JP2002025397A - 真空遮断器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 接点間に発生させる磁束を均一で平行度の高
いものとし、遮断性能を向上させた真空遮断器を提供す
る。 【解決手段】 真空容器と、ベローズと、通電軸と、対
向する一対の接点とを有する真空遮断器において、１０
〜６０重量％Ｃｒを含有し、Ｃｒ領域と、残部としての
Ｃｕ領域とで構成されるＣｕ−Ｃｒ合金で、接点を構成
し、Ｃｒ領域中に存在するＦｅ量と、Ｃｕ領域中に存在
するＦｅ量との合計量である総Ｆｅ量を、０．００２〜
０．５重量％とする。これにより、対向する一対の接点
空間の磁束は、接点面の特定領域に集中することがな
く、しかも平行でかつ接点表面に対してほぼ垂直なもの
となり、遮断性能が向上すると共に安定化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、遮断性能を向上さ
せた接点を有する真空バルブを備えた真空遮断器に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に真空遮断器には、遮断性能、耐電
圧性能、耐溶着性能が要求され、接点材料の役割が大き
い。しかし１つの接点材料でこれらの総ての機能を同時
に満たす事が出来ない。そこで一部の機能を犠牲にして
対応している製品が多い。

【０００３】一般に真空遮断器は、図７（ａ）に示す如
く絶縁容器１０１の両端開口部を蓋体１０２ａ、１０２
ｂにより閉塞した真空容器１０３内に、一対の接点１０
４、１０５を対向させて設けると共に、これらを、蓋体
１０２ａ、１０２ｂを貫通させて真空容器１０３内に挿
入された通電軸１０６、１０７の端部にそれぞれ装着
し、その一方の通電軸１０７を図示しない操作機構によ
り軸方向に移動可能として、一方の接点（以下固定接
点）１０４に対して、他方の接点（以下可動接点）１０
５を接触または開離出来るようにしてある。この場合、
蓋体１０２ｂと通電軸１０７との間には、真空容器１０
３内を真空気密に保持しかつ導電棒１０７の軸方向への
移動を可能とするベローズ１０８が設けられる。なお図
中１０９は、前記各接点１０４、１０５および導電棒１
０６，１０７を包囲する如く設けられたアークシールド
である。

【０００４】上記真空遮断器は、通常両接点１０４、１
０５が接触し通電状態となる。この状態からの動作によ
り通電軸１０７が図中矢印Ｍ方向に移動すると、可動接
点１０５が固定接点１０４から開離し、両接点１０４、
１０５間にはアークが発生する。このアークは陰極例え
ば可動接点１０５側からの金属蒸気の発生により維持さ
れ、電流がゼロ点（零点）に達すると金属蒸気の発生が
止まってアークが維持できなくなり、遮断が完了する。

【０００５】ところで、上記両接点１０４、１０５間に
発生するアークは、遮断電流が大きいとアーク自身によ
り生じた磁場と外部回路の作る磁場との相互作用により
著しく不安定な状態となる。その結果アークは接点面上
を移動し（接点が電極に取り付けられ一体化している時
には、アークは電極面上にも移動している場合もあ
る）、接点の端部或いは周辺部に片寄り、その部分を局
部的に過熱し、多量の金属蒸気を放出させて、真空容器
１０３内の真空度を低下させる。その結果、真空遮断器
の遮断性能は低下する。これらは金属組織などで代表さ
れる接点の状態に依存する事が多い。

【０００６】図７（ｂ）は、一対の接点４１、５１を対
向させて設けると共に、接点４１の背面にはコイル電極
４０、接点５１の背面にはコイル電極５０をそれぞれ装
着した真空バルブである。なお、図７（ｂ）において、
図７（ａ）と同一の部分または対応する部分は、同符号
で示してある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記のように真空遮断
器では、アーク片寄りが発生することがあり、接点（電
極）を局部的に溶融し、蒸気の発生が大きくなり、遮断
不能となる恐れがあった。

【０００８】また、接点の全面積で電流を均一に分担す
ることは不可能である為、上記のように遮断不能となる
恐れがあつた。

【０００９】更に、遮断性能を向上させる施策の１つと
して、接点の背面にコイル電極を配置しこれに電流Ｉを
流すと、両接点間には接点面に対して垂直方向に磁界が
発生する。この磁界により遮断時において両接点間に点
弧するアークは拘束される。

【００１０】このようにして、アーク分布は両接点間の
磁力線と同様になるが、この分布は必ずしも均一でな
く、平行でない上、特に各接点の端部近傍に於いては、
接点面に対して垂直に点弧しないばかりか、アークが接
触子空間から外部にはみ出す現象が発生し、予定する遮
断性能が得られない恐れがあった。

【００１１】この様に、これまでに接点やこれを搭載し
た電極構造の様々な改善が行われているが、或るものは
遮断性能が十分でなかったり、他のものはコスト高であ
ったりした。

【００１２】本発明の目的は、接点間に発生させる磁束
を均一で平行度の高いものとし、遮断性能の向上を図る
上で有利な真空遮断器を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決する為の手段】上記目的を達成する為に請
求項１に記載の本発明は、真空容器と、ベローズと、通
電軸と、対向する一対の接点とを有する真空遮断器にお
いて、接点は、１０〜６０重量％Ｃｒを含有し、Ｃｒ領
域と、残部としてのＣｕ領域とで構成されるＣｕ−Ｃｒ
合金から成り、Ｃｒ領域中に存在するＦｅ量と、Ｃｕ領
域中に存在するＦｅ量との合計量である総Ｆｅ量が、
０．００２〜０．５重量％であることを特徴とする真空
遮断器である。

【００１４】すなわち、接点として、総Ｆｅ量（Ｆｅ
_(Cu+Cr)）が０．００２〜０．５重量％からなる１０〜
６０重量％Ｃｒ−Ｃｕの接点を配置すると、対向する一
対の接点空間の磁束は、接点面の特定領域に集中するこ
とがなく、しかも平行でかつ接点表面に対してほぼ垂直
なものとなり、遮断性能が向上すると共に安定化する。

【００１５】請求項２に記載の本発明は、Ｃｕ領域中に
占めるＦｅ量が、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の総Ｆｅ量に対し
て、０．０１〜２０重量％であることを特徴とする請求
項１に記載の真空遮断器である。

【００１６】すなわち、総Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）に対
するＣｕ領域中に占めるＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）が０．０１
％未満では、接点空間の磁束分布の均一性に欠ける為、
遮断特性の向上への効果が少なく、また２０％を越える
とＣｕ−Ｃｒ合金全体の導電率が低下しやはり遮断特性
の低下が見られる。

【００１７】請求項３に記載の本発明は、Ｃｕ領域中に
分散しているＦｅが、０．０１〜５μｍの間隙を持って
ほぼ均一に分散したことを特徴とする請求項１に記載の
真空遮断器である。

【００１８】すなわち、Ｃｕ領域中に分散しているＦｅ
（Ｆｅ_(Cu)）の間隙を０．０１μｍ未満としても、０．
０１μｍ未満に均一にする製造コストの大幅な上昇にも
かかわらず、遮断特性の向上への格別の効果は示さな
い。また５μｍを越えると接点空間の磁束分布の均一性
に欠ける為、遮断特性の低下が見られる。

【００１９】請求項４に記載の本発明は、Ｃｕ領域中の
Ｆｅは、５μｍよりも大きな粒子直径を持つＦｅが存在
しない程度にほぼ均一に分散したことを特徴とする請求
項１に記載の真空遮断器である。

【００２０】すなわち、Ｃｕ領域中のＦｅ（Ｆｅ_(Cu)）
が５μｍよりも大きな粒子直径となると、接点空間の磁
束分布の均一性が乱れ、安定した遮断特性が得られな
い。

【００２１】請求項５に記載の本発明は、Ｃｒ領域中の
Ｆｅが、０．０１〜１５μｍの間隙を持ってほぼ均一に
分散したことを特徴とする請求項１に記載の真空遮断器
である。

【００２２】すなわち、Ｃｒ領域中のＦｅ（Ｆｅ_(Cr)）
の間隙を０．０１μｍ未満としても、０．０１μｍ以上
と比較して、製造コストの増加の割りには遮断特性の向
上効果が少ない。また１５μｍを越えると接点空間の磁
束分布の均一性に欠ける為遮断特性の低下が見られる。

【００２３】請求項６に記載の本発明は、接点が、少な
くとも２０％ＩＡＣＳの導電率を持つ合金であることを
特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の真
空遮断器である。

【００２４】すなわち、接点の導電率が２０％ＩＡＣＳ
未満では、接触抵抗、回路抵抗、温度上昇の増加を招き
遮断電流値の低下、定格開閉電流値の低下を来す。

【００２５】請求項７に記載の本発明は、対向する一対
の接点の面とその接点間の空間に作用させる磁界を発生
させる手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至請求
項６のいずれかに記載の真空遮断器である。

【００２６】すなわち、接点面とその接点間空間に作用
させる磁界を発生させる手段と上記構成の接点とを組み
合わせて配置することによって、遮断特性の向上に対し
て相乗的効果を発揮する。

【００２７】請求項８に記載の本発明は、接点が、平板
型接点であることを特徴とする請求項１乃至請求項６の
いずれかに記載の真空遮断器である。

【００２８】すなわち、上記構成の接点を平板型接点と
することによって、遮断特性の向上に対して効果を発揮
する。

【００２９】請求項９に記載の本発明は、通電軸が、少
なくとも７０％ＩＡＣＳの導電率を持つものであること
を特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の
真空遮断器である。

【００３０】すなわち、通電軸の導電率が７０％ＩＡＣ
Ｓ未満では、回路抵抗を増加させ温度上昇の増加を招
き、遮断電流値の低下、定格開閉電流値の低下を来す。

【００３１】請求項１０に記載の本発明は、接点の背面
にコイル電極を備え、このコイル電極が少なくとも７０
％ＩＡＣＳの導電率を持つものであることを特徴とする
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の真空遮断器で
ある。

【００３２】すなわち、接点の背面に設けたコイル電極
の導電率が７０％ＩＡＣＳ未満では、回路抵抗、温度上
昇の増加を招き、遮断電流値の低下、定格開閉電流値の
低下を来す。

【００３３】請求項１１に記載の本発明は、接点中のＦ
ｅの一部または総てをＣｏまたはＮｉで置換したことを
特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の真
空遮断器である。

【００３４】すなわち、Ｃｏ、Ｎｉであっても接点空間
の磁束は、接点面の特定領域に集中することがなく、し
かも平行でかつ接点表面に対してほぼ垂直なものとな
り、Ｆｅと同様に遮断性能が向上すると共に安定化す
る。

【００３５】請求項１２に記載の本発明は、真空容器
と、ベローズと、通電軸と対向する一対の接点と、電極
とを有する真空遮断器において、接点は、１０〜６０重
量％Ｃｒを含有し、Ｃｒ領域と、残部としてのＣｕ領域
とで構成されるＣｕ−Ｃｒ合金から成り、Ｃｒ領域中に
存在するＦｅ量と、Ｃｕ領域中に存在するＦｅ量との合
計量である総Ｆｅ量が、０．００２〜０．５重量％であ
り、Ｃｕ領域中に占めるＦｅ量は、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の
総Ｆｅ量に対して、０．０１〜２０重量％を占め、Ｃｕ
領域中のＦｅは、０．０１〜５μｍの間隙を持って、か
つ５μｍよりも大きな粒子直径を持たない程度にほぼ均
一に分散し、Ｃｒ領域中のＦｅは、０．０１〜１５μｍ
の間隙を持ってほぼ均一に分散し、電極は、電流開閉時
に接点間に発生するアークと平行な磁界を発生し、通電
軸は、少なくとも７０％ＩＡＣＳの導電率を持つことを
特徴とする真空遮断器である。

【００３６】すなわち、このような構成とすることによ
り、遮断特性の向上に対して相乗的効果を発揮する。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。

【００３８】所定のＣｕ−Ｃｒ接点を搭載した真空遮断
器について、遮断試験を行っていると、制御し得る条件
を一定としても遮断特性が大幅に変動する（遮断特性が
ばらつく）場合が見られた。遮断試験後の接点表面の損
傷を複数個の真空バルブについて観察すると、遮断後の
接点面はいずれも大幅に異なる損傷形態を示している事
が判った。この現象は特に接点面および接点空間での磁
束分布の不揃いが一因と考えられる。すなわちこの磁束
分布の不揃いが、遮断電流値のバラツキや遮断後の接点
面の損傷状態の差異として影響を与えていると考えられ
る。

