JP2002008382A - メモリの書き込み装置 - Google Patents

メモリの書き込み装置

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JP2002008382A JP2000187103A JP2000187103A JP2002008382A JP 2002008382 A JP2002008382 A JP 2002008382A JP 2000187103 A JP2000187103 A JP 2000187103A JP 2000187103 A JP2000187103 A JP 2000187103A JP 2002008382 A JP2002008382 A JP 2002008382A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数のメモリブロックを有してメモリブロッ
ク単位でデータが消去されるメモリの書き込み先となる
メモリブロックに対するデータ消去開始からデータ書き
込み完了までの時間を短くするメモリの書き込み装置を
提供する。 【解決手段】 記憶領域更新装置1では、データ蓄積手
段14が書き込み対象となるデータ(例えば転送デー
タ)の書き込み先となるメモリブロックB1以外のメモ
リブロックの中でデータ蓄積用のメモリブロックとして
割り当てられたメモリブロックB4に当該データを書き
込んだ後に、データ書き込み手段14が書き込み先とな
るメモリブロックB1に記憶されたデータを消去すると
ともに、データ蓄積用メモリブロックB4に記憶された
書き込み対象となるデータを読み出して当該データを書
き込み先となるメモリブロックB1に書き込む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、メモリブロックを
単位としてデータの消去を行うメモリにデータを書き込
むメモリの書き込み装置に関し、特に、書き込み先とな
るメモリブロックに対するデータ消去の開始からデータ
書き込みの完了までに要する時間を短くした装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】例えば記憶装置の一種であるフラッシュ
メモリ等では、記憶されたデータを書き換えることが可
能であるが、RAM(Random Access Memory)等とは異
なり、書き込み先となる記憶領域に記憶されたデータを
消去した後に書き込み対象となるデータを当該記憶領域
に書き込むといった手順が必要である。
【0003】一例として、電気的にデータの書き換えが
可能である上記したフラッシュメモリでは、その記憶領
域が例えば64Kバイト等に相当する幾つかの領域(メ
モリブロック)に分割されており、当該メモリブロック
単位(つまり、64Kバイト等のデータ単位)でしかデ
ータの消去を行うことができないといったものがある。
このため、このようなフラッシュメモリでは、通常のR
AM等とは異なり、データを1バイト単位で書き換える
ことはできない。
【0004】ところで、上記のようなフラッシュメモリ
等にプログラムデータを格納するとともに当該フラッシ
ュメモリ等とマイクロコンピュータ(マイコン)とを接
続して動作を行う電気製品等の装置では、マイコンと外
部のプログラム転送装置とを接続して、フラッシュメモ
リ等に記憶されたプログラムデータの一部又は全部の内
容を消去して当該消去した記憶領域にプログラム転送装
置から転送(伝送)された新たなプログラムデータの内
容を書き込むことが多く行われている。
【0005】しかしながら、例えば小型の電気製品等で
は、通常は、フラッシュメモリ等のメモリブロック1個
分より少ない記憶容量を有したRAMしか搭載していな
いことも多く、このような場合には、例えばメモリブロ
ック1個分に相当する量のデータをRAMに一旦蓄積し
た後に実際の書き込み先となるメモリブロックに対して
データの書き込みを行うといったことはできない。
【0006】このため、従来では、例えば書き込み先と
なるメモリブロックに記憶されたプログラムデータを消
去した後に、外部のプログラム転送装置から書き込み対
象となるプログラムデータを転送して当該データを書き
込み先となるメモリブロックに書き込むといった手順が
用いられていた。ここで、外部の装置からの転送処理に
はシリアルデータを伝送するシリアル通信が用いられる
ことも多いが、このような転送処理は、通常、同一の装
置の内部でデータをメモリ転送する場合と比べて、非常
に遅く、長い時間がかかってしまう。
