JP2002009347A - Led light source and its manufacturing method - Google Patents

Led light source and its manufacturing method

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JP2002009347A JP2000191101A JP2000191101A JP2002009347A JP 2002009347 A JP2002009347 A JP 2002009347A JP 2000191101 A JP2000191101 A JP 2000191101A JP 2000191101 A JP2000191101 A JP 2000191101A JP 2002009347 A JP2002009347 A JP 2002009347A
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Yusuke Kikukawa
Toshinobu Kuroyama
Hiroshi Mitsumizo
Masataka Tejima
Hideo Yanagisawa
宏 三溝
聖貴 手島
英夫 柳澤
卓也 石田
祐介 菊川
俊宣 黒山
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Kanto Kasei Kogyo Kk
Koha Co Ltd
Toyoda Gosei Co Ltd
株式会社光波
豊田合成株式会社
関東化成工業株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a LED light source having high emission efficiency, excellent productivity, high accuracy and high degree of freedom in the shape and material of a sealing member, and its manufacturing method. SOLUTION: A plurality of LED chips 4 are mounted on a mother substrate 2 through a submount substrate 3. The LED chip 4 has a pair of positive and negative electrodes 4a, 4b on the side facing the submount substrate 3 and the pair of electrodes 4a, 4b are connected with the submount substrate 3 through a pair of bumps 37a, 37b formed by plating.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にLED BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is, LED on the substrate
(Light Emitting Diode:発光ダイオード)チップを搭載したLED光源およびその製造方法に関し、特に、発光効率が高く、生産性に優れ、高精度で、封止部材の形状や材質の自由度が高いLED光源およびその製造方法に関する。 It relates: (Light Emitting Diode light emitting diode) LED light source and a method of manufacturing the same chip that particularly high luminous efficiency, excellent productivity, high precision, the degree of freedom of shape and material of the sealing member is high LED light source and a method of manufacturing the same.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来のLED光源として、例えば、特開平11−168235号公報に示されるものがある。 BACKGROUND ART As a conventional LED light source, for example, those disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-168235.

【0003】図9は、そのLED光源を示す。 [0003] Figure 9 shows the LED light source. このLE The LE
D光源は、基材101上に正負一対のリード110A, D light source, a pair of positive and negative lead 110A on the substrate 101,
110Bが形成されたLED搭載用基板100と、一対のリード110A,110Bに、基板製作工程とは別工程にて個々に形成された金,はんだ等からなる一対のバンプ120a,120bを介して接続されたLEDチップ130と、LEDチップ130を封止する透明樹脂1 Connected to the LED mounting substrate 100 110B is formed, a pair of leads 110A, the 110B, gold substrate fabrication process which is individually formed in a separate step, a pair of bumps 120a made of solder or the like, via 120b an LED chip 130, a transparent resin sealing the LED chip 130 1
40と、アンダーフィル樹脂150とを有する。 And 40, and an underfill resin 150. 一対のリード110A,110Bは、基材101の表面101 A pair of leads 110A, 110B, the surface 101 of the substrate 101
aから側面101bを経て裏面101cに延在して形成されている。 It is formed to extend to the rear surface 101c through the side 101b from a. LEDチップ130は、光出射面となる上面130aと反対側の下面130bには反射層131、 LED chip 130 is in the upper surface 130a of the light emitting surface opposite to the lower surface 130b is reflective layers 131,
および図示しない正負一対の電極が形成されており、一対の電極は一対のバンプ120a,120bを介して一対のリード110A,110Bに接続されている。 And a pair of positive and negative electrodes (not shown) are formed, the pair of electrodes are connected to a pair of bumps 120a, via 120b pair of leads 110A, the 110B. また、LEDチップ130が搭載されたLED搭載用基板100をメイン基板上に実装する場合は、LEDチップ130の上面130aを吸着したのではバンプ120 Further, when mounting the LED mounting substrate 100 on which the LED chip 130 is mounted on the main board, than the upper surface 130a of the LED chip 130 was adsorbed bumps 120
a,120bが剥離されるおそれがあることから、ある程度の硬度を有する透明樹脂140の平坦な上面を吸着してハンドリングしている。 a, since the risk is that 120b is peeled off, and handling by adsorbing flat upper surface of the transparent resin 140 having a certain degree of hardness. このような構成によれば、 According to such a configuration,
LEDチップ130の光出射面には電極を設けていないため、発光効率の向上が図れる。 Since the light emitting surface of the LED chip 130 is not provided with the electrode, thereby improving the luminous efficiency.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のLED The object of the invention is to be Solved However, the conventional LED
光源によると、バンプは、金、はんだ等の細線を球状にし、バンプボンダーによって一つ一つ圧接して形成されるなど、生産性が悪く、また、ボールバンプを形成する際にリードパターンを基準に位置決めしているため、リードパターンのエッジのだれやパターンずれ等により位置精度が出し難い。 According to the light source, bumps, gold, fine lines such as solder is spherical and is formed by one single pressure by the bump bonder, productivity is low, also, based on the lead pattern in forming ball bumps due to the positioning, hardly out positional accuracy by whom or pattern shift and the like of the edge of the read pattern. また、LEDチップが搭載されたL Further, L the LED chips are mounted
ED搭載用基板をハンドリングするために、ある程度の硬度を有し、上面が平坦な透明樹脂140を予め設けなければならないため、透明樹脂の形状や材質が制限される。 To handle the ED mounting board, it has a certain hardness, since the upper surface must previously provided a flat transparent resin 140, the shape and material of the transparent resin is limited.

【0005】従って、本発明の目的は、発光効率が高く、生産性に優れ、高精度のLED光源およびその製造方法を提供することにある。 It is therefore an object of the present invention has high luminous efficiency, excellent productivity is to provide a LED light source and a manufacturing method thereof with high accuracy. また、本発明の他の目的は、封止部材の形状や材質の自由度が高いLED光源およびその製造方法を提供することにある。 Another object of the present invention is that the degree of freedom of the shape and material of the sealing member to provide a high LED light source and its manufacturing method.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達成するため、絶縁基材の裏面に形成された正負一対の裏リード、および前記絶縁基材の表面に前記一対の裏リードに一対の金属接続部によって接続された正負一対の表リードを有する基板と、前記基板に対向する面側に正負一対の電極を有し、前記一対の電極が一対の接合用バンプを介して前記基板の前記一対の表リードに接続されたLEDチップとを備え、前記一対の接合用バンプは、メッキによって前記一対の表リード上に形成されたことを特徴とするLED光源を提供する。 Means for Solving the Problems The present invention for achieving the above object, the rear surface to the formed pair of positive and negative backside lead of the insulating base material, and a pair to the pair of back leads to the surface of the insulating substrate of a substrate having a pair of positive and negative tables leads connected by metal connecting portion has a pair of positive and negative electrodes on the side facing the substrate, of the substrate the pair of electrodes through a pair of bonding bumps and a pair of LED chips connected in Table leads, said pair of bonding bumps provides an LED light source, characterized in that formed on the pair of tables lead by plating. 上記構成によれば、 According to the above-described configuration,
複数のLEDチップからの光は、電極が設けれていない光出射面から出射される。 Light from the LED chips is emitted from the light emitting surface electrode is not provided. また、一対の接合用バンプをメッキによって形成することにより、生産性が向上し、 Further, a pair of bonding bumps by forming by plating, increase productivity,
基板の外形あるいは合せ穴を基準とすることができるので、高い位置精度が得られる。 Since the external shape or combined hole of the substrate can be used as the reference, high positional accuracy is obtained. 「一対の接合用バンプ」 "Bump for a pair of joined"
には、正負の極にそれぞれ1つのバンプを用いた場合に限らず、一方の極に1つ、他方の極に複数のバンプを用いた場合や、正負の極にそれぞれ複数のバンプを用いた場合が含まれる。 In is not limited to the case of using each one of the bumps in the positive and negative poles, one on one pole, and the case of using a plurality of bumps on the other pole, respectively positive and negative poles using a plurality of bumps If is included.

【0007】本発明は、上記目的を達成するため、絶縁基材の裏面に正負一対の裏リード、および前記絶縁基材の表面に前記一対の裏リードに一対の金属接続部により接続された正負一対の表リードを複数組有する集合基板を形成し、前記集合基板の複数組の前記一対の表リードに一対の接合用バンプをそれぞれ形成し、1つの面側に正負一対の電極を有する複数のLEDチップを、前記一対の電極を前記一対のバンプに接続して前記集合基板上に搭載し、前記複数のLEDチップを搭載された前記集合基板をLEDチップ毎に分割することを特徴とするL [0007] The present invention, in order to achieve the above object, a pair of positive and negative back leads to the back surface of the insulating substrate, and said connected by a pair of metal contact to the pair of back leads to the surface of the insulating base positive and negative form a set substrate having a plurality of sets of pair of table read, respectively to form a pair of bonding bumps in a plurality of sets of the pair of table lead of the collective substrate, a plurality of which has a pair of positive and negative electrodes on one side the LED chip, and connect the pair of electrodes to the pair of bumps is mounted on the set substrate, characterized by dividing the aggregate board mounted with the plurality of LED chips for each LED chip L
ED光源の製造方法を提供する。 To provide a manufacturing method of ED light source.

【0008】 [0008]

【発明の実施の形態】図1および図2は、本発明の実施の形態に係るLED光源を適用したLED面発光装置を示し、図1(a)は正面図、同図(b)は側面図、同図(c)は底面図、図2(a)は図1(a)のA部拡大図、図2(b)は図1(a)のB部拡大図、図2(c) DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Figures 1 and 2 show the LED surface light-emitting device according to the LED light source according to an embodiment of the present invention, FIG. 1 (a) is a front view, FIG. (B) is a side Figure, FIG. (c) is a bottom view, FIG. 2 (a) a part enlarged view of FIG. 1 (a), FIG. 2 (b) B-part enlarged view of FIG. 1 (a), FIG. 2 (c)
はLEDチップの底面図である。 Is a bottom view of the LED chip.

【0009】このLED面発光装置1は、表面2aおよび裏面2bに配線パターンが形成されたマザー基板2を有する。 [0009] The LED plane light emitting device 1 includes a mother board 2 on which a wiring pattern on the surface 2a and the back surface 2b is formed.

【0010】このマザー基板2の表面2aには、図1 [0010] On the surface 2a of the mother board 2, as shown in FIG. 1
(a),(b)、および図2に示すように、サブマウント基板3を介して列状に配置された複数のLEDチップ4と、各LEDチップ4を封止する透明樹脂からなる複数の封止部材5と、マザー基板2の表面2aに配置されたスペーサ6と、LEDチップ4からの光を図1(a) (A), (b), and as shown in FIG. 2, a plurality of LED chips 4 arranged in a row through the sub-mount substrate 3, a plurality of formed of a transparent resin for sealing the LED chips 4 the sealing member 5, a spacer 6 disposed on the surface 2a of the mother board 2, Figure the light from the LED chip 4 1 (a)
において上方に反射するリフレクタ7と、内部を保護するとともに、LEDチップ4からの光を透過させる透明板8と、この装置1全体を保護するカバー9とを設けている。 In a reflector 7 that reflects upwards, to protect the internal, the transparent plate 8 for transmitting light from the LED chips 4, are provided with a cover 9 for protecting the entire device 1. なお、サブマウント基板3、LEDチップ4および封止部材5によりLED光源を構成する。 Note that an LED light source by the sub-mount substrate 3, LED chips 4 and the sealing member 5.

【0011】このマザー基板2の裏面2bには、図1 [0011] On the rear surface 2b of the mother board 2, FIG. 1
(c)に示すように、後述するLED駆動回路を構成する複数の抵抗素子10と、1つのツェナーダイオード1 (C), the plurality of resistive elements 10 that constitute the LED drive circuit described later, one of Zener diodes 1
1とを設けている。 It is provided with one and. なお、図1において左側の12A, Incidentally, the left side of 12A in FIG. 1,
13Aと右側の12B,13Bは複数のLEDチップ4 13A and right 12B, 13B are a plurality of LED chips 4
に電圧を印加するための接続端子であり、本装置1組み付け時の配線引き出し方向に応じて左右の接続端子12 To a connection terminal for applying a voltage, the left and right connecting terminal 12 in accordance with the wiring drawing direction during assembly the device 1
A,13A,12B,13Bを使い分けるようにしている。 A, so that selectively 13A, 12B, and 13B.

【0012】複数のLEDチップ4は、図1(a)に示すように、マザー基板2上にサブマウント基板3を介して縦方向に4個、横方向に12個の計48個配列されている。 [0012] a plurality of LED chips 4, as shown in FIG. 1 (a), 4 pieces in the vertical direction via the sub-mount substrate 3 on the mother board 2, 12 total 48 are arranged in a horizontal direction there. LEDチップ4は、フリップチンプボンディング(FCB)によってサブマウント基板3に搭載されている。 LED chip 4 is mounted on the sub-mount substrate 3 by a flip stale bonding (FCB). LEDチップ4は、透明の絶縁体であるサファイア基板上に窒化ガリウム等の半導体層を積層させ、図2に示すように、チップ4の下面4bとなる半導体層の表面に正電極40aと負電極40bを形成したものであり、 LED chips 4, are stacked semiconductor layers of gallium nitride or the like on a sapphire substrate is a transparent insulator, as shown in FIG. 2, the positive electrode 40a and negative electrode on the surface of the semiconductor layer which becomes a lower surface 4b of the chip 4 40b is obtained by the formation,
チップ4の上面4aとなるサファイア基板の底面が光出射面となる。 The bottom surface of the sapphire substrate serving as the upper surface 4a of the chip 4 serves as a light emitting surface. 本実施の形態では、例えば、380nmの波長を有する紫外線を発光するGaN(窒化ガリウム) In this embodiment, for example, GaN which emits ultraviolet light having a wavelength of 380 nm (gallium nitride)
系の半導体を用いる。 Using a semiconductor of the system.

【0013】マザー基板2は、基材の表面2aおよび裏面2bに配線パターンを印刷したものである。 [0013] mother substrate 2 is obtained by printing a wiring pattern on the surface 2a and rear surface 2b of the substrate. マザー基板2の基材は、サブマウント基板3の実装の際に、変形や強度低下を起こさないように耐熱性と低膨張係数を有し、さらに、LEDチップ4の発光波長(例えば、紫外線の波長)に対して高い光反射率と低い光吸収率を有する材料が好ましい。 The substrate of the mother board 2, when the mounting of the submount substrate 3 has a deformation and heat resistance so as not to cause strength reduction and a low expansion coefficient, further emission wavelength of the LED chip 4 (e.g., ultraviolet a material having a high light reflectance and a low light absorptance with respect to wavelength) is preferred. このような材料として、例えば、紫外線に対して42%程度の高い光反射率を有するガラスエポキシ樹脂等を用いることができる。 As such a material, for example, glass can be used epoxy resins having a high light reflectance of about 42% with respect to ultraviolet light. また、マザー基板2よりもLEDチップ4に近いサブマウント基板3の基材として、紫外線に対して42%程度の高い光反射率を有する材料を用いた場合には、それよりも光反射率の低い10〜22%程度のガラスエポキシ樹脂等を用いてもよい。 Further, as the sub-mount substrate of the substrate 3 closer to the LED chip 4 than the mother board 2, when a material having a high light reflectance of about 42% with respect to ultraviolet rays, the light reflectance than low 10 to 22% approximately of glass epoxy resin or the like may be used. この他に、放熱性と強度を重視する場合は、アルミニュウム等の金属、アルミナ等のセラミックスを用いることもできる。 In addition, when a high thermal conductivity and strength can also be used metals such as aluminum, ceramics such as alumina.

【0014】封止部材5は、LEDチップ4を所定の外形形状で封止することにより、LEDチップ4が発する光に所定の配光特性を付与するものである。 [0014] The sealing member 5 is, by sealing the LED chip 4 with a predetermined outer shape, is intended to impart a predetermined light distribution characteristic in the light emitted from the LED chip 4 emits. また、封止部材5は、LEDチップ4の発光波長に対して耐久性を有する透明樹脂材料が好ましい。 The sealing member 5 is made of a transparent resin material having durability with respect to the emission wavelength of the LED chips 4 are preferred. 例えば、紫外線に対してはシリコーンを用いることができる。 For example, for UV and silicone.

【0015】スペーサ6は、図2(a)に示すように、 [0015] The spacer 6, as shown in FIG. 2 (a),
複数のLEDチップ4が配置される位置に複数の円形の開口6aが設けられ、例えば、シリコーンゴム等の弾性を有する部材から形成されている。 A plurality of circular opening 6a is provided at a position where a plurality of LED chips 4 are arranged, for example, it is formed from a member having elasticity such as silicone rubber. スペーサ6は、カバー9によってリフレクタ7とマザー基板2との間で挟持されているので、装置1内部が密閉され、装置1内部に対する防塵・防湿を図ることができる。 The spacer 6, since it is held between the reflector 7 and the mother board 2 by a cover 9, the apparatus 1 is closed, it is possible to dust and moisture for the apparatus 1. また、このような構成により、透明板8等の各部品の厚み方向のばらつきあるいは誤差を吸収し、装置1全体のゆがみやソリ等を防止あるいは緩和することができ、さらに、ガラスからなる透明板8をカバー9とともに保護することができる。 Further, according to such a structure, to accommodate variations or errors in the thickness direction of each part such as a transparent plate 8, it is possible to prevent or alleviate the apparatus 1 overall distortion or warpage, etc., further, a transparent plate made of glass 8 can be protected with the cover 9.

【0016】リフレクタ7は、LEDチップ4に対応する位置に開口7a有し、その開口の7a周囲は図2 The reflector 7 has an opening 7a at positions corresponding to the LED chip 4, 7a around the opening 2
(a)に示すようにコーン状の反射面7bを形成している。 Forming a cone-shaped reflection surface 7b as shown in (a). このリフレクタ7は、湿度・熱・紫外線等に対する十分な耐候性を有し、LEDチップ4の発光波長に対して高い光反射率を有する材料から形成するのが好ましい。 The reflector 7 has a sufficient weather resistance to humidity, heat, ultraviolet rays, preferably formed from a material having a high light reflectance to the emission wavelength of the LED chip 4. 本実施の形態では、図1(a),(b)および図2 In the present embodiment, FIG. 1 (a), (b) and 2
(a)に示すように、銅,スレンレス等からなる金属板を絞り加工してLEDチップ4に対応する位置に開口7 (A), the copper, an opening at a position corresponding to the LED chip 4 by processing squeezing metal plate made of Surenresu like 7
a有し、その開口の7a周囲はコーン状の反射面7bを形成し、表面に高い光反射率を有するような処理、例えば、光沢Niメッキを施している。 Has a, 7a around the opening to form a cone-shaped reflection surface 7b, processing such as those having a high light reflectance on the surface, for example, it is subjected to bright Ni plating. このようなリフレクタ7を設けることにより、チップ4から透明体8に向う方向(前方向)に対する光量を更に向上させることができる。 By providing such a reflector 7, it is possible to further improve the amount of light with respect to the direction (forward) toward the transparent member 8 from the tip 4. なお、リフレクタ7は、樹脂に金属をメッキあるいは蒸着してもよい。 Incidentally, the reflector 7, the metal may be plated or deposited on the resin. これにより、全体が金属の物に比べての軽量化が図れる。 Thus, the whole can be reduced is lighter than that of metal. また、リフレクタ7は、樹脂等の基体に薄い金属カバーを接合したものでもよい。 Furthermore, the reflector 7 may be obtained by bonding the thin metal cover to a substrate such as a resin. これにより、金属カバーを薄い金属板の絞り加工等の工法によって形成することが可能であるため、材料コスト・加工コストが安く、全体が金属の物に比べての軽量化も図れる。 Accordingly, since it can be formed by method of processing such as aperture thin metal plate metal cover, cheaper material cost and processing cost, thereby also lighter overall than that of the metal.

【0017】透明板8は、LEDチップ4の発光波長(例えば紫外線の波長)に対して高透過率を有する材料から形成されていることが好ましい。 The transparent plate 8 is preferably formed of a material having a high transmittance with respect to the emission wavelength of the LED chip 4 (e.g. ultraviolet wavelengths). このような材料として、例えば、ガラスを用いることができる。 As such a material, for example, glass can be used.

【0018】カバー9は、図1(a)に示すように、4 The cover 9, as shown in FIG. 1 (a), 4
つのLEDチップ4に対応した細長形状を有する複数の開口9aを有する。 One of having a plurality of openings 9a having an elongated shape corresponding to the LED chips 4. カバー9は、耐候性と機械的強度を有する材料から形成することが好ましい。 Cover 9 is preferably formed of a material having weather resistance and mechanical strength. このような材料として、例えば、鋼材、アルミニウム等の金属板を用いることができる。 As such a material, for example, it can be used steel, a metal plate such as aluminum.

【0019】抵抗素子10は、図1(a),(c)に示すように、マザー基板2の裏面2bであって各LEDチップ4から均等に距離が離れるようにLEDチップ4の間に配置されている。 The resistive element 10, FIG. 1 (a), arranged between the LED chip 4 away is equally distance from (c), the respective LED chips 4 a rear surface 2b of the mother board 2 It is. これにより、抵抗素子10の発熱がLEDチップ4の出力低下・信頼性低下に影響しないようになり高信頼性が得られる。 Thus, heat generation of the resistive element 10 is to be reliable so that the output does not affect the reduction, reduced reliability of the LED chip 4 is obtained. 抵抗素子10は、各L Resistive element 10, each L
EDチップ4のVF差による電流のばらつきを緩和するとともに、各LEDチップ4への電流の制限を行うものである。 While mitigating the variation in current due to VF difference ED chip 4, and performs limitation of the current to the LED chips 4.

【0020】図3は、LEDチップ4のFCBによる搭載構造を示す。 [0020] Figure 3 shows a mounting structure according to FCB of the LED chips 4. サブマウント基板3は、基材31を有し、この基材31の表面31aに、同図(a)に示すように、正リード32aおよび負リード32bを形成し、 Submount substrate 3 has a substrate 31, the surface 31a of the substrate 31, as shown in FIG. 6 (a), to form a positive lead 32a and negative lead 32b,
基材31の裏面31bに、同図(e)に示すように、正リード33aおよび負リード33bを形成し、表面31 The rear surface 31b of the substrate 31, as shown in FIG. (E), to form a positive lead 33a and negative lead 33b, the surface 31
aの正リード32aおよび負リード32bと裏面31b a positive lead 32a and negative lead 32b and the rear surface 31b
の正リード33aおよび負リード33bとをスルーホールめっき34a,34bによって各々接続し、表面31 Respectively connect a positive lead 33a and negative lead 33b through-hole plating 34a, by 34b, the surface 31
aの正リード32aに正極側であることを表示する正極性表示部35を延在して形成している。 It is formed extending positive polarity display unit 35 to indicate that the positive lead 32a of a is positive side. また、表面31 In addition, the surface 31
aの正リード32aおよび負リード32bには、表面3 The positive lead 32a and negative lead 32b of a, surface 3
1aのLEDチップ4が搭載される領域以外の領域に電圧を印加してLEDチップ4の特性を検査するための一対の三角形の検査用領域38a,38bを有する。 A pair of test areas 38a, 38b of the triangle for inspecting the characteristics of the LED chips 4 by applying a voltage in a region other than the region where the LED chip 4 is mounted in 1a. これらのリード32a,32b,33a,33b、および正極性表示部35は、エッチング法等の通常の半導体製造技術における電極配線技術を使用して形成され、例えば、Cu+Ni等の下地金属層にAu等の金属めっき層を積層して形成される。 These leads 32a, 32 b, 33a, 33b and positive polarity display unit 35, is formed by using the electrode wire technology in conventional semiconductor fabrication techniques etching or the like, for example, Au or the like underlying metal layer such as Cu + Ni It is formed by laminating a metal plating layer. また、基材31の表面31aの正リード32aおよび負リード32bの対角線上に、一対のAuからなる位置認識用メッキバンプ36a,36 Further, the diagonal of the positive lead 32a and negative lead 32b of the surface 31a of the substrate 31, position recognition plated bumps 36a comprising a pair of Au, 36
bを形成し、表面31aの正リード32aおよび負リード32bにAuからなる搭載用メッキバンプ37a,3 b is formed, a positive lead 32a and mounting plated bumps 37a made of Au to a negative lead 32b of the surface 31a, 3
7bを各々形成している。 They are respectively formed a 7b. 搭載用メッキバンプ37a, Mounting plating bump 37a,
37bは、同図(c)に示すように、LEDチップ4の搭載前は、超音波によるボンディングの際の超音波振動方向16に垂直な方向に長い楕円、長円等の形状を有しており、LEDチップ4の搭載後は、同図(d)に示すように、円形となるようにしている。 37b, as shown in FIG. (C), prior to mounting of the LED chip 4, ultrasonic long ellipse in a direction perpendicular to the vibration direction 16 during bonding by ultrasound, have the shape of oblong, etc. cage, after mounting the LED chip 4, as shown in FIG. 1 (d), is set to be circular. これらのメッキバンプ36a,36b,37a,37bは、例えば、ホトリソグラフィ法等によって一括形成される。 These plating bump 36a, 36b, 37a, 37b, for example, they are collectively formed by photolithography or the like. 搭載用メッキバンプ37a,37bを同図(c)に示すような形状とすることにより、ショートを防止しながら、接合面積を大きくして接合強度の向上を図ることができる。 Mounting the plated bumps 37a, by a shape as shown and 37b in FIG. (C), while preventing a short circuit, it is possible to improve the bonding strength of the bonding area is increased to. なお、表面31aのLEDチップ4が搭載される領域以外の領域は、一対の搭載用メッキバンプ37a,37bを介してLEDチップ4が搭載されたサブマウント基板3 The region other than the region where the LED chip 4 is mounted on the surface 31a, the sub-mount substrate 3 on which the LED chip 4 is mounted through a pair of mounting plating bumps 37a, 37b
をハンドリングするための吸着面となる。 A suction surface for handling.

【0021】基材31は、LEDチップ4の実装の際に、変形や強度低下を起こさないように耐熱性と低膨張係数を有し、さらに、LEDチップ4の発光波長(例えば、紫外線の波長)に対して高い光反射率と低い光吸収率を有する材料が好ましい。 The substrate 31 is, during the mounting of the LED chip 4 has a heat resistance and a low coefficient of expansion so as not to cause deformation or strength reduction, further, the emission wavelength of the LED chip 4 (e.g., ultraviolet wavelengths ) material having a high light reflectance and a low light absorptance with respect to the preferred. このような材料として、例えば、紫外線に対して42%程度の高い光反射率を有するガラスエポキシ樹脂等を用いることができる。 As such a material, for example, glass can be used epoxy resins having a high light reflectance of about 42% with respect to ultraviolet light. この他に、要求される特性に応じて他の樹脂やセラミックス等の絶縁体を用いてもよい。 In addition, depending on the required characteristics may be an insulating material such as other resins and ceramics.

【0022】図4は、マザー基板2の表面2aの配線パターンを示す。 [0022] Figure 4 shows a wiring pattern of the surface 2a of the mother substrate 2. 配線パターン20は、エッチング法等の通常の半導体製造技術における電極配線技術を使用して形成され、例えば、Cu+Ni等の下地金属層にAu等の金属めっき層を積層して形成される。 Wiring pattern 20 is formed using the electrode wiring technique in conventional semiconductor fabrication techniques etching or the like, for example, be formed by laminating a metal plating layer such as Au underlying metal layer such as Cu + Ni. サブマウント基板3が搭載される位置には、同図(b)に示すように、 A position submount substrate 3 is mounted, as shown in FIG. (B),
サブマウント基板3の裏面31bの正リード33aおよび負リード33bがそれぞれ銀ペーストを介して接続される一対の接続領域20a,20bが形成されている。 A pair of connecting areas 20a of the positive lead 33a and negative lead 33b of the sub-mount substrate 3 of the back surface 31b are connected via a silver paste, 20b are formed.
また、マザー基板2の表面2aのサブマウント基板3が搭載される以外のスペースの複数の個所(本実施の形態では3個所)に、同図(c)に示すように、テスト用の接続領域20a,20bが形成されている。 Further, the plurality of points of the space (3 places in this embodiment) other than the sub-mount substrate 3 on the surface 2a of the mother board 2 is mounted, as shown in FIG. (C), the connection area of ​​the test 20a, 20b are formed.

【0023】図5は、LED駆動回路を示す。 [0023] Figure 5 shows an LED drive circuit. このLE The LE
D駆動回路は、同図に示すように、複数のLEDチップ4のアノードに接続された接続端子12と、複数のLE D driving circuit, as shown in the figure, a connection terminal 12 connected to the anode of the plurality of LED chips 4, a plurality of LE
Dチップ4に抵抗素子10を介して接続された複数のL A plurality of L connected through a resistor 10 to the D chip 4
EDチップ4と、複数のLEDチップ4のカソードに接続された接続端子13と、過電圧を防止するツェナーダイオード11とを備えている。 And ED chip 4, a connection terminal 13 connected to the cathode of the plurality of LED chips 4, and a Zener diode 11 to prevent overvoltage. なお、ツェナーダイオード11は、これに限定されず、アバランシェダイオード、その他のダイオードを用いることができる。 Incidentally, the Zener diode 11 is not limited to this, it is possible to use avalanche diode, other diodes.

【0024】図6〜図8は、本実施の形態の製造方法を示す。 [0024] Figures 6-8 illustrate a manufacturing method of the present embodiment. まず、多数個取り用サブマウント集合基板30を準備する(ST1)。 First, a sub-mount assembly substrate 30 for a multi-piece (ST1). すなわち、図6(a),(b)、 That is, FIG. 6 (a), (b),
および図7(a)に示すように、サブマウント集合基板30の基材の表面に正リード32aおよび負リード32 And as shown in FIG. 7 (a), the submount positive lead to the surface of the base material of the assembled board 30 32a and the negative lead 32
bを形成し、裏面に正リード33aおよび負リード33 b is formed, a positive lead 33a and negative lead to the rear surface 33
bを形成し、表面の正リード32aおよび負リード32 b is formed, the surface of the positive lead 32a and the negative lead 32
bと裏面の正リード33aおよび負リード33bとをスルーホールめっき34a,34bによって各々接続する。 b and the rear surface of the positive lead 33a and negative lead 33b and the through-hole plating 34a, respectively coupled by 34b. 次に、図7(b)に示すように、レジスト14を塗布し、同図(c)に示すように、穴15aを有するマスク15の上から紫外線(HV)を照射し、同図(d)に示すように、レジスト14に穴14aを形成する。 Next, as shown in FIG. 7 (b), resist 14 is applied, as shown in FIG. (C), and irradiated with ultraviolet rays (HV) from the top of the mask 15 with holes 15a, FIG. (D as shown in), to form a hole 14a in the resist 14. 次に、同図(e)に示すように、レジスト14の穴14a Next, as shown in FIG. (E), the hole 14a of the resist 14
内に搭載用メッキバンプ37a,37bを形成する。 Mounting plating bump 37a, and 37b is formed on the inner. このとき、同時に位置認識用メッキバンプ36a,36b In this case, at the same time position recognition for plating bump 36a, 36b
も形成する。 Also formed. 次に、同図(f)に示すように、レジスト14を除去する。 Next, as shown in FIG. (F), the resist is removed 14. このようにして基材にリード32a, In this way, the lead in the base material 32a,
32b,33a,33bとメッキバンプ36a,36 32b, 33a, 33b and the plating bump 36a, 36
b,37a,37bが形成されたサブマウント集合基板30が完成する。 b, 37a, the submount assembly substrate 30 37b are formed is completed.

【0025】次に、サブマウント集合基板30上にフリップチップとしてのLEDチップ4をフリップチップボンディングし、LEDチップ4を封止部材5によって封止し(ST2)、専用の検査装置によって各LEDチップ4の光量等の特性検査を行う(ST3)。 Next, the submount assembled flip-chip bonding the LED chip 4 as a flip chip on the substrate 30, sealing the LED chip 4 by a sealing member 5 (ST2), the LED chips by a dedicated testing device 4 performs characteristic test of the light amount or the like (ST3). このとき、 At this time,
不良のLEDチップ4にはマーキングを行う。 To mark the LED chip 4 of the defect. 次に、サブマウント集合基板30をLEDチップ4毎に分割して複数のサブマウント基板3を製作する(ST4)。 Then, by dividing the sub-mount assembly substrate 30 for each LED chip 4 to manufacture a plurality of sub-mount substrate 3 (ST4).

【0026】一方、複数のサブマウント基板3を搭載されるマザー基板2を準備する(ST10)。 On the other hand, to prepare a mother board 2 mounted a plurality of sub-mount substrate 3 (ST10). ここでは、 here,
マザー基板2の基材に配線パターン20が形成される。 Wiring pattern 20 is formed on the substrate of the mother substrate 2.
次に、マザー基板2に抵抗素子10、ツェナーダイオード11等の回路部品を実装する(ST11)。 Then, the resistance element 10 to the mother board 2, to implement the circuit components such as the Zener diode 11 (ST11).

【0027】次に、上記工程ST11で製作されたマザー基板2上に上記工程ST4で製作された複数のサブマウント基板3を搭載する(ST12)。 Next, mounting a plurality of sub-mount substrate 3 fabricated in the above step ST4 on the mother board 2, which is manufactured in the above step ST11 (ST12). LEDチップ4 LED chip 4
上にシリコンで封止する(ST13)。 Sealed with silicon on (ST13). マザー基板2 Mother substrate 2
に、スペーサ6、リフレクタ7、透明板8およびカバー9を組み込んでLED面発光装置1を組み立て(ST1 , The spacer 6, the reflector 7, incorporates a transparent plate 8 and the cover 9 assembled LED plane light emitting device 1 (ST1
4)、装置1全体の検査(ST15)で終了する。 4), and ends with inspection of the entire apparatus 1 (ST15).

【0028】上記実施の形態によれば、LEDチップ4 According to the above embodiment, LED chips 4
がFCB実装されたサブマウント基板3は、多数個取り用サブマウント集合基板30上に多数のLEDチップ4 Submount substrate 3 but is FCB implemented a number of LED chips on the multi-cavity submount assembly substrate 30 4
をFCB実装し、それを分割することによって製作しているので、生産性が向上し、コスト低減を図ることができる。 It was FCB implementation, since manufactured by dividing it, increasing productivity, and the cost can be reduced. また、サブマウント集合基板30上に高密度で一括して多数のバンプを形成することにより、メッキバンプ工程を短縮化できるので、これによってもサブマウント基板3の製造コストを低減することができる。 Further, by forming a large number of bumps collectively at high density on the submount assembly substrate 30, it is possible to shorten the plating bump process, it is possible to reduce the manufacturing cost of the sub-mount substrate 3 is also a result. また、 Also,
加熱以外に加圧等の他のストレスが加わるLEDチップ4のFCB実装をサブマウント基板3に対して行っているので、マザー基板2への搭載部品やマザー基板2の材質の選択の自由度が大きくなる。 Since the FCB mounting of the LED chip 4 other stress pressurization besides heating is applied is performed on the sub-mount substrate 3, the degree of freedom in selecting the mounting components and the mother board 2 made of the mother board 2 growing. また、サブマウント集合基板30のサイズを統一することにより、FCB実装用の高精度な治具を統一することができる。 Further, by unifying the size of the submount assembly substrate 30, it is possible to unify the precise jig for FCB implementation. また、サブマウント基板3をマザー基板2に実装しているので、汎用のハンドリングマシンの使用が可能となり、ハンドリングし易くなる。 Further, since the mounting submount substrate 3 to the mother board 2, it is possible to use a general purpose handling machines, easily handling. また、バンプをメッキによって形成することにより、生産性が向上し、サブマウント基板3の外形(あるいは合せ穴)を基準とすることができるので、高い位置精度が得られる。 Further, by forming the bumps by plating, and the productivity is improved, since the outer shape of the sub-mount substrate 3 (or combined hole) can be used as the reference, high positional accuracy is obtained. また、超音波振動により搭載用メッキバンプ37a,37bとLEDチップ4を接合すると、搭載用メッキバンプ37a,37bは、超音波振動方向に長くなるが、予めその分を考慮して超音波振動方向に垂直な方向に長い形状とすることにより、 Also, mounting plated bumps 37a by ultrasonic vibration, the joining 37b and the LED chip 4, mounting plated bumps 37a, 37b is longer in the ultrasonic oscillation direction, an ultrasonic vibration direction in advance considering that amount with elongated in a direction perpendicular to,
短絡を防止することが可能となる。 It is possible to prevent short-circuiting. また、サブマウント基板3を小型化してLEDチップサイズに限りなく近づけた場合には、IC等で言うチップサイズパッケージ(CSP)製作が可能になる。 Also, when the close as possible to the LED chip size submount substrate 3 and miniaturization allows a chip size package (CSP) fabrication mentioned IC or the like. また、フリップチップボンダという特殊で高価な設備類がない工程でも、マウンター・ダイボンダー等の一般設備による利用が可能になる。 In addition, even in the process there is no special and expensive equipment such as flip chip bonder, is available for the general equipment such as a mounter-die bonder. また、形状・形態などの都合からフリップチップボンダーとその周辺治具類との関連で、直接搭載することが困難な実装パッケージヘの応用も可能になる。 Further, in the context of the convenience of such shape and form a flip-chip bonder with surrounding jigs also allows applications that are difficult to mount package f be directly mounted. また、 Also,
サブマウント基板3の表面31aにLEDチップ4が搭載されたサブマウント基板3をハンドリングするための吸着面を有しているので、モールドレスでのハンドリング(後工程のダイスボンド等)が可能になる。 Since LED chip 4 on the surface 31a of the submount substrate 3 has a suction surface for handling submount substrate 3 mounted, allows the handling (of the post-process die bonding or the like) in the mall dress . また、ダイスボンド・マウント後での樹脂封止が可能であるので、シリコーン系の非常に柔らかく機械でのハンドリングが困難な樹脂による直接モールドが可能になる。 Further, since it is possible to resin sealing after die bonding mounting, handling very soft mechanical silicone becomes possible directly molded by hard resin. また、ケース9、リフレクタ7などの形状や、サブマウント基板3のスペースにとらわれない形状での樹脂封止ができる。 The case 9, and shapes such as the reflector 7, it is a resin sealing shape agnostic space of the sub-mount substrate 3. また、特性検査を集合状態で行うことができるため、検査工数の低減も可能である。 Moreover, since it is possible to perform the characteristic test of a set state, it is possible reduce the number of inspection steps. また、GaN系のLEDチップを多数個使用したLED面発光装置においてFCB方式のベアチップ実装を行っているので、発光効率の向上を図ることができる。 Further, since doing bare chip mounting of FCB scheme in large number LED surface light emitting device using a LED chip of the GaN, it is possible to improve the luminous efficiency. また、マザー基板2およびサブマウント基板3は、搭載するLEDチップ4の発光波長に対して、光反射率が高く、かつ光吸収率の少ない材料を使用しているので、発光効率が高くなり、低電力化が図れる。 Further, the mother board 2 and the sub-mount substrate 3, with respect to the emission wavelength of the LED chip 4 to be mounted, high light reflectance, and because it uses less material light absorption rate, the luminous efficiency is increased, low power consumption can be reduced. また、LED駆動回路の入力側にツェナーダイオード11を設けているので、GaN系LED Further, since the Zener diode 11 on the input side of the LED drive circuit is provided, GaN-based LED
チップ4の静電耐圧が低いことによる静電破壊を防ぐことができる。 It is possible to prevent electrostatic breakdown due to electrostatic breakdown voltage of the chip 4 is low. また、光量テストを含む特性検査を行った後、マザー基板2上にLEDチップ4がFCB実装されたサブマウント基板3を実装できるので、予め単体での選別が容易になるため、面発光装置1としての光量ムラを緩和するための選別搭載が可能になり、リペアが不要になる。 Further, after the characteristic test, including the quantity test, since the LED chips 4 on the mother board 2 can implement a sub-mount substrate 3 that is FCB implemented, it becomes easier to sorting in advance alone, the surface emitting device 1 sorting mounted to mitigate light quantity unevenness as becomes possible, repair is not required. また、マザー基板2上にLEDチップ4がFC Further, LED chips 4 FC on the mother board 2
B実装されたサブマウント基板3を実装した後に封止部材5をモールド形成しているので、実装後にその封止部材5の形状や材質を決定することか可能となるため、その形状や材質の選択性が拡がり、希望の配光特性が実現しやすくなる。 Since the mold forming the seal member 5 after mounting the sub-mount substrate 3 which is B implemented, since it becomes possible or to determine the shape and material of the sealing member 5 after mounting, the shape and material spread selectivity, easily realize light distribution characteristics desired. また、本面発光装置1は、全体がカバー9により保護されているので、信頼性・機械的強度を確保することができる。 Further, the surface emitting device 1, since the whole is protected by the cover 9, it is possible to secure the reliability and mechanical strength.

【0029】なお、本発明は、基板上にFCB実装されたLEDチップからリード線あるいはリードフレーム等を導出するとともに、LEDチップを封止部材により封止した単一のLEDランプに適用してもよい。 [0029] The present invention is to derive a lead wire or a lead frame or the like from the LED chips FCB mounted on a substrate, applying the LED chips to a single LED lamp sealed by a sealing member good. また、複数のLEDチップをマトリクス状に配列し、複数のLE Further, by arranging a plurality of LED chips in a matrix, a plurality of LE
Dチップを画像信号に応じて選択的に点灯させる画像表示装置に適用してもよい。 D chip may be applied to the image display device for selectively turned on in accordance with the image signal.

【0030】 [0030]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明のLED光源およびその製造方法によれば、複数のLEDチップからの光は、電極が設けれていない光出射面から出射されるので、発光効率の向上を図ることができる。 As described in the foregoing, according to the LED light source and the manufacturing method thereof of the present invention, the light from a plurality of LED chips, since the electrode is emitted from the light exit surface that is not provided, the luminous efficiency of it can be improved. また、一対の接合用バンプをメッキによって形成しているので、生産性が向上し、高い位置精度が得られる。 Further, since the formed by plating a pair of bonding bumps, increases productivity, high positional accuracy is obtained. また、LED In addition, LED
チップが搭載された基板をハンドリングした後に封止部材を設けることができるので、封止部材の形状や材質の自由度が高くなる。 Since the chip can be provided with a sealing member after handling the board mounted, the degree of freedom of shape and material of the sealing member is increased.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施の形態に係るLED光源を適用したLED面発光装置を示し、(a)は正面図、(b)は側面図、(c)は底面図である。 [1] shows the LED surface light-emitting device according to the LED light source according to the embodiment of the present invention, (a) is a front view, (b) is a side view, (c) is a bottom view.

【図2】(a)は図1(a)のA部拡大図、(b)は図1(a)のB部拡大図、(c)はLEDチップの底面図である。 2 (a) is enlarged view of a portion A of FIG 1 (a), (b) the B-part enlarged view of FIG. 1 (a), a bottom view (c), the LED chip.

【図3】本実施の形態のFCB構造を示し、(a)はL Figure 3 shows the FCB structure of this embodiment, (a) represents L
EDチップが搭載されたサブマウント基板の表面図、 Surface view of the submount substrate ED chip is mounted,
(b)は断面図、(c),(d)はLEDチップ搭載用バンプの形状を示す図、(e)はサブマウント基板の裏面図である。 (B) is a sectional view, (c), (d) is a view showing a shape of the LED chip mounting bumps, (e) is a rear view of the submount substrate.

【図4】(a)はマザー基板の表面図、(b)は(a) 4 (a) is a surface view of a mother substrate, (b) is (a)
のD部拡大図、(c)は(a)のE部拡大図である。 D enlarged view of an E part enlarged view of (c) is (a).

【図5】本実施の形態のLED駆動回路を示す図 5 is a diagram showing the LED driving circuit of the embodiment

【図6】(a),(b)は本実施の形態のサブマウント基板の製造工程を示す図である。 6 (a), a diagram showing a (b) the manufacturing process of the submount substrate according to the present embodiment.

【図7】(a)〜(f)は本実施の形態のサブマウント基板の製造工程を示す図である。 7 (a) ~ (f) are diagrams showing a manufacturing process of the submount substrate according to the present embodiment.

【図8】本実施の形態のLED面発光装置の製造工程を示す図である。 8 is a diagram showing a manufacturing process of the LED faces the light-emitting device of this embodiment.

【図9】従来のLED光源を示す断面図である。 9 is a sectional view showing a conventional LED light source.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 LED面発光装置 2 マザー基板 2a 表面 2b 裏面 3 サブマウント基板 4 LEDチップ 4a 正電極 4b 負電極 5 封止部材 6 スペーサ 6a 開口 7 リフレクタ 7a 開口 7b 反射面 8 透明板 9 カバー 9a 開口 10 抵抗素子 11 ツェナーダイオード 12A,12B,13A,13B 接続端子 14 レジスト 14a 穴 15 マスク 15a 穴 20 配線パターン 20a,20b 接続領域 30 多数個取り用サブマウント集合基板 31a 表面 31b 裏面 32a 正リード 32b 負リード 33a 正リード 33b 負リード 34a,34b スルーホールめっき 35 正極性表示部 36a,36b 位置認識用メッキバンプ 37a,37b 搭載用メッキバンプ 38a,38b 検査用領域 40a 正電極 40b 負電極 100 基 1 LED emitting device 2 mother substrate 2a surface 2b back surface 3 submount substrate 4 LED chips 4a positive electrode 4b negative electrode 5 sealing member 6 spacer 6a opening 7 the reflector 7a opening 7b reflecting surface 8 the transparent plate 9 covers 9a opening 10 resistive element 11 Zener diode 12A, 12B, 13A, 13B connecting terminal 14 resist 14a hole 15 masks 15a hole 20 wiring patterns 20a, 20b connecting region 30 submount multi-piece assembly substrate 31a surface 31b back surface 32a positively leads 32b negative lead 33a positive lead 33b negative lead 34a, 34b through hole plating 35 positive display unit 36a, 36b position recognition plated bumps 37a, 37b mounted for plating bumps 38a, 38b inspection area 40a positive electrode 40b negative electrode 100 group 101 基材 101a 表面 101b 側面 101c 裏面 110A,110B リード 120a,120b バンプ 130 LEDチップ 130a 上面 130b 下面 131 反射層 140 透明樹脂 150 アンダーフィル樹脂 101 substrate 101a surface 101b side 101c back side 110A, 110B leads 120a, 120b bump 130 LED chips 130a top 130b bottom surface 131 reflecting layer 140 transparent resin 150 underfill resin

フロントページの続き (72)発明者 手島 聖貴 東京都練馬区東大泉四丁目26番11号 株式 会社光波内 (72)発明者 三溝 宏 東京都練馬区東大泉四丁目26番11号 株式 会社光波内 (72)発明者 黒山 俊宣 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑1 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 石田 卓也 神奈川県横須賀市池田町4丁目4番地1号 関東化成工業株式会社内 (72)発明者 柳澤 英夫 神奈川県横須賀市池田町4丁目4番地1号 関東化成工業株式会社内 (72)発明者 菊川 祐介 神奈川県横須賀市池田町4丁目4番地1号 関東化成工業株式会社内 Fターム(参考) 5F041 AA03 AA42 CB15 DA09 DA41 DA78 5F044 KK01 KK17 Following (72) inventor Teshima HijiriTakashi Nerima-ku, Tokyo Higashiōizumi chome No. 26, No. 11 stock company lightwave (72) inventor Samizo Hiroshi Nerima-ku, Tokyo Higashiōizumi chome No. 26, No. 11 stock company lightwave of the front page the inner (72) inventor Kuroyama Shunsen Aichi Prefecture Nishikasugai District Kasuga-cho Oaza Ochiai Jichohatake 1 address Toyoda Gosei Co., Ltd. in the (72) inventor Takuya Ishida Yokosuka, Kanagawa Prefecture Ikeda-cho 4-chome address 4 No. 1 Kanto Chemical industry Co., Ltd. in (72) inventor Hideo Yanagisawa Yokosuka, Kanagawa Prefecture Ikeda-cho 4-chome address 4 No. 1 Kanto Chemical industry Co., Ltd. in the (72) inventor Yusuke Kikukawa Yokosuka, Kanagawa Prefecture Ikeda-cho 4-chome address 4 No. 1 Kanto Chemical industry Co., Ltd. in F-term (reference) 5F041 AA03 AA42 CB15 DA09 DA41 DA78 5F044 KK01 KK17

Claims (14)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】絶縁基材の裏面に形成された正負一対の裏リード、および前記絶縁基材の表面に前記一対の裏リードに一対の金属接続部によって接続された正負一対の表リードを有する基板と、 前記基板に対向する面側に正負一対の電極を有し、前記一対の電極が一対の接合用バンプを介して前記基板の前記一対の表リードに接続されたLEDチップとを備え、 前記一対の接合用バンプは、メッキによって前記一対の表リード上に形成されたことを特徴とするLED光源。 1. A back surface formed pair of positive and negative backside lead of the insulating base material, and having a pair of positive and negative pair of the table leads connected by a pair of metal contact on the back leads to a surface of said insulating substrate a substrate having a pair of positive and negative electrodes on the side facing the substrate, the pair of electrodes and an LED chip connected to the pair of tables leads of said substrate through a pair of bonding bumps, the pair of joining bumps, LED light source, characterized in that formed on the pair of tables lead by plating.
  2. 【請求項2】前記一対の接合用バンプは、前記一対の接合用バンプが配列された方向に垂直な方向に長い楕円形あるいは長円形を有する構成の請求項1記載のLED光源。 Wherein said pair of joining bumps, LED light source according to claim 1, wherein the structure having a long oval or oblong in a direction perpendicular to a direction in which the pair of bonding bumps are arranged.
  3. 【請求項3】前記一対の接合用バンプは、超音波振動による接合の際の超音波振動方向に垂直な方向に長い楕円形あるいは長円形を有する構成の請求項1記載のLED Wherein the pair of joining bumps, LED of claim 1, wherein the structure having a long oval or oblong in a direction perpendicular to the ultrasonic oscillation direction during joining by ultrasonic vibration
    光源。 light source.
  4. 【請求項4】前記一対の表リードは、前記一対の接合用バンプに対して所定の位置関係を有する自動認識用のバンプが前記一対の接合用バンプとメッキによって一括で形成された構成の請求項1記載のLED光源。 Wherein said pair of table read, a request for configuration bumps for automatic recognition with a predetermined positional relationship with said pair of bonding bumps are formed collectively by the pair of bonding bumps and plated LED light source of claim 1, wherein.
  5. 【請求項5】前記一対の表リードは、前記表面の前記L Wherein said pair of tables leads, the said surface L
    EDチップが搭載される領域以外の領域に電圧を印加して前記LEDチップの特性を検査するための一対の検査用領域を有する構成の請求項1記載のLED光源。 Claim 1 LED light source according configuration having a pair of test areas for ED chip by applying a voltage in a region other than the region to be mounted to test the characteristics of the LED chip.
  6. 【請求項6】前記LEDチップは、所定の外形形状によって前記LEDチップが発する光に所定の配光特性を付与する透明樹脂からなる封止部材によって封止された構成の請求項1記載のLED光源。 Wherein said LED chips, LED of claim 1, wherein a sealed configuration by a sealing member made of a transparent resin for imparting a predetermined light distribution characteristic in the light emitted by the LED chip with a predetermined outer shape light source.
  7. 【請求項7】前記基板は、四角形状を有し、 前記封止部材は、底面が前記基板の四角形状に対応した四角形状を有し、先端部が球状を有する構成の請求項6 Wherein said substrate has a square shape, the sealing member, the bottom surface has a square shape corresponding to the rectangular shape of the substrate, claims configuration tip with a spherical 6
    記載のLED光源。 LED light source according.
  8. 【請求項8】前記一対の金属接続部は、一対のスルーホールめっきである構成の請求項1記載のLED光源。 Wherein said pair of metal connecting portion, claim 1 LED light source according configurations are a pair of through-hole plating.
  9. 【請求項9】前記基板は、前記表面の前記LEDチップが搭載される領域以外の領域に、前記一対の接合用バンプを介して前記LEDチップが搭載された前記基板をハンドリングするための吸着面を有する構成の請求項1記載のLED光源。 Wherein said substrate, said LED chip to the area other than the area to be mounted, the suction surfaces for handling the substrate on which the LED chip is mounted via a pair of bonding bumps of said surface LED light source according to claim 1, wherein the structure having.
  10. 【請求項10】絶縁基材の裏面に正負一対の裏リード、 10. A pair of positive and negative back leads to the back surface of the insulating substrate,
    および前記絶縁基材の表面に前記一対の裏リードに一対の金属接続部により接続された正負一対の表リードを複数組有する集合基板を形成し、 前記集合基板の複数組の前記一対の表リードに一対の接合用バンプをそれぞれ形成し、1つの面側に正負一対の電極を有する複数のLEDチップを、前記一対の電極を前記一対のバンプに接続して前記集合基板上に搭載し、 前記複数のLEDチップが搭載された前記集合基板をL And said surface to said pair of positive and negative pair of the table leads connected by a pair of metal contact on the back lead of the insulating base material to form a set substrate having a plurality of sets, a plurality of sets of the pair of table lead of the collective substrate respectively form a pair of joining bumps, a plurality of LED chips having a pair of positive and negative electrodes on one side, and connecting the pair of electrodes to the pair of bumps is mounted on the set substrate, wherein It said collective substrate on which a plurality of LED chips are mounted L
    EDチップ毎に分割することを特徴とするLED光源の製造方法。 Method for manufacturing an LED light source, characterized by dividing each ED chip.
  11. 【請求項11】前記複数組の一対の接合用バンプの形成は、メッキによって形成する構成の請求項10記載のL 11. formation of the plurality of sets of the pair of bonding bumps, L according to claim 10, wherein the structure formed by plating
    ED光源の製造方法。 Manufacturing method of ED light source.
  12. 【請求項12】前記集合基板への複数組の前記一対の接合用バンプの形成は、前記一対の接合用バンプに対して所定の位置関係を有する自動認識用のバンプの形成を含む構成の請求項10記載のLED光源の製造方法。 12. The formation of a plurality of sets of the pair of bonding bumps to the collective substrate, wherein the structure including the formation of bumps for automatic recognition with a predetermined positional relationship with said pair of bonding bumps method for manufacturing an LED light source of claim 10, wherein.
  13. 【請求項13】前記複数組の一対の接合用バンプ、および前記自動認識用のバンプの形成は、メッキによって一括して形成する構成の請求項12記載のLED光源の製造方法。 Wherein said plurality of sets of the pair of bonding bumps, and the formation of bumps for automatic recognition method for manufacturing an LED light source according to claim 12, wherein the structure collectively formed by plating.
  14. 【請求項14】前記複数のLEDチップの前記集合基板上への搭載は、所定の外形形状によって前記LEDチップが発する光に所定の配光特性を付与する透明樹脂からなる複数の封止部材によって前記複数のLEDチップを封止する工程を含む構成の請求項10記載のLED光源の製造方法。 14. mounted to the collective substrate of the plurality of LED chips, a plurality of sealing members made of a transparent resin for imparting a predetermined light distribution characteristic in the LED chip emits light with a predetermined outer shape method for manufacturing an LED light source according to claim 10, wherein the structure including the step of sealing the plurality of LED chips.
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