【００３９】ところでＣｕ−Ｃｒ接点では、接点製造技
術に起因したＣｒ粒子の大きさや形状の不揃い（粒度分
布）、Ｃｒ粒子の凝集（偏析）、Ｃｕ相の大きさや形状
の不揃い（結晶粒度）、Ｃｕ相中、結晶粒界あるいはＣ
ｒ粒子とＣｕ相との境界に存在する空隙の量、空隙の大
きさや空隙の分布状況などが異なると共にその存在が避
けられず、材料的ミクロ欠陥として存在する。従って、
接点の内部およびその表面層には、無数の欠陥が存在す
る為、金属組織的な均一性は得られていない。その結
果、この材料的ミクロ欠陥の存在が接点表面および接点
空間での磁束の均一性に撹乱を与え、遮断特性の安定性
とその向上に対して障害となっている。

【００４０】しかし、上記した幾つかの材料的ミクロ欠
陥を排除する事による上記磁束分布の不揃いの抑制は、
経済性を考慮した製造技術では困難である。

【００４１】そこで本発明では、Ｃｕ−Ｃｒ合金のＣｒ
領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cr)）と、Ｃｕ領域中に
存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）とを最適化することによっ
て、接点表面および接点空間での磁束の分布の均一性を
得て、上記磁束分布の不揃いの解決に対して有益である
事を見出だし、その結果アーク集中による局部的な溶
融、過度の金属蒸気の放出を抑制し、遮断特性に対して
好結果を与えた。

【００４２】これに対して、Ｃｒ領域中に存在するＦｅ
量（Ｆｅ_(Cr)）とＣｕ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ
_(Cu)）とが最適化されていない時には、アークは遮断す
る電流値が大きくなると、アーク自身によって生じた磁
場と外部回路によって生じる磁場との相互作用によっ
て、著しく不安定な状態となる。この為アークは接点面
を移動し接点の端部あるいは周辺部に片寄りその部分を
過熱し、多量のＣｕ、Ｃｒ蒸気を放出させて、真空バル
ブの真空度を低下させたり、多量の熱電子を放出させ
て、遮断の限界電流値を低下させたりする。

【００４３】なお、従来遮断の限界電流値を向上させる
手段として、接点面を有効に使用する技術、すなわち遮
断に関与する実質面積を大きくして電流密度を低下させ
る技術がある。電流密度を低下させれば接点表面の損傷
も軽減され、遮断特性、耐電圧特性の向上に有益とな
る。

【００４４】しかしこの場合でも、やはり前述同様にア
ークが接点の端部あるいは周辺部に片寄る為、接点を局
部的に融解し蒸気の発生が大となり、遮断不能を示す場
合が見受けられる。

【００４５】Ｃｕ−Ｃｒ合金のＣｒ領域中に存在するＦ
ｅ量（Ｆｅ_(Cr)）とＣｕ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ
_(Cu)）とを最適化することによって、接点表面および接
点空間での磁束の分布の均一性を得て、磁束は平行でし
かも部材に対して垂直なものとなり、遮断性能が向上す
る。本発明はこの原理を応用したものである。

【００４６】遮断動作の繰り返しの経過と共に、遮断特
性にはバラツキを生ずる現象が見られている。発明者ら
は遮断特性にバラツキを生じた場合の真空バルブに搭載
されていた接点を調査したところ、接点表面および内部
には、局部的ではあるが金属組織上のバラツキが見られ
た。特に遮断特性が劣る真空バルブの接点には、金属組
織的な不均一さが観察されている。ここで重要なのは、
この金属組織的な不均一さが、遮断特性を左右している
事実である。この金属組織的な不均一部分が磁界分布の
均一性を乱し、遮断時のアークはこの部分に停滞する傾
向を示し、遮断特性の経時劣化（遮断や開閉動作の繰り
返しによる遮断特性の低下やバラツキ）となったもので
ある。

【００４７】この様に、接点表面および内部の金属組織
的な不均一部分の存在こそ、接点面や接点間の磁束分布
の均一性を乱すものであり、遮断特性の安定性に対して
好ましくない事が判った。従って、接点表面および内部
の金属組織を均一な状態、すなわちＣｕ−Ｃｒ合金のＣ
ｒ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cr)）とＣｕ領域中に
存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）とを最適化した状態とする
事が好ましい。

【００４８】また、アークと平行な磁界を印加する電極
の存在によって、接点中のＦｅの僅かな分散状態の差異
による接点面上でのアークのミクロ的な片寄りを平均化
する効果を示す結果、遮断特性の向上に対して相乗的効
果を発揮する。

【００４９】すなわち、接点はＣｒ領域と残部としての
Ｃｕ領域とで構成される１０〜６０重量％Ｃｒを含有し
たＣｕ−Ｃｒ合金であり、接点中の総Ｆｅ量（Ｆｅ
_(Cu+Cr)）、すなわち前記Ｃｒ領域中に存在するＦｅ量
（Ｆｅ_(Cr)）と前記Ｃｕ領域中に前記Ｃｕ領域中に存在
するＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）との合計を、０．００２〜０．
５重量％とし、前記Ｃｕ領域中に占めるＦｅ量（Ｆｅ
_(Cu)）は、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中の総Ｆｅ量（Ｆｅ
_(Cu+Cr)）に対して、０．０１〜２０重量％とし、０．
０１〜５μｍの間隙を持ってかつ５μｍよりも大きな粒
子直径を持たない程度にほぼ均一に分散し、前記Ｃｒ領
域中に分散しているＦｅ（Ｆｅ_(Cr)）は、前記Ｃｕ−Ｃ
ｒ接点中に０．０１〜１５μｍの間隙を持ってほぼ均一
に分散した事を特徴とする接点部材と、少なくとも７０
％ＩＡＣＳの導電率を持つ事を特徴とする通電軸部材
と、接点自身で電極を構成した平板型接点、スパイラル
型電極、縦磁界型電極、自発拡散型電極、コントレート
型電極のいずれかから選択した電極部材とからなる各部
材を備えて真空遮断器とする事によって、安定した遮断
特性を発揮する。

