JP2001507278A - 流体材料層で基体表面を被覆するプロセスおよび装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 流体材料の層（２）で基体（１）の表面（１ａ）を被覆するプロセスであって：（ａ）被覆される表面（１ａ）の上方に所定距離離間して配置されかつ自己閉鎖された制限壁部（３）を有し、該制限壁部の下縁部（３ａ）と前記表面とにより周囲空隙部（４）が形成され、被覆される表面上に処理される領域（６）を規定する処理チャンバ（５）が定義され、（ｂ）前記処理チャンバ（５）の外部における外部圧力よりも低い内部圧力が前記処理チャンバ（５）内で得られるように、前記周囲空隙部（４）を介して流入ガス流れ（７）を引き込むとともに、前記処理チャンバから流出ガス流れ（８）を引き出すことにより、前記処理チャンバ（５）内に制御された真空を形成し、（ｃ）制御された流体流れ（１０）が前記処理チャンバ（５）内へと真空下で導入され、該流体流れは、流体被覆材料を含むとともに、前記周囲空隙部（４）の高さ位置において前記流入ガス流れ（７）と共に乱流混合流れを形成し、該乱流混合流れは、処理される前記領域（６）において発達した表面（１ｂ）に接触しつつ吸い込まれて、該表面に流体材料を堆積させ、そして前記流出ガス流れ（８）と共に排出されることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】 流体材料層で基体表面を被覆するプロセスおよび装置 本発明は、流体材料の層で基体表面を被覆する技術、或いは、流体材料の連続 層の表面上に堆積させる技術に関する。 流体材料（例えば液体あるいは粉体）で基体の表面を相対運動等により被覆す る方法は、従来より種々提案されている。 提案された従来技術の総ては、共通して、必要であれば飛沫同伴して混合され た乱流混合流れと、流体被覆材料とされる制御された流体流れと、ガス流れとか ら過圧下または真空下で構成されており、また、周囲空気への拡散を回避するよ うに未使用または未消費の乱流混合流れを再利用することができる装置とされて いる。 国際公開第９２／１２８０３号公報の、特に実施形態である図２２〜図２４及 び第２７頁第１１行〜第２９頁第３３行によれば、流体材料で基体６４３の表面 を被覆する装置が開示されている。 この装置は、処理される領域を規定する縁部を有する制限壁部６５７を備えた 処理手段を具備している。手段６６６は、流入ガス流れ６８４，６８０を後述の 空隙部を介して流すことにより、処理される領域内に真空を制御可能に形成する ことができるようになっている。流体材料６４４を処理される領域内へと制御下 で導入する手段すなわちヘッド６４２は、基体６４３に接触して循環される乱流 混合流れ６８２／６８３がヘッドの出口部において直接生成されるように、制御 された流れの空隙と、加圧された空気入口部６４５／４４６とを関連づけている （第２７頁第１４〜２１行参照）。 流入空気流れ６８４／６８０はすべて、処理される領域内に乱流混合流れを含 むようにするためだけに形成されている（例えば２９頁第１行〜第４行および第 ２５行〜３０行）。 国際公開第７９／００４６９号公報によれば、制御された流体流れ（３）を予 め混合することにより得られる乱流混合流れが開示されている。この流体流れは 流体被覆材料とガス流れとから成り、これら二つの流れは、分配容器（５）を介 して混合流れを噴出させるように過圧下で供給される。円筒形状とされた連続す る二つの制限壁部が二つの同心周縁体積部６，７を形成しており、真空下で乱流 混合流れが接触状態で処理される表面を通過した後に、該乱流混合流れが排出さ れるようになっている。 英国特許第１１３４０６９号公報には、流体流れ（粉体）とガス流れとを混合 することにより真空下で乱流混合流れが得られることが開示されている。このよ うに得られた乱流混合流れは、並進運動する延伸された基体の表面と接触しつつ 、真空下のままで共通の流れ（co-current）として循環する。 国際公開第９６／０９１２２号公報には、粉体をスプレーするノズルが記載さ れており、流体流れ（粉体）とガス流れとを予め混合することにより得られた乱 流混合流れを過圧下で噴出できるようになっている。未使用の混合流れは、ノズ ル周りにおいて適切な手段により再び吸い込まれるようになっている。 以上から、すべての従来技術は、被覆される基体の表面上にいわゆる流体材料 を押しつけるという共通の特徴を有している。この特徴は、例えば多孔質とされ た不規則な表面を有する基体を被覆する際には有効でない。 本発明は、あらゆる基体または支持体を考慮したものである。