JP2001522303A - 気体発生器に関する改良 - Google Patents

気体発生器に関する改良

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Abstract

(57)【要約】 一方の表面上の第2材料から成る層と他方の逆側の表面の第3材料から成る層とを備える、第1材料から成る層を含む気体発生器。外部ポテンシャルの印加は、上記各材料の特性に依り、当該発生器の一側から他側への気体の流れに帰着する。上記第1材料としての電解質材料の使用、及び、上記第2材料および/または第3材料としての混合伝導体の使用は、大きな流量を得る上で好適である。メタン流へ導入すべく酸素を生成する上で、上記発生器を使用するのが好適である。

Description

【発明の詳細な説明】 気体発生器に関する改良 本発明は気体発生器に関する改良に関し、特に、排他的なものとしてで無く、 酸素発生用の気体発生器に関する。 気体発生器は、呼吸用の気体を生成もしくは分離し、化学反応用の気体を提供 し、化合物をその成分要素に分離し、またはその他の目的などの種々の用途にて 使用される。斯かる発生器は、他のユーザの中でも特にパイロット及び医療施設 により使用される。 気体発生器は、最大効率により且つ可及的低温にて大きな気体流速を提供する のが理想的である。既存の技術はこれらの分野のひとつ以上において種々の問題 に直面することから、本発明は改良された気体発生器の提供を目的とする。 本発明の第1の側面に依れば、一方の表面上の第2材料から成る層と他方の逆 側の表面の第3材料から成る層とを備える、第1材料から成る層を含む気体発生 器であって、外部ポテンシャルの印加は当該発生器の一側から他側への気体の流 れに帰着する気体発生器が提供される。 一側から他側への気体の流れは、上記発生器の一側に対する気体の生成もしく は分離に帰着する。上記材料を貫通する流れは概略的にイオン形態で生じ、排出 側での気体の放出に帰着する。 好適には、上記第1材料は電解質材料である。上記第1材料は、イオン的に導 通され得る。上記第1材料はジルコニアから成り得る。上記第1材料は、例えば 希土類金属などの一種類以上の他の材料でドープされ得る。上記第1材料の一種 類以上の他の構成成分は、例えばイットリアなどの添加材料により安定化され得 る。イットリアによりドープされたジルコニアは、上記第1材料に対して特に好 適な形態を形成する。上記第1材料は、3〜12mol%およ び/または重量%、好適には6〜10mol%および/または重量%のドープ剤を含み 得る。 上記第2及び第3材料は異なるものであり、又は、同一である。好適には上記 第2および/または第3材料は混合伝導体(mixed conductor)であり、最も好適 には、例えば酸素である気体の電子及びイオンの両方に対する導体である。好適 には、上記第2および/または第3材料は、上記発生器に対して主要電極機能を 提供する。 好適には、上記第2および/または第3材料は酸化及び還元雰囲気中で安定で ある。セラミック酸化物から成る材料が好適である。好適には、上記第2および /または第3材料はウラニアから成る。例えば一種類以上の希土類金属によりド ープされたウラニアが特に好適である。 イットリアによりドープされたウラニアが提供され得る。ウラニアは、更なる 材料との固溶体として提供され得る。更なる材料は、イットリアなどの一種類以 上の希土類金属を含み得る。 上記ウラニアは劣化ウラニアであり得るものであり、即ち、天然に生ずるウラ ンよりもU235含有量は低くされ得る。 上記第2および/または第3材料は、150ミクロン未満、更に好適には100ミク ロン未満の厚みの層で提供され得る。 上記第2および/または第3材料上には、一層以上の更なる層が配備され得る 。該層は、上記発生器に対して電流コレクト機能および/または電流分配機能を 提供しても良い。 上記第2材料または第3材料の一方上の材料は、ニッケル酸化物および/また はジルコニアから成り得る。例えばサーメット形態の混合系が好適である。 上記第2および/または第3材料上の材料は、コバルトおよび/または酸化マ ンガンおよび/または酸化物および/またはペロブスカイト系から成り得る。ラ ンタン、ストロンチウム、鉄及びマンガンの酸化物などの混合酸化 物系が好適である。上記材料は特に、ランタン・ストロンチウム・マンガン輝コ バルト鉱(lanthanum strontium manganese cobaltite)から形成され得る。 上記外部ポテンシャルは、当該気体発生器の2つの側面を結合する各材料間の 化学的差異または活性差異により生じ得る。上記活性差異または化学的差異は、 一種類以上の種および/または異なる種の、レベルおよび/または温度および/ または状態および/または圧力、の差のひとつ以上から生じ得る。 上記発生器の陽極側及び陰極側は好適には、例えば外部回路などの回路により 相互に電気接続される。上記回路は、上記外部ポテンシャルにより生成された電 子および/またはイオンの流れを制御すべく使用され、且つ/又は、例えば電源 からの上記外部ポテンシャルを印加すべく使用され得る。 上記外部ポテンシャルは、上記発生器に対して印加もしくは生成された電圧も しくは電気的ポテンシャルから生じ得る。上記ポテンシャルは、上記気体発生器 を形成する一種類以上の材料に対して接続された外部電源から生じ得る。上記発 生器の陽極側及び陰極側を接続する電気回路が使用され得る。 上記発生器の一側もしくは両側は気体および/または蒸気の所定バッチと接触 維持され得る。斯かるバッチ処理では、一種類以上の気体レベルにおいて一側は 減少され且つ他側は増加され得る。代替的に、上記発生器の一側もしくは両側は 気体の変化体積と接触せしめられ得る。一側もしくは両側の気体は定期的にまた は定常的に差し替えられ得る。この連続系において上記一側上の気体レベルは該 一側への所定成分の選択的移動により増進される一方、他側上の上記成分の気体 レベルは減少されて、この側における他の成分のレベルおよび/または純度は効 率的に増加される。 好適には、上記外部ポテンシャルは上記第1材料を貫通する電子の流れに帰着 する。電子は例えば外部回路を介して上記第2材料から上記第3材料へ、又はそ の逆に流れ得る。上記第1材料内のイオン・フラックスは上記回路を 完成し得る。これは例えば、活性もしくは化学ポテンシャル駆動系において生じ 得る。イオン、電子は、上記第2材料上の層から第1材料及び第3材料を介して 該第3材料上の層へと、又はその逆に、流れ得る。これは、上記発生器に亙り電 気的ポテンシャルが印加されたときに生じ得る。 好適には、上記外部ポテンシャルは上記第1材料の一側から他側への選択的な 気体イオンの流れに帰着する。気体イオンは上記第1材料を介し、上記第2材料 から第3材料へ、又はその逆に、流れ得る。好適には、上記気体イオンは上記第 2材料もしくは第3材料への到達時に気体分子を再形成する。好適には、上記気 体分子は上記第2または第3材料を囲繞する雰囲気(volume)へと排出される。好 適には上記第1材料は、供給原料内の他の材料、気体、イオンに対する防壁とし て作用する。 上記気体イオンは、上記第2および/または第3材料および/または該材料上 の層と接触する化合物の分解により形成され得る。分解される上記成分は水であ り得る。この水は気体形態および/または水蒸気形態であり得る。上記分解は、 上記第2および/または第3層内で生じ得る。斯かる場合、上記第2及び第3材 料上の層は異なるのが好適である。 上記気体イオンは、上記第2および/または第3材料および/または該材料上 の層と接触する気体分子の分解により形成され得る。分解される分子はO2であり 得る。斯かる場合、第2および第3材料上の各層は同一であれば好適である。 生成され且つ/又は精製され且つ/又は濃度増大された気体は、好適には酸素 である。酸素は水から抽出され得る。上記気体は、空気から抽出され且つ/又は 精製され且つ/又は濃度増大され得る。 上記気体発生器は、記述されたタイプの複数の発生器要素から構成され得る。 上記発生器要素は、例えば種々の材料から成る一連の平坦層などの、実質的に平 坦な形態で提供され得る。正方形、矩形もしくは長寸の要素が提供され得る。 代替的形態において一側の層は、円筒または中央通路を備えた他の要素の内側 面を形成し、他方の層は内側層の回りに配備され得る。斯かる場合、内側通路が 発生器要素の一側を形成し、外側が他側を形成する。各層は同心的に配備されて 例えば完全円筒を形成し、又は、非円形もしくは不規則断面が提供され得る。 本発明の第2の側面に依れば、一方の表面上の第2材料から成る層と他方の逆 側の表面の第3材料から成る層とを備える、第1材料から成る層を含む気体発生 器を配備する工程と、上記気体発生器の少なくとも一側上に気体源を配備する工 程と、上記発生器の一側から他側への気体の流れに帰着する外部ポテンシャルを 提供する工程とを含む気体発生方法が提供される。 上記方法は、好適には酸素である生成気体を気体流に付加する工程を含む。こ の付加は、発生器の表面から離間してまたは該表面上で生じ得る。上記気体流は 、メタンもしくは天然ガスを含み、又は、メタンもしくは天然ガスから成り得る 。他の気体状炭化水素が存在し得る。上記メタンは、石炭の処理により生成され 得る。上記メタンは、油井または他の石油生産施設または処理施設から抽出され 得る。 上記気体流は、例えば入口から出口まで、最も好適には連続的に、発生器の表 面を通過して流れ得る。 好適には上記方法は、生成された酸素をメタンと反応させてCO及びH2を与える 工程を含む。反応生成物は更に処理され且つ/又は触媒反応されて、ディーゼル またはガソリンなどの高分子量炭化水素を与え得る。 本発明の上記第1の側面を含む本発明の他の特徴も提供され得る。 次に添付図面を参照し、例示的なものとしてのみ本発明の種々の実施例を記述 する。 図1は、本発明の第1実施例の部分的断面斜視図である。 図2は、本発明の第2実施例の部分的断面斜視図である。 図1に示された本発明の第1実施例において、気体発生器は第1側面3及 び第2側面5を備えたアセンブリ1により形成される。上記アセンブリの夫々の 側面に接触する体積の割付けの差異を維持すべく、上記第1側面及び第2側面は 不図示の支持構造により相互に隔離されている。 上記アセンブリは、各側面に取付けられたインタフェース層9、11を備える電 解質タイル7から成る。上記各インタフェース層は電流分配器13、15を担持する 一方、これらの電流分配器はリード線17により不図示の電源に電気接続されてい る。 上記電解質タイル7は、焼結イットリア安定化酸化ジルコニウムから形成され る。 上記インタフェース層9、11は粒子の混合物から形成されるが、第1の粒子は イットリアと二酸化ウランの固溶体であり、第2の種類はジルコニアから成る。 上記アセンブリの陽極側の電流コレクタ13は、ニッケル/ジルコニア・サーメ ットから形成される。 上記アセンブリの陰極側の電流コレクタ15は、ランタン・ストロンチウム・マ ンガン輝コバルト鉱(lanthanum strontium manganese cobaltite)、ランタン・ ストロンチウム亜マンガン酸塩(lanthanum strontium manganite)またはペロブ スカイトから形成される。 使用に際しては、上記アセンブリ1の陰極側に、水分エンリッチ気体、または 水蒸気が導入される。次に電源を使用し、上記電流分配器13、15に接続された各 リード線17により上記アセンブリ1に対して例えば1Vの電圧が印加される。電位 は、水をその構成要素である水素イオン及び酸素イオンへと変換する。生成され た酸素イオンは上記タイル7を貫通して吸引され、上記アセンブリの陽極側にて 排出される。水素は、上記アセンブリの陰極側で排出される。 正味の結果は酸素の生成であり、これは次に使用箇所へと搬送されて所望用途 に使用される。水素のレベルは増加するが、消耗される水の側は定常的 にまたは定期的に差し替えられ得る。 通常的には酸素である生成気体は、種々の目的に使用され得る。生成された酸 素の純度、及び、生成される酸素のレベルの慎重な制御により、上記技術は特に 半導体製造、化学蒸着などの繊細な操作に特に適している。上記システムは純粋 な酸素出力を生成することから、炭素系気体内へ酸素を注入して酸化処理を達成 する上で有用である。この技術は、例えばメタンガス流からCO及びH2を生成すべ く応用可能である。この反応は、石炭から生成されたメタンから石油化学製品を 生成する際の中間生成物を形成する上で重要であると共に、石油採取設備からの メタン・オフガスから有用で一層扱いやすい化合物を生成する上で特に適切な技 術を提供するものと確信される。この様にして酸素を生成することは低温分離器 の設備に対して好適である、と言うのも、サイズ及び投下費用が減少されると共 に当該システムの搬送性が大きくなるからである。 不図示の本発明の第2実施例において、上記アセンブリは更に分離器として作 用し、その後の目的に有用な気体を生成する。 上記したのと類似の構造が採用されるが、2個の電流分配器は同一である。該 実施例においては両者ともに、ランタン・ストロンチウム輝コバルト鉱(lanthan um strontium cobaltite)、ランタン・ストロンチウム亜マンガン酸塩、または ペロブスカイトで形成される。 使用に際し、上記アセンブリの両側には最初に酸素が存在し、上述の如くアセ ンブリに対して電気的ポテンシャルが印加される。結果的な電流は、陰極からの 酸素イオンの移動を生じせしめる。時間の経過により、このプロセスは陽極側の 酸素レベルの増加に帰着し、陰極側の酸素レベルは減少する。このプロセスは、 陰極側の酸素が完全にもしくは実質的に消失するまで、または、陽極側における 所望の増加が達成されるまで、継続される。 例えば酸素が抽出される陰極側で適切な酸素レベルを保持すべく、上記プロセ スはバッチ・プロセスとして行われ、または、上記アセンブリの一方の 側もしくは両側が継続的に差し替えられる。 本発明の第3実施例においては、上記第2実施例に関して上述したのと類似の 構造がアセンブリに対して使用される。但し、印加された電位によりシステムを 駆動するのでは無く、システムは以下のNernstの式 E=(nF/4RT)ln(PO2'/PO2'') に従って生ずる電位を利用し、化学種バランスにおける初期差(initial differe ntial)が化学ポテンシャルを生じせしめる様にしている。化学ポテンシャルにお ける差は電子流を生じせしめると共に、これは酸素イオンの流れに繋がる。ここ でもプロセスは、アセンブリの陰極側における酸素レベルの減少と、陽極側にお ける増大に帰着する。 此処でも有用な分離が達成されると共に、気体はその使用位置へと転送され得 る。 上記電解質は、分散剤及びポリエチレン・グリコールと組合されたジルコニア 及び5%のポリビニル・アルコールから成る水性懸濁液から生成され得る。分散 懸濁液(dispersion)は、構成成分を相互に数日に亙りボール・ミリングすること により形成され得る。上記懸濁液は次に、所望の形状に成形されると共に周囲温 度で乾燥される。この工程に続き、1,550℃の最大温度により焼結が行われる。 典型的な混合物は次のものを含む: 100g ジルコニア; 100g 水中の5%ポリビニル・アルコール(MW[分子量]185,000以下); 10g ポリエチレン・グリコール(MW1,500以下); 5g 分散剤。 PVA以外のバインダも使用可能であり、ジルコニアには希土類金属などの添加 材料が添加されても良い。 上記混合酸化物中間層は、イットリア/ウラニア固溶体から形成された粒子を 、ジルコニア、鱈肝油、ポリビニル・ブチラール、ポリエチレン・グリ コール、フタル酸ジブチル及びエタノールと共に混合することにより生成された インク状懸濁液から生成され得る。各構成成分は、数週間に亙りボール・ミリン グにより混合され得る。 典型的な混合物は次のものを含む: 17.19g 50mol%イットリア/UO2固溶体; 13.65g ジルコニア; 0.81g 鱈肝油; 4.5g ポリビニル・ブチラール; 1.33g ポリエチレン・グリコール; 1.2g フタル酸ジブチル; 36g エタノール; 20g テルピネオール、エタノール蒸発の後に付加されるもの。 結果的な懸濁液は、電解質に対してスクリーン印刷され、または、例えば噴霧 により塗付される。組合された形態は次に、再度1,550℃以下の温度で焼結され 得る。 上記電流分配器は、インク状懸濁液から形成され得る。例えば、ボール・ミル によりランタン・ストロンチウムがポリビニル・ピロリドン及びメタノールと数 週間に亙り混合され得る。次にメタノールを蒸発させ、テルピニオール(terpini ol)が付加されて攪拌される。塗付の後、アセンブリは再度1,550℃以下の温度で 焼結され得る。 典型的な混合物は次のものを含む: 30g ドープされたランタン・ストロンチウム; 30g メタノール; 1.59g ポリビニル・ピロリドン; 10g テルピネオール、メタノールの蒸発の後に付加。 図1に示されたプレート型アセンブリの代替例として、筒状の発生器が採用さ れる。図2に示された斯かるシステムは、内面及び外面に中間層52、54 を備える電解質管50から成る。各中間層はその表面56、58上に電流分配器を備え 、これは使用されるときに電源へと接続され得る。 上記各層の物理的構成成分は、他の実施例で上述したものと同一である。陽極 の割付けは、分解機構もしくは分離器システムが使用されるべきか否かに依り決 定される。 典型的な気体発生器は、相互に独立して離間された多数の斯かる管から成るの が好適である。外側60または内側62における気体/蒸気は、各筒体に沿う連続流 を形成し得る。内部流は、筒体の外部における流れと対向しても良い。 本発明の材料は既存の気体発生器と比較して相当数の利点を提供するが、大き な電流密度が強調される。特に、使用された上記アセンブリ構造は、ウラニア中 間層を使用したことにより相当に高い活性の領域を提供する。また、大きな領域 は大きな生成物流量(product flow rate)に繋がる。これに加え、上記ウラニア 中間層は大きな触媒活性を有し、これもまた改善された反応速度(kinetics)によ り発生器の性能を高める。 上記分離器は上述で使用された材料に依り約800℃の低温にて作用し得ること から、製品の寿命、及び、周囲構造のコスト削減に関する利点を与える。コスト 削減は、上記アセンブリに対して白金族の使用を回避することによっても達成さ れる。更に、ウラニアは中毒に関し、他の多くの材料よりも相当に改善された防 止性を呈する。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】平成11年5月3日(1999.5.3) 【補正内容】 請求の範囲 1.一方の表面上の第2材料から成る層と他方の逆側の表面の第3材料から成 る層とを備える、第1材料から成る層と、当該発生器の一側から他側への気体の 流れに帰着する外部電気的ポテンシャルを印加する手段とを含む気体発生器であ って、 上記第1材料は電解質材料であり、且つ、上記第2材料および/または第3材 料の少なくとも一方は混合伝導体である、気体発生器。 2.前記第1材料はジルコニアを含む、請求項1記載の発生器。 3.前記第1材料はたとえば希土類金属などの一種以上の他の材料によりドー プされる、請求項1または2に記載の発生器。 4.前記第2および/または第3材料はセラミック酸化物、好適にはウラニア から成る、請求項1乃至3のいずれかに記載の発生器。 5.前記第2および/または第3材料はドープされたウラニアから成る、請求 項4記載の発生器。 6.前記ウラニアは一種類以上の希土類金属によりドープされる、請求項5記 載の発生器。 7.前記ウラニアはイットリアによりドープされる、請求項5または6に記載 の発生器。 8.前記第2および/または第3材料は、更なる材料との固溶体として提供さ れたウラニアから成る、請求項1乃至7のいずれかに記載の発生器。 9.前記更なる材料は一種類以上の希土類金属である、請求項8記載の発生器 。 10.前記更なる材料はイットリアである、請求項8または9に記載の発生器 。 11.前記第2および/または第3材料上には、当該発生器に対する電流コレ クト機能および/または電流分配機能を提供する一層以上の更なる層が 配備される、請求項1乃至10のいずれかに記載の発生器。 12.当該発生器の陽極側及び陰極側は凹路により相互に電気接続される、請 求項1乃至11のいずれかに記載の発生器。 13.前記回路は、前記外部ポテンシャルにより生成された電子および/また はイオンの流れを制御すべく使用され、且つ/又は、外部ポテンシャルを印加す べく使用され得る、請求項12記載の発生器。 14.前記外部ポテンシャルは、当該気体発生器を形成する一種類以上の材料 に対して接続された外部電源から当該発生器に対して印加もしくは生成された電 圧もしくは電気的ポテンシャルから生ずる、請求項13記載の発生器。 15.一方の表面上の第2材料から成る層と他方の逆側の表面の第3材料から 成る層とを備える、第1材料から成る層と、外部電気的ポテンシャルを印加する 手段とを含む気体発生器を配備する工程と、 上記気体発生器の少なくとも一側上に気体源を配備する工程と、 上記発生器の一側から他側への気体の流れに帰着する外部ポテンシャルを印加 する工程とを含み、 上記第1材料は電解質材料であり、且つ、上記第2材料および/または第3材 料の少なくとも一方は混合伝導体である、気体発生方法。 16.前記発生器の一側もしくは両側は気体および/または蒸気の所定バッチ と接触維持され、一種類以上の気体レベルにおいて一側は減少され且つ他側は増 加される、請求項15記載の方法。 17.前記発生器の一側もしくは両側は気体の変化体積と接触せしめられ、 一側上の気体レベルは該一側への所定成分の選択的移動により増進される一方 、他側上の上記成分の気体レベルは減少されて、この側における他の成分のレベ ルおよび/または純度は効率的に増加される、請求項15記載の方法。 18.前記外部ポテンシャルは、当該気体発生器の2つの側面を結合する 各材料間の化学的差異または活性差異により生ずるものである、請求項15乃至 17のいずれかに記載の方法。 19.前記活性差異または化学的差異は、一種類以上の種および/または異な る種の、レベルおよび/または温度および/または状態および/または圧力、の 差のひとつ以上から生ずる、請求項18記載の方法。 20.前記外部ポテンシャルは前記第1材料の一側から他側への選択的な気体 イオンの流れに帰着する、請求項15乃至19のいずれかに記載の方法。 21.前記気体イオンは、前記第2および/または第3材料および/または該 材料上の層と接触する化合物の分解により形成される、請求項20記載の方法。 22.前記気体イオンは、前記第2および/または第3材料および/または該 材料上の層と接触する気体分子の分解により形成される、請求項20記載の方法 。 23.好適には酸素である生成気体を気体流に付加する工程を含む、請求項1 5乃至22のいずれかに記載の方法。 24.前記気体流は、メタンもしくは天然ガスを含み、又は、メタンもしくは 天然ガスから成る、請求項23記載の方法。 25.生成された酸素をメタンと反応させてCO及びH2を与える工程を含む、請 求項24記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR, NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,KE,L S,MW,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL ,AM,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR, BY,CA,CH,CN,CU,CZ,DE,DK,E E,ES,FI,GB,GE,GH,GM,GW,HU ,ID,IL,IS,JP,KE,KG,KP,KR, KZ,LC,LK,LR,LS,LT,LU,LV,M D,MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ,PL ,PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI,SK, SL,TJ,TM,TR,TT,UA,UG,US,U Z,VN,YU,ZW (72)発明者 バーネット、スティーブン バーノン イギリス国 PR4 0XJ ランカシャ ー プレストン サルウィック スプリン グフィールズ ブリテイツシユ・ニユクリ アー・フユールズ・ピー・エル・シー (72)発明者 インス、アンドリュー ティモシー イギリス国 PR4 0XJ ランカシャ ー プレストン サルウィック スプリン グフィールズ ブリテイツシユ・ニユクリ アー・フユールズ・ピー・エル・シー (72)発明者 ブレイス、クリストファー ウィリアム イギリス国 PR4 0XJ ランカシャ ー プレストン サルウィック スプリン グフィールズ ブリテイツシユ・ニユクリ アー・フユールズ・ピー・エル・シー (72)発明者 ミドルトン、ピーター ヒュー イギリス国 PR4 0XJ ランカシャ ー プレストン サルウィック スプリン グフィールズ ブリテイツシユ・ニユクリ アー・フユールズ・ピー・エル・シー

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.一方の表面上の第2材料から成る層と他方の逆側の表面の第3材料から成 る層とを備える、第1材料から成る層を含む気体発生器であって、 外部ポテンシャルの印加は当該発生器の一側から他側への気体の流れに帰着し 、 上記第1材料は電解質材料であり、上記第2材料および/または第3材料は混 合伝導体である、気体発生器。 2.前記第1材料はジルコニアを含む、請求項1記載の発生器。 3.前記第1材料はたとえば希土類金属などの一種以上の他の材料によりドー プされる、請求項1または2に記載の発生器。 4.前記第2および/または第3材料はセラミック酸化物、好適にはウラニア から成る、請求項1乃至3のいずれかに記載の発生器。 5.前記第2および/または第3材料は例えばイットリアなどの一種類以上の 希土類金属によりドープされたウラニアから成る、請求項4記載の発生器。 6.前記第2および/または第3材料は、一種類以上の希土類金属などの更な る材料との固溶体として提供されたウラニアから成る、請求項1乃至5のいずれ かに記載の発生器。 7.前記第2および/または第3材料上には、当該発生器に対する電流コレク ト機能および/または電流分配機能を提供する一層以上の更なる層が配備される 、請求項1乃至6のいずれかに記載の発生器。 8.前記外部ポテンシャルは、当該気体発生器の2つの側面を結合する各材料 間の化学的差異または活性差異により生ずるものである、請求項1乃至7のいず れかに記載の発生器。 9.前記活性差異または化学的差異は、一種類以上の種および/または異なる 種の、レベルおよび/または温度および/または状態および/または圧力、の差 のひとつ以上から生ずる、請求項8記載の発生器。 10.当該発生器の陽極側及び陰極側は回路により相互に電気接続される、請 求項1乃至8のいずれかに記載の発生器。 11.前記回路は、前記外部ポテンシャルにより生成された電子および/また はイオンの流れを制御すべく使用され、且つ/又は、外部ポテンシャルを印加す べく使用され得る、請求項10記載の発生器。 12.前記外部ポテンシャルは、当該気体発生器を形成する一種類以上の材料 に対して接続された外部電源から当該発生器に対して印加もしくは生成された電 圧もしくは電気的ポテンシャルから生ずる、請求項11記載の発生器。 13.一方の表面上の第2材料から成る層と他方の逆側の表面の第3材料から 成る層とを備える、第1材料から成る層を含む気体発生器を配備する工程と、 上記気体発生器の少なくとも一側上に気体源を配備する工程と、 上記発生器の一側から他側への気体の流れに帰着する外部ポテンシャルを提供 する工程とを含み、 上記第1材料は電解質から成り、且つ/又は、上記第2および/または第3材 料は混合伝導体から成る、気体発生方法。 14.前記発生器の一側もしくは両側は気体および/または蒸気の所定バッチ と接触維持され、一種類以上の気体レベルにおいて一側は減少され且つ他側は増 加される、請求項13記載の方法。 15.前記発生器の一側もしくは両側は気体の変化体積と接触せしめられ、 一側上の気体レベルは該一側への所定成分の選択的移動により増進される一方 、他側上の上記成分の気体レベルは減少されて、この側における他の成分のレベ ルおよび/または純度は効率的に増加される、請求項13記載の方法。 16.前記外部ポテンシャルは前記第1材料の一側から他側への選択的な気体 イオンの流れに帰着する、請求項13乃至15のいずれかに記載の方法。 17.前記気体イオンは、前記第2および/または第3材料および/または該 材料上の層と接触する化合物の分解により形成される、請求項13乃至16のい ずれかに記載の方法。 18.前記気体イオンは、前記第2および/または第3材料および/または該 材料上の層と接触する気体分子の分解により形成される、請求項13乃至16の いずれかに記載の方法。 19.好適には酸素である生成気体を気体流に付加する工程を含む、請求項1 3乃至18のいずれかに記載の方法。 20.前記気体流は、メタンもしくは天然ガスを含み、又は、メタンもしくは 天然ガスから成る、請求項19記載の方法。 21.生成された酸素をメタンと反応させてCO及びH2を与える工程を含む、請 求項20記載の方法。
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