JP2002039886A - 物理量検出センサ - Google Patents
物理量検出センサInfo
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- JP2002039886A JP2002039886A JP2000229000A JP2000229000A JP2002039886A JP 2002039886 A JP2002039886 A JP 2002039886A JP 2000229000 A JP2000229000 A JP 2000229000A JP 2000229000 A JP2000229000 A JP 2000229000A JP 2002039886 A JP2002039886 A JP 2002039886A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 正確な異常検出が行える物理量検出センサを
提供する。 【解決手段】 ホイートストンブリッジの２つの中点
Ｂ、Ｃの電位差ＶBCをセンサ出力とする。また、電源印
加端子Ａと２つの中点Ｂ、Ｃとの間に配置された抵抗Ｒ
ａ、Ｒｂを２つに等分割すると共に、等分割した抵抗Ｒ
ａ１、Ｒａ２の接点Ｗ及び抵抗Ｒｂ１、Ｒｂ２の接点Ｘ
の電位差ＶWXをアンプ２によって増幅し、この増幅した
電位差を検査用出力とする。そして、アンプ２の出力に
ボルテージフォロワ回路を構成するオペアンプ３を接続
し、オペアンプ３の非反転入力端子に接続された基準電
位形成用の分割抵抗Ｒ１、Ｒ２をトリミング調整するこ
とで、ボルテージフォロワ回路による電位分をアンプ２
の出力電位にかさ上げし、センサ出力調整時に生じる検
査用出力の誤差分を調整する。これにより、正確な異常
検出が行える圧力センサにできる。
提供する。 【解決手段】 ホイートストンブリッジの２つの中点
Ｂ、Ｃの電位差ＶBCをセンサ出力とする。また、電源印
加端子Ａと２つの中点Ｂ、Ｃとの間に配置された抵抗Ｒ
ａ、Ｒｂを２つに等分割すると共に、等分割した抵抗Ｒ
ａ１、Ｒａ２の接点Ｗ及び抵抗Ｒｂ１、Ｒｂ２の接点Ｘ
の電位差ＶWXをアンプ２によって増幅し、この増幅した
電位差を検査用出力とする。そして、アンプ２の出力に
ボルテージフォロワ回路を構成するオペアンプ３を接続
し、オペアンプ３の非反転入力端子に接続された基準電
位形成用の分割抵抗Ｒ１、Ｒ２をトリミング調整するこ
とで、ボルテージフォロワ回路による電位分をアンプ２
の出力電位にかさ上げし、センサ出力調整時に生じる検
査用出力の誤差分を調整する。これにより、正確な異常
検出が行える圧力センサにできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、物理量に応じた出
力を発生させる物理量検出センサに関するもので、例え
ば印加される圧力の検出を行う圧力センサに用いて好適
である。
力を発生させる物理量検出センサに関するもので、例え
ば印加される圧力の検出を行う圧力センサに用いて好適
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、センサの製品特性誤差を出力異常
として外部に出力できるようにすることが要望されてい
る。このような要望を満たすセンサとして、例えば、セ
ンシング部を構成するホイートストンブリッジとは別に
検査用のホイートストンブリッジを設け、検査用のホイ
ートストンブリッジの特性に基づいてセンシング部を構
成するホイートストンブリッジの特性の異常検査を行
い、異常であった場合に異常信号を外部に出力するよう
にした構成が考えられる。
として外部に出力できるようにすることが要望されてい
る。このような要望を満たすセンサとして、例えば、セ
ンシング部を構成するホイートストンブリッジとは別に
検査用のホイートストンブリッジを設け、検査用のホイ
ートストンブリッジの特性に基づいてセンシング部を構
成するホイートストンブリッジの特性の異常検査を行
い、異常であった場合に異常信号を外部に出力するよう
にした構成が考えられる。
【０００３】しかしながら、このような構成では２つの
ホイートストンブリッジが必要とされ、センサを構成す
る要素が多くなる。このため、本発明者らは、１つのホ
