JP2001516896A - スマートフォトリソグラフィー - Google Patents
スマートフォトリソグラフィーInfo
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-
- G—PHYSICS
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
フォトリソグラフィー方法は、（ａ） 基板上に結合用樹脂及び膜形成用物質を含む膜形成用組成物を塗布し、結果物を乾燥することによって膜を形成する段階と、（ｂ）希望の膜パターンに従って膜の所定領域にだけ光増感剤を含む感光性組成物を選択的に塗布する段階と、（ｃ）前記（ｂ）段階で得た結果物を露光する段階と、（ｄ）露光された結果物を現像することによって希望の膜パターンを形成する段階とを含む。従って、優れた膜特性を有する膜パターンを容易にかつ効率的に製造できる。本フォトリソグラフィー方法は膜パターン形成を要する製品、例えば、ＶＦＤ、ＣＲＴ、ＦＥＤ、またはＰＤＰに適用できる。
Description
【０００１】 技術分野 本発明は、フォトリソグラフィーに、より詳細には、マスクを必要としない膜
パターンを形成するのに用いられる、新規のフォトリソグラフィー（本発明者等
により、スマートフォトリソグラフィーと称する）に関する。
パターンを形成するのに用いられる、新規のフォトリソグラフィー（本発明者等
により、スマートフォトリソグラフィーと称する）に関する。
【０００２】 背景技術 膜パターンを形成する従来の方法として、シルクスクリーン印刷などの印刷、
フォトリソグラフィー等がある。
フォトリソグラフィー等がある。
【０００３】 印刷方法は、双方ともフラットパネルディスプレイ装置である、プラズマディ
スプレイパネル（ＰＤＰ）または電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）で主に使用さ
れている。しかしながら、この方法によると、形成されたパターンの厚さが不均
一である。また、微細パターンを形成し難い。
スプレイパネル（ＰＤＰ）または電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）で主に使用さ
れている。しかしながら、この方法によると、形成されたパターンの厚さが不均
一である。また、微細パターンを形成し難い。
【０００４】 従来のフォトリソグラフィーによれば、所望の厚膜形成物質をフォトレジスト
に分散させた後、界面活性剤、分散剤、感光補助剤をそれらに添加してフォトレ
ジスト組成物を作る。この組成物を基板に塗布及び乾燥する。次にフォトマスク
を用いて該基板の所定領域だけを露光処理し、現像することによって希望の膜パ
ターンを完成する。このようなフォトリソグラフィーは、前述した印刷法に比べ
て微細なパターンを形成できる長所を有しているが、次のような問題点がある。
に分散させた後、界面活性剤、分散剤、感光補助剤をそれらに添加してフォトレ
ジスト組成物を作る。この組成物を基板に塗布及び乾燥する。次にフォトマスク
を用いて該基板の所定領域だけを露光処理し、現像することによって希望の膜パ
ターンを完成する。このようなフォトリソグラフィーは、前述した印刷法に比べ
て微細なパターンを形成できる長所を有しているが、次のような問題点がある。
【０００５】 第一に、製造工程が長くて複雑である。
【０００６】 第二に、露光及び現像工程時に、工程条件を適切に制御することが非常に難し
い。詳細に説明すれば、露光時間、露光照度、または露光温度などの露光工程条
件、および現像液の圧力などの現像工程条件を適切に制御することが非常に難し
い。このように工程条件を望ましい範囲内に制御し難いため、露光及び現像工程
条件における変化によって、パターンの品質が変動してしまう。
い。詳細に説明すれば、露光時間、露光照度、または露光温度などの露光工程条
件、および現像液の圧力などの現像工程条件を適切に制御することが非常に難し
い。このように工程条件を望ましい範囲内に制御し難いため、露光及び現像工程
条件における変化によって、パターンの品質が変動してしまう。
【０００７】 第三に、従来の露光工程では、バッチ式露光台を使用してそれぞれの基板に対
して露光がなされるため、露光工程がフォトリソグラフィー工程全体の障害にな
り、これによって生産効率が落ちる。
して露光がなされるため、露光工程がフォトリソグラフィー工程全体の障害にな
り、これによって生産効率が落ちる。
【０００８】 第四に、露光方向が一つの方向に固定される、すなわち基板が前面からのみ露
光されなければならず、形成される膜の硬度が常に不均一になる。このように、
現像工程中は現像液の圧力を慎重に制御する必要がある。
光されなければならず、形成される膜の硬度が常に不均一になる。このように、
現像工程中は現像液の圧力を慎重に制御する必要がある。
【０００９】 第五に、微細パターンを形成する場合、変形や遮断ホール（ｂｌｏｃｋｅｄ
ｈｏｌｅ）のようなマスクパターンにおける欠陥がしばしば生じる。
ｈｏｌｅ）のようなマスクパターンにおける欠陥がしばしば生じる。
【００１０】 発明の開示 上述の問題を解決するために、本発明の目的は、膜特性を改善した膜パターン
を簡単かつ効率的に製造することのできるフォトリソグラフィーを提供すること
である。
を簡単かつ効率的に製造することのできるフォトリソグラフィーを提供すること
である。
【００１１】 すなわち、前記目的を達成するために、本発明は、 （ａ）結合用樹脂及び膜形成用物質を含む膜形成用組成物を基板上に塗布し、
その結果物を乾燥することによって膜を形成する段階と、 （ｂ）希望の膜パターンに従って、膜の所定領域にだけ光増感剤を含む感光性
組成物を選択的に塗布する段階と、 （ｃ）前記（ｂ）段階で得た結果物を露光する段階と、 （ｄ）露光により得られた構造物を現像することによって希望の膜パターンを
形成する段階とを含むスマートフォトリソグラフィー方法を提供する。
その結果物を乾燥することによって膜を形成する段階と、 （ｂ）希望の膜パターンに従って、膜の所定領域にだけ光増感剤を含む感光性
組成物を選択的に塗布する段階と、 （ｃ）前記（ｂ）段階で得た結果物を露光する段階と、 （ｄ）露光により得られた構造物を現像することによって希望の膜パターンを
形成する段階とを含むスマートフォトリソグラフィー方法を提供する。
【００１２】 前記（ｂ）段階で、感光性組成物の塗布方法は特別に限られてはいない。好ま
しくは、ノズルを通じて希望の膜パターンに従って感光性組成物を噴霧する。
しくは、ノズルを通じて希望の膜パターンに従って感光性組成物を噴霧する。
【００１３】 前記（ｃ）段階では、感光性組成物をフォトマスクを用いずに塗布する部分に
光反応がおきる。
光反応がおきる。
【００１４】 発明を実施するための最良の態様 以下、本発明に係るスマートフォトリソグラフィーを詳細に説明する。
【００１５】 先ず、結合用樹脂及び膜形成用物質を含む膜形成用組成物を製造する。ここで
該膜形成用組成物は、その主成分としてポリビニルアルコールを含み、さらに分
散剤および界面活性剤のような添加剤を含む場合もある。
該膜形成用組成物は、その主成分としてポリビニルアルコールを含み、さらに分
散剤および界面活性剤のような添加剤を含む場合もある。
【００１６】 これとは別に、光増感剤を含む感光性組成物を製造し、好ましくは液状に製造
する。このようなフォトレジスト組成物は、基本的に光増感剤またはフォトレジ
ストを含み、さらに粘度調節用の有機溶媒、粘度調節用のポリマー、または界面
活性剤を含んでもよい。
する。このようなフォトレジスト組成物は、基本的に光増感剤またはフォトレジ
ストを含み、さらに粘度調節用の有機溶媒、粘度調節用のポリマー、または界面
活性剤を含んでもよい。
【００１７】 前記光増感剤としては特別に限られてはいないが、重クロム酸ナトリウム水溶
液、重クロム酸アンモニウム水溶液、４，４’−ジアジドスチルベン−２，２’
−二スルホン酸ナトリウム（４，４’−ｄｉａｚｉｄｏｓｔｉｌｂｅｎｅ−２，
２’−ｓｏｄｉｕｍ ｄｉｓｕｌｆｏｎａｔｅ：ＤＡＳ）水溶液、２，５-ビス （４’−アジド−２’−スルホベンジリデン）シクロペンタノン二ナトリウム塩
（２，５−ｂｉｓ（４’−ａｚｉｄｏ−２’−ｓｕｌｆｏｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎ
ｅ）ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｎｏｎｅ ｄｉｓｏｄｉｕｍ ｓａｌｔ： ＤＡＰ）
水溶液またはスチルバゾリウムポリビニルアルコール（ｓｔｉｌｂａｚｏｌｉｕ
ｍ ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）水溶液を使用する。この際、該光増
感剤またはフォトレジスト水溶液の濃度は０．０１〜５．０質量％であることが
好ましい。
液、重クロム酸アンモニウム水溶液、４，４’−ジアジドスチルベン−２，２’
−二スルホン酸ナトリウム（４，４’−ｄｉａｚｉｄｏｓｔｉｌｂｅｎｅ−２，
２’−ｓｏｄｉｕｍ ｄｉｓｕｌｆｏｎａｔｅ：ＤＡＳ）水溶液、２，５-ビス （４’−アジド−２’−スルホベンジリデン）シクロペンタノン二ナトリウム塩
（２，５−ｂｉｓ（４’−ａｚｉｄｏ−２’−ｓｕｌｆｏｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎ
ｅ）ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｎｏｎｅ ｄｉｓｏｄｉｕｍ ｓａｌｔ： ＤＡＰ）
水溶液またはスチルバゾリウムポリビニルアルコール（ｓｔｉｌｂａｚｏｌｉｕ
ｍ ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）水溶液を使用する。この際、該光増
感剤またはフォトレジスト水溶液の濃度は０．０１〜５．０質量％であることが
好ましい。
【００１８】 該基板上に該膜形成用組成物を塗布し、乾燥して膜を形成する。ここで塗布方
法は特別に制限されないが、スピンコーティング方法または沈降コーティング方
法などが好ましく使用される。
法は特別に制限されないが、スピンコーティング方法または沈降コーティング方
法などが好ましく使用される。
【００１９】 基板としては、真空蛍光ディスプレイ（ＶＦＤ）、陰極線管（ＣＲＴ）、電界
放出ディスプレイ（ＦＥＤ）、またはプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を
使用してもよい。しかしながら、該基板は表示装置に使用されるものに限定され
ない。
放出ディスプレイ（ＦＥＤ）、またはプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を
使用してもよい。しかしながら、該基板は表示装置に使用されるものに限定され
ない。
【００２０】 乾燥した膜の所定領域に、希望の膜パターンに従って該感光性組成物を選択的
に塗布する。好ましくは、希望の膜パターンを予め決定し、インクジェットノズ
ルを通じて該基板の所定領域にだけ感光性組成物を選択的に噴霧する。
に塗布する。好ましくは、希望の膜パターンを予め決定し、インクジェットノズ
ルを通じて該基板の所定領域にだけ感光性組成物を選択的に噴霧する。
【００２１】 該感光性組成物が選択的に塗布された該基板を、その内面、外面または両面か
ら、即ち、任意の方向から露光する。この露光工程中、従来のフォトリソグラフ
ィーとは異なり、フォトマスクが不要である。また、連続的な露光を実施できる
ように、従来のバッチ式露光台の代わりに、トンネル式の露光台を露光台として
用いる。
ら、即ち、任意の方向から露光する。この露光工程中、従来のフォトリソグラフ
ィーとは異なり、フォトマスクが不要である。また、連続的な露光を実施できる
ように、従来のバッチ式露光台の代わりに、トンネル式の露光台を露光台として
用いる。
【００２２】 本発明の露光工程では、従来のフォトリソグラフィーとは異なり、希望の膜パ
ターンに従って膜の所定領域にだけ感光性組成物が選択的に塗布されるため、露
光の温度、時間及び露光照度変化に伴う品質偏差が大きく減少する。換言すると
、露光時間を長くしたり露光照度を高めても、膜のパターンサイズに悪影響を及
ぼさない。従って充分な露光時間及び照度によって、基板に対する膜の接着力を
向上させうる。
ターンに従って膜の所定領域にだけ感光性組成物が選択的に塗布されるため、露
光の温度、時間及び露光照度変化に伴う品質偏差が大きく減少する。換言すると
、露光時間を長くしたり露光照度を高めても、膜のパターンサイズに悪影響を及
ぼさない。従って充分な露光時間及び照度によって、基板に対する膜の接着力を
向上させうる。
【００２３】 該露光工程を実施した後、基板上に適切な現像圧力で現像液を噴霧することに
より、希望の膜パターンを完成する。現像工程中に、露光される膜の接着力が非
常に強いため、従来の工程に比べて現像圧力を非常に増やすことができる。それ
により不必要な部位に残っている物質の除去が容易である。
より、希望の膜パターンを完成する。現像工程中に、露光される膜の接着力が非
常に強いため、従来の工程に比べて現像圧力を非常に増やすことができる。それ
により不必要な部位に残っている物質の除去が容易である。
【００２４】 以上で述べたように、本発明のフォトリソグラフィーによれば、露光及び現像
中の工程条件における許容度を非常に高めることができる。
中の工程条件における許容度を非常に高めることができる。
【００２５】 また、本発明に係るフォトリソグラフィーをＣＲＴを製造するのに適用する場
合、露光技術の必須要素である露光レンズが不要である。通常、露光レンズはコ
ストが高く、かつ製造が難しい。従ってこのような露光レンズが必要ないので、
製造コストを節減し、新製品開発のリードタイムを短縮する。
合、露光技術の必須要素である露光レンズが不要である。通常、露光レンズはコ
ストが高く、かつ製造が難しい。従ってこのような露光レンズが必要ないので、
製造コストを節減し、新製品開発のリードタイムを短縮する。
【００２６】 本発明は、次のような効果を有する。
【００２７】 第一に、インクジェットノズル及びプリンタヘッドを駆動するモータの微細な
パターン形成解像度内で、微細なパターン形成が得られる。
パターン形成解像度内で、微細なパターン形成が得られる。
【００２８】 第二に、光増感剤をむ感光性組成物を基板の所定領域にだけ選択的に塗布する
ことによって、露光の温度、時間及び照度による品質偏差を縮めることができる
。また充分な露光時間及び照度によって、膜の品質を向上させうる。
ことによって、露光の温度、時間及び照度による品質偏差を縮めることができる
。また充分な露光時間及び照度によって、膜の品質を向上させうる。
【００２９】 第三に、露光中は、任意の方向から基板を照射できるので、トンネル式の露光
台が使用できる。従って連続的な露光が可能になり、これは大量生産に適してい
る。
台が使用できる。従って連続的な露光が可能になり、これは大量生産に適してい
る。
【００３０】 第四に、形成された膜の接着力が非常に強いので、現像圧力を強くすることが
できる。従って蛍光膜を形成する場合、従来技術においてはしばしば生じる色残
留現象を防止できる。
できる。従って蛍光膜を形成する場合、従来技術においてはしばしば生じる色残
留現象を防止できる。
【００３１】 第五に、フォトマスクが不要で、露光レンズ及び露光台を特別に設計する必要
がないので、新製品開発のためのリードタイムが顕著に縮まるけだけなく製造コ
ストが有意に節減される。産業上の利用可能性 本発明に係るスマートフォトリソグラフィーは、膜パターンの形成を要する製
品、例えばＶＦＤ、ＣＲＴ、ＦＥＤまたはＰＤＰに適用できる。
がないので、新製品開発のためのリードタイムが顕著に縮まるけだけなく製造コ
ストが有意に節減される。産業上の利用可能性 本発明に係るスマートフォトリソグラフィーは、膜パターンの形成を要する製
品、例えばＶＦＤ、ＣＲＴ、ＦＥＤまたはＰＤＰに適用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リー，ジュン，ベ 大韓民国 キョンギ−ド 449−840，ヨン イン−シティ，スジ−オウブ，プンドクチ ョン−リ，664，プンリムアパート 106− 1206
Claims (5)
- 【請求項１】 （ａ）結合用樹脂及び膜形成用物質を含む膜形成用組成物を
基板上に塗布し、その結果物を乾燥することによって膜を形成する段階と、 （ｂ）希望の膜パターンに従って、膜の所定領域にだけ光増感剤を含む感光性
組成物を選択的に塗布する段階と、 （ｃ）前記（ｂ）段階で得た結果物を露光する段階と、 （ｄ）露光された結果物を現像することによって希望の膜パターンを形成する
段階 とを含むスマートフォトリソグラフィー方法。 - 【請求項２】 前記（ｂ）段階において、該感光性組成物はノズルを通じて
希望の膜パターンに従って噴霧される、請求項１に記載のスマートフォトリソグ
ラフィー方法。 - 【請求項３】 前記（ｃ）段階において、フォトマスクを用いずに、光を照
射することによって該感光性組成物が塗布される部分で光反応が起こる、請求項
１に記載のスマートフォトリソグラフィー方法。 - 【請求項４】 前記（ｃ）段階で、光が基板の内面、外面、または両面に照
射される、請求項１に記載のスマートフォトリソグラフィー方法。 - 【請求項５】 前記（ｃ）段階で、該露光は光が多方向で照射される露光装
置で実施される、請求項１に記載のスマートフォトリソグラフィー方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1997/47602 | 1997-09-18 | ||
| KR1019970047602A KR100467673B1 (ko) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 스마트 포토리소그래피 방법 |
| PCT/KR1998/000121 WO1999014634A1 (en) | 1997-09-18 | 1998-05-14 | Smart photolithography |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001516896A true JP2001516896A (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=19521388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000512108A Withdrawn JP2001516896A (ja) | 1997-09-18 | 1998-05-14 | スマートフォトリソグラフィー |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6447983B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001516896A (ja) |
| KR (1) | KR100467673B1 (ja) |
| CN (1) | CN1134705C (ja) |
| BR (1) | BR9812465A (ja) |
| CA (1) | CA2303857A1 (ja) |
| WO (1) | WO1999014634A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2002244103A1 (en) * | 2001-02-22 | 2002-09-12 | University Of Florida | Materials and methods for detecting, preventing, and treating hiv and fiv retroviral infection |
| DE602005008434D1 (de) * | 2005-09-27 | 2008-09-04 | Agfa Graphics Nv | Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Druckplatte |
| CN105073912B (zh) | 2013-03-25 | 2017-09-12 | 电子部品研究院 | 光敏涂料组合物、使用光敏涂料组合物的涂料导电膜以及形成涂料导电膜的方法 |
| CN114609816B (zh) * | 2022-03-04 | 2023-07-25 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62187848A (ja) | 1986-02-10 | 1987-08-17 | Fuotopori Ouka Kk | 感光性樹脂表面の粘着防止方法 |
| DE59209841D1 (de) | 1992-10-21 | 2000-06-29 | Schablonentechnik Kufstein Ag | Rotationsbelichtungsmaschine zur Herstellung einer zylindrischen Siebdruckschablone |
| JP3560356B2 (ja) * | 1994-01-31 | 2004-09-02 | 株式会社リコー | フォトリソグラフィー方法 |
-
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- 1997-09-18 KR KR1019970047602A patent/KR100467673B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-05-04 US US09/508,769 patent/US6447983B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-14 WO PCT/KR1998/000121 patent/WO1999014634A1/en active Application Filing
- 1998-05-14 JP JP2000512108A patent/JP2001516896A/ja not_active Withdrawn
- 1998-05-14 CA CA002303857A patent/CA2303857A1/en not_active Abandoned
- 1998-05-14 CN CNB988112485A patent/CN1134705C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-14 BR BR9812465-0A patent/BR9812465A/pt not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| CN1279776A (zh) | 2001-01-10 |
| CA2303857A1 (en) | 1999-03-25 |
| WO1999014634A1 (en) | 1999-03-25 |
| KR19990025818A (ko) | 1999-04-06 |
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