JP2002050627A - 金属配線およびそれを用いたアクティブマトリクス基板 - Google Patents
金属配線およびそれを用いたアクティブマトリクス基板Info
- Publication number
- JP2002050627A JP2002050627A JP2001103337A JP2001103337A JP2002050627A JP 2002050627 A JP2002050627 A JP 2002050627A JP 2001103337 A JP2001103337 A JP 2001103337A JP 2001103337 A JP2001103337 A JP 2001103337A JP 2002050627 A JP2002050627 A JP 2002050627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- plating
- metal wiring
- wiring
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 125
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 27
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 27
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 262
- 238000000034 method Methods 0.000 description 52
- 239000002585 base Substances 0.000 description 37
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 description 31
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/46—Connecting or feeding means, e.g. leading-in conductors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 断切れや膜残りを防止できる金属配線および
それを用いたアクティブマトリクス基板を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１１上に配線用の下地パター
ン膜１２を形成し、その下地パターン膜１２上に選択的
にめっきを施することによりめっき膜１３を形成する。
上記めっき膜１３の両縁部のガラス基板１１表面に対す
るテーパー角αを０＜α≦９０°とする。上記めっき膜
１３上に新たな金属配線を断線することなく形成できる
と共に、めっき膜１３上に新たな膜を膜残りなくパター
ニングできる。
それを用いたアクティブマトリクス基板を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１１上に配線用の下地パター
ン膜１２を形成し、その下地パターン膜１２上に選択的
にめっきを施することによりめっき膜１３を形成する。
上記めっき膜１３の両縁部のガラス基板１１表面に対す
るテーパー角αを０＜α≦９０°とする。上記めっき膜
１３上に新たな金属配線を断線することなく形成できる
と共に、めっき膜１３上に新たな膜を膜残りなくパター
ニングできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置
(ＬＣＤ),プラズマ表示装置(ＰＤＰ),エレクトロクロミ
ック表示装置(ＥＣＤ),エレクトロルミネッセント表示
装置(ＥＬＤ)等のフラットパネルディスプレイ、セラミ
ック基板を用いたプリント配線基板、およびその他各種
の分野で用いられる金属配線およびその金属配線を用い
たアクティブマトリクス基板に関する。
(ＬＣＤ),プラズマ表示装置(ＰＤＰ),エレクトロクロミ
ック表示装置(ＥＣＤ),エレクトロルミネッセント表示
装置(ＥＬＤ)等のフラットパネルディスプレイ、セラミ
ック基板を用いたプリント配線基板、およびその他各種
の分野で用いられる金属配線およびその金属配線を用い
たアクティブマトリクス基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置(ＬＣＤ)に代表されるフラ
ットパネルディスプレイは、通常一対の基板の間に液晶
または放電ガス等の表示材料を挟んで保持し、この表示
材料に電圧を印加することにより表示を行う。このと
き、少なくとも一方の基板に導電材料からなる電気配線
を配列している。
ットパネルディスプレイは、通常一対の基板の間に液晶
または放電ガス等の表示材料を挟んで保持し、この表示
材料に電圧を印加することにより表示を行う。このと
き、少なくとも一方の基板に導電材料からなる電気配線
を配列している。
【０００３】例えば、アクティブマトリクス駆動型ディ
スプレイの場合、表示材料を挟んで保持する一対の基板
のうち、一方の基板(アクティブマトリクス基板)上に
は、ゲート電極とデータ電極をマトリクス状に配設する
と共に、そのゲート電極,データ電極の交差部毎に薄膜
トランジスタ(ＴＦＴ)と画素電極を配設している。通
常、このゲート電極やデータ電極は、Ｔa,ＡlまたはＭo
等の金属材料から形成されており、スパッタ法等のドラ
イ成膜法によって成膜されている。
スプレイの場合、表示材料を挟んで保持する一対の基板
のうち、一方の基板(アクティブマトリクス基板)上に
は、ゲート電極とデータ電極をマトリクス状に配設する
と共に、そのゲート電極,データ電極の交差部毎に薄膜
トランジスタ(ＴＦＴ)と画素電極を配設している。通
常、このゲート電極やデータ電極は、Ｔa,ＡlまたはＭo
等の金属材料から形成されており、スパッタ法等のドラ
イ成膜法によって成膜されている。
【０００４】ところで、このようなフラットパネルディ
スプレイにおいて、大面積化,高精細化を図ろうとした
場合、駆動周波数が高まるとともに、電気配線の抵抗や
寄生容量が増大することから、駆動信号の遅延が大きな
問題となってくる。
スプレイにおいて、大面積化,高精細化を図ろうとした
場合、駆動周波数が高まるとともに、電気配線の抵抗や
寄生容量が増大することから、駆動信号の遅延が大きな
問題となってくる。
【０００５】そこで、この駆動信号の遅延問題を解決す
るために、従来の配線材料であるＡｌ(バルク抵抗率２.
７μΩ・ｃｍ)、α−Ｔa(バルク抵抗率１３.１μΩ・ｃ
ｍ)、Ｍo(バルク抵抗率５.８μΩ・ｃｍ)の代わりに、
より電気抵抗の低いＣu(バルク抵抗率１.７μΩ・ｃｍ)
を配線材料に用いる試みがなされている。例えば、文献
「Low Resistance Copper Adress Line for TFT‐LCD」
(Japan Display ’89p.498‐501)において、ゲート電極
材料にＣuを用いたＴＦＴ−ＬＣＤの検討結果が開示さ
れている。この文献によれば、スパッタ法で成膜したＣ
u膜は、下地ガラス基板との密着性が悪いため、下地に
Ｔa等の金属膜を介在させることで密着性の向上を図る
必要があることが明記されている。
るために、従来の配線材料であるＡｌ(バルク抵抗率２.
７μΩ・ｃｍ)、α−Ｔa(バルク抵抗率１３.１μΩ・ｃ
ｍ)、Ｍo(バルク抵抗率５.８μΩ・ｃｍ)の代わりに、
より電気抵抗の低いＣu(バルク抵抗率１.７μΩ・ｃｍ)
を配線材料に用いる試みがなされている。例えば、文献
「Low Resistance Copper Adress Line for TFT‐LCD」
(Japan Display ’89p.498‐501)において、ゲート電極
材料にＣuを用いたＴＦＴ−ＬＣＤの検討結果が開示さ
れている。この文献によれば、スパッタ法で成膜したＣ
u膜は、下地ガラス基板との密着性が悪いため、下地に
Ｔa等の金属膜を介在させることで密着性の向上を図る
必要があることが明記されている。
【０００６】しかしながら、上述の文献で示された配線
構造の場合、Ｃu膜とＴa等の下地金属膜に対して、個別
のドライ成膜工程やエッチングプロセスが必要となり、
プロセスが増加してコストアップになるという問題があ
る。
構造の場合、Ｃu膜とＴa等の下地金属膜に対して、個別
のドライ成膜工程やエッチングプロセスが必要となり、
プロセスが増加してコストアップになるという問題があ
る。
【０００７】そこで、特開平４−２３２９２２号公報に
おいては、ＩＴＯ(錫添加酸化インジウム)等からなる透
明電極を下地膜に使用し、上記下地膜上にＣu等の金属
膜をめっき技術によって成膜する方法が提案されてい
る。この技術によれば、めっき金属はＩＴＯ膜上にのみ
選択的に成膜することができるため、パターニングプロ
セスは透明電極のＩＴＯ膜だけでよく、Ｃu配線を大面
積でも効率よく成膜できる効果が記載されている。ま
た、ＩＴＯと密着性のよいＮi等の金属膜をＩＴＯとＣu
の間に介在させる構造についても記載されている。
おいては、ＩＴＯ(錫添加酸化インジウム)等からなる透
明電極を下地膜に使用し、上記下地膜上にＣu等の金属
膜をめっき技術によって成膜する方法が提案されてい
る。この技術によれば、めっき金属はＩＴＯ膜上にのみ
選択的に成膜することができるため、パターニングプロ
セスは透明電極のＩＴＯ膜だけでよく、Ｃu配線を大面
積でも効率よく成膜できる効果が記載されている。ま
た、ＩＴＯと密着性のよいＮi等の金属膜をＩＴＯとＣu
の間に介在させる構造についても記載されている。
【０００８】また、特開平１０−３２１６２２号公報で
は、下地金属上に逆テーパーのレジストを形成し、その
上に電気めっきを行うことで順テーパーの膜を形成する
方法が提案されている。なお、「順テーパー」,「逆テ
ーパー」の定義については、図８に示すように、ガラス
基板１１１上に形成されためっき膜１１２の縁部のガラ
ス基板１１１表面に対するテーパー角θが９０°以下の
場合を「順テーパー」とし、図９に示すように、ガラス
基板１２１上に形成されためっき膜１２２の縁部のガラ
ス基板１２１表面に対するテーパー角θが９０°を超え
る場合を「逆テーパー」としている。
は、下地金属上に逆テーパーのレジストを形成し、その
上に電気めっきを行うことで順テーパーの膜を形成する
方法が提案されている。なお、「順テーパー」,「逆テ
ーパー」の定義については、図８に示すように、ガラス
基板１１１上に形成されためっき膜１１２の縁部のガラ
ス基板１１１表面に対するテーパー角θが９０°以下の
場合を「順テーパー」とし、図９に示すように、ガラス
基板１２１上に形成されためっき膜１２２の縁部のガラ
ス基板１２１表面に対するテーパー角θが９０°を超え
る場合を「逆テーパー」としている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平４−２３２９２２号公報のように下地ＩＴＯ膜上に
めっき技術を用いて金属配線を形成する場合、ガラスと
下地ＩＴＯ膜との金属膜析出の選択性を持たせるため
(この処理はガラス上に付着した触媒を取るため行われ
ている。このため、下地膜の種類に関係なく行うことが
ほとんどである。ポリイミドなどでも行われている。)
と、下地膜へのめっき膜の密着性を持たせるために、Ｈ
Ｆ(フッ化水素)系の薬品でめっきの前処理を行う。めっ
きにより金属膜を析出させる場合、また、表面の汚れを
とるためにアルカリ性溶液で脱脂処理を行ったり、Ｃｕ
めっきなどのようにアルカリ性のめっき液を使用したり
する場合には、めっき独自の理由により下地パターンの
ない部分のガラス表面がエッチングされてしまう。な
お、ここで述べている「めっき」とは、無電解めっきや
電気めっき等を指す。
開平４−２３２９２２号公報のように下地ＩＴＯ膜上に
めっき技術を用いて金属配線を形成する場合、ガラスと
下地ＩＴＯ膜との金属膜析出の選択性を持たせるため
(この処理はガラス上に付着した触媒を取るため行われ
ている。このため、下地膜の種類に関係なく行うことが
ほとんどである。ポリイミドなどでも行われている。)
と、下地膜へのめっき膜の密着性を持たせるために、Ｈ
Ｆ(フッ化水素)系の薬品でめっきの前処理を行う。めっ
きにより金属膜を析出させる場合、また、表面の汚れを
