JP2002033651A - 負荷容量測定回路および出力バッファ - Google Patents

負荷容量測定回路および出力バッファ

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JP2002033651A
JP2002033651A JP2000216314A JP2000216314A JP2002033651A JP 2002033651 A JP2002033651 A JP 2002033651A JP 2000216314 A JP2000216314 A JP 2000216314A JP 2000216314 A JP2000216314 A JP 2000216314A JP 2002033651 A JP2002033651 A JP 2002033651A
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transistor
load
potential
channel transistor
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JP2000216314A
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Koji Nasu
浩司 那須
Sei Adachi
聖 安達
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0005Modifications of input or output impedance
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/26Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
    • G01R27/2605Measuring capacitance

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の出力バッファは、外部回路の負荷容量
が想定された負荷容量と異なると、スルーレート等の仕
様を満たすことができない、あるいは不必要に電力を消
費するという課題があった。 【解決手段】 出力バッファにおいて、容量性負荷30
にソースが接続されたトランジスタ24と、トランジス
タ24のゲートに接続された容量素子23と、容量素子
23に接続された定電流源22と、トランジスタ24の
ドレインに接続された駆動手段としてのトランジスタ2
7と、トランジスタ27により開閉制御されるスイッチ
手段としてのトランジスタ28,31とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、外部回路に係る
容量性負荷の容量値を測定する負荷容量測定回路および
外部回路に係る容量性負荷の負荷容量に応じて負荷駆動
能力を調整可能な出力バッファに関するものである。
【0002】
【従来の技術】ホストとデバイス(ハードディスク)と
を接続する通信規格としてATAインタフェースが規定
されている。このATAインタフェースにおいては、1
つのホストに対して1つまたは2つのデバイスを接続す
ることができるとともに、ホストとデバイスとの接続方
式についてもフラットケーブルを介する場合と介さない
場合とがあり、使用形態に応じて出力バッファが接続さ
れる外部回路に係る負荷容量が大きく異なる。また、A
TAインタフェースの規格では、出力信号についての最
大スルーレートおよび最大遅延時間等についての仕様も
規定されているために、これらの仕様を満足するために
は負荷容量の大きさに応じた負荷駆動能力の設定が必要
となる。また、上記のATAインタフェースに限らず、
外部回路に接続される出力バッファについては、立ち上
がり時間等について所望の出力信号を得るためには、適
切な負荷駆動能力を備えた出力バッファを使用する必要
がある。
【0003】図11は従来の出力バッファを備えた半導
体集積回路の構成の一例を示す図である。図11におい
て、100は半導体集積回路、101は内部回路、10
2は出力バッファ、103は出力端子、104は反転増
幅用のインバータ、105,106,107は互いに並
列に接続されているインバータである。製造時におい
て、出力バッファ102に接続される外部回路の負荷容
量を想定して、当該負荷容量に対して適正な駆動能力を
有する出力信号が得られるように、並列に接続されるイ
ンバータの個数またはインバータを構成するトランジス
タのチャネル幅等を適宜設定して出力バッファの負荷駆
動能力の適正化を図っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の出力バッファは
以上のように構成されているので、外部回路の負荷容量
が想定された負荷容量より大きくて出力バッファの負荷
駆動能力が相対的に小さい場合には、負荷が重くて出力
信号において充分な立ち上がりまたは立ち下がりを得る
ことができずにスルーレートや遅延時間等に係る仕様を
満たすことができないという課題があった。
【0005】また、外部回路の負荷容量が想定された負
荷容量より小さくて出力バッファの負荷駆動能力が相対
的に大きい場合には、不必要に電力を消費するという課
題があった。
【0006】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、外部回路等に係る容量性負荷の容
量値を測定することができる負荷容量測定回路を得るこ
とを目的とする。
【0007】また、この発明は、外部回路等に係る容量
性負荷の負荷容量に応じて負荷駆動能力を適宜調整する
ことが可能な出力バッファを得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係る負荷容量
測定回路は、容量値の測定対象である容量性負荷にソー
スが接続されたトランジスタと、トランジスタのドレイ
ンに一方の端部が接続された抵抗と、抵抗の他方の端部
に接続された電圧源と、トランジスタのゲートに接続さ
れた容量素子と、トランジスタのゲートと同じ側で容量
素子に接続された定電流源とを備えるようにしたもので
ある。
【0009】この発明に係る負荷容量測定回路は、容量
素子の容量値が可変であるようにしたものである。
【0010】この発明に係る負荷容量測定回路は、定電
流源の供給する電流量が可変であるようにしたものであ
る。
【0011】この発明に係る出力バッファは、容量性負
荷にソースが接続されたトランジスタと、トランジスタ
のゲートに接続された容量素子と、トランジスタのゲー
トと同じ側で容量素子に接続された定電流源と、トラン
ジスタのドレインと電圧源または接地部との間に配置さ
れた第1のスイッチ手段と、容量性負荷と電圧源または
接地部との間に配置された第2のスイッチ手段と、第1
のスイッチ手段および第2のスイッチ手段の制御端子に
接続されてトランジスタがオン状態となることをトリガ
として第1のスイッチ手段および第2のスイッチ手段を
オフ状態からオン状態に切り換える駆動手段とを備える
ようにしたものである。
【0012】この発明に係る出力バッファは、容量性負
荷にソースが接続されたトランジスタと、トランジスタ
