JPS5960469A - 液晶表示体装置 - Google Patents
液晶表示体装置Info
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- JPS5960469A JPS5960469A JP57171464A JP17146482A JPS5960469A JP S5960469 A JPS5960469 A JP S5960469A JP 57171464 A JP57171464 A JP 57171464A JP 17146482 A JP17146482 A JP 17146482A JP S5960469 A JPS5960469 A JP S5960469A
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- Japan
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- crystal display
- display device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示体装置に関するものである。
さらに本発明は液晶表示パネルの構造に関するものであ
る。
る。
近年、情報化社会の急速な発展に伴ない、コンピュータ
ーの大衆化がめざましい速さで浸透しつつあり、各種の
コンピューター周辺機器の市場も増々大きくなって来て
いるのが現状である。この様な中で表示体装置は機械と
人間のインターフェイスとして重要な位置にあり各種の
新しい表示体装置が開発されて来ている。今後の表示体
装置の方向は低電圧、低電圧駆動が可能な見やすい平面
型表示体パネルの実現であろう。液晶表示体装置は低電
圧、低電力駆動が可能であり、受光タイプの見やすい平
面型ディスプレイであり、したがって前記の様な用途と
しては最適なディスプレイである。
ーの大衆化がめざましい速さで浸透しつつあり、各種の
コンピューター周辺機器の市場も増々大きくなって来て
いるのが現状である。この様な中で表示体装置は機械と
人間のインターフェイスとして重要な位置にあり各種の
新しい表示体装置が開発されて来ている。今後の表示体
装置の方向は低電圧、低電圧駆動が可能な見やすい平面
型表示体パネルの実現であろう。液晶表示体装置は低電
圧、低電力駆動が可能であり、受光タイプの見やすい平
面型ディスプレイであり、したがって前記の様な用途と
しては最適なディスプレイである。
従来の液晶表示体装置は、腕時計あるいはポケット電卓
等で象徴される様に、数字でいえば高々１０桁程度の表
示内容であった。この様に表示内容が少ない液晶表示体
装置においては、時分割駆動における走査線の本数も高
々２〜６本で良く、また配線は液晶駆動電極として用い
る透明導電膜（例えばＩｎ２Ｏ３薄膜、ＳｎＯ，薄膜あ
るいはｘ ｎ ２０ Ｂ ＋ Ｓ ｎ Ｏを薄膜）にて
兼ねることが出来た。なぜならば、液晶表示パネルも小
さく、配線パターン幅もｏ、５〜１．０闘と太く、した
がらて透明導電膜ρ便求されるシート抵抗も１〜２にΩ
／口程度で十分あった。
等で象徴される様に、数字でいえば高々１０桁程度の表
示内容であった。この様に表示内容が少ない液晶表示体
装置においては、時分割駆動における走査線の本数も高
々２〜６本で良く、また配線は液晶駆動電極として用い
る透明導電膜（例えばＩｎ２Ｏ３薄膜、ＳｎＯ，薄膜あ
るいはｘ ｎ ２０ Ｂ ＋ Ｓ ｎ Ｏを薄膜）にて
兼ねることが出来た。なぜならば、液晶表示パネルも小
さく、配線パターン幅もｏ、５〜１．０闘と太く、した
がらて透明導電膜ρ便求されるシート抵抗も１〜２にΩ
／口程度で十分あった。
しかし液晶表示体装置の進歩は目ざましいものがあり、
最近では、時分割駆動における走査線の本数も数十本か
ら数百本までが可能となり画像表示も可能となって来て
いる。例えば走査線の本数を１２０本として画像表示を
行なう場合、データ線の本数を仮りに１６０本とすると
、階調として１６階調出す場合においてはデータ信号が
数ＭＨ２以上となる。したがってデータ信号線の配線抵
抗としては、数にΩ以下にしなければならず、したがっ
て画像表示用液晶ディスプレイの配線は金属配線を用い
ている。しかし金属配線を用いると開口率が低下するた