とるためにアルカリ性溶液で脱脂処理を行ったり、Ｃｕ
めっきなどのようにアルカリ性のめっき液を使用したり
する場合には、めっき独自の理由により下地パターンの
ない部分のガラス表面がエッチングされてしまう。な
お、ここで述べている「めっき」とは、無電解めっきや
電気めっき等を指す。
【００１０】また、めっき膜では、膜の成長にしたがっ
て成長しやすい部分と成長しにくい部分が発生してしま
うことがわかっている。
て成長しやすい部分と成長しにくい部分が発生してしま
うことがわかっている。
【００１１】このように、下地膜が存在しない部分のガ
ラス表面がエッチングされることがあると共に、膜の成
長速度の違いにより形成された膜のテーパーが逆テーパ
ーになることがある。
ラス表面がエッチングされることがあると共に、膜の成
長速度の違いにより形成された膜のテーパーが逆テーパ
ーになることがある。
【００１２】上記めっき膜１２２が図９に示すような逆
テーパーになると、この金属配線上にさらに他の膜の成
膜やパターニング等を行う場合、成膜時に逆テーパーの
部分がマスクになり配線のエッジ部分に膜が正しく成膜
されないためにエッジ部分の膜割れによる断切れが発生
したり、エッチング時にこの金属配線がマスクとなりエ
ッジ部分に膜残りが発生したりするという問題点があ
る。
テーパーになると、この金属配線上にさらに他の膜の成
膜やパターニング等を行う場合、成膜時に逆テーパーの
部分がマスクになり配線のエッジ部分に膜が正しく成膜
されないためにエッジ部分の膜割れによる断切れが発生
したり、エッチング時にこの金属配線がマスクとなりエ
ッジ部分に膜残りが発生したりするという問題点があ
る。
【００１３】また、上記特開平１０−３２１６２２号公
報のようにレジスト形成→電気めっき→下地エッチング
を行って順テーパーな金属配線を形成する方法では、電
気めっきを用いているために基板(ガラス)が大きい場
合、端から端で大きな膜厚むらが発生してしまう。ま
た、下地をエッチングする際にめっき膜の下まで下地膜
がエッチングされてしまい図１０に示すような傘状にな
ってしまう(特にウェットエッチを用いると大きな影響
を受けやすい。ドライエッチングを用いてもウェットエ
ッチングを行う場合よりも程度が軽いが発生する。)。
報のようにレジスト形成→電気めっき→下地エッチング
を行って順テーパーな金属配線を形成する方法では、電
気めっきを用いているために基板(ガラス)が大きい場
合、端から端で大きな膜厚むらが発生してしまう。ま
た、下地をエッチングする際にめっき膜の下まで下地膜
がエッチングされてしまい図１０に示すような傘状にな
ってしまう(特にウェットエッチを用いると大きな影響
を受けやすい。ドライエッチングを用いてもウェットエ
ッチングを行う場合よりも程度が軽いが発生する。)。
【００１４】そこで、この発明の目的は、下地パターン
膜上にテーパー形状のよいめっき膜を成膜することによ
り、断切れや膜残りを防止できる金属配線およびそれを
用いたアクティブマトリクス基板を提供することにあ
る。
膜上にテーパー形状のよいめっき膜を成膜することによ
り、断切れや膜残りを防止できる金属配線およびそれを
用いたアクティブマトリクス基板を提供することにあ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の金属配線は、ガラス基板上に形成された
配線用の下地パターン膜とその下地パターン膜上に選択
的にめっきを施することにより形成されためっき膜とか
らなる金属配線において、上記めっき膜の両縁部の上記
ガラス基板表面に対するテーパー角αが０＜α≦９０°
であることを特徴としている。
め、この発明の金属配線は、ガラス基板上に形成された
配線用の下地パターン膜とその下地パターン膜上に選択
的にめっきを施することにより形成されためっき膜とか
らなる金属配線において、上記めっき膜の両縁部の上記
ガラス基板表面に対するテーパー角αが０＜α≦９０°
であることを特徴としている。
【００１６】上記構成の金属配線によれば、上記下地パ
ターン膜上に選択的にめっきを施することによって形成
された上記めっき膜の両縁部のガラス基板表面に対する
テーパー角αを０＜α≦９０°にすることによって、そ
の上に他の膜を成膜してパターニングする場合に、上記
めっき膜の両縁部が最低限逆テーパーになっていないの
で、断線や膜残りを防ぐことが可能になる。したがっ
て、この金属配線上に新たな金属配線を形成する場合
に、新たな金属配線を断線なく形成できると共に、この
金属配線上に新たな膜をパターニングする場合に、この
金属配線のエッジ部分のエッチング不良による膜残りの
発生を防ぐことができる。
ターン膜上に選択的にめっきを施することによって形成
された上記めっき膜の両縁部のガラス基板表面に対する
テーパー角αを０＜α≦９０°にすることによって、そ
の上に他の膜を成膜してパターニングする場合に、上記
めっき膜の両縁部が最低限逆テーパーになっていないの
で、断線や膜残りを防ぐことが可能になる。したがっ
て、この金属配線上に新たな金属配線を形成する場合
に、新たな金属配線を断線なく形成できると共に、この
金属配線上に新たな膜をパターニングする場合に、この
金属配線のエッジ部分のエッチング不良による膜残りの
発生を防ぐことができる。
【００１７】なお、下地膜としては、めっき膜が析出す
る膜であればよく、金属、ＩＴＯなどの酸化膜、ポリイ
ミドのような有機膜などのいろいろな種類の膜を使用す
ることができる。
る膜であればよく、金属、ＩＴＯなどの酸化膜、ポリイ
ミドのような有機膜などのいろいろな種類の膜を使用す
ることができる。
【００１８】また、一実施形態の金属配線は、上記下地
パターン膜の両縁部の上記ガラス基板表面に対するテー
パー角βが０＜β≦９０°で、かつ、上記下地パターン
膜のない部分のガラス基板の掘れ量Ｙが０≦Ｙ≦２００
０Åで、かつ、上記めっき膜の厚みＸがＹ≦Ｘ≦８００
０Åであることを特徴としている。
パターン膜の両縁部の上記ガラス基板表面に対するテー
パー角βが０＜β≦９０°で、かつ、上記下地パターン
膜のない部分のガラス基板の掘れ量Ｙが０≦Ｙ≦２００
０Åで、かつ、上記めっき膜の厚みＸがＹ≦Ｘ≦８００
０Åであることを特徴としている。
【００１９】めっきとして例えば無電解選択めっきを行
う場合、ガラス基板と下地パターン膜の選択性を持たせ
るため、または下地パターン膜へのめっき膜の密着性を
持たせるため、ガラス基板表面がエッチングされる。こ
のエッチングはウェットエッチであって等方性エッチン
グであるため、ガラスのエッチング量が多くなると、下
地パターン膜の両縁部の下側のガラス領域までエッチン
グされてしまい、両縁部が傘状になってしまう。このよ
うな形状の下地パターン膜上にめっきを行っても、テー
パー形状のよいめっき膜は得られない。また、ガラス基
板の掘れ量の下限に関しては、ガラスの透明性等の問題
から、もし可能ならば掘れ量は０であることが望まし
い。また、上記めっき膜の厚みをあまり厚くしてしまう
と、めっきは基本的に等方性成膜であるために、膜厚が
厚くなるにしたがってめっき膜の両縁部のテーパーが立
ってしまい、最終的にはガラスとの密着部分が逆テーパ
ーになってしまう。また、上記めっき膜の膜厚が一番薄
い場合については、ガラスの掘れ量に対して膜の厚さの
方が薄ければ、ガラスのエッチングされた部分をカバー
することができないため、きれいなテーパー形状を作る
ことができない。このため、膜の厚さは、ガラスの掘れ
量よりも厚いことが必要である。さらに、下地パターン
膜の両縁部のガラス基板に対するテーパー角が９０°以
上の逆テーパーであると、当然、その下地パターン膜上
に形成されるめっき膜も逆テーパーになるため問題とな
る。
う場合、ガラス基板と下地パターン膜の選択性を持たせ
るため、または下地パターン膜へのめっき膜の密着性を
持たせるため、ガラス基板表面がエッチングされる。こ
のエッチングはウェットエッチであって等方性エッチン
グであるため、ガラスのエッチング量が多くなると、下
地パターン膜の両縁部の下側のガラス領域までエッチン
グされてしまい、両縁部が傘状になってしまう。このよ
うな形状の下地パターン膜上にめっきを行っても、テー
パー形状のよいめっき膜は得られない。また、ガラス基
板の掘れ量の下限に関しては、ガラスの透明性等の問題
から、もし可能ならば掘れ量は０であることが望まし
い。また、上記めっき膜の厚みをあまり厚くしてしまう
と、めっきは基本的に等方性成膜であるために、膜厚が
厚くなるにしたがってめっき膜の両縁部のテーパーが立
ってしまい、最終的にはガラスとの密着部分が逆テーパ
ーになってしまう。また、上記めっき膜の膜厚が一番薄
い場合については、ガラスの掘れ量に対して膜の厚さの
方が薄ければ、ガラスのエッチングされた部分をカバー
することができないため、きれいなテーパー形状を作る
ことができない。このため、膜の厚さは、ガラスの掘れ
量よりも厚いことが必要である。さらに、下地パターン
膜の両縁部のガラス基板に対するテーパー角が９０°以
上の逆テーパーであると、当然、その下地パターン膜上
に形成されるめっき膜も逆テーパーになるため問題とな
る。
【００２０】このような理由から、上記実施形態の金属
配線によれば、上記下地パターン膜の両縁部のガラス基
板表面に対するテーパー角βを０＜β≦９０°とし、下
地パターン膜のない部分のガラス基板の掘れ量Ｙを０≦
Ｙ≦２０００Åとし、めっき膜の厚みＸをＹ≦Ｘ≦８０
００Åとすることによって、両縁部のテーパーを逆テー
パーにすることなしにテーパー角αが０＜α≦９０°の
めっき膜を確実に形成できる。
配線によれば、上記下地パターン膜の両縁部のガラス基
板表面に対するテーパー角βを０＜β≦９０°とし、下
地パターン膜のない部分のガラス基板の掘れ量Ｙを０≦
Ｙ≦２０００Åとし、めっき膜の厚みＸをＹ≦Ｘ≦８０
００Åとすることによって、両縁部のテーパーを逆テー
パーにすることなしにテーパー角αが０＜α≦９０°の
めっき膜を確実に形成できる。
【００２１】また、一実施形態の金属配線は、上記下地
パターン膜がＩＴＯまたはＳnＯ2からなることを特徴と
している。
パターン膜がＩＴＯまたはＳnＯ2からなることを特徴と
している。
【００２２】上記実施形態の金属配線によれば、ＩＴＯ
は、例えばアクティブマトリクス基板の製造プロセスで
使用されている薬品に対して耐薬品性が高く、また、Ｓ
nＯ2は、一般的な薬品に対する耐薬品性が高いので、製
造プロセスヘのマージンを大きくできるという大きな利
点を有する。なお、ＩＴＯ,ＳnＯ2については、スパッ
タ等による乾式成膜のほかに、湿式成膜(ゾルゲル法、
液相成長法、電析法、スプレー法、ケミカルミストデポ
ジション(ＣＭＤ)等)がある。例えば、湿式成膜のゾル
ゲル法でＩＴＯ膜またはＳnＯ2膜を成膜する場合、感光
性をもった材料を使用することも可能である。感光性の
材料を使用することでレジストの使用がなくなるため、
低コスト化と工程の短縮化を行うことが可能になる。
は、例えばアクティブマトリクス基板の製造プロセスで
使用されている薬品に対して耐薬品性が高く、また、Ｓ
nＯ2は、一般的な薬品に対する耐薬品性が高いので、製
造プロセスヘのマージンを大きくできるという大きな利
点を有する。なお、ＩＴＯ,ＳnＯ2については、スパッ
タ等による乾式成膜のほかに、湿式成膜(ゾルゲル法、
液相成長法、電析法、スプレー法、ケミカルミストデポ
ジション(ＣＭＤ)等)がある。例えば、湿式成膜のゾル
ゲル法でＩＴＯ膜またはＳnＯ2膜を成膜する場合、感光
性をもった材料を使用することも可能である。感光性の
材料を使用することでレジストの使用がなくなるため、
低コスト化と工程の短縮化を行うことが可能になる。
【００２３】また、この金属配線をアクティブマトリク
ス基板に用いた場合、下地パターン膜として透明導電膜
であるＩＴＯまたはＳnＯ2を使用することにより、金属
配線の下地パターン膜と画素電極とを同時に形成し、配
線の部分のみめっきを行うことにより、配線と画素電極
を同時に形成することができる。
ス基板に用いた場合、下地パターン膜として透明導電膜
であるＩＴＯまたはＳnＯ2を使用することにより、金属
配線の下地パターン膜と画素電極とを同時に形成し、配
線の部分のみめっきを行うことにより、配線と画素電極
を同時に形成することができる。
【００２４】また、一実施形態の金属配線は、上記下地
