JP2002026171A - Method for producing multilayer wiring board and multilayer wiring board - Google Patents

Method for producing multilayer wiring board and multilayer wiring board

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JP2002026171A JP2000205729A JP2000205729A JP2002026171A JP 2002026171 A JP2002026171 A JP 2002026171A JP 2000205729 A JP2000205729 A JP 2000205729A JP 2000205729 A JP2000205729 A JP 2000205729A JP 2002026171 A JP2002026171 A JP 2002026171A
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  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer wiring board, having not only rigidity but also superior heat dissipation characteristic and noise characteristic. SOLUTION: The method for manufacturing a multilayer wiring board comprises a step for forming a resist metal layer and a wiring pattern, using a metal plate as a lead for electrolytic plating; a step for removing the metal plate by etching, and a step for forming a metal frame 116 on the outermost layer of the multilayer wiring board 113 partially etching and removing a metal plate 101b which is used at formation of the outermost layer on the side of the multilayer wiring board 113, for mounting of a semiconductor chip 202.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを搭
載する多層配線板に関し、層間の電気的接続と接着を同
時に行う多層配線板の製造方法およびその製造方法によ
り製造された多層配線板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board on which a semiconductor chip is mounted, and more particularly to a method of manufacturing a multilayer wiring board for simultaneously performing electrical connection and adhesion between layers and a multilayer wiring board manufactured by the manufacturing method. It is.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには
高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使
用される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型
化かつ多ピン化が進んできている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for higher functionality and lighter, thinner and smaller electronic devices, high-density integration and high-density mounting of electronic components have been progressing. Semiconductor packages have been increasingly miniaturized and have more pins than ever before.

【0003】従来の回路基板はプリント配線板と呼ば
れ、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた積層
板からなるガラスエポキシ板に貼り付けられた銅箔をパ
ターニング後、複数枚重ねて積層接着し、ドリルで貫通
穴を開けて、この穴の壁面に銅めっきを行ってビアを形
成し層間の電気接続を行った配線基板の使用が主流であ
った。しかし、搭載部品の小型化、高密度化が進み、上
記の配線基板では配線密度が不足して部品の搭載に問題
が生じるようになってきている。
[0003] A conventional circuit board is called a printed wiring board, and after patterning copper foil adhered to a glass epoxy board made of a laminated board made of glass fiber woven fabric impregnated with epoxy resin, a plurality of sheets are stacked. The mainstream was to use a wiring board in which a through-hole was formed by bonding and drilling, a via was formed by performing copper plating on the wall surface of the hole, and a via was formed to perform electrical connection between layers. However, the mounting components have been reduced in size and density, and the wiring density of the above-described wiring boards has become insufficient, and problems have arisen in mounting components.

【0004】このような背景により、近年、ビルドアッ
プ多層配線板が採用されている。ビルドアップ多層配線
板は、樹脂のみで構成される絶縁層と導体とを積み重ね
ながら成形される。ビア形成方法としては、従来のドリ
ル加工に代わって、レーザ法、プラズマ法やフォト法
等、多岐にわたり、小径のビアホールを自由に配置する
ことで高密度化を達成するものである。層間接続部とし
ては、ブライドビア(Blind Via)やバリード
ビア(Buried Via:ビアを導電体で充填した
構造)等があり、ビアの上にビアを形成するスタックド
ビアが可能なバリードビアホールが特に注目されてい
る。バリードビアホールとしては、ビアホールをめっき
で充填する方法と、導電性ペースト等で充填する場合と
に分けられる。一方、配線パターンを形成する方法とし
て、銅箔をエッチングする方法(サブトラクティブ
法)、電解銅めっきによる方法(アディティブ法)等が
あり、配線密度の高密度化に対応可能なアディティブ法
が特に注目され始めている。
[0004] Against this background, recently, build-up multilayer wiring boards have been adopted. The build-up multilayer wiring board is formed while stacking an insulating layer made of only a resin and a conductor. As a via forming method, a high density is achieved by freely arranging small diameter via holes in various ways such as a laser method, a plasma method and a photo method instead of the conventional drilling. Examples of the interlayer connection portion include a blind via (Blind Via) and a buried via (Buried Via: a structure in which a via is filled with a conductor). A buried via hole capable of forming a via on a via is particularly attracting attention. ing. The buried via hole is classified into a method of filling the via hole with plating and a method of filling the via hole with a conductive paste or the like. On the other hand, as a method of forming a wiring pattern, there are a method of etching a copper foil (subtractive method), a method of electrolytic copper plating (additive method), and the like. Is starting to be.

【0005】このような多層配線板を用いた半導体パッ
ケージは非常にピン数が多いため、多層配線板の方が半
導体チップよりもサイズが大きいのが一般的である。し
たがって、多層配線板のハンドリング性の観点から、多
層配線板がリジッド性を有する必要があることは当然で
ある。現状は、多層配線板のリジッド性を確保するため
に、補強繊維に樹脂を含浸させた絶縁層を有するプリン
ト配線板(FR−4等のガラスエポキシ基板)のリジッ
ド性を利用し、その両面にビルドアップ層を積層してい
る。しかしながら、補強繊維に樹脂を含浸させた絶縁層
を有するプリント配線板は、補強繊維と樹脂との界面で
絶縁破壊を生じることがあり、絶縁特性に課題を残して
いる。
Since a semiconductor package using such a multilayer wiring board has a very large number of pins, the multilayer wiring board is generally larger in size than the semiconductor chip. Therefore, it is natural that the multilayer wiring board needs to have rigidity from the viewpoint of the handleability of the multilayer wiring board. At present, in order to secure the rigidity of the multilayer wiring board, the rigidity of a printed wiring board (glass epoxy board such as FR-4) having an insulating layer in which resin is impregnated with a reinforcing fiber is used, Build-up layers are stacked. However, a printed wiring board having an insulating layer in which a reinforcing fiber is impregnated with a resin may cause dielectric breakdown at an interface between the reinforcing fiber and the resin, and thus has a problem in insulating properties.

【0006】一方、特開平11−111887号公報
の”従来の技術”には、テープBGAのスティフナ(補
強枠)についての記載がある。テープBGAにスティフ
ナを貼り付けることは一般的であり、テープBGAのハ
ンドリング性の観点から、テープBGAのリジッド性を
確保することが目的である。これにより、スムーズに半
田ボールを搭載することができるようになる。また、テ
ープBGAには絶縁層としてポリイミド等が使用されて
おり、すなわち、絶縁層が補強繊維未充填の樹脂からな
るため、良好な絶縁特性を有している。しかしながら、
テープBGAでは多層化が困難であるため、超多ピンの
半導体パッケージとして採用することはできない。ま
た、ノイズの不要輻射を防止したり、放熱特性を向上さ
せるためには、スティフナを接地配線パターンに導通接
続することが好ましい。しかしながら、テープBGAと
スティフナの接着には、絶縁性・熱伝導率の高い接着剤
を用いるため、放熱特性の向上は見込めるが、不要輻射
の防止には対応できないといった課題がある。
[0006] On the other hand, the "prior art" of Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-11887 describes a stiffener (reinforcing frame) of a tape BGA. It is general to attach a stiffener to the tape BGA, and the object is to secure the rigidity of the tape BGA from the viewpoint of the handling of the tape BGA. Thus, the solder balls can be smoothly mounted. Further, the tape BGA uses polyimide or the like as an insulating layer, that is, since the insulating layer is made of a resin not filled with reinforcing fibers, the tape BGA has good insulating properties. However,
Since it is difficult to multi-layer the tape BGA, the tape BGA cannot be adopted as a semiconductor package having a very high pin count. Further, in order to prevent unnecessary radiation of noise and improve heat radiation characteristics, it is preferable that the stiffener is conductively connected to the ground wiring pattern. However, the adhesive between the tape BGA and the stiffener uses an adhesive having a high insulating property and a high thermal conductivity, so that the heat radiation characteristics can be improved, but there is a problem that it is not possible to prevent unnecessary radiation.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プを搭載する多層配線板における、このような問題点に
鑑み、リジッド性を有するだけではなく、放熱特性・ノ
イズ特性に優れた多層配線板を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in a multilayer wiring board on which a semiconductor chip is mounted. In view of the above-mentioned problems, the multilayer wiring board not only has rigidity but also has excellent heat dissipation characteristics and noise characteristics. The purpose is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、金属板を電解
めっき用リードとして、レジスト金属層および配線パタ
ーンを電解めっきにより形成する工程と、金属板をエッ
チングにより除去する工程とを含む多層配線板の製造方
法であって、多層配線板の半導体チップを搭載する側の
最外層を形成する際に使用する金属板を部分的にエッチ
ングして除去することにより、多層配線板の最外層上に
金属枠を形成する工程を含んでなることを特徴とする多
層配線板の製造方法である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a multi-layer wiring comprising a step of forming a resist metal layer and a wiring pattern by electrolytic plating using a metal plate as a lead for electrolytic plating, and a step of removing the metal plate by etching. A method of manufacturing a board, in which a metal plate used when forming an outermost layer on a side on which a semiconductor chip of a multilayer wiring board is mounted is partially etched and removed, so that the outermost layer of the multilayer wiring board is removed. A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising a step of forming a metal frame.

【0009】本発明の多層配線板の製造方法は、金属板
を電解めっき用リードとして、レジスト金属層および配
線パターンを電解めっきにより形成する工程と、金属板
をエッチングにより除去する工程とを含み、かつこれら
の工程を繰り返して行うものであって、多層配線板の半
導体チップを搭載する側の最外層を形成する際に使用す
る金属板を部分的にエッチングして除去することによ
り、多層配線板の最外層上に金属枠を形成する工程を含
んでなることを基本とし、金属板を電解めっき用リード
として、レジスト金属層および配線パターンを電解めっ
きにより形成する工程と、配線パターン上に絶縁膜を形
成する工程、配線パターンの一部が露出するように絶縁
膜にビアを形成する工程と、金属板を電解めっき用リー
ドとして、導体ポストを電解めっきにより形成する工程
と、導体ポストの表面または被接続層の被接合部の表面
の少なくとも一方に接合用金属材料層を形成する工程
と、絶縁膜の表面または被接続層の表面の少なくとも一
方に接着剤層を形成する工程と、導体ポストと被接合部
とを接着剤層を介して接合用金属材料層により接合し、
絶縁膜と被接続層とを接着剤層により接着する工程と、
金属板をエッチングにより除去する工程とを含むもので
あって、多層配線板の半導体チップを搭載する側の最外
層を形成する際に使用する金属板を部分的にエッチング
して除去することにより、多層配線板の最外層上に金属
枠を形成する工程を含んでなることが好ましい。さらに
は、絶縁膜が補強繊維未充填の樹脂からなることが好ま
しく、金属枠を多層配線板の接地配線パターンに導通接
続することが、よりいっそう好ましい。
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention includes the steps of forming a resist metal layer and a wiring pattern by electrolytic plating using a metal plate as a lead for electrolytic plating, and removing the metal plate by etching. In addition, these steps are repeatedly performed, and the metal plate used when forming the outermost layer on the side on which the semiconductor chip of the multilayer wiring board is mounted is partially removed by etching, whereby the multilayer wiring board is removed. Forming a metal frame on the outermost layer of a metal plate as a lead for electrolytic plating, forming a resist metal layer and a wiring pattern by electrolytic plating, and an insulating film on the wiring pattern. Forming a via in the insulating film so that a part of the wiring pattern is exposed; and using a metal plate as a lead for electrolytic plating to form a conductor post. Forming a bonding metal material layer on at least one of the surface of the conductor post or the surface of the portion to be bonded of the connected layer; and forming at least one of the surface of the insulating film or the surface of the connected layer. A step of forming an adhesive layer on one side, and joining the conductor post and the part to be joined with the joining metal material layer via the adhesive layer,
A step of bonding the insulating film and the connected layer with an adhesive layer,
Removing the metal plate by etching, by partially etching and removing the metal plate used when forming the outermost layer on the side on which the semiconductor chip of the multilayer wiring board is mounted, It is preferable to include a step of forming a metal frame on the outermost layer of the multilayer wiring board. Further, it is preferable that the insulating film is made of a resin not filled with reinforcing fibers, and it is even more preferable that the metal frame is electrically connected to the ground wiring pattern of the multilayer wiring board.

【0010】本発明の多層配線板は、前記の多層配線板
の製造方法により得られることを特徴としている。
A multilayer wiring board of the present invention is characterized by being obtained by the above-described method for manufacturing a multilayer wiring board.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明するが、本発明はこれによって何ら
限定されるものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.

【0012】図1(a)〜図4(r)は、本発明の実施
形態である多層配線板の製造方法の一例を説明するため
の図で、図4(r)は得られる多層配線板の構造を示す
断面図である。
FIGS. 1A to 4R are views for explaining an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4R shows an obtained multilayer wiring board. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of FIG.

【0013】本発明の多層配線板の製造方法としては、
まず、金属板101上にパターニングされためっきレジ
スト102を形成する(図1(a))。このめっきレジ
スト102は、例えば、金属板101上に紫外線感光性
のドライフィルムレジストをラミネートし、ネガフィル
ム等を用いて選択的に感光し、その後現像することによ
り形成できる。金属板101の材質は、本発明の製造方
法に適するものであればどのようなものでも良いが、特
に、使用される薬液に対して耐性を有するものであっ
て、最終的にエッチングにより除去可能であることが必
要である。金属板101の材質としては、例えば、銅、
銅合金、42合金、ニッケル等が挙げられる。
The method for producing a multilayer wiring board of the present invention includes the following:
First, a patterned plating resist 102 is formed on a metal plate 101 (FIG. 1A). The plating resist 102 can be formed, for example, by laminating an ultraviolet-sensitive dry film resist on the metal plate 101, selectively exposing it using a negative film or the like, and then developing it. The material of the metal plate 101 may be any material as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention. In particular, the metal plate 101 has a resistance to a used chemical solution and can be finally removed by etching. It is necessary to be. As a material of the metal plate 101, for example, copper,
Copper alloy, 42 alloy, nickel and the like can be mentioned.

【0014】次に、金属板101を電解めっき用リード
として、レジスト金属層103を電解めっきにより形成
する(図1(b))。この電解めっきにより、金属板1
01上のめっきレジスト102が形成されていない部分
に、レジスト金属層103が形成される。レジスト金属
層103の材質は、本発明の製造方法に適するものであ
ればどのようなものでも良いが、特に、最終的に金属板
101をエッチングにより除去する際に使用する薬液に
対して耐性を有することが必要である。レジスト金属層
103の材質としては、例えば、ニッケル、金、錫、
銀、半田、パラジウム等が挙げられる。なお、レジスト
金属層103を形成する目的は、金属板101をエッチ
ングする際に使用する薬液により、図1(c)に示す配
線パターン104が浸食・腐食されるのを防ぐことであ
る。したがって、金属板101をエッチングする際に使
用する薬液に対して、図1(c)に示す配線パターン1
04が耐性を有している場合は、このレジスト金属層1
03は不要である。また、レジスト金属層103は配線
パターン104と同一のパターンである必要はなく、金
属板101上にめっきレジスト102を形成する前に、
金属板101の全面にレジスト金属層103を形成して
も良い。
Next, a resist metal layer 103 is formed by electrolytic plating using the metal plate 101 as a lead for electrolytic plating (FIG. 1B). By this electrolytic plating, the metal plate 1
A resist metal layer 103 is formed on the portion of the substrate 01 where the plating resist 102 is not formed. The material of the resist metal layer 103 may be any material as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention. In particular, the material is resistant to a chemical used when the metal plate 101 is finally removed by etching. It is necessary to have. As a material of the resist metal layer 103, for example, nickel, gold, tin,
Silver, solder, palladium and the like can be mentioned. The purpose of forming the resist metal layer 103 is to prevent the wiring pattern 104 shown in FIG. 1C from being eroded or corroded by a chemical used when etching the metal plate 101. Therefore, for the chemical solution used when etching the metal plate 101, the wiring pattern 1 shown in FIG.
04 is resistant, the resist metal layer 1
03 is unnecessary. Further, the resist metal layer 103 does not need to be the same pattern as the wiring pattern 104, and before forming the plating resist 102 on the metal plate 101,
A resist metal layer 103 may be formed on the entire surface of the metal plate 101.

【0015】次に、金属板101を電解めっき用リード
として、配線パターン104を電解めっきにより形成す
る(図1(c))。この電解めっきにより、金属板10
1上のめっきレジスト102が形成されていない部分
に、配線パターン104が形成される。配線パターン1
04の材質としては、本発明の製造方法に適するもので
あればどのようなものでも良いが、特に、最終的にレジ
スト金属層103をエッチングにより除去する際に使用
する薬液に対して耐性を有することが必要である。実際
は、配線パターン104を浸食・腐食しない薬液でエッ
チング可能なレジスト金属層103の材質を選定するの
が得策である。配線パターン104の材質としては、例
えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウム等が挙げ
られる。さらには、銅を用いることで、低電気抵抗で安
定した配線パターン104が得られる。
Next, a wiring pattern 104 is formed by electrolytic plating using the metal plate 101 as a lead for electrolytic plating (FIG. 1C). By this electrolytic plating, the metal plate 10
The wiring pattern 104 is formed on the portion on which the plating resist 102 is not formed. Wiring pattern 1
The material of the material 04 may be any material as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention. In particular, the material of the material 04 is resistant to a chemical used when the resist metal layer 103 is finally removed by etching. It is necessary. Actually, it is advisable to select a material for the resist metal layer 103 that can be etched with a chemical solution that does not corrode or corrode the wiring pattern 104. Examples of the material of the wiring pattern 104 include copper, nickel, gold, tin, silver, and palladium. Further, by using copper, a stable wiring pattern 104 with low electric resistance can be obtained.

【0016】次に、めっきレジスト102を除去し(図
1(d))、形成した配線パターン104上に絶縁膜1
05を形成する(図1(e))。絶縁膜105を構成す
る樹脂は、本発明の製造方法に適するものであればどの
ようなものでも使用できる。特に、補強繊維(例えば、
ガラスクロス)未充填の樹脂からなる絶縁膜105を形
成することが好ましい。また、絶縁膜105の形成方法
は、使用する樹脂に適した方法で良く、樹脂ワニスを印
刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布し
たり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネート、
真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。特
に、市販されている樹脂付銅箔は入手が容易であり、真
空ラミネートにより配線パターン104の凹凸を埋め込
みながら成形し、最後に銅箔をエッチングすれば、絶縁
膜105の表面が配線パターン104の凹凸に影響され
ることなく、非常に平坦になる。また、絶縁膜105の
表面には銅箔表面の微細な粗化形状が転写されるため、
図2(i)に示す接着剤層109との密着性を確保する
ことができる。
Next, the plating resist 102 is removed (FIG. 1D), and the insulating film 1 is formed on the formed wiring pattern 104.
05 is formed (FIG. 1E). As the resin constituting the insulating film 105, any resin suitable for the manufacturing method of the present invention can be used. In particular, reinforcing fibers (eg,
(Glass cloth) It is preferable to form an insulating film 105 made of an unfilled resin. The method for forming the insulating film 105 may be a method suitable for the resin to be used. The resin varnish may be directly applied by printing, curtain coating, bar coating, or the like, or a dry film type resin may be vacuum-laminated.
A method of laminating by a method such as a vacuum press may be used. Particularly, a commercially available resin-coated copper foil is easily available. If the copper foil is etched by embedding and embedding the unevenness of the wiring pattern 104 by vacuum lamination, the surface of the insulating film 105 becomes It becomes very flat without being affected by unevenness. Further, since the fine roughened shape of the copper foil surface is transferred to the surface of the insulating film 105,
Adhesion with the adhesive layer 109 shown in FIG. 2 (i) can be ensured.

【0017】次に、形成した絶縁膜105にビア106
を形成する(図1(f))。ビア106の形成方法は、
本発明の製造方法に適する方法であればどのような方法
でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチン
グ、ケミカルエッチング等が挙げられる。また、絶縁膜
105を感光性樹脂とした場合には、絶縁膜105を選
択的に感光し、現像することでビア106を形成するこ
ともできる。
Next, a via 106 is formed in the formed insulating film 105.
Is formed (FIG. 1F). The method for forming the via 106 is as follows.
Any method may be used as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention, and examples thereof include dry etching by laser and plasma, and chemical etching. In the case where the insulating film 105 is made of a photosensitive resin, the via 106 can be formed by selectively exposing and developing the insulating film 105.

【0018】次に、金属板101を電解めっき用リード
として、導体ポスト107を電解めっきにより形成する
(図2(g))。この電解めっきにより、絶縁膜105
のビア106が形成されている部分に、導体ポスト10
7が形成される。電解めっきにより導体ポスト107を
形成すれば、導体ポスト107の先端の形状を自由に制
御することができる。導体ポスト107の材質として
は、本発明の製造方法に適するものであればどのような
ものでも良く、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パ
ラジウム等が挙げられる。さらには、銅を用いること
で、低電気抵抗で安定した導体ポスト107が得られ
る。
Next, the conductor post 107 is formed by electrolytic plating using the metal plate 101 as a lead for electrolytic plating (FIG. 2 (g)). By this electrolytic plating, the insulating film 105 is formed.
In the portion where the via 106 is formed, the conductor post 10 is formed.
7 is formed. If the conductor post 107 is formed by electrolytic plating, the shape of the tip of the conductor post 107 can be freely controlled. The material of the conductor post 107 may be any material as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention, and examples thereof include copper, nickel, gold, tin, silver, and palladium. Furthermore, by using copper, the conductor post 107 which is stable with low electric resistance can be obtained.

【0019】次に、導体ポスト107の表面(先端)
に、接合用金属材料層108を形成する(図2
(h))。接合用金属材料層108の形成方法として
は、無電解めっきにより形成する方法、金属板101を
電解めっき用リードとして電解めっきにより形成する方
法、接合用金属材料を含有するペーストを印刷する方法
が挙げられる。印刷による方法では、印刷用マスクを導
体ポスト107に対して精度良く位置合せする必要があ
るが、無電解めっきや電解めっきによる方法では、導体
ポスト107の表面以外に接合用金属材料層108が形
成されることがないため、導体ポスト107の微細化・
高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきによる方
法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき可能な
金属が多種多様であり、また薬液の管理も容易であるた
め、非常に好適である。接合用金属材料層108の材質
としては、図2(j)に示す被接合部112と金属接合
可能な金属であればどのようなものでもよく、例えば、
半田が挙げられる。半田の中でも、SnやIn、もしく
はSn、Ag、Cu、Zn、Bi、Sb、Pb、In、
Auの少なくとも二種からなる半田を使用することが好
ましい。より好ましくは、環境に優しいPbフリー半田
である。なお、図2(h)では、導体ポスト107の表
面に接合用金属材料層108を形成する例を示したが、
接合用金属材料層108を形成する目的は、導体ポスト
107と被接合部112とを金属接合させることである
ため、被接合部112に接合用金属材料層108を形成
しても構わない。もちろん、導体ポスト107と被接合
部112の両表面に形成しても構わない。
Next, the surface (tip) of the conductor post 107
Next, a bonding metal material layer 108 is formed (FIG. 2).
(H)). Examples of a method of forming the bonding metal material layer 108 include a method of forming the metal plate 101 by electroplating as a lead for electrolytic plating, and a method of printing a paste containing the bonding metal material. Can be In the printing method, the printing mask needs to be accurately positioned with respect to the conductor post 107. However, in the method of electroless plating or electrolytic plating, the bonding metal material layer 108 is formed on the surface other than the surface of the conductor post 107. The conductor posts 107 are not miniaturized.
Easy to cope with high density. In particular, the method using electroplating is very suitable because the metal that can be plated is more diverse than the method using electroless plating and the management of the chemical solution is easy. The material of the bonding metal material layer 108 may be any material as long as it is a metal that can be metal-bonded to the portion to be bonded 112 shown in FIG.
Solder. Among the solders, Sn and In, or Sn, Ag, Cu, Zn, Bi, Sb, Pb, In,
It is preferable to use solder made of at least two kinds of Au. More preferably, it is an environment-friendly Pb-free solder. FIG. 2H illustrates an example in which the bonding metal material layer 108 is formed on the surface of the conductor post 107.
Since the purpose of forming the bonding metal material layer 108 is to perform metal bonding between the conductor post 107 and the bonded portion 112, the bonding metal material layer 108 may be formed on the bonded portion 112. Of course, it may be formed on both surfaces of the conductor post 107 and the joint 112.

【0020】次に、絶縁膜105の表面に、接着剤層1
09を形成する(図2(i))。接着剤層109の形成
は、使用する接着剤樹脂に応じて適した方法で良く、樹
脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法
で直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空
ラミネート、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げ
られる。なお、図2(i)では、絶縁膜105の表面に
接着剤層109を形成する例を示したが、被接続層11
1の表面に接着剤層109を形成しても構わない。もち
ろん、絶縁膜105と被接続層111の両表面に形成し
ても構わない。
Next, the adhesive layer 1 is formed on the surface of the insulating film 105.
09 (FIG. 2 (i)). The adhesive layer 109 may be formed by a method suitable for the adhesive resin to be used. A resin varnish may be directly applied by printing, curtain coating, bar coating, or the like, or a dry film type resin may be vacuum-laminated, A method of laminating by a method such as a vacuum press may be used. Although FIG. 2 (i) shows an example in which the adhesive layer 109 is formed on the surface of the insulating film 105, the connection layer 11
The adhesive layer 109 may be formed on the surface of the first substrate. Of course, it may be formed on both surfaces of the insulating film 105 and the connected layer 111.

【0021】次に、上述の工程により得られた接続層1
10と被接続層111とを位置合わせをする(図2
(j))。位置合わせは、接続層110および被接続層
111に予め形成されている位置決めマークを、画像認
識装置により読み取り位置合わせする方法、位置合わせ
用のピン等で位置合わせする方法等を用いることができ
る。なお、図2(j)に示す被接続層111は、図1
(a)〜図1(d)に示す工程と同様な工程により、得
ることができる。
Next, the connection layer 1 obtained by the above-described steps
10 and the connected layer 111 are aligned (FIG. 2).
(J)). For the alignment, a method of aligning the positioning marks formed on the connection layer 110 and the connected layer 111 in advance by reading with an image recognition device, a method of aligning with a positioning pin, or the like can be used. Note that the connected layer 111 shown in FIG.
1 (a) to 1 (d) can be obtained.

【0022】次に、接続層110および被接続層111
とを積層する(図2(k))。積層方法としては、例え
ば、真空プレスを用いて、導体ポスト107が、接着剤
層109を介して、接合用金属材料層108により被接
合部112と金属接合するまで加圧し、更に加熱して接
着剤層109を硬化させて、接続層110と被接続層1
11とを接着することができる。
Next, the connecting layer 110 and the connected layer 111
Are laminated (FIG. 2 (k)). As a lamination method, for example, using a vacuum press, the conductor post 107 is pressed through the adhesive layer 109 until it is metal-bonded to the portion 112 to be bonded by the bonding metal material layer 108, and further heated to be bonded. The agent layer 109 is cured so that the connection layer 110 and the
11 can be bonded.

【0023】次に、接続層110の金属板101をエッ
チングにより除去する(図3(l))。金属板101と
配線パターン104との間にレジスト金属層103が形
成されており、そのレジスト金属層103は、金属板1
01をエッチングにより除去する際に使用する薬液に対
して耐性を有しているため、金属板101をエッチング
してもレジスト金属層103が浸食・腐食されることが
なく、結果的に配線パターン104が浸食・腐食される
ことはない。金属板101の材質が銅、レジスト金属層
103の材質がニッケル、錫または半田の場合、市販の
アンモニア系エッチング液を使用することができる。金
属板101の材質が銅、レジスト金属層103の材質が
金や銀の場合、塩化第ニ鉄溶液、塩化第二銅溶液を含
め、ほとんどのエッチング液を使用することができる。
Next, the metal plate 101 of the connection layer 110 is removed by etching (FIG. 3 (l)). A resist metal layer 103 is formed between the metal plate 101 and the wiring pattern 104, and the resist metal layer 103
Since the resist metal layer 103 is resistant to a chemical solution used when etching the metal pattern 101 by etching, the resist metal layer 103 is not eroded or corroded even when the metal plate 101 is etched. Is not eroded or corroded. When the material of the metal plate 101 is copper and the material of the resist metal layer 103 is nickel, tin or solder, a commercially available ammonia-based etchant can be used. When the material of the metal plate 101 is copper and the material of the resist metal layer 103 is gold or silver, almost any etching solution can be used, including a ferric chloride solution and a cupric chloride solution.

【0024】次に、レジスト金属層103をエッチング
により除去する(図3(m))。配線パターン104
は、レジスト金属層103をエッチングにより除去する
際に使用する薬液に対して耐性を有するため、配線パタ
ーン104は浸食・腐食されることはない。そのため、
レジスト金属層103が除去されることにより、配線パ
ターン104が露出する。配線パターン104の材質が
銅、レジスト金属層103の材質がニッケル、錫または
半田の場合、市販の半田・ニッケル剥離剤(例えば、三
菱ガス化学製・Pewtax)を使用することができ
る。配線パターン104の材質が銅、レジスト金属層1
03の材質が金の場合、配線パターン104を浸食・腐
食させることなく、レジスト金属層103をエッチング
することは困難である。この場合には、レジスト金属層
103をエッチングする工程を省略し、レジスト金属層
103を残したままでも良い。
Next, the resist metal layer 103 is removed by etching (FIG. 3 (m)). Wiring pattern 104
Is resistant to the chemical used when the resist metal layer 103 is removed by etching, so that the wiring pattern 104 is not eroded or corroded. for that reason,
By removing the resist metal layer 103, the wiring pattern 104 is exposed. When the material of the wiring pattern 104 is copper and the material of the resist metal layer 103 is nickel, tin, or solder, a commercially available solder / nickel release agent (for example, Pewax manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) can be used. The material of the wiring pattern 104 is copper, the resist metal layer 1
When the material of 03 is gold, it is difficult to etch the resist metal layer 103 without eroding or corroding the wiring pattern 104. In this case, the step of etching the resist metal layer 103 may be omitted, and the resist metal layer 103 may be left.

【0025】続いて、上述の工程、すなわち図1(a)
〜図3(m)を繰り返して行うことにより、多層配線板
113の製造途中のもの(図3(m)参照)に対して、
もう1層積層したものを得ることができる(図3
(n))。
Subsequently, the above-mentioned steps, that is, FIG.
3 (m) is repeated to obtain a multilayer wiring board 113 which is in the process of being manufactured (see FIG. 3 (m)).
Another layer can be obtained (see FIG. 3).
(N)).

【0026】図3(o)〜図4(p)に示す工程は、多
層配線板113の最外層117aを形成する工程を説明
するための図である。図3(o)〜図4(p)に示す工
程は、図2(j)〜図2(k)に示す工程と同様に、接
続層と被接続層との位置合わせ(図3(o))、接続層
と被接続層との積層(図4(p))からなる。
The steps shown in FIGS. 3 (o) to 4 (p) are views for explaining a step of forming the outermost layer 117a of the multilayer wiring board 113. The steps shown in FIGS. 3 (o) to 4 (p) are similar to the steps shown in FIGS. 2 (j) to 2 (k) in that the alignment between the connection layer and the connected layer is performed (FIG. 3 (o) ), And a laminate of a connection layer and a connected layer (FIG. 4 (p)).

【0027】次に、金属板101aをエッチングにより
完全に除去し、金属板101bについては、半導体チッ
プ202を搭載する部分のみ、エッチングにより除去し
て、金属枠116を形成する(図4(q))。多層配線
板113が金属枠116を有することにより、絶縁膜1
05が補強繊維(例えば、ガラスクロス)未充填の樹脂
からなる場合でも、多層配線板113としてはリジッド
性を有することになる。また、絶縁膜105aは、樹脂
ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で
直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラ
ミネート、真空プレス等の方法で積層することにより、
直接、金属板101b上に形成するため、絶縁膜105
aと金属枠116との密着性は高くなる。
Next, the metal plate 101a is completely removed by etching, and only the portion of the metal plate 101b on which the semiconductor chip 202 is mounted is removed by etching to form a metal frame 116 (FIG. 4 (q)). ). Since the multilayer wiring board 113 has the metal frame 116, the insulating film 1
Even when 05 is made of resin not filled with reinforcing fibers (for example, glass cloth), the multilayer wiring board 113 has rigidity. The insulating film 105a is formed by directly applying a resin varnish by printing, curtain coating, bar coating, or the like, or by laminating a dry film type resin by a method such as vacuum lamination or vacuum pressing.
The insulating film 105 is formed directly on the metal plate 101b.
a and the metal frame 116 have high adhesion.

【0028】最後に、最外層117bの表面にソルダー
レジスト115を形成し、パッド114bの部分を開口
して、多層配線板113を得ることができる(図4
(r))。なお、最外層117bに配線パターン104
が形成されておらず、パッド114bのみが形成されて
いる場合には、ソルダーレジスト115を形成する必要
はない。もう一方の最外層117aについても同様であ
る。図4(r)の場合は、パッド114aのみが形成さ
れているため、ソルダーレジストを形成する必要はな
い。また、最外層117a、117bを形成する際に使
用するレジスト金属層118a、118bを除去する必
要はない。すなわち、このレジスト金属層118a、1
18bは、多層配線板113の両表面に形成されるパッ
ド114a、114bに施すめっき被膜として利用され
る。レジスト金属層118a、118bの材質は金、
銀、パラジウム、ニッケル、半田等が挙げられ、金、
銀、パラジウム、ニッケルのそれぞれからなるいずれか
2つ以上を含む層構成にしてもよい。また、配線パター
ン104が銅からなる場合には、金およびニッケルの2
層構成であると良い。これにより、パッド114a、1
14bに搭載される半田ボールの半田が、配線パターン
104の銅に拡散することを防止することができる。さ
らには、金属枠116を多層配線板113の接地配線パ
ターン119に導通接続することにより、半導体デバイ
ス201からのノイズの不要輻射を低減することができ
るだけでなく、半導体デバイス201の放熱特性を向上
させることができる。
Finally, a solder resist 115 is formed on the surface of the outermost layer 117b, and a portion of the pad 114b is opened to obtain a multilayer wiring board 113 (FIG. 4).
(R)). The wiring pattern 104 is provided on the outermost layer 117b.
Is not formed and only the pad 114b is formed, there is no need to form the solder resist 115. The same applies to the other outermost layer 117a. In the case of FIG. 4 (r), since only the pad 114a is formed, it is not necessary to form a solder resist. Further, it is not necessary to remove the resist metal layers 118a and 118b used when forming the outermost layers 117a and 117b. That is, the resist metal layers 118a, 1
Reference numeral 18b is used as a plating film applied to pads 114a and 114b formed on both surfaces of the multilayer wiring board 113. The material of the resist metal layers 118a and 118b is gold,
Silver, palladium, nickel, solder, etc., gold,
A layer configuration including any two or more of each of silver, palladium, and nickel may be employed. When the wiring pattern 104 is made of copper, gold and nickel are used.
It is good to have a layer configuration. Thereby, the pads 114a, 1
It is possible to prevent the solder of the solder balls mounted on 14b from diffusing into the copper of the wiring pattern 104. Furthermore, by electrically connecting the metal frame 116 to the ground wiring pattern 119 of the multilayer wiring board 113, not only unnecessary radiation of noise from the semiconductor device 201 can be reduced, but also heat radiation characteristics of the semiconductor device 201 are improved. be able to.

【0029】以上の工程により、多層配線板113の半
導体チップ202を搭載する側に金属枠116を有する
多層配線板を製造することができる。
Through the above steps, a multilayer wiring board having the metal frame 116 on the side of the multilayer wiring board 113 on which the semiconductor chip 202 is mounted can be manufactured.

【0030】本発明による多層配線板の製造方法および
製造された多層配線板の特徴は、次に示す通りである。 (1)製造時に使用する金属板101bを部分的にエッ
チングすることにより、金属枠116を形成することが
できる。 (2)多層配線板113が金属枠116を有することに
より、絶縁膜105が補強繊維(例えば、ガラスクロ
ス)未充填の樹脂からなる場合でも、多層配線板113
としてはリジッド性を有する。 (3)金属枠116を多層配線板113の接地配線パタ
ーン119に導通接続することにより、半導体デバイス
201からのノイズの不要輻射を低減することができる
だけでなく、半導体デバイス201の放熱特性を向上さ
せることができる。
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention and the features of the manufactured multilayer wiring board are as follows. (1) The metal frame 116 can be formed by partially etching the metal plate 101b used at the time of manufacturing. (2) Since the multilayer wiring board 113 has the metal frame 116, even when the insulating film 105 is made of a resin that is not filled with reinforcing fibers (for example, glass cloth), the multilayer wiring board 113 can be used.
Has rigidity. (3) By conductively connecting the metal frame 116 to the ground wiring pattern 119 of the multilayer wiring board 113, not only unnecessary radiation of noise from the semiconductor device 201 can be reduced, but also heat radiation characteristics of the semiconductor device 201 are improved. be able to.

【0031】なお、上述の工程により得られた多層配線
板113のパッド114a側に半導体チップ202を搭
載し、パッド114b側に半田ボール205を搭載する
ことにより、半導体装置201を得ることができる(図
5)。
The semiconductor device 201 can be obtained by mounting the semiconductor chip 202 on the pad 114a side and mounting the solder ball 205 on the pad 114b side of the multilayer wiring board 113 obtained by the above process ( (Fig. 5).

【0032】[0032]

【実施例】以下、実施例により更に具体的に説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0033】接着剤の調合例 m,p−クレゾールノボラック樹脂(日本化薬(株)製P
AS−1、OH基当量120)100gと、ビスフェノ
ールF型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製RE−404
S、エポキシ基当量165)140gを、シクロヘキサ
ノン60gに溶解し、硬化触媒としてトリフェニルフォ
スフィン(北興化学工業(株)製)0.2gを添加し、
接着剤ワニスを作製した。
Example of Formulation of Adhesive m, p-cresol novolak resin (Nippon Kayaku Co., Ltd.
AS-1, 100 g of OH group equivalent) and 100 g of bisphenol F type epoxy resin (RE-404 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
140 g of S, epoxy group equivalent 165) was dissolved in 60 g of cyclohexanone, and 0.2 g of triphenylphosphine (manufactured by Hokko Chemical Industry Co., Ltd.) was added as a curing catalyst.
An adhesive varnish was prepared.

【0034】実施例(多層配線板の製造例) 表面を粗化処理した150ミクロン厚の圧延銅板(金属
板101・古川電気工業製EFTEC−64T)にドラ
イフィルムレジスト(旭化成製AQ−2058)をロー
ルラミネートし、所定のネガフィルムを用いて露光・現
像し、配線パターン104の形成に必要なめっきレジス
ト(めっきレジスト102)を形成した。次に、圧延銅
板を電解めっき用リードとして、電解めっきによりニッ
ケルからなるレジスト金属層(レジスト金属層103)
を形成し、さらに電解銅めっきにより配線パターン(配
線パターン104)を形成した。配線パターンは、線幅
/線間/厚み=20ミクロン/20ミクロン/10ミク
ロンとした。次に、樹脂付銅箔(住友ベークライト製A
PL)を真空ラミネートにより配線パターンの凹凸を埋
め込みながら成形し、銅箔を全面エッチングして、25
ミクロン厚の絶縁膜(絶縁膜105)を形成した。次
に、50ミクロン径のビア(ビア106)をUV−YA
Gレーザーにより形成した。次に、圧延銅板を電解めっ
き用リードとして、電解銅めっきによりビアを銅で充填
し、銅ポスト(導体ポスト107)を形成した。次に、
圧延銅板を電解めっき用リードとして、電解めっきによ
り銅ポスト上にSn−Pb共晶半田層(接合用金属材料
層108)を形成した。次に、バーコートにより、上述
の接着剤ワニスを、絶縁膜の表面、すなわちSn−Pb
共晶半田が形成された面に塗布後、80℃で20分乾燥
し、10ミクロン厚の接着剤層(接着剤層109)を形
成した。これまでの工程により、ビルドアップ層(接続
層110)を得た。一方、上述の工程と同様に、電解ニ
ッケル/金めっきにより圧延銅板上にレジスト金属層
(レジスト金属層118b)を形成し、さらに電解銅め
っきにより配線パターンを形成し、ランド(被接合部1
12)を有する被接続層(被接続層111)を得た。次
に、上述の工程により得られたビルドアップ層と被接続
層に予め形成されている位置決めマークを、画像認識装
置により読み取り、両者を位置合わせし、100℃の温
度で仮圧着した。これを、プレスにより220℃の温度
で加熱加圧して、銅ポストが、接着剤層を貫通してラン
ドと半田接合し、接着剤層により被接続層にビルドアッ
プ層を接着した。次に、アンモニア系エッチング液を用
いて、ビルドアップ層の圧延銅板をエッチングして除去
し、さらに半田・ニッケル剥離剤(三菱ガス化学製・P
ewtax)を用いてニッケルをエッチングして除去し
た。さらに、上述の工程を繰返し、ビルドアップ層をも
う1層積層した。ただし、最外層(最外層117a、1
17b)を形成する際のレジスト金属層(レジスト金属
層118a、118b)をニッケル/金の2層構成とし
た。続いて、半導体チップを搭載する側の圧延銅板をエ
ッチングすることにより金属枠(金属枠116)を形成
し、被接続層側の圧延銅板をエッチングすることにより
全面除去した。最後に、ソルダーレジスト(ソルダーレ
ジスト115)を形成した。以上の工程により、金属枠
を有し、絶縁膜が補強繊維未充填の樹脂からなる多層配
線板(多層配線板113)を得ることができた。
Example (Production Example of Multilayer Wiring Board) A dry film resist (AQ-2058 manufactured by Asahi Kasei) was applied to a rolled copper plate (metal plate 101, EFTEC-64T manufactured by Furukawa Electric) having a roughened surface and having a thickness of 150 microns. Roll lamination was performed and exposed and developed using a predetermined negative film to form a plating resist (plating resist 102) necessary for forming the wiring pattern 104. Next, using a rolled copper plate as a lead for electrolytic plating, a resist metal layer made of nickel by electrolytic plating (resist metal layer 103)
Was formed, and a wiring pattern (wiring pattern 104) was formed by electrolytic copper plating. The wiring pattern had a line width / interline / thickness = 20 microns / 20 microns / 10 microns. Next, copper foil with resin (Sumitomo Bakelite A
PL) by vacuum lamination while embedding the unevenness of the wiring pattern, and etching the entire surface of the copper foil.
A micron-thick insulating film (insulating film 105) was formed. Next, a via (via 106) having a diameter of 50 microns is formed by UV-YA.
It was formed by a G laser. Next, using the rolled copper plate as a lead for electrolytic plating, the via was filled with copper by electrolytic copper plating to form a copper post (conductor post 107). next,
Using a rolled copper plate as a lead for electrolytic plating, a Sn-Pb eutectic solder layer (metallic material layer for joining 108) was formed on a copper post by electrolytic plating. Next, the above-mentioned adhesive varnish was applied to the surface of the insulating film, that is, Sn-Pb by bar coating.
After coating on the surface on which the eutectic solder was formed, it was dried at 80 ° C. for 20 minutes to form an adhesive layer (adhesive layer 109) having a thickness of 10 μm. By the steps described above, a build-up layer (connection layer 110) was obtained. On the other hand, a resist metal layer (resist metal layer 118b) is formed on a rolled copper plate by electrolytic nickel / gold plating, and a wiring pattern is formed by electrolytic copper plating in the same manner as in the above-described process.
A connected layer (connected layer 111) having (12) was obtained. Next, the positioning marks formed in advance on the build-up layer and the connection layer obtained in the above-described steps were read by an image recognition device, the two were aligned, and pre-pressed at a temperature of 100 ° C. This was heated and pressurized at a temperature of 220 ° C. by a press, so that the copper post penetrated the adhesive layer and joined to the land by soldering, and the build-up layer was bonded to the connected layer by the adhesive layer. Next, the rolled copper plate of the build-up layer is removed by etching using an ammonia-based etchant, and a solder / nickel release agent (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.
ewtax) to remove the nickel by etching. Further, the above steps were repeated, and another buildup layer was laminated. However, the outermost layers (outermost layers 117a,
The resist metal layer (resist metal layers 118a and 118b) used in forming 17b) was a two-layer structure of nickel / gold. Subsequently, a metal frame (metal frame 116) was formed by etching the rolled copper plate on the side on which the semiconductor chip was mounted, and the entire surface was removed by etching the rolled copper plate on the connected layer side. Finally, a solder resist (solder resist 115) was formed. Through the above steps, a multilayer wiring board (multilayer wiring board 113) having a metal frame and having an insulating film made of a resin not filled with reinforcing fibers could be obtained.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明により得られる多層配線板は、金
属枠を有するため、絶縁膜が補強繊維未充填の樹脂から
なる場合でも、リジッド性を有するため、ハンドリング
性を確保することができ、さらには、絶縁特性を大幅に
向上させることができる。また、接地配線パターンを金
属枠に導通接続することにより、半導体デバイスの放熱
特性を大幅に向上することができ、さらには、半導体デ
バイスからの不要輻射を防止することができ、高速動作
に対応できる多層配線板を製造することができる。
The multilayer wiring board obtained by the present invention has a metal frame, so even when the insulating film is made of a resin not filled with reinforcing fibers, it has rigidity, so that handling properties can be ensured. Further, the insulation characteristics can be significantly improved. In addition, by conductively connecting the ground wiring pattern to the metal frame, the heat radiation characteristics of the semiconductor device can be significantly improved, and unnecessary radiation from the semiconductor device can be prevented, and high-speed operation can be supported. A multilayer wiring board can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の一例を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の一例を示す断面図である(図1の続き)。
FIG. 2 is a sectional view showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention (continuation of FIG. 1).

【図3】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の一例を示す断面図である(図2の続き)。
FIG. 3 is a sectional view showing an example of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention (continuation of FIG. 2).

【図4】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の一例を示す断面図である(図3の続き)。
FIG. 4 is a sectional view showing an example of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention (continuation of FIG. 3).

【図5】 本発明の実施形態による多層配線板を使用し
て製造した半導体デバイスの一例を示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing an example of a semiconductor device manufactured using the multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 金属板 101a 金属板 101b 金属板 102 めっきレジスト 103 レジスト金属層 104 配線パターン 105 絶縁膜 106 ビア 107 導体ポスト 108 接合用金属材料層 109 接着剤層 110 接続層 111 被接続層 112 被接合部 113 多層配線板 114a パッド 114b パッド 115 ソルダーレジスト 116 金属枠 117a 最外層 117b 最外層 118a レジスト金属層 118b レジスト金属層 201 半導体デバイス 202 半導体チップ 203 バンプ 204 アンダーフィル 205 半田ボール REFERENCE SIGNS LIST 101 metal plate 101 a metal plate 101 b metal plate 102 plating resist 103 resist metal layer 104 wiring pattern 105 insulating film 106 via 107 conductor post 108 bonding metal material layer 109 adhesive layer 110 connection layer 111 connected layer 112 bonded part 113 multilayer Wiring board 114a Pad 114b Pad 115 Solder resist 116 Metal frame 117a Outermost layer 117b Outermost layer 118a Resist metal layer 118b Resist metal layer 201 Semiconductor device 202 Semiconductor chip 203 Bump 204 Underfill 205 Solder ball

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H01L 23/12 J N (72)発明者 八月朔日 猛 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 (72)発明者 沢井 宏之 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 (72)発明者 加藤 正明 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 (72)発明者 原 英貴 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 Fターム(参考) 5E315 AA09 BB01 DD15 DD16 DD17 GG01 5E346 AA03 AA12 AA15 AA32 AA43 CC02 CC04 CC08 CC32 CC33 CC37 CC38 CC39 CC40 CC55 DD03 DD24 EE12 EE15 EE19 FF07 FF08 FF09 FF10 FF14 FF27 GG15 GG26 GG27 GG28 HH01 HH06 HH11 HH18 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 3/46 H01L 23/12 JN (72) Inventor Takeshi August Satoshi 2-Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo No. 5-8 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. (72) Inventor Hiroyuki Sawai 2-5-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Bakelite Co., Ltd. (72) Inventor Masaaki Kato 2-5-Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo No. 8 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. (72) Inventor Hideki Hara 2-5-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Bakelite Co., Ltd. F term (reference) 5E315 AA09 BB01 DD15 DD16 DD17 GG01 5E346 AA03 AA12 AA15 AA32 AA43 CC02 CC04 CC08 CC32 CC33 CC37 CC38 CC39 CC40 CC55 DD03 DD24 EE12 EE15 EE19 FF07 FF08 FF09 FF10 FF14 FF27 GG15 GG26 GG27 GG28 HH01 HH06 HH 11 HH18

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 金属板を電解めっき用リードとして、レ
ジスト金属層および配線パターンを電解めっきにより形
成する工程と、該金属板をエッチングにより除去する工
程とを含む多層配線板の製造方法であって、該多層配線
板の半導体チップを搭載する側の最外層を形成する際に
使用する金属板を部分的にエッチングして除去すること
により、該多層配線板の最外層上に金属枠を形成する工
程を含んでなることを特徴とする多層配線板の製造方
法。
A method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising: a step of forming a resist metal layer and a wiring pattern by electrolytic plating using a metal plate as a lead for electrolytic plating; and a step of removing the metal plate by etching. Forming a metal frame on the outermost layer of the multilayer wiring board by partially etching and removing a metal plate used for forming the outermost layer on the side on which the semiconductor chip of the multilayer wiring board is mounted; A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising the steps of:
【請求項2】 金属板を電解めっき用リードとして、レ
ジスト金属層および配線パターンを電解めっきにより形
成する工程と、該配線パターン上に絶縁膜を形成する工
程、該配線パターンの一部が露出するように該絶縁膜に
ビアを形成する工程と、該金属板を電解めっき用リード
として、導体ポストを電解めっきにより形成する工程
と、該導体ポストの表面または被接続層の被接合部の表
面の少なくとも一方に接合用金属材料層を形成する工程
と、該絶縁膜の表面または該被接続層の表面の少なくと
も一方に接着剤層を形成する工程と、該導体ポストと該
被接合部とを該接着剤層を介して該接合用金属材料層に
より接合し、該絶縁膜と該被接続層とを該接着剤層によ
り接着する工程と、該金属板をエッチングにより除去す
る工程とを含む多層配線板の製造方法であって、該多層
配線板の半導体チップを搭載する側の最外層を形成する
際に使用する金属板を部分的にエッチングして除去する
ことにより、該多層配線板の最外層上に金属枠を形成す
る工程を含んでなることを特徴とする多層配線板の製造
方法。
2. A step of forming a resist metal layer and a wiring pattern by electrolytic plating using a metal plate as a lead for electrolytic plating, a step of forming an insulating film on the wiring pattern, and a part of the wiring pattern is exposed. Forming a via in the insulating film, forming a conductive post by electrolytic plating using the metal plate as a lead for electrolytic plating, and forming a conductive post on the surface of the conductive post or the surface of the portion to be joined of the layer to be connected. Forming a bonding metal material layer on at least one of the surfaces, forming an adhesive layer on at least one of the surface of the insulating film and the surface of the connected layer, and forming the conductive post and the bonded portion together. A multi-layer structure including a step of bonding with the bonding metal material layer via an adhesive layer, bonding the insulating film and the layer to be connected with the adhesive layer, and removing the metal plate by etching; A method of manufacturing a wiring board, wherein a metal plate used for forming an outermost layer on a side on which a semiconductor chip of the multilayer wiring board is mounted is partially removed by etching, thereby forming the multilayer wiring board. A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising a step of forming a metal frame on an outer layer.
【請求項3】 該絶縁膜が補強繊維未充填の樹脂からな
ることを特徴とする請求項2記載の多層配線板の製造方
法。
3. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 2, wherein said insulating film is made of a resin not filled with reinforcing fibers.
【請求項4】 該金属枠を多層配線板の接地配線パター
ンに導通接続することを特徴とする請求項1ないし請求
項3のいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
4. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein said metal frame is conductively connected to a ground wiring pattern of the multilayer wiring board.
【請求項5】 請求項1ないし請求項4のいずれかに記
載の多層配線板の製造方法により、得られることを特徴
とする多層配線板。
5. A multilayer wiring board obtained by the method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 4.
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