めパネルが暗くなるという欠点があった。金属配線を使
わず低抵抗の配線を現実するためには、シート抵抗の低
い透明導電膜を用いればよい。シート抵抗の低い邂明導
電膜を実現するには、透明導電膜の膜厚を厚くすればよ
い。
最近では、時分割駆動における走査線の本数も数十本か
ら数百本までが可能となり画像表示も可能となって来て
いる。例えば走査線の本数を１２０本として画像表示を
行なう場合、データ線の本数を仮りに１６０本とすると
、階調として１６階調出す場合においてはデータ信号が
数ＭＨ２以上となる。したがってデータ信号線の配線抵
抗としては、数にΩ以下にしなければならず、したがっ
て画像表示用液晶ディスプレイの配線は金属配線を用い
ている。しかし金属配線を用いると開口率が低下するた
めパネルが暗くなるという欠点があった。金属配線を使
わず低抵抗の配線を現実するためには、シート抵抗の低
い透明導電膜を用いればよい。シート抵抗の低い邂明導
電膜を実現するには、透明導電膜の膜厚を厚くすればよ
い。
しかし透明導電膜の膜厚を厚くすると、干渉色により透
明導電膜の透過率が著しく低下する。例えば透明導電膜
として工ＴＯ膜（インジウム酸化物とスズ酸化物の混合
薄膜）を用いると、■ＴＯ膜厚２００Ｘの場合、透過率
（ガラス基板上に工ＴＯ膜を形成し、空気中で測定した
値）は９１％であり、シート抵抗は３００Ω／口である
のに対し、工ＴＯ膜厚２ｏｏｏ１の場合には、シート抵
抗は２０Ω／口程度と低くなるが透過率は８１％に低下
してしまう。これは主に工ＴＯ膜の表面での反射光と、
工ＴＯ膜とガラス板の界面における反射光との干渉によ
り反射光が強め合うためであり、約１０％の透過率の低
下は表示品質を大幅に低下させるため、その対策が課題
となっていた。この種の問題は、時分割駆動方式の液晶
表示パネル以外のアクティブマトリックス駆動方式の液
晶表示パネルにおいても同様に存在する。第１図は、薄
膜トランジスタ、キャパシタ及び液晶駆動電極から成る
画素回路をマトリックス状にガラス基板上に配置したア
クティブマド。リックス基板から成る液晶表示パネルの
断面構造図である。第１図中の１はガラス基板、２は薄
膜トランジスタのチャンネル領域、３は薄膜トランジス
タのソース及びドレイン領域、４はゲート電極、５は絶
縁膜、６は金属層、７は液晶駆動電極であり透明導電膜
にて構成している。例えばトランジスタの牛導体薄膜と
してシリコン簿膜を用いる場合においては、金属層とし
ては、アルミニウム薄膜を用い、また透明導電膜７は、
液晶駆動１！極として用いるためシート抵抗は２〜１０
にΩ／口程度でもよい。図中の８は液晶層、９はガラス
基板、１ｏは透明゛導電膜（対向電極）、１１及び１２
は偏光板、１３は反射板である。図中のＰは一画素領域
を示している。第２図は、一画素回路の回路図である。
明導電膜の透過率が著しく低下する。例えば透明導電膜
として工ＴＯ膜（インジウム酸化物とスズ酸化物の混合
薄膜）を用いると、■ＴＯ膜厚２００Ｘの場合、透過率
（ガラス基板上に工ＴＯ膜を形成し、空気中で測定した
値）は９１％であり、シート抵抗は３００Ω／口である
のに対し、工ＴＯ膜厚２ｏｏｏ１の場合には、シート抵
抗は２０Ω／口程度と低くなるが透過率は８１％に低下
してしまう。これは主に工ＴＯ膜の表面での反射光と、
工ＴＯ膜とガラス板の界面における反射光との干渉によ
り反射光が強め合うためであり、約１０％の透過率の低
下は表示品質を大幅に低下させるため、その対策が課題
となっていた。この種の問題は、時分割駆動方式の液晶
表示パネル以外のアクティブマトリックス駆動方式の液
晶表示パネルにおいても同様に存在する。第１図は、薄
膜トランジスタ、キャパシタ及び液晶駆動電極から成る
画素回路をマトリックス状にガラス基板上に配置したア
クティブマド。リックス基板から成る液晶表示パネルの
断面構造図である。第１図中の１はガラス基板、２は薄
膜トランジスタのチャンネル領域、３は薄膜トランジス
タのソース及びドレイン領域、４はゲート電極、５は絶
縁膜、６は金属層、７は液晶駆動電極であり透明導電膜
にて構成している。例えばトランジスタの牛導体薄膜と
してシリコン簿膜を用いる場合においては、金属層とし
ては、アルミニウム薄膜を用い、また透明導電膜７は、
液晶駆動１！極として用いるためシート抵抗は２〜１０