のゲートに接続された容量素子と、トランジスタのゲー
トと同じ側で容量素子に接続された定電流源と、トラン
ジスタのドレインと電圧源または接地部との間に配置さ
れ、トランジスタのドレインに制御端子が接続された第
1のスイッチ手段と、容量性負荷と電圧源または接地部
との間に配置された第2のスイッチ手段と、第1のスイ
ッチ手段の制御端子と第2のスイッチ手段の制御端子と
の間に配置された第3のスイッチ手段とを備えるように
したものである。
【0013】この発明に係る出力バッファは、容量素子
の容量値または定電流源により与えられる電流量が可変
であるようにしたものである。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による負
荷容量測定回路の構成を示す回路図である。図1におい
て、1は電圧源、2は定電流源、3は定電流源2と組み
合せて一定の変化量を有する電圧を発生させるための容
量素子、4は容量素子3の電圧レベルがゲートに印加さ
れるソースフォロワ増幅器(トランジスタ)、5はソー
スフォロワ増幅器4のドレインと電圧源1との間に配置
された電流量測定用の負荷抵抗、6はソースフォロワ増
幅器4のソースに接続された測定対象の容量性負荷、7
はソースフォロワ増幅器4のドレイン電位の電圧値をア
ナログ−デジタル変換するA/D変換器、8はデジタル
化された電圧値を取り込むレジスタである。
【0015】次に動作について説明する。図2は、ソー
スフォロワ増幅器4のゲート電位およびソース電位の時
間的変化を示す図である。図2において、Vref はソー
スフォロワ増幅器4のゲート電位を示し、Vout はソー
スフォロワ増幅器4のソース電位を示す。図2に示され
るように、ゲート電位Vref とソース電位Vout との電
位差Vgs1 は一定に保持される。ここで、電位差Vgs1
が一定となる理由について簡単に説明する。ソースフォ
ロワ増幅器4のドレイン電流Iout は、(β/2)・
(Vgs1 −Vthn )で表される。但し、βはトランジス
タの特性に係る定数、Vthn はしきい値電圧である。仮
に、Vgs1 が所定のレベルより大きくなるとIout が増
加するので、V out の傾きがVref の傾きよりも急にな
りVgs1 は減少させられる。また、Vgs 1 が所定のレベ
ルより小さくなるとIout が減少するので、Vout の傾
きがVre f の傾きよりも緩くなってVgs1 は増加させら
れる。すなわち、ゲート電位Vre f の傾きとソース電位
out の傾きとが同じになる状態に収束して、電位差V
gs 1 は一定となる。
【0016】定電流源2から所定の電流Iref を供給す
ると、容量素子3の容量値をCrefとして、容量素子3
の電圧レベルVref について Vref =∫Iref dt/
re f となる。したがって、定電流源2および容量素
子3により一定の変化量を有する電圧が発生してソース
フォロワ増幅器4のゲートに印加される。また、上述し
たように、ソースフォロワ増幅器4のソース側には、ゲ
ート電位Vref に対して一定の電位差Vgs1 を保持する
ソース電位Vout が発生する。さらに、容量性負荷6の
負荷容量Cloadとソースフォロワ増幅器4のドレイン電
流Iout との関係が Iout =Cload・dVout /dt
で表されること、およびソース電位V out の電圧変化
(dVout /dt)が一定であることに基づき、電流I
out は容量性負荷6の容量値Cloadに比例した一定値と
なる。すなわち、負荷抵抗5に係る電圧降下Vs も容量
値Cloadの値に基づいて一意的に定まる一定値となる。
そして、電圧源の電圧をEとすると、E−Vs として与
えられるソースフォロワ増幅器4のドレイン電位の電圧
値をA/D変換器7でデジタル化してレジスタ8に記憶
する。したがって、レジスタ8に記憶された値に基づい
て、容量性負荷6の容量値Cloadを算出することが可能
となる。
【0017】なお、容量値Cloadと電圧降下Vs との関
係を求めておくと、まず容量性負荷6において次式
(1)が成り立つ。 Vout =∫Iout dt/Cload (1) dVout /dt=dVref /dtであることから、 dVref /dt=Iout /Cload (2) また、負荷抵抗5の抵抗値をRs とすると、電圧降下V
s について次式(3)が成り立つ。 Vs =Iout ・Rs (3) 式(2)および式(3)から、容量値Cloadは次式(4)により求められる。 Cload=Vs /{Rs ・(dVref /dt)} (4)
【0018】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、容量値の測定対象である容量性負荷6にソースが接
続されたソースフォロワ増幅器4と、ソースフォロワ増
幅器4のドレインに一方の端部が接続された抵抗5と、
抵抗5の他方の端部に接続された電圧源1と、ソースフ
ォロワ増幅器4のゲートに接続された容量素子3と、ソ
ースフォロワ増幅器4のゲートと同じ側で容量素子3に
接続された定電流源2とを備えるように構成したので、
定電流源2と容量素子3とにより発生される一定の変化
量を有する電圧をゲートに作用させることで、同じ変化
量を有する電圧をソースフォロワ増幅器4のソース側に
発生させることができるので、容量性負荷6の容量値に
応じてソースフォロワ増幅器4のドレイン電流が一意に
定まり、負荷抵抗5における電圧降下を測定することで
容量性負荷6の容量値を算出することができるという効
果を奏する。
【0019】実施の形態2.図3はこの発明の実施の形
態2による負荷容量測定回路の構成を示す回路図であ
る。図3において、図1と同一符号は同一または相当部
分を示すのでその説明を省略する。11は容量可変の容
量素子、12は容量素子11の容量値の変更に応じた電
圧値補正を実施する補正回路である。
【0020】図4はソースフォロワ増幅器4のゲート電
位およびソース電位の時間的変化を示す図である。実施
の形態1による負荷容量測定回路では、容量性負荷6の
容量値が所定の値より大きくなった場合には、ソースフ
ォロワ増幅器4が電流増幅度以上の電流を流せないため
に、図4の点線(Vref1およびVout1)で示されるよう
にゲート電位とソース電位との電位差Vgs1 を一定に保
持できなくなる。電位差Vgs1 を一定に保持できない
と、実施の形態1で説明した式(2)に係る変形を実施
できないことからも明らかなように、容量値Cloadを測
定することができなくなる。
【0021】そこで、この実施の形態2による負荷容量
測定回路では、容量素子11の容量値Cref を可変とし
ている。これにより、容量性負荷6の容量値測定に係る
測定範囲を広げる必要がある場合には、容量素子11の
容量値Cref を大きくして、図4の実線(Vref2および
out2)に示されるようにゲート電位の傾きおよびソー
ス電位の傾きを小さくすることにより、容量性負荷6に
ついて同じ容量値に対して流れるドレイン電流Iout
電流量を小さくすることができ、ゲート電位とソース電
位との電位差Vgs1 を一定に保持することが可能とな
る。但し、容量素子11の容量値Cref を変更すると、
容量性負荷6の容量値Cloadとドレイン電流Iout (電
圧降下Vs )との間の関係が変化するために、A/D変
換後のデジタル値を当該関係の変化に応じて補正するた
めの補正回路12を設けるのが好適である。
【0022】以上のように、この実施の形態2によれ
ば、容量値可変の容量素子11を備えるように構成した
ので、容量性負荷6の容量値測定に係る測定範囲を広げ
る必要がある場合には、容量素子11の容量値を大きく
してソースフォロワ増幅器4のゲート電位とソース電位
との電位差Vgs1 を一定に保持することで容量性負荷6
の容量値の測定が可能となるので、容量性負荷6の容量
値の測定可能範囲を任意に設定することができるという
効果を奏する。
【0023】実施の形態3.この発明の実施の形態3に
よる負荷容量測定回路は、基本的には図1に示された実
施の形態1による負荷容量測定回路と同じ構成を有し、
定電流源2の供給する電流量が可変である点で実施の形
態1と相違する。
【0024】この実施の形態3による負荷容量測定回路
では、定電流源2から供給する電流量Iref を可変とし
ている。これにより、容量性負荷6の容量値測定に係る
測定範囲を広げる必要がある場合には、定電流源2から
供給する電流量Iref を小さくして、ソースフォロワ増
幅器4のゲート電位の傾きおよびソース電位の傾きを小
さくすることにより、容量性負荷6について同じ容量値
に対して流れるドレイン電流Iout の電流量を小さくす
ることができ、ゲート電位とソース電位との電位差V
gs1 を一定に保持することが可能となる。但し、定電流
源2から供給する電流量Iref を変更すると、容量性負
荷6の容量値Cloadとドレイン電流Iout(電圧降下Vs
)との間の関係が変化するために、実施の形態2と同
様にA/D変換後のデジタル値を当該関係の変化に応じ
て補正するための補正回路を設けるのが好適である。
【0025】以上のように、この実施の形態3によれ
ば、電流量可変の定電流源2を備えるように構成したの
で、容量性負荷6の容量値測定に係る測定範囲を広げる
必要がある場合には、定電流源2から供給する電流量を
小さくしてソースフォロワ増幅器4のゲート電位とソー
ス電位との電位差Vgsl を一定に保持することで容量性
負荷6の容量値の測定が可能となるので、容量性負荷6
の容量値の測定可能範囲を任意に設定することができる
という効果を奏する。
【0026】実施の形態4.この実施の形態4では、上
記の実施の形態1から実施の形態3において記載した負
荷容量測定回路を応用した出力バッファについて説明す
る。この発明の実施の形態4による出力バッファは、入
力信号が“H”レベルに立ち上がった際に容量性負荷の
電圧レベルを“H”レベルに立ち上げる立ち上がり信号
出力回路と、入力信号が“L”レベルに立ち下がった際
に容量性負荷の電圧レベルを“L”レベルに立ち下げる
立ち下がり信号出力回路とから構成される。
【0027】図5はこの発明の実施の形態4による出力
バッファを構成する立ち上がり信号出力回路の構成を示
す回路図である。図5において、21は電圧源、22は
定電流源、23は定電流源22と組み合せて一定の変化
量の電圧を発生させるための容量素子、24は容量素子
23の電圧レベルがゲートに印加されるNチャネルトラ
ンジスタ型のソースフォロワ増幅器(トランジスタ)、
25は容量素子23の電圧レベルを0Vに初期化するた
めのNチャネルトランジスタ、26はソースフォロワ増
幅器24のドレイン電位を電源電圧Vddに初期化するた
めのPチャネルトランジスタ、27はソースフォロワ増
幅器24のドレインにゲートが接続されるPチャネルト
ランジスタ(駆動手段)、28はソースフォロワ増幅器
24のドレインにドレインが接続されPチャネルトラン
ジスタ27のソースにゲートが接続され電圧源21にソ
ースが接続されるPチャネルトランジスタ(第1のスイ
ッチ手段)、29はPチャネルトランジスタ28のゲー
ト電位および後述するPチャネルトランジスタ31のゲ
ート電位を電源電圧Vddに初期化するためのPチャネル
トランジスタ、30はソースフォロワ増幅器24のソー
スに接続された容量性負荷、31は容量性負荷30の電
圧レベルを電源電圧Vddまで立ち上げるために容量性負
荷30と電圧源21との間に配置されたPチャネルトラ
ンジスタ(第2のスイッチ手段)である。なお、上記立
ち上がり信号出力回路に係る動作の主要点については、
当該主要点の識別を容易とするために、それぞれA,
B,C,Dの符号を付するものとする。
【0028】次に動作について説明する。最初に立ち上
がり信号出力回路がディスエーブル(Disable)
時においては、Nチャネルトランジスタ25のゲートに
“H”レベルの信号が印加され、Pチャネルトランジス
タ26およびPチャネルトランジスタ29のゲートに
“L”レベルの信号が印加されて、これらのトランジス
タがオン状態となり、A点およびB点の電位が電源電圧
ddに保持されるとともにC点の電位すなわちVref
0Vに保持される。また、A点およびB点の電位が電源
電圧Vddに保持されることで、ディスエーブル時におい
てPチャネルトランジスタ27、Pチャネルトランジス
タ28およびPチャネルトランジスタ31はオフ状態と
なる。
【0029】次に、入力信号が“H”レベルに立ち上が
ると、立ち上がり信号出力回路がディスエーブルからイ
ネーブル(Enable)へ移行して、Nチャネルトラ
ンジスタ25のゲート電位が“L”レベルとなり、Pチ
ャネルトランジスタ26およびPチャネルトランジスタ
29のゲート電位が“H”レベルとなる。また、同時
に、定電流源22がオンする。
【0030】図6はこの発明の実施の形態4による立ち
上がり信号出力回路において定電流源がオンした後の主
要点電位の時間的変化を示す図である。定電流源22が
オンして容量素子23に電荷が蓄積され容量素子23の
電圧レベルが上昇し、ソースフォロワ増幅器24のゲー
ト−ソース間電位差がしきい値電圧Vthn を超えると、
ソースフォロワ増幅器24がオンする。この際、A点の
電位であるVa は、容量性負荷30の電圧レベルVout
が低い間は低下する。このソースフォロワ増幅器24が
オン状態となることをトリガとした電位Va の低下に応
じて、Pチャネルトランジスタ27のゲート−ソース間
電位差がしきい値電圧Vthp1を超えるとPチャネルトラ
ンジスタ27がオンして、B点の電位であるVb は低下
する。さらに、電位Vb の低下に応じて、Pチャネルト
ランジスタ28のゲート−ソース間電位差がしきい値電
圧Vthp2を超えるとPチャネルトランジスタ28がオン
する。また、同様にPチャネルトランジスタ31のゲー
ト−ソース間電位差がしきい値電圧Vthp3を超えるとP
チャネルトランジスタ31がオンする。これにより、電
圧源21からPチャネルトランジスタ28およびソース
フォロワ増幅器24を通して、および電圧源21からP
チャネルトランジスタ31を通して容量性負荷30へ電
流Iout が流入する。なお、ここで電流Iout とは容量
性負荷30へ流入する電流の総和を示すものである。
【0031】電流Iout が容量性負荷30へ流入する際
には、定電流源22により与えられる電流量をIref
容量素子23の容量値をCref とすると、C点すなわち
ソースフォロワ増幅器24のゲート電位はIref /C
ref の割合で上昇し、D点の電位も電位差Vgs1 を保持
して同じ割合で上昇する。したがって、容量性負荷30
へ流入する電流量Iout は、容量性負荷30の容量値を
loadとすると、次式(5)で表される。 Iout =(Cload/Cref )・Iref (5) なお、B点の電位は、容量性負荷30へ流入する電流量
が上記のIout に等しくなるように一意に決定される。
また、この状態におけるB点およびA点の電位は、それ
ぞれ以下の式(6)および式(7)から求められる。 Vb =Vdd−(Vthp2+sqrt(I1 /K)) (6) Va =Vb −Vthp1 (7) ここで、I1 はPチャネルトランジスタ28を流れる電
流の電流値、KはPチャネルトランジスタ28のトラン
スコンダクタンス係数である。
【0032】上記の状態から時間が経過するにつれて、
電流Iout により容量性負荷30に電荷が蓄積されて、
図6に示されるVa =Vout となる時間T2以降におい
ては、VaはVout とともに上昇する。この際、Pチャ
ネルトランジスタ27のゲート−ソース間電位差がしき
い値電圧Vthp1を下回ると、Pチャネルトランジスタ2
7がオフして電位Vb が一定の値に保持され、その後に
おいても容量性負荷30に対して容量値Cloadにおおよ
そ比例した電流Iout が流入する。但し、容量素子23
の電圧レベルが電源電圧Vddまで立ち上がっても、ソー
スフォロワ増幅器24がオン状態にあればソースフォロ
ワ増幅器24のゲート電位とソース電位との間にはしき
い値電圧Vthn を超える電位差が発生するために、ソー
スフォロワ増幅器24のみでは容量性負荷30の電圧レ
ベルを電源電圧Vddまで立ち上げることはできない。し
たがって、容量性負荷30の電圧レベルが電源電圧Vdd
に近づく範囲では、Pチャネルトランジスタ31のみを
介して電流が供給される。この際、電位Vb が一定に保
持されているので、容量性負荷30の容量値Cloadに対
応した電流が容量性負荷30に流入することになる。
【0033】以上のように、この実施の形態による立ち
上がり信号出力回路に入力される入力信号が“H”レベ
ルに立ち上がると、式(5)から明らかなように、当初
容量性負荷30の容量値Cloadにおおよそ比例した電流
out が流れるとともに、容量性負荷30の電圧レベル
が電源電圧Vddまで立ち上がる近傍でも容量値Cload
対応した電流が容量性負荷30に供給される。したがっ
て、負荷容量に応じた負荷駆動能力を与えることができ
るとともに、定電流源22から供給される電流量Iref
および容量素子23の容量値Cref を適宜設定すること
で、最適なスルーレートや遅延時間等の設定を可能とす
ることができる。
【0034】また、この発明の実施の形態4による出力
バッファを構成する立ち下がり信号出力回路について
も、上記の立ち上がり信号出力回路と同様の回路構成を
用いて実現することが可能である。図7はこの発明の実
施の形態4による出力バッファを構成する立ち下がり信
号出力回路の構成を示す回路図である。図7において、
容量素子23および容量性負荷30は立ち上がり信号出
力回路と共通であり、立ち上がり信号出力回路により容
量素子23および容量性負荷30に蓄積された電荷を、
立ち下がり信号出力回路により引き抜く構成とするもの
である。また、図7において、41は電圧源、42は定
電流源、43は容量素子23の電圧レベルがゲートに印
加されるPチャネルトランジスタ型のソースフォロワ増
幅器(トランジスタ)、44はソースフォロワ増幅器4
3のドレイン電位を0Vに初期化するためのNチャネル
トランジスタ、45はソースフォロワ増幅器43のドレ
インにゲートが接続されるNチャネルトランジスタ(駆
動手段)、46はソースフォロワ増幅器43のドレイン
にドレインが接続されNチャネルトランジスタ45のソ
ースにゲートが接続され接地部にソースが接続されるN
チャネルトランジスタ(第1のスイッチ手段)、47は
容量性負荷30の電圧レベルを0Vまで立ち下げるため
に容量性負荷30と接地部との間に配置され、トランジ
スタ45のソースにゲートが接続されるNチャネルトラ
ンジスタ(第2のスイッチ手段)、48はNチャネルト
ランジスタ46およびNチャネルトランジスタ47のゲ
ート電位を0Vに初期化するためのNチャネルトランジ
スタである。なお、上記立ち下がり信号出力回路に係る
動作の主要点については、当該主要点の識別を容易とす
るために、それぞれE,F,G,Hの符号を付するもの
とする。
【0035】次に動作について説明する。最初に立ち下
がり信号出力回路がディスエーブル時においては、Nチ
ャネルトランジスタ44およびNチャネルトランジスタ
48のゲートに“H”レベルの信号が印加されて両トラ
ンジスタはオン状態となり、E点およびF点の電位が0
Vに保持される。このように、E点およびF点の電位が
0Vに保持されることで、ディスエーブル時においてN
チャネルトランジスタ45、Nチャネルトランジスタ4
6およびNチャネルトランジスタ47はオフ状態とな
る。
【0036】次に、入力信号が“L”レベルに立ち下が
ると、立ち下がり信号出力回路がディスエーブルからイ
ネーブルへ移行して、Nチャネルトランジスタ44およ
びNチャネルトランジスタ48のゲート電位が“L”レ
ベルとなる。また、同時に定電流源42がオンする。
【0037】定電流源42がオンして容量素子23から
蓄積された電荷が引き抜かれるのに応じて容量素子23
の電圧レベルVref が低下して、ソースフォロワ増幅器
43のゲート−ソース間電位差がしきい値電圧Vthp
超えるとソースフォロワ増幅器43がオンする。これに
より、E点の電位であるVe は上昇して、電位Ve の上
昇に応じてNチャネルトランジスタ45のゲート−ソー
ス間電位差がしきい値電圧Vthn1を超えるとNチャネル
トランジスタ45がオンして、F点の電位であるVf
上昇する。さらに、電位Vf の上昇に応じて、Nチャネ
ルトランジスタ46のゲート−ソース間電位差がしきい
値電圧Vthn2を超えるとNチャネルトランジスタ46が
オンする。また、同様にNチャネルトランジスタ47の
ゲート−ソース間電位差がしきい値電圧Vthn3を超える
とNチャネルトランジスタ47がオンする。これによ
り、接地部へNチャネルトランジスタ46およびソース
フォロワ増幅器43を通して、および接地部へNチャネ
ルトランジスタ47を通して容量性負荷30から電流I
out が流出する。なお、ここで電流Iout とは容量性負
荷30から流出する電流の総和を示すものである。ま
た、F点の電位は、容量性負荷30から流出する電流が
式(5)に示されるIout に等しくなるように一意に決
定される。
【0038】電流Iout の流出により容量性負荷30か
ら電荷が引き抜かれると、電位Veは容量性負荷30の
電圧レベルVout とともに低下する。この際、Nチャネ
ルトランジスタ45のゲート−ソース間電位差がしきい
値電圧Vthn1を下回ると、Nチャネルトランジスタ45
がオフして電位Vf は一定の値に保持され、その後にお
いても容量性負荷30の容量値Cloadにおおよそ比例し
た電流Iout が流れる。但し、容量素子23の電圧レベ
ルが0Vまで立ち下がっても、ソースフォロワ増幅器4
3がオン状態にあれば、ソースフォロワ増幅器43のゲ
ート電位とソース電位との間にはしきい値電圧Vthp
超える電位差が発生するために、ソースフォロワ増幅器
43のみでは容量性負荷30の電圧レベルを0Vまで立
ち下げることはできない。したがって、容量性負荷30
の電圧レベルが0Vに近づく範囲では、Nチャネルトラ
ンジスタ47のみを介して電流が接地部へ流される。こ
の際、ソースフォロワ増幅器43のドレイン電位の低下
に起因してトランジスタ45がオフすることで電位Vf
が一定に保持されるので、容量性負荷30の容量値C
loadに対応した電流が容量性負荷30から流出すること
になる。
【0039】以上のように、この実施の形態による立ち
下がり信号出力回路に入力される入力信号が“L”レベ
ルに立ち下がると、立ち上がり信号出力回路と同様に、
当初容量性負荷30の容量値Cloadにおおよそ比例した
電流Iout が流れるとともに、容量性負荷30の電圧レ
ベルが0Vまで立ち下がる近傍でも容量値Cloadに対応
した電流が容量性負荷30から流出する。したがって、
負荷容量に応じた負荷駆動能力を与えることができると
ともに、定電流源42により与えられる電流量Iref
よび容量素子23の容量値Cref を適宜設定すること
で、最適なスルーレートや遅延時間等の設定を可能とす
ることができる。
【0040】以上のように、この実施の形態4によれ
ば、容量性負荷30にソースが接続されたソースフォロ
ワ増幅器24(43)と、ソースフォロワ増幅器24
(43)のゲートに接続される容量素子23と、ソース
フォロワ増幅器24(43)のゲートと同じ側で容量素
子23に接続される定電流源22(42)と、ソースフ
ォロワ増幅器24(43)のドレインと電圧源または接
地部との間に配置される第1のスイッチ手段としてのP
チャネルトランジスタ28(Nチャネルトランジスタ4
6)と、容量性負荷30と電圧源または接地部との間に
配置される第2のスイッチ手段としてのPチャネルトラ
ンジスタ31(Nチャネルトランジスタ47)と、Pチ
ャネルトランジスタ28(Nチャネルトランジスタ4
6)およびPチャネルトランジスタ31(Nチャネルト
ランジスタ47)のゲートに接続されてソースフォロワ
増幅器24(43)がオン状態となることをトリガとし
てPチャネルトランジスタ28(Nチャネルトランジス
タ46)およびPチャネルトランジスタ31(Nチャネ
ルトランジスタ47)をオフ状態からオン状態に切り替
える駆動手段としてのPチャネルトランジスタ27(N
チャネルトランジスタ45)を備えるように構成したの
で、入力信号の変化をトリガとして定電流源22(4
2)と容量素子23とにより発生される一定の変化量を
有する電圧をソースフォロワ増幅器24(43)のゲー
トに作用させることでソースフォロワ増幅器24(4
3)をオンすれば、Pチャネルトランジスタ27(Nチ
ャネルトランジスタ45)を介して、Pチャネルトラン
ジスタ28(Nチャネルトランジスタ46)およびPチ
ャネルトランジスタ31(Nチャネルトランジスタ4
7)がオンして、容量性負荷30の容量値Cref におお
よそ比例した、または対応した電流を容量性負荷30に
対して流入、または流出することが可能となり、負荷容
量に応じた負荷駆動能力を供与することができるという
効果を奏する。
【0041】また、容量性負荷30と電圧源または接地
部との間に配置される第2のスイッチ手段としてのPチ
ャネルトランジスタ31(Nチャネルトランジスタ4
7)を備えることで、容量性負荷30の電圧レベルを電
源電圧Vddまで立ち上げ、または0Vまで立ち下げるこ
とができるという効果を奏する。
【0042】さらに、定電流源22(42)により与え
られる電流量Iref または容量素子23の容量値Cref
を適宜設定することで、容量性負荷30に対して流入ま
たは流出する電流量Iout を調節することができるの
で、最適なスルーレートや遅延時間等の設定を可能とす
ることができるという効果を奏する。
【0043】実施の形態5.この実施の形態5による出
力バッファも、実施の形態4による出力バッファと同様
に、入力信号が“H”レベルに立ち上がった際に容量性
負荷の電圧レベルを“H”レベルに立ち上げる立ち上が
り信号出力回路と、入力信号が“L”レベルに立ち下が
った際に容量性負荷の電圧レベルを“L”レベルに立ち
下げる立ち下がり信号出力回路とから構成される。
【0044】図8はこの発明の実施の形態5による出力
バッファを構成する立ち上がり信号出力回路の構成を示
す回路図である。図8において、図5と同一符号は同一
または相当部分を示すのでその説明を省略する。また、
上記立ち上がり信号出力回路に係る動作の主要点につい
ては、当該主要点の識別を容易とするために、それぞれ
A,B,Bx,Cの符号を付するものとする。さらに、
51はB点とBx点との間の接続および遮断を制御する
MOSスイッチ(Tゲート)(第3のスイッチ手段)、
52,53はインバータである。図8に示されるC点の
電位が“H”レベルの際にはB点とBx点とは接続状態
となり、C点の電位が“L”レベルの際にはB点とBx
点とは遮断状態となる。
【0045】実施の形態4における立ち上がり信号出力
回路では、A点とB点との間に電位差Vthp1が存在する
ために、B点の電位Vb の下限値はVthp1となり、電位
bの取り得る範囲はVdd≧Vb ≧Vthp1となる。した
がって、電源電圧Vddが低い場合には、電位Vb の取り
得る電圧範囲が狭くなることで容量性負荷30へ流入す
る電流量の調整範囲が狭くなり、結果的にカバーできる
負荷容量の範囲も狭くなることになる。そこで、この実
施の形態5では、A点とB点とを短絡してB点の電位V
b の下限値を0Vとする。
【0046】次に動作について説明する。最初に立ち上
がり信号出力回路がディスエーブル時においては、Nチ
ャネルトランジスタ25のゲートに“H”レベルの信号
が印加され、Pチャネルトランジスタ26およびPチャ
ネルトランジスタ29のゲートに“L”レベルの信号が
印加されて、これらのトランジスタがオン状態となり、
A点、B点およびBx点の電位が電源電圧Vddに保持さ
れるとともに、ソースフォロワ増幅器24のゲート電位
ref が0Vに保持される。また、B点およびBx点の
電位が電源電圧Vddに保持されることで、ディスエーブ
ル時においてPチャネルトランジスタ28およびPチャ
ネルトランジスタ31はオフ状態となる。
【0047】次に、入力信号が“H”レベルに立ち上が
ると、立ち上がり信号出力回路がディスエーブルからイ
ネーブルへ移行して、Nチャネルトランジスタ25のゲ
ート電位が“L”レベルとなり、Pチャネルトランジス
タ26およびPチャネルトランジスタ29のゲート電位
が“H”レベルとなる。また、同時に定電流源22がオ
ンする。
【0048】図9はこの発明の実施の形態5による立ち
上がり信号出力回路において定電流源がオンした後の主
要点電位の時間的変化を示す図である。定電流源22が
オンして容量素子23に電荷が蓄積されて容量素子23
の電圧レベルが上昇し、ソースフォロワ増幅器24のゲ
ート−ソース間電位差がしきい値電圧Vthn を超える
と、ソースフォロワ増幅器24がオンする。この際、A
点の電位であるVa は、容量性負荷30の電圧レベルV
out が低い間は低下する。このソースフォロワ増幅器2
4がオン状態となることをトリガとした電位Va の低下
に応じて、電位V b も低下する。また、容量性負荷30
