JP2002026452A - 面発光型光源及びその製造方法、レーザ加工機用光源 - Google Patents
面発光型光源及びその製造方法、レーザ加工機用光源Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 面発光型レーザアレイ基板と光学系の複雑な
調整をすることなく、所望のレーザ光を得る。 【解決手段】 ＶＣＳＥＬアレイ基板１０には、複数の
ＶＣＳＥＬ１１が配列されている。レンズアレイ基板２
０は、ＶＣＳＥＬアレイ基板１０の発光面側に一体に形
成され、各ＶＣＳＥＬ１１から出射されるレーザ光を平
行化するためのマイクロレンズ２３を備えている。
調整をすることなく、所望のレーザ光を得る。 【解決手段】 ＶＣＳＥＬアレイ基板１０には、複数の
ＶＣＳＥＬ１１が配列されている。レンズアレイ基板２
０は、ＶＣＳＥＬアレイ基板１０の発光面側に一体に形
成され、各ＶＣＳＥＬ１１から出射されるレーザ光を平
行化するためのマイクロレンズ２３を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面発光型光源及び
その製造方法、レーザ加工機用光源に係り、特に、複雑
な調整をすることなくレーザアレイから出射されたレー
ザ光を補正する面発光型光源及びその製造方法、レーザ
加工機用光源に関する。
その製造方法、レーザ加工機用光源に係り、特に、複雑
な調整をすることなくレーザアレイから出射されたレー
ザ光を補正する面発光型光源及びその製造方法、レーザ
加工機用光源に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
例えば図９に示すように、シリンドリカルレンズ１０２
付きのレーザバー１０１を積み上げてレーザスタックが
構成された半導体レーザアレイが提案されている。この
半導体レーザアレイは、図１０に示すように、レーザス
タックからの出射光をビーム形成ユニット１０３を用い
て平行光にし、さらに集光用のフォーカスレンズ１０４
で一点に集光するものである。
例えば図９に示すように、シリンドリカルレンズ１０２
付きのレーザバー１０１を積み上げてレーザスタックが
構成された半導体レーザアレイが提案されている。この
半導体レーザアレイは、図１０に示すように、レーザス
タックからの出射光をビーム形成ユニット１０３を用い
て平行光にし、さらに集光用のフォーカスレンズ１０４
で一点に集光するものである。
【０００３】しかし、図９及び図１０に示す半導体レー
ザアレイは、レーザバー１０１にシリンドリカルレンズ
１０２を取り付け、さらにビーム形成ユニット１０３及
びフォーカスレンズ１０４を位置合わせする必要がある
ため、光学系の調整が非常に複雑になっていた。また、
シリンドリカルレンズ１０２の１つ１つを個別に調整す
る必要があり、大量生産には不向きであった。さらに、
レーザバー１０１の端面からレーザ光が出射されるの
で、微細加工技術を用いたとしても出射端面にレンズを
形成することはできなかった。
ザアレイは、レーザバー１０１にシリンドリカルレンズ
１０２を取り付け、さらにビーム形成ユニット１０３及
びフォーカスレンズ１０４を位置合わせする必要がある
ため、光学系の調整が非常に複雑になっていた。また、
シリンドリカルレンズ１０２の１つ１つを個別に調整す
る必要があり、大量生産には不向きであった。さらに、
レーザバー１０１の端面からレーザ光が出射されるの
で、微細加工技術を用いたとしても出射端面にレンズを
形成することはできなかった。
【０００４】本発明は、上述した問題点を解消するため
に提案されたものであり、面発光型レーザアレイ基板と
光学系の複雑な調整をすることなく、所望のレーザ光を
得ることができる面発光型光源及びその製造方法、レー
ザ加工機用光源を提供することを目的とする。
に提案されたものであり、面発光型レーザアレイ基板と
光学系の複雑な調整をすることなく、所望のレーザ光を
得ることができる面発光型光源及びその製造方法、レー
ザ加工機用光源を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
複数の面発光型レーザが配列された面発光型レーザアレ
イ基板と、前記面発光型レーザアレイ基板に一体に形成
され、前記面発光型レーザに対応する位置にレンズが形
成されたレンズアレイ基板と、を備えたものである。
複数の面発光型レーザが配列された面発光型レーザアレ
イ基板と、前記面発光型レーザアレイ基板に一体に形成
され、前記面発光型レーザに対応する位置にレンズが形
成されたレンズアレイ基板と、を備えたものである。
【０００６】面発光型レーザアレイ基板及びレンズアレ
イ基板は、フォトプロセスにより精密に製造される。レ
ンズアレイ基板は、面発光型レーザアレイ基板上に形成
され、さらに各面発光型レーザアレイの配列に対応して
レンズが形成されている。したがって、光学調整をする
ことなく、面発光型レーザアレイ基板とレンズアレイ基
板とを精密に位置合わせして、そのずれも防止すること
ができる。
イ基板は、フォトプロセスにより精密に製造される。レ
ンズアレイ基板は、面発光型レーザアレイ基板上に形成
され、さらに各面発光型レーザアレイの配列に対応して
レンズが形成されている。したがって、光学調整をする
ことなく、面発光型レーザアレイ基板とレンズアレイ基
板とを精密に位置合わせして、そのずれも防止すること
ができる。
【０００７】また、前記レンズアレイ基板は、請求項２
記載のように、誘電体で構成されるのが好ましい。請求
項３記載のように、前記レンズアレイ基板からのレーザ
光を集光する集光レンズを更に備えてもよい。
記載のように、誘電体で構成されるのが好ましい。請求
項３記載のように、前記レンズアレイ基板からのレーザ
光を集光する集光レンズを更に備えてもよい。
【０００８】請求項４記載の発明は、面発光型レーザア
レイ基板に、面発光型レーザを形成する位置を示すフォ
トマスクを形成するフォトマスク形成工程と、前記フォ
トマスクのパターンに基づいて、前記面発光型レーザア
レイ基板に面発光型レーザを形成する面発光レーザ形成
工程と、前記面発光型レーザアレイ基板にレンズアレイ
基板を形成するレンズアレイ基板形成工程と、前記フォ
トマスクのパターンの位置情報に基づいて前記レンズア
レイ基板にレンズ配置パターンを形成するレンズ配置パ
ターン形成工程と、前記レンズ配置パターンに基づいて
前記レンズアレイ基板にレンズを形成するレンズ形成工
程と、を備えたものである。
レイ基板に、面発光型レーザを形成する位置を示すフォ
トマスクを形成するフォトマスク形成工程と、前記フォ
トマスクのパターンに基づいて、前記面発光型レーザア
レイ基板に面発光型レーザを形成する面発光レーザ形成
工程と、前記面発光型レーザアレイ基板にレンズアレイ
基板を形成するレンズアレイ基板形成工程と、前記フォ
トマスクのパターンの位置情報に基づいて前記レンズア
レイ基板にレンズ配置パターンを形成するレンズ配置パ
ターン形成工程と、前記レンズ配置パターンに基づいて
前記レンズアレイ基板にレンズを形成するレンズ形成工
程と、を備えたものである。
【０００９】面発光型レーザアレイ基板に、フォトマス
クを形成し、このフォトマスクのパターンに従って複数
の面発光型レーザが形成される。レンズは、このフォト
マスクの位置情報に基づいて形成されたパターンに従っ
て、レンズアレイ基板に形成される。したがって、レン
ズは面発光型レーザに完全に対応して形成されるので、
面発光型レーザアレイ基板とレンズアレイ基板とを精密
に位置合わせすることができる。
クを形成し、このフォトマスクのパターンに従って複数
の面発光型レーザが形成される。レンズは、このフォト
マスクの位置情報に基づいて形成されたパターンに従っ
て、レンズアレイ基板に形成される。したがって、レン
ズは面発光型レーザに完全に対応して形成されるので、
面発光型レーザアレイ基板とレンズアレイ基板とを精密
に位置合わせすることができる。
【００１０】前記レンズ形成工程は、請求項５記載のよ
うに、反応性イオンエッチングにより、レンズアレイ基
板にレンズを形成してもよい。
うに、反応性イオンエッチングにより、レンズアレイ基
板にレンズを形成してもよい。
【００１１】請求項６記載の発明は、請求項１から請求
項３のいずれか１記載の面発光型光源を備えたレーザ加
工機用光源である。したがって、光学調整をすることな
く、面発光型レーザアレイ基板とレンズアレイ基板とを
精密に位置合わせして、そのずれも防止することができ
る。
項３のいずれか１記載の面発光型光源を備えたレーザ加
工機用光源である。したがって、光学調整をすることな
