JP2002016196A - Lead frame and resin sealed semiconductor device using it - Google Patents
Lead frame and resin sealed semiconductor device using itInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、リードフレー
ム、およびリードフレームの部品搭載部に部品を搭載し
てモールド樹脂で封止した樹脂封止形半導体装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame and a resin-sealed semiconductor device in which components are mounted on a component mounting portion of the lead frame and sealed with a mold resin.
【０００２】[0002]
【従来の技術】樹脂封止形半導体装置の従来例を図９な
いし図１２に示す。図９は、樹脂封止形半導体装置の平
面模式図であり、図１０は図９のＢ−Ｂ’線の断面模式
図である。金属製の例えば銅板や銅合金板をプレス形成
してリードフレーム１を形成する。リードフレーム１
は、端子部１ａ，１ｂと、この端子部１ａ，１ｂの厚さ
と同等かそれよりも厚い部分の部品搭載部１ｃとから構
成される。端子部は部品搭載部１ｃと一体になっている
部分１ａと、離れている部分１ｂとからなっている。主
半導体素子２がはんだ付けにて部品搭載部１ｃの表面側
に固着される。主半導体素子２は制御回路部３により制
御される。制御回路部３は図示していない回路基板上に
図示していないＩＣ（集積回路）や受動素子などを搭載
して形成されており、この回路基板は接着剤によって部
品搭載部１ｃの表面側に固着される。主半導体素子２，
制御回路部３および端子部１ａ，１ｂのそれぞれの間は
アルミニウム線で必要に応じて電気的に接続されてい
る。端子部１ａ，１ｂの一部を除いて例えばエポキシ樹
脂などのモールド樹脂４でトランスファ一体成形され、
樹脂封止形半導体装置１００が形成される。ここで、図
１０に示されている樹脂封止形半導体装置１００は、部
品搭載部１ｃの裏面側もモールド樹脂４で覆われてい
る、いわゆるフルモールド形の樹脂封止形半導体装置で
ある。図１１は、別の従来例の樹脂封止形半導体装置２
００の断面模式図である。図１０に示されたものとの相
違点はリードフレーム１の部品搭載部１ｃの裏面側が全
面露出されている点である。いわゆるハーフモールド形
の樹脂封止形半導体装置である。図１２は、上記の樹脂
封止形半導体装置１００または２００がケース１１に収
容され、リードフレーム１の端子部１ａ，１ｂの一部を
除いて比較的柔らかいエポキシ系樹脂１２により封止さ
れている。2. Description of the Related Art FIGS. 9 to 12 show a conventional example of a resin-sealed semiconductor device. FIG. 9 is a schematic plan view of the resin-sealed semiconductor device, and FIG. 10 is a schematic sectional view taken along line BB ′ of FIG. The lead frame 1 is formed by press-forming a metal plate such as a copper plate or a copper alloy plate. Lead frame 1
Is composed of terminal portions 1a and 1b and a component mounting portion 1c of a portion equal to or thicker than the thickness of the terminal portions 1a and 1b. The terminal portion includes a portion 1a integrated with the component mounting portion 1c and a portion 1b separated from the component mounting portion 1c. The main semiconductor element 2 is fixed to the surface side of the component mounting portion 1c by soldering. The main semiconductor element 2 is controlled by the control circuit unit 3. The control circuit section 3 is formed by mounting an IC (integrated circuit) or a passive element (not shown) on a circuit board (not shown), and the circuit board is mounted on the surface side of the component mounting section 1c by an adhesive. It is fixed. Main semiconductor element 2,
The control circuit section 3 and the terminal sections 1a and 1b are electrically connected by an aluminum wire as necessary. Except for a part of the terminal portions 1a and 1b, the transfer is integrally molded with a mold resin 4 such as an epoxy resin.
A resin-sealed semiconductor device 100 is formed. Here, the resin-sealed semiconductor device 100 shown in FIG. 10 is a so-called full-mold resin-sealed semiconductor device in which the back surface of the component mounting portion 1c is also covered with the mold resin 4. FIG. 11 shows another conventional resin-encapsulated semiconductor device 2.
It is a cross section of 00. The difference from the one shown in FIG. 10 is that the rear surface side of the component mounting portion 1c of the lead frame 1 is entirely exposed. This is a so-called half-mold type resin-sealed semiconductor device. FIG. 12 shows that the above-mentioned resin-sealed semiconductor device 100 or 200 is housed in a case 11 and sealed with a relatively soft epoxy resin 12 except for a part of the terminal portions 1 a and 1 b of the lead frame 1. .
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来例の樹脂封止形半
導体装置においては、次のような問題点がある。まず、
図９および図１０に示したフルモールド形の樹脂封止形
半導体装置１００においては、主半導体素子２で発生し
た熱は、リードフレーム１の厚い部分である部品搭載部
１ｃへ伝熱されるが、端子部の一部を除いてモールド樹
脂４でほぼ全周が覆われているので、この熱は外部へ放
散されにくいという問題点があった。そこで、熱放散の
効率を向上させるために、図１１に示されたハーフモー
ルド形の樹脂封止形半導体装置２００においては、リー
ドフレーム１の厚い部分である部品搭載部１ｃの裏面側
が全面露出されている。しかしながら、、モールド樹脂
４と金属のリードフレーム１とには熱膨張係数に差があ
り、この熱膨張差のため冷熱サイクル（例えば−４０℃
→＋１５０℃→−４０℃の繰り返し）によって、露出
部分のリードフレーム１とモールド樹脂４との界面に隙
間が生じてしまうという問題点があった。水分の侵入が
起こりやすくなってしまい、信頼性の劣化の要因となっ
ていた。また、一般に、モールド樹脂４は、金属のリー
ドフレーム１，主半導体素子２，制御回路部３などとの
接着性が弱い。そのため、モールド樹脂４はリードフレ
ーム１と、リードフレーム１の部品搭載部１ｃに搭載さ
れた主半導体素子２，制御回路部３とのほぼ全周を覆う
ことでこれらとの接着性の弱さを補っている。しかしな
がら、このようにモールド樹脂４で全周を覆っても、モ
ールド樹脂４と、リードフレーム１，主半導体素子２お
よび制御回路部３との界面では滑りを生じやすく、これ
によって隙間を生じやすいという問題点がある。冷熱サ
イクルを受けると、モールド樹脂４と他の部分との界面
に滑りが生じてアルミニウムワイヤの断線や受動素子の
剥離，破壊などの原因となっていた。The conventional resin-encapsulated semiconductor device has the following problems. First,
In the full-mold resin-sealed semiconductor device 100 shown in FIGS. 9 and 10, the heat generated in the main semiconductor element 2 is transferred to the component mounting portion 1 c which is a thick portion of the lead frame 1. Since almost the entire periphery is covered with the mold resin 4 except for a part of the terminal portion, there is a problem that this heat is hardly dissipated to the outside. Therefore, in order to improve the efficiency of heat dissipation, in the half-mold type resin-encapsulated semiconductor device 200 shown in FIG. 11, the rear surface side of the component mounting portion 1c which is the thick portion of the lead frame 1 is entirely exposed. ing. However, there is a difference in the coefficient of thermal expansion between the mold resin 4 and the lead frame 1 made of metal.
→ + 150 ° C. → −40 ° C.), there is a problem that a gap is generated at the interface between the lead frame 1 and the mold resin 4 in the exposed portion. The penetration of moisture is apt to occur, which has been a factor of reliability deterioration. In general, the mold resin 4 has weak adhesion to the metal lead frame 1, the main semiconductor element 2, the control circuit section 3, and the like. Therefore, the mold resin 4 covers almost the entire circumference of the lead frame 1, the main semiconductor element 2 mounted on the component mounting portion 1 c of the lead frame 1, and the control circuit section 3, thereby reducing the adhesiveness between them. Supplements. However, even if the entire circumference is covered with the molding resin 4 in this manner, slippage is likely to occur at the interface between the molding resin 4 and the lead frame 1, the main semiconductor element 2, and the control circuit unit 3, and thus a gap is easily generated. There is a problem. When subjected to the thermal cycle, slippage occurs at the interface between the mold resin 4 and other portions, which causes disconnection of the aluminum wire, separation and destruction of the passive element, and the like.
【０００４】さらに、上記の樹脂封止形半導体装置１０
０または２００の樹脂封止部の外形は、通常、直方体で
あるものが多い。樹脂封止形半導体装置１００または２
００の樹脂封止部の外形面の各面同士の接合部は略９０
°の角度を有する角部となっている。図１２に示されて
いるように、樹脂封止形半導体装置１００はケース１１
に収容され、リードフレーム１の端子部の一部を除いて
例えばエポキシ系樹脂１２により封止されている。この
エポキシ系樹脂１２から樹脂封止形半導体装置１００に
応力が加わる。この応力は角部に集中しやすく、そのた
めこれらの角部に接する部分のエポキシ系樹脂１２に亀
裂を生じてしまうことがあり、問題点となっていた。Further, the above resin-encapsulated semiconductor device 10
The outer shape of the resin sealing portion of 0 or 200 is usually a rectangular parallelepiped in many cases. Resin-sealed semiconductor device 100 or 2
The joint between the outer surfaces of the resin-sealed portion of No. 00 is approximately 90
It is a corner having an angle of °. As shown in FIG. 12, the resin-encapsulated semiconductor device 100 is
And is sealed with, for example, an epoxy resin 12 except for a part of the terminal portion of the lead frame 1. Stress is applied to the resin-encapsulated semiconductor device 100 from the epoxy resin 12. This stress tends to concentrate on the corners, which may cause cracks in the epoxy resin 12 at the portions in contact with these corners, which has been a problem.
【０００５】本発明の目的は、第１に、放熱性が高く、
モールド樹脂との熱膨張差による伸び縮みを抑制するこ
とのできる構造を有するリードフレームと、このリード
フレームを用い放熱性が高くかつモールド樹脂との熱膨
張差による伸び縮みを抑制した樹脂封止形半導体装置を
提供するものである。第２に、モールド樹脂とリードフ
レームとを強固に固定することのできる構造を有するリ
ードフレームと、このリードフレームを用いた樹脂封止
形半導体装置を提供するものである。第３に、樹脂封止
形半導体装置をケース内に収容して樹脂で封止してもケ
ース内の樹脂に亀裂を生じさせることのない樹脂封止形
半導体装置を提供するものである。[0005] The object of the present invention is, firstly, to have high heat dissipation,
A lead frame having a structure that can suppress expansion and contraction due to a difference in thermal expansion with the mold resin, and a resin-encapsulated type that uses this lead frame to provide high heat dissipation and suppress expansion and contraction due to the difference in thermal expansion with the mold resin A semiconductor device is provided. Secondly, the present invention provides a lead frame having a structure capable of firmly fixing a mold resin and a lead frame, and a resin-sealed semiconductor device using the lead frame. Third, the present invention provides a resin-encapsulated semiconductor device that does not crack the resin in the case even when the resin-encapsulated semiconductor device is housed in a case and sealed with the resin.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、端子部と、該端子部の厚さと同等および
厚い部分のいずれかの部品搭載部とからなるリードフレ
ームにおいて、該部品搭載部には、主半導体素子、その
制御回路部およびそれら両方のいずれかを搭載する領域
の近傍に突出部が形成されるリードフレームとする。ま
た、リードフレームの突出部は部品搭載部の表面側，裏
面側および両面のいずれかに形成されると有効である。
さらに、部品搭載部の裏面側に形成される突出部は、主
半導体素子、その制御回路部およびこれら両方のいずれ
かを搭載する領域の直下に形成されることでよい。そし
て、このリードフレームの部品搭載部に部品が搭載され
てモールド樹脂で一体に封止された樹脂封止形半導体装
置において、前記リードフレームの部品搭載部の突出部
は露出していることでよい。次に、端子部と、該端子部
の厚さと同等および厚い部分のいずれかの部品搭載部と
からなるリードフレームにおいて、該部品搭載部に貫通
穴が形成されることでよい。また、リードフレームの部
品搭載部に部品が搭載されてモールド樹脂で一体に封止
された樹脂封止形半導体装置において、前記リードフレ
ームの部品搭載部の貫通穴は前記モールド樹脂で充填さ
れていることでよい。さらに、前記樹脂封止形半導体装
置の樹脂封止部の各外形面の４辺のうち少なくとも対向
する２辺にはそれぞれ対称の面取り部が形成されること
が有効である。また、この面取り部を形成した樹脂封止
形半導体装置をケースに収容し樹脂で封止した半導体装
置とすることでよい。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a lead frame comprising a terminal portion and a component mounting portion having a thickness equal to or thicker than the terminal portion. The component mounting portion is a lead frame in which a protruding portion is formed in the vicinity of a region for mounting either the main semiconductor element, the control circuit portion, or both of them. Further, it is effective that the protruding portion of the lead frame is formed on any one of the front side, the back side, and both sides of the component mounting section.
Furthermore, the protrusion formed on the back surface side of the component mounting portion may be formed immediately below the main semiconductor element, its control circuit portion, and a region where either of them is mounted. In the resin-sealed semiconductor device in which components are mounted on the component mounting portion of the lead frame and are integrally sealed with the mold resin, the projecting portion of the component mounting portion of the lead frame may be exposed. . Next, a through-hole may be formed in the component mounting portion in the lead frame including the terminal portion and any of the component mounting portions having a thickness equal to or thicker than the terminal portion. Further, in a resin-sealed semiconductor device in which components are mounted on a component mounting portion of a lead frame and are integrally sealed with a molding resin, a through hole of the component mounting portion of the lead frame is filled with the molding resin. That is fine. Furthermore, it is effective that symmetrical chamfers are formed on at least two opposing sides of the four sides of each outer surface of the resin-sealed portion of the resin-sealed semiconductor device. Further, the resin-encapsulated semiconductor device having the chamfered portion may be housed in a case and sealed with resin.
【０００７】このような構成にすることにより、放熱性
が高くかつモールド樹脂との熱膨張差による伸び縮みを
抑制することのできる突出部を有する構造のリードフレ
ームと、このリードフレームを用いて突出部をモールド
樹脂から露出させることで、放熱性の高いかつモールド
樹脂との熱膨張差による伸び縮みを抑制した樹脂封止形
半導体装置を得ることができる。次に、モールド樹脂と
リードフレームとを相互に強固に固定することのできる
貫通穴を有する構造のリードフレームと、このリードフ
レームを用い相互に強固に固定された樹脂封止形半導体
装置を得ることができる。さらに、ケース内に収容して
樹脂で封止してもケース内の樹脂に亀裂を生じさせるこ
とのない面取り部を有する樹脂封止形半導体装置を得る
ことができる。[0007] With this configuration, a lead frame having a projecting portion having a high heat radiation property and capable of suppressing expansion and contraction due to a difference in thermal expansion with the mold resin, and a projecting portion using this lead frame. By exposing the portion from the mold resin, it is possible to obtain a resin-encapsulated semiconductor device that has high heat dissipation and suppresses expansion and contraction due to a difference in thermal expansion with the mold resin. Next, to obtain a lead frame having a through hole capable of firmly fixing the mold resin and the lead frame to each other, and to obtain a resin-sealed semiconductor device that is firmly fixed to each other using this lead frame Can be. Furthermore, a resin-encapsulated semiconductor device having a chamfered portion that does not crack the resin in the case even when housed in the case and sealed with the resin can be obtained.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態として、樹
脂封止形半導体装置２０の平面模式図を図１に示す。図
２は図１のＡ−Ａ’線部の断面模式図である。従来例の
図９および図１０と同一な部分には同一の符号を付しそ
の説明を省略する。従来例の図９および図１０との相違
点は次のとおりである。第１に、主半導体素子２が固着
