JP2002001733A - 半導体封止用樹脂のタブレット成形用金型 - Google Patents
半導体封止用樹脂のタブレット成形用金型Info
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- JP2002001733A JP2002001733A JP2000233726A JP2000233726A JP2002001733A JP 2002001733 A JP2002001733 A JP 2002001733A JP 2000233726 A JP2000233726 A JP 2000233726A JP 2000233726 A JP2000233726 A JP 2000233726A JP 2002001733 A JP2002001733 A JP 2002001733A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体封止用樹脂のタブレット成形用金型の
離型性を向上させ、金型の長寿命化を図る。 【解決手段】 樹脂タブレット成形に用いる金型の少な
くとも樹脂に接する部分に、フッ素を１乃至３０質量％
含む非晶質炭素被膜を被覆する。より好ましくは金型基
材をＷＣ基超硬合金とする。
離型性を向上させ、金型の長寿命化を図る。 【解決手段】 樹脂タブレット成形に用いる金型の少な
くとも樹脂に接する部分に、フッ素を１乃至３０質量％
含む非晶質炭素被膜を被覆する。より好ましくは金型基
材をＷＣ基超硬合金とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路等に組込
まれる半導体部品の封止用熱硬化性樹脂をプレス成形す
るために用いられる、タブレット成形用金型に関する。
まれる半導体部品の封止用熱硬化性樹脂をプレス成形す
るために用いられる、タブレット成形用金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体部品の樹脂封止は、通常エポキシ
樹脂などの熱硬化性樹脂を用いたトランスファー成形法
によって行われている。このような樹脂は、封止時に取
り扱いやすいように円柱状のタブレットにプレス成形さ
れ、これを予備加熱した後にトランスファー成形機によ
って半導体部品を封止するが、このタブレットを製造す
る金型には、通常ダイス鋼や超硬合金等が使用されてい
る。
樹脂などの熱硬化性樹脂を用いたトランスファー成形法
によって行われている。このような樹脂は、封止時に取
り扱いやすいように円柱状のタブレットにプレス成形さ
れ、これを予備加熱した後にトランスファー成形機によ
って半導体部品を封止するが、このタブレットを製造す
る金型には、通常ダイス鋼や超硬合金等が使用されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような半導体封
止用樹脂には、通常シリカ粉末等の硬質粒子が５０〜８
０質量％添加されているため、成形用金型の上下パンチ
及びダイの樹脂と接触する部分が摩耗しやすく、その結
果タブレット成形時の離型性が短期間で劣化するという
問題点があった。
止用樹脂には、通常シリカ粉末等の硬質粒子が５０〜８
０質量％添加されているため、成形用金型の上下パンチ
及びダイの樹脂と接触する部分が摩耗しやすく、その結
果タブレット成形時の離型性が短期間で劣化するという
問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記事情に鑑
みなされたもので、金型の上下パンチの押圧面及びダイ
の内周面に離型性と耐摩耗性を兼備したフッ素を含む非
晶質の炭素被膜を被覆することにより、半導体封止用樹
脂のタブレットを製造する際に用いられる金型の寿命の
大幅な延長を可能にしたものである。
みなされたもので、金型の上下パンチの押圧面及びダイ
の内周面に離型性と耐摩耗性を兼備したフッ素を含む非
晶質の炭素被膜を被覆することにより、半導体封止用樹
脂のタブレットを製造する際に用いられる金型の寿命の
大幅な延長を可能にしたものである。
【０００５】フッ素を含む非晶質炭素被膜を基材の表面
に被覆するには種々の方法があるが、例えば１〜１０Ｐ
ａ程度の低圧のフッ化炭素と炭化水素の混合ガス雰囲気
中で高周波放電によるガスプラズマを発生させ、同時に
基材に１００〜２０００Ｖのマイナスバイアス電圧を負
荷することにより、該被膜を基材に被覆することができ
る。
に被覆するには種々の方法があるが、例えば１〜１０Ｐ
ａ程度の低圧のフッ化炭素と炭化水素の混合ガス雰囲気
中で高周波放電によるガスプラズマを発生させ、同時に
基材に１００〜２０００Ｖのマイナスバイアス電圧を負
荷することにより、該被膜を基材に被覆することができ
る。
【０００６】非晶質の炭素被膜に含まれるフッ素の量
は、前記フッ化炭素と炭化水素の混合比によって調節す
ることができるが、１質量％（以下、すべて％と略記）
未満ではエポキシ樹脂との離型性改善効果が小さく、３
０％を超えると被膜の強度が低下し、剥離しやすくな
る。
は、前記フッ化炭素と炭化水素の混合比によって調節す
ることができるが、１質量％（以下、すべて％と略記）
未満ではエポキシ樹脂との離型性改善効果が小さく、３
０％を超えると被膜の強度が低下し、剥離しやすくな
る。
【０００７】フッ素を含む非晶質炭素被膜の厚さが０．
５μｍ未満では金型寿命の延長効果が小さく、１０μｍ
を超えると被膜と基材との熱膨張係数差に起因する残留
応力により被膜が剥離しやすくなる。さらに、被膜の微
小ビッカース硬さは被覆処理時の基材温度やバイアス電
圧等によって変化させることができるが、１０００未満
では耐摩耗性の低下により被膜面粗さが劣化しやすいた
め、短期間で樹脂が付着するようになり、３０００を超
えると被膜中の圧縮応力が過大になるために被膜の耐剥
離性が低下する。
５μｍ未満では金型寿命の延長効果が小さく、１０μｍ
を超えると被膜と基材との熱膨張係数差に起因する残留
応力により被膜が剥離しやすくなる。さらに、被膜の微
小ビッカース硬さは被覆処理時の基材温度やバイアス電
圧等によって変化させることができるが、１０００未満
では耐摩耗性の低下により被膜面粗さが劣化しやすいた
め、短期間で樹脂が付着するようになり、３０００を超
えると被膜中の圧縮応力が過大になるために被膜の耐剥
離性が低下する。
【０００８】金型の基材は、ダイス鋼などの工具鋼でも
よいが、より高硬度のＷＣ基超硬合金が好ましく、さら
にその結合相としてのＣｏ及び／又はＮｉ量を１０％以
上、１５％以下、ＷＣの平均粒度を０．４μｍ以上、
２．０μｍ以下とすることにより、ビッカース硬さが１
４００以上、１８００以下の合金とすると、フッ素を含
む非晶質炭素被膜を下地から補強することができ、より
好適である。ここで、超硬合金基材のビッカース硬さを
１８００以下としたのは、それを超える高硬度の超硬合
金は靭性が極めて低いために金型のエッジ部が欠損しや
すくなるからである。このような超硬合金のＷＣ粒度の
調整や被膜／基材間の密着性の改善のために、ＷＣ以外
の周期律表の第ＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ族に属する金属の
炭化物を少量添加することがより好ましい場合もある。
よいが、より高硬度のＷＣ基超硬合金が好ましく、さら
にその結合相としてのＣｏ及び／又はＮｉ量を１０％以
上、１５％以下、ＷＣの平均粒度を０．４μｍ以上、
２．０μｍ以下とすることにより、ビッカース硬さが１
４００以上、１８００以下の合金とすると、フッ素を含
む非晶質炭素被膜を下地から補強することができ、より
好適である。ここで、超硬合金基材のビッカース硬さを
１８００以下としたのは、それを超える高硬度の超硬合
金は靭性が極めて低いために金型のエッジ部が欠損しや
すくなるからである。このような超硬合金のＷＣ粒度の
調整や被膜／基材間の密着性の改善のために、ＷＣ以外
の周期律表の第ＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ族に属する金属の
炭化物を少量添加することがより好ましい場合もある。
【０００９】また、被膜表面の平均面粗さ（Ｒａ）を
０．４μｍ以下にすることにより、より優れた離型性を
得ることができる。この０．４μｍ以下の被膜表面Ｒａ
は、被覆前の基材表面のＲａを０．２μｍ以下に仕上げ
加工しておくことにより容易に得られる。
０．４μｍ以下にすることにより、より優れた離型性を
得ることができる。この０．４μｍ以下の被膜表面Ｒａ
は、被覆前の基材表面のＲａを０．２μｍ以下に仕上げ
加工しておくことにより容易に得られる。
【００１０】
【実施例】以下、実施例によって本発明をより詳細に説
明する。 例１）ダイス鋼（７００ＨＶ３０）及びＷＣ−１２％Ｃ
ｏ超硬合金（ＷＣ平均粒度１．５μｍ、硬さ１４５０Ｈ
Ｖ３０）を用いて、図１の概念図に示すようなφ１０．
８ｍｍのタブレット用金型を作製した。この時パンチの
押圧面及びダイの内周面は、Ｒａを０．１５μｍに仕上
げ加工した。パンチの押圧面には、圧力５Ｐａ、全流量
２０ｍｌ／ｍｉｎ、基材温度１００℃、バイアス電圧−
１０００Ｖとし、ＣＦ４／ＣＨ４流量比及び被覆処理時
間を種々変化させたプラズマＣＶＤ法による被覆処理を
行なった。得られた本発明品及び比較品の非晶質炭素被
膜中の、ＥＰＭＡ定量分析によるフッ素量、被膜厚さ及
び被膜硬さを表１に示した。ここで被膜硬さは被覆処理
後の被膜表面で微小ビッカース硬さ計（荷重、１０ｇ
ｆ）によって測定した。この場合の硬さ測定値には、基
材の硬さの影響が避けられないが、被膜のみの硬さを正
確に測定することは困難であるので、便宜上これをもっ
て被膜硬さとした。ダイの内周面に対しては、ＣＦ４／
ＣＨ４比１／１０、処理時間４．０ｈｒ、その他の条件
は上記と同様にして被膜厚さ８．０μｍの被覆処理を行
なった。これらのパンチ及びダイを用いて、平均粒度約
１０μｍのシリカ粉末を７０％含むエポキシ樹脂を約１
００℃に加熱して、成形圧力０．５ｔｏｎ／ｃｍ２、圧
力保持時間１．５ｓｅｃでタブレットにプレス成形し
た。タブレットを２００万個成形後、パンチ押圧面のＲ
ａを測定し、その結果を表１に併示した。同表には被覆
処理なしの比較品についての結果も示してある。これよ
り比較品の被膜中フッ素量が１％未満又は３０％を超え
るパンチや、被覆処理なしのパンチはいずれもタブレッ
ト成形数が２００万個に達する前に寿命となったが、被
膜中のフッ素量が１〜３０％の範囲内にある大部分の本
発明品はＲａが１μｍ以下と著しく小さく、またパンチ
への樹脂の付着も見られずさらに使用可能であった。但
し、被膜厚さが０．５未満又は１０μｍを超える場合
は、樹脂の付着や被膜の一部剥離が認められ、被膜厚さ
は０．５〜１０μｍの範囲内にあることがより好ましい
ことが分かる。また、超硬合金を基材とした本発明品は
ダイス鋼を基材とした場合よりさらにＲａが小さく、よ
り好ましいことも分かる。
明する。 例１）ダイス鋼（７００ＨＶ３０）及びＷＣ−１２％Ｃ
ｏ超硬合金（ＷＣ平均粒度１．５μｍ、硬さ１４５０Ｈ
Ｖ３０）を用いて、図１の概念図に示すようなφ１０．
８ｍｍのタブレット用金型を作製した。この時パンチの
押圧面及びダイの内周面は、Ｒａを０．１５μｍに仕上
げ加工した。パンチの押圧面には、圧力５Ｐａ、全流量
２０ｍｌ／ｍｉｎ、基材温度１００℃、バイアス電圧−
１０００Ｖとし、ＣＦ４／ＣＨ４流量比及び被覆処理時
間を種々変化させたプラズマＣＶＤ法による被覆処理を
行なった。得られた本発明品及び比較品の非晶質炭素被
膜中の、ＥＰＭＡ定量分析によるフッ素量、被膜厚さ及
び被膜硬さを表１に示した。ここで被膜硬さは被覆処理
後の被膜表面で微小ビッカース硬さ計（荷重、１０ｇ
ｆ）によって測定した。この場合の硬さ測定値には、基
材の硬さの影響が避けられないが、被膜のみの硬さを正
確に測定することは困難であるので、便宜上これをもっ
て被膜硬さとした。ダイの内周面に対しては、ＣＦ４／
ＣＨ４比１／１０、処理時間４．０ｈｒ、その他の条件
は上記と同様にして被膜厚さ８．０μｍの被覆処理を行
なった。これらのパンチ及びダイを用いて、平均粒度約
１０μｍのシリカ粉末を７０％含むエポキシ樹脂を約１
００℃に加熱して、成形圧力０．５ｔｏｎ／ｃｍ２、圧
力保持時間１．５ｓｅｃでタブレットにプレス成形し
た。タブレットを２００万個成形後、パンチ押圧面のＲ
ａを測定し、その結果を表１に併示した。同表には被覆
処理なしの比較品についての結果も示してある。これよ
り比較品の被膜中フッ素量が１％未満又は３０％を超え
るパンチや、被覆処理なしのパンチはいずれもタブレッ
ト成形数が２００万個に達する前に寿命となったが、被
膜中のフッ素量が１〜３０％の範囲内にある大部分の本
発明品はＲａが１μｍ以下と著しく小さく、またパンチ
への樹脂の付着も見られずさらに使用可能であった。但
し、被膜厚さが０．５未満又は１０μｍを超える場合
は、樹脂の付着や被膜の一部剥離が認められ、被膜厚さ
は０．５〜１０μｍの範囲内にあることがより好ましい
ことが分かる。また、超硬合金を基材とした本発明品は
ダイス鋼を基材とした場合よりさらにＲａが小さく、よ
り好ましいことも分かる。
【００１１】
【表１】
【００１２】例２）例１と同様のダイス鋼とＷＣ−１２
％Ｃｏ超硬合金をパンチ基材として、圧力５Ｐａ、全流
量２０ｍｌ／ｍｉｎ、ＣＦ４／ＣＨ４比１／１０（被膜
中フッ素量約９％）とし、基材温度及びバイアス電圧を
変化させて被膜厚さ約８μｍの被覆処理を施した。得ら
れた本発明品と比較品の非晶質炭素被膜の被膜硬さ、及
び例１と同様のダイを用いて例１と同様のエポキシ樹脂
タブレットを２００万個成形した時のパンチ押圧面のＲ
ａを測定し、表２に示した。本発明品はＲａが１μｍ以
下と小さく、なお使用可能であったが、被膜硬さが低い
比較品ではＲａの劣化が早く一部に樹脂の付着が観察さ
れ、被膜硬さが高い比較品では被膜の一部が剥離してタ
ブレットを２００万個まで成形できなかった。また表２
からも例１と同様に金型基材としてはダイス鋼よりも超
硬合金の方が好ましいことが分かる。
％Ｃｏ超硬合金をパンチ基材として、圧力５Ｐａ、全流
量２０ｍｌ／ｍｉｎ、ＣＦ４／ＣＨ４比１／１０（被膜
中フッ素量約９％）とし、基材温度及びバイアス電圧を
変化させて被膜厚さ約８μｍの被覆処理を施した。得ら
れた本発明品と比較品の非晶質炭素被膜の被膜硬さ、及
び例１と同様のダイを用いて例１と同様のエポキシ樹脂
タブレットを２００万個成形した時のパンチ押圧面のＲ
ａを測定し、表２に示した。本発明品はＲａが１μｍ以
下と小さく、なお使用可能であったが、被膜硬さが低い
比較品ではＲａの劣化が早く一部に樹脂の付着が観察さ
れ、被膜硬さが高い比較品では被膜の一部が剥離してタ
ブレットを２００万個まで成形できなかった。また表２
からも例１と同様に金型基材としてはダイス鋼よりも超
硬合金の方が好ましいことが分かる。
【００１３】
【表２】
【００１４】例３）次に、金型基材としての超硬合金の
組成、ＷＣ平均粒度及びビッカース硬さと非晶質炭素被
膜を被覆したパンチ押圧面の使用後のＲａとの関係を検
討し、表３を得た。この時の被覆条件は、圧力５Ｐａ、
全流量２０ｍｌ／ｍｉｎ、ＣＦ４／ＣＨ４比１／１０、
基材温度１００℃、バイアス電圧−１０００Ｖ、被覆処
理時間４．０ｈｒ一定とし、得られた被膜中のフッ素量
は約９％、被膜厚さは約８μｍ、被膜Ｒａは０．３μｍ
以下、被膜微小ビッカース硬さは約２０００であった。
例１と同様のダイを用いて同じくエポキシ樹脂タブレッ
トを２００万個成形した結果、結合相が１０％以上、１
５％以下のＣｏ及び／又はＮｉよりなり、ＷＣ平均粒度
が０．４μｍ以上、２．０μｍ以下で、かつビッカース
硬さが１４００以上、１８００以下である超硬合金を基
材とした本発明品は比較品に比べＲａが著しく小さく、
かつ欠損によって寿命となることもなく、なお使用可能
の状態にあった。
組成、ＷＣ平均粒度及びビッカース硬さと非晶質炭素被
膜を被覆したパンチ押圧面の使用後のＲａとの関係を検
討し、表３を得た。この時の被覆条件は、圧力５Ｐａ、
全流量２０ｍｌ／ｍｉｎ、ＣＦ４／ＣＨ４比１／１０、
基材温度１００℃、バイアス電圧−１０００Ｖ、被覆処
理時間４．０ｈｒ一定とし、得られた被膜中のフッ素量
は約９％、被膜厚さは約８μｍ、被膜Ｒａは０．３μｍ
以下、被膜微小ビッカース硬さは約２０００であった。
例１と同様のダイを用いて同じくエポキシ樹脂タブレッ
トを２００万個成形した結果、結合相が１０％以上、１
５％以下のＣｏ及び／又はＮｉよりなり、ＷＣ平均粒度
が０．４μｍ以上、２．０μｍ以下で、かつビッカース
硬さが１４００以上、１８００以下である超硬合金を基
材とした本発明品は比較品に比べＲａが著しく小さく、
かつ欠損によって寿命となることもなく、なお使用可能
の状態にあった。
【００１５】
【表３】
【００１６】例４）例１と同様のダイス鋼とＷＣ−１２
％Ｃｏ超硬合金をパンチ基材として用いて、基材の仕上
げ面粗さ（Ｒａ）を種々変化させ、非晶質炭素被膜被覆
条件は、被覆処理時間以外は例３と同様にして被覆処理
し、被膜厚さ及び被膜面粗さ（Ｒａ）の異なるパンチを
作製した。ダイは、内周面被膜Ｒａが約０．３μｍの例
１と同様のものとした。これらを用いてシリカ粉末を含
むエポキシ樹脂のタブレットを２００万個成形後、パン
チの押圧面への樹脂の付着の有無を調べた。表４に得ら
れた被膜のＲａ及びタブレット成形後の樹脂付着の有無
を示した。本発明品はいずれも樹脂の付着はなく、なお
使用可能であったが、被膜Ｒａの大きい比較品はいずれ
もタブレット成形数が２００万個に満たない時点で離型
性が劣化し、樹脂が付着したためそれ以上の成形が不能
となった。
％Ｃｏ超硬合金をパンチ基材として用いて、基材の仕上
げ面粗さ（Ｒａ）を種々変化させ、非晶質炭素被膜被覆
条件は、被覆処理時間以外は例３と同様にして被覆処理
し、被膜厚さ及び被膜面粗さ（Ｒａ）の異なるパンチを
作製した。ダイは、内周面被膜Ｒａが約０．３μｍの例
１と同様のものとした。これらを用いてシリカ粉末を含
むエポキシ樹脂のタブレットを２００万個成形後、パン
チの押圧面への樹脂の付着の有無を調べた。表４に得ら
れた被膜のＲａ及びタブレット成形後の樹脂付着の有無
を示した。本発明品はいずれも樹脂の付着はなく、なお
使用可能であったが、被膜Ｒａの大きい比較品はいずれ
もタブレット成形数が２００万個に満たない時点で離型
性が劣化し、樹脂が付着したためそれ以上の成形が不能
となった。
【００１７】
【表４】
【００１８】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明に係る半
導体封止用樹脂のタブレット成形型は、金型基材にフッ
素を含む非晶質の炭素被膜を被覆しているため、使用表
面は優れた離型性を示すと共に高耐摩耗性を有すること
により、被加工材の品質が向上すると共に金型の寿命が
長くなり、工業上極めて有益である。
導体封止用樹脂のタブレット成形型は、金型基材にフッ
素を含む非晶質の炭素被膜を被覆しているため、使用表
面は優れた離型性を示すと共に高耐摩耗性を有すること
により、被加工材の品質が向上すると共に金型の寿命が
長くなり、工業上極めて有益である。
【図１】本発明に係る半導体封止用樹脂のタブレット成
形用金型の概念図である。
形用金型の概念図である。
１、２ パンチ ３ ダイ ４、５ パンチの押圧面
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体封止用樹脂のタブレット成形に用
いる金型において、該型の少なくとも樹脂に接する部分
に、１質量％以上、３０質量％以下のフッ素を含む非晶
質の炭素被膜を被覆したことを特徴とする、半導体封止
用樹脂のタブレット成形用金型。 - 【請求項２】 被膜厚さが０．５μｍ以上、１０．０μ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
封止用樹脂のタブレット成形用金型。 - 【請求項３】 被膜の微小ビッカース硬さが１０００以
上、３０００以下であることを特徴とする請求項１及び
請求項２に記載の半導体封止用樹脂のタブレット成形用
金型。 - 【請求項４】 金型の基材がＷＣ基超硬合金であること
を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の
半導体封止用樹脂のタブレット成形用金型。 - 【請求項５】 金型の基材であるＷＣ基超硬合金の結合
相が１０質量％以上、１５質量％以下のＣｏ及び／又は
Ｎｉよりなり、ＷＣ平均粒度が０．４μｍ以上、２．０
μｍ以下で、かつビッカース硬さが１４００以上、１８
００以下であることを特徴とする請求項４に記載の半導
体封止用樹脂のタブレット成形用金型。 - 【請求項６】 被膜表面の平均面粗さが０．４μｍ以下
であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれ
かに記載の半導体封止用樹脂のタブレット成形用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000233726A JP2002001733A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | 半導体封止用樹脂のタブレット成形用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000233726A JP2002001733A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | 半導体封止用樹脂のタブレット成形用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002001733A true JP2002001733A (ja) | 2002-01-08 |
Family
ID=18726205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000233726A Pending JP2002001733A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | 半導体封止用樹脂のタブレット成形用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002001733A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6259864A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-16 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | ベルト速度を測定するための装置及び方法 |
| JP2013206968A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Kaneka Corp | 光半導体パッケージ用タブレット成形金型及びその金型を用いたタブレットの製造方法 |
| WO2015151825A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 出光興産株式会社 | 圧縮成形金型、圧縮成形金型の製造方法、及び圧縮成形体の製造方法 |
-
2000
- 2000-06-26 JP JP2000233726A patent/JP2002001733A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6259864A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-16 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | ベルト速度を測定するための装置及び方法 |
| JP2013206968A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Kaneka Corp | 光半導体パッケージ用タブレット成形金型及びその金型を用いたタブレットの製造方法 |
| WO2015151825A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 出光興産株式会社 | 圧縮成形金型、圧縮成形金型の製造方法、及び圧縮成形体の製造方法 |
| JP2015193175A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 出光興産株式会社 | 圧縮成形金型、圧縮成形金型の製造方法、及び圧縮成形体の製造方法 |
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