く、面発光型レーザアレイ基板とレンズアレイ基板とを
精密に位置合わせして、そのずれも防止することができ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。
て図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１３】（第１の実施の形態）図１に示すように、
本発明の実施の形態に係る面発光型光源は、垂直共振器
面発光レーザ（以下、「ＶＣＳＥＬ」という。）１１が
形成されたＶＣＳＥＬアレイ基板１０と、ＶＣＳＥＬア
レイ基板１０の発光面側に一体に形成され、レーザ光を
平行化するための凸型のマイクロレンズ２３が形成され
たレンズアレイ基板２０とを備えている。
本発明の実施の形態に係る面発光型光源は、垂直共振器
面発光レーザ（以下、「ＶＣＳＥＬ」という。）１１が
形成されたＶＣＳＥＬアレイ基板１０と、ＶＣＳＥＬア
レイ基板１０の発光面側に一体に形成され、レーザ光を
平行化するための凸型のマイクロレンズ２３が形成され
たレンズアレイ基板２０とを備えている。
【００１４】ＶＣＳＥＬアレイ基板１０は、図２に示す
ように、板状に形成され、その主面に直交する方向にレ
ーザ光を出射する複数のＶＣＳＥＬ１１を備えている。
このＶＣＳＥＬ１１は、主面と直交する方向に形成され
た図示しない共振器からレーザ光を出射するものであ
り、図示しない円筒状の活性領域と、薄膜活性層を挟む
図示しない反射鏡とから構成されている。
ように、板状に形成され、その主面に直交する方向にレ
ーザ光を出射する複数のＶＣＳＥＬ１１を備えている。
このＶＣＳＥＬ１１は、主面と直交する方向に形成され
た図示しない共振器からレーザ光を出射するものであ
り、図示しない円筒状の活性領域と、薄膜活性層を挟む
図示しない反射鏡とから構成されている。
【００１５】ＶＣＳＥＬ１１は、最初にＶＣＳＥＬアレ
イ基板１０にフォトマスクが被膜され、そのフォトマス
クのパターンニングに従って形成される。このときのパ
ターンニングの位置情報は、後述するマイクロレンズ２
３の形成において用いられる。
イ基板１０にフォトマスクが被膜され、そのフォトマス
クのパターンニングに従って形成される。このときのパ
ターンニングの位置情報は、後述するマイクロレンズ２
３の形成において用いられる。
【００１６】レンズアレイ基板２０は、ＶＣＳＥＬアレ
イ基板１０に一体になるように、また、各マイクロレン
ズ２３がＶＣＳＥＬ１１に対応するように、以下のよう
に製造される。
イ基板１０に一体になるように、また、各マイクロレン
ズ２３がＶＣＳＥＬ１１に対応するように、以下のよう
に製造される。
【００１７】最初に、ＶＣＳＥＬアレイ基板１０に対し
て、例えば化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Dep
osition）法を用いることにより、ハロゲン化物、水素
化物、硫化物などの材料を高温で気相状態にして化学反
応させる。そして図３に示すように、ＶＣＳＥＬアレイ
基板１０上に、ＳｉＯ2などの誘電体からなるレンズア
レイ基板２０を成膜させる。
て、例えば化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Dep
osition）法を用いることにより、ハロゲン化物、水素
化物、硫化物などの材料を高温で気相状態にして化学反
応させる。そして図３に示すように、ＶＣＳＥＬアレイ
基板１０上に、ＳｉＯ2などの誘電体からなるレンズア
レイ基板２０を成膜させる。
【００１８】レンズアレイ基板２０を構成する誘電体の
種類としては、ＳｉＯ2以外に、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｓ
ｉＮなどや、パイレックス（商標）やＢＫ７などの光学
ガラスでもよい。また、レンズアレイ基板２０を直接Ｖ
ＣＳＥＬアレイ基板１０に接合してもよい。レンズアレ
イ基板２０の成膜方法としては、ＣＶＤ法以外に、スパ
ッタ法、蒸着法など種々の方法がある。
種類としては、ＳｉＯ2以外に、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｓ
ｉＮなどや、パイレックス（商標）やＢＫ７などの光学
ガラスでもよい。また、レンズアレイ基板２０を直接Ｖ
ＣＳＥＬアレイ基板１０に接合してもよい。レンズアレ
イ基板２０の成膜方法としては、ＣＶＤ法以外に、スパ
ッタ法、蒸着法など種々の方法がある。
【００１９】つぎに、フォトプロセス工程により、レン
ズアレイ基板２０にマイクロレンズ２３のパターンニン
グを行って、マイクロレンズ２３の形成位置にレジスト
を縞状に転写する。マイクロレンズ２３のパターンニン
グの位置に関する情報は、上述のようにＶＣＳＥＬアレ
イ基板１０にＶＣＳＥＬ１１を形成した際のフォトマス
クから得ることができる。
ズアレイ基板２０にマイクロレンズ２３のパターンニン
グを行って、マイクロレンズ２３の形成位置にレジスト
を縞状に転写する。マイクロレンズ２３のパターンニン
グの位置に関する情報は、上述のようにＶＣＳＥＬアレ
イ基板１０にＶＣＳＥＬ１１を形成した際のフォトマス
クから得ることができる。
【００２０】そして、マイクロレンズ２３のパターンニ
ングが施されたレンズアレイ基板２０に対して、例えば
反応イオンエッチング（ＲＩＥ加工）により、図４に示
すように、そのパターンニングに従ってマイクロレンズ
２３を形成する。なお、ＲＩＥ加工以外に、例えばイオ
ン拡散法を用いて後述する拡散レンズ２４を形成した
り、ＲＩＥ加工によって後述する回折格子２５を形成し
てもよい。
ングが施されたレンズアレイ基板２０に対して、例えば
反応イオンエッチング（ＲＩＥ加工）により、図４に示
すように、そのパターンニングに従ってマイクロレンズ
２３を形成する。なお、ＲＩＥ加工以外に、例えばイオ
ン拡散法を用いて後述する拡散レンズ２４を形成した
り、ＲＩＥ加工によって後述する回折格子２５を形成し
てもよい。
【００２１】以上のように、本実施の形態によれば、フ
ォトプロセスによる微細加工技術を用いることによっ
て、ＶＣＳＥＬアレイ基板１０上にレンズアレイ基板２
０を一体に形成する。すなわち、レンズアレイ基板２０
上に、ＶＣＳＥＬ１１の形成で用いたフォトマスクの位
置情報に基づいてフォトプロセスによるパターンニング
を行い、そのパターンニングに従ってマイクロレンズ２
３を製造する。これにより、ＶＣＳＥＬアレイ基板１０
からのレーザ光の光軸上に高精度に位置合わせされたマ
イクロレンズ２３を形成することができ、ＶＣＳＥＬア
レイ基板１０に対応したレンズアレイ基板２０を製造す
ることができる。また、光学部品の組み付け等の機械的
な光学調整と異なり、光源とレンズが一体化されている
ので、これらの位置ずれが生じるのを防止することがで
きる。
ォトプロセスによる微細加工技術を用いることによっ
て、ＶＣＳＥＬアレイ基板１０上にレンズアレイ基板２
０を一体に形成する。すなわち、レンズアレイ基板２０
上に、ＶＣＳＥＬ１１の形成で用いたフォトマスクの位
置情報に基づいてフォトプロセスによるパターンニング
を行い、そのパターンニングに従ってマイクロレンズ２
３を製造する。これにより、ＶＣＳＥＬアレイ基板１０
からのレーザ光の光軸上に高精度に位置合わせされたマ
イクロレンズ２３を形成することができ、ＶＣＳＥＬア
レイ基板１０に対応したレンズアレイ基板２０を製造す
ることができる。また、光学部品の組み付け等の機械的
な光学調整と異なり、光源とレンズが一体化されている
ので、これらの位置ずれが生じるのを防止することがで
きる。
【００２２】（その他の実施の形態）つぎに、本発明の
他の実施の形態について説明する。なお、上述した部位
と同一の部位には同一の符号を付し、また、説明が重複
する箇所についてはその記載を省略する。
他の実施の形態について説明する。なお、上述した部位
と同一の部位には同一の符号を付し、また、説明が重複
する箇所についてはその記載を省略する。
【００２３】レーザ光を平行化するためのマイクロレン
ズ２３に代えて、図５に示すように、屈折率分布を有す
る拡散レンズ２４を形成してもよい。このとき、ＶＣＳ
ＥＬアレイ基板１０に対して、拡散レンズ２４の形成位
置に硝酸タリウム等の溶融塩中でイオン交換することに
より、この屈折率分布型の拡散レンズ２４を作製するこ
とができる。なお、この方法で拡散レンズ２４を作製し
た後、図示しないアレイ基板と接合してもよい。
ズ２３に代えて、図５に示すように、屈折率分布を有す
る拡散レンズ２４を形成してもよい。このとき、ＶＣＳ
ＥＬアレイ基板１０に対して、拡散レンズ２４の形成位
置に硝酸タリウム等の溶融塩中でイオン交換することに
より、この屈折率分布型の拡散レンズ２４を作製するこ
とができる。なお、この方法で拡散レンズ２４を作製し
た後、図示しないアレイ基板と接合してもよい。
【００２４】また、マイクロレンズ２３の代わりに、図
６に示すように、レンズアレイ基板２０上に回折格子２
５を形成してもよい。また、図７に示すように、ＶＣＳ
ＥＬアレイ基板１０の発光面の反対側の面に、レンズ２
６を形成してもよい。具体的には、図６及び図７に示す
ＶＣＳＥＬアレイ基板１０に対して、フォトプロセスに
より回折格子２５及びレンズ２６の形成位置にレジスト
を縞状に転写し、ＲＩＥ加工を行う。
６に示すように、レンズアレイ基板２０上に回折格子２
５を形成してもよい。また、図７に示すように、ＶＣＳ
ＥＬアレイ基板１０の発光面の反対側の面に、レンズ２
６を形成してもよい。具体的には、図６及び図７に示す
ＶＣＳＥＬアレイ基板１０に対して、フォトプロセスに
より回折格子２５及びレンズ２６の形成位置にレジスト
を縞状に転写し、ＲＩＥ加工を行う。
【００２５】なお、応用例としては、平行化されたレー
ザ光を出射する第１の実施の形態に係る面発光型光源
を、例えばサーチライトのような高輝度光源として用い
てもよい。
ザ光を出射する第１の実施の形態に係る面発光型光源
を、例えばサーチライトのような高輝度光源として用い
てもよい。
【００２６】さらに、例えば図８に示すように、レンズ
アレイ基板２０から出射されたレーザ光を集光する集光
レンズ３０を設け、この面発光型光源をレーザ加工機用
光源に用いてもよい。
アレイ基板２０から出射されたレーザ光を集光する集光
レンズ３０を設け、この面発光型光源をレーザ加工機用
光源に用いてもよい。
【００２７】なお、従来のレーザスタックは、レーザ光
を大出力にするためにスタック数を増加させる必要があ
った。さらに、スタック数は十数段が上限であり、レー
ザスタックの大出力化は困難であった。これに対して、
ＶＣＳＥＬアレイ基板１０は、その規模が大きくなるに
従って容易に大出力を行うことができる。したがって、
この面発光型光源をレーザ加工機用光源として用いれ
ば、容易に高出力のレーザ光を得ることもできる。
を大出力にするためにスタック数を増加させる必要があ
った。さらに、スタック数は十数段が上限であり、レー
ザスタックの大出力化は困難であった。これに対して、
ＶＣＳＥＬアレイ基板１０は、その規模が大きくなるに
従って容易に大出力を行うことができる。したがって、
この面発光型光源をレーザ加工機用光源として用いれ
ば、容易に高出力のレーザ光を得ることもできる。
【００２８】
【発明の効果】本発明に係る面発光型光源及びレーザ加
工機用光源によれば、レンズアレイ基板は、面発光型レ
ーザアレイ基板に一体に形成され、面発光型レーザに対
応する位置にレンズが形成されているので、レンズアレ
イ基板と面発光型レーザアレイ基板との位置調整を行う
ことなく、レンズによって高精度に調整されたレーザ光
を出射することができる。
工機用光源によれば、レンズアレイ基板は、面発光型レ
ーザアレイ基板に一体に形成され、面発光型レーザに対
応する位置にレンズが形成されているので、レンズアレ
イ基板と面発光型レーザアレイ基板との位置調整を行う
ことなく、レンズによって高精度に調整されたレーザ光
を出射することができる。
【００２９】本発明に係る面発光型光源の製造方法によ
れば、面発光型レーザを形成したときのフォトマスクの
パターンの位置情報に基づいて、レンズアレイ基板にレ
ンズを形成することにより、面発光型レーザから出射さ
れるレーザ光の光軸に合致するように、レンズアレイ基
板上にレンズを形成することができる。
れば、面発光型レーザを形成したときのフォトマスクの
パターンの位置情報に基づいて、レンズアレイ基板にレ
ンズを形成することにより、面発光型レーザから出射さ
れるレーザ光の光軸に合致するように、レンズアレイ基
板上にレンズを形成することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る面発光型光源の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】ＶＣＳＥＬアレイ基板を示す斜視図である。
【図３】ＶＣＳＥＬアレイ基板に誘電体からなるレンズ
アレイ基板が成膜されたときの状態を説明する斜視図で
ある。
アレイ基板が成膜されたときの状態を説明する斜視図で
ある。
【図４】ＶＣＳＥＬアレイ基板に成膜されたレンズアレ
イ基板にマイクロレンズが形成されたときの状態を説明
する斜視図である。
イ基板にマイクロレンズが形成されたときの状態を説明
する斜視図である。
【図５】拡散レンズが形成されたレンズアレイ基板の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図６】回折格子が形成されたレンズアレイ基板の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】ＶＣＳＥＬアレイ基板の発光面の反対側の面に
レンズが形成された構成を示す断面図である。
レンズが形成された構成を示す断面図である。
【図８】集光レンズを備えた面発光型光源の構成を示す
概略的な断面図である。
概略的な断面図である。
【図９】レーザバーにシリンドリカルレンズが取り付け
られたときの状態を説明する図である。
られたときの状態を説明する図である。
【図１０】レーザスタックが積み上げられて構成された
半導体レーザアレイの構成を示す図である。
半導体レーザアレイの構成を示す図である。
１０ ＶＣＳＥＬアレイ基板 １１ ＶＣＳＥＬ ２０ レンズアレイ基板 ２３ マイクロレンズ ３０ 集光レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 守弘 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 Ｆターム(参考） 5F073 AB04 AB17 AB26 EA29
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の面発光型レーザが配列された面発
光型レーザアレイ基板と、 前記面発光型レーザアレイ基板に一体に形成され、前記
面発光型レーザに対応する位置にレンズが形成されたレ
ンズアレイ基板と、 を備えた面発光型光源。 - 【請求項２】 前記レンズアレイ基板は、誘電体で構成
された請求項１記載の面発光型光源。 - 【請求項３】 前記レンズアレイ基板からのレーザ光を
集光する集光レンズを更に備えた請求項１または２記載
の面発光型光源。 - 【請求項４】 面発光型レーザアレイ基板に、面発光型
レーザを形成する位置を示すフォトマスクを形成するフ
ォトマスク形成工程と、 前記フォトマスクのパターンに基づいて、前記面発光型
レーザアレイ基板に面発光型レーザを形成する面発光レ
ーザ形成工程と、 前記面発光型レーザアレイ基板にレンズアレイ基板を形
成するレンズアレイ基板形成工程と、 前記フォトマスクのパターンの位置情報に基づいて前記
レンズアレイ基板にレンズ配置パターンを形成するレン
ズ配置パターン形成工程と、 前記レンズ配置パターンに基づいて前記レンズアレイ基
板にレンズを形成するレンズ形成工程と、 を備えた面発光型光源の製造方法。 - 【請求項５】 前記レンズ形成工程は、反応性イオンエ
ッチングにより、レンズアレイ基板にレンズを形成する
請求項４記載の面発光型光源の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１から請求項３のいずれか１記載
の面発光型光源を備えたレーザ加工機用光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000211708A JP2002026452A (ja) | 2000-07-12 | 2000-07-12 | 面発光型光源及びその製造方法、レーザ加工機用光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000211708A JP2002026452A (ja) | 2000-07-12 | 2000-07-12 | 面発光型光源及びその製造方法、レーザ加工機用光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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