JP2002043390A - シリコンウエーハの保管用水及び保管方法 - Google Patents
シリコンウエーハの保管用水及び保管方法Info
- Publication number
- JP2002043390A JP2002043390A JP2000224465A JP2000224465A JP2002043390A JP 2002043390 A JP2002043390 A JP 2002043390A JP 2000224465 A JP2000224465 A JP 2000224465A JP 2000224465 A JP2000224465 A JP 2000224465A JP 2002043390 A JP2002043390 A JP 2002043390A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- water
- storage
- silicon wafer
- hydrogen peroxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエーハ表面へのＣｕ汚染を防止すると共
に、従来の保管用水では防止することのできなかったＡ
ｌ等の金属汚染を防止し、酸化膜耐圧等のウエーハ品質
の低下を防止することを可能にしたシリコンウエーハの
保管用水及び保管方法を提供する事を目的とする。 【解決手段】 シリコンウエーハを水中で保管する際
に、純水に過酸化水素水を添加しており、かつクエン酸
を添加してあることを特徴とするシリコンウエーハの保
管用水及び保管方法。
に、従来の保管用水では防止することのできなかったＡ
ｌ等の金属汚染を防止し、酸化膜耐圧等のウエーハ品質
の低下を防止することを可能にしたシリコンウエーハの
保管用水及び保管方法を提供する事を目的とする。 【解決手段】 シリコンウエーハを水中で保管する際
に、純水に過酸化水素水を添加しており、かつクエン酸
を添加してあることを特徴とするシリコンウエーハの保
管用水及び保管方法。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、シリコンウエーハ
（単にウエーハと言うこともある）、特に研磨後のウエ
ーハを水中で保管する際に用いられる保管用水及び保管
方法に関する。
（単にウエーハと言うこともある）、特に研磨後のウエ
ーハを水中で保管する際に用いられる保管用水及び保管
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にシリコンウエーハの製造方法は、
単結晶インゴットをスライスして薄円盤状のウエーハを
得るスライス工程と、該スライス工程によって得られた
ウエーハの割れ、欠けを防止するためにその外周部を面
取りする面取り工程と、このウエーハを平坦化するラッ
ピング工程と、面取り及びラッピングされたウエーハに
残留する加工歪みを除去するエッチング工程と、このウ
エーハ表面を鏡面化する研磨工程と、研磨されたウエー
ハを洗浄し付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程を
有している。
単結晶インゴットをスライスして薄円盤状のウエーハを
得るスライス工程と、該スライス工程によって得られた
ウエーハの割れ、欠けを防止するためにその外周部を面
取りする面取り工程と、このウエーハを平坦化するラッ
ピング工程と、面取り及びラッピングされたウエーハに
残留する加工歪みを除去するエッチング工程と、このウ
エーハ表面を鏡面化する研磨工程と、研磨されたウエー
ハを洗浄し付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程を
有している。
【０００３】上記工程は、主な工程を示したものであ
り、他に平面研削工程や熱処理工程等の工程が加わった
り、工程順が入れ替えられたりする場合がある。
り、他に平面研削工程や熱処理工程等の工程が加わった
り、工程順が入れ替えられたりする場合がある。
【０００４】各工程間では、各工程の装置能力により次
工程に投入される前に待ち時間が生じることがある。こ
の場合、シリコンウエーハの状態に適した方法で保管し
ておく必要がある。例えば、研磨工程後のウエーハは、
次工程に洗浄工程があり、この工程に送られるまでの待
ち時間には水中で保管されるのが通常である。これは、
ウエーハを大気中に保管したのでは、研磨スラリーの乾
燥に起因したスラリーの固着が起こり、次工程の洗浄工
程での除去が困難になるためである。
工程に投入される前に待ち時間が生じることがある。こ
の場合、シリコンウエーハの状態に適した方法で保管し
ておく必要がある。例えば、研磨工程後のウエーハは、
次工程に洗浄工程があり、この工程に送られるまでの待
ち時間には水中で保管されるのが通常である。これは、
ウエーハを大気中に保管したのでは、研磨スラリーの乾
燥に起因したスラリーの固着が起こり、次工程の洗浄工
程での除去が困難になるためである。
【０００５】しかも、研磨後のウエーハ表面は非常に活
性であり異物が付着しやすいことも知られている。この
ために水中保管中の研磨後ウエーハ表面には金属イオン
が付着しやすいといった問題点があり、場合によっては
重要なウエーハ品質特性の一つである酸化膜耐圧の低下
を引き起こす要因となっている。
性であり異物が付着しやすいことも知られている。この
ために水中保管中の研磨後ウエーハ表面には金属イオン
が付着しやすいといった問題点があり、場合によっては
重要なウエーハ品質特性の一つである酸化膜耐圧の低下
を引き起こす要因となっている。
【０００６】一般的に酸化膜耐圧特性を低下させる金属
