JP2001514148A - 希土類元素を配合した低音子エネルギーガラス及びファイバー - Google Patents
希土類元素を配合した低音子エネルギーガラス及びファイバーInfo
- Publication number
- JP2001514148A JP2001514148A JP2000507624A JP2000507624A JP2001514148A JP 2001514148 A JP2001514148 A JP 2001514148A JP 2000507624 A JP2000507624 A JP 2000507624A JP 2000507624 A JP2000507624 A JP 2000507624A JP 2001514148 A JP2001514148 A JP 2001514148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- mol
- rare earth
- amount
- earth element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000835 fiber Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 14
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical group [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 6
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 6
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 12
- -1 rare earth ions Chemical class 0.000 description 7
- 239000002203 sulfidic glass Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000005383 fluoride glass Substances 0.000 description 4
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- QIHHYQWNYKOHEV-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butyl-3-nitrobenzoic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1[N+]([O-])=O QIHHYQWNYKOHEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLOAOXIUYAGBGO-UHFFFAOYSA-N C.[O] Chemical compound C.[O] NLOAOXIUYAGBGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000017858 Laurus nobilis Nutrition 0.000 description 1
- 244000125380 Terminalia tomentosa Species 0.000 description 1
- 235000005212 Terminalia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- RJWLRCHYHHXJLX-UHFFFAOYSA-N barium(2+);selenium(2-) Chemical group [Se-2].[Ba+2] RJWLRCHYHHXJLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N digallium;selenium(2-) Chemical compound [Ga+3].[Ga+3].[Se-2].[Se-2].[Se-2] ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000012681 fiber drawing Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AKUCEXGLFUSJCD-UHFFFAOYSA-N indium(3+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[In+3].[In+3] AKUCEXGLFUSJCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical group 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- BCTHFFLRHBNYHU-UHFFFAOYSA-N strontium;selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Sr+2] BCTHFFLRHBNYHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWLJJEFSPJCUBD-UHFFFAOYSA-N tellurium tetrachloride Chemical compound Cl[Te](Cl)(Cl)Cl SWLJJEFSPJCUBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06708—Constructional details of the fibre, e.g. compositions, cross-section, shape or tapering
- H01S3/06716—Fibre compositions or doping with active elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/041—Non-oxide glass compositions
- C03C13/043—Chalcogenide glass compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/041—Non-oxide glass compositions
- C03C13/043—Chalcogenide glass compositions
- C03C13/044—Chalcogenide glass compositions containing halogen, e.g. chalcohalide glass compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/32—Non-oxide glass compositions, e.g. binary or ternary halides, sulfides or nitrides of germanium, selenium or tellurium
- C03C3/321—Chalcogenide glasses, e.g. containing S, Se, Te
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/32—Non-oxide glass compositions, e.g. binary or ternary halides, sulfides or nitrides of germanium, selenium or tellurium
- C03C3/321—Chalcogenide glasses, e.g. containing S, Se, Te
- C03C3/323—Chalcogenide glasses, e.g. containing S, Se, Te containing halogen, e.g. chalcohalide glasses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
本発明は低音子エネルギーガラス及びこれから形成した繊維に関する。該ガラスはモル%で与えた次の成分を包含する:X 0.1〜30モル%ヒ素 0〜40モル%ガリウム 0.01〜20モル%Y 40〜85モル%(但しXはゲルマニウム及びゲルマニウムと50%以下の硫黄との混合物よりなる群から選ばれ、Yはセレン、インジウム及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる);しかも該ガラスは前記成分の重量に基いて0.001〜2重量%の希土類元素も含有する。ガラス繊維は5dB/m以下の最低損失を有する。
Description
【0001】 (技術分野) 本発明は希土類元素を配合した低音子(フォノン:phonon)エネルギーのガラ
ス及びガラスファイバーに関する。この出願は本願と同時に出願中である「元素
配合した(doped)低音子エネルギーのガラスファイバーによる増幅」なる名称の 出願に関連するものである。
ス及びガラスファイバーに関する。この出願は本願と同時に出願中である「元素
配合した(doped)低音子エネルギーのガラスファイバーによる増幅」なる名称の 出願に関連するものである。
【0002】 (背景技術) フルオライド、スルフィド、セレニド及びテルライドガラスを含めて低音子(
フォノン)エネルギーのガラスは希土類元素イオン用の宿主即ち材料としてきわ
めて重要となってきている。希土類元素を配合したこれらのガラス系については
、酸化物宿主(host)で通常抑制される放射性の放出(radiative emission) は向 上した効率を有する。1例はフルオライド宿主中のプラセオジミウムについては 1 G4−3H5 1.3μm遷移(transition)である。フルオライドガラスにおけるこ の遷移はファイバー増幅剤として開発され且つ工業化されていた。このガラス系
では利得が不十分である。何故ならばこの転移はフルオライド宿主中のレベルで
は高い多重音子緩和率(multiphonon relaxation rate)により低量の効率を有す るからである。この低効率によってフルオライドガラス宿主よりも更に低い音子
エネルギーを有するガラスの開発研究が誘発された。
フォノン)エネルギーのガラスは希土類元素イオン用の宿主即ち材料としてきわ
めて重要となってきている。希土類元素を配合したこれらのガラス系については
、酸化物宿主(host)で通常抑制される放射性の放出(radiative emission) は向 上した効率を有する。1例はフルオライド宿主中のプラセオジミウムについては 1 G4−3H5 1.3μm遷移(transition)である。フルオライドガラスにおけるこ の遷移はファイバー増幅剤として開発され且つ工業化されていた。このガラス系
では利得が不十分である。何故ならばこの転移はフルオライド宿主中のレベルで
は高い多重音子緩和率(multiphonon relaxation rate)により低量の効率を有す るからである。この低効率によってフルオライドガラス宿主よりも更に低い音子
エネルギーを有するガラスの開発研究が誘発された。
【0003】 スルフィドガラス宿主は1.3μm波長での有効な用途に有力な候補として出現 した。スルフィドガラス宿主におけるプラセオジミウムについての光学効率はフ
ルオライドガラス宿主における光学効率よりも高いけれども、スルフィドガラス
宿主の有効性を制限する2つの要因がある。第1に、今日まで用いたスルフィド
ガラスの安定性は低く、ガラスファイバーの延伸中に結晶化し易い。第2に希土
類元素のイオンは安定性を更に減少する傾向があり、これによって更なる結晶化
の問題を生起する。プラセオジミウムについての吸収断面は低いので、有効な機
器操作には長い繊維長が必要とされる。約0.1dB/m又はそれ以下の低損失のフ ァイバーが必要とされ、今日まで希土類元素を配合した(doped)低損失スルフィ ドファイバーの製作は、ファイバー延伸中にかなりの結晶化が生起することによ
り実現されなかった。それ故、1dB/m以下の損失を有する低損失ファイバーに
延伸することができしかも安定で、希土類元素配合済みの低音子エネルギーのカ
ルコゲナイドガラスに対して必要性がある。
ルオライドガラス宿主における光学効率よりも高いけれども、スルフィドガラス
宿主の有効性を制限する2つの要因がある。第1に、今日まで用いたスルフィド
ガラスの安定性は低く、ガラスファイバーの延伸中に結晶化し易い。第2に希土
類元素のイオンは安定性を更に減少する傾向があり、これによって更なる結晶化
の問題を生起する。プラセオジミウムについての吸収断面は低いので、有効な機
器操作には長い繊維長が必要とされる。約0.1dB/m又はそれ以下の低損失のフ ァイバーが必要とされ、今日まで希土類元素を配合した(doped)低損失スルフィ ドファイバーの製作は、ファイバー延伸中にかなりの結晶化が生起することによ
り実現されなかった。それ故、1dB/m以下の損失を有する低損失ファイバーに
延伸することができしかも安定で、希土類元素配合済みの低音子エネルギーのカ
ルコゲナイドガラスに対して必要性がある。
【0004】 赤外情景模擬用の赤外部に明るいファイバー源(bright sources)及びジョイン
ト ストライク ファイター(Joint Strike Fighter)及び他のシーカープラットフ
ォーム(seeker platforms)上の焦点面配列の特性決定に必要性がある。更には、
これらの明るいファイバー源は、施設浄化用のファイバーの光学、化学的センサ
ー用途に及び他の管理及び工業用途に用い得る。
ト ストライク ファイター(Joint Strike Fighter)及び他のシーカープラットフ
ォーム(seeker platforms)上の焦点面配列の特性決定に必要性がある。更には、
これらの明るいファイバー源は、施設浄化用のファイバーの光学、化学的センサ
ー用途に及び他の管理及び工業用途に用い得る。
【0005】 「赤外透過性のセレニドガラス」なる標題の姉妹出願は通し番号08/818,204 を有して1997年3月14日に米国特許庁に出願され、場合によっては希土類元素が
配合された、アルカリ土類セレニド改質剤、ゲルマニウムセレニド、ガリウムセ
レニド及び/又はインジウムセレニドを含有してなるガラスを開示している。ガ
ラス成分は元素として用い得る。改質剤はバリウムセレニド又はストロンチウム
セレニドである。このガラスから形成したファイバーは10dB/m以上の損失と評
価したが、然るに本明細書に記載したガラスから形成したファイバーは約1dB/
m以下の損失を有する。
配合された、アルカリ土類セレニド改質剤、ゲルマニウムセレニド、ガリウムセ
レニド及び/又はインジウムセレニドを含有してなるガラスを開示している。ガ
ラス成分は元素として用い得る。改質剤はバリウムセレニド又はストロンチウム
セレニドである。このガラスから形成したファイバーは10dB/m以上の損失と評
価したが、然るに本明細書に記載したガラスから形成したファイバーは約1dB/
m以下の損失を有する。
【0006】 (発明の開示) 本発明の目的は、音子エネルギーがフルオリド及びスルフィドガラスのそれよ
りも低い低音子エネルギーのガラス及びこれから形成したガラスファイバーに在
る。
りも低い低音子エネルギーのガラス及びこれから形成したガラスファイバーに在
る。
【0007】 本発明の別の目的は、希土類元素の溶解度を向上した低音子エネルギーガラス
に在る。
に在る。
【0008】 本発明の別の目的は、繊維化に十分な安定性を有する低音子エネルギーガラス
に在る。
に在る。
【0009】 本発明のこれらの目的及び他の目的は、約30モル%以下のゲルマニウムと約40
モル%以下のヒ素と、約20モル%以下のガリウムと約40〜85モル%のセレンと螢
光有効量だが約2モル%以下の希土類元素とを含有してなるガラスによって実現
できる。
モル%以下のヒ素と、約20モル%以下のガリウムと約40〜85モル%のセレンと螢
光有効量だが約2モル%以下の希土類元素とを含有してなるガラスによって実現
できる。
【0010】 本発明のガラスは約350cm-1以下の低音子エネルギーを有し、重量%で表わし た希土類元素以外はモル%で表わした次の成分を含有してなる: ガラス及びこれから形成したファイバーの螢光を促進するのに遷移金属イオン
の如き何れかの光学活性添加剤を本明細書では用い得るけれども、プラセオジミ
ウム、ジスプロシウム、エルビウム、ネオジミウム、セリウム、ホルミウム、ツ
リウム、テルビウム、イッテルビウム及びこれらの混合物が好ましい。ランタン
及びガドリニウムは光学活性とは考えられない。特に好ましい光学活性添加剤は
ジスプロシウム、プラセオジミウム及びこれらの混合物である。
の如き何れかの光学活性添加剤を本明細書では用い得るけれども、プラセオジミ
ウム、ジスプロシウム、エルビウム、ネオジミウム、セリウム、ホルミウム、ツ
リウム、テルビウム、イッテルビウム及びこれらの混合物が好ましい。ランタン
及びガドリニウムは光学活性とは考えられない。特に好ましい光学活性添加剤は
ジスプロシウム、プラセオジミウム及びこれらの混合物である。
【0011】 硫黄を約50%以下の量で、好ましくは30%以下の量でセレンの代りに代用でき
る。ガリウムの代りにその一部として又は全部としてインジウムを代用できる。
別成分を本発明のガラスに添加してガラスの光学特性、熱的特性及び/又は機械
的特性を向上させ得る。これらの別成分には、屈折率を改良するのにガラス成分
のモル基準に基いて20%以下の量でのテルルがあり;屈折率を改良し且つ希土類
元素の溶解度を増大するのにガラス成分のモル基準に基いて20%以下の量でのハ
ロゲン又はその混合物特にヨウ素がある。ガラス成分に基いて2モル%以下の少
量で本発明のガラスに添加した時の別の添加剤は若干の改良をすることができる
。これらの別の添加剤にはタリウム、セシウム、アンチモン、錫、鉛、カドミウ
ム、銅、銀、イットリウム、シリコン、アルミニウム、リン、タンタル、ガドリ
ニウム及びハライドがある。
る。ガリウムの代りにその一部として又は全部としてインジウムを代用できる。
別成分を本発明のガラスに添加してガラスの光学特性、熱的特性及び/又は機械
的特性を向上させ得る。これらの別成分には、屈折率を改良するのにガラス成分
のモル基準に基いて20%以下の量でのテルルがあり;屈折率を改良し且つ希土類
元素の溶解度を増大するのにガラス成分のモル基準に基いて20%以下の量でのハ
ロゲン又はその混合物特にヨウ素がある。ガラス成分に基いて2モル%以下の少
量で本発明のガラスに添加した時の別の添加剤は若干の改良をすることができる
。これらの別の添加剤にはタリウム、セシウム、アンチモン、錫、鉛、カドミウ
ム、銅、銀、イットリウム、シリコン、アルミニウム、リン、タンタル、ガドリ
ニウム及びハライドがある。
【0012】 本明細書に記載したガラスは、ゲルマニウム、ヒ素、ガリウム、セレン及び希
土類元素を基剤とする新規な赤外透過性のカルコゲナイドガラスである。このガ
ラスは安定であって容易に繊維化でき、これを用いて電気通信用の繊維光学増幅
器を形成でき、しかも赤外情景模擬用の中赤外部での明るいファイバー源として
及びジョイント ストライク ファイター及び他のシーカープラットフォーム上の
焦点面配列の特性決定として用い得る。これらの明るいファイバー源は施設浄化
用のファイバー光学の化学的センサー用途に及び別の健康関連の環境監視に用い
得る。
土類元素を基剤とする新規な赤外透過性のカルコゲナイドガラスである。このガ
ラスは安定であって容易に繊維化でき、これを用いて電気通信用の繊維光学増幅
器を形成でき、しかも赤外情景模擬用の中赤外部での明るいファイバー源として
及びジョイント ストライク ファイター及び他のシーカープラットフォーム上の
焦点面配列の特性決定として用い得る。これらの明るいファイバー源は施設浄化
用のファイバー光学の化学的センサー用途に及び別の健康関連の環境監視に用い
得る。
【0013】 本明細書に記載したガラスから形成した光学繊維(光ファイバー)は、ガラス
中に存在する光学活性な希土類元素から生ずる螢光性である。
中に存在する光学活性な希土類元素から生ずる螢光性である。
【0014】 本発明のガラス繊維は常法で形成できしかも何れかの断面形状を有し得る。然
しながら、ガラス繊維は断面が円形であるのが典型的である。本明細書において
は、ガラス繊維は円形の断面に関して記載する。当業者ならば別の断面形状を有
するガラス繊維を製造する時も前記の記載を参考にして外挿できる。ガラス繊維
は所望の何れかの長さを有し得るが、芯及び芯を包囲する外装のみを考慮して直
径が約20〜500ミクロンである。ガラス繊維の芯部は繊維直径の約0.5〜90%であ
り、これは芯部が単一モードであるか又は多重モードであるかに応じて決まり、
残りの割合は外装である。ファイバーの損失は5dB/m以下であり、2dB/m以
下であるのが好ましい。透過した光線の大部分を芯部内に保持するためには、芯
部の屈折率は外装の屈折率よりも大きければならない。
しながら、ガラス繊維は断面が円形であるのが典型的である。本明細書において
は、ガラス繊維は円形の断面に関して記載する。当業者ならば別の断面形状を有
するガラス繊維を製造する時も前記の記載を参考にして外挿できる。ガラス繊維
は所望の何れかの長さを有し得るが、芯及び芯を包囲する外装のみを考慮して直
径が約20〜500ミクロンである。ガラス繊維の芯部は繊維直径の約0.5〜90%であ
り、これは芯部が単一モードであるか又は多重モードであるかに応じて決まり、
残りの割合は外装である。ファイバーの損失は5dB/m以下であり、2dB/m以
下であるのが好ましい。透過した光線の大部分を芯部内に保持するためには、芯
部の屈折率は外装の屈折率よりも大きければならない。
【0015】 本明細書に記載したガラスはガラス成分を乾燥箱(dry box)に回分供給するこ とにより製造できる。高度に精製した成分を用いて赤外透過特に中部領域の赤外
透過を促進させ得る。塩又は化合物の形であるよりも元素態の形でガラス成分を
用いるのが好ましい。何故ならば、元素態形では不純物濃度のより低いより安定
なガラスが生成されるからである。全てのガラス成分は金属基準で99.9%純度よ
り高い所望の純度で購入できる。セレンは99.999+%の純度で入手できる。
透過を促進させ得る。塩又は化合物の形であるよりも元素態の形でガラス成分を
用いるのが好ましい。何故ならば、元素態形では不純物濃度のより低いより安定
なガラスが生成されるからである。全てのガラス成分は金属基準で99.9%純度よ
り高い所望の純度で購入できる。セレンは99.999+%の純度で入手できる。
【0016】 回分供給工程は先ずガラス成分を秤量することにより乾燥箱中で行なう。秤量
及び回分供給工程は、ガラス成分の汚染を生ずる酸化及び加水分解を回避するた
め1ppm以下の酸素及び水蒸気を有する不活性雰囲気下に乾燥箱中で行なう。希 土類元素は希土類セレニドとして、希土類カルコゲナイドとして、希土類ハライ
ドとしてあるいは希土類セレニドを形成するようにセレンと一緒に元素態の希土
類として添加して、希土類元素を配合する。乾燥箱中で、ガラス成分を秤量し、
回分し、次いで石英アンプルに移送した。
及び回分供給工程は、ガラス成分の汚染を生ずる酸化及び加水分解を回避するた
め1ppm以下の酸素及び水蒸気を有する不活性雰囲気下に乾燥箱中で行なう。希 土類元素は希土類セレニドとして、希土類カルコゲナイドとして、希土類ハライ
ドとしてあるいは希土類セレニドを形成するようにセレンと一緒に元素態の希土
類として添加して、希土類元素を配合する。乾燥箱中で、ガラス成分を秤量し、
回分し、次いで石英アンプルに移送した。
【0017】 ガラス成分を石英アンプルに移送した後に、該アンプルを乾燥箱から取出し、
排気し、密封する。密封後に、該アンプルを加熱して内容物を溶融し、内容物を
高温で反応させてそれぞれのセレニドを形成する。典型的な溶融スケジュールは
、大体室温から約800〜900℃まで約1〜10℃/分の速度で温度を上昇勾配とさせ
次いで約800〜900℃で約10〜20時間保持することがある。約800〜900℃に加熱し
た後には、内容物は液体状態に在り、これを更に混合させて溶融ガラス内により
均一な分布を達成する。
排気し、密封する。密封後に、該アンプルを加熱して内容物を溶融し、内容物を
高温で反応させてそれぞれのセレニドを形成する。典型的な溶融スケジュールは
、大体室温から約800〜900℃まで約1〜10℃/分の速度で温度を上昇勾配とさせ
次いで約800〜900℃で約10〜20時間保持することがある。約800〜900℃に加熱し
た後には、内容物は液体状態に在り、これを更に混合させて溶融ガラス内により
均一な分布を達成する。
【0018】 溶融処理法後に、溶融したガラスを約5分で約600〜900℃から大体のTg又は
それ以下に急冷させてガラスを固化する。ガラスの焼鈍は、ガラス半製品の亀裂
/破砕を生ずるかもしれないガラス中の応力を解放するためにTg付近の温度に
ガラスを加熱延長することにより固化後に行なう。次いでガラスを粉末X線回折
及び熱分析により特性決定してガラスの形成を確認する。
それ以下に急冷させてガラスを固化する。ガラスの焼鈍は、ガラス半製品の亀裂
/破砕を生ずるかもしれないガラス中の応力を解放するためにTg付近の温度に
ガラスを加熱延長することにより固化後に行なう。次いでガラスを粉末X線回折
及び熱分析により特性決定してガラスの形成を確認する。
【0019】 ガラス成分をセレニド塩又は化合物の形で添加するならば、元素態セレンと元
素態金属との反応がそれぞれのセレン化合物を形成するのにきわめてゆっくりと
加熱することは必要ではない。緩慢な加熱は、加減した要領でセレンを金属と完
全に反応させ得る。セレニド化合物を用いるならば、高濃度の酸化物及び水酸化
物の不純物がガラス中に配合され、次いで該不純物は赤外線が残留ガラス前駆体
中に組入れられた不純物によって吸収される故に広域の赤外透過を低下させるも
のである。
素態金属との反応がそれぞれのセレン化合物を形成するのにきわめてゆっくりと
加熱することは必要ではない。緩慢な加熱は、加減した要領でセレンを金属と完
全に反応させ得る。セレニド化合物を用いるならば、高濃度の酸化物及び水酸化
物の不純物がガラス中に配合され、次いで該不純物は赤外線が残留ガラス前駆体
中に組入れられた不純物によって吸収される故に広域の赤外透過を低下させるも
のである。
【0020】 本発明のガラス繊維は、慣用の要領で前記のガラス予備成形物から形成される
。ガラス繊維の延伸は例えば、「高温均衡加圧を用いて芯部/外装光学繊維予備
成形物の製造方法」なる標題を有し且つ文書番号NC76,989を有して1996年6月28
日付けで出願されたサンゲラ(Sanghera)らの特許出願通し番号08/672,771に開 示されており、これを全ての目的のため本明細書で参照して組入れてある。
。ガラス繊維の延伸は例えば、「高温均衡加圧を用いて芯部/外装光学繊維予備
成形物の製造方法」なる標題を有し且つ文書番号NC76,989を有して1996年6月28
日付けで出願されたサンゲラ(Sanghera)らの特許出願通し番号08/672,771に開 示されており、これを全ての目的のため本明細書で参照して組入れてある。
【0021】 本発明を記載した処で、本発明の実施及び利点を証明するのに特定の具体例と
して次の実施例を与える。実施例は例示のために与えてありしかも本発明を何ら
限定することを意図しないことは理解されるであろう。
して次の実施例を与える。実施例は例示のために与えてありしかも本発明を何ら
限定することを意図しないことは理解されるであろう。
【0022】 実施例1 本実施例は200ppmのジスプロシウムを配合した本発明のGe16.5As18.8Ga0.2Se6 4.5 ガラスの製造を例証する。
【0023】 3mmの壁厚を有するシリカガラスアンプルを先ず希フッ化水素酸で蝕刻し、脱
イオン水で洗浄し、約110℃で炉中で乾燥させる。乾燥したアンプルを次いで1p
pm以下の水及び酸素を含有する乾燥箱に装入する。乾燥容器中で、個々の成分元
素を秤量して次のガラス組成;Ge16.5As18.8Ga0.2Se64.5を与える。重量%に基 づいた各元素の純度はGa−99.99999%、Ge−99.9999%、Ar−99.9995%及
びSe−99.995%である。セレン及びヒ素を蒸留して水、酸化物及び炭素を除去
することによりこれらを更に精製する。1回分の全重量は10gでありこれにガラ
スをドープするのに用いた200ppmのジスプロシウム金属が追加される。
イオン水で洗浄し、約110℃で炉中で乾燥させる。乾燥したアンプルを次いで1p
pm以下の水及び酸素を含有する乾燥箱に装入する。乾燥容器中で、個々の成分元
素を秤量して次のガラス組成;Ge16.5As18.8Ga0.2Se64.5を与える。重量%に基 づいた各元素の純度はGa−99.99999%、Ge−99.9999%、Ar−99.9995%及
びSe−99.995%である。セレン及びヒ素を蒸留して水、酸化物及び炭素を除去
することによりこれらを更に精製する。1回分の全重量は10gでありこれにガラ
スをドープするのに用いた200ppmのジスプロシウム金属が追加される。
【0024】 1回分の分量を混合し、アンプルに装填した。真空弁集成体を用いて、アンプ
ルを密封し、乾燥容器から取出し、ターボ分子ポンプと機械ポンプとよりなる真
空系に連結した。かくして得られた集成体を約1時間排気し、次いでシリカアン
プルを酸素−メタン溶接トーチで密封した。次いで密封したアンプルを炉中に配
置し、ガラス成分を溶融した。溶融スケジュールは次の通りである;500℃まで1
0℃/分で上昇勾配させ、500℃で3時間滞留保持させ、900℃まで5℃/分で上 昇勾配させ、900℃で14時間保持し、750℃まで10℃/分で降下勾配させ、750℃ で2時間保持する。揺動炉を用いて回分ガラス成分の十分な混合を確保する。ガ
ラスの精製のため750℃の保持中に揺動炉を懸濁する。アンプルを750℃の炉から
取出し、水中で急冷する。続いてガラスを大体3時間210℃で焼鈍し、室温まで 徐冷し、特性決定及び繊維化のためアンプルから取出した。
ルを密封し、乾燥容器から取出し、ターボ分子ポンプと機械ポンプとよりなる真
空系に連結した。かくして得られた集成体を約1時間排気し、次いでシリカアン
プルを酸素−メタン溶接トーチで密封した。次いで密封したアンプルを炉中に配
置し、ガラス成分を溶融した。溶融スケジュールは次の通りである;500℃まで1
0℃/分で上昇勾配させ、500℃で3時間滞留保持させ、900℃まで5℃/分で上 昇勾配させ、900℃で14時間保持し、750℃まで10℃/分で降下勾配させ、750℃ で2時間保持する。揺動炉を用いて回分ガラス成分の十分な混合を確保する。ガ
ラスの精製のため750℃の保持中に揺動炉を懸濁する。アンプルを750℃の炉から
取出し、水中で急冷する。続いてガラスを大体3時間210℃で焼鈍し、室温まで 徐冷し、特性決定及び繊維化のためアンプルから取出した。
【0025】 本発明の別のガラスを実施例1に記載の如く製造し、それらの組成及び実施例
1のガラスの組成を若干の追加情報と共に以下の表Aに示す: 実施例2 本実施例は本発明のガラスからのガラス繊維の延伸を例証する。ガラス繊維を
延伸するのに用いた装置は図1に示してある。
1のガラスの組成を若干の追加情報と共に以下の表Aに示す: 実施例2 本実施例は本発明のガラスからのガラス繊維の延伸を例証する。ガラス繊維を
延伸するのに用いた装置は図1に示してある。
【0026】 約200ppmのプラセオジミウムを配合した組成Ge16.5As18.8Ga0.2Se64.5のガラ ス予備成形物を実施例1により溶融した。大体1000ppmの塩化テルル(TeCl4)もガ
ラスに配合して中部−IR H−Se吸収帯域を低下させた。ガラスの予備成形
物は約5cmの長さと6mmの公称直径とを有する。先により詳しく記載され、NC76
,989の文書番号を有する特許出願に開示された装置によって、芯部のみからなる
繊維を延伸した。ガラス繊維は約2m/分で387℃の温度で延伸した。全部で11 mのガラス繊維を延伸した。このガラス予備成形物から延伸した繊維の断面につ
いての最低損失は6.61μmで大体0.7dB/mであった。繊維の直径は図2に示し た通り約200μmであった。
ラスに配合して中部−IR H−Se吸収帯域を低下させた。ガラスの予備成形
物は約5cmの長さと6mmの公称直径とを有する。先により詳しく記載され、NC76
,989の文書番号を有する特許出願に開示された装置によって、芯部のみからなる
繊維を延伸した。ガラス繊維は約2m/分で387℃の温度で延伸した。全部で11 mのガラス繊維を延伸した。このガラス予備成形物から延伸した繊維の断面につ
いての最低損失は6.61μmで大体0.7dB/mであった。繊維の直径は図2に示し た通り約200μmであった。
【0027】 前記の教示から見て本発明の多数の変更が可能である。それ故請求項の範囲内
で、特段の記載がなくても本発明を実施できると理解されるものである。
で、特段の記載がなくても本発明を実施できると理解されるものである。
【図1】 本発明の光学繊維を形成するのに用いた装置の図解図である。
【図2】 実施例2に従って形成した光学繊維(100)の半径方向の断面図であり芯部のみ の繊維を示す断面図である。
【手続補正書】特許協力条約第19条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成12年2月25日(2000.2.25)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サンゲラ,ジヤスバインダー アメリカ合衆国 メリーランド 20770, グリーンベルト,サウス オラ コート 7224 (72)発明者 シヨー,ブランドン アメリカ合衆国 メリーランド 20708, ローレル,イムペリアル ドライブ 8114 (72)発明者 ハービソン,バリー,ビイ. アメリカ合衆国 メリーランド 20754, ダンカーク,マツキントツシュ ドライブ 9914 (72)発明者 アガーウオール,イツシユウオー アメリカ合衆国 バージニア 22039,フ エアーフアックス ステイシヨン,サウス ヴアリ ドライブ 7817
Claims (20)
- 【請求項1】 次の成分: X 0.1〜30モル% ヒ素 0〜40モル% ガリウム 0.01〜20モル% Y 40〜85モル% (但しXはゲルマニウム及びゲルマニウムと50%以下の硫黄との混合物よりなる
群から選ばれ;Yはセレン、インジウム及びこれらの混合物よりなる群から選ば
れる)を含有してなりしかも約350cm-1以下の音子エネルギーを有するガラスで あって、前記成分の重量に基いて0.001〜2重量%の光学活性な希土類元素も含 有するガラス。 - 【請求項2】 前記のガラスは、タリウム、セシウム、アンチモン、錫、鉛
、カドミウム、銅、銀、イッテルビウム、シリコン、アルミニウム、リン、タン
タル、ガドリニウム、ハライド及びこれらの混合物よりなる群から選んだ別の添
加剤を2モル%まで含有する請求項1記載のガラス。 - 【請求項3】 前記の希土類元素は、プラセオジミウム、ジスプロシウム、
エルビウム、ネオジミウム、セリウム、ホルミウム、ツリウム、テルビウム、イ
ッテルビウム、及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる請求項2記載のガラ
ス。 - 【請求項4】 前記の希土類元素は、ジスプロシウム、プラセオジミウム及
びこれらの混合物よりなる群から選ばれる請求項2記載のガラス。 - 【請求項5】 Xの量は1〜25モル%であり、ヒ素の量は1〜30モル%であ
り、ガリウムの量は0.1〜10モル%であり、Yの量は50〜75モル%であり、希土 類元素の量は0.01〜1.5重量%である請求項2記載のガラス。 - 【請求項6】 前記の希土類元素は、プラセオジミウム、ジスプロシウム、
エルビウム、ネオジミウム、セリウム、ホルミウム、ツリウム、テルビウム、イ
ッテルビウム、及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる請求項5記載のガラ
ス。 - 【請求項7】 前記の希土類元素は、ジスプロシウム、プラセオジミウム及
びこれらの混合物よりなる群から選ばれる請求項5記載のガラス。 - 【請求項8】 Xの量は5〜20モル%であり、ヒ素の量は5〜20モル%であ
り、ガリウムの量は0.2〜5モル%であり、Yの量は55〜75モル%であり、希土 類元素の量は0.05〜1重量%である請求項2記載のガラス。 - 【請求項9】 前記の希土類元素は、プラセオジミウム、ジスプロシウム、
エルビウム、ネオジミウム、セリウム、ホルミウム、ツリウム、テルビウム、イ
ッテルビウム、及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる請求項8記載のガラ
ス。 - 【請求項10】 前記の希土類元素は、ジスプロシウム、プラセオジミウム
及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる請求項8記載のガラス。 - 【請求項11】 次の成分: X 0.1〜30モル% ヒ素 0〜40モル% ガリウム 0.01〜20モル% Y 40〜85モル% (但しXはゲルマニウム及びゲルマニウムと50%以下の硫黄との混合物よりなる
群から選ばれ、Yはセレン、インジウム及びこれらの混合物よりなる群から選ば
れる)を含有してなるガラスであって、前記成分の重量に基いて0.001〜2重量 %の希土類元素をも含有するガラスから形成されしかも20〜500ミクロンの外径 を有する光学繊維。 - 【請求項12】 前記のガラスは、タリウム、セシウム、アンチモン、錫、
鉛、カドミウム、銅、銀、イッテルビウム、シリコン、アルミニウム、リン、タ
ンタル、ガドリニウム、ハライド及びこれらの混合物よりなる群から選んだ別の
添加剤を2モル%まで含有する請求項11記載のファイバー。 - 【請求項13】 前記の希土類元素は、プラセオジミウム、ジスプロシウム
、エルビウム、ネオジミウム、セリウム、ホルミウム、ツリウム、テルビウム、
イッテルビウム、及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる請求項12記載のフ
ァイバー。 - 【請求項14】 Xの量は1〜25モル%であり、ヒ素の量は1〜30モル%で
あり、ガリウムの量は0.1〜10モル%であり、Yの量は50〜75モル%であり、希 土類元素の量は0.01〜1.5重量%である請求項12記載のガラス。 - 【請求項15】 前記の希土類元素は、プラセオジミウム、ジスプロシウム
、エルビウム、ネオジミウム、セリウム、ホルミウム、ツリウム、テルビウム、
イッテルビウム、及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる請求項14記載のガ
ラス。 - 【請求項16】 前記の希土類元素は、ジスプロシウム、プラセオジミウム
及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる請求項14記載のガラス。 - 【請求項17】 Xの量は5〜20モル%であり、ヒ素の量は5〜20モル%で
あり、ガリウムの量は0.2〜5モル%であり、Yの量は55〜75モル%であり、希 土類元素の量は0.05〜1重量%である請求項12記載のガラス。 - 【請求項18】 前記の希土類元素は、ジスプロシウム、プラセオジミウム
及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる請求項17記載のガラス。 - 【請求項19】 前記の希土類元素がジスプロシウム、プラセオジミウム及
びこれらの混合物よりなる群から選ばれ、5dB/m以下の損失を有し且つ一重モ
ードである請求項14記載のガラスファイバー。 - 【請求項20】 前記のファイバーは芯部と芯部を包囲する外装とを有して
なり、前記の芯部はファイバー直径の 0.5〜90%であり残部は外装である請求項
19記載のガラスファイバー。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/920,878 US6128429A (en) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | Low phonon energy glass and fiber doped with a rare earth |
US08/920,878 | 1997-08-29 | ||
PCT/US1998/017521 WO1999010289A1 (en) | 1997-08-29 | 1998-08-25 | Low phonon energy glass and fiber doped with a rare earth |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001514148A true JP2001514148A (ja) | 2001-09-11 |
Family
ID=25444555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000507624A Pending JP2001514148A (ja) | 1997-08-29 | 1998-08-25 | 希土類元素を配合した低音子エネルギーガラス及びファイバー |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6128429A (ja) |
EP (1) | EP1025056B1 (ja) |
JP (1) | JP2001514148A (ja) |
KR (1) | KR20010023536A (ja) |
CA (1) | CA2301013A1 (ja) |
WO (1) | WO1999010289A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007516146A (ja) * | 2003-07-07 | 2007-06-21 | サントル・ナシヨナル・ド・ラ・ルシエルシエ・シヤンテイフイツク・(セ・エーヌ・エール・エス) | 赤外線に透明なガラスセラミック型のガラス質組成物 |
JP2020083683A (ja) * | 2018-11-21 | 2020-06-04 | マイクロン テクノロジー,インク. | カルコゲナイドメモリデバイスの構成要素及び組成物 |
US10727405B2 (en) | 2017-03-22 | 2020-07-28 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide memory device components and composition |
US11152427B2 (en) | 2017-03-22 | 2021-10-19 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide memory device components and composition |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6758067B2 (en) * | 2000-03-10 | 2004-07-06 | Universidad De Sevilla | Methods for producing optical fiber by focusing high viscosity liquid |
KR100341212B1 (ko) * | 2000-07-31 | 2002-06-20 | 오길록 | 1.6 미크론미터 대역 광 증폭 시스템 |
CN1539090A (zh) * | 2001-04-12 | 2004-10-20 | �ź㴫 | 高折射率差纤维波导及其应用 |
US6526782B1 (en) | 2001-09-28 | 2003-03-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Multi heating zone apparatus and process for making core/clad glass fibers |
US6874335B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-04-05 | Micron Technology, Inc. | Large scale synthesis of germanium selenide glass and germanium selenide glass compounds |
CA2504951A1 (en) * | 2002-11-22 | 2004-06-10 | Omniguide Communications Inc. | Dielectric waveguide and method of making the same |
KR100744545B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2007-08-01 | 한국전자통신연구원 | 중적외선 파장대 완전 광섬유 레이저 소자 |
RU2450983C2 (ru) * | 2010-08-25 | 2012-05-20 | Учреждение Российской академии наук Институт химии высокочистых веществ РАН (ИХВВ РАН) | Особо чистый сульфидно-мышьяковый материал для синтеза высокопрозрачных халькогенидных стекол и способ его получения |
US9187360B2 (en) | 2012-04-20 | 2015-11-17 | Schott Corporation | Glasses for the correction of chromatic and thermal optical aberations for lenses transmitting in the near, mid, and far-infrared sprectrums |
JP6505975B2 (ja) | 2013-03-15 | 2019-04-24 | スコット コーポレーションSchott Corporation | 赤外光学用の低軟化点光学ガラスを用いたオプティカルボンディング及び形成された製造物 |
WO2018112386A1 (en) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | Schott Corporation | Chalcogenide compositions for optical fibers and other systems |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3511992A (en) * | 1967-10-18 | 1970-05-12 | Texas Instruments Inc | Ge-se-ga glass composition in an infrared detection system |
GB1546828A (en) * | 1976-07-01 | 1979-05-31 | Secr Defence | Infra red transmitting glass member |
JPS62143841A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-27 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | カルコゲナイドガラス |
US5378664A (en) * | 1993-06-24 | 1995-01-03 | At&T Corp. | Optical fiber amplifier and a glass therefor |
US5379149A (en) * | 1993-08-06 | 1995-01-03 | Kutger, The State University Of New Jersey | Glass compositions having low energy phonon spectra and light sources fabricated therefrom |
US5392376A (en) * | 1994-04-11 | 1995-02-21 | Corning Incorporated | Gallium sulfide glasses |
DE19508534A1 (de) * | 1995-03-10 | 1996-09-12 | Mann & Hummel Filter | Filter |
US5629953A (en) * | 1995-05-05 | 1997-05-13 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Chalcogenide optical pumping system driven by broad absorption band |
US5735927A (en) * | 1996-06-28 | 1998-04-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for producing core/clad glass optical fiber preforms using hot isostatic pressing |
US5846889A (en) * | 1997-03-14 | 1998-12-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Infrared transparent selenide glasses |
US5973824A (en) * | 1997-08-29 | 1999-10-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Amplification by means of dysprosium doped low phonon energy glass waveguides |
-
1997
- 1997-08-29 US US08/920,878 patent/US6128429A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-08-25 KR KR1020007002184A patent/KR20010023536A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-08-25 JP JP2000507624A patent/JP2001514148A/ja active Pending
- 1998-08-25 EP EP98948064A patent/EP1025056B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-25 WO PCT/US1998/017521 patent/WO1999010289A1/en not_active Application Discontinuation
- 1998-08-25 CA CA002301013A patent/CA2301013A1/en not_active Abandoned
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007516146A (ja) * | 2003-07-07 | 2007-06-21 | サントル・ナシヨナル・ド・ラ・ルシエルシエ・シヤンテイフイツク・(セ・エーヌ・エール・エス) | 赤外線に透明なガラスセラミック型のガラス質組成物 |
US10727405B2 (en) | 2017-03-22 | 2020-07-28 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide memory device components and composition |
US11114615B2 (en) | 2017-03-22 | 2021-09-07 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide memory device components and composition |
US11152427B2 (en) | 2017-03-22 | 2021-10-19 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide memory device components and composition |
JP2020083683A (ja) * | 2018-11-21 | 2020-06-04 | マイクロン テクノロジー,インク. | カルコゲナイドメモリデバイスの構成要素及び組成物 |
JP2022009165A (ja) * | 2018-11-21 | 2022-01-14 | マイクロン テクノロジー,インク. | カルコゲナイドメモリデバイスの構成要素及び組成物 |
JP7271057B2 (ja) | 2018-11-21 | 2023-05-11 | マイクロン テクノロジー,インク. | カルコゲナイドメモリデバイスの構成要素及び組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6128429A (en) | 2000-10-03 |
EP1025056A4 (en) | 2001-09-12 |
EP1025056A1 (en) | 2000-08-09 |
CA2301013A1 (en) | 1999-03-04 |
WO1999010289B1 (en) | 1999-05-20 |
KR20010023536A (ko) | 2001-03-26 |
EP1025056B1 (en) | 2003-04-02 |
WO1999010289A1 (en) | 1999-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5846889A (en) | Infrared transparent selenide glasses | |
JP2001514148A (ja) | 希土類元素を配合した低音子エネルギーガラス及びファイバー | |
US7844162B2 (en) | Method for fabricating IR-transmitting chalcogenide glass fiber | |
US6015765A (en) | Rare earth soluble telluride glasses | |
EP2726423B1 (en) | Chalcogenide glass | |
Velmuzhov et al. | Preparation of REE-doped Ge-based chalcogenide glasses with low hydrogen impurity content | |
JPH0144653B2 (ja) | ||
US5973824A (en) | Amplification by means of dysprosium doped low phonon energy glass waveguides | |
CN108101363A (zh) | 一种中红外Ge-Ga-La-S硫系玻璃及其制备方法 | |
US5629248A (en) | Modified germanium sulfide glass | |
JP7181495B2 (ja) | カルコゲナイドガラス | |
JP2006076845A (ja) | カルコゲナイドガラス | |
CN1242946C (zh) | 高稳定性高折射率透红外氟磷酸盐玻璃及其制备方法 | |
US3188216A (en) | Glass containing strontium and gallium compounds | |
CN112551887B (zh) | 一种红外锗锑酸盐玻璃及制备方法 | |
CN104140203A (zh) | 2μm激光输出的锗酸盐玻璃及其制备方法 | |
JP3145136B2 (ja) | 赤外線透過フッ化物ガラス | |
US5599751A (en) | Alkaline earth modified germanium sulfide glass | |
Le Sergent | Chalcogenide glass optical fibers-an overview | |
Sanghera et al. | Rare earth doped infrared-transmitting glass fibers | |
CN101525213A (zh) | 一种含p2o5的氟化镓铟上转换发光玻璃及其制备方法 | |
JP3132245B2 (ja) | フッ化物ガラス組成物 | |
CN102358681A (zh) | 透明氟氧化物碲酸盐玻璃 | |
JPH08188445A (ja) | 赤外線透過ガラス | |
Jewell et al. | OFFICE OF NAVAL RESEARCH DEPARTMENT OF THE NAVY CODE OOCC3 ARLINGTON VA 22217-5660 |