JP2002031904A

JP2002031904A - 画像形成方法及び画像形成装置

Info

Publication number: JP2002031904A
Application number: JP2000215934A
Authority: JP
Inventors: Tatsuji Okamura; 竜次岡村; Junichiro Hashizume; 淳一郎橋爪; Shigenori Ueda; 重教植田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-07-17
Filing date: 2000-07-17
Publication date: 2002-01-31

Abstract

(57)【要約】【課題】長期使用でも光受容部材に傷や摩耗が発生せ
ず、常に鮮明な画像が得られ、あらゆる環境下でも融着
やフィルミングによる画像不良が発生せず、高、中、低
速機まで幅広く適用でき、消費電力が少なく、高画質を
達成し得る画像形成方法及び画像形成装置を提供する。【解決手段】水素原子を３５乃至５５原子％含み、赤
外吸収スペクトルにおける２８５０ｃｍ^-1及び２９２０
ｃｍ^-1をピークとするそれぞれの波形の面積の和（Ａ）
及び３０００ｃｍ^-1及び３０５０ｃｍ^-1をピークとする
それぞれの波形の面積の和（Ｂ）の比が０．０１≦Ｂ／
Ａ≦０．５の関係を満たす非単結晶炭素により形成され
る表面層を少なくとも有する光受容部材と、ガラス転移
点温度が４０〜８０℃である結着樹脂、荷電制御剤、及
び４００〜１００００の範囲に分子量のメインピークを
有し示差熱分析の吸熱ピークが６０〜１５０℃の範囲に
一つは存在するワックスを少なくとも含むトナーとを用
いて、静電潜像を現像、転写、定着して画像を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光受容部材に関し、
更に詳しくは、最表面の層が非単結晶炭素からなる表面
層を用いる光受容部材に関する。更に本発明は、定着性
に優れたトナーを用いた画像形成プロセスにおいて、融
着、フィルミングの発生がなく、傷や摩耗が付きにく
く、耐刷性に優れ、長寿命で、電位特性の変動が少ない
画像形成方法及び画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】（１）画像形成装置従来、電子写真法としては、米国特許第２２９７６９２
号明細書、特公昭４２−２３９１０号公報及び特公昭４
３−２４７４８号公報に記載されている如く、多数の方
法が知られている。一般には光導電性物質を利用し、種
々の手段により光受容部材上に電気的潜像を形成し、つ
いで該潜像をトナーを用いて現像し、必要に応じて紙等
の転写材にトナー画像を転写した後、加熱、圧力、加熱
加圧または溶剤蒸気などにより定着し複写物を得るもの
である。この上記工程において、転写材へトナー画像を
転写した後でも光受容部材上には、未転写のトナーが残
るため、これまではクリーニング工程により該未転写ト
ナーを回収し、いわゆる廃トナーとして系外に排出して
いた。

【０００３】近年の情報処理量の増大にともない、コピ
ーボリュームの大きな複写機やレーザービームプリンタ
ー等の画像形成装置（すなわち大型の高速機）の需要が
さらに大きくなりつつある。光受容部材としては、高速
に対応した光受容部材特性の向上が要求されると共に、
より精彩な画質を要求される昨今においては、光受容部
材特性の改善はもとより、トナーの小粒径化が進めら
れ、コールターカウンター等による重量平均粒径が５〜
１１μｍであるものが多く使われている。

【０００４】一方、画像形成装置において光受容部材の
クリーニング性を向上する為に、特開昭５４−１４３１
４９に記載されている様な溝付きブレードや、特開昭５
７−１２４７７７に記載されている様な突起付きブレー
ド、等が考案されているが、プロセススピードが４００
ｍｍｓｅｃ以上で、定着性の向上した微粒子トナーとａ
−Ｓｉ光受容部材からなる画像形成装置に好適なクリー
ニングシステムについては、言及されていない。

【０００５】図１は複写機の画像形成プロセスの一例を
示す概略図であって、矢印Ｘ方向に回転する、面状内面
ヒータ１２３によって温度コントロールされた、光受容
部材１０１の周辺には、主帯電器１０２、静電潜像形成
部位１０３、現像器１０４、転写紙供給系１０５、転写
帯電器１０６（ａ）、分離帯電器１０６（ｂ）、クリー
ナー１０７、搬送系１０８、除電光源１０９などが配設
されている。

【０００６】以下、さらに具体例を挙げて画像形成プロ
セスを説明すると、光受容部材１０１は＋６〜８ｋＶの
高電圧を印加した主帯電器１０２により一様に帯電さ
れ、これに静電潜像形成部位、すなわちランプ１１０か
ら発した光が原稿台ガラス１１１上に置かれた原稿１１
２に反射し、ミラー１１３、１１４、１１５を経由し、
レンズユニット１１７のレンズ１１８によって結像さ
れ、ミラー１１６を経由し、導かれ投影された静電潜像
が形成される。この潜像に現像器１０４からトナーが供
給されてトナー像となる。

【０００７】一方、転写紙供給系１０５を通って、レジ
ストローラー１２２によって先端タイミングを調整さ
れ、光受容部材方向に供給される転写材Ｐは＋７〜８ｋ
Ｖの高電圧を印加した転写帯電器１０６（ａ）と光受容
部材１０１の間隙において背面から、トナーとは反対極
性の電界が与えられ、これによって光受容部材表面のト
ナー像は転写材Ｐに転移する。１２〜１４ｋＶｐ−ｐ、
３００〜６００Ｈｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離帯電
器１０６（ｂ）により、転写材Ｐは転写紙搬送系１０８
を通って定着装置（不図示）に至り、トナー像は定着さ
れて装置外に排出される。

【０００８】光受容部材１０１上に残留するトナーはク
リーナーユニット１０７のクリーニングブレード１２１
によってかき落とされ、残留する静電潜像は除電光源１
０９によって消去される。

【０００９】（２）光受容部材光受容部材に用いる素子部材としてはセレン、硫化カド
ミニウム、酸化亜鉛、フタロシアニン、アモルファスシ
リコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と記す）等、各種の材料が
提案されている。中でもａ−Ｓｉに代表される珪素原子
を主成分として含む非単結晶質堆積膜、例えば水素及び
／又はハロゲン（例えばフッ素、塩素等）で補償された
ａ−Ｓｉ等のアモルファス堆積膜は高性能、高耐久、無
公害な光受容部材として提案され、その幾つかは実用化
されている。こうした堆積膜の形成法として従来より、
スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方法
（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法（光
ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方法
（プラズマＣＶＤ法）等、多数知られている。

【００１０】中でもプラズマＣＶＤ法、即ち原料ガスを
直流又は高周波（ＲＦ、ＶＨＦ）、マイクロ波などのグ
ロー放電等によって分解し、ガラス、石英、耐熱性合成
樹脂フィルム、ステンレス、アルミニウム等の導電性基
体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は、光受容部材用
ａ−Ｓｉ堆積膜の形成方法等において現在、実用化が非
常に進んでおり、そのための装置も各種提案されてい
る。

【００１１】例えば特開昭５７−１１５５５１号公報に
は、シリコン原子を主体とし、水素原子またはハロゲン
原子の少なくともいずれか一方を含むアモルファス材料
で構成されている光導電層の上にシリコン原子及び炭素
原子を母体とし、水素原子を含む非光導電性のアモルフ
ァス材料で構成された表面障壁層を設けた光導電部材の
例が開示されている。

【００１２】また、特開昭６１−２１９９６１号公報に
は、ａ−Ｓｉ系の感光層の上に形成された表面保護層と
して、１０〜４０原子％の水素原子を含有するａ−Ｃ：
Ｈで構成された光受容部材の例が開示されている。

【００１３】特開平６−３１７９２０号公報では２０Ｍ
Ｈｚ以上の周波数の高周波を用い、シリコン原子を母体
とする非単結晶シリコン系材料からなる光導電層と、水
素原子含有量８〜４５原子％のａ−Ｃ：Ｈ表面保護層か
ら構成される光受容部材の製造方法が開示されている。

【００１４】また、特開昭６０−１８６８４９号公報に
は、原料ガスの分解源として、マイクロ波（例えば周波
数２．４５ＧＨｚを用いたマイクロ波プラズマＣＶＤ法
による頂部阻止層を持った光受容部材デバイスの形成方
法及び装置が開示されている。

【００１５】これらの技術により、光受容部材の電気
的、光学的、光導電率的特性及び使用環境特性、耐久性
が向上し、更に、画像品位の向上も可能になっている。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
画像形成装置は更に高性能化、高寿命化してきている。
このような環境のもと、これまで充分な性能を発揮して
きた画像形成装置といえども使用環境や設定される画像
品質如何によっては、検討を要する場合があった。

【００１７】例えば、近年の情報処理量の増大にともな
い、コピーボリュームの大きな複写機やレーザービーム
プリンター等の画像形成装置（すなわち大型の高速機）
の需要がさらに大きくなりつつある。言い換えれば、画
像形成装置はますます高速化されつつある。このように
高速化された画像形成装置において転写材にトナー画像
を定着させる能力は、定着器内で転写材のトナー画像に
いかに加熱するかに掛かっており、高速化に当たって、
転写材が定着器内を通過する時間が短くなると、定着器
の温度を上昇させなくてはならず、画像形成装置全体の
消費電力の約８割を占める定着器での消費電力を増加せ
ざるを得ない状況にある。

【００１８】こうした状況においても、市場ニーズとし
ての消費電力低減は重要な課題であるため、定着器の温
度をさほど上昇させなくても良好な定着性を得るため
に、トナー自体の定着性向上が進められている。また、
高速な画像形成装置のみならず、中速〜低速の画像形成
装置においても、近年のエコロジー対応の一環として省
エネルギー、省資源は、各方面から努力が続けられてお
り、その中の一つとして、定着器の省電力化が試みられ
ている。この場合もやはり定着器の温度を下げても良好
な定着性を得るために、従来のトナーよりも低い温度に
おいても良好な定着性を有する定着性の良いトナーの開
発が進められている。

【００１９】このような定着性の良いトナーは低融点の
材料（結着樹脂及び／又はワックス等）を含有し、比較
的低い温度の定着においても充分に溶融、定着するよう
に設計されるが、このような定着性の良いトナーを使用
する場合、画質、定着性に関しては実用上充分な性能が
得られるものの、その低融点の性質が光受容部材の表面
にも作用して融着という副作用を引き起こす場合があっ
た。

【００２０】融着とは、長期間の使用の間に光受容部材
表面にトナーが溶けて付着するもので、付着の程度によ
ってはベタ白画像やハーフトーン画像で融着跡が現れる
ため、実用上、支障を来すことになる。このように融着
が発生し、画像上に現れるとサービスマンが客先に出向
いてメンテナンスを行わなければならず、コストがかか
る。

【００２１】また、画像形成装置本体から光受容部材を
取り外してメンテナンスを行うため、その作業中に打痕
傷を付け、光受容部材を使用不能にしてしまう可能性も
あった。このような融着現象は画像形成装置を使用する
環境、トナーに含まれる成分、光受容部材の表面性、ク
リーナーの押し当て圧、プロセススピード等の組み合わ
せによっては、発生頻度が高まる場合があった。

【００２２】また、光受容部材としては、高速に対応し
た光受容部材特性の向上が要求されると共に、より精彩
な画質を要求される昨今においては、光受容部材特性の
改善はもとより、トナーの小粒径化が進められ、コール
ターカウンター等による重量平均粒径が３〜１１μｍで
あるものが多く使われている。

【００２３】しかし、粒径が小さいということも、融着
に対してはさらに不利な方向であるため、光受容部材に
トナーが付着しにくくしたり、付着してしまったトナー
を削りとる能力を高めるため、ブレードの硬度を高めた
り、押し当て圧を高めるなどの対策が必要となる。しか
し、ブレードの硬度を高めることは、ブレードの特性と
してはゴム的状態からガラス状態に近づく為、光受容部
材を削りやすくなる傾向があった。このような削れが発
生すると、ａ−Ｓｉ系の硬度の高い光受容部材において
は表面が滑らかには削れずに筋状のムラ削れが発生して
しまうことがあり、これは画像上に現れてしまうため、
ａ−Ｓｉ系の光受容部材では表面の削れが発生しない条
件で使用することが望ましかった。

【００２４】また、融着を防止する他の方法として、ト
ナー自体に研磨材として、シリカなどを添加したり、成
分を変えたり、分量を増したりする場合もある。トナー
自体に研磨材を含ませると、ドラム表面を擦る能力が高
まるため、溶けたトナーが付着しにくくなる。しかし、
このことは融着を防止する反面、副作用として、やはり
光受容部材表面を擦る力が強まるため、光受容部材表面
を削ることなく、融着のみ改善する範囲でバランスを取
ることが難しかった。

【００２５】本発明の目的は、耐久性、対環境性に優
れ、高画質を提供し得る優れた画像形成方法及び画像形
成装置を提供することにある。具体的には、本発明の目
的は、高速機から中、低速機まで幅広く適用できる、消
費電力が少なく、環境に優しい画像形成方法及び画像形
成装置を提供することにある。また、どのような環境下
においても融着やフィルミングによる画像不良が発生し
ない、高画質の画像形成方法及び画像形成装置を提供す
る。また、長期間に渡る使用においても、光受容部材に
傷や摩耗が発生せず、常に鮮明な画像が得られる、耐久
性に富んだ画像形成方法及び画像形成装置を提供する。

【００２６】

【課題を解決するための手段】本発明は、導電性基体
と、少なくとも水素原子及びハロゲン原子の少なくとも
一方を含むシリコン原子を母体とする非単結晶材料によ
り形成される光導電層と、水素原子を含有し、かつ水素
原子及びハロゲン原子の含有量が総量で３５乃至５５原
子％である非単結晶炭素により形成される表面層とを有
する光受容部材に静電潜像を形成し、トナーで該静電潜
像を現像し、現像された像を転写材に転写し、定着する
画像形成方法であって、前記非単結晶炭素は、赤外吸収
スペクトルにおける２８５０ｃｍ^-1及び２９２０ｃｍ^-1
をピークとするそれぞれの波形の面積の和をＡ、３００
０ｃｍ^-1及び３０５０ｃｍ^-1をピークとするそれぞれの
波形の面積の和をＢとしたとき、これらの面積の比（Ｂ
／Ａ）が０．０１≦Ｂ／Ａ≦０．５の関係を満たし、前
記トナーは、少なくとも結着樹脂、荷電制御剤及びワッ
クスを含むトナー粒子を有し、該トナー粒子の重量平均
粒径が３〜１１μｍであり、該結着樹脂のガラス転移点
温度が４０〜８０℃であり、該ワックスが分子量分布に
おいて分子量４００〜１００００の領域にメインピーク
を有し、該ワックスが示差熱分析における昇温時の吸熱
ピークを６０℃〜１５０℃の領域に少なくとも一つ有す
ることを特徴とする画像形成方法である。

【００２７】また、本発明は、上記光受容部材と上記ト
ナーとを使用する画像形成装置であって、該光受容部材
に静電潜像を形成し、トナーで該静電潜像を現像し、現
像された像を転写材に転写し、定着する画像形成装置を
提供する。

【００２８】先にも述べたように、画像形成装置のスピ
ードが上がった場合や、定着器の温度を下げた場合に定
着性を確保するために、近年、低融点の定着性の良いト
ナーが開発されつつある。しかし、これらのトナーを従
来のａ−Ｓｉ光受容部材に用いた場合、長期間にわたる
使用において融着やフィルミングという問題が発生する
場合がある。また、融着・フィルミングの防止と密接な
関係にあるクリーニング条件も鋭意検討されているが、
融着を完全に防止する条件に設定すると、逆に長期間に
わたる使用におい光受容部材表面に筋削れを発生させて
しまう場合があり、この場合、筋削れがハーフトーン画
像に現れてしまうため、画像品質上のトラブルに直結す
るという問題があった。

【００２９】我々は画像形成装置の高速化、低消費電力
化を達成する場合に発生するこの問題に対して、光受容
部材の表面特性を改良することで対処出来ないか鋭意検
討した。これらの対策としては、例えば光受容部材の最
表面をより滑りやすくすることにより、融着、フィルミ
ングを防止すると共に、より硬くして傷、摩耗を防ぐと
いう手法が考えられる。この目的に最適な材料を検討し
たところ、水素を含有したアモルファス炭素膜（以下、
ａ−Ｃ：Ｈ膜と呼ぶ）が最適であることが判明した。こ
のａ−Ｃ：Ｈ膜は別名ダイヤモンドライクカーボン（Ｄ
ＬＣ）と呼ばれるように非常に硬度が高く、また、特異
な固体潤滑性を持っているので上記の目的に使うために
は最適の材料と考えられる。

【００３０】そこで、本発明者らはａ−Ｃ：Ｈを表面層
に用いた光受容部材と定着性の良いトナーの組み合わせ
で融着・フィルミングの発生度合いについて鋭意検討を
行った。その結果、予想通り、従来のａ−ＳｉＣを用い
た表面層に比べて融着・フィルミング防止に著しい効果
が見られた。しかし、その効果は万全というわけではな
く、たとえば非常に高速の画像形成装置など、プロセス
スピードが大変速い装置などに応用した場合、やはり融
着、あるいはフィルミングが発生する場合があった。こ
の原因について詳細は不明だが、次のように予想してい
る。

【００３１】すなわち、画像形成装置のプロセススピー
ドが速くなると、相対的にクリーナー部分と光受容部材
の相対速度が高くなる。この場合、たとえａ−Ｃ：Ｈ膜
に固体潤滑性があるとはいえ、やはり多少の摩擦力が働
く。ａ−Ｓｉを用いた光受容部材のクリーニングメカニ
ズムとしては一般にクリーニングブレードが多く用いら
れているが、プロセススピードが速くなるとクリーニン
グブレードにビビリが発生している可能性がある。この
ようなビビリが発生するとクリーニングブレードと光受
容部材表面での圧縮効果が高くなり、トナーが強く光受
容部材表面に押しつけられるために融着やフィルミング
が発生しやすくなったのではないかと想像している。

【００３２】本発明者らはこの問題を解決するために更
に検討を進めた。その結果、融着・フィルミングの発生
率とａ−Ｃ：Ｈ表面層の組成（炭素原子と水素原子の結
合の仕方）に相関があることが判明した。すなわち、表
面層の赤外吸収スペクトルから得られる２８５０ｃｍ^-1
及び２９２０ｃｍ^-1をピークとするそれぞれの波形の面
積の和をＡ、３０００ｃｍ^-1及び３０５０ｃｍ^-1をピー
クとするそれぞれの波形の面積の和をＢとしたとき、
０．０１≦Ｂ／Ａ≦０．５とする場合に良好な結果が得
られた。

【００３３】我々は当初、感光体の寿命を追求するため
に出来るだけ高硬度な表面層を求め開発を進めてきた
が、融着やフィルミングといった問題がなかなか解決出
来なかった。融着やフィルミングは、膜の表面の摩擦量
と固体潤滑性と関係がある事は経験上分かっており、即
ち、現像剤が感光体表面に付着しにくい特性（表面摩擦
が小さく、固体潤滑性が高い）を得るためには膜中にほ
どよくグラファイト構造が混在させることが有効である
ことを実験により導き出した。

【００３４】更に我々は、上述のような表面層を得るた
めに、減圧可能な反応容器内で、高周波電力を印可する
カソード電極と対向する導電性基体との間にプラズマを
発生させ、基板温度が２０℃以上４００℃以下でかつ、
炭化水素の原料ガスに対して高周波電力（Ｗ）の比が１
ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｍａｌ）あたり１以上１００以下の
範囲で形成することで、更に厳しい条件下においても融
着の発生しにくい画像形成方法及び画像形成装置を得る
ことに成功した。

【００３５】本発明においては、上述の本発明の表面層
を用いた感光体と、少なくとも結着樹脂、荷電制御剤及
びワックスを含有し、該トナーの重量平均粒径が３〜１
１μｍであり、該結着樹脂のＴｇ（ガラス転移点温度）
が４０℃〜８０℃であり、該ワックスが分子量４００〜
１００００の領域にメインピークを有し、該ワックスが
示差熱分析における昇温時の吸熱ピークを６０℃〜１５
０℃の領域に少なくとも１つ有するトナーを組み合わせ
ることにより、以下のような相乗効果が得られるもので
ある。

【００３６】即ち、感光体表面の固体潤滑性及び表面硬
度を制御することにより、上述のトナーを用いても感光
体表面でのトナー成分の付着を抑制するために、融着の
開始点を与えず、さらに高硬度で削れにくいために耐久
性が良好で、摩擦係数が低いためにクリーニング機構に
かかる負荷が低減でき、長寿命化が可能になると考えら
れる。この結果、融着やフィルミングが発生しにくく、
長期に渡る使用においても感光体に傷や磨耗が発生しな
い。また、定着器の温度が比較的低い定着条件において
も常に鮮明な画像を得ることができ、定着器にかかる消
費電力が大幅に低減出来、省エネが可能となる画像形成
方法及び画像形成装置を提供できる。

【００３７】本発明は、以上の知見に基づいて完成され
たものである。以下に図面を用いて本発明を具体的に説
明する。

【００３８】

【発明の実施の形態】＜光受容部材＞図２〜図７は本発
明に使用される光受容部材を説明する模式図である。本
発明に使用される光受容部材は、図２に示すように、導
電性基体２０１の上に少なくとも水素原子及びハロゲン
原子の少なくとも一方を含むａ−Ｓｉからなる光導電層
２０２、非単結晶炭素からなる表面層２０３が積層され
た光受容部材である。表面層２０３は少なくとも水素原
子を含有しており、かつ、赤外吸収スペクトルから得ら
れる２８５０ｃｍ^-1及び２９２０ｃｍ^-1をピークとする
それぞれの波形の面積の和をＡ、３０００ｃｍ^-1及び３
０５０ｃｍ^-1をピークとするそれぞれの波形の面積の和
をＢとしたとき、０．０１≦Ｂ／Ａ≦０．５に制御され
ている。

【００３９】前記光受容部材には、図２〜図７に示され
るように、表面層及び光導電層の他に、他の機能を有す
る層を設けても良く、このような層としては、導電性基
体からの電荷の注入を阻止するための下部阻止層や、隣
接する二つの層の間に設けられて電気的な整合性等、該
二つの層の物性のギャップを調整するためのバッファ層
を例示することができる。なお導電性基体は、アルミニ
ウムやステンレス等の非磁性の金属導電体が好ましくは
使用される。

【００４０】図３は図２に示した光受容部材の表面層３
０３と光導電層３０２の間に、更にアモルファス炭化珪
素、アモルファス窒化珪素、アモルファス酸化珪素など
のバッファ層３０４を設けた場合の模式図である。

【００４１】図４は図２に示した光受容部材の光導電層
４０２と導電性基体４０１の間に、更に下部阻止層４０
５を設けた場合の模式図である。

【００４２】図５は導電性基体５０１、光導電層５０
２、表面層５０３に加えて更に下部阻止層５０５、バッ
ファ層５０４を設けた場合の模式図である。

【００４３】図６には光導電層を、光を受けて電荷を発
生する電荷発生層と、電荷発生層によって発生した電荷
を輸送する電荷輸送層の２つに機能分離している為、機
能分離型と呼ばれる光受容部材を示している。導電性基
体６０１の上にバンドギャップの広い電荷輸送層６０６
と、バンドギャップが狭く効率的に光を吸収できる電荷
発生層６０７との二つの層に機能分離された、少なくと
も水素及び／又はハロゲンを含むａ−Ｓｉからなる層が
堆積され、その上に非単結晶炭素からなる表面層６０３
が積層されている。ここで電荷輸送層６０６と電荷発生
層６０７の順序は、本模式図に示した順序だけではな
く、任意であってもよい。

【００４４】図７は導電性基体７０１、下部阻止層７０
５、電荷輸送層７０６、電荷発生層７０７、バッファ層
７０４、表面層７０３を順に設けた場合の模式図であ
る。本発明に使用される光受容部材は、図２〜図７に挙
げた形態に限定されず、それぞれの層は連続的な組成変
化を伴っていても良く、明確な界面を持たなくても良
い。以下、光受容部材の各層について説明する。

【００４５】＜表面層＞本発明によるところの表面層２
０３〜７０３は非単結晶質の炭素を含む。ここで言う非
単結晶炭素とは、黒鉛（グラファイト）とダイヤモンド
との中間的な性質を持つアモルファス状の炭素を主に表
しているが、微結晶や多結晶を部分的に含んでいても良
い。この表面層２０３〜７０３は自由表面を有し、主に
長期間の使用における融着や傷、摩耗の防止といった本
発明の目的を達成するために設けられる。

【００４６】本発明の効果を得るためには、更に表面層
２０３〜７０３中に水素原子及びハロゲン原子のうち少
なくとも水素原子を含有している必要がある。その理由
としては、水素原子を表面層中に含有させることで効果
的に膜中の構造欠陥が補償され、局在準位密度が低減す
ることにあると考えられる。この結果、膜の透明性が改
善され、表面層中では好ましくない不要の光吸収が抑え
られることによって光感度が改善する。また、膜中の水
素原子の存在が固体潤滑性に重要な役割を果たしている
といわれている。また上記ハロゲン原子も水素原子と同
様の効果を奏するものと考えられ、必要に応じて表面層
に含有させることができる。好ましいハロゲン原子とし
てはフッ素、塩素等を例示することができる。

【００４７】この水素原子及びハロゲン原子の総量の含
有量は３５原子％〜５５原子％である。含有量が３５原
子％よりも少ない場合、上記の効果が得られないことが
ある。また、５５原子％を越えて含有する場合、ａ−
Ｃ：Ｈ膜の硬度が低下し、光受容部材の表面層として適
さなくなることがある。

【００４８】表面層中における水素原子及びハロゲン原
子の含有量は、赤外分光光度計を用い、ピーク面積を測
定することにより求めることができる。このとき水素原
子の含有量は、原子パーセント（ａｔｏｍ％）で表さ
れ、ハロゲン原子の含有量も同様に表すことができる。

【００４９】また、本発明によるところの表面層は、表
面層を形成する非単結晶炭素が、赤外吸収スペクトルに
おける２８５０ｃｍ^-1及び２９２０ｃｍ^-1をピークとす
るそれぞれの波形の面積の和をＡ、３０００ｃｍ^-1及び
３０５０ｃｍ^-1をピークとするそれぞれの波形の面積の
和をＢとしたとき、これらの面積の比（Ｂ／Ａ）が０．
０１≦Ｂ／Ａ≦０．５、より好ましくは０．０３≦Ｂ／
Ａ≦０．３の関係を満たすことが融着やフィルミングの
発生を効果的に抑える上で重要である。

【００５０】上記Ｂ／Ａが０．０１≦Ｂ／Ａ≦０．５の
範囲であるとき融着やフィルミングの発生が押さえられ
る原因については想像の域を出ないが、以下のように考
えている。

【００５１】赤外吸収スペクトルから得られる２８５０
ｃｍ^-1及び２９２０ｃｍ^-1のピークは炭素原子の結合の
うちＳＰ３成分を表し、ダイヤモンドと同様の四面体構
造が主である。また、３０００ｃｍ^-1及び３０５０ｃｍ
^-1のピークは炭素原子の結合のうちＳＰ２成分を表し、
グラファイトに近い結合であることがわかっている。こ
のグラファイト成分が膜中にほどよく入る事で、高硬度
を維持しつつ、表面摩擦が小さく固体潤滑性に富んだ膜
が形成されていると考えている。

【００５２】Ｂ／Ａの値が０．０１よりも小さくなると
硬度的には固い膜が得られ易いが、表面摩擦が小さく固
体潤滑性に富んだ膜が得られにくくなり、融着・フィル
ミング防止効果が充分でないと考えられる。また、Ｂ／
Ａの値が０．５を超えると、表面摩擦が小さく固体潤滑
性に富んだ膜が得られるものの、高硬度を維持すること
が難しく、場合によっては感光体の筋削れ等の他の弊害
が生じてしまうと考えられる。

【００５３】上記Ｂ／Ａの値の求めかたは、赤外分光測
定用サンプルを、赤外分光光度計（Ｊａｓ.ｃｏ製、Ｆ
Ｔ／ＩＲ−６１５）に設置し、２８５０ｃｍ^-1及び２９
２０ｃｍ^-1付近および３０００ｃｍ^-1及び３０５０ｃｍ
^-1付近のそれぞれの中心波数をもとめ、それぞれを波形
分離し、各々の赤外吸収断面積を求め、Ｂ／Ａの値を求
める方法を用いた。赤外分光測定用サンプルは、表面層
の作製条件と同様の条件下で例えばシリコンウェハ等の
基板上にサンプル膜を形成することにより得ることがで
きる。

【００５４】上記赤外吸収断面積とは、赤外吸収スペク
トルにおいて、波形分離によって得られた波形を形成す
る曲線と、測定により決定されるベースラインとによっ
て囲まれた部分の面積である。

【００５５】表面層の光学的バンドギャップは一般には
１．２ｅＶ〜２．２ｅＶ（１．９×１０^-19Ｊ〜３．５
×１０^-19Ｊ）程度の値であれば好適に用いることが出
来、感度の点からは１．６ｅＶ以上とすることが更に望
ましい。

【００５６】また表面層の膜厚は５〜１０００ｎｍ、好
ましくは１０〜２００ｎｍである。５ｎｍより薄くなる
と機械的強度に問題が出ることがあり、１０００ｎｍを
超えると光感度の点で問題が発生することがある。

【００５７】上記表面層２０３〜７０３は原料ガスとし
ては常温常圧でガス状の炭化水素を用い、プラズマＣＶ
Ｄ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等に
よって作成可能であるが、プラズマＣＶＤ法を用いて作
成した膜は透明度、硬度共に高く、光受容部材の表面層
として用いるには好ましい。

【００５８】また、上記表面層２０３〜７０３を作成す
る際のプラズマＣＶＤ法に用いる放電周波数としては如
何なる周波数も用いることが出来、工業的にはＲＦ周波
数帯と呼ばれる１〜５０ＭＨｚ、特に１３．５６ＭＨｚ
の高周波が好適に用いることが出来る。また、特に５０
〜４５０ＭＨｚのＶＨＦと呼ばれる周波数帯の高周波を
用いた場合には、透明度、硬度共に更に高く出来るの
で、表面層としての使用に際してはより好ましい。

【００５９】より詳しくは、表面層は、前記導電性基体
が内部に設置された減圧可能な反応容器内に、炭化水素
及びそのハロゲン誘導体の少なくともいずれか一方の原
料ガスを前記反応容器内に導入し、高周波電力を印加す
るカソード電極と対向する導電性基体との間にプラズマ
を発生させ、該導電性基体の温度が２０乃至４００℃で
あり、かつ該原料ガスの流量に対する該高周波電力
（Ｗ）の比が１ｍＬ／ｍｉｎあたり１〜００の範囲で形
成されることが好ましい。

【００６０】導電性基体の温度が上記範囲よりも低すぎ
ると、堆積膜の形成が正常に行われなかったり、所望の
特性が得られないなどの不都合が生じるので好ましくな
く、導電性基体の温度が上記範囲よりも高すぎると、堆
積膜に剥がれなどが生じてしまう場合があるので好まし
くない。

【００６１】また、上記表面層の作製条件において、原
料ガスの流量に対して高周波電力の比が小さすぎると、
原料ガスの分解が十分に行なわれずポリマー状の堆積膜
を形成してしまう場合があり、堆積膜の硬度低下を引き
起こしてしまう場合がある。また、逆に高周波電力が大
きすぎると、堆積膜中の水素の離脱が促進されたり、グ
ラファイト化が促進され堆積膜が形成されなかったりす
る場合があり、堆積膜の透明度の低下による光受容部材
の感度特性の低下や、表面の固体潤滑性の低下が起こ
り、融着が発生し易くなる場合もある。

【００６２】前記原料ガスとして炭素供給用ガスとなり
得る物質としては、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等
のガス状態の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使
用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い
易さ、炭素供給効率の良さ等の点でＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆が好
ましいものとして挙げられる。また、これらの炭素供給
用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。

【００６３】また、水素供給用ガスとしては、Ｈ₂が挙
げられるが、上記炭素供給用の原料ガスが炭化水素であ
る場合では、前述した炭化水素類を炭素供給用かつ水素
供給用の原料ガスとしても使用することができる。ま
た、ハロゲン原子供給用ガスとしては、塩素、フッ素等
のハロゲンガス、及び上記炭化水素の水素原子が一部ま
たは全部ハロゲン原子に置換されたハロゲン化誘導体類
でガス状態の、またはガス化し得る化合物を使用するこ
とができる。これらの原料ガスについても、必要に応じ
て上記不活性ガス等により希釈して使用しても良い。

【００６４】放電空間の圧力については、炭化水素のよ
うに分解されにくい原料ガスで成膜する場合には気相中
での分解主同士の衝突があると、ポリマーが発生し易い
ため、比較的高真空が望ましい。通常のＲＦ（代表的に
は１３．５６ＭＨｚ）電力を用いる場合には１３．３Ｐ
ａ〜１３３０Ｐａ、ＶＨＦ帯（代表的には５０〜４５０
ＭＨｚ）を用いる場合には１３．３ｍＰａ〜１３３０Ｐ
ａ程度に保たれる。放電空間の圧力が上記範囲よりも小
さいと放電状態が不安定になったりする場合があり、膜
剥がれ等の不都合が生じるので好ましくなく、上記範囲
よりも大きすぎると、前記のようにポリマー状の膜にな
ってしまい、十分な特性の堆積膜が得られない場合があ
る。

【００６５】＜光導電層＞本発明に使用される光受容部
材における光導電層２０２〜７０２は、少なくとも水素
原子及びハロゲン原子のいずれか一方を含むシリコン原
子を母体とする非単結晶材料により形成される。水素原
子及びハロゲン原子は、シリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠であるからである。よって
水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子
とハロゲン原子の和の量は全原子の和に対して１０〜４
０原子％、より好ましくは１５〜２５原子％とされるの
が望ましい。

【００６６】光導電層は前述した表面層と同様に、プラ
ズマＣＶＤ法等によって作製することができ、光導電層
２０２〜７０２中に含有される水素原子及びハロゲン原
子の量を制御するには、例えば導電性基体の温度、水素
原子及びハロゲン原子を含有させるために使用される原
料物質（原料ガス）の反応容器内へ導入する量、放電電
力等を制御すればよい。

【００６７】シリコン原子供給用のガスとなり得る物質
としては、シラン、ジシラン等のガス状態の、またはガ
ス化し得る物質を有効に使用することができる。更に層
形成時における取り扱い易さやシリコン原子供給効率の
良さ等の点でシランガスが好ましいものとして挙げられ
る。これらの原料ガスは、前述した表面層における原料
ガスと同様に、水素や不活性ガス等により希釈して使用
しても良い。

【００６８】本発明においては、光導電層２０２〜７０
２には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させる
ことが好ましい。伝導性を制御する原子としては、前述
した表面層で用いられる原子を例示することができ、周
期律表第３ｂ族に属する原子、または周期律表第５ｂ族
に属する原子を用いることができる。光導電層２０２〜
７０２に含有される伝導性を制御する原子の含有量とし
ては、好ましくは１×１０^-2〜１×１０⁴原子ｐｐｍ、
より好ましくは５×１０^-2〜５×１０³原子ｐｐｍ、最
適には１×１０^-1〜１×１０³原子ｐｐｍとされるのが
望ましい。

【００６９】さらに本発明においては、光導電層２０２
〜７０２に炭素原子、酸素原子及び窒素原子の少なくと
も一種を含有させてもよい。炭素原子、酸素原子、及び
窒素原子の少なくとも一種の含有量は、光導電層の全原
子に対して好ましくは１×１０‐⁵〜１０原子％、より
好ましくは１×１０^-4〜８原子％、最適には１×１０^- ³
〜５原子％が望ましい。

【００７０】前述した原子の光導電層への導入について
は、前述したプラズマＣＶＤ法等で用いられる原料ガス
を利用することができ、炭素原子であれば例えば前述し
た炭化水素の原料ガスを使用することにより光導電層に
含ませることができる。酸素原子及び窒素原子であれ
ば、それぞれの二原子分子、または窒素酸化物等のガス
状の物質を使用することができる。また、酸素原子及び
窒素原子を含む炭化水素によってこれらの原子を光導電
層に含ませても良い。

【００７１】本発明において、光導電層２０２〜７０２
の層厚は所望の光受容部材特性が得られること及び経済
的効果等の点から適宜所望にしたがって決定され、好ま
しくは１０〜５０μｍ、より好ましくは２０〜４５μ
ｍ、最適には２５〜４０μｍとされるのが望ましい。

【００７２】本発明に使用される光受容部材は、前記光
導電層と前記表面層の間に、更にバッファ層を有しても
良い。このバッファ層は、シリコン原子を母体とし、さ
らに炭素原子、窒素原子、酸素原子から選ばれる少なく
とも一種以上の原子を含む非単結晶材料により形成され
ていることが好ましい。バッファ層も前述した層と同様
に、プラズマＣＶＤ法等により作製することができ、前
述した原料を使用して作製することができる。

【００７３】本発明に使用される光受容部材は、導電性
基体と光導電層との間に下部阻止層を設けても良い。下
部阻止層もシリコン原子を母体とし、水素原子を含有す
る非単結晶材料により形成されることが好ましい。下部
阻止層も前述した層と同様に、プラズマＣＶＤ法等によ
り作製することができ、また、前述した原子の他に、窒
素原子、酸素原子、ホウ素原子、リン原子等の他の原子
を含むことが好ましい。これらの原子の含有量は原子の
種類によって様々だが、数百ｐｐｍ〜数％程度であるこ
とが好ましい。また、これらの原子は、ガス状態または
ガス化し得る形態で下部阻止層の原料として用いること
ができる。

【００７４】以下に、本発明に使用される光受容部材の
製造方法を、添付した図面に基づきより具体的な製造装
置を示しつつ説明する。＜製造方法＞図８は本発明の画像形成装置に用いられる
アモルファスシリコンからなる光受容部材を製造するた
めに供される、高周波電源（以下「ＲＦ」と略記する）
を用いたブラズマＣＶＤ法による堆積装置の一例を模式
的に示した図である。この装置は原料ガスの供給を受け
て導電性基体上に非単結晶材料を堆積する堆積装置８１
００と、堆積装置８１００に原料ガスを供給する原料ガ
ス供給装置８２００とを有している。

【００７５】堆積装置８１００は、減圧可能な反応容器
８１１１と、反応容器内部に導電性基体を支持する基体
ホルダ８１２５と、基体ホルダに支持された導電性基体
を加熱する支持体加熱ヒータ８１１３と、反応容器内を
減圧するための真空ポンプ８１１７と、反応容器内に原
料ガスを導入するための原料ガス導入管８１１４と、反
応容器内の導電性基体に対向して設けられ高周波電力を
印加して導電性基体との間にプラズマを発生させるマッ
チングボックス８１１５とを少なくとも有している。反
応容器８１１１には開閉自在な上蓋８１２０が設けられ
ている。また、反応容器内と真空ポンプとを接続する配
管には、リークバルブ８１２３、真空計８１２４、及び
メイン排気バルブ８１１８が適宜設けられている。

【００７６】原料ガス供給装置８２００は、以下のよう
な構成となっている。図中の８２２１〜８２２６の原料
ガスボンベには、本発明の光受容部材を形成するための
原料ガス、例えば各々ＳｉＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、
ＮＯ、Ａｒなどが密封されており、あらかじめ、原料ガ
スボンベ８２２１〜８２２６を取りつける際に、各々の
ガスを、原料ガスボンベバルブ８２３１〜８２３６から
ガス流入バルブ８２４１〜８２４６を有するガス配管内
に導入してある。原料ガスボンベバルブとガス流入バル
ブとの間のガス配管には圧力調整器８２６１〜８２６６
が設けられており、ガス流入バルブ８２４１〜８２４６
よりも下流側のガス配管には、マスフローコントローラ
ー８２１１〜８２１６が設けられており、さらに下流側
にはガス流出バルブ８２５１〜８２５６が設けられてい
る。そしてガス流出バルブよりも下流側でガス配管は合
流しており、補助バルブ８２６０を通って堆積装置８１
００へ原料ガスが導入される構成となっている。

【００７７】光受容部材の製造は以下のように行われ
る。反応容器８１１１の上蓋８１２０を開けて、例えば
表面に旋盤を用いて鏡面加工を施したアルミニウムシリ
ンダ（円筒状の導電性支持体）８１１２を反応容器８１
１１内の基体加熱用ヒータ８１１３に挿入し、基体ホル
ダ８１２５によって固定、支持する。

【００７８】次に原料ガスボンベ８２２１〜８２２６の
原料ガスボンベバルブ８２３１〜８２３６、ガス流入バ
ルブ８２４１〜８２４６、反応容器８１１１のリークバ
ルブ８１２３が閉じられていることを確認し、又、ガス
流出バルブ８２５１〜８２５６、補助バルブ８２６０が
開かれていることを確認して、まずメイン排気バルブ８
１１８を開いて真空ポンプ８１１７により反応容器８１
１１及びガス配管内を排気する。

【００７９】その後、原料ガスボンベ８２２１〜８２２
６より各々のガスを、原料ガスボンベバルブ８２３１〜
８２３６を開けて導入し、圧力調整器８２６１〜８２６
６により各ガス圧力を所望の圧力に調整する。

【００８０】次にガス流入バルブ８２４１〜８２４６を
徐々に開けて、前述した各ガスをマスフローコントロー
ラー８２１１〜８２１６に導入する。

【００８１】次にガス流出バルブ８２５６及び補助バル
ブ８２６０を徐々に開いてＡｒガスを原料ガス導入管８
１１４を通じて反応容器８１１１内に流入させる。この
とき、Ａｒガス流量が所望の圧力となるように真空計８
１２４を見ながら真空ポンプ８１１７の排気速度を調整
する。その後、不図示の温度コントローラーを作動させ
て、導電性基体８１１２を加熱ヒーター８１１３により
加熱し、導電性基体８１１２が所望の温度に加熱された
ところで、ガス流出バルブ８２５６及び補助バルブ８２
６０を閉じて、反応容器８１１１内へのガス流入を止め
る。

【００８２】次に各々の層を形成するのに必要な原料ガ
スのガス流出バルブ８２５１〜８２５６と補助バルブ８
２６０を徐々に開いて、各種原料ガスを原料ガス導入管
８１１４を通じて反応容器８１１１内に流入させる。こ
のとき、各原料ガスの流量が所望の流量となるように各
々のマスフローコントローラー８２１１〜８２１６で調
整する。反応容器８１１１内の圧力は、所望の圧力とな
るように真空計８１２４を見ながら真空ポンプ８１１７
の排気速度を調整する。

【００８３】その後、不図示のＲＦ電源の電力を所望の
電力に設定し、マッチングボックス８１１５を通じて反
応容器８１１１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電
を生起させ、導電性基体８１１２上又はすでに成膜した
層上に所望の層の形成を開始し、所望の膜厚を形成した
ところでＲＦグロー放電を止め、又、ガス流出バルブ８
２５１〜８２５６及び補助バルブ８２６０を閉じて、反
応容器８１１１内へのガス流入を止め、層の形成を終え
る。

【００８４】それぞれの層を形成する際に必要なガス以
外のガス流出バルブは完全に閉じられていることは言う
までもなく、又、それぞれのガスが反応容器８１１１
内、ガス流出バルブ８２５１〜８２５６から反応容器８
１１１に至る配管内に残留することを避けるために、ガ
ス流出バルブ８２５１〜８２５６を閉じ、補助バルブ８
２６０を開き、更にメイン排気バルブ８１１８を全開に
して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行
う。

【００８５】又、必要に応じて、層形成を行っている間
に層形成の均一化を図るため、導電性基体８１１２及び
基体ホルダ８１２５を、不図示の駆動装置によって所望
される速度で回転させる。

【００８６】ａ−Ｃ：Ｈから成る表面層を形成するに
は、一旦、反応容器８１１１内を高真空に引き上げた
後、原料ガス導入管８１１４から所定の原料ガス、例え
ばＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀などの炭化水素ガ
ス、必要に応じて水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガ
スなどの他の原料ガスをミキシングパネルにより混合し
た後に反応容器８１１１内に導入する。

【００８７】次に、マスフローコントローラー８２１１
〜８２１６によって、各原料ガスが所定の流量になるよ
うに調整する。その際、反応容器８１１１内が１３３．
３Ｐａ以下の所定の圧力になるように、真空計８１２４
を見ながら排気速度を調整する。圧力が安定したのを確
認後、不図示の高周波電源を所望の電力に設定し、電力
を反応容器８１１１内に供給し、高周波グロー放電を生
起させる。このときマッチングボックス８１１５を調整
し、反射波が最小となるように調整し、高周波の入射電
力から反射電力を差し引いた値を所望の値に調整する。
高周波電力の放電エネルギーによって反応容器８１１１
内に導入させた炭化水素などの原料ガスが分解され、光
導電層上に所定のａ−Ｃ：Ｈ堆積膜が形成される。所望
の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、
反応容器８１１１への各原料ガスの流入を止めて堆積室
内を一旦項真空に引き上げた後に表面層の形成を終え
る。

【００８８】図９は本発明の画像形成装置に用いられる
アモルファスシリコンからなる光受容部材を製造するた
めに供される、ＶＨＦ電源を用いたプラズマＣＶＤ法に
よる堆積装置の一例を模式的に示した図である。

【００８９】この堆積装置９１００は、反応容器９１１
１と、導電性支持体を支持しかつ加熱する基体加熱用ヒ
ータ９１１３と、反応容器内を排気するための排気管９
１２１と、反応容器内に支持される導電性基体に対向し
て配設されＶＨＦ電力を印加して導電性基体との間にプ
ラズマを発生させる電極９１１５と、電極９１１５にＶ
ＨＦ電力を供給するマッチングボックス９１１６と、基
体加熱用ヒータ９１１３に支持された導電性基体を回転
させるための駆動装置９１２０とを有している。排気管
９１２１には真空ポンプ等が接続されており、先に説明
した堆積装置８１００と同様の構成となっている。ま
た、反応容器９１１１には不図示の原料ガス導入管が設
けられており、この原料ガス導入管には先に説明した原
料ガス供給装置８２００が接続されている。

【００９０】ＶＨＦプラズマＣＶＤ法によるこの装置で
の堆積膜の形成は、以下のように行なうことができる。
まず、反応容器（９１１１）内に導電性基体（９１１
２）を設置し、駆動装置（９１２０）によって導電性基
体（９１１２）を回転し、不図示の排気装置（例えば拡
散ポンプ）により反応容器（９１１１）内を排気管（９
１２１）を介して排気し、反応容器（９１１１）内の圧
力を１．３３×１０^-5Ｐａ以下に調整する。続いて、基
体加熱用ヒータ（９１１３）により導電性基体（９１１
２）の温度を所定の温度に加熱保持する。

【００９１】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（９１
１１）に流入させるには、ガスボンベの原料ガスボンベ
バルブ（不図示）、反応容器のリークバルブ（不図示）
が閉じられていることを確認し、又、ガス流入バルブ
（不図示）、ガス流出バルブ（不図示）、補助バルブ
（不図示）が開かれていることを確認して、まずメイン
バルブ（不図示）を開いて反応容器（９１１１）および
ガス配管内を排気する。次に真空計（不図示）の読みが
約６．６５×１０^-4Ｐａになった時点で補助バルブ（不
図示）、ガス流出バルブを閉じる。

【００９２】その後、原料ガスボンベ（不図示）より各
ガスを原料ガスボンベバルブを開いて導入し、圧力調整
器（不図示）により各ガス圧を２×１０⁵Ｐａに調整す
る。次に、ガス流入バルブを徐々に開けて、各ガスをマ
スフローコントローラー（不図示）内に導入する。以上
のようにして成膜の準備が完了した後、以下のようにし
て導電性基体（９１１２）上に堆積膜の形成を行う。

【００９３】導電性基体（９１１２）が所定の温度にな
ったところでガス流出バルブのうちの必要なものおよび
補助バルブを徐々に開き、原料ガスボンベから所定のガ
スをガス導入管（不図示）を介して反応容器（９１１
１）内の放電空間（９１３０）に導入する。次にマスフ
ローコントローラーよって各原料ガスが所定の流量にな
るように調整する。その際、放電空間（９１３０）内の
圧力が１３３Ｐａ以下の所定の圧力になるように真空計
を見ながらメインバルブの開口を調整する。

【００９４】圧力が安定したところで、例えば周波数１
０５ＭＨｚのＶＨＦ電源（不図示）を所望の電力に設定
して、マッチングボックス（９１１６）を通じて放電空
間（９１３０）にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を生
起させる。かくして導電性基体（９１１２）により取り
囲まれた放電空間（９１３０）において、導入された原
料ガスは、放電エネルギーにより励起されて解離し、導
電性基体（９１１２）上に所定の堆積膜が形成される。
このときＶＨＦ電力導入と同時に、支持体加熱用ヒータ
（９１１３）の出力を調整し導電性基体の温度を所定の
値で変化させる。この時、層形成の均一化を図るため駆
動装置（９１２０）によって、所望の回転速度で回転さ
せる。

【００９５】所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電
力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガス
の流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複
数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容部
材が形成される。

【００９６】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器（９１１
１）内、ガス流出バルブから反応容器（９１１１）に至
る配管内に残留することを避けるために、ガス流出バル
ブを閉じ、補助バルブを開き、さらにメインバルブを全
開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

【００９７】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作製条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。

【００９８】＜トナー＞本発明においては、高速の画像
形成装置において転写材が定着器内を通過する時間が短
くなった場合や、省エネルギーのために定着温度を従来
より下げた場合においても良好な定着性が得られるトナ
ーを用いることが好ましい。すなわち、本発明で使用さ
れるトナーは、少なくとも結着樹脂、荷電制御剤及びワ
ックスを含むトナー粒子を有し、該トナー粒子の重量平
均粒径が３〜１１μｍであり、該結着樹脂のガラス転移
点温度が４０〜８０℃であり、該ワックスが分子量分布
において分子量４００〜１００００の領域にメインピー
クを有し、該ワックスが示差熱分析における昇温時の吸
熱ピークを６０℃〜１５０℃の領域に少なくとも一つ有
することを特徴とする。

【００９９】前記トナー粒子は、重量平均粒径が３〜１
１μｍであり、好ましくは５〜１０μｍである。重量平
均粒径が１１μｍを超えると、現像工程において現像に
必要なトナー帯電量が不足し、トナー担持体上で比較的
高い帯電量を示す粒径の小さいトナーのみが選択的に現
像される為に、多数枚の現像を繰り返すうちに該担持体
上トナー粒径が粗大化することによって更に帯電量が減
少し、結果的に現像不足による画像濃度低下が生じやす
くなる。また逆に、重量平均粒径が３μｍ未満の場合
は、トナーの帯電量が過剰となり、トナーとトナー担持
体との鏡映力が過大となる為に、現像工程におけるトナ
ーの光受容部材への付着量が減少するために、やはり画
像濃度低下を引き起こしやすくなる。

【０１００】前記トナー粒子は、例えば粉砕法や重合法
（より好ましくは懸濁重合法）等の従来より知られてい
る製法によって製造することができる。粉砕法によって
前記トナー粒子を製造する場合では、結着樹脂、荷電制
御剤、ワックス、金属塩ないしは金属錯体、着色剤とし
ての顔料、又は染料、磁性体、その他の添加剤等を、ヘ
ンシェルミキサー、ボールミル等の混合機により充分混
合してから加熱ロール、ニーダー、エクストルーダーの
如き熱混練機を用いて溶融混練して樹脂類を互いに相溶
せしめた中に金属化合物、顔料、染料、磁性体を分散又
は溶解せしめ、冷却固化後粉砕及び分級を行って本発明
に係るトナー粒子を得ることが出来る。なお、粉砕法に
より製造されたトナー粒子は、必要に応じて機械的衝撃
力等によって表面処理することが、トナー粒子の帯電均
一化等の観点から好ましい。

【０１０１】また、重合法（懸濁重合法）によって前記
トナー粒子を製造する場合では、重合性単量体及び帯電
制御剤、顔料又は染料、磁性酸化鉄、重合開始剤（更に
必要に応じて架橋剤及びその他の添加剤）を均一に溶解
または分散せしめて単量体組成物とした後、この単量体
組成物、またはこの単量体組成物をあらかじめ重合した
ものを分散安定性を含有する連続相（例えば水）中に適
当な撹拌機を用いて分散し、同時に重合反応を行わせ、
必要に応じて分級することにより、所望の粒径を有する
トナー粒子を得ることが出来る。これらのトナーの製造
法では、さらに必要に応じて流動性や帯電安定性の向上
等を図るため、所望の添加剤をヘンシェルミキサー等の
混合機により任意の段階で十分に混合し、より好適なト
ナー粒子を得ることができる。

【０１０２】また、前述した懸濁重合法により、一成分
磁性現像剤に使用されるトナー粒子を製造する場合で
は、重合性単量体に比して極性の高いポリエステル樹脂
等の樹脂化合物を単量体組成物中に配合し、シランカッ
プリング剤等によって疎水化処理した磁性酸化鉄等の磁
性粉体を使用すると、トナー粒子の表面に磁性粉体がほ
とんど露出せず、トナー粒子の帯電均一化等の観点から
好ましい。以下、前記トナー粒子に使用される各材料等
について詳細に説明する。

【０１０３】本発明に使用される結着樹脂としては、従
来より知られている種々の結着樹脂を使用することがで
きる。このような結着樹脂としては、下記の結着樹脂の
使用が可能である。例えば、ポリスチレン、ポリ−ｐ−
クロルスチレン、ポリビニルトルエンなどのスチレンお
よびその置換体の単重合体；スチレン−ｐ−クロルスチ
レン共重合体、スチレン−ビニルトルエン共重合体、ス
チレン−ビニルナフタリン共重合体、スチレン−アクリ
ル酸エステル共重合体、スチレン−メタクリル酸エステ
ル共重合体、スチレン−α−クロルメタクリル酸メチル
共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチ
レン−ビニルメチルエーテル共重合体、スチレン−ビニ
ルエチルエーテル共重合体、スチレン−ビニルメチルケ
トン共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレ
ン−イソプレン共重合体、スチレン−アクリロニトリル
−インデン共重合体などのスチレン系共重合体；ポリ塩
化ビニル、フェノール樹脂、天然変性フェノール樹脂、
天然樹脂変性マレイン酸樹脂、アクリル樹脂、メタクリ
ル樹脂、ポリ酢酸ビニル、シリコーン樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリウレタン、ポリアミド樹脂、フラン樹脂、
エポキシ樹脂、キシレン樹脂、ポリビニルブチラール、
テルペン樹脂、クマロンインデン樹脂、石油系樹脂など
が使用できる。好ましい結着物質としては、スチレン系
共重合体もしくはポリエステル樹脂がある。

【０１０４】これらの結着樹脂は、モノマーやコモノマ
ーを架橋または重合することによって得ることが出来
る。スチレン系共重合体のスチレンモノマーに対するコ
モノマーとしては、例えばアクリル酸、アクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸
ドデシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−２−エチ
ルヘキシル、アクリル酸フェニル、メタクリル酸、メタ
クリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブ
チル、メタクリル酸オクチル、アクリロニトリル、メタ
クリルニトリル、アクリルアミドなどのような二重結合
を有するモノカルボン酸またはその置換体；例えば、マ
レイン酸、マレイン酸ブチル、マレイン酸メチル、マレ
イン酸ジメチルなどのような二重結合を有するジカルボ
ン酸およびその置換体；例えば塩化ビニル、酢酸ビニ
ル、安息香酸ビニルなどのようなビニルエステル類；例
えばエチレン、プロピレン、ブチレンなどのようなエチ
レン系オレフィン類；例えばビニルメチルケトン、ビニ
ルヘキシルケトンなどのようなビニルケトン類；例えば
ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテル、ビニル
イソブチルエーテルなどのようなビニルエーテル類；等
のビニル単量体が単独もしくは２つ以上用いられる。

【０１０５】スチレン系重合体またはスチレン系共重合
体は架橋剤で架橋されているものでもよく、また分子量
や組成の異なる樹脂を混合した混合樹脂でもかまわな
い。結着樹脂の架橋剤としては、主として２個以上の重
合可能な二重結合を有する化合物を用いてもよい。例え
ば、ジビニルベンゼン、ジビニルナフタリンなどのよう
な芳香族ジビニル化合物；例えばエチレングリコールジ
アクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、
１,３−ブタンジオールジメタクリレートなどのような
二重結合を２個有するカルボン酸エステル；ジビニルア
ニリン、ジビニルエーテル、ジビニルスルフィド、ジビ
ニルスルホンなどのジビニル化合物；および３個以上の
ビニル基を有する化合物；が単独または混合物として用
いられる。

【０１０６】該結着樹脂の合成方法としては、従来より
知られている各種重合法を利用することができ、例えば
塊状重合法、溶液重合法、懸濁重合法及び乳化重合法等
の重合法を利用することができる。

【０１０７】塊状重合法では、高温で重合させて停止反
応速度を早めることで、低分子量の重合体を得ることも
できるが、反応をコントロールしにくい問題点がある。
溶液重合法では溶媒によるラジカルの連鎖移動の差を利
用して、また開始剤量や反応温度を調節することで低分
子量重合体を温和な条件で容易に得ることができ、本発
明で用いる樹脂組成物の中で低分子量体を得る時には好
ましい。

【０１０８】溶液重合で用いる溶媒としては、キシレ
ン、トルエン、クメン、酢酸セロソルブ、イソプロピル
アルコール等が用いられる。スチレンモノマー混合物の
場合はキシレン、トルエン又はクメンが好ましい。重合
生成するポリマーによって適宜選択される。

【０１０９】反応温度としては、使用する溶媒、開始
剤、重合するポリマーによって異なるが、７０℃〜２３
０℃で行なうのが良い。溶液重合においては溶媒１００
質量部に対してモノマー３０質量部〜４００質量部で行
なうのが好ましい。

【０１１０】更に、重合終了時に溶液中で他の重合体を
混合することも好ましく、数種の重合体を混合すること
もできる。

【０１１１】また、前述した結着樹脂として高分子量成
分やゲル成分を得る重合法としては、乳化重合法や懸濁
重合法が好ましい。このうち、乳化重合法は、水にほと
んど不溶の単量体（モノマー）を乳化剤で小さい粒子と
して水相中に分散させ、水溶性の重合開始剤を用いて重
合を行なう方法である。この方法では反応熱の調節が容
易であり、重合の行なわれる相（重合体と単量体からな
る油相）と水相とが別であるから停止反応速度が小さ
く、その結果重合速度が大きく、高重合度のものが得ら
れる。さらに、重合プロセスが比較的簡単であること、
及び重合生成物が微細粒子であるために、トナーの製造
において、着色剤及び荷電制御剤その他の添加物との混
合が容易であること等の理由から、トナー用バインダー
樹脂の製造方法として他の方法に比較して有利である。

【０１１２】しかし、添加した乳化剤のため生成重合体
が不純になり易く、重合体を取り出すには塩析などの操
作が必要であるので懸濁重合が簡便な方法である。懸濁
重合においては、水系溶媒１００質量部に対して、モノ
マー１００質量部以下（好ましくは１０〜９０質量部）
で行なうのが良い。使用可能な分散剤としては、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルアルコール部分ケン化物、
リン酸カルシウム等が用いられ、水系溶媒に対するモノ
マー量等で適当量があるが、一般に水系溶媒１００質量
部に対して０．０５〜１質量部で用いられる。重合温度
は５０〜９５℃が適当であるが、使用する重合開始剤、
目的とするポリマーによって適宜選択すべきである。ま
た重合開始剤の種類としては、水に不溶または難溶のも
のであれば用いることが可能である。

【０１１３】使用する重合開始剤としては、ｔ−ブチル
パーオキシ−２−エチルヘキサノエート、クミンパーピ
バレート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ベンゾイ
ルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、オクタ
ノイルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイ
ド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオ
キサイド、２,２’−アゾビスイソブチロニトリル、２,
２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、２,
２’−アゾビス（２,４−ジメチルバレロニトリル）、
２,２’−アゾビス（４−メトキシ−２,４−ジメチルバ
レロニトリル）、１,１−ビス（ｔ−ブチルパーオキ
シ）３,３,５−トリメチルシクロヘキサン、１,１−ビ
ス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、１,４−
ビス（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）シクロへキサ
ン、２,２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）オクタン、
ｎ−ブチル−４,４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バ
リレート、２,２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタ
ン、１,３−ビス（ｔ−ブチルパーオキシイソプロピ
ル）ベンゼン、２,５−ジメチル−２,５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキサン、２,５−ジメチル−２,５−ジ
（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２,５−ジメチル
−２,５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ジ−
ｔ−ブチルジパーオキシイソフタレート、２,２−ビス
（４,４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシル）
ブロパン、ジ−ｔ−ブチルパーオキシ−α−メチルサク
シネート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシジメチルグルタレ
ート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシへキサヒドロテレフタ
レート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシアゼラート、２,５
−ジメチル−２,５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキ
サン、ジエチレングリコール−ビス（ｔ−ブチルパーオ
キシカーボネート）、ジ−ｔ−ブチルパーオキシトリメ
チルアジペート、トリス（ｔ−ブチルパーオキシ）トリ
アジン、ビニルトリス（ｔ−ブチルパーオキシ）シラン
等が挙げられ、これらが単独または併用して使用でき
る。

【０１１４】前述した重合開始剤の使用量はモノマー１
００質量部に対し、０．０５質量部以上（好ましくは
０．１〜１５質量部）の濃度で用いられる。

【０１１５】また、前述した結着樹脂にはポリエステル
樹脂を使用することができる。ポリエステル樹脂は単独
で結着樹脂として用いられても良いし、他の樹脂化合部
と併用しても良い。本発明に用いられるポリエステル樹
脂の組成は以下の通りである。２価のアルコール成分と
しては、エチレングリコール、プロピレングリコール、
１,３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、２,
３−ブタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチ
レングリコール、１,５−ペンタンジオール、１,６−ヘ
キサンジオール、ネオペンチルグリコール、２−エチル
−１,３−へキサンジオール、水素化ビスフェノール
Ａ、また（Ａ）式で表わされるビスフェノール及びその
誘導体；

【化１】（式中、Ｒはエチレンまたはプロピレン基であり、ｘ,
ｙはそれぞれ０以上の整数であり、かつ、ｘ＋ｙの平均
値は０〜１０である。）

【０１１６】また（Ｂ）式で示されるジオール類；

【化２】が挙げられる。

【０１１７】２価の酸成分としては、例えばフタル酸、
テレフタル酸、イソフタル酸、無水フタル酸などのベン
ゼンジカルボン酸類又はその無水物、低級アルキルエス
テル；こはく酸、アジピン酸、セバシン酸、アゼライン
酸などのアルキルジカルボン酸類又はその無水物、低級
アルキルエステル；ｎ−ドデセニルコハク酸、ｎ−ドデ
シルコハク酸などのアルケニルコハク酸類もしくはアル
キルコハク酸類、又はその無水物、低級アルキルエステ
ル；フマル酸、マレイン酸、シトラコン酸、イタコン酸
などの不飽和ジカルボン酸類又はその無水物、低級アル
キルエステル；等のジカルボン酸類及びその誘導体が挙
げられる。

【０１１８】また、架橋成分としても働く３価以上のア
ルコール成分と３価以上の酸成分を併用することが好ま
しい。３価以上の多価アルコール成分としては、例えば
ソルビトール、１,２,３,６−ヘキサンテトロール、１,
４−ソルビタン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリ
スリトール、トリペンタエリスリトール、１,２,４−ブ
タントリオール、１,２,５−ペンタントリオール、グリ
セロール、２−メチルプロパントリオール、２−メチル
−１,２,４−ブタントリオール、トリメチロールエタ
ン、トリメチロールプロパン、１,３,５−トリヒドロキ
シベンゼン等が挙げられる。

【０１１９】また、本発明における３価以上の多価カル
ボン酸成分としては、例えばトリメリット酸、ピロメリ
ット酸、１,２,５−ベンゼントリカルボン酸、２,５,７
−ナフタレントリカルボン酸、１,２,４−ナフタレント
リカルボン酸、１,２,４−ブタントリカルボン酸、１,
２,５−ヘキサントリカルボン酸、１,３−ジカルボキシ
ル−２−メチル−２−メチレンカルボキシプロパン、テ
トラ（メチレンカルボキシル）メタン、１,２,７,８−
オクタンテトラカルボン酸、エンポール三量体酸、及び
これらの無水物、低級アルキルエステル；次式

【化３】（式中、Ｘは炭素数３以上の側鎖を１個以上有する炭素
数５〜３０のアルキレン基又はアルケニレン基）で表わ
されるテトラカルボン酸等、及びこれらの無水物、低級
アルキルエステル等の多価カルボン酸類及びその誘導体
が挙げられる。

【０１２０】本発明に用いられるアルコール成分として
は４０〜６０ｍｏｌ％、好ましくは４５〜５５ｍｏｌ
％、酸成分としては６０〜４０ｍｏｌ％、好ましくは５
５〜４５ｍｏｌ％であることが好ましい。

【０１２１】また３価以上の多価の成分は、全成分中の
１〜６０ｍｏｌ％であることも好ましい。中でも、現像
性、定着性、耐久性、クリーニング性の点からスチレン
−不飽和カルボン酸誘導体共重合体、ポリエステル樹
脂、及びこれらのブロック共重合体、グラフト化物、更
にはスチレン系共重合体とポリエステル樹脂の混合物な
どが好ましい。

【０１２２】以上、本発明に好適に使用し得る種々の結
着樹脂について述べてきたが、本発明に使用される結着
樹脂のＴｇ（ガラス転移点）は４０℃〜８０℃、好まし
くは５０℃〜７０℃であると、トナーの保存性を損なう
ことなく、定着性を維持向上させることができる。

【０１２３】本発明に使用される結着樹脂としてはＧＰ
Ｃ（ジェルパーメイションクロマトグラフィ）により測
定される分子量分布で３×１０³〜５×１０⁴の領域にピ
ークを有することが好ましく、更に１０⁵以上の領域に
もピークまたはショルダーを有することが定着性、耐久
性の点で好ましい。

【０１２４】また、耐オフセット性向上とトナー製造時
の混練物の溶融粘度の適正化のために結着樹脂のＴＨＦ
不溶分が０〜５０質量％含有されていてもよい。

【０１２５】また、本発明に用いられる結着樹脂は良好
な定着性を維持するため、高分子量重合体成分と低分子
量重合体成分とを混合することで分子量分布の調整を図
ってもよい。

【０１２６】本発明に係るトナー中には上記結着樹脂成
分の他に、該結着樹脂成分の含有量より少ない割合で以
下の化合物を含有させてもよい。例えばシリコーン樹
脂、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、エポキ
シ樹脂、ポリビニルブチラール、ロジン、変性ロジン、
テルペン樹脂、フェノール樹脂、２種以上のα−オレフ
ィンの共重合体などが挙げられる。

【０１２７】本発明に使用されるトナーは、静電潜像を
顕像化することから、トナー粒子に荷電制御剤を含有す
ることが、静電潜像の画像再現性を向上させる上で重要
である。このような荷電制御剤には、正荷電性及び負荷
電性の帯電制御剤が従来より知られており、本発明では
これらを使用することができる。

【０１２８】トナーを正荷電性に制御する荷電制御剤と
しては、下記の物質がある。ニグロシン及び脂肪酸金属
塩等による変成物；トリブチルベンジルアンモニウム−
１−ヒドロキシ−４−ナフトスルフォン酸塩、テトラブ
チルアンモニウムテトラフルオロボレートなどの四級ア
ンモニウム塩、及びこれらの類似体であるホスホニウム
塩等のオニウム塩及びこれらのレーキ顔料、トリフェニ
ルメタン染料及びこれらのレーキ顔料、（レーキ化剤と
しては、りんタングステン酸、りんモリブデン酸、りん
タングステンモリブデン酸、タンニン酸、ラウリン酸、
没食子酸、フエリシアン化物、フエロシアン化物など）
高級脂肪酸の金属塩；ジブチルスズオキサイド、ジオク
チルスズオキサイド、ジシクロへキシルスズオキサイド
などのジオルガノスズオキサイド；ジブチルスズポレー
ト、ジオクチルスズボレート、ジシクロヘキシルスズボ
レートなどのジオルガノスズボレート類；グアニジン化
合物、イミダゾール化合物。これらを単独で或いは２種
類以上組合せて用いることができる。これらの中でも、
トリフェニルメタン化合物、カウンターイオンがハロゲ
ンでない四級アンモニウム塩が好ましく用いられる。ま
た一般式（ａ）

【化４】［Ｒ1：Ｈ,ＣＨ₃ Ｒ２：置換または未置換のアルキル基（好ましくは、Ｃ
1〜Ｃ4）］で表わされるモノマーの単重合体：前述した
スチレン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル
の如き重合性モノマーとの共重合体を正荷電性制御剤と
して用いることができる。この場合これらの荷電制御剤
は、結着樹脂（の全部または一部）としての作用をも有
する。

【０１２９】特に下記一般式（ｂ）で表わされる化合物
が本発明の構成においては好ましい。

【化５】［式中、Ｒ1,Ｒ2,Ｒ3,Ｒ4,Ｒ5,Ｒ6は、各々互いに同一
でも異なっていてもよい水素原子、置換もしくは未置換
のアルキル基または、置換もしくは未置換のアリール基
を表わす。Ｒ7,Ｒ8,Ｒ9は、各々互いに同一でも異なっ
ていてもよい水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ルコキシ基を表わす。Ａ-は、硫酸イオン、硝酸イオ
ン、ほう酸イオン、りん酸イオン、水酸イオン、有機硫
酸イオン、有機スルホン酸イオン、有機りん酸イオン、
カルボン酸イオン、有機ほう酸イオン、テトラフルオロ
ボレートなどの陰イオンを示す。］

【０１３０】また、トナーを負荷電性に制御する帯電制
御剤としては、下記の物質がある。例えば有機金属錯
体、キレート化合物が有効であり、モノアゾ金属錯体、
アセチルアセトン金属錯体、芳香族ハイドロキシカルボ
ン酸、芳香族ダイカルボン酸系の金属錯体がある。他に
は、芳香族ハイドロキシカルボン酸、芳香族モノ及びポ
リカルボン酸及びその金属塩、無水物、エステル類、ビ
スフェノール等のフェノール誘導体類などがある。また
次に示した一般式（ｃ）で表わされるアゾ系金属錯体が
好ましい。

【化６】

【０１３１】特に中心金属としてはＦｅ、Ｃｒが好まし
く、置換基としてはハロゲン、アルキル基、アニリド基
が好ましく、カウンターイオンとしては水素、アルカリ
金属、アンモニウム、脂肪族アンモニウムが好ましい。
またカウンターイオンの異なる錯塩の混合物も好ましく
用いられる。または次の一般式（ｄ）に示した塩基性有
機酸金属錯体も負帯電性を与えるものであり、本発明に
使用できる。

【化７】

【０１３２】特に中心金属としてはＦｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、
Ｚｎ、Ａｌが好ましく、置換基としてはアルキル基、ア
ニリド基、アリール基、ハロゲンが好ましく、カウンタ
ーイオンは水素、アンモニウム、脂肪族アンモニウムが
好ましい。

【０１３３】荷電制御剤をトナーに含有させる方法とし
ては、トナー内部に添加する方法と外添する方法があ
る。これらの荷電制御剤の使用量としては、結着樹脂の
種類、他の添加剤の有無、分散方法を含めたトナー製造
方法によって決定されるもので、一義的に限定されるも
のではないが、好ましくは結着樹脂１００質量部に対し
て総量で０．１〜１０質量部、より好ましくは０．５〜
５質量部の範囲で用いられる。

【０１３４】本発明においては、定着時の離型性を良く
する目的でワックスを含有することができる。本発明で
使用されるワックスとしては、その分子量分布において
分子量４００〜１００００の領域に、好ましくは分子量
７００〜５０００の領域にメインピークを有することが
良い。このような分子量分布を持たせることによりトナ
ーに好ましい熱特性を付与することができる。ワックス
の分子量分布においてメインピークが上記範囲よりも小
さくなると高温安定性が損なわれやすく、上記範囲より
も大きくなると定着性が損なわれやすい。

【０１３５】また、本発明に使用されるワックスは、示
差熱分析における昇温時の吸熱ピークを６０℃〜１５０
℃、好ましくは７５℃〜１４０℃の領域に少なくとも１
つ有することで、定着性や転写性が更に向上し、適度な
画像光沢性も得られる。ワックスの示差熱分析における
昇温時の吸熱ピークは６０℃〜１５０℃の領域に少なく
とも１つあれば効果があり、同時に昇温時の吸熱ピーク
が１５０℃を超えるところにあっても構わない。また、
６０℃〜１５０℃の領域に複数の昇温時の吸熱ピークが
あっても良い。但し、昇温時の吸熱ピークが６０℃未満
に存在する場合は、画像濃度が低くなり、保存性も不安
定になる傾向にあるので好ましくない。

【０１３６】本発明で使用されるワックスは前述した物
性を有するものであれば特に限定されず、従来より知ら
れている種々の化合物を使用することができる。例え
ば、低分子量ポリエチレン、低分子量ポリプロピレン、
マイクロクリスタリンワックス、パラフィンワックスな
どの脂肪族炭化水素系ワックス；酸化ポリエチレンワッ
クスなどの脂肪族炭化水素系ワックスの酸化物；また
は、それらのブロック共重合物；カルナバワックス、サ
ゾールワックス、モンタン酸エステルワックスなどの脂
肪酸エステルを主成分とするワックス類；脱酸カルナバ
ワックスなどの脂肪酸エステル類を一部または全部を脱
酸化したものなどが挙げられる。

【０１３７】さらに、パルミチン酸、ステアリン酸、モ
ンタン酸、または更に長鎖のアルキル基を有する長鎖ア
ルキルカルボン酸類などの飽和直鎖脂肪酸類；ブランジ
ン酸、エレオステアリン酸、バリナリン酸などの不飽和
脂肪酸類：ステアリンアルコール、アラルキルアルコー
ル、ベヘニルアルコール、カルナウビルアルコール、セ
リルアルコール、メリシルアルコール、または更に長鎖
のアルキル基を有する長鎖アルキルアルコール類などの
飽和アルコール類；ソルビトールなどの多価アルコール
類；リノール酸アミド、オレイン酸アミド、ラウリン酸
アミドなどの脂肪酸アミド類；メチレンビスステアリン
酸アミド、エチレンビスカプリン酸アミド、エチレンビ
スラウリン酸アミド、ヘキサメチレンビスステアリン酸
アミドなどの飽和脂肪酸ビスアミド類、エチレンビスオ
レイン酸アミド、ヘキサメチレンビスオレイン酸アミ
ド、Ｎ,Ｎ’−ジオレイルアジピン酸アミド、Ｎ,Ｎ’−
ジオレイルセバシン酸アミドなどの不飽和脂肪酸アミド
類；ｍ−キシレンビスステアリン酸アミド、Ｎ,Ｎ’−
ジステアリルイソフタル酸アミドなどの芳香族系ビスア
ミド類；ステアリン酸カルシウム、ラウリン酸カルシウ
ム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなど
の脂肪酸金属塩（一般に金属石けんといわれているも
の）；脂肪族炭化水素系ワックスにスチレンやアクリル
酸などのビニル系モノマーを用いてグラフト化させたワ
ックス類；ベヘニン酸モノグリセリドなどの脂肪酸と多
価アルコールの部分エステル化物；植物性油脂の水素添
加などによって得られるヒドロキシル基を有するメチル
エステル化合物などが挙げられる。

【０１３８】本発明では、これらのワックスや化合物を
１種又は２種以上組み合わせて使用することができ、結
着樹脂１００質量部に対して総量で０．１〜２０質量
部、好ましくは０．５〜１０質量部使用するのが良い。

【０１３９】ワックスは通常、樹脂を溶剤に溶解し、樹
脂溶液温度を上げ、撹拌しながら添加混合する方法や、
混練時に混合する方法などによって結着樹脂に含有せし
められる。

【０１４０】さらに本発明に使用されるトナー粒子に
は、必要に応じて種々の添加剤を添加することができ
る。このような添加剤としては例えば着色剤を例示する
ことができ、前記トナー粒子に使用し得る着色剤として
は、任意の適当な顔料又は染料があげられる。トナーの
着色剤としては、例えば顔料としてカーボンブラック、
アニリンブラック、アセチレンブラック、ナフトールイ
エロー、ハンザイエロー、ローダミンレーキ、アリザリ
ンレーキ、ベンガラ、フタロシアニンブルー、インダン
スレンブルー等がある。これらは定着画像の光学濃度を
維持するのに必要充分な量が用いられ、樹脂１００質量
部に対し０．１〜２０質量部、好ましくは０．２〜１０
質量部の添加量が良い。

【０１４１】また同様の目的で、更に染料が用いられ
る。例えばアゾ系染料、アントラキノン系染料、キサン
テン系染料、メチン系染料があり樹脂１００質量部に対
し、０．１〜２０質量部、好ましくは０．３〜１０質量
部の添加量が良い。

【０１４２】ここで、本発明に使用されるトナー粒子の
分子量分布について、使用される結着樹脂の種類等の観
点から好適な範囲を説明する。本発明に使用されるトナ
ー粒子は、結着樹脂としてスチレン系共重合体を使用す
る時には、ワックスの効果を十分に発揮させるとともに
保存性、現像性の悪化を防ぐために、ＧＰＣ（ジェルパ
ーメイションクロマトグラフィ）による分子量分布にお
いて、３×１０³〜５×１０⁴の領域、好ましくは３×１
０³〜３×１０⁴の領域、特に好ましくは５×１０³〜２
×１０⁴の領域に少なくともひとつのピーク（Ｐ１）が
存在するトナー粒子であることが、良好な定着性、現像
性、耐ブロッキング性を得る上で好ましい。分子量３×
１０³未満にのみピークを有するような場合には、良好
な耐ブロッキング性が得られにくく、分子量５×１０⁴
を超える領域にのみピークを有する場合には良好な定着
性が得られにくい。

【０１４３】また分子量１０⁵以上の領域、好ましくは
３×１０⁵〜５×１０⁶の領域に少なくともひとつのピー
ク（Ｐ２）が存在し、３×１０⁵〜２×１０⁶の領域に１
０⁵以上の領域での最大ピークがあることが特に好まし
く、このようなトナー粒子であると、良好な耐高温オフ
セット性、耐ブロッキング性、現像性が得られる。この
ピーク分子量は、大きいほど高温オフセットには強くな
るが、５×１０⁶以上の領域にピークが存在する場合に
は、圧力のかけることのできる熱ロールによる定着手段
では問題ないが、圧力のかけられない定着手段を用いる
時には、弾性が大きくなり定着性に影響を及ばすように
なる。従って、比較的圧力の低い加熱定着においては、
分子量３×１０⁵〜２×１０⁶領域にピークが存在し、こ
れが１０ ⁵以上の領域での最大ピークであることが好ま
しい。

【０１４４】また、本発明で使用されるトナー粒子は、
分子量分布において、分子量１０⁵以下の領域の成分を
５０％以上、好ましくは６０〜９０％、特に好ましくは
６５〜８５％含むものであることが、良好な定着性を示
す上で好ましい。５０％未満では、十分な定着性が得ら
れないだけでなく粉砕性も劣るようになることがあり、
また９０％を超えるような場合には、耐オフセット性に
劣るようになることがある。

【０１４５】また、本発明で使用されるトナー粒子は、
結着樹脂としてポリエステル系樹脂が使用される場合で
は、トナー粒子のＧＰＣによる分子量分布において分子
量３×１０³〜１．５×１０⁴の領域、好ましくは４×１
０³〜１．２×１０⁴の領域、特に好ましくは５×１０³
〜１×１０⁴の領域にメインピークが存在することが好
ましい。更に、１．５×１０⁴以上の領域に少なくとも
１つのピークまたはショルダーが存在するか、または５
×１０⁴以上の領域の成分が５％以上含まれることが好
ましい。またＭｗ／Ｍｎが１０以上であることも好まし
い。

【０１４６】メインピークが３×１０³未満である場合
には、耐ブロッキング性、現像性が低下しやすくなる。
メインピークが１．５×１０⁴を超える場合には、良好
な定着性が得られにくくなる。１．５×１０⁴以上の領
域にピーク、ショルダーが存在する場合や５×１０⁴以
上の領域の成分が５％以上含まれる場合やＭｗ／Ｍｎが
１０以上である場合には良好な耐オフセット性が得られ
る。

【０１４７】本発明で使用されるトナーは、高転写性、
帯電安定性、現像性、流動性、耐久性向上のために、前
記トナー粒子と無機微粉体とを混合して用いることが好
ましい。無機微粉体としては公知のものが用いられる
が、シリカ、アルミナ、チタニアまたはその複酸化物の
中から選ばれることが好ましい。中でも、シリカである
ことが特に好ましい。例えば、かかるシリカは硅素ハロ
ゲン化物やアルコキシドの蒸気相酸化により生成された
いわゆる乾式法又はヒュームドシリカと称される乾式シ
リカ及びアルコキシド、水ガラス等から製造されるいわ
ゆる湿式シリカの両者が使用可能であるが、表面及びシ
リカ微粉体の内部にあるシラノール基が少なく、またＮ
ａ²Ｏ、ＳＯ₃ ^2-等の製造残津の少ない乾式シリカの方が
好ましい。また乾式シリカにおいては、製造工程におい
て例えば、塩化アルミニウム、塩化チタン等他の金属ハ
ロゲン化合物を硅素ハロゲン化合物と共に用いることに
よって、シリカと他の金属酸化物の複合微粉体を得るこ
とも可能でありそれらも包含する。

【０１４８】本発明に用いられる無機微粉体はＢＥＴ法
で測定した窒素吸着による比表面積が３０ｍ²／ｇ以
上、特に５０〜４００ｍ²／ｇの範囲のものが良好な結
果を与え、トナー１００質量部に対して例えばシリカ微
粉末であれば０．１〜８質量部、好ましくは０．５〜５
質量部、さらに好ましくは１．０〜３．０質量部まで使
用するのが特に好ましい。無機微粉体の上記比表面積が
３０ｍ²／ｇよりも小さいと、無機微粉体の粒径が十分
に小さくなくなり、トナーの高転写性の向上等が十分に
図れないことがある。

【０１４９】また、本発明に用いられる無機微粉体は、
疎水化、帯電性制御等の目的でシリコーンワニス（各種
変性シリコーンワニスを含む）、シリコーンオイル（各
種変性シリコーンオイルを含む）、シランカップリング
剤、官能基を有するシランカップリング剤、その他有機
硅素化合物、有機チタン化合物等の処理剤で、または、
種々の処理剤で併用して処理されていることも可能であ
り好ましい。

【０１５０】シリコーンオイル処理の方法としては、例
えばシランカップリング剤で処理されたシリカ微粉体と
シリコーンオイルとをヘンシェルミキサー等の混合機を
用いて直接混合してもよいし、ベースとなる無機微粉体
にシリコーンオイルを噴霧する方法を用いてもよい。ま
たは適当な溶剤にシリコーンオイルを溶解または分散せ
しめた後、無機微粉体を加え混合し溶剤を除去する方法
でもよい。また、処理後に無機微粉体を不活性ガス中で
２００℃以上（より好ましくは２５０℃以上）に加熱
し、表面のコートを安定化させることがより好ましい。

【０１５１】本発明のトナーにおいては、必要に応じて
更に他の添加剤、例えばテフロン（登録商標）粉末、ス
テアリン酸亜鉛粉末、ポリフッ化ビニリデン粉末の如き
滑剤粉末；酸化セリウム粉末、炭化碓素粉末、チタン酸
ストロンチウム粉末などの研磨剤；例えば酸化チタン粉
末、酸化アルミニウム粉末などの流動性付与剤；ケーキ
ング防止剤、または例えばカーボンブラック粉末、酸化
亜鉛粉末、酸化スズ粉末等の導電性付与剤、また、逆極
性の有機微粒子及び無機微粒子を現像性向上剤として少
量用いることもできる。

【０１５２】また、前述したトナー粒子は、キャリアと
併用して二成分現像剤として用いることができ、二成分
現像方法に用いる場合のキャリアとしては、従来知られ
ているものがすべて使用可能であるが、具体的には、表
面酸化または未酸化の鉄、ニッケル、コバルト、マンガ
ン、クロム、希土類等の金属及びそれらの合金または酸
化物などの平均粒径２０〜３００μｍの粒子が使用され
る。またそれらキャリア粒子の表面に、スチレン系樹
脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹
脂、ポリエステル樹脂等の物質を付着または被覆させた
もの等が好ましく使用される。

【０１５３】また、前述したトナー粒子は、磁性材料を
含有させ磁性トナーとしても使用しうる。この場合、磁
性材料は着色剤の役割をかねることもできる。本発明に
おいて、磁性トナー中に含まれる磁性材料としては、マ
グネタイト、ヘマタイト、フェライト等の酸化鉄；鉄、
コバルト、ニッケルのような金属或いはこれらの金属の
アルミニウム、コバルト、銅、鉛、マグネシウム、ス
ズ、亜鉛、アンチモン、ベリリウム、ビスマス、カドミ
ウム、カルシウム、マンガン、セレン、チタン、タング
ステン、バナジウムのような金属の合金及びその混合物
等が挙げられる。

【０１５４】これらの磁性材料は平均粒子径が２μｍ以
下、好ましくは０．１〜０．５μｍ程度のものが好まし
い。トナー中に含有させる量としては樹脂成分１００質
量部に対し約２０〜２００質量部、特に好ましくは樹脂
成分１００質量部に対し４０〜１５０質量部が良い。上
記磁性材料の平均粒子径が２μｍよりも大きいと、トナ
ー粒子内における磁性材料の分散が十分でなく、良好な
帯電性や現像性を示すトナーが得られなくなる場合があ
る。また、磁性材料の含有量が上記範囲よりも小さすぎ
ると現像工程におけるトナーの搬送性が不十分となり画
像濃度薄等の画質低下を招きやすく、上記範囲よりも大
きすぎると現像工程におけるトナーの流動性が不十分と
なりトナーの帯電不良を招きやすくなる。

【０１５５】次に本発明に使用されるトナーに係る物性
の測定方法を以下に示す。

【０１５６】＜結着樹脂のＴｇ（ガラス転移点温度）＞
Ｔｇ（ガラス転移点温度）の測定方法は、示差走査熱量
計（ＤＳＣ測定装置）、ＤＳＣ−７（パーキンエルマー
社製）を用いて、ＡＳＴＭＤ３４１８−８２に準じ
て行う。測定試料は５〜２０ｍｇ、好ましくは１０ｍｇ
を精密に秤量する。これをアルミパン中に入れ、リファ
レンスとして空のアルミパンを用い、測定温度範囲３０
〜２００℃の間で、昇温速度１０℃／ｍｉｎで常温常湿
下で測定を行う。この昇温過程で、温度４０〜１００℃
の範囲における昇温時の吸熱ピークが得られる。このと
きのメインの吸熱ピークが出る前と出た後のベースライ
ンの中間点の線と示差熱曲線との交点を本発明における
Ｔｇ（ガラス転移点温度）とする。

【０１５７】＜結着樹脂及びトナー粒子の分子量分布測
定＞結着樹脂及びトナーのＧＰＣによるクロマトグラム
の分子量分布は次の条件で測定される。４０℃のヒート
チャンバ中でカラムを安定化させ、この温度におけるカ
ラムに、溶媒としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を毎
分１ｍＬの流速で流し、ＴＨＦ試料溶液を約１００μＬ
注入して測定する。試料の分子量測定にあたっては、試
料の有する分子量分布を、数種の単分散ポリスチレン標
準試料により作成された検量線の対数値とカウント数と
の関係から算出した。検量線作成用の標準ポリスチレン
試料としては、たとえば、東ソー社製または、昭和電工
社製の分子量が１０²〜１０⁷程度のものを用い、少なく
とも１０点程度の標準ポリスチレン試料を用いるのが適
当である。また、検出器にはＲＩ（屈折率）検出器を用
いる。なおカラムとしては、市販のポリスチレンジェル
カラムを複数本組み合わせるのが良く、たとえば昭和電
工社製のｓｈｏｄｅｘＧＰＣＫＦ−８０１、８０
２、８０３、８０４、８０５、８０６、８０７、８００
Ｐの組み合わせや、東ソー社製のＴＳＫｇｅ１Ｇ１００
０Ｈ（ＨＸＬ）、Ｇ２０００Ｈ（ＨＸＬ）、Ｇ３０００
Ｈ（ＨＸＬ）、Ｇ４０００Ｈ（ＨＸＬ）、Ｇ５０００Ｈ
（ＨＸＬ）、Ｇ６０００Ｈ（ＨＸＬ）、Ｇ７０００Ｈ
（ＨＸＬ）、ＴＳＫｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎの組み合わ
せを挙げることができる。

【０１５８】また、試料は以下のようにして作製する。
試料をＴＨＦ中に入れ、数時間放置した後、十分振とう
しＴＨＦと良く混ぜ（試料の合一体がなくなるまで）、
更に１２時間以上静置する。このときＴＨＦ中への放置
時間が２４時間以上となるようにする。その後、サンプ
ル処理フイルター（ポアサイズ０．４５〜０．５μｍ、
たとえば、マイショリディスクＨ−２５−５、東ソー社
製、エキクロディスク２５ＣＲゲルマンサイエンス
ジャパン社製などが利用できる）を通過させたもの
を、ＧＰＣの試料とする。また試料濃度は、樹脂成分が
０．５〜５ｍｇ／ｍＬなるように調整する。

【０１５９】＜ＴＨＦ不溶分の測定＞ＴＨＦ不溶分のは
次の条件で測定される。結着樹脂またはトナーを秤量
し、円筒ろ紙（例えばＮｏ．８６Ｒサイズ２８×１０ｍ
ｍ東洋ろ紙社製）に入れてソックスレー抽出器にかけ
る。溶媒としてＴＨＦ２００ｍＬを用いて、６時間抽出
する。このとき、ＴＨＦの抽出サイクルが約４〜５分に
１回になるような還流速度で抽出を行う。抽出終了後、
円筒ろ紙を取り出し、秤量することによって不溶分を得
る。トナーが樹脂成分以外の磁性体又は顔料の如き、Ｔ
ＨＦ不溶分を含有している場合、円筒ろ紙に入れたトナ
ーの質量をＷ１ｇとし、抽出されたＴＨＦ可溶樹脂成分
の質量をＷ２ｇとし、トナーに含まれている樹脂成分以
外のＴＨＦ不溶成分の質量をＷ３ｇとすると、トナー中
の樹脂成分のＴＨＦ不溶分の含有量は下記式から求めら
れる。

【数１】

【０１６０】＜ワックスの分子量分布＞ワックスの分子
量分布はＧＰＣにより次の条件で測定される。装置：ＧＰＣ−１５０Ｃ（ウオーターズ社）カラム：ＧＭＨ−ＨＴ３０ｃｍ²連（束ソー社製）温度：１３５℃ 溶媒：ｏ−ジクロロベンゼン（０．１％アイオノール添
加）流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ試料：０．１５％の試料を０．４ｍＬ注入以上の条件で測定し、試料の分子量算出にあたっては単
分散ポリスチレン標準試料により作成した分子量較正曲
線を使用する。さらに、Ｍａｒｋ−Ｈｏｕｗｉｎｋ粘度
式から導き出される換算式でポリエチレン換算すること
によって算出される。

【０１６１】＜ワックスの昇温時の吸熱ピーク＞ワック
スの昇温時の吸熱ピークの測定は、示差走査熱量計（Ｄ
ＳＣ測定装置）、ＤＳＣ−７（バーキンエルマー社製）
を用いて、ＡＳＴＭＤ３４１８−８２に準じて測定す
る。測定試料は２〜１０ｍｇ、好ましくは５ｍｇを精密
に秤量する。これをアルミバン中に入れ、リファレンス
として空のアルミバンを用い、測定温度範囲３０〜２０
０℃の間で、昇温速度１０℃／ｍｉｎで常温常湿下で測
定を行う。この昇温過程で、温度３０〜２００℃の範囲
におけるＤＳＣ曲線の吸熱ピークが得られる。

【０１６２】＜トナーの重量平均粒径＞トナーの重量平
均粒径は、測定装置としてコールターマルチサイザー
（コールター社製）を用いる。電解液は特級又は１級塩
化ナトリウムを用いて１％ＮａＣ１水溶液を調製する。
例えば、ＩＳＯＴＯＮ−ＩＩ（コールターサイエンティ
フイックジャパン社製）が使用できる。測定方法として
は、前記電解水溶液１００〜１５０ｍＬ中に分散剤とし
て界面活性剤、好ましくはアルキルベンゼンスルホン酸
塩を０．１〜５ｍＬ加え、更に測定試料であるトナーを
２〜２０ｍｇ加える。試料を懸濁した電解液は超音波分
散機で約１〜３分間分散処理を行い、１００μｍアパー
チャーを用いて、トナーの体積、個数を測定して体積分
布と個数分布とを算出した。それから本発明に係わる重
量平均粒径を、該体積分布から求めた（各チャンネルの
中央値をチャンネル毎の代表値とする）。

【０１６３】＜画像形成方法及び画像形成装置＞本発明
の画像形成方法は、前述した光受容部材及びトナーを用
いる他は特に限定されず、従来より知られている方法を
利用することができる。より具体的には、本発明の画像
形成方法は、光受容部材を帯電する帯電工程、静電潜像
に対応する光を光受容部材に照射して静電潜像を形成す
る潜像形成（露光）工程、光受容部材にトナーを供給し
て静電潜像を顕像化する現像工程、顕像化によるトナー
像を転写材に転写する転写工程、及びトナー像を転写材
に定着させる定着工程を少なくとも含む方法を例示する
ことができる。

【０１６４】また、本発明の画像形成方法は、より好ま
しい形態として、例えば転写残トナーを除去するための
クリーニング工程等のように、他の工程をさらに含む方
法であっても良いし、例えば静電潜像の顕像化のための
トナーの供給と、転写残トナーの回収とを同時に行う現
像同時クリーニング方式等のように、二以上の工程が同
時に行われる方法であっても良い。

【０１６５】本発明の画像形成装置は、上述した本発明
の画像形成方法を実行する構成であれば特に限定され
ず、従来より知られている構成の装置を利用することが
できる。このような画像形成装置としては、静電潜像を
担持する光受容部材と、光受容部材を帯電する帯電手段
と、帯電した光受容部材に静電潜像を形成するための潜
像形成手段と、静電潜像が形成された光受容部材にトナ
ーを供給して静電潜像を顕像化する現像装置と、顕像化
した像を転写材に転写する転写手段と、転写材に転写さ
れた像を定着させる定着手段とを有する画像形成装置を
例示することができる。

【０１６６】また、本発明の画像形成装置は、より好ま
しい形態として、例えば転写残トナーを除去するための
クリーニング手段等のように、他の装置をさらに有する
装置であっても良いし、例えば現像クリーニング方式を
行うための現像装置等のように、二以上の工程が同時に
行える装置等を有するものであっても良い。

【０１６７】本発明の画像形成装置としては、より具体
的には図１に示される画像形成装置を例示することがで
きる。この画像形成装置は、光受容部材１１を有してい
る。この光受容部材１１は、円筒状の導電性基体上に前
述した光導電層と表面層とを少なくとも有し、内部に面
状ヒータ１２３を有し、一定温度の制御されつつ矢印Ｘ
方向に回転する部材である。

【０１６８】前記画像形成装置は、帯電手段として主帯
電器１０２を有している。この主帯電器１０２は光受容
部１１に接触して帯電する接触式の帯電器であっても良
いし、非接触で帯電する帯電器であっても良い。また、
帯電のための印加電圧も、直流電圧であっても良いし、
交流電圧であっても良いし、直流電圧に交流電圧を重畳
した重畳電圧であっても良い。光受容部材１１は主帯電
器１０２によって帯電される。

【０１６９】前記画像形成装置は、潜像形成手段として
ランプ１１０、ミラー１１３〜１１６、及びレンズ１１
８を有するレンズユニット１１７を有している。ランプ
１１０は原稿台ガラス１１１上に置かれた被転写物であ
る原稿１１２に光を照射し、原稿１１２からの反射光は
ミラー１１３〜１１５を経由し、レンズ１１８によって
結像し、ミラー１１６を経由して、潜像形成部位１０３
から光受容部材１１に照射されて光受容部材１１に静電
潜像が形成される。

【０１７０】前記画像形成装置は、現像装置として現像
器１０４を有している。この現像器１０４は、トナーを
収容する現像容器、現像容器の開口部に回転自在に設け
られトナーを担持搬送する現像スリーブ、及び現スリー
ブ上のトナーの層厚を規制する弾性ブレードとを有して
いる。このトナーは、前述した結着樹脂、荷電制御剤及
びワックスを少なくとも含むトナー粒子を有するトナー
であり、現像スリーブからトナーが光受容部材へ供給さ
れ、静電潜像が顕像化される。

【０１７１】前記画像形成装置は、転写手段として転写
帯電器１０６（ａ）を有している。転写帯電器１０６
（ａ）には、給紙ガイド１１９やレジストローラ１２２
を有する転写紙供給系１０５によって転写材である転写
紙が光受容部材１１の回転に合わせて供給される。転写
帯電器１０６（ａ）からは電圧が印加され、光受容部材
１１上のトナー像が転写紙に転写される。トナー像が転
写された転写紙は、分離帯電器１０６（ｂ）によって光
受容部材１１から容易に離間し、搬送ベルト等を有する
搬送系１０８によって搬送される。

【０１７２】前記画像形成装置は、定着手段として定着
器１２４を有している。定着器１２４はヒータを内蔵す
る加熱ローラとこの加熱ローラに向けて付勢される加圧
ローラとを有するが、ローラ式に限定されずフィルム式
の定着器であっても良い。トナー像が転写された転写紙
は、上記ローラ間に導入され、加熱及び加圧を受けて転
写紙に定着される。トナー像が定着された転写紙は、画
像形成装置外へ排出される。

【０１７３】前記画像形成装置は、前記クリーニング手
段としてのクリーナー１２５を有している。このクリー
ナー１２５はクリーニングローラ１０７とクリーニング
ブレード１２１を有しており、光受容部材１１上の転写
残トナーをクリーニングブレード１２１によってかき落
とす。

【０１７４】前記画像形成装置は、除電光源１０９を有
している。光受容部材１１に残存する静電潜像は、除電
光源１０９からの光の照射によって消去される。残存す
る静電潜像が消去された光受容部材１１は、再び主帯電
器１０２により帯電され、光受容部材１１上には新規の
静電潜像が形成される。

【０１７５】前述した画像形成装置及び画像形成方法に
よれば、前述したように耐久性や固体潤滑性等に優れて
いる光受容部材１１が使用され、かつ前述したように画
像再現性や定着性に優れているトナーが使用されている
ことから、使用期間や使用環境、プロセススピード等の
使用条件に関わらず、高画質の画像を形成することがで
きる。

【０１７６】

【実施例】以下に本発明を実施例を用いて具体的に説明
するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではな
い。

【０１７７】＜実施例１＞図８に記載のプラズマＣＶＤ
装置を用いて表１に示した条件により円筒形のＡｌ基体
上に鏡面研磨したＳｉウエハーを設置し、表１に示した
各条件によりＳｉウエハー上に水素原子を含む非単結晶
炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）の堆積膜を形成した。この様に作成
したサンプルを用い、赤外分光光度計により赤外吸収ス
ペクトルを測定し、２８５０ｃｍ^-1及び２９２０ｃｍ^-1
をピークとするそれぞれの波形の面積の和（Ａ）と、３
０００ｃｍ^-1及び３０５０ｃｍ^-1をピークとするそれぞ
れの波形の面積の和（Ｂ）を求め、Ｂ／Ａの値を計算し
た。

【０１７８】

【表１】

【０１７９】続いて、図８に記載のプラズマＣＶＤ装置
を用いて表２に示した条件により円筒形のＡｌ基体上に
下部阻止層、光導電層を順次積層し、更に表面層を積層
し、光受容部材を完成させた。この時の表面層の作成条
件は、前記実験で得られたＢ／Ａの値が本発明の範囲内
であった条件にて作成した。

【０１８０】

【表２】

【０１８１】次に以下の条件によって現像剤（トナー）
を製造した。（トナー製造条件）スチレン−アクリル酸ブチル−マレイン酸ブチル−ハーフエステル共重合体（Ｔｇ６０.１℃）１００質量部マグネタイト（平均粒径：０．２μｍ）１００質量部低分子量ポリプロピレン（示差熱分析吸熱ピーク：１３５℃、ピーク分子量３５００）４質量部下記構造で示すアゾ系鉄錯体化合物２質量部

【化８】

【０１８２】上記材料を予備混合した後に、１３０℃に
設定した二軸混練押し出し機によって溶融混練を行なっ
た。混練物を冷却後、粗粉砕をし、ジェット気流を用い
た粉砕機によって微粉砕をし、さらに風力分級機を用い
て分級した。さらに、機械的衝撃力により表面処理し黒
色粉体（トナー粒子（１））を得た。トナー粒子（１）
中の結着樹脂のＴＨＦ不溶分は０質量％であった。上記
トナー粒子（１）１００質量部に対して、へキサメチル
ジシラザン／ジメチルシリコーンオイル処理乾式シリカ
１．２質量部とをへンシエルミキサーで撹拌混合し負帯
電性トナーを得た。得られた負帯電性トナーの重量平均
粒径は７．８μｍ、ピーク分子量は３×１０⁴であっ
た。このように作成したトナーに前述した光受容部材を
組み合わせて画像評価を行った。結果を表３に示す。

【０１８３】＜比較例１＞図８に記載のプラズマＣＶＤ
装置を用いて表２に示した条件により円筒形のＡｌ基体
に下部阻止層、光導電層を順次積層し、更に表面層を積
層し、光受容部材を完成させた。この時の表面層の作成
条件は、前記実験で得られたＢ／Ａの値が本発明の範囲
外の各条件にて作成した。

【０１８４】このように作成した光受容部材に実施例１
と同じトナーを組み合わせて画像評価を行った。各項目
の評価は、比較例１で作成した感光体のうち、表面層の
Ｂ／Ａの値が０．０２であった感光体の評価結果をＢラ
ンク（基準）とし、以下のようにランク付けを行った。ＡＡランク・・・基準より５０％以上の良化が認められ
た。Ａランク・・・基準より２０％以上の良化が認められ
た。Ｂランク・・・基準。Ｃランク・・・基準より２０％以上の悪化が認められ
た。Ｄランク・・・基準より５０％以上の悪化が認められ
た。注）なお、実施例２以降の比評価較も、今回基準とした
感光体の結果を基準とし比較を行うこととする。評価方法は以下のように行なった。

【０１８５】（融着評価方法）光受容部材を図１に示し
た構成のキヤノン製複写機ＮＰ−６０８５の改造機に搭
載し加温手段１２３により光受容部材１０１の表面温度
が５０℃になるようにコントロールし、２５℃相対湿度
１０％の環境条件で光受容部材１０１の移動速度を４０
０ｍｍ／ｓｅｃでＡ４版の連続通紙耐久を１０万枚行
い、融着の評価を行った。但し、原稿は白地に１ｍｍ幅
の黒ラインがたすき状に１本プリントされた１ラインチ
ャートを使用した。

【０１８６】耐久終了後、現像器１０４位置に於ける暗
部電位が４００Ｖになるように主帯電器１０２の帯電電
流量を調整し、原稿台１１１にベタ白の原稿５１２を置
き、明部電位が５０Ｖになるようにハロゲンランプ１１
０の点灯電圧を調整し、Ａ３版のベタ白画像を作成し
た。この画像によって現像剤の融着により発生する黒ポ
チを観察し、更に顕微鏡により光受容部材表面を観察す
る。黒ぽち個数が少ないほど融着の発生個数が少なく、
良好である事を示す。

【０１８７】（フィルミング評価方法）上記の条件でＡ
４版の連続通紙１０万枚耐久をおこなった光受容部材に
ついて、表面層の膜厚を反射分光計で測定した。次に、
１００μｍのアルミナ粉を濡れた柔らかい布につけ、光
受容部材表面を軽く１０回擦った。この時の力加減は、
あらかじめ新品の光受容部材を擦った際に表面層が削れ
ないことを確認した程度の力で行った。その後、再度反
射分光計で表面層の膜厚を測定し、その差分をフィルミ
ング量と規定した。膜厚差が小さいほどフィルミングの
発生個数が少なく、良好である事を示す。

【０１８８】（削れ量評価方法）上記の１０万枚耐久前
の表面層の膜厚をあらかじめ反射式分光計で測定してお
く。この膜厚から、上記のフィルミングを除去した後の
表面層の膜厚を差し引き、その差を削れ量と定義した。
削れが量が少ないほど、良好である事を示す。

【０１８９】（水素量の定量）Ｓｉウエハー上に成膜し
た表面層サンプルを用い、赤外分光光度計により赤外吸
収スペクトルを測定した。このとき、２９６０ｃｍ^-1付
近に現れるＣ−Ｈnの吸収ピークの面積と膜厚から膜中
水素量を求めた。

【０１９０】実施例１、比較例１の結果をまとめて表３
に示す。表３の結果から本発明の効果は赤外吸収スペク
トルのから得られる２８５０ｃｍ^-1及び２９２０ｃｍ^-1
をピークとするそれぞれの波形の面積の和をＡ、３００
０ｃｍ^-1及び３０５０ｃｍ^-1をピークとするそれぞれの
波形の面積の和をＢとしたとき、０．０１≦Ｂ／Ａ≦
０．５である非単結晶炭素からなる表面層にすることに
よって、定着性の良いトナーと組み合わせても融着、フ
ィルミングなどの弊害が出ず、また削れも発生しないた
め、長期間に渡って安定して使用できることが分かる。

【０１９１】

【表３】

【０１９２】＜実施例２＞図８に記載のプラズマＣＶＤ
装置を用いて表４に示した条件により円筒形のＡｌ基体
上に下部阻止層、光導電層、表面層を順次積層し、光受
容部材を完成させた。本実施例ではａ−Ｃ：Ｈ表面層の
成膜時の水素量を変化させることによって、膜中に含有
される水素原子の量を変化させた。この膜中の水素量及
び、２８５０ｃｍ^-1及び２９２０ｃｍ^-1をピークとする
それぞれの波形の面積の和をＡ、３０００ｃｍ^-1及び３
０５０ｃｍ^-1をピークとするそれぞれの波形の面積の和
をＢとしたときのＢ／Ａの値については実施例１と同様
に、鏡面研磨したＳｉウエハー上に表面層のみを１μｍ
堆積することにより、赤外吸収測定によって求めた。

【０１９３】

【表４】

【０１９４】次に以下の条件によってトナーを製造し
た。（トナー製造条件）ポリエステル樹脂（プロポキシ化及びエポキシ化されたビスフェノールとフマル酸とトリメリット酸の縮重合体、Ｔｇ５８．２℃）１００質量部マグネタイト（平均粒径：０．２μｍ）９０質量部長鎖アルキルアルコール（示差熱分析吸熱ピーク：１０５℃、ピーク分子量８３０）４質量部下記構造で示すアゾ系鉄錯体化合物２質量部

【化９】

【０１９５】上記材料を予備混合した後に、１３０℃に
設定した二軸混練押し出し機によって溶融混練を行なっ
た。混練物を冷却後、粗粉砕をし、ジェット気流を用い
た粉砕機によって微粉砕をし、さらに風力分級機を用い
て分級し、黒色粉体（トナー粒子（２））を得た。トナ
ー粒子（２）中の結着樹脂のＴＨＦ不溶分は２５質量％
であった。上記トナー粒子（２）１００質量部に対し
て、へキサメチルジシラザン処理乾式シリカ１．０質量
部をヘンシエルミキサーで撹拌混合し負荷電性トナーを
得た。得られた負荷電性トナーの重量平均粒径は８．０
μｍ、ピーク分子量は８×１０³であった。この様に作
成したトナーと前述した光受容部材を組み合わせて、実
施例１と同様に画像評価した。結果を表５に示す。

【０１９６】＜比較例２＞図８に記載のプラズマＣＶＤ
装置を用いて表４に示した条件により円筒形のＡｌ基体
に下部阻止層、光導電層、ａ−ＳｉＣからなるバッファ
層、表面層を順次積層し、光受容部材を完成させた。

【０１９７】本比較例ではａ−Ｃ：Ｈ表面層の成膜時の
水素量を変化させることによって、膜中に含有される水
素原子の量が３０原子％、６０原子％と成るように条件
を決定した。このように作成した光受容部材に実施例１
と同じトナーを組み合わせて実施例１と同様の評価を行
った。結果を表５に示す。

【０１９８】表５からわかるように、本発明の水素量の
範囲よりも水素量が少ない側に外れる場合は、削れ量は
良好であるが、融着、フィルミングは悪化している。ま
た、多い側に外れる場合は、融着、フィルミングが良好
であるが、削れ量が悪化している。本発明の効果は膜中
の水素量が３５原子％〜５５原子％の範囲にあるときに
は、すべての評価結果について良好であることが判明し
た。

【０１９９】

【表５】

【０２００】＜実施例３＞図８に記載のプラズマＣＶＤ
装置を用いて表６に示した条件により円筒形のＡｌ基体
上に下部阻止層、光導電層、表面層を順次積層し、負帯
電で用いられる光受容部材を完成させた。また、鏡面研
磨したＳｉウエハー上に同様の製造条件で表面層のみを
１μｍ堆積し、赤外吸収により２８５０ｃｍ^-1及び２９
２０ｃｍ^-1をピークとするそれぞれの波形の面積の和を
Ａ、３０００ｃｍ^-1及び３０５０ｃｍ^-1をピークとする
それぞれの波形の面積の和をＢとしたときのＢ／Ａの値
及び膜中の水素量を求めたところ、Ｂ／Ａの値は０．２
５、膜中の水素量は４６原子％であった。

【０２０１】

【表６】

【０２０２】次に以下の条件によってトナーを製造し
た。（トナー製造条件）スチレン−アクリル酸ブチル共重合体（Ｔｇ５８．５℃）１００質量部マグネタイト（平均粒径：０．２μｍ）９０質量部低分子量ポリエチレン（示差熱分析吸熱ピーク：１１０℃、ピーク分子量１２００）４質量部下記構造で示すトリフェニルメタン化合物２質量部

【化１０】

【０２０３】上記材料を予備混合した後に、１３０℃に
設定した二軸混練押し出し機によって溶融混練を行なっ
た。混練物を冷却後、粗粉砕をしジェット気流を用いた
粉砕機によって微粉砕をし、さらに風力分級機を用いて
分級をした。さらに、機械的衝撃力により表面処理し黒
色粉体（トナー粒子（３））を得た。トナー粒子（３）
の結着樹脂のＴＨＦ不溶分は０質量％であった。上記ト
ナー粒子（３）１００質量部に対して、アミノ変性シリ
コーンオイル処理乾式シリカ０．８質量部とをヘンシェ
ルミキサーで撹拌混合し正荷電性トナーを得た。得られ
た正荷電性トナーの重量平均粒径は７．３μｍ、ピーク
分子量は、ピーク分子量は１．２×１０ ⁴と４．５×１
０⁵であった。このように製造されたトナーと前述した
光受容部材を組み合わせて、以下の手法により画像評価
を行った。

【０２０４】本実施例においては、図１に示す評価装置
を負帯電ドラム用に変更し、更に定着器の設定温度を変
化させて画像出しを行った。画像出しした後、得られた
画像を消しゴムで擦ることで定着性を観察した。結果は
次の４つの評価基準で示した。 ◎…かなり強く擦っても、画像は全く薄くならず、定着
性は非常に良好。〇…かなり強く擦った場合に限って、やや画像が薄くな
るが、通常の使用では全く問題がない。 △…強く擦ると画像が薄くなり、問題となる場合があ
る。 ×…軽く擦っただけで画像が薄くなり、定着不良であ
る。

【０２０５】結果を表７に示した。この結果から分かる
ように、本発明のトナーを用いることで、定着温度を通
常設定の２００℃よりも低い設定にしても定着性に何ら
問題がないことが判明した。従って、本発明のトナーと
光受容部材を組み合わせて用いることにより、省エネル
ギーで融着などの画像欠陥の発生しない複写方法が得ら
れることが判明した。

【０２０６】

【表７】

【０２０７】＜実施例４＞図８に記載のプラズマＣＶＤ
装置を用いて表８に示した条件により円筒形のＡｌ基体
上に下部阻止層、光導電層、バッファ層、を順次積層
し、更に表面層を積層し、光受容部材を完成させた。本
実施例では表面層作成時にＣ2Ｆ6ガスを用いることによ
りフッ素を含有させた。また、鏡面研磨したＳｉウエハ
ー上に同様の製造条件で表面層のみを１μｍ積層し、サ
ンプルを作成した。この様に作成したサンプルを用い、
実施例１と同様に赤外分光光度計により赤外吸収スペク
トルを測定し、２８５０ｃｍ^-1及び２９２０ｃｍ^-1をピ
ークとするそれぞれの波形の面積の和Ａと、３０００ｃ
ｍ^-1及び３０５０ｃｍ^-1をピークとするそれぞれの波形
の面積の和Ｂを求め、Ｂ／Ａの値を計算した。また、赤
外分光硬度計により測定する事で、フッ素含有量を測定
した。

【０２０８】

【表８】

【０２０９】以上の手順で作成した光受容部材に実施例
３のトナーを組み合わせ、図１に示す評価装置を負帯電
ドラム用に変更した改造機を用いて実施例１と同様の評
価を行った。結果を表９に示す。表９の結果から表面層
にハロゲン（フッ素）を含有させるても、ハロゲン含有
量と水素含有量のトータルが本発明の範囲であれば、良
好な結果が得られることが判明した。

【０２１０】

【表９】

【０２１１】＜実施例５＞図９に記載のＶＨＦプラズマ
ＣＶＤ装置を用いて表１０に示した条件により円筒形の
Ａｌ基体上に下部阻止層、光導電層、バッファ層、表面
層を順次積層し、光受容部材を完成させた。また、鏡面
研磨したＳｉウエハー上に同様の製造条件で表面層のみ
を１μｍ堆積し、赤外吸収測定用サンプルを作成した。

【０２１２】

【表１０】

【０２１３】以上の手順で作成した光受容部材に実施例
１のトナーを組み合わせ、実施例１と同様の評価を行っ
た。結果を表１１に示す。表１１の結果からＶＨＦプラ
ズマＣＶＤ法によって作成した光受容部材においても、
同様に本発明の効果が充分に得られることが判明した。

【０２１４】

【表１１】

【０２１５】＜実施例６＞本実施例では、表面層形成時
の炭化水素の原料ガス（本実施例ではＣＨ₄）に対して
高周波電力（Ｗ）の比の違いによる感光体表面の削れ量
と融着特性の評価を行なった。

【０２１６】実施例１と同様に図８に記載のプラズマＣ
ＶＤ装置を用いて表２に示した条件により円筒形のＡｌ
基体上に下部阻止層、光導電層を順次積層し、更に表面
層を積層し、光受容部材を完成させた。本実施例では、
表面層形成時の炭化水素の原料ガスに対して高周波電力
（Ｗ）の比を変えて、それぞれの条件にて光受容部材を
形成し、削れ量の評価は、実施例１と同様に行った。

【０２１７】融着の評価は、作成した各光受容部材と、
実施例１と同様のトナーの組み合わせにより画像形成を
行なった（条件Ａとする）。さらに、作成条件の違いに
よる差を明確にするために、実施例１の融着評価方法よ
りも更に厳しい条件、具体的にはクリーニングブレード
を１８７０−０１から１２７３（いずれもバンドー化学
株式会社製）に変更して融着の評価を行なった（条件Ｂ
とする）。クリーニングブレード１２７３は、１８７０
−０１に比べ反発弾性が高く、１８７０−０１に比べ融
着が発生し易い実験結果を得ている。

【０２１８】本実施例では、実施例１で用いたキヤノン
製複写機ＮＰ−６０８５の改造機を上記クリーニングブ
レード１２７３に変更し、他は同じ条件にて実施例１と
同様の融着評価を行なった。

【０２１９】削れ量の評価結果及び本実施例の厳しい条
件（条件Ｂ）での融着評価結果と実施例１と同様の融着
評価方（条件Ａ）による評価結果の比較をあわせて表１
２に示した。炭化水素の原料ガスに対して高周波電力
（Ｗ）の比が１Ｗ／ｍＬ以上１００Ｗ／ｍＬ以下の範囲
で表面層を作成した場合、削れ量及び本実施例の融着に
対する更に厳しいの評価においても良好な結果が得られ
た。

【０２２０】

【表１２】

【０２２１】

【発明の効果】本発明は、少なくとも結着樹脂、荷電制
御剤及びワックスを含むトナー粒子を有し、該トナー粒
子の重量平均粒径が３〜１１μｍであり、該結着樹脂の
ガラス転移点温度が４０〜８０℃であり、該ワックスが
分子量分布において分子量４００〜１００００の領域に
メインピークを有し、該ワックスが示差熱分析における
昇温時の吸熱ピークを６０℃〜１５０℃の領域に少なく
とも一つ有するトナーと、導電性基体、少なくとも水素
原子及びハロゲン原子の少なくとも一方を含むシリコン
原子を母体とする非単結晶材料により形成される光導電
層、及び水素原子を含有し、かつ水素原子及びハロゲン
原子の含有量が総量で３５乃至５５原子％である非単結
晶炭素により形成される表面層を少なくとも有し、該非
単結晶炭素は、赤外吸収スペクトルにおける２８５０ｃ
ｍ^-1及び２９２０ｃｍ^-1をピークとするそれぞれの波形
の面積の和をＡ、３０００ｃｍ^-1及び３０５０ｃｍ^-1を
ピークとするそれぞれの波形の面積の和をＢとしたと
き、これらの面積の比（Ｂ／Ａ）が０．０１≦Ｂ／Ａ≦
０．５の関係を満たす光受容部材とを組み合わせること
によって、定着器の設定温度を下げることが出来、これ
により低消費電力を達成し、かつ、どのような環境下に
おいても融着やフィルミングによる画像不良が発生せ
ず、長期間に渡る使用においても、光受容部材に傷や摩
耗が発生せず、常に鮮明な画像が得られる、耐久性に富
んだ画像形成方法及び画像形成装置を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】画像形成装置の一例を説明する模式的断面図で
ある。

【図２】本発明による光受容部材の好適な実施態様にお
ける一例の構成を説明するための模式的断面図である。

【図３】本発明による光受容部材の好適な実施態様にお
ける他の例の構成を説明するための模式的断面図であ
る。

【図４】本発明による光受容部材の好適な実施態様にお
ける他の例の構成を説明するための模式的断面図であ
る。

【図５】本発明による光受容部材の好適な実施態様にお
ける他の例の構成を説明するための模式的断面図であ
る。

【図６】本発明による光受容部材の好適な実施態様にお
ける他の例の構成を説明するための模式的断面図であ
る。

【図７】本発明による光受容部材の好適な実施態様にお
ける他の例の構成を説明するための模式的断面図であ
る。

【図８】本発明における光受容部材を形成するための装
置の一例を示すものであり、ＲＦグロー放電法による製
造装置の模式的説明図である。

【図９】本発明における光受容部材を形成するための装
置の一例を示すものであり、ＶＨＦグロー放電法による
量産型の製造装置の模式的説明図である。

【符号の説明】

１１、１０１光受容部材１０２主帯電器１０３静電潜像形成部位１０４現像器１０５転写紙供給系１０６（ａ）転写帯電器１０６（ｂ）分離帯電器１０７クリーニングローラ１０８搬送系１０９除電光源１１０ハロゲンランプ１１１原稿台１１２原稿１１３〜１１６ミラー１１７レンズユニット１１８レンズ１１９給紙ガイド１２０ブランク露光ＬＥＤ１２１クリーニングブレード１２２レジストローラ１２３面状ヒータ１２４定着器１２５クリーナ２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８
１１２、９１１２導電性基体２０２、３０２、４０２、５０２、６０２、７０２光
導電層２０３、３０３、４０３、５０３、６０３、７０３表
面層３０４、５０４、７０４バッファ層４０５、５０５、６０５、７０５下部阻止層６０６電荷輸送層６０７電荷発生層８１００、９１００堆積装置８１１１、９１１１反応容器８１１３、９１１３基体加熱用ヒータ８１１４原料ガス導入管８１１５、９１１６マッチングボックス８１１６原料ガス配管８１１７真空ポンプ８１１８メイン排気バルブ８１２０上蓋８１２３リークバルブ８１２４真空計８１２５基体ホルダ８２００原料ガス供給装置８２１１〜８２１６マスフローコントローラ８２２１〜８２２６原料ガスボンベ８２３１〜８２３６原料ガスボンベバルブ８２４１〜８２４６ガス流入バルブ８２５１〜８２５６ガス流出バルブ８２６１〜８２６６圧力調整器９１１５電極９１２０駆動装置９１２１排気管９１３０放電空間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｇ 5/08 ３６０Ｇ０３Ｇ 5/08 ３６０ 9/097 9/08 ３６５ 9/08 ３６５３４４ (72)発明者植田重教東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H005 AA06 CA14 DA01 EA03 EA05 EA06 2H068 CA03 DA12 DA24 DA25 DA26 DA27 DA34 DA41 EA24 EA32 EA35 EA36 FA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基体と、少なくとも水素原子及び
ハロゲン原子の少なくとも一方を含むシリコン原子を母
体とする非単結晶材料により形成される光導電層と、水
素原子を含有し、かつ水素原子及びハロゲン原子の含有
量が総量で３５乃至５５原子％である非単結晶炭素によ
り形成される表面層とを有する光受容部材に静電潜像を
形成し、トナーで該静電潜像を現像し、現像された像を
転写材に転写し、定着する画像形成方法であって、前記非単結晶炭素は、赤外吸収スペクトルにおける２８
５０ｃｍ^-1及び２９２０ｃｍ^-1をピークとするそれぞれ
の波形の面積の和をＡ、３０００ｃｍ^-1及び３０５０ｃ
ｍ^-1をピークとするそれぞれの波形の面積の和をＢとし
たとき、これらの面積の比（Ｂ／Ａ）が０．０１≦Ｂ／
Ａ≦０．５の関係を満たし、前記トナーは、少なくとも結着樹脂、荷電制御剤及びワ
ックスを含むトナー粒子を有し、該トナー粒子の重量平
均粒径が３〜１１μｍであり、該結着樹脂のガラス転移
点温度が４０〜８０℃であり、該ワックスが分子量分布
において分子量４００〜１００００の領域にメインピー
クを有し、該ワックスが示差熱分析における昇温時の吸
熱ピークを６０℃〜１５０℃の領域に少なくとも一つ有
することを特徴とする画像形成方法。
【請求項２】前記表面層は、前記導電性基体が内部に
設置された減圧可能な反応容器内に、炭化水素及びその
ハロゲン誘導体の少なくともいずれか一方の原料ガスを
前記反応容器内に導入し、高周波電力を印加するカソー
ド電極と対向する導電性基体との間にプラズマを発生さ
せ、該導電性基体の温度が２０℃乃至４００℃であり、
かつ該原料ガスの流量に対する該高周波電力（Ｗ）の比
が１ｍＬ／ｍｉｎあたり１乃至１００の範囲で形成され
ることを特徴とする請求項１記載の画像形成方法。
【請求項３】前記光導電層と前記表面層の間に、更に
バッファ層を設けた前記光受容部材を用いることを特徴
とする請求項１記載の画像形成方法。
【請求項４】前記バッファ層がシリコン原子を母体と
し、更に炭素原子、窒素原子、酸素原子から選ばれる少
なくとも一種以上の原子を含む非単結晶材料により形成
されていることを特徴とする請求項３記載の画像形成方
法。
【請求項５】前記Ｂ／Ａが０．０３≦Ｂ／Ａ≦０．３
の関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の画像形
成方法。
【請求項６】前記トナー粒子の重量平均粒径が５〜１
０μｍであることを特徴とする請求項１記載の画像形成
方法。
【請求項７】前記ワックスが示差熱分析における昇温
時の吸熱ピークを７５℃〜１４０℃の領域に少なくとも
一つ有することを特徴とする請求項１記載の画像形成方
法。
【請求項８】前記結着樹脂のガラス転移点温度が５０
℃〜７０℃であることを特徴とする請求項１記載の画像
形成方法。
【請求項９】前記ワックスが分子量分布において分子
量７００〜５０００の領域にメインピークを有すること
を特徴とする請求項１記載の画像形成方法。
【請求項１０】導電性基体と、少なくとも水素原子及
びハロゲン原子の少なくとも一方を含むシリコン原子を
母体とする非単結晶材料により形成される光導電層と、
水素原子を含有し、かつ水素原子及びハロゲン原子の含
有量が総量で３５乃至５５原子％である非単結晶炭素に
より形成される表面層とを有する光受容部材に静電潜像
を形成し、トナーで該静電潜像を現像し、現像された像
を転写材に転写し、定着する画像形成装置であって、前記非単結晶炭素は、赤外吸収スペクトルにおける２８
５０ｃｍ^-1及び２９２０ｃｍ^-1をピークとするそれぞれ
の波形の面積の和をＡ、３０００ｃｍ^-1及び３０５０ｃ
ｍ^-1をピークとするそれぞれの波形の面積の和をＢとし
たとき、これらの面積の比（Ｂ／Ａ）が０．０１≦Ｂ／
Ａ≦０．５の関係を満たし、前記トナーは、少なくとも結着樹脂、荷電制御剤及びワ
ックスを含むトナー粒子を有し、該トナー粒子の重量平
均粒径が３〜１１μｍであり、該結着樹脂のガラス転移
点温度が４０〜８０℃であり、該ワックスが分子量分布
において分子量４００〜１００００の領域にメインピー
クを有し、該ワックスが示差熱分析における昇温時の吸
熱ピークを６０℃〜１５０℃の領域に少なくとも一つ有
することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１１】前記表面層は、前記導電性基体が内部
に設置された減圧可能な反応容器内に、炭化水素及びそ
のハロゲン誘導体の少なくともいずれか一方の原料ガス
を前記反応容器内に導入し、高周波電力を印加するカソ
ード電極と対向する導電性基体との間にプラズマを発生
させ、該導電性基体の温度が２０℃乃至４００℃であ
り、かつ該原料ガスの流量に対する該高周波電力（Ｗ）
の比が１ｍＬ／ｍｉｎあたり１乃至１００の範囲で形成
されることを特徴とする請求項１０記載の画像形成装
置。
【請求項１２】前記光導電層と前記表面層の間に、更
にバッファ層を設けた前記光受容部材を用いることを特
徴とする請求項１０記載の画像形成装置。
【請求項１３】前記バッファ層がシリコン原子を母体
とし、更に炭素原子、窒素原子、酸素原子から選ばれる
少なくとも一種以上の原子を含む非単結晶材料により形
成されていることを特徴とする請求項１２記載の画像形
成装置。
【請求項１４】前記Ｂ／Ａが０．０３≦Ｂ／Ａ≦０．
３の関係を満たすことを特徴とする請求項１０記載の画
像形成装置。
【請求項１５】前記トナー粒子の重量平均粒径が５〜
１０μｍであることを特徴とする請求項１０記載の画像
形成装置。
【請求項１６】前記ワックスが示差熱分析における昇
温時の吸熱ピークを７５℃〜１４０℃の領域に少なくと
も一つ有することを特徴とする請求項１０記載の画像形
成装置。
【請求項１７】前記結着樹脂のガラス転移点温度が５
０℃〜７０℃であることを特徴とする請求項１０記載の
画像形成装置。
【請求項１８】前記ワックスが分子量分布において分
子量７００〜５０００の領域にメインピークを有するこ
とを特徴とする請求項１０記載の画像形成装置。