にΩ／口程度でもよい。図中の８は液晶層、９はガラス
基板、１ｏは透明゛導電膜（対向電極）、１１及び１２
は偏光板、１３は反射板である。図中のＰは一画素領域
を示している。第２図は、一画素回路の回路図である。
図中の１４はデータ信号線、１５はタイミング信号線、
１６は簿膜トランジスタ、１７は液晶駆動電極、１８は
液晶層、１９は対向電極である。２０で囲まれた領域が
一画素回路領域である。第１図゛にて示した薄膜トラン
ジスタ構造の金属層６を透明導電膜にて構成した薄膜ト
ランジスタが最近、発明された。その構造図を第３図に
示す。第３図中の１〜１３までは第１図中の番号に対応
している。第３図中の２１は透明導電膜であり、この透
明導電膜は、薄膜トランジスタのソース領域及びドレイ
ン領域からの配線と液晶駆動電極とを同一工程にて形成
する。したがって従来のアクティブマトリックス基板に
おいて用いられていたアルミニウム配線を用いる必要が
ないため工程が短縮するため低コスト化が可能となると
ともに、基板上に光を透過しない配線層が無くなるため
に、アクティブマトリックス基板自身の透過率が向上し
、明るい液晶パネルが実現出来る。第３図の平面図を第
４図に示す。図中の２２は透明導電膜で形成したデータ
信号線、２３はデータ信号線２２と同一工程、同一材料
にて形成した液晶駆動電極である。また図中の２４はタ
イミング信号線である。
１６は簿膜トランジスタ、１７は液晶駆動電極、１８は
液晶層、１９は対向電極である。２０で囲まれた領域が
一画素回路領域である。第１図゛にて示した薄膜トラン
ジスタ構造の金属層６を透明導電膜にて構成した薄膜ト
ランジスタが最近、発明された。その構造図を第３図に
示す。第３図中の１〜１３までは第１図中の番号に対応
している。第３図中の２１は透明導電膜であり、この透
明導電膜は、薄膜トランジスタのソース領域及びドレイ
ン領域からの配線と液晶駆動電極とを同一工程にて形成
する。したがって従来のアクティブマトリックス基板に
おいて用いられていたアルミニウム配線を用いる必要が
ないため工程が短縮するため低コスト化が可能となると
ともに、基板上に光を透過しない配線層が無くなるため
に、アクティブマトリックス基板自身の透過率が向上し
、明るい液晶パネルが実現出来る。第３図の平面図を第
４図に示す。図中の２２は透明導電膜で形成したデータ
信号線、２３はデータ信号線２２と同一工程、同一材料
にて形成した液晶駆動電極である。また図中の２４はタ
イミング信号線である。
しかし、第４図にて示した如く、データ信号線を透明導
電膜にて形成する場合には透明導電膜のシート抵抗が高
いとデータ信号線のライン抵抗が高くなり、画素トラン
ジスタを介してのデータの書き込みが難しくなる。たと
えば画素のキャパシタへの書き込みは、第５図に示す如
くビデオ信号をシフトレジスタ２５からの信号によって
トランスミッションゲート２６がＯＮ、・Ｆ Ｆ シ、
直接ビデオ信号ライン２７に書き込み、−走査期間内
に画素のキャパシタ２８に書き込む様な場合においては
、ビデオ信号ラインの抵抗はシート抵抗で２０〜３０Ω
／口程度あるいはそれ以下が必要である。したがって透
明導電膜はｔ３ｏｏＸ〜３０００又と厚くしなければな
らない。
電膜にて形成する場合には透明導電膜のシート抵抗が高
いとデータ信号線のライン抵抗が高くなり、画素トラン
ジスタを介してのデータの書き込みが難しくなる。たと
えば画素のキャパシタへの書き込みは、第５図に示す如
くビデオ信号をシフトレジスタ２５からの信号によって
トランスミッションゲート２６がＯＮ、・Ｆ Ｆ シ、
直接ビデオ信号ライン２７に書き込み、−走査期間内
に画素のキャパシタ２８に書き込む様な場合においては
、ビデオ信号ラインの抵抗はシート抵抗で２０〜３０Ω
／口程度あるいはそれ以下が必要である。したがって透
明導電膜はｔ３ｏｏＸ〜３０００又と厚くしなければな
らない。
以上、時分割駆動方式及びアクティブマ） ＩＪソック
ス式の液晶パネルの配線用及び液晶駆動電極用として用
いる透明導電膜は、膜厚が厚く、透過率が低いことを説
明したが本発明は、この透過率を向上させる方法を提案
するものである。
ス式の液晶パネルの配線用及び液晶駆動電極用として用
いる透明導電膜は、膜厚が厚く、透過率が低いことを説
明したが本発明は、この透過率を向上させる方法を提案
するものである。
第６図に本発明による液晶表示パネル基板の一実施例を
示す。第６図は、透明導電膜として工ＴＯを用いた場合
の一例である。図中の２９はガラス基板、３０は透明導
電膜、３１は透明導電膜の透過率を調整するための反射
率調整膜である。また３２はこれに接した液晶層である
。例えば、ガラス基板の屈折率をｎｇ＝１．５２、工Ｔ
ｏの屈折率をｎ ７ ： ２． Ｑ、液晶層の屈折率を
ＦＬｉ’＝１．５０とすると、反射率調整層の屈折率は
、ｎｇとｒＬＴの中間値程度力（適当である。また透明
導電膜の膜厚をｔＴ １反射率調整層の膜厚をｔαとす
ると、ｉｔ ｎ ）結果、ｔＴ：”１３００〜１４００
Ｘ、ｔα＝６００〜７００′にと出た。この時の反射率
調整層の屈折率ｎａはルα＝ １．８０を用いている。
示す。第６図は、透明導電膜として工ＴＯを用いた場合
の一例である。図中の２９はガラス基板、３０は透明導
電膜、３１は透明導電膜の透過率を調整するための反射
率調整膜である。また３２はこれに接した液晶層である
。例えば、ガラス基板の屈折率をｎｇ＝１．５２、工Ｔ
ｏの屈折率をｎ ７ ： ２． Ｑ、液晶層の屈折率を
ＦＬｉ’＝１．５０とすると、反射率調整層の屈折率は
、ｎｇとｒＬＴの中間値程度力（適当である。また透明
導電膜の膜厚をｔＴ １反射率調整層の膜厚をｔαとす
ると、ｉｔ ｎ ）結果、ｔＴ：”１３００〜１４００
Ｘ、ｔα＝６００〜７００′にと出た。この時の反射率
調整層の屈折率ｎａはルα＝ １．８０を用いている。
この様な反射率調整層を用いることによる透明導電膜を
含む液晶パネルの透過率の向上は、次の様に考えること
が出来る。第７図はその模式図である。第７図（α）は
反射率調整層を用いない場合、第７図Ｃｂ）は反射率調
整層を用いた場合である。第７図（α）においては、液
晶層の屈折率ｎｌ（＋１．６）と透明導電膜の屈折率ル
Ｔ （＋２．０）の差が大きいために、両者の界面にお
ける反射光３３は非常に大きくなる。したがって透明導
電膜３０とガラス基板との界面での反射光３４と干渉し
ての反射光量が大きくなり、透過率が低下する。一方、
第７図Ｃｂ）に示す如く、反射率調整層３１が存在する
場合には、この反射Ｈ整層の屈折率は、液晶層３２と、
透明導電膜３ｏの屈折率の中間であるために、それぞれ
の界面における反射光３５及び３３の反射光量は極くゎ
ずがであり、したがって透過率が向上する。これらの透
過率は、透明導電膜及び反射率調整層の膜厚にも依存し
上記したそれぞれの膜厚（ｄｔ＝１３ｏｏＸ〜１４０’
［ｌＦＸ、ｃ！α＝６００〜７００１）（７）時が一番
透過率が高くなる。ちなみにコンビスータを用いた計算
結果を第８図に示す。基板構造は第６図に示したものと
同じとし、ガラス基板の屈折率Ｗ、９””１．５２．液
晶層の屈折率ｎ１＝１．６０としての結果である。反射
率調整層の屈折率ルα＝１．８とすると、膜厚６ｏｏｉ
が最適であり透明導電膜の屈折率ｒＬＴ＝２．０では膜
厚は１３００Ｘ近くが最適であることがわかる。第９図
は別の計算結果である。上記した最適条件からズレると
反射光量は非常に大きくなり、透過率が極端に低下する
ことがわかる。
含む液晶パネルの透過率の向上は、次の様に考えること
が出来る。第７図はその模式図である。第７図（α）は
反射率調整層を用いない場合、第７図Ｃｂ）は反射率調
整層を用いた場合である。第７図（α）においては、液
晶層の屈折率ｎｌ（＋１．６）と透明導電膜の屈折率ル
Ｔ （＋２．０）の差が大きいために、両者の界面にお
ける反射光３３は非常に大きくなる。したがって透明導
電膜３０とガラス基板との界面での反射光３４と干渉し
ての反射光量が大きくなり、透過率が低下する。一方、
第７図Ｃｂ）に示す如く、反射率調整層３１が存在する
場合には、この反射Ｈ整層の屈折率は、液晶層３２と、
透明導電膜３ｏの屈折率の中間であるために、それぞれ
の界面における反射光３５及び３３の反射光量は極くゎ
ずがであり、したがって透過率が向上する。これらの透
過率は、透明導電膜及び反射率調整層の膜厚にも依存し
上記したそれぞれの膜厚（ｄｔ＝１３ｏｏＸ〜１４０’
［ｌＦＸ、ｃ！α＝６００〜７００１）（７）時が一番
透過率が高くなる。ちなみにコンビスータを用いた計算
結果を第８図に示す。基板構造は第６図に示したものと
同じとし、ガラス基板の屈折率Ｗ、９””１．５２．液
晶層の屈折率ｎ１＝１．６０としての結果である。反射
率調整層の屈折率ルα＝１．８とすると、膜厚６ｏｏｉ
が最適であり透明導電膜の屈折率ｒＬＴ＝２．０では膜
厚は１３００Ｘ近くが最適であることがわかる。第９図
は別の計算結果である。上記した最適条件からズレると
反射光量は非常に大きくなり、透過率が極端に低下する
ことがわかる。
上記実施例においては反射率＠整層は一層の場合につい
て説明したが屈折率と膜厚が最適であれば二層あるいは
三層構造としてもよいことは言うまでもない。また反射
率調整層をはさむ位置はどこでもよい。反射率調整層の
材質は有機被膜でも無機被膜でもどちらでもよいが屈折
率は、液晶の屈折率と透明導電膜の中間のものを選ばな
ければならない。有機被膜では、ポリイミド等が良く、
また無機被膜でＡｔ、Ｏ，、Ｓｉ３Ｎ４ 、Ｓｉｎ。
て説明したが屈折率と膜厚が最適であれば二層あるいは
三層構造としてもよいことは言うまでもない。また反射
率調整層をはさむ位置はどこでもよい。反射率調整層の
材質は有機被膜でも無機被膜でもどちらでもよいが屈折
率は、液晶の屈折率と透明導電膜の中間のものを選ばな
ければならない。有機被膜では、ポリイミド等が良く、
また無機被膜でＡｔ、Ｏ，、Ｓｉ３Ｎ４ 、Ｓｉｎ。
等の金属酸化物がよい。これらの選択においては屈折率
が液晶層の屈折率と透明導電膜の屈折率の中間の値をも
つ材料ということが一つの基準となる。
が液晶層の屈折率と透明導電膜の屈折率の中間の値をも
つ材料ということが一つの基準となる。
第１０図に具体的な実施例を示す。第１０図中の６８は
下側ガラス基板、３７は透明導電膜、３８は反射率調整
層、３９は配向膜、４０は上側ガラス基板、４１は上側
ガラス基板上の透明導電膜、４２は配向膜である。この
場合、下側ガラス基板上の透明導電膜はシート抵抗を下
げるために１ｏｏｏ′に以上の膜厚であるとし、また上
側ガラス基板上の透明導電膜は、通常用いる３００１の
膜厚であるとする。この様な液晶ノぐネル構造の時には
、下側の透明導電膜に工ＴＯを用いた場合には、この透
明導電膜５７と液晶層４５の間に入る反射率調整層５８
と配向膜５９の屈折率は、透明導電膜３７の屈折率（ｒ
Ｌ７＝２．０）と液晶層の屈折率（ｎｌ＝１．６）の中
間の値が必要となる。例えば反射率調整層の屈折率とし
ては１．８〜１．９、配向膜の屈折率としては１．７〜
１．８程度が適当である。一方上側ガラス基板の透明導
電膜の方は膜厚が３００λ程度と立いために、下側ガラ
ス基板の様に反射率調整層を入れる必要はない。第１０
図における配向膜は液晶分子を配向させるための膜であ
り通常有機薄膜等が用いられその膜厚は高々１００＾程
度である。
下側ガラス基板、３７は透明導電膜、３８は反射率調整
層、３９は配向膜、４０は上側ガラス基板、４１は上側
ガラス基板上の透明導電膜、４２は配向膜である。この
場合、下側ガラス基板上の透明導電膜はシート抵抗を下
げるために１ｏｏｏ′に以上の膜厚であるとし、また上
側ガラス基板上の透明導電膜は、通常用いる３００１の
膜厚であるとする。この様な液晶ノぐネル構造の時には
、下側の透明導電膜に工ＴＯを用いた場合には、この透
明導電膜５７と液晶層４５の間に入る反射率調整層５８
と配向膜５９の屈折率は、透明導電膜３７の屈折率（ｒ
Ｌ７＝２．０）と液晶層の屈折率（ｎｌ＝１．６）の中
間の値が必要となる。例えば反射率調整層の屈折率とし
ては１．８〜１．９、配向膜の屈折率としては１．７〜
１．８程度が適当である。一方上側ガラス基板の透明導
電膜の方は膜厚が３００λ程度と立いために、下側ガラ
ス基板の様に反射率調整層を入れる必要はない。第１０
図における配向膜は液晶分子を配向させるための膜であ
り通常有機薄膜等が用いられその膜厚は高々１００＾程
度である。
第１１図に本発明による他の実施例を示す。第１１図に
おいて、３６〜４３は第１０図の番号と対応している。
おいて、３６〜４３は第１０図の番号と対応している。
第１１図においても下側ガラス基板上の透明導電膜は１
０００′に以上と厚く、上側ガラス基板上の透明導電膜
は２００〜３００又と薄い。したがって上側ガラス基板
の方は、反射率調整層は必要なく透明導電膜の上には膜
厚１００又程度の配向膜が形成されている。−ガニ側ガ
ラス基板上の透明導電膜は厚いために反射率調整層を入
れて透過率を向上させなければならない。本実施例にお
いては新らたに反射率調整層を入れる代りに、膜厚の厚
い配向膜を用いて反射率調整層の役割をもたせている。
０００′に以上と厚く、上側ガラス基板上の透明導電膜
は２００〜３００又と薄い。したがって上側ガラス基板
の方は、反射率調整層は必要なく透明導電膜の上には膜
厚１００又程度の配向膜が形成されている。−ガニ側ガ
ラス基板上の透明導電膜は厚いために反射率調整層を入
れて透過率を向上させなければならない。本実施例にお
いては新らたに反射率調整層を入れる代りに、膜厚の厚
い配向膜を用いて反射率調整層の役割をもたせている。
例えば配向膜４４として屈折率が１．８程度のポリイミ
ド樹脂を厚さ６００〜７００Ｘ程度の厚さＫて形成する
と、界面反射率が低下し、その結果透過率が大きく向上
する。
ド樹脂を厚さ６００〜７００Ｘ程度の厚さＫて形成する
と、界面反射率が低下し、その結果透過率が大きく向上
する。
本発明は、以上多くの実施例において説明した如く、透
明ｉ！極を備えた２枚の透明基板から成る液晶表示体装
置において、該２枚の透明基板の少なくとも一方の基板
上には、少なくとも一層以上の反射率調整層が形成され
ていることを特徴とする液晶表示体装置に関するもので
あり、配線抵抗を低げるために膜厚の厚い透明導電膜を
用いた液晶パネルの透過率を向上する上で大きい効果を
示すものである。
明ｉ！極を備えた２枚の透明基板から成る液晶表示体装
置において、該２枚の透明基板の少なくとも一方の基板
上には、少なくとも一層以上の反射率調整層が形成され
ていることを特徴とする液晶表示体装置に関するもので
あり、配線抵抗を低げるために膜厚の厚い透明導電膜を
用いた液晶パネルの透過率を向上する上で大きい効果を
示すものである。
第１図〜第５図は薄ｊ摸トランジスタマトリックス基板
の構造図９回路図及び平面図である。第６図、第７図は
、液晶パネルの基板上に反射率調整層を挿入した時の透
過率の向上の原理を説明する説明図。第８図、第９図は
、反射率調整層を挿入した時の液晶パネルの透過率の反
射率調整層及び透明導電膜の屈折率及び膜厚依存性の計
算結果。 第１０図及び第１１図は本発明の液晶パネルの断面図。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理大 弁理士 最上 務 第１図 第３図
の構造図９回路図及び平面図である。第６図、第７図は
、液晶パネルの基板上に反射率調整層を挿入した時の透
過率の向上の原理を説明する説明図。第８図、第９図は
、反射率調整層を挿入した時の液晶パネルの透過率の反
射率調整層及び透明導電膜の屈折率及び膜厚依存性の計
算結果。 第１０図及び第１１図は本発明の液晶パネルの断面図。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理大 弁理士 最上 務 第１図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 透明電極を備えた二枚の透明基板から成る液
晶表示体装置において、該二枚の透明基板の少なくとも
一方の基板上には、少なくとも一層以上の反射率調整層
が形成されていることを特徴とする液晶表示体装置。 （２）反射率調整層の屈折率は、液晶層の屈折率と透明
電極材料の屈折率の中間であることを特徴とする特許請
求の範囲第一項記載の液晶表示体装置。 （８）反射率調整層が形成されている透明基板上の透明
電極の膜厚は、反射率調整層が形成されていない透明基
板上の透明電極の膜厚よりも厚いことを特徴とする特許
請求の範囲第一項記載の液晶表示体装置。 （４） 反射率調整層が形成されている透明基板上には
、複数の画素回路から成るアクティブマトリックス回路
が形成されており、各画素回路を接続するＸ信号ライン
あるいはＹ信号ラインの少なくとも一方は、該画素内の
透明電極の形成工程と同一工程にて形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第−項及び第３項記載の液
晶表示体装置。 （５）透明電極は、Ｉｎ、０３ あるいは工Ｎ、０゜−
１−Ｓ ｎ Ｏ、にて形成され、その膜厚は１００００
又以上であることを特徴とする特許請求の範囲第四項記
載の液晶表示体装置。 （６）反射率ｆｉ１ｉ弊１（７）ｆｌＧＨ８１，３ｏ
ｏ Ｘ 〜ｓ ｏ ｏ Ｘであることを特徴とする特許
請求の範囲第四項及び第五項記載の液晶表示体装置。 （７）反射率調整層は配向膜を兼ねることを特徴とする
特許請求の範囲第一項記載の液晶表示体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171464A JPS5960469A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 液晶表示体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171464A JPS5960469A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 液晶表示体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960469A true JPS5960469A (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=15923589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57171464A Pending JPS5960469A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 液晶表示体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5960469A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62240933A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルの製造法 |
| JPH04166915A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2009518687A (ja) * | 2005-12-06 | 2009-05-07 | リアルデー | 改良型ＺＳｃｒｅｅｎ（商標）変調器 |
| JP2011112793A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Fujitsu Ltd | 積層型表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688171A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-17 | Suwa Seikosha Kk | Display panel |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57171464A patent/JPS5960469A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688171A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-17 | Suwa Seikosha Kk | Display panel |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62240933A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルの製造法 |
| JPH04166915A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2009518687A (ja) * | 2005-12-06 | 2009-05-07 | リアルデー | 改良型ＺＳｃｒｅｅｎ（商標）変調器 |
| JP2011112793A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Fujitsu Ltd | 積層型表示装置 |
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