イートストンブリッジで異常検出が行える回路構成を見
出し、このような回路構成を特願平１１−２７０４４４
号で出願している。
ホイートストンブリッジが必要とされ、センサを構成す
る要素が多くなる。このため、本発明者らは、１つのホ
イートストンブリッジで異常検出が行える回路構成を見
出し、このような回路構成を特願平１１−２７０４４４
号で出願している。
【０００４】具体的には、ホイートストンブリッジを構
成する４つの抵抗をそれぞれ２つの抵抗に分割し、ホイ
ートストンブリッジのうち電源に接続される電源印加点
とセンサ出力として用いられる中点との間に配置された
各抵抗の分割点（中間端子）の電位を検査用出力として
用いるようにしている。
成する４つの抵抗をそれぞれ２つの抵抗に分割し、ホイ
ートストンブリッジのうち電源に接続される電源印加点
とセンサ出力として用いられる中点との間に配置された
各抵抗の分割点（中間端子）の電位を検査用出力として
用いるようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】圧力センサにおいて
は、製品特性誤差、すなわち感度やオフセット、及びオ
フセット温度特性を電気トリムや薄膜トリムによって調
整する手法が取られており、上記先の出願におけるセン
サにおいても製品特性誤差の調整手法が採用されること
になる。
は、製品特性誤差、すなわち感度やオフセット、及びオ
フセット温度特性を電気トリムや薄膜トリムによって調
整する手法が取られており、上記先の出願におけるセン
サにおいても製品特性誤差の調整手法が採用されること
になる。
【０００６】しかしながら、検査用出力として用いられ
る分割点の電位ではなく、センサ出力となる中間点の電
位に基づいて製品特性誤差の調整が行われるため、調整
後に検査用出力となる分割点の電位に誤差が生じ、正確
な異常検査が行えなくなる可能性が生じる。
る分割点の電位ではなく、センサ出力となる中間点の電
位に基づいて製品特性誤差の調整が行われるため、調整
後に検査用出力となる分割点の電位に誤差が生じ、正確
な異常検査が行えなくなる可能性が生じる。
【０００７】本発明は上記点に鑑みて、正確な異常検出
が行える物理量検出センサを提供することを目的とす
る。
が行える物理量検出センサを提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、物理量に応じて抵抗値
変化を生じる４つのゲージ抵抗（Ｒａ〜Ｒｄ）を備え、
４つのゲージ抵抗によってブリッジ回路が形成された物
理量検出センサにおいて、ブリッジ回路のゲージ抵抗
は、分割された分割ゲージ抵抗（Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒｂ
１、Ｒｂ２、Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｄ１、Ｒｄ２）となっ
ており、ブリッジ回路の２つの中点における電位差（Ｖ
BC）がセンサ出力として用いられていると共に、分割ゲ
ージ抵抗の中間端子（Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚ）のうち物理量が
印加されていない状態において電位が等しい組み合わせ
の中間端子における電位差（ＶWX）が検査用出力として
用いられており、電位が等しい組み合わせの中間端子に
は、検査用出力の誤差分を調整する調整手段（３）が接
続されていることを特徴としている。
め、請求項１に記載の発明では、物理量に応じて抵抗値
変化を生じる４つのゲージ抵抗（Ｒａ〜Ｒｄ）を備え、
４つのゲージ抵抗によってブリッジ回路が形成された物
理量検出センサにおいて、ブリッジ回路のゲージ抵抗
は、分割された分割ゲージ抵抗（Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒｂ
１、Ｒｂ２、Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｄ１、Ｒｄ２）となっ
ており、ブリッジ回路の２つの中点における電位差（Ｖ
BC）がセンサ出力として用いられていると共に、分割ゲ
ージ抵抗の中間端子（Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚ）のうち物理量が