パターン膜がポリイミドからなることを特徴としてい
る。
パターン膜がポリイミドからなることを特徴としてい
る。
【００２５】上記実施形態の金属配線によれば、ポリイ
ミド上の銅めっきはプリント基板等で実用化されてお
り、例えばめっき技術として無電解選択めっきを使用す
る場合を考えると、ポリイミドは下地パターン膜として
適しており、他の樹脂を使用する場合と比較しても、ポ
リイミドは次の(１)〜(３)ような点で優れている。
ミド上の銅めっきはプリント基板等で実用化されてお
り、例えばめっき技術として無電解選択めっきを使用す
る場合を考えると、ポリイミドは下地パターン膜として
適しており、他の樹脂を使用する場合と比較しても、ポ
リイミドは次の(１)〜(３)ような点で優れている。
【００２６】(１) ポリイミドは、樹脂の中でも耐熱
性,耐薬品性が優れているため、下地樹脂としてポリイ
ミドを使用する場合、後工程での製造方法を幅広く選ぶ
ことが可能になる。例えば、めっき方法として無電解選
択めっきを使用した場合、めっき液は強アルカリまたは
強酸であることが多いので、そのときに耐薬品性が高い
ことは有用である。
性,耐薬品性が優れているため、下地樹脂としてポリイ
ミドを使用する場合、後工程での製造方法を幅広く選ぶ
ことが可能になる。例えば、めっき方法として無電解選
択めっきを使用した場合、めっき液は強アルカリまたは
強酸であることが多いので、そのときに耐薬品性が高い
ことは有用である。
【００２７】(２) また、ポリイミドは、耐熱性が高い
ことから、他の成膜プロセスのマージンが広くなる。例
えば、通常の液晶のプロセス最高温度は３５０℃程度で
あるのに対して、ポリイミドの耐熱性は４００℃程度
(ポリイミドは通常３５０℃程度で熱硬化を行い、熱分
解温度は４５０℃以上であるものが多い)であるため、
ほかの樹脂を使用する場合と異なり、プロセスの低温化
の必要がない。プロセスの変更の必要がないということ
は、それに伴う不良の発生を防ぐことができるので、製
品を製造する上では大きな利点となる。ちなみに他の樹
脂の耐熱温度は、液晶で使用されている通常のレジスト
２００℃程度、アクリル系樹脂２５０℃以下程度であ
る。
ことから、他の成膜プロセスのマージンが広くなる。例
えば、通常の液晶のプロセス最高温度は３５０℃程度で
あるのに対して、ポリイミドの耐熱性は４００℃程度
(ポリイミドは通常３５０℃程度で熱硬化を行い、熱分
解温度は４５０℃以上であるものが多い)であるため、
ほかの樹脂を使用する場合と異なり、プロセスの低温化
の必要がない。プロセスの変更の必要がないということ
は、それに伴う不良の発生を防ぐことができるので、製
品を製造する上では大きな利点となる。ちなみに他の樹
脂の耐熱温度は、液晶で使用されている通常のレジスト
２００℃程度、アクリル系樹脂２５０℃以下程度であ
る。
【００２８】(３) また、ポリイミドとして感光性のあ
るものを使用することにより工程短縮化,低コスト化が
可能になる。
るものを使用することにより工程短縮化,低コスト化が
可能になる。
【００２９】また、一実施形態の金属配線は、上記めっ
き膜がＣu,Ａu,Ｎi,Ａgのいずれか１つを含む単層膜で
あるか、または、Ｃu,Ａu,Ｎi,Ａgのいずれか１つを含
む単層膜を少なくとも一層含む多層膜であることを特徴
としている。
き膜がＣu,Ａu,Ｎi,Ａgのいずれか１つを含む単層膜で
あるか、または、Ｃu,Ａu,Ｎi,Ａgのいずれか１つを含
む単層膜を少なくとも一層含む多層膜であることを特徴
としている。
【００３０】上記実施形態の金属配線によれば、Ｃuは
抵抗率(バルク抵抗率１.７μΩ・ｃｍ)が低く、かつ、
エレクトロマイグレーションに対する寿命が長いことか
ら、配線材料としては最適である。また、Ａgは、金属
の中で最も抵抗が低いことから配線に利用するには大き
な利点となる。また、Ａuは、耐食性に優れているため
に、表面に酸化膜を形成しない。このことは、この上に
めっき膜を形成するのに大きな利点となる。また、Ａu
は、Ｃuには及ばないもののかなり低抵抗なため、電気
めっきを行う場合に下地金属層の低抵抗化の役割も果た
す。さらに、めっきとして無電解選択めっきを使用する
場合、Ｃu単体では密着性が低い場合でも、密着性のよ
いＮiを下地として利用し、その上にＣu／Ａu等を成膜
することにより密着性のよい低抵抗配線を実現すること
ができる。また、このＣuの上にＮiをめっきにより選択
的に形成することによりバリア層も形成できる。
抵抗率(バルク抵抗率１.７μΩ・ｃｍ)が低く、かつ、
エレクトロマイグレーションに対する寿命が長いことか
ら、配線材料としては最適である。また、Ａgは、金属
の中で最も抵抗が低いことから配線に利用するには大き
な利点となる。また、Ａuは、耐食性に優れているため
に、表面に酸化膜を形成しない。このことは、この上に
めっき膜を形成するのに大きな利点となる。また、Ａu
は、Ｃuには及ばないもののかなり低抵抗なため、電気
めっきを行う場合に下地金属層の低抵抗化の役割も果た
す。さらに、めっきとして無電解選択めっきを使用する
場合、Ｃu単体では密着性が低い場合でも、密着性のよ
いＮiを下地として利用し、その上にＣu／Ａu等を成膜
することにより密着性のよい低抵抗配線を実現すること
ができる。また、このＣuの上にＮiをめっきにより選択
的に形成することによりバリア層も形成できる。
【００３１】また、一実施形態の金属配線は、上記めっ
きが無電解めっきであることを特徴としている。
きが無電解めっきであることを特徴としている。
【００３２】上記実施形態の金属配線では、無電解めっ
きであるため、下地が例えばポリイミドのように電気を
通さない材料でも金属配線を形成できる。また、ガラス
が大きくなっても、面内の膜厚均一性がかなりよく、
又、電気を流すこともないため、装置を単純なものにす
ることができる。
きであるため、下地が例えばポリイミドのように電気を
通さない材料でも金属配線を形成できる。また、ガラス
が大きくなっても、面内の膜厚均一性がかなりよく、
又、電気を流すこともないため、装置を単純なものにす
ることができる。
【００３３】また、この発明のアクティブマトリクス基
板は、上記いずれか１つに記載の金属配線を用いたもの
である。
板は、上記いずれか１つに記載の金属配線を用いたもの
である。
【００３４】上記アクティブマトリクス基板によれば、
配線の交差部分や配線上にパターンを形成する場合が多
く、金属配線の両縁部が逆テーパーになると、膜の断線
や膜残り等の問題点が発生するアクティブマトリクス基
板に、上記金属配線を用いることによって、低歩留りで
信頼性の高いアクティブマトリクス基板を実現できる。
配線の交差部分や配線上にパターンを形成する場合が多
く、金属配線の両縁部が逆テーパーになると、膜の断線
や膜残り等の問題点が発生するアクティブマトリクス基
板に、上記金属配線を用いることによって、低歩留りで
信頼性の高いアクティブマトリクス基板を実現できる。
【００３５】また、上記一実施形態のアクティブマトリ
クス基板は、上記めっき膜の両縁部の上記ガラス基板表
面に対するテーパー角αが２０°≦α≦７５°であるこ
とを特徴としている。
クス基板は、上記めっき膜の両縁部の上記ガラス基板表
面に対するテーパー角αが２０°≦α≦７５°であるこ
とを特徴としている。
【００３６】上記実施形態のアクティブマトリクス基板
によれば、上記めっき膜の両縁部のガラス基板表面に対
するテーパー角を２０°以上とすることによって、テー
パー角が小さいためにテーパー部分の幅が大きくなりす
ぎて、配線全体がテーパー部分にならないようにでき
る。また、上記めっき膜の両縁部のガラス基板表面に対
するテーパー角度を７５°以下にすることによって、段
切れなどの発生を防止できる。
によれば、上記めっき膜の両縁部のガラス基板表面に対
するテーパー角を２０°以上とすることによって、テー
パー角が小さいためにテーパー部分の幅が大きくなりす
ぎて、配線全体がテーパー部分にならないようにでき
る。また、上記めっき膜の両縁部のガラス基板表面に対
するテーパー角度を７５°以下にすることによって、段
切れなどの発生を防止できる。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の金属配線および
それを用いたアクティブマトリクス基板を図示の実施の
形態により詳細に説明する。なお、この実施の形態で
は、この発明の「金属配線およびそれを用いたアクティ
ブマトリクス基板」をアクティブマトリクス駆動型ＬＣ
Ｄに適用する場合を想定して説明する。
それを用いたアクティブマトリクス基板を図示の実施の
形態により詳細に説明する。なお、この実施の形態で
は、この発明の「金属配線およびそれを用いたアクティ
ブマトリクス基板」をアクティブマトリクス駆動型ＬＣ
Ｄに適用する場合を想定して説明する。
【００３８】(第１実施形態)図１は、この発明の第１実
施形態の金属配線の概略断面図であり、１１はガラス基
板、１２は上記ガラス基板１１上に形成された配線用の
下地パターン膜、１３は上記下地パターン膜１２上にめ
っきを施すことにより形成されためっき膜である。図１
において、αは金属配線(めっき膜１３)の両縁部のテー
パー角、βは下地パターン膜１２の両縁部のテーパー
角、Ｘはめっき膜１３の膜厚、Ｙはガラス掘れ量であ
る。
施形態の金属配線の概略断面図であり、１１はガラス基
板、１２は上記ガラス基板１１上に形成された配線用の
下地パターン膜、１３は上記下地パターン膜１２上にめ
っきを施すことにより形成されためっき膜である。図１
において、αは金属配線(めっき膜１３)の両縁部のテー
パー角、βは下地パターン膜１２の両縁部のテーパー
角、Ｘはめっき膜１３の膜厚、Ｙはガラス掘れ量であ
る。
【００３９】上記構成の金属配線では、めっき膜１３の
テーパー角αを０＜α≦９０°とし、下地パターン膜１
２のテーパー角βを０＜β≦９０°とすると共に、めっ
き膜１３の膜厚ＸをＹ≦Ｘ≦８０００Åとし、ガラス基
板１１のガラス掘れ量Ｙを０≦Ｙ≦２０００Åとしてい
る。
テーパー角αを０＜α≦９０°とし、下地パターン膜１
２のテーパー角βを０＜β≦９０°とすると共に、めっ
き膜１３の膜厚ＸをＹ≦Ｘ≦８０００Åとし、ガラス基
板１１のガラス掘れ量Ｙを０≦Ｙ≦２０００Åとしてい
る。
【００４０】また、図２(a),(b)は上記金属配線の製造
方法を示す図である。以下、図２(a),(b)にしたがって
上記金属配線の製造方法を説明する。
方法を示す図である。以下、図２(a),(b)にしたがって
上記金属配線の製造方法を説明する。
【００４１】(第１の工程)まず、コーニング社製＃１７
３７ガラス基板１１の表面をアルカリや酸または有機溶
剤を用いて脱脂洗浄を行う。このとき超音波を併用する
と、洗浄が効果的に行われる。なお、上記ガラス基板１
１の代わりに、 ガラス、セラミック、表面に絶縁層を備えた半導体
基板や導体基板等の無機基板 ＰＥＴ(テレフタル酸ポリエチレン)、ＡＢＳ(アク
リロニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体)、ＰＣ(ポ
リカーボネート)、ＰＥＳ(ポリエーテルスルホン)等の
有機基板やフィルム等でもよい。
３７ガラス基板１１の表面をアルカリや酸または有機溶
剤を用いて脱脂洗浄を行う。このとき超音波を併用する
と、洗浄が効果的に行われる。なお、上記ガラス基板１
１の代わりに、 ガラス、セラミック、表面に絶縁層を備えた半導体
基板や導体基板等の無機基板 ＰＥＴ(テレフタル酸ポリエチレン)、ＡＢＳ(アク
リロニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体)、ＰＣ(ポ
リカーボネート)、ＰＥＳ(ポリエーテルスルホン)等の
有機基板やフィルム等でもよい。
【００４２】そして、上記ガラス基板１１上に下地パタ
ーン膜としてＩＴＯ膜(またはＳnＯ 2膜)１２をスパッタ
により形成する。
ーン膜としてＩＴＯ膜(またはＳnＯ 2膜)１２をスパッタ
により形成する。
【００４３】なお、この第１の工程において、ＩＴＯ
(またはＳnＯ2)は、乾式成膜で作製してもよいが、湿式
成膜(塗布法、ゾルゲル法、液相成長法、電析法、スプ
レー法、ケミカルミストデポジション(ＣＭＤ)等)を用
いて、下地パターン膜を形成することも可能である。
(またはＳnＯ2)は、乾式成膜で作製してもよいが、湿式
