JP2001527298A5

JP2001527298A5 -

Info

Publication number: JP2001527298A5
Application number: JP2000525935A
Authority: JP
Filing date: 1998-12-07
Publication date: 2009-01-08
Anticipated expiration: 2018-12-07

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】金属材料からなる基板、並びにこの基板の上に配置され、前記基板に析出された電気的絶縁材料からなる少なくとも１つの中間層と、この中間層の上に析出され、高い臨界温度を持つ超伝導材料からなる少なくとも１つの超伝導体層とを含む導電路を少なくとも備え、この導電路（Ｌ、Ｌ'）の超伝導体層（１３、２３、３３）と基板（１１）との間にこの導電路に付属し、電流の通流方向に延び、これにより超伝導体層を基板と電気的に並列に接続する少なくとも１つの導電性の導電路接続部が形成されていることを特徴とする１つの所定の方向に電流を通すための超伝導体。
【請求項２】少なくとも１つの接続部として、側面方向に超伝導体層（１３）から基板の縁部領域（１１ａ、１１ｂ）にまで延びるストライプ状の金属層（１５ａ、１５ｂ）が設けられていることを特徴とする請求項１記載の超伝導体。
【請求項３】少なくとも１つの接続部として、中間層（２２、３２）に側面で重なり、基板（１１）の対応する縁部領域（１１ａ、１１ｂ）に接している超伝導体層（２３）の縁部片（２３ａ、２３ｂ）が設けられていることを特徴とする請求項１記載の超伝導体。
【請求項４】中間層（３２）が側面部に切り欠き（３５）を備え、ここで超伝導体層（３３）が基板（１１）に接していることを特徴とする請求項３記載の超伝導体。
【請求項５】Ｃｕ、Ａｌ又はＡｇ或いはこれらの合金或いは鋼材、特にＮｉＭｏからなる鋼材からなる基板（１１）を備えていることを特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の超伝導体。
【請求項６】超伝導材料の結晶寸法に適合したテクスチャを持つ少なくとも１つの中間層（１２、２２、３２）を備えていることを特徴とする請求項１ないし５の１つに記載の超伝導体。
【請求項７】２軸方向に配向性のある、イットリウムで安定化されたＺｒＯ ₂又はＣｅＯ₂からなる少なくとも１つの中間層（１２、２２、３２）を備えていることを特徴とする請求項６記載の超伝導体。
【請求項８】１つの共通基板（１１）に複数の個別導電路（Ｌ、Ｌ'）を備えていることを特徴とする請求項１ないし７の１つに記載の超伝導体。
【請求項９】少なくとも１つの接続部領域において超伝導体層（１３、２３、３３）と基板（１１）との間に少なくとも１つの接続部を形成するために、中間層の析出が回避されるか、中間層が超伝導体層の析出の前に除去されることを特徴とする請求項１ないし８の１つに記載の超伝導体の製造方法。
【請求項１０】超伝導体層（１３、２３、３３）と基板（１１）との間に少なくとも１つの接続部を形成するために、接続部領域にわたって延びる少なくとも１つのストライプ状の金属層（１５ａ、１５ｂ）が析出されることを特徴とする請求項１ないし８の１つに記載の超伝導体の製造方法。
【請求項１１】超伝導材料の析出方法として、酸素の供給の下での超伝導材料の個々の成分の同時熱蒸着、或いはレーザーアブレーション、或いはスパッタ或いは化学蒸着、特に超伝導材料の金属有機物成分の化学蒸着、或いはシルクスクリーン印刷が行われることを特徴とする請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】中間層材料の析出のためにイオンビーム蒸着（ＩＢＡＤ）、スパッタ或いはレーザーアブレーションが行われることを特徴とする請求項９ないし１１の１つに記載の方法。
【請求項１３】請求項１ないし８の１つに記載の方法で製造した少なくとも１つの超伝導体（１０、２０、３０）を備えることを特徴とする電流制限装置。
【請求項１４】請求項１から８の１つに記載の方法で製造したそれぞれ１つの超伝導体を備えた複数のモジュール状電流制限素子（５０ｉ）の電気的接続構成を備えることを特徴とする請求項１３記載の電流制限装置。
【請求項１５】各電流制限素子（５０ｉ）が超伝導体を持つ帯導体を２条に巻回した巻回体（５２）を備える請求項１４記載の電流制限装置。
【請求項１６】帯導体の巻回体（５２）が隣接する帯導体層の間に冷却媒体の通流を容易にする絶縁帯（５３）を備えることを特徴とする請求項１５記載の電流制限装置。

ＨＴＳ材料の高い電流臨界密度Ｊ_Cのために必要な、ＨＴＳ材料の配向性のある成長、特にエピタキシー成長を可能とするために、少なくとも１つの中間層はこのような成長を保証する材料からなるのがよい。それ故、ＨＴＳ材料の結晶寸法に適合したテクスチャを持つ中間層が適している。いずれの場合にも中間層の材料は電気的に絶縁性でなければならない。２軸方向に配向性のある、イットリウムで安定化された酸化ジルコニウム（ＹＳＺと略称）が有利である。その他に、他の公知のバッファ層材料、例えば、ＣｅＯ₂、ＹＳＺ＋ＣｅＯ₂（二重層として）、Ｐｒ₆Ｏ₁₁、ＭｇＯ、ＹＳＺ＋錫をドープしたＩｎ₂Ｏ₃（二重層として）、ＳｒＴｉＯ₃或いはＬａ_1-xＣａ_xＭｎＯ₃も適している。これらの材料の１つ或いは複数がそれ自体公知の方法で基板の表面に析出される。このために、いわゆるＩＢＡＤ法（イオンビーム蒸着法）が有利に使用される。勿論、他の方法もまた、例えばスパッタ或いは所定の角度の下でのレーザーアブレーションが適している。中間層の材料の析出は、その場合、多くは基板の温度を上げて行われる。このようにして得られた、配向性のある中間層の層厚は、一般に、０．１から２μｍの間にある。