JP2002033546A - Surface emitting optical element, surface emitting optical element mount, its manufacturing method and optical wiring device using the same - Google Patents

Surface emitting optical element, surface emitting optical element mount, its manufacturing method and optical wiring device using the same

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JP2002033546A
JP2002033546A JP2000218163A JP2000218163A JP2002033546A JP 2002033546 A JP2002033546 A JP 2002033546A JP 2000218163 A JP2000218163 A JP 2000218163A JP 2000218163 A JP2000218163 A JP 2000218163A JP 2002033546 A JP2002033546 A JP 2002033546A
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optical element
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敏彦 尾内
Futoshi Hirose
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface emitting optical element at a low cost by improving productivity by facilitating a fixing work of an optical waveguide without necessity of increasing the number of components and improving process controllability. SOLUTION: The surface emitting optical element 5 comprises a guide hole 4 formed on a surface of the element 5 to insert and fix the optical waveguide 16 capable of optically coupling to the element 5. In the element 5, the hole 4 is formed of a thick film material 3 selectively curable by patterning the hole by a photolithography having photosensitivity or electron beam curability.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバなどの
光導波体を光学的に結合できる面型光素子、面型光素子
と光導波体を低コストで光学的に結合した光実装体、そ
の作製方法、およびそれを用いた光配線装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface optical device capable of optically coupling an optical waveguide such as an optical fiber, an optical package wherein the surface optical device and the optical waveguide are optically coupled at low cost, The present invention relates to a manufacturing method thereof and an optical wiring device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、高速光接続のための光モジュール
が開発されている。しかし、光素子と光ファイバなどの
光伝送体との結合に関しては、特に、低コスト化、高性
能化などの観点から課題が多い。
2. Description of the Related Art In recent years, optical modules for high-speed optical connection have been developed. However, there are many problems regarding the coupling between an optical element and an optical transmission medium such as an optical fiber, particularly from the viewpoint of cost reduction and high performance.

【0003】光素子として、受光素子では、作製の容易
性や感度などの点で面型の素子が主に使用されている
が、光ファイバと該面型素子の主面とで光結合させる場
合に、受光素子を動作させないでアライメントするパッ
シブアライメントが低コスト化のためには必須である。
そのための手法として、一般には固定部材を作製して組
み立てるという方法が用いられている。しかし、固定部
材の機械精度が要求され、その弾性係数や熱膨張係数な
どに制約があり、また部品点数も多くなるために、コス
ト低減が困難であった。特に、コスト低減のためにプラ
スティックモールドなどを用いると、光結合の歩留まり
や長期信頼性に欠けるという問題点がある。
[0003] As light receiving elements, planar elements are mainly used in light receiving elements in terms of easiness of production and sensitivity, but when optical coupling is performed between an optical fiber and the main surface of the planar element. In addition, passive alignment for performing alignment without operating the light receiving element is essential for cost reduction.
As a technique for that, a method of producing and assembling a fixing member is generally used. However, the mechanical accuracy of the fixing member is required, the elastic coefficient and the coefficient of thermal expansion are restricted, and the number of parts increases, so that it has been difficult to reduce the cost. In particular, when a plastic mold or the like is used for cost reduction, there is a problem that the yield of optical coupling and long-term reliability are lacking.

【0004】発光素子においても、基板面から垂直に光
出射を行う垂直共振器型面発光レーザが、光伝送モジュ
ールの低消費電力化、低コスト化の観点で改善できる可
能性があり、盛んに研究されている。該面発光レーザで
は、1mA以下の低しきい値で駆動でき、ウエハレベルの
検査が可能で、へき開精度を必要としないため、低コス
ト化が可能である。このような面発光レーザと光ファイ
バとの光結合においても上記と同様な問題が生じてい
る。
In a light emitting device, a vertical cavity surface emitting laser which emits light vertically from a substrate surface may be improved from the viewpoint of reducing the power consumption and the cost of an optical transmission module, and has been actively used. Has been studied. The surface emitting laser can be driven at a low threshold value of 1 mA or less, can perform inspection at a wafer level, and does not require cleavage accuracy, so that cost can be reduced. The same problem as described above occurs in the optical coupling between the surface emitting laser and the optical fiber.

【0005】そこで、光ファイバとの結合のためのガイ
ド穴をホトリソグラフィの精度で作製する方法が提案さ
れている。例えば特開平8-111559号公報では、図11に
示すように、面型受光素子もしくは発光素子を作製した
基板1021側に光ファイバ1037を固定するための
穴をエッチングにより形成するものが開示されている。
尚、図11において、1022は光吸収層、1023と
1027はDBRミラー、1024と1026はクラッ
ド層、1025は活性層、1028はコンタクト層、1
032はSiO2層、1033と1035は電極、1036
は反射防止膜である。
Therefore, a method has been proposed in which a guide hole for coupling to an optical fiber is formed with photolithographic precision. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H08-111559 discloses a technique in which a hole for fixing an optical fiber 1037 is formed by etching on the side of a substrate 1021 on which a surface-type light receiving element or a light emitting element is manufactured, as shown in FIG. I have.
In FIG. 11, reference numeral 1022 denotes a light absorbing layer, 1023 and 1027 denote DBR mirrors, 1024 and 1026 denote cladding layers, 1025 denotes an active layer, 1028 denotes a contact layer,
032 is a SiO 2 layer, 1033 and 1035 are electrodes, 1036
Is an antireflection film.

【0006】また、特開平6-237016号公報にも、図12
に示すように、面発光レーザ1203の裏面側に、基板
をエッチングしたガイド穴1209を形成して光ファイ
バ1210を固定する方法が開示されている。これらの
場合、部品点数を減少させることができ、組み立ても非
常に簡単なので、低コスト化が可能である。尚、図12
において、1201は電子回路基板、1202は発光チ
ップ、1204はトランジスタ、1205と1206と
1207はトランジスタ電極、1208は絶縁層、12
11は接着剤である。
[0006] Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-237016 also discloses FIG.
As shown in FIG. 1, a method is disclosed in which a guide hole 1209 obtained by etching a substrate is formed on the back side of a surface emitting laser 1203 to fix an optical fiber 1210. In these cases, the number of parts can be reduced and assembly is very simple, so that cost reduction can be achieved. FIG.
, 1201 is an electronic circuit board, 1202 is a light emitting chip, 1204 is a transistor, 1205, 1206 and 1207 are transistor electrodes, 1208 is an insulating layer,
11 is an adhesive.

【0007】しかしながら、基板に穴を開ける方法で
は、光ファイバと受光部あるいは発光部との距離の制御
が難しく、ファイバを結晶に突き当てたときに結晶にダ
メージが入るために素子を劣化させてしまう恐れがあっ
た。そこで、特開平6-237016号公報の発明では、ガイド
穴1209に順テーパ形状をつけてファイバが結晶面と
接触しない様にガイド穴先端の径を小さくしたり(図1
2参照)、完全にエピ層までエッチングせずに基板をわ
ずかに残した状態でエッチングを止めるなどの方法が用
いられていた。
However, in the method of making a hole in the substrate, it is difficult to control the distance between the optical fiber and the light-receiving portion or the light-emitting portion, and when the fiber is hit against the crystal, the crystal is damaged. There was a fear that it would. Therefore, according to the invention of Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-237016, the diameter of the tip of the guide hole is reduced so that the guide hole 1209 has a forward tapered shape so that the fiber does not contact the crystal plane (FIG. 1).
2), a method of stopping etching in a state where the substrate is slightly left without completely etching up to the epi layer.

【0008】一方、面型光素子が形成された表面側にフ
ァイバ固定用の部材を直接固定して、光ファイバを実装
する方法も提案されている。例えば、特開平11-307869
号公報においては、図13に示すように、面発光レーザ
素子2018の表面にファイバ固定部材2014を嵌合
させるための突起2022、2023を設け、面発光レ
ーザ2018の発光部に対応する位置にガイド穴を構成
したものが開示されている。尚、図13において、20
12はモジュール基板、2016は光ファイバ、202
4はファイバ挿入孔、2026と2027はガイド孔で
ある。
On the other hand, there has been proposed a method of mounting an optical fiber by directly fixing a member for fixing a fiber to a surface on which a surface-type optical element is formed. For example, JP-A-11-307869
In the publication, as shown in FIG. 13, protrusions 2022 and 2023 for fitting the fiber fixing member 2014 are provided on the surface of the surface emitting laser element 2018, and a guide is provided at a position corresponding to the light emitting portion of the surface emitting laser 2018. An arrangement of holes is disclosed. Incidentally, in FIG.
12 is a module substrate, 2016 is an optical fiber, 202
4 is a fiber insertion hole, and 2026 and 2027 are guide holes.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、エ
ッチングでガイド穴を作製する場合、その深さは通常1
00μm以上になるため、テーパ形状や穴径の制御性に
は問題があり、歩留まりを向上させることは困難であっ
た。また、基板を残す場合には基板での光の吸収の問題
があって、使用できる波長帯には制限があった。
However, when a guide hole is formed by etching, the depth is usually 1 unit.
Since it is not less than 00 μm, there is a problem in controllability of the tapered shape and the hole diameter, and it has been difficult to improve the yield. Further, when the substrate is left, there is a problem of light absorption by the substrate, and there is a limit to a wavelength band that can be used.

【0010】一方、光ファイバ固定用ブロックを用いる
場合では、上記のような作製上の問題は生じないが、部
品点数とその加工工程が増えてしまうために、必ずしも
低コスト化ができなかった。
[0010] On the other hand, when the optical fiber fixing block is used, the above-mentioned problem in the production does not occur, but the cost cannot be necessarily reduced because the number of parts and the processing steps are increased.

【0011】このような課題に鑑み、本発明の目的は、
光ファイバなどの光導波体を固定するガイド穴を形成し
て、部品点数の増加やプロセス制御性の向上を必要とせ
ずに、光導波体と面型光素子のアライメント精度を向上
させ、このことから、光導波体の固定作業も容易にして
生産性を向上させ、低コスト化を図り、更に、面型光素
子と光導波体の間の距離を自由に設定でき、実装の容易
性、自由度を向上させる構造を提供することにある。さ
らに、このような実装するための構造体を量産できる作
製方法、低コスト化が可能な光実装体、およびこれを用
いた光配線装置を提供することにある。
In view of such problems, an object of the present invention is to
By forming a guide hole for fixing an optical waveguide such as an optical fiber, the alignment accuracy between the optical waveguide and the planar optical element can be improved without increasing the number of parts and improving process control. Therefore, the work of fixing the optical waveguide is also facilitated, productivity is improved, cost is reduced, and the distance between the planar optical element and the optical waveguide can be set freely, so that mounting is easy and free. It is to provide a structure that improves the degree. It is still another object of the present invention to provide a manufacturing method capable of mass-producing such a structure for mounting, an optical package capable of reducing cost, and an optical wiring device using the same.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段および作用】本発明の面型
光素子においては、面型光素子の表面に厚膜材料により
直接ホトリソグラフィによって、ファイバなどの光導波
体を差し込むためのガイド穴となる構造体を作り込むこ
とで、上記課題を解決するものである。すなわち、本発
明の発光または受光が可能な面型光素子は、光導波体を
該面型光素子との光結合が可能なように差し込んで固定
するためのガイド穴を、該面型光素子の表面に、光感光
性あるいは電子ビーム硬化性を持ちホトリソグラフィで
パターニングすることで選択的に硬化が可能な厚膜材料
(ポリマー化が可能な厚膜レジストなど)で形成してあ
ることを特徴とする。
According to the surface optical device of the present invention, a guide hole for inserting an optical waveguide such as a fiber into the surface of the surface optical device by photolithography using a thick film material directly on the surface of the surface optical device. The above-mentioned problem is solved by making a structure body. That is, the surface-type optical element capable of emitting or receiving light according to the present invention is provided with a guide hole for inserting and fixing an optical waveguide so as to enable optical coupling with the surface-type optical element. Is characterized by being formed of a thick film material (thick film resist that can be polymerized) that has photosensitivity or electron beam curability and can be selectively cured by patterning by photolithography. And

【0013】前記厚膜材料ないし厚膜レジストの厚さと
しては、10μm(これは石英シングルモードファイバ
のコア程度である)〜1000μm(これはアクリル材
料によるプラスチックファイバ(POF)のコア程度であ
る)がよく、さらに望ましくは50μmから500μm程
度のものが好適に用いられる。ファイバなどの光導波体
のサイズとして、125μm程度から1mm程度までどの
ようなサイズでも適用可能である。厚膜材料ないし厚膜
レジストは通常のホトリソグラフィ工程でプロセスを行
うため、面型光素子とガイド穴中心位置を精度良く合わ
せることが簡単にできる。そのため、ガイド穴を形成し
た構造体をアライメントして接着する工程などを省くこ
とができる。
The thickness of the thick film material or the thick film resist is 10 μm (this is about the core of a quartz single mode fiber) to 1000 μm (this is about the core of a plastic fiber (POF) made of an acrylic material). More preferably, those having a thickness of about 50 μm to 500 μm are suitably used. As the size of an optical waveguide such as a fiber, any size from about 125 μm to about 1 mm can be applied. Since the thick film material or the thick film resist is processed by a usual photolithography process, it is easy to accurately match the center position of the guide hole with the surface type optical element. Therefore, it is possible to omit a step of aligning and bonding the structures having the guide holes formed therein.

【0014】穴径の制御性や形状制御も厚膜材料ないし
厚膜レジストの特性から優れており、基板エッチングに
より穴を開ける方法に比べて工程が簡単になる。
The controllability and shape control of the hole diameter are also excellent due to the characteristics of the thick film material or the thick film resist, and the process becomes simpler than the method of forming a hole by etching a substrate.

【0015】面型光素子については、面発光レーザや面
型受光素子などが用いられ、実装基板に必要なチップサ
イズ、アレイ数の素子を実装してから成長基板を除去し
て薄膜型にすることで、実装基板をハンドリング基板と
して用いることもできる。これにより、面型光素子のウ
エハから取り得る収率が増大して低コスト化することが
できる。
For the surface-type optical element, a surface-emitting laser or a surface-type light-receiving element is used. After mounting elements of a required chip size and number of arrays on a mounting substrate, the growth substrate is removed to form a thin film type. Thus, the mounting substrate can be used as a handling substrate. Thereby, the yield that can be obtained from the wafer of the surface-type optical element is increased, and the cost can be reduced.

【0016】また、前記面型光素子は複数アレイ化さ
れ、それに対応してガイド穴も共にアレイ化して形成さ
れたり、前記複数の面型光素子は面型発光素子のみ、面
型受光素子のみ、あるいは面型発光素子と面型受光素子
の組み合わせであったり、前記面型光素子は垂直共振器
型の面発光レーザであったり、面発光レーザは、活性
層、共振器層、およびブラッグ反射ミラー層のみの機能
層が残されているものであったり、前記面型光素子は、
成長基板を除去或いは薄膜化して薄膜型になっていた
り、成長基板がそのまま残されているものであったりす
る。
Also, the plurality of surface light elements are arrayed, and correspondingly, guide holes are formed in an array, and the plurality of surface light elements are only surface light emitting elements or only surface light receiving elements. Or a combination of a surface light emitting element and a surface light receiving element, the surface light element is a vertical cavity surface emitting laser, and the surface emitting laser is an active layer, a resonator layer, and a Bragg reflection. A functional layer only of a mirror layer is left, or the surface type optical element,
The growth substrate is removed or thinned to form a thin film type, or the growth substrate is left as it is.

【0017】ファイバなどの光導波体端面と面型光素子
の距離については、厚膜材料ないし厚膜レジストを2層
にして、1層目の厚みで距離をコントロールするように
すれば、制御性、自由度を向上させることができる。す
なわち、前記厚膜材料あるいは厚膜レジストは、前記光
導波体のサイズより小さく光のみが透過できる穴を形成
した第1層と、該第1層上に形成され該光導波体を固定
するためのガイド穴を形成した第2層から成り、第1層
の厚さで前記面型光素子と該光導波体の端面の距離を規
定する様にできる。
The distance between the end face of the optical waveguide such as a fiber and the surface type optical element can be controlled by controlling the distance by controlling the distance with the thickness of the first layer by using two layers of thick film material or thick film resist. , The degree of freedom can be improved. That is, the thick film material or the thick film resist is formed on the first layer having a hole smaller than the size of the optical waveguide and allowing only light to pass therethrough, and for fixing the optical waveguide formed on the first layer. And the thickness of the first layer can define the distance between the planar optical element and the end face of the optical waveguide.

【0018】光導波体ガイド穴の形状についてもホトマ
スクの設計次第で自由に設定することができ、固定用接
着剤の逃げを作り込んだり、光導波体とガイド穴が嵌合
しやすいように設計すること(例えば、ガイド穴をテー
パ状にする)も可能である。すなわち、前記厚膜材料あ
るいは厚膜レジストで形成したガイド穴は、該光導波体
の外形に合わせてある部分のみを形成して成ったり、該
光導波体の外形に合わせてある部分とともに、その外形
とは異なる溝パターンをも形成して成ったり、この場
合、前記ガイド穴の光導波体の外形に合わせてある部分
と溝パターンは連続して形成されたりする。
The shape of the guide hole of the optical waveguide can be freely set depending on the design of the photomask, and the escape hole of the fixing adhesive is formed, and the shape of the guide hole is designed to be easily fitted to the guide hole. (For example, the guide hole is tapered). That is, the guide hole formed of the thick film material or the thick film resist is formed by forming only a portion that matches the outer shape of the optical waveguide, or the portion that matches the outer shape of the optical waveguide, and A groove pattern different from the outer shape is also formed, and in this case, a portion of the guide hole corresponding to the outer shape of the optical waveguide and the groove pattern are formed continuously.

【0019】更に、本発明の面型光素子実装体は、上記
の面型光素子が、実装基板に、駆動が可能なように電気
的接続を有して実装され、前記ガイド穴に光導波体を固
定して成ることを特徴とする。
Further, in the surface-type optical element mounting body of the present invention, the above-mentioned surface-type optical element is mounted on a mounting board with electrical connection so as to be drivable, and the optical waveguide is inserted into the guide hole. It is characterized in that the body is fixed.

【0020】前記実装基板は、他の光素子あるいは電子
素子をハイブリッドに集積することができ、ヒートシン
ク機能を持つ実装基板であったりする。
The mounting board may be a mounting board having a heat sink function on which other optical elements or electronic elements can be integrated in a hybrid manner.

【0021】前記面型光素子は複数アレイ化され、光導
波体も同時にアレイ化し得る。前記光導波体は、ポリマ
ーを含む光ファイバで構成されたり、石英を含む光ファ
イバで構成されたりする。
A plurality of the planar optical elements are arrayed, and the optical waveguides can be arrayed simultaneously. The optical waveguide may be composed of an optical fiber containing a polymer or an optical fiber containing quartz.

【0022】更に、本発明の上記の面型光素子実装体を
作製する方法は、ウエハ状の実装基板に配線パターンを
形成する工程、少なくとも1つの面型光素子を逐次、実
装基板の複数箇所に、実装する工程、各面型光素子上に
厚膜材料でガイド穴を形成する工程、必要な電子デバイ
ス等を必要な位置に逐次フリップチップ実装した後に必
要な大きさの実装体に複数切り出す工程、最後に光導波
体をガイド穴に差し込んで固定する工程を含むことを特
徴とする。
Further, the method of manufacturing the above-mentioned surface-type optical element mounting body of the present invention comprises the steps of forming a wiring pattern on a wafer-like mounting substrate; The process of mounting, the process of forming a guide hole with a thick film material on each surface type optical element, the necessary electronic devices, etc. are sequentially flip-chip mounted at the required positions, and then cut into a plurality of mounting bodies of the required size And finally, a step of inserting the optical waveguide into the guide hole and fixing it.

【0023】更に、本発明の光配線装置は、電子機器内
のボードに接続リードを介して実装して、ボード間の信
号の授受を光で行う光配線装置であって、上記の面型光
素子実装体に面型光素子駆動用電子回路も集積化してお
り、電気的接触を得るための接続リードを固定する台座
に該光実装体を面実装して光接続モジュールを構成して
いることを特徴としたり、上記の面型光素子実装体を面
型光素子駆動用電子回路上に実装して電気コネクタ内に
収めて、該駆動用電子回路からの電気接続を、脱着可能
なコネクタ用の接続ピンで行い、電子機器同志の信号の
授受を光で行うことを特徴とする。
Further, the optical wiring device of the present invention is an optical wiring device which is mounted on a board in an electronic device via a connection lead and transmits and receives signals between the boards by light. An electronic circuit for driving a surface-type optical element is also integrated on the element mounting body, and the optical mounting module is configured by surface mounting the optical mounting body on a pedestal for fixing connection leads for obtaining electrical contact. Or mounting the above-mentioned surface-type optical element mounting body on a surface-type optical element driving electronic circuit and storing it in an electric connector, and connecting the electric connection from the driving electronic circuit to a detachable connector. And the transmission and reception of signals between the electronic devices is performed by light.

【0024】このように、厚膜レジストないし厚膜材料
を用いて面型光素子と光導波体を結合させた光実装体
を、電子回路と集積化させて、送受信を備えた光インタ
ーコネクション装置として用いることができる。その場
合、電子回路ボード間の光配線、電子機器間の光接続な
どに利用でき、電磁放射ノイズを抑えながら1chあたり
1Gbps以上で多チャンネルの大容量高速伝送を低コスト
で実現することができる。
As described above, the optical package in which the surface-type optical element and the optical waveguide are connected by using the thick-film resist or the thick-film material is integrated with the electronic circuit, and the optical interconnection device having the transmission and reception is provided. Can be used as In this case, it can be used for optical wiring between electronic circuit boards, optical connection between electronic devices, and the like, and high-speed, large-capacity multi-channel transmission at 1 Gbps or more per channel can be realized at low cost while suppressing electromagnetic radiation noise.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下に、図面を用いて本発明の実
施例で発明の実施の形態を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0026】(第1の実施例)本発明による第1の実施
例を斜視図である図1に示す。750μmピッチで4つ
にアレイ化された面発光レーザ5が、実装基板1に、共
通電極2を介してボンディングされている。各素子5の
素子分離溝が8で示され、発光点に相当する部分が6で
示されている。面発光レーザ5を駆動するための電気配
線は、共通電極用の配線10と独立駆動用の配線9が実
装基板1上に形成されている。面発光レーザ駆動用の独
立電極25が配線9と接続されている。また、面発光レ
ーザ駆動用のドライバIC12が同一実装基板1上にフリ
ップチップ実装されている。ドライバIC12は配線13
により他の電子デバイス等に接続される。
(First Embodiment) FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention. Surface emitting lasers 5 arrayed in four at a pitch of 750 μm are bonded to a mounting substrate 1 via a common electrode 2. An element isolation groove of each element 5 is indicated by 8, and a portion corresponding to a light emitting point is indicated by 6. As the electric wiring for driving the surface emitting laser 5, a wiring 10 for a common electrode and a wiring 9 for independent driving are formed on the mounting substrate 1. An independent electrode 25 for driving the surface emitting laser is connected to the wiring 9. A driver IC 12 for driving a surface emitting laser is flip-chip mounted on the same mounting substrate 1. The driver IC 12 is connected to the wiring 13
Is connected to other electronic devices.

【0027】ガイド穴4に挿入する光ファイバとして
は、500μm径のプラスティックオプティカルファイ
バ(POF)16が用いられている。POF16は、プラスティ
ックモールドで形成されたV溝を持つ固定治具14と平
坦治具15によりサンドイッチされて、接着剤17によ
り固定されている。このV溝によって、POF16のピッ
チおよび中心位置の整列が行えるようになっている。PO
F16の先端は、固定治具14、15で形成される面よ
りも図1に示すように突き出た形になっており、本実施
例では突き出し量を500μmとした。4本のPOF16
は、固定治具14、15を用いて接着固定したあとナイ
フで一括切断して、端面を研磨により平坦化されてい
る。平坦化はPOF16であることから、加熱された平坦
面に押し付けて行なってもよい。また、適当な曲面形状
にして、反射を防ぐとともに、レンズ効果が生じるよう
にしてもよい。
As the optical fiber inserted into the guide hole 4, a plastic optical fiber (POF) 16 having a diameter of 500 μm is used. The POF 16 is sandwiched by a fixing jig 14 having a V-groove formed by a plastic mold and a flat jig 15 and fixed by an adhesive 17. The V groove allows the pitch and center position of the POF 16 to be aligned. PO
The tip of F16 has a shape protruding as shown in FIG. 1 from the surface formed by the fixing jigs 14 and 15, and the protruding amount is 500 μm in this embodiment. Four POF16
Is fixed by using fixing jigs 14 and 15 and then cut in a lump with a knife, and the end surface is flattened by polishing. Since the flattening is performed using the POF 16, the flattening may be performed by pressing the flattened surface against the heated flat surface. In addition, a suitable curved surface shape may be used to prevent reflection and to produce a lens effect.

【0028】本実施例で用いたPOF16は、1.3μm帯
まで伝送可能な全フッ素化ポリマーを用いたファイバ
(旭ガラス製、商品名ルキナ)としたが、重水素化ポリマ
ーを用いたものや、UV硬化樹脂を用いたものなど、材料
には制限はない。また、コアを石英としたものや、すべ
て石英で構成されたファイバでも勿論よく、ファイバ径
に応じてガイド穴4の径や固定治具14のV溝の形状を
設計すればよい。
The POF 16 used in this embodiment is a fiber using a perfluorinated polymer capable of transmitting up to the 1.3 μm band.
(Made by Asahi Glass, trade name Lucina), but there is no limitation on materials such as those using a deuterated polymer and those using a UV curable resin. The core may be made of quartz or a fiber made entirely of quartz. The diameter of the guide hole 4 and the shape of the V groove of the fixing jig 14 may be designed according to the fiber diameter.

【0029】一方、本発明の特徴となる光ファイバ用の
ガイド穴4は、面発光レーザ5の各発光点6の中心が光
ファイバ16のコア中心と一致するように、厚膜レジス
ト3で形成されている。図1では分かりやすいように透
視斜視図としている。この厚膜レジスト3は、実装基板
1上に直接スピンコーターなどで塗布して、ホトリソグ
ラフィを行うことでパターン形成している。パターン合
わせは、面発光レーザ5の表面に形成した電極25と合
わせるマークをホトマスク上に形成しておけば、発光点
6の中心とガイド穴4の中心を数μm以下の位置精度で
一致させることができる。
On the other hand, the guide hole 4 for the optical fiber, which is a feature of the present invention, is formed of the thick film resist 3 so that the center of each light emitting point 6 of the surface emitting laser 5 coincides with the center of the core of the optical fiber 16. Have been. FIG. 1 is a transparent perspective view for easy understanding. The thick film resist 3 is applied directly onto the mounting substrate 1 by a spin coater or the like, and is patterned by photolithography. For pattern matching, if a mark for matching with the electrode 25 formed on the surface of the surface emitting laser 5 is formed on a photomask, the center of the light emitting point 6 and the center of the guide hole 4 are aligned with a positional accuracy of several μm or less. Can be.

【0030】本実施例では、厚膜レジスト3としてMicr
oChem社のSU8-50を用いた。スピンコートにより200
μmの厚さで塗布し、ホットプレート上において90℃
でプリベークを行った。3mm×1mmの外枠サイズで、7
50μmピッチで520μmの円形パターンを持つよう
に、ホトマスクを用いて上記のようなパターン合わせを
行いながら、アライナで露光を行った。次に、再びホッ
トプレート上で90℃で露光後ベークを行なった後、現
像液によってレジストの現像を行った。現像後のリンス
はイソプロピルアルコールで行い、溶剤を完全に蒸発さ
せるためにオーブンで90℃のベークを行った。以上の
ように厚膜レジスト3の工程は低温で行えるため、光素
子5や電気コンタクトなどに損傷を与えることなく、ガ
イド穴4を形成できる、厚膜レジスト3としては、ここ
ではSU8を用いたが、これに限定されるものではない。
In this embodiment, Micr is used as the thick film resist 3.
oChem SU8-50 was used. 200 by spin coating
μm thickness, 90 ℃ on hot plate
Prebaked. 3mm x 1mm outer frame size, 7
Exposure was performed with an aligner so as to have a circular pattern of 520 μm at a pitch of 50 μm using a photomask while performing pattern matching as described above. Next, after baking after exposure at 90 ° C. again on a hot plate, the resist was developed with a developing solution. Rinsing after development was performed with isopropyl alcohol, and baked at 90 ° C. in an oven to completely evaporate the solvent. As described above, since the step of forming the thick-film resist 3 can be performed at a low temperature, the guide hole 4 can be formed without damaging the optical element 5 and the electrical contact. As the thick-film resist 3, SU8 is used here. However, the present invention is not limited to this.

【0031】接着材をガイド穴4に塗布した後、固定治
具に固定されたPOF16を差し込むことで、容易に光結
合が達成できる。接着材には、その屈折率をPOF16に
近づけた材料で、熱硬化性または紫外線硬化性の光学接
着剤を用いた。ファイバ端面でレンズ効果を持たせる場
合には、屈折率が異なる材料を用いてもよい。また、面
発光レーザ出射面には、反射を抑えるためにSiOxなどで
無反射コーティング(不図示)を行ってもよい。
After the adhesive is applied to the guide holes 4, the optical coupling can be easily achieved by inserting the POF 16 fixed to the fixing jig. As the adhesive, a thermosetting or ultraviolet curable optical adhesive was used, which was a material whose refractive index was close to that of POF16. In the case where the fiber end face has a lens effect, materials having different refractive indices may be used. The surface emitting laser emitting surface may be provided with a non-reflective coating (not shown) of SiO x or the like to suppress reflection.

【0032】次に、1つの素子の断面図である図2(図
4のA-A’断面)を用いて、面発光レーザ5とPOF16
との結合部について説明する。
Next, the surface-emitting laser 5 and the POF 16 will be described with reference to FIG.
The following describes the connecting part with.

【0033】本実施例で用いた面発光レーザ5の詳細は
後に説明するが、厚膜レジスト3の工程が行い易いよう
に成長基板を除去して、機能層のみを転写して薄膜化し
た構造としている。機能層は、活性層を含む1波長共振
器23をAlGaAs多層膜からなるp-DBRミラー22およびn
-DBRミラー24で挟んだ構造となっており、厚さは約7
μmである。p-DBRミラー22側に電流狭窄のためのエア
ポスト28を15μmφの円形に加工し、周りはポリイ
ミド27で埋め込んで平坦化している。活性層近傍に
は、Alモル分率が0.95以上のAlGaAs層のみを横方向
に選択的に水蒸気酸化してAlxOy層29を形成してあ
り、電流注入領域のアパーチャサイズを3μmφ程度に
して、発振しきい値を1mA以下にしている。
The details of the surface emitting laser 5 used in this embodiment will be described later. However, the growth substrate is removed so that the process of the thick film resist 3 can be easily performed, and only the functional layer is transferred to reduce the thickness. And The functional layer includes a one-wavelength resonator 23 including an active layer and a p-DBR mirror 22 and an n-layer
-The structure is sandwiched between DBR mirrors 24 and the thickness is about 7
μm. An air post 28 for current confinement is formed on the p-DBR mirror 22 side into a circular shape having a diameter of 15 μmφ, and the periphery is buried with a polyimide 27 to be flattened. In the vicinity of the active layer, only the AlGaAs layer having an Al mole fraction of 0.95 or more is selectively subjected to steam oxidation in the lateral direction to form an Al x O y layer 29, and the aperture size of the current injection region is set to 3 μmφ. And the oscillation threshold is set to 1 mA or less.

【0034】p-DBRミラー22側に共通電極20を形成
し、基板1表面の電極パッド2の上にAuSnはんだ等で接
着している。接着はAu同志の圧着でもよい。n側の電極
25は、各素子に独立に電流注入できるように、n-DBR
ミラ−24表面のGaAs基板(不図示)を除去して現れた
表面上に形成している。この表面に絶縁膜26を形成し
て、光取り出し部31およびコンタクトホール32を形
成し、基板1の表面に形成する配線9とのコンタクトを
取るようにしている。なお、配線9は面発光レーザ5の
側壁も介して段差配線するため、レーザ5の側壁および
p側の共通電極パッド2の上が絶縁膜26で覆われてい
る必要がある。このような絶縁膜形成には、例えば旭化
成製PIMELのような感光性ポリイミドが好適に用いら
れ、厚さは1μmとした。
A common electrode 20 is formed on the p-DBR mirror 22 side, and is bonded on the electrode pad 2 on the surface of the substrate 1 with AuSn solder or the like. The bonding may be performed by bonding between Au. The n-side electrode 25 has an n-DBR so that current can be independently injected into each element.
The GaAs substrate (not shown) on the surface of the mirror 24 is removed and formed on the exposed surface. An insulating film 26 is formed on this surface, a light extraction portion 31 and a contact hole 32 are formed, and a contact is made with the wiring 9 formed on the surface of the substrate 1. Since the wiring 9 is stepped via the side wall of the surface emitting laser 5, it is necessary that the side wall of the laser 5 and the p-side common electrode pad 2 are covered with the insulating film 26. For forming such an insulating film, for example, a photosensitive polyimide such as PIMEL manufactured by Asahi Kasei is preferably used, and the thickness is set to 1 μm.

【0035】POF16は、図2のように端面が素子表面
に突き当たる位置(この例では電極25上の配線9)で固
定される。従って、面発光レーザの結晶表面に直接当た
ることはなく、ダメージ等を与えることはない。
As shown in FIG. 2, the POF 16 is fixed at a position where the end face abuts on the element surface (in this example, the wiring 9 on the electrode 25). Therefore, it does not directly hit the crystal surface of the surface emitting laser, and does not cause damage or the like.

【0036】一方、面発光レーザから発生する熱は、電
極パッド2を介して実装基板1に放熱するようにしてい
る。そのため実装基板1の材質としては、AlN、または
表面にAl203などの絶縁薄膜を形成したSiが好適に用い
られる。
On the other hand, heat generated from the surface emitting laser is radiated to the mounting substrate 1 via the electrode pads 2. The material of the mounting substrate 1 therefore, AlN or Si forming an insulating thin film such as Al 2 0 3 on the surface, it is preferably used.

【0037】次に、図3を参照して本実施例に用いた薄
膜型の面発光レーザの作製工程を説明する。ここでは簡
単化のため2つの素子のアレイで説明する。
Next, with reference to FIG. 3, a description will be given of a manufacturing process of the thin film type surface emitting laser used in this embodiment. Here, for the sake of simplicity, an explanation will be given using an array of two elements.

【0038】(a)において、n-GaAs基板30上に、n-
DBRミラー24、GaAs/ AlGaAsの3量子井戸から成る活
性層を含みAlGaAsから成る1波長共振器層23、p-DBR
ミラー22、p-GaAsコンタクト層(不図示)を有機金属気
相成長法などにより結晶成長する。エアポスト28をCl
2を用いた反応性エッチングにより形成し、すでに述べ
た選択酸化層29を水蒸気による酸化により形成する。
その後、SiNx膜21で絶縁膜を形成してポリイミド27
で平坦化を行い、共通電極20を成膜する。共通電極2
0としては例えばTi/Auを用いることができる。
3A, an n-GaAs substrate 30 is provided with an n-GaAs substrate.
DBR mirror 24, one-wavelength resonator layer 23 made of AlGaAs including an active layer made of three quantum wells of GaAs / AlGaAs, p-DBR
The mirror 22 and a p-GaAs contact layer (not shown) are crystal-grown by a metal organic chemical vapor deposition method or the like. Cl air post 28
The selective oxidation layer 29 is formed by reactive etching using water vapor and oxidized by steam.
After that, an insulating film is formed with the SiN x film 21 and the polyimide 27 is formed.
And the common electrode 20 is formed. Common electrode 2
As 0, for example, Ti / Au can be used.

【0039】(b)において、(a)で作製したウエハ
上の素子を基板30の研磨で100μm程度にしてから
適当な大きさに切り出し、実装基板1上に形成した電極
パッド2の上に、Au-Auの圧着(超音波でアシストして
もよい)で、あるいはAuSnはんだで、接着を行う。この
とき電極パッド2はTi/Pt/Auから成り、最表面はAuとな
っている。
In (b), the device on the wafer prepared in (a) is cut into a suitable size after polishing the substrate 30 to about 100 μm by polishing, and is placed on the electrode pad 2 formed on the mounting substrate 1. Bonding is performed by Au-Au pressure bonding (may be assisted by ultrasonic waves) or by AuSn solder. At this time, the electrode pad 2 is made of Ti / Pt / Au, and the outermost surface is Au.

【0040】(c)において、GaAs基板30をH2O2とNH
3の混合液を用いてエッチングし、n-DBRミラー24の第
1層であるAlAsでエッチングがストップされる。その
後、HClによってA1Asを除去して現れたn-GaAs層上に、
独立電極25を形成する。独立電極25には、例えばAu
Ge/Ni/Auを用いることができる。その後、コンタクトの
ために380℃程度でアニールを行う。
In (c), the GaAs substrate 30 is made of H 2 O 2 and NH
Is etched using the third mixed solution, the etching is stopped at the AlAs a first layer of n-DBR mirror 24. Then, on the n-GaAs layer that appeared after removing A1As with HCl,
An independent electrode 25 is formed. For example, Au
Ge / Ni / Au can be used. Thereafter, annealing is performed at about 380 ° C. for contact.

【0041】(d)において、感光性ポリイミドで電極
コンタクトのためのホール32および光取り出し窓31
を形成しながら、全体をポリイミド26でコーティング
するようにする。配線9をTi/Auなどでリフトオフ法等
で形成すれば、図4の平面図のような実装基板1上に薄
膜型面発光レーザ5が形成された状態となる。
In (d), a hole 32 for electrode contact and a light extraction window 31 are made of photosensitive polyimide.
Is formed, and the whole is coated with the polyimide 26. If the wiring 9 is formed by a lift-off method or the like using Ti / Au or the like, the thin-film type surface emitting laser 5 is formed on the mounting substrate 1 as shown in the plan view of FIG.

【0042】上記では、1つのチップについての作製工
程について述べたが、実際には生産性の向上のためにウ
エハレベルの工程が必要になる。その様子を説明するも
のが図5である。面発光レーザが作製されたGaAsウエハ
50から、必要な大きさのレーザチップ51(上記の実
施例では1×4アレイ)を切り出し、表面にAl2O3膜およ
び電極パッド2を必要な領域54に複数形成したSiウエ
ハ52に接着する。このとき、フリップチップボンダー
装置でウエハ52上の必要な位置54にアライメントを
しながら逐次ボンディングを行う。レーザの薄膜化プロ
セス、配線プロセスおよび厚膜レジスト3によるファイ
バガイド穴4の形成は、この状態で一括してホトリソグ
ラフィおよびエッチング工程で行う。
In the above, the manufacturing process for one chip has been described. However, a wafer-level process is actually required to improve productivity. FIG. 5 illustrates this state. A laser chip 51 (1 × 4 array in the above embodiment) having a required size is cut out from the GaAs wafer 50 on which the surface emitting laser is manufactured, and an Al 2 O 3 film and an electrode pad 2 are formed on the surface in a required area 54. To a plurality of Si wafers 52 formed thereon. At this time, the bonding is performed sequentially while aligning the required position 54 on the wafer 52 with the flip chip bonder device. The laser thinning process, the wiring process, and the formation of the fiber guide hole 4 by the thick film resist 3 are collectively performed in this state by photolithography and etching.

【0043】次に、レーザ駆動用のSi-IC53をフリッ
プチップホンダーで逐次ボンディングする。最後に、破
線55のように1つ1つのチップにダイシングすれば、
一括して複数のチップが形成できる。
Next, the laser driving Si-ICs 53 are sequentially bonded by a flip chip honda. Finally, by dicing the chips one by one as shown by the broken line 55,
A plurality of chips can be formed collectively.

【0044】なお、ここまでの例では、面発光レーザ5
および光ファイバ16のアレイ数を4つとした例を示し
てきたが、もちろんこの数には限定はない。4つ以上で
もよいし、1つの面発光レーザと1本の光ファイバのみ
としたものでもよい。また、面型受光素子に適用するこ
ともできる。
In the above examples, the surface emitting laser 5
Although an example has been described in which the number of arrays of the optical fibers 16 is four, the number is of course not limited. Four or more may be used, or only one surface emitting laser and one optical fiber may be used. Further, the present invention can be applied to a surface light receiving element.

【0045】光実装体としては、送信側において面発光
レーザだけが集積されたもの、受信側において面型受光
素子のみが集積されたもの、あるいは送受信の両方を備
えた光実装体とするもののいずれでもよい。送信デバイ
ス、受信デバイスが分かれている場合には一方向伝送と
なり、他方、送・受信デバイスが1つのモジュール内に
収められていれば、双方向伝送が可能となる。
As the optical package, any of a type in which only a surface emitting laser is integrated on a transmitting side, a type in which only a surface type light receiving element is integrated on a receiving side, and a type in which an optical package having both transmission and reception are provided. May be. When the transmitting device and the receiving device are separated, one-way transmission is performed. On the other hand, when the transmitting and receiving device is housed in one module, two-way transmission is possible.

【0046】(第2の実施例)本発明の第2の実施例
は、GaAs基板を除去した薄膜型の面発光レーザではな
く、GaAs基板上に作製した通常の面発光レーザを用いた
例に係わる。面発光レーザの断面構造は、プロセスを説
明する図の図3(a)に示されるものとほぼ同じで、p
側の電極の構造が光取り出し用の窓を設けたことと、素
子間で電極分離するところが異なる。
(Second Embodiment) The second embodiment of the present invention is directed to an example in which a normal surface emitting laser manufactured on a GaAs substrate is used instead of a thin film type surface emitting laser from which a GaAs substrate has been removed. Get involved. The cross-sectional structure of the surface emitting laser is almost the same as that shown in FIG.
The structure of the electrode on the side is different in that a window for taking out light is provided, and the electrode is separated between the elements.

【0047】図8に本実施例の斜視図を示す。面発光レ
ーザ84の切り出しサイズが大きくなったこと、レーザ
84とIC12の配線81をワイヤボンディングで行った
以外は、図1の構成とほぼ同じであり、同一部分の説明
は省略する。
FIG. 8 is a perspective view of this embodiment. Except that the cutout size of the surface emitting laser 84 has been increased and that the wiring 84 of the laser 84 and the IC 12 has been performed by wire bonding, the configuration is almost the same as that of FIG.

【0048】GaAs基板上に作製された面発光レーザ84
の表面には、絶縁膜上にp電極兼電気配線および電極パ
ッドとなるTi/Au82が形成されている。そのp電極の
発光点83に相当するところには光取り出し窓が形成さ
れている。IC12と電気的に接合している実装基板1上
の電極パッド80とp電極82の間は、ワイヤボンディ
ング81で配線されている。この配線はフレキシブル配
線板などを用いてもよい。
Surface emitting laser 84 fabricated on GaAs substrate
A Ti / Au 82 serving as a p-electrode / electrical wiring and an electrode pad is formed on the insulating film. A light extraction window is formed at a position corresponding to the light emitting point 83 of the p-electrode. A wire bonding 81 is provided between the electrode pad 80 and the p-electrode 82 on the mounting board 1 electrically connected to the IC 12. This wiring may use a flexible wiring board or the like.

【0049】ファイバガイド穴4を構成する厚膜レジス
ト3は、GaAs基板上で面発光レーザおよびp電極を形成
してから、チップに切り出す前に一括して表面上に形成
している。従って、面発光レーザ84のチップを実装基
板1上に実装したあとのホトリソグラフィ等のプロセス
はなく、一括リフロー(はんだの加熱)による表面実装
およびワイヤボンディングなどによる配線があるだけで
ある。
The thick film resist 3 constituting the fiber guide hole 4 is formed on the surface of the GaAs substrate after the surface emitting laser and the p-electrode are formed on the GaAs substrate before being cut into chips. Therefore, there is no process such as photolithography after the chip of the surface emitting laser 84 is mounted on the mounting substrate 1, but only surface mounting by batch reflow (heating of solder) and wiring by wire bonding.

【0050】本実施例では、GaAsウエハからのチップ切
り出しサイズが第1の実施例より大きいため、レーザウ
エハから得られるレーザの個数すなわち収率が低減して
実装体のコストが上昇する。また、カソードコモンとし
て駆動するために第1の実施例のようなアノードコモン
タイプに比べて駆動の高速性に劣る。
In this embodiment, since the size of the chip cut out from the GaAs wafer is larger than that of the first embodiment, the number of lasers obtained from the laser wafer, that is, the yield, is reduced, and the cost of the package is increased. In addition, since it is driven as a cathode common, it is inferior in high-speed driving as compared with the anode common type as in the first embodiment.

【0051】しかし、本実施例における構造では、プロ
セス工程が少なくなって作製コストの低減および歩留ま
りの向上が可能となるので、アレイ数が少なく622Mb
ps程度の伝送の場合には適している。
However, in the structure according to the present embodiment, the number of arrays is small and 622 Mb because the number of process steps is reduced and the manufacturing cost and the yield can be reduced.
Suitable for transmission in the order of ps.

【0052】(第3の実施例)本発明による第3の実施
例では、厚膜レジストを2段構成にして、面発光レーザ
の出射面とファイバ端面との距離を規定するものであ
る。図6を用いてこれを説明する。
(Third Embodiment) In a third embodiment of the present invention, the distance between the emitting surface of the surface emitting laser and the end face of the fiber is defined by forming a thick resist in two steps. This will be described with reference to FIG.

【0053】ファイバガイド穴63を2層目の厚膜レジ
スト61で形成し、ファイバ16の径よりも細い300
μmφの穴62を形成した厚膜レジスト60が1層目と
なっている。これは、第1の実施例と同様の厚膜レジス
トパターニング工程を2回繰り返すことで構成すること
ができる。この場合、いずれのレジスト膜厚も200μ
mとした。これによって、ファイバ16をガイド穴63
に突き当てで実装する場合に、レーザ素子等に衝突して
ダメージを与えることを緩和させることができる。ま
た、ファイバ16との光結合にはレンズで集光させるこ
とが望ましいが、ボールレンズ等を1層目の厚膜レジス
ト60の穴に入れることでこれを達成できる。特に、受
光素子とファイバ16との結合においては有効である。
The fiber guide hole 63 is formed by the second layer thick resist 61, and the fiber guide hole 63 is thinner than the diameter of the fiber 16.
The thick film resist 60 having the hole 62 of μmφ is the first layer. This can be configured by repeating the same thick film resist patterning step as in the first embodiment twice. In this case, the thickness of each resist is 200 μm.
m. As a result, the fiber 16 is inserted into the guide hole 63.
In the case of mounting by abutting on the laser device, it is possible to reduce the possibility of causing damage by colliding with a laser element or the like. It is desirable that the light is condensed by a lens for optical coupling with the fiber 16, but this can be achieved by inserting a ball lens or the like into the hole of the first thick film resist 60. In particular, it is effective in coupling the light receiving element to the fiber 16.

【0054】また、この方法では、一層目の厚膜レジス
ト60の厚さを制御することで、自由にファイバ端面と
面発光レーザ端面との距離を設定できる。
In this method, the distance between the end face of the fiber and the end face of the surface emitting laser can be freely set by controlling the thickness of the first thick film resist 60.

【0055】(第4の実施例)図7に本発明の第4の実
施例の厚膜レジスト70のパターンの平面図を示す。フ
ァイバを実装するガイド穴72の他に溝71を形成して
いる。
(Fourth Embodiment) FIG. 7 is a plan view showing a pattern of a thick film resist 70 according to a fourth embodiment of the present invention. A groove 71 is formed in addition to the guide hole 72 for mounting the fiber.

【0056】この溝71を形成することで、厚膜レジス
ト70の現像時間を早める効果、下地とのストレスの緩
和の効果、および固定用の接着剤の逃げとしての作用な
どがある。さらに、ファイバをガイド穴72に入れると
きに嵌合しやすいという利点もある。
The formation of the groove 71 has the effect of shortening the development time of the thick film resist 70, the effect of alleviating the stress with the base, and the function of releasing the fixing adhesive. Further, there is an advantage that the fiber is easily fitted when inserted into the guide hole 72.

【0057】厚膜レジストを用いてファイバガイド穴を
形成する方法の場合、このようにホトマスクのパターン
を変えることで自由にパターン形状を設計できる。たと
えば、ファイバ径の異なるもの(1mmφ、500μmφ、
250μmφなど)を集積化させたり、ファイバ以外の矩
形の導波路フィルム等を同様に嵌合するようなガイド溝
を形成してここに導波路フィルム等を固定することもで
きる。
In the case of the method of forming the fiber guide holes using a thick resist, the pattern shape can be freely designed by changing the pattern of the photomask in this way. For example, those with different fiber diameters (1 mmφ, 500 μmφ,
250 μmφ), or a guide groove for fitting a rectangular waveguide film or the like other than a fiber in the same manner, and fixing the waveguide film or the like here.

【0058】(第5の実施例)本発明による第5の実施
例は、以上述べてきた光実装体をモジュール化してでき
た高速光配線装置に関するものである。
(Fifth Embodiment) The fifth embodiment according to the present invention relates to a high-speed optical wiring device formed by modularizing the optical package described above.

【0059】図9は、第1、第2、第3の実施例のよう
な厚膜レジストによるガイド穴によって、面発光レーザ
や面型受光素子とファイバが固定された実装体を用いた
コネクタモジュールを示している。図9(a)におい
て、94は4本のファイバを束ねたリボンファイバで、
95はPOF、96はPOF固定用治具、93は全体をカバー
してPOF95の固定強度を強めるものである。また、9
2は図1で示した実装基板1であるが、周辺回路も同時
に形成してチップ抵抗やコンデンサも集積化している。
更に、90は接続用リード91を固定する台座であり、
実装基板92の裏面と接着して、実装基板92の電極パ
ッドとリード91のトップとをワイヤボンディングで接
続している。ファイバ95と実装基板92との間の固定
はワイヤボンディングを行なってから最後に行う。接続
用リード91と実装基板92の接続は、実装基板92に
スルーホールを形成してフリップチップ実装で行っても
よい。
FIG. 9 shows a connector module using a mounting body in which a surface-emitting laser or a surface-type light receiving element and a fiber are fixed by a guide hole made of a thick film resist as in the first, second, and third embodiments. Is shown. In FIG. 9A, reference numeral 94 denotes a ribbon fiber in which four fibers are bundled.
95 is a POF, 96 is a jig for fixing the POF, and 93 is a cover for enhancing the fixing strength of the POF 95 covering the whole. Also, 9
Reference numeral 2 denotes the mounting substrate 1 shown in FIG. 1, in which peripheral circuits are formed at the same time and chip resistors and capacitors are integrated.
Further, 90 is a pedestal for fixing the connection lead 91,
The electrode pads of the mounting board 92 are connected to the tops of the leads 91 by wire bonding by bonding to the back surface of the mounting board 92. The fixing between the fiber 95 and the mounting board 92 is performed last after performing the wire bonding. The connection between the connection lead 91 and the mounting board 92 may be performed by flip-chip mounting by forming a through hole in the mounting board 92.

【0060】一方、図9(b)、(c)には、このコネ
クタモジュールと回路基板97との実装形態を示す。
(b)において、基板97上に、ソケット98をリード
102とはんだ10で固定しており、コネクタモジュー
ルの接続リード91とソケット98の板ばね99とで接
触が得られるようになっており、脱着可能である。
(c)においては、接続リード91を、直接、回路基板
97にはんだ付け(103)するものである。
On the other hand, FIGS. 9 (b) and 9 (c) show how the connector module and the circuit board 97 are mounted.
In (b), a socket 98 is fixed on a substrate 97 with a lead 102 and solder 10 so that contact can be obtained between a connection lead 91 of the connector module and a leaf spring 99 of the socket 98, and the socket 98 is detached. It is possible.
In (c), the connection leads 91 are directly soldered to the circuit board 97 (103).

【0061】このような構成にすることで、高速信号の
伝送をボード間で行う場合の光配線装置を提供すること
ができる。1chあたり1Gbpsを越えるような場合や、電
磁放射ノイズが問題になるような場合に有効となる。
With such a configuration, it is possible to provide an optical wiring device for transmitting a high-speed signal between boards. This is effective in the case of exceeding 1 Gbps per channel or in the case where electromagnetic radiation noise becomes a problem.

【0062】図9(c)では回路基板97に固定するこ
とになるが、実装基板92とファイバ固定治具93との
間を接着せず、厚膜レジスト100のガイド穴のところ
で脱着可能にしてもよい。その場合、ファイバ固定治具
93の外枠にツメなどを設けて脱着可能な機械機構を形
成すればよい。尚、101はカバーである。
In FIG. 9C, the circuit board 97 is fixed, but the mounting board 92 and the fiber fixing jig 93 are not bonded to each other, but are detachable at the guide holes of the thick film resist 100. Is also good. In this case, a removable mechanical mechanism may be formed by providing a nail or the like on the outer frame of the fiber fixing jig 93. Incidentally, reference numeral 101 denotes a cover.

【0063】(第6の実施例)本発明による第6の実施
例は、第5の実施例のように光実装体の集積された光送
受信モジュールを直接マザーボードに装着するのではな
く、図10に示すように電気コネクタ110内に収め
て、電気接続リード111を介してPCやモニタ、プリン
タ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどの電子
機器のインターフェース部と脱着が可能なようにしてい
る。この電気コネクタ110は必要な機器の規格に応じ
て作製することができる。例えば、PCと液晶モニタを接
続するためのデジタルモニタインターフェースの規格に
合わせて26ピンのMDRコネクタにしたり、IEEE1394やU
SBなどの規格に合わせることも可能である。また、デジ
タル複写器のスキャナ部と感光部との内部接続などにも
適用できる。これらの電子機器間の接続に本発明の光配
線装置を用いることで、1チャンネルあたり1Gbpsから
2.5Gbps程度で4〜5チャンネルの信号伝送が50m
以上可能となる。こうして、電気ケーブルでは限界のあ
る高速映像伝送に代わって使用することができる。ま
た、光接続であるので伝送線路から発生する電磁放射ノ
イズがなく、特に高速デジタル伝送でのノイズ対策の軽
減につなげられる。
(Sixth Embodiment) A sixth embodiment according to the present invention is different from the fifth embodiment in that an optical transmitter / receiver module in which an optical package is integrated is not directly mounted on a motherboard. As shown in (1), it is housed in an electric connector 110 and can be connected to and detached from an interface section of an electronic device such as a PC, a monitor, a printer, a digital camera, a digital video camera, etc. via an electric connection lead 111. The electrical connector 110 can be manufactured according to the required device standard. For example, a 26-pin MDR connector according to the digital monitor interface standard for connecting a PC and an LCD monitor, or an IEEE1394 or U
It is also possible to conform to standards such as SB. Further, the present invention can be applied to an internal connection between a scanner unit and a photosensitive unit of a digital copier. By using the optical wiring device of the present invention for connection between these electronic devices, signal transmission of 4 to 5 channels at 1 Gbps to 2.5 Gbps per channel can be performed over 50 m.
This is possible. Thus, electric cables can be used in place of the limited high-speed video transmission. In addition, since the optical connection is used, there is no electromagnetic radiation noise generated from the transmission line, and it is possible to reduce noise measures particularly in high-speed digital transmission.

【0064】[0064]

【発明の効果】本発明によって以下のような効果が期待
される。光ファイバなどの光導波体と光素子のアライメ
ント精度を向上させ、光ファイバなどの光導波体の固定
作業も容易にして、生産性を向上させることができる。
また、面型光素子を薄膜化することで光ファイバなどの
光導波体との光結合をレンズレスで行う際の実装の容易
性、設計の自由度を向上させることができる。
According to the present invention, the following effects are expected. The alignment accuracy between the optical waveguide such as an optical fiber and the optical element can be improved, the work of fixing the optical waveguide such as the optical fiber can be facilitated, and the productivity can be improved.
Further, by reducing the thickness of the surface-type optical element, it is possible to improve the ease of mounting and the degree of freedom in designing when optical coupling with an optical waveguide such as an optical fiber is performed without a lens.

【0065】さらに、このような実装するための構造体
を量産できる作製方法を提供することで、低コスト化が
可能な光実装体およびこれを用いた光配線装置を実現で
きる。従って、高速デジタル信号を扱う電子機器内のボ
ード間、あるいは電子機器同志の信号接続において、電
気接続では限界のある領域、すなわち50m以上で2.
5Gbps程度の信号伝送が可能となり、大容量の映像伝送
などを容易に、特別な電磁ノイズ対策などもなしに行う
ことができる。
Further, by providing a manufacturing method capable of mass-producing such a structure for mounting, an optical package that can be reduced in cost and an optical wiring device using the same can be realized. Therefore, in a signal connection between boards in an electronic device handling high-speed digital signals, or in a signal connection between electronic devices, an electric connection has a limited area, that is, 2.
Signal transmission of about 5 Gbps becomes possible, and large-capacity video transmission can be easily performed without any special measures against electromagnetic noise.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による第1実施例の面型光素子実装体を
説明する斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view illustrating a surface-type optical element package according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明による第1実施例における面型光素子実
装体の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the surface-type optical element package according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明による面型光素子の作製方法を説明する
断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a surface optical device according to the present invention.

【図4】本発明による面型光素子実装体の配線を説明す
る平面図である。
FIG. 4 is a plan view illustrating wiring of a surface-type optical element mounted body according to the present invention.

【図5】本発明による面型光素子実装体の作製方法を説
明する斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view illustrating a method for manufacturing a surface-type optical element mounted body according to the present invention.

【図6】本発明による第3実施例の面型光素子実装体の
断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of a surface-type optical element mounted body according to a third embodiment of the present invention.

【図7】本発明による第4実施例のガイド穴形状の平面
図である。
FIG. 7 is a plan view of a guide hole shape according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】本発明による第2実施例の面型光素子実装体を
説明する斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view illustrating a surface-type optical element package according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明による光接続モジュールを説明する図で
ある。
FIG. 9 is a diagram illustrating an optical connection module according to the present invention.

【図10】本発明による光配線装置を示す斜視図であ
る。
FIG. 10 is a perspective view showing an optical wiring device according to the present invention.

【図11】従来の面型光素子と光ファイバの結合を説明
する断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a conventional coupling between a planar optical element and an optical fiber.

【図12】従来の面型光素子と光ファイバの結合を説明
する断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a conventional coupling between a planar optical element and an optical fiber.

【図13】従来の面型光素子と光ファイバの結合を説明
する図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating a conventional coupling between a planar optical element and an optical fiber.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…実装基板 2、80…電極パッド 3、60、61、70、100…厚膜レジスト 4、63、72、1209…ファイバガイド穴 5、84…面型光素子 6、31、62、83…光透過窓 8…素子分離溝 9、10、13…電気配線 12、53…Si-IC 14、15、2014…ファイバ固定治具 16、95、1210、1037、2016…光ファイ
バ 17、1211…接着剤 20、25、1033、1035…電極 21、26、1208…絶縁膜 22、24、1023、1027…DBRミラー 23…活性層および共振器層 27…埋め込み層 28…エアポスト 29…選択酸化AlxOy層 30、1021…基板 32…コンタクトホール 50…レーザウエハ 51…レーザチップ 52…実装用ウエハ 54…実装領域 55…ダイシングする切り取り線 71…溝 81…ワイヤ 90…接続リード固定用台座 91、111…接続リード 92…光実装体 93、96…ファイバ固定治具 94…ファイバアレイ 97…回路基板 98…ソケット 99…板ばね 101…カバー 102…接続ピン 103…はんだ 110…電気コネクタ 1022…光吸収層 1024、1026…クラッド層 1025…活性層 1028…コンタクト層 1032…Si02 1036…反射防止膜 1201…電子回路基板 1202…発光チップ 1203、2018…面発光レーザ 1204…トランジスタ 1205、1206、1207…トランジスタ電極 2012…モジュール基板 2022、2023…突起 2024…ファイバ挿入孔 2026、2027…ガイド孔
 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Mounting board 2, 80 ... Electrode pad 3, 60, 61, 70, 100 ... Thick film resist 4, 63, 72, 1209 ... Fiber guide hole 5, 84 ... Surface optical element 6, 31, 62, 83 ... Light transmission window 8 ... Element isolation groove 9, 10, 13 ... Electrical wiring 12, 53 ... Si-IC 14, 15, 2014 ... Fiber fixing jig 16, 95, 1210, 1037, 2016 ... Optical fiber
Bars 17, 1211 ... Adhesives 20, 25, 1033, 1035 ... Electrodes 21, 26, 1208 ... Insulating films 22, 24, 1023, 1027 ... DBR mirrors 23 ... Active layers and resonator layers 27 ... Buried layers 28 ... Air posts 29 ... selective oxidation AlxOyLayers 30 and 1021 Substrate 32 Contact hole 50 Laser wafer 51 Laser chip 52 Mounting wafer 54 Mounting area 55 Cutting line for dicing 71 Groove 81 Wire 90 Base for fixing lead 91, 111 Connection Lead 92: Optical mounting body 93, 96: Fiber fixing jig 94: Fiber array 97: Circuit board 98: Socket 99: Leaf spring 101: Cover 102: Connection pin 103: Solder 110: Electrical connector 1022: Light absorbing layer 1024, 1026: clad layer 1025: active layer 1028: contact layer 1032: Si0Two  1036 antireflection film 1201 electronic circuit board 1202 light emitting chip 1203, 2018 surface emitting laser 1204 transistor 1205, 1206, 1207 transistor electrode 2012 module board 2022, 2023 protrusion 2024 fiber insertion hole 2026, 2027 Guide hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H037 AA01 BA02 BA05 BA11 BA14 DA04 DA06 DA11 DA17 5F073 AA65 AA74 AB17 BA09 CA04 CB22 CB23 DA23 EA29 FA07 FA13 5F088 BA18 BB10 EA02 EA09 JA14 JA20  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H037 AA01 BA02 BA05 BA11 BA14 DA04 DA06 DA11 DA17 5F073 AA65 AA74 AB17 BA09 CA04 CB22 CB23 DA23 EA29 FA07 FA13 5F088 BA18 BB10 EA02 EA09 JA14 JA20

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】発光または受光が可能な面型光素子であっ
て、光導波体を該面型光素子との光結合が可能なように
差し込んで固定するためのガイド穴を、該面型光素子の
表面に、光感光性あるいは電子ビーム硬化性を持ちホト
リソグラフィでパターニングすることで選択的に硬化が
可能な厚膜材料で形成してあることを特徴とする面型光
素子。
1. A planar optical element capable of emitting or receiving light, wherein a guide hole for inserting and fixing an optical waveguide so as to enable optical coupling with the planar optical element is provided in the planar optical element. A surface-type optical element, wherein the surface of the optical element is formed of a thick film material having photosensitivity or electron beam curability and which can be selectively cured by patterning by photolithography.
【請求項2】前記厚膜材料はポリマー化が可能な厚膜レ
ジストである請求項1記載の面型光素子。
2. The surface optical device according to claim 1, wherein the thick film material is a polymerizable thick film resist.
【請求項3】前記厚膜材料あるいは厚膜レジストの厚さ
は10μmから1000μmである請求項1または2記載
の面型光素子。
3. The surface type optical device according to claim 1, wherein the thickness of the thick film material or the thick film resist is 10 μm to 1000 μm.
【請求項4】前記厚膜材料あるいは厚膜レジストは、前
記光導波体のサイズより小さく光のみが透過できる穴を
形成した第1層と、該第1層上に形成され該光導波体を
固定するためのガイド穴を形成した第2層から成り、第
1層の厚さで前記面型光素子と該光導波体の端面の距離
を規定している請求項1、2または3記載の面型光素
子。
4. The thick film material or the thick film resist comprises: a first layer having a hole smaller than the size of the optical waveguide and allowing only light to pass therethrough; and an optical waveguide formed on the first layer. 4. The optical device according to claim 1, comprising a second layer formed with a guide hole for fixing, wherein a thickness of the first layer defines a distance between the planar optical element and an end face of the optical waveguide. Surface type optical element.
【請求項5】前記厚膜材料あるいは厚膜レジストで形成
したガイド穴は、該光導波体の外形に合わせてある部分
のみを形成している請求項1乃至4の何れかに記載の面
型光素子。
5. The surface mold according to claim 1, wherein the guide hole formed of the thick film material or the thick film resist forms only a portion corresponding to the outer shape of the optical waveguide. Optical element.
【請求項6】前記厚膜材料あるいは厚膜レジストで形成
したガイド穴は、該光導波体の外形に合わせてある部分
とともに、その外形とは異なる溝パターンをも形成して
いる請求項1乃至4の何れかに記載の面型光素子。
6. The guide hole formed of the thick film material or the thick film resist forms a groove pattern different from the outer shape together with a portion corresponding to the outer shape of the optical waveguide. 5. The surface-type optical element according to any one of 4.
【請求項7】前記ガイド穴の光導波体の外形に合わせて
ある部分と溝パターンは連続して形成されている請求項
6記載の面型光素子。
7. The surface type optical element according to claim 6, wherein a portion of the guide hole corresponding to the outer shape of the optical waveguide and the groove pattern are formed continuously.
【請求項8】前記面型光素子は複数アレイ化され、それ
に対応してガイド穴も共にアレイ化して形成されている
請求項1乃至7の何れかに記載の面型光素子。
8. The surface optical device according to claim 1, wherein a plurality of said surface optical devices are arrayed, and corresponding guide holes are also arrayed.
【請求項9】前記複数の面型光素子は面型発光素子の
み、面型受光素子のみ、あるいは面型発光素子と面型受
光素子の組み合わせである請求項8記載の面型光素子。
9. The surface type optical device according to claim 8, wherein the plurality of surface type optical devices are only a surface type light emitting device, only a surface type light receiving device, or a combination of a surface type light emitting device and a surface type light receiving device.
【請求項10】前記面型光素子は垂直共振器型の面発光
レーザである請求項1乃至9の何れかに記載の面型光素
子。
10. The surface optical device according to claim 1, wherein said surface optical device is a vertical cavity surface emitting laser.
【請求項11】前記面発光レーザは、活性層、共振器
層、およびブラッグ反射ミラー層のみの機能層が残され
ている請求項10記載の面型光素子。
11. The surface-type optical device according to claim 10, wherein the surface-emitting laser has a functional layer including only an active layer, a resonator layer, and a Bragg reflection mirror layer.
【請求項12】前記面型光素子は、成長基板を除去或い
は薄膜化して薄膜型になっている請求項1乃至10の何
れかに記載の面型光素子。
12. The surface-type optical device according to claim 1, wherein the surface-type optical device has a thin film type by removing or thinning a growth substrate.
【請求項13】前記面型光素子は、成長基板がそのまま
残されている請求項1乃至10の何れかに記載の面型光
素子。
13. The surface optical device according to claim 1, wherein the growth substrate is left as it is.
【請求項14】請求項1乃至13記載の面型光素子が、
実装基板に、駆動が可能なように電気的接続を有して実
装され、前記ガイド穴に光導波体を固定して成ることを
特徴とする面型光素子実装体。
14. A surface optical device according to claim 1, wherein:
A surface-type optical element mounting body, which is mounted on a mounting board with electrical connection so as to be drivable, and wherein an optical waveguide is fixed to the guide hole.
【請求項15】前記実装基板は、他の光素子あるいは電
子素子をハイブリッドに集積することができ、ヒートシ
ンク機能を持つ実装基板である請求項14記載の面型光
素子実装体。
15. The surface-type optical element mounting body according to claim 14, wherein the mounting substrate is a mounting substrate on which other optical elements or electronic elements can be integrated in a hybrid manner and has a heat sink function.
【請求項16】前記面型光素子が複数アレイ化され、光
導波体も同時にアレイ化してなる請求項14または15
記載の面型光素子実装体。
16. The optical device according to claim 14, wherein a plurality of said planar optical elements are arrayed, and optical waveguides are also arrayed simultaneously.
The surface-type optical element mounted body according to the above.
【請求項17】前記光導波体は、ポリマーを含む光ファ
イバで構成される請求項14、15または16記載の面
型光素子実装体。
17. The surface-type optical element mounting body according to claim 14, wherein the optical waveguide is composed of an optical fiber containing a polymer.
【請求項18】前記光導波体は、石英を含む光ファイバ
で構成される請求項14、15または16記載の面型光
素子実装体。
18. The surface-type optical element package according to claim 14, wherein the optical waveguide is composed of an optical fiber containing quartz.
【請求項19】請求項14乃至18の何れかに記載の面
型光素子実装体を作製する方法において、ウエハ状の実
装基板に配線パターンを形成する工程、少なくとも1つ
の面型光素子を逐次、実装基板の複数箇所に、実装する
工程、各面型光素子上に厚膜材料でガイド穴を形成する
工程、必要な電子デバイス等を必要な位置に逐次フリッ
プチップ実装した後に必要な大きさの実装体に複数切り
出す工程、最後に光導波体をガイド穴に差し込んで固定
する工程を含むことを特徴とする面型光素子実装体の作
製方法。
19. A method for manufacturing a surface-type optical element mounted body according to claim 14, wherein a step of forming a wiring pattern on a wafer-like mounting substrate includes the step of sequentially performing at least one surface-type optical element. , The process of mounting on multiple locations on the mounting board, the process of forming guide holes with a thick film material on each surface type optical element, the required size after the necessary electronic devices etc. are sequentially flip-chip mounted at the required positions 2. A method for manufacturing a surface-type optical element mounting body, comprising: a step of cutting out a plurality of mounting bodies, and finally, a step of inserting and fixing an optical waveguide in a guide hole.
【請求項20】電子機器内のボードに接続リードを介し
て実装して、ボード間の信号の授受を光で行う光配線装
置において、請求項14乃至18の何れかに記載の面型
光素子実装体に面型光素子駆動用電子回路も集積化して
おり、電気的接触を得るための接続リードを固定する台
座に該光実装体を実装して光接続モジュールを構成して
いることを特徴とする光配線装置。
20. A planar optical device according to claim 14, wherein the optical interconnection device is mounted on a board in an electronic device via a connection lead and transmits and receives signals between the boards by light. An electronic circuit for driving a surface-type optical element is also integrated on the mounting body, and the optical mounting module is configured by mounting the optical mounting body on a pedestal for fixing connection leads for obtaining electrical contact. Optical wiring device.
【請求項21】請求項14乃至18の何れかに記載の面
型光素子実装体を面型光素子駆動用電子回路上に実装し
て電気コネクタ内に収めて、該駆動用電子回路への電気
接続を脱着可能なコネクタ用の接続ピンで行い、電子機
器同志の信号の授受を光で行うことを特徴とする光配線
装置。
21. The surface-type optical element mounting body according to claim 14, mounted on an electronic circuit for driving a surface-type optical element, housed in an electrical connector, and mounted on the electronic circuit for driving. An optical wiring device, wherein an electrical connection is made by a connection pin for a detachable connector, and a signal between electronic devices is transmitted and received by light.
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