実施形態では、図１３に
示すように６領域に分割して処理を行う。

【００８０】まづ、図１４に示すように、燐酸アンモニ
ウム水溶液を用いて反射板１１の全面に第１の陽極酸化
電圧を用いて陽極酸化処理を行い、第１の陽極酸化膜を
形成する。つぎに、反射板１１の膜厚の最も薄い第６の
反射板膜厚領域８５上に絶縁性保護シート５７として機
能する光感光性レジストを塗布し、フォトリソ工程を行
い、絶縁性マスクを形成する。

【００８１】つぎに、断面図には図示していないが、燐
酸アンモニウム水溶液を用いて反射板１１の第６の反射
板膜厚領域８６以外に第２の陽極酸化電圧を用いて陽極
酸化処理を行い、第２の陽極酸化膜を形成する。第２の
陽極酸化電圧は、第１の陽極酸化電圧より高くする。

【００８２】つぎに、反射板１１の第５の反射板膜厚領
域８５上に絶縁性保護シート５７として機能する光感光
性レジストを塗布し、フォトリソ工程を行い、絶縁性マ
スクを形成する。第６の反射板膜厚領域８８６に形成し
ている絶縁性マスクは、除去していない。図１５に示す
ように、燐酸アンモニウム水溶液を用いて反射板１１の
第５と第６の反射板膜厚領域８５と８６以外に第３の陽
極酸化電圧を用いて陽極酸化処理を行い、第３の陽極酸
化膜を形成する。第３の陽極酸化電圧は、第２の陽極酸
化電圧より高くする。

【００８３】つぎに、反射板１１の第４の反射板膜厚領
域８４上に絶縁性保護シート５７として機能する光感光
性レジストを塗布し、フォトリソ工程を行い、絶縁性マ
スクを形成する。第５と第６の反射板膜厚領域８５と８
６に形成している絶縁性マスクは、除去していない。

【００８４】図１６に示すように、燐酸アンモニウム水
溶液を用いて反射板１１の第４と第５と第６の反射板膜
厚領域８４、８５と８６以外に第４の陽極酸化電圧を用
いて陽極酸化処理を行い、第４の陽極酸化膜を形成す
る。第４の陽極酸化電圧は、第３の陽極酸化電圧より高
くする。

【００８５】つぎに、反射板１１の第３の反射板膜厚領
域８３上に絶縁性保護シート５７として機能する光感光
性レジストを塗布し、フォトリソ工程を行い、絶縁性マ
スクを形成する。第４と第５と第６の反射板膜厚領域８
４、８５と８６に形成している絶縁性マスクは、除去し
ていない。

【００８６】図１８に示すように、燐酸アンモニウム水
溶液を用いて反射板１１の第３、第４、第５と第６の反
射板膜厚領域８３、８４、８５と８６以外に第５の陽極
酸化電圧を用いて陽極酸化処理を行い、第５の陽極酸化
膜を形成する。第５の陽極酸化電圧は、第４の陽極酸化
電圧より高くする。

【００８７】つぎに、反射板１１の第２の反射板膜厚領
域８２上に絶縁性保護シート５７として機能する光感光
性レジストを塗布し、フォトリソ工程を行い、絶縁性マ
スクを形成する。第３、第４、第５と第６の反射板膜厚
領域８３、８４、８５と８６に形成している絶縁性マス
クは、除去していない。

【００８８】図１８に示すように、燐酸アンモニウム水
溶液を用いて反射板１１の第２、第３、第４、第５と第
６の反射板膜厚領域８２、８３、８４、８５と８６以外
に第６の陽極酸化電圧を用いて陽極酸化処理を行い、第
６の陽極酸化膜を形成する。第６の陽極酸化電圧は、第
５の陽極酸化電圧より高くする。

【００８９】以上の処理方法により完成する膜厚分布改
良後の反射板１１は、図１９に示すように、非常に均一
である。また、各反射板膜厚領域の境界は、絶縁性マス
クへの陽極酸化処理液晶の染み込みにより傾斜の付いた
状態となる。以上の工程により完成する反射板１１を第
２の基板（図示せず）と重ね合わせ、液晶層を注入する
ことにより、液晶表示パネルを形成することが可能とな
る。