成膜(塗布法、ゾルゲル法、液相成長法、電析法、スプ
レー法、ケミカルミストデポジション(ＣＭＤ)等)を用
いて、下地パターン膜を形成することも可能である。
【００４４】また、例えば湿式成膜のゾルゲル法でＩＴ
Ｏ膜またはＳnＯ2膜を成膜する場合、感光性をもった材
料を使用することも可能である。感光性の材料を使用す
ることでレジストの使用およびレジストのエッチング工
程がなくなるため、低コスト化と工程の短縮化を行うこ
とが可能になる。
Ｏ膜またはＳnＯ2膜を成膜する場合、感光性をもった材
料を使用することも可能である。感光性の材料を使用す
ることでレジストの使用およびレジストのエッチング工
程がなくなるため、低コスト化と工程の短縮化を行うこ
とが可能になる。
【００４５】さらに、下地パターン膜としては、ＩＴＯ
やＳnＯ2のほかに耐薬品性等を考慮して問題なければ、
透明導電膜のＺnＯやＩn2Ｏ3をパターニングしたもの等
についても使用できる。
やＳnＯ2のほかに耐薬品性等を考慮して問題なければ、
透明導電膜のＺnＯやＩn2Ｏ3をパターニングしたもの等
についても使用できる。
【００４６】また、ＩＴＯ,ＳnＯ2の代わりにポリイミ
ドのような樹脂により下地パターン膜を形成することも
考えられる。ポリイミドとしては感光性のあるものも使
用でき、感光性のあるものを使用することにより、低コ
スト化,工程短縮化が可能になる等の利点がある。この
ようにポリイミドを使用すると大きな利点があるが、プ
ロセス温度の低温化や薬品の選定等により可であれば、
ポリイミド以外のレジストとして利用されているノボラ
ック樹脂、アクリル系樹脂、プリント配線基板として使
用されているエポキシ系樹脂等でもよい。
ドのような樹脂により下地パターン膜を形成することも
考えられる。ポリイミドとしては感光性のあるものも使
用でき、感光性のあるものを使用することにより、低コ
スト化,工程短縮化が可能になる等の利点がある。この
ようにポリイミドを使用すると大きな利点があるが、プ
ロセス温度の低温化や薬品の選定等により可であれば、
ポリイミド以外のレジストとして利用されているノボラ
ック樹脂、アクリル系樹脂、プリント配線基板として使
用されているエポキシ系樹脂等でもよい。
【００４７】また、下地パターン膜の厚みはこの発明で
は規定していないが、例えばアクティブマトリクス基板
で用いるためには薄いほうがよい。すなわち、下地パタ
ーン膜が薄いほうが全体の金属配線の厚みを薄くできる
ため、ガラス基板上のパターンによる凹凸を少なくでき
るのである。したがって、この第１実施形態では、ＩＴ
Ｏ膜の厚みを１０００Åとした。
は規定していないが、例えばアクティブマトリクス基板
で用いるためには薄いほうがよい。すなわち、下地パタ
ーン膜が薄いほうが全体の金属配線の厚みを薄くできる
ため、ガラス基板上のパターンによる凹凸を少なくでき
るのである。したがって、この第１実施形態では、ＩＴ
Ｏ膜の厚みを１０００Åとした。
【００４８】次に、下地ＩＴＯ膜を露光、現像処理、そ
の後エッチング処理により配線形状にパターニングし
て、下地パーン膜１２を形成する。具体的には、まず、
下地ＩＴＯ膜上にレジスト膜を塗布し、フォトマスクを
用いてレジスト膜の露光を行った後、アルカリ現像によ
りパターニングを行う。その後、そのレジストパターン
を使用してＩＴＯ膜をエッチングし、最後にレジストを
剥離する。
の後エッチング処理により配線形状にパターニングし
て、下地パーン膜１２を形成する。具体的には、まず、
下地ＩＴＯ膜上にレジスト膜を塗布し、フォトマスクを
用いてレジスト膜の露光を行った後、アルカリ現像によ
りパターニングを行う。その後、そのレジストパターン
を使用してＩＴＯ膜をエッチングし、最後にレジストを
剥離する。
【００４９】露光、現像によりパターニングできる感光
性のある下地パターン膜の場合は、フォト工程のみでパ
ターニングが可能であるため、低コスト化,工程の簡略
化の観点から最適である。
性のある下地パターン膜の場合は、フォト工程のみでパ
ターニングが可能であるため、低コスト化,工程の簡略
化の観点から最適である。
【００５０】(第２の工程)次に、上記下地パターン膜１
２上に無電解選択めっきを用いて成膜を行う。
２上に無電解選択めっきを用いて成膜を行う。
【００５１】具体的には、図３に金属配線の製造方法の
工程を示しており、図３にしたがって以下に詳細な説明
を行う。
工程を示しており、図３にしたがって以下に詳細な説明
を行う。
【００５２】なお、各工程(Ａ〜Ｈ(Ｅアニール後は除
く))の間には、処理液を洗い流す水洗いを行っている
が、毎回同じ処理を行うため、工程Ａにのみ記載し、他
の工程の水洗い処理は省略する。
く))の間には、処理液を洗い流す水洗いを行っている
が、毎回同じ処理を行うため、工程Ａにのみ記載し、他
の工程の水洗い処理は省略する。
【００５３】[工程Ａ] まず、基板表面の脱脂洗浄を行
いガラス基板１１(図２(b)に示す)表面およびＩＴＯか
らなる下地パターン膜１２(図２(b)に示す)表面の汚れ
を除去する。この脱脂洗浄には、メルテックス製メルク
リーナーＩＴＯ−１７０を使用し、７５℃５分処理(超
音波併用)を行う。その後、この液を洗い流すために純
水により、２次水洗まで行う。１次水洗,２次水洗とも
に室温で５分程度の洗浄を行う。
いガラス基板１１(図２(b)に示す)表面およびＩＴＯか
らなる下地パターン膜１２(図２(b)に示す)表面の汚れ
を除去する。この脱脂洗浄には、メルテックス製メルク
リーナーＩＴＯ−１７０を使用し、７５℃５分処理(超
音波併用)を行う。その後、この液を洗い流すために純
水により、２次水洗まで行う。１次水洗,２次水洗とも
に室温で５分程度の洗浄を行う。
【００５４】[工程Ｂ] 次に、下地パターン膜１２のＩ
ＴＯ中に含まれるＳnの活性化と、ＩＴＯへのめっき膜
密着力を向上するため、ＩＴＯの表面を若干エッチング
するための処理を行う。このエッチング処理には、メル
テックス製のメルプレートコンディショナー４７８を使
用し、室温で５分間の処理を行う。
ＴＯ中に含まれるＳnの活性化と、ＩＴＯへのめっき膜
密着力を向上するため、ＩＴＯの表面を若干エッチング
するための処理を行う。このエッチング処理には、メル
テックス製のメルプレートコンディショナー４７８を使
用し、室温で５分間の処理を行う。
【００５５】このメルプレートコンディショナー４７８
中にフッ酸が含まれるため、この工程Ｂでガラス基板１
１の表面がエッチングされる。このメルプレートコンデ
ィショナー４７８の濃度を変化させることによりガラス
の掘れ量を変化させることが可能であり、ここでは、ガ
ラスの掘れ量を０〜２０００Åになるようにメルプレー
トコンディショナー４７８の濃度の変更を行う。
中にフッ酸が含まれるため、この工程Ｂでガラス基板１
１の表面がエッチングされる。このメルプレートコンデ
ィショナー４７８の濃度を変化させることによりガラス
の掘れ量を変化させることが可能であり、ここでは、ガ
ラスの掘れ量を０〜２０００Åになるようにメルプレー
トコンディショナー４７８の濃度の変更を行う。
【００５６】[工程Ｃ] 次に、活性化したＳnを利用し
て、ＩＴＯからなる下地パターン膜１２(図２(b)に示
す)上にＰd触媒を付着させる。このため、メルテックス
製のエンプレートアクチベーター４４０で室温で５分間
処理を行う。これによりＩＴＯからなる下地パターン膜
１２の表面部分にのみＰd触媒が付着し、選択めっきが
可能になる。
て、ＩＴＯからなる下地パターン膜１２(図２(b)に示
す)上にＰd触媒を付着させる。このため、メルテックス
製のエンプレートアクチベーター４４０で室温で５分間
処理を行う。これによりＩＴＯからなる下地パターン膜
１２の表面部分にのみＰd触媒が付着し、選択めっきが
可能になる。
【００５７】なお、この工程Ｃでは、無電解めっき触媒
としてＰdを用いたが、ＰdのほかにＡg、Ｐt、Ｚn、Ｃ
u、Ｎi等の金属を用いてもよいし、それらの合金、また
はその金属化合物を用いてもよく、さらにその金属と他
の金属とをある割合で合金化した合金等を用いてもよ
い。
としてＰdを用いたが、ＰdのほかにＡg、Ｐt、Ｚn、Ｃ
u、Ｎi等の金属を用いてもよいし、それらの合金、また
はその金属化合物を用いてもよく、さらにその金属と他
の金属とをある割合で合金化した合金等を用いてもよ
い。
【００５８】[工程Ｄ] 次に、無電解Ｎiめっき液に浸
すことによりＮi被膜をＩＴＯからなる下地パターン膜
１２上に選択的に成膜を行う。これは、上記Ｐd触媒を
核にしてＮiが成長するためである。この無電解メッキ
は、メルテックス製のメルプレートＮi−８６７により
７０℃で処理を行う。無電解メッキ処理時間を変更する
ことにより任意の膜厚で成膜することができ、３〜５分
程度の処理を行う。
すことによりＮi被膜をＩＴＯからなる下地パターン膜
１２上に選択的に成膜を行う。これは、上記Ｐd触媒を
核にしてＮiが成長するためである。この無電解メッキ
は、メルテックス製のメルプレートＮi−８６７により
７０℃で処理を行う。無電解メッキ処理時間を変更する
ことにより任意の膜厚で成膜することができ、３〜５分
程度の処理を行う。
【００５９】[工程Ｅ] 次に、無電解Ｎiめっき膜とＩ
ＴＯ膜(下地パターン膜１２)との密着性向上のために、
アニール処理を行う。この工程Ｅでは、アニール処理を
行う方がより密着力が向上するためにこの処理を行って
いるが、必要ない場合は省いてもよい。
ＴＯ膜(下地パターン膜１２)との密着性向上のために、
アニール処理を行う。この工程Ｅでは、アニール処理を
行う方がより密着力が向上するためにこの処理を行って
いるが、必要ない場合は省いてもよい。
【００６０】[工程Ｆ] 次に、工程Ｅのアニール処理を
大気中で行っているために洗浄の意味で再度脱脂処理を
行う。なお、アニール処理を行わない場合には、この工
程を省くことも可能である。
大気中で行っているために洗浄の意味で再度脱脂処理を
行う。なお、アニール処理を行わない場合には、この工
程を省くことも可能である。
【００６１】[工程Ｇ] 次に、Ｎi表面をＡuにより置換
して成膜を行う置換めっきを行う。この置換めっきは、
メルテックス製メルプレートＡＵ−６０１を使用し、９
０℃で処理を行う。Ａuは耐食性が高く、表面酸化しに
くいため、次のＣuめっきをしやすくするためにめっき
を行っている。
して成膜を行う置換めっきを行う。この置換めっきは、
メルテックス製メルプレートＡＵ−６０１を使用し、９
０℃で処理を行う。Ａuは耐食性が高く、表面酸化しに
くいため、次のＣuめっきをしやすくするためにめっき
を行っている。
【００６２】また、Ａuめっき膜の厚さは、この上の膜
を電気めっきで形成する場合には、下地金属膜の低抵抗
化の必要性から０.０１〜０.１μｍ程度がよく、この上
の膜を無電解めっきで形成する場合には、表面をある程
度覆っていればよいので、さらに薄膜にしてもよい。な
お、Ａuは高価であるため、厚膜化するとコストアップ
につながるためにできるだけ薄い方が好ましい。
を電気めっきで形成する場合には、下地金属膜の低抵抗
化の必要性から０.０１〜０.１μｍ程度がよく、この上
の膜を無電解めっきで形成する場合には、表面をある程
度覆っていればよいので、さらに薄膜にしてもよい。な
お、Ａuは高価であるため、厚膜化するとコストアップ
につながるためにできるだけ薄い方が好ましい。
【００６３】また、作業環境面への影響等から、無電解
めっき液はシアン系よりも非シアン系のめっき液のほう
がより好ましい。
めっき液はシアン系よりも非シアン系のめっき液のほう
がより好ましい。
【００６４】[工程Ｈ] 次に、基板を無電解Ｃuめっき
液に浸すことによりＡu／Ｎi／ＩＴＯ膜上に選択的にＣ
uめっきを行う。このＣuめっき処理には、メルプレート
Ｃu−３９０を使用し、２５℃で処理を行う。このＣu膜
も処理時間により任意に膜厚の変更が可能である。な
お、この工程Ｈでは、めっき液としてホルムアルデヒド
等を使用したが、環境への影響を考えると、これらの薬
品を使用しないめっき液のほうがより好ましい。また、
この工程Ｈでは、無電解Ｃuめっきを採用したが、より
低抵抗な膜が成膜できる電気Ｃuめっきを使用してもよ
い(一般的に無電解めっき膜の方が電解めっき膜よりも
抵抗が高い)。
液に浸すことによりＡu／Ｎi／ＩＴＯ膜上に選択的にＣ