印加されていない状態において電位が等しい組み合わせ
の中間端子における電位差（ＶWX）が検査用出力として
用いられており、電位が等しい組み合わせの中間端子に
は、検査用出力の誤差分を調整する調整手段（３）が接
続されていることを特徴としている。
【０００９】このように、物理量が印加されていない状
態において電位が等しい組み合わせの中間端子に、検査
用出力の誤差分を調整する調整手段を接続するようにす
ることで、センサ出力の感度やオフセット及びオフセッ
ト温度特性の調整を行うことによって検査用出力に誤差
が生じても、その誤差分の低減を図ることができる。こ
のため、正確な異常検出を行うことができる。
態において電位が等しい組み合わせの中間端子に、検査
用出力の誤差分を調整する調整手段を接続するようにす
ることで、センサ出力の感度やオフセット及びオフセッ
ト温度特性の調整を行うことによって検査用出力に誤差
が生じても、その誤差分の低減を図ることができる。こ
のため、正確な異常検出を行うことができる。
【００１０】この場合、請求項２に示すように、電位が
等しい組み合わせの中間端子に増幅回路（２）が接続さ
れている場合には、調整手段によって、増幅回路の出力
を調整するように構成してもよい。
等しい組み合わせの中間端子に増幅回路（２）が接続さ
れている場合には、調整手段によって、増幅回路の出力
を調整するように構成してもよい。
【００１１】なお、請求項３に示すように、調整手段と
してはボルテージフォロワ回路を適用できり、ボルテー
ジフォロワ回路の出力によって増幅回路の出力電位をか
さ上げすることにより、誤差分の調整を行うことができ
る。
してはボルテージフォロワ回路を適用できり、ボルテー
ジフォロワ回路の出力によって増幅回路の出力電位をか
さ上げすることにより、誤差分の調整を行うことができ
る。
【００１２】具体的には、請求項４に示すように、ボル
テージフォロワ回路の非反転入力端子に、第１、第２の
抵抗（Ｒ１、Ｒ２）によって抵抗分割された基準電位が
入力されるようにし、第１、第２の抵抗のいずれかをト
リミング調整することにより、上記調整を行える。
テージフォロワ回路の非反転入力端子に、第１、第２の
抵抗（Ｒ１、Ｒ２）によって抵抗分割された基準電位が
入力されるようにし、第１、第２の抵抗のいずれかをト
リミング調整することにより、上記調整を行える。
【００１３】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。
【００１４】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１に、本発明
の一実施形態を適用した半導体圧力センサの回路構成を
示す。以下、図１に基づき圧力センサの構成について説
明する。
の一実施形態を適用した半導体圧力センサの回路構成を
示す。以下、図１に基づき圧力センサの構成について説
明する。
【００１５】圧力センサには、印加された圧力に応じた
センサ出力を発生させるセンシング部１が備えられてい
る。このセンシング部１は、歪ゲージからなる４つの抵
抗Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄを有するブリッジ回路として
のホイートストンブリッジで構成されている。
センサ出力を発生させるセンシング部１が備えられてい
る。このセンシング部１は、歪ゲージからなる４つの抵
抗Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄを有するブリッジ回路として
のホイートストンブリッジで構成されている。
【００１６】このホイートストンブリッジは、抵抗Ｒａ
〜Ｒｄが互いに直列接続されて４辺形の閉回路を形成
し、相対する接続点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄをそれぞれ電源Ｖｄ
ｄ及びアース（ＧＮＤ）への接点（Ａ、Ｄ）と、センサ
出力となる差電圧を発生させる両接点（Ｂ、Ｃ）とした
構成となっている。以下、ブリッジ回路のうち電源Ｖｄ
ｄに接続される接続点Ａを電源印加接点、アースに接続
される接続点Ｄを接地接点、センサ出力として用いられ
る両接点Ｂ、Ｃを第１、第２出力接点という。
〜Ｒｄが互いに直列接続されて４辺形の閉回路を形成
し、相対する接続点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄをそれぞれ電源Ｖｄ
ｄ及びアース（ＧＮＤ）への接点（Ａ、Ｄ）と、センサ
出力となる差電圧を発生させる両接点（Ｂ、Ｃ）とした
構成となっている。以下、ブリッジ回路のうち電源Ｖｄ
ｄに接続される接続点Ａを電源印加接点、アースに接続
される接続点Ｄを接地接点、センサ出力として用いられ
る両接点Ｂ、Ｃを第１、第２出力接点という。
【００１７】このホイートストンブリッジに備えられた
各抵抗Ｒａ〜Ｒｄはそれぞれ２つの抵抗に等分割されて
いる。すなわち、電源印加接点Ａと第１出力接点Ｂとの
間に配置された抵抗Ｒａは抵抗Ｒａ１と抵抗Ｒａ２に、
電源印加接点Ａと第２出力接点Ｃとの間に配置された抵
抗Ｒｂは抵抗Ｒｂ１と抵抗Ｒｂ２に、第１出力接点Ｂと
接地接点Ｄとの間に配置された抵抗Ｒｃは抵抗Ｒｃ１と
抵抗Ｒｃ２に、第２出力接点Ｃと接地接点Ｄとの間に配
置された抵抗Ｒｄは抵抗Ｒｄ１と抵抗Ｒｄ２にそれぞれ
分割されている。
各抵抗Ｒａ〜Ｒｄはそれぞれ２つの抵抗に等分割されて
いる。すなわち、電源印加接点Ａと第１出力接点Ｂとの
間に配置された抵抗Ｒａは抵抗Ｒａ１と抵抗Ｒａ２に、
電源印加接点Ａと第２出力接点Ｃとの間に配置された抵
抗Ｒｂは抵抗Ｒｂ１と抵抗Ｒｂ２に、第１出力接点Ｂと
接地接点Ｄとの間に配置された抵抗Ｒｃは抵抗Ｒｃ１と
抵抗Ｒｃ２に、第２出力接点Ｃと接地接点Ｄとの間に配
置された抵抗Ｒｄは抵抗Ｒｄ１と抵抗Ｒｄ２にそれぞれ
分割されている。
【００１８】そして、抵抗Ｒａ１と抵抗Ｒａ２との接点
（中間端子）をＷ、抵抗Ｒｂ２と抵抗Ｒｂ２との接点
（中間端子）をＸとすると、これらの接点Ｗ、Ｘは圧力
が印加されていない状態において電位が等しくなる組み
合わせであることから、これらの接点Ｗ、Ｘの電位差Ｖ
WXが検査用出力として用いられている。具体的には、接
点Ｗの電位と接点Ｘの電位との差電圧ＶWXがアンプ（増
幅回路）２によって増幅され、このアンプ２の出力電位
が検査用出力として用いられている。
（中間端子）をＷ、抵抗Ｒｂ２と抵抗Ｒｂ２との接点
（中間端子）をＸとすると、これらの接点Ｗ、Ｘは圧力
が印加されていない状態において電位が等しくなる組み
合わせであることから、これらの接点Ｗ、Ｘの電位差Ｖ
WXが検査用出力として用いられている。具体的には、接
点Ｗの電位と接点Ｘの電位との差電圧ＶWXがアンプ（増
幅回路）２によって増幅され、このアンプ２の出力電位
が検査用出力として用いられている。
【００１９】そして、第１、第２出力接点Ｂ、Ｃの電位
差をＶBCとすると、電位差ＶWXと電位差ＶBCとは以下の
関係となるため、この関係が成り立つか否かによってセ
ンサの異常検出を行うことができる。
差をＶBCとすると、電位差ＶWXと電位差ＶBCとは以下の
関係となるため、この関係が成り立つか否かによってセ
ンサの異常検出を行うことができる。
【００２０】
【数１】｜ＶBC｜＝２×｜ＶWX｜ また、アンプ２の出力には、オペアンプ３によって構成
された調整手段としてのボルテージフォロワ回路の出力
が接続されている。ボルテージフォロワ回路の基準電位
は、電源Ｖｄｄの電圧を抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とによって
抵抗分割された電位とされており、抵抗Ｒ２のトリミン
グにより調整可能となっている。このように構成された
ボルテージフォロワ回路の出力電位によってアンプ２の
出力電位がかさ上げされ、アンプ２の出力のオフセット
調整が成されるようになっている。
された調整手段としてのボルテージフォロワ回路の出力
が接続されている。ボルテージフォロワ回路の基準電位
は、電源Ｖｄｄの電圧を抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とによって
抵抗分割された電位とされており、抵抗Ｒ２のトリミン
グにより調整可能となっている。このように構成された
ボルテージフォロワ回路の出力電位によってアンプ２の
出力電位がかさ上げされ、アンプ２の出力のオフセット
調整が成されるようになっている。
