JP2002029061A - インクジェットヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法 - Google Patents
インクジェットヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法Info
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- JP2002029061A JP2002029061A JP2000217723A JP2000217723A JP2002029061A JP 2002029061 A JP2002029061 A JP 2002029061A JP 2000217723 A JP2000217723 A JP 2000217723A JP 2000217723 A JP2000217723 A JP 2000217723A JP 2002029061 A JP2002029061 A JP 2002029061A
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- jet head
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- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/10—Finger type piezoelectric elements
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】インクジェットヘッドの各部材を劣化させるこ
とがないとともに、電極を覆って平滑で連続的な被膜を
容易に形成することが可能である。 【解決手段】圧電性材料基板に溝加工によりインクチャ
ネル５を形成し、このインクチャネル５の内壁に電極６
を設け、この圧電性材料基板のインクチャネル５をカバ
ー基板７により覆うインクジェットヘッド１であり、圧
電性材料基板に電圧を印加する電極６を被覆するポリイ
ミド膜９を有し、またポリイミド膜９と有機被膜１０を
重層した。また、圧電性材料基板に溝加工によりインク
チャネル５を形成し、このインクチャネル５の内壁に電
極６を設け、この圧電性材料基板のインクチャネル５を
カバー基板７により覆うインクジェットヘッド１の製造
方法であり、圧電性材料基板に電圧を印加する電極６を
被覆するポリイミド膜９を設ける。ポリイミド膜９は、
電着法によって電極６上に設ける。また、ポリイミド膜
９と有機被膜１０を重層する。
とがないとともに、電極を覆って平滑で連続的な被膜を
容易に形成することが可能である。 【解決手段】圧電性材料基板に溝加工によりインクチャ
ネル５を形成し、このインクチャネル５の内壁に電極６
を設け、この圧電性材料基板のインクチャネル５をカバ
ー基板７により覆うインクジェットヘッド１であり、圧
電性材料基板に電圧を印加する電極６を被覆するポリイ
ミド膜９を有し、またポリイミド膜９と有機被膜１０を
重層した。また、圧電性材料基板に溝加工によりインク
チャネル５を形成し、このインクチャネル５の内壁に電
極６を設け、この圧電性材料基板のインクチャネル５を
カバー基板７により覆うインクジェットヘッド１の製造
方法であり、圧電性材料基板に電圧を印加する電極６を
被覆するポリイミド膜９を設ける。ポリイミド膜９は、
電着法によって電極６上に設ける。また、ポリイミド膜
９と有機被膜１０を重層する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、インクジェット
ヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法に関する。
ヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】インクジェットヘッドには、電極に電圧
を印加してインクチャネルを変形させてインクを吐出す
るものがあり、このインクジェットヘッドは、例えば圧
電性材料基板に溝加工によりインクチャネルを形成し、
このインクチャネルの内壁に電極を設け、この圧電性材
料基板のインクチャネルをカバー基板により覆うように
設けて製造する。
を印加してインクチャネルを変形させてインクを吐出す
るものがあり、このインクジェットヘッドは、例えば圧
電性材料基板に溝加工によりインクチャネルを形成し、
このインクチャネルの内壁に電極を設け、この圧電性材
料基板のインクチャネルをカバー基板により覆うように
設けて製造する。
【０００３】この圧電性材料基板には駆動電圧を印加す
るための電極が不可欠であるが、そのままでは電極がイ
ンクに露出した形になる。そうすると水を含む水系イン
クを用いるとインクの中の水が電気分解し泡が発生した
り、電極が溶解し途中で断線してしまったりする。さら
には油系インクを用いた場合でもインクの中の有機物か
ら炭素鎖ができ、ショートを起こす原因となる。そこで
この電極をインクから保護する必要があり、その目的に
各種の有機、無機被膜を電極上に形成する方法が知られ
ている。
るための電極が不可欠であるが、そのままでは電極がイ
ンクに露出した形になる。そうすると水を含む水系イン
クを用いるとインクの中の水が電気分解し泡が発生した
り、電極が溶解し途中で断線してしまったりする。さら
には油系インクを用いた場合でもインクの中の有機物か
ら炭素鎖ができ、ショートを起こす原因となる。そこで
この電極をインクから保護する必要があり、その目的に
各種の有機、無機被膜を電極上に形成する方法が知られ
ている。
【０００４】無機被膜としては、各種の酸化物、窒化物
が挙げられる。例えば、ケイ素−窒素（ＳｉＯ）、ケイ
素−窒素（ＳｉＮ）、ケイ素−酸素−窒素（ＳｉＯ
Ｎ）、ケイ素−炭素（ＳｉＣ）、アルミニウム−窒素
（ＡｌＮ）、ケイ素−アルミニウム−窒素（ＳｉＡｌ
Ｎ）、アルミニウム−酸素（ＡｌＯ）、アルミニウム−
ケイ素−酸素（ＡｌＳｉＯ）、及びケイ素−アルミニウ
ム（ＳｉＡｌ）がある。
が挙げられる。例えば、ケイ素−窒素（ＳｉＯ）、ケイ
素−窒素（ＳｉＮ）、ケイ素−酸素−窒素（ＳｉＯ
Ｎ）、ケイ素−炭素（ＳｉＣ）、アルミニウム−窒素
（ＡｌＮ）、ケイ素−アルミニウム−窒素（ＳｉＡｌ
Ｎ）、アルミニウム−酸素（ＡｌＯ）、アルミニウム−
ケイ素−酸素（ＡｌＳｉＯ）、及びケイ素−アルミニウ
ム（ＳｉＡｌ）がある。
【０００５】有機被膜としては、各種の高分子被膜が用
いられるが、代表的なものとしてはポリパラキシレンを
使用することが提案されている。
いられるが、代表的なものとしてはポリパラキシレンを
使用することが提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この方式の場合インク
流路特に圧電素子の圧力がかかるインク室に気泡が混入
すると気泡が圧力を吸収してしまい射出したインクのス
ピードが落ちたり、さらにはインクが射出されていない
こともある。そこでインクジェットヘッドにおいては、
インク流路内は平滑で断続的であることが要求される。
流路特に圧電素子の圧力がかかるインク室に気泡が混入
すると気泡が圧力を吸収してしまい射出したインクのス
ピードが落ちたり、さらにはインクが射出されていない
こともある。そこでインクジェットヘッドにおいては、
インク流路内は平滑で断続的であることが要求される。
【０００７】この発明は、かかる実情に鑑みてなされた
もので、インクジェットヘッドの各部材を劣化させるこ
とがないとともに、電極を覆って平滑で連続的な被膜を
容易に形成することが可能なインクジェットヘッド及び
インクジェットヘッドの製造方法を提供することを目的
としている。
もので、インクジェットヘッドの各部材を劣化させるこ
とがないとともに、電極を覆って平滑で連続的な被膜を
容易に形成することが可能なインクジェットヘッド及び
インクジェットヘッドの製造方法を提供することを目的
としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決し、かつ
目的を達成するために、この発明は、以下のように構成
した。
目的を達成するために、この発明は、以下のように構成
した。
【０００９】請求項１に記載の発明は、『圧電性材料基
板に溝加工によりインクチャネルを形成し、このインク
チャネルの内壁に電極を設け、この圧電性材料基板のイ
ンクチャネルをカバー基板により覆うインクジェットヘ
ッドであり、前記圧電性材料基板に電圧を印加する電極
を被覆するポリイミド膜を有することを特徴とするイン
クジェットヘッド。』である。
板に溝加工によりインクチャネルを形成し、このインク
チャネルの内壁に電極を設け、この圧電性材料基板のイ
ンクチャネルをカバー基板により覆うインクジェットヘ
ッドであり、前記圧電性材料基板に電圧を印加する電極
を被覆するポリイミド膜を有することを特徴とするイン
クジェットヘッド。』である。
【００１０】この請求項１に記載の発明によれば、圧電
性材料基板に電圧を印加する電極を被覆するポリイミド
膜を有することで、電極をインクから保護することがで
き、各部材を劣化させることがない。しかも、ポリイミ
ド膜は、臨界表面張力が高くインクに対する濡れ性が高
く、安定な射出動作を得ることができる。
性材料基板に電圧を印加する電極を被覆するポリイミド
膜を有することで、電極をインクから保護することがで
き、各部材を劣化させることがない。しかも、ポリイミ
ド膜は、臨界表面張力が高くインクに対する濡れ性が高
く、安定な射出動作を得ることができる。
【００１１】請求項２に記載の発明は、『前記ポリイミ
ド膜と有機被膜を重層したことを特徴とする請求項１に
記載のインクジェットヘッド。』である。
ド膜と有機被膜を重層したことを特徴とする請求項１に
記載のインクジェットヘッド。』である。
【００１２】この請求項２に記載の発明によれば、ポリ
イミド膜と有機被膜を重層することで、電極をより優位
にインクから保護することができ、各部材を劣化させる
ことがない。
イミド膜と有機被膜を重層することで、電極をより優位
にインクから保護することができ、各部材を劣化させる
ことがない。
【００１３】請求項３に記載の発明は、『前記ポリイミ
ド膜の膜厚が０．１μｍ〜５０μｍの範囲であることを
特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッド。』
である。
ド膜の膜厚が０．１μｍ〜５０μｍの範囲であることを
特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッド。』
である。
【００１４】この請求項３に記載の発明によれば、平滑
な膜厚であるとともにピンホールもなく、膜厚によって
インクを加圧する部材の変形による圧力の損失がなく、
良好なインク射出が可能である。
な膜厚であるとともにピンホールもなく、膜厚によって
インクを加圧する部材の変形による圧力の損失がなく、
良好なインク射出が可能である。
【００１５】請求項４に記載の発明は、『前記ポリイミ
ド膜と有機被膜の重層した膜厚が０．１μｍ〜５０μｍ
の範囲であることを特徴とする請求項１に記載のインク
ジェットヘッド。』である。
ド膜と有機被膜の重層した膜厚が０．１μｍ〜５０μｍ
の範囲であることを特徴とする請求項１に記載のインク
ジェットヘッド。』である。
【００１６】この請求項４に記載の発明によれば、平滑
な膜厚であるとともにピンホールもなく、膜厚によって
インクを加圧する部材の変形による圧力の損失がなく、
良好なインク射出が可能である。
な膜厚であるとともにピンホールもなく、膜厚によって
インクを加圧する部材の変形による圧力の損失がなく、
良好なインク射出が可能である。
【００１７】特にポリパラキシリレンを下層、ポリイミ
ドを上層に設けた場合、ポリパラキシリレンのピンホー
ルから優先的に製膜することと、上層がポリイミドにな
るために濡れ性が高くより安定な射出が可能である。
ドを上層に設けた場合、ポリパラキシリレンのピンホー
ルから優先的に製膜することと、上層がポリイミドにな
るために濡れ性が高くより安定な射出が可能である。
【００１８】請求項５に記載の発明は、『圧電性材料基
板に溝加工によりインクチャネルを形成し、このインク
チャネルの内壁に電極を設け、この圧電性材料基板のイ
ンクチャネルをカバー基板により覆うインクジェットヘ
ッドの製造方法であり、前記圧電性材料基板に電圧を印
加する電極を被覆するポリイミド膜を設けることを特徴
とするインクジェットヘッドの製造方法。』である。
板に溝加工によりインクチャネルを形成し、このインク
チャネルの内壁に電極を設け、この圧電性材料基板のイ
ンクチャネルをカバー基板により覆うインクジェットヘ
ッドの製造方法であり、前記圧電性材料基板に電圧を印
加する電極を被覆するポリイミド膜を設けることを特徴
とするインクジェットヘッドの製造方法。』である。
【００１９】この請求項５に記載の発明によれば、電極
を被覆するポリイミド膜を設ける簡単な構成で、電極を
インクから保護することができ、各部材を劣化させるこ
とがなく、しかも臨界表面張力が高くインクに対する濡
れ性が高く、安定な射出動作するインクジェットヘッド
を得ることができる。
を被覆するポリイミド膜を設ける簡単な構成で、電極を
インクから保護することができ、各部材を劣化させるこ
とがなく、しかも臨界表面張力が高くインクに対する濡
れ性が高く、安定な射出動作するインクジェットヘッド
を得ることができる。
【００２０】請求項６に記載の発明は、『前記ポリイミ
ド膜は、電着法によって前記電極上に設けることを特徴
とする請求項５に記載のインクジェットヘッドの製造方
法。』である。
ド膜は、電着法によって前記電極上に設けることを特徴
とする請求項５に記載のインクジェットヘッドの製造方
法。』である。
【００２１】この請求項６に記載の発明によれば、製造
されるインクジェットヘッドの大きさと類似の大きさの
電着槽と小規模な直流電源でなる装置を常圧下で操作し
て電極を被覆するポリイミド膜を設けることができる。
また、通常、電着速度が電着膜厚とともに急速に低下す
る自己膜厚制御性を持っているが、インク流路に露出し
た電極を電着電極として、電着法で皮膜を形成すること
で、電極を覆って平滑で連続的な被膜を容易に形成する
ことができ、さらにポリアミド酸類を用いる従来の電着
法被膜形成に比べて高温度に加熱する工程が不要で、イ
ンクジェットヘッドの各部材を劣化させることがない。
されるインクジェットヘッドの大きさと類似の大きさの
電着槽と小規模な直流電源でなる装置を常圧下で操作し
て電極を被覆するポリイミド膜を設けることができる。
また、通常、電着速度が電着膜厚とともに急速に低下す
る自己膜厚制御性を持っているが、インク流路に露出し
た電極を電着電極として、電着法で皮膜を形成すること
で、電極を覆って平滑で連続的な被膜を容易に形成する
ことができ、さらにポリアミド酸類を用いる従来の電着
法被膜形成に比べて高温度に加熱する工程が不要で、イ
ンクジェットヘッドの各部材を劣化させることがない。
【００２２】請求項７に記載の発明は、『前記ポリイミ
ド膜と有機被膜を重層することを特徴とする請求項５ま
たは請求項６に記載のインクジェットヘッドの製造方
法。』である。
ド膜と有機被膜を重層することを特徴とする請求項５ま
たは請求項６に記載のインクジェットヘッドの製造方
法。』である。
【００２３】この請求項７に記載の発明によれば、ポリ
イミド膜と有機被膜を重層することで、電極をより優位
にインクから保護することができ、各部材を劣化させる
ことがない。
イミド膜と有機被膜を重層することで、電極をより優位
にインクから保護することができ、各部材を劣化させる
ことがない。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、この発明のインクジェット
ヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法の実施の形
態を図面に基づいて説明するが、この発明は、この実施
の形態に限定されるものではない。特に、この発明は、
この実施の形態の図と実施例によらず、類似の構成、形
状や他の物質を使用した場合でも有効である。
ヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法の実施の形
態を図面に基づいて説明するが、この発明は、この実施
の形態に限定されるものではない。特に、この発明は、
この実施の形態の図と実施例によらず、類似の構成、形
状や他の物質を使用した場合でも有効である。
【００２５】図１はインクジェットヘッドを示す図、図
２はカバー基板の積層したインクジェットヘッドの構成
を示す図である。
２はカバー基板の積層したインクジェットヘッドの構成
を示す図である。
【００２６】この実施の形態のインクジェットヘッド１
は、第１の圧電性材料基板２と第２の圧電性材料基板３
との間に第１の接着剤４を介在して積層する。この積層
された第１の圧電性材料基板２と第２の圧電性材料基板
３に、第２の圧電性材料基板３側から溝を所定間隔で加
工し、第１の圧電性材料基板２の第１の隔壁２ａと第２
の圧電性材料基板３の第２の隔壁３ａとでインクチャネ
ル５を区画する。
は、第１の圧電性材料基板２と第２の圧電性材料基板３
との間に第１の接着剤４を介在して積層する。この積層
された第１の圧電性材料基板２と第２の圧電性材料基板
３に、第２の圧電性材料基板３側から溝を所定間隔で加
工し、第１の圧電性材料基板２の第１の隔壁２ａと第２
の圧電性材料基板３の第２の隔壁３ａとでインクチャネ
ル５を区画する。
【００２７】第１の隔壁２ａ及び第２の隔壁３ａに蒸着
により電極６を設け、第２の圧電性材料基板３とカバー
基板７との間に第２の接着剤８を介在して積層する。カ
バー基板７には、インクチャネル５にインクを供給する
インク供給口７ａが形成されている。また、第１の圧電
性材料基板２、第２の圧電性材料基板３及びカバー基板
７の端部に、ノズル孔１９ａを有するノズルプレート１
９が設けられている。
により電極６を設け、第２の圧電性材料基板３とカバー
基板７との間に第２の接着剤８を介在して積層する。カ
バー基板７には、インクチャネル５にインクを供給する
インク供給口７ａが形成されている。また、第１の圧電
性材料基板２、第２の圧電性材料基板３及びカバー基板
７の端部に、ノズル孔１９ａを有するノズルプレート１
９が設けられている。
【００２８】第２の圧電性材料基板３には、配線パター
ン２０が電極６に接続するように設けられている。配線
パターン２０に、配線２１が接続され、この配線２１か
ら第１の隔壁２ａ及び第２の隔壁３ａに設けた電極６に
電圧を印加してインクチャネル５を変形させてインクを
吐出するようになっている。
ン２０が電極６に接続するように設けられている。配線
パターン２０に、配線２１が接続され、この配線２１か
ら第１の隔壁２ａ及び第２の隔壁３ａに設けた電極６に
電圧を印加してインクチャネル５を変形させてインクを
吐出するようになっている。
【００２９】第１の圧電性材料基板２及び第２の圧電性
材料基板３の圧電性材料は、電圧を加えることにより応
力変化を生じるものであれば特に限定されず、公知のも
のが用いられ、有機材料からなる基板であっても良い
が、圧電性非金属材料からなる基板が好ましく、この圧
電性非金属材料からなる基板として、例えば成形、焼成
等の工程を経て形成されるセラミックス基板、又は成
形、焼成を必要としないで形成される基板等がある。有
機材料としては、有機ポリマー、有機ポリマーと無機物
とのハイブリッド材料が挙げられる。
材料基板３の圧電性材料は、電圧を加えることにより応
力変化を生じるものであれば特に限定されず、公知のも
のが用いられ、有機材料からなる基板であっても良い
が、圧電性非金属材料からなる基板が好ましく、この圧
電性非金属材料からなる基板として、例えば成形、焼成
等の工程を経て形成されるセラミックス基板、又は成
形、焼成を必要としないで形成される基板等がある。有
機材料としては、有機ポリマー、有機ポリマーと無機物
とのハイブリッド材料が挙げられる。
【００３０】セラミックス基板としては、ＰＺＴ（Ｐｂ
ＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3、第三成分添加ＰＺＴがあり、第
三成分としてはＰｂ（Ｍｇ1/2Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍ
ｎ1/3Ｓｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｃｏ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3等があ
り、さらにＢａＴｉＯ3、ＺｎＯ、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴ
ａＯ3等を用いて形成することができる。
ＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3、第三成分添加ＰＺＴがあり、第
三成分としてはＰｂ（Ｍｇ1/2Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍ
ｎ1/3Ｓｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｃｏ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3等があ
り、さらにＢａＴｉＯ3、ＺｎＯ、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴ
ａＯ3等を用いて形成することができる。
【００３１】また、成形、焼成を必要としないで形成さ
れる基板として、例えば、ゾルゲール法、積層基板コー
ティング等で形成することができる。ゾルゲール法によ
れば、ゾルは所定の化学組成を持つ均質な溶液に、水、
酸あるいはアルカリを添加し、加水分解等の化学変化を
起こさせることによって調整される。さらに、溶媒の蒸
発や冷却等の処理を加えることによって、目的組成の微
粒子あるいは非金属無機微粒子の前躯体を分散したゾル
が作成され、基板とすることができる。異種元素の微量
添加も含めて、化学組成の均一な化合物を得ることがで
き、出発原料には一般にケイ酸ナトリウム等の水に可溶
な金属塩あるいは金属アルコキシドが用いられ、金属ア
ルコキシドは、一般式Ｍ（ＯＲ）ｎで表される化合物
で、ＯＲ基が強い塩基性を持つため容易に加水分解さ
れ、有機高分子のような縮合過程を経て、金属酸化物あ
るいはその水和物に変化する。
れる基板として、例えば、ゾルゲール法、積層基板コー
ティング等で形成することができる。ゾルゲール法によ
れば、ゾルは所定の化学組成を持つ均質な溶液に、水、
酸あるいはアルカリを添加し、加水分解等の化学変化を
起こさせることによって調整される。さらに、溶媒の蒸
発や冷却等の処理を加えることによって、目的組成の微
粒子あるいは非金属無機微粒子の前躯体を分散したゾル
が作成され、基板とすることができる。異種元素の微量
添加も含めて、化学組成の均一な化合物を得ることがで
き、出発原料には一般にケイ酸ナトリウム等の水に可溶
な金属塩あるいは金属アルコキシドが用いられ、金属ア
ルコキシドは、一般式Ｍ（ＯＲ）ｎで表される化合物
で、ＯＲ基が強い塩基性を持つため容易に加水分解さ
れ、有機高分子のような縮合過程を経て、金属酸化物あ
るいはその水和物に変化する。
【００３２】また、積層基板コーティングとして、気相
から蒸着させる方法があり、気相からセラミックの基板
を作成する方法には、物理的手段による蒸着方法と、気
相あるいは基板表面の化学反応による製法の二通りに分
類され、さらに、物理蒸着方（ＰＶＤ）は、真空蒸着
法、スパッター法、イオンプレーティング法等に細分さ
れ、また化学的方法にも気相化学反応法（ＣＶＤ）、プ
ラズマＣＶＤ法などがある。物理蒸着法（ＰＶＤ）とし
ての真空蒸着法は、真空中で対象とする物質を加熱して
蒸発させ、その蒸気を基板上に付着させる方法で、スパ
ッター法は目的物質（ターゲット）に高エネルギー粒子
を衝突させ、ターゲット表面の原子・分子が衝突粒子と
運動量を交換して、表面からはじきだされるスパッタリ
ング現象を利用する方法である。またイオンプレーティ
ング法は、イオン化したガス雰囲気中で蒸着を行う方法
である。また、ＣＶＤ法では、膜を構成する原子・分子
あるいはイオンを含む化合物を気相状態にしたのち、適
当なキャリヤーガスで反応部に導き、加熱した基板上で
反応あるいは反応析出させることによって膜を形成し、
プラズマＣＶＤ法はプラズマエネルギーで気相状態を発
成させ、４００℃〜５００℃までの比較的低い温度範囲
の気相化学反応で、膜を析出させる。
から蒸着させる方法があり、気相からセラミックの基板
を作成する方法には、物理的手段による蒸着方法と、気
相あるいは基板表面の化学反応による製法の二通りに分
類され、さらに、物理蒸着方（ＰＶＤ）は、真空蒸着
法、スパッター法、イオンプレーティング法等に細分さ
れ、また化学的方法にも気相化学反応法（ＣＶＤ）、プ
ラズマＣＶＤ法などがある。物理蒸着法（ＰＶＤ）とし
ての真空蒸着法は、真空中で対象とする物質を加熱して
蒸発させ、その蒸気を基板上に付着させる方法で、スパ
ッター法は目的物質（ターゲット）に高エネルギー粒子
を衝突させ、ターゲット表面の原子・分子が衝突粒子と
運動量を交換して、表面からはじきだされるスパッタリ
ング現象を利用する方法である。またイオンプレーティ
ング法は、イオン化したガス雰囲気中で蒸着を行う方法
である。また、ＣＶＤ法では、膜を構成する原子・分子
あるいはイオンを含む化合物を気相状態にしたのち、適
当なキャリヤーガスで反応部に導き、加熱した基板上で
反応あるいは反応析出させることによって膜を形成し、
プラズマＣＶＤ法はプラズマエネルギーで気相状態を発
成させ、４００℃〜５００℃までの比較的低い温度範囲
の気相化学反応で、膜を析出させる。
【００３３】カバー基板７の材料は、特に限定されず、
有機材料からなる基板であっても良いが、非圧電性非金
属材料からなる基板が好ましく、この非圧電性非金属材
料からなる基板として、アルミナ、窒化アルミニウム、
ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバ
イド、石英、ＰＺＴの少なくとも１つから選ばれること
が好ましい。
有機材料からなる基板であっても良いが、非圧電性非金
属材料からなる基板が好ましく、この非圧電性非金属材
料からなる基板として、アルミナ、窒化アルミニウム、
ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバ
イド、石英、ＰＺＴの少なくとも１つから選ばれること
が好ましい。
【００３４】この非圧電性材料基板は、例えば成形、焼
成等の工程をへて形成されるセラミックス基板、又は成
形、焼成を必要としないで形成される基板等があり、焼
成等の工程をへて形成されるセラミックス基板として、
例えばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、それらの混合、混融体、さ
らにＺｒＯ2、ＢｅＯ、ＡｅＮ、ＳｉＣ等を用いること
ができる。有機材料としては、有機ポリマー、有機ポリ
マーと有機物とのハイブリッド材料が挙げられる。
成等の工程をへて形成されるセラミックス基板、又は成
形、焼成を必要としないで形成される基板等があり、焼
成等の工程をへて形成されるセラミックス基板として、
例えばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、それらの混合、混融体、さ
らにＺｒＯ2、ＢｅＯ、ＡｅＮ、ＳｉＣ等を用いること
ができる。有機材料としては、有機ポリマー、有機ポリ
マーと有機物とのハイブリッド材料が挙げられる。
【００３５】電極６となる金属は、白金、金、銀、銅、
アルミニウム、パラジウム、ニッケル、タンタル、チタ
ンを用いることができ、特に、電気的特性、加工性の点
から、金、アルミニウム、銅、ニッケルが良く、メッ
キ、蒸着、スパッタで形成される。
アルミニウム、パラジウム、ニッケル、タンタル、チタ
ンを用いることができ、特に、電気的特性、加工性の点
から、金、アルミニウム、銅、ニッケルが良く、メッ
キ、蒸着、スパッタで形成される。
【００３６】第１の圧電性材料基板２と第２の圧電性材
料基板３に設けられたインクに露出する電極６は、被覆
するポリイミド膜９を有し、電極６を被覆するポリイミ
ド膜９を有することで、電極６をインクから保護するこ
とができ、各部材を劣化させることがない。しかも、ポ
リイミド膜９は、臨界表面張力が高くインクに対する濡
れ性が高く、安定な吐出動作を得ることができる。
料基板３に設けられたインクに露出する電極６は、被覆
するポリイミド膜９を有し、電極６を被覆するポリイミ
ド膜９を有することで、電極６をインクから保護するこ
とができ、各部材を劣化させることがない。しかも、ポ
リイミド膜９は、臨界表面張力が高くインクに対する濡
れ性が高く、安定な吐出動作を得ることができる。
【００３７】また、ポリイミド膜９と有機被膜１０を重
層して設けることができ、この場合図３に示すように電
極６上にポリイミド膜９を設け、その上に有機被膜１０
を重層してもよく、あるいは電極６上に有機被膜１０を
設け、この上にポリイミド膜９を設けてもよい。ポリイ
ミド膜９と有機被膜１０を重層することで、電極６をイ
ンクから保護することができ、各部材を劣化させること
がない。
層して設けることができ、この場合図３に示すように電
極６上にポリイミド膜９を設け、その上に有機被膜１０
を重層してもよく、あるいは電極６上に有機被膜１０を
設け、この上にポリイミド膜９を設けてもよい。ポリイ
ミド膜９と有機被膜１０を重層することで、電極６をイ
ンクから保護することができ、各部材を劣化させること
がない。
【００３８】また、ポリイミド膜９の膜厚が０．１μｍ
〜５０μｍの範囲であることが好ましく、より好ましく
は、０．１μｍ〜１０μｍの範囲であり、平滑な膜厚で
あるとともに、０．１μｍ未満ではピンホールを全く作
らずに製膜することは難しく、５０μｍ以上では、膜に
よってインクを加圧する部材の変形による圧力の損失が
なく、良好なインク射出が可能である。
〜５０μｍの範囲であることが好ましく、より好ましく
は、０．１μｍ〜１０μｍの範囲であり、平滑な膜厚で
あるとともに、０．１μｍ未満ではピンホールを全く作
らずに製膜することは難しく、５０μｍ以上では、膜に
よってインクを加圧する部材の変形による圧力の損失が
なく、良好なインク射出が可能である。
【００３９】特にポリパラキシリレンを下層、ポリイミ
ドを上層に設けた場合、ポリパラキシリレンのピンホー
ルから優先的に製膜することと、上層がポリイミドにな
るために濡れ性が高くより安定な射出が可能である。
ドを上層に設けた場合、ポリパラキシリレンのピンホー
ルから優先的に製膜することと、上層がポリイミドにな
るために濡れ性が高くより安定な射出が可能である。
【００４０】また、図３に示すようにポリイミド膜と有
機被膜の重層した場合も同様に、膜厚が０．１μｍ〜５
０μｍの範囲であることが、好ましい。
機被膜の重層した場合も同様に、膜厚が０．１μｍ〜５
０μｍの範囲であることが、好ましい。
【００４１】この発明において、ポリイミド膜９は、溶
剤に可溶性のポリイミドを溶剤に溶解し、必要に応じで
酸または塩基と非溶剤を加えた溶液ないし乳濁液中で電
着法によって駆動電極７上に設けることができる。（ｒ
ｅｆ．Ｗ．Ｍ．Ａｌｖｉｎｏｅｔ ａｌ．，Ｊ． Ａｐ
ｐｌ．Ｐｏｌｙｍ Ｓｃｌ．， ２７， ３４１（１９
８２），２８，２６７（１９８３）このような溶剤とし
ては、例えばスルフェキシド類、フィルムアミド類、ア
セトアミド類、ドロリドン類、フェノール類、ラクトン
類が挙げられる。好ましくはジメチルスルフォキシド、
Ｎ，Ｎ’−ジメチルフォルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−シ
クロハキシル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロ
リドン、テトラメチルウレア、スルフォランである。
剤に可溶性のポリイミドを溶剤に溶解し、必要に応じで
酸または塩基と非溶剤を加えた溶液ないし乳濁液中で電
着法によって駆動電極７上に設けることができる。（ｒ
ｅｆ．Ｗ．Ｍ．Ａｌｖｉｎｏｅｔ ａｌ．，Ｊ． Ａｐ
ｐｌ．Ｐｏｌｙｍ Ｓｃｌ．， ２７， ３４１（１９
８２），２８，２６７（１９８３）このような溶剤とし
ては、例えばスルフェキシド類、フィルムアミド類、ア
セトアミド類、ドロリドン類、フェノール類、ラクトン
類が挙げられる。好ましくはジメチルスルフォキシド、
Ｎ，Ｎ’−ジメチルフォルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−シ
クロハキシル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロ
リドン、テトラメチルウレア、スルフォランである。
【００４２】この発明の電着法としては、極性溶媒中に
溶解したカルボン酸基を有する電着用ポリイミド組成物
を塩基性化合物で中和し、ポリイミドに対する貧溶媒及
び水を加えて電着液とする。ポリイミドに対する貧溶媒
としては種々知られているが、特にベンジルアルコー
ル、置換ベンジルアルコール、フルフリルアルコール等
を用いることによって、平滑性の良い緻密なポリイミド
電着膜が得られる。中和剤として、Ｎ−ジメチルエタノ
ール、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−
ジメチルベンジルアミン、Ｎ−メチルモルホリンが用い
られるが、Ｎ−ジメチルエタノールやＮ−メチルモルホ
リンが好適である。
溶解したカルボン酸基を有する電着用ポリイミド組成物
を塩基性化合物で中和し、ポリイミドに対する貧溶媒及
び水を加えて電着液とする。ポリイミドに対する貧溶媒
としては種々知られているが、特にベンジルアルコー
ル、置換ベンジルアルコール、フルフリルアルコール等
を用いることによって、平滑性の良い緻密なポリイミド
電着膜が得られる。中和剤として、Ｎ−ジメチルエタノ
ール、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−
ジメチルベンジルアミン、Ｎ−メチルモルホリンが用い
られるが、Ｎ−ジメチルエタノールやＮ−メチルモルホ
リンが好適である。
【００４３】中和剤の使用量はポリイミドが水−極性溶
液中で溶解または安定に分散する程度であって、通常は
理論中和量の３０モル％以上である。電着組成物の電着
液は、ポリイミドの固形分濃度が５〜３０重量％に調節
する。電着塗装方法は、従来知られた方法をそのまま採
用することができる。即ちこの発明のポリイミド電着用
溶液を用いて、温度１５〜３５℃にして導電性被塗物を
浸漬し、電圧２０〜４００Ｖ、好ましくは２０〜２００
Ｖ、通電時間３０秒〜１０分、好ましくは１〜５分間の
通電条件の下で、導電性被塗物の表面に電着膜が形成す
る。
液中で溶解または安定に分散する程度であって、通常は
理論中和量の３０モル％以上である。電着組成物の電着
液は、ポリイミドの固形分濃度が５〜３０重量％に調節
する。電着塗装方法は、従来知られた方法をそのまま採
用することができる。即ちこの発明のポリイミド電着用
溶液を用いて、温度１５〜３５℃にして導電性被塗物を
浸漬し、電圧２０〜４００Ｖ、好ましくは２０〜２００
Ｖ、通電時間３０秒〜１０分、好ましくは１〜５分間の
通電条件の下で、導電性被塗物の表面に電着膜が形成す
る。
【００４４】この発明の電着されたポリイミド膜は、少
量の溶剤類を含有する。これら溶剤と相溶し、ポリイミ
ドを溶解しない、比較的沸点の低い置換溶剤で電着膜を
洗浄すれば、電着膜は駆動電極上に容易に定着する。
量の溶剤類を含有する。これら溶剤と相溶し、ポリイミ
ドを溶解しない、比較的沸点の低い置換溶剤で電着膜を
洗浄すれば、電着膜は駆動電極上に容易に定着する。
【００４５】このような定着用溶剤としては、アルコー
ル類、例えばメタノール、エタノール、ケトン類、例え
ばアセトン、メチルエチルケトンなど及び、これらの混
合物、及びこれらと適当量の水との混合物などが有利に
用いられる。ついで、水洗、風乾し６０℃〜２００℃に
３０分から２４時間加熱、焼付する。必要であれば、加
熱を真空中で行う。水洗のかわりにメタノール、エタノ
ール、ジオキサン、酢酸エチルやそれらの混合物で洗浄
してもよい。
ル類、例えばメタノール、エタノール、ケトン類、例え
ばアセトン、メチルエチルケトンなど及び、これらの混
合物、及びこれらと適当量の水との混合物などが有利に
用いられる。ついで、水洗、風乾し６０℃〜２００℃に
３０分から２４時間加熱、焼付する。必要であれば、加
熱を真空中で行う。水洗のかわりにメタノール、エタノ
ール、ジオキサン、酢酸エチルやそれらの混合物で洗浄
してもよい。
【００４６】溶剤可溶性のポリイミドは次の文献に記載
されている。Ｅ．Ｓ．Ｍｏｙｅｒ，Ｄ．Ｋ．Ｍｏｈａｎ
ｔｙ， Ｃ．Ａ．Ａｒｎｏｌｄ， Ｊ．Ｅ．ＭｃＧｒａ
ｔｈ；”Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ Ｃｈａｒａｃｔ
ｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆＳｏｌｕｂｌｅ Ｐｏｌｙｉ
ｍｉｄｅ Ｈｏｍｏ−ａｎｄ Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒｓ”
；ＰｏｌｙｍｅｒｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ；Ｓｃｉｅ
ｎｃｅ＆Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇｓ ｏｆ ＡＣＳ Ｄｉｖｉｓｌｏｎｏｆ Ｐｏｌｙ
ｍｅｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ；Ｖ６０；ｐ． ２０
２−２０５；Ｓｐｒｉｎｇ １９８９． Ｍ．Ｅ．Ｒｏ
ｄｇｅｒｓ， Ｃ．Ａ．Ａｒｎｏｌｄ， Ｊ．Ｅ．Ｍｃ
Ｇｒａｔｈ；”Ｓｏｌｕｂｌｅ， Ｐｒｏｃｅｓｓａｂ
ｌｅ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ Ｈｏｍｏｐｏｌｙｍｅｒｓ
ａｎｄ Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒｓ”；Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ， ＡＣＳ Ｄｉｖｉｓｉｏｎｏｆ
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ；Ｖ３０−１；
ｐ． ２９６；１９８９． Ｙ．Ｏｉｓｈｉ， Ｍ．Ｘ
ｉｅ， Ｍ．Ｋａｋｉｍｏｔｏ， Ｙｏｓｈｉｏ；”Ｓ
ｙｎｔｈｅｓｅｓ ａｎｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａ
ｔｉｏｎｏｆ Ｓｏｌｕｂｌｅ Ａｒｕｍａｔｉｃ Ｐ
ｏｌｙａｍｉｄｅｓ ａｎｄ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ
ｆｒｏｍ １，１−（Ｂｉｓ（４−Ａｍｉｎｏｐｈｅｎ
ｙｌ）−２，２−ｄｉｐｈｅｎｙｌｅｔｈｙｌｅｎ
ｅ”；Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ：Ｓｃ
ｉｅｎｃｅ ＆Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｅ
ｄｉｎｇｓ ｏｆ ＡＣＳ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ ｏｆ
Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ；Ｖ６０；
ｐ． ７５７−７６１；Ｓｐｒｉｎｇ １９８９．Ｆ．
Ｗ．Ｈａｒｒｉｓ， Ｙ．Ｓａｋａｇｕｃｈｉ；”Ｓｏ
ｌｕｂｌｅ Ａｒｏｍａｔｉｃ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ
Ｄｅｒｉｖｅｄ ｆｒｏｍ ＮｅｗＰｈｅｎｙｌａ
ｔｅｄ Ｄｉａｍｉｎｅｓ”：Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ；Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｅｎｇｉｎｅ
ｅｒｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＡＣＳ
Ｄｉｖｉｓｉｏｎ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｍａｔ
ｅｒｉａｌｓ；Ｖ６０；ｐ． １８７−１９２；Ｓｐｒ
ｉｎｇ １９８９．この発明のポリイミドは、テトラカ
ルボン酸二無水物とジアミンから合成される。用いられ
るテトラカルボン酸二無水物に特に限定はないが、この
発明を実施祭の有用な酸二無水物の例は、ピロメリット
酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，
３′，４，４′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸
二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルメタンテト
ラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ジ
フェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，３，
３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、１，４，５，７−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン酸二無水
物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
ジフェニルスルフィド酸二無水物、１，３−ジフェニル
ヘキサフルオロプロパン−３，３，４，４−テトラカル
ボン酸二無水物、１，４，５，６−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、２，２′，３，３′−ジフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ベリレン
テトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）エーテル酸二無水物、ナフタレン−１，
２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−
１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物−デカヒド
ロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無
水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘ
キサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボ
ン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，
５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロ
ナフタレン−ｌ，４，５，８−テトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナントレ
ン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物，シ
クロベンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無
水物，ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸
二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン
酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）プロパン酸二無水物、１，１−ビス（２−３−ジ
カルボキシフェニル）エタン酸二無水物、１，１−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン酸二無水物−
ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン酸二無水
物、およびベンゼン１，２，３，４−テトラカルボン酸
二無水物、それらの誘導体ならびにそれらの混合物であ
る。
されている。Ｅ．Ｓ．Ｍｏｙｅｒ，Ｄ．Ｋ．Ｍｏｈａｎ
ｔｙ， Ｃ．Ａ．Ａｒｎｏｌｄ， Ｊ．Ｅ．ＭｃＧｒａ
ｔｈ；”Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ Ｃｈａｒａｃｔ
ｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆＳｏｌｕｂｌｅ Ｐｏｌｙｉ
ｍｉｄｅ Ｈｏｍｏ−ａｎｄ Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒｓ”
；ＰｏｌｙｍｅｒｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ；Ｓｃｉｅ
ｎｃｅ＆Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇｓ ｏｆ ＡＣＳ Ｄｉｖｉｓｌｏｎｏｆ Ｐｏｌｙ
ｍｅｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ；Ｖ６０；ｐ． ２０
２−２０５；Ｓｐｒｉｎｇ １９８９． Ｍ．Ｅ．Ｒｏ
ｄｇｅｒｓ， Ｃ．Ａ．Ａｒｎｏｌｄ， Ｊ．Ｅ．Ｍｃ
Ｇｒａｔｈ；”Ｓｏｌｕｂｌｅ， Ｐｒｏｃｅｓｓａｂ
ｌｅ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ Ｈｏｍｏｐｏｌｙｍｅｒｓ
ａｎｄ Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒｓ”；Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ， ＡＣＳ Ｄｉｖｉｓｉｏｎｏｆ
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ；Ｖ３０−１；
ｐ． ２９６；１９８９． Ｙ．Ｏｉｓｈｉ， Ｍ．Ｘ
ｉｅ， Ｍ．Ｋａｋｉｍｏｔｏ， Ｙｏｓｈｉｏ；”Ｓ
ｙｎｔｈｅｓｅｓ ａｎｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａ
ｔｉｏｎｏｆ Ｓｏｌｕｂｌｅ Ａｒｕｍａｔｉｃ Ｐ
ｏｌｙａｍｉｄｅｓ ａｎｄ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ
ｆｒｏｍ １，１−（Ｂｉｓ（４−Ａｍｉｎｏｐｈｅｎ
ｙｌ）−２，２−ｄｉｐｈｅｎｙｌｅｔｈｙｌｅｎ
ｅ”；Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ：Ｓｃ
ｉｅｎｃｅ ＆Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｅ
ｄｉｎｇｓ ｏｆ ＡＣＳ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ ｏｆ
Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ；Ｖ６０；
ｐ． ７５７−７６１；Ｓｐｒｉｎｇ １９８９．Ｆ．
Ｗ．Ｈａｒｒｉｓ， Ｙ．Ｓａｋａｇｕｃｈｉ；”Ｓｏ
ｌｕｂｌｅ Ａｒｏｍａｔｉｃ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ
Ｄｅｒｉｖｅｄ ｆｒｏｍ ＮｅｗＰｈｅｎｙｌａ
ｔｅｄ Ｄｉａｍｉｎｅｓ”：Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ；Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｅｎｇｉｎｅ
ｅｒｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＡＣＳ
Ｄｉｖｉｓｉｏｎ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｍａｔ
ｅｒｉａｌｓ；Ｖ６０；ｐ． １８７−１９２；Ｓｐｒ
ｉｎｇ １９８９．この発明のポリイミドは、テトラカ
ルボン酸二無水物とジアミンから合成される。用いられ
るテトラカルボン酸二無水物に特に限定はないが、この
発明を実施祭の有用な酸二無水物の例は、ピロメリット
酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，
３′，４，４′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸
二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルメタンテト
ラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ジ
フェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，３，
３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、１，４，５，７−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン酸二無水
物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
ジフェニルスルフィド酸二無水物、１，３−ジフェニル
ヘキサフルオロプロパン−３，３，４，４−テトラカル
ボン酸二無水物、１，４，５，６−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、２，２′，３，３′−ジフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ベリレン
テトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）エーテル酸二無水物、ナフタレン−１，
２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−
１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物−デカヒド
ロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無
水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘ
キサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボ
ン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，
５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロ
ナフタレン−ｌ，４，５，８−テトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナントレ
ン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物，シ
クロベンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無
水物，ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸
二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン
酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）プロパン酸二無水物、１，１−ビス（２−３−ジ
カルボキシフェニル）エタン酸二無水物、１，１−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン酸二無水物−
ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン酸二無水
物、およびベンゼン１，２，３，４−テトラカルボン酸
二無水物、それらの誘導体ならびにそれらの混合物であ
る。
【００４７】溶剤可溶性のポリイミドを得るのに特に有
利なテトラカルボン酸二無水物は、特に限定されない
が、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、４、４’−［２、２、
２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリ
デン］ビス（１、２−ベンゼンジカルボン酸二無水物、
ビス（ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビシ
クロ）２、２、２）−オクト−７−エン−２、３、５、
６−テトラカルボン酸二無水物等をあげることができ
る。これらは単独でも二種以上混合してポリイミド組成
物とすることができる。
利なテトラカルボン酸二無水物は、特に限定されない
が、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、４、４’−［２、２、
２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリ
デン］ビス（１、２−ベンゼンジカルボン酸二無水物、
ビス（ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビシ
クロ）２、２、２）−オクト−７−エン−２、３、５、
６−テトラカルボン酸二無水物等をあげることができ
る。これらは単独でも二種以上混合してポリイミド組成
物とすることができる。
【００４８】また、用いられるジアミンに特に限定はな
いが、この発明の実施における好ましいジアミンの例
は、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′
−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′
−ジメトキシ−４．４′−ジアミノビフェニル、４，
４′−ジアミノパラターフェニル、４，４′−ビス（４
−アミノフェノキシ）−ビフェニル、４，４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、３，３′−ジアミノジフェニル
スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、ビス〔２−（アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、２，２′−ジクロロ−４，４′−ジアミ
ノ−５′５′−ジメトキシビフェニル、２，２′−５，
５′−テトラクロロベンジジン、９，１０−ビス（４−
アミノフェニル）アントラセン、ｏ−トリジンスルホ
ン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、
１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，
４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、ビス〔４−
（アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、４，４′−
ジアミノジフェニルメタン、ビス（３−エチル−４−ア
ミノフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−アミノ
フェニル）メタン、ビス（３−クロロ−４−アミノフェ
ニル）メタン、２，２′，５，５′−テトラクロロ−
４，４′−ジアミノビフェニル、４，４′−ジアミノジ
フェニルスルフィド、３，３′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ
オクタフルオロビフェニル、メタフェニレンジアミン、
２，２−ビス〔４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロ
パン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−
アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３
−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、９，９−ビス（４−アミノフェニ
ル）−１０−ヒドロアントラセン、オルトトリジンスル
ホン、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラミン、
３，３′，４，４′−テトラアミノジフェニルエーテ
ル、ジアミノアントラキノン、１，５−ジアミノアント
ラキノン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニルスルホン、ビス〔４−（２−アミノフェノキシ）
フェニル〕スルホン、３，３′−ジクロロ−４，４′−
ジアミノビフェニル、３，３′−ジヒドロキシ−４，
４′−ジアミノビフェニル、４，４′−ジアミノビフェ
ニル、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレ
ン、４，４′−ジメチル−３，３′−ジアミノジフェニ
ルスルホン、３，４′−ビスアニリン−Ａ、ビスアニリ
ンＭ、ビスアニリンＰ、メチレン−ビス−２，６−キシ
リジン、４−ジアミノキュメン、２，５−ジクロロｐ−
フェニレンジアミン、２，６−ジクロロｐ−フェニレン
ジアミン、２，５−ジメチルｐ−フェニレンジアミン、
２−クロロ−ｐ−フェニレンジアミン、４−クロロｍ−
フェニレンジアミン、５−クロロ−２−メチル−ｐ−フ
ェニレンジアミン、アセトグアナミン、２，３，５，６
−テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミン、２，４，６
−トリメチル−ｍ−フェニレンジアミン、ビス−３−ア
ミノプロピル−テトラメチルジシロキサン、２，７−ジ
アミノフルオロレン、２．５−ジアミノビリジン、ｐ−
フェニレンジアミン、１，２−ビス（アニリノ）エタ
ン、ジアミノベンズアニリド、ジアミノベンゾエート、
１，５−ジアミノナフタレン、ジアミノトルエン、ジア
ミノベンゾトリフルオリド、ジアミノアントラキノン、
１，３−ビス（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、
１，４−ビス（アニリノ）オクタフルオロプタン、１，
５−ビス（アニリノ）デカフルオロぺンタン、１，７−
ビス（アニリノ）テトラデカフルオロヘプタン、２，２
−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキ
サフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（２−アミノ
フェレキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，
２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−３．５−ジ
トリフルオロメチルフェニル〕ヘキサルフオロプロパ
ン、ｐ―ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフ
ェノキシ）ベンゼン、４，４′−ビス（４−アミノ−２
−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，
４′−ビス（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェ
ノキシ）ビフェニル、４，４´−ビス（４−アミノ−２
−トリフルオロメチルフェノキカジフェニルスルホン、
４，４′−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチル
フェノキシ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス〔４−
（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フ
ェニル〕ヘキサフルオロプロパン、３，３′，５，５′
−テトラメチルベンジジン、３，３′−ジメトキシベン
ジジン、ｏ−トリジン−ｍ−トリジン、２，２′，５，
５′，６，６′−ヘキサフルオロトリジン、および４，
４′″−ジアミノクアターフェニル、およびその混合物
である。
いが、この発明の実施における好ましいジアミンの例
は、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′
−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′
−ジメトキシ−４．４′−ジアミノビフェニル、４，
４′−ジアミノパラターフェニル、４，４′−ビス（４
−アミノフェノキシ）−ビフェニル、４，４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、３，３′−ジアミノジフェニル
スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、ビス〔２−（アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、２，２′−ジクロロ−４，４′−ジアミ
ノ−５′５′−ジメトキシビフェニル、２，２′−５，
５′−テトラクロロベンジジン、９，１０−ビス（４−
アミノフェニル）アントラセン、ｏ−トリジンスルホ
ン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、
１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，
４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、ビス〔４−
（アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、４，４′−
ジアミノジフェニルメタン、ビス（３−エチル−４−ア
ミノフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−アミノ
フェニル）メタン、ビス（３−クロロ−４−アミノフェ
ニル）メタン、２，２′，５，５′−テトラクロロ−
４，４′−ジアミノビフェニル、４，４′−ジアミノジ
フェニルスルフィド、３，３′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ
オクタフルオロビフェニル、メタフェニレンジアミン、
２，２−ビス〔４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロ
パン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−
アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３
−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、９，９−ビス（４−アミノフェニ
ル）−１０−ヒドロアントラセン、オルトトリジンスル
ホン、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラミン、
３，３′，４，４′−テトラアミノジフェニルエーテ
ル、ジアミノアントラキノン、１，５−ジアミノアント
ラキノン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニルスルホン、ビス〔４−（２−アミノフェノキシ）
フェニル〕スルホン、３，３′−ジクロロ−４，４′−
ジアミノビフェニル、３，３′−ジヒドロキシ−４，
４′−ジアミノビフェニル、４，４′−ジアミノビフェ
ニル、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレ
ン、４，４′−ジメチル−３，３′−ジアミノジフェニ
ルスルホン、３，４′−ビスアニリン−Ａ、ビスアニリ
ンＭ、ビスアニリンＰ、メチレン−ビス−２，６−キシ
リジン、４−ジアミノキュメン、２，５−ジクロロｐ−
フェニレンジアミン、２，６−ジクロロｐ−フェニレン
ジアミン、２，５−ジメチルｐ−フェニレンジアミン、
２−クロロ−ｐ−フェニレンジアミン、４−クロロｍ−
フェニレンジアミン、５−クロロ−２−メチル−ｐ−フ
ェニレンジアミン、アセトグアナミン、２，３，５，６
−テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミン、２，４，６
−トリメチル−ｍ−フェニレンジアミン、ビス−３−ア
ミノプロピル−テトラメチルジシロキサン、２，７−ジ
アミノフルオロレン、２．５−ジアミノビリジン、ｐ−
フェニレンジアミン、１，２−ビス（アニリノ）エタ
ン、ジアミノベンズアニリド、ジアミノベンゾエート、
１，５−ジアミノナフタレン、ジアミノトルエン、ジア
ミノベンゾトリフルオリド、ジアミノアントラキノン、
１，３−ビス（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、
１，４−ビス（アニリノ）オクタフルオロプタン、１，
５−ビス（アニリノ）デカフルオロぺンタン、１，７−
ビス（アニリノ）テトラデカフルオロヘプタン、２，２
−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキ
サフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（２−アミノ
フェレキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，
２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−３．５−ジ
トリフルオロメチルフェニル〕ヘキサルフオロプロパ
ン、ｐ―ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフ
ェノキシ）ベンゼン、４，４′−ビス（４−アミノ−２
−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，
４′−ビス（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェ
ノキシ）ビフェニル、４，４´−ビス（４−アミノ−２
−トリフルオロメチルフェノキカジフェニルスルホン、
４，４′−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチル
フェノキシ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス〔４−
（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フ
ェニル〕ヘキサフルオロプロパン、３，３′，５，５′
−テトラメチルベンジジン、３，３′−ジメトキシベン
ジジン、ｏ−トリジン−ｍ−トリジン、２，２′，５，
５′，６，６′−ヘキサフルオロトリジン、および４，
４′″−ジアミノクアターフェニル、およびその混合物
である。
【００４９】特に有利なジアミンは、特に限定されない
が、１、４ベンゼンジアミン、６−メチル１、３−ベン
ゼンジアミン、４、４’ジアミノ−３、３’−ジメチル
−１、１’−ビフェニル、４、４’−アミノ−３、３’
−ジメトキシ−１、１’−ビフェニル、 ４、４’−メチレンビス（ベンゼンアミン） ４、４’−オキシビス（ベンゼンアミン） ３、４’−オキシビス（ベンゼンアミン） ４、４’−チオビス（ベンゼンアミン） ４、４’−スルホニル（ベンゼンアミン）３、３’−ス
ルホニル（ベンゼンアミン） １−トリフルオロメチル２、２、２−トリフルオロエチ
リジン４、４’−ビス（ベンゼンアミン） ２、２’−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル）スルホン ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホ
ン １、３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチリデン）ベンゼン １、４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン １、３ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン ９、９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン ジアミノシロキサン などをあげることができる。これらは単独でも二種以上
混合してポリイミド組成物とすることができる。
が、１、４ベンゼンジアミン、６−メチル１、３−ベン
ゼンジアミン、４、４’ジアミノ−３、３’−ジメチル
−１、１’−ビフェニル、４、４’−アミノ−３、３’
−ジメトキシ−１、１’−ビフェニル、 ４、４’−メチレンビス（ベンゼンアミン） ４、４’−オキシビス（ベンゼンアミン） ３、４’−オキシビス（ベンゼンアミン） ４、４’−チオビス（ベンゼンアミン） ４、４’−スルホニル（ベンゼンアミン）３、３’−ス
ルホニル（ベンゼンアミン） １−トリフルオロメチル２、２、２−トリフルオロエチ
リジン４、４’−ビス（ベンゼンアミン） ２、２’−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル）スルホン ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホ
ン １、３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチリデン）ベンゼン １、４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン １、３ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン ９、９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン ジアミノシロキサン などをあげることができる。これらは単独でも二種以上
混合してポリイミド組成物とすることができる。
【００５０】また、ポリイミドは、ポリイミドオリゴマ
ーを経由して合成される３成分以上でなるブロックコポ
リイミドであっても良い。ブロックコポリイミドにおい
て適当な成分を用いれば、望ましい溶剤溶解性、電気泳
動性、耐熱性、親水性、力学適特性等を同時に充足する
ことが可能である。
ーを経由して合成される３成分以上でなるブロックコポ
リイミドであっても良い。ブロックコポリイミドにおい
て適当な成分を用いれば、望ましい溶剤溶解性、電気泳
動性、耐熱性、親水性、力学適特性等を同時に充足する
ことが可能である。
【００５１】機械的強度、耐熱性、耐熱老化性及び加工
性を改良したポリイミドを製造するために、スルホンア
ミドのオリゴマーを製造し、次いで酸二無水物を加えて
ブロック性のポリイミド樹脂を得ることができる。ま
た、極性溶媒中で、ジアミンに対して酸ジ無水物を１．
５〜２．０モル加えて低温で反応させてアミド酸のオリ
ゴマーを合成している。これに当量のイソシアネートを
加えて反応させると、炭酸ガスを発生しながらポリイミ
ドアミドカルボン酸が得られる。また、基板密着性の良
いポリイミド膜を得るため、ジアミノシロキサンのコポ
リマーに酸ジ無水物を加えてシロキサン−アミド酸のブ
ロック共重合体とした後、これに当量のジアミンを加え
てポリアミド酸とし、次いで熱又は化学処理によってシ
ロキサン−イミドのブロック共重合体を製造できる。ま
た、芳香族ジアミンに対して酸二無水物を過多又は過少
に加え、これを反応させてポリアミド酸プレポリマーを
製造し、次いで不足分のジアミンを添加してポリアミド
酸の共重合体を得、次いで化学処理又は加熱処理によっ
てポリイミド共重合体を製造でき、この方法では、中間
体としてポリアミド酸を経由するために、二つの異なっ
たブロックポリマーを結び付けても、生成するポリアミ
ド酸の交換反応を防ぐことができないので、ランダム性
の伴ったブロックポリマーとなる。
性を改良したポリイミドを製造するために、スルホンア
ミドのオリゴマーを製造し、次いで酸二無水物を加えて
ブロック性のポリイミド樹脂を得ることができる。ま
た、極性溶媒中で、ジアミンに対して酸ジ無水物を１．
５〜２．０モル加えて低温で反応させてアミド酸のオリ
ゴマーを合成している。これに当量のイソシアネートを
加えて反応させると、炭酸ガスを発生しながらポリイミ
ドアミドカルボン酸が得られる。また、基板密着性の良
いポリイミド膜を得るため、ジアミノシロキサンのコポ
リマーに酸ジ無水物を加えてシロキサン−アミド酸のブ
ロック共重合体とした後、これに当量のジアミンを加え
てポリアミド酸とし、次いで熱又は化学処理によってシ
ロキサン−イミドのブロック共重合体を製造できる。ま
た、芳香族ジアミンに対して酸二無水物を過多又は過少
に加え、これを反応させてポリアミド酸プレポリマーを
製造し、次いで不足分のジアミンを添加してポリアミド
酸の共重合体を得、次いで化学処理又は加熱処理によっ
てポリイミド共重合体を製造でき、この方法では、中間
体としてポリアミド酸を経由するために、二つの異なっ
たブロックポリマーを結び付けても、生成するポリアミ
ド酸の交換反応を防ぐことができないので、ランダム性
の伴ったブロックポリマーとなる。
【００５２】電着性のポリイミドはその成分に電離して
カチオンないしアニオンを与える置換基を導入した酸二
無水物、またはジアシを用いることによって得られる。
カチオンを与える置換基としては、例えば３官能ブロッ
クイソシアネート、またはイソシアネートのプレポリマ
ーを水酸基、またはアミン基を官能群とするポリマーと
混合し、ついで水／酸溶液中へ共分散させる。
カチオンないしアニオンを与える置換基を導入した酸二
無水物、またはジアシを用いることによって得られる。
カチオンを与える置換基としては、例えば３官能ブロッ
クイソシアネート、またはイソシアネートのプレポリマ
ーを水酸基、またはアミン基を官能群とするポリマーと
混合し、ついで水／酸溶液中へ共分散させる。
【００５３】酸の添加で水可溶となる第１級、第２級及
び第３級アミン、第４級アンモニウム塩、第４級水酸化
アンモニウム、第４級燐酸塩、第三級硫酸塩、第４級ア
ンモニウムカルボン酸塩等がある。カチオン電着性のポ
リイミドを得るには、このような置換基をポリイミド鎖
中に導入すればよい。もっとも好ましいのは２，６−ｄ
ｉａｍｉｎｏｐｙｒｉｄｉｎｅをジアミン成分の一部と
して用いることである。
び第３級アミン、第４級アンモニウム塩、第４級水酸化
アンモニウム、第４級燐酸塩、第三級硫酸塩、第４級ア
ンモニウムカルボン酸塩等がある。カチオン電着性のポ
リイミドを得るには、このような置換基をポリイミド鎖
中に導入すればよい。もっとも好ましいのは２，６−ｄ
ｉａｍｉｎｏｐｙｒｉｄｉｎｅをジアミン成分の一部と
して用いることである。
【００５４】アニオンを与える置換基はカルボキシルで
ある。アニオン電着性のポリイミドを得るにはこのよう
な置換基をポリイミド鎖中に導入すればよい。もっとも
好ましいポリイミドに使用される芳香族ジアミンとして
は、芳香族ジアミノカルボン酸の共存が必要である。芳
香族ジアミノカルボン酸としては、３，５−ジアミノ安
息香酸、２，４−ジアミノフェニル酢酸、２，５−ジア
ミノテレフタル酸、３，５−ジアミノパラトルイル酸、
３，５−ジアミノ−２−ナフタリンカルボン酸、１，４
−ジアミノ−２−ナフタリンカルボン酸等があるが、特
に好ましくは３，５−ジアミノ安息香酸が用いられる。
ある。アニオン電着性のポリイミドを得るにはこのよう
な置換基をポリイミド鎖中に導入すればよい。もっとも
好ましいポリイミドに使用される芳香族ジアミンとして
は、芳香族ジアミノカルボン酸の共存が必要である。芳
香族ジアミノカルボン酸としては、３，５−ジアミノ安
息香酸、２，４−ジアミノフェニル酢酸、２，５−ジア
ミノテレフタル酸、３，５−ジアミノパラトルイル酸、
３，５−ジアミノ−２−ナフタリンカルボン酸、１，４
−ジアミノ−２−ナフタリンカルボン酸等があるが、特
に好ましくは３，５−ジアミノ安息香酸が用いられる。
【００５５】カチオンを与える置換基を有するカチオン
性電着ポリイミドの電着液に添加される酸は、一般に有
機酸、特に酢酸、乳酸である。アニオンを与える置換基
を有するアニオン性電着ポリイミドの電着液に添加され
る塩基は、一般的にはアミン類、たとえばトリエチルア
ミン、ジエチルアミン、各種のアルカリ、例えば水酸化
カリウムである。
性電着ポリイミドの電着液に添加される酸は、一般に有
機酸、特に酢酸、乳酸である。アニオンを与える置換基
を有するアニオン性電着ポリイミドの電着液に添加され
る塩基は、一般的にはアミン類、たとえばトリエチルア
ミン、ジエチルアミン、各種のアルカリ、例えば水酸化
カリウムである。
【００５６】金属上に均一な厚みのポリイミドの被膜を
得る方法として、ポリアミド酸類を用いる電着法は広く
知られているが、この方法ではポリアミド酸の電着膜を
ポリイミドに変えるために事後に例えば１８０〜３５０
℃に加熱することが必須であり、有限のキュリー点を持
つピエゾ素子の圧電性能を損なうことなくこのような加
熱工程を実施することは困難であるが、この発明の方法
は電着被膜形成後に、ことさらに加熱する必要がなく、
溶剤を蒸発させ、乾燥するだけで安定な被膜を形成する
ことができる。
得る方法として、ポリアミド酸類を用いる電着法は広く
知られているが、この方法ではポリアミド酸の電着膜を
ポリイミドに変えるために事後に例えば１８０〜３５０
℃に加熱することが必須であり、有限のキュリー点を持
つピエゾ素子の圧電性能を損なうことなくこのような加
熱工程を実施することは困難であるが、この発明の方法
は電着被膜形成後に、ことさらに加熱する必要がなく、
溶剤を蒸発させ、乾燥するだけで安定な被膜を形成する
ことができる。
【００５７】作成した電極上の膜は、更に発明の効果を
高めるために電着して皮膜形成後にその表面を酸化処理
することが好ましい。酸化処理方法としては下記の方法
がある。
高めるために電着して皮膜形成後にその表面を酸化処理
することが好ましい。酸化処理方法としては下記の方法
がある。
【００５８】（イ）酸化材による表面の酸化 重クロム
酸カリウム又はナトリウム、過マンガン酸ナトリウム又
はカリウムの酸性水溶液に部材を浸漬する。過塩素酸ナ
トリウムまたは塩素等のハロゲンガス中での放置または
ハロゲンガス水溶液中へ部材を浸漬する。
酸カリウム又はナトリウム、過マンガン酸ナトリウム又
はカリウムの酸性水溶液に部材を浸漬する。過塩素酸ナ
トリウムまたは塩素等のハロゲンガス中での放置または
ハロゲンガス水溶液中へ部材を浸漬する。
【００５９】（ロ）空気、酸素ガス中で又はハロゲンガ
ス中で部材に熱風、炎、紫外線、γ線などを照射する。
ス中で部材に熱風、炎、紫外線、γ線などを照射する。
【００６０】（ハ）コロナ、オゾン、プラズマ等の活性
の強い酸化を部材に照射する。これらの酸化処理で得ら
れる表面の酸化膜は高々数μｓ，一般にはオングストロ
ーム単位の範囲のものであり、部材全体として領域的性
質の劣化は極めて小さい。しかしながら、酸化処理によ
りインクへの部材の親和性が著しく増大するため、イン
ク中に運び込まれた気泡、インク中で発生した気泡が部
材の表面に付着する確率が減少し、インク供給系外へと
泡が運ばれるために、泡による印字不良や吐出不良を防
止することができる。
の強い酸化を部材に照射する。これらの酸化処理で得ら
れる表面の酸化膜は高々数μｓ，一般にはオングストロ
ーム単位の範囲のものであり、部材全体として領域的性
質の劣化は極めて小さい。しかしながら、酸化処理によ
りインクへの部材の親和性が著しく増大するため、イン
ク中に運び込まれた気泡、インク中で発生した気泡が部
材の表面に付着する確率が減少し、インク供給系外へと
泡が運ばれるために、泡による印字不良や吐出不良を防
止することができる。
【００６１】次に、この発明の実施例を、以下に説明す
る。 ［実施例１］撹伴機、チッ素導入管及び冷却管の下部に
ストップコックのついた水分受容器をとりつける。チッ
素を通しながら、さらに撹粋しながら反応器をシリコン
油中につけて加熱して反応させる。反応温度はシリコン
オイル温度で示す。３，４，３’，４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸ジ無水物６４．４４ｇ（０．２モ
ル）、ビス−［４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルホン４２．７２ｇ（０．１モル）、バレロラク
トン３ｇ（０．０３モル）、ピリジン４．８ｇ（０．０
０６モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの
略）４００ｇ、トルエン９０ｇを加えて、室温で３０分
間、撹拌、ついで、昇温して１８０°、１時間、２００
ｒｐｍ．に撹拌しながら反応させる。反応後、トルエン
−水留出分３０ｍｌを除く。空冷して、３，４，３’，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．
２２ｇ（０．１モル）、３，５−ジアミノ安息香酸１
５．２２ｇ（０．１モル）、２，６−ジアミノピリジン
１１．０１ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ２２２ｇ、トルエ
ン４５ｇを添加し、室温で１時間撹拌（２００ｒｐ
ｍ）、次いで昇温して１８０℃に１時間、加熱撹拌す
る。トルエン−水留出分１５ｍｌを除き、以後は留出分
を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌し
て反応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。酸
当量（１個のＣＯＯＨ当りのポリマー量１５５４）は３
６である。
る。 ［実施例１］撹伴機、チッ素導入管及び冷却管の下部に
ストップコックのついた水分受容器をとりつける。チッ
素を通しながら、さらに撹粋しながら反応器をシリコン
油中につけて加熱して反応させる。反応温度はシリコン
オイル温度で示す。３，４，３’，４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸ジ無水物６４．４４ｇ（０．２モ
ル）、ビス−［４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルホン４２．７２ｇ（０．１モル）、バレロラク
トン３ｇ（０．０３モル）、ピリジン４．８ｇ（０．０
０６モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの
略）４００ｇ、トルエン９０ｇを加えて、室温で３０分
間、撹拌、ついで、昇温して１８０°、１時間、２００
ｒｐｍ．に撹拌しながら反応させる。反応後、トルエン
−水留出分３０ｍｌを除く。空冷して、３，４，３’，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．
２２ｇ（０．１モル）、３，５−ジアミノ安息香酸１
５．２２ｇ（０．１モル）、２，６−ジアミノピリジン
１１．０１ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ２２２ｇ、トルエ
ン４５ｇを添加し、室温で１時間撹拌（２００ｒｐ
ｍ）、次いで昇温して１８０℃に１時間、加熱撹拌す
る。トルエン−水留出分１５ｍｌを除き、以後は留出分
を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌し
て反応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。酸
当量（１個のＣＯＯＨ当りのポリマー量１５５４）は３
６である。
【００６２】ポリイミドワニス１００ｇ、３ＳＮ（ＮＭ
Ｐ：テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド＝
１：３（重量）の混合溶液）１００ｇ、ベンジルアルコ
ール５０ｇ、メチルモルホリン２．６０ｇ（中和率２０
０モル％）、水１ｇを撹拌して水性電着液を調製する。
得られた水性電着液は、ブロックポリイミド７．６％、
ｐＨ７．２、導電度８９（μＳ／ｃｍ）、２９．８℃、
暗赤褐色透明液である。
Ｐ：テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド＝
１：３（重量）の混合溶液）１００ｇ、ベンジルアルコ
ール５０ｇ、メチルモルホリン２．６０ｇ（中和率２０
０モル％）、水１ｇを撹拌して水性電着液を調製する。
得られた水性電着液は、ブロックポリイミド７．６％、
ｐＨ７．２、導電度８９（μＳ／ｃｍ）、２９．８℃、
暗赤褐色透明液である。
【００６３】このようにして得られた電着液にＰＺＴ電
極を浸し、対電極との間にＤＣ電源（ＰＡＤ３００−１
Ａ：菊水電子工業）で６０Ｖの電圧をかけて平均膜厚
０．１μｍのポリイミド膜を電極上に製膜した。
極を浸し、対電極との間にＤＣ電源（ＰＡＤ３００−１
Ａ：菊水電子工業）で６０Ｖの電圧をかけて平均膜厚
０．１μｍのポリイミド膜を電極上に製膜した。
【００６４】膜厚は電極面積と印加した電荷量に依存す
るため、製膜時にクーロンメーター（ＨＦ−２０３Ｄ：
北斗電工）で印加した電荷量を測定し制御した。製膜後
定着液に５分間浸した後、真空乾燥機で１０-3ｔｏｒ
ｒ、８０℃、２４時間乾燥した。その後ヘッドを最後ま
で組み立てた後、プラズマエッチング装置（ＤＥＭ４５
１：日本アネルバ）でポリイミド表面やインク流路に使
われているポリマー表面を処理し十分な濡れ性を確保し
た後、完成検査を行い評価した。具体的には特に初期の
不良率と耐久性試験（１０10ショット）後の安定動作ヘ
ッドの割合で評価した。各条件１０００ヘッド作成し評
価した。 ［実施例２］実施例１の平均膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を、膜厚０．５μｍのポリイミド膜にして同様な完
成検査を行い評価した。 ［実施例３］実施例１の平均膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を、膜厚１μｍのポリイミド膜にして同様な完成検
査を行い評価した。 ［実施例４］実施例１の平均膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を、膜厚５μｍのポリイミド膜にして同様な完成検
査を行い評価した。 ［実施例５］実施例１の平均膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を、膜厚１０μｍのポリイミド膜にして同様な完成
検査を行い評価した。 ［実施例６］実施例１の平均膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を、膜厚２０μｍのポリイミド膜にして同様な完成
検査を行い評価した。 ［実施例７］ブロックポリイミドの製造３，４，３’，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．
２２ｇ（０．１モル）、ビス−［４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル］スルホン２１．６３ｇ（０．０５モ
ル）、バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピ
リジン２．４ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ２００ｇ、ト
ルエン３０ｇを室温にて撹拌（２００ｒｐｍ）３０分、
ついで昇温し１８０℃×１時間加熱、撹拌する。トルエ
ン−水の留分１５ｍｌを除去し、空冷後、３，４，
３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物
６．１１ｇ（０．０５モル）、３，４−ジアミノ安息香
酸１５．２１６ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、ト
ルエン３０ｇを加え、室温に３０分撹拌した後、１８０
℃×１時間後、水−トルエン留分１５ｍｌを除去する。
その後は留分を除きながら１８０℃×２時間３０分加熱
撹拌して、反応を終了する。ＮＭＰ液中濃度２０％ポリ
イミドを得た。
るため、製膜時にクーロンメーター（ＨＦ−２０３Ｄ：
北斗電工）で印加した電荷量を測定し制御した。製膜後
定着液に５分間浸した後、真空乾燥機で１０-3ｔｏｒ
ｒ、８０℃、２４時間乾燥した。その後ヘッドを最後ま
で組み立てた後、プラズマエッチング装置（ＤＥＭ４５
１：日本アネルバ）でポリイミド表面やインク流路に使
われているポリマー表面を処理し十分な濡れ性を確保し
た後、完成検査を行い評価した。具体的には特に初期の
不良率と耐久性試験（１０10ショット）後の安定動作ヘ
ッドの割合で評価した。各条件１０００ヘッド作成し評
価した。 ［実施例２］実施例１の平均膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を、膜厚０．５μｍのポリイミド膜にして同様な完
成検査を行い評価した。 ［実施例３］実施例１の平均膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を、膜厚１μｍのポリイミド膜にして同様な完成検
査を行い評価した。 ［実施例４］実施例１の平均膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を、膜厚５μｍのポリイミド膜にして同様な完成検
査を行い評価した。 ［実施例５］実施例１の平均膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を、膜厚１０μｍのポリイミド膜にして同様な完成
検査を行い評価した。 ［実施例６］実施例１の平均膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を、膜厚２０μｍのポリイミド膜にして同様な完成
検査を行い評価した。 ［実施例７］ブロックポリイミドの製造３，４，３’，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．
２２ｇ（０．１モル）、ビス−［４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル］スルホン２１．６３ｇ（０．０５モ
ル）、バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピ
リジン２．４ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ２００ｇ、ト
ルエン３０ｇを室温にて撹拌（２００ｒｐｍ）３０分、
ついで昇温し１８０℃×１時間加熱、撹拌する。トルエ
ン−水の留分１５ｍｌを除去し、空冷後、３，４，
３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物
６．１１ｇ（０．０５モル）、３，４−ジアミノ安息香
酸１５．２１６ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、ト
ルエン３０ｇを加え、室温に３０分撹拌した後、１８０
℃×１時間後、水−トルエン留分１５ｍｌを除去する。
その後は留分を除きながら１８０℃×２時間３０分加熱
撹拌して、反応を終了する。ＮＭＰ液中濃度２０％ポリ
イミドを得た。
【００６５】このようにして得られた電着液にＰＺＴ電
極を浸し、対電極との間にＤＣ電源（ＰＡＤ３００−１
Ａ：菊水電子工業）で６０Ｖの電圧をかけて平均膜厚１
μｍのポリイミド膜を電極上に製膜し、同様な完成検査
を行い評価した。 ［実施例８］３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸ジ無水物４８．３３ｇ（０．１５モル）、
３，５−ジアミノ安息香酸７．６０８ｇ（０．０５モ
ル）、２，６−ジアミノピリジン５．５０７ｇ（０．０
５モル）、ビス−［４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル］スルホン２１．６３ｇ（０．０５モル）、バレロ
ラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．４
ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ３１１ｇ、トルエン５０ｇ
を混合し、チッソ気流中、１時間撹拌する。ついで昇温
し１８０°×１時間で留出した水−トルエン１５ｍｌを
除去し、ついで留出物を除きながら２時間１８０℃に加
熱して、反応を終了した。２０％ワニスをえた。酸当量
（１個のＣＯＯＨ当りのポリマー量１５５４）は３６で
ある。
極を浸し、対電極との間にＤＣ電源（ＰＡＤ３００−１
Ａ：菊水電子工業）で６０Ｖの電圧をかけて平均膜厚１
μｍのポリイミド膜を電極上に製膜し、同様な完成検査
を行い評価した。 ［実施例８］３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸ジ無水物４８．３３ｇ（０．１５モル）、
３，５−ジアミノ安息香酸７．６０８ｇ（０．０５モ
ル）、２，６−ジアミノピリジン５．５０７ｇ（０．０
５モル）、ビス−［４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル］スルホン２１．６３ｇ（０．０５モル）、バレロ
ラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．４
ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ３１１ｇ、トルエン５０ｇ
を混合し、チッソ気流中、１時間撹拌する。ついで昇温
し１８０°×１時間で留出した水−トルエン１５ｍｌを
除去し、ついで留出物を除きながら２時間１８０℃に加
熱して、反応を終了した。２０％ワニスをえた。酸当量
（１個のＣＯＯＨ当りのポリマー量１５５４）は３６で
ある。
【００６６】このようにして得られた電着液にＰＺＴ電
極を浸し、対電極との間にＤＣ電源（ＰＡＤ３００−１
Ａ：菊水電子工業）で６０Ｖの電圧をかけて平均膜厚１
μｍのポリイミド膜を電極上に製膜し、同様な完成検査
を行い評価した。 ［実施例９］実施例１の電着液を用い、ＰＺＴ電極にポ
リイミドを１μｍ電着後、ポリパラキシリレン製膜装置
（ＰＤＳ−２０１０：日本パリレン）で平均膜厚５μｍ
のポリパラキシリレンＮを製膜した。その後ヘッドを最
後まで組み立てた後、ラズマエッチング装置（ＤＥＭ４
５１：日本アネルバ）でポリパラキシリレンＮ表面やイ
ンク流路に使われているポリマー表面を処理し十分な濡
れ性を確保した後、完成検査を行い評価した。 ［実施例１０］実施例１の電着液を用い、ポリパラキシ
リレン製膜装置（ＰＤＳ−２０１０：日本パリレン）で
平均膜厚５μｍのポリパラキシリレンＮを製膜した後、
電着液にＰＺＴ電極を浸し、対電極との間にＤＣ電源で
６０Ｖの電圧をかけて平ポリイミド膜を電極上に製膜し
た。先にポリパラキシリレン膜があるため膜厚は一定で
はないが、ポリパラキシリレン膜のピンホール部分を中
心に膜厚の薄い部分を中心に平均膜厚ｌμｍ製膜した。
製膜後定着液に５分間浸した後、真空乾燥機で１０-3ｔ
ｏｒｒ、８０℃、２４時間乾燥した。その後ヘッドを最
後まで組み立てた後、プラズマエッチング装置（ＤＥＭ
４５１：日本アネルバ）でポリイミド表面やインク流路
に使われているポリマー表面を処理し十分な濡れ性を確
保した後、その後ヘッドを最後まで組み立て、完成検査
を行い評価した。 ［比較例１］（無機保護膜） ＰＺＴの電極上にプラズマＣＶＤ装置（ＰＤ−２４０：
（株）サムコインターナショナル）で平均膜厚５μｍの
ＳｉＯ2膜を製膜した。その後ヘッドを最後まで組み立
て、完成検査を行い評価した。 ［比較例２］ＰＺＴ電極上にポリパラキシリレン製膜装
置（ＰＤＳ−２０１０：日本パリレン）で平均膜厚５μ
ｍのポリパラキシリレンＮを製膜した。その後ヘッドを
最後まで組み立てた後、プラズマエッチング装置（ＤＥ
Ｍ４５１：日本アネルバ）でポリイミド表面やインク流
路に使われているポリマー表面を処理し十分な濡れ性を
確保した後、完成検査を行い評価した。 表１ このように電着ポリイミド膜を保護膜としたものは初期
不良は０、耐久性後も不良率が軒並み１％以下で、特に
膜厚の厚いものポリパラキシリレン下層、ポリイミド上
層の重層のものは不良が発生しなくなった。
極を浸し、対電極との間にＤＣ電源（ＰＡＤ３００−１
Ａ：菊水電子工業）で６０Ｖの電圧をかけて平均膜厚１
μｍのポリイミド膜を電極上に製膜し、同様な完成検査
を行い評価した。 ［実施例９］実施例１の電着液を用い、ＰＺＴ電極にポ
リイミドを１μｍ電着後、ポリパラキシリレン製膜装置
（ＰＤＳ−２０１０：日本パリレン）で平均膜厚５μｍ
のポリパラキシリレンＮを製膜した。その後ヘッドを最
後まで組み立てた後、ラズマエッチング装置（ＤＥＭ４
５１：日本アネルバ）でポリパラキシリレンＮ表面やイ
ンク流路に使われているポリマー表面を処理し十分な濡
れ性を確保した後、完成検査を行い評価した。 ［実施例１０］実施例１の電着液を用い、ポリパラキシ
リレン製膜装置（ＰＤＳ−２０１０：日本パリレン）で
平均膜厚５μｍのポリパラキシリレンＮを製膜した後、
電着液にＰＺＴ電極を浸し、対電極との間にＤＣ電源で
６０Ｖの電圧をかけて平ポリイミド膜を電極上に製膜し
た。先にポリパラキシリレン膜があるため膜厚は一定で
はないが、ポリパラキシリレン膜のピンホール部分を中
心に膜厚の薄い部分を中心に平均膜厚ｌμｍ製膜した。
製膜後定着液に５分間浸した後、真空乾燥機で１０-3ｔ
ｏｒｒ、８０℃、２４時間乾燥した。その後ヘッドを最
後まで組み立てた後、プラズマエッチング装置（ＤＥＭ
４５１：日本アネルバ）でポリイミド表面やインク流路
に使われているポリマー表面を処理し十分な濡れ性を確
保した後、その後ヘッドを最後まで組み立て、完成検査
を行い評価した。 ［比較例１］（無機保護膜） ＰＺＴの電極上にプラズマＣＶＤ装置（ＰＤ−２４０：
（株）サムコインターナショナル）で平均膜厚５μｍの
ＳｉＯ2膜を製膜した。その後ヘッドを最後まで組み立
て、完成検査を行い評価した。 ［比較例２］ＰＺＴ電極上にポリパラキシリレン製膜装
置（ＰＤＳ−２０１０：日本パリレン）で平均膜厚５μ
ｍのポリパラキシリレンＮを製膜した。その後ヘッドを
最後まで組み立てた後、プラズマエッチング装置（ＤＥ
Ｍ４５１：日本アネルバ）でポリイミド表面やインク流
路に使われているポリマー表面を処理し十分な濡れ性を
確保した後、完成検査を行い評価した。 表１ このように電着ポリイミド膜を保護膜としたものは初期
不良は０、耐久性後も不良率が軒並み１％以下で、特に
膜厚の厚いものポリパラキシリレン下層、ポリイミド上
層の重層のものは不良が発生しなくなった。
【００６７】
【発明の効果】前記したように、請求項１に記載の発明
では、電極を被覆するポリイミド膜を有することで、電
極をインクから保護することができ、各部材を劣化させ
ることがない。しかも、ポリイミド膜は、臨界表面張力
が高くインクに対する濡れ性が高く、安定な射出動作を
得ることができる。
では、電極を被覆するポリイミド膜を有することで、電
極をインクから保護することができ、各部材を劣化させ
ることがない。しかも、ポリイミド膜は、臨界表面張力
が高くインクに対する濡れ性が高く、安定な射出動作を
得ることができる。
【００６８】請求項２に記載の発明では、ポリイミド膜
と有機被膜を重層することで、電極をより優位にインク
から保護することができ、各部材を劣化させることがな
い。
と有機被膜を重層することで、電極をより優位にインク
から保護することができ、各部材を劣化させることがな
い。
【００６９】請求項３に記載の発明では、ポリイミド膜
の膜厚が０．１μｍ〜５０μｍの範囲であり、平滑な膜
厚であるとともに、膜厚によってインクを加圧する部材
の変形による圧力の損失がなく、良好なインク射出が可
能である。
の膜厚が０．１μｍ〜５０μｍの範囲であり、平滑な膜
厚であるとともに、膜厚によってインクを加圧する部材
の変形による圧力の損失がなく、良好なインク射出が可
能である。
【００７０】請求項４に記載の発明では、ポリイミド膜
と有機被膜の重層した膜厚が０．１μｍ〜５０μｍの範
囲であり、平滑な膜厚であるとともに、膜厚によってイ
ンクを加圧する部材の変形による圧力の損失がなく、良
好なインク射出が可能である。
と有機被膜の重層した膜厚が０．１μｍ〜５０μｍの範
囲であり、平滑な膜厚であるとともに、膜厚によってイ
ンクを加圧する部材の変形による圧力の損失がなく、良
好なインク射出が可能である。
【００７１】請求項５に記載の発明では、電極を被覆す
るポリイミド膜を設ける簡単な構成で、電極をインクか
ら保護することができ、各部材を劣化させることがな
く、しかも臨界表面張力が高くインクに対する濡れ性が
高く、安定な射出動作するインクジェットヘッドを得る
ことができる。
るポリイミド膜を設ける簡単な構成で、電極をインクか
ら保護することができ、各部材を劣化させることがな
く、しかも臨界表面張力が高くインクに対する濡れ性が
高く、安定な射出動作するインクジェットヘッドを得る
ことができる。
【００７２】請求項６に記載の発明では、製造されるイ
ンクジェットヘッドの大きさと類似の大きさの電着槽と
小規模な直流電源でなる装置を常圧下で操作して電極を
被覆するポリイミド膜を設けることができる。また、通
常、電着速度が電着膜厚とともに急速に低下する自己膜
厚制御性を持っているが、インク流路に露出した電極を
電着電極として、電着法で皮膜を形成することで、電極
を覆って平滑で連続的な被膜を容易に形成することがで
き、さらにポリアミド酸類を用いる従来の電着法被膜形
成に比べて高温度に加熱する工程が不要で、インクジェ
ットヘッドの各部材を劣化させることがない。
ンクジェットヘッドの大きさと類似の大きさの電着槽と
小規模な直流電源でなる装置を常圧下で操作して電極を
被覆するポリイミド膜を設けることができる。また、通
常、電着速度が電着膜厚とともに急速に低下する自己膜
厚制御性を持っているが、インク流路に露出した電極を
電着電極として、電着法で皮膜を形成することで、電極
を覆って平滑で連続的な被膜を容易に形成することがで
き、さらにポリアミド酸類を用いる従来の電着法被膜形
成に比べて高温度に加熱する工程が不要で、インクジェ
ットヘッドの各部材を劣化させることがない。
【００７３】請求項７に記載の発明では、ポリイミド膜
と有機被膜を重層することで、電極をより優位にインク
から保護することができ、各部材を劣化させることがな
い。
と有機被膜を重層することで、電極をより優位にインク
から保護することができ、各部材を劣化させることがな
い。
【図１】インクジェットヘッドを示す断面図である。
【図２】カバー基板の積層したインクジェットヘッドの
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図３】ポリイミド膜と有機被膜を重層するの実施の形
態の断面図である。
態の断面図である。
１ インクジェットヘッド ２，３ 圧電性材料基板 ５ インクチャネル ６ 電極 ７ カバー基板 ８ 接着剤 ９ ポリイミド膜 １０ 有機被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 英生 東京都日野市さくら町１番地 コニカ株式 会社内 Ｆターム(参考） 2C057 AF66 AF67 AF70 AF93 AG45 AP02 AP11 AP54 AP55 AP57 AP58 BA05 BA14
Claims (7)
- 【請求項１】圧電性材料基板に溝加工によりインクチャ
ネルを形成し、このインクチャネルの内壁に電極を設
け、この圧電性材料基板のインクチャネルをカバー基板
により覆うインクジェットヘッドであり、 前記圧電性材料基板に電圧を印加する電極を被覆するポ
リイミド膜を有することを特徴とするインクジェットヘ
ッド。 - 【請求項２】前記ポリイミド膜と有機被膜を重層したこ
とを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッ
ド。 - 【請求項３】前記ポリイミド膜の膜厚が０．１μｍ〜５
０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の
インクジェットヘッド。 - 【請求項４】前記ポリイミド膜と有機被膜の重層した膜
厚が０．１μｍ〜５０μｍの範囲であることを特徴とす
る請求項１に記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項５】圧電性材料基板に溝加工によりインクチャ
ネルを形成し、このインクチャネルの内壁に電極を設
け、この圧電性材料基板のインクチャネルをカバー基板
により覆うインクジェットヘッドの製造方法であり、 前記圧電性材料基板に電圧を印加する電極を被覆するポ
リイミド膜を設けることを特徴とするインクジェットヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項６】前記ポリイミド膜は、電着法によって前記
電極上に設けることを特徴とする請求項５に記載のイン
クジェットヘッドの製造方法。 - 【請求項７】前記ポリイミド膜と有機被膜を重層するこ
とを特徴とする請求項５または請求項６に記載のインク
ジェットヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000217723A JP2002029061A (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | インクジェットヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000217723A JP2002029061A (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | インクジェットヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002029061A true JP2002029061A (ja) | 2002-01-29 |
Family
ID=18712790
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000217723A Pending JP2002029061A (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | インクジェットヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002029061A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6802598B2 (en) * | 1999-07-23 | 2004-10-12 | Konica Corporation | Ink jet head and production method of the same |
| CN102666106A (zh) * | 2009-11-05 | 2012-09-12 | 森尼亚科技有限公司 | 喷墨印刷机 |
| US8511800B2 (en) | 2010-11-30 | 2013-08-20 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of inkjet head and inkjet head |
| JP2014040086A (ja) * | 2011-11-18 | 2014-03-06 | Canon Inc | 液体吐出装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06126957A (ja) * | 1992-10-16 | 1994-05-10 | Seiko Epson Corp | インクジェットプリンタヘッドとその製造方法 |
| JPH06278278A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-04 | Seiko Epson Corp | インクジェットヘッド及びその製造方法 |
| JPH09104839A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Dainippon Toryo Co Ltd | 電着用ポリイミド組成物及び塗膜物 |
-
2000
- 2000-07-18 JP JP2000217723A patent/JP2002029061A/ja active Pending
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