uめっきを行う。このＣuめっき処理には、メルプレート
Ｃu−３９０を使用し、２５℃で処理を行う。このＣu膜
も処理時間により任意に膜厚の変更が可能である。な
お、この工程Ｈでは、めっき液としてホルムアルデヒド
等を使用したが、環境への影響を考えると、これらの薬
品を使用しないめっき液のほうがより好ましい。また、
この工程Ｈでは、無電解Ｃuめっきを採用したが、より
低抵抗な膜が成膜できる電気Ｃuめっきを使用してもよ
い(一般的に無電解めっき膜の方が電解めっき膜よりも
抵抗が高い)。
【００６５】このようにして、ＩＴＯからなる下地パタ
ーン膜１２上にめっき膜１３としてＣu／Ａu／Ｎiの多
層膜を形成する。
ーン膜１２上にめっき膜１３としてＣu／Ａu／Ｎiの多
層膜を形成する。
【００６６】次に、この金属配線のテーパー角の条件を
導き出した実験について述べる。
導き出した実験について述べる。
【００６７】まず、テーパー形状を気にすることなく金
属配線を形成し、アクティブマトリクス基板を製造し
た。そうすると、逆テーパーになっていたものについて
は前にも述べたように、まず次の膜を成膜するときに、
金属配線の両縁部の逆テーパーの部分が影になりうまく
成膜することができず、断線の発生が多くなると共に、
膜のパターニングに用いられるドライエッチが異方性エ
ッチングであるため、逆テーパーになっている影の縁部
がエッチングされずに膜残りが発生した。
属配線を形成し、アクティブマトリクス基板を製造し
た。そうすると、逆テーパーになっていたものについて
は前にも述べたように、まず次の膜を成膜するときに、
金属配線の両縁部の逆テーパーの部分が影になりうまく
成膜することができず、断線の発生が多くなると共に、
膜のパターニングに用いられるドライエッチが異方性エ
ッチングであるため、逆テーパーになっている影の縁部
がエッチングされずに膜残りが発生した。
【００６８】これに対して金属配線の両縁部のテーパー
角が９０°以下のものは、断線や膜残りともに発生して
いなかった。
角が９０°以下のものは、断線や膜残りともに発生して
いなかった。
【００６９】そこで、テーパー形状が９０°以下になる
条件について次のような検討を行った。表１は、上記の
金属配線の製造方法に従い、ガラスエッチング量(ガラ
ス掘れ量Ｙ)とめっき膜厚(めっき膜厚Ｘ)をパラメータ
ーとして各種形状の金属配線を形成したときのテーパー
形状を確認した実験結果である。
条件について次のような検討を行った。表１は、上記の
金属配線の製造方法に従い、ガラスエッチング量(ガラ
ス掘れ量Ｙ)とめっき膜厚(めっき膜厚Ｘ)をパラメータ
ーとして各種形状の金属配線を形成したときのテーパー
形状を確認した実験結果である。
【表１】
【００７０】表１の実験結果より、ガラス掘れ量Ｙが約
０Åのときを見てみると、８０００Åを超えたときに逆
テーパーになることが確認された。これは、めっき膜の
成長速度が違うため、ある程度の膜厚を超えると、ガラ
スと密着部分が逆テーパーになってしまうためである。
０Åのときを見てみると、８０００Åを超えたときに逆
テーパーになることが確認された。これは、めっき膜の
成長速度が違うため、ある程度の膜厚を超えると、ガラ
スと密着部分が逆テーパーになってしまうためである。
【００７１】次に、ガラス掘れ量Ｙが２０００Åを超え
たときに逆テーパーになる現象が観察された。ガラス掘
れ量Ｙが２０００Åを超えると、下地パターン膜の下側
のガラス領域がエッチングされてしまい大きな傘状にな
ってしまうことがわかっている。この傘の大きさがある
程度以上(ガラスの掘れ量が１０００Å程度の傘であれ
ばテーパー形状よくめっき可能)を超えると、テーパー
形状がよくない。
たときに逆テーパーになる現象が観察された。ガラス掘
れ量Ｙが２０００Åを超えると、下地パターン膜の下側
のガラス領域がエッチングされてしまい大きな傘状にな
ってしまうことがわかっている。この傘の大きさがある
程度以上(ガラスの掘れ量が１０００Å程度の傘であれ
ばテーパー形状よくめっき可能)を超えると、テーパー
形状がよくない。
【００７２】最後に、めっき膜厚Ｘの薄い場合の条件に
ついては、ガラス掘れ量Ｙに対してめっき膜厚Ｘが薄い
場合に逆テーパーになることが確認された。これはガラ
ス掘れ量Ｙよりも膜が薄い場合、下地パターンに沿って
成膜されるというめっきの特徴から当然である。
ついては、ガラス掘れ量Ｙに対してめっき膜厚Ｘが薄い
場合に逆テーパーになることが確認された。これはガラ
ス掘れ量Ｙよりも膜が薄い場合、下地パターンに沿って
成膜されるというめっきの特徴から当然である。
【００７３】これらの結果より、ガラスの掘れ量Ｙが０
≦Ｙ≦２０００Å、めっき膜の厚みＸがＹ≦Ｘ≦８００
０Åのときに金属配線のテーパー角αが０＜α≦９０°
になることが確認できた。
≦Ｙ≦２０００Å、めっき膜の厚みＸがＹ≦Ｘ≦８００
０Åのときに金属配線のテーパー角αが０＜α≦９０°
になることが確認できた。
【００７４】図５,図６は上記金属配線の製造方法によ
り作成した金属配線の断面の代表的なＳＥＭ(走査型電
子顕微鏡)観察結果を示している(物件提出書により参考
資料として図５,図６のＳＥＭ観察結果の写真の写しを
提出)。図５(a)に示すように、ガラス掘れ量約７５０
Å、めっき膜厚２２５０Åの条件でテーパー角αが９０
°以下となり、図５(b)に示すように、ガラス掘れ量約
５５００Å、めっき膜厚約１８００Åの条件でテーパー
角αが９０°以下となり、図６(a)に示すように、ガラ
ス掘れ量約１００００Å、めっき膜厚約２２５０Åの条
件でテーパー角αが９０°を越え、図６(b)に示すよう
に、ガラス掘れ量約４５００Å、めっき膜厚約２１００
Åの条件でテーパー角αが９０°を越えた。
り作成した金属配線の断面の代表的なＳＥＭ(走査型電
子顕微鏡)観察結果を示している(物件提出書により参考
資料として図５,図６のＳＥＭ観察結果の写真の写しを
提出)。図５(a)に示すように、ガラス掘れ量約７５０
Å、めっき膜厚２２５０Åの条件でテーパー角αが９０
°以下となり、図５(b)に示すように、ガラス掘れ量約
５５００Å、めっき膜厚約１８００Åの条件でテーパー
角αが９０°以下となり、図６(a)に示すように、ガラ
ス掘れ量約１００００Å、めっき膜厚約２２５０Åの条
件でテーパー角αが９０°を越え、図６(b)に示すよう
に、ガラス掘れ量約４５００Å、めっき膜厚約２１００
Åの条件でテーパー角αが９０°を越えた。
【００７５】なお、この第１実施形態では、Ｃu／Ａu／
Ｎi／ＩＴＯの積層構造を用いて説明したが、Ｃu／Ｎi
／ＩＴＯ、Ｃu／ＩＴＯ、Ｎi／ＩＴＯ、Ｎi／Ｃu／ＩＴ
Ｏ等いろいろな膜構造が考えられる。
Ｎi／ＩＴＯの積層構造を用いて説明したが、Ｃu／Ｎi
／ＩＴＯ、Ｃu／ＩＴＯ、Ｎi／ＩＴＯ、Ｎi／Ｃu／ＩＴ
Ｏ等いろいろな膜構造が考えられる。
【００７６】したがって、金属配線上に新たな金属配線
を形成する場合に、この金属配線の両縁部のテーパー形
状により新たな金属配線を断線なく形成することが可能
になる。また、この金属配線上に新たな膜をパターニン
グする場合には、この金属配線の両縁部のテーパー形状
によりエッチング不良による膜残りの発生を防ぐことが
可能になる。なお、この第１実施形態では、金属配線の
めっき膜の両縁部のガラス基板表面に対するテーパー角
αを０＜α≦９０°としたが、めっき膜の両縁部のテー
パー角αの最大値を９０°とした理由は、図４(b)に示
すように、ガラス基板４３上に形成されためっき膜４４
上に新たな膜を成膜してパターニングする場合に、最低
限逆テーパーになっていなければ、断線や膜残りを防ぐ
ことが可能であるからである。また、テーパー角αを０
°より大きい角とした理由は、図４(a)に示すように、
ガラス基板４１上に形成されためっき膜４２の両縁部が
限りなく０に近いテーパー角以上あれば、断線や膜残り
を防ぐことが可能になるためである。
を形成する場合に、この金属配線の両縁部のテーパー形
状により新たな金属配線を断線なく形成することが可能
になる。また、この金属配線上に新たな膜をパターニン
グする場合には、この金属配線の両縁部のテーパー形状
によりエッチング不良による膜残りの発生を防ぐことが
可能になる。なお、この第１実施形態では、金属配線の
めっき膜の両縁部のガラス基板表面に対するテーパー角
αを０＜α≦９０°としたが、めっき膜の両縁部のテー
パー角αの最大値を９０°とした理由は、図４(b)に示
すように、ガラス基板４３上に形成されためっき膜４４
上に新たな膜を成膜してパターニングする場合に、最低
限逆テーパーになっていなければ、断線や膜残りを防ぐ
ことが可能であるからである。また、テーパー角αを０
°より大きい角とした理由は、図４(a)に示すように、
ガラス基板４１上に形成されためっき膜４２の両縁部が
限りなく０に近いテーパー角以上あれば、断線や膜残り
を防ぐことが可能になるためである。
【００７７】また、上記下地パターン膜１２の両縁部の
ガラス基板１１表面に対するテーパー角βが０＜β≦９
０°で、かつ、下地パターン膜１２のない部分のガラス
基板１１の掘れ量Ｙが０≦Ｙ≦２０００Åで、かつ、め
っき膜１３の厚みＸがＹ≦Ｘ≦８０００Åである構造に
することにより、両縁部のテーパーを逆テーパーにする
ことなしにテーパー角αが０＜α≦９０°のめっき膜１
３を確実に形成することができる。
ガラス基板１１表面に対するテーパー角βが０＜β≦９
０°で、かつ、下地パターン膜１２のない部分のガラス
基板１１の掘れ量Ｙが０≦Ｙ≦２０００Åで、かつ、め
っき膜１３の厚みＸがＹ≦Ｘ≦８０００Åである構造に
することにより、両縁部のテーパーを逆テーパーにする
ことなしにテーパー角αが０＜α≦９０°のめっき膜１
３を確実に形成することができる。
【００７８】また、アクティブマトリクス基板の製造プ
ロセスで使用されている薬品に対して耐薬品性が高いＩ
ＴＯや、一般的な薬品に対する耐薬品性が高いＳnＯ2を
下地パターン膜に用いることによって、製造プロセスヘ
のマージンを大きくすることができる。また、ＩＴＯ膜
またはＳnＯ2膜を湿式成膜のゾルゲル法で成膜する場
合、感光性をもった材料を使用することによって、レジ
ストの使用がなくなるため、低コスト化と工程の短縮化
を行うことができる。さらに、この金属配線をアクティ
ブマトリクス基板に用いたとき、下地パターン膜として
透明導電膜であるＩＴＯまたはＳnＯ2を使用することに
より、金属配線の下地パターン膜と画素電極とを同時に
形成し、配線の部分のみめっきを行うことにより、配線
と画素電極を同時に形成することができる。
ロセスで使用されている薬品に対して耐薬品性が高いＩ
ＴＯや、一般的な薬品に対する耐薬品性が高いＳnＯ2を
下地パターン膜に用いることによって、製造プロセスヘ
のマージンを大きくすることができる。また、ＩＴＯ膜
またはＳnＯ2膜を湿式成膜のゾルゲル法で成膜する場
合、感光性をもった材料を使用することによって、レジ
ストの使用がなくなるため、低コスト化と工程の短縮化
を行うことができる。さらに、この金属配線をアクティ
ブマトリクス基板に用いたとき、下地パターン膜として
透明導電膜であるＩＴＯまたはＳnＯ2を使用することに
より、金属配線の下地パターン膜と画素電極とを同時に
形成し、配線の部分のみめっきを行うことにより、配線
と画素電極を同時に形成することができる。
【００７９】また、めっき技術として無電解選択めっき
を使用する場合、下地パターン膜として耐熱性,耐薬品
性が優れているポリイミドを用いることによって、後工
程での製造方法を幅広く選ぶことが可能になる。また、
ポリイミドは、耐熱性が高いことから、他の成膜プロセ
スのマージンが広くなると共に、プロセスの低温化の必
要がなく、低温化に伴う不良の発生を防ぐことができ
る。さらに、感光性のあるポリイミドを使用することに
よって、工程短縮化,低コスト化が可能になる。
を使用する場合、下地パターン膜として耐熱性,耐薬品
性が優れているポリイミドを用いることによって、後工
程での製造方法を幅広く選ぶことが可能になる。また、
ポリイミドは、耐熱性が高いことから、他の成膜プロセ
スのマージンが広くなると共に、プロセスの低温化の必
要がなく、低温化に伴う不良の発生を防ぐことができ
る。さらに、感光性のあるポリイミドを使用することに
よって、工程短縮化,低コスト化が可能になる。
【００８０】また、Ｃu／Ａu／Ｎiの多層膜であるめっ
き膜１３では、密着性のよいＮiを下地として利用し、
その上に耐食性に優れ表面に酸化膜を形成しないＡuを
成膜し、さらにその上に抵抗率(バルク抵抗率１.７μΩ
・ｃｍ)が低く、かつ、エレクトロマイグレーションに
対する寿命が長いＣuを成膜することにより、密着性が
よく信頼性の高い低抵抗な金属配線を実現することがで
きる。
き膜１３では、密着性のよいＮiを下地として利用し、
その上に耐食性に優れ表面に酸化膜を形成しないＡuを
成膜し、さらにその上に抵抗率(バルク抵抗率１.７μΩ
・ｃｍ)が低く、かつ、エレクトロマイグレーションに
対する寿命が長いＣuを成膜することにより、密着性が
よく信頼性の高い低抵抗な金属配線を実現することがで
きる。
【００８１】アクティブマトリックス基板としてこの金
属配線を用いる場合は、配線幅が１０μｍ、配線膜厚が
５０００Å、テーパー角が３０°とすると、テーパー部
分の幅は左右合わせて２μｍとなる。このようにして考
えると、あまりにテーパー角が小さいとテーパー部分の
幅が大きくなりすぎて配線全体がテーパー部分になりか
ねないため、角度の小さいほうは２０°以上が望まし
い。また、テーパー角度が大きい方について考えると、
段切れなどの発生可能性の観点から７５°以下程度が望
ましい。このためアクティブマトリックス基板にこの金
属配線を用いる場合には、テーパー角αは２０°≦α≦
７５°であることが望ましい。
属配線を用いる場合は、配線幅が１０μｍ、配線膜厚が
５０００Å、テーパー角が３０°とすると、テーパー部
分の幅は左右合わせて２μｍとなる。このようにして考
えると、あまりにテーパー角が小さいとテーパー部分の
幅が大きくなりすぎて配線全体がテーパー部分になりか
ねないため、角度の小さいほうは２０°以上が望まし
い。また、テーパー角度が大きい方について考えると、
段切れなどの発生可能性の観点から７５°以下程度が望
ましい。このためアクティブマトリックス基板にこの金
属配線を用いる場合には、テーパー角αは２０°≦α≦
７５°であることが望ましい。
【００８２】(第２実施形態)図７はこの発明の第２実施
形態の金属配線を用いたアクティブマトリクス基板の薄
膜トランジスタおよびその周辺部の断面図を示してお
り、第１実施形態により得られた金属配線を採用してい
る。
形態の金属配線を用いたアクティブマトリクス基板の薄
膜トランジスタおよびその周辺部の断面図を示してお
り、第１実施形態により得られた金属配線を採用してい
る。
【００８３】図７に示すように、ガラス基板１００上
に、ゲート配線１０１と、そのゲート配線１０１に連な
るゲート電極１０２と、補助容量用電極１０３とを形成
している。上記ゲート配線１０１は、下地パターン膜と
して形成されたＩＴＯ膜１０１Ａ(厚み１０００Å)と、
そのＩＴＯ膜１０１Ａ上にめっき膜として形成されたＣ
u／Ａu／Ｎi膜１０１Ｂ(全体の厚み２０００Å)とから
なる。同様に、ゲート電極１０２,補助容量用電極１０
３も、下地パターン膜であるＩＴＯ膜とめっき膜である
Ｃu／Ａu／Ｎi膜からなる。
に、ゲート配線１０１と、そのゲート配線１０１に連な
るゲート電極１０２と、補助容量用電極１０３とを形成
している。上記ゲート配線１０１は、下地パターン膜と
して形成されたＩＴＯ膜１０１Ａ(厚み１０００Å)と、
そのＩＴＯ膜１０１Ａ上にめっき膜として形成されたＣ
u／Ａu／Ｎi膜１０１Ｂ(全体の厚み２０００Å)とから
なる。同様に、ゲート電極１０２,補助容量用電極１０
３も、下地パターン膜であるＩＴＯ膜とめっき膜である
Ｃu／Ａu／Ｎi膜からなる。
【００８４】上記ゲート配線１０１,ゲート電極１０２,
補助容量用電極１０３が形成された基板全面に、ＳiＮx
からなるゲート絶縁膜１０４をＣＶＤ(化学気相成長)法
により形成しており、さらにゲート電極１０２に対応す
るゲート絶縁膜１０４上には、チャネル部１０５として
のａ−Ｓi膜、コンタクト層１０６としてのｎ＋型のａ
−Ｓi膜、Ｍo等からなるソース電極１０７、ドレイン電
極１０８を形成して、ＴＦＴを構成している。さらに、
ドレイン電極１０８に接続されたＩＴＯからなる画素電
極１０９と、ＳiＮxからなる絶縁保護膜１１０とを形成
している。上記画素電極１０９と補助容量用電極１０３
とでゲート絶縁膜１０４を挟んで、補助容量を構成して
いる。
補助容量用電極１０３が形成された基板全面に、ＳiＮx
からなるゲート絶縁膜１０４をＣＶＤ(化学気相成長)法
により形成しており、さらにゲート電極１０２に対応す
るゲート絶縁膜１０４上には、チャネル部１０５として
のａ−Ｓi膜、コンタクト層１０６としてのｎ＋型のａ
−Ｓi膜、Ｍo等からなるソース電極１０７、ドレイン電
極１０８を形成して、ＴＦＴを構成している。さらに、
ドレイン電極１０８に接続されたＩＴＯからなる画素電
極１０９と、ＳiＮxからなる絶縁保護膜１１０とを形成
している。上記画素電極１０９と補助容量用電極１０３
とでゲート絶縁膜１０４を挟んで、補助容量を構成して
いる。
【００８５】こうして得られたＴＦＴは、断線やパター
ン不良等のないものが作製でき、この発明の金属配線が
アクティブマトリクス基板に適用できることが確認され
た。したがって、この発明の金属配線をアクティブマト
リクス基板に用いることによって、断線や膜残りのない
低歩留りで信頼性の高いアクティブマトリクス基板を実
現することができる。
ン不良等のないものが作製でき、この発明の金属配線が
アクティブマトリクス基板に適用できることが確認され
た。したがって、この発明の金属配線をアクティブマト
リクス基板に用いることによって、断線や膜残りのない
低歩留りで信頼性の高いアクティブマトリクス基板を実
現することができる。
【００８６】上記第２実施形態では、逆スタガ構造のＴ
ＦＴを有するアクティブマトリクス基板について説明し
たが、スタガ構造のＴＦＴを有するアクティブマトリク
ス基板この発明を適用してもよい。
ＦＴを有するアクティブマトリクス基板について説明し
たが、スタガ構造のＴＦＴを有するアクティブマトリク
ス基板この発明を適用してもよい。
【００８７】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の金
属配線は、ガラス基板上に形成された配線用の下地パタ
ーン膜とその下地パターン膜上に選択的にめっきを施す
ることにより形成されためっき膜とからなる金属配線に
おいて、上記めっき膜の両縁部の上記ガラス基板表面に
対するテーパー角αが０＜α≦９０°であるので、この
金属配線上に新たな金属配線を断線なく形成することが
できると共に、この金属配線上に新たな膜をパターニン
グする場合にエッチング不良による膜残りの発生を防ぐ
ことができる。
属配線は、ガラス基板上に形成された配線用の下地パタ
ーン膜とその下地パターン膜上に選択的にめっきを施す
ることにより形成されためっき膜とからなる金属配線に
おいて、上記めっき膜の両縁部の上記ガラス基板表面に
対するテーパー角αが０＜α≦９０°であるので、この
金属配線上に新たな金属配線を断線なく形成することが
できると共に、この金属配線上に新たな膜をパターニン
グする場合にエッチング不良による膜残りの発生を防ぐ
ことができる。
【００８８】また、上記金属配線は、上記下地パターン
膜の両縁部の上記ガラス基板表面に対するテーパー角β
が０＜β≦９０°で、かつ、上記下地パターン膜のない
部分のガラス基板の掘れ量Ｙが０≦Ｙ≦２０００Åで、
かつ、上記めっき膜の厚みＸがＹ≦Ｘ≦８０００Åであ
るので、逆テーパーにすることなしにテーパー角αが０
＜α≦９０°のめっき膜を確実に形成できる。
膜の両縁部の上記ガラス基板表面に対するテーパー角β
が０＜β≦９０°で、かつ、上記下地パターン膜のない
部分のガラス基板の掘れ量Ｙが０≦Ｙ≦２０００Åで、
かつ、上記めっき膜の厚みＸがＹ≦Ｘ≦８０００Åであ
るので、逆テーパーにすることなしにテーパー角αが０
＜α≦９０°のめっき膜を確実に形成できる。
【００８９】また、上記金属配線によれば、アクティブ
マトリクス基板の製造プロセスで使用されている薬品に
対して耐薬品性が高いＩＴＯや、一般的な薬品に対する
耐薬品性が高いＳnＯ2により下地パターン膜を形成する
ことによって、製造プロセスヘのマージンを大きくする
ことができると共に、例湿式成膜のゾルゲル法でＩＴＯ
やＳnＯ2を成膜する場合に、感光性をもった材料を使用
することでレジストの使用がなくなるため、低コスト化
と工程短縮化を行うことができる。
マトリクス基板の製造プロセスで使用されている薬品に
対して耐薬品性が高いＩＴＯや、一般的な薬品に対する
耐薬品性が高いＳnＯ2により下地パターン膜を形成する
ことによって、製造プロセスヘのマージンを大きくする
ことができると共に、例湿式成膜のゾルゲル法でＩＴＯ
やＳnＯ2を成膜する場合に、感光性をもった材料を使用
することでレジストの使用がなくなるため、低コスト化
と工程短縮化を行うことができる。
【００９０】また、上記金属配線を用いたアクティブマ
トリクス基板において、下地パターン膜として透明導電
膜であるＩＴＯやＳnＯ2を使用することにより、金属配
線の下地パターン膜と画素電極とを同時に形成し、配線
の部分のみめっきを行うことにより、配線と画素電極を
同時に形成することができる。
トリクス基板において、下地パターン膜として透明導電
膜であるＩＴＯやＳnＯ2を使用することにより、金属配
線の下地パターン膜と画素電極とを同時に形成し、配線
の部分のみめっきを行うことにより、配線と画素電極を
同時に形成することができる。
【００９１】また、上記金属配線によれば、ポリイミド
により下地パターン膜を形成することによって、無電解
選択めっきを使用できると共に、耐熱性、耐薬品性が優
れているために後工程での製造方法を幅広く選ぶことが
できる。また、ポリイミドの耐熱性が高いことから他の
成膜プロセスのマージンが広くなるから、プロセスの変
更の必要がなく、プロセス変更に伴う不良の発生を防ぐ
ことができる。また、ポリイミドとして感光性のあるも
のを使用することにより、工程短縮化と低コスト化が可
能となる。
により下地パターン膜を形成することによって、無電解
選択めっきを使用できると共に、耐熱性、耐薬品性が優
れているために後工程での製造方法を幅広く選ぶことが
できる。また、ポリイミドの耐熱性が高いことから他の
成膜プロセスのマージンが広くなるから、プロセスの変
更の必要がなく、プロセス変更に伴う不良の発生を防ぐ
ことができる。また、ポリイミドとして感光性のあるも
のを使用することにより、工程短縮化と低コスト化が可
能となる。
【００９２】また、上記金属配線のめっき膜にＣuを用
いることによって、Ｃuは抵抗率が低く、エレクトロマ
イグレーションに対する寿命が長くなると共に、金属配
線のめつき膜にＡuを用いることによって、耐食性に優
れ表面に酸化膜を形成しないので、そのＡu膜の上にめ
っき技術により膜を形成するのに有利となる。また、め
っきとして無電解選択めっきを使用する場合に密着性の
よいＮiを下地として利用し、その上にＣu／Ａu等を成
膜することにより密着性が向上する。また、Ｃu,Ａu,Ｎ
iのいずれか１つを含む単層膜を少なくとも一層含む多
層膜をめっき膜とすることによって、特にＣu／Ａu／Ｎ
iの多層膜をめっき膜として下地パターン膜上に形成す
ることによって、密着性のよい低抵抗な金属配線を実現
することができる。また、このＣuの上にＮiを形成する
ことでＣuのバリア層を形成することができる。
いることによって、Ｃuは抵抗率が低く、エレクトロマ
イグレーションに対する寿命が長くなると共に、金属配
線のめつき膜にＡuを用いることによって、耐食性に優
れ表面に酸化膜を形成しないので、そのＡu膜の上にめ
っき技術により膜を形成するのに有利となる。また、め
っきとして無電解選択めっきを使用する場合に密着性の
よいＮiを下地として利用し、その上にＣu／Ａu等を成
膜することにより密着性が向上する。また、Ｃu,Ａu,Ｎ
iのいずれか１つを含む単層膜を少なくとも一層含む多
層膜をめっき膜とすることによって、特にＣu／Ａu／Ｎ
iの多層膜をめっき膜として下地パターン膜上に形成す
ることによって、密着性のよい低抵抗な金属配線を実現
することができる。また、このＣuの上にＮiを形成する
ことでＣuのバリア層を形成することができる。
【００９３】また、めっきに無電解めっきを用いること
