JP2003204011A - Multilayer wiring board and manufacturing method there for - Google Patents

Multilayer wiring board and manufacturing method there for

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JP2003204011A
JP2003204011A JP2002001833A JP2002001833A JP2003204011A JP 2003204011 A JP2003204011 A JP 2003204011A JP 2002001833 A JP2002001833 A JP 2002001833A JP 2002001833 A JP2002001833 A JP 2002001833A JP 2003204011 A JP2003204011 A JP 2003204011A
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multilayer wiring
metal
forming
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Hitoshi Aoki
仁 青木
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer wiring board with not only rigidity but also excellent heat radiation characteristics/noise characteristics. <P>SOLUTION: The multilayer wiring board is provided with a stiffener on the outermost layer. The stiffener is composed of a metal frame obtained by partially etching a metal layer as a power feed layer for forming a multilayer wiring pattern of the outermost layer, and a plating film or a resin film covering at least a part of a metal frame surface. Further, the multilayer wiring board is connected by a conductor post. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線板および
多層配線板の製造方法に関するものである。更に詳しく
は、半導体チップを搭載するためのリジッド性を有する
多層配線板に関し、さらには、層間の電気的接続と接着
を同時に行う多層配線板およびその製造方法に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board and a method for manufacturing the multilayer wiring board. More specifically, the present invention relates to a multilayer wiring board having a rigid property for mounting a semiconductor chip, and more particularly to a multilayer wiring board for simultaneously performing electrical connection and adhesion between layers and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには
高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使
用される半導体パッケージは、従来にも増して、益々小
型化かつ多ピン化が進んできている。
2. Description of the Related Art With the recent demand for high functionality, lightness, thinness, shortness, and miniaturization of electronic devices, high-density integration and further high-density mounting of electronic parts have been advanced, and they are used in these electronic devices. Semiconductor packages are becoming smaller and more pins than ever before.

【0003】従来の回路基板はプリント配線板と呼ば
れ、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた積層
板からなるガラスエポキシ板に貼り付けられた銅箔をパ
ターニング後、複数枚重ねて積層接着し、ドリルで貫通
穴を開けて、この穴の壁面に銅めっきを行ってビアを形
成し層間の電気接続を行った配線基板の使用が主流であ
った。しかし、搭載部品の小型化、高密度化が進み、上
記の配線基板では配線密度が不足して部品の搭載に問題
が生じるようになってきている。
A conventional circuit board is called a printed wiring board, and after patterning a copper foil attached to a glass epoxy board made of a laminated board in which a woven cloth of glass fiber is impregnated with an epoxy resin, a plurality of layers are laminated and laminated. The mainstream method is to use a wiring board that is bonded and drilled with a through hole, and the wall surface of this hole is copper-plated to form a via to electrically connect layers. However, the miniaturization and high densification of mounted components have progressed, and the wiring density of the above-described wiring board is insufficient, causing a problem in mounting components.

【0004】このような背景により、近年、ビルドアッ
プ多層配線板が採用されている。ビルドアップ多層配線
板は、樹脂のみで構成される絶縁層と導体とを積み重ね
ながら成形される。ビア形成方法としては、従来のドリ
ル加工に代わって、レーザ法、プラズマ法やフォト法
等、多岐にわたり、小径のビアホールを自由に配置する
ことで高密度化を達成するものである。層間接続部とし
ては、ブライドビア(Blind Via)やバリード
ビア(Buried Via:ビアを導電体で充填した
構造)等があり、ビアの上にビアを形成するスタックド
ビアが可能なバリードビアホールが特に注目されてい
る。バリードビアホールとしては、ビアホールをめっき
で充填する方法と、導電性ペースト等で充填する場合と
に分けられる。一方、配線パターンを形成する方法とし
て、銅箔をエッチングする方法(サブトラクティブ
法)、電解銅めっきによる方法(アディティブ法)等が
あり、配線密度の高密度化に対応可能なアディティブ法
が特に注目され始めている。
Under these circumstances, build-up multilayer wiring boards have been adopted in recent years. The build-up multilayer wiring board is formed by stacking an insulating layer composed only of resin and a conductor. As a method of forming vias, a laser method, a plasma method, a photo method, or the like is used in place of conventional drilling, and a via hole having a small diameter is freely arranged to achieve high density. As the interlayer connection portion, there are a blind via (Blind Via), a buried via (Buried Via: a structure in which a via is filled with a conductor), and the like, and a stacked via hole capable of forming a via on the via is particularly noted. ing. Barry via holes are classified into a method of filling the via holes with plating and a method of filling the via holes with a conductive paste or the like. On the other hand, as a method for forming a wiring pattern, there are a method of etching a copper foil (subtractive method), a method of electrolytic copper plating (additive method), etc. Is being started.

【0005】このような多層配線板を用いた半導体パッ
ケージは非常にピン数が多いため、多層配線板の方が半
導体チップよりもサイズが大きいのが一般的である。し
たがって、多層配線板のハンドリング性の観点から、多
層配線板がリジッド性を有する必要があることは当然で
ある。現状は、多層配線板のリジッド性を確保するため
に、補強繊維に樹脂を含浸させた絶縁層を有するプリン
ト配線板(FR−4等のガラスエポキシ基板)のリジッ
ド性を利用し、その両面にビルドアップ層を積層してい
る。しかしながら、補強繊維に樹脂を含浸させた絶縁層
を有するプリント配線板は、補強繊維と樹脂との界面で
絶縁破壊を生じることがあり、絶縁特性に課題を残して
いる。
Since a semiconductor package using such a multilayer wiring board has a very large number of pins, the multilayer wiring board is generally larger in size than a semiconductor chip. Therefore, from the viewpoint of handleability of the multilayer wiring board, it is natural that the multilayer wiring board needs to have rigidity. At present, in order to secure the rigid property of a multilayer wiring board, the rigid property of a printed wiring board (a glass epoxy substrate such as FR-4) having an insulating layer in which a reinforcing fiber is impregnated with a resin is used, and both surfaces are used. Build-up layers are laminated. However, a printed wiring board having an insulating layer in which a reinforcing fiber is impregnated with a resin may cause dielectric breakdown at the interface between the reinforcing fiber and the resin, which leaves a problem in the insulating property.

【0006】一方、テープBGAのハンドリング性の観
点から、テープBGAのリジッド性を確保するため、テ
ープBGAにスティフナ(補強枠)を設ける例がある
が、これにより、スムーズに半田ボールを搭載すること
ができるようになる。また、テープBGAには絶縁層と
してポリイミド等が使用されており、すなわち、絶縁層
が補強繊維未充填の樹脂からなるため、良好な絶縁特性
を有している。しかしながら、テープBGAでは多層化
が困難であるため、超多ピンの半導体パッケージとして
採用することはできない。また、ノイズの不要輻射を防
止したり、放熱特性を向上させるためには、スティフナ
を接地配線パターンに導通接続することが好ましい。し
かしながら、テープBGAとスティフナの接着には、絶
縁性・熱伝導率の高い接着剤を用いるため、放熱特性の
向上は見込めるが、不要輻射の防止には対応できないと
いった課題がある。
On the other hand, from the viewpoint of handling property of the tape BGA, there is an example in which a stiffener (reinforcing frame) is provided on the tape BGA in order to secure the rigid property of the tape BGA, which allows the solder balls to be mounted smoothly. Will be able to. In addition, polyimide or the like is used for the tape BGA as an insulating layer, that is, the insulating layer is made of a resin not filled with reinforcing fibers, and thus has good insulating properties. However, the tape BGA cannot be used as a super-multi-pin semiconductor package because it is difficult to form multiple layers. In addition, in order to prevent unnecessary radiation of noise and improve heat dissipation characteristics, it is preferable to electrically connect the stiffener to the ground wiring pattern. However, since an adhesive having a high insulating property and a high thermal conductivity is used for bonding the tape BGA and the stiffener, there is a problem in that it is possible to improve the heat radiation characteristics but it is impossible to prevent unnecessary radiation.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プを搭載する多層配線板における、このような問題点に
鑑み、リジッド性を有するだけではなく、放熱特性・ノ
イズ特性に優れた多層配線板を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of such problems in a multilayer wiring board on which a semiconductor chip is mounted, the present invention not only has a rigid property but also a multilayer wiring board excellent in heat dissipation characteristics and noise characteristics. The purpose is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、(1)
最外層にスティフナを有する多層配線板であって、ス
ティフナが、最外層の配線パターン形成用の給電層とし
ての金属層を部分的にエッチングすることにより得られ
る金属枠と、金属枠表面の少なくとも一部を覆うめっき
被膜または樹脂被膜からなることを特徴とする多層配線
板、(2) 多層配線板が、導体ポストにより層間接続
された前記第(1)項記載の多層配線板、(3) 多層
配線板が、補強繊維未充填の樹脂からなる絶縁層を有す
る前記第(1)項または第(2)項記載の多層配線板、
(4) 金属枠が、多層配線板の接地配線パターンに導
通接続された前記第(1)項〜第(3)項のいずれかに
記載の多層配線板、(5) 金属層を電解めっき用リー
ドとして、配線パターンを電解めっきにより形成する工
程と、多層配線板の最外層の配線パターン形成用の給電
層としての金属層を部分的にエッチングして除去するこ
とにより、多層配線板の最外層上に金属枠を形成する工
程と、前記金属枠表面の少なくとも一部にめっき被膜ま
たは樹脂被膜を形成する工程とを含んでなることを特徴
とする多層配線板の製造方法、(6) 配線パターン上
に絶縁層を形成する工程と、配線パターンの一部が露出
するように絶縁層にビアを形成する工程と、金属層を電
解めっき用リードとして、導体ポストを電解めっきによ
り形成する工程とを含む前記第(5)項記載の多層配線
板の製造方法、(7) 接続層と被接続層とを接着剤層
を介して接着する工程と、導体ポストにより層間接続す
る工程とを含む前記第(5)項または第(6)項記載の
多層配線板の製造方法、(8) 絶縁層が、補強繊維未
充填の樹脂からなる前記第(6)項または第(7)項記
載の多層配線板の製造方法、(9) 金属枠が、多層配
線板の接地配線パターンに導通接続される前記第(5)
項〜第(8)項のいずれかに記載の多層配線板の製造方
法、(10) 前記第(5)項〜第(9)項のいずれか
に記載の多層配線板の製造方法により、得られることを
特徴とする多層配線板、である。
Means for Solving the Problems That is, the present invention provides (1)
A multilayer wiring board having a stiffener as an outermost layer, wherein the stiffener has at least one of a metal frame obtained by partially etching a metal layer as a power feeding layer for forming an outermost wiring pattern and a metal frame surface. A multilayer wiring board characterized by comprising a plating coating or a resin coating for covering a portion, (2) the multilayer wiring board according to the above (1), wherein the multilayer wiring boards are interconnected by conductor posts, (3) a multilayer The multilayer wiring board according to the above (1) or (2), wherein the wiring board has an insulating layer made of a resin not filled with reinforcing fibers.
(4) The multilayer wiring board according to any one of (1) to (3), wherein the metal frame is conductively connected to the ground wiring pattern of the multilayer wiring board, and (5) the metal layer for electrolytic plating. The step of forming a wiring pattern by electroplating as a lead and the outermost layer of the multilayer wiring board by partially etching and removing the metal layer as a power supply layer for forming the outermost wiring pattern of the multilayer wiring board A method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising: a step of forming a metal frame on top; and a step of forming a plating film or a resin film on at least a part of the surface of the metal frame, (6) Wiring pattern A step of forming an insulating layer on the top, a step of forming a via in the insulating layer so that a part of the wiring pattern is exposed, and a step of forming a conductor post by electrolytic plating using the metal layer as a lead for electrolytic plating. Including The method for manufacturing a multilayer wiring board according to the item (5), (7) comprising a step of adhering a connection layer and a layer to be connected via an adhesive layer, and a step of performing interlayer connection by a conductor post ( (5) or the method for manufacturing a multilayer wiring board according to (6), (8) The multilayer wiring board according to (6) or (7) above, wherein the insulating layer is made of a resin not filled with reinforcing fibers. (9) The metal frame is conductively connected to the ground wiring pattern of the multilayer wiring board,
(10) A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of (1) to (8), (10) A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any of (5) to (9) above. A multilayer wiring board, characterized in that

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明するが、本発明はこれによって何ら
限定されるものではない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.

【0010】図1(a)〜図4(s)は、本発明の第1
の実施形態である多層配線板の製造方法の一例を説明す
るための図で、図4(s)は得られる多層配線板の構造
を示す断面図である。
1 (a) to 4 (s) show a first embodiment of the present invention.
FIG. 4 (s) is a cross-sectional view showing the structure of the obtained multilayer wiring board, which is a view for explaining an example of the method for manufacturing the multilayer wiring board which is the embodiment of FIG.

【0011】本発明の多層配線板の製造方法としては、
まず、金属層101上にパターニングされためっきレジ
スト102を形成する(図1(a))。このめっきレジ
スト102は、例えば、金属層101上に紫外線感光性
のドライフィルムレジストをラミネートし、ネガフィル
ム等を用いて選択的に感光し、その後現像することによ
り形成できる。金属層101の材質は、本発明の製造方
法に適するものであればどのようなものでも良いが、特
に、使用される薬液に対して耐性を有するものであっ
て、最終的にエッチングにより除去可能であることが必
要である。そのような金属層101の材質としては、例
えば、銅、銅合金、42合金、ニッケル等が挙げられ
る。また、金属層101の厚みは、本発明の製造方法に
適するものであればどのようなものでも良い。金属層1
01としては、金属板、金属箔等を用いることができ
る。特に、42合金板、銅板、銅合金板、銅箔は、様々
な厚みのものが市販されているため、安価で入手が容易
であるだけでなく、取り扱いも容易であるため、本発明
の製造方法に非常に好適である。
The method of manufacturing the multilayer wiring board of the present invention includes:
First, a patterned plating resist 102 is formed on the metal layer 101 (FIG. 1A). The plating resist 102 can be formed, for example, by laminating an ultraviolet-sensitive dry film resist on the metal layer 101, selectively exposing it with a negative film or the like, and then developing it. The material of the metal layer 101 may be any material as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention, but in particular, it has resistance to the chemical solution used and can be finally removed by etching. It is necessary to be. Examples of the material of the metal layer 101 include copper, copper alloy, 42 alloy, nickel and the like. Further, the metal layer 101 may have any thickness as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention. Metal layer 1
As 01, a metal plate, a metal foil, or the like can be used. In particular, the 42 alloy plate, the copper plate, the copper alloy plate, and the copper foil are commercially available in various thicknesses, so that they are not only inexpensive and easily available, but also easy to handle. Very suitable for the method.

【0012】次に、金属層101を電解めっき用リード
として、レジスト金属層103を電解めっきにより形成
する(図1(b))。この電解めっきにより、金属層1
01上のめっきレジスト102が形成されていない部分
に、レジスト金属層103が形成される。レジスト金属
層103の材質は、本発明の製造方法に適するものであ
ればどのようなものでも良いが、特に、最終的に金属層
101をエッチングにより除去する際に使用する薬液に
対して耐性を有することが必要である。レジスト金属層
103の材質としては、例えば、ニッケル、金、錫、
銀、半田、パラジウム等が挙げられる。なお、レジスト
金属層103を形成する目的は、金属層101をエッチ
ングする際に使用する薬液により、図1(c)に示す配
線パターン104が浸食・腐食されるのを防ぐことであ
る。したがって、金属層101をエッチングする際に使
用する薬液に対して、図1(c)に示す配線パターン1
04が耐性を有している場合は、このレジスト金属層1
03は不要である。また、レジスト金属層103は配線
パターン104と同一のパターンである必要はなく、金
属層101上にめっきレジスト102を形成する前に、
金属層101の全面にレジスト金属層103を形成して
も良い。
Next, using the metal layer 101 as a lead for electrolytic plating, a resist metal layer 103 is formed by electrolytic plating (FIG. 1 (b)). By this electroplating, the metal layer 1
A resist metal layer 103 is formed on the area on 01 where the plating resist 102 is not formed. The material of the resist metal layer 103 may be any material as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention. In particular, the resist metal layer 103 has a resistance to a chemical solution used when finally removing the metal layer 101 by etching. It is necessary to have. Examples of the material of the resist metal layer 103 include nickel, gold, tin,
Examples include silver, solder, palladium and the like. The purpose of forming the resist metal layer 103 is to prevent the wiring pattern 104 shown in FIG. 1C from being corroded or corroded by the chemical solution used for etching the metal layer 101. Therefore, the wiring pattern 1 shown in FIG. 1C is used for the chemical solution used for etching the metal layer 101.
When 04 is resistant, this resist metal layer 1
03 is unnecessary. The resist metal layer 103 does not have to have the same pattern as the wiring pattern 104, and before forming the plating resist 102 on the metal layer 101,
The resist metal layer 103 may be formed on the entire surface of the metal layer 101.

【0013】次に、金属層101を電解めっき用リード
として、配線パターン104を電解めっきにより形成す
る(図1(c))。この電解めっきにより、金属層10
1上のめっきレジスト102が形成されていない部分
に、配線パターン104が形成される。配線パターン1
04の材質としては、本発明の製造方法に適するもので
あればどのようなものでも良いが、特に、最終的にレジ
スト金属層103をエッチングにより除去する際に使用
する薬液に対して耐性を有することが必要である。実際
は、配線パターン104を浸食・腐食しない薬液でエッ
チング可能なレジスト金属層103の材質を選定するの
が得策である。配線パターン104の材質としては、例
えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウム等が挙げ
られる。さらには、銅を用いることで、低電気抵抗で安
定した配線パターン104が得られる。
Next, the wiring pattern 104 is formed by electrolytic plating using the metal layer 101 as a lead for electrolytic plating (FIG. 1C). By this electrolytic plating, the metal layer 10
The wiring pattern 104 is formed on the portion on which the plating resist 102 is not formed. Wiring pattern 1
As the material of 04, any material may be used as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention, but in particular, it has resistance to a chemical solution used when finally removing the resist metal layer 103 by etching. It is necessary. In practice, it is a good idea to select a material for the resist metal layer 103 that can be etched with a chemical solution that does not corrode or corrode the wiring pattern 104. Examples of the material of the wiring pattern 104 include copper, nickel, gold, tin, silver, palladium and the like. Furthermore, by using copper, a stable wiring pattern 104 with low electric resistance can be obtained.

【0014】次に、めっきレジスト102を除去し(図
1(d))、形成した配線パターン104上に絶縁層1
05を形成する(図1(e))。絶縁層105を構成す
る樹脂は、本発明の製造方法に適するものであればどの
ようなものでも使用できる。特に、補強繊維(例えば、
ガラスクロス)未充填の樹脂からなる絶縁層105を形
成することが好ましい。また、絶縁層105の形成方法
は、使用する樹脂に適した方法で良く、樹脂ワニスを印
刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布し
たり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネート、
真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。特
に、市販されている樹脂付銅箔は入手が容易であり、真
空ラミネートにより配線パターン104の凹凸を埋め込
みながら成形し、最後に銅箔をエッチングすれば、絶縁
層105の表面が配線パターン104の凹凸に影響され
ることなく、非常に平坦になる。また、絶縁層105の
表面には銅箔表面の微細な粗化形状が転写されるため、
図2(i)に示す接着剤層109との密着性を確保する
ことができる。
Next, the plating resist 102 is removed (FIG. 1D), and the insulating layer 1 is formed on the formed wiring pattern 104.
05 is formed (FIG. 1E). As the resin forming the insulating layer 105, any resin can be used as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention. In particular, reinforcing fibers (eg,
It is preferable to form the insulating layer 105 made of a glass cloth) unfilled resin. The method for forming the insulating layer 105 may be a method suitable for the resin used, for example, a resin varnish may be directly applied by a method such as printing, curtain coating or bar coating, or a dry film type resin may be vacuum laminated,
A method of laminating by a method such as vacuum pressing may be used. In particular, a commercially available resin-coated copper foil is easily available. If the copper foil with resin is formed by vacuum laminating while embedding the unevenness of the wiring pattern 104, and the copper foil is finally etched, the surface of the insulating layer 105 becomes the wiring pattern 104. It becomes very flat without being affected by irregularities. Further, since the fine roughened shape of the copper foil surface is transferred to the surface of the insulating layer 105,
Adhesion with the adhesive layer 109 shown in FIG. 2 (i) can be secured.

【0015】次に、形成した絶縁層105にビア106
を形成する(図1(f))。ビア106の形成方法は、
本発明の製造方法に適する方法であればどのような方法
でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチン
グ、ケミカルエッチング等が挙げられる。また、絶縁層
105を感光性樹脂とした場合には、絶縁層105を選
択的に感光し、現像することでビア106を形成するこ
ともできる。
Next, a via 106 is formed in the formed insulating layer 105.
Are formed (FIG. 1 (f)). The via 106 is formed by
Any method may be used as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention, and examples thereof include dry etching with laser and plasma, and chemical etching. Further, when the insulating layer 105 is made of a photosensitive resin, the via 106 can be formed by selectively exposing the insulating layer 105 to light and developing it.

【0016】次に、金属層101を電解めっき用リード
として、導体ポスト107を電解めっきにより形成する
(図1(g))。この電解めっきにより、絶縁層105
のビア106が形成されている部分に、導体ポスト10
7が形成される。電解めっきにより導体ポスト107を
形成すれば、導体ポスト107の先端の形状を自由に制
御することができる。導体ポスト107の材質として
は、本発明の製造方法に適するものであればどのような
ものでも良く、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パ
ラジウム等が挙げられる。さらには、銅を用いること
で、低電気抵抗で安定した導体ポスト107が得られ
る。
Next, the conductor post 107 is formed by electrolytic plating using the metal layer 101 as a lead for electrolytic plating (FIG. 1 (g)). By this electrolytic plating, the insulating layer 105
Of the conductor post 10 at the portion where the via 106 of
7 is formed. If the conductor post 107 is formed by electrolytic plating, the shape of the tip of the conductor post 107 can be freely controlled. The conductor post 107 may be made of any material as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention, and examples thereof include copper, nickel, gold, tin, silver and palladium. Furthermore, by using copper, a stable conductor post 107 with low electric resistance can be obtained.

【0017】次に、導体ポスト107の表面(先端)
に、接合用金属材料層108を形成する(図2
(h))。接合用金属材料層108の形成方法として
は、無電解めっきにより形成する方法、金属層101を
電解めっき用リードとして電解めっきにより形成する方
法、接合用金属材料を含有するペーストを印刷する方法
が挙げられる。印刷による方法では、印刷用マスクを導
体ポスト107に対して精度良く位置合せする必要があ
るが、無電解めっきや電解めっきによる方法では、導体
ポスト107の表面以外に接合用金属材料層108が形
成されることがないため、導体ポスト107の微細化・
高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきによる方
法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき可能な
金属が多種多様であり、また薬液の管理も容易であるた
め、非常に好適である。接合用金属材料層108の材質
としては、図2(j)に示す被接合部112と金属接合
可能な金属であればどのようなものでもよく、例えば、
半田が挙げられる。半田の中でも、SnやIn、もしく
はSn、Ag、Cu、Zn、Bi、Sb、Pb、In、
Auの少なくとも二種からなる半田を使用することが好
ましい。より好ましくは、環境に優しいPbフリー半田
である。なお、図2(h)では、導体ポスト107の表
面に接合用金属材料層108を形成する例を示したが、
接合用金属材料層108を形成する目的は、導体ポスト
107と被接合部112とを金属接合させることである
ため、被接合部112に接合用金属材料層108を形成
しても構わない。もちろん、導体ポスト107と被接合
部112の両表面に形成しても構わない。さらには、導
体ポスト107そのものを接合用金属材料で構成する方
法もあるが、その場合には、接合用金属材料層108を
形成する必要はない。なお、導体ポスト107および接
合用金属材料層108の上述のような各種構成は本発明
に含まれるものとする。
Next, the surface (tip) of the conductor post 107.
The metal material layer for bonding 108 is formed on the surface (FIG. 2).
(H)). Examples of the method of forming the bonding metal material layer 108 include a method of forming by electroless plating, a method of forming the metal layer 101 as a lead for electrolytic plating by electrolytic plating, and a method of printing a paste containing a bonding metal material. To be In the printing method, it is necessary to accurately align the printing mask with the conductor post 107. However, in the electroless plating method or the electrolytic plating method, the bonding metal material layer 108 is formed on the surface other than the surface of the conductor post 107. Therefore, the conductor post 107 is miniaturized.
Easy to handle high density. In particular, the electrolytic plating method is very suitable because it has a wider variety of metals that can be plated and the chemical solution is easier to manage than the electroless plating method. The material of the joining metal material layer 108 may be any metal as long as it can be metal-joined to the joined portion 112 shown in FIG. 2 (j).
Solder is an example. Among solders, Sn or In, or Sn, Ag, Cu, Zn, Bi, Sb, Pb, In,
It is preferable to use solder composed of at least two kinds of Au. More preferably, it is an environment-friendly Pb-free solder. Although FIG. 2H shows an example in which the bonding metal material layer 108 is formed on the surface of the conductor post 107,
Since the purpose of forming the joining metal material layer 108 is to join the conductor post 107 and the joined portion 112 by metal, the joining metal material layer 108 may be formed on the joined portion 112. Of course, it may be formed on both surfaces of the conductor post 107 and the joined portion 112. Further, there is a method of forming the conductor post 107 itself with a bonding metal material, but in that case, it is not necessary to form the bonding metal material layer 108. The various configurations of the conductor post 107 and the bonding metal material layer 108 as described above are included in the present invention.

【0018】次に、絶縁層105の表面に、接着剤層1
09を形成する(図2(i))。接着剤層109の形成
は、使用する接着剤樹脂に応じて適した方法で良く、樹
脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法
で直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空
ラミネート、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げ
られる。なお、図2(i)では、絶縁層105の表面に
接着剤層109を形成する例を示したが、被接続層11
1の表面に接着剤層109を形成しても構わない。もち
ろん、絶縁層105と被接続層111の両表面に形成し
ても構わない。
Next, the adhesive layer 1 is formed on the surface of the insulating layer 105.
09 is formed (FIG. 2 (i)). The adhesive layer 109 may be formed by a method suitable for the adhesive resin used, for example, a resin varnish may be directly applied by a method such as printing, curtain coating or bar coating, or a dry film type resin may be vacuum laminated, A method of laminating by a method such as vacuum pressing may be used. 2 (i) shows an example in which the adhesive layer 109 is formed on the surface of the insulating layer 105, the connected layer 11
The adhesive layer 109 may be formed on the surface of No. 1. Of course, it may be formed on both surfaces of the insulating layer 105 and the layer to be connected 111.

【0019】次に、上述の工程により得られた接続層1
10と被接続層111とを位置合わせをする(図2
(j))。位置合わせは、接続層110および被接続層
111に予め形成されている位置決めマークを、画像認
識装置により読み取り位置合わせする方法、位置合わせ
用のピン等で位置合わせする方法等を用いることができ
る。なお、図2(j)に示す被接続層111は、図1
(a)〜図1(d)に示す工程と同様な工程により、得
ることができる。
Next, the connection layer 1 obtained by the above steps
10 and the layer to be connected 111 are aligned (see FIG. 2).
(J)). The alignment can be performed by a method of aligning the positioning marks formed in advance on the connecting layer 110 and the layer to be connected 111 with an image recognition device, a method of aligning with a pin for alignment, or the like. The connected layer 111 shown in FIG.
It can be obtained by the steps similar to the steps shown in (a) to FIG.

【0020】次に、接続層110と被接続層111とを
積層する(図2(k))。積層方法としては、例えば、
真空プレスを用いて、導体ポスト107が、接着剤層1
09を介して、接合用金属材料層108により被接合部
112と金属接合するまで加圧し、更に加熱して接着剤
層109を硬化させて、接続層110と被接続層111
とを接着することができる。
Next, the connection layer 110 and the layer to be connected 111 are laminated (FIG. 2 (k)). As a stacking method, for example,
Using a vacuum press, the conductor posts 107 are bonded to the adhesive layer 1
09, pressure is applied until the metal is joined to the joined portion 112 by the joining metal material layer 108, and further heating is performed to cure the adhesive layer 109, so that the connection layer 110 and the connected layer 111.
And can be glued together.

【0021】次に、接続層110の金属層101をエッ
チングにより除去する(図2(l))。金属層101と
配線パターン104との間にレジスト金属層103が形
成されており、そのレジスト金属層103は、金属層1
01をエッチングにより除去する際に使用する薬液に対
して耐性を有しているため、金属層101をエッチング
してもレジスト金属層103が浸食・腐食されることが
なく、結果的に配線パターン104が浸食・腐食される
ことはない。金属層101の材質が銅、レジスト金属層
103の材質がニッケル、錫または半田の場合、市販の
アンモニア系エッチング液を使用することができる。金
属層101の材質が銅、レジスト金属層103の材質が
金や銀の場合、塩化第ニ鉄溶液、塩化第二銅溶液を含
め、ほとんどのエッチング液を使用することができる。
Next, the metal layer 101 of the connection layer 110 is removed by etching (FIG. 2 (l)). A resist metal layer 103 is formed between the metal layer 101 and the wiring pattern 104, and the resist metal layer 103 is the metal layer 1
Since the resist metal layer 103 is resistant to a chemical solution used for removing 01 by etching, the resist metal layer 103 is not corroded or corroded even when the metal layer 101 is etched, and as a result, the wiring pattern 104 is formed. Is not eroded or corroded. When the material of the metal layer 101 is copper and the material of the resist metal layer 103 is nickel, tin, or solder, a commercially available ammonia-based etching solution can be used. When the material of the metal layer 101 is copper and the material of the resist metal layer 103 is gold or silver, most etching solutions including a ferric chloride solution and a cupric chloride solution can be used.

【0022】次に、レジスト金属層103をエッチング
により除去する(図3(m))。配線パターン104
は、レジスト金属層103をエッチングにより除去する
際に使用する薬液に対して耐性を有するため、配線パタ
ーン104は浸食・腐食されることはない。そのため、
レジスト金属層103が除去されることにより、配線パ
ターン104が露出する。配線パターン104の材質が
銅、レジスト金属層103の材質がニッケル、錫または
半田の場合、市販の半田・ニッケル剥離剤(例えば、三
菱ガス化学製・Pewtax)を使用することができ
る。配線パターン104の材質が銅、レジスト金属層1
03の材質が金の場合、配線パターン104を浸食・腐
食させることなく、レジスト金属層103をエッチング
することは困難である。この場合には、レジスト金属層
103をエッチングする工程を省略し、レジスト金属層
103を残したままでも良い。
Next, the resist metal layer 103 is removed by etching (FIG. 3 (m)). Wiring pattern 104
Has resistance to a chemical solution used when removing the resist metal layer 103 by etching, so that the wiring pattern 104 is not corroded or corroded. for that reason,
By removing the resist metal layer 103, the wiring pattern 104 is exposed. When the material of the wiring pattern 104 is copper and the material of the resist metal layer 103 is nickel, tin, or solder, a commercially available solder / nickel release agent (for example, Pewtax manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) can be used. The material of the wiring pattern 104 is copper, and the resist metal layer 1
When the material of 03 is gold, it is difficult to etch the resist metal layer 103 without eroding / corroding the wiring pattern 104. In this case, the step of etching the resist metal layer 103 may be omitted and the resist metal layer 103 may be left as it is.

【0023】続いて、上述の工程、すなわち図1(a)
〜図3(m)を繰り返して行うことにより、多層配線板
113aの製造途中のもの(図3(m)参照)に対し
て、もう1層積層したものを得ることができる(図3
(n))。
Then, the above-mentioned steps, that is, FIG.
By repeating FIG. 3M, it is possible to obtain another multilayer wiring board 113a which is in the process of being manufactured (see FIG. 3M) and is laminated by another layer (FIG. 3).
(N)).

【0024】図3(o)〜図3(p)に示す工程は、多
層配線板113aの最外層117aを形成する工程を説
明するための図である。図3(o)〜図3(p)に示す
工程は、図2(j)〜図2(k)に示す工程と同様に、
接続層と被接続層との位置合わせ(図3(o))、接続
層と被接続層との積層(図3(p))からなる。
The steps shown in FIGS. 3 (o) to 3 (p) are diagrams for explaining the step of forming the outermost layer 117a of the multilayer wiring board 113a. The steps shown in FIGS. 3 (o) to 3 (p) are similar to the steps shown in FIGS. 2 (j) to 2 (k).
The connection layer and the layer to be connected are aligned (FIG. 3 (o)), and the connection layer and the layer to be connected are laminated (FIG. 3 (p)).

【0025】次に、金属層101bの半導体チップ20
2を搭載する部分のみ、エッチングにより除去して、金
属枠120aを形成し(図4(q))、金属枠120a
の表面にめっき皮膜121aを形成する(図4
(r))。これにより、多層配線板113aの最外層1
17a表面にスティフナ122aが形成される。めっき
皮膜121aを形成する目的は、金属枠120aが銅や
銅合金等の腐食しやすい材質で構成される場合の防錆用
皮膜、または、接触による損傷等に対する保護膜であ
る。めっき皮膜121aを形成する方法としては、無電
解めっきによる方法または電解めっきによる方法等が挙
げられる。いずれの方法においても、パッド114aに
めっき皮膜が形成されないよう、保護マスク等を施して
から、めっきを行うことが好ましい。めっき皮膜121
aの材質としては、金、銀、パラジウム、クロム、ニッ
ケル、半田、錫などが挙げられる。
Next, the semiconductor chip 20 of the metal layer 101b
2 is removed by etching to form a metal frame 120a (FIG. 4 (q)).
Forming a plating film 121a on the surface of the
(R)). As a result, the outermost layer 1 of the multilayer wiring board 113a is
The stiffener 122a is formed on the surface of 17a. The purpose of forming the plating film 121a is a rust preventive film when the metal frame 120a is made of a material that easily corrodes, such as copper or a copper alloy, or a protective film against damage due to contact. Examples of the method for forming the plating film 121a include a method using electroless plating and a method using electrolytic plating. In either method, it is preferable to perform a plating after applying a protective mask or the like so that the plating film is not formed on the pad 114a. Plating film 121
Examples of the material of a include gold, silver, palladium, chromium, nickel, solder and tin.

【0026】多層配線板113aがスティフナ122a
を有することにより、絶縁層105が補強繊維(例え
ば、ガラスクロス)未充填の樹脂からなる場合でも、多
層配線板113aとしてはリジッド性を有することにな
る。また、絶縁層105aは、樹脂ワニスを印刷、カー
テンコート、バーコート等の方法で直接塗布したり、ド
ライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネート、真空プレ
ス等の方法で積層することにより、直接、金属層101
b上に形成するため、絶縁層105aと金属枠120a
との密着性は高くなる。
The multilayer wiring board 113a is the stiffener 122a.
With the above, even when the insulating layer 105 is made of a resin not filled with reinforcing fibers (for example, glass cloth), the multilayer wiring board 113a has a rigid property. The insulating layer 105a is directly coated with a resin varnish by a method such as printing, curtain coating, or bar coating, or a dry film type resin is laminated by a method such as vacuum lamination or vacuum pressing to directly form a metal layer. 101
The insulating layer 105a and the metal frame 120a are formed on the insulating layer 105a.
Adhesion with

【0027】最後に、金属層101aをエッチングによ
り完全に除去し、最外層117bの表面にソルダーレジ
スト115を形成し、パッド114bの部分を開口し
て、多層配線板113aを得ることができる(図4
(s))。なお、最外層117bに配線パターンが形成
されておらず、パッド114bのみが形成されている場
合には、ソルダーレジスト115を形成する必要はな
い。もう一方の最外層117aについても同様である。
図4(s)の場合は、パッド114aのみが形成されて
いるため、ソルダーレジストを形成する必要はない。ま
た、最外層117a、117bを形成する際に使用する
レジスト金属層118a、118bを除去する必要はな
い。すなわち、このレジスト金属層118a、118b
は、多層配線板113aの両表面に形成されるパッド1
14a、114bに施す外層めっき被膜として利用され
る。レジスト金属層118a、118bの材質は金、
銀、パラジウム、ニッケル、半田等が挙げられ、金、
銀、パラジウム、ニッケルのそれぞれからなるいずれか
2つ以上を含む層構成にしてもよい。また、配線パター
ン104が銅からなる場合には、金およびニッケルの2
層構成であると良い。これにより、パッド114a、1
14bに搭載される半田ボールの半田が、配線パターン
104の銅に拡散することを防止することができる。さ
らには、金属枠120aを多層配線板113aの接地配
線パターン119に導通接続することにより、半導体デ
バイス201からのノイズの不要輻射を低減することが
できるだけでなく、半導体デバイス201の放熱特性を
向上させることができる。
Finally, the metal layer 101a is completely removed by etching, the solder resist 115 is formed on the surface of the outermost layer 117b, and the pad 114b is opened to obtain the multilayer wiring board 113a (see FIG. Four
(S)). When the wiring pattern is not formed on the outermost layer 117b and only the pad 114b is formed, it is not necessary to form the solder resist 115. The same applies to the other outermost layer 117a.
In the case of FIG. 4 (s), since only the pad 114a is formed, it is not necessary to form the solder resist. Further, it is not necessary to remove the resist metal layers 118a and 118b used when forming the outermost layers 117a and 117b. That is, the resist metal layers 118a and 118b
Are pads 1 formed on both surfaces of the multilayer wiring board 113a.
It is used as an outer layer plating film applied to 14a and 114b. The material of the resist metal layers 118a and 118b is gold,
Examples include silver, palladium, nickel, solder, gold,
The layer structure may include any two or more of silver, palladium, and nickel. In addition, when the wiring pattern 104 is made of copper, two of gold and nickel are used.
A layered structure is preferable. As a result, the pads 114a, 1
It is possible to prevent the solder of the solder balls mounted on 14b from diffusing into the copper of the wiring pattern 104. Furthermore, by conductively connecting the metal frame 120a to the ground wiring pattern 119 of the multilayer wiring board 113a, not only unnecessary radiation of noise from the semiconductor device 201 can be reduced but also the heat dissipation characteristic of the semiconductor device 201 is improved. be able to.

【0028】以上の工程により、多層配線板113aの
半導体チップ202を搭載する側にスティフナ122a
を有する多層配線板を製造することができる。
Through the above steps, the stiffener 122a is attached to the side of the multilayer wiring board 113a on which the semiconductor chip 202 is mounted.
It is possible to manufacture a multilayer wiring board having

【0029】続いて、本発明による第2の実施形態であ
る多層配線板の製造方法について、図5を参考にして詳
細に説明する。図5(q')〜(s')は、本発明の第2
の多層配線板の製造方法を説明するための断面図であ
り、図4(q)〜図4(s)の代わりに行う工程を説明
するためのものである。従ってここでは、第1の多層配
線板の製造方法とは異なる部分を特に詳細に説明し、同
じ部分は基本的に説明を省略する。
Next, a method of manufacturing a multilayer wiring board according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 5 (q ′) to (s ′) show the second embodiment of the present invention.
FIG. 5A is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the multilayer wiring board of FIG. 4, for explaining the process performed in place of FIGS. 4 (q) to 4 (s). Therefore, here, a part different from the manufacturing method of the first multilayer wiring board will be described in detail, and the description of the same part will be basically omitted.

【0030】図5(q')において、金属層101bの
表面にめっき被膜121bを形成する。めっき被膜12
1bの形成方法には、無電解めっきによる方法、電解め
っきによる方法等が挙げられる。電解めっきの場合は、
金属層101bを電解めっき用リードとして、電解めっ
きを行って、めっき被膜121bを形成することができ
る。なお、電解めっきまたは無電解めっきによりめっき
被膜121bを形成する場合には、必要な部分にのみめ
っき被膜121bが形成されるよう、めっきレジスト
(図示せず)を形成し、めっき終了後にめっきレジスト
を除去する必要があるのは当然である。
In FIG. 5 (q '), a plating film 121b is formed on the surface of the metal layer 101b. Plating film 12
Examples of the method of forming 1b include a method by electroless plating and a method by electrolytic plating. For electroplating,
Electroplating can be performed by using the metal layer 101b as a lead for electrolytic plating to form the plated coating 121b. When the plating film 121b is formed by electrolytic plating or electroless plating, a plating resist (not shown) is formed so that the plating film 121b is formed only in a necessary portion, and the plating resist is formed after the plating is completed. Of course, it needs to be removed.

【0031】次に、図5(r')において、めっき被膜
121bをエッチングマスクとして、金属層101bを
エッチングすることにより、金属枠120bを形成す
る。最後に、図5(s')において、金属層101cの
エッチング、ソルダーレジスト115の形成を経て、多
層配線板113bを得ることができる。
Next, in FIG. 5 (r '), the metal layer 101b is etched by using the plating film 121b as an etching mask to form the metal frame 120b. Finally, in FIG. 5 (s ′), the multilayer wiring board 113b can be obtained by etching the metal layer 101c and forming the solder resist 115.

【0032】なお、図5(q’)において、めっき皮膜
121bを樹脂皮膜に変更しても、金属枠120bの防
錆処理として有効である。樹脂皮膜の形成方法として
は、印刷による方法、感光性樹脂を使用する方法等が挙
げられる。
In FIG. 5 (q '), even if the plating film 121b is changed to a resin film, it is effective as a rust preventive treatment for the metal frame 120b. Examples of the method for forming the resin film include a printing method and a method using a photosensitive resin.

【0033】本発明による多層配線板の製造方法および
製造された多層配線板の特徴は、次に示す通りである。 (1)製造時に使用する金属層101bを部分的にエッ
チングすることにより、金属枠120a、120bを形
成することができる。 (2)多層配線板113a、113bがスティフナ12
2a、122bを有することにより、絶縁層105が補
強繊維(例えば、ガラスクロス)未充填の樹脂からなる
場合でも、多層配線板113a、113bとしてはリジ
ッド性を有する。 (3)金属枠120a、120bを多層配線板113
a、113bの接地配線パターン119に導通接続する
ことにより、半導体デバイス201からのノイズの不要
輻射を低減することができるだけでなく、半導体デバイ
ス201の放熱特性を向上させることができる。
The characteristics of the method for manufacturing a multilayer wiring board and the manufactured multilayer wiring board according to the present invention are as follows. (1) The metal frames 120a and 120b can be formed by partially etching the metal layer 101b used during manufacturing. (2) The stiffener 12 is the multilayer wiring boards 113a and 113b.
By including 2a and 122b, even when the insulating layer 105 is made of a resin not filled with reinforcing fibers (for example, glass cloth), the multilayer wiring boards 113a and 113b have rigidity. (3) The metal frames 120a and 120b are connected to the multilayer wiring board 113.
By conductively connecting to the ground wiring pattern 119 of a and 113b, not only unnecessary radiation of noise from the semiconductor device 201 can be reduced, but also the heat dissipation characteristic of the semiconductor device 201 can be improved.

【0034】なお、上述の工程により得られた多層配線
板113aのパッド114a上に、はんだバンプ203
と半導体チップ202を搭載し、多層配線板113aと
半導体チップ202との間隙にアンダーフィル204を
施して、パッド114b側に半田ボール205を搭載す
ることにより、半導体装置201を得ることができる
(図6)。
The solder bumps 203 are formed on the pads 114a of the multilayer wiring board 113a obtained by the above process.
The semiconductor device 201 can be obtained by mounting the semiconductor chip 202 and the semiconductor chip 202, providing the underfill 204 in the gap between the multilayer wiring board 113a and the semiconductor chip 202, and mounting the solder ball 205 on the pad 114b side (FIG. 6).

【0035】[0035]

【実施例】以下、実施例により更に具体的に説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited thereto.

【0036】接着剤の調合例 m,p−クレゾールノボラック樹脂(日本化薬(株)製P
AS−1、OH基当量120)100gと、ビスフェノ
ールF型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製RE−404
S、エポキシ基当量165)140gを、シクロヘキサ
ノン60gに溶解し、硬化触媒としてトリフェニルフォ
スフィン(北興化学工業(株)製)0.2gを添加し、
接着剤ワニスを作製した。
Preparation Example of Adhesive m, p-cresol novolac resin (P manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
100 g of AS-1, OH group equivalent 120) and bisphenol F type epoxy resin (RE-404 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
140 g of S and epoxy group equivalent 165) are dissolved in 60 g of cyclohexanone, and 0.2 g of triphenylphosphine (manufactured by Kitako Chemical Industry Co., Ltd.) is added as a curing catalyst.
An adhesive varnish was prepared.

【0037】実施例(多層配線板の製造例) 表面を粗化処理した150μm厚の圧延銅板(金属層1
01・古川電気工業製EFTEC−64T)にドライフ
ィルムレジスト(旭化成製AQ−2058)をロールラ
ミネートし、所定のネガフィルムを用いて露光・現像
し、配線パターン104の形成に必要なめっきレジスト
(めっきレジスト102)を形成した。次に、圧延銅板
を電解めっき用リードとして、電解めっきによりニッケ
ルからなるレジスト金属層(レジスト金属層103)を
形成し、さらに電解銅めっきにより配線パターン(配線
パターン104)を形成した。配線パターンは、線幅/
線間/厚み=20μm/20μm/10μmとした。次
に、樹脂付銅箔(住友ベークライト製APL)を真空ラ
ミネートにより配線パターンの凹凸を埋め込みながら成
形し、銅箔を全面エッチングして、25μm厚の絶縁層
(絶縁層105)を形成した。次に、50μm径のビア
(ビア106)をUV−YAGレーザーにより形成し
た。次に、圧延銅板を電解めっき用リードとして、電解
銅めっきによりビアを銅で充填し、銅ポスト(導体ポス
ト107)を形成した。次に、圧延銅板を電解めっき用
リードとして、電解めっきにより銅ポスト上にSn−P
b共晶半田層(接合用金属材料層108)を形成した。
次に、バーコートにより、上述の接着剤ワニスを、絶縁
層の表面、すなわちSn−Pb共晶半田が形成された面
に塗布後、80℃で20分乾燥し、10μm厚の接着剤
層(接着剤層109)を形成した。これまでの工程によ
り、ビルドアップ層(接続層110)を得た。一方、上
述の工程と同様に、電解ニッケル/金めっきにより圧延
銅板上にレジスト金属層(レジスト金属層118b)を
形成し、さらに電解銅めっきにより配線パターンを形成
し、ランド(被接合部112)を有する被接続層(被接
続層111)を得た。次に、上述の工程により得られた
ビルドアップ層と被接続層に予め形成されている位置決
めマークを、画像認識装置により読み取り、両者を位置
合わせし、100℃の温度で仮圧着した。これを、プレ
スにより220℃の温度で加熱加圧して、銅ポストが、
接着剤層を貫通してランドと半田接合し、接着剤層によ
り被接続層にビルドアップ層を接着した。次に、アンモ
ニア系エッチング液を用いて、ビルドアップ層の圧延銅
板をエッチングして除去し、さらに半田・ニッケル剥離
剤(三菱ガス化学製・Pewtax)を用いてニッケル
をエッチングして除去した。さらに、上述の工程を繰返
し、ビルドアップ層をもう1層積層した。ただし、最外
層(最外層117a、117b)を形成する際のレジス
ト金属層(レジスト金属層118a、118b)をニッ
ケル/金の2層構成とした。続いて、半導体チップを搭
載する側の圧延銅板をエッチングすることにより金属枠
(金属枠120a)を形成し、電解金めっきにより金皮
膜(めっき皮膜121a)を形成して、多層配線板(多
層配線板113a)の最外層にスティフナ(スティフナ
122a)を形成した。最後に、被接続層側の圧延銅板
をエッチングすることにより全面除去した後、ソルダー
レジスト(ソルダーレジスト115)を形成した。以上
の工程により、スティフナを有し、絶縁層が補強繊維未
充填の樹脂からなる多層配線板を得ることができた。
Example (Production Example of Multilayer Wiring Board) A surface-roughened rolled copper sheet having a thickness of 150 μm (metal layer 1)
01. Furukawa Electric Co., Ltd. EFTEC-64T) is roll-laminated with a dry film resist (AQ-2058 manufactured by Asahi Kasei), exposed and developed using a predetermined negative film, and a plating resist (plating required for forming the wiring pattern 104 A resist 102) was formed. Next, using a rolled copper plate as a lead for electrolytic plating, a resist metal layer (resist metal layer 103) made of nickel was formed by electrolytic plating, and a wiring pattern (wiring pattern 104) was further formed by electrolytic copper plating. Wiring pattern is line width /
Line spacing / thickness = 20 μm / 20 μm / 10 μm. Next, a resin-coated copper foil (APL manufactured by Sumitomo Bakelite) was formed by vacuum lamination while embedding irregularities in the wiring pattern, and the entire surface of the copper foil was etched to form a 25 μm thick insulating layer (insulating layer 105). Next, a via having a diameter of 50 μm (via 106) was formed by a UV-YAG laser. Next, using the rolled copper plate as a lead for electrolytic plating, the via was filled with copper by electrolytic copper plating to form a copper post (conductor post 107). Next, using a rolled copper plate as a lead for electrolytic plating, Sn-P was deposited on the copper posts by electrolytic plating.
A eutectic solder layer (bonding metal material layer 108) was formed.
Then, the above-mentioned adhesive varnish is applied to the surface of the insulating layer, that is, the surface on which the Sn-Pb eutectic solder is formed, by bar coating, and then dried at 80 ° C for 20 minutes to obtain a 10 μm thick adhesive layer ( The adhesive layer 109) was formed. The build-up layer (connection layer 110) was obtained by the steps so far. On the other hand, similarly to the above process, a resist metal layer (resist metal layer 118b) is formed on the rolled copper plate by electrolytic nickel / gold plating, and a wiring pattern is further formed by electrolytic copper plating, and a land (bonded portion 112) is formed. A layer to be connected (layer to be connected 111) was obtained. Next, the positioning marks formed in advance on the build-up layer and the layer to be connected, which were obtained in the above steps, were read by an image recognition device, the both were aligned, and temporary pressure bonding was performed at a temperature of 100 ° C. This is heated and pressed at a temperature of 220 ° C. by a press, and the copper posts are
The buildup layer was bonded to the layer to be connected by the adhesive layer by soldering to the land through the adhesive layer. Next, the rolled copper plate of the build-up layer was etched and removed using an ammonia-based etching solution, and the nickel was removed by etching using a solder / nickel release agent (Pewtax manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.). Further, the above steps were repeated to stack another buildup layer. However, the resist metal layers (resist metal layers 118a and 118b) used when forming the outermost layers (outermost layers 117a and 117b) had a two-layer structure of nickel / gold. Then, the rolled copper plate on which the semiconductor chip is mounted is etched to form a metal frame (metal frame 120a), and a gold film (plating film 121a) is formed by electrolytic gold plating to form a multilayer wiring board (multilayer wiring). A stiffener (stiffener 122a) was formed on the outermost layer of the plate 113a). Finally, the rolled copper plate on the layer to be connected side was etched to completely remove it, and then a solder resist (solder resist 115) was formed. Through the above steps, a multilayer wiring board having a stiffener and an insulating layer made of a resin not filled with reinforcing fibers could be obtained.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明により得られる多層配線板は、ス
ティフナを有するため、絶縁層が補強繊維未充填の樹脂
からなる場合でも、リジッド性を有するため、ハンドリ
ング性を確保することができ、さらには、絶縁特性を大
幅に向上させることができる。また、接地配線パターン
を金属枠に導通接続することにより、半導体デバイスの
放熱特性を大幅に向上することができ、さらには、半導
体デバイスからの不要輻射を防止することができ、高速
動作に対応できる多層配線板を製造することができる。
Since the multilayer wiring board obtained by the present invention has the stiffener, even if the insulating layer is made of the resin not filled with the reinforcing fiber, it has the rigid property and therefore the handling property can be secured. Can significantly improve the insulation characteristics. Further, by conductively connecting the ground wiring pattern to the metal frame, the heat dissipation characteristics of the semiconductor device can be greatly improved, and further, unnecessary radiation from the semiconductor device can be prevented and high speed operation can be supported. A multilayer wiring board can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の一例を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の一例を示す断面図である(図1の続き)。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention (sequel to FIG. 1).

【図3】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の一例を示す断面図である(図2の続き)。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention (sequel to FIG. 2).

【図4】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の一例を示す断面図である(図3の続き)。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention (sequel to FIG. 3).

【図5】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の他の一例を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing another example of the method for manufacturing the multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の実施形態による多層配線板を使用し
て製造した半導体デバイスの一例を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing an example of a semiconductor device manufactured using the multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101,101a,101b 金属層 102 めっきレジスト 103,118a,118b レジスト金属層 104 配線パターン 105 絶縁層 106 ビア 107 導体ポスト 108 接合用金属材料層 109 接着剤層 110 接続層 111 被接続層 112 被接合部 113a,113b 多層配線板 114a,114b パッド 115 ソルダーレジスト 117a,117b 最外層 120a,120b 金属枠 121a,121b めっき皮膜 122a,122b スティフナ 201 半導体デバイス 202 半導体チップ 203 バンプ 204 アンダーフィル 205 半田ボール 101, 101a, 101b Metal layer 102 plating resist 103, 118a, 118b Resist metal layer 104 wiring pattern 105 insulating layer 106 vias 107 Conductor post 108 Metal Material Layer for Bonding 109 adhesive layer 110 connection layer 111 Connected layer 112 Joined part 113a, 113b Multilayer wiring board 114a, 114b pads 115 Solder resist 117a, 117b Outermost layer 120a, 120b metal frame 121a, 121b plating film 122a, 122b stiffener 201 Semiconductor device 202 semiconductor chips 203 bump 204 underfill 205 solder ball

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H01L 23/12 N Fターム(参考) 5E338 AA03 AA16 BB03 BB19 BB63 BB72 CC01 CC04 CC06 CD11 EE02 EE13 EE26 5E346 AA01 AA11 AA12 AA15 AA43 AA60 BB02 BB03 BB04 BB06 CC08 CC32 CC54 DD03 DD24 EE31 FF14 FF35 FF36 GG15 GG17 GG22 GG28 HH01 HH11 HH17 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05K 3/46 H01L 23/12 NF term (reference) 5E338 AA03 AA16 BB03 BB19 BB63 BB72 CC01 CC04 CC06 CD11 EE02 EE13 EE26 5E346 AA01 AA11 AA12 AA15 AA43 AA60 BB02 BB03 BB04 BB06 CC08 CC32 CC54 DD03 DD24 EE31 FF14 FF35 FF36 GG15 GG17 GG22 GG28 HH01 HH11 HH17

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 最外層にスティフナを有する多層配線板
であって、スティフナが、最外層の配線パターン形成用
の給電層としての金属層を部分的にエッチングすること
により得られる金属枠と、金属枠表面の少なくとも一部
を覆うめっき被膜または樹脂被膜からなることを特徴と
する多層配線板。
1. A multi-layer wiring board having a stiffener as an outermost layer, wherein the stiffener has a metal frame obtained by partially etching a metal layer as a power feeding layer for forming an outermost wiring pattern, and a metal. A multilayer wiring board comprising a plating coating or a resin coating covering at least a part of the frame surface.
【請求項2】 多層配線板が、導体ポストにより層間接
続された請求項1記載の多層配線板。
2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the multilayer wiring boards are interconnected by conductor posts.
【請求項3】 多層配線板が、補強繊維未充填の樹脂か
らなる絶縁層を有する請求項1または2記載の多層配線
板。
3. The multilayer wiring board according to claim 1 or 2, wherein the multilayer wiring board has an insulating layer made of a resin not filled with reinforcing fibers.
【請求項4】 金属枠が、多層配線板の接地配線パター
ンに導通接続された請求項1〜3のいずれかに記載の多
層配線板。
4. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the metal frame is electrically connected to the ground wiring pattern of the multilayer wiring board.
【請求項5】 金属層を電解めっき用リードとして、配
線パターンを電解めっきにより形成する工程と、多層配
線板の最外層の配線パターン形成用の給電層としての金
属層を部分的にエッチングして除去することにより、多
層配線板の最外層上に金属枠を形成する工程と、前記金
属枠表面の少なくとも一部にめっき被膜または樹脂被膜
を形成する工程とを含んでなることを特徴とする多層配
線板の製造方法。
5. A step of forming a wiring pattern by electrolytic plating using the metal layer as a lead for electrolytic plating, and a step of partially etching the metal layer as a power supply layer for forming the outermost wiring pattern of the multilayer wiring board. By removing, a multilayer including a step of forming a metal frame on the outermost layer of the multilayer wiring board and a step of forming a plating film or a resin film on at least a part of the surface of the metal frame. Wiring board manufacturing method.
【請求項6】配線パターン上に絶縁層を形成する工程
と、配線パターンの一部が露出するように絶縁層にビア
を形成する工程と、金属層を電解めっき用リードとし
て、導体ポストを電解めっきにより形成する工程とを含
む請求項5記載の多層配線板の製造方法。
6. A step of forming an insulating layer on a wiring pattern, a step of forming a via in the insulating layer so that a part of the wiring pattern is exposed, an electroplating of a conductor post using a metal layer as a lead for electrolytic plating. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 5, further comprising the step of forming by plating.
【請求項7】接続層と被接続層とを接着剤層を介して接
着する工程と、導体ポストにより層間接続する工程とを
含む請求項5または6記載の多層配線板の製造方法。
7. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 5, further comprising a step of adhering the connection layer and the layer to be connected via an adhesive layer, and a step of connecting the layers by a conductor post.
【請求項8】 絶縁層が、補強繊維未充填の樹脂からな
る請求項6または7記載の多層配線板の製造方法。
8. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 6, wherein the insulating layer is made of a resin not filled with reinforcing fibers.
【請求項9】 金属枠が、多層配線板の接地配線パター
ンに導通接続される請求項5〜8のいずれかに記載の多
層配線板の製造方法。
9. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 5, wherein the metal frame is conductively connected to the ground wiring pattern of the multilayer wiring board.
【請求項10】 請求項5〜9のいずれかに記載の多層
配線板の製造方法により、得られることを特徴とする多
層配線板。
10. A multilayer wiring board obtained by the method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 5.
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Cited By (4)

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