JPS62240933A - 液晶表示パネルの製造法 - Google Patents
液晶表示パネルの製造法Info
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- JPS62240933A JPS62240933A JP61085337A JP8533786A JPS62240933A JP S62240933 A JPS62240933 A JP S62240933A JP 61085337 A JP61085337 A JP 61085337A JP 8533786 A JP8533786 A JP 8533786A JP S62240933 A JPS62240933 A JP S62240933A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶表示パネル（以下、ＬＣＤパネルと略称す
る。）、特にＴＰＴ等を用いたアクティブマドＩＪック
ス方式の大型Ｌａｎｄ示パネルの製造法に関するもので
ある。
る。）、特にＴＰＴ等を用いたアクティブマドＩＪック
ス方式の大型Ｌａｎｄ示パネルの製造法に関するもので
ある。
従来の技術
ＴＰＴ等を用いたアクティブマトリ、ソクス方式ＬＣＤ
パネルは、第４図、第５図に示すように、主面上に透明
な画素電極２、同画素電極２を制御−するＴＰＴ等の制
御素子３、さらに制御素子群を選択下動するための走査
信号線パターン４、及び画像信号線パターン６を有する
ガラス等からなる透明主基板１と、ガラス等の透明基板
の主面全域に透明導電性膜、所謂ＩＴＯ膜６を被着した
共通電極用透明基板７を１０μｍ前後の間隔で近接配置
し、両基板１．アの間隙部８に液晶９を注入封止するこ
とによって得ている。なお、図中において１０はカラー
表示パネルの場合のカラーフィルター、１１．１２はそ
れぞれ定食信号線パターン４及び画像信号線パターン５
の外部引き出し用電極端子部である。
パネルは、第４図、第５図に示すように、主面上に透明
な画素電極２、同画素電極２を制御−するＴＰＴ等の制
御素子３、さらに制御素子群を選択下動するための走査
信号線パターン４、及び画像信号線パターン６を有する
ガラス等からなる透明主基板１と、ガラス等の透明基板
の主面全域に透明導電性膜、所謂ＩＴＯ膜６を被着した
共通電極用透明基板７を１０μｍ前後の間隔で近接配置
し、両基板１．アの間隙部８に液晶９を注入封止するこ
とによって得ている。なお、図中において１０はカラー
表示パネルの場合のカラーフィルター、１１．１２はそ
れぞれ定食信号線パターン４及び画像信号線パターン５
の外部引き出し用電極端子部である。
発明が解決しようとする問題点
ＬＣＤパネルに用いる透明な対向共通電極は、一般的に
は前述のように透明基板７上に透明導電性薄膜としてＩ
ＴＯＴａＯ２用するが、このＩＴＯ膜ｅは光透過性を考
慮した場合薄く形成することが好ましく、通常１００人
〜１０００人程度の膜厚で形成してあり、そのシート抵
抗は数１０〜数１００Ω／口程度である。また、対向共
通電極であるＩＴＯＴａＯ２部回路との接続電極部分は
、ＬＣＤパネルの構成上、そのパネルのコーナ部分等の
隅部に設けられることが多い。
は前述のように透明基板７上に透明導電性薄膜としてＩ
ＴＯＴａＯ２用するが、このＩＴＯ膜ｅは光透過性を考
慮した場合薄く形成することが好ましく、通常１００人
〜１０００人程度の膜厚で形成してあり、そのシート抵
抗は数１０〜数１００Ω／口程度である。また、対向共
通電極であるＩＴＯＴａＯ２部回路との接続電極部分は
、ＬＣＤパネルの構成上、そのパネルのコーナ部分等の
隅部に設けられることが多い。
ＬＣＤパネルのサイズが小さい場合には、上記のような
方法で対向共通電極を構成しても、ＩＴＯ膜６内での拡
がり抵抗の影響は実用上差し障りはないが、ｈＣｎパネ
ルのサイズが大型化するに従って、ＩＴＯ膜６内におけ
る拡がり抵抗が画像品質に悪影響を及ぼす要因となる。
方法で対向共通電極を構成しても、ＩＴＯ膜６内での拡
がり抵抗の影響は実用上差し障りはないが、ｈＣｎパネ
ルのサイズが大型化するに従って、ＩＴＯ膜６内におけ
る拡がり抵抗が画像品質に悪影響を及ぼす要因となる。
即ち、外部回路接続電極部の近傍と、回部から最も離れ
た部位では膜抵抗が異なり、上記ＩＴＯ膜６を対向共通
電極とした場合同膜面内の電位に差が生じ、Ｉ、ＣＤパ
ネル内の各単位画素部の表示特性に差異ができ、均一な
画素像を有するＬＣＤパネルの提供に支障をきたすこと
になる。特に、第６図のように複数枚の大型のＬＣＤパ
ネル１３を用い、ＬＣ，Ｄパネル相互間を電気的物理的
に接合し、接合後に外周部位にある電極端子部１１．１
２．及び対向共通電極の外部接続用端子部１４を、外部
制御駆動回路と接続して構成する超大型ＬＣＤ表示シス
テムでは、その構成上対向共通電極の外部接続部位が限
定されるため、前述のＩＴＯＴａＯ２抵抗がより大きな
問題となる。
た部位では膜抵抗が異なり、上記ＩＴＯ膜６を対向共通
電極とした場合同膜面内の電位に差が生じ、Ｉ、ＣＤパ
ネル内の各単位画素部の表示特性に差異ができ、均一な
画素像を有するＬＣＤパネルの提供に支障をきたすこと
になる。特に、第６図のように複数枚の大型のＬＣＤパ
ネル１３を用い、ＬＣ，Ｄパネル相互間を電気的物理的
に接合し、接合後に外周部位にある電極端子部１１．１
２．及び対向共通電極の外部接続用端子部１４を、外部
制御駆動回路と接続して構成する超大型ＬＣＤ表示シス
テムでは、その構成上対向共通電極の外部接続部位が限
定されるため、前述のＩＴＯＴａＯ２抵抗がより大きな
問題となる。
この問題を解決するための手段として、ＩＴＯＴａＯ２
−ト抵抗を下げることが考えられる。しかし、シート抵
抗を下げるためにはＩＴＯＴａＯ２厚を厚くするか、も
しくはＩＴＯＴａＯ２成即ち膜質を変える等の方策を講
じる必要があり、何れの場合にも通常はＩＴＯＴａＯ２
透過率を下げるため、透明導電性膜としての一方の機能
を損なうことになる。
−ト抵抗を下げることが考えられる。しかし、シート抵
抗を下げるためにはＩＴＯＴａＯ２厚を厚くするか、も
しくはＩＴＯＴａＯ２成即ち膜質を変える等の方策を講
じる必要があり、何れの場合にも通常はＩＴＯＴａＯ２
透過率を下げるため、透明導電性膜としての一方の機能
を損なうことになる。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、光の透過領域に
位置する対向共通透明電極のＩＴＯ膜の膜厚は薄く形成
し、非透過領域部のＩＴＯ膜層は厚く形成して低抵抗化
を図った言わば２層構造の製造法により対向共通透明電
極を形成することで、ＩＴＯＩ漠内の面抵抗の低下を図
っている。なお、この選択的に形成する低抵抗ＩＴＯ層
の平面形状は、ＬＣＤパネルの主基板上に形成したＴＰ
Ｔ等の制御素子、あるいはＸ列及びＹ行の制御配線バタ
ーン、もしくはカラーフィルターの非透光部、所謂ブラ
・ツクマトリックスパターンの形状と同一形状で形成し
である。
位置する対向共通透明電極のＩＴＯ膜の膜厚は薄く形成
し、非透過領域部のＩＴＯ膜層は厚く形成して低抵抗化
を図った言わば２層構造の製造法により対向共通透明電
極を形成することで、ＩＴＯＩ漠内の面抵抗の低下を図
っている。なお、この選択的に形成する低抵抗ＩＴＯ層
の平面形状は、ＬＣＤパネルの主基板上に形成したＴＰ
Ｔ等の制御素子、あるいはＸ列及びＹ行の制御配線バタ
ーン、もしくはカラーフィルターの非透光部、所謂ブラ
・ツクマトリックスパターンの形状と同一形状で形成し
である。
作用
本製造法により製造した対向共通透明電極用ＩＴＯ膜は
画素表示領域、即ち透光部は透過率を重視した薄層ＩＴ
Ｏ膜が、非透光部には導電性を重視した厚い膜厚のＩＴ
Ｏ膜を形成した構造となるため、この対向共通透明電極
全体の面抵抗を下げ得ると共に透光領域の透過率を低下
せしめない、換言すれば損失の少ない透過型Ｉ、ＣＤパ
ネルを提供することができることとなる。
画素表示領域、即ち透光部は透過率を重視した薄層ＩＴ
Ｏ膜が、非透光部には導電性を重視した厚い膜厚のＩＴ
Ｏ膜を形成した構造となるため、この対向共通透明電極
全体の面抵抗を下げ得ると共に透光領域の透過率を低下
せしめない、換言すれば損失の少ない透過型Ｉ、ＣＤパ
ネルを提供することができることとなる。
実施例
第１図は本発明の製造法により構成したＬＣＤパイ・ル
の完成時の断面構造を示す部分断面拡大図である。また
、第２図人〜Ｄは本発明の対向共通透明電極の製造法を
示す断面拡大略図である。なお、各図面はそれぞれ説明
の便宜上、寸法は任意に拡大しである。また、従来例と
同一箇所には同一番号を付しである。
の完成時の断面構造を示す部分断面拡大図である。また
、第２図人〜Ｄは本発明の対向共通透明電極の製造法を
示す断面拡大略図である。なお、各図面はそれぞれ説明
の便宜上、寸法は任意に拡大しである。また、従来例と
同一箇所には同一番号を付しである。
以下、図面により詳述する。
１ず、第２図人のように共通電極用透明電極了の主面に
は透明な対向共通電極としてＩＴＯＴｅＯ２面に数１ｏ
ＯｏÅ以上の膜厚で被着する。次に、第２図Ｂのように
通常の写真食刻プロセスと同様の手法により上記ＩＴＯ
膜６上にホトレジストパターン１５を形成する。この時
、ホトレジストパターン１６のパターン巾Ｗｉは、第１
図（第６図）に示す主基板１上に形成したＴＰＴ等の制
御素子３を含むＸ列及びＹ行の制御配線パターンが形成
する非透光部の巾Ｗｐ、あるいはカラーフィルター１０
のグラ。ツクストライプ１６の巾ｗｂと同等、もしくは
Ｗｐ 、 Ｗｂ ） Ｗｉに設定する。
は透明な対向共通電極としてＩＴＯＴｅＯ２面に数１ｏ
ＯｏÅ以上の膜厚で被着する。次に、第２図Ｂのように
通常の写真食刻プロセスと同様の手法により上記ＩＴＯ
膜６上にホトレジストパターン１５を形成する。この時
、ホトレジストパターン１６のパターン巾Ｗｉは、第１
図（第６図）に示す主基板１上に形成したＴＰＴ等の制
御素子３を含むＸ列及びＹ行の制御配線パターンが形成
する非透光部の巾Ｗｐ、あるいはカラーフィルター１０
のグラ。ツクストライプ１６の巾ｗｂと同等、もしくは
Ｗｐ 、 Ｗｂ ） Ｗｉに設定する。
また、パターンピッチＰｉは同じく主基板１上のＸ列及
びＹ行の制御配線パターンのピッチＰＩｔＰ２ （第５
図）と同一となるように、換言すれば第５図の主基板１
上の平面パターン形状と同一形状の格子状パターンをホ
トレジストパターン１６で形成する。
びＹ行の制御配線パターンのピッチＰＩｔＰ２ （第５
図）と同一となるように、換言すれば第５図の主基板１
上の平面パターン形状と同一形状の格子状パターンをホ
トレジストパターン１６で形成する。
次に、第２図Ｃのようにホトレジストパターン１５をマ
スクとして透光領域となる部位のＩＴＯＴｅＯ２厚を選
択的に減少せしめ、凹部位ＩＴＯ膜を１０００Å以下の
膜厚の薄膜層ＩＴＯ膜６ム化した後、ホトレジストパタ
ーン１６を除去すればＩＴＯＴｅＯ２２図りのように、
光透過を重視した薄膜層のＩＴＯ膜６人、領域と導電性
を重視した厚膜層のＩＴＯ膜６領域の２層からなるＩＴ
Ｏ膜電極とすることができる。
スクとして透光領域となる部位のＩＴＯＴｅＯ２厚を選
択的に減少せしめ、凹部位ＩＴＯ膜を１０００Å以下の
膜厚の薄膜層ＩＴＯ膜６ム化した後、ホトレジストパタ
ーン１６を除去すればＩＴＯＴｅＯ２２図りのように、
光透過を重視した薄膜層のＩＴＯ膜６人、領域と導電性
を重視した厚膜層のＩＴＯ膜６領域の２層からなるＩＴ
Ｏ膜電極とすることができる。
尚、格子状の低抵抗化ＩＴＯ膜（薄膜層）６人は上記の
例のように格子状に配置する以外に、ＬＣＤパネルの形
状に応じて縦あるいは横の縞状に配置したものであって
もよい。
例のように格子状に配置する以外に、ＬＣＤパネルの形
状に応じて縦あるいは横の縞状に配置したものであって
もよい。
以上のようにして製造した透明対向共通電極（ＩＴＯ膜
）６．６人を有する共通電極用透明基板７を、第１図に
示すようにスペーサ１７を介して１０μｍ程度の間隙で
機能素子をその主面に形成しである透明主基板１上に近
接載置し、同間隙部８に液晶９を注入封止することによ
りＬＣＤパネルが得られる。第１図でも明らかなように
本発明の製造法による共通電極用透明基板７を用いたＬ
ＣＤパネルでは、光源（図示せず）からの透過光１８を
制御する画素領域１９の透明対向共通電極のＩＴＯ膜６
人は薄いため、回部での透過光の吸収による損失を低く
することができると共に、制御素子３部等が形成する非
透過領域２ｏに対向する部位のＩＴＯＴｅＯ２膜の低抵
抗化層として形成しであるため、透明対向共通電極膜の
面抵抗は低くすることができる。
）６．６人を有する共通電極用透明基板７を、第１図に
示すようにスペーサ１７を介して１０μｍ程度の間隙で
機能素子をその主面に形成しである透明主基板１上に近
接載置し、同間隙部８に液晶９を注入封止することによ
りＬＣＤパネルが得られる。第１図でも明らかなように
本発明の製造法による共通電極用透明基板７を用いたＬ
ＣＤパネルでは、光源（図示せず）からの透過光１８を
制御する画素領域１９の透明対向共通電極のＩＴＯ膜６
人は薄いため、回部での透過光の吸収による損失を低く
することができると共に、制御素子３部等が形成する非
透過領域２ｏに対向する部位のＩＴＯＴｅＯ２膜の低抵
抗化層として形成しであるため、透明対向共通電極膜の
面抵抗は低くすることができる。
さらに、より簡易化した構成の実施例としては、共通電
極用透明基板７の主面全域に１０００Å以下のＩＴＯ膜
を形成し、このＩＴＯ膜の外周辺域、即ち共通電極用透
明基板７の外周辺部の光の非透過領域部には、数１００
０Å以上の膜厚の高導電性ＩＴＯ膜層を形成した２層構
造のＩＴＯ膜電極となすことにより、前述の実施例１．
２に比較すれば、面抵抗は高くなるが、外周部に高導電
性電極を有する構造の共通電極用透明電極となるため、
従来例に比較して膜面抵抗は減少し、画質の向上を図る
ことができる。
極用透明基板７の主面全域に１０００Å以下のＩＴＯ膜
を形成し、このＩＴＯ膜の外周辺域、即ち共通電極用透
明基板７の外周辺部の光の非透過領域部には、数１００
０Å以上の膜厚の高導電性ＩＴＯ膜層を形成した２層構
造のＩＴＯ膜電極となすことにより、前述の実施例１．
２に比較すれば、面抵抗は高くなるが、外周部に高導電
性電極を有する構造の共通電極用透明電極となるため、
従来例に比較して膜面抵抗は減少し、画質の向上を図る
ことができる。
第３図人−Σは本発明の池の実施例の対向共通電極（Ｉ
ＴＯ膜６）の製造法を示す断面略図である。
ＴＯ膜６）の製造法を示す断面略図である。
まず、共通電極用透明基板７の主面全面にＩＴＯ膜６を
数１ｏｏｏÅ以上の膜厚で被着する。（第３図人）次に
、先の実施例と同様に上記ＩＴＯ膜６上に所定のパター
ン形状によるホトレジストパターン１３を形成しく第３
図Ｂ）、同ホトレジストパターン１３をマスクとしてＩ
ＴＯ膜６を工ｌチングした後（第３図Ｃ）、ホトレジス
トパターン１３を除去し主面上に所定の形状の厚膜ＩＴ
Ｏ膜６パターンを形成する。（第３図Ｄ）しかる後、再
度共通電極用透明基板７の主面にＩＴＯ膜６人を数１０
０人〜１０００人程度の膜厚で全面に被着すれば、第３
図Ｅのように共通電極用透明基板子の主面上には膜厚の
異なる２種のＩＴＯ膜６．６ムが形成される。そして、
以降筒１の実施例と同様に上記共通電極用透明基板７を
用いてＬＣＤパネルを製造すれば、先の実施例と同じ効
果を持つ１ＬｃＤパネルと為すことができる。
数１ｏｏｏÅ以上の膜厚で被着する。（第３図人）次に
、先の実施例と同様に上記ＩＴＯ膜６上に所定のパター
ン形状によるホトレジストパターン１３を形成しく第３
図Ｂ）、同ホトレジストパターン１３をマスクとしてＩ
ＴＯ膜６を工ｌチングした後（第３図Ｃ）、ホトレジス
トパターン１３を除去し主面上に所定の形状の厚膜ＩＴ
Ｏ膜６パターンを形成する。（第３図Ｄ）しかる後、再
度共通電極用透明基板７の主面にＩＴＯ膜６人を数１０
０人〜１０００人程度の膜厚で全面に被着すれば、第３
図Ｅのように共通電極用透明基板子の主面上には膜厚の
異なる２種のＩＴＯ膜６．６ムが形成される。そして、
以降筒１の実施例と同様に上記共通電極用透明基板７を
用いてＬＣＤパネルを製造すれば、先の実施例と同じ効
果を持つ１ＬｃＤパネルと為すことができる。
発明の効果
従来のＩＴＯ薄膜層のみの透明対向共通電極では、その
ＩＴＯ薄膜層のシート抵抗の関係上、基板が大型化する
に従って電極抵抗が増大したが、本発明の製造法による
ＩＴＯ膜を主面に被着せしめた透明対向共通電極基板を
用いたＬＣＤパネルでは、非画素領域に対向する部位の
ＩＴＯ膜層の低抵抗化を図っているため、画素領域の開
孔率及び透過率を損なうことなく、同基板の面抵抗を下
げることができ、電位分布の不均一性に伴う画像品質の
低下を抑制する効果がある。
ＩＴＯ薄膜層のシート抵抗の関係上、基板が大型化する
に従って電極抵抗が増大したが、本発明の製造法による
ＩＴＯ膜を主面に被着せしめた透明対向共通電極基板を
用いたＬＣＤパネルでは、非画素領域に対向する部位の
ＩＴＯ膜層の低抵抗化を図っているため、画素領域の開
孔率及び透過率を損なうことなく、同基板の面抵抗を下
げることができ、電位分布の不均一性に伴う画像品質の
低下を抑制する効果がある。
第１図は本発明の製造法によるＩ、ＣＤパネル完成時の
断面拡大略図、第２図人〜Ｄは本発明による対向共通電
極用透明基板の製造法をしめず断面拡大略図、第３図人
−Ｅは本発明の他の実施例による対向共通電極用透明
基板の製造法をしめず断面拡大略図、第４図は従来例に
よるＬＣＩ）パネルの断面拡大略図、第６図はＬＣＤパ
ネルの主基板、の平面形状例を示す平面略図、第６図は
複数枚ＬＣＤパネルを貼り合わせた構成の大型表示パ坏
ルの概念を示す斜視略図である。 １・・・・・・透明主基板、２・・・・・・画素電極、
３・・・・・・ＴＦＴ等の制御素子、４・・・・・・定
食信号パターン、６・・・・・・画像信号パターン、６
．６人・・・・・・透明導電性膜（ＩＴＯ膜）、７・・
・・−・共通電極用透明基板、８・・・・・・間隙部、
９・・・・・・液晶、１ｏ・・・・・・カラーフィルタ
ー、１１・・・・・・走査信号パターン引出し電極端子
部、１２・・・・・・画像信号パターン引出し電極端子
部、１３・・・・・・マルチパネルＬＣＤ、１４・・・
・・・対向共通電極の外部接続用端子部、１６・・・・
・・ホトレジストパターン単位画素領域、１６・・・・
・・ブラックストライプ、１７・・・・・・スペーサ、
１８・・・・・・透過光、１９・・・・・・画素側域、
２０・・・・・・非透過領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名７８
／？ 第 ２ 口 ６−くミ明導電ノ肢嘆（ＩＴＯ膜〕 ｌ５−−−ホトレジストパターン 第２図 ４３ 図 ６− 媚！可！ｌ覧佳膜（ＩＴＯ膜） ’７−−−−Ｍｔ極極道透明基 板５−−−ホトレジストパターン 第３図 第４図 第５図
断面拡大略図、第２図人〜Ｄは本発明による対向共通電
極用透明基板の製造法をしめず断面拡大略図、第３図人
−Ｅは本発明の他の実施例による対向共通電極用透明
基板の製造法をしめず断面拡大略図、第４図は従来例に
よるＬＣＩ）パネルの断面拡大略図、第６図はＬＣＤパ
ネルの主基板、の平面形状例を示す平面略図、第６図は
複数枚ＬＣＤパネルを貼り合わせた構成の大型表示パ坏