される近傍の部品搭載部１ｃの裏面側に、突出部２１が
６個所形成されている。部品搭載部１ｃの表面側には突
出部２１に対応する凹部が形成されている。これは表面
側からハーフパンチにより形成した場合のものである。
この凹部はなくてもよい。突出部２１の先端部はモー
ルド樹脂４で覆われていないで露出しておりモールド樹
脂４の外形面と一致している。このような構造とするこ
とにより、主半導体素子２や制御回路部３から発生する
熱を突出部２１を介して外部に放散することができ、放
熱性を高めることができる。また、突出部２１はモール
ド樹脂４とかみ合っているので、冷熱サイクル試験（−
４０℃→＋１５０℃→−４０℃の繰り返し）を行なって
も、金属であるリードフレーム１（銅の熱膨張係数：１
７×１０-6／℃）とモールド樹脂４（エポキシ樹脂の熱
膨張係数：１５×１０-6／℃）との熱膨張係数の差によ
るこれらの界面の伸び縮みを抑制することができる。
よって、モールド樹脂４と他の部分との界面に隙間が生
じるのを防ぐことができる。また、落下試験、衝撃試
験、振動試験を実施し、モールド樹脂４と他の部分との
界面に剥離を生じていないことが分かった。リードフレ
ーム１は、例えば銅，銅合金を用いる。リードフレーム
１の部品搭載部１ｃの突出部２１は、発熱量の大きい主
半導体素子２や制御回路部３の搭載される領域の近傍の
位置に形成され、部品搭載部１ｃの表面側、裏面側、こ
れら両面のいずれに形成されてもよい。また、突出部２
１の先端部はモールド樹脂４に覆われず露出するよう形
成される。さらに、部品搭載部１ｃの裏面側の突出部２
１は、発熱量の大きい主半導体素子２や制御回路部３の
載置される領域の近傍の位置に限定されることなく、こ
れらの直下に形成されてもよい。突出部２１の先端部は
モールド樹脂４に覆われず露出するよう形成されてい
る。突出部２１の形状は円柱形、多角柱形、円錐形、多
角錐形などと各種あるが、これに限定されるものではな
い。また、図２においては、突出部２１の先端面はモー
ルド樹脂４の外形面と一致しているが、モールド樹脂４
の外形面よりもさらに突出していてもよい。さらに、放
熱性を高めることができ、かつ界面の伸び縮みの抑制を
することができる範囲においてであれば、突出部２１の
先端部はモールド樹脂４の外形面よりも凹んだ位置で露
出していてもよい。第２に、樹脂封止形半導体装置２０
のモールド樹脂４の外形において、それぞれの外形面が
接合する各角部には、各外形面の４辺の対向する２辺に
それぞれ対称の面取り部２２が形成されている。このよ
うな構造にすることにより、樹脂封止形半導体装置２０
を、図１２に示すようなケース１１に収容してエポキシ
系樹脂１２で封止しても、エポキシ系樹脂１２に亀裂を
生じることがない。FIG. 1 is a schematic plan view of a resin-sealed semiconductor device 20 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. The same parts as those in FIGS. 9 and 10 of the conventional example are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The differences from the conventional example shown in FIGS. 9 and 10 are as follows. First, six protruding portions 21 are formed on the rear surface side of the component mounting portion 1c in the vicinity where the main semiconductor element 2 is fixed. A concave portion corresponding to the protruding portion 21 is formed on the surface side of the component mounting portion 1c. This is a case where it is formed by a half punch from the front side.
This recess may not be provided. The tip of the protruding portion 21 is not covered with the mold resin 4 but is exposed, and coincides with the outer surface of the mold resin 4. With such a structure, heat generated from the main semiconductor element 2 and the control circuit unit 3 can be dissipated to the outside via the protruding portions 21, and heat dissipation can be improved. Further, since the protruding portion 21 is engaged with the molding resin 4, a cooling / heating cycle test (−
Even when the temperature is changed from 40 ° C. to + 150 ° C. to −40 ° C.), the metal lead frame 1 (coefficient of thermal expansion of copper: 1)
The expansion and contraction of these interfaces due to the difference in the thermal expansion coefficient between 7 × 10 −6 / ° C.) and the mold resin 4 (the thermal expansion coefficient of the epoxy resin: 15 × 10 −6 / ° C.) can be suppressed.
Therefore, it is possible to prevent a gap from being formed at the interface between the mold resin 4 and other portions. In addition, a drop test, an impact test, and a vibration test were performed, and it was found that no separation occurred at the interface between the mold resin 4 and other portions. The lead frame 1 uses, for example, copper or a copper alloy. The projecting portion 21 of the component mounting portion 1c of the lead frame 1 is formed at a position near the area where the main semiconductor element 2 and the control circuit portion 3 that generate a large amount of heat are mounted, and the front side and the back side of the component mounting portion 1c. May be formed on any of these two surfaces. Also, the protrusion 2
1 is formed so as to be exposed without being covered by the mold resin 4. Further, a protruding portion 2 on the back surface side of the component mounting portion 1c.
1 is not limited to a position in the vicinity of the region where the main semiconductor element 2 and the control circuit unit 3 that generate a large amount of heat are mounted, but may be formed immediately below these. The tip of the protruding portion 21 is formed so as to be exposed without being covered with the mold resin 4. The shape of the protruding portion 21 includes various shapes such as a cylindrical shape, a polygonal prism shape, a conical shape, and a polygonal pyramid shape, but is not limited thereto. Further, in FIG. 2, the tip end surface of the protrusion 21 coincides with the outer surface of the mold resin 4,
May protrude further than the outer surface of the. Furthermore, the tip of the protruding portion 21 is exposed at a position recessed from the outer surface of the mold resin 4 as long as the heat dissipation can be enhanced and the expansion and contraction of the interface can be suppressed. You may. Second, the resin-encapsulated semiconductor device 20
In the outer shape of the mold resin 4, symmetrical chamfered portions 22 are formed at two corners where the outer surfaces are joined to each other at two opposing sides of the four outer surfaces. With such a structure, the resin-encapsulated semiconductor device 20
Is sealed in the case 11 as shown in FIG. 12 and sealed with the epoxy resin 12, no crack is generated in the epoxy resin 12.
【０００９】本発明の別の実施の形態の樹脂封止形半導
体装置３０の平面模式図を図３に示す。図４は図３のＣ
−Ｃ’線部の断面模式図である。従来例の図９および図
１０と同一な部分には同一の符号を付しその説明を省略
する。従来例の図９および図１０との相違点は次のとお
りである。リードフレーム１の部品搭載部１ｃ上には主
半導体素子２、制御回路部３が搭載されている。主半導
体素子２および制御回路部３のそれぞれの近傍の部品搭
載部１ｃに長方形の貫通穴３１がそれぞれ１つ形成され
ている。モールド樹脂４はこれらの貫通穴３１にも充填
されている。このような構造とすることにより、リード
フレーム１とモールド樹脂４とは貫通穴３１によって強
固に一体化されるので、モールド樹脂４とリードフレー
ム１をはじめ搭載部品との界面に滑りを生じることがな
く、界面に隙間はできない。図５は、図３に示す樹脂封
止形半導体装置３０に、さらに主半導体素子２を挟むよ
うに円形の貫通穴４１を２つ形成した樹脂封止形半導体
装置４０の平面模式図である。図６は、図５のＤ―Ｄ’
線部の断面模式図である。図７は、主半導体素子２を挟
むように長方形の貫通穴５１を２つ形成した樹脂封止形
半導体装置５０の平面模式図である。図８は、図７のＥ
−Ｅ’線部の断面模式図である。FIG. 3 is a schematic plan view of a resin-sealed semiconductor device 30 according to another embodiment of the present invention. FIG. 4 shows C in FIG.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along line -C ′. The same parts as those in FIGS. 9 and 10 of the conventional example are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The differences from the conventional example shown in FIGS. 9 and 10 are as follows. The main semiconductor element 2 and the control circuit section 3 are mounted on the component mounting section 1c of the lead frame 1. One rectangular through-hole 31 is formed in each of the component mounting portions 1c near the main semiconductor element 2 and the control circuit portion 3, respectively. The mold resin 4 is also filled in these through holes 31. With such a structure, the lead frame 1 and the molding resin 4 are firmly integrated by the through-holes 31, so that slippage may occur at the interface between the molding resin 4 and the mounting components including the lead frame 1. There is no gap at the interface. FIG. 5 is a schematic plan view of a resin-sealed semiconductor device 40 in which two circular through holes 41 are formed in the resin-sealed semiconductor device 30 shown in FIG. 3 so as to sandwich the main semiconductor element 2. FIG. 6 is a sectional view taken along the line DD ′ in FIG.
It is a cross section of a line section. FIG. 7 is a schematic plan view of a resin-sealed semiconductor device 50 in which two rectangular through holes 51 are formed so as to sandwich the main semiconductor element 2. FIG.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along a line −E ′.
【００１０】[0010]
【発明の効果】この発明は、部品搭載部において主半導
体素子、その制御回路部およびそれら両方のいずれかを
搭載する領域の近傍に突出部が形成されたリードフレー
ムを用い、この突出部がモールド樹脂に覆われておらず
露出していることにより、放熱性が高くかつモールド樹
脂との熱膨張差による伸び縮みを抑制した樹脂封止形半
導体装置を得ることができる。また、リードフレームの
部品搭載部に貫通穴を形成することにより、モールド樹
脂とリードフレームとを互いに強固に固定することので
きる樹脂封止形半導体装置を得ることができる。さら
に、樹脂封止形半導体装置の樹脂封止部の各外形面の４
辺のうち少なくとも対向する２辺にはそれぞれ対称の面
取り部が形成されることにより、樹脂封止形半導体装置
をケースに収容して樹脂で封止しても樹脂に亀裂の生じ
ることを防止できる。The present invention uses a lead frame in which a protruding portion is formed in the component mounting portion in the vicinity of a region for mounting either the main semiconductor element, its control circuit portion, or both, and the protruding portion is molded. By being exposed without being covered with the resin, it is possible to obtain a resin-encapsulated semiconductor device that has high heat dissipation and suppresses expansion and contraction due to a difference in thermal expansion with the mold resin. Further, by forming a through hole in the component mounting portion of the lead frame, it is possible to obtain a resin-sealed semiconductor device capable of firmly fixing the mold resin and the lead frame to each other. Further, the outer surface of each of the resin-sealed portions of the resin-sealed semiconductor device has
By forming symmetrical chamfers on at least two opposing sides of the sides, it is possible to prevent the resin from cracking even when the resin-encapsulated semiconductor device is housed in a case and sealed with the resin. .
【図1】この発明の実施の形態を示す樹脂封止形半導体
装置の平面模式図FIG. 1 is a schematic plan view of a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図2】図１のＡ−Ａ’線部の断面模式図FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 1.
【図３】この発明の別の実施の形態を示す樹脂封止形半
導体装置の平面模式図FIG. 3 is a schematic plan view of a resin-sealed semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
【図４】図３のＣ−Ｃ’線部の断面模式図FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along line C-C ′ of FIG. 3;
【図５】この発明の他の実施例を示す樹脂封止形半導体
装置の平面模式図FIG. 5 is a schematic plan view of a resin-encapsulated semiconductor device showing another embodiment of the present invention.
【図６】図５のＤ−Ｄ’線部の断面模式図FIG. 6 is a schematic cross-sectional view taken along line D-D ′ of FIG. 5;
【図７】この発明のさらに他の実施例を示す樹脂封止形
半導体装置の平面模式図FIG. 7 is a schematic plan view of a resin-sealed semiconductor device showing still another embodiment of the present invention.
【図８】図７のＥ−Ｅ’線部の断面模式図8 is a schematic cross-sectional view taken along the line E-E 'of FIG.
【図９】従来例の樹脂封止形半導体装置の平面模式図FIG. 9 is a schematic plan view of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
【図１０】図９のＢ−Ｂ’線部の断面模式図10 is a schematic cross-sectional view taken along the line B-B 'of FIG.
【図１１】従来例の他の樹脂封止形半導体装置の断面模
式図FIG. 11 is a schematic sectional view of another conventional resin-encapsulated semiconductor device.
【図１２】従来例の半導体装置の断面模式図FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of a conventional semiconductor device.
１ａ，１ｂ ： リードフレームの端子部 １ｃ ： リードフレームの部品搭載部 ２ ： 主半導体素子 ３ ： 制御回路部 ４ ： モールド樹脂 ２１： 突出部 ２２： 面取り部 ３１、４１，５１： 貫通穴 1a, 1b: Terminal part of lead frame 1c: Component mounting part of lead frame 2: Main semiconductor element 3: Control circuit part 4: Mold resin 21: Projecting part 22: Chamfer part 31, 41, 51: Through hole
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Claims (8)
い部分のいずれかの部品搭載部とからなるリードフレー
ムにおいて、該部品搭載部には、主半導体素子、その制
御回路部およびこれら両方のいずれかを搭載する領域の
近傍に突出部が形成されたことを特徴とするリードフレ
ーム。1. A lead frame comprising a terminal portion and a component mounting portion having a thickness equal to or thicker than the terminal portion, wherein the component mounting portion includes a main semiconductor element, a control circuit portion thereof, A lead frame, wherein a protruding portion is formed in the vicinity of a region for mounting either of them.
面側および両面のいずれかに形成されたことを特徴とす
る請求項１に記載のリードフレーム。2. The lead frame according to claim 1, wherein said projecting portion is formed on one of a front side, a back side, and both sides of said component mounting section.
突出部は、前記主半導体素子、その制御回路部およびこ
れら双方のいずれかを搭載する領域の直下に形成される
ことを特徴とする請求項２に記載のリードフレーム。3. The semiconductor device according to claim 2, wherein the projecting portion formed on the back surface side of the component mounting portion is formed immediately below a region where one of the main semiconductor element, the control circuit portion, and both of them is mounted. The lead frame according to claim 2.
部品搭載部に部品が搭載されてモールド樹脂で一体に封
止された樹脂封止形半導体装置において、前記リードフ
レームの部品搭載部の突出部は露出していることを特徴
とする樹脂封止形半導体装置。4. A resin-encapsulated semiconductor device in which components are mounted on a component mounting portion of a lead frame according to claim 1 and are integrally sealed with a mold resin. A resin-encapsulated semiconductor device, wherein the protrusion is exposed.
い部分のいずれかの部品搭載部とからなるリードフレー
ムにおいて、該部品搭載部に貫通穴が形成されたことを
特徴とするリードフレーム。5. A lead frame comprising: a terminal portion; and a component mounting portion having a thickness equal to or thicker than the terminal portion, wherein a through hole is formed in the component mounting portion. flame.
載部に部品が搭載されてモールド樹脂で一体に封止され
た樹脂封止形半導体装置において、前記リードフレーム
の部品搭載部の貫通穴は前記モールド樹脂で充填された
ことを特徴とする樹脂封止形半導体装置。6. A resin-sealed semiconductor device according to claim 5, wherein the component is mounted on the component mounting portion of the lead frame and is integrally sealed with a mold resin. Is a resin-sealed semiconductor device filled with the mold resin.
形面の４辺のうち少なくとも対向する２辺にはそれぞれ
対称の面取り部が形成されたことを特徴とする請求項４
又は６に記載の樹脂封止形半導体装置。7. A symmetrical chamfered portion is formed on at least two opposing sides of four sides of each outer surface of the resin portion of the resin-encapsulated semiconductor device.
Or the resin-sealed semiconductor device according to 6.
ケースに収容し樹脂で封止したことを特徴とする半導体
装置。8. A semiconductor device wherein the resin-sealed semiconductor device according to claim 7 is housed in a case and sealed with a resin.
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