としてはＣｕが知られているが、純水のみの保管ではウ
エーハ表面にＣｕイオンが析出し、その結果ウエーハの
Ｃｕ汚染を招いてしまう。
としてはＣｕが知られているが、純水のみの保管ではウ
エーハ表面にＣｕイオンが析出し、その結果ウエーハの
Ｃｕ汚染を招いてしまう。
【０００７】Ｃｕ汚染を防ぐ技術としては、ウエーハ表
面に酸化膜を形成させる方法や純水のピット槽に過酸化
水素水を添加する方法などがある。ウエーハ表面に酸化
膜を形成させる方法としては、オゾン水やＳＣ−１液
（アンモニア、過酸化水素水、水からなる薬液）に浸漬
するなどの処理方法があるが、オゾン発生器や加熱手段
を備えた処理槽等の設備が必要となる。
面に酸化膜を形成させる方法や純水のピット槽に過酸化
水素水を添加する方法などがある。ウエーハ表面に酸化
膜を形成させる方法としては、オゾン水やＳＣ−１液
（アンモニア、過酸化水素水、水からなる薬液）に浸漬
するなどの処理方法があるが、オゾン発生器や加熱手段
を備えた処理槽等の設備が必要となる。
【０００８】また、酸化膜を形成する方法や過酸化水素
のみを添加する方法においては、Ｃｕ汚染は防止するこ
とができるが、他の酸化膜に取り組まれやすいＡｌやＦ
ｅ等の金属汚染を防止することは困難である。
のみを添加する方法においては、Ｃｕ汚染は防止するこ
とができるが、他の酸化膜に取り組まれやすいＡｌやＦ
ｅ等の金属汚染を防止することは困難である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みたものであり、ウエーハ表面へのＣｕ汚染を防止す
ると共に、従来の保管用水では防止することのできなか
ったＡｌ等の金属汚染を防止し、酸化膜耐圧等の品質の
低下を防止することを可能にしたシリコンウエーハの保
管用水及び保管方法を提供する事を目的とする。
鑑みたものであり、ウエーハ表面へのＣｕ汚染を防止す
ると共に、従来の保管用水では防止することのできなか
ったＡｌ等の金属汚染を防止し、酸化膜耐圧等の品質の
低下を防止することを可能にしたシリコンウエーハの保
管用水及び保管方法を提供する事を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、シリコンウエーハを水中で保管する際に用
いられる保管用水であって、純水に過酸化水素水を添加
しており、かつクエン酸を添加してあることを特徴とす
るシリコンウエーハの保管用水である。このように過酸
化水素水とクエン酸を同時に含む保管用水を使用するこ
とによって、Ｃｕ等のシリコンに取り込まれやすい金属
汚染を防止し、かつ酸化膜に取り込まれやすいＡｌ等の
金属による汚染も防止することができる。
するために、シリコンウエーハを水中で保管する際に用
いられる保管用水であって、純水に過酸化水素水を添加
しており、かつクエン酸を添加してあることを特徴とす
るシリコンウエーハの保管用水である。このように過酸
化水素水とクエン酸を同時に含む保管用水を使用するこ
とによって、Ｃｕ等のシリコンに取り込まれやすい金属
汚染を防止し、かつ酸化膜に取り込まれやすいＡｌ等の
金属による汚染も防止することができる。
【００１１】また、この時の保管用水のｐＨは４〜７で
あることが好ましい。保管用水のｐＨを４〜７と酸性側
で安定させることで過酸化水素の酸化作用が安定し、酸
化還元電位が安定するため長時間の安定した保管ができ
る。
あることが好ましい。保管用水のｐＨを４〜７と酸性側
で安定させることで過酸化水素の酸化作用が安定し、酸
化還元電位が安定するため長時間の安定した保管ができ
る。
【００１２】特に、過酸化水素の濃度が０．０１〜１．
００ｗｔ％であり、クエン酸の濃度が０．０００１〜
０．００５ｗｔ％であることが好ましい。過酸化水素の
濃度を１．００ｗｔ％以下にすることでウエーハ表面に
酸化膜を形成することなく保管することができる。但
し、０．０１ｗｔ％以下では過酸化水素が自然分解等に
よりその濃度が低下してしまい長時間にわたっての保管
水の使用が困難になり、１．００ｗｔ％以上の場合には
過剰な添加となり、保管中にウエーハ表面に酸化膜が形
成されＡｌやＦｅ等の金属汚染を招き、かつコストアッ
プや排水処理の負荷が増大する。クエン酸の添加条件は
０．０００１〜０．００５ｗｔ％が好ましい。０．００
０１ｗｔ％以下の低濃度の場合にはクエン酸添加による
効果が低下し、０．００５ｗｔ％以上の高濃度の添加で
は過剰な添加となりコストアップや排水処理の負荷が増
大する。
００ｗｔ％であり、クエン酸の濃度が０．０００１〜
０．００５ｗｔ％であることが好ましい。過酸化水素の
濃度を１．００ｗｔ％以下にすることでウエーハ表面に
酸化膜を形成することなく保管することができる。但
し、０．０１ｗｔ％以下では過酸化水素が自然分解等に
よりその濃度が低下してしまい長時間にわたっての保管
水の使用が困難になり、１．００ｗｔ％以上の場合には
過剰な添加となり、保管中にウエーハ表面に酸化膜が形
成されＡｌやＦｅ等の金属汚染を招き、かつコストアッ
プや排水処理の負荷が増大する。クエン酸の添加条件は
０．０００１〜０．００５ｗｔ％が好ましい。０．００
０１ｗｔ％以下の低濃度の場合にはクエン酸添加による
効果が低下し、０．００５ｗｔ％以上の高濃度の添加で
は過剰な添加となりコストアップや排水処理の負荷が増
大する。
【００１３】本発明は、上記のような保管用水を用いシ
リコンウエーハを保管することを特徴とする保管方法で
ある。保管用水にはエッチング効果又は洗浄効果が殆ど
ない事が要求される。これは、保管時間が工程の状況に
より様々であるため、同じ表面状態のウエーハを得るに
は時間による影響があってはならない為である。洗浄等