【0007】このようなことから、上記のようなデータ
の書き込みの仕方では、例えばプログラムデータ等の重
要なデータを記憶するメモリブロックのデータが転送処
理により書き換えられている途中で当該書き換え処理が
中断されてしまうようなこと(例えば装置の電源がオフ
にされてしまうようなこと)が発生する可能性が高く、
このようなことが発生すると、上記した電気製品等の装
置が正常に動作しなくなってしまうといった不具合があ
った。
【0008】また、例えば割り込み処理が行われる装置
において、割り込み処理ルーチンの格納場所(格納され
ている記憶領域)を示す割り込みベクターを記憶するメ
モリブロックのデータを書き換える場合には、当該メモ
リブロックに記憶されたデータ(割り込みベクターを含
むデータ)を消去してから書き込み対象となるデータ
(割り込みベクターを含むデータ)を書き込み終わるま
での間は割り込み処理を実行することができないが、上
記のような外部の装置からの転送処理には上述のように
非常に長い時間がかかってしまうため、長い時間の間、
割り込み処理を実行することができなくなってしまうと
いった不具合があった。
【0009】ここで、例えば特開平10−124403
号公報に記載された「ブロック消去型フラッシュメモリ
の書込み方法」では、フラッシュメモリが有する複数の
メモリブロックの一部を退避メモリブロックとするとと
もに他をデータ書込み用メモリブロックとし、所望のデ
ータ書込み用メモリブロック(書込該当メモリブロッ
ク)に新たなデータを書き込む場合には、当該書込該当
メモリブロックに既に書き込まれている既存データを退
避メモリブロックに書き込んだ後に、当該書込該当メモ
リブロックに対してデータの消去及び書込みを実行する
ことが行われる。
【0010】この方法では、前記書込該当メモリブロッ
クに対する書込み処理が行われるときに前記既存データ
が保存されることになるが、例えば上記のような外部の
装置からの転送処理が行われるような場合に書込該当メ
モリブロックを使用することができない時間(すなわ
ち、当該書込該当メモリブロックに対する書き込みにか
かる時間)が長いといったことは解消されず、本来使用
すべき書込該当メモリブロックを用いて処理を実行する
ことができない時間が長くなってしまう。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
フラッシュメモリ等のデータ書き換え処理では、例えば
書き込み対象となるデータが外部の装置から転送される
ような場合には特に、書き込み先となるメモリブロック
に記憶されたデータが消去されてから当該メモリブロッ
クに新たなデータが書き込まれ終わるまでの時間が非常
に長くなり、本来使用すべき当該メモリブロックを用い
て処理を実行することができない時間が長くなってしま
うといった不具合があった。
【0012】本発明は、このような従来の課題を解決す
るためになされたもので、メモリのメモリブロックに記
憶されたデータを書き換えるに際して、当該メモリブロ
ックに対するデータ消去の開始からデータ書き込みの完
了までに要する時間を短くすることができるメモリの書
き込み装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るメモリの書き込み装置では、次のよう
にして、メモリが有するメモリブロックに記憶されたデ
ータを消去して当該メモリブロックに書き込み対象とな
るデータを書き込む。ここで、本発明に言うメモリはデ
ータを記憶する複数のメモリブロックを有しており、メ
モリブロックに記憶されたデータはメモリブロックを単
位として消去される構成となっている。
【0014】すなわち、データ蓄積手段が書き込み対象
となるデータの書き込み先となるメモリブロック以外の
メモリブロックの中でデータ蓄積用のメモリブロックと
して割り当てられたメモリブロックに書き込み対象とな
るデータを書き込み、データ書き込み手段がデータ蓄積
手段による書き込みが完了したことに応じて、書き込み
先となるメモリブロックに記憶されたデータを消去する
とともに、データ蓄積用メモリブロックに記憶された書
き込み対象となるデータを読み出して当該データを書き
込み先となるメモリブロックに書き込む。
【0015】従って、書き込み対象となるデータがデー
タ蓄積用メモリブロックに書き込まれ終わった後に、書
き込み先となるメモリブロックに記憶されたデータが消
去されて、データ蓄積用メモリブロックに記憶されたデ
ータが当該書き込み先となるメモリブロックに書き込ま
れるため、当該書き込み先となるメモリブロックに対す
るデータ消去の開始からデータ書き込みの完了までに要
する時間を非常に短くすることができる。
【0016】なお、メモリブロックに記憶されるデータ
としては、特に限定はなく、種々なデータであってもよ
い。また、メモリとしても、例えば複数のメモリブロッ
クを有してメモリブロック単位でデータの消去を行うよ
うなものであれば、どのようなメモリが用いられてもよ
い。
【0017】また、メモリが有するメモリブロックの数
としては、複数であれば、任意であってもよい。また、
書き込み先となるメモリブロックやデータ蓄積用のメモ
リブロックとして割り当てられるメモリブロックの数と
しては、それぞれ1以上であれば、任意であってもよ
い。また、書き込み先となるメモリブロックやデータ蓄
積用のメモリブロックとしては、例えば予め固定的に割
り当てられている構成であってもよく、また、例えばメ
モリの使用状況等に応じて可変的に割り当てられる構成
であってもよい。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明に係る一実施例を図面を参
照して説明する。図1には、本発明を適用した記憶領域
更新装置1を備えたデータ転送システムの回路構成例を
示してあり、このシステムには、記憶領域を更新する機
能を有した当該記憶領域更新装置1と、データを転送
(伝送)する機能を有したデータ転送装置2と、シリア
ルデータを伝送する機能を有したシリアル通信接続線3
とが備えられており、記憶領域更新装置1とデータ転送
装置2とがシリアル通信接続線3を介して接続されてい
る。
【0019】本例では、記憶領域更新装置1の内部に備
えられたフラッシュメモリ11のデータ書き込み用デー
タブロック1部B1に記憶されたデータの内容をデータ
転送装置2の内部に備えられた主記憶装置21の転送デ
ータ部Dに記憶されたデータの内容に書き換える場合を
例として本発明の一実施例を説明する。
【0020】記憶領域更新装置1には、フラッシュメモ
リ11と、RAM12と、シリアル変換器13と、CP
U(Central Processing Unit)14とが備えられてい
る。フラッシュメモリ11としては、本例では、ブロッ
ク消去型の記憶装置であり、且つ、1バイト単位でデー
タの書き込みが可能なものが用いられている。具体的に
は、本例のフラッシュメモリ11の記憶領域は4つの領
域(メモリブロックB1〜B4)に分割されており、各
メモリブロックB1〜B4は例えば64Kバイトの記憶
領域に相当している。
【0021】本例では、上記した4つのメモリブロック
B1〜B4の内の3個のメモリブロックB1〜B3がデ
ータ書き込み用のメモリブロック(以下で、それぞれ、
データ書き込み用データブロック1部B1、データ書き
込み用データブロック2部B2、データ書き込み用デー
タブロック3部と言う)として割り当てられており、残
りの1個のメモリブロックB4がデータ蓄積用のメモリ
ブロック(以下で、バッファブロックB4と言う)とし
て割り当てられている。
【0022】また、本例では、上記した各データ書き込
み用データブロックB1〜B3は、例えばCPU14を
制御するためのプログラムデータを格納(記憶)するた
めに設けられており、また、上記したバッファブロック
B4は、例えばデータ書き込み用データブロックB1〜
B3に対して書き込もうとするデータを一時的に蓄積
(記憶)するために設けられている。なお、上記したよ
うに、本例のフラッシュメモリ11では、例えば各メモ
リブロックB1〜B4に対するデータの書き込みについ
ては1バイト単位で行うことが可能であるが、各メモリ
ブロックB1〜B4に記憶されたデータの消去について
はメモリブロック単位(つまり、本例では、64Kバイ
ト単位)でしか行うことができない。
【0023】RAM12は、例えば上記したフラッシュ
メモリ11のメモリブロック1個分より少ない量(すな
わち、本例では、64Kバイト未満)のデータを記憶す
る機能を有した記憶装置であり、本例では、CPU14
により処理されるプログラム等のデータを一時的に記憶
する領域として用いられる。シリアル変換器13は、シ
リアルデータとパラレルデータとを変換する機能を有し
ており、本例では、後述するデータ転送装置2のシリア
ル変換器22とシリアル通信接続線3を介して接続され
ており、シリアル通信接続線3を介して受信したシリア
ルデータをCPU14により処理可能なパラレルデータ
へ変換してCPU14へ出力する機能を有している。
【0024】CPU14は、例えばRAM12の記憶領
域を用いてフラッシュメモリ11に記憶された各種のプ
ログラムを実行することにより当該記憶領域更新装置1
に係る各種の処理や制御を実行する機能を有しており、
本例では、例えばフラッシュメモリ11に記憶されたデ
ータをメモリブロックB1〜B4毎に消去する処理や、
例えばフラッシュメモリ11に対してデータを書き込む
処理や、例えばフラッシュメモリに記憶されたデータを
読み出す処理や、例えば後述するデータ転送装置2から
シリアル通信接続線3を介して送信(転送)されるデー
タをシリアル変換器13により受信する処理等を実行す
る。
【0025】一方、データ転送装置2には、主記憶装置
21と、シリアル変換器22と、CPU23とが備えら
れている。主記憶装置21は、CPU23から直接アク
セスすることが可能なメモリ(記憶装置)であり、本例
では、CPU23により転送処理の動作を実行させるた
めのプログラム(転送プログラム)のデータを記憶した
記憶領域(転送プログラム部P)と、記憶領域更新装置
1に対して転送するデータ(転送データ)を記憶した記
憶領域(転送データ部D)とを有している。なお、転送
データとしては、本例では、上記した記憶領域更新装置
1のフラッシュメモリ11のデータ書き込み用データブ
ロック1部B1に書き込むべきデータが記憶される。
【0026】シリアル変換器22は、シリアルデータと
パラレルデータとを変換する機能を有しており、本例で
は、上記した記憶領域更新装置1のシリアル変換器13
とシリアル通信接続線3を介して接続されており、CP
U23から入力されるパラレルデータをシリアルデータ
へ変換してシリアル通信接続線3へ送信出力する機能を
有している。
【0027】CPU23は、例えばRAM(図示せず)
の記憶領域を用いて主記憶装置21に記憶された各種の
プログラムを実行することにより当該データ転送装置2
に係る各種の処理や制御を実行する機能を有しており、
本例では、例えば主記憶装置21から転送プログラムの
データや転送データを読み出す処理や、例えば読み出し
た転送データ等をシリアル変換器22によりシリアルデ
ータとしてシリアル通信接続線3を介して記憶領域更新
装置1へ送信(転送)する処理等を実行する。
【0028】なお、本例のデータ転送装置2と記憶領域
更新装置1との間で行われる転送処理では、データ転送
装置2が特定のパターン(本例では、一例として、“A
AhAAh”というパターン)を記憶領域更新装置1に
対して送信出力した後に当該データ転送装置2が転送デ
ータ部Dに記憶された転送データを当該記憶領域更新装
置1に対して送信(転送)する手順が用いられており、
このような転送処理の手順が上記した転送プログラムに
よって規定されている。
【0029】次に、図2を参照して、本例のデータ転送
システムにより行われる処理動作の一例を示す。なお、
本例では、上述したように、記憶領域更新装置1に備え
られたフラッシュメモリ11のデータ書き込み用データ
ブロック1部B1の記憶内容を新たなプログラムデータ
の内容に書き換える場合を例として示す。
【0030】ここで、上記した新たなプログラムデータ
は、例えばデータ転送装置2に備えられた主記憶装置2
1の転送データ部Dに転送データとして予め格納されて
いるか、或いは、例えば以下に示す転送処理が行われる
前にユーザ等により当該転送データ部Dに転送データと
して格納されるものとする。また、本例では、記憶領域
更新装置1に備えられたフラッシュメモリ11のデータ
書き込み用データブロック1部B1及びバッファブロッ
クB4にはプログラムデータが書き込まれた状態である
とし、残りのデータ書き込み用データブロック2部B2
及びデータ書き込み用データブロック3部B3にはプロ
グラムデータが書き込まれた状態であっても書き込まれ
ていない状態(空の状態)であってもよいとする。
【0031】また、上記図2では、新たなプログラムデ
ータの書き込み前にデータ書き込み用データブロック1
部B1に記憶されているプログラムデータを“旧プログ
ラム”として示し、当該書き込み前にバッファブロック
B4に記憶されているプログラムデータを“データ”と
して示し、当該新たなプログラムデータを“新プログラ
ム”として示してある。また、同図では、プログラムデ
ータが記憶されていても記憶されていなくてもよい残り
の2つのデータ書き込み用データブロックB2、B3の
記憶状態を“データ或いは空”として示し、データ書き
込み用データブロック1部B1やバッファブロックB4
に記憶されたデータが消去された状態を“消去”として
示してある。
【0032】まず、データ転送装置2が動作させられて
転送プログラムに従った処理が開始されると、データ転
送装置2では、CPU23が上記したパターン“AAh
AAh”のデータをシリアル変換器22へ送ることで当
該データをシリアル通信接続線3を介して記憶領域更新
装置1へ送信し、その後、当該CPU23が主記憶装置
21の転送データ部Dに記憶された(本例では、記憶領
域更新装置1のフラッシュメモリ11に対する書き込み
対象となる)転送データを同様にして記憶領域更新装置
1へ送信(転送)する。なお、このような転送処理が開
始される前における記憶領域更新装置1のフラッシュメ
モリ11の状態が上記図2(a)に示されている。
【0033】上記したパターン“AAhAAh”のデー
タや転送データの送信処理がデータ転送装置2により行
われると、当該パターン“AAhAAh”のデータや当
該転送データがシリアル通信接続線3を介して記憶領域
更新装置1のシリアル変換器13に届く。そして、記憶
領域更新装置1では、シリアル変換器13がこのような
パターン“AAhAAh”のデータや転送データを受信
して、受信したデータをCPU14により処理すること
が可能なパラレルデータへ変換してCPU14へ送る。
【0034】記憶領域更新装置1では、まず、CPU1
4がシリアル変換器13からパターン“AAhAAh”
のデータを受け取ったことに応じて、フラッシュメモリ
11の記憶領域の記憶内容を更新する要求があったと判
断して、フラッシュメモリ11のバッファブロックB4
に記憶されているプログラムデータを消去する。なお、
このような消去が行われたときにおける記憶領域更新装
置1のフラッシュメモリ11の状態が上記図2(b)に
示されている。
【0035】次に、記憶領域更新装置1では、CPU1
4がシリアル変換器13から転送データを受信したこと
に応じて、当該転送データの内容をバッファブロックB
4に書き込んでいく。そして、記憶領域更新装置1で
は、CPU14がシリアル変換器13を介してデータ転
送装置2から転送データの全てを受信して当該転送デー
タの全てをバッファブロックB4に書き込んだと判断し
たときに、当該CPU14がデータ書き込み用データブ
ロック1部B1に記憶されているプログラムデータを消
去して、バッファブロックB4に書き込まれた転送デー
タを読み出して当該転送データをデータ書き込み用デー
タブロック1部B1に書き込む。
【0036】なお、転送データの内容がバッファブロッ
クB4に書き込まれたときにおける記憶領域更新装置1
のフラッシュメモリ11の状態が上記図2(c)に示さ
れており、データ書き込み用データブロック1部B1に
記憶されたプログラムデータが消去されたときにおける
記憶領域更新装置1のフラッシュメモリ11の状態が上
記図2(d)に示されており、データ書き込み用データ
ブロック1部B1に転送データが書き込まれたときにお
ける記憶領域更新装置1のフラッシュメモリ11の状態
が上記図2(e)に示されている。
【0037】以上のように、本例のデータ転送システム
では、データ転送装置2から記憶領域更新装置1に対し
て書き込み対象となる転送データを転送して当該転送デ
ータを記憶領域更新装置1に備えられたフラッシュメモ
リ11に書き込むときに、記憶領域更新装置1がまずデ
ータ蓄積用のバッファブロックB4の記憶内容を消去し
た後に当該バッファブロックB4に受信した転送データ
を書き込んで蓄積し、このようなバッファブロックB4
に対する書き込みが完了した後に、当該転送データの書
き込み先となるデータ書き込み用データブロック(本例
では、データ書き込み用データブロック1部B1)の記
憶内容を消去してから、当該バッファブロックB4に蓄
積された転送データを当該書き込み先となるデータ書き
込み用データブロックに転送して書き込むことが行われ
る。
【0038】従って、本例のデータ転送システムに備え
られた記憶領域更新装置1では、例えば本例のようにR
AM12の記憶容量が少ない状況においてブロック消去
型メモリ(本例では、フラッシュメモリ11)のメモリ
ブロックの記憶内容を書き換えるような場合であって
も、書き込み先となるメモリブロック(本例では、デー
タ書き込み用データブロック1部B1)の記憶内容を消
去してから当該メモリブロックに対するデータの書き込
みが完了するまでに要する時間を極めて短くすることが
できる。
【0039】そして、本例の記憶領域更新装置1では、
例えばプログラム等の重要なデータを記憶するメモリブ
ロックの記憶内容を書き換える途中で、バッファブロッ
ク(本例では、バッファブロックB4)から書き込み先
となるメモリブロックへのデータ転送の動作が中断され
てしまったような場合であっても、書き込み対象となる
データが消失してしまう可能性を極めて低くすることが
でき、このため、記憶領域の更新を安全に行うことがで
きる。
【0040】また、本例の記憶領域更新装置1では、例
えば割り込みベクターを含むデータを記憶したメモリブ
ロックの記憶内容を書き換えるような場合であっても、
書き込み対象となるデータの全てを外部の装置(本例で
は、データ転送装置2)から受け取った後に書き込み先
となるメモリブロックに対するデータの消去及びデータ
の書き込みが行われることから、当該データ消去が行わ
れるまでは当該メモリブロックに記憶された割り込みベ
クターを用いて割り込み処理を実行することが可能であ
り、書き込み先となるメモリブロックに記憶された割り
込みベクターを用いて割り込み処理を行うことができな
い時間を極めて短くすることができる。
【0041】なお、本例では、フラッシュメモリ11が
有する1個のデータ書き込み用データブロックB1のみ
に対してデータを書き込む例を示したが、例えば本例と
同様な書き込み処理を複数回行うことにより、複数のデ
ータ書き込み用データブロックB1〜B3に対してデー
タを書き込むことができる。また、本例では、1個のバ
ッファブロックB4のみを用意したが、例えば複数個の
バッファブロックを用意しておくことも可能である。
【0042】また、本例では、書き込み対象となるデー
タ(本例では、転送データ)を一括してデータ転送装置
2から記憶領域更新装置1へ送る構成としたが、例えば
当該データを幾つかのブロックに分けて送ることも可能
である。また、書き込み対象となるデータを一括して送
る場合或いは幾つかのブロックに分けて送る場合のいず
れの場合においても、例えばデータ転送装置2が誤り訂
正符号や誤り検出符号を転送対象となるデータに付加す
るとともに記憶領域更新装置1が受信した当該データに
関して誤り訂正処理や誤り検出処理を行って、誤りが発
生したときに当該データの再送を行う構成とすることも
可能である。
【0043】また、記憶領域更新装置1において、例え
ばバッファブロックB4から書き込み先となるデータ書
き込み用データブロックB1へ書き込み対象となるデー
タ(本例では、転送データ)を転送する前に当該バッフ
ァブロックB4に格納された当該データに関して巡回冗
長検査(CRC:Cyclic Redundancy Check)やSUMチェ
ック等を行ってデータ転送装置2から当該バッファブロ
ックB4への当該データの転送が正常に行われたか否か
を判定するようにし、当該転送が正常に行われたことを
確認したことに応じてバッファブロックB4から書き込
み先となるデータ書き込み用データブロックB1へのデ
ータ転送を行う構成とすることも可能である。
【0044】ここで、本例の記憶領域更新装置1では、
フラッシュメモリ11が本発明に言うメモリに相当し、
4個のメモリブロックB1〜B4が本発明に言う複数の
メモリブロックに相当し、上記した転送データが本発明
に言う書き込み対象となるデータに相当し、データ書き
込み用データブロック1部B1が本発明に言う書き込み
先となるメモリブロックに相当し、バッファブロックB
4が本発明に言う書き込み先となるメモリブロック以外
のメモリブロックの中でデータ蓄積用のメモリブロック
として割り当てられたメモリブロックに相当する。
【0045】なお、メモリ(本例では、フラッシュメモ
リ11)が有する複数のメモリブロックに対してデータ
蓄積用のメモリブロックとデータ書き込み用のメモリブ
ロックとを割り当てる態様としては、必ずしも本例の態
様に限られず、種々な態様が用いられてもよい。本例で
は、メモリが有する複数のメモリブロックの中の1以上
の(本例では、1個の)メモリブロックをデータ蓄積用
のメモリブロックとして割り当てるとともに、それ以外
のメモリブロックをデータ書き込み用の(すなわち、デ
ータ蓄積用ではなく、データを格納するために本来使用
されるべき)メモリブロックとして割り当てる態様を用
いた。
【0046】また、本例では、本発明に言うメモリとし
てフラッシュメモリを用いた場合を示したが、例えば複
数のメモリブロックを有してメモリブロックに記憶され
たデータがメモリブロックを単位として消去されるよう
なものであれば、他のメモリが用いられてもよい。
【0047】また、本例の記憶領域更新装置1では、C
PU14がデータ蓄積用のバッファブロックB4に書き
込み対象となる転送データ(本例では、プログラムデー
タ)を書き込む機能により、本発明に言うデータ蓄積手
段が構成されている。また、本例の記憶領域更新装置1
では、CPU14がバッファブロックB4に対する転送
データの書き込みが完了したことを確認したことに応じ
て、書き込み先となるデータ書き込み用データブロック
1部B1に記憶されたプログラムデータを消去するとと
もに、バッファブロックB4に記憶された前記転送デー
タを読み出して当該データを書き込み先となるデータ書
き込み用データブロック1部B1に書き込む機能によ
り、本発明に言うデータ書き込み手段が構成されてい
る。
【0048】なお、本発明に係るメモリの書き換え装置
の構成としては、必ずしも本例で示したものに限られ
ず、種々な構成が用いられてもよい。一例として、本例
では、本発明に係るメモリの書き換え装置により行われ
る各種の処理が、例えばプロセッサ(本例では、CPU
14)やメモリ(本例では、RAM12)等を備えたハ
ードウエア資源においてプロセッサがROM(本例で
は、フラッシュメモリ11)に格納された制御プログラ
ムを実行することにより制御される構成としたが、例え
ば当該処理を実行するための各機能手段を独立したハー
ドウエア回路として構成することも可能である。
【0049】また、本発明は上記の制御プログラムを格
納したフロッピー(登録商標)ディスクやCD−ROM
等のコンピュータにより読み取り可能な記録媒体として
把握することもでき、当該制御プログラムを記録媒体か
らコンピュータに入力してプロセッサに実行させること
により、本発明に係る処理を遂行させることができる。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るメモ
リの書き換え装置によると、データを記憶する複数のメ
モリブロックを有してメモリブロックに記憶されたデー
タがメモリブロックを単位として消去されるメモリに対
して、メモリブロックに記憶されたデータを消去して当
該メモリブロックに書き込み対象となるデータを書き込
むに際して、書き込み対象となるデータの書き込み先と
なるメモリブロック以外のメモリブロックの中でデータ
蓄積用のメモリブロックとして割り当てられたメモリブ
ロックに書き込み対象となるデータを書き込んだ後に、
書き込み先となるメモリブロックに記憶されたデータを
消去するとともに、データ蓄積用メモリブロックに記憶
された書き込み対象となるデータを読み出して当該デー
タを書き込み先となるメモリブロックに書き込むように
したため、書き込み先となるメモリブロックに対するデ
ータ消去の開始からデータ書き込みの完了までに要する
時間を非常に短くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した記憶領域更新装置を備えたデ
ータ転送システムの一例を示す図である。
【図2】メモリブロックの書き換え処理の一例を説明す
るための図である。
【符号の説明】
1・・記憶領域更新装置、 2・・データ転送装置、3
・・シリアル通信接続線、 11・・フラッシュメモ
リ、B1〜B3・・データ書き込み用データブロック、
B4・・バッファブロック、 12・・RAM、13、
22・・シリアル変換器、 14、23・・CPU、2
1・・主記憶装置、 P・・転送プログラム部、 D・
・転送データ部、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 データを記憶する複数のメモリブロック
    を有してメモリブロックに記憶されたデータがメモリブ
    ロックを単位として消去されるメモリのメモリブロック
    に記憶されたデータを消去して当該メモリブロックに書
    き込み対象となるデータを書き込むメモリの書き込み装
    置において、 書き込み対象となるデータの書き込み先となるメモリブ
    ロック以外のメモリブロックの中でデータ蓄積用のメモ
    リブロックとして割り当てられたメモリブロックに書き
    込み対象となるデータを書き込むデータ蓄積手段と、 データ蓄積手段による書き込みが完了したことに応じ
    て、書き込み先となるメモリブロックに記憶されたデー
    タを消去するとともに、データ蓄積用メモリブロックに
    記憶された書き込み対象となるデータを読み出して当該
    データを書き込み先となるメモリブロックに書き込むデ
    ータ書き込み手段と、 を備えたことを特徴とするメモリの書き込み装置。
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