JP2002003562A - フォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２核体成分の少ないフォトレジスト用フェノ
−ル樹脂を提供する。 【解決手段】 ２官能性以上のフェノ−ル類（Ｐ１）及
びアルデヒド類（Ａ）を塩基性触媒の存在下、ｐＨ７−
１２で反応（一次反応）させて得た３核体以上の成分％
が６０％以下であるレゾ−ル樹脂に、フェノ−ル類（Ｐ
２）と酸触媒を添加してｐＨ１−６に調整し、さらに反
応（二次反応）させて得られ、重量平均分子量が、１５
００−２００００であり、２核体成分が８％以下である
ことを特徴とするフォトレジスト用ノボラック型フェノ
−ル樹脂の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体やＬＣＤな
どを製造する際のリソグラフィ−に使用されるフォトレ
ジストのベ−ス樹脂として使用され、高耐熱性、高残膜
率、高感度なフォトレジストの製造を可能にするフォト
レジスト用ノボラック型フェノ−ル樹脂の製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般にポジ型フォトレジストにはナフト
キノンジアジド化合物等のキノンジアジド基を有する感
光剤とアルカリ可溶性樹脂（例えばノボラック型フェノ
−ル樹脂）が用いられている。このような組成からなる
ポジ型フォトレジストは、露光後にアルカリ溶液による
現像によって高い解像力を示し、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導
体製造、ＬＣＤなどの回路基材の製造に利用されてい
る。またノボラック型フェノ−ル樹脂はプラズマドライ
エッチングに対し、芳香環を多く持つ構造に起因する高
い耐熱性も有しており、これまでノボラック型フェノ−
ル樹脂とナフトキノンジアジド系感光剤とを含有する数
多くのポジ型フォトレジストが開発、実用化され、大き
な成果を挙げてきている。

【０００３】ポジ型フォトレジストには、メタ・パラク
レゾ−ルとホルムアルデヒドを酸触媒の存在下で反応さ
せて得られたノボラック型フェノ−ル樹脂が一般に使用
されている。そして、フォトレジストの特性を調整また
は向上させるために、フェノ−ル樹脂中のメタ・パラク
レゾ−ルの比率や分子量、分子量分布などの検討がなさ
れてきた。しかし、メタ・パラクレゾールとホルムアル
デヒドから一般的方法により得られた樹脂を適用したフ
ォトレジストでは、ＬＣＤ製造において、フォトレジス
ト中のレジン成分が昇華（主に２核体成分）することに
より、生産ラインを汚染し、歩留まり低下を引き起こす
原因となっている。そこで、ベースレジンのフェノール
樹脂の２核体成分の低減要求が非常に高いが、今まで満
足する樹脂は得られなかった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＬＣ
Ｄ製造における生産ラインの汚染の低減による歩留まり
向上を可能にする２核体成分の少ないフォトレジスト用
フェノ−ル樹脂の製造方法を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、フェノール樹
脂の２核体成分を低下させる手法として、レゾール化反
応を経由させたノボラック樹脂の合成方法を鋭意研究を
行なった結果として得られたものである。具体的には、
２官能性以上のフェノ−ル類（Ｐ１）及びアルデヒド類
（Ａ）を塩基性触媒の存在下、ｐＨ７−１２で反応（一
次反応）させて得た３核体以上の成分％が６０％以下で
あるレゾ−ル樹脂に、フェノ−ル類（Ｐ２）と酸触媒を
添加してｐＨ１−６に調整し、さらに反応（二次反応）
させて得られ、重量平均分子量が１５００−２００００
であり、２核体成分が８％以下であることを特徴とする
フォトレジスト用ノボラック型フェノ−ル樹脂の製造方
法である。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下に、本発明について詳細に説
明する。まず、原料について説明する。本発明に用いら
れる２官能性以上のフェノ−ル類（Ｐ１）としてはフェ
ノ−ル、メタクレゾ−ル、パラクレゾール、２，３−キ
シレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノ
ール、３，５−キシレノ−ル、メタエチルフェノ−ル、
ハイドロキノン、カテコ−ル、レゾルシノ−ル、メタク
ロロフェノ−ル、メタフェニルフェノ−ルなどがあげら
れ、アルデヒド類との反応が可能な反応点が２個以上あ
るフェノ−ル類であれば特に限定されることはなく、単
品及び混合使用することができる。実用上、特に好まし
い２官能性以上のフェノ−ル類（Ｐ１）としては、メタ
クレゾ−ル、パラクレゾール、フェノ−ルが挙げられ
る。

【０００７】本発明に用いられるアルデヒド類として
は、ホルムアルデヒド（ホルマリン）、パラホルムアル
デヒドやアセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ブチ
ルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、イソバレルアル
デヒド、ヘキシルアルデヒド、オクチルアルデヒドなど
のアルキルアルデヒド類、アクロレイン、クロトンアル
デヒドなどの不飽和アルキルアルデヒド類、サリチルア
ルデヒド、パラヒドロキシベンズアルデヒドなどのヒド
ロキシベンズアルデヒド類、ベンズアルデヒド、フタル
アルデヒドなどの芳香族アルデヒド類、グリオキサ−
ル、グルタルアルデヒドなどのジアルデヒド類があげら
れるが、これらに限定されることはなく、単独及び混合
使用することができる。実用上特に有効なアルデヒド類
としては、ホルムアルデヒド（ホルマリン）、パラホル
ムアルデヒドがあげられる。

【０００８】本発明のノボラック化反応（二次反応）で
使用されるフェノ−ル類（Ｐ２）としては、フェノ−
ル、オルソクレゾ−ル、メタクレゾ−ル、パラクレゾ−
ル、２，３−キシレノ−ル、２，４−キシレノ−ル、
２，５−キシレノ−ル、２，６−キシレノ−ル、３，４
−キシレノ−ル、３，５−キシレノ−ル、２，３，５−
トリメチルフェノ−ル、２，３，６−トリメチルフェノ
−ル、エチルフェノ−ル、プロピルフェノ−ル、ブチル
フェノ−ル、フェニルフェノ−ル、ハロゲン化フェノ−
ルなどが使用されるが、アルデヒド類及びレゾ−ル型フ
ェノ−ル樹脂のメチロ−ル基と反応する反応点を１個以
上持つフェノ−ル類であれば特に限定されることはな
く、単独又は２種以上を混合使用してもよい。実用上特
に好ましいフェノール類（Ｐ２）としては、メタクレゾ
ール、パラクレゾ−ル、キシレノ−ル類、トリメチルフ
ェノ−ル類があげられる。

【０００９】一次反応におけるアルデヒド類（Ａ）とフ
ェノ−ル類（Ｐ１）のモル比率（Ａ／Ｐ１）は０．５−
５．０であり、特に好ましくは０．７−３．５である。
モル比が５．０よりも高い場合は、一次反応後の遊離ア
ルデヒドが多いことなどから、二次反応時のコントロ−
ルが非常に困難になり、場合によってはゲル化してしま
う。モル比が０．５を下回ると２核体成分が多くなって
しまう。また、モル比が０．７−３．５の範囲で特にゲ
ル化は起こりにくく、２核体成分が顕著に低下する。二
次反応時のモル比率（Ａ／Ｐ１＋Ｐ２）は、０．２−
１．５であり、特に好ましくは０．５−１．２である。
モル比が０．２より少ない場合は、分子量が小さすぎ、
２核体成分が多くなる。モル比が１．５より多い場合
は、二次反応時にゲル化がおこり、製造に支障をきたす
ことがある。また、モル比が０．５−１．２の範囲で特
にゲル化は起こりにくく、２核体成分が顕著に低下す
る。

【００１０】Ｐ１とＰ２のモル比率（Ｐ１／Ｐ２）は、
０．１−５．０であり、特に好ましくは０．５−４．０
である。モル比が５．０よりも多くなると分子量が高く
なり、生産に支障をきたすことがある。モル比が０．１
より少なくなると二次反応後の分子量が小さくなり、２
核体成分が増加することになる。また、モル比が０．５
−４．０の範囲で特にゲル化は起こりにくく、２核体成
分が顕著に低下する。

【００１１】一次反応時の塩基性触媒としてはトリメチ
ルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどの
三級アミン類、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、ピ
ロリジノピリジンなどの芳香族アミン類、ジアザビシク
ロノネン（ＤＢＮ）、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢ
Ｕ）などの脂環式アミン類を使用することができるが、
特に限定されることなく、レゾール化反応を行うに十分
な塩基性を有していれば使用することができる。製造上
特に有効なものは、三級アミン類であり、実用上トリエ
チルアミン、トリブチルアミンが最も好ましい。使用量
については、特に限定されることはないが、系内のｐＨ
が７−１２程度になる量であれば良い。実用上は、フェ
ノ−ル類に対して５重量％から２０重量％が好ましく、
５重量％より少ない場合は反応の進行が遅くなり経済的
な観点から不適切であり、２０重量％より多い場合には
反応が速すぎて制御が困難であり、最終的に得られたレ
ジンから塩基性触媒を除去することが難しくなり、フォ
トレジストの特性に悪影響を与える可能性がある。ＰＨ
が７未満では、レゾール化反応の進行が遅いため反応効
率が悪く不適切であり、ＰＨが１２を越えると反応の進
行が速く制御が困難となる。酸性触媒としては、塩酸、
硫酸、燐酸、ホウ酸などの無機酸類、蓚酸、酢酸、安息
香酸などの有機カルボン酸、パラトルエンスルホン酸な
どの有機酸類があげられ、特に限定されることなく単独
及び混合して使用することができる。好ましくは塩基性
触媒との中和により水洗水に可溶な塩を生じ、モノマ−
除去時に分解、昇華などにより反応系から容易に除去で
きるシュウ酸、酢酸、塩酸の使用が好ましい。使用量に
ついては触媒の種類にもよるが、塩基性触媒を中和し、
反応系内のｐＨが１−６の範囲になる量を設定すること
が好ましい。ＰＨ１未満では、反応が激しく制御が困難
となり、ＰＨが６を越えると２次反応の進行が遅くなり
経済面から不適切である。

【００１２】続いて本発明における一次反応終了時の３
核体以上の成分％および重量平均分子量について説明す
る。一次反応終了時の３核体以上の成分％および重量平
均分子量は、ゲルパ−ミエ−ションクロマトグラフィ−
（ＧＰＣ測定）により算出されたものであり、重量平均
分子量はポリスチレン標準物質を用いて作成した検量線
をもとに計算されたものである。ＧＰＣ測定はテトラヒ
ドロフランを溶出溶媒として使用し、流量１．０ｍｌ／
分、カラム温度４０℃の条件で実施した。装置は、本
体：ＴＯＳＯＨ製ＨＬＣ−８０２０、検出器：波長２８
０ｎｍにセットしたＴＯＳＯＨ製ＵＶ−８０１１、分析
用カラム：昭和電工製ＳＨＯＤＥＸ ＫＦ−８０２ １
本、ＫＦ−８０３ １本、ＫＦ−８０５ １本、を使用
した。本発明における一次反応終了時の３核体以上の成
分％は、面積％で６０％以下であり、特に好ましくは５
０％以下である。６０％を越えると、二次反応時に分子
量が高くなり、場合によってはゲル化してしまう。本発
明におけるフェノ−ル樹脂の重量平均分子量は、１５０
０−２００００で、特に好ましくは２０００−１８００
０である。１５００より小さい場合は、耐熱性を損ね、
場合によってはフォトレジストの塗布が均一にできない
場合がある。２００００を越える場合は、耐熱性は良い
ものの感度が低下し実用に向かない。

【００１３】さらに、本発明を反応（製造）手順に沿っ
て説明する。反応は、攪拌機、温度計、熱交換機のつい
た反応釜にフェノ−ル類（Ｐ１）、アルデヒド類
（Ａ）、塩基性触媒を仕込み一次反応を開始する。反応
温度や時間はモノマ−の反応性、目的とする特性によっ
て適宜設定できるが、安定かつ経済的に製造可能なレベ
ルとして反応時間で０．５−８時間、反応温度で４０−
１００℃が特に好ましい。反応終了後、フェノール類
（Ｐ２）と酸性触媒を添加し、二次反応を行う。二次反
応の反応温度や時間は、製造されるレジンの特性やモノ
マ−の反応性により適宜選択できるが、安定かつ経済的
に製造可能なレベルとして反応時間で１−１０時間、反
応温度で５０−１５０℃が特に好ましい。また一次反応
・二次反応時において、必要によって反応溶媒を添加使
用することもでき、特に溶媒の種類は限定されないが、
フェノ−ル樹脂を溶解する溶媒であれば使用できる。一
例をあげるとメチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トンなどのケトン類、ブタノ−ルなどのアルコ−ル類、
エトキシエタノ−ルなどのエ−テルアルコ−ル類などが
上げられる。

【００１４】反応終了後、反応のために添加した酸及び
塩基触媒を除去するために、水を加えて水洗を実施する
ことが好ましい。水洗水の量と回数は特に限定されない
が、水洗回数は１−５回程度が残留触媒量と経済的な観
点から特に好ましい。また、水洗温度は特に限定されな
いが、触媒種除去の効率と作業性の観点から４０−９５
℃で行うのが好ましい。水洗中、樹脂と水洗水の分離が
悪い場合は、レジンの粘度を低下させる溶媒の添加や水
洗温度を上昇させることが効果的である。溶媒種は特に
限定されないが、フェノ−ル樹脂を溶解して粘度を低下
させるものであれば使用することができる。一例をあげ
ると、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトンなどのケトン類、メタノ−ル、エタノ−ル、ブ
タノ−ルなどのアルコ−ル類、エトキシエタノ−ルなど
のエ−テルアルコ−ル類などが上げられる。

【００１５】水洗終了後、常圧下及び減圧下で脱水・脱
モノマ−を行い、フォトレジスト用フェノ−ル樹脂を得
ることができる。脱水・脱モノマ−の条件は限定されな
いが、得られたフェノ−ル樹脂の安定性（バラツキ）や
粘度を考慮すると、減圧度は、０．１ｔｏｒｒから２０
０ｔｏｒｒ程度で行うのが特に好ましく、反応釜からの
取り出し温度は、１５０−２５０℃で行うのが特に好ま
しい。

【００１６】

【実施例】以下本発明を実施例により詳細に説明する。
ここに記載されている「部」及び「％」はすべて「重量
部」及び「重量％」を示し、本発明はこれら実施例によ
り何ら制約されるものではない。

【００１７】《実施例１》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた５Ｌの四つ口フラスコにパラクレゾ−ル（Ｐ１）
６００部、３７％のホルマリン（Ａ）１３５１．４部
（Ａ／Ｐ１＝３．０）トリエチルアミン６０部を仕込
み、ｐＨ９．０、反応温度６８〜７２℃で３時間反応
（一次反応）を行った。一次反応終了時の３核体以上の
成分は２５％であった。その後、１０％の蓚酸水３３０
部を添加して中和（ｐＨ＝５．０）を行ない、メタクレ
ゾ−ル（Ｐ２）１４００部（Ａ／Ｐ１＋Ｐ２＝０．９，
Ｐ１／Ｐ２＝０．４３）、蓚酸３７．５部を添加してｐ
Ｈ２．０、反応温度９８〜１０２℃で４時間反応（二次
反応）させた。二次反応終了後、７０℃まで冷却してア
セトン６０部、イオン交換水６００部を添加して約約７
０℃で攪拌・静置した。分離水を除去した後、アセトン
６０部、イオン交換水６００部を使用して、再度水洗操
作を行った。その後、常圧下で内温１６０℃まで脱水
し、さらに６０ｔｏｒｒの減圧下で１９５℃まで脱水・
脱モノマ−を行い、フォトレジスト用フェノ−ル樹脂１
９００部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は５０
００、２核体成分が５．４％、遊離モノマ−は１．０％
であった。

【００１８】《実施例２》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた５Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾ−ル（Ｐ１）
８００部、３７％のホルマリン（Ａ）８４０．８部（Ａ
／Ｐ１＝１．４）及びトリエチルアミン４０部を仕込
み、ｐＨ８．５、反応温度７８〜８２℃で３時間反応
（一次反応）を行った。一次反応終了時の３核体以上の
成分は５２％であった。その後、１０％の蓚酸水２４０
部を添加して中和（ｐＨ＝５．６）を行ない、パラクレ
ゾ−ル（Ｐ２）１５２０部（Ａ／Ｐ１＋Ｐ２＝０．４
８，Ｐ１／Ｐ２＝０．５３）、蓚酸３０部を添加してｐ
Ｈ２．０、反応温度９８〜１０２℃で４時間反応（二次
反応）させた。二次反応終了後、７０℃まで冷却してア
セトン１６０部、イオン交換水８００部を添加して約７
０℃で攪拌・静置した。分離水を除去した後、アセトン
１６０部、イオン交換水８００部を使用して、再度水洗
操作を行った。その後、常圧下で内温１６０℃まで脱水
し、さらに６０ｔｏｒｒの減圧下で１９５℃まで脱水・
脱モノマ−を行い、フォトレジスト用フェノ−ル樹脂１
３００部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は６８
００、２核体成分４．５％、遊離モノマ−は１．５％で
あった。

【００１９】《実施例３》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた５Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾ−ル７５０
部、パラクレゾール５００部（Ｐ１＝１２５０部）、３
７％のホルマリン（Ａ）９３８．４部（Ａ／Ｐ１＝１．
０）トリエチルアミン６２．５部を仕込み、ｐＨ８．
５、反応温度６８〜７２℃で４時間反応（一次反応）を
行った。一次反応終了時の３核体以上の成分は５５％で
あった。その後、１０％の蓚酸水３５０部を添加して中
和（ｐＨ＝５．２）を行ない、メタクレゾール１７５
部、パラクレゾール１２３７．５部（Ｐ２＝１４１２．
５部；Ａ／Ｐ１＋Ｐ２＝０．４７，Ｐ１／Ｐ２＝０．８
８）、蓚酸３８．５部を添加してｐＨ２．０、反応温度
９８〜１０２℃で４時間反応（二次反応）させた。二次
反応終了後、７０℃まで冷却してアセトン１２５部、イ
オン交換水１２５０部を添加して約７０℃で攪拌・静置
した。分離水を除去した後、アセトン１２５部、イオン
交換水１２５０部を使用して、再度水洗操作を行った。
その後、常圧下で内温１６０℃まで脱水し、さらに６０
ｔｏｒｒの減圧下で１９５℃まで脱水・脱モノマ−を行
い、フォトレジスト用フェノ−ル樹脂１３００部を得
た。得られた樹脂の重量平均分子量は１１０００、２核
体成分７．１％、遊離モノマ−は３．３％であった。

【００２０】《比較例１》実施例１と同様の反応装置に
メタクレゾ−ル４００部、パラクレゾ−ル６００部、３
７％ホルマリン４０５．４部（仕込みモル比０.５
４）、蓚酸２部を仕込み、９８〜１０２℃で４時間還流
反応を行った後、常圧下で脱水を行い内温１４０℃まで
上昇させ、次いで８０Ｔｏｒｒの減圧下で内温１９５℃
まで脱水・脱モノマ−を行ない、フォトレジスト用フェ
ノ−ル樹脂を得た。得られたものの重量平均分子量は３
６００、２核体成分１２．２％、遊離モノマ−３．２％
であった。

【００２１】《比較例２》実施例１と同様の反応装置に
メタクレゾ−ル４００部、パラクレゾ−ル６００部、３
７％ホルマリン４８０．５部（仕込みモル比０.６
４）、蓚酸７部を仕込み、９６〜１００℃で５時間還流
反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃ま
で上昇させ、次いで８０Ｔｏｒｒの減圧下で内温１９０
℃まで脱水・脱モノマ−を行ない、フォトレジスト用フ
ェノ−ル樹脂を得た。得られたものの重量平均分子量は
８０００、２核体成分９．２％、遊離モノマ−２．０％
であった。

【００２２】《評価例１》昇華性試験評価方法 ２５％のエチルセロソルブアセテート溶液を調製し、３
インチシリコンウエハ上に約１μｍの厚みになるように
スピンコーターで塗布し、１１０℃で１００秒間ホット
プレートで乾燥させた。この乾燥時に、シリコンウエハ
をシャーレで覆い昇華物を捕集した。この作業を１０枚
分行い、シャーレに付着した物質の重量を測定した。

【００２３】

【表１】

【００２４】

【発明の効果】本発明により、従来の方法では得られな
かった２核体成分の少ないフォトレジスト用フェノ−ル
樹脂を提供することができる。ＬＣＤ製造において、本
発明のフェノ−ル樹脂を用いたフォトレジストを使用す
ることにより、生産ラインの汚染が低減し歩留の向上が
期待される。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA04 AA10 AB16 AB20 AD03 BE01 CB29 CB56 4J033 CA01 CA02 CA03 CA05 CA11 CA12 CA13 CA26 CA29 CB02 CB03 CB21 CB25 CC03 CC07 CC08 CC09 CC12 CC14 CD02 CD03 HA02 HA12 HB10

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２官能性以上のフェノ−ル類（Ｐ１）及
   びアルデヒド類（Ａ）を塩基性触媒の存在下、ｐＨ７−
   １２で反応（一次反応）させて得た３核体以上の成分％
   が６０％以下であるレゾ−ル樹脂に、フェノ−ル類（Ｐ
   ２）と酸触媒を添加してｐＨ１−６に調整し、さらに反
   応（二次反応）させて得られ、重量平均分子量が１５０
   ０−２００００であり、２核体成分が８％以下であるこ
   とを特徴とするフォトレジスト用ノボラック型フェノ−
   ル樹脂の製造方法。
2. 【請求項２】 ２官能性以上のフェノール類（Ｐ１）が
   フェノ−ル、メタクレゾ−ル、パラクレゾール、２，３
   −キシレノ−ル、２，５−キシレノール、３，４−キシ
   レノールのうち１種以上からなる請求項１記載のフォト
   レジスト用ノボラック型フェノール樹脂の製造方法。
3. 【請求項３】 フェノール類（Ｐ２）がフェノ−ル、メ
   タクレゾ−ル、パラクレゾ−ル、２，３−キシレノ−
   ル、２，４−キシレノ−ル、２，５−キシレノ−ル、
   ２，６−キシレノ−ル、３，４−キシレノ−ル、３，５
   −キシレノ−ル、２，３，５−トリメチルフェノ−ル、
   ２，３，６−トリメチルフェノ−ルのうち１種以上であ
   る請求項１又は２記載のフォトレジスト用ノボラック型
   フェノール樹脂の製造方法。
4. 【請求項４】 アルデヒド類（Ａ）がホルムアルデヒド
   及び／又はパラホルムアルデヒドからなる請求項１、２
   又は３記載のフォトレジスト用ノボラック型フェノ−ル
   樹脂の製造方法。
5. 【請求項５】 一次反応時の塩基性触媒が第３級アミン
   類である請求項１乃至４のいずれかに記載のフォトレジ
   スト用ノボラック型フェノ−ル樹脂の製造方法。
6. 【請求項６】 二次反応時の酸性触媒が有機カルボン酸
   である請求項１乃至５のいずれかに記載のフォトレジス
   ト用ノボラック型フェノ−ル樹脂の製造方法。
7. 【請求項７】 ２官能性以上のフェノール類（Ｐ１）と
   フェノール類（Ｐ２）のモル比率（Ｐ１／Ｐ２）が０．
   １−５．０であることを特徴とする請求項１乃至６のい
   ずれかに記載のフォトレジスト用ノボラック型フェノ−
   ル樹脂の製造方法。
8. 【請求項８】 一次反応時のアルデヒド類（Ａ）と２官
   能性以上のフェノ−ル類（Ｐ１）のモル比率（Ａ／Ｐ
   １）が０．５−５．０であり、二次反応時のモル比率
   （Ａ／Ｐ１＋Ｐ２）が０．２−１．５であることを特徴
   とする請求項１乃至７のいずれかに記載のフォトレジス
   ト用ノボラック型フェノ−ル樹脂の製造方法。