【００５０】以下実施例と比較例とを対比させながら本
発明の効果を明らかにする。以下に評価条件を図１〜図
２に、評価結果を図３〜図６に示す。

【００５１】（１）遮断特性 着脱式の遮断テスト用真空遮断装置に所定接点を装着
し、接点表面のベーキング、電流、電圧エージング、開
極速度条件を一定同一とした後、６〜１２台の遮断器に
ついて５０Ｈｚ、７．２ｋＶ、１５ｋＡの回路を１０〜
１０００回遮断させた時の再点弧の発生状況と遮断電流
値の範囲を評価した。必要とした一部の接点に対して
は、２０〜２５ｋＡを遮断させた。

【００５２】なお評価は，接点のみ装着した着脱式真空
遮断装置、接点と密着する様に電極も装着した着脱式真
空遮断装置を使用した。

【００５３】（２）アーク拡がりの状況 各接点を着脱式の真空遮断装置に装着し、接点電極表面
のべーキング、電流、電圧エージング、開極速度条件を
一定同一とした後、７．２ｋＶ、５０Ｈｚで１２ｋＡを
１０回遮断させた後の電極表面の被アーク部分の面積を
測定した。

【００５４】被アーク部分が接点面のほぼ全面を覆いか
つ接点表面の凹凸も少なくほぼ平滑である時を（評価Ａ
Ａ）、比較例２の被アーク部分の拡がりの面積を１００
％とした時、拡がりの面積が１５０％以上を示した場合
を（評価Ａ）とし、８０〜１５０％の範囲の場合を（評
価Ｂ）とした。被アーク部分が接点面の５０〜８０％以
下の場合を（評価Ｘ）、５０％以下の場合を（評価
Ｙ）、被アーク部分が接点面の１〜数か所以下に集中し
接点表面は顕著な凹凸を示した場合を（評価Ｚ）、被ア
ーク部分が接点面の１〜２か所以下に集中し接点表面は
顕著な凹凸を示し、かつ１０％以上の再点弧の発生を伴
った場合を（評価ＺＺ）とした。判定は、評価ＡＡ、
Ａ、Ｂ、Ｃを合格、評価Ｘ、Ｙ、Ｚ、ＺＺを不合格の目
安とした。

【００５５】（３）耐電圧特性 各接点素材で直径３０ｍｍの円盤を製作しこれを陽極側
接点とし、先端に５０Ｒの曲率半径を持つＮｉ製の針電
極を陰極側接点とし、両接点を対向させ前記針電極を直
径３０ｍｍの前記円盤上を微少移動させ、その都度１〜
１０ｋＶずつ昇電圧させスパークを発生した時の静耐圧
値の接点円盤上での分布を測定し、そのバラツキ幅（最
大値〜最小値）を比較した。

【００５６】静耐圧値が比較例２よりも大でかつ静耐圧
値の幅（最大値〜最小値）が２０％以内の場合を耐電圧
特性評価の（評価Ａ）、２０〜５０％を（評価Ｂ）、５
０％以上を（評価Ｃ）とした。

【００５７】静耐圧値が比較例２と同程度またはそれ以
下で、かつ静耐圧値の幅（最大値〜最小値）が２０％以
内の場合を（評価Ｘ）、２０〜５０％を（評価Ｙ）、５
０％以上を（評価Ｚ）とした。

【００５８】（４）その他 供試接点中の前記Ｃｒ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ
_(Cr)）と、前記Ｃｕ領域中に存在するＦｅ量（Ｆ
ｅ_(Cu)）の評価は、供試接点をＣｒ領域とＣｕ領域とに
分別した後、各々中のＦｅ量を化学分析によって確認し
た。

【００５９】また、前記Ｃｒ領域中に存在するＦｅ量
（Ｆｅ_(Cr)）と、前記Ｃｕ領域中に存在するＦｅ量（Ｆ
ｅ_(Cu)）の分布の状況は、Ｘ線微少分析装置による面分
析法によって行った。

【００６０】（実施例１〜３、比較例１〜２）接点中の
Ｃｒ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cr)）と、Ｃｕ領域
中に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）との合計Ｆｅ量（Ｆｅ
_(Cu+Cr)）を、０．００１重量％以下（比較例１）、お
よび０．００２〜２．０重量％（実施例１〜３、比較例
１）含有したＣｕ−２５％Ｃｒ（重量％）を供試接点と
して、選択した。

【００６１】＜アークの拡がり性＞７．２ｋＶ、５０Ｈ
ｚで１２ｋＡを１０回遮断させた後の電極表面の被アー
ク部分の面積を比較する事によって、接点中の合計Ｆｅ
量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）がアークの拡がり性に及ぼす効果を
調査した。接点面でのアークの拡がり性が良い接点は、
遮断性能の向上に対して有益である。

【００６２】接点中の合計Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）を
０．００２重量％（実施例１）とした接点のアークの拡
がり性評価は（評価Ａ）、０．０８重量％（実施例２）
とした接点では（評価ＡＡ）、０．５重量％（実施例
３）とした接点では（評価ＡＡ）を示した。所定量のＦ
ｅが存在する結果、アークは接点面上に偏る事なく広く
分散させるのに有益な作用を示した。

【００６３】これに対して、接点中の合計Ｆｅ量（Ｆｅ
_(Cu+Cr)）を０．００１重量％以下（比較例１）とした
接点では、合計Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）の不足によって
Ｆｅによるアークの拡がり状況は十分でなく、（評価
Ｂ）〜（評価Ｙ）にバラツキを示し好ましくない。

【００６４】更に、接点中の合計Ｆｅ量（Ｆ
ｅ_(Cu+Cr)）を２．０重量％（比較例２）とした接点で
は、Ｆｅの分布に偏析が見られ磁束分布に偏りが現れ、
再点弧が多発し、（評価ＺＺ）を示し好ましくない。

【００６５】＜遮断特性＞接点中の合計Ｆｅ量（Ｆｅ
_(Cu+Cr)）と遮断特性との関係を調査した。すなわち接
点中の合計Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）を０．００２〜０．
５重量％（実施例１〜３）とした接点を搭載した真空遮
断器に対して、１５ｋＡを遮断した場合、接点面および
接点間の磁界の強さが、合計Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）が
０．００１重量％以下（比較例１）の接点よりも、５〜
５０％程度向上すると共にその分布も偏る事なく均一な
分布となる（接点面の例えば外周部など特定部分の磁束
密度を特に制御する様に設計した電極構造を搭載した真
空遮断器では、この部分を除いた部分に於いて）。