に用いられる薬液は、通常ウエーハ表面をわずかにエッ
チングする作用があり時間と共に表面状態が変化する。
このような薬液で長時間保管をした場合、表面粗さが悪
化するといった問題が生じる可能性がある。上記のよう
な過酸化水素水及びクエン酸を含む保管用水に保管する
ことによって長時間、金属汚染や品質の変化を招くこと
なく保管できる。
リコンウエーハを保管することを特徴とする保管方法で
ある。保管用水にはエッチング効果又は洗浄効果が殆ど
ない事が要求される。これは、保管時間が工程の状況に
より様々であるため、同じ表面状態のウエーハを得るに
は時間による影響があってはならない為である。洗浄等
に用いられる薬液は、通常ウエーハ表面をわずかにエッ
チングする作用があり時間と共に表面状態が変化する。
このような薬液で長時間保管をした場合、表面粗さが悪
化するといった問題が生じる可能性がある。上記のよう
な過酸化水素水及びクエン酸を含む保管用水に保管する
ことによって長時間、金属汚染や品質の変化を招くこと
なく保管できる。
【００１４】このような保管方法は、表面が活性な状態
のシリコンウエーハを保管する場合に特に好適である。
例えば、表面が活性な状態のシリコンウエーハとは、研
磨工程で研磨した直後のウエーハである。研磨直後のウ
エーハの表面はとても活性で金属等を吸着しやすい。過
酸化水素水とクエン酸を含んだ保管用水に浸漬しておく
ことで、このような活性な表面を持つシリコンウエーハ
でも汚染されることなく長時間保管することができる。
のシリコンウエーハを保管する場合に特に好適である。
例えば、表面が活性な状態のシリコンウエーハとは、研
磨工程で研磨した直後のウエーハである。研磨直後のウ
エーハの表面はとても活性で金属等を吸着しやすい。過
酸化水素水とクエン酸を含んだ保管用水に浸漬しておく
ことで、このような活性な表面を持つシリコンウエーハ
でも汚染されることなく長時間保管することができる。
【００１５】また、本発明はシリコンウエーハ表面に酸
化膜を形成しない状態で保管することを特徴とする保管
方法である。Ｃｕなどの金属汚染の防止にはシリコンウ
エーハ表面に酸化膜を形成することが知られている。し
かし、酸化膜の存在でＡｌ等の別な金属汚染が生じやす
い。本発明では過酸化水素水の濃度を低くしかつクエン
酸を添加することにより、シリコンウエーハ表面には殆
ど酸化膜が存在しない状態であってもＣｕによるウエー
ハ表面への金属汚染を防止し、更に酸化膜を形成しない
状態であるためＡｌなどの汚染も効果的に防げ、Ｃｕ及
びＡｌなどの金属汚染を同時に防止することができる。
また、研磨工程などから持ち込んだアルカリ成分も保管
用水で中和されるため、シリコンウエーハ表面がアルカ
リ成分によって粗れること（ヘイズの悪化）が効果的に
防止でき、次工程に投入されるまでの時間、安定して保
管することができる。
化膜を形成しない状態で保管することを特徴とする保管
方法である。Ｃｕなどの金属汚染の防止にはシリコンウ
エーハ表面に酸化膜を形成することが知られている。し
かし、酸化膜の存在でＡｌ等の別な金属汚染が生じやす
い。本発明では過酸化水素水の濃度を低くしかつクエン
酸を添加することにより、シリコンウエーハ表面には殆
ど酸化膜が存在しない状態であってもＣｕによるウエー
ハ表面への金属汚染を防止し、更に酸化膜を形成しない
状態であるためＡｌなどの汚染も効果的に防げ、Ｃｕ及
びＡｌなどの金属汚染を同時に防止することができる。
また、研磨工程などから持ち込んだアルカリ成分も保管
用水で中和されるため、シリコンウエーハ表面がアルカ
リ成分によって粗れること（ヘイズの悪化）が効果的に
防止でき、次工程に投入されるまでの時間、安定して保
管することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を説明す
る。本発明で用いられる過酸化水素水を保管水に添加す
る事により酸化還元電位を上昇させる働きがあり、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇの様な金属のウエーハ表面への析
出を防止する事ができる。
る。本発明で用いられる過酸化水素水を保管水に添加す
る事により酸化還元電位を上昇させる働きがあり、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇの様な金属のウエーハ表面への析
出を防止する事ができる。
【００１７】更にクエン酸を添加する事により、保管用
水は酸性になり、ｐＨの酸性化は研磨スラリーの持ち込
みによるアルカリを中和する事ができ、アルカリによる
ウエーハの面粗れを防止できる。更には、クエン酸はキ
レート効果を有し多様な金属とキレート錯体を形成する
ため、過酸化水素水で汚染を防止できない金属汚染、例
えばＡｌ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ等、を防止する事が
できる。このように、過酸化水素水及びクエン酸を組み
合わせることにより、様々な金属に対しての汚染防止が
行える。
水は酸性になり、ｐＨの酸性化は研磨スラリーの持ち込
みによるアルカリを中和する事ができ、アルカリによる
ウエーハの面粗れを防止できる。更には、クエン酸はキ
レート効果を有し多様な金属とキレート錯体を形成する
ため、過酸化水素水で汚染を防止できない金属汚染、例
えばＡｌ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ等、を防止する事が
できる。このように、過酸化水素水及びクエン酸を組み
合わせることにより、様々な金属に対しての汚染防止が
行える。