ルの概念を示す斜視略図である。 １・・・・・・透明主基板、２・・・・・・画素電極、
３・・・・・・ＴＦＴ等の制御素子、４・・・・・・定
食信号パターン、６・・・・・・画像信号パターン、６
．６人・・・・・・透明導電性膜（ＩＴＯ膜）、７・・
・・−・共通電極用透明基板、８・・・・・・間隙部、
９・・・・・・液晶、１ｏ・・・・・・カラーフィルタ
ー、１１・・・・・・走査信号パターン引出し電極端子
部、１２・・・・・・画像信号パターン引出し電極端子
部、１３・・・・・・マルチパネルＬＣＤ、１４・・・
・・・対向共通電極の外部接続用端子部、１６・・・・
・・ホトレジストパターン単位画素領域、１６・・・・
・・ブラックストライプ、１７・・・・・・スペーサ、
１８・・・・・・透過光、１９・・・・・・画素側域、
２０・・・・・・非透過領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名７８
／？ 第 ２ 口 ６−くミ明導電ノ肢嘆（ＩＴＯ膜〕 ｌ５−−−ホトレジストパターン 第２図 ４３ 図 ６− 媚！可！ｌ覧佳膜（ＩＴＯ膜） ’７−−−−Ｍｔ極極道透明基 板５−−−ホトレジストパターン 第３図 第４図 第５図
Claims (5)
- （１）透明基板上に１０００Å以下の膜厚の薄膜層と、
縞状若しくは格子状にパターンニングした数１０００Å
以上の膜厚の厚膜層とからなる２層の導電性透明電極膜
を形成し、この導電性透明電極膜基板を対向共通電極用
透明基板とすると共に主基板との間に液晶を注入封止す
ることを特徴とした液晶表示パネルの製造法。 - （２）共通電極用透明基板に設ける縞状若しくは格子状
パターンの寸法形状を、主基板上の制御配線パターンあ
るいはカラーフィルターのブラックストライプパターン
の寸法形状と同じ形状に形成し、この共通電極用透明基
板のパターンを主基板上のパターンに対向させて近接配
置することを特徴とした特許請求の範囲第１項に記載の
液晶表示パネルの製造法。 - （３）共通電極用透明基板の主面全域に数１０００Å以
上に導電性透明電極膜を被着し、この導電性透明電極膜
上に所定の寸法形状のホトレジストパターンを形成し、
同ホトレジストパターンをマスクとして選択的に導電性
透明電極膜の膜厚を１０００Å以下に減少せしめ、しか
る後ホトレジストパターンを除去し、膜厚の異なる２層
の導電性透明電極膜を主面に形成した共通電極用透明基
板を用いたことを特徴とした特許請求の範囲第１項に記
載の液晶表示パネルの製造法。 - （４）共通電極用透明基板の主面全域に数１０００Å以
上に導電性透明電極膜を被着し、この導電性透明電極膜
上に所定の寸法形状のホトレジストパターンを形成し、
同ホトレジストパターンをマスクとして選択的に導電性
透明電極膜を除去し、次に上記ホトレジストパターンを
取り除いた後、再度主面全域に１０００Å以下の膜厚で
導電性透明電極膜を被着せしめて、膜厚の異なる２層の
導電性透明電極膜を主面に形成した共通電極用透明基板
を用いたことを特徴とした特許請求の範囲第１項に記載
の液晶表示パネルの製造法。 - （５）透明基板上に１０００Å以下の膜厚の薄膜層から
なる導電性透明電極膜を形成し、この透明電極膜の外周
域に数１０００Å以上の膜厚の厚膜層を選択的に形成し
た２層の導電性透明電極膜基板を対向共通電極用透明基
板とし、この基板と主基板との間に液晶を注入封止した
ことを特徴とした液晶表示パネルの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8533786A JP2667149B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8533786A JP2667149B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 液晶表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62240933A true JPS62240933A (ja) | 1987-10-21 |
| JP2667149B2 JP2667149B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=13855826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8533786A Expired - Fee Related JP2667149B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2667149B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043121A (ja) * | 1990-04-13 | 1992-01-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH05196911A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Komatsu Ltd | レーザマーカの液晶素子 |
| JP2009294447A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Fujitsu Ltd | ドットマトリクス表示装置の透明電極基板、液晶表示素子および反射型表示素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58116574A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-11 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPS5924882A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-08 | 日本電信電話株式会社 | マトリクス形液晶表示装置 |
| JPS5960469A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示体装置 |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP8533786A patent/JP2667149B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58116574A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-11 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
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| JPH05196911A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Komatsu Ltd | レーザマーカの液晶素子 |
| JP2009294447A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Fujitsu Ltd | ドットマトリクス表示装置の透明電極基板、液晶表示素子および反射型表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2667149B2 (ja) | 1997-10-27 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |