JP2002015837A - 抵抗発熱体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 抵抗発熱部とその両端に接続する一対の電極
と、その電極に接続するリード端子を有する抵抗発熱体
において、短時間に昇温・降温を繰り返す使用形態下に
おいても電極とリード端子との接続部断線を抑制できる
抵抗発熱体を提供する。 【解決手段】 電極３とリード端子２との接続部１が、
電極３の構成材料とリード端子２の構成材料のそれぞれ
が互いに溶融・混合し、固化した状態とする。このとき
接続部１は、２種以上の合金が混在した状態にあること
が好ましい。前記合金は、Ａｇ−Ｐｄ系、Ａｇ−Ｐｄ−
Ｃｕ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｉ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｉ−Ｃｕ
系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｓｎ−Ｐｂ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｓｎ−Ｐ
ｂ−Ｃｕ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ−Ｎｉ系等
である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、サーマルヘッド等
の発熱素子に用いられる抵抗発熱体、及びその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】特開平１１−１３８８８１号公報には、
絶縁基板表面に発熱用抵抗体、絶縁基板裏面にチップサ
ーミスタが配された抵抗発熱体が開示されている。当該
絶縁基板裏面には、前記発熱用抵抗体とチップサーミス
タと電気的に接続する電極が配され、当該電極に接続す
るリード端子を備えている。ここでの電極とリード端子
との接続手段ははんだ付けである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の、
はんだごてを用いたはんだ付けによる電極とリード端子
との接続手段による抵抗発熱体は、多数回に亘り急激に
抵抗発熱体の昇温・降温を繰り返す使用形態では、電極
とリード端子との接続部断線の不具合を生じることが明
らかになってきた。上記多数回に亘り急激に抵抗発熱体
の昇温・降温を繰り返す使用形態とは、例えばポリエチ
レンテレフタレートフィルム層等の上に熱可逆性記録層
としての低分子組成物を配置した熱可逆性情報記録表示
シート（リライトカード）への情報印字・消去用途のサ
ーマルヘッド（抵抗発熱体）の使用形態である。この場
合抵抗発熱体を数秒間で常温から９０〜１７０℃まで昇
温させ、その温度を数秒間保持し、その後自然冷却によ
り１分間程度で常温までの降温を多数回（本発明の対象
とする抵抗発熱体では４万回以上とする。以下同じ。）
繰り返す。

【０００４】本発明は上述した事情に鑑みて為されたも
ので、短時間に昇温・降温を４万回以上繰り返す使用形
態下においても、電極とリード端子との接続部断線を抑
制できる抵抗発熱体及びその製造方法を提供することを
目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の抵抗発熱部４と抵抗発熱部４の両端に接続
する一対の電極３と、電極３に接続するリード端子２を
有する抵抗発熱体は、電極３とリード端子２との接続部
１（以下、単に「接続部１」と記す）が、電極３構成材
料とリード端子２構成材料のそれぞれが互いに溶融・混
合し、固化した状態にあることを特徴とする。

【０００６】また上記課題を解決するため、本発明の絶
縁基板表面に抵抗発熱部４、絶縁基板裏面にチップサー
ミスタ６及びチップサーミスタ６の端子と電気的に接続
する電極３ｂが配され、電極３ｂに接続するリード端子
２は、電極３と接続されるリード端子２との接続部１と
同様に、電極３ｂの構成材料とリード端子２の構成材料
のそれぞれが互いに溶融・混合し、固化した状態にある
ことを特徴とする。

【０００７】上記したはんだ付けによる従来の接続部
は、電極３，３ｂ及びリード端子２が互いに溶融・混合
し、固化していない。即ち、従来の接続部は、電極とリ
ード端子の間隙にはんだが存在して接続を保っている。
厳密に言えば前記はんだと電極、はんだとリード端子と
の界面では金属の拡散が起こっていると思われるが、そ
れには前記界面における接続強度を飛躍的に高める作用
はない。従って、従来の接続部は、本発明に係る電極３
とリード端子２のそれぞれが互いに溶融・混合して、固
化した接続部１のような強固なものでない。これに対し
て、上記本発明の構成によれば、短時間に昇温・降温を
４万回以上繰り返す使用形態下においても、電極とリー
ド端子との接続部断線を抑制できる抵抗発熱体を提供す
ることができる。

【０００８】短時間に昇温・降温を多数回繰り返す使用
形態下における接続部断線の抑制に寄与する主たる要因
は、接続部接続強度と考えられる。他の要因としては、
接続部を構成する材料の温度膨張係数の違いや、接続部
の異種金属接合による局部電池形成に起因する腐食の影
響やその他の要因がある。そして上記接続部断線の抑制
への従たる寄与には、これらの要因が複雑に関与してい
ると考えられる。

【０００９】本発明者は、後述する手法による本発明で
得られた接続部１を解析したところ、上記接続部断線を
抑制できる接続部１は、図１に示すように２種以上の合
金が混在した状態にあることがわかった。このような状
態を形成することで、上記接続部を構成する材料の温度
膨張係数の違いや、接続部の異種金属接合による局部電
池形成に起因する腐食の影響やその他の要因に起因す
る、短時間に昇温・降温を多数回繰り返す使用形態下に
おける接続部断線の抑制に何らかの寄与をしているもの
と考えられる。上記合金は、例えばＡｇ−Ｐｄ系、Ａｇ
−Ｐｄ−Ｃｕ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｉ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎ
ｉ−Ｃｕ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｓｎ−Ｐｂ系、Ａｇ−Ｐｄ−
Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ−
Ｎｉ系等から選ばれる２種以上である。これらは合金の
主な構成成分を示しており、不純物程度の微量成分を示
していない。また本発明においては、同組成の合金であ
って各成分比（合金組成比）が異なるものについては、
同種の合金とする。

【００１０】また、上記した本発明の構成に加え、上記
電極構成材料と前記リード端子構成材料が実質的に同組
成金属であることが好ましい。実質的に同組成金属と
は、単一金属同士の場合は、不純物を除いて同元素であ
ることであり、合金同士の場合は、合金組成が無視でき
る程度違うことや、両者の不純物が異なることを除いて
同合金組成であることをいう。上記好ましい理由は、電
極構成材料と前記リード端子構成材料を同組成金属とす
ることで、上記接続部構成材料の、上記温度膨張係数の
違いや、接続部の異種金属接合による局部電池形成に起
因する腐食の影響が少なくとも排除でき、短時間に昇温
・降温を多数回繰り返す使用形態下における接続部断線
の抑制に寄与すると考えられるためである。

【００１１】上記した本発明の構成に加え、リード端子
２と電極３，３ｂとの接触部におけるリード端子２（図
２参照）と電極３との双方の形状が平板状であり、且つ
双方の平板面同士が当接しており、双方の平板厚みが
０．５ｍｍ以下であることが好ましい。上記平板とする
利点は、リード端子２と電極３との接触部を平板面とす
ることにより、接続部１形成時の操作性が良好なこと、
また接続手段をスポット溶接又は超音波溶接、又はレー
ザ溶接とした際、リード端子２への溶接具等（スポット
溶接用電極、超音波溶接用ホーン、レーザ溶接のビー
ド）の配置を可能とする面積を確保できること等があ
る。また、過剰に平板が厚いと、接続手段をスポット溶
接又は超音波溶接とした際には溶接具を平板に高加重で
当接させなければ良好な接続部１を得ることができな
い。このため、溶接具の早期摩耗のおそれや、またアル
ミナ板５等の絶縁基板面上に平板状電極３，３ｂを形成
した場合には、前記高加重により前記絶縁基板を割って
しまうおそれがある。また過剰に平板が厚いと、接続手
段をレーザ溶接とした際には、平板の熱容量が大きいた
め、接続操作には大きなエネルギーを要する。これらの
ことを考慮して平板厚みを概ね０．５ｍｍ以下とするの
が好ましい。前記概ねと記した理由は、平板の材質によ
ってこの場合の適当な厚みの値が変動すると思われるた
めである。

【００１２】また、上記本発明の構成に加えて、電極
３，３ｂがアルミナ等の絶縁基板上に厚膜技術により形
成されたものであることが好ましい。前記厚膜技術は、
例えばＡｇ−Ｐｄ系メタルグレーズをアルミナ基板面上
にスクリーン印刷後焼成して、厚み数μｍ〜十数μｍの
平板（皮膜）電極を得る技術である。このような厚膜技
術は、他の技術に比してその製造に際してコストを抑制
できる利点、量産性に優れる利点を兼ね備えている。

【００１３】また上記本発明の構成に加えて、リード端
子２が、金属箔、金属板又は金属線を絶縁材料にて被覆
したものであり、当該リード端子を複数前記絶縁材料で
一体化したものであることが好ましい（図４参照）。そ
の理由は、抵抗発熱体には複数本のリード端子が必要で
あり、それらを必要分一体化することにより、量産時の
リード端子２の取扱性が良好となるためである。また抵
抗発熱体製造後においても、それを種々の電気・電子機
器に組み込む際に作業性が良好となる。また、図４に示
すように、予め溶接箇所にリード端子被溶接部が位置す
るように加工しておき、量産時のリード端子取扱性を更
に良好とすることも可能である。

【００１４】上記絶縁材料は、ポリイミドやフッ化ポリ
エチレン系等からなるビニール等が好適に使用できる。
また上記金属箔は厚み数十〜数百μｍのＣｕ箔等であ
る。また上記金属板は厚み数百μｍ以上のＣｕ板等であ
る。また上記金属線は、１本又は複数本のＣｕ線等であ
る。

【００１５】上記金属箔または金属板の使用により、リ
ード端子と電極との双方が平板状であり、且つ双方の平
板厚みが０．５ｍｍ以下という構成を容易に実現でき
る。つまり上記金属線を用いて本発明の構成を実施しよ
うとすると、図２に示すように、平板部８を別に設ける
必要がある。図２に示したリード端子２は、ビニール被
覆銅線の銅線露出部で加締め固定する加締め部９ａと、
銅線１１を束ねて加締め固定する加締め部９bと、平板
部８が一体化した平板部材からなる。そこで上記金属箔
または金属板の平板部８としての使用により、加締め部
等を設ける必要がなくなる利点がある。

【００１６】本発明の抵抗発熱体の製造方法は、絶縁基
板上に抵抗発熱部４及び抵抗発熱部４の両端に接続する
一対の電極３を形成する工程と、次いで電極３の構成材
料とリード端子２の構成材料のそれぞれが互いに溶融・
混合後、固化した状態を形成するように、溶接により電
極３とリード端子２とを接続する工程とを有することを
特徴とする。上記絶縁基板はアルミナ板５等である。ま
た抵抗発熱部４は、酸化ルテニウム、Ａｇ−Ｐｄ合金等
を主成分とした厚膜（スクリーン印刷等による）や薄膜
（スパッタリング等による）等である。また電極３の構
成材料は、Ａｇ−Ｐｄ合金等である。またリード端子２
の構成材料は、Ｃｕ表面をＮｉ、Ａｇ、Ｓｎ−Ｐｂ合金
（例えばＳｎ：Ｐｂ＝９：１）から選ばれる１種以上
で、少なくとも接続しようとする箇所を被覆したもので
ある。また上記溶接技術は、スポット溶接技術、超音波
溶接技術、レーザ溶接技術等である。

【００１７】また本発明の抵抗発熱体は、上記した全て
の本発明の抵抗発熱体を、常温から４０℃／秒以上の昇
温速度で１００℃以上まで昇温させ、その後常温に戻す
過程を多数回（４万回以上）繰り返す用途に用いて好適
である。上記のように４０℃／秒以上の昇温速度、１０
０℃以上までの昇温、その後常温に戻す、といった各条
件は、本発明の接続部断線の抑制効果を顕著に得ること
ができる条件である。例えば４０℃／秒未満の昇温速
度、又は１００℃未満までの昇温条件では、従来のはん
だ付けにより形成した接続部に比べて本発明の接続部１
の方が、接続部断線の抑制効果に多少優れてはいるが、
顕著性が得られにくい。上記用途の具体例は、リライト
カードへの印字又はリライトカードへ印字した字の消去
用発熱体としての用途である。一例を挙げると、１２０
℃／秒で１５０℃まで昇温し、２〜３秒間１５０℃を保
持し、その後自然冷却させる過程を４万回以上繰り返す
用途である。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
しながら以下に説明する。 （製法例）まず図３に示すように、厚み０．８ｍｍの絶
縁基板としてのアルミナ板５のスルーホール１２周縁付
近表面に、Ａｇ−Ｐｄ合金粉末とガラスフリットを含む
導電ペーストをスクリーン印刷焼成して、電極３を形成
する（膜厚１０〜１２μｍ）。次いでアルミナ板５のス
ルーホール１２の裏側周縁付近及びそこからスルーホー
ル１２内に伸びるように前記導電ペーストをスクリーン
印刷焼成して裏面側電極３を形成する。これでアルミナ
板５表面に形成した電極３とアルミナ板５裏面に形成し
た電極３とがスルーホール１２を介して繋がったことに
なる。また、後述するチップサーミスタ６をアルミナ板
５裏面に装着するための電極３ｂも同時に形成する。

【００１９】次いでＡｇ−Ｐｄ合金粉末を主成分とする
抵抗体ペーストをアルミナ板５表面にスクリーン印刷焼
成して形成する。このとき抵抗体４の両端が、先に形成
された電極３に一部重畳するように抵抗体を形成する。
この抵抗体４が抵抗発熱部となる。その後、ホウ珪酸鉛
系ガラス７を主成分とするペーストを抵抗体全面、及び
電極３，３ｂの一部分を残し、スクリーン印刷焼成する
ことで、抵抗体４膜の全面及び電極３膜の一部分を被覆
して保護する。その後アルミナ板５に予め施されている
分割用溝９に沿ってアルミナ板５を分割する。そしてチ
ップサーミスタ６を、アルミナ板５裏面のチップサーミ
スタ６用電極３ｂ部にチップサーミスタ６の端子が接触
した状態で、シリコーン系接着剤により固定する。この
とき、チップサーミスタ６を固定する電極３ｂの一部を
露出しておいて、後述するリード端子２との接続部を確
保しておく。

【００２０】図２に示したリード端子２は、フッ化ポリ
エチレン系ビニール被覆銅線１０の銅線露出部で加締め
固定する加締め部９ａと、銅線１１を束ねて加締め固定
する加締め部９ｂと、平板部８が一体化した部材からな
る。前記平板部は、厚み０．１ｍｍのＣｕ板表面にＡｇ
をメッキにより被覆したものである。Ａｇメッキ厚みは
数μｍである。この部材を加締め部９ｂでビニール被覆
銅線の芯線露出部１１と接続することで、平板部８を備
えたリード端子２が構成される。リード端子２の平板面
８と、抵抗体と接続している電極３（裏面側）の露出面
とを接触させながら、リード端子２の平板面のみに２つ
の直径約１ｍｍの溶接用電極を当接し、それらの溶接用
電極間に電流印加してリード端子２と電極３とをスポッ
ト溶接した。溶接条件は、５０ミリ秒の休止を挟み１５
ミリ秒ずつ０．４５ｋＷを２パルス印加する。溶接用電
極によるリード端子２への押圧力は、溶接後の溶接用電
極痕が深さ約０．１ｍｍとなる程度とした。電極３の膜
厚が１０〜１２μｍであることから、リード端子２平板
が局部的に薄くなって、溶接後の溶接用電極痕深さが約
０．１ｍｍとなったと考えられる。リード端子２の平板
面８と、チップサーミスタ６と接続している電極３ｂの
露出面との溶接についても上記溶接条件と同様にした。
以上の工程を経ることにより、本発明の抵抗発熱体が完
成する。

【００２１】この接続部１の断面を観察・分析した。す
ると図１に示すようにＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金と、Ａｇ−
Ｐｄ合金とが混在している状態にあった。図１に示した
状態は一例であって、その他の例として、厚膜からなる
電極３の接続部１に相当する部分に微少な空洞が存在
し、その中や周辺にＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金と、Ａｇ−Ｐ
ｄ合金とが散在している状態のものも確認された。これ
ら複数の合金の混在が、短時間に昇温・降温を多数回繰
り返す使用形態下における接続部１断線の抑制に寄与し
ていると考えられる。

【００２２】次に各種試作品の試験結果について述べ
る。上記製造方法に従った本発明の抵抗発熱体（Ａ）
と、リード端子と電極との接続手段を従来のはんだ付け
とした以外は抵抗発熱体（Ａ）と同じ製造方法による抵
抗発熱体（Ｂ）と、リード端子２の平板面８にＡｇ被覆
を施さない以外は抵抗発熱体（Ａ）とほぼ同じ製法（抵
抗発熱体（Ａ）と同程度の溶接強度（固着強度）を得る
よう溶接時の通電電流密度を調整した。）による抵抗発
熱体（Ｃ）と、リード端子２平板を電極材料と実質的に
同組成の金属（Ａｇ−Ｐｄ系合金）とした以外は抵抗発
熱体（Ａ）とほぼ同じ製法（抵抗発熱体（Ａ）と同程度
の溶接強度（固着強度）を得るよう溶接時の通電電流密
度を調整した。）による抵抗発熱体（Ｄ）について比較
試験した。

【００２３】試験条件は、抵抗発熱体（Ａ）〜（Ｄ）を
２０〜３０℃雰囲気に保持した部屋に置き、抵抗発熱体
（Ａ）〜（Ｄ）をそれぞれ昇温速度１００℃／秒以上で
１１０〜１７０℃まで昇温し、そのまま１１０〜１７０
℃を約３秒間維持し、その後２０〜３０℃に戻るまでの
約１分間自然冷却するサイクルを繰り返す条件である。
上記試験（ｎ＝２０）の結果、抵抗発熱体（Ｂ）は約３
００００サイクルに満たない時点で、殆どのものがはん
だ付け部においてリード端子の外れが確認されたが、抵
抗発熱体（Ａ）、抵抗発熱体（Ｄ）は７００００サイク
ル経過時点でもリード端子２が外れているものが全くな
かった。抵抗発熱体（Ｃ）は６００００サイクル経過時
点で接続部におけるリード端子２が外れるものが発生し
始めた。

【００２４】本実施形態では抵抗発熱体（Ａ）、つまり
Ｃｕ板表面にＡｇを被覆したリード端子２と、Ａｇ−Ｐ
ｄ系合金を含む電極３とを接続した場合について検証し
ている。また、Ｃｕ表面をＡｇ、Ｎｉ、Ｓｎ−Ｐｂ系合
金から選ばれる１種以上を少なくとも接続しようとする
箇所を被覆したリード端子２と、Ａｇ−Ｐｄ系合金を含
む電極３とを、上述した条件で接続すると、抵抗発熱体
（Ａ）と同様の接続部断線抑制効果が得られた。これら
の場合接続部１において形成される合金は、Ａｇ−Ｐｄ
系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｉ系、Ａｇ−
Ｐｄ−Ｎｉ−Ｃｕ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｓｎ−Ｐｂ系、Ａｇ
−Ｐｄ−Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｓｎ−Ｐｂ
−Ｃｕ−Ｎｉ系である。これらから選ばれる２種以上の
合金が接続部１に混在していると、抵抗発熱体（Ａ）と
同様の接続部断線抑制効果が得られた。

【００２５】また、本実施形態では抵抗発熱体（Ｃ）、
つまりＣｕのみの板からなるリード端子２と、Ａｇ−Ｐ
ｄ系合金を含む電極３とを接続した場合について検証し
ている。この場合、接続部１を構成する物質は、Ａｇ−
Ｐｄ−Ｃｕ系合金の１種類のみである。抵抗発熱体
（Ｃ）の接続部１は溶接操作直後の抵抗発熱体（Ａ）の
接続部１と溶接強度はほぼ等しいが、本試験に供すると
僅かではあるが、短時間に昇温・降温を繰り返す使用形
態下における接続部断線抑制効果が得られにくいことが
わかる。これで抵抗発熱体（Ａ）における、２種以上の
合金が接続部１に混在している効果を実証できた。ま
た、接続強度を高める（はんだ付けから溶接へ接続手段
を変える）ことで短時間に昇温・降温を繰り返す使用形
態下における接続部断線抑制効果が得られる（抵抗発熱
体（Ｃ）は、抵抗発熱体（Ａ）の約２倍抑制できてい
る。）ことも実証できた。

【００２６】また、本実施形態では抵抗発熱体（Ｄ）、
共にＡｇ−Ｐｄ系合金を有するリード端子２と、電極３
とを接続した、リード端子２と、電極３とが実質的に同
組成の場合について検証している。結果的に抵抗発熱体
（Ｃ）よりも勝る短時間に昇温・降温を繰り返す使用形
態下における接続部断線抑制効果が得られることがわか
った。

【００２７】尚、本実施形態では抵抗発熱部４にスクリ
ーン印刷による厚膜を採用したが、塗布手段による厚
膜、スパッタリング、メッキ、蒸着やＣＶＤ等による薄
膜や、板材、棒材も適用可能である。また本例では抵抗
発熱部４層の材質をＡｇ−Ｐｄ合金としたが、酸化ルテ
ニウム、炭素材、Ｎｉ−Ｃｒ系等の合金等も採用可能で
ある。また、本実施形態では抵抗体４の膜及び電極３の
膜を保護する目的で、ホウ珪酸鉛系ガラス７を主成分と
するペーストを抵抗体４の全面、及び電極３の一部を残
し、電極３のほぼ全面に配したが、その用途によってこ
の被膜は必要ない。また抵抗体４の膜及び電極３の膜を
保護する膜を配する場合でも、ホウ珪酸鉛系ガラス以外
の材料、例えばアクリル系、エポキシ系、ポリオレフィ
ン系、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂層等を適宜
選択できる。

【００２８】また、本実施形態では接続部１の接続手段
にスポット溶接を採用したが、超音波溶接、レーザ溶
接、又はこれらの併用としてもよい。但し、設備及び製
造コスト、設備の所要占有面積・占有体積等を考慮する
とスポット溶接が好ましい手段と言える。また、本実施
形態ではリード端子２の銅線を被覆する材料に、フッ化
ポリエチレン系のビニールを用いているが、その他架橋
フッ素ゴム、ビニルポリオレフィン、ポリエチレン等が
使用できる。また本実施形態では図２に示すリード端子
２を用いているが、図４に示すように、厚さ８０μｍの
銅箔等をポリイミドからなる絶縁部材（ビニール）で被
覆したリード端子２を４本ビニール部で一体化したいわ
ゆるフラットケーブルを用いることもできる。４本のリ
ード端子２は、それぞれ抵抗体４と接続している一対の
電極３、チップサーミスタ６と接続している一対の電極
３との接続用リード端子である。またリード端子２の絶
縁材料部での一体化法には、図４に示すフラットケーブ
ル化の他に、例えば単純にリード端子２の絶縁材料部を
束ねて一体化する手法等がある。

【００２９】

【発明の効果】本発明により、短時間に昇温・降温を繰
り返す使用形態下においても、電極３とリード端子２と
の接続部断線を抑制できる抵抗発熱体を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る接続部断面図である。

【図２】本発明に係るリード端子を示す図である。

【図３】本発明の実施の形態の抵抗発熱体の絶縁基板表
面側および裏面側のパターン図である。

【図４】本発明の他の実施の形態の電極とリード端子の
接続例を示す図である。

【符号の説明】

１ 接続部 ２ リード端子 ３ 電極 ４ 抵抗発熱部（抵抗体） ５ アルミナ板 ６ チップサーミスタ ７ ガラス ９ 分割用溝 １２ スルーホール

フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K034 AA02 AA08 AA20 AA34 AA37 BB06 BB14 BC04 BC12 BC25 CA02 CA15 CA18 CA25 CA28 CA32 DA05 DA08 EA07 HA01 HA10 JA01 3K092 PP18 QA05 QB02 QB03 QB18 QB60 QB69 QB74 QB76 QC02 QC07 QC20 QC21 QC25 QC37 QC43 QC51 QC59 RF03 RF12 RF17 RF22 UA06 UA17 UA18 VV15 VV28

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 抵抗発熱部と該抵抗発熱部の両端に接続
   する一対の電極と、該電極に接続するリード端子を有す
   る抵抗発熱体において、 前記電極とリード端子との接続部が、前記電極構成材料
   と前記リード端子構成材料のそれぞれが互いに溶融・混
   合し、固化した状態にあることを特徴とする抵抗発熱
   体。
2. 【請求項２】 前記抵抗発熱体は、絶縁基板表面に抵抗
   発熱部と、絶縁基板裏面に前記抵抗発熱部に接続すると
   共にリード端子に接続する電極を備えたものであること
   を特徴とする請求項１記載の抵抗発熱体。
3. 【請求項３】 前記絶縁基板裏面にチップサーミスタに
   接続すると共にリード端子に接続する電極を更に備えた
   ことを特徴とする請求項２記載の抵抗発熱体。
4. 【請求項４】 前記電極構成材料とリード端子構成材料
   が実質的に同組成金属であることを特徴とする請求項１
   乃至３のいずれかに記載の抵抗発熱体。
5. 【請求項５】 前記接続部は、２種以上の合金が混在し
   た状態にあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
   かに記載の抵抗発熱体。
6. 【請求項６】 前記合金が、Ａｇ−Ｐｄ系、Ａｇ−Ｐｄ
   −Ｃｕ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｉ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｎｉ−Ｃ
   ｕ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｓｎ−Ｐｂ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｓｎ−
   Ｐｂ−Ｃｕ系、Ａｇ−Ｐｄ−Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ−Ｎｉ系
   のいずれかであることを特徴とする請求項５記載の抵抗
   発熱体。
7. 【請求項７】 前記リード端子と電極との接触部におけ
   る、前記リード端子と電極との双方の形状が平板状であ
   り、且つ双方の平板面同士が当接しており、双方の平板
   厚みが０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１
   乃至６のいずれかに記載の抵抗発熱体。
8. 【請求項８】 前記抵抗発熱部及び電極が絶縁基板上に
   配されており、該電極が厚膜技術により形成されたもの
   であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記
   載の抵抗発熱体。
9. 【請求項９】 前記リード端子が、金属箔、金属板又は
   金属線を絶縁部材で被覆したものであり、該リード端子
   の複数が前記絶縁部材で一体化したものであることを特
   徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の抵抗発熱
   体。
10. 【請求項１０】 絶縁基板上に抵抗発熱部及び抵抗発熱
    部の両端に接続する該絶縁基板の裏面側に配置した一対
    の電極を形成する工程と、次いで前記電極構成材料とリ
    ード端子構成材料のそれぞれが互いに溶融・混合後、固
    化した状態を形成するように、溶接により前記電極と前
    記リード端子とを接続する工程とを有することを特徴と
    する抵抗発熱体の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記電極構成材料がＡｇ−Ｐｄ系合金
    であり、リード端子構成材料がＣｕ表面をＮｉ、Ａｇ、
    Ｓｎ−Ｐｂ系合金から選ばれる１種以上で少なくとも接
    続しようとする箇所を被覆したものであることを特徴と
    する請求項１０記載の抵抗発熱体の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記電極がＡｇ−Ｐｄ系の厚膜電極で
    あり、前記リード端子が平板状のＣｕ板にＡｇ被覆を施
    した材料であることを特徴とする請求項１０記載の抵抗
    発熱体の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記電極がＡｇ−Ｐｄ系の厚膜電極で
    あり、前記リード端子が平板状のＡｇ−Ｐｄ系合金であ
    ることを特徴とする請求項１０記載の抵抗発熱体の製造
    方法。
14. 【請求項１４】 前記電極に接続する平板状の金属材料
    の厚みが約１００μｍであり、溶接後の電極痕の深さが
    約１００μｍであることを特徴とする請求項１２又は１
    ３記載の抵抗発熱体の製造方法。