【００１８】更に過酸化水素水にクエン酸を添加しｐＨ
を酸性側で安定させることで過酸化水素の酸化作用が安
定し酸化還元電位を安定させることができる。これによ
って長時間の保管でも金属汚染のない安定した保管がで
きる。
を酸性側で安定させることで過酸化水素の酸化作用が安
定し酸化還元電位を安定させることができる。これによ
って長時間の保管でも金属汚染のない安定した保管がで
きる。
【００１９】加えて、本発明ではウエーハ表面に酸化膜
を形成しない条件で保管することが好ましい。これによ
りＡｌやＦｅなど酸化膜中に取り込まれ易い金属の付着
をより効果的に防ぐ事が可能である。
を形成しない条件で保管することが好ましい。これによ
りＡｌやＦｅなど酸化膜中に取り込まれ易い金属の付着
をより効果的に防ぐ事が可能である。
【００２０】このウエーハ表面に酸化膜を形成しない状
態、及び様々な金属汚染を効率的に防止する条件とし
て、保管用水への過酸化水素水の添加条件としては、保
管用水中の過酸化水素の濃度が、０．０１〜１．００ｗ
ｔ%となるように添加することが好ましい。またクエン
酸の添加条件は０．０００１〜０．００５ｗｔ％が好ま
しい。
態、及び様々な金属汚染を効率的に防止する条件とし
て、保管用水への過酸化水素水の添加条件としては、保
管用水中の過酸化水素の濃度が、０．０１〜１．００ｗ
ｔ%となるように添加することが好ましい。またクエン
酸の添加条件は０．０００１〜０．００５ｗｔ％が好ま
しい。
【００２１】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的
に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもの
であり限定的に解釈されるべきものではない。
に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもの
であり限定的に解釈されるべきものではない。
【００２２】（実施例１〜４及び比較例1〜３）実験条
件：試料ウエーハとして、Ｐ型、結晶方位＜１００＞、
直径２００ｍｍのシリコンウエーハを用意した。このウ
エーハを一般的に行われるウエーハ加工工程を経て鏡面
研磨まで実施した。
件：試料ウエーハとして、Ｐ型、結晶方位＜１００＞、
直径２００ｍｍのシリコンウエーハを用意した。このウ
エーハを一般的に行われるウエーハ加工工程を経て鏡面
研磨まで実施した。
【００２３】鏡面研磨工程では、発泡ウレタン樹脂製研
磨パッド、コロイダルシリカ研磨剤（ｐＨ＝１０．
５）、研磨荷重（２５０g/cm2）及び研磨時間（１０mi
n）の研磨条件で、シリコンウエーハの最終仕上げ研磨
を行なっている。
磨パッド、コロイダルシリカ研磨剤（ｐＨ＝１０．
５）、研磨荷重（２５０g/cm2）及び研磨時間（１０mi
n）の研磨条件で、シリコンウエーハの最終仕上げ研磨
を行なっている。
【００２４】以上のような研磨を行ったウエーハを次工
程の洗浄工程に送る前に、一旦保管用水中に保管した。
保管槽は、サイズ：３２０×６００×２８０（ｍｍ）の
水槽を用い、下記に示す各種保管水（５０リットル）を
用意した。
程の洗浄工程に送る前に、一旦保管用水中に保管した。
保管槽は、サイズ：３２０×６００×２８０（ｍｍ）の
水槽を用い、下記に示す各種保管水（５０リットル）を
用意した。
【００２５】実施例１：純水中に３０ｗｔ％の過酸化水
素水（電子工業用）を添加し、過酸化水素の濃度が０．
０１ｗｔ％とし、更に１０ｗｔ％のクエン酸（電子工業
用）を添加し、０．０００１ｗｔ％となるようにした保
管用水を使用した。なおこの保管用水のｐＨは５．０で
あった。
素水（電子工業用）を添加し、過酸化水素の濃度が０．
０１ｗｔ％とし、更に１０ｗｔ％のクエン酸（電子工業
用）を添加し、０．０００１ｗｔ％となるようにした保
管用水を使用した。なおこの保管用水のｐＨは５．０で
あった。
【００２６】実施例２：純水中に３０ｗｔ％の過酸化水
素水（電子工業用）を添加し、過酸化水素の濃度が０．
０１ｗｔ％となるようにし、更に１０ｗｔ％のクエン酸
（電子工業用）を０．００５０ｗｔ％となるように添加
した保管用水を使用した。この保管用水のｐＨは４．０
であった。
素水（電子工業用）を添加し、過酸化水素の濃度が０．
０１ｗｔ％となるようにし、更に１０ｗｔ％のクエン酸
（電子工業用）を０．００５０ｗｔ％となるように添加
した保管用水を使用した。この保管用水のｐＨは４．０
であった。
【００２７】実施例３：純水中に３０ｗｔ％の過酸化水
素水（電子工業用）を添加し、過酸化水素の濃度が１．
００ｗｔ％となるようにし、更に１０ｗｔ％のクエン酸
（電子工業用）を０．０００１ｗｔ％となるように添加
した保管用水を使用した。この保管用水のｐＨは４．８
であった。
素水（電子工業用）を添加し、過酸化水素の濃度が１．
００ｗｔ％となるようにし、更に１０ｗｔ％のクエン酸
（電子工業用）を０．０００１ｗｔ％となるように添加
した保管用水を使用した。この保管用水のｐＨは４．８
であった。
【００２８】実施例４：純水中に３０ｗｔ％の過酸化水
素水（電子工業用）を添加し、過酸化水素の濃度が１．
００ｗｔ％となるようにし、更に１０ｗｔ％のクエン酸
（電子工業用）を０．００５０ｗｔ％となるように添加
した保管用水を使用した。この保管用水のｐＨは４．０
であった。
素水（電子工業用）を添加し、過酸化水素の濃度が１．
００ｗｔ％となるようにし、更に１０ｗｔ％のクエン酸
（電子工業用）を０．００５０ｗｔ％となるように添加
した保管用水を使用した。この保管用水のｐＨは４．０
であった。
【００２９】比較例１：純水のみの保管用水（何も添加
していない保管用水）を使用した。この保管用水のｐＨ
