JP2001521187A - 多層ホトレジストプロセスのための熱硬化性ポリエステル抗反射コーティング - Google Patents
多層ホトレジストプロセスのための熱硬化性ポリエステル抗反射コーティングInfo
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Abstract
Description
ティング、特にプラズマエッチ速度、光学密度、好ましいコーティング溶媒にお
ける溶解性、像被覆および貯蔵安定性における改良点を有するものに関する。
リマー抗反射コーティングの効果については十分に確立されている(米国特許第
4,910,122 号)。デバイス像寸法は今やサブ−0.5ミクロンレジーム(sub-0.
5 micron regime)まで減少され、ホトレジスト層内部で定在波形成を防止するた
めに、マイクロ電子基材からの後方散乱光を除外するために、そしてスイング曲
線振幅を減少するために、そのような抗反射コーティングを使用することは緊要
となっている。
寸法を製造することに関して深刻な限界がある。最も顕著には、熱可塑性抗反射
コーティング(本文中に参照として引用されている米国特許第 5,234,990 号、 第 5,294,680 号および第 5,532,332 号)間での混合およびホトレジスト層の上
塗りにより、横断面で見た場合、パターン化された像の基部に識別できる歪みが
生じる。非常に小さい像寸法のため、これらの歪みの大きさは今や重大であり、
デバイス製造において許容され得ない線形において、そのような歪みのいずれか
が生じる。
との混合に対して高い抵抗を示す熱硬化性抗反射コーティングが導入された。参
照により本明細書中に引用されている“熱硬化性抗反射コーティングおよび方法
(Thermosetting Anti-Reflective Coatings and Method)”という名称の本発明 者等の係属中の米国特許第 08/517,089 号は、主にオリゴマー状ヒドロキシ官能
性樹脂;アミノプラスト架橋剤;プロトン酸触媒;およびある種の溶媒ビヒクル
からなり、該ヒドロキシ官能性樹脂がフェノール系もしくはカルボン酸系染料と
エポキシ官能価3ないし10のエポキシ樹脂との反応生成物である熱硬化性抗反
射コーティングが記載されている。該コーティングは、30ないし120秒間、
150℃の温度での焼成により硬化される。
化機構は、例えば米国特許第 3,744,904 号、第 4,149,888 号、第 4,316,940 号、第 4,341,859 号、第 4,478,932 号、第 4,518,676 号、第 4,734,444 号、
第 5,034,304 号および第 5,376,504号ならびに本文中に参考として引用された ものに記載されているようなアミノプラスト含有工業用コーティングおよびホト
レジストのものと同様の架橋機構を有している。しかしながら、これらの従来技
術の工業用コーティングまたはホトレジスト材料のいずれも、抗反射コーティン
グ用途に関する要求、特に代表的な抗反射コーティング厚0.05ないし0.2
0ミクロンで満足できるような光の減少を供給することを完全に満たすものでは
ないことは特記されるべきである。
多くの予想外の利点をもたらすが、欠点もある。そのような欠点の一つは、二酸
化ケイ素、窒化ケイ素およびイオンを担持させたマイクロ電子基材におけるそれ
らの脱水傾向であるが、この問題はしばしば適当な配合変化により訂正され得る
。さらに深刻な欠点は、抗反射コーティングへのプラズマエッチイメージにおい
て生じる。例えば、本発明者等の係属技術の好ましい深紫外線の一種の態様に関
して、酸素プラズマエッチングは、米国特許第 5,234,990 号に記載の熱可塑性 ポリアリールエーテルスルホン抗反射コーティングの1.25倍より速くない速
度で進む。ポリアリールエーテルスルホン抗反射コーティングは一般的に深紫外
線ホトレジストよりも緩やかなエッチをもたらすとして公知であるので、これは
本発明者等の係属出願に記載された熱硬化性抗反射コーティングではパターン転
写段階の間に、ホトレジストとほぼ同じ速度でエッチが行われるであろうことを
暗示している。該抗反射コーティング層の厚さは代表的に0.05ないし0.1
0ミクロンであるので、プラズマエッチ加工が非常に異方性でない限り、0.3
0ミクロンより少ないレジスト像寸法において深刻なネガ型エッチ偏りが観測さ
れ得る。
ーティングが開示されている。例えば欧州特許第 92118070.9 号には、染料結合
アクリルコポリマーおよびアミノプラスト架橋剤を含む抗反射コーティング組成
物が記載されている。しかしながら、そのような系の光学密度または吸光力は高
水準の染料結合におけるポリマー溶解性により限定されている。この波長範囲に
対して公知染料構造が適度な吸光力を有し、そして有効なフィルム光学密度を達
成するために、それが高い濃度で存在しなければならないので、これは中紫外線
抗反射コーティングに関する限界である。
以上を有する化合物(代表的にはポリマーまたはオリゴマー)の少なくとも一種
、フェノール系アントラセン染料の少なくとも一種、およびこれらの化合物を溶
解できる溶媒からなる熱硬化性抗反射コーティングについてが記載されている。
しかしながら、上記のアミノプラスト含有抗反射コーティング組成物とは異なり
、表題の組成物を数分間、高温で加熱してコーティングを不溶性にしなければな
らない。この長い硬化サイクルはウエハ押出量を減少させ、そして該方法を一般
に工業的に許容され得ないものにする。加えて、表題の抗反射コーティングの製
造は、特にフェノール系アントラセン染料成分の製造は多くの段階を含み、該コ
ーティングを実用段階で製造および使用するには高価なものとしている。
リフェノール染料が、ペンダント状エポキシ官能基を有するアクリルポリマーに
結合している。コーティングを加熱することにより、染料のフェノール性ヒドロ
キシル基およびポリマーのエポキシ基間の熱硬化反応がもたらされる。しかしな
がら、そこで請求されているように、有効とするために硬化プロセスを10分よ
り長く170℃より高い温度で進めるべきである。
従来技術の欠点を無効にする方法を提供することが本発明の主な目的である。 低分子量エポキシ樹脂から誘導された染料結合熱硬化性抗反射コーティングに
関して、以下の望ましい性質を残したままでプラズマエッチ速度を改良すること
が本発明の特別な目的である。 ・速い硬化速度; ・高水準の染料結合でさえも好ましいコーティング溶媒における適当な溶解性; ・室温における長い貯蔵寿命; ・ホトレジストとの混合に対する高い抵抗; ・簡単な化学変性による、重要な所望の主な露光波長のいずれかにおける高い光
学 密度;および ・手ごろなコスト。
比べて、優れた湿式性および像被覆を達成することもまた、本発明の特別な目的
である。 改良された熱硬化性抗反射コーティング組成物は主に、1)染料結合、脂肪族
ポリエステル樹脂であって、アミノプラスト架橋剤との反応に対して適当な官能
価を有するもの;2)多官能性アミノプラスト(または反応等量の)架橋剤;お
よび3)プロトン酸触媒;であって、それぞれの全てが適当な溶媒ビヒクルに溶
解されているものからなる。上記組成物を半導体基材上に塗布し、次いで代表的
には60秒間加熱し、中−および/または深紫外線露光波長における高い光学密
度、室温における長い貯蔵寿命、優秀な像被覆、および速いプラズマエッチング
特徴を示す架橋されたコーティングを形成する。改良されたエッチ速度および像
被覆特性は、抗反射コーティングの大部分を構成する染料結合ポリエステル樹脂
成分の高い脂肪族含有量および高い酸素含有量から誘引される。
能性脂肪族カルボン酸の一種もしくはそれ以上と二−および/または三官能性脂
肪族第一アルコールの化学量論的過剰量との反応により製造され、該ジカルボン
酸の少なくとも一種が好ましくは反応性メチレン基(−CH2−)を含むもので あり、そして該樹脂に存在する反応性メチレン基および/またはヒドロキシ基で
あって、ポリエステル構造に関して整数であるものの幾つか、または全てに吸光
基を結合させることにより、得られたポリエステル樹脂反応生成物を更に変性す
るもの; b)メラミン、尿素、ベンゾグアナミン、またはグリコールウリルから誘導さ
れたアルキル化アミノプラスト架橋剤; c)プロトン酸触媒(硬化用); d)低ないし中温(70ないし180℃)で沸騰するアルコール含有溶媒系で
あって、該アルコールが少なくとも20重量%含まれるもの;からなる。
図1に示す。ポリエステル樹脂のジカルボン酸成分[HOOC−R1−COOH ]は、天然のアルキル系、シクロアルキル系、ヘテロアルキル系、アルケニル系
、アリール系、複素環式系、または多環式系であってよいが、抗反射コーティン
グに速いプラズマエッチ速度を分与するためには脂肪族含有物をいくつか有する
ジカルボン酸が好ましい。適当なR1基構造の例を図2A,2Bおよび2Cに示 す。ここに示された構造式の、n=0ないし2のアルキル基(それぞれ、シュウ
酸、マロン酸、およびコハク酸に相当)およびペンダント状芳香族置換基(R4 )を有するイソブテニル基であって、主な紫外線露光波長で吸光力を寄与するも
のが好ましい。置換されたイソブテニル基構造は、高い光学密度を伴う抗反射コ
ーティングを得るために非常に好ましい。当該分野で知られているように、R8 −置換されたイソブテニル基構造を有するジカルボン酸は、マロン酸と芳香族ア
ルデヒドとの反応生成物である。
系、アルキルアリール系、またはヘテロアルキル系であってよい。適当なR2基 構造式の例を図3A,3Bおよび3Cに示す。速いプラズマエッチ速度を伴うポ
リエステルを製造するためには、これらのうち、R2(I)およびR2(II)(それぞ れトリメチロールプロパンおよびトリメチロールエタンに相当)が好ましく、吸
光基に結合させるためには多価ヒドロキシ官能性が好ましい。
てにおけるエステル架橋[−O−CO−R3]を介して結合されたR3置換基によ
り、吸光力が供給される。R3置換基は、好ましくは一価の、置換された、もし くは未置換のフェニル基、シンナミル基、(ビニル)ナフチル基、(ビニル)ア
ントラセニル基、アクリジニル基、ビフェニル基、ベンゾフェノン基、または5
−フェニルペンタジエニル基を表し;適当な構造を図4Aおよび4Bに示す。重
要な主な露光波長の一つにおいて、もしくはその付近において高い吸光力を有す
るそのような芳香族置換基のいずれも、有効な染料結合ポリエステル成分を製造
するために等価で使用され得ることは理解されるべきである。193nmの露光
波長の適用に関して、R3(I)のようなR3置換基が好ましい。365nmの露光 波長の適用に関して、R3(VIII)およびR3(IX)のようなR3置換基が好ましい。 365nmの露光波長の適用に関して、R7が水素原子またはm−メトキシ基を 表し、R8が水素原子、メトキシ基、N,N−ジメチルアミノ基またはN,N− ジエチルアミノ基を表すR3(VIII)構造が最も好ましい。248nmの露光波長 の適用に関して、R3(IV)、R3(VI)、R3(VII)およびR3(X)のようなR3置換基 が好ましい。R3(VI)およびR3(IX)の構造が特に好ましい。
ン酸、シュウ酸、フタル酸、リン酸およびそれらの混合物のような他の強プロト
ン酸が適当に用いられ得る。80g/モルより大きい式量を有する酸触媒が好ま
しく、抗反射コーティングが熱硬化されるときの昇華を防止する。
は染料結合ポリエステル成分上のヒドロキシル置換基とアミノプラスト架橋剤と
の間の架橋反応を誘発する。そのような硬化機構は従来技術(例えば、ジー.デ
ィー.トーンレー(G.D.Thornley),米国特許第 4,316,940号参照)から良く知ら れている。適したアミノプラストは、グリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂
、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミン−ホルムアルデヒド樹脂
および尿素−ホルムアルデヒド樹脂を含む。これらの樹脂のメチル化および/ま
たはブチル化形態の使用は、触媒された条件下で約3ないし12ヶ月の長い貯蔵
寿命を得るために非常に好ましい。2より低い重合度を示す高メチル化メラミン
−ホルムアルデヒド樹脂は、一般的に表題の抗反射コーティングを製造するため
に有効である。モノマー状メチル化グリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂は
、化学的に拡大された酸触媒ホトレジストとの結合に使用され得る熱硬化性ポリ
エステル抗反射コーティングを製造するために特に有効である。該アミノプラス
ト樹脂は、ポリマーのヒドロキシ官能基当り反応性アルコキシメチル架橋官能基
0.20ないし2.00当量を与える比率でコーティングに好ましく添加される
。ヒドロキシル基当り0.50ないし1.50反応性当量を与える比率が特に好
ましい。
沸騰するアルコール、エステル、グリム、エーテル、環状ケトンおよびそれらの
混合物を含む。特に好ましい溶媒および補助溶媒は、1−メトキシ−2−プロパ
ノール(PGME)、シクロヘキサノン、エチル3−エトキシプロピオネートお
よび乳酸エチルである。PGMEおよび乳酸エチルのようなアルコールは、長い
貯蔵寿命に寄与するためにコーティング溶媒系の少なくとも20重量%をなすべ
きである。 染料結合ポリマー成分の溶解度を改良するために、もしコーティング品質また
はホトレジスト相溶性の問題を生じないならば、少量(全溶媒の20重量%まで
)のγ−ブチロラクトンおよびテトラヒドロフルフリルアルコールのような慣用
の高沸点抗反射コーティング溶媒でコーティングを改変してもよい。3エム・カ
ンパニー(3M Company)の登録商標フルオラド(FLUORAD) FC-171またはFC-430のよ
うな界面活性剤およびグシリジオキシプロピルトリエトキシシランのような接着
促進剤を添加してコーティング品質を最大限改善することができる。
酸触媒の存在下で、ジカルボン酸と第一ジオールおよび/またはトリオール成分
を縮合することにより基本的なポリエステル樹脂構造を製造する。反応器から効
果的に副生物の水を除去するために、好ましくはトルエンまたはキシレンのよう
な溶媒との共沸条件下で重合を行い、それにより重合度を高める。そのようなポ
リエステル重合方法は当該分野でよく知られている[例えば、1)仏国特許第 1
,256,088 号(1961)、2)仏国特許第 1,137,056 号(1957)、および3)エー.ラ
ベ(A.Ravve),ジー.パスターナック(G.Pasternack),ケー.エッチ.ブロウン(
K.H.Brown)およびエス.ビー.ラドラブ(S.B.Radlove),ジャーナル オブ ポリ マー サイエンス(Journal of Polymer Science) (ポリマー ケミストリー エデ
ィション(Polymer Chemistry Edition)),第11巻,第1733ないし175 2頁(1973)]。初期重合混合物にHOOC−R3型のモノカルボン酸を添加して 、直接、染料結合ポリエステル構造またはそれらの先駆物質を形成させることも
できる。他の態様として、同様の反応条件を使用して、第二段階で、初期に形成
されたヒドロキシ官能性ポリエステル樹脂に該モノカルボン酸を結合させること
もできる。
H2−COOH]からポリエステルが製造された場合、これらの位置を芳香族ア ルデヒドとの反応により変性して、[−CO−C(R4)−CO−]型の吸光構 造を形成させ得る。アルデヒドと反応性メチレン官能基のノエベナゲル(Knoeven
agel)縮合を促進するアルカリ触媒の存在下、高温、共沸条件下で変性を行う。 ピペリジン、ピリジン、または該アミン二種の混合物が好ましい触媒である。し
かしながら、溶解性のアセテート、アミノ酸、アルキルアミンを含む他の有機塩
基も好ましく使用され得る。 同じ条件を使用して、芳香族アルデヒドと、前段階でポリエステル構造に結合
された適当な反応性モノカルボン酸とを縮合することができる。例えば、ペンダ
ント状シアノ酢酸エステルを芳香族アルデヒドと縮合して、R3(VIII)、R3(IX) 、R3(X)およびR3(XI)型(式中、R9はシアノ(−CN)基を表す。)の吸光構
造を形成することができる。
および界面活性剤のような他の添加剤と混合して所望の最終ソリッド濃度まで希
釈する。添加剤の順番は一般的に性能に対して重大ではない。該溶液を1000
ないし6000rpmで30ないし90秒間スピンコートし、次いで焼成により
硬化した場合、望ましいフィルム厚350ないし2500Åを達成するために、
抗反射コーティング溶液中において約2.5ないし10.0重量%の全固形濃度
が典型的に必要とされる。
ましい組成範囲(全樹脂ソリッドの重量%で)を以下の表に示す。成分 有用な範囲 特に好ましい範囲 染料結合ポリエステル樹脂 50−90 60−85 アミノプラスト架橋剤 10−50 15−35 酸触媒 0.1−10 2−5 これらの比率で組み合わされるとき、抗反射コーティングは150℃〜225
℃の間の焼成温度で、優秀なレジスト相溶性、すなわちホトレジストとの混合が
ないこと、ならびに良好な室温貯蔵安定性および迅速な硬化性質を示す。
び多結晶ケイ素、二酸化ケイ素、(オキシ)窒化ケイ素、アルミニウム、アルミ
ニウム/ケイ素合金およびタングステンを含む全ての半導体基材上で、前記熱硬
化性ポリエステル抗反射コーティング組成物を有効に使用することができる。該
抗反射コーティングは1000ないし6000rpmで30ないし90秒間のス
ピンコートによって塗布される。半導体製造において慣用的に使用される6”お
よび8”基材上に均一な欠陥のないコーティングを得るために、1500ないし
4000rpmのスピン速度が特に好ましい。次いで、スピンコートされたフィ
ルムを120℃ないし225℃で30ないし120秒間、ホットプレートまたは
等価な焼成装置上で硬化する。ホトレジストに対する高い差溶解度を達成するた
めに、150℃ないし200℃の焼成温度および45ないし90秒の焼成時間が
特に有効である。基材のタイプに依存して、最終フィルム厚を350ないし25
00Å、より好ましくは500ないし1500Åに調整する。
トを塗布し、次いで軟焼成し、露光し、そして現像して所望のマスキングパター
ンを作成する。所望による露光後の焼成は現像の前にレジストに適用され得る。
次いでレジストパターンを、有機材料にエッチングを行うために有効であること
がマイクロリソグラフィー技術において既知である様々なガスまたはガス混合物
、例えばO2、Cl2、F2、CF4、HCF3、SF6、それらのN2、Arおよび He等との混合物等を使用する反応性イオンエッチング(同様に乾燥エッチング
またはプラズマエッチングとしても既知である。)によって抗反射コーティング
層に転写する。該抗反射コーティング層にエッチングを行った後、半導体基材は
、レジストおよび抗反射コーティング中に形成される模様を通して選択的にエッ
チングが行われるか、注入されるか、または付着させられる。これらの工程が完
了すると、該レジストおよび抗反射コーティングはプラズマエッチングおよび/
または液状ストリップ化学物質中での溶解によって除去される。ストリップされ
た基材はその後、新たな加工サイクルのために用意される。
モノマー化学量論および反応順位について説明する。 実施例1 A.モル比 1.00:1.33:2.00 のマロン酸、1,1,1−トリス (ヒドロキシメチル)エタンおよびシアノ酢酸を使用する非染料結合ポリエステ ル樹脂の二段階製造 メカニカルスターラー、窒素挿入口、温度計およびディーン‐スターク トラ ップを備え、水冷冷却器を上部に備えた250ml丸底フラスコに、マロン酸 14.04g(0.135モル)、1,1,1−トリス(ヒドロキシメチル)エ
タン 21.63g(0.180モル)、触媒量のパラ−トルエンスルホン酸( pTSA)およびトルエン 100gを添加した。混合物を還流して、形成され た水を採集した。トルエン 50gを利用して、シアノ酢酸(22.97g,0 .270モル)を添加した。上記混合物を還流して、形成された水を共沸により
除去した。得られたポリエステル樹脂を、デカンテーションにより反応混合物か
ら分離した。次の分子量特性:MW=2400およびMN=800を示した。真空
下でポリエステルを加熱することにより、分子量はMW=6930/MN=133
0まで増加した。 B.段階Aで製造された生成物の変性による、染料結合ポリエステル樹脂の製 造 段階Aに記載された同一の組成物の反応混合物(MW=4050)を、ピペリ ジン存在下において、3等量の4−ヒドロキシー3−メトキシベンズアルデヒド
(バニリン)との反応により変性する。得られた染料結合樹脂はオレンジ−赤色
である。
タン 12.04g(0.100モル)、触媒量のpTSAおよびトルエン 50
gを添加した。上記混合物を還流して、形成された水を共沸により除去した。ト
ルエン 50gを利用して、シアノ酢酸(14.05g,0.165モル)を添 加した。混合物を還流して、形成された水を共沸により除去した。冷却し、上記
反応混合物から粘性油状物としてポリエステル樹脂を分離する。 B.段階Aで製造された生成物の変性による、染料結合ポリエステル樹脂の製 造 段階Aの反応生成物と、ピペリジン存在下において、バニリンと縮合すること
により、抗反射コーティング用途に適当な染料結合ポリマー樹脂を製造する。得
られた染料結合樹脂はオレンジ−赤色である。
タン 12.04g(0.100モル)、シアノ酢酸 14.08g(0.166
モル)、触媒量のpTSAおよびトルエン 60gを添加した。上記混合物を還 流して、形成された水を共沸により除去した。トルエン 50gを利用して、シ アノ酢酸(14.05g,0.165モル)を添加した。混合物を還流して、形
成された水を共沸により除去した。粘性油状物として上記反応混合物からポリエ
ステル樹脂を分離する。 B.段階Aで製造された生成物の変性による、染料結合ポリエステル樹脂の製 造 段階Aの反応生成物と、ピペリジン存在下において、バニリンとを縮合するこ
とにより、抗反射コーティング用途に適当な染料結合ポリマー樹脂を製造する。
縮合反応の開始前に、段階Aの反応生成物を初期の反応混合物から単離しない。
得られた染料結合樹脂はオレンジ−赤色である。
し、そして形成された水を採集した。得られた染料グラフトポリエステルは、デ
カンテーションによりトルエン混合物から簡単に分離された。生成物は、335
nmにおいて紫外線光吸収ピークを示した。
ることを除いて、一連の染料結合ポリエステルを実施例4と同じ反応条件を使用
して製造した。上記反応で使用されたアルデヒドおよび反応物のモル比に関して
以下の表にまとめた。この結果は、単純な非染料結合ポリエステル構造は容易に
変性されて種々の紫外線光吸収ピークを有する樹脂生成物が得られることを示し
た。 アルデヒド アルデヒド ポリエステル のモル比 の最大吸光 波長(NM) ───────────────────────────────── 4-ヒドロキシベンズアルデヒド 1 325 4-(N,N-ジメチルアミノ)- 1 380 ベンズアルデヒド 4-(N,N-ジエチルアミノ)- 1 380 ベンズアルデヒド 4-(N,N-ジメチルアミノ)- 0.5/0.5 380/360 ベンズアルデヒド/バニリン 4-(N,N-ジメチルアミノ)- 0.68/0.32 385 ベンズアルデヒド/バニリン 4-(N,N-ジメチルアミノ)- 0.6/0.4 - ベンズアルデヒド/バニリン 4-(N,N-ジエチルアミノ)- 0.6/0.4 390 ベンズアルデヒド/バニリン 4-(N,N-ジエチルアミノ)- 0.9/0.1 390 ベンズアルデヒド/バニリン
リメチロールプロパンから一連のターポリエステルを製造し、三官能性アルコー
ルを使用した場合、ポリエステル生成物の凍結を防ぐために、ジカルボン酸に対
する後者の比率を正確に選択するべきであることを証明した。結果を以下の表に
示す。 使用された反応物のモル マロン酸 エチレングリコール TMOP* 生成物の結果 1.0 0 1.48 溶解性 1.0 0 1.33 溶解性 1.0 0.5 0.5 ゲル状 1.0 0.7 0.3 ゲル状 1.0 0.9 0.1 溶解性 1.0 0.9 0.2 溶解性 1.0 0 1.33 溶解性 1.0 0 1.48 溶解性* トリメチロールプロパン
触媒量のピペリジンおよびトルエン 60gを添加した。上記混合物を加熱して 還流し、形成された水を共沸により除去し、デカンテーションにより反応混合物
から単離されたオレンジ−赤色の生成物を製造した。
6.0g、1,1,1−トリス(ヒドロキシメチル)エタン 11.87gおよ
び触媒量のpTSAならびにトルエン 50gを添加した。上記混合物を還流し 、そして副生物の水を共沸により除去して重合を完了させた。上記形成された樹
脂にシアノ酢酸(13.87g)およびトルエン 40gを添加し、形成された 水を共沸により除去しながら該混合物を再加熱して還流した。次いで、トルエン
40mlを利用して、バニリン (24.82g)および触媒量のピペリジンを
直接添加した。上記反応混合物を再び還流し、そして付加的な副生物の水を共沸
により除去した。得られた染料グラフトポリエステル(MW=6800,MN=9
30)は、デカンテーションによりトルエンから簡単に分離された。次いで、配
合のために上記樹脂を1−メトキシ−2−プロパノールに溶解した。
03(LF) メチル化されたメラミン−ホルムアルデヒド樹脂(シテック インダスト
リーズ(Cytec Industries)) 0.97gおよびパラ−トルエンスルホン酸一水 和物 0.0983gを組み合わせ、1−メトキシ−2−プロパノール 39.2
2gおよび乳酸エチル 4.72gにより該混合物を希釈することにより抗反射 コーティング組成物を製造した。 C.抗反射コーティングの特性 特性評価のため、上記抗反射コーティングを3”ガラス円形基材および3”シ
リコンウエハ上に3500rpmで60秒間スピンコートした。該試料を60秒
間175℃で焼成した。該フィルムは365nmで6.1/ミクロンの光学密度
を有する。慣用のホトレジスト溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートを使用して中間層試験(以下参照)を行い、無視できるような中間層
値36Åを得る。両結果は、365nm露光波長の適用に関して上記組成物が非
常に適することを示していた。
記試料にホトレジスト溶媒を5秒間流し、続いて5000rpmで30秒間スピ
ン乾燥し、100℃で60秒間ホットプレート上で焼成した。フィルム厚および 吸光度を再び決定した。溶媒ストリップによりフィルム厚および吸光度において
数%より多く(>5%)の減少が得られた場合、通常、該抗反射コーティングは
実際の使用に関して不十分な溶媒抵抗を有すると定義される。
ティング組成物に関して、中間層試験は一般的に以下のように行われる。コーテ
ィングおよび焼成後、抗反射コーティング厚を楕円偏光測定器によって決定する
。次に、高解像度アイ−ライン ホトレジストの1ミクロン厚層を該抗反射コー ティング上にスピンコートする。該ホトレジストをその後100℃でホットプレ
ート上で軟焼成し、過露光を確実にする接触プリンター上で流し露光し、そして
60秒間120℃で、ホットプレート上で露光後焼成する。試料をその後、水溶
性テトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液中で60秒間浸漬現像して露光
したホトレジストを清浄する。窒素での試料の乾燥後、抗反射コーティング層の
厚さを再決定する。抗反射コーティングおよびレジストの有意な混合が生じた場
合、抗反射コーティング層は、通常、開始抗反射コーティング厚のパーセントと
して表される厚さにおける明瞭な増加を表す。下部に塗布され、混合を非常に受
けるポリマー状抗反射コーティングは、レジスト加工後に厚さにおける10%よ
り大きな増加を表す。(開始層厚が1000ないし2000Åと仮定した場合、
)5%未満の中間層値は許容可能とみなされ;3%未満の中間層値は優秀とみな
される。
よび触媒量のpTSAならびにトルエン 50gを添加した。上記混合物を還流 し、そして副生物の水を共沸により除去して重合を完了させた。上記形成された
樹脂にシアノ酢酸(9.33g)およびトルエン 40gを添加し、更なる水を 除去しながら該混合物を再加熱して還流した。次いで、トルエン 40mlを利 用して、バニリン (16.68g)および触媒量のピペリジンを直接添加した 。上記反応混合物を再び還流し、そして形成された水を採集した。冷却後、該染
料グラフトポリエステルを反応混合物から分離し、デカンテーションにより除去
した。次いで、これを配合のためにPGME 300gに溶解した。
(LF)樹脂 0.20gおよびパラ−トルエンスルホン酸一水和物 0.0163g
を組み合わせ、1−メトキシ−2−プロパノール 8.10gおよび乳酸エチル
2.9gにより該混合物を希釈することにより抗反射コーティング組成物を製造
した。 C.抗反射コーティングの特性 特性評価のため、上記抗反射コーティングを3”ガラス円形基材および3”シ
リコンウエハ上に3500rpmで60秒間スピンコートした。該試料を60秒
間175℃で焼成した。得られたフィルムは(365nmで)5.4/ミクロン
フィルム厚の光学密度を有し;中間層値は23Åであった。
70.2g(0.67モル)、1,1,1−トリス(ヒドロキシメチル)エタ ン 120.2g(1.00モル)、シアノ酢酸 140.5g(1.65モル)
および触媒量のパラ−トルエンスルホン酸(3.0g,0.016モル)ならび
にトルエン 300gを添加した。副生物の水を共沸により除去しながら、上記 混合物を還流下で4時間加熱した。次いで該内容物を室温まで冷却した。この時
までに約50mlの水が採集された。該溶液をゆっくり再加熱した。該混合物が
40ないし45℃に達した時、これにバニリン (353.8g,2.33モル )およびトルエン(300g)を添加し;上記内容物が50℃に達した時、ピペ
リジン(20g,0.23モル)を添加した。次いで混合物を2時間還流した。
この時点で全量約90mlの水が採集された。(2つの縮合段階からの副生物の
水の理論量は96mlである。)反応混合物から分離された染料結合樹脂から熱
トルエンをデカンテーションした。冷却トラップを備えた真空ポンプを反応フラ
スコに接続し、残留トルエンを除去した。次いで、撹拌によりオレンジ色の樹脂
の塊をN−メチルピロリドン 1.2lに溶解した。
、次いで真空ろ過により採集した。次いでこれをNMP 1.2lに再溶解し、 更に不純物を除去するために酸性化された撹拌下の水中に再沈殿させた。沈殿ポ
リマー懸濁物を一晩撹拌し、次いで約1時間放置した。上層の液体層を流し捨て
た。新しい脱イオン水 2ガロンを該黄色物質に添加し、20分間撹拌した。次 いで、洗浄された沈殿物を、ろ過により採集し、脱イオン水1ガロンで洗浄し、
そして約40℃で48時間真空下で乾燥し、黄色ソリッドとしてポリマー生成物
384g(64.88%)を得た。分子量分析により該染料結合樹脂に関して Mw値 3500が得られた。
98重量部、pTSA・H2O 0.10重量部、乳酸エチル 9.40重量部、 1−メトキシ−2−プロパノール 84.60重量部および少量のフッ化界面活 性剤を混合することにより抗反射コーティング組成物を製造した。 D.抗反射コーティングの特性 上記抗反射コーティングをシリコンウエハ上にスピンコートし、60秒間17
5℃で焼成した。得られた抗反射コーティングのフィルム厚は1350Åであっ
た。これは365nmで約6.2/ミクロンの光学密度を示した。乳酸エチルで
行われたストリップ試験および中間層試験により、それぞれ6Åおよび9Åの値
が得られた。
ルム上に塗布し、90℃で60秒間焼成し、フィルム厚約0.9μmの層を形成
した。約365nmの波長を有する光源に、コートされたウエハをパターン式に
露光し、次いで110℃で60秒間焼成した。テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド溶液による60秒間の現像後、パターン化されたウエハを走査電子顕微鏡
により試験し、0.35ミクロンの小ささの像寸法において、ねじれていない、
垂直の側壁を有するホトレジストのレリーフ構造を表した。ホトレジスト像の優
れた品質は、ホトレジストと該抗反射コーティング間で混合が生じていないこと
を示している。 F.抗反射コーティングの被覆特性 幅0.4ないし0.6ミクロンおよび長さ0.7ミクロンのレリーフ構造を有
する、製造品質の、リンによりドープされたポリシリコンウエハを、抗反射コー
ティング組成物でコートする。顕微鏡試験により、該抗反射フィルムはレリーフ
構造上において連続的であることが示され、特に該構造の端における脱水または
空隙形成の増加は示されなかった。一方、係属の米国特許第 08/517,089 号に記
載の好ましい組成物で行われた試験では、同じ基材において深刻な脱水が示され
た。
90 号記載のポリアリールエーテルスルホン抗反射コーティング(ブリューワー
サイエンス(Brewer Sience) アルコ(ARCO)−CD 11)のものと比較した。種々の エッチ用ガス混合物に関して、相対プラズマエッチ速度の結果を以下に示した。ガス混合物 ARC-CD 11に対する相対プラズマエッチ速度* AR/CF4/HCF3 2.30−3.12 CF4/HE/O2 1.61−1.72 AR/CF4/HCF3/HE 1.65−2.44 AR/CF4 1.51−1.55* CD 11の相対プラズマエッチ速度は1.00と定義された。
ロン酸 7.02g、1,1,1−トリス(ヒドロキシメチル)エタン 12.0
2g、シアノ酢酸 14.05gおよび触媒量のパラ−トルエンスルホン酸(0 .30g)ならびにトルエン 50gを添加した。上記混合物を還流下で4時間 加熱し、次いで室温まで冷却した。この時までに約4.4mlの水が採集された
。9−アントラアルデヒド(9.58g)、触媒量のピペリジンおよび追加のト
ルエン 50gを該混合物に添加し、次いで30分間還流した。次に、該混合物 にバニリン(28.30g)を添加し、更に2時間還流を行った。この連続的な
縮合の間に全量約8.6mlの水を採集した。熱トルエンを反応混合物からデカ
ンテーションし、粘性の高いポリマーの塊を除去した。冷却トラップを伴う真空
ポンプを反応フラスコに接続し、残留トルエンを除去した。冷却下、樹脂の塊を
ソリッド化し、オレンジ-黄色ソリッドとした。分子量分析により、該染料結合 ポリエステル樹脂生成物に関してMW値2985が得られた。
1174 メチル化されたグルコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂(シテック イ ンダストリーズ(Cytec Industries)) 0.98部、pTSA・H2O 0.10 部、乳酸エチル 9.40部、1−メトキシ−2−プロパノール 84.60部お
よび少量のフッ化界面活性剤を組み合わせることにより抗反射配合物を製造した
。上記混合物を約1時間撹拌し、透明溶液を得て、そして終点ろ紙を通して、0
.2ミクロン(絶対値)までろ過した。 C.抗反射コーティングの特性 上記配合物をシリコンウエハ上にスピンコートし、1分間175℃で焼成した
。得られた抗反射コーティングは1160Åの層厚を有し、露光波長193nm
において6.5/μm、248nmにおいて6.0/μm、および365nmに
おいて4.7/μmの光学密度を示した。
5nmの波長を有する光源に、コートされたウエハをパターン式に露光し、次い
で110℃で60秒間焼成した。テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
による60秒間の現像後、パターン化されたウエハを走査電子顕微鏡により試験
し、ねじれていない、垂直の側壁を有する0.35ミクロン幅のホトレジストの
レリーフ構造を表し、これにはホトレジストと該抗反射コーティング間の混合に
より引き起こされるフッティング(footing)が存在しなかった。 ポジ型に作用し、化学的に拡大する深紫外線ホトレジストをスピンコートによ
り抗反射コーティング上に塗布し、そして90℃で90秒間焼成し、ホトレジス
ト層厚 約0.7μmを達成した。コートされたウエハを、約248nmの波長 を有する光源にパターン式に露光し、次いで110℃で90秒間焼成した。現像
後、パターン化されたウエハを走査電子顕微鏡により試験し、0.35ミクロン
の像寸法において、ねじれていない、垂直の側壁を有するホトレジストのレリー
フ構造を表した。
成分の一般式を示す図である。
樹脂成分の適当なR1基の構造式を示す図である。
樹脂成分の適当なR1基の構造式を示す図である。
樹脂成分の適当なR1基の構造式を示す図である。
樹脂成分の適当なR2基の構造式を示す図である。
樹脂成分の適当なR2基の構造式を示す図である。
樹脂成分の適当なR2基の構造式を示す図である。
樹脂成分の適当なR3置換基の構造式を示す図である。
樹脂成分の適当なR3置換基の構造式を示す図である。
Claims (27)
- 【請求項1】 a.以下の構造: 【化1】 (式中、mは1以上100以下であり;R1は二価の有機基を表し;R2は二価ま
たは三価の有機基を表し;R2が二価である場合、Bは−Hを表し、そしてR2が
三価である場合、Bは−OHまたは−O−CO−R3を表し;Aは−Hまたは− CO−R3を表し;そしてR3は、次の光の波長:193nm、248nm、36
5nmおよび436nmの中の一つ、もしくはそれ以上について、その波長また
はその付近において吸光力を有する芳香族有機基を表す。)を有するヒドロキシ
ル官能性高級脂肪族ポリエステル樹脂であって;得られる生成物が下部層(botto
m layer)抗反射コーティング用途に有効な光吸収特性を有するもの; b.メラミン、尿素、ベンゾグアナミン、またはグリコールウリルから誘導さ
れたアルキル化アミノプラスト架橋剤; c.プロトン酸硬化触媒; d.低ないし中温で沸騰するアルコール含有溶媒系であって、該アルコールが
全溶媒含有量の少なくとも20重量%含まれるもの;および e.ソリッド含有量で約50ないし90重量%のヒドロキシル官能性ポリエス
テル樹脂、約10ないし50重量%のアミノプラスト架橋剤、および約0.1な
いし10重量%のプロトン酸触媒からなる熱硬化性組成物; からなる改良された抗反射コーティング組成物であって; 改良された抗反射コーティングが、ヒドロキシル官能性樹脂の連結構造が高級芳
香族である抗反射コーティングよりも、ノボラックおよびポリ(ヒドロキシスチ
レン)をベースとするホトレジストに対して高いプラズマエッチ選択性を有する
組成物。 - 【請求項2】 R1が二価のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基 、アリール基、アリールアルキル基、またはポリ芳香族二価の、ヘテロ原子−ま
たは非ヘテロ原子−含有基、あるいはそれらの混合物を表す請求項1の組成物。 - 【請求項3】 R1が以下の構造: 【化2】 を有し、そしてR4が: 【化3】 からなる群から選択され、そしてR5およびR6は独立して−H、−OH、−OC
H3、−NO2、−Cl、−F、−Br、−N(CH3)2または−N(CH2CH3 )2を表す請求項2の組成物。 - 【請求項4】 R2が二価もしくは三価の、ヘテロ原子−または非ヘテロ原 子含有の、アルキル基、シクロアルキル基、またはアリールアルキル基、あるい
はそれらの混合物を表す請求項1の組成物。 - 【請求項5】 R2が以下の構造: 【化4】 の一つ、あるいはそれらの混合物を表す請求項4の組成物。
- 【請求項6】 Aが−CO−R3を表し、Bが−O−CO−R3を表し、そし
てR3が置換された、もしくは未置換のフェニル基、シンナミル基、(ビニル) ナフチル基、(ビニル)アントラセニル基、アクリジニル基、ビフェニル基、ベ
ンゾフェノン基、または5−フェニルペンタジエニル基を表す請求項1の組成物
。 - 【請求項7】 R3が: 【化5】 からなる群から選択され、そしてR7およびR8が独立して−H、−OH、−OC
H3、−NO2、−Cl、−F、−Br、−N(CH3)2、または−N(CH2C H3)2を表し;R9が−H、−CO−OR10、−CO−N(R10)2、−CO−R 10 、−CNを表し;そしてR10が−H、−CH3、または2CH3を表す請求項6 の組成物。 - 【請求項8】 抗反射コーティングが365nmの露光波長において1ミク
ロンの厚さ当たり少なくとも5.0の光学密度を有する請求項1の組成物。 - 【請求項9】 R1およびR2ならびにBが以下の構造: 【化6】 を表し、そしてBが−O−CO−R3を表し、Aが−CO−R3を表し、そしてR 3 が以下の構造: 【化7】 を表す組成物であって、得られる生成物が365nmの露光波長において抗反射
コーティング用途に特に有効な光吸収特性を有する請求項8の組成物。 - 【請求項10】 抗反射コーティングが248nmの露光波長において1ミ
クロンの厚さ当たり少なくとも7.0の光学密度を有する請求項1の組成物。 - 【請求項11】 R1およびR2、BおよびR3が以下の構造: 【化8】 を有し、そしてBが−O−CO−R3を表し、Aが−CO−R3を表し、そしてR 3 が以下の構造: 【化9】 を表す請求項10の組成物。
- 【請求項12】 R1およびR2ならびにBが以下の構造: 【化10】 および 【化11】 を有し、そしてBが−OHを表し、Aが−Hを表す組成物であって、得られる生
成物が248nmの露光波長において抗反射コーティング用途に特に有効な光吸
収特性を有する請求項10の組成物。 - 【請求項13】 抗反射コーティングが365nmの露光波長において1ミ
クロンの厚さ当たり少なくとも5.0、そして248nmの露光波長において1
ミクロンの厚さ当たり少なくとも7.0の光学密度を有する請求項1の組成物。 - 【請求項14】 R1が以下の構造、R1aおよびR1b: 【化12】 の混合物(R1aとR1bのモル比は1.5ないし4.0の範囲である。)を表し;
そしてR2ならびにBおよびAが以下の構造: 【化13】 を有し、そしてBが−O−CO−R3を表し、Aが−CO−R3を表し、そしてR 3 が以下に定義される構造、R3aおよびR3b: 【化14】 の混合物(R3aとR3bのモル比は1.5ないし4.0の範囲である。)を表す組
成物であって、得られる生成物が193、248および365nmの露光波長に
おいて抗反射コーティング用途に特に有効な光吸収特性を有する請求項13の組
成物。 - 【請求項15】 硬化酸触媒がp−トルエンスルホン酸である請求項1の組
成物。 - 【請求項16】 アミノプラスト架橋剤が、2.0より低い重合度を有する
高級アルキル化メラミンホルムアルデヒド樹脂である請求項1の組成物。 - 【請求項17】 アミノプラスト架橋剤が、メチル化グリコールウリルホル
ムアルデヒド樹脂である請求項1の組成物。 - 【請求項18】 アルコール含有溶媒系が、アルコールの混合物またはアル
コールと、エステル、グリム、エーテル、およびケトンからなる群から選択され
た一種もしくはそれ以上の溶媒との混合物からなる請求項1の組成物。 - 【請求項19】 溶媒系が乳酸エチルおよび/または1−メトキシ−2−プ
ロパノールからなり、該溶媒二種の含有量は純粋な乳酸エチルから純粋な1−メ
トキシ−2−プロパノールまで連続的に変化させ得る請求項18の組成物。 - 【請求項20】 溶媒系が、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、3−エト
キシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、お
よびテトラヒドロフルフリルアルコールからなる群から選択された一種もしくは
それ以上の溶媒と混合された1−メトキシ−2−プロパノールからなる請求項1
8の組成物。 - 【請求項21】 アルコールまたはアルコール混合物が、溶媒系の少なくと
も20重量%含まれる請求項18の組成物。 - 【請求項22】 ソリッド含有量で60重量%ないし85重量%のヒドロキ
シル官能性ポリエステル樹脂、15重量%ないし35重量%のアミノプラスト架
橋剤、および2重量%ないし5重量%のプロトン酸触媒を含む請求項1の組成物
。 - 【請求項23】 ノボラックおよびポリ(ヒドロキシスチレン)をベースと
するホトレジストに対して、酸素プラズマエッチ条件下で1.0より大きいエッ
チ選択性を示す熱硬化性抗反射コーティング組成物の製造方法であって、 a.縮合法により、光吸収性、ヒドロキシル官能性、高級脂肪族ポリエステル樹
脂を形成すること;そして b.熱および/または真空を適用することにより残留溶媒、出発原料、副生物、
および不純物を上記ポリエステル樹脂から除去することにより;および/または
水溶性溶媒に上記ポリエステル樹脂を溶解し、そして酸性化された多量の水中に
上記混合物を沈殿させ、その後、沈殿させた樹脂を採集し、そして乾燥すること
により上記ポリエステル樹脂を精製すること; c.低ないし中温の沸点を有する溶媒系であって、アルコールが該溶媒系の少な
くとも20重量%含まれる溶媒系中において、上記ポリエステル樹脂をアルキル
化アミノプラスト架橋剤およびプロトン酸硬化触媒と組み合わせて、配合物全体
は約3ないし10重量%の全ソリッド含有量を有するものにすること;からなる
方法であって; かように形成された抗反射コーティング組成物は、スピンコーティングにより半
導体基材上に塗布し、次いで120℃ないし225℃の温度範囲で焼成して、均
一な、架橋されたフィルムであって、目的の露光波長で高い光学密度を示し、続
いて塗布されるホトレジストとの混合を示さないフィルムを得ることが可能であ
る方法。 - 【請求項24】 ソリッド組成物が、ソリッド含有量で約50重量%ないし
90重量%のヒドロキシル官能性ポリエステル樹脂;約10重量%ないし50重
量%のアミノプラスト架橋剤;および約0.1重量%ないし10重量%のプロト
ン酸触媒を含む請求項23の方法。 - 【請求項25】 ソリッド組成物が、ソリッド含有量で約60重量%ないし
85重量%のヒドロキシル官能性ポリエステル樹脂;約15重量%ないし35重
量%のアミノプラスト架橋剤;および約2重量%ないし5重量%のプロトン酸触
媒を含む請求項23の方法。 - 【請求項26】 ミクロリソグラフ加工のための多層レジスト構造物を製造
する方法であって、該方法は、 有効な抗反射コーティング層であって該抗反射コーティングが低ないし中温で沸
騰するアルコール含有溶媒系に溶解されたヒドロキシル官能性高級脂肪族ポリエ
ステル樹脂、アルキル化アミノプラスト架橋剤、およびプロトン酸硬化触媒から
なるものを半導体基材上にコーティングすること、 約120ないし225℃で30ないし120秒間焼成すること、 ノボラックまたはポリ(ヒドロキシスチレン)をベースとするホトレジスト層を
上塗りすること、および 該ホトレジスト層を焼成すること、からなる改良点を有し、 それによって、該抗反射コーティングは、ヒドロキシル官能性樹脂の連結構造が
高級芳香族である抗反射コーティングよりも、高いプラズマエッチ選択性を備え
るようにする方法。 - 【請求項27】 a.半導体基材; b.該半導体基材上に層の厚さ350Åないし2500Åで塗布された熱硬化性
抗反射コーティング層であって、該抗反射コーティング層が主として高級脂肪族
連結構造を有し、そして露光波長において有効な光学密度を示すアミノプラスト
架橋されたヒドロキシル官能性ポリエステル樹脂からなるもの;および c.該抗反射コーティング層上に塗布されたノボラックまたはポリ(ヒドロキシ
スチレン)をベースとするホトレジスト層であって該ホトレジストが重要な露光
波長において感光性であるもの、からなるマイクロ電子製品。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003515793A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 反射防止ポリマーコーティングに使用する非芳香族発色団 |
JP2005346051A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-15 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | オーバーコートされるフォトレジストと共に使用するコーティング組成物 |
JPWO2004034148A1 (ja) * | 2002-10-09 | 2006-02-09 | 日産化学工業株式会社 | リソグラフィー用反射防止膜形成組成物 |
JP2009104165A (ja) * | 2001-09-26 | 2009-05-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 上塗りされたフォトレジストとともに使用されるコーティング組成物 |
JP2010500607A (ja) * | 2006-08-10 | 2010-01-07 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | フォトレジスト用反射防止膜組成物 |
JP2010055049A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Korea Kumho Petrochem Co Ltd | 開環した無水フタル酸を含む有機反射防止膜組成物およびその製造方法 |
JP4835854B2 (ja) * | 2004-07-02 | 2011-12-14 | 日産化学工業株式会社 | ハロゲン原子を有するナフタレン環を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3852889B2 (ja) * | 1998-09-24 | 2006-12-06 | 富士写真フイルム株式会社 | フォトレジスト用反射防止膜材料組成物 |
US6316165B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-11-13 | Shipley Company, L.L.C. | Planarizing antireflective coating compositions |
US6890448B2 (en) * | 1999-06-11 | 2005-05-10 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective hard mask compositions |
EP1212788B1 (en) * | 1999-08-26 | 2014-06-11 | Brewer Science | Improved fill material for dual damascene processes |
US20040034134A1 (en) | 1999-08-26 | 2004-02-19 | Lamb James E. | Crosslinkable fill compositions for uniformly protecting via and contact holes |
JP3795333B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2006-07-12 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物 |
US6323310B1 (en) * | 2000-04-19 | 2001-11-27 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating compositions comprising polymerized aminoplasts |
TW556047B (en) | 2000-07-31 | 2003-10-01 | Shipley Co Llc | Coated substrate, method for forming photoresist relief image, and antireflective composition |
AU8500701A (en) | 2000-08-17 | 2002-02-25 | Shipley Co Llc | Etch resistant antireflective coating compositions |
US20020162031A1 (en) * | 2001-03-08 | 2002-10-31 | Shmuel Levin | Method and apparatus for automatic control of access |
TW576859B (en) * | 2001-05-11 | 2004-02-21 | Shipley Co Llc | Antireflective coating compositions |
US20030121796A1 (en) * | 2001-11-26 | 2003-07-03 | Siegele Stephen H | Generation and distribution of molecular fluorine within a fabrication facility |
US20090001524A1 (en) * | 2001-11-26 | 2009-01-01 | Siegele Stephen H | Generation and distribution of a fluorine gas |
US20040151656A1 (en) * | 2001-11-26 | 2004-08-05 | Siegele Stephen H. | Modular molecular halogen gas generation system |
US20040037768A1 (en) * | 2001-11-26 | 2004-02-26 | Robert Jackson | Method and system for on-site generation and distribution of a process gas |
US20030215736A1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-11-20 | Oberlander Joseph E. | Negative-working photoimageable bottom antireflective coating |