により下地が例えばポリイミドのように電気を通さない
材料でも金属配線を形成でき、ガラスが大きくなっても
面内の膜厚均一性がかなりよく、又、電気を流すことも
ないため、装置を単純なものにすることができる。
により下地が例えばポリイミドのように電気を通さない
材料でも金属配線を形成でき、ガラスが大きくなっても
面内の膜厚均一性がかなりよく、又、電気を流すことも
ないため、装置を単純なものにすることができる。
【００９４】また、この発明のアクティブマトリクス基
板によれば、上記金属配線を用いたアクティブマトリク
ス基板であるので、配線の交差部分や配線上にパターン
を形成する場合に逆テーパーによる膜の断線や膜残りを
防いで、低歩留りでかつ信頼性の高い大面積化,高精細
化に対応したアクティブマトリクス基板を実現すること
ができる。
板によれば、上記金属配線を用いたアクティブマトリク
ス基板であるので、配線の交差部分や配線上にパターン
を形成する場合に逆テーパーによる膜の断線や膜残りを
防いで、低歩留りでかつ信頼性の高い大面積化,高精細
化に対応したアクティブマトリクス基板を実現すること
ができる。
【００９５】また、上記めっき膜の両縁部のガラス基板
表面に対するテーパー角を２０°≦α≦７５°とするこ
とによって、配線全体がテーパー部分にならないように
できると共に、段切れなどの発生を防止することができ
る。
表面に対するテーパー角を２０°≦α≦７５°とするこ
とによって、配線全体がテーパー部分にならないように
できると共に、段切れなどの発生を防止することができ
る。
【図１】 図１はこの発明の第１実施形態の金属配線の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】 図２(a),(b)は上記金属配線の製造方法を示
す図である。
す図である。
【図３】 図３は上記金属配線の製造方法の詳細を示す
図である。
図である。
【図４】 図４(a) は最小テーパー角を示す図であり、
図４(b)は最大テーパー角を示す図である。
図４(b)は最大テーパー角を示す図である。
【図５】 図５はテーパー角が９０°以下のときのＳＥ
Ｍ観察結果を示す図である。
Ｍ観察結果を示す図である。
【図６】 図６はテーパー角が９０°を越えたときのＳ
ＥＭ観察結果を示す図である。
ＥＭ観察結果を示す図である。
【図７】 図７はこの発明の第２実施形態の金属配線を
用いたアクティブマトリクス基板の要部の断面図であ
る。
用いたアクティブマトリクス基板の要部の断面図であ
る。
【図８】 図８はテーパー角が９０°以下の金属配線を
示す図である。
示す図である。
【図９】 図９はテーパー角が９０°超の逆テーパーの
金属配線を示す図である。
金属配線を示す図である。
【図１０】 図１０は下地膜が傘状にエッチングされた
状態を示す図である。
状態を示す図である。
１１…ガラス基板、 １２…下地パターン膜、 １３…めっき膜、 １００…ガラス基板、 １０１…ゲート配線、 １０２…ゲート電極、 １０３…補助容量用電極、 １０４…ゲート絶縁膜、 １０５…チャネル部、 １０６…コンタクト層、 １０７…ソース電極、 １０８…ドレイン電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/43 Ｃ２３Ｃ 18/52 Ｂ 29/786 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ａ // Ｃ２３Ｃ 18/16 Ｂ 18/52 29/62 Ｇ 29/78 ６１７Ｊ ６１７Ｋ ６１７Ｌ ６１７Ｍ
Claims (8)
- 【請求項１】 ガラス基板上に形成された配線用の下地
パターン膜とその下地パターン膜上に選択的にめっきを
施することにより形成されためっき膜とからなる金属配
線において、 上記めっき膜の両縁部の上記ガラス基板表面に対するテ
ーパー角αが０＜α≦９０°であることを特徴とする金
属配線。 - 【請求項２】 請求項１に記載の金属配線において、 上記下地パターン膜の両縁部の上記ガラス基板表面に対
するテーパー角βが０＜β≦９０°で、かつ、上記下地
パターン膜のない部分のガラス基板の掘れ量Ｙが０≦Ｙ
≦２０００Åで、かつ、上記めっき膜の厚みＸがＹ≦Ｘ
≦８０００Åであることを特徴とする金属配線。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の金属配線にお
いて、 上記下地パターン膜がＩＴＯまたはＳnＯ2からなること
を特徴とする金属配線。 - 【請求項４】 請求項１または２に記載の金属配線にお
いて、 上記下地パターン膜がポリイミドからなることを特徴と
する金属配線。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１つに記載の
金属配線において、 上記めっき膜がＣu,Ａu,Ｎi,Ａgのいずれか１つを含む
単層膜であるか、または、Ｃu,Ａu,Ｎi,Ａgのいずれか
１つを含む単層膜を少なくとも一層含む多層膜であるこ
とを特徴とする金属配線。 - 【請求項６】 請求項１,２または５のいずれか1つに記
載の金属配線において、 上記めっきが無電解めっきであることを特徴とする金属
配線。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の
金属配線を用いたことを特徴とするアクティブマトリク
ス基板。 - 【請求項８】 請求項７に記載のアクティブマトリクス
基板において、 上記めっき膜の両縁部の上記ガラス基板表面に対するテ
ーパー角αが２０°≦α≦７５°であることを特徴とす
るアクティブマトリクス基板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001103337A JP3567142B2 (ja) | 2000-05-25 | 2001-04-02 | 金属配線およびそれを用いたアクティブマトリクス基板 |
| TW090112238A TW503520B (en) | 2000-05-25 | 2001-05-22 | Metal interconnections and active matrix substrate using the same |
| KR10-2001-0029123A KR100396830B1 (ko) | 2000-05-25 | 2001-05-25 | 금속 배선 및 금속 배선을 사용한 액티브 매트릭스 기판 |
| CNB011221666A CN1222042C (zh) | 2000-05-25 | 2001-05-25 | 金属互接件以及采用金属互接件的有源矩阵基底 |
| US09/866,121 US6518676B2 (en) | 2000-05-25 | 2001-05-25 | Metal interconnections and active matrix substrate using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000155005 | 2000-05-25 | ||
| JP2000-155005 | 2000-05-25 | ||
| JP2001103337A JP3567142B2 (ja) | 2000-05-25 | 2001-04-02 | 金属配線およびそれを用いたアクティブマトリクス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002050627A true JP2002050627A (ja) | 2002-02-15 |
| JP3567142B2 JP3567142B2 (ja) | 2004-09-22 |
Family
ID=26592611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001103337A Expired - Lifetime JP3567142B2 (ja) | 2000-05-25 | 2001-04-02 | 金属配線およびそれを用いたアクティブマトリクス基板 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6518676B2 (ja) |
| JP (1) | JP3567142B2 (ja) |
| KR (1) | KR100396830B1 (ja) |
| CN (1) | CN1222042C (ja) |
| TW (1) | TW503520B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100750A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2006078600A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電気光学装置の製造方法 |
| JP2006078599A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | マトリクスアレイ基板、液晶表示装置、ｐｄｐ用データー電極板、及びｐｄｐ |
| WO2013121585A1 (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-22 | パイオニア株式会社 | 電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
| JP2014236177A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 日本電信電話株式会社 | 配線構造とその形成方法 |
| WO2015087466A1 (ja) * | 2013-12-10 | 2015-06-18 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| JP2019014922A (ja) * | 2017-07-03 | 2019-01-31 | 大日本印刷株式会社 | 成膜基板、基板、およびそれらの製造方法 |
| US10529587B2 (en) | 2016-06-10 | 2020-01-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001135168A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-05-18 | Sharp Corp | 金属配線の製造方法 |
| KR100543001B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2006-01-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 액티브 매트릭스 평판 표시 장치 |
| KR20050052029A (ko) * | 2003-11-28 | 2005-06-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 |
| JP4350106B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2009-10-21 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 平板表示装置及びその駆動方法 |
| DE102005048774B4 (de) * | 2005-10-07 | 2009-04-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Substrat, das zumindest bereichsweise an einer Oberfläche mit einer Beschichtung eines Metalls versehen ist, sowie dessen Verwendung |
| US8952612B1 (en) * | 2006-09-15 | 2015-02-10 | Imaging Systems Technology, Inc. | Microdischarge display with fluorescent conversion material |
| JP2009099887A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| JP6497615B2 (ja) * | 2015-03-04 | 2019-04-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 実装基板及びそれを用いたｌｅｄモジュール |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4122215A (en) | 1976-12-27 | 1978-10-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Electroless deposition of nickel on a masked aluminum surface |
| JPH04232922A (ja) | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| US5370766A (en) | 1993-08-16 | 1994-12-06 | California Micro Devices | Methods for fabrication of thin film inductors, inductor networks and integration with other passive and active devices |
| US5693983A (en) | 1994-04-28 | 1997-12-02 | Xerox Corporation | Thin-film structure with conductive molybdenum-chromium line |
| US6445004B1 (en) | 1998-02-26 | 2002-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof |
| JPH10321622A (ja) | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 配線形成方法 |
| US6030877A (en) | 1997-10-06 | 2000-02-29 | Industrial Technology Research Institute | Electroless gold plating method for forming inductor structures |
| TW420853B (en) | 1998-07-10 | 2001-02-01 | Siemens Ag | Method of manufacturing the wiring with electric conducting interconnect between the over-side and the underside of the substrate and the wiring with such interconnect |
| JP3883322B2 (ja) | 1999-03-17 | 2007-02-21 | 日本碍子株式会社 | 使用済みイオン交換樹脂の処理方法 |
-
2001
- 2001-04-02 JP JP2001103337A patent/JP3567142B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-22 TW TW090112238A patent/TW503520B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-25 CN CNB011221666A patent/CN1222042C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-25 KR KR10-2001-0029123A patent/KR100396830B1/ko active IP Right Grant
- 2001-05-25 US US09/866,121 patent/US6518676B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100750A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2006078600A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電気光学装置の製造方法 |
| JP2006078599A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | マトリクスアレイ基板、液晶表示装置、ｐｄｐ用データー電極板、及びｐｄｐ |
| JP4583848B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2010-11-17 | 富士フイルム株式会社 | マトリクスアレイ基板の製造方法、マトリクスアレイ基板、液晶表示装置、ｐｄｐ用データー電極の製造方法、ｐｄｐ用データー電極、及びｐｄｐ |
| WO2013121585A1 (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-22 | パイオニア株式会社 | 電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
| JP2014236177A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 日本電信電話株式会社 | 配線構造とその形成方法 |
| WO2015087466A1 (ja) * | 2013-12-10 | 2015-06-18 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| JP6019507B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2016-11-02 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| US10529587B2 (en) | 2016-06-10 | 2020-01-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2019014922A (ja) * | 2017-07-03 | 2019-01-31 | 大日本印刷株式会社 | 成膜基板、基板、およびそれらの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100396830B1 (ko) | 2003-09-02 |
| TW503520B (en) | 2002-09-21 |
| CN1326227A (zh) | 2001-12-12 |
| CN1222042C (zh) | 2005-10-05 |
| US20020003048A1 (en) | 2002-01-10 |
| JP3567142B2 (ja) | 2004-09-22 |
| US6518676B2 (en) | 2003-02-11 |
| KR20020014987A (ko) | 2002-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6897135B2 (en) | Method for fabricating metal interconnections | |
| JP3567142B2 (ja) | 金属配線およびそれを用いたアクティブマトリクス基板 | |
| US6319741B1 (en) | Method for fabricating metal interconnections and wiring board having the metal interconnections | |
| US5851918A (en) | Methods of fabricating liquid crystal display elements and interconnects therefor | |
| KR20070053472A (ko) | 표시기판 및 이의 제조 방법 | |
| KR100377440B1 (ko) | 금속 배선, 그의 제조방법, 금속 배선을 이용한 박막트랜지스터 및 표시장치 | |
| JP2001255543A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2000022162A (ja) | 液晶表示装置の製法 | |
| EP2863435A1 (en) | Array substrate, manufacturing method of same, and display device | |
| US6802985B1 (en) | Method for fabricating metal wirings | |
| US8829524B2 (en) | Thin film transistor array substrate having sandwich structure gate electrode and manufacturing method thereof | |
| JP3447535B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH11233783A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| US8826528B2 (en) | Electrical connections for anodized thin film structures | |
| JP4495428B2 (ja) | 薄膜トランジスタの形成方法 | |
| JPH10307303A (ja) | 液晶表示基板、その製造方法および液晶表示装置 | |
| JPH01185521A (ja) | 表示装置用基板 | |
| JPH0990427A (ja) | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR20050067308A (ko) | 배선 형성공정을 개선한 액정표시패널의 제조방법 | |
| JPH04283938A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH05114613A (ja) | アクテイブマトリツクス基板およびその製造方法 | |
| KR20060066426A (ko) | 표시장치의 배선형성 방법 | |
| JPH04254824A (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板 | |
| KR20070053487A (ko) | 표시기판의 제조 방법 | |
| KR20070047490A (ko) | 구리박막을 갖는 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040302 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040430 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040608 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040614 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3567142 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120618 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120618 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |