JP4532688B2 - Device with surface optical element - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバなどの光導波体を光学的に結合できる面型光素子、面型光素子と光導波体を低コストで光学的に結合した光実装体、その作製方法、およびそれを用いた光配線装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、高速光接続のための光モジュールが開発されている。しかし、光素子と光ファイバなどの光伝送体との結合に関しては、特に、低コスト化、高性能化などの観点から課題が多い。
【0003】
光素子として、受光素子では、作製の容易性や感度などの点で面型の素子が主に使用されているが、光ファイバと該面型素子の主面とで光結合させる場合に、受光素子を動作させないでアライメントするパッシブアライメントが低コスト化のためには必須である。そのための手法として、一般には固定部材を作製して組み立てるという方法が用いられている。しかし、固定部材の機械精度が要求され、その弾性係数や熱膨張係数などに制約があり、また部品点数も多くなるために、コスト低減が困難であった。特に、コスト低減のためにプラスティックモールドなどを用いると、光結合の歩留まりや長期信頼性に欠けるという問題点がある。
【0004】
発光素子においても、基板面から垂直に光出射を行う垂直共振器型面発光レーザが、光伝送モジュールの低消費電力化、低コスト化の観点で改善できる可能性があり、盛んに研究されている。該面発光レーザでは、1mA以下の低しきい値で駆動でき、ウエハレベルの検査が可能で、へき開精度を必要としないため、低コスト化が可能である。このような面発光レーザと光ファイバとの光結合においても上記と同様な問題が生じている。
【0005】
そこで、光ファイバとの結合のためのガイド穴をホトリソグラフィの精度で作製する方法が提案されている。例えば特開平8-111559号公報では、図11に示すように、面型受光素子もしくは発光素子を作製した基板1021側に光ファイバ1037を固定するための穴をエッチングにより形成するものが開示されている。尚、図11において、1022は光吸収層、1023と1027はDBRミラー、1024と1026はクラッド層、1025は活性層、1028はコンタクト層、1032はSiO2層、1033と1035は電極、1036は反射防止膜である。
【0006】
また、特開平6-237016号公報にも、図12に示すように、面発光レーザ1203の裏面側に、基板をエッチングしたガイド穴1209を形成して光ファイバ1210を固定する方法が開示されている。これらの場合、部品点数を減少させることができ、組み立ても非常に簡単なので、低コスト化が可能である。尚、図12において、1201は電子回路基板、1202は発光チップ、1204はトランジスタ、1205と1206と1207はトランジスタ電極、1208は絶縁層、1211は接着剤である。
【0007】
しかしながら、基板に穴を開ける方法では、光ファイバと受光部あるいは発光部との距離の制御が難しく、ファイバを結晶に突き当てたときに結晶にダメージが入るために素子を劣化させてしまう恐れがあった。そこで、特開平6-237016号公報の発明では、ガイド穴1209に順テーパ形状をつけてファイバが結晶面と接触しない様にガイド穴先端の径を小さくしたり(図12参照)、完全にエピ層までエッチングせずに基板をわずかに残した状態でエッチングを止めるなどの方法が用いられていた。
【0008】
一方、面型光素子が形成された表面側にファイバ固定用の部材を直接固定して、光ファイバを実装する方法も提案されている。例えば、特開平11-307869号公報においては、図13に示すように、面発光レーザ素子2018の表面にファイバ固定部材2014を嵌合させるための突起2022、2023を設け、面発光レーザ2018の発光部に対応する位置にガイド穴を構成したものが開示されている。尚、図13において、2012はモジュール基板、2016は光ファイバ、2024はファイバ挿入孔、2026と2027はガイド孔である。
【0009】
【発明が解決しようとしている課題】
しかしながら、エッチングでガイド穴を作製する場合、その深さは通常100μm以上になるため、テーパ形状や穴径の制御性には問題があり、歩留まりを向上させることは困難であった。また、基板を残す場合には基板での光の吸収の問題があって、使用できる波長帯には制限があった。
【0010】
一方、光ファイバ固定用ブロックを用いる場合では、上記のような作製上の問題は生じないが、部品点数とその加工工程が増えてしまうために、必ずしも低コスト化ができなかった。
【0011】
このような課題に鑑み、本発明の目的は、光ファイバなどの光導波体を固定するガイド穴を形成して、部品点数の増加やプロセス制御性の向上を必要とせずに、光導波体と面型光素子のアライメント精度を向上させ、このことから、光導波体の固定作業も容易にして生産性を向上させ、低コスト化を図り、更に、面型光素子と光導波体の間の距離を自由に設定でき、実装の容易性、自由度を向上させる構造を提供することにある。さらに、このような実装するための構造体を量産できる作製方法、低コスト化が可能な光実装体、およびこれを用いた光配線装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明の面型光素子を備える装置においては、面型光素子の表面に厚膜材料により直接ホトリソグラフィによって、ファイバなどの光導波体を差し込むためのガイド穴となる構造体を作り込むことで、上記課題を解決するものである。すなわち、本発明の発光または受光が可能な面型光素子を備える装置は、基板と、前記基板上に設けられた前記面型光素子と、前記面型光素子の上部に設けられた第1の穴と該第1の穴の上部に設けられた光導波体を差し込むための第2の穴とを有し前記基板に対して該面型光素子が設けられている側の面に配された部材と、を備え、前記光導波体と前記面型光素子との接触を防止するために前記第1の穴の径は該光導波体の径より小さい径であり、前記部材は、光感光性あるいは電子ビーム硬化性を持ちホトリソグラフィでパターニングすることで選択的に硬化が可能な材料(ポリマー化が可能な厚膜レジストなど)を硬化させることにより形成してあることを特徴とする。
【0013】
前記厚膜材料ないし厚膜レジストの厚さとしては、10μm(これは石英シングルモードファイバのコア程度である)〜1000μm(これはアクリル材料によるプラスチックファイバ(POF)のコア程度である)がよく、さらに望ましくは50μmから500μm程度のものが好適に用いられる。ファイバなどの光導波体のサイズとして、125μm程度から1mm程度までどのようなサイズでも適用可能である。厚膜材料ないし厚膜レジストは通常のホトリソグラフィ工程でプロセスを行うため、面型光素子とガイド穴中心位置を精度良く合わせることが簡単にできる。そのため、ガイド穴を形成した構造体をアライメントして接着する工程などを省くことができる。
【0014】
穴径の制御性や形状制御も厚膜材料ないし厚膜レジストの特性から優れており、基板エッチングにより穴を開ける方法に比べて工程が簡単になる。
【0015】
面型光素子については、面発光レーザや面型受光素子などが用いられ、実装基板に必要なチップサイズ、アレイ数の素子を実装してから成長基板を除去して薄膜型にすることで、実装基板をハンドリング基板として用いることもできる。これにより、面型光素子のウエハから取り得る収率が増大して低コスト化することができる。
【0016】
また、前記面型光素子は複数アレイ化され、それに対応してガイド穴も共にアレイ化して形成されたり、前記複数の面型光素子は面型発光素子のみ、面型受光素子のみ、あるいは面型発光素子と面型受光素子の組み合わせであったり、前記面型光素子は垂直共振器型の面発光レーザであったり、面発光レーザは、活性層、共振器層、およびブラッグ反射ミラー層のみの機能層が残されているものであったり、前記面型光素子は、成長基板を除去或いは薄膜化して薄膜型になっていたり、成長基板がそのまま残されているものであったりする。
【0017】
ファイバなどの光導波体端面と面型光素子の距離については、厚膜材料ないし厚膜レジストを2層にして、1層目の厚みで距離をコントロールするようにすれば、制御性、自由度を向上させることができる。すなわち、前記厚膜材料あるいは厚膜レジストは、前記光導波体のサイズより小さく光のみが透過できる穴を形成した第1層と、該第1層上に形成され該光導波体を固定するためのガイド穴を形成した第2層から成り、第1層の厚さで前記面型光素子と該光導波体の端面の距離を規定する様にできる。
【0018】
光導波体ガイド穴の形状についてもホトマスクの設計次第で自由に設定することができ、固定用接着剤の逃げを作り込んだり、光導波体とガイド穴が嵌合しやすいように設計すること(例えば、ガイド穴をテーパ状にする)も可能である。すなわち、前記厚膜材料あるいは厚膜レジストで形成したガイド穴は、該光導波体の外形に合わせてある部分のみを形成して成ったり、該光導波体の外形に合わせてある部分とともに、その外形とは異なる溝パターンをも形成して成ったり、この場合、前記ガイド穴の光導波体の外形に合わせてある部分と溝パターンは連続して形成されたりする。
【0019】
更に、本発明の面型光素子実装体は、上記の面型光素子が、実装基板に、駆動が可能なように電気的接続を有して実装され、前記ガイド穴に光導波体を固定して成ることを特徴とする。
【0020】
前記実装基板は、他の光素子あるいは電子素子をハイブリッドに集積することができ、ヒートシンク機能を持つ実装基板であったりする。
【0021】
前記面型光素子は複数アレイ化され、光導波体も同時にアレイ化し得る。前記光導波体は、ポリマーを含む光ファイバで構成されたり、石英を含む光ファイバで構成されたりする。
【0022】
更に、本発明の上記の面型光素子実装体を作製する方法は、ウエハ状の実装基板に配線パターンを形成する工程、少なくとも1つの面型光素子を逐次、実装基板の複数箇所に、実装する工程、各面型光素子上に厚膜材料でガイド穴を形成する工程、必要な電子デバイス等を必要な位置に逐次フリップチップ実装した後に必要な大きさの実装体に複数切り出す工程、最後に光導波体をガイド穴に差し込んで固定する工程を含むことを特徴とする。
【0023】
更に、本発明の光配線装置は、電子機器内のボードに接続リードを介して実装して、ボード間の信号の授受を光で行う光配線装置であって、上記の面型光素子実装体に面型光素子駆動用電子回路も集積化しており、電気的接触を得るための接続リードを固定する台座に該光実装体を面実装して光接続モジュールを構成していることを特徴としたり、上記の面型光素子実装体を面型光素子駆動用電子回路上に実装して電気コネクタ内に収めて、該駆動用電子回路からの電気接続を、脱着可能なコネクタ用の接続ピンで行い、電子機器同志の信号の授受を光で行うことを特徴とする。
【0024】
このように、厚膜レジストないし厚膜材料を用いて面型光素子と光導波体を結合させた光実装体を、電子回路と集積化させて、送受信を備えた光インターコネクション装置として用いることができる。その場合、電子回路ボード間の光配線、電子機器間の光接続などに利用でき、電磁放射ノイズを抑えながら1chあたり1Gbps以上で多チャンネルの大容量高速伝送を低コストで実現することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を用いて本発明の実施例で発明の実施の形態を説明する。
【0026】
(第1の実施例)
本発明による第1の実施例を斜視図である図1に示す。750μmピッチで4つにアレイ化された面発光レーザ5が、実装基板1に、共通電極2を介してボンディングされている。各素子5の素子分離溝が8で示され、発光点に相当する部分が6で示されている。面発光レーザ5を駆動するための電気配線は、共通電極用の配線10と独立駆動用の配線9が実装基板1上に形成されている。面発光レーザ駆動用の独立電極25が配線9と接続されている。また、面発光レーザ駆動用のドライバIC12が同一実装基板1上にフリップチップ実装されている。ドライバIC12は配線13により他の電子デバイス等に接続される。
【0027】
ガイド穴4に挿入する光ファイバとしては、500μm径のプラスティックオプティカルファイバ(POF)16が用いられている。POF16は、プラスティックモールドで形成されたV溝を持つ固定治具14と平坦治具15によりサンドイッチされて、接着剤17により固定されている。このV溝によって、POF16のピッチおよび中心位置の整列が行えるようになっている。POF16の先端は、固定治具14、15で形成される面よりも図1に示すように突き出た形になっており、本実施例では突き出し量を500μmとした。4本のPOF16は、固定治具14、15を用いて接着固定したあとナイフで一括切断して、端面を研磨により平坦化されている。平坦化はPOF16であることから、加熱された平坦面に押し付けて行なってもよい。また、適当な曲面形状にして、反射を防ぐとともに、レンズ効果が生じるようにしてもよい。
【0028】
本実施例で用いたPOF16は、1.3μm帯まで伝送可能な全フッ素化ポリマーを用いたファイバ(旭ガラス製、商品名ルキナ)としたが、重水素化ポリマーを用いたものや、UV硬化樹脂を用いたものなど、材料には制限はない。また、コアを石英としたものや、すべて石英で構成されたファイバでも勿論よく、ファイバ径に応じてガイド穴4の径や固定治具14のV溝の形状を設計すればよい。
【0029】
一方、本発明の特徴となる光ファイバ用のガイド穴4は、面発光レーザ5の各発光点6の中心が光ファイバ16のコア中心と一致するように、厚膜レジスト3で形成されている。図1では分かりやすいように透視斜視図としている。この厚膜レジスト3は、実装基板1上に直接スピンコーターなどで塗布して、ホトリソグラフィを行うことでパターン形成している。パターン合わせは、面発光レーザ5の表面に形成した電極25と合わせるマークをホトマスク上に形成しておけば、発光点6の中心とガイド穴4の中心を数μm以下の位置精度で一致させることができる。
【0030】
本実施例では、厚膜レジスト3としてMicroChem社のSU8-50を用いた。スピンコートにより200μmの厚さで塗布し、ホットプレート上において90℃でプリベークを行った。3mm×1mmの外枠サイズで、750μmピッチで520μmの円形パターンを持つように、ホトマスクを用いて上記のようなパターン合わせを行いながら、アライナで露光を行った。次に、再びホットプレート上で90℃で露光後ベークを行なった後、現像液によってレジストの現像を行った。現像後のリンスはイソプロピルアルコールで行い、溶剤を完全に蒸発させるためにオーブンで90℃のベークを行った。以上のように厚膜レジスト3の工程は低温で行えるため、光素子5や電気コンタクトなどに損傷を与えることなく、ガイド穴4を形成できる、厚膜レジスト3としては、ここではSU8を用いたが、これに限定されるものではない。
【0031】
接着材をガイド穴4に塗布した後、固定治具に固定されたPOF16を差し込むことで、容易に光結合が達成できる。接着材には、その屈折率をPOF16に近づけた材料で、熱硬化性または紫外線硬化性の光学接着剤を用いた。ファイバ端面でレンズ効果を持たせる場合には、屈折率が異なる材料を用いてもよい。また、面発光レーザ出射面には、反射を抑えるためにSiOxなどで無反射コーティング(不図示)を行ってもよい。
【0032】
次に、1つの素子の断面図である図2(図4のA-A’断面)を用いて、面発光レーザ5とPOF16との結合部について説明する。
【0033】
本実施例で用いた面発光レーザ5の詳細は後に説明するが、厚膜レジスト3の工程が行い易いように成長基板を除去して、機能層のみを転写して薄膜化した構造としている。機能層は、活性層を含む1波長共振器23をAlGaAs多層膜からなるp-DBRミラー22およびn-DBRミラー24で挟んだ構造となっており、厚さは約7μmである。p-DBRミラー22側に電流狭窄のためのエアポスト28を15μmφの円形に加工し、周りはポリイミド27で埋め込んで平坦化している。活性層近傍には、Alモル分率が0.95以上のAlGaAs層のみを横方向に選択的に水蒸気酸化してAlxOy層29を形成してあり、電流注入領域のアパーチャサイズを3μmφ程度にして、発振しきい値を1mA以下にしている。
【0034】
p-DBRミラー22側に共通電極20を形成し、基板1表面の電極パッド2の上にAuSnはんだ等で接着している。接着はAu同志の圧着でもよい。n側の電極25は、各素子に独立に電流注入できるように、n-DBRミラ−24表面のGaAs基板(不図示)を除去して現れた表面上に形成している。この表面に絶縁膜26を形成して、光取り出し部31およびコンタクトホール32を形成し、基板1の表面に形成する配線9とのコンタクトを取るようにしている。なお、配線9は面発光レーザ5の側壁も介して段差配線するため、レーザ5の側壁およびp側の共通電極パッド2の上が絶縁膜26で覆われている必要がある。このような絶縁膜形成には、例えば旭化成製PIMELのような感光性ポリイミドが好適に用いられ、厚さは1μmとした。
【0035】
POF16は、図2のように端面が素子表面に突き当たる位置(この例では電極25上の配線9)で固定される。従って、面発光レーザの結晶表面に直接当たることはなく、ダメージ等を与えることはない。
【0036】
一方、面発光レーザから発生する熱は、電極パッド2を介して実装基板1に放熱するようにしている。そのため実装基板1の材質としては、AlN、または表面にAl203などの絶縁薄膜を形成したSiが好適に用いられる。
【0037】
次に、図3を参照して本実施例に用いた薄膜型の面発光レーザの作製工程を説明する。ここでは簡単化のため2つの素子のアレイで説明する。
【0038】
(a)において、n-GaAs基板30上に、n-DBRミラー24、GaAs/ AlGaAsの3量子井戸から成る活性層を含みAlGaAsから成る1波長共振器層23、p-DBRミラー22、p-GaAsコンタクト層(不図示)を有機金属気相成長法などにより結晶成長する。エアポスト28をCl2を用いた反応性エッチングにより形成し、すでに述べた選択酸化層29を水蒸気による酸化により形成する。その後、SiNx膜21で絶縁膜を形成してポリイミド27で平坦化を行い、共通電極20を成膜する。共通電極20としては例えばTi/Auを用いることができる。
【0039】
(b)において、(a)で作製したウエハ上の素子を基板30の研磨で100μm程度にしてから適当な大きさに切り出し、実装基板1上に形成した電極パッド2の上に、Au-Auの圧着(超音波でアシストしてもよい)で、あるいはAuSnはんだで、接着を行う。このとき電極パッド2はTi/Pt/Auから成り、最表面はAuとなっている。
【0040】
(c)において、GaAs基板30をH2O2とNH3の混合液を用いてエッチングし、n-DBRミラー24の第1層であるAlAsでエッチングがストップされる。その後、HClによってA1Asを除去して現れたn-GaAs層上に、独立電極25を形成する。独立電極25には、例えばAuGe/Ni/Auを用いることができる。その後、コンタクトのために380℃程度でアニールを行う。
【0041】
(d)において、感光性ポリイミドで電極コンタクトのためのホール32および光取り出し窓31を形成しながら、全体をポリイミド26でコーティングするようにする。配線9をTi/Auなどでリフトオフ法等で形成すれば、図4の平面図のような実装基板1上に薄膜型面発光レーザ5が形成された状態となる。
【0042】
上記では、1つのチップについての作製工程について述べたが、実際には生産性の向上のためにウエハレベルの工程が必要になる。その様子を説明するものが図5である。面発光レーザが作製されたGaAsウエハ50から、必要な大きさのレーザチップ51(上記の実施例では1×4アレイ)を切り出し、表面にAl2O3膜および電極パッド2を必要な領域54に複数形成したSiウエハ52に接着する。このとき、フリップチップボンダー装置でウエハ52上の必要な位置54にアライメントをしながら逐次ボンディングを行う。レーザの薄膜化プロセス、配線プロセスおよび厚膜レジスト3によるファイバガイド穴4の形成は、この状態で一括してホトリソグラフィおよびエッチング工程で行う。
【0043】
次に、レーザ駆動用のSi-IC53をフリップチップホンダーで逐次ボンディングする。最後に、破線55のように1つ1つのチップにダイシングすれば、一括して複数のチップが形成できる。
【0044】
なお、ここまでの例では、面発光レーザ5および光ファイバ16のアレイ数を4つとした例を示してきたが、もちろんこの数には限定はない。4つ以上でもよいし、1つの面発光レーザと1本の光ファイバのみとしたものでもよい。また、面型受光素子に適用することもできる。
【0045】
光実装体としては、送信側において面発光レーザだけが集積されたもの、受信側において面型受光素子のみが集積されたもの、あるいは送受信の両方を備えた光実装体とするもののいずれでもよい。送信デバイス、受信デバイスが分かれている場合には一方向伝送となり、他方、送・受信デバイスが1つのモジュール内に収められていれば、双方向伝送が可能となる。
【0046】
(第2の実施例)
本発明の第2の実施例は、GaAs基板を除去した薄膜型の面発光レーザではなく、GaAs基板上に作製した通常の面発光レーザを用いた例に係わる。面発光レーザの断面構造は、プロセスを説明する図の図3(a)に示されるものとほぼ同じで、p側の電極の構造が光取り出し用の窓を設けたことと、素子間で電極分離するところが異なる。
【0047】
図8に本実施例の斜視図を示す。面発光レーザ84の切り出しサイズが大きくなったこと、レーザ84とIC12の配線81をワイヤボンディングで行った以外は、図1の構成とほぼ同じであり、同一部分の説明は省略する。
【0048】
GaAs基板上に作製された面発光レーザ84の表面には、絶縁膜上にp電極兼電気配線および電極パッドとなるTi/Au82が形成されている。そのp電極の発光点83に相当するところには光取り出し窓が形成されている。IC12と電気的に接合している実装基板1上の電極パッド80とp電極82の間は、ワイヤボンディング81で配線されている。この配線はフレキシブル配線板などを用いてもよい。
【0049】
ファイバガイド穴4を構成する厚膜レジスト3は、GaAs基板上で面発光レーザおよびp電極を形成してから、チップに切り出す前に一括して表面上に形成している。従って、面発光レーザ84のチップを実装基板1上に実装したあとのホトリソグラフィ等のプロセスはなく、一括リフロー(はんだの加熱)による表面実装およびワイヤボンディングなどによる配線があるだけである。
【0050】
本実施例では、GaAsウエハからのチップ切り出しサイズが第1の実施例より大きいため、レーザウエハから得られるレーザの個数すなわち収率が低減して実装体のコストが上昇する。また、カソードコモンとして駆動するために第1の実施例のようなアノードコモンタイプに比べて駆動の高速性に劣る。
【0051】
しかし、本実施例における構造では、プロセス工程が少なくなって作製コストの低減および歩留まりの向上が可能となるので、アレイ数が少なく622Mbps程度の伝送の場合には適している。
【0052】
(第3の実施例)
本発明による第3の実施例では、厚膜レジストを2段構成にして、面発光レーザの出射面とファイバ端面との距離を規定するものである。図6を用いてこれを説明する。
【0053】
ファイバガイド穴63を2層目の厚膜レジスト61で形成し、ファイバ16の径よりも細い300μmφの穴62を形成した厚膜レジスト60が1層目となっている。これは、第1の実施例と同様の厚膜レジストパターニング工程を2回繰り返すことで構成することができる。この場合、いずれのレジスト膜厚も200μmとした。これによって、ファイバ16をガイド穴63に突き当てで実装する場合に、レーザ素子等に衝突してダメージを与えることを緩和させることができる。また、ファイバ16との光結合にはレンズで集光させることが望ましいが、ボールレンズ等を1層目の厚膜レジスト60の穴に入れることでこれを達成できる。特に、受光素子とファイバ16との結合においては有効である。
【0054】
また、この方法では、一層目の厚膜レジスト60の厚さを制御することで、自由にファイバ端面と面発光レーザ端面との距離を設定できる。
【0055】
(第4の実施例)
図7に本発明の第4の実施例の厚膜レジスト70のパターンの平面図を示す。ファイバを実装するガイド穴72の他に溝71を形成している。
【0056】
この溝71を形成することで、厚膜レジスト70の現像時間を早める効果、下地とのストレスの緩和の効果、および固定用の接着剤の逃げとしての作用などがある。さらに、ファイバをガイド穴72に入れるときに嵌合しやすいという利点もある。
【0057】
厚膜レジストを用いてファイバガイド穴を形成する方法の場合、このようにホトマスクのパターンを変えることで自由にパターン形状を設計できる。たとえば、ファイバ径の異なるもの(1mmφ、500μmφ、250μmφなど)を集積化させたり、ファイバ以外の矩形の導波路フィルム等を同様に嵌合するようなガイド溝を形成してここに導波路フィルム等を固定することもできる。
【0058】
(第5の実施例)
本発明による第5の実施例は、以上述べてきた光実装体をモジュール化してできた高速光配線装置に関するものである。
【0059】
図9は、第1、第2、第3の実施例のような厚膜レジストによるガイド穴によって、面発光レーザや面型受光素子とファイバが固定された実装体を用いたコネクタモジュールを示している。図9(a)において、94は4本のファイバを束ねたリボンファイバで、95はPOF、96はPOF固定用治具、93は全体をカバーしてPOF95の固定強度を強めるものである。また、92は図1で示した実装基板1であるが、周辺回路も同時に形成してチップ抵抗やコンデンサも集積化している。更に、90は接続用リード91を固定する台座であり、実装基板92の裏面と接着して、実装基板92の電極パッドとリード91のトップとをワイヤボンディングで接続している。ファイバ95と実装基板92との間の固定はワイヤボンディングを行なってから最後に行う。接続用リード91と実装基板92の接続は、実装基板92にスルーホールを形成してフリップチップ実装で行ってもよい。
【0060】
一方、図9(b)、(c)には、このコネクタモジュールと回路基板97との実装形態を示す。(b)において、基板97上に、ソケット98をリード102とはんだ10で固定しており、コネクタモジュールの接続リード91とソケット98の板ばね99とで接触が得られるようになっており、脱着可能である。(c)においては、接続リード91を、直接、回路基板97にはんだ付け(103)するものである。
【0061】
このような構成にすることで、高速信号の伝送をボード間で行う場合の光配線装置を提供することができる。1chあたり1Gbpsを越えるような場合や、電磁放射ノイズが問題になるような場合に有効となる。
【0062】
図9(c)では回路基板97に固定することになるが、実装基板92とファイバ固定治具93との間を接着せず、厚膜レジスト100のガイド穴のところで脱着可能にしてもよい。その場合、ファイバ固定治具93の外枠にツメなどを設けて脱着可能な機械機構を形成すればよい。尚、101はカバーである。
【0063】
(第6の実施例)
本発明による第6の実施例は、第5の実施例のように光実装体の集積された光送受信モジュールを直接マザーボードに装着するのではなく、図10に示すように電気コネクタ110内に収めて、電気接続リード111を介してPCやモニタ、プリンタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどの電子機器のインターフェース部と脱着が可能なようにしている。この電気コネクタ110は必要な機器の規格に応じて作製することができる。例えば、PCと液晶モニタを接続するためのデジタルモニタインターフェースの規格に合わせて26ピンのMDRコネクタにしたり、IEEE1394やUSBなどの規格に合わせることも可能である。また、デジタル複写器のスキャナ部と感光部との内部接続などにも適用できる。これらの電子機器間の接続に本発明の光配線装置を用いることで、1チャンネルあたり1Gbpsから2.5Gbps程度で4〜5チャンネルの信号伝送が50m以上可能となる。こうして、電気ケーブルでは限界のある高速映像伝送に代わって使用することができる。また、光接続であるので伝送線路から発生する電磁放射ノイズがなく、特に高速デジタル伝送でのノイズ対策の軽減につなげられる。
【0064】
【発明の効果】
本発明によって以下のような効果が期待される。
光ファイバなどの光導波体と光素子のアライメント精度を向上させ、光ファイバなどの光導波体の固定作業も容易にして、生産性を向上させることができる。また、面型光素子を薄膜化することで光ファイバなどの光導波体との光結合をレンズレスで行う際の実装の容易性、設計の自由度を向上させることができる。
【0065】
さらに、このような実装するための構造体を量産できる作製方法を提供することで、低コスト化が可能な光実装体およびこれを用いた光配線装置を実現できる。従って、高速デジタル信号を扱う電子機器内のボード間、あるいは電子機器同志の信号接続において、電気接続では限界のある領域、すなわち50m以上で2.5Gbps程度の信号伝送が可能となり、大容量の映像伝送などを容易に、特別な電磁ノイズ対策などもなしに行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による第1実施例の面型光素子実装体を説明する斜視図である。
【図2】本発明による第1実施例における面型光素子実装体の断面図である。
【図3】本発明による面型光素子の作製方法を説明する断面図である。
【図4】本発明による面型光素子実装体の配線を説明する平面図である。
【図5】本発明による面型光素子実装体の作製方法を説明する斜視図である。
【図6】本発明による第3実施例の面型光素子実装体の断面図である。
【図7】本発明による第4実施例のガイド穴形状の平面図である。
【図8】本発明による第2実施例の面型光素子実装体を説明する斜視図である。
【図9】本発明による光接続モジュールを説明する図である。
【図10】本発明による光配線装置を示す斜視図である。
【図11】従来の面型光素子と光ファイバの結合を説明する断面図である。
【図12】従来の面型光素子と光ファイバの結合を説明する断面図である。
【図13】従来の面型光素子と光ファイバの結合を説明する図である。
【符号の説明】
1…実装基板
2、80…電極パッド
3、60、61、70、100…厚膜レジスト
4、63、72、1209…ファイバガイド穴
5、84…面型光素子
6、31、62、83…光透過窓
8…素子分離溝
9、10、13…電気配線
12、53…Si-IC
14、15、2014…ファイバ固定治具
16、95、1210、1037、2016…光ファイバ
17、1211…接着剤
20、25、1033、1035…電極
21、26、1208…絶縁膜
22、24、1023、1027…DBRミラー
23…活性層および共振器層
27…埋め込み層
28…エアポスト
29…選択酸化AlxOy
30、1021…基板
32…コンタクトホール
50…レーザウエハ
51…レーザチップ
52…実装用ウエハ
54…実装領域
55…ダイシングする切り取り線
71…溝
81…ワイヤ
90…接続リード固定用台座
91、111…接続リード
92…光実装体
93、96…ファイバ固定治具
94…ファイバアレイ
97…回路基板
98…ソケット
99…板ばね
101…カバー
102…接続ピン
103…はんだ
110…電気コネクタ
1022…光吸収層
1024、1026…クラッド層
1025…活性層
1028…コンタクト層
1032…Si02
1036…反射防止膜
1201…電子回路基板
1202…発光チップ
1203、2018…面発光レーザ
1204…トランジスタ
1205、1206、1207…トランジスタ電極
2012…モジュール基板
2022、2023…突起
2024…ファイバ挿入孔
2026、2027…ガイド孔
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a planar optical element capable of optically coupling an optical waveguide such as an optical fiber, an optical mounting body in which the planar optical element and the optical waveguide are optically coupled at low cost, a manufacturing method thereof, and The present invention relates to the optical wiring device used.
[0002]
[Prior art]
In recent years, optical modules for high-speed optical connection have been developed. However, there are many problems regarding the coupling between an optical element and an optical transmission body such as an optical fiber, particularly from the viewpoint of cost reduction and high performance.
[0003]
As a light receiving element, a surface type element is mainly used in terms of ease of manufacture and sensitivity. However, when an optical fiber is optically coupled to the main surface of the surface type element, the light receiving element receives light. Passive alignment that aligns elements without operating them is essential for cost reduction. As a technique for that purpose, a method of producing and assembling a fixing member is generally used. However, the mechanical accuracy of the fixing member is required, the elastic coefficient and the thermal expansion coefficient are limited, and the number of parts is increased, so that cost reduction is difficult. In particular, when a plastic mold or the like is used for cost reduction, there is a problem that the yield of optical coupling and long-term reliability are lacking.
[0004]
Also in light emitting devices, vertical cavity surface emitting lasers that emit light perpendicularly from the substrate surface can be improved in terms of reducing power consumption and cost of optical transmission modules. Yes. The surface emitting laser can be driven with a low threshold value of 1 mA or less, can perform wafer level inspection, and does not require cleavage accuracy, so that the cost can be reduced. The same problem as described above also occurs in the optical coupling between the surface emitting laser and the optical fiber.
[0005]
Therefore, a method has been proposed in which a guide hole for coupling with an optical fiber is produced with photolithography accuracy. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-111559, as shown in FIG. 11, a hole for fixing an optical fiber 1037 is formed by etching on a substrate 1021 side on which a surface light receiving element or a light emitting element is manufactured. Yes. In FIG. 11, 1022 is a light absorbing layer, 1023 and 1027 are DBR mirrors, 1024 and 1026 are cladding layers, 1025 is an active layer, 1028 is a contact layer, and 1032 is SiO.2Layers 1033 and 1035 are electrodes, and 1036 is an antireflection film.
[0006]
Japanese Patent Laid-Open No. 6-2371616 also discloses a method of fixing an optical fiber 1210 by forming a guide hole 1209 by etching a substrate on the back side of a surface emitting laser 1203 as shown in FIG. Yes. In these cases, the number of parts can be reduced and the assembly is very simple, so that the cost can be reduced. In FIG. 12, 1201 is an electronic circuit board, 1202 is a light emitting chip, 1204 is a transistor, 1205, 1206 and 1207 are transistor electrodes, 1208 is an insulating layer, and 1211 is an adhesive.
[0007]
However, in the method of making a hole in the substrate, it is difficult to control the distance between the optical fiber and the light receiving part or the light emitting part, and there is a possibility that the element is deteriorated because the crystal is damaged when the fiber is hit against the crystal. there were. Therefore, in the invention of Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-2371616, the guide hole 1209 is provided with a forward taper shape so that the diameter of the guide hole tip is reduced so that the fiber does not contact the crystal surface (see FIG. 12). A method has been used in which etching is stopped with the substrate remaining slightly without etching to the layer.
[0008]
On the other hand, a method of mounting an optical fiber by directly fixing a fiber fixing member on the surface side on which the surface optical element is formed has been proposed. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-307869, as shown in FIG. 13, projections 2022 and 2023 for fitting the fiber fixing member 2014 are provided on the surface of the surface emitting laser element 2018, and the surface emitting laser 2018 emits light. A guide hole is disclosed at a position corresponding to the portion. In FIG. 13, 2012 is a module substrate, 2016 is an optical fiber, 2024 is a fiber insertion hole, and 2026 and 2027 are guide holes.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the guide hole is formed by etching, the depth is usually 100 μm or more, so there is a problem in the controllability of the taper shape and the hole diameter, and it is difficult to improve the yield. Further, when the substrate is left, there is a problem of light absorption by the substrate, and the usable wavelength band is limited.
[0010]
On the other hand, in the case of using the optical fiber fixing block, the above-described manufacturing problems do not occur, but the number of parts and the processing steps increase, and thus the cost cannot always be reduced.
[0011]
In view of such a problem, an object of the present invention is to form a guide hole for fixing an optical waveguide such as an optical fiber, and without increasing the number of parts and improving process controllability, This improves the alignment accuracy of the surface optical element, which also facilitates the fixing work of the optical waveguide to improve the productivity and reduce the cost, and further, between the surface optical element and the optical waveguide. The object is to provide a structure in which the distance can be set freely and the ease of mounting and the degree of freedom are improved. It is another object of the present invention to provide a manufacturing method capable of mass-producing such a structure for mounting, an optical mounting body capable of reducing costs, and an optical wiring device using the same.
[0012]
[Means and Actions for Solving the Problems]
Surface optical device of the present inventionA device comprisingIn the above, the above-mentioned problem is solved by forming a structure serving as a guide hole for inserting an optical waveguide such as a fiber directly on the surface of the surface optical element by photolithography using a thick film material. That is, the planar optical element capable of emitting or receiving light according to the present invention.A device comprisingIsIn order to insert a substrate, the planar optical element provided on the substrate, a first hole provided in the upper part of the planar optical element, and an optical waveguide provided in the upper part of the first hole And a member disposed on a surface on the side where the planar optical element is provided with respect to the substrate, the contact between the optical waveguide and the planar optical element The diameter of the first hole is smaller than the diameter of the optical waveguide, and the member isIt is formed by curing a material (such as a thick film resist that can be polymerized) that has photosensitivity or electron beam curability and can be selectively cured by patterning with photolithography. .
[0013]
The thickness of the thick film material or thick film resist is preferably 10 μm (this is about the core of a quartz single mode fiber) to 1000 μm (this is about the core of a plastic fiber (POF) made of acrylic material), More desirably, a material having a thickness of about 50 μm to 500 μm is preferably used. As the size of the optical waveguide such as a fiber, any size from about 125 μm to about 1 mm is applicable. Since the thick film material or the thick film resist is processed in a normal photolithography process, it is easy to accurately align the surface optical element and the center position of the guide hole. Therefore, it is possible to omit the step of aligning and bonding the structure in which the guide hole is formed.
[0014]
The controllability and shape control of the hole diameter are also excellent from the characteristics of the thick film material or the thick film resist, and the process becomes simpler than the method of making a hole by substrate etching.
[0015]
For surface-type optical elements, surface-emitting lasers, surface-type light-receiving elements, etc. are used, and by mounting elements of the required chip size and number of arrays on the mounting substrate, removing the growth substrate to make it a thin film type, The mounting board can also be used as a handling board. As a result, the yield that can be obtained from the wafer of the surface optical element can be increased and the cost can be reduced.
[0016]
In addition, a plurality of the surface optical elements are arrayed and correspondingly formed with an array of guide holes, or the plurality of surface optical elements are only a surface light emitting element, only a surface light receiving element, or a surface. Type light emitting element and surface type light receiving element, the surface type optical element is a vertical cavity type surface emitting laser, or the surface emitting laser is only active layer, resonator layer, and Bragg reflection mirror layer The functional layer may be left, or the planar optical element may be a thin film type by removing or thinning the growth substrate, or the growth substrate may be left as it is.
[0017]
As for the distance between the end face of an optical waveguide such as a fiber and a planar optical element, if two layers of thick film material or thick film resist are used and the distance is controlled by the thickness of the first layer, controllability and flexibility Can be improved. That is, the thick film material or the thick film resist is formed on the first layer in which a hole smaller than the size of the optical waveguide and through which only light can pass is formed, and for fixing the optical waveguide. The thickness of the first layer defines the distance between the surface optical element and the end face of the optical waveguide.
[0018]
The shape of the optical waveguide guide hole can also be set freely depending on the design of the photomask, and it should be designed so that the fixing adhesive escapes or the optical waveguide and the guide hole are easily fitted ( For example, the guide hole may be tapered. That is, the guide hole formed of the thick film material or the thick film resist forms only a portion that matches the outer shape of the optical waveguide, or along with the portion that matches the outer shape of the optical waveguide. A groove pattern different from the outer shape is also formed, or in this case, the portion of the guide hole that matches the outer shape of the optical waveguide and the groove pattern are formed continuously.
[0019]
Furthermore, the surface optical device mounting body of the present invention is mounted on the mounting substrate with electrical connection so that the surface optical device can be driven, and the optical waveguide is fixed to the guide hole. It is characterized by comprising.
[0020]
The mounting substrate may be a mounting substrate that can integrate other optical elements or electronic elements in a hybrid manner and has a heat sink function.
[0021]
A plurality of the planar optical elements are arrayed, and the optical waveguides can be arrayed simultaneously. The optical waveguide may be composed of an optical fiber containing a polymer or an optical fiber containing quartz.
[0022]
Furthermore, in the method for producing the above-described surface-type optical element mounting body according to the present invention, a step of forming a wiring pattern on a wafer-shaped mounting substrate, and at least one surface-type optical element is sequentially mounted at a plurality of locations on the mounting substrate. A step of forming a guide hole with a thick film material on each surface type optical element, a step of sequentially flip-chip mounting a required electronic device, etc. at a required position, and then cutting out a plurality of mounting bodies of a required size, and finally And a step of inserting and fixing the optical waveguide into the guide hole.
[0023]
Furthermore, an optical wiring device according to the present invention is an optical wiring device that is mounted on a board in an electronic device via a connection lead, and transmits and receives signals between the boards by light, and the above-described planar optical element mounting body In addition, an electronic circuit for driving a planar optical element is also integrated, and the optical mounting body is surface-mounted on a pedestal for fixing a connection lead for obtaining electrical contact, thereby forming an optical connection module. Or mounting the above-mentioned surface-type optical element mounting body on the surface-type optical element driving electronic circuit and placing it in an electrical connector so that the electrical connection from the driving electronic circuit can be removed. It is characterized by the fact that signals are exchanged between electronic devices using light.
[0024]
As described above, an optical mounting body in which a planar optical element and an optical waveguide are combined using a thick film resist or a thick film material is integrated with an electronic circuit and used as an optical interconnection device equipped with transmission and reception. Can do. In that case, it can be used for optical wiring between electronic circuit boards, optical connection between electronic devices, and the like, and high-capacity high-speed transmission of multiple channels at 1 Gbps or more per channel can be realized at low cost while suppressing electromagnetic radiation noise.
[0025]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0026]
(First embodiment)
A first embodiment according to the present invention is shown in FIG. Four surface emitting lasers 5 arrayed at a pitch of 750 μm are bonded to the mounting substrate 1 via the common electrode 2. An element isolation groove of each element 5 is indicated by 8, and a portion corresponding to the light emitting point is indicated by 6. As for the electric wiring for driving the surface emitting laser 5, a common electrode wiring 10 and an independent driving wiring 9 are formed on the mounting substrate 1. An independent electrode 25 for driving the surface emitting laser is connected to the wiring 9. Further, a driver IC 12 for driving the surface emitting laser is flip-chip mounted on the same mounting substrate 1. The driver IC 12 is connected to another electronic device or the like by the wiring 13.
[0027]
As an optical fiber to be inserted into the guide hole 4, a plastic optical fiber (POF) 16 having a diameter of 500 μm is used. The POF 16 is sandwiched between a fixing jig 14 having a V groove formed by a plastic mold and a flat jig 15 and fixed by an adhesive 17. By this V groove, the pitch and the center position of the POF 16 can be aligned. The tip of the POF 16 protrudes from the surface formed by the fixing jigs 14 and 15 as shown in FIG. 1, and in this embodiment, the protrusion amount is 500 μm. The four POFs 16 are bonded and fixed using the fixing jigs 14 and 15 and then collectively cut with a knife, and the end surfaces are flattened by polishing. Since the planarization is the POF 16, it may be performed by pressing against a heated flat surface. Further, an appropriate curved surface shape may be used to prevent reflection and to produce a lens effect.
[0028]
The POF 16 used in this example is a fiber (made by Asahi Glass, trade name Lucina) using a fully fluorinated polymer that can transmit up to 1.3 μm band. There are no limitations on materials such as those using resin. Of course, the core may be quartz or a fiber made entirely of quartz, and the diameter of the guide hole 4 and the shape of the V groove of the fixing jig 14 may be designed according to the fiber diameter.
[0029]
On the other hand, the guide hole 4 for the optical fiber, which is a feature of the present invention, is formed of the thick film resist 3 so that the center of each light emitting point 6 of the surface emitting laser 5 coincides with the core center of the optical fiber 16. . In FIG. 1, a perspective view is shown for easy understanding. The thick film resist 3 is applied directly on the mounting substrate 1 by a spin coater or the like, and is subjected to photolithography to form a pattern. For pattern matching, if a mark to be aligned with the electrode 25 formed on the surface of the surface emitting laser 5 is formed on the photomask, the center of the light emitting point 6 and the center of the guide hole 4 are made to coincide with each other with a positional accuracy of several μm or less. Can do.
[0030]
In this example, SU8-50 manufactured by MicroChem was used as the thick film resist 3. The film was applied by spin coating to a thickness of 200 μm, and prebaked at 90 ° C. on a hot plate. Exposure was performed with an aligner while performing the above pattern alignment using a photomask so as to have a circular pattern of 520 μm at a 750 μm pitch with an outer frame size of 3 mm × 1 mm. Next, post-exposure baking was performed again at 90 ° C. on a hot plate, and then the resist was developed with a developer. The development was rinsed with isopropyl alcohol, and baked at 90 ° C. in an oven to completely evaporate the solvent. As described above, since the process of the thick film resist 3 can be performed at a low temperature, the guide hole 4 can be formed without damaging the optical element 5 or the electrical contact. As the thick film resist 3, SU8 is used here. However, the present invention is not limited to this.
[0031]
After the adhesive is applied to the guide hole 4, the optical coupling can be easily achieved by inserting the POF 16 fixed to the fixing jig. As the adhesive, a thermosetting or ultraviolet curable optical adhesive which is a material having a refractive index close to that of POF 16 was used. When the lens effect is given to the fiber end face, materials having different refractive indexes may be used. In addition, the surface emitting laser exit surface is made of SiO to suppress reflection.xFor example, non-reflective coating (not shown) may be performed.
[0032]
Next, the joint between the surface emitting laser 5 and the POF 16 will be described with reference to FIG. 2 (A-A ′ section in FIG. 4) which is a sectional view of one element.
[0033]
Although details of the surface emitting laser 5 used in this embodiment will be described later, the growth substrate is removed so that the thick film resist 3 can be easily processed, and only the functional layer is transferred to form a thin film. The functional layer has a structure in which the one-wavelength resonator 23 including the active layer is sandwiched between the p-DBR mirror 22 and the n-DBR mirror 24 made of an AlGaAs multilayer film, and has a thickness of about 7 μm. On the p-DBR mirror 22 side, an air post 28 for current confinement is processed into a circular shape of 15 μmφ, and the periphery is embedded with polyimide 27 to be flattened. In the vicinity of the active layer, only an AlGaAs layer having an Al mole fraction of 0.95 or more is selectively steam-oxidized in the lateral direction to produce Al.xOyThe layer 29 is formed, the aperture size of the current injection region is about 3 μmφ, and the oscillation threshold is 1 mA or less.
[0034]
A common electrode 20 is formed on the p-DBR mirror 22 side, and is bonded onto the electrode pad 2 on the surface of the substrate 1 with AuSn solder or the like. Bonding may be performed by Au bonding. The n-side electrode 25 is formed on the surface that appears after removing the GaAs substrate (not shown) on the surface of the n-DBR mirror 24 so that current can be injected independently into each element. An insulating film 26 is formed on this surface, a light extraction portion 31 and a contact hole 32 are formed, and contact is made with the wiring 9 formed on the surface of the substrate 1. Since the wiring 9 is stepped via the side wall of the surface emitting laser 5, the side wall of the laser 5 and the p-side common electrode pad 2 must be covered with the insulating film 26. For such an insulating film formation, for example, photosensitive polyimide such as PIMEL manufactured by Asahi Kasei is suitably used, and the thickness is set to 1 μm.
[0035]
The POF 16 is fixed at a position (in this example, the wiring 9 on the electrode 25) where the end face abuts against the element surface as shown in FIG. Therefore, it does not directly hit the crystal surface of the surface emitting laser and does not cause damage or the like.
[0036]
On the other hand, heat generated from the surface emitting laser is radiated to the mounting substrate 1 via the electrode pads 2. Therefore, the mounting substrate 1 is made of AlN or Al on the surface.20ThreeSi having an insulating thin film formed thereon is preferably used.
[0037]
Next, a manufacturing process of the thin film type surface emitting laser used in this embodiment will be described with reference to FIG. Here, for the sake of simplification, an array of two elements will be described.
[0038]
In (a), on an n-GaAs substrate 30, an n-DBR mirror 24, an active layer made of three quantum wells of GaAs / AlGaAs, a one-wavelength resonator layer 23 made of AlGaAs, a p-DBR mirror 22, a p- A GaAs contact layer (not shown) is crystal-grown by metal organic chemical vapor deposition. Air post 28 is Cl2The selective oxidation layer 29 described above is formed by oxidation with water vapor. Then SiNxAn insulating film is formed with the film 21 and planarized with polyimide 27 to form the common electrode 20. For example, Ti / Au can be used as the common electrode 20.
[0039]
In (b), the element on the wafer manufactured in (a) is cut to an appropriate size after polishing the substrate 30 to about 100 μm, and Au—Au is formed on the electrode pad 2 formed on the mounting substrate 1. Adhesion is performed by pressure bonding (which may be assisted by ultrasonic waves) or by AuSn solder. At this time, the electrode pad 2 is made of Ti / Pt / Au, and the outermost surface is Au.
[0040]
In (c), the GaAs substrate 30 is replaced with H.2O2And NHThreeEtching is performed using the mixed solution of the above, and the etching is stopped by AlAs which is the first layer of the n-DBR mirror 24. Thereafter, the independent electrode 25 is formed on the n-GaAs layer that appears after removing A1As with HCl. For the independent electrode 25, for example, AuGe / Ni / Au can be used. Thereafter, annealing is performed at about 380 ° C. for contact.
[0041]
In (d), the whole is coated with polyimide 26 while forming holes 32 and light extraction windows 31 for electrode contact with photosensitive polyimide. When the wiring 9 is formed of Ti / Au or the like by a lift-off method or the like, the thin film surface emitting laser 5 is formed on the mounting substrate 1 as shown in the plan view of FIG.
[0042]
In the above description, the manufacturing process for one chip has been described. However, a wafer level process is actually required to improve productivity. FIG. 5 illustrates this state. A laser chip 51 (1 × 4 array in the above embodiment) of a necessary size is cut out from the GaAs wafer 50 on which the surface emitting laser is fabricated, and Al is formed on the surface.2OThreeA plurality of films and electrode pads 2 are bonded to a Si wafer 52 formed in a necessary region 54. At this time, sequential bonding is performed while aligning at a required position 54 on the wafer 52 with a flip chip bonder device. In this state, the laser thinning process, wiring process, and formation of the fiber guide hole 4 by the thick film resist 3 are performed by photolithography and etching processes.
[0043]
Next, the Si-IC 53 for driving the laser is sequentially bonded with a flip chip bonder. Finally, by dicing into individual chips as shown by the broken line 55, a plurality of chips can be formed at once.
[0044]
In the examples so far, the example in which the number of arrays of the surface emitting lasers 5 and the optical fibers 16 is four has been shown, but of course there is no limitation to this number. There may be four or more, or only one surface emitting laser and one optical fiber. It can also be applied to a surface light receiving element.
[0045]
The optical mounting body may be either one in which only a surface emitting laser is integrated on the transmission side, one in which only a surface light receiving element is integrated on the reception side, or an optical mounting body having both transmission and reception. When the transmission device and the reception device are separated, the transmission is performed in one direction. On the other hand, when the transmission / reception device is housed in one module, bidirectional transmission is possible.
[0046]
(Second embodiment)
The second embodiment of the present invention relates to an example in which a normal surface emitting laser manufactured on a GaAs substrate is used instead of a thin film type surface emitting laser from which the GaAs substrate is removed. The cross-sectional structure of the surface emitting laser is almost the same as that shown in FIG. 3A for explaining the process. The place to separate is different.
[0047]
FIG. 8 shows a perspective view of the present embodiment. Except for the fact that the cut-out size of the surface emitting laser 84 is increased and that the wiring 84 of the laser 84 and the IC 12 is performed by wire bonding, the configuration is substantially the same as in FIG.
[0048]
On the surface of the surface emitting laser 84 fabricated on the GaAs substrate, Ti / Au 82 serving as a p-electrode and electric wiring and an electrode pad is formed on an insulating film. A light extraction window is formed at a position corresponding to the light emission point 83 of the p electrode. A wire bonding 81 is used between the electrode pad 80 and the p-electrode 82 on the mounting substrate 1 that is electrically bonded to the IC 12. A flexible wiring board or the like may be used for this wiring.
[0049]
The thick film resist 3 constituting the fiber guide hole 4 is formed on the surface in a lump after the surface emitting laser and the p-electrode are formed on the GaAs substrate and before being cut into chips. Therefore, there is no process such as photolithography after the surface emitting laser 84 chip is mounted on the mounting substrate 1, and there is only wiring by surface mounting by batch reflow (heating of solder) and wire bonding.
[0050]
In this embodiment, since the chip cut-out size from the GaAs wafer is larger than that in the first embodiment, the number of lasers obtained from the laser wafer, that is, the yield is reduced, and the cost of the mounting body is increased. Further, since it is driven as the cathode common, it is inferior in driving speed as compared with the anode common type as in the first embodiment.
[0051]
However, the structure in this embodiment is suitable for transmission with a small number of arrays and about 622 Mbps because the number of process steps is reduced, and the manufacturing cost can be reduced and the yield can be improved.
[0052]
(Third embodiment)
In the third embodiment of the present invention, the thick film resist is formed in two stages to define the distance between the emission surface of the surface emitting laser and the fiber end surface. This will be described with reference to FIG.
[0053]
The fiber guide hole 63 is formed by the second layer thick film resist 61, and the thick film resist 60 in which the hole 62 having a diameter of 300 μm smaller than the diameter of the fiber 16 is formed is the first layer. This can be configured by repeating the thick film resist patterning step similar to the first embodiment twice. In this case, any resist film thickness was 200 μm. As a result, when the fiber 16 is mounted in contact with the guide hole 63, it is possible to alleviate damage caused by colliding with the laser element or the like. Further, although it is desirable to collect light with a lens for optical coupling with the fiber 16, this can be achieved by inserting a ball lens or the like into the hole of the thick film resist 60 of the first layer. In particular, it is effective in coupling the light receiving element and the fiber 16.
[0054]
In this method, the distance between the fiber end face and the surface emitting laser end face can be set freely by controlling the thickness of the first layer thick film resist 60.
[0055]
(Fourth embodiment)
FIG. 7 shows a plan view of the pattern of the thick film resist 70 according to the fourth embodiment of the present invention. In addition to the guide hole 72 for mounting the fiber, a groove 71 is formed.
[0056]
By forming the groove 71, there are an effect of shortening the developing time of the thick film resist 70, an effect of relieving stress with the base, and an effect of escape of the fixing adhesive. Furthermore, there is also an advantage that when the fiber is inserted into the guide hole 72, it can be easily fitted.
[0057]
In the case of the method of forming the fiber guide hole using the thick film resist, the pattern shape can be freely designed by changing the pattern of the photomask in this way. For example, a guide groove that integrates different waveguide diameters (1 mmφ, 500 μmφ, 250 μmφ, etc.) or similarly fits a rectangular waveguide film other than the fiber is formed in the waveguide film. Can also be fixed.
[0058]
(Fifth embodiment)
The fifth embodiment according to the present invention relates to a high-speed optical wiring device obtained by modularizing the optical mounting body described above.
[0059]
FIG. 9 shows a connector module using a mounting body in which a surface emitting laser or a surface light receiving element and a fiber are fixed by a guide hole made of a thick film resist as in the first, second, and third embodiments. Yes. In FIG. 9A, 94 is a ribbon fiber in which four fibers are bundled, 95 is a POF, 96 is a POF fixing jig, and 93 is an entire cover that increases the fixing strength of the POF 95. Reference numeral 92 denotes the mounting substrate 1 shown in FIG. 1, in which peripheral circuits are formed at the same time to integrate chip resistors and capacitors. Further, reference numeral 90 denotes a pedestal for fixing the connection lead 91, which is bonded to the back surface of the mounting substrate 92 to connect the electrode pad of the mounting substrate 92 and the top of the lead 91 by wire bonding. The fixing between the fiber 95 and the mounting substrate 92 is finally performed after wire bonding. The connection lead 91 and the mounting substrate 92 may be connected by flip-chip mounting by forming a through hole in the mounting substrate 92.
[0060]
On the other hand, FIGS. 9B and 9C show how the connector module and the circuit board 97 are mounted. In (b), the socket 98 is fixed on the substrate 97 with the lead 102 and the solder 10, and contact can be obtained between the connector module connection lead 91 and the leaf spring 99 of the socket 98. Is possible. In (c), the connection lead 91 is soldered (103) directly to the circuit board 97.
[0061]
With such a configuration, it is possible to provide an optical wiring device when high-speed signal transmission is performed between boards. This is effective when exceeding 1Gbps per channel or when electromagnetic radiation noise becomes a problem.
[0062]
Although it is fixed to the circuit board 97 in FIG. 9C, the mounting board 92 and the fiber fixing jig 93 may not be bonded and may be detachable at the guide hole of the thick film resist 100. In that case, a removable mechanical mechanism may be formed by providing a claw or the like on the outer frame of the fiber fixing jig 93. Reference numeral 101 denotes a cover.
[0063]
(Sixth embodiment)
In the sixth embodiment according to the present invention, the optical transceiver module integrated with the optical mounting body is not directly mounted on the mother board as in the fifth embodiment, but is housed in the electrical connector 110 as shown in FIG. Thus, the interface portion of an electronic device such as a PC, a monitor, a printer, a digital camera, or a digital video camera can be attached / detached via the electrical connection lead 111. The electrical connector 110 can be manufactured according to the required equipment standard. For example, a 26-pin MDR connector can be used in accordance with a digital monitor interface standard for connecting a PC and a liquid crystal monitor, or a standard such as IEEE1394 or USB can be used. The present invention can also be applied to an internal connection between a scanner unit and a photosensitive unit of a digital copying machine. By using the optical wiring device of the present invention for connection between these electronic devices, signal transmission of 4 to 5 channels at 1 Gbps to 2.5 Gbps per channel becomes possible at 50 m or more. Thus, electrical cables can be used in place of the limited high-speed video transmission. In addition, since it is an optical connection, there is no electromagnetic radiation noise generated from the transmission line, which can reduce noise countermeasures particularly in high-speed digital transmission.
[0064]
【The invention's effect】
The following effects are expected by the present invention.
The alignment accuracy between the optical waveguide such as the optical fiber and the optical element can be improved, the fixing work of the optical waveguide such as the optical fiber can be facilitated, and the productivity can be improved. Further, by reducing the thickness of the planar optical element, it is possible to improve the ease of mounting and the degree of design freedom when performing optical coupling with an optical waveguide such as an optical fiber without a lens.
[0065]
Furthermore, by providing a manufacturing method capable of mass-producing such a structure for mounting, an optical mounting body capable of reducing the cost and an optical wiring device using the same can be realized. Therefore, in the signal connection between boards in electronic devices that handle high-speed digital signals, or in the signal connection between electronic devices, it is possible to transmit a signal with a limit of electrical connection, that is, about 2.5 Gbps over 50 m, and a large capacity video. Transmission can be easily performed without special countermeasures against electromagnetic noise.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view illustrating a surface optical element mounting body according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a surface optical element mounting body in a first embodiment according to the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a surface optical element according to the present invention.
FIG. 4 is a plan view for explaining wiring of a surface optical element mounting body according to the present invention.
FIG. 5 is a perspective view for explaining a method for producing a surface optical element mounting body according to the present invention.
FIG. 6 is a sectional view of a surface-type optical element mounting body according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a plan view of a guide hole shape according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a perspective view illustrating a surface type optical element mounting body according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram illustrating an optical connection module according to the present invention.
FIG. 10 is a perspective view showing an optical wiring device according to the present invention.
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating the coupling between a conventional surface optical element and an optical fiber.
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating the coupling between a conventional surface optical element and an optical fiber.
FIG. 13 is a diagram illustrating the coupling between a conventional surface optical element and an optical fiber.
[Explanation of symbols]
1 ... Mounting board
2, 80 ... Electrode pads
3, 60, 61, 70, 100 ... thick film resist
4, 63, 72, 1209 ... Fiber guide hole
5, 84... Planar optical element
6, 31, 62, 83 ... light transmission window
8 ... Element isolation groove
9, 10, 13 ... Electric wiring
12, 53 ... Si-IC
14, 15, 2014 ... Fiber fixing jig
16, 95, 1210, 1037, 2016 ... optical fiber
17, 1211 ... Adhesive
20, 25, 1033, 1035 ... electrode
21, 26, 1208 ... insulating film
22, 24, 1023, 1027 ... DBR mirror
23 ... Active layer and resonator layer
27 ... buried layer
28 ... Air post
29 ... Selective oxidation AlxOylayer
30, 1021 ... substrate
32 ... Contact hole
50 ... Laser wafer
51 ... Laser chip
52. Wafer for mounting
54 ... Mounting area
55 ... Cut line for dicing
71 ... Groove
81 ... Wire
90 ... Base for fixing connection leads
91, 111 ... connection lead
92 ... Optical mounting body
93, 96 ... Fiber fixing jig
94: Fiber array
97 ... Circuit board
98 ... Socket
99 ... leaf spring
101 ... Cover
102 ... Connection pin
103 ... Solder
110 ... electric connector
1022 ... Light absorption layer
1024, 1026 ... cladding layer
1025 ... Active layer
1028 ... Contact layer
1032 ... Si02
1036: Antireflection film
1201 ... Electronic circuit board
1202 ... Light emitting chip
1203, 2018 ... surface emitting laser
1204 ... Transistor
1205, 1206, 1207 ... transistor electrodes
2012 ... Module substrate
2022, 2023 ... projections
2024 ... Fiber insertion hole
2026, 2027 ... guide holes

Claims (4)

発光または受光が可能な面型光素子を備えた装置であって、
基板と、
前記基板上に設けられた前記面型光素子と、
前記面型光素子の上部に設けられた第1の穴と、該第1の穴の上部に設けられた光導波体を差し込むための第2の穴とを有し、前記基板に対して該面型光素子が設けられている側の面に配された部材と、を備え、
前記光導波体と前記面型光素子との接触を防止するために、前記第1の穴の径は該光導波体の径より小さい径であり、
前記部材は、光感光性あるいは電子ビーム硬化性を持ちホトリソグラフィでパターニングすることで選択的に硬化が可能な材料を硬化させることにより形成してあり、
前記部材に前記第2の穴が複数設けられ、該第2の穴同士が溝によって連結していることを特徴とする面型光素子を備えた装置。
A device including a surface optical element capable of emitting or receiving light,
A substrate,
The surface optical element provided on the substrate;
A first hole provided in an upper portion of the planar optical element; and a second hole into which an optical waveguide provided in the upper portion of the first hole is inserted. A member disposed on the surface on which the surface optical element is provided,
In order to prevent contact between the optical waveguide and the planar optical element, the diameter of the first hole is smaller than the diameter of the optical waveguide;
The member is formed by curing a material that has photosensitivity or electron beam curability and can be selectively cured by patterning with photolithography.
An apparatus comprising a planar optical element, wherein the member is provided with a plurality of the second holes, and the second holes are connected by a groove.
発光または受光が可能な面型光素子を備えた装置であって、
基板と、
前記基板上に設けられた前記面型光素子と、
前記面型光素子の上部に設けられた第1の穴と、該第1の穴の上部に設けられた光導波体を差し込むための第2の穴とを有し、前記基板に対して該面型光素子が設けられている側の面に配された部材と、を備え、
前記光導波体と前記面型光素子との接触を防止するために、前記第1の穴の径は該光導波体の径より小さい径であり、
前記部材は、光感光性あるいは電子ビーム硬化性を持ちホトリソグラフィでパターニングすることで選択的に硬化が可能な材料を硬化させることにより形成してあり、
前記部材の前記第2の穴と該部材の外部とが溝によって連結していることを特徴とする面型光素子を備えた装置。
A device including a surface optical element capable of emitting or receiving light,
A substrate,
The surface optical element provided on the substrate;
A first hole provided in an upper portion of the planar optical element; and a second hole into which an optical waveguide provided in the upper portion of the first hole is inserted. A member disposed on the surface on which the surface optical element is provided,
In order to prevent contact between the optical waveguide and the planar optical element, the diameter of the first hole is smaller than the diameter of the optical waveguide;
The member is formed by curing a material that has photosensitivity or electron beam curability and can be selectively cured by patterning with photolithography.
An apparatus comprising a planar optical element, wherein the second hole of the member and the outside of the member are connected by a groove.
前記部材の前記第2の穴と該部材の外部とが溝によって連結している請求項に面型光素子を備えた装置。The apparatus comprising a planar optical element according to claim 1 , wherein the second hole of the member and the outside of the member are connected by a groove. 前記部材は、前記第1の穴を形成した第1層と、該第1層上に形成され且つ前記第2の穴を形成した第2層と、から成り、該第1層の厚さで前記面型光素子と該光導波体の端面との間の距離を規定している請求項1から3のいずれか1項に記載の面型光素子を備えた装置。The member includes a first layer in which the first hole is formed, and a second layer formed on the first layer and in which the second hole is formed, and the thickness of the first layer is The apparatus provided with the surface type optical element of any one of Claim 1 to 3 which prescribes | regulates the distance between the said surface type optical element and the end surface of this optical waveguide body.
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