は６．２であった。
していない保管用水）を使用した。この保管用水のｐＨ
は６．２であった。
【００３０】比較例２：純水中に３０ｗｔ％の過酸化水
素水（電子工業用）を添加し、過酸化水素の濃度が１．
００ｗｔ％となるようにした保管用水を使用した。この
時のｐＨは５．６であった。
素水（電子工業用）を添加し、過酸化水素の濃度が１．
００ｗｔ％となるようにした保管用水を使用した。この
時のｐＨは５．６であった。
【００３１】比較例３：純水中に３０ｗｔ％の過酸化水
素水（電子工業用）を添加し、過酸化水素の濃度が１
０．００ｗｔ％となるようにした保管用水を使用した。
この時のｐＨは５．４であった。
素水（電子工業用）を添加し、過酸化水素の濃度が１
０．００ｗｔ％となるようにした保管用水を使用した。
この時のｐＨは５．４であった。
【００３２】研磨処理後の試料ウエーハを上記各種保管
用水に保管した。試料ウエーハの保管用水中での保管時
間は１２時間とした。
用水に保管した。試料ウエーハの保管用水中での保管時
間は１２時間とした。
【００３３】この保管用水に保管した後、試料ウエーハ
を洗浄した。洗浄はアンモニア水、過酸化水素水、純水
の比が１：１：１０のＳＣ―１洗浄液（液温８０℃）を
用い５分間洗浄し、更に塩酸、過酸化水素水、純水の比
が１：１：２０（液温８０℃）を用い５分間洗浄した。
を洗浄した。洗浄はアンモニア水、過酸化水素水、純水
の比が１：１：１０のＳＣ―１洗浄液（液温８０℃）を
用い５分間洗浄し、更に塩酸、過酸化水素水、純水の比
が１：１：２０（液温８０℃）を用い５分間洗浄した。
【００３４】その後品質評価を行った。品質評価は酸化
膜耐圧（ＧＯＩ：Gate Oxide Integrity）とウエーハ表
面不純物レベル（ＶＰＤ−ＡＡＳ：Vapor Phase Decomp
osition and Atomic Absorption Spectroscopy）で行っ
た。この酸化膜耐圧評価は、ウエーハ品質（絶縁膜の信
頼性）を評価する上で最も重要なパラメータのひとつで
ある。また、ＧＯＩはウエーハの金属汚染量を評価でき
る方法のひとつである。ＧＯＩの評価結果は金属汚染量
と分布に依存しウエーハの良否を判断することができ
る。ＶＰＤ−ＡＡＳはウエーハ表面に付着している金属
不純物濃度を測定し、ウエーハ表面の清浄度を判断でき
る。
膜耐圧（ＧＯＩ：Gate Oxide Integrity）とウエーハ表
面不純物レベル（ＶＰＤ−ＡＡＳ：Vapor Phase Decomp
osition and Atomic Absorption Spectroscopy）で行っ
た。この酸化膜耐圧評価は、ウエーハ品質（絶縁膜の信
頼性）を評価する上で最も重要なパラメータのひとつで
ある。また、ＧＯＩはウエーハの金属汚染量を評価でき
る方法のひとつである。ＧＯＩの評価結果は金属汚染量
と分布に依存しウエーハの良否を判断することができ
る。ＶＰＤ−ＡＡＳはウエーハ表面に付着している金属
不純物濃度を測定し、ウエーハ表面の清浄度を判断でき
る。
【００３５】本実施例及び比較例の保管用水に保管した
ウエーハ上に絶縁膜であるゲート酸化膜厚が２５ｎｍで
あるＭＯＳキャパシタを形成し、酸化膜耐圧評価を行っ
た。酸化膜耐圧評価は、前記ＭＯＳキャパシタにステッ
プ的に電界を印加し、前記ＭＯＳキャパシタの絶縁破壊
電界強度を測定する方法（電界破壊分布：ＴＺＤＢ法；
Time Zero Dielectric Breakdown）と、一定電界を印加
し、経過時間とともに前記ＭＯＳキャパシタが破壊され
る率を電界の大きさを変更して測定する方法（経時破壊
分布：ＴＤＤＢ法；Time Dependent Dielectric Breakd
own）で行った。
ウエーハ上に絶縁膜であるゲート酸化膜厚が２５ｎｍで
あるＭＯＳキャパシタを形成し、酸化膜耐圧評価を行っ
た。酸化膜耐圧評価は、前記ＭＯＳキャパシタにステッ
プ的に電界を印加し、前記ＭＯＳキャパシタの絶縁破壊
電界強度を測定する方法（電界破壊分布：ＴＺＤＢ法；
Time Zero Dielectric Breakdown）と、一定電界を印加
し、経過時間とともに前記ＭＯＳキャパシタが破壊され
る率を電界の大きさを変更して測定する方法（経時破壊
分布：ＴＤＤＢ法；Time Dependent Dielectric Breakd
own）で行った。
【００３６】ＴＺＤＢ法の測定結果では初期短絡により
絶縁破壊を生じるＡモード、電界強度が１ＭＶ／ｃｍ以
上８ＭＶ／ｃｍ以下の範囲で絶縁破壊を生じるＢモー
ド、破壊すること無く所定の電界に達した（絶縁破壊が
８ＭＶ／ｃｍ以上である）Ｃモード（良品）で表され
る。本実施例及び比較例では判定電流値を１ｍＡ／ｃｍ
２、ゲート面積８ｍｍ２で行った。
絶縁破壊を生じるＡモード、電界強度が１ＭＶ／ｃｍ以
上８ＭＶ／ｃｍ以下の範囲で絶縁破壊を生じるＢモー
ド、破壊すること無く所定の電界に達した（絶縁破壊が
８ＭＶ／ｃｍ以上である）Ｃモード（良品）で表され
る。本実施例及び比較例では判定電流値を１ｍＡ／ｃｍ
２、ゲート面積８ｍｍ２で行った。
【００３７】ＴＤＤＢ法の測定結果も同様に初期に絶縁
不良を生じるαモード（不良品）、流れたトータルの電
荷量が５Ｃ／ｃｍ２より小さい範囲で絶縁破壊を生じる
βモード（準良品）、絶縁破壊を生じない（５Ｃ／ｃｍ
２以上で絶縁破壊する）γモード（良品）で表される。
本実施例及び比較例の保管用水に保管したウエーハの評
価にはストレス電流値１ｍＡ／ｃｍ２、測定温度１００
℃、ゲート面積４ｍｍ ２で行った。ＴＺＤＢ及びＴＤＤ
Ｂともにウエーハ１枚当たり１００チップのＭＯＳキャ
パシタを形成し各モードの割合を評価した。
