JP2001526498A - アナログ記憶装置用の高速読出しアーキテクチャ - Google Patents
アナログ記憶装置用の高速読出しアーキテクチャInfo
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Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims description 88
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 claims description 9
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 8
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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Abstract
Description
から情報を抽出するための技術に関する。
例えば、ランダム・アクセス・メモリ(RAM)は、1ビットの情報が格納され
る記憶セルのアレイを有する。別の種類の記憶アレイとして、入射した放射に電
気的に応答するセルを有するセンサ・アレイがある。例えばイメージ・センサ・
アレイは、アレイ上にある情景の画像を形成する光に応答する。画像アレイは一
般的に多数の光電池または画素を持ち、そこで投影された画像が、画素によって
生成されたアナログ信号によって記録される。最近の相補型金属酸化物半導体(
CMOS)センサ・アレイの一例が、Article 1,Progress
in CMOS Active Pixel Image Sensors,S
.K.Mendis,S.E.Kemeny,R.C.Gee,B.Pain,
Q.KimおよびE.R.Fossum,SPIE,Vol.2172,19〜
29ページに記載されている。画像アレイを使用するイメージング・システムの
例は、ビデオカメラおよび複写機など従来の適用例から、ファクシミリ機、スキ
ャナ、医療用イメージング装置、およびデジタル・カメラなどのより最近の適用
例までを含む。Article 2,An 800K−Pixel Color
CMOS Sensor for Consumer Still Came
ras,J.E.D.Hurwitz,P.B.Denyer,D.J.Bax
terおよびG.Townsend,SPIE Vol.3019,115〜1
24ページは、特にデジタル・カメラに適したイメージ・センサについて記載し
ている。
数の画素を持ち、将来のアレイはさらに大きくなると予想される。詳細な画像と
するためにはサイズが必要である。例えば1024×1024のアレイは、画像
フレームを表現するために100万個を越える異なるアナログ信号を生成する。
多数の信号はこのようにして、全体的なイメージング・システムの性能を向上す
るために取り組む必要のある、いくつかの問題を回路設計者に提示する。それら
には、画素信号の読出し速度および総電力消費が含まれる。
信号からいかに高速で分離し、それをアナログ伝送経路内を通過させ、信号処理
パイプに送り込むかに関連する。各信号対が管内に早く送り込まれるほど、画像
フレーム・レートは大きくなる。今度は画像フレーム・レートが大きいほど、情
景における動きの捕捉が促進される。
から主要な問題である。第1に、最近のデジタル・カメラなどの携帯用イメージ
ング・システムは通常、制限されたエネルギー源を持つバッテリを使用する。し
たがって、そのようなシステムの電力消費を軽減するとバッテリの寿命が延長し
、より魅力的な消費者製品に通じる。第2に、イメージング・アレイおよびそれ
らに関連付けられた読出し回路機構は現在、製造原価を削減するために、同一半
導体ダイ上に作成されつつある。例として、標準相補型金属酸化物半導体(CM
OS)製造工程を用いて作成されるイメージング・アレイがある。読出し回路機
構および画素を同一ダイ上に形成した場合、読出し回路機構によって消費される
電力が画素を加熱する。画素の加熱が今度は、各画素内の漏れ電流を増加し、そ
の結果、画素応答が変化し、その結果一般的に有害なほど明るくかつ不正確な画
像になる。読出し回路機構によって消費される電力がアレイのサイズと結びつく
場合、この問題はアレイが大きいほど深刻になる。
・アレイと共に使用するための読出しアーキテクチャおよび方法が必要である。
る半導体回路を特徴とする。領域内の各記憶セルは、所定の出力ラインに第1の
および第2の信号を生成する。多数のセンスアンプ・セルを有するセンスアンプ
・アレイを記憶アレイに結合する。各センスアンプ・セルは、出力ラインにおけ
る第1のおよび第2の信号の受取りに応答して差分信号対を生成する。
・マルチプレクサをも含む。各muxは多数の入力と1つの出力とを有し、第1
のmuxはその入力で差分信号対を受け取る。第1のmuxの部分集合は、第2
のmuxに関連付けられる。関連付けられた第2のmuxの入力は、第1のmu
xの部分集合の多数の出力に結合される。最後に、部分集合から第1のmuxお
よび関連付けられる第2のmuxを選択して、アナログ・マルチプレクサから読
み出される単一の差分信号対を受け渡すために、制御論理を設ける。
2回標本抽出(CDS)を実装する。センスアンプ・セルは1行を形成し、イメ
ージ・センサ・アレイのビットラインに結合される。差分信号対に関連するアナ
ログ信号を行画像データを表すデジタル信号に変換するために、アナログ・デジ
タル変換ユニットをアナログmuxに結合する。デジタル信号および画像処理ユ
ニットは、デジタル信号の受取りに応答して、捕獲した画像データを生成する。
捕獲された画像データは次に、ホスト・コンピュータなどの別個の画像処理シス
テムに転送される。装置内の事象を統合するために、ファームウェアに格納され
た命令に応答して読出しに必要なタイミング信号を生成できる、システム・コン
トローラを装備する。
・マルチプレクサにフィードするセンスアンプ・アレイを有する多層アナログ信
号読出しアーキテクチャに向けられている。別の実施形態では、センスアンプ・
アレイのセンスアンプ・セルは各々、アナログ・マルチプレクサを介して信号処
理パイプへ差分信号対を送り込むために、単一利得閉ループ増幅器として構成さ
れた演算増幅器(オペアンプ)対を含む。信号処理パイプにおける信号対の整定
時間を向上するために、オペアンプは、信号処理パイプへのアナログ伝送経路を
ロードしながら、弱減衰応答を提供するように設計される。
、Select信号またはSelect_Ahead信号のいずれか一方、また
は両方に応答して起動される。Select_Ahead信号はセルを起動し、
Select信号はセルがその差分信号対をアナログmuxに送り込むことを可
能にする。これにより、Select信号がアサートされた時点で各セルはすで
に起動しているので、1つのセルから次のセルへの高速遷移が可能になる。また
、読出し中のいつでも任意の時間に2つのセルだけを起動させておくことは、電
力消費の削減に役立ち、センスアンプ・アレイの電力消費をアレイの大きさから
実質的に切り離し、したがってアーキテクチャが容易に拡張可能になる。
読み出すためのアーキテクチャを示す。このアーキテクチャは、多数の出力ライ
ン(例として788が示されている)を介してセンスアンプ・アレイ114に結
合された記憶セルの配列を特徴とする。各出力ラインは、1列の記憶セルに結合
される。記憶セルによって生成されたアナログ信号は、出力ラインを介して、一
度に1行ずつセンスアンプ・アレイに送られる。一度に1行ずつ読み込まれるよ
うに図示されているが、言うまでもなく各出力ラインを1列ではなく1行の記憶
セルに結合することを前提として、アナログ信号は代替的に一度に1列ずつ読み
出すこともできる。
、各列に1つのセンスアンプ器セル116がある。本発明のイメージング・シス
テムの実施形態(図7に関連して後述する)では、センスアンプ・セルは、画素
信号の相関2回標本抽出(CDS)を実現する。当業者には周知の通り、CDS
は、画素信号の固定パターン・ノイズを低減するために使用される技術である。
固定パターン・ノイズとは、画素間の製造上のばらつきによって引き起こされ、
それがなければ同一となる画素信号値の誤差を指す。CDSは、各画素信号の露
光前の「リセット値」および露光後の「露光値」の両方を標本抽出する必要があ
る。次いで2つの値は差分信号対として信号処理パイプへ転送される。そこで、
リセット値間の差および製造されたアレイの画素の回路機構によって生じる誤差
を解消するために、値は専用回路機構によって、またはデジタル形式に変換され
た後でソフトウェアによって相関される(または単に引き算される)。したがっ
て各センスアンプ・セル116は、その対応する列から2つの値を抽出して保持
し、それらを差分信号対として駆動する。2つの値が抽出され、1行全体の各セ
ンスアンプ・セル116に格納された後、任意の行について1列ずつ読出しを続
けることができる。
内のアナログ伝送経路が形成される。アナログ・マルチプレクサ118は、複数
のレベルに配列された多数の小さいマルチプレクサ130〜189で形成される
。一実施形態では、小さいマルチプレクサは、多数のスイッチ対またはパス・ゲ
ート対を含む。各対は、センスアンプ・アレイ114から受け取った差分信号対
を効果的に受け渡すためのスイッチとして作動する、フルCMOS伝送ゲート、
半ゲート、またはその他の装置とすることができる。
えば、788個の出力ラインから1つを選択する際、図1に示すように、3つの
レベルが使用される。10ビット列アドレス(1024種類の選択が可能)が、
制御論理およびドライバ・レフト192に送られる。10ビット・アドレスは、
3種類のレベルのマルチプレクサに対応する3つの異なる組のSelect信号
に予備復号される。第1のレベルは50個の16対1mux130〜179を持
ち、その入力はセンスアンプ・アレイからの差分信号を受け取る。第1のレベル
の各々の16対1muxの単一の出力は、第2のレベルの7個の8対1mux1
80〜186の入力に送られる。最後に、第2のレベルのmuxの出力は、単一
の8対1mux187に送られる。
30〜179の1つ、および7個の第2のレベルのmux180〜186の1つ
が使用可能になり、または選択される。32個の予備復号されたラインは、選択
された第1のレベルのmuxにおける16個のパス・ゲート対のうちの1つ、選
択された第2のレベルのmuxにおける8個のパス・ゲート対のうちの対応する
1つ、および最後に第3レベルのmuxにおける8個のパス・ゲート対のうちの
対応する1つを選択する。
レンシング・ユニット(differencing unit)122に到着する。本発明のイメ ージング・システムの実施形態では、ディファレンシング・ユニットは、当業者
には周知の通り、2段差標本抽出(DDS)を実行する。DDSは、センサ・ア
レイの列間の製造上のばらつきによるノイズをさらに低減するために、特にセン
スアンプ(CDS)セルにおける増幅器のオフセットによる誤差を低減するため
に使用される。
最終的に信号処理パイプ126に送られる。そこで、アレイ全体の信号対をさら
に増幅し、逐次、アナログ・デジタル変換ユニット(図示せず)を使用してデジ
タル形式に変換することができる。次いで、さらなるデジタル処理を実行するこ
とができる。
示す。この実施形態におけるセンスアンプ・セル116は、単一利得閉ループ増
幅器として構成された1対の演算増幅器(オペアンプ)A1およびA2を含む。増
幅器はそれらのそれぞれの入力信号(出力ラインを標本抽出することによって得
たコンデンサCSA1およびCSA2上の電圧)を、寄生抵抗(R)およびキャパシタ
ンス(C)を含むことができるいくつかの対のスイッチまたはゲートとして表さ
れるアナログmux118内で駆動する。オペアンプの少なくとも1つ、好まし
くは両方とも、その負荷内で信号を駆動するときに、図3に示すように、その出
力ノード(ノード「中間」)に弱減衰応答を生じるように構成する。その負荷は
アナログ・マルチプレクサ118内の信号経路であり、任意選択的にディファレ
ンシング・ユニット122への経路である。代替的に、オペアンプの対は、任意
選択的ディファレンシング・ユニット内のコンデンサCDU1およびCDU2(ノード
「OUT」)のニア・プレート(MUX側のプレート)に臨界減衰応答(critic
ally damped response)を生じるように構成する。出力ノードにではなく、mu
x112を通して信号経路の端部に臨界減衰応答を生じるようにオペアンプを設
計すると、ノードOUTにおける信号の整定時間が短縮される。整定時間は、回
路の過渡応答の文脈で、刺激(センスアンプ・セルを起動し、アナログmux内
に経路を形成する)とその応答(差分信号対の一方または両方がそれらの定常状
態値の例えば0.1%未満まで整定する)との間の時間間隔と定義することがで
きる。
セル、例えば1024×1024のイメージ・センサ・アレイの場合100万個
分を掛けると、アレイ110全体の読出し中にはかなりの速度上の利点となるの
で、各差分信号対の整定時間がより早ければ今度は、記憶アレイ110全体をか
なりより高速で読出すことが可能になる。
追加読出しサイクルを必要とするので、この速度上の利点は、CDSおよびDD
Sの両方を使用して固定パターン・ノイズを削減する場合には、いっそう重要に
なる。DDSは通常、2段階式で作動する。第1に、CLAMP信号がDDSユ
ニット122でアサートされ、予め定められた共通モード電圧VCM1がファー・ プレートに印加される間、セル116は露光値およびリセット値を駆動する(図
2参照)。次に、CROWBAR(CB)がアサートされ、オペアンプA1およ びA2の入力が短絡し、CLAMPは解消される。したがって、露光値およびリ セット値に加えて、DDSは、露光値とリセット値の平均をセル116によって
DDSユニット内に駆動させる。CLAMPとCBの使用の組合せの結果、各画
素に追加読出しサイクルが必要になるにもかかわらず、オペアンプA1およびA2 のずれによって生じる誤差は削減される。
記憶アレイ114を有するシステムの電力消費を削減するために使用できる回路
および関連タイミング図を示す(図1参照)。この実施形態はまた、より大きい
アレイになることによる電力消費の増加が、信号をアナログmux118内に駆
動する間(図1参照)センスアンプ・アレイ114全体が付勢され続けるアーキ
テクチャの場合よりかなり少ない、拡張可能な読出しアーキテクチャをも生じる
。センスアンプ・アレイ114およびタイミング信号は、電力消費を削減するた
めに、いつでも任意の瞬間に2つを除く全部のセンスアンプ・セルが非アクティ
ブ状態であり続けるように構成する。各セルの非アクティブ状態とは、コンデン
サCSA1およびCSA2で標本抽出される信号対の値が読み出されるまで、その値を
維持することができるが、セルが最小限の電力を消費する状態と定義される。例
えば、各セル中のオペアンプA1およびA2は、オペアンプを低電力モードに切り
換えること、さらには非アクティブ状態で遮断することを可能にするイネーブル
入力を備えている。
て読み出される。センスアンプ・セルは、図5に示すように構成することができ
る。スイッチ対520を増幅器の出力ノードと直列に設け、スイッチ対をSel
ect信号によって制御する。ORゲート524はSelect信号およびSe
lect_Ahead信号を受け取り、増幅器のイネーブル入力を制御する。S
elect信号およびSelect_Ahead信号は、タイミング信号生成回
路708から生成される(図7参照)。Select信号およびSelect_
Ahead信号をパルスとして示す例示的タイミング図を、マスター・クロック
を基準として図6に示し、以下の例によって説明する。
・セル(0/1対のセル0)がアクティブであり、そのオペアンプは差分信号対
をアナログmux内に駆動している。同時に、ファー・セル(0/1対のセル1
)はアクティブであるが、その選択入力がパルス1/2によって示されるように
解消されるので、そのセルから信号は駆動されていない。
動停止する)、パルス1/2がアサートされ、センスアンプ・セルの次の対を起
動する。後者の事象はセル1をアクティブ状態に維持し、セル2を起動する。し
たがって新しい差分信号対は、セル1のみによって駆動される。セルがその差分
信号対を駆動すると予想される時間より1マスター・クロック・サイクル分前に
ファー・セルを選択することによって、セル間の高速遷移が達成される。2つの
隣接する対のセルが起動される短い時間がある。電力消費をさらに削減するため
に、そのような重複は最小にしなければならない。
装置に組み込むことができる。装置700は、図1〜6に示しかつ上述した1つ
またはそれ以上の実施形態を組み込んだアナログ信号読出しアーキテクチャの一
部である、イメージ・センサ・アレイ710を含む。レンズおよびアパーチャを
有する光学系706は、物体の像をイメージ・センサ・アレイ710を含む焦点
面に投影するように調整される。イメージ・センサ・アレイ710は、アレイ1
列に1本ずつ、多数のビットラインを備え、これらは画素信号を相関2回標本抽
出(CDS)アレイ714に転送するために使用される。CDSアレイは、1列
のセンサ・アレイ710に1つの差分信号対を供給し、画素信号を一度に1行ず
つ読出すために使用される。1行のセンサ・アレイの差分信号対は次いで、アナ
ログ・マルチプレクサ118に送られる。アナログ・マルチプレクサは、図1に
示しかつ上述した構成を持つことができる。さらに、Select信号およびS
elect_Ahead信号を使用して一度に1対の隣接CDSセルのみを付勢
する技術を使用して、装置700の性能をさらに向上することができる。差分信
号対は次いで、順次、2段差標本抽出(DDS)ユニット722に送られ、そこ
でさらなるノイズ削減が行われる。
デジタル変換ユニット726に転送して、デジタル形式に変換することができる
。最後にデジタル信号および画像の処理(DSIP)730がデジタル信号に行
われ、希望する解像度を持つ画像データが得られる。DSIP730は、色補正
、拡大縮小、および画像データの大きさをさらに縮小することを希望するならば
圧縮を実行する、ハードワイヤード論理回路またはプログラムによる高性能プロ
セッサを含むことができる。圧縮画像データは、ユニバーサル・シリアル・バス
(USB)およびIEEE1394〜1995など周知のコンピュータ周辺バス
標準の任意の1つに従って作動する通信インタフェースを介して、ホスト・コン
ピュータに転送することができる。装置700は随意、画像データの不揮発性記
憶用の可換型メモリ・カードなどの局所記憶装置を含むことができる。
および列アドレス生成ユニット708にも制御およびデータ信号を供給するシス
テム・コントローラ712によって管理することができる。システム・コントロ
ーラ712は、マイクロコントローラ、またはシステム・コントローラ内の不揮
発性メモリ、例えばファームウェア(図示せず)に格納された命令に応答する、
入出力インタフェースを有するプロセッサを含むことができる。CDSアレイ7
14によって使用される様々なタイミング信号SelectおよびSelect
_Ahead、ならびにアナログ・マルチプレクサによって使用される列アドレ
スは、タイミング信号およびアドレス生成ユニット708内のハードワイヤード
論理回路機構によって生成することができる。代替的に、システム・コントロー
ラ712を改善して、それ自体タイミング信号およびアドレス生成機能を提供さ
せることもできる。
に関して説明した。センスアンプ・アレイに結合された多層アナログ・マルチプ
レクサを手始めにして、さらなる実施形態は、高速単一利得増幅器および一度に
1対のセンスアンプ・セルのSelect_Ahead読出しの形で、速度およ
び電力消費の改善を可能にする。
を受けることがある。例えば、様々な実施形態、特に電荷結合素子(CCD)方
式のセンサ・アレイよりセンサ・アレイ710の消費電力が低い標準CMOSを
実現するために、異なる半導体製造方法を使用することができる。したがって、
本発明の範囲は、図示した実施形態によってではなく、添付の請求の範囲および
それらの法的均等物によって決定されるべきである。
キテクチャを示す略図である。
えられた負荷を示す略図である。
ある。
ある。
回路図である。
ング図である。
ング装置としての本発明の実施形態を示す略図である。
Claims (19)
- 【請求項1】 複数の出力ラインを有する記憶アレイであって、各出力ライ
ンが前記アレイ内の1群の記憶セルに結合され、各記憶セルが前記出力ラインに
第1のおよび第2のセル信号を生成するようにした記憶アレイと、 複数の差分信号対を生成する複数のセンスアンプ・セルを有するセンスアンプ
・アレイであって、各センスアンプ・セルが前記出力ラインの1つに関連付けら
れ、その関連付けられた出力ラインにおける第1のおよび第2のセル信号の受取
りに応答して前記差分信号対の1つを供給するようにしたセンスアンプ・アレイ
と、 第1のおよび第2のマルチプレクサ(mux)を有するアナログ・マルチプレ
クサであって、各muxが複数の入力と1つの出力とを有し、前記第1のmux
がその入力で前記差分信号対を受け取り、前記第1のmuxの部分集合が第2の
muxに関連付けられ、前記関連付けられた第2のmuxの入力が前記第1のm
uxの部分集合の複数の出力に結合され、前記部分集合から第1のmuxおよび
関連付けられた第2のmuxを選択して前記差分信号対の1つを前記第1のおよ
び第2のmuxを介して前記アナログ・マルチプレクサから外に受け渡すための
制御論理を有するアナログ・マルチプレクサと を含む半導体回路。 - 【請求項2】 各センスアンプ・セルが、 その関連付けられたビットライン上で受け取るそれぞれ第1のおよび第2のセ
ル信号を前記アナログ・マルチプレクサ内で駆動するために、単一利得閉ループ
増幅器として構成された1対の演算増幅器(オペアンプ) を含む請求項1に記載の回路。 - 【請求項3】 前記対のオペアンプの少なくとも1つが、第1のセル信号を
アナログ・マルチプレクサ内で駆動したときに、その出力ノードに弱減衰応答を
生じるように構成された請求項2に記載の回路。 - 【請求項4】 各センスアンプ・セルが、 その関連付けられた出力ラインで差分信号対として受け取ったそれぞれ前記第
1のおよび第2のセル信号をアナログ・マルチプレクサ内で駆動するために、単
一利得閉ループ増幅器として構成された1対の演算増幅器(オペアンプ) を含み、 前記対のオペアンプの少なくとも1つが、第1のセル信号を前記アナログ・マ
ルチプレクサ内およびニア・プレート上に駆動したときに、ディファレンシング
・ユニットのニア・プレートの前記対の1つに臨界減衰応答を生じるように構成
された、 請求項2に記載の回路。 - 【請求項5】 前記記憶アレイ内の前記記憶セルが光電性アクティブ画素で
ある請求項1に記載の回路。 - 【請求項6】 a)センサ・アレイ内のセンスアンプ・セルの現在の対であ
って、ニア・セルおよびファー・セルを有する現在の対のセンスアンプ・セルを
起動し、 b)前記現在の対の前記ニア・セルから少なくとも1つの信号を駆動し、 c)前記アレイ内の次の対のセンスアンプ・セルを起動し、次の対のニア・セ
ルは前記現在の対の前記ファー・セルであり、 e)前記次の対の前記ニア・セルから少なくとも1つの信号を駆動する ことを含む方法。 - 【請求項7】 前記次の対の前記ニア・セルから読み出す前に、前記現在の
対の前記ニア・セルを不活化するステップをさらに含む請求項6に記載の方法。 - 【請求項8】 現在の対のセンスアンプ・セルを起動するステップが、前記
対における少なくとも1つの演算増幅器に電力を印加することを含む請求項6に
記載の方法。 - 【請求項9】 各センスアンプ・セルがアナログ記憶アレイの複数の出力ラ
インの1つに関連付けられ、その関連付けられた出力ラインでの第1のおよび第
2のセル信号の受取りに応答して複数の差分信号対の1つを供給し、各センスア
ンプ・セルがSelect信号およびSelect_Ahead信号の一方に応
答して起動されるようにした複数のセンスアンプ・セル を含む半導体回路。 - 【請求項10】 Select信号に応答して複数の差分信号対のうちの1
つを供給する各センスアンプ・セル内のスイッチ対 をさらに含む請求項9に記載の半導体。 - 【請求項11】 前記複数の差分信号対のうちの1つを供給する各センスア
ンプ・セル内に演算増幅機器(オペアンプ)対をさらに含み、各センスアンプ・
セルが前記オペアンプ対に電力を印加することによって起動する請求項9に記載
の半導体。 - 【請求項12】 複数のビットラインを有するイメージ・センサ・アレイで
あって、各ビットラインが前記センサ・アレイ内の1群の光電セルに結合され、
各光電セルが前記ビットラインに第1のおよび第2の信号を生成するようにした
前記イメージ・センサ・アレイと、 複数の差分信号対を生成する複数のCDSセルを有する相関2回標本抽出(C
DS)アレイであって、各CDSセルが前記出力ラインの1つに関連付けられ、
その関連付けられた出力ラインにおける第1のおよび第2のセル信号の受取りに
応答して前記差分信号対の1つを供給するようにした相関2回標本抽出アレイと
、 第1のおよび第2のマルチプレクサ(mux)を有するアナログ・マルチプレ
クサであって、各muxが複数の入力と1つの出力とを有し、前記第1のmux
がその入力で前記差分信号対を受け取り、前記第1のmuxの部分集合が第2の
muxに関連付けられ、前記関連付けられた第2のmuxの入力が前記第1のm
uxの部分集合の複数の出力に結合され、前記部分集合から第1のmuxおよび
関連付けられた第2のmuxを選択して前記差分信号対の1つを前記第1のおよ
び第2のmuxを介して前記アナログ・マルチプレクサから外に受け渡すための
制御論理を有するアナログ・マルチプレクサと、 前記差分信号対に関連するアナログ信号を生画像データを表すデジタル信号に
変換するために、前記アナログ・マルチプレクサに結合されたアナログ・デジタ
ル変換ユニットと、 デジタル信号および画像処理(DSIP)のための手段であって、デジタル信
号の受取りに応答して捕獲された画像データを生成する手段と、 前記捕獲された画像データをイメージング装置から分離された画像処理システ
ムに転送するための出力インタフェースと を含むイメージング装置。 - 【請求項13】 各CDSセルが、 それぞれその関連付けられたビットラインで受け取った第1のおよび第2の信
号を前記アナログ・マルチプレクサ内で駆動するために単一利得閉ループ増幅器
として構成された1対の演算増幅器(オペアンプ) を含む請求項12に記載のイメージング装置。 - 【請求項14】 前記対のオペアンプの少なくとも1つが、第1の信号をア
ナログ・マルチプレクサ内で駆動したときに、その出力ノードに弱減衰応答を生
じるように構成された請求項13に記載のイメージング装置。 - 【請求項15】 各CDSセルが、Select信号およびSelect_
Ahead信号の1つに応答して起動するように構成された請求項12に記載の
イメージング装置。 - 【請求項16】 前記複数の差分信号対のうちの1つを供給する各CDSセ
ル内に演算増幅機器(オペアンプ)対をさらに含み、各CDSセルがSelec
t信号およびSelect_Ahead信号の1つに応答して前記オペアンプ対
に電力を印加することによって起動する請求項15に記載のイメージング装置。 - 【請求項17】 ファームウェアに格納された指示に応答して、装置の動作
を管理するためにシステム・コントローラをさらに含む請求項12に記載のイメ
ージング装置。 - 【請求項18】 Select信号およびSelect_Ahead信号を
生成するタイミング信号生成ユニットをさらに含む請求項15に記載のイメージ
ング装置。 - 【請求項19】 DSIPの手段がハードワイヤード論理回路機構を含む請
求項12に記載のイメージング装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/987,131 | 1997-12-08 | ||
US08/987,131 US6366320B1 (en) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | High speed readout architecture for analog storage arrays |
PCT/US1998/023872 WO1999030484A1 (en) | 1997-12-08 | 1998-11-09 | High speed readout architecture for analog storage arrays |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001526498A true JP2001526498A (ja) | 2001-12-18 |
JP2001526498A5 JP2001526498A5 (ja) | 2006-01-12 |
JP4444499B2 JP4444499B2 (ja) | 2010-03-31 |
Family
ID=25533061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000524917A Expired - Fee Related JP4444499B2 (ja) | 1997-12-08 | 1998-11-09 | アナログ記憶装置用の高速読出しアーキテクチャ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6366320B1 (ja) |
EP (1) | EP1038390B1 (ja) |
JP (1) | JP4444499B2 (ja) |
KR (1) | KR100403290B1 (ja) |
AU (1) | AU1453599A (ja) |
DE (1) | DE69827034T2 (ja) |
TW (1) | TW398136B (ja) |
WO (1) | WO1999030484A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1997
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1998
- 1998-11-09 WO PCT/US1998/023872 patent/WO1999030484A1/en active IP Right Grant
- 1998-11-09 JP JP2000524917A patent/JP4444499B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-09 EP EP98958504A patent/EP1038390B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-09 KR KR10-2000-7006125A patent/KR100403290B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 1998-11-09 AU AU14535/99A patent/AU1453599A/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU1453599A (en) | 1999-06-28 |
DE69827034D1 (de) | 2004-11-18 |
JP4444499B2 (ja) | 2010-03-31 |
EP1038390B1 (en) | 2004-10-13 |
WO1999030484A1 (en) | 1999-06-17 |
KR100403290B1 (ko) | 2003-10-30 |
KR20010032808A (ko) | 2001-04-25 |
DE69827034T2 (de) | 2005-09-08 |
EP1038390A4 (en) | 2001-02-28 |
EP1038390A1 (en) | 2000-09-27 |
TW398136B (en) | 2000-07-11 |
US6366320B1 (en) | 2002-04-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |