JP2002030335A - 高周波焼入装置 - Google Patents
高周波焼入装置Info
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- JP2002030335A JP2002030335A JP2000215936A JP2000215936A JP2002030335A JP 2002030335 A JP2002030335 A JP 2002030335A JP 2000215936 A JP2000215936 A JP 2000215936A JP 2000215936 A JP2000215936 A JP 2000215936A JP 2002030335 A JP2002030335 A JP 2002030335A
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- Japan
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- hardened layer
- induction hardening
- deep
- coil
- heating
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/25—Process efficiency
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- General Induction Heating (AREA)
- Heat Treatment Of Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 深い硬化層が要求されない部分には浅い硬化
層を形成し、深い硬化層が要求される部分にのみ深い硬
化層を形成する高周波焼入装置とする。 【構成】 軸状ワークＷに連続した浅い硬化層ＷＫ１と
深い硬化層ＷＫ２とを形成する高周波焼入装置であっ
て、焼入コイル１００の各導体部１１０、１２０、１３
０、１４０のうち、深い硬化層ＷＫ２を形成すべき部分
としての穴ＷＨに対向する部分には他の部分より多いコ
ア１５０を配置する。
層を形成し、深い硬化層が要求される部分にのみ深い硬
化層を形成する高周波焼入装置とする。 【構成】 軸状ワークＷに連続した浅い硬化層ＷＫ１と
深い硬化層ＷＫ２とを形成する高周波焼入装置であっ
て、焼入コイル１００の各導体部１１０、１２０、１３
０、１４０のうち、深い硬化層ＷＫ２を形成すべき部分
としての穴ＷＨに対向する部分には他の部分より多いコ
ア１５０を配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、軸状ワークに連続
した浅い硬化層と深い硬化層とを形成する高周波焼入装
置に関する。
した浅い硬化層と深い硬化層とを形成する高周波焼入装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、軸状ワークに対して高周波焼入
を施す場合、ある部分に形成される硬化層を他の部分に
形成される硬化層より深く形成することがある。軸状ワ
ークに穴が形成されている場合には、この穴の周囲に形
成される硬化層を他の部分の硬化層より深くしないと、
曲げ、捩じり等の機械的な強度が劣ることになる。
を施す場合、ある部分に形成される硬化層を他の部分に
形成される硬化層より深く形成することがある。軸状ワ
ークに穴が形成されている場合には、この穴の周囲に形
成される硬化層を他の部分の硬化層より深くしないと、
曲げ、捩じり等の機械的な強度が劣ることになる。
【０００３】しかし、従来の高周波焼入では、いかに均
一な硬化層を形成するかが課題となっていたため、硬化
層の深さを不均一にするという発想がなかった。このた
め、より深い硬化層が要求される部分（上述した例では
穴の周囲）に合わせて他の部分も深い硬化層を形成して
いた。
一な硬化層を形成するかが課題となっていたため、硬化
層の深さを不均一にするという発想がなかった。このた
め、より深い硬化層が要求される部分（上述した例では
穴の周囲）に合わせて他の部分も深い硬化層を形成して
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、深い硬
化層が要求されない部分にまで深い硬化層を形成するこ
とは、高周波焼入に要する時間の短縮に反することにな
る。これは、省エネルギーの観点からも好ましいことで
はない。
化層が要求されない部分にまで深い硬化層を形成するこ
とは、高周波焼入に要する時間の短縮に反することにな
る。これは、省エネルギーの観点からも好ましいことで
はない。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
であって、深い硬化層が要求されない部分には浅い硬化
層を形成し、深い硬化層が要求される部分にのみ深い硬
化層を形成する高周波焼入装置を提供することを目的と
している。
であって、深い硬化層が要求されない部分には浅い硬化
層を形成し、深い硬化層が要求される部分にのみ深い硬
化層を形成する高周波焼入装置を提供することを目的と
している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波焼入
装置は、軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い硬化層
とを形成する高周波焼入装置であって、焼入コイルの導
体部のうち、深い硬化層を形成すべき部分に対向する部
分には他の部分より多いコアを配置している。
装置は、軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い硬化層
とを形成する高周波焼入装置であって、焼入コイルの導
体部のうち、深い硬化層を形成すべき部分に対向する部
分には他の部分より多いコアを配置している。
【０００７】また、本発明に係る他の高周波焼入装置
は、軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い硬化層とを
形成する高周波焼入装置であって、深い硬化層を形成す
べき部分には、他の部分より遅れて冷却液を噴射する冷
却ジャケットを有している。
は、軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い硬化層とを
形成する高周波焼入装置であって、深い硬化層を形成す
べき部分には、他の部分より遅れて冷却液を噴射する冷
却ジャケットを有している。
【０００８】さらに、本発明に係るその他の高周波焼入
装置は、軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い硬化層
とを形成する高周波焼入装置であって、深い硬化層を形
成すべき部分に本加熱の前の予備加熱を行う予備加熱コ
イルと、深い硬化層を形成すべき部分とその他の部分と
に本加熱を行う本加熱コイルとを備えている。
装置は、軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い硬化層
とを形成する高周波焼入装置であって、深い硬化層を形
成すべき部分に本加熱の前の予備加熱を行う予備加熱コ
イルと、深い硬化層を形成すべき部分とその他の部分と
に本加熱を行う本加熱コイルとを備えている。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施の形態
に係る高周波焼入装置の概略的構成図、図２は本発明の
第１の実施の形態に係る高周波焼入装置における加熱位
置と退避位置とを示す概略的説明図、図３は本発明の第
２の実施の形態に係る高周波焼入装置の概略的構成図、
図４は本発明の第３の実施の形態に係る高周波焼入装置
の概略的構成図、図５は本発明の実施の形態に係る高周
波焼入装置によって高周波焼入が施された軸状ワークＷ
の図面であって、同図（Ａ）は概略的斜視図、同図
（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ線概略的断面図である。
に係る高周波焼入装置の概略的構成図、図２は本発明の
第１の実施の形態に係る高周波焼入装置における加熱位
置と退避位置とを示す概略的説明図、図３は本発明の第
２の実施の形態に係る高周波焼入装置の概略的構成図、
図４は本発明の第３の実施の形態に係る高周波焼入装置
の概略的構成図、図５は本発明の実施の形態に係る高周
波焼入装置によって高周波焼入が施された軸状ワークＷ
の図面であって、同図（Ａ）は概略的斜視図、同図
（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ線概略的断面図である。
【００１０】まず、以下の説明において、高周波焼入が
施される軸状ワークＷは、図４に示すように、略円柱形
状であって、周面ＷＳに穴ＷＨが開設されている。そし
て、前記穴ＷＨの周囲には、他の部分に形成される硬化
層（以下、浅い硬化層ＷＫ１とする。）より深い硬化層
ＷＫ２の形成が要求されている。
施される軸状ワークＷは、図４に示すように、略円柱形
状であって、周面ＷＳに穴ＷＨが開設されている。そし
て、前記穴ＷＨの周囲には、他の部分に形成される硬化
層（以下、浅い硬化層ＷＫ１とする。）より深い硬化層
ＷＫ２の形成が要求されている。
【００１１】本発明の第１の実施の形態に係る高周波焼
入装置１０００は、軸状ワークＷに連続した浅い硬化層
ＷＫ１と深い硬化層ＷＫ２とを形成する高周波焼入装置
であって、焼入コイル１００の各導体部１１０、１２
０、１３０、１４０のうち、深い硬化層ＷＫ２を形成す
べき部分としての穴ＷＨに対向する部分には他の部分よ
り多いコア１５０を配置する。
入装置１０００は、軸状ワークＷに連続した浅い硬化層
ＷＫ１と深い硬化層ＷＫ２とを形成する高周波焼入装置
であって、焼入コイル１００の各導体部１１０、１２
０、１３０、１４０のうち、深い硬化層ＷＫ２を形成す
べき部分としての穴ＷＨに対向する部分には他の部分よ
り多いコア１５０を配置する。
【００１２】前記焼入コイル１００は、軸状ワークＷに
対応した半開放鞍型コイルであって、一対の平行な加熱
導体部１１０と、この加熱導体部１１０を一端で連結す
る略半円状の連結導体部１２０と、前記加熱導体部１１
０の他端を一対の接続導体部１３０に接続する一対の略
１／４円弧状の連結導体部１４０とが一体に形成された
ものである。この焼入コイル１００は、自身の過熱を防
止するために内部に冷却液が循環するようになってい
る。
対応した半開放鞍型コイルであって、一対の平行な加熱
導体部１１０と、この加熱導体部１１０を一端で連結す
る略半円状の連結導体部１２０と、前記加熱導体部１１
０の他端を一対の接続導体部１３０に接続する一対の略
１／４円弧状の連結導体部１４０とが一体に形成された
ものである。この焼入コイル１００は、自身の過熱を防
止するために内部に冷却液が循環するようになってい
る。
【００１３】前記加熱導体部１１０のうち、穴ＷＨに対
向する部分にはコア１５０が配置されている。前記コア
１５０は例えばフェライトからなり、磁力線を集中させ
ることにより、それに対向する部分に誘導電流を集中さ
せるものである。従って、コア１５０に対向する部分、
すなわち穴ＷＨ及びその周囲には、誘導電流が彼の部分
より集中することになるので、より加熱されることにな
る。
向する部分にはコア１５０が配置されている。前記コア
１５０は例えばフェライトからなり、磁力線を集中させ
ることにより、それに対向する部分に誘導電流を集中さ
せるものである。従って、コア１５０に対向する部分、
すなわち穴ＷＨ及びその周囲には、誘導電流が彼の部分
より集中することになるので、より加熱されることにな
る。
【００１４】なお、図面では、加熱導体部１１０のう
ち、穴ＷＨに対向する部分にのみコア１５０を記載して
いるが、実際には他の部分にもコアは配置されている。
しかし、重要な点は、穴ＷＨに対向する部分には、他の
部分より多くのコア１５０が配置されている点である。
ち、穴ＷＨに対向する部分にのみコア１５０を記載して
いるが、実際には他の部分にもコアは配置されている。
しかし、重要な点は、穴ＷＨに対向する部分には、他の
部分より多くのコア１５０が配置されている点である。
【００１５】この焼入コイル１００は、図外の移動機構
によって加熱位置Ａと、退避位置Ｂとの間を移動可能に
なっている。すなわち、軸状ワークＷに対して加熱を行
う場合には、加熱導体部１１０が周面ＷＳに対向する加
熱位置Ａにあり、後述する冷却ジャケット３００による
冷却を行う場合には、加熱導体部１１０が周面ＷＳから
外れて上方に位置する退避位置Ｂにあるようになってい
る。
によって加熱位置Ａと、退避位置Ｂとの間を移動可能に
なっている。すなわち、軸状ワークＷに対して加熱を行
う場合には、加熱導体部１１０が周面ＷＳに対向する加
熱位置Ａにあり、後述する冷却ジャケット３００による
冷却を行う場合には、加熱導体部１１０が周面ＷＳから
外れて上方に位置する退避位置Ｂにあるようになってい
る。
【００１６】前記焼入コイル１００の周囲には、冷却液
Ｌを噴射する冷却ジャケット３００が配置されている。
Ｌを噴射する冷却ジャケット３００が配置されている。
【００１７】また、軸状ワークＷは、焼入時には回転機
構２００によって軸芯ＷＬを中心として回転駆動され
る。この回転機構２００は、軸状ワークＷの一端を把持
するチャック２１０と、軸状ワークＷの他端を支持する
ワークセンタ２２０と、前記チャック２１０を回転駆動
するモータ（図示省略）と、軸状ワークＷを下方から支
持する支持ローラ（図示省略）とを有している。
構２００によって軸芯ＷＬを中心として回転駆動され
る。この回転機構２００は、軸状ワークＷの一端を把持
するチャック２１０と、軸状ワークＷの他端を支持する
ワークセンタ２２０と、前記チャック２１０を回転駆動
するモータ（図示省略）と、軸状ワークＷを下方から支
持する支持ローラ（図示省略）とを有している。
【００１８】軸状ワークＷの周面ＷＳに対する高周波焼
入は、次のようにして行われる。まず、軸状ワークＷが
回転機構２００にセットされる。この際、加熱コイル１
００は、移動機構によって退避位置Ｂに位置している。
加熱コイル１００は、移動機構によって加熱位置Ａに移
動させられると、軸状ワークＷは回転機構２００によっ
て回転させられる。これに伴って、図示しない高周波電
源から加熱コイル１００に高周波電流が供給される。
入は、次のようにして行われる。まず、軸状ワークＷが
回転機構２００にセットされる。この際、加熱コイル１
００は、移動機構によって退避位置Ｂに位置している。
加熱コイル１００は、移動機構によって加熱位置Ａに移
動させられると、軸状ワークＷは回転機構２００によっ
て回転させられる。これに伴って、図示しない高周波電
源から加熱コイル１００に高周波電流が供給される。
【００１９】軸状ワークＷの周面ＷＳは、加熱コイル１
００の加熱導体部１１０に対向しているため、発生した
誘導電流によって加熱される。しかも、加熱導体部１１
０には、前記穴ＷＨに対向する部分にコア１５０が設け
られているため、周面ＷＳのうち、穴ＷＨを含んでコア
１５０に対向する帯状の面ＷＡが、他の部分より加熱さ
れる。
００の加熱導体部１１０に対向しているため、発生した
誘導電流によって加熱される。しかも、加熱導体部１１
０には、前記穴ＷＨに対向する部分にコア１５０が設け
られているため、周面ＷＳのうち、穴ＷＨを含んでコア
１５０に対向する帯状の面ＷＡが、他の部分より加熱さ
れる。
【００２０】冷却ジャケット３００から冷却液Ｌが軸状
ワークＷの周面ＷＳに噴射されると、周面ＷＳが冷却さ
れて硬化層ＷＫが形成される。前記穴ＷＨを含んでコア
１５０に対向する帯状の面ＷＡは、他の部分より加熱さ
れているため、他の部分より深い硬化層ＷＫ２が形成さ
れる。
ワークＷの周面ＷＳに噴射されると、周面ＷＳが冷却さ
れて硬化層ＷＫが形成される。前記穴ＷＨを含んでコア
１５０に対向する帯状の面ＷＡは、他の部分より加熱さ
れているため、他の部分より深い硬化層ＷＫ２が形成さ
れる。
【００２１】また、本発明の第２の実施の形態に係る高
周波焼入装置２０００は、軸状ワークＷに連続した浅い
硬化層ＷＫ１と深い硬化層ＷＫ２とを形成する高周波焼
入装置であって、深い硬化層を形成すべき部分である穴
ＷＨ及びその周辺には、他の部分より遅れて冷却液Ｌを
噴射する冷却ジャケット３００を有している。
周波焼入装置２０００は、軸状ワークＷに連続した浅い
硬化層ＷＫ１と深い硬化層ＷＫ２とを形成する高周波焼
入装置であって、深い硬化層を形成すべき部分である穴
ＷＨ及びその周辺には、他の部分より遅れて冷却液Ｌを
噴射する冷却ジャケット３００を有している。
【００２２】この第２の実施の形態に係る高周波焼入装
置１０００が、第１の実施の形態に係るものと相違する
点は、加熱コイル１００と冷却ジャケット３００とであ
る。第１の実施の形態に係る高周波加熱装置１０００で
は、深い硬化層ＷＫ２を形成すべき部分を他の部分より
加熱するため、加熱コイル１００の穴ＷＨに対向する部
分にコア１５０を設けたが、第２の実施の形態に係る高
周波加熱装置２０００では、深い硬化層ＷＫ２を形成す
べき部分の冷却を他の部分（浅い硬化層ＷＫ１を形成す
べき部分）より遅らせるようになっている。
置１０００が、第１の実施の形態に係るものと相違する
点は、加熱コイル１００と冷却ジャケット３００とであ
る。第１の実施の形態に係る高周波加熱装置１０００で
は、深い硬化層ＷＫ２を形成すべき部分を他の部分より
加熱するため、加熱コイル１００の穴ＷＨに対向する部
分にコア１５０を設けたが、第２の実施の形態に係る高
周波加熱装置２０００では、深い硬化層ＷＫ２を形成す
べき部分の冷却を他の部分（浅い硬化層ＷＫ１を形成す
べき部分）より遅らせるようになっている。
【００２３】この高周波焼入装置２０００における冷却
ジャケット３００の内部は、図３に示すように、複数
（図面では３つ）のエリア３１０Ａ、３１０Ｂ、３１０
Ｃに分割されている。そして、各エリア３１０Ａ、３１
０Ｂ、３１０Ｃに対する冷却液Ｌの供給はそれぞれ独立
に行われるのである。従って、穴ＷＨ、すなわち深い硬
化層ＷＫ２を形成すべき部分に対向するエリア３１０Ｂ
に冷却液Ｌを供給するタイミングは、すなわち浅い硬化
層ＷＫ１を形成すべき部分に対向する他のエリア３１０
Ａ、３１０Ｃに冷却液Ｌを供給するタイミングより遅く
なっている。
ジャケット３００の内部は、図３に示すように、複数
（図面では３つ）のエリア３１０Ａ、３１０Ｂ、３１０
Ｃに分割されている。そして、各エリア３１０Ａ、３１
０Ｂ、３１０Ｃに対する冷却液Ｌの供給はそれぞれ独立
に行われるのである。従って、穴ＷＨ、すなわち深い硬
化層ＷＫ２を形成すべき部分に対向するエリア３１０Ｂ
に冷却液Ｌを供給するタイミングは、すなわち浅い硬化
層ＷＫ１を形成すべき部分に対向する他のエリア３１０
Ａ、３１０Ｃに冷却液Ｌを供給するタイミングより遅く
なっている。
【００２４】このため、深い硬化層ＷＫ２を形成すべき
部分の冷却のスタートは他の部分より遅れるため、より
深くまで熱が達することになる。これにより、穴ＷＨ及
びその周辺には帯状ＷＡの深い硬化層ＷＫ２が形成され
るのである。
部分の冷却のスタートは他の部分より遅れるため、より
深くまで熱が達することになる。これにより、穴ＷＨ及
びその周辺には帯状ＷＡの深い硬化層ＷＫ２が形成され
るのである。
【００２５】この冷却ジャケット３００の内部を複数の
エリア３１０Ａ、３１０Ｂ、３１０Ｃに分割しておき、
各エリア３１０Ａ、３１０Ｂ、３１０Ｃへの冷却液Ｌの
供給をそれぞれ独立にすることによって、より深い硬化
層ＷＫ２を形成すべき部分の変更に自在に対応すること
が可能となる。
エリア３１０Ａ、３１０Ｂ、３１０Ｃに分割しておき、
各エリア３１０Ａ、３１０Ｂ、３１０Ｃへの冷却液Ｌの
供給をそれぞれ独立にすることによって、より深い硬化
層ＷＫ２を形成すべき部分の変更に自在に対応すること
が可能となる。
【００２６】本発明の第の３実施の形態に係る高周波焼
入装置３０００は、図４に示すように、軸状ワークＷに
連続した浅い硬化層ＷＫ１と深い硬化層ＷＫ２とを形成
する高周波焼入装置であって、深い硬化層ＷＫ２を形成
すべき部分である穴ＷＨが形成された部分に本加熱の前
の予備加熱を行う予備加熱コイル１００Ａと、深い硬化
層ＷＫ２を形成すべき部分である穴ＷＨが形成された部
分とその他の部分とに本加熱を行う本加熱コイル１００
Ｂとを有している。
入装置３０００は、図４に示すように、軸状ワークＷに
連続した浅い硬化層ＷＫ１と深い硬化層ＷＫ２とを形成
する高周波焼入装置であって、深い硬化層ＷＫ２を形成
すべき部分である穴ＷＨが形成された部分に本加熱の前
の予備加熱を行う予備加熱コイル１００Ａと、深い硬化
層ＷＫ２を形成すべき部分である穴ＷＨが形成された部
分とその他の部分とに本加熱を行う本加熱コイル１００
Ｂとを有している。
【００２７】この第３の実施に係る高周波加熱装置３０
００は、深い硬化層ＷＫ２を形成すべき部分である穴Ｗ
Ｈ及びその周囲にのみ予備加熱を行う点に特徴がある。
予備加熱を行う予備加熱コイル１００Ａは、半開放鞍型
コイルであって、周面ＷＳに開設された穴ＷＨとその周
囲のみに対向する一対の予備加熱導体部１１０Ａと、こ
の予備加熱導体部１１０Ａを一端で連結する略半円状の
予備連結導体部１２０Ａと、前記予備加熱導体部１１０
Ａの他端を一対の予備接続導体部１４０Ａに接続する一
対の略１／４円弧状の予備連結導体部１３０Ａとが一体
に形成されたものである。この予備焼入コイル１００Ａ
は、自身の過熱を防止するために内部に冷却液が循環す
るようになっている。
００は、深い硬化層ＷＫ２を形成すべき部分である穴Ｗ
Ｈ及びその周囲にのみ予備加熱を行う点に特徴がある。
予備加熱を行う予備加熱コイル１００Ａは、半開放鞍型
コイルであって、周面ＷＳに開設された穴ＷＨとその周
囲のみに対向する一対の予備加熱導体部１１０Ａと、こ
の予備加熱導体部１１０Ａを一端で連結する略半円状の
予備連結導体部１２０Ａと、前記予備加熱導体部１１０
Ａの他端を一対の予備接続導体部１４０Ａに接続する一
対の略１／４円弧状の予備連結導体部１３０Ａとが一体
に形成されたものである。この予備焼入コイル１００Ａ
は、自身の過熱を防止するために内部に冷却液が循環す
るようになっている。
【００２８】一方、本加熱を行う本加熱コイル１００Ｂ
は、半開放鞍型コイルであって、浅い硬化層ＷＫ１を形
成すべき周面ＷＳにに対向する一対の本加熱導体部１１
０Ｂと、この本加熱導体部１１０Ｂを一端で連結する略
半円状の本連結導体部１２０Ｂと、前記本加熱導体部１
１０Ｂの他端を一対の本接続導体部１４０Ｂに接続する
一対の略１／４円弧状の本連結導体部１３０Ｂとが一体
に形成されたものである。この本焼入コイル１００Ｂ
は、自身の過熱を防止するために内部に冷却液が循環す
るようになっている。
は、半開放鞍型コイルであって、浅い硬化層ＷＫ１を形
成すべき周面ＷＳにに対向する一対の本加熱導体部１１
０Ｂと、この本加熱導体部１１０Ｂを一端で連結する略
半円状の本連結導体部１２０Ｂと、前記本加熱導体部１
１０Ｂの他端を一対の本接続導体部１４０Ｂに接続する
一対の略１／４円弧状の本連結導体部１３０Ｂとが一体
に形成されたものである。この本焼入コイル１００Ｂ
は、自身の過熱を防止するために内部に冷却液が循環す
るようになっている。
【００２９】前記予備加熱コイル１００Ａと本加熱コイ
ル１００Ｂとは、独立して加熱位置Ａと退避位置Ｂとに
移動可能となっている。
ル１００Ｂとは、独立して加熱位置Ａと退避位置Ｂとに
移動可能となっている。
【００３０】この第３の実施の形態に係る高周波焼入装
置３０００の他の構成、すなわち回転機構２００、冷却
ジャケット３００は、第１の実施の形態に係る高周波焼
入装置１０００と同等である。
置３０００の他の構成、すなわち回転機構２００、冷却
ジャケット３００は、第１の実施の形態に係る高周波焼
入装置１０００と同等である。
【００３１】かかる第３の実施の形態に係る高周波焼入
装置３０００による高周波焼入は以下のように行われ
る。まず、軸状ワークＷが回転機構２００にセットされ
る。この際、予備加熱コイル１００Ａ及び本加熱コイル
１００Ｂは、移動機構によって退避位置Ｂに位置してい
る。軸状ワークＷが回転機構２００にセットされると、
まず予備加熱コイル１００Ａのみが、移動機構によって
加熱位置Ａに移動させられる。この時、軸状ワークＷは
回転機構２００によって回転させられる。これに伴っ
て、図示しない高周波電源から予備加熱コイル１００Ａ
に高周波電流が供給される。
装置３０００による高周波焼入は以下のように行われ
る。まず、軸状ワークＷが回転機構２００にセットされ
る。この際、予備加熱コイル１００Ａ及び本加熱コイル
１００Ｂは、移動機構によって退避位置Ｂに位置してい
る。軸状ワークＷが回転機構２００にセットされると、
まず予備加熱コイル１００Ａのみが、移動機構によって
加熱位置Ａに移動させられる。この時、軸状ワークＷは
回転機構２００によって回転させられる。これに伴っ
て、図示しない高周波電源から予備加熱コイル１００Ａ
に高周波電流が供給される。
【００３２】予備加熱コイル１００Ａは、軸状ワークＷ
の穴ＷＨに対向しているため、穴ＷＨ及びその周囲のみ
が、発生した誘導電流によって加熱される。
の穴ＷＨに対向しているため、穴ＷＨ及びその周囲のみ
が、発生した誘導電流によって加熱される。
【００３３】予備加熱が終了すると、本加熱コイル１０
０Ｂが加熱位置Ａに移動する。また、予備加熱コイル１
００Ａは退避位置Ｂに移動する。そして、本加熱コイル
１００Ｂによる本加熱が行われる。本加熱コイル１００
Ｂの加熱導体部１１０Ｂは、軸状ワークＷの全すべての
面ＷＳに対向しているため、すべての周面ＷＳが加熱さ
れる。
０Ｂが加熱位置Ａに移動する。また、予備加熱コイル１
００Ａは退避位置Ｂに移動する。そして、本加熱コイル
１００Ｂによる本加熱が行われる。本加熱コイル１００
Ｂの加熱導体部１１０Ｂは、軸状ワークＷの全すべての
面ＷＳに対向しているため、すべての周面ＷＳが加熱さ
れる。
【００３４】穴ＷＨとその周囲とは、予備加熱によって
すでに加熱されているため、本加熱が施されると、他の
部分より高温になる。
すでに加熱されているため、本加熱が施されると、他の
部分より高温になる。
【００３５】本加熱が終了すると、本加熱コイル１００
Ｂは退避位置Ｂに移動する。そして、この状態で冷却ジ
ャケット３００から冷却液Ｌが軸状ワークＷの周面ＷＳ
に噴射されると、周面ＷＳが冷却されて硬化層ＷＫが形
成される。前記穴ＷＨ及びその周辺の帯状の面ＷＡは、
他の部分より加熱されているため、他の部分より深い硬
化層ＷＫ２が形成される。
Ｂは退避位置Ｂに移動する。そして、この状態で冷却ジ
ャケット３００から冷却液Ｌが軸状ワークＷの周面ＷＳ
に噴射されると、周面ＷＳが冷却されて硬化層ＷＫが形
成される。前記穴ＷＨ及びその周辺の帯状の面ＷＡは、
他の部分より加熱されているため、他の部分より深い硬
化層ＷＫ２が形成される。
【００３６】
【発明の効果】本発明に係る第１の高周波焼入装置は、
軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い硬化層とを形成
する高周波焼入装置であって、焼入コイルの導体部のう
ち、深い硬化層を形成すべき部分に対向する部分には他
の部分より多いコアを配置している。
軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い硬化層とを形成
する高周波焼入装置であって、焼入コイルの導体部のう
ち、深い硬化層を形成すべき部分に対向する部分には他
の部分より多いコアを配置している。
【００３７】従って、この高周波焼入装置によると、深
い硬化層を形成すべき部分には、他の部分、すなわち浅
い硬化層を形成すべき部分より誘導電流が集中するの
で、より加熱されて、深い硬化層を形成することができ
る。
い硬化層を形成すべき部分には、他の部分、すなわち浅
い硬化層を形成すべき部分より誘導電流が集中するの
で、より加熱されて、深い硬化層を形成することができ
る。
【００３８】また、本発明に係る第２の高周波焼入装置
は、軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い硬化層とを
形成する高周波焼入装置であって、深い硬化層を形成す
べき部分には、他の部分より遅れて冷却液を噴射する冷
却ジャケットを有している。
は、軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い硬化層とを
形成する高周波焼入装置であって、深い硬化層を形成す
べき部分には、他の部分より遅れて冷却液を噴射する冷
却ジャケットを有している。
【００３９】従って、この高周波焼入装置によると、深
い硬化層を形成すべき部分には、他の部分、すなわち浅
い硬化層を形成すべき部分より冷却が遅く行われるの
で、より加熱されて、深い硬化層を形成することができ
る。
い硬化層を形成すべき部分には、他の部分、すなわち浅
い硬化層を形成すべき部分より冷却が遅く行われるの
で、より加熱されて、深い硬化層を形成することができ
る。
【００４０】さらに、本発明に係る第３の高周波焼入装
置は、軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い硬化層と
を形成する高周波焼入装置であって、深い硬化層を形成
すべき部分に本加熱の前の予備加熱を行う予備加熱コイ
ルと、深い硬化層を形成すべき部分とその他の部分とに
本加熱を行う本加熱コイルとを有している。
置は、軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い硬化層と
を形成する高周波焼入装置であって、深い硬化層を形成
すべき部分に本加熱の前の予備加熱を行う予備加熱コイ
ルと、深い硬化層を形成すべき部分とその他の部分とに
本加熱を行う本加熱コイルとを有している。
【００４１】このため、この高周波焼入装置では、深い
硬化層を形成すべき部分には、他の部分に先駆けて予備
加熱が施されるため、より加熱されて、深い硬化層を形
成することができる。
硬化層を形成すべき部分には、他の部分に先駆けて予備
加熱が施されるため、より加熱されて、深い硬化層を形
成することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る高周波焼入装
置の概略的構成図である。
置の概略的構成図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る高周波焼入装
置における加熱位置と退避位置とを示す概略的説明図で
ある。
置における加熱位置と退避位置とを示す概略的説明図で
ある。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る高周波焼入装
置の概略的構成図である。
置の概略的構成図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る高周波焼入装
置の概略的構成図である。
置の概略的構成図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る高周波焼入装置によ
って高周波焼入が施された軸状ワークＷの図面であっ
て、同図（Ａ）は概略的斜視図、同図（Ｂ）は同図
（Ａ）のＡ−Ａ線概略的断面図である。
って高周波焼入が施された軸状ワークＷの図面であっ
て、同図（Ａ）は概略的斜視図、同図（Ｂ）は同図
（Ａ）のＡ−Ａ線概略的断面図である。
１００ 加熱コイル Ｗ 軸状ワーク ＷＨ 穴（深い硬化層を形成すべき部分） ＷＳ 周面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 6/44 Ｈ０５Ｂ 6/44
Claims (3)
- 【請求項１】 軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い
硬化層とを形成する高周波焼入装置において、焼入コイ
ルの導体部のうち、深い硬化層を形成すべき部分に対向
する部分には他の部分より多いコアを配置することを特
徴とする高周波焼入装置。 - 【請求項２】 軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い
硬化層とを形成する高周波焼入装置において、深い硬化
層を形成すべき部分には、他の部分より遅れて冷却液を
噴射する冷却ジャケットを具備することを特徴とする高
周波焼入装置。 - 【請求項３】 軸状ワークに連続した浅い硬化層と深い
硬化層とを形成する高周波焼入装置において、深い硬化
層を形成すべき部分に本加熱の前の予備加熱を行う予備
加熱コイルと、深い硬化層を形成すべき部分とその他の
部分とに本加熱を行う本加熱コイルとを具備しているこ
とを特徴とする高周波焼入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000215936A JP2002030335A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 高周波焼入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000215936A JP2002030335A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 高周波焼入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002030335A true JP2002030335A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=18711283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000215936A Pending JP2002030335A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 高周波焼入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002030335A (ja) |
-
2000
- 2000-07-17 JP JP2000215936A patent/JP2002030335A/ja active Pending
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