【００９０】＜第７の実施形態＞以下に本発明の第７の
実施形態における液晶表示パネルを構成する改良後反射
板の製造方法について図面を参照しながら説明する。第
７の実施形態の特徴は第１の元基板上に同心円状に膜厚
分布を有する膜厚分布改良前の反射板を本発明の第７の
実施形態を採用することにより、膜厚分布改良を均一化
する点である。本第７の実施形態は、第２の実施形態に
て示した構造の製造工程に相当する。図２０は、膜厚分
布改良前の初期の反射板の膜厚分布を示す断面図であ
る。図２１から図２４は反射板の膜厚分布改良を行う工
程を示す断面図である。以下に図２０、２１、２２、２
３と２４とを用いて説明する。なお第１の実施形態と同
様な構成に関しては同一の符号を用いて説明する。

【００９１】まづ、図２０も示すように第１の基板１上
にはアルミニウム膜からなる反射板１１を真空スパッタ
リング法にて設ける。アルミニウム膜は場所により膜厚
が同心円状に分布している。そのため、本第７の実施形
態では、３領域に分割して処理を行う。

【００９２】まづ、図２１に示すように、燐酸アンモニ
ウム水溶液を用いて反射板１１の全面に第１の陽極酸化
電圧を用いて陽極酸化処理を行い、第１の陽極酸化膜を
形成する。つぎに、図２２に示すように第１の反射板膜
厚領域８１の周囲をアルゴン（Ａｒ）レーザーによりレ
ーザー切断部７６により分離する。

【００９３】つぎに、図２３に示すように、燐酸アンモ
ニウム水溶液を用いて反射板１１の第１の反射板膜厚領
域８１以外に第２の陽極酸化電圧を用いて陽極酸化処理
を行い、第２の陽極酸化膜を形成する。第２の陽極酸化
電圧は、第１の陽極酸化電圧より高くする。

【００９４】つぎに、図２４に示すように第２の反射板
膜厚領域８２の周囲をアルゴン（Ａｒ）レーザーにより
レーザー切断部７６により分離する。さらに、燐酸アン
モニウム水溶液を用いて反射板１１の第１と第２の反射
板膜厚領域８１と８２以外に第３の陽極酸化電圧を用い
て陽極酸化処理を行い、第３の陽極酸化膜を形成する。
第３の陽極酸化電圧は、第２の陽極酸化電圧より高くす
る。

【００９５】以上により、膜厚分布改良前の反射板に比
較して非常に膜厚の均一性を向上でき、さらに、半透過
反射型液晶表示装置に使用する液晶表示パネルの透過率
の均一性、反射率の均一性の向上により、表示品質の均
一性を大きく改善できる。

【００９６】

【発明の効果】本発明の液晶表示パネルは、反射板上
に、反射板の材料を絶縁処理してなる絶縁膜を設け、絶
縁膜の膜厚を制御することにより、反射板の膜厚を制御
することが可能となる。

【００９７】本発明の液晶表示パネルに用いる反射板
は、初期反射板を複数のブロックに分類し、同一膜厚の
ブロックをグループ化する。同一膜厚のグループ毎に絶
縁膜処理を可変し、絶縁膜の膜厚を制御することによ
り、残りの反射板（改良後反射板）の膜厚の制御が可能
となる。そのため、成膜時に発生する初期反射板に膜厚
分布が発生しても、使用時の反射板（改良後反射板）の
膜厚を再制御でき、均一な反射板の膜厚を達成すること
ができる。

【００９８】成膜時の反射板（初期反射板）の膜厚分布
は概ね一定であるため、同一膜厚のグループ構成は、ほ
ぼ同一のパターンを使用することができる。グループ構
成は、初期反射板をブロックにパターン形成し、同一膜
厚のブロックを連結部にて連結して連結ブロックとする
方式を採用する。連結ブロック毎に異なる陽極酸化電圧
を印加することにより異なる陽極酸化膜が形成でき、結
果として初期の異なる反射板の膜厚が改良後反射板とし
ては均一化できる。

【００９９】グループ化の別の方式としては、初期反射
板をブロックにパターン形成し、全てのブロックを連結
部にて連結し、一個の複合連結ブロックとし、まず小さ
い陽極酸化電圧で処理を行い、最も薄い領域の反射板の
ブロック部に相当する連結部を除去する。除去の方法
は、レーザー光線、あるいは物理的処方を採用する。次
に少し大きい陽極酸化電極名で処理を行い、最初の反射
板の膜厚と同等に処理されたブロック部の連結部を除去
する。この工程を複数回繰り返すことにより、改良後反
射板の膜厚を均一にすることができる。