の電圧レベルVout がインバータ53のしきい値電圧よ
りも低いために点Cの電位Vcは“H”レベルであるの
で、MOSスイッチ51はオン状態でB点とBx点とは
接続状態にあり、電位Vb の低下に応じてBx点の電位
であるVbxも低下する。電位Vb の低下に応じて、Pチ
ャネルトランジスタ28のゲート−ソース間電位差がし
きい値電圧Vthp2を超えるとPチャネルトランジスタ2
8がオンする。また、同様にして電位Vbxの低下に応じ
て、Pチャネルトランジスタ31のゲート−ソース間電
位差がしきい値電圧V thp3を超えるとPチャネルトラン
ジスタ31がオンする。これにより、電圧源21からP
チャネルトランジスタ28およびソースフォロワ増幅器
24を通して、並びに電圧源21からPチャネルトラン
ジスタ31を通して容量性負荷30へ電流Iout が流入
する。なお、F点の電位は、容量性負荷30へ流入する
電流が式(5)に示されるIout に等しくなるように一
意に決定される。
【0049】上記の状態から時間が経過するにつれて、
電流Iout により容量性負荷30に電荷が蓄積されて、
図9に示されるように電位Vout がインバータ53のし
きい値電圧Vthより大きくなると、C点の電位Vc
“H”レベルから“L”レベルに反転して、MOSスイ
ッチ51がオフ状態となる。これにより、点Bxは点B
から遮断されて電位Vbxが一定の値に保持され、その後
においても容量性負荷30の容量値Cloadに対応する電
流がトランジスタ31を通して容量性負荷30へ流入す
る。なお、点Aと点Bとが短絡されているために、電位
a が電圧レベルVout とともに上昇するようになっ
て、Pチャネルトランジスタ28のゲート−ソース間電
位差がしきい値電圧Vthp2を下回ると、Pチャネルトラ
ンジスタ28がオフしてPチャネルトランジスタ28を
通して電流が流れなくなる。しかし、電位Vbxが一定に
保持されているので、容量性負荷30の容量値Cload
対応した所定の電流が容量性負荷30に流入して、容量
性負荷30の電圧レベルが電源電圧Vddまで立ち上が
る。
【0050】以上のように、この実施の形態5による立
ち上がり信号出力回路では、スイッチ手段として機能す
るPチャネルトランジスタ28およびPチャネルトラン
ジスタ31のゲート電位の取り得る範囲を広くして、容
量性負荷30へ流入する電流量を広範囲に調整すること
ができるので、カバーできる負荷容量の範囲を広くする
ことが可能となる。
【0051】また、図10はこの発明の実施の形態5に
よる出力バッファを構成する立ち下がり信号出力回路の
構成を示す回路図である。図10において、図7と同一
符号は同一または相当部分を示すのでその説明を省略す
る。また、上記立ち下がり信号出力回路に係る動作の主
要点については、当該主要点の識別を容易とするため
に、それぞれE,F,Fx,Gの符号を付するものとす
る。さらに、61はF点とFx点との間の接続および遮
断を制御するMOSスイッチ(Tゲート)(第3のスイ
ッチ手段)、62,63はインバータである。図10に
示されるG点の電位が“L”レベルの際にはF点とFx
点とは接続状態となり、G点の電位が“H”レベルの際
にはF点とFx点とは遮断状態となる。
【0052】実施の形態4における立ち下がり信号出力
回路では、E点とF点との間に電位差Vthn1が存在する
ために、F点の電位Vf の上限値は電源電圧をVddとす
るとVdd−Vthn1となり、電位Vf の取り得る範囲はV
dd−Vthn1≧Vf ≧0となる。したがって、電源電圧V
ddが低い場合には、電位Vf の取り得る電圧範囲が狭く
なることで容量性負荷30から流出する電流量の調整範
囲が狭くなり、結果的にカバーできる負荷容量の範囲も
狭くなることになる。そこで、この実施の形態5による
立ち下がり信号出力回路では、E点とF点とを短絡して
F点の電位Vfの上限値をVddとする。
【0053】次に動作について説明する。最初に立ち下
がり信号出力回路がディスエーブル時においては、Nチ
ャネルトランジスタ44およびNチャネルトランジスタ
48のゲートに“H”レベルの信号が印加されて、両ト
ランジスタがオン状態となり、E点、F点およびFx点
の電位が0Vに保持される。また、F点およびFx点の
電位が0Vに保持されることで、ディスエーブル時にお
いてNチャネルトランジスタ46およびNチャネルトラ
ンジスタ47はオフ状態となる。
【0054】次に、入力信号が“L”レベルに立ち下が
ると、立ち下がり信号出力回路がディスエーブルからイ
ネーブルへ移行して、Nチャネルトランジスタ44およ
びNチャネルトランジスタ48のゲート電位が“L”レ
ベルとなる。また、同時に定電流源42がオンする。
【0055】定電流源42がオンして容量素子23から
蓄積された電荷が引き抜かれるのに応じて容量素子23
の電圧レベルVref が低下して、ソースフォロワ増幅器
43のゲート−ソース間電位差がしきい値電圧Vthp
超えると、ソースフォロワ増幅器43がオンする。この
ソースフォロワ増幅器43がオン状態となることをトリ
ガとして、E点の電位であるVe は上昇するとともに、
e の上昇に応じてF点の電位であるVf も上昇する。
また、容量性負荷30の電圧レベルVout がインバータ
63のしきい値電圧よりも高いために点Gの電位Vg
“L”レベルであるので、F点とFx点とは接続状態に
あり、電位Vf の上昇に応じてFx点の電位であるVfx
も上昇する。電位Vf の上昇に応じて、Nチャネルトラ
ンジスタ46のゲート−ソース間電位差がしきい値電圧
thn2を超えるとNチャネルトランジスタ46がオンす
る。また、同様に電位Vfxの上昇に応じて、Nチャネル
トランジスタ47のゲート−ソース間電位差がしきい値
電圧Vthn3を超えるとNチャネルトランジスタ47がオ
ンする。これにより、接地部へNチャネルトランジスタ
46およびソースフォロワ増幅器43を通して、および
接地部へNチャネルトランジスタ47を通して容量性負
荷30から電流Iout が流出する。なお、F点の電位
は、容量性負荷30から流出する電流が式(5)に示さ
れるIout に等しくなるように一意に決定される。
【0056】電流Iout の流出により容量性負荷30か
ら電荷が引き抜かれて、容量性負荷の電圧レベルVout
がインバータ63のしきい値電圧Vthより小さくなる
と、G点の電位Vg が“L”レベルから“H”レベルに
反転して、MOSスイッチ61がオフ状態となる。これ
により、点Fxは点Fから遮断されて電位Vfxが一定の
値に保持され、その後においても容量性負荷30の容量
値Cloadに対応する電流がトランジスタ47を通して容
量性負荷30から流出する。なお、点Eと点Fが短絡さ
れているために、電圧Ve が電圧レベルVout とともに
低下してNチャネルトランジスタ46のゲート−ソース
間電位差がしきい値電圧Vthn2を下回ると、Nチャネル
トランジスタ46がオフしてNチャネルトランジスタ4
6を通して電流は流れなくなる。しかし、電位Vfxが一
定に保持されているので、容量性負荷30の容量値C
loadに対応した所定の電流が容量性負荷30から流出し
て、容量性負荷30の電圧レベルが0Vまで立ち下が
る。
【0057】以上のように、この実施の形態5による立
ち下がり信号出力回路では、スイッチ手段として機能す
るNチャネルトランジスタ46およびNチャネルトラン
ジスタ47のゲート電位の取り得る範囲を広くして、容
量性負荷30から流出する電流量を広範囲に調整するこ
とができるので、カバーできる負荷容量の範囲を広くす
ることが可能となる。
【0058】以上のように、この実施の形態5によれ
ば、容量性負荷30にソースが接続されたソースフォロ
ワ増幅器24(43)と、ソースフォロワ増幅器24
(43)のゲートに接続される容量素子23と、ソース
フォロワ増幅器24(43)のゲートと同じ側で容量素
子23に接続される定電流源22(42)と、ソースフ
ォロワ増幅器24(43)のドレインと電圧源または接
地部との間に配置され、ソースフォロワ増幅器24(4
3)のドレインにゲートが接続される第1のスイッチ手
段としてのPチャネルトランジスタ28(Nチャネルト
ランジスタ46)と、容量性負荷30と電圧源または接
地部との間に配置される第2のスイッチ手段としてのP
チャネルトランジスタ31(Nチャネルトランジスタ4
7)と、Pチャネルトランジスタ28(Nチャネルトラ
ンジスタ46)のゲートとPチャネルトランジスタ31
(Nチャネルトランジスタ47)のゲートとの間に配置
される第3のスイッチ手段としてのMOSスイッチ51
(61)とを備えるように構成したので、入力信号の変
化をトリガとして定電流源22(42)と容量素子23
とにより発生される一定の変化量を有する電圧をソース
フォロワ増幅器24(43)のゲートに作用させること
でソースフォロワ増幅器24(43)をオンすれば、ソ
ースフォロワ増幅器24(43)のドレイン電位の変化
に応じてPチャネルトランジスタ28(Nチャネルトラ
ンジスタ46)およびPチャネルトランジスタ31(N
チャネルトランジスタ47)がオンして、容量性負荷3
0の容量値Cref におおよそ比例した電流を流すととも
に、Pチャネルトランジスタ31(Nチャネルトランジ
スタ47)がオンした後にMOSスイッチ51(61)
をオフしてPチャネルトランジスタ31(Nチャネルト
ランジスタ47)のゲート電位を保持することで、容量
性負荷30の電圧レベルが立ち上がりまたは立ち下がる
まで容量性負荷30の容量値Cloadに対応した電流を流
すことが可能となり、負荷容量に応じた負荷駆動能力を
供与することができるという効果を奏する。
【0059】また、容量性負荷30と電圧源または接地
部との間に配置される第2のスイッチ手段としてのPチ
ャネルトランジスタ31(Nチャネルトランジスタ4
7)を備えることで、容量性負荷30の電圧レベルを電
源電圧Vddまで立ち上げ、または0Vまで立ち下げるこ
とができるという効果を奏する。
【0060】また、定電流源22(42)により与えら
れる電流量Iref または容量素子23の容量値Cref
適宜設定することで、容量性負荷30に対して流入また
は流出する電流量Iout を調節することができるので、
最適なスルーレートや遅延時間等の設定を可能とするこ
とができるという効果を奏する。
【0061】さらに、第1のスイッチ手段としてのPチ
ャネルトランジスタ28(Nチャネルトランジスタ4
6)および第2のスイッチ手段としてのPチャネルトラ
ンジスタ31(Nチャネルトランジスタ47)のゲート
にソースフォロワ増幅器24(43)のドレイン電位を
そのまま印加することができるので、Pチャネルトラン
ジスタ28(Nチャネルトランジスタ46)およびPチ
ャネルトランジスタ31(Nチャネルトランジスタ4
7)に印加できる電圧範囲を広くして、容量性負荷30
に対して流入または流出する電流量を広範囲に調整する
ことができるので、カバーできる負荷容量の範囲を広く
することができるという効果を奏する。
【0062】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、容量
値の測定対象である容量性負荷にソースが接続されたト
ランジスタと、トランジスタのドレインに一方の端部が
接続された抵抗と、抵抗の他方の端部に接続された電圧
源と、トランジスタのゲートに接続された容量素子と、
トランジスタのゲートと同じ側で容量素子に接続された
定電流源とを備えるように構成したので、定電流源と容
量素子とにより発生される一定の変化量を有する電圧を
ゲートに作用させることで、同じ変化量を有する電圧を
トランジスタのソース側に発生させることができて、容
量性負荷の容量値に応じてトランジスタのドレイン電流
が一意に定まるので、抵抗における電圧降下を測定する
ことで容量性負荷の容量値を算出することができるとい
う効果を奏する。
【0063】この発明によれば、容量素子の容量値が可
変であるように構成したので、容量性負荷の容量値測定
に係る測定範囲を広げる必要がある場合には、容量素子
の容量値を大きくしてトランジスタのゲート電位とソー
ス電位との電位差を一定に保持して容量性負荷の容量値
の測定が可能となるので、容量性負荷の容量値の測定可
能範囲を任意に設定することができるという効果を奏す
る。
【0064】この発明によれば、定電流源の供給する電
流量が可変であるように構成したので、容量性負荷の容
量値測定に係る測定範囲を広げる必要がある場合には、
定電流源から供給する電流量を小さくしてトランジスタ
のゲート電位とソース電位との電位差を一定に保持して
容量性負荷の容量値の測定が可能となるので、容量性負
荷の容量値の測定可能範囲を任意に設定することができ
るという効果を奏する。
【0065】この発明によれば、容量性負荷にソースが
接続されたトランジスタと、トランジスタのゲートに接
続された容量素子と、トランジスタのゲートと同じ側で
容量素子に接続された定電流源と、トランジスタのドレ
インと電圧源または接地部との間に配置された第1のス
イッチ手段と、容量性負荷と電圧源または接地部との間
に配置された第2のスイッチ手段と、第1のスイッチ手
段および第2のスイッチ手段の制御端子に接続されてト
ランジスタがオン状態となることをトリガとして第1の
スイッチ手段および第2のスイッチ手段をオフ状態から
オン状態に切り換える駆動手段とを備えるように構成し
たので、入力信号の変化をトリガとして定電流源と容量
素子とにより発生される一定の変化量を有する電圧をト
ランジスタのゲートに作用させることでトランジスタを
オンすれば、駆動手段を介して第1のスイッチ手段およ
び第2のスイッチ手段がオンして、容量性負荷の容量に
おおよそ比例した、または対応した電流を容量性負荷に
対して流入、または流出することが可能となり、負荷容
量に応じた負荷駆動能力を供与することができるという
効果を奏する。また、容量性負荷と電圧源または接地部
との間に配置される第2のスイッチ手段を備えること
で、容量性負荷の電圧レベルを電源電圧まで立ち上げ、
また0Vまで立ち下げることができるという効果を奏す
る。
【0066】この発明によれば、容量性負荷にソースが
接続されたトランジスタと、トランジスタのゲートに接
続された容量素子と、トランジスタのゲートと同じ側で
容量素子に接続された定電流源と、トランジスタのドレ
インと電圧源または接地部との間に配置され、トランジ
スタのドレインに制御端子が接続された第1のスイッチ
手段と、容量性負荷と電圧源または接地部との間に配置
された第2のスイッチ手段と、第1のスイッチ手段の制
御端子と第2のスイッチ手段の制御端子との間に配置さ
れた第3のスイッチ手段とを備えるように構成したの
で、入力信号の変化をトリガとして定電流源と容量素子
とにより発生される一定の変化量を有する電圧をトラン
ジスタのゲートに作用させることでトランジスタをオン
すれば、トランジスタのドレイン電位の変化に応じて第
1のスイッチ手段および第2のスイッチ手段をオンし
て、容量性負荷の容量値におおよそ比例した電流を流す
とともに、第2のスイッチ手段がオンした後に第3のス
イッチ手段をオフして第2のスイッチ手段の制御端子の
電位を保持することで、容量性負荷の電圧レベルが立ち
上がり、または立ち下がるまで容量性負荷の容量値に対
応した電流を流すことが可能となり、負荷容量に応じた
負荷駆動能力を供与することができるという効果を奏す
る。また、容量性負荷と電圧源または接地部との間に配
置される第2のスイッチ手段を備えることで、容量性負
荷の電圧レベルを電源電圧まで立ち上げ、また0Vまで
立ち下げることができるという効果を奏する。さらに、
第1のスイッチ手段および第2のスイッチ手段の制御端
子にトランジスタのドレイン電位をそのまま印加するこ
とができるので、第1のスイッチ手段および第2のスイ
ッチ手段の制御端子に印加できる電圧範囲を広くして、
容量性負荷に対して流入または流出する電流量を広範囲
に調整することができるので、カバーできる負荷容量の
範囲を広くすることができるという効果を奏する。
【0067】この発明によれば、容量素子の容量値また
は定電流源により与えられる電流量が可変であるように
構成したので、定電流源により与えられる電流量または
容量素子の容量値を適宜設定することで、容量性負荷に
対して流入または流出する電流量を調整することができ
るので、最適なスルーレートや遅延時間等の設定を可能
とすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による負荷容量測定
回路の構成を示す回路図である。
【図2】 ソースフォロワ増幅器のゲート電位およびソ
ース電位の時間的変化を示す図である。
【図3】 この発明の実施の形態2による負荷容量測定
回路の構成を示す回路図である。
【図4】 ソースフォロワ増幅器のゲート電位およびソ
ース電位の時間的変化を示す図である。
【図5】 この発明の実施の形態4による出力バッファ
を構成する立ち上がり信号出力回路の構成を示す回路図
である。
【図6】 この発明の実施の形態4による立ち上がり信
号出力回路において定電流源がオンした後の主要点電位
の時間的変化を示す図である。
【図7】 この発明の実施の形態4による出力バッファ
を構成する立ち下がり信号出力回路の構成を示す回路図
である。
【図8】 この発明の実施の形態5による出力バッファ
を構成する立ち上がり信号出力回路の構成を示す図であ
る。
【図9】 この発明の実施の形態5による立ち上がり信
号出力回路において定電流源がオンした後の主要点電位
の時間的変化を示す図である。
【図10】 この発明の実施の形態5による出力バッフ
ァを構成する立ち下がり信号出力回路の構成を示す図で
ある。
【図11】 従来の出力バッファを備えた半導体集積回
路の一例を示す図である。
【符号の説明】
1,21,41 電圧源、2,22,42 定電流源、
3,11,23 容量素子、4,24,43 ソースフ
ォロワ増幅器(トランジスタ)、5 抵抗、6,30
容量性負荷、7 A/D変換器、8 レジスタ、12
補正回路、25,44,48 Nチャネルトランジス
タ、26,29 Pチャネルトランジスタ27 Pチャ
ネルトランジスタ(駆動手段)、28 Pチャネルトラ
ンジスタ(第1のスイッチ手段)、31 Pチャネルト
ランジスタ(第2のスイッチ手段)、45 Nチャネル
トランジスタ(駆動手段)、46 Nチャネルトランジ
スタ(第1のスイッチ手段)、47 Nチャネルトラン
ジスタ(第2のスイッチ手段)、51,61 MOSス
イッチ(第3のスイッチ手段)、52,53,62,6
3 インバータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G028 AA06 BB06 CG07 DH13 EJ04 FK01 GL07 MS03 5J050 AA02 AA03 BB24 CC06 DD08 EE14 EE22 EE31 5J056 AA04 BB02 BB17 CC01 CC25 DD13 DD28 DD51 EE04 FF06 5J091 AA01 CA00 CA33 CA36 CA65 CA78 CA98 FA02 HA09 HA17 HA25 HA29 HA39 KA03 KA04 KA05 KA33 KA34 MA02 TA06

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 容量値の測定対象である容量性負荷にソ
    ースが接続されたトランジスタと、該トランジスタのド
    レインに一方の端部が接続された抵抗と、該抵抗の他方
    の端部に接続された電圧源と、前記トランジスタのゲー
    トに接続された容量素子と、前記トランジスタのゲート
    と同じ側で前記容量素子に接続された定電流源とを備え
    ることを特徴とする負荷容量測定回路。
  2. 【請求項2】 容量素子の容量値が可変であることを特
    徴とする請求項1記載の負荷容量測定回路。
  3. 【請求項3】 定電流源の供給する電流量が可変である
    ことを特徴とする請求項1記載の負荷容量測定回路。
  4. 【請求項4】 容量性負荷にソースが接続されたトラン
    ジスタと、該トランジスタのゲートに接続された容量素
    子と、前記トランジスタのゲートと同じ側で前記容量素
    子に接続された定電流源と、前記トランジスタのドレイ
    ンと電圧源または接地部との間に配置された第1のスイ
    ッチ手段と、容量性負荷と電圧源または接地部との間に
    配置された第2のスイッチ手段と、前記第1のスイッチ
    手段および前記第2のスイッチ手段の制御端子に接続さ
    れて前記トランジスタがオン状態となることをトリガと
    して前記第1のスイッチ手段および前記第2のスイッチ
    手段をオフ状態からオン状態に切り換える駆動手段とを
    備えることを特徴とする出力バッファ。
  5. 【請求項5】 容量性負荷にソースが接続されたトラン
    ジスタと、該トランジスタのゲートに接続された容量素
    子と、前記トランジスタのゲートと同じ側で前記容量素
    子に接続された定電流源と、前記トランジスタのドレイ
    ンと電圧源または接地部との間に配置され、前記トラン
    ジスタのドレインに制御端子が接続された第1のスイッ
    チ手段と、容量性負荷と電圧源または接地部との間に配
    置された第2のスイッチ手段と、前記第1のスイッチ手
    段の制御端子と前記第2のスイッチ手段の制御端子との
    間に配置された第3のスイッチ手段とを備えることを特
    徴とする出力バッファ。
  6. 【請求項6】 容量素子の容量値または定電流源により
    与えられる電流量が可変であることを特徴とする請求項
    4または請求項5記載の出力バッファ。
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