JP2002006493A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項１】 （ａ）下記一般式（Ｘ）で示される基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ａ）、
下記一般式（Ｙ）又は（Ｚ）で示される基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）、及び
（ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】

（式（Ｘ）中、Ｒ¹、Ｒ²は同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、直鎖、分岐、環状アルキル基を表わす。ｍは１〜２０の整数を表わす。）
【化２】

（Ｒ³は置換基を有していてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基を表わす。ｎは０〜５の整数を表わす。）
【化３】

（式（Ｙ）及び（Ｚ）中、Ｒ⁴ は、炭素数１〜１０個の直鎖、分岐あるいは環状のアルキル基を表す。）
【請求項２】 （ａ）下記一般式（Ｉ）、一般式（II）及び一般式（III）で示される構造単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ａ'）、
下記一般式（IV）、一般式（Ｖ）及び一般式（VI）で示される構造単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ'）、及び
（ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化４】

（式（Ｉ）〜（III)中、Ｒ⁵は酸安定基を表わす。Ｗは前記一般式（Ｘ）で示される基を表わす。ｘ、ｙは１〜１００、ｚは０〜１００、但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１００）
【化５】

（式（IV）〜（VI)中、Ｒ⁶は水素原子、メチル基を表わす。Ｒ⁷は直鎖、分岐、環状アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基を表わす。Ｗ'は前記一般式（Ｙ）又は（Ｚ）で示される基を表わす。ｘ'、ｙ'は１〜１００、ｚ'は０〜１００、但しｘ'＋ｙ'＋ｚ'＝１００）
【請求項３】 （ｂ）の活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、スルホニウム塩構造を有する化合物又はジアゾジスルホン構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項４】 （ｂ）の活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物が、スルホニウム塩構造を有する化合物及びジアゾジスルホン構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。