【０１００】グループ化の別の方式としては、初期反射
板上に絶縁性保護シートを接着して、まず、最も小さい
第１の電圧で陽極酸化を行う。最も初期反射板の膜厚が
薄く、かつ第１の電圧で陽極酸化処理を行った領域に絶
縁性保護シートを塗布する。次に絶縁性保護シートの塗
布していない領域を第１の電圧より大きい第２の電圧で
陽極酸化を行う。露出している領域で最も初期反射板の
膜厚が薄い領域に絶縁性保護シートを塗布する。露出部
を第３の電圧で陽極酸化を行う。これを繰り返し行うこ
とで最終的な反射板の膜厚を均一にできる。また、陽極
酸化を行う電圧は、第１の電圧が最も小さく、第２の電
圧、第３の電圧と大きくする。

【０１０１】また、膜厚を均一化処理した反射板上に
は、カラーフィルターを設ける。例えば、アルミニウム
等の化学処理に弱い材質の反射板上に、膜厚制御用の絶
縁膜を設けることにより、カラーフィルターを形成する
工程での反射板の劣化を防止することができる。また、
反射板と絶縁膜上にカラーフィルターを設けることによ
り、さらに、透明導電膜である酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）膜のパターン形成工程での反射板の劣化を防止で
きるため、非常に有効である。

【０１０２】また、膜厚の制御用の絶縁膜上に保護用絶
縁膜を設けることにより、絶縁膜のピンホール部、ある
いは連結部の断面等の絶縁膜が被覆できていない部分に
おいて、後処理工程で発生する劣化を防止することが可
能となり、非常に有効である。また、反射板上に設ける
絶縁膜の膜厚の差（干渉色）による色見の差を低減する
ことができるため有効である。

【０１０３】また、反射板上には、絶縁膜を形成するた
め、例えばアルミニウム膜を反射板材料として使用する
場合には、アルミニウム膜はカラーフィルターを形成す
る工程の化学処理工程により、簡単に腐食、あるいは除
去されてしまうが、アルミニウム膜の陽極酸化膜により
反射板の表面が化学的に非常に安定にできる。カラーフ
ィルターを形成する工程、あるいは透明導電膜をパター
ン形成する工程に対して非常に有効である。反射板上に
陽極酸化膜を形成する工程のみではなく、本発明では、
初期反射板の膜厚が厚い領域では、陽極酸化膜厚を厚く
し、液晶表示パネルで使用する反射板（改良後反射板）
の膜厚を薄くして改良後反射板を所定の膜厚に制御す
る。逆に初期反射板の膜厚の薄い領域では、陽極酸化膜
厚を薄くして、改良後反射板の膜厚を所定の膜厚に制御
する。

【０１０４】そのため、本発明の特徴は、反射板上に絶
縁膜を形成して、反射板上に形成する機能膜等の処理を
容易にすることと、液晶表示パネルに使用する反射板
（改良後反射板）の膜厚を制御している作用の２種類を
同時に達成している点である。そのため、単純に反射板
上に絶縁膜を形成する手法とは、作用として大きく異な
る。

【０１０５】また、改良後反射板（半透過反射板）の膜
厚の均一性を達成する方法は、第１の元基板から複数個
の液晶表示パネル用の第１の基板を作成する際に、第１
の元基板の初期反射板の膜厚の近いものをブロック分け
し、ブロック毎に処理を行う。処理法としては、陽極酸
化法、真空プラズマ処理法、ランプ（レーザー）処理法
があり、反射板の材質によるが、陽極酸化法が簡便であ
る。

【０１０６】また、１個の液晶表示パネルに使用する初
期反射板の膜厚を、初期反射板上に絶縁膜を形成するこ
とにより、液晶表示パネル内の改良後反射板の特性を均
一化することができる。そのため、反射率と透過率の均
一化が可能となる。

【０１０７】また、本発明の改良後反射板を作成する工
程は、液晶表示パネルの液晶層に面する側に配置する改
良後反射板のみではなく、液晶表示パネルの液晶層と反
対の面に設ける改良後反射板、あるいは、液晶表示パネ
ルと別体に設ける改良後反射板においても有効である。
すなわち、半透過反射板の製造方法として有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示パネルの平面構造を示す図で
ある。

【図２】本発明の液晶表示パネルの断面構造を示す図で
ある。

【図３】本発明の第１の実施形態における液晶表示パネ
ルに用いる第１の元基板と反射板を示す平面図である。

【図４】本発明の第１の実施形態における液晶表示パネ
ルに用いる第１の元基板と反射板を示す断面図である。

【図５】本発明の第１の実施形態における液晶表示パネ
ルに用いる反射板の膜厚分布改良前と膜厚分布改良後の
膜厚分布を示すグラフである。

【図６】本発明の第２の実施形態における液晶表示パネ
ルに用いる第１の元基板と反射板を示す平面図である。

【図７】本発明の第２の実施形態における液晶表示パネ
ルに用いる第１の元基板と反射板を示す断面図である。

【図８】本発明の第３の実施形態における液晶表示パネ
ルに用いる第１の元基板と反射板を示す平面図である。

【図９】本発明の第３の実施形態における液晶表示パネ
ルに用いる第１の元基板と反射板を示す断面図である。

【図１０】本発明の第４の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる第１の元基板と反射板を示す平面図であ
る。