US7070914B2 (en) * | 2002-01-09 | 2006-07-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition |
US6844131B2 (en) | 2002-01-09 | 2005-01-18 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US8012670B2 (en) | 2002-04-11 | 2011-09-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist systems |
US7217491B2 (en) * | 2002-06-07 | 2007-05-15 | Battelle Memorial Institute | Antireflective coatings |
US20040067437A1 (en) * | 2002-10-06 | 2004-04-08 | Shipley Company, L.L.C. | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
US7038328B2 (en) | 2002-10-15 | 2006-05-02 | Brewer Science Inc. | Anti-reflective compositions comprising triazine compounds |
EP1422566A1 (en) | 2002-11-20 | 2004-05-26 | Shipley Company, L.L.C. | Multilayer photoresist systems |
KR20040044369A (ko) * | 2002-11-20 | 2004-05-28 | 쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨. | 다층 포토레지스트 시스템 |
US7264913B2 (en) | 2002-11-21 | 2007-09-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective compositions for photoresists |
US7008476B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-03-07 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Modified alginic acid of alginic acid derivatives and thermosetting anti-reflective compositions thereof |
US20050026084A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Garza Cesar M. | Semiconductor device and method for elimination of resist linewidth slimming by fluorination |
DE102004004865B4 (de) * | 2004-01-30 | 2008-01-10 | Qimonda Ag | Antireflexschicht, die mit einem Photoresist beschichtet ist, enthaltend Polymere auf der Basis von Zimtsäure für die 157 nm Photolithographie |
US20050214674A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Yu Sui | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US7081511B2 (en) * | 2004-04-05 | 2006-07-25 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for making polyesters |
US20060057501A1 (en) * | 2004-09-15 | 2006-03-16 | Hengpeng Wu | Antireflective compositions for photoresists |
US7691556B2 (en) * | 2004-09-15 | 2010-04-06 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective compositions for photoresists |
EP1691238A3 (en) * | 2005-02-05 | 2009-01-21 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
EP1705519B1 (en) * | 2005-03-20 | 2016-07-06 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Method of treating a microelectronic substrate |
CN101160549B (zh) * | 2005-04-19 | 2012-10-10 | 日产化学工业株式会社 | 含有具有乙烯二羰基结构的聚合物的形成光刻用防反射膜的组合物 |
EP1762895B1 (en) * | 2005-08-29 | 2016-02-24 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Antireflective Hard Mask Compositions |
US7553905B2 (en) * | 2005-10-31 | 2009-06-30 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Anti-reflective coatings |
US8017296B2 (en) * | 2007-05-22 | 2011-09-13 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating composition comprising fused aromatic rings |
US20090042133A1 (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-12 | Zhong Xiang | Antireflective Coating Composition |
US8088548B2 (en) * | 2007-10-23 | 2012-01-03 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Bottom antireflective coating compositions |
US7989144B2 (en) * | 2008-04-01 | 2011-08-02 | Az Electronic Materials Usa Corp | Antireflective coating composition |
US7932018B2 (en) * | 2008-05-06 | 2011-04-26 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating composition |
US8221965B2 (en) * | 2008-07-08 | 2012-07-17 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating compositions |
US8455176B2 (en) * | 2008-11-12 | 2013-06-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Coating composition |
US20100119979A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-13 | Rahman M Dalil | Antireflective Coating Composition Comprising Fused Aromatic Rings |
US20100119980A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-13 | Rahman M Dalil | Antireflective Coating Composition Comprising Fused Aromatic Rings |
US20100151392A1 (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Rahman M Dalil | Antireflective coating compositions |
WO2010123099A1 (ja) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | 花王株式会社 | 電子写真用トナー |
US20100316949A1 (en) * | 2009-06-10 | 2010-12-16 | Rahman M Dalil | Spin On Organic Antireflective Coating Composition Comprising Polymer with Fused Aromatic Rings |
US8632948B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-01-21 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US8551686B2 (en) * | 2009-10-30 | 2013-10-08 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective composition for photoresists |
US8486609B2 (en) | 2009-12-23 | 2013-07-16 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating composition and process thereof |
KR101172763B1 (ko) | 2010-12-24 | 2012-08-09 | 금호석유화학 주식회사 | 공중합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
US8623589B2 (en) | 2011-06-06 | 2014-01-07 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Bottom antireflective coating compositions and processes thereof |
CN103387775A (zh) * | 2013-08-22 | 2013-11-13 | 吴江市冰心文教用品有限公司 | 一种隔热防水颜料 |
EP3318337A1 (en) * | 2016-11-03 | 2018-05-09 | PPG Industries Ohio, Inc. | A coating composition and coating system |
KR102417180B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2022-07-05 | 삼성전자주식회사 | Duv용 포토레지스트 조성물, 패턴 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5866947A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-21 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真用感光体 |
US5234990A (en) * | 1992-02-12 | 1993-08-10 | Brewer Science, Inc. | Polymers with intrinsic light-absorbing properties for anti-reflective coating applications in deep ultraviolet microlithography |
US5607824A (en) * | 1994-07-27 | 1997-03-04 | International Business Machines Corporation | Antireflective coating for microlithography |
US5693691A (en) * | 1995-08-21 | 1997-12-02 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings compositions |
US5886102A (en) * | 1996-06-11 | 1999-03-23 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective coating compositions |
JP3053072B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2000-06-19 | 東京応化工業株式会社 | レジスト積層体及びそれを用いたパターン形成方法 |
US5733714A (en) * | 1996-09-30 | 1998-03-31 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Antireflective coating for photoresist compositions |
-
1997
- 1997-10-20 US US08/954,425 patent/US5935760A/en not_active Expired - Fee Related
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-
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-
2008
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003515793A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 反射防止ポリマーコーティングに使用する非芳香族発色団 |
JP4831909B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2011-12-07 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 反射防止ポリマーコーティングに使用する非芳香族発色団 |
JP2009104165A (ja) * | 2001-09-26 | 2009-05-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 上塗りされたフォトレジストとともに使用されるコーティング組成物 |
KR100934436B1 (ko) * | 2001-09-26 | 2009-12-29 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 오버코팅된 포토레지스트와 함께 사용하기 위한 코팅 조성물 |
JP4667509B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2011-04-13 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 上塗りされたフォトレジストとともに使用されるコーティング組成物 |
JPWO2004034148A1 (ja) * | 2002-10-09 | 2006-02-09 | 日産化学工業株式会社 | リソグラフィー用反射防止膜形成組成物 |
JP2005346051A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-15 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | オーバーコートされるフォトレジストと共に使用するコーティング組成物 |
JP4835854B2 (ja) * | 2004-07-02 | 2011-12-14 | 日産化学工業株式会社 | ハロゲン原子を有するナフタレン環を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
JP2010500607A (ja) * | 2006-08-10 | 2010-01-07 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | フォトレジスト用反射防止膜組成物 |
JP2010055049A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Korea Kumho Petrochem Co Ltd | 開環した無水フタル酸を含む有機反射防止膜組成物およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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