【００６６】その結果、５０Ｈｚ、７．２ｋＶ、１５ｋ
Ａを１０００回遮断させた時の再点弧発生状況を判断基
準とした遮断特性では、接点中の合計Ｆｅ量（Ｆｅ
_(Cu+Cr)）を０．００２重量％（実施例１）とした接点
では（評価Ｂ）、０．０８重量％（実施例２）とした接
点では（評価ＡＡ）、０．５重量％（実施例３）とした
接点では（評価Ａ〜Ｂ）を示した。接点面および接点中
に所定量のＦｅが存在する効果、および偏析する事なく
分布している事による効果である。

【００６７】これに対して、合計Ｆｅ量（Ｆ
ｅ_(Cu+Cr)）を０．００１重量％以下（比較例１）とし
た接点では、合計Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）の不足によっ
て接点間の磁束分布を均一化する効果が十分には得られ
ず、再点弧発生状況が（評価Ｘ）を示し好ましくない。

【００６８】更に、接点中の合計Ｆｅ量（Ｆ
ｅ_(Cu+Cr)）を２．０重量％（比較例２）とした接点で
は、接点中でのＦｅの分布に偏りを示す部分が生ずる場
合があり、このＦｅの分布の偏りに対応して、接点面お
よび接点間の磁束分布は偏りを示し、均一化した磁束分
布を得る妨げとなる。その結果、再点弧発生状況が（評
価Ｂ〜Ｘ）を示し好ましくない。

【００６９】＜耐電圧性＞接点中の合計Ｆｅ量（Ｆｅ
_(Cu+Cr)）を０．００２〜０．５重量％としたＣｕ−２
５％Ｃｒで製作した直径３０ｍｍの円板状の接点（陽極
側接点）と、Ｎｉ製の針状の接点（陰極側接点）とを対
向させた後、昇電圧させスパークを発生した時の静耐圧
値を評価した。

【００７０】接点中の合計Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）を
０．００２重量％（実施例１）とした接点の静耐圧値は
（評価Ａ）、０．０８重量％（実施例２）とした接点で
は（評価Ａ）、０．５重量％（実施例３）とした接点で
は（評価Ａ）〜（評価Ｂ）を示し良好であった。

【００７１】また、接点中の合計Ｆｅ量（Ｆ
ｅ_(Cu+Cr)）を０．００１重量％以下（比較例１）とし
た接点では、（評価Ａ）を示した。

【００７２】これに対して、接点中の合計Ｆｅ量（Ｆｅ
（ｃｕ＋ｃｒ））を２．０重量％（比較例２）とした接
点では、Ｆｅの分布に偏析が見られその結果磁束分布に
偏りが現れ、再点弧が多発しく評価Ｚ）を示し好ましく
なかつた。

【００７３】（実施例４〜７、比較例３〜４）前記実施
例１〜３、比較例１〜２では合金中の合計Ｆｅ量（Ｆｅ
_(Cu+Cr)）中に占めるＣｕ領域中の（Ｆｅ_(Cu)）を３〜
１０重量％と一定にしたときの、遮断特性、耐電圧特性
に及ぼす合金中の合計Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）を最適化
した。

【００７４】しかし本発明でのＣｕ領域中の（Ｆ
ｅ_(Cu)）は、上記３〜１０重量％に限ることなくその効
果を発揮する。すなわちＣｕ領域中の（Ｆｅ_(Cu)）が
０．０１〜２０重量％（実施例４〜７）の場合には、Ｆ
ｅはＣｕ領域中に凝集する事なく分布する結果、安定し
た磁束分布を得て、安定したアークの拡がり性を発揮し
遮断特性の判定が（評価Ｂ）〜（評価Ａ）を示し好まし
い値であつた。所定量のＦｅがＣｕ領域中に存在する結
果、アークを接点面上の局所に偏ることなく広く分散さ
せるのに有益な作用を示した。

【００７５】これに対して、接点中のＣｕ領域中のＦｅ
量（Ｆｅ_(Cu)）を０．００５重量％以下とする接点の製
造は、高価となり供給性の観点から除外した（比較例
３）。

【００７６】更に、接点中のＣｕ領域中のＦｅ量（Ｆｅ
_(Cu)）を４５％（比較例４）とした接点では、Ｆｅの分
布をＣｒ領域中とＣｕ領域中とで比較すると後者のＣｕ
領域中に偏り、その結果磁束分布にも偏りが現われ、接
点面全面へのアークの拡がり状況は十分でなく（評価
Ｂ）〜（評価Ｙ）を示し、静耐圧値は（評価Ａ）であつ
たにもかかわらず再点弧が不安定に発生した。

【００７７】以上のようにＣｕ領域中のＦｅ量（Ｆｅ
_(Cu)）を０．０１〜２０重量％(実施例４〜７)とした時
には、アークの拡がり性が（評価Ｂ）〜（評価Ａ）と安
定していた事により、接点表面のアーク損傷の程度が軽
く微量であり遮断特性、耐電圧特性に優れた効果が発揮
したものと考えられる。ＦｅはＣｒ領域中とＣｕ領域中
のいずれにも偏る事なく両者中に所定量が存在する事が
重要であり、その上でＣｕ領域中のＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）
がある一定値必要である事を示唆している。

【００７８】（実施例８〜９、比較例５）前記実施例１
〜７、比較例１〜４では，合金中のＣｕ領域中に存在す
るＦｅ（Ｆｅ_(Cu)）の粒子直径を０．１〜０．５μｍで
一定とした時の、遮断特性、耐電圧特性に及ぼす効果を
示した。

【００７９】しかし本発明でのＣｕ領域中に存在するＦ
ｅ（Ｆｅ_(Cu)）の粒子直径は、上記０．１〜０．５μｍ
に限ることなくその効果を発揮する。

【００８０】すなわちＣｕ領域中に存在する（Ｆ
ｅ_(Cu)）の粒子直径が、０．０１〜５μｍ（実施例８〜
９）の場合には、Ｃｒ領域中とＣｕ領域中のいずれにも
集中することのない磁束分布が得られ、アーク拡がり性
が（評価ＡＡ）〜（評価Ａ〜Ｂ）を発揮し、遮断特性の
判定が（評価Ａ）、（評価Ｂ）を示し好ましい値であつ
た。

【００８１】これに対して、Ｃｕ領域中に存在するＦｅ
（Ｆｅ_(Cu)）の粒子直径を１０〜５０μｍ（比較例５）
とした接点では、アークがＣｒ領域中とＣｕ領域との境
界に集中するなどでアークの拡がり状況が十分でなくな
り、アークの拡がり性の評価は（評価Ｂ）〜（評価Ｚ
Ｚ）に大きくバラツキを示し好ましくない。その結果、
遮断特性は（評価Ｙ）〜（評価Ｚ）、耐電圧特性も顕著
なバラツキを示し（評価Ｙ）〜（評価Ｚ）であった。

【００８２】（実施例１０〜１３、比較例６〜７）前記
実施例１〜１２、比較例１〜５では合金中のＣｒ領域中
に存在するＦｅ（Ｆｅ_(Cr)）の平均間隔を３〜５μｍで
一定にした時の、遮断特性、耐電圧特性を示した。

【００８３】しかし本発明でのＣｒ領域中に存在するＦ
ｅ（Ｆｅ_(Cr)）の平均間隔は、上記３〜５μｍの場合に
限る事なくその効果を発揮する。

【００８４】すなわちＣｒ領域中に存在するＦｅ（Ｆｅ
_(Cr)）の平均間隔が、０．０１〜０．１μｍ（実施例１
０）、０．１〜０．５μｍ（実施例１１）、１〜３μｍ
（実施例１２）、８〜１５μｍ（実施例１３）の場合で
も、Ｃｒ領域中とＣｕ領域中のいずれにも集中すること
のない磁束分布が得られ、安定したアークの拡がり性を
発揮し、その結果遮断特性の判定が（評価Ａ）〜（評価
Ｂ）、耐電圧特性の判定も（評価Ａ）〜（評価Ｂ）を示
し安定した値であった。

【００８５】これに対して、Ｃｒ領域中に存在するＦｅ
（Ｆｅ_(Cr)）の平均間隔を０．０１μｍ以下（比較例
６）とした接点では、アークはＣｒ領域中とＣｕ領域と
の境界に集中する事なくアークの拡がり状況は十分であ
り、アークの拡がり性の評価は（評価Ａ）を示している
が、Ｃｕ領域中に占めるＦｅ（Ｆｅ_(Cu)）を総Ｆｅ量
（Ｆｅ_(Cu+Cr)）の０．０１〜２０重量％とした上でＣ
ｒ領域中に存在するＦｅ（Ｆｅ_(Cr)）の平均間隔を０．
０１μｍ以下とするのは、経済的に供給する観点で不利
の為、本発明では除外した。

【００８６】更に、Ｃｒ領域中に存在するＦｅ（Ｆｅ
_(Cr)）の平均間隔を３０μｍ以上（比較例７）とした接
点では、Ｃｒ領域中とＣｕ領域中でのＦｅ量の分布にバ
ランスを欠き、その結果磁束分布にも偏りが現れ、接点
面全面へのアークの拡がり状況は十分でなく、その結果
アークの拡がり性の評価は（評価Ｙ）〜（評価ＺＺ）と
大幅に低下すると共に大きくバラツキを示し好ましくな
い。その結果、遮断特性の評価は（評価Ｚ）、耐電圧特
性も顕著なバラツキを示し（評価Ｘ）〜（評価Ｚ）であ
った。

【００８７】以上の様にＣｒ領域中に存在するＦｅ（Ｆ
ｅ（ｃｒ））の平均間隔を０．０１〜１５μｍ（実施例
１０〜１３）とした時には、Ｃｒ領域中とＣｕ領域中の
いずれにも集中することのない磁束分布が得られ、アー
ク拡がり性が（評価Ａ）〜（評価Ｂ）と安定していた事
により、接点表面のアーク損傷の程度が軽く微量であり
遮断特性、耐電圧特性に優れた効果が発揮したものと考
えられる。

【００８８】（実施例１４〜１６、比較例８）前記実施
例１〜１３、比較例１〜７では、４０％ＩＡＣＳ（Ｃｕ
が１００％ＩＡＣＳ）の導電率を持つ供試合金を選出し
一定とした時の、遮断特性、耐電圧特性を示した。

【００８９】しかし本発明での接点の導電率は、上記４
０％ＩＡＣＳの場合に限る事なくその効果を発揮する。

【００９０】すなわち接点の導電率が、９０％ＩＡＣＳ
（実施例１４）、７０％ＩＡＣＳ（実施例１５）、２０
％ＩＡＣＳ（実施例１６）の場合でも、接点中のＣｒ
領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cr)）とＣｕ領域中に存
在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）との合計Ｆｅ量（Ｆｅ
_(Cu+Cr)）、接点中の合計Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）中に
占めるＣｕ領域中のＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）、Ｃｕ領域中
に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）の直径、Ｃｒ領域中に
存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cr)）の平均間隔を前記所定の条
件内に制御する事によって、遮断特性の判定が（評価
Ａ）〜（評価Ｂ）、耐電圧特性の判定も（評価Ａ）〜
（評価Ｂ）を示し安定した値であった。

【００９１】これに対して、接点の導電率を１０％ＩＡ
ＣＳとした接点（比較例８）では、遮断テスト中に高い
温度上昇が見られると共に遮断テスト後の接触抵抗値も
大きくかつ大幅にバラツキを示し好ましくない。その結
果、耐電圧特性の判定は（評価Ａ）〜（評価Ｂ）を示し
安定した値であったが、遮断特性の判定が（評価Ｚ）を
示し好ましくなかった。

【００９２】従って、本発明の技術を適応する接点合金
の導電率は、２０％ＩＡＣＳ以上が好ましい。

【００９３】（実施例１７〜１８、比較例９）前記実施
例１〜１６、比較例８では，９０％ＩＡＣＳ（Ｃｕが１
００％ＩＡＣＳ）の導電率を持つ電極に前記接点を搭載
して、遮断特性、耐電圧特性を示した。

【００９４】しかし本発明での電極の導電率は、上記９
０％ＩＡＣＳの場合に限る事なくその効果を発揮する。

【００９５】すなわち電極の導電率が、１００％ＩＡＣ
Ｓ（実施例１７）、７０％ＩＡＣＳ（実施例１８）の場
合でも、接点中のＣｒ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ
_(Cr)）とＣｕ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）との
合計Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）、接点中の合計Ｆｅ量
（Ｆｅ_(Cu+Cr)）中に占めるＣｕ領域中のＦｅ量（Ｆｅ_(
Cu)）、Ｃｕ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）の
直径、Ｃｒ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cr)）の平
均間隔を前記所定の条件内に制御する事によって、遮断
特性の判定が（評価Ｂ）、耐電圧特性の判定も（評価
Ａ）〜（評価Ｂ）示し安定した値であった。

【００９６】これに対して、電極の導電率を５０％ＩＡ
ＣＳとした場合（比較例９）では、前記接点の場合（比
較例８）と同様に遮断テスト中に高い温度上昇が見られ
ると共に遮断テスト後の接触抵抗値も大きくかつ大幅に
バラツキを示し好ましくない。

【００９７】その結果、耐電圧特性の判定は（評価Ａ）
〜（評価Ｂ）を示し安定した値であったが、遮断特性の
判定が（評価Ｙ）を示し好ましくなかった。

【００９８】従って、本発明の技術を適応する電極、例
えば接点の背面に装着したコイル電極などの導電率は、
７０％ＩＡＣＳ以上が好ましい。

【００９９】（実施例１９〜２０、比較例１０）前記実
施例１〜１８、比較例１〜９では、９０％ＩＡＣＳの導
電率を持つ通電軸に前記接点を搭載して、遮断特性、耐
電圧特性を示した。

【０１００】しかし本発明での通電軸の導電率は、上記
９０％ＩＡＣＳの場合に限る事なくその効果を発揮す
る。

【０１０１】すなわち通電軸の導電率が、１００％ＩＡ
ＣＳ（実施例１９）、７０％ＩＡＣＳ（実施例２０）の
場合でも、接点中のＣｒ領域中に存在するＦｅ量（Ｆ
ｅ_{(C r)}）とＣｕ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)））
との合計Ｆｅ量（Ｆｅ_{(Cu+Cr )}）、接点中の合計Ｆｅ
量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）中に占めるＣｕ領域中のＦｅ量（Ｆ
ｅ_(Cu)）、Ｃｕ領域中に存在するＦｅ（Ｆｅ_(Cu)）の
直径、Ｃｒ領域中に存在するＦｅ（Ｆｅ_(Cr)）の平均
間隔を前記所定の条件内に制御する事によって、遮断特
性の判定が（評価Ｂ）、耐電圧特性の判定も（評価Ａ）
〜（評価Ｂ）示し安定した値であった。

【０１０２】これに対して、通電軸の導電率を５０％Ｉ
ＡＣＳとした場合（比較例１０）では、前記接点の場合
（比較例８）と同様に遮断テスト中に高い温度上昇が見
られると共に、遮断テスト後の接触抵抗値も大きくかつ
大幅にバラツキを示し好ましくない。その結果、耐電圧
特性の判定は（評価Ａ）〜（評価Ｂ）を示し安定した値
であったが、遮断特性の判定が（評価Ｘ）を示し好まし
くなかった。

【０１０３】従って、本発明の技術を適応する通電軸の
導電率は、７０％ＩＡＣＳ以上が好ましい。

【０１０４】（実施例２１〜２２、比較例１１〜１２）
前記実施例１〜２０、比較例１〜１０では、ＣｕＣｒ合
金中に占めるＣｕ量が７５重量％の接点（７５％Ｃｕ−
Ｃｒ）を搭載して、遮断特性、耐電圧特性を示した。

【０１０５】しかし本発明での接点は、上記７５％Ｃｕ
−Ｃｒの場合に限る事なくその効果を発揮する。

【０１０６】すなわち９０％Ｃｕ−Ｃｒ（実施例２
１）、４０％Ｃｕ−Ｃｒ（実施例２２）の場合でも、
接点中のＣｒ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cr)）とＣ
ｕ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）との合計Ｆｅ量
（Ｆｅ_(Cu+Cr)）、接点中の合計Ｆｅ量（Ｆ
ｅ_(Cu+Cr)）中に占めるＣｕ領域中のＦｅ量（Ｆ
ｅ_(Cu)）、Ｃｕ領域中に存在するＦｅ量（Ｆｅ_(Cu)）
の直径、Ｃｒ領域中に存在するＦｅ（Ｆｅ_(Cr)）の平
均間隔を前記所定の条件内に制御する事によって、遮断
特性の判定が（評価Ａ）、耐電圧特性の判定も（評価Ｂ
〜Ａ）、（評価Ａ）を示し安定した値であった。

【０１０７】これに対して、９５％Ｃｕ−Ｃｒとした場
合（比較例１１）では、遮断テスト中に溶着の発生が見
られ、その為に接点消耗、接点表面の荒れを招き再点弧
の発生も見られ、その結果、遮断特性の判定は（評価Ｘ
〜Ｚ）であり、耐電圧特性の判定も（評価Ｚ）を示し好
ましくなかった。

【０１０８】更に、１５％Ｃｕ−Ｃｒとした場合（比較
例１２）の接点では、接点中のＣｒ領域中に存在する
Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cr)）とＣｕ領域中に存在するＦｅ量（Ｆ
ｅ_{(C u)}）との合計Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）、接点中の
合計Ｆｅ量（Ｆｅ_(Cu+Cr)）中に占めるＣｕ領域中のＦ
ｅ量（Ｆｅ_(Cu)）Ｃｕ領域中に存在するＦｅ（Ｆｅ_(C
u)）の直径、Ｃｒ領域中に存在するＦｅ（Ｆｅ_(Cr)）
の平均間隔を前記所定の条件内に制御しているにもかか
わらず、遮断テスト中に高い温度上昇が見られると共
に、遮断テスト後の接触抵抗値も大きくかつ大幅にバラ
ツキを示し好ましくない。その結果、耐電圧特性の判定
は（評価Ａ）を示し安定した値であったが、遮断特性の
判定が（評価Ｘ〜Ｚ）を示し好ましくなかった。

【０１０９】従って、本発明の技術を適応する接点は４
０〜９０重量％のＣｕを含有するＣｕ−Ｃｒ合金が好ま
しい。

【０１１０】（変形例等）接点中のＣｕ領域中に存在す
るＦｅ（Ｆｅ_(Cu)）の一部または総て、接点中のＣｒ領
域中に存在するＦｅ（Ｆｅ_(Cr)）の一部または総てをＮ
ｉまたはＣｏの１つで置換しても同等の磁界分布の均一
効果を得て、遮断特性向上の効果を得る。

【０１１１】また、上記実施例、比較例では、合金中の
Ｃｒ領域中に存在するＦｅ（Ｆｅ_{(C r)}）は平均間隔を
０．０１〜１５μｍとしほぼ均一に分散している場合に
その効果を発揮することを説明したが、合金中のＣｕ領
域中に分散しているＦｅ（Ｆｅ _(Cu)）は平均間隔を０．
０１〜５μｍとしほぼ均一に分散していることが好まし
い。

【０１１２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の真空遮断
器によれば、接点面、接点間の磁界の強さと分布を適切
に制御し、遮断性能の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施例１〜１３、及び比較例１〜７
の評価条件を示す表図。

【図２】 本発明の実施例１４〜２２、及び比較例８〜
１２の評価条件を示す表図。

【図３】 本発明の実施例１〜７、及び比較例１〜４の
評価結果を示す表図。

【図４】 本発明の実施例８〜１３、及び比較例５〜７
の評価結果を示す表図。

【図５】 本発明の実施例１４〜２０、及び比較例８〜
１０の評価結果を示す表図。

【図６】 本発明の実施例２１〜２２、及び比較例１１
〜１２の評価結果を示す表図。

【図７】 代表的な真空バルブの二つの構成例を示す断
面図。

【符号の説明】

１０１…絶緑容器 １０２ａ…固定側蓋体 １０２ｂ…可動側蓋体 １０３…真空容器 １０４…固定側接点 １０５…可動側接点 １０６…固定側通電軸 １０７…可動側通電軸 １０８…ベローズ １０９…アークシールド Ｍ…可動側通電軸１０７の移動方向 ４０…コイル電極（固定側接点４１の背面） ４１…固定側接点 ５０…コイル電極（可動側接点５１の背面） ５１…可動側接点

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 草野 貴史 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中事業所内 (72)発明者 山本 敦史 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中事業所内 (72)発明者 丹羽 芳充 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中事業所内 (72)発明者 本間 三孝 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中事業所内 (72)発明者 大島 巖 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中事業所内 Ｆターム(参考） 5G026 BB02 BB14 BC04 5G050 AA12 AA13 AA14 BA01 CA01 DA03

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空容器と、ベローズと、通電軸と、対向
   する一対の接点とを有する真空遮断器において、 前記接点は、１０〜６０重量％Ｃｒを含有し、Ｃｒ領域
   と、残部としてのＣｕ領域とで構成されるＣｕ−Ｃｒ合
   金から成り、 前記Ｃｒ領域中に存在するＦｅ量と、前記Ｃｕ領域中に
   存在するＦｅ量との合計量である総Ｆｅ量が、０．００
   ２〜０．５重量％であることを特徴とする真空遮断器。
2. 【請求項２】前記Ｃｕ領域中に占めるＦｅ量は、前記Ｃ
   ｕ−Ｃｒ合金中の総Ｆｅ量に対して、０．０１〜２０重
   量％であることを特徴とする請求項１に記載の真空遮断
   器。
3. 【請求項３】前記Ｃｕ領域中に分散しているＦｅは、
   ０．０１〜５μｍの間隙を持ってほぼ均一に分散したこ
   とを特徴とする請求項１に記載の真空遮断器。
4. 【請求項４】前記Ｃｕ領域中のＦｅは、５μｍよりも大
   きな粒子直径を持つＦｅが存在しない程度にほぼ均一に
   分散したことを特徴とする請求項１に記載の真空遮断
   器。
5. 【請求項５】前記Ｃｒ領域中のＦｅは、０．０１〜１５
   μｍの間隙を持ってほぼ均一に分散したことを特徴とす
   る請求項１に記載の真空遮断器。
6. 【請求項６】前記接点は、少なくとも２０％ＩＡＣＳの
   導電率を持つ合金であることを特徴とする請求項１乃至
   請求項５のいずれかに記載の真空遮断器。
7. 【請求項７】前記対向する一対の接点の面とその接点間
   の空間に作用させる磁界を発生させる手段を備えたこと
   を特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の
   真空遮断器。
8. 【請求項８】前記接点は、平板型接点であることを特徴
   とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の真空遮
   断器。
9. 【請求項９】前記通電軸は、少なくとも７０％ＩＡＣＳ
   の導電率を持つものであることを特徴とする請求項１乃
   至請求項６のいずれかに記載の真空遮断器。
10. 【請求項１０】前記接点の背面にコイル電極を備え、こ
    のコイル電極は少なくとも７０％ＩＡＣＳの導電率を持
    つものであることを特徴とする請求項１乃至請求項６の
    いずれかに記載の真空遮断器。
11. 【請求項１１】前記接点中のＦｅの一部または総てをＣ
    ｏまたはＮｉで置換したことを特徴とする請求項１乃至
    請求項６のいずれかに記載の真空遮断器。
12. 【請求項１２】真空容器と、ベローズと、通電軸と対向
    する一対の接点と、電極とを有する真空遮断器におい
    て、 前記接点は、１０〜６０重量％Ｃｒを含有し、Ｃｒ領域
    と、残部としてのＣｕ領域とで構成されるＣｕ−Ｃｒ合
    金から成り、 前記Ｃｒ領域中に存在するＦｅ量と、前記Ｃｕ領域中に
    存在するＦｅ量との合計量である総Ｆｅ量が、０．００
    ２〜０．５重量％であり、前記Ｃｕ領域中に占めるＦｅ
    量は、前記Ｃｕ−Ｃｒ合金中の総Ｆｅ量に対して、０．
    ０１〜２０重量％を占め、 前記Ｃｕ領域中のＦｅは、０．０１〜５μｍの間隙を持
    って、かつ５μｍよりも大きな粒子直径を持たない程度
    にほぼ均一に分散し、 前記Ｃｒ領域中のＦｅは、０．０１〜１５μｍの間隙を
    持ってほぼ均一に分散し、 前記電極は、電流開閉時に接点間に発生するアークと平
    行な磁界を発生し、 前記通電軸は、少なくとも７０％ＩＡＣＳの導電率を持
    つことを特徴とする真空遮断器。