【図１１】本発明の第５の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる第１の元基板と反射板を示す平面図であ
る。

【図１２】本発明の第６の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる膜厚分布改良前の反射板の膜厚分布を示す
平面図である。

【図１３】本発明の第６の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる膜厚分布改良前の反射板の膜厚分布を示す
断面図である。

【図１４】本発明の第６の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる反射板の膜厚分布改良工程を示す断面図で
ある。

【図１５】本発明の第６の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる反射板の膜厚分布改良工程を示す断面図で
ある。

【図１６】本発明の第６の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる反射板の膜厚分布改良工程を示す断面図で
ある。

【図１７】本発明の第６の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる反射板の膜厚分布改良工程を示す断面図で
ある。

【図１８】本発明の第６の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる反射板の膜厚分布改良工程を示す断面図で
ある。

【図１９】本発明の第６の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる反射板の膜厚分布改良後を示す断面図であ
る。

【図２０】本発明の第７の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる膜厚分布改良前の反射板の膜厚分布を示す
断面図である。

【図２１】本発明の第７の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる反射板の膜厚分布改良工程を示す断面図で
ある。

【図２２】本発明の第７の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる反射板の膜厚分布改良工程を示す断面図で
ある。

【図２３】本発明の第７の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる反射板の膜厚分布改良工程を示す断面図で
ある。

【図２４】本発明の第７の実施形態における液晶表示パ
ネルに用いる反射板の膜厚分布改良後を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 第１の基板 ２ 信号電極 ４ 第１の元基板 ６ 第２の基板 ７ データー電極 １０ 液晶層 １１ 反射板 １２ 絶縁膜 １５ 赤カラーフィルター １６ 緑カラーフィルター １７ 青カラーフィルター １８ シール部 １９ 導電粒 ２１ 接続電極 ２５ 注入孔 ２６ 封孔部 ２７ 画素部 ３１ 第１の絶縁膜厚さ部 ３２ 第２の絶縁膜厚さ部 ３５ 第１の境界部 ３６ 第２の境界部 ３７ 第３の強化位置合わせ部 ４１ 連結部 ４２ 連結切断部 ４５ 第１の陽極酸化用電極 ５１ 第１の連結ブロック ５７ 絶縁性保護シート ６０ 第１の絶縁膜厚 ７１ 反射板膜厚特性曲線Ｘ ７６ レーザー切断部 ７８ レーザー切断領域

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板上に設ける信号電極と、第２
   の基板上に設けるデーター電極と、第１の基板と第２の
   基板との間に封入する液晶とを備え、信号電極とデータ
   ー電極との交点に複数の画素部を有し、各画素部に電圧
   を印加し液晶の光学特性変化を利用し表示を行う液晶表
   示パネルを有する液晶表示パネルにおいて、第１の基板
   あるいは第２の基板上の液晶層に面する側に反射板を有
   し、前記反射板には、絶縁膜を有し、前記反射板の厚さ
   は場所によらずほぼ一定であり、該反射板上に設ける絶
   縁膜の厚さが場所により異なることを特徴とする液晶表
   示パネル。
2. 【請求項２】 第１の基板上に設ける信号電極と、第２
   の基板上に設けるデーター電極と、第１の基板と第２の
   基板との間に封入する液晶とを備え、信号電極とデータ
   ー電極との交点に複数の画素部を有し、各画素部に電圧
   を印加し液晶の光学特性変化を利用し表示を行う液晶表
   示パネルを有する液晶表示パネルにおいて、第１の基板
   あるいは第２の基板上の液晶層に面する側に反射板を有
   し、前記反射板には、反射板を構成する材料の絶縁膜を
   有し、前記絶縁膜の厚さが場所により異なることを特徴
   とする液晶表示パネル。
3. 【請求項３】 複数の液晶表示パネルを同一基板上に設
   ける第１の基板あるいは第２の基板からなる元基板上に
   は、複数の反射板のブロックを有し、該反射板のブロッ
   クは複数個が相互に連結部により接続した連結ブロック
   を有し、さらに連結ブロックが複数個あり、該反射板の
   ブロック部に、第１の基板上に設ける信号電極と、第２
   の基板上に設けるデーター電極と、第１の基板と第２の
   基板との間に封入する液晶とを備え、前記反射板には、
   反射板を構成する材料の絶縁膜を有することを特徴とす
   る液晶表示パネル。
4. 【請求項４】 複数の液晶表示パネルを同一基板上に設
   ける第１の基板あるいは第２の基板からなる元基板上に
   は、複数の反射板のブロックを有し、該反射板のブロッ
   クは複数個が相互に連結部により接続した連結ブロック
   を有し、さらに連結ブロックが複数個あり、前記連結ブ
   ロック毎に反射板上に設ける絶縁膜の膜厚が異なること
   を特徴とする請求項２に記載する液晶表示パネル。
5. 【請求項５】 前記反射板上に設ける絶縁膜は、反射板
   を構成する材料の陽極酸化膜であることを特徴とする請
   求項１乃至３のいずれかに記載する液晶表示パネル。
6. 【請求項６】 前記反射板は少なくとも透過性を有する
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載する
   液晶表示パネル。
7. 【請求項７】 前記反射板上に設ける絶縁膜上には、前
   記絶縁膜と異なる保護用絶縁膜を有することを特徴とす
   る請求項１乃至５のいずれかに記載する液晶表示パネ
   ル。
8. 【請求項８】 前記反射板上に設ける絶縁膜上には、カ
   ラーフィルターを有することを特徴とする請求項１乃至
   ６のいずれかに記載する液晶表示パネル。
9. 【請求項９】 前記反射板の切断断面部、または、外周
   部には、絶縁膜を形成するための領域を第１の基板上
   で、第２の基板との重なり合う外側に設けることをこと
   を特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載する液晶
   表示パネル。
10. 【請求項１０】 前記反射板の膜厚が信号電極とデータ
    ー電極との交点に設ける画素部の集合体である表示領域
    と、その周囲とでは異なることを特徴とする請求項１乃
    至９のいずれかに記載する液晶表示パネル。
11. 【請求項１１】 第１の基板上に陽極酸化性を有する反
    射板を形成する工程と、反射板の膜厚のほぼ等しいブロ
    ックを相互に連結部により連結する連結ブロックと、連
    結ブロック毎に異なる膜厚の絶縁膜を形成する工程を少
    なくとも有することを特徴とする液晶表示パネルの製造
    方法。
12. 【請求項１２】 第１の基板上に陽極酸化性を有する反
    射板を形成する工程と、反射板の膜厚のほぼ等しいブロ
    ックを相互に連結部により連結する連結ブロックと、膜
    厚の異なる連結ブロックを分離する工程と、反射板を陽
    極酸化処理を行い、異なる膜厚の反射板を同一の膜厚と
    するために、連結ブロック毎に異なる電圧により反射板
    上に陽極酸化膜を形成する工程を少なくとも有すること
    を特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
13. 【請求項１３】 第１の基板上に陽極酸化性を有する反
    射板を形成する工程と、反射板の膜厚のほぼ等しいブロ
    ックを相互に連結する絶縁性保護シートを塗布する工程
    と、反射板を陽極酸化処理を行い、異なる膜厚の反射板
    を同一の膜厚とするために、まづ、反射板の膜厚が最も
    厚い反射板上に陽極酸化膜を形成する工程と、次に膜厚
    の厚い反射板上の絶縁性保護シートを除去する工程と、
    陽極酸化処理を行う工程と、次に膜厚の厚い反射板上の
    絶縁性保護シートを除去する工程と、陽極酸化処理を行
    う工程とを繰り返し行う工程とを有することを特徴とす
    る液晶表示パネルの製造方法。
14. 【請求項１４】 前記反射板上に設ける絶縁膜上にカラ
    ーフィルターを形成する工程とカラーフィルター上に透
    明導電膜を形成し、透明導電膜からなる信号電極を形成
    する工程とを少なくとも有することを特徴とする請求項
    １１乃至１３のいずれかに記載する液晶表示パネルの製
    造方法。
15. 【請求項１５】 前記反射板上に設ける絶縁膜上には、
    絶縁膜の膜厚を補正するための保護用絶縁膜を形成する
    工程と、該保護用絶縁膜上にカラーフィルターを形成す
    る工程とカラーフィルター上に透明導電膜を形成し、透
    明導電膜からなる信号電極を形成する工程とを少なくと
    も有することを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれ
    かに記載する液晶表示パネルの製造方法。