JP2002047078A - 精密可動装置用セラミックス部品及びその製造方法 - Google Patents
精密可動装置用セラミックス部品及びその製造方法Info
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Abstract
ィクルを低減して信頼性が向上した精密可動装置用セラ
ミックス部品及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 セラミックス材を焼成して部品形状に
加工した後、大気中または酸化雰囲気中で400℃乃至
1400℃の温度で熱処理することにより、保護膜の形
成並びに表面層が補修され、パーティクルの発生が顕著
に低減することから、このセラミックス部品を磁気ディ
スク装置等の精密可動装置に使用することで、その信頼
性が著しく向上する。
Description
置、光ディスク装置、スピルドンモーター部品等の精密
可動装置に用いられるセラミックス部品及びその製造方
法に関するものである。
磁気ディスク装置の各部、他の精密可動装置のスピンド
ルモーター部品等にあっては、作動機構をミクロン単位
で管理し制御するため、使用する部品からパーティクル
(塵)が発生することをできる限り抑える必要がある。
例えば、磁気ディスク装置に使用される部品などは、ミ
クロン単位のパーティクルが、可動部と固定部との摺動
部分で噛み込み、焼き付きを発生して装置不良の原因と
なることがある。従って、このような部分に用いられる
部品に対して従来は例えばメッキ処理を施していた。
精度化に伴い、用いる部品に一層精密なものが要求され
る。そこで、加工や熱による変形が少なく高精度加工が
可能なセラミックス材が注目されている。
ックス材は金属に比較してパーティクルの発生が多いこ
とが知られており、この点が精密可動装置に用いる上で
問題となっていた。
点に鑑みなされたものであり、その主な目的は、部品表
面より発生(脱落)するパーティクルを低減して信頼性
が向上した精密可動装置用セラミックス部品及びその製
造方法を提供することにある。
によれば、精密可動装置用セラミックス部品であって、
部品形状に加工した状態で大気中または酸化雰囲気中で
400℃乃至1400℃の温度で熱処理してなるセラミ
ックス材からなることを特徴とする精密可動装置用セラ
ミックス部品、及び精密可動装置用セラミックス部品の
製造方法であって、セラミックス材を部品形状に加工し
た後、大気中または酸化雰囲気中で400℃乃至140
0℃の温度で熱処理することを特徴とする精密可動装置
用セラミックス部品の製造方法を提供することにより達
成される。前記熱処理の保持時間は10時間以下で本発
明の効果を得ることができる。
工した後に高温熱処理することで、セラミックス表層が
補修され、パーティクルの発生が抑制される。
本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
用いられた固定磁気ディスク装置の磁気ディスク及びそ
の周辺の構造を簡略に示す断面図である。図示されない
筐体に固定されたスピンドルモータ1の回転軸1aに
は、複数の磁気ディスク2が積層され、保持されてい
る。各磁気ディスク2の間には本発明によるセラミック
ス部品として、各磁気ディスク2間の位置決め用リング
状セラミックススペーサ3が介在し、各磁気ディスク2
同士の間隙を確保している。
素(SiO2)等の酸化物系セラミックスの他、窒化珪
素、炭化珪素系セラミックス、MgO−nSiO2また
はAl2O3−TiCの原料に導電性を確保するべく酸化
錫、酸化鉄、酸化チタン及び酸化マンガンのいずれかを
含むものを焼結し、これを機械加工した後、400℃〜
1400℃の温度で大気中または酸化雰囲気中で保持時
間を10時間以下とする熱処理を施してなる。
錫を含む酸化物セラミックスとしてフォルステタイト
(MgO−nSiO2)を得、これに機械加工を施した
後、下記の熱処理を施して部品を得た。
間中にも加熱は行われている。
たりの各粒径のパーティクルの数との関係を示す。ま
た、図3に表1に対応するグラフを示す。比較例として
熱処理していない部品の1cm2あたりのパーティクル
の数を示す。ここで、上記した熱処理を施すことによ
り、珪化物を含有した1μm以下の表面被膜が形成され
るが、図3に熱処理温度とこの表面被膜の厚み(Å)と
の関係も併せて示す。但し、パーティクルの発生は、表
面被膜の形成のみによるのではなく(図3の900℃に
おいて、表面被膜がうすくてもパーティクルの発生が抑
えられていることからわかるように)、表層部の自己拡
散現象等も発生し、加工後表層部が補修されていると考
えられる。
理温度が高いほど表面被膜の厚みが急激に増し、パーテ
ィクルの数が減っているのがわかる。
錫を含む酸化物セラミックス(MgO−nSiO2)を
得、これに機械加工を施した後、下記の熱処理を施して
部品を得た。
間、2.0時間、10時間 表2に、各温度(800℃、1000℃、1200℃)
に於ける熱処理時間と表面積1cm2あたりの粒径2μ
mのパーティクルの数との関係を示す。また、図4に表
2に対応するグラフを示す。
理時間が長いほど、パーティクルの数が減っているのが
わかる。但し、図4の傾向から熱処理時間が10時間を
超えてもそれ以降はパーティクルの数はあまり減らない
ことがわかる。
発明による精密可動装置用セラミックス部品及びその製
造方法によれば、セラミックス材を焼成して部品形状に
加工した後、大気中または酸化雰囲気中で400℃乃至
1400℃の温度で熱処理することにより、保護膜の形
成並びに表層補修が行われ、パーティクルの発生が顕著
に低減することから、このセラミックス部品を磁気ディ
スク装置等の精密可動装置に使用することで、その信頼
性が著しく向上する。
定磁気ディスク装置の磁気ディスク及びその周辺の構造
を簡略に示す断面図。
ーティクルの数との関係を示すグラフ。
のパーティクルの数との関係を示すグラフ。
Claims (9)
- 【請求項1】 精密可動装置用セラミックス部品であ
って、 部品形状に加工した状態で大気中または酸化雰囲気中で
400℃乃至1400℃の温度で熱処理してなるセラミ
ックス材からなることを特徴とする精密可動装置用セラ
ミックス部品。 - 【請求項2】 前記熱処理の保持時間が10時間以下
となっていることを特徴とする請求項1に記載の精密可
動装置用セラミックス部品。 - 【請求項3】 前記セラミックス材が、窒化珪素、炭
化珪素系セラミックス、酸化物系セラミックス、MgO
−nSiO2及びAl2O3−TiCのいずれかからなる
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の精密
可動装置用セラミックス部品。 - 【請求項4】 前記セラミックス材が、導電性を確保
するべく酸化錫、酸化鉄、酸化チタン及び酸化マンガン
のいずれかを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項
3のいずれかにに記載の精密可動装置用セラミックス部
品。 - 【請求項5】 前記精密可動装置用セラミックス部品
が、磁気ディスク装置、光ディスク装置または光磁気デ
ィスク装置のディスク間の位置決めに用いられるセラミ
ックススペーサからなることを特徴とする請求項1乃至
請求項4のいずれかに記載の精密可動装置用セラミック
ス部品。 - 【請求項6】 精密可動装置用セラミックス部品の製
造方法であって、 セラミックス材を部品形状に加工した後、大気中または
酸化雰囲気中で400℃乃至1400℃の温度で熱処理
することを特徴とする精密可動装置用セラミックス部品
の製造方法。 - 【請求項7】 前記熱処理の保持時間を10時間以下
としたことを特徴とする請求項5に記載の精密可動装置
用セラミックス部品の製造方法。 - 【請求項8】 前記セラミックス材が、窒化珪素、炭
化珪素系セラミックス、酸化物系セラミックス、MgO
−nSiO2及びAl2O3−TiCのいずれかからなる
ことを特徴とする請求項6または請求項7に記載の精密
可動装置用セラミックス部品の製造方法。 - 【請求項9】 前記セラミックス材が、導電性を確保
するべく酸化錫、酸化鉄、酸化チタン及び酸化マンガン
のいずれかを含むことを特徴とする請求項6乃至請求項
8のいずれかに記載の精密可動装置用セラミックス部品
の製造方法。
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Publication Number | Publication Date |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1327481A2 (en) | 2002-01-09 | 2003-07-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Apparatus and method for applying coating solution, die and method for assembling thereof |
CN112599463A (zh) * | 2019-10-02 | 2021-04-02 | 佳能株式会社 | 晶片卡盘、其生产方法和曝光装置 |
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2000
- 2000-07-31 JP JP2000230303A patent/JP3777293B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US11842918B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer chuck, method for producing the same, and exposure apparatus |
CN112599463B (zh) * | 2019-10-02 | 2024-01-19 | 佳能株式会社 | 晶片卡盘、其生产方法和曝光装置 |
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JP3777293B2 (ja) | 2006-05-24 |
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