【００２１】このような構成の圧力センサにおいては、
抵抗Ｒ２の抵抗値を調整することによって検査用出力の
誤差分を調整することができる。このため、センサ出力
の感度やオフセット及びオフセット温度特性の調整を行
うことによって検査用出力に誤差が生じても、その誤差
分の低減を図ることができる。そして、本実施形態に示
す調整方法では、センサ出力の誤差分調整とは関係ない
ところで検査用出力の誤差分調整を行っているため、セ
ンサ出力の誤差分、つまり製品精度に影響を与えること
なく検査用出力の調整を行うことができる。このため、
正確な異常検出を行うことができる。
抵抗Ｒ２の抵抗値を調整することによって検査用出力の
誤差分を調整することができる。このため、センサ出力
の感度やオフセット及びオフセット温度特性の調整を行
うことによって検査用出力に誤差が生じても、その誤差
分の低減を図ることができる。そして、本実施形態に示
す調整方法では、センサ出力の誤差分調整とは関係ない
ところで検査用出力の誤差分調整を行っているため、セ
ンサ出力の誤差分、つまり製品精度に影響を与えること
なく検査用出力の調整を行うことができる。このため、
正確な異常検出を行うことができる。
【００２２】また、本実施形態の構成においては、セン
サ出力と検査用出力とが共に正常の場合には、接点Ｗの
電位と接点Ｘの電位との電位差が、第１出力接点ｂの電
位と第２出力接点ｃの電位との電位差の１／２の値にな
ることになる。つまり、この関係を図示すると図２に示
す関係となる。
サ出力と検査用出力とが共に正常の場合には、接点Ｗの
電位と接点Ｘの電位との電位差が、第１出力接点ｂの電
位と第２出力接点ｃの電位との電位差の１／２の値にな
ることになる。つまり、この関係を図示すると図２に示
す関係となる。
【００２３】このため、アンプ２のゲインを調整するこ
とによってセンサ出力と検査用出力とが一致するように
設定すれば、双方の出力を比較することにより、出力の
異常を検査することも可能となる。
とによってセンサ出力と検査用出力とが一致するように
設定すれば、双方の出力を比較することにより、出力の
異常を検査することも可能となる。
【００２４】なお、検査用出力のゼロ点の位置、すなわ
ち圧力Ｐがゼロの時における出力電圧ＶWXの値は、抵抗
Ｒ２の調整によって適宜調整できるため、その調整に応
じて特性は変化する。
ち圧力Ｐがゼロの時における出力電圧ＶWXの値は、抵抗
Ｒ２の調整によって適宜調整できるため、その調整に応
じて特性は変化する。
【００２５】（他の実施形態）上記実施形態では接点Ｗ
の電位と接点Ｘの電位との電位差ＶWXに基づいて検査用
出力を発生させているが、図１に示すように抵抗Ｒｃ１
と抵抗Ｒｃ２との接点をＹ、抵抗Ｒｄ１と抵抗Ｒｄ２と
の接点をＺとし、接点Ｙの電位と接点Ｚの電位との電位
差ＶYZに基づいて検査用出力を発生させるようにしても
本発明を適用できる。なお、上記実施形態では、各ゲー
ジ抵抗Ｒａ〜Ｒｄをすべて分割した構成としているが、
検査用出力として用いない側のゲージ抵抗に関しては特
に分割する必要はない。
の電位と接点Ｘの電位との電位差ＶWXに基づいて検査用
出力を発生させているが、図１に示すように抵抗Ｒｃ１
と抵抗Ｒｃ２との接点をＹ、抵抗Ｒｄ１と抵抗Ｒｄ２と
の接点をＺとし、接点Ｙの電位と接点Ｚの電位との電位
差ＶYZに基づいて検査用出力を発生させるようにしても
本発明を適用できる。なお、上記実施形態では、各ゲー
ジ抵抗Ｒａ〜Ｒｄをすべて分割した構成としているが、
検査用出力として用いない側のゲージ抵抗に関しては特
に分割する必要はない。
【００２６】また、上記実施形態では抵抗Ｒ２をトリミ
ングする場合を例に挙げているが、抵抗Ｒ１をトリミン
グ調整してもよい。
ングする場合を例に挙げているが、抵抗Ｒ１をトリミン
グ調整してもよい。
【００２７】また、上記実施形態では、センサ出力と検
査用出力とを別々に取り出しているため、別々の端子を
用いてトリミング調整を行う必要があるが、マルチプレ
クサ等によって２つの出力の切替えを行えるようにすれ
ば、１つの出力端子でトリミング調整を行うことが可能
となる。
査用出力とを別々に取り出しているため、別々の端子を
用いてトリミング調整を行う必要があるが、マルチプレ
クサ等によって２つの出力の切替えを行えるようにすれ
ば、１つの出力端子でトリミング調整を行うことが可能
となる。
【００２８】さらに、上記実施形態では、ホイートスト
ンブリッジを構成する４つの抵抗をそれぞれ２つの抵抗
に等分割した場合について説明したが、２つに分割する
場合に限らず、さらに多くに等分割してもよい。また、
抵抗Ｒａと抵抗Ｒｂの組み合わせ、あるいは抵抗Ｒｃと
抵抗Ｒｄの組み合わせが同じ分割数であれば良く、それ
ぞれの組み合わせを異なる分割数としても良い。そし
て、等分割した抵抗のうちの電位が等しくなる中間端子
の電位を検査用出力とすればよい。
ンブリッジを構成する４つの抵抗をそれぞれ２つの抵抗
に等分割した場合について説明したが、２つに分割する
場合に限らず、さらに多くに等分割してもよい。また、
抵抗Ｒａと抵抗Ｒｂの組み合わせ、あるいは抵抗Ｒｃと
抵抗Ｒｄの組み合わせが同じ分割数であれば良く、それ
ぞれの組み合わせを異なる分割数としても良い。そし
て、等分割した抵抗のうちの電位が等しくなる中間端子
の電位を検査用出力とすればよい。
【００２９】以上の説明では、上記した誤差分の調整を
レーザトリミングや電気トリミング等のトリミング調整
によって行う場合を例に挙げたが、ＥＰＲＯＭ等によっ
て誤差分を電気的に記憶しておくことで調整する場合に
も本発明を適用できる。
レーザトリミングや電気トリミング等のトリミング調整
によって行う場合を例に挙げたが、ＥＰＲＯＭ等によっ
て誤差分を電気的に記憶しておくことで調整する場合に
も本発明を適用できる。
【００３０】また、物理量検出センサの一例として圧力
センサを挙げて説明したが、圧力センサ以外のもの、例
えば加速度センサにも本発明を適用することが可能であ
る。
センサを挙げて説明したが、圧力センサ以外のもの、例
えば加速度センサにも本発明を適用することが可能であ
る。
【図１】本発明の第１実施形態における圧力センサの回
路構成を示す図である。
路構成を示す図である。
【図２】センサ出力と検査用出力の関係を示す図であ
る。
る。
１…センシング部、２…アンプ、３…オペアンプ、Ｒａ
〜Ｒｄ…ゲージ抵抗、Ｒ１、Ｒ２…抵抗。
〜Ｒｄ…ゲージ抵抗、Ｒ１、Ｒ２…抵抗。
Claims (4)
- 【請求項１】 物理量に応じて抵抗値変化を生じる４つ
のゲージ抵抗（Ｒａ〜Ｒｄ）を備え、前記４つのゲージ
抵抗によってブリッジ回路が形成された物理量検出セン
サにおいて、 前記ブリッジ回路のゲージ抵抗は、分割された分割ゲー
ジ抵抗（Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒｂ１、Ｒｂ２、Ｒｃ１、Ｒ
ｃ２、Ｒｄ１、Ｒｄ２）となっており、 前記ブリッジ回路の２つの中点における電位差（ＶBC）
がセンサ出力として用いられていると共に、前記分割ゲ
ージ抵抗の中間端子（Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚ）のうち前記物理
量が印加されていない状態において電位が等しい組み合
わせの中間端子における電位差（ＶWX）が検査用出力と
して用いられており、 前記電位が等しい組み合わせの中間端子には、前記検査
用出力の誤差分を調整する調整手段（３）が接続されて
いることを特徴とする物理量検出センサ。 - 【請求項２】 前記電位が等しい組み合わせの中間端子
には増幅回路（２）が接続されており、前記調整手段
は、前記増幅回路の出力を調整するように構成されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の物理量検出セン
サ。 - 【請求項３】 前記調整手段はボルテージフォロワ回路
であり、該ボルテージフォロワ回路の出力によって前記
増幅回路の出力電位をかさ上げすることにより、前記誤
差分の調整を行っていることを特徴とする請求項２に記
載の物理量検出センサ。 - 【請求項４】 前記ボルテージフォロワ回路の非反転入
力端子には、第１、第２の抵抗（Ｒ１、Ｒ２）によって
抵抗分割された基準電位が入力されるようになってお
り、 前記第１、第２の抵抗のいずれかがトリミング調整され
ていることを特徴とする請求項３に記載の物理量検出セ
ンサ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000229000A JP2002039886A (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | 物理量検出センサ |
| US09/666,085 US6422088B1 (en) | 1999-09-24 | 2000-09-21 | Sensor failure or abnormality detecting system incorporated in a physical or dynamic quantity detecting apparatus |
| EP10185385A EP2275792B1 (en) | 1999-09-24 | 2000-09-22 | Sensor failure or abnormality detecting system |
| EP06005301A EP1666862B1 (en) | 1999-09-24 | 2000-09-22 | Sensor failure or abnormality detecting system incorporated in a physical or dynamic quantity detecting apparatus |
| DE60028678T DE60028678T8 (de) | 1999-09-24 | 2000-09-22 | System zum Bestimmen von Fehlern oder Abnormalitäten eines Messfühlers, eingebaut in ein Gerät zur Messung einer physikalischen oder dynamischen Grösse |
| EP00120774A EP1087219B1 (en) | 1999-09-24 | 2000-09-22 | Sensor failure or abnormality detecting system incorporated in a physical or dynamic quantity detecting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000229000A JP2002039886A (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | 物理量検出センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002039886A true JP2002039886A (ja) | 2002-02-06 |
Family
ID=18722191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000229000A Withdrawn JP2002039886A (ja) | 1999-09-24 | 2000-07-28 | 物理量検出センサ |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2002039886A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013057689A1 (en) | 2011-10-21 | 2013-04-25 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | SiC HIGH TEMPERATURE PRESSURE TRANSDUCER |
-
2000
- 2000-07-28 JP JP2000229000A patent/JP2002039886A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
| WO2013057689A1 (en) | 2011-10-21 | 2013-04-25 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | SiC HIGH TEMPERATURE PRESSURE TRANSDUCER |
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