不良を生じるαモード（不良品）、流れたトータルの電
荷量が５Ｃ／ｃｍ２より小さい範囲で絶縁破壊を生じる
βモード（準良品）、絶縁破壊を生じない（５Ｃ／ｃｍ
２以上で絶縁破壊する）γモード（良品）で表される。
本実施例及び比較例の保管用水に保管したウエーハの評
価にはストレス電流値１ｍＡ／ｃｍ２、測定温度１００
℃、ゲート面積４ｍｍ ２で行った。ＴＺＤＢ及びＴＤＤ
Ｂともにウエーハ１枚当たり１００チップのＭＯＳキャ
パシタを形成し各モードの割合を評価した。
【００３８】ＶＰＤ−ＡＡＳはウエーハ表面の自然酸化
膜をＨＦ蒸気で気相分解し、その時同時に分解された不
純物をＨＣｌやＨＦ等の薬液で回収し原子吸光光度計で
定量分析する手法である。
膜をＨＦ蒸気で気相分解し、その時同時に分解された不
純物をＨＣｌやＨＦ等の薬液で回収し原子吸光光度計で
定量分析する手法である。
【００３９】ＧＯＩ及びＶＰＤ−ＡＡＳの評価結果を表
１及び表２に示した。ＧＯＩ評価結果には、各保管用水
中に保管したウエーハのＴＺＤＢのＣモード（良品）の
割合（良品率）及びＴＤＤＢのα、β、γモードの割合
を示す。ＶＰＤ−ＡＡＳ評価結果には、各保管用水中に
保管したウエーハ表面のＡｌ、Ｆｅ、Ｃｒ，Ｃｕ、Ｎｉ
及びＺｎの濃度を示した。
１及び表２に示した。ＧＯＩ評価結果には、各保管用水
中に保管したウエーハのＴＺＤＢのＣモード（良品）の
割合（良品率）及びＴＤＤＢのα、β、γモードの割合
を示す。ＶＰＤ−ＡＡＳ評価結果には、各保管用水中に
保管したウエーハ表面のＡｌ、Ｆｅ、Ｃｒ，Ｃｕ、Ｎｉ
及びＺｎの濃度を示した。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】ＧＯＩ評価結果においては、純水のみの場
合、１２時間保管後においてＴＤＤＢの良品モード
（γ）が低い結果となったが、過酸化水素やクエン酸を
添加した保管用水では高い良品率が得られた。
合、１２時間保管後においてＴＤＤＢの良品モード
（γ）が低い結果となったが、過酸化水素やクエン酸を
添加した保管用水では高い良品率が得られた。
【００４３】ＶＰＤ−ＡＡＳ評価結果においては、Ａｌ
の付着レベルが、従来法である純水のみの場合や過酸化
水素水のみの場合と比較して低い付着量に改善されてい
る結果が得られた。Ａｌ以外は殆ど検出下限（０．２×
１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下であった。
の付着レベルが、従来法である純水のみの場合や過酸化
水素水のみの場合と比較して低い付着量に改善されてい
る結果が得られた。Ａｌ以外は殆ど検出下限（０．２×
１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下であった。
【００４４】（実施例５〜６、比較例４〜５）また、保
管用水は、何らかの原因で金属が混入する場合があり、
その時に金属汚染の影響を受けやすい。そこで、厳しい
環境下での効果を確認するために、上記、実施例１〜２
及び比較例1〜２と同様の保管用水に故意に１ｐｐｂ程
度の金属汚染（Ｃｕ及びＡｌ）を行い、この保管用水中
でウエーハを１２時間保管し、実施例１と同様にＧＯＩ
とＶＰＤ−ＡＡＳの評価を行った。評価結果を表３と表
４に示す。ここで実施例５は実施例１、実施例６は実施
例２、比較例４は比較例１、比較例５は比較例２、比較
例６は比較例３とそれぞれ同組成の過酸化水素やクエン
酸を添加している保管用水である。
管用水は、何らかの原因で金属が混入する場合があり、
その時に金属汚染の影響を受けやすい。そこで、厳しい
環境下での効果を確認するために、上記、実施例１〜２
及び比較例1〜２と同様の保管用水に故意に１ｐｐｂ程
度の金属汚染（Ｃｕ及びＡｌ）を行い、この保管用水中
でウエーハを１２時間保管し、実施例１と同様にＧＯＩ
とＶＰＤ−ＡＡＳの評価を行った。評価結果を表３と表
４に示す。ここで実施例５は実施例１、実施例６は実施
例２、比較例４は比較例１、比較例５は比較例２、比較
例６は比較例３とそれぞれ同組成の過酸化水素やクエン
酸を添加している保管用水である。
【００４５】
【表３】
【００４６】
【表４】
【００４７】ＧＯＩ評価結果においては、純水のみの場
合、１２時間保管後においてＴＺＤＢのＣモードの割合
が０％、ＴＤＤＢの良品モード（γ）も０％という結果
となったが、過酸化水素水やクエン酸を添加した保管用
水では高い良品率が得られた。
合、１２時間保管後においてＴＺＤＢのＣモードの割合
が０％、ＴＤＤＢの良品モード（γ）も０％という結果
となったが、過酸化水素水やクエン酸を添加した保管用
水では高い良品率が得られた。
【００４８】ＶＰＤ−ＡＡＳ評価結果においては、Ａｌ
の付着レベルが従来法である純水のみの場合や過酸化水
素水のみの場合と比較して低い付着量に改善されている
結果が得られた。
の付着レベルが従来法である純水のみの場合や過酸化水
素水のみの場合と比較して低い付着量に改善されている
結果が得られた。
【００４９】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れるものではない。本実施例の保管時間は１２時間で実
施したが、保管用水に保管される時間は、工程の状況に
より様々である。本保管用水及び保管方法では、保管時
間に関係なく安定した保管を実施することができる。
れるものではない。本実施例の保管時間は１２時間で実
施したが、保管用水に保管される時間は、工程の状況に
より様々である。本保管用水及び保管方法では、保管時
間に関係なく安定した保管を実施することができる。
【００５０】また、本発明の保管用水及び保管方法は、
研磨工程直後の保管以外にも、エッチング工程や平面研
削工程等の直後でも同様に適応することができる。
研磨工程直後の保管以外にも、エッチング工程や平面研
削工程等の直後でも同様に適応することができる。
【００５１】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、ウ
エーハ表面へのＣｕの付着を防止し、更にＡｌなど他の
多くの金属についても汚染を防止することができる。過
酸化水素とクエン酸の組み合せにより酸化還元電位等も
安定し、長時間の安定したウエーハ保管が行える。また
研磨剤中のアルカリ成分によるウエーハ表面のエッチン
グ及び酸化膜形成によるヘイズの悪化が防止され、ウエ
ーハ表面品質を悪化させることなく保管することができ
る。以上により、ウエーハ品質、特に酸化膜耐圧の低下
を防止することが可能になるという大きな効果が達成で
きる。
エーハ表面へのＣｕの付着を防止し、更にＡｌなど他の
多くの金属についても汚染を防止することができる。過
酸化水素とクエン酸の組み合せにより酸化還元電位等も
安定し、長時間の安定したウエーハ保管が行える。また
研磨剤中のアルカリ成分によるウエーハ表面のエッチン
グ及び酸化膜形成によるヘイズの悪化が防止され、ウエ
ーハ表面品質を悪化させることなく保管することができ
る。以上により、ウエーハ品質、特に酸化膜耐圧の低下
を防止することが可能になるという大きな効果が達成で
きる。
Claims (7)
- 【請求項１】 シリコンウエーハを水中で保管する際に
用いられる保管用水であって、純水に過酸化水素水を添
加しており、かつクエン酸を添加してあることを特徴と
するシリコンウエーハの保管用水。 - 【請求項２】 保管用水のｐＨが４〜７であることを特
徴とする請求項１記載のシリコンウエーハの保管用水。 - 【請求項３】 前記過酸化水素の濃度が０．０１〜１．
００ｗｔ％であり、前記クエン酸の濃度が０．０００１
〜０．００５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１記
載の保管用水。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３記載の保管用水を
用いシリコンウエーハを保管することを特徴とするシリ
コンウエーハの保管方法。 - 【請求項５】 表面が活性な状態のシリコンウエーハを
保管することを特徴とする請求項４記載のシリコンウエ
ーハの保管方法。 - 【請求項６】 前記表面が活性な状態のシリコンウエー
ハが、研磨工程で研磨した直後のウエーハであることを
特徴とする請求項５記載のシリコンウエーハの保管方
法。 - 【請求項７】 シリコンウエーハ表面に酸化膜を形成し
ない状態で保管することを特徴とする請求項４記載のシ
リコンウエーハの保管方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000224465A JP4103310B2 (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | シリコンウエーハの保管用水及び保管方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000224465A JP4103310B2 (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | シリコンウエーハの保管用水及び保管方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043390A true JP2002043390A (ja) | 2002-02-08 |
| JP4103310B2 JP4103310B2 (ja) | 2008-06-18 |
Family
ID=18718426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000224465A Expired - Lifetime JP4103310B2 (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | シリコンウエーハの保管用水及び保管方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4103310B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056102A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 研磨クロスの金属汚染評価方法 |
| WO2013187441A1 (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-19 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
-
2000
- 2000-07-25 JP JP2000224465A patent/JP4103310B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056102A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 研磨クロスの金属汚染評価方法 |
| WO2013187441A1 (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-19 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
| JP2013258226A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
| CN104350583A (zh) * | 2012-06-12 | 2015-02-11 | 胜高科技股份有限公司 | 半导体晶片的制造方法 |
| TWI509679B (zh) * | 2012-06-12 | 2015-11-21 | Sumco Techxiv Corp | 半導體晶圓之製造方法 |
| US9293318B2 (en) | 2012-06-12 | 2016-03-22 | Sumco Techxiv Corporation | Semiconductor wafer manufacturing method |
| KR101947614B1 (ko) * | 2012-06-12 | 2019-02-13 | 사무코 테크시부 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4103310B2 (ja) | 2008-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI227267B (en) | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor | |
| JP4221191B2 (ja) | Ｃｍｐ後洗浄液組成物 | |
| EP0718873A2 (en) | Cleaning process for hydrophobic silicon wafers | |
| EP1801859A1 (en) | Soi wafer cleaning method | |
| EP2048702A2 (en) | Method for cleaning silicon wafer | |
| US6884721B2 (en) | Silicon wafer storage water and silicon wafer storage method | |
| CN109326501B (zh) | 一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法 | |
| JPH1174244A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
| TWI795547B (zh) | 矽晶圓的洗淨方法 | |
| KR100724883B1 (ko) | 실리콘웨이퍼의 보관용수 및 보관방법 | |
| JP4103310B2 (ja) | シリコンウエーハの保管用水及び保管方法 | |
| JP2004117354A (ja) | シリコンウエハーの再生過程における銅汚染箇所特定方法、銅汚染検知方法、及びシリコンウエハーの再生方法 | |
| JP4857738B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法 | |
| US20050048777A1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| EP1298715B1 (en) | Method for storing a silicon wafer | |
| CN116918041A (zh) | 硅晶圆的清洗方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆 | |
| JP2000208578A (ja) | シリコンウェ―ハの評価方法及びシリコンウェ―ハ | |
| JP3040067B2 (ja) | 半導体層を有する基板の洗浄方法 | |
| JP4087345B2 (ja) | Ｓｏｉウェーハの結晶欠陥の評価方法 | |
| JPH11191543A (ja) | シリコンウエーハの保管用水及び保管する方法 | |
| JP2000091279A (ja) | 被鏡面研磨用半導体基板及び半導体基板の製造方法 | |
| JP2001284309A (ja) | 容器の処理方法 | |
| JP2006134906A (ja) | シリコンウェーハ保管方法 | |
| Watanabe et al. | Influence Of Particles/Impurity Metals In RCA Cleaning Solutions On Surface Contamination. | |
| JPH04259221A (ja) | 半導体ウェーハ用洗浄液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060619 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061024 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070928 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080304 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080317 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120404 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140404 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |