JP2002037617A - シリコンに付着した石英除去方法及び除去装置 - Google Patents

シリコンに付着した石英除去方法及び除去装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、半導体用単結晶シリコンの製造時に
石英坩堝内に残存し、石英片が表面に溶着したシリコン
から、該石英片を、従来より効率良く剥離、分離して、
該シリコンを清浄化し、石英で汚染されていない太陽電
池の製造原料とすることの可能なシリコン表面の溶着石
英除去方法及び除去装置を提供することを目的としてい
る。 【解決手段】半導体用シリコンの単結晶を引き上げた後
の石英坩堝内に残留し、表面に石英が溶着したシリコン
から該石英を剥離、分離して、該シリコンを清浄化し、
太陽電池の製造原料として再利用するに当り、前記石英
が溶着したシリコンを、筒状容器に装入し、該容器を予
め定めた回転数で一定時間回転させた後、その排出物を
一定粒度で篩分けて分級し、粒度の小さい方を廃棄す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンに付着し
ている石英の除去方法及び除去装置に係わり、特に、半
導体用シリコン製造後の石英坩堝内に残留し、表面に石
英が付着したシリコンから、該石英を効率良く剥離、分
離して、該シリコンを清浄化し、石英に汚染されていな
い太陽電池の製造原料とする技術に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、エネルギー源の多様化要求から、
太陽光発電がエネルギー源として脚光を浴びており、そ
の発電装置の低価格化に向け、研究開発が盛んに行われ
ている。このような状況下、その発電装置に用いる太陽
電池の製造原料として、シリコンは、最も汎用され易い
材料であり、しかも、動力用電力の供給に使われる材料
としても重要視されている。
【0003】この太陽電池の製造原料としてのシリコン
(SOG−Si)は、99.9999%(所謂、6N)
以上の純度が必要とされている。現在、半導体用単結晶
シリコンは、石英坩堝内でシリコンを溶解し、一方向に
引き上げて凝固させて単結晶とする所謂「CZ(Czo
chralskiの略)法」で製造されるが、SOG−
Siは、主として、その単結晶を引き上げた後の石英坩
堝内に残存するシリコンや製造された単結晶インゴット
を切断処理して発生した端材(スクラップ)が用いられ
ている。
【0004】このうち、単結晶インゴットの端材につい
ては、高純度であるため、最近は、半導体用シリコンと
して再利用されることが多く、太陽電池の製造原料に利
用できる量が減少している。また、石英坩堝内に残存し
ているシリコンに比べ高価である。従って、かかる状況
下で太陽電池を低価格とし、普及させるには、上記した
石英坩堝内に残存するシリコンに頼よらざる得ない。
【0005】ところで、この石英坩堝内の残存シリコン
を太陽電池の製造原料に有効利用するには、従来より、
解決すべき厄介な問題があった。現在、この石英坩堝か
ら取り出した残存シリコンに付着している石英坩堝の破
片(以下、石英片という)を残存シリコンから除去する
には、まず残存シリコンの表面をハンマでたたき、大き
な石英片を取り除いた後に、サンドブラスト、グライン
ダ等を用いて表面を研磨し、残った石英片を削り取る方
法、あるいは残った石英を弗硝酸で溶解する方法が採用
されている。しかしながら、前者の方法では、石英片の
一つ一つを手作業で処理するので、非常に手間がかか
り、さらに作業時に多量の汚染物質(例えば、ハンマか
らの鉄粉)が混入するという問題があった。また、後者
の方法では、弗硝酸や溶解装置のために非常に高いコス
トがかかるという問題があった。つまり、太陽電池にと
って有害な不純物である石英坩堝の破片を該残存シリコ
ンから除去するには、多大な労力を要するばかりでな
く、除去にかかる費用が無視できないのが現状である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑み、半導体用単結晶シリコンの製造時に石英坩堝内
に残存したシリコンのように、石英片が表面に付着した
シリコンから、該石英片を、従来より効率良く剥離、分
離して、該シリコンを清浄化し、石英で汚染されていな
い太陽電池の製造原料とすることの可能なシリコンに付
着している石英除去方法及び除去装置を提供することを
目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】発明者は、上記目的を達
成するため、シリコン塊に付着した石英を従来より一層
簡便に除去する技術の開発に鋭意努力し、その成果を本
発明に具現化した。
【0008】すなわち、本発明は、石英が付着したシリ
コンから該石英を剥離、分離して、該シリコンを清浄化
し、太陽電池の製造原料として利用するに当り、前記石
英が付着したシリコンを、筒状容器に装入し、該容器を
予め定めた回転数で所定時間回転させた後、その排出物
を所定粒度で分級し、粒度の小さい方を廃棄することを
特徴とするシリコンに付着した石英除去方法である。
【0009】その際、前記回転数を、下記範囲を満足す
る値にしたり、 20/(容器内径(m))1/2≦回転数(r.p.m)
≦45/(容器内径(m))1/2 前記石英が付着したシリコンの装入量を、下記範囲を満
足する値にするのが好ましい。
【0010】容器内容積(m3)×100≦シリコン装
入量(kg)≦容器内容積(m3)×800 また、本発明は、前記分級を、篩い分け及び/又は浮力
・比重分離としたり、あるいは前記シリコンを判導体シ
リコン製造後の石英坩堝内に残留したシリコンとするこ
とを特徴とするシリコンに付着した石英除去方法であ
る。
【0011】さらに、本発明は、石英が付着したシリコ
ンを保持する筒状容器と、該容器を回転自在に支え、予
め定めた回転数で所定時間回転させる回転装置と、前記
容器の下方に設けられ、該容器からの排出物を所定粒度
で分級する振動篩とを備えたことを特徴とするシリコン
に付着した石英除去装置である。
【0012】この場合、前記振動篩に代え、石英分離槽
と比重分離液洗浄槽を備えるようにしても良い。加え
て、本発明は、前記筒状容器の少なくとも最内面の材質
が、ゴム、樹脂、酸化珪素、炭化珪素及びシリコンから
選ばれた1種又は2種以上であることを特徴とするシリ
コンに付着した石英除去装置である。
【0013】本発明によれば、石英片の付着したシリコ
ンから、従来より簡便、且つ低コストで、その付着した
石英片を他の物質で汚染することなく除去できるように
なる。その結果、太陽電池の価格が低減し、その普及に
貢献するようになる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、発明をなすに至った経緯も
交え、本発明の実施の形態を説明する。
【0015】最初に、発明者は、シリコンと石英の特性
を調査した。その結果、(1)シリコンと石英は、互い
に濡れ性が良く、互いに付着し易い、(2)シリコンと
石英は、熱膨張率が大きく異なる、(3)石英は、硝子
と同様に割れ易い、つまり、シリコンの表面に付着した
石英は、温度が低下した際に多数のクラックを生じてい
ると予想される等の特性を見出した。そして、これらの
特性から、シリコンからの溶着石英片の剥離は、比較的
小さな力で行うことが可能で、また、大きな石英片等の
例外を除き、石英自身は破砕され易いと考えた。しか
し、作業中にシリコンヘ不純物が混入するのを避け、シ
リコンのみを高歩留まりで回収するには、何らかの工夫
が必要と考えた。
【0016】工夫の一つ目は、上述の考えに基づき、ま
ず、発明者は、石英片をシリコンから剥離させる手段に
ついて模索した。そして、通常、固体粉末の微粉砕に使
用される粉砕機の中から、粉砕力が弱く、且つ均一な粉
砕が行われるものとして、ボールミルで代表される回転
式粉砕機を選んだ。その理由は、回転式粉砕機は、被粉
砕物同士が互いに衝突することで粉砕されるので、粉砕
時に不純物が混入し難いからである。ただし、本発明で
は、上記した考えに基づき、この回転式粉砕機の本来の
機能を弱める工夫を凝らして利用することにした。つま
り、粉砕力をシリコン表面から付着石英を剥離する程度
に弱め、多量のシリコン微粉が発生し、シリコン歩留の
低下を避けるようにしたのである。
【0017】なお、通常のボールミルのように、粉砕時
に常用される粉砕用ボールを使用せず、塊状のシリコン
のみを筒状容器(あるいはボールミルのポット)に装入
するのが好適である。また、石英が付着したシリコン原
料は半導体シリコンの単結晶製造後あるいは多結晶シリ
コン製造後の石英坩堝内の残存シリコンの他に、シリコ
ンに石英が付着、あるいは溶着しているシリコン原料で
あれば全てに有効である。
【0018】工夫の二つ目は、筒状容器の回転数を下記
の範囲に制限する。
【0019】20/(容器内径(m))1/2≦回転数
(r.p.m.)≦45/(容器内径(m)1/2 回転数をこのように限定するのが好ましい理由は、発明
者の調査によれば、該容器の回転数が20/(容器内径
(m))1/2未満では、石英片の剥離、粉砕の程度が低
く過ぎ、45/(容器内径(m))1/2を超えると、容
器材質のシリコンへの混入や該シリコンの粉砕が進行
し、シリコン歩留の低下を招くからである。
【0020】工夫の三つ目は、筒状容器ヘの石英が溶着
したシリコンの装入量を、下記の範囲に制限することで
ある。これは、容器内におけるシリコンの充填率が剥離
へ与える影響を配慮したもので、該シリコンの装入量が
下記の範囲から外れると、石英片の剥離効率、破砕効率
が低くなるからである。
【0021】容器内容積(m3)×100≦シリコン装
入量(kg)≦容器内容積(m3)×800 工夫の四つ目は、筒状容器自体の材質を、ゴム、樹脂、
酸化珪素、窒化珪素、炭化珪素及びシリコンとしたり、
あるいは該容器の内壁にこれらの物質を接着、溶射又は
コーティングするようにした。通常のボールミル用ポッ
トは、鋼やステンレス製である。この場合、回転力を弱
めたり、ボールを装入していなくても、シリコンに微量
ながら鉄が混入する。この鉄の混入があると、太陽電池
の特性を著しく劣化させる恐れがあるので、上記したよ
うに、容器の材質や内壁のコーティングを工夫するのが
好ましい。特に、鉄、クロム、チタン等の重金属の混入
は、太陽電池の特性を著しく劣化させることが知られて
いる。
【0022】以上の工夫により、石英の溶着したシリコ
ン同士の軽い衝突や摩擦が円滑に行なわれ、ほぼ石英片
のみの剥離及び粉砕が図れるようになった。さらに、剥
離及び粉砕された石英片をシリコンから分離、除去すれ
ば、目的が達成できる。発明者は、この分離についても
鋭意検討を行ない、剥離・粉砕された石英片をシリコン
から分離するには、粉体粒子の分級に通常使用される篩
分けで良いことを確認した。その際、上記剥離・粉砕さ
れた石英片は上記二つ目や三つ目の工夫により、ほぼ
2.5〜10mm以下の粒径となる。従って、篩目の開
口径は、2.5〜10mmとするのが好ましい。そし
て、本発明では、2.5〜10mm未満の篩下は、すべ
て廃棄し、篩上を太陽電池の製造原料にすることにし
た。前記した剥離作業で発生するシリコンの微粉は、
a)不純物の混入の可能性が高く,その分離が難しい、
b)太陽電池の製造原料の特性として重要な比抵抗、伝
導型等の評価が不可能であること、c)太陽電池の製造
工程での溶解時に、スプラッシュ等が生じ易く,歩留が
低いこと等の理由から、通常、太陽電池の製造原料とし
て使用しないからである。なお、本発明では、上記篩分
けに要する時間は、篩目の開口が大きいこともあって短
くて良く、5分程度で十分である。
【0023】上記したシリコン表面の溶着石英除去方法
を実際に行なうには、筒状容器とその回転装置、つまり
ボールミル装置及び篩があれば良い。しかしそれでは、
作業開始から終了まで結構時間がかかるし、作業労力も
大きい。そこで、発明者は、作業者の負荷を減らし、作
業を円滑に行なうことについても検討し、図1に示すよ
うな装置を試作した。それは、表面に石英が付着したシ
リコン2を保持する筒状容器1と、該容器1を予め定め
た回転数で一定時間回転させる回転装置4と、その筒状
容器1からの排出物を一定粒度で分級する振動篩5とを
組み合わせたものである。なお、筒状容器は、両端部で
支えても良いし、円筒部の下面をローラ等で支えるよう
にしても良い。ボールミルのポットへの被破砕物の装入
及び排出をポットの端面に設けた蓋付き開口部で行って
も良いが、好適には、筒状容器1の胴部に蓋付きの開口
部3を設けるのが良い。これにより、石英の溶着した前
記シリコン2の装入は、開口面を上方に向けて行ない、
その排出は、下方を向けて行なえる。その結果、作業時
に回転装置4から該筒状容器1を取り外すことなく、被
破砕物の装入、排出及びシリコン6と石英片7の分離の
ための篩分けが連続的に行なえ、作業者の負荷が低減す
るばかりでなく、作業時間の短縮ができるようになる。
【0024】また、筒状容器1からの排出物の分級は、
振動篩5に限る必要がない。そこで、発明者は、浮遊選
鉱の技術を応用して、図2に示すように、比重分離液
(例えば、ぎ酸タリウム化合物)を用いる分級装置をも
開発した。比重分離液は、石英(比重2.1〜2.2k
g/m3×103)とシリコン(比重2.3kg/m3×
103)の比重の間に対応するものを用いれば良い。そ
れは、上記排出物を、石英分離槽11、比重分離液洗浄
槽12及び好適には乾燥器13の3つの手段を順次通過
させるようにして、最終的にシリコンを回収するもので
ある。そして、比重分離液9を満たした石英分離槽11
では、網製容器10中の石英7とシリコン6とをそれら
の比重差で分離し、石英7を除去し、水あるいは有機溶
媒14を満たした比重分離液洗浄槽12では、シリコン
6に付着した比重分離液9を水等で流して、シリコンを
洗浄し、乾燥器13では、温風でシリコンを乾燥するよ
うにしてある。さらに、篩分けと浮上・比重分離を併用
しても良い。
【0025】
【実施例】(実施例−1)図1に示した本発明に係る溶
着石英除去装置を用い、石英の溶着したシリコン2か
ら、石英7の除去を行なった。装入した試料は、半導体
用シリコン単結晶の製造工場から入手したシリコン・ス
クラップである。円筒容器1は、内壁の材質がゴムであ
り、内径500mmφ×長さ1000mmである。その
中に、ハンマ・クラッシャにて粗粉砕して石英を粗分離
した後の粒径10〜100mmの前記試料を100k
g、装入・排出口3を介して装入し、該容器1を60r
pmの回転数で30分間回転し、石英7の剥離処理を行
った。その後、引き続き装入・排出口3より試料を排出
し、開口径10mmの振動篩5にて篩い、シリコンと石
英とを分離して個別に回収した。なお、10mm以下の
石英の多い部分は、その後廃棄する。
【0026】一方、同じ試料を100kg,従来と同様
に鉄ハンマでたたき、石英片を手作業で分離した後、サ
ンドブラスト(SiC粒子をメディアとして使用)及び
弗硝酸処理にて洗浄した。なお、これらの作業は、いず
れも作業者1名で行った。
【0027】これらの実施成績は、作業時間や作業性、
不純物の混入量で評価し、結果を表1に一括して示し
た。なお、シリコンへの不純物混入量の調査は、不純物
が濃化していると思われる10mm以下(篩下)の部分
の化学分析で行った。ここで、鉄の分析には、ICP法
を、炭素の分析には、燃焼法を用いた。
【0028】
【表1】
【0029】表1から明らかなように、本発明によれ
ば、従来の方法に比べて、処理時間が短く、人手がかか
らず作業が容易であり、また処理後のシリコン粒子中に
不純物の混入がほとんど見られないことがわかった。
【0030】(実施例−2)実施例1と同一粒度の試料
を用い、内径250mmφ×長さ500mmと内径50
0mmφ×長さ1000mmの2種の内壁がゴム製の円
筒容器で、同様にシリコンからの石英の除去を行なっ
た。その際、容器への試料装入量、回転数、回転時間を
種々変更し、それらの石英片の剥離時間、すなわち回転
時間及び25mm以上のシリコンの回収率への影響を調
査した。その結果を表2に比較して示す。
【0031】
【表2】
【0032】表2より、本発明で限定したシリコンの装
入量、容器回転数で処理すれば、迅速にシリコンから石
英片を剥離、分離でき、且つシリコンの回収率も高くな
ることが明らかである。
【0033】(実施例−3)内径250mmφ×長さ5
00mmで、材質が鉄、酸化珪素、窒化珪素、ゴム、樹
脂である5種の円筒容器を準備した。そして、それぞれ
に前記試料を12kg装入し、回転数70rpmにおい
て30〜60分間の石英剥離処理を行った。その後の分
離回収は、上記と同様である。回収された10mm以下
の部分の化学分析を行い、不純物の混入量を調査した結
果を麦3に示す。ここで、鉄の分析はICP法、炭素、
窒素及び酸素の分析は燃焼法によった。
【0034】
【表3】
【0035】表3より、不純物の混入量は、鉄製の容器
でもそれほど多くないことが明らかである。しかし、何
らかの原因で鉄が0.4ppm以上混入し、太陽電池の
特性が劣化する可能性があることを考慮すると、表3の
結果は、ゴム、酸化珪素、窒化珪素、あるいはシリコン
製の内壁もしくは容器、又はそれらで内壁をコーテイン
グした容器を使用するのが良い。
【0036】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により、石英
坩堝内で溶解、凝固後のシリコンから溶着石英を、従来
より簡便且つ安価に除去できるようになる。。その結
果、太陽電池の価格が低減し、その普及に本発明が貢献
すると期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るシリコンからの溶着石英除去装置
を示す模式図である。
【図2】本発明に係るシリコンからの溶着石英の比重分
離装置を示す模式図である。
【符号の説明】
1 筒状容器(ボールミル用ポットの利用可) 2 表面に石英の溶着したシリコン 3 開口部(装入・排出口) 4 回転装置 5 振動篩 6 シリコン 7 石英片(石英粉) 8 回転方向を示す矢印 9 比重分離液 10 網製容器 11 石英分離槽 12 比重分離液洗浄槽 13 乾燥器 14 水あるいは有機溶媒 15 駆動ベルト
フロントページの続き (72)発明者 渕瀬 正 岡山県倉敷市水島川崎通1丁目(番地な し) 川崎製鉄株式会社水島製鉄所内 (72)発明者 日和佐 章一 岡山県倉敷市水島川崎通1丁目(番地な し) 川崎製鉄株式会社水島製鉄所内 Fターム(参考) 4D021 AA01 AB01 AB02 CA03 DA13 EA10 EB01 EB03 4D071 AA44 AB03 AB14 AB23 AB42 AB47 AB49 DA08 4G072 AA01 GG03 GG04 MM03 MM08 MM28 UU02

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 石英が付着したシリコンから該石英を剥
    離、分離して、該シリコンを清浄化し、太陽電池の製造
    原料として利用するに当り、 前記石英が付着したシリコンを、筒状容器に装入し、該
    容器を予め定めた回転数で所定時間回転させた後、その
    排出物を所定粒度で分級し、粒度の小さい方を廃棄する
    ことを特徴とするシリコンに付着した石英除去方法。
  2. 【請求項2】 前記回転数を、下記範囲を満足する値に
    することを特徴とする請求項1記載のシリコンに付着し
    た石英除去方法。 20/(容器内径(m))1/2≦回転数(r.p.m)
    ≦45/(容器内径(m))1/2
  3. 【請求項3】 前記石英が付着したシリコンの装入量
    を、下記範囲を満足する値にすることを特徴とする請求
    項1又は2記載のシリコンに付着した石英除去方法。 容器内容積(m3)×100≦シリコン装入量(kg)
    ≦容器内容積(m3)×800
  4. 【請求項4】 前記分級を、篩い分け及び/又は浮力・
    比重分離とすることを特徴とする請求項1〜3のいずれ
    かに記載のシリコンに付着した石英除去方法。
  5. 【請求項5】 前記シリコンを判導体シリコン製造後の
    石英坩堝内に残留したシリコンとすることを特徴とする
    請求項1〜4のいずれかに記載のシリコンに付着した石
    英除去方法。
  6. 【請求項6】 石英が付着したシリコンを保持する筒状
    容器と、該容器を回転自在に支え、予め定めた回転数で
    所定時間回転させる回転装置と、前記容器の下方に設け
    られ、該容器からの排出物を所定粒度で分級する振動篩
    とを備えたことを特徴とするシリコンに付着した石英除
    去装置。
  7. 【請求項7】 前記振動篩に代え、石英分離槽と比重分
    離液洗浄槽を備えたことを特徴とする請求項6記載のシ
    リコンに付着した石英除去装置。
  8. 【請求項8】 前記筒状容器の少なくとも最内面の材質
    が、ゴム、樹脂、酸化珪素、炭化珪素及びシリコンから
    選ばれた1種又は2種以上であることを特徴とする請求
    項6又は7記載のシリコンに付着した石英除去装置。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100901449B1 (ko) * 2007-06-29 2009-06-08 부산대학교 산학협력단 도가니로부터 결정성장 후 남은 실리콘을 분리하는 방법
JP2011046564A (ja) * 2009-08-27 2011-03-10 Sharp Corp シリコンインゴットの製造方法
JP2011162367A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Siltronic Japan Corp チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法
JP2011524849A (ja) * 2008-06-16 2011-09-08 カリソーラー インコーポレイテッド 太陽電池製造用のゲルマニウム濃縮シリコン材料
KR101170232B1 (ko) 2010-05-20 2012-07-31 현준목 실리콘 회수 방법
EP2426087A3 (en) * 2005-07-04 2012-12-19 Sharp Kabushiki Kaisha Silicon recycling method, and silicon and silicon ingot manufactured with that method
JP2013216576A (ja) * 2013-07-03 2013-10-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 粉砕金属珪素粉末の製造方法
CN106076595A (zh) * 2016-06-09 2016-11-09 大连海事大学 一种纳米碳化硅的制备方法
CN107812699A (zh) * 2017-10-30 2018-03-20 许锦翔 一种污水处理用石英砂滤料制备筛选机
WO2021182341A1 (ja) * 2020-03-12 2021-09-16 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 シリコン原料の洗浄装置
CN113894034A (zh) * 2021-09-13 2022-01-07 长沙矿冶研究院有限责任公司 一种石英砂原料的提纯方法
CN114127011A (zh) * 2019-08-29 2022-03-01 瓦克化学股份公司 用于生产硅块的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53144819A (en) * 1977-05-20 1978-12-16 Wacker Chemitronic Method of purifying silicon
JPS58145611A (ja) * 1982-02-23 1983-08-30 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコン粒子の粉砕、篩別方法
JPS60122713A (ja) * 1983-12-06 1985-07-01 ザ・ハンナ・マイニング・コンパニイ ケイ素精製方法
JPH10236816A (ja) * 1997-02-28 1998-09-08 Sinto Brator Co Ltd 多結晶シリコン残留体の再生方法
JPH10273310A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Mitsubishi Materials Corp 石英ルツボに融着した残留多結晶シリコンの回収方法と装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53144819A (en) * 1977-05-20 1978-12-16 Wacker Chemitronic Method of purifying silicon
JPS58145611A (ja) * 1982-02-23 1983-08-30 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコン粒子の粉砕、篩別方法
JPS60122713A (ja) * 1983-12-06 1985-07-01 ザ・ハンナ・マイニング・コンパニイ ケイ素精製方法
JPH10236816A (ja) * 1997-02-28 1998-09-08 Sinto Brator Co Ltd 多結晶シリコン残留体の再生方法
JPH10273310A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Mitsubishi Materials Corp 石英ルツボに融着した残留多結晶シリコンの回収方法と装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2426087A3 (en) * 2005-07-04 2012-12-19 Sharp Kabushiki Kaisha Silicon recycling method, and silicon and silicon ingot manufactured with that method
KR100901449B1 (ko) * 2007-06-29 2009-06-08 부산대학교 산학협력단 도가니로부터 결정성장 후 남은 실리콘을 분리하는 방법
JP2011524849A (ja) * 2008-06-16 2011-09-08 カリソーラー インコーポレイテッド 太陽電池製造用のゲルマニウム濃縮シリコン材料
JP2011046564A (ja) * 2009-08-27 2011-03-10 Sharp Corp シリコンインゴットの製造方法
JP2011162367A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Siltronic Japan Corp チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法
KR101170232B1 (ko) 2010-05-20 2012-07-31 현준목 실리콘 회수 방법
JP2013216576A (ja) * 2013-07-03 2013-10-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 粉砕金属珪素粉末の製造方法
CN106076595A (zh) * 2016-06-09 2016-11-09 大连海事大学 一种纳米碳化硅的制备方法
CN107812699A (zh) * 2017-10-30 2018-03-20 许锦翔 一种污水处理用石英砂滤料制备筛选机
CN114127011A (zh) * 2019-08-29 2022-03-01 瓦克化学股份公司 用于生产硅块的方法
CN114127011B (zh) * 2019-08-29 2024-03-08 瓦克化学股份公司 用于生产硅块的方法
WO2021182341A1 (ja) * 2020-03-12 2021-09-16 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 シリコン原料の洗浄装置
CN113894034A (zh) * 2021-09-13 2022-01-07 长沙矿冶研究院有限责任公司 一种石英砂原料的提纯方法

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