これら基体の見 かけ上の表面積は実際の又は発達した基体の表面積よりも小さいものとされてお り、発達した表面積は、凹凸、こぶ或いは表面孔部により、肉眼で見える見かけ 上の表面積よりも大きな表面積を有する。 本発明の目的は、上述した表面を被覆するプロセスおよび装置を提供するもの であり、これは、基体の全表面に向けていわゆる流体被覆材料を付着させること により行うものである。 本発明によるプロセスは以下のステップを備えている： （ａ）被覆される表面の上方に所定距離離間して配置されかつ自己閉鎖された 制限壁部を有し、該制限壁部の下縁部と前記表面とにより周囲空隙部が形成され 、被覆される表面上に処理される領域を規定する処理チャンバが定義あるいは利 用可能とされ、 （ｂ）前記処理チャンバの外部における外部圧力よりも低い内部圧力を前記処 理チャンバ内で得るように、前記周囲空隙部を介して流入ガス流れを引き込むと ともに、前記処理チャンバから流出ガス流れを引き出すことにより、前記処理チ ャンバ内に制御された真空を形成し、 （ｃ）制御された流体流れが前記処理チャンバ内へと真空下で導入され、該流 体流れは、流体被覆材料を含むとともに、前記周囲空隙部の高さ位置において前 記流入ガス流れと共に乱流混合流れを形成し、該乱流混合流れは、処理される領 域において発達した表面に接触しつつ吸い込まれて、該表面に流体材料を堆積さ せ；そして前記乱流混合流れは、前記流出ガス流れと共に排出されることを特徴 とする。 上述のプロセスを実施する装置は、概して以下の手段を備えている： −被覆される表面と共に周囲空隙部を形成するよう適合あるいは構成された下 縁部を有し、被覆される表面の上方に所定距離離間して配置されるよう構成され 、かつ自己閉鎖された制限壁部を備えた処理手段と；前記制限壁部は、被覆され る前記表面上に処理される領域を規定する処理チャンバを定義し、 −前記処理チャンバの外部における外部圧力よりも低い内部圧力を前記処理チ ャンバ内で得るように、前記周囲空隙部を介して流入ガス流れを引き込むととも に、前記処理チャンバから流出ガス流れを引き出すことにより、前記処理チャン バ内に制御された真空を形成する手段と、 −処理される領域で発達した表面の全体と接触しつつ吸い込まれ、流体材料を 堆積させる乱流混合流れを、前記周囲空隙部の高さ位置において流入ガス流れと 共に形成するように、流体被覆材料を含む流体流れを、真空下で、前記処理チャ ンバ内に制御しつつ導入する手段とを備え；前記乱流混合流れが前記流出ガス流 れと共に排出されることを特徴とする。 “流体材料”という用語は、液体、流体あるいは粘着性（viscous）状態にお けるあらゆる製品、物質あるいは材料を意味する。この流体材料は、被覆される 表面を前記流体材料で処理するよう適合させられかつ予め決定された特に温度条 件とされた条件において、流入ガス流れ中で浮遊状態とされる流体材料の粒子の 一成分が得られるべく、流入ガス流れと共に乱流混合流れを形成するように、処 理チャンバ内において流入ガス流れにより分散させられるようになっている。こ の種の流体材料の一例として、適切な液体媒体の溶剤中に或いは浮遊状態で顔料 ま たは染料を含有するあらゆる塗料や、通常温度または周囲温度条件において実質 上固体または固体状とされる一方で、表面を処理する温度において液体または液 状化され、基体の表面上において続けて固体化されて被覆が得られる材料が挙げ られる；後者のケースでは、例えば重炭化水素、パラフィン等が挙げられる。 “流体流れ”という用語は、処理チャンバの操作に応じて採用または予め決定 される特に温度条件とされた条件の下で、流入ガス流れにより処理チャンバ内で 分散され得る、あらゆる液体、流体、粘着状またはペースト状の流れを意味する 。 本発明によるプロセスおよび装置によれば、処理された基体の表面の処理また は被覆は、表面を被覆するために採用された流体材料を外面に対して或いは外面 に向けてスプレーすることなく、表面に可能な限り近い位置で行われる。 上述した本発明は、制限壁部の下縁部と被覆される表面との間に規定された周 囲空隙部を設け、その高さ位置において、制御された（流体被覆材料の）流れが 前記空隙部を介して流入ガス流れ内へと導入され、結果として、表面を被覆する のに必要な乱流混合流れがその高さ位置において得られるという点で、従来技術 とは区別される。 この根本的な差異により、被覆される表面に対して可能な限り近づけて、しか も動的に流体被覆材料を供給することができる。 本発明について、以下の各添付図面を参照して説明する： −図１は、本発明による装置の概略を示した図である； −図２は、図１の装置に設けられた処理手段とされるヘッドを概略的に示した 図である； −図３は、本発明により処理または覆われた基体を示した拡大図である。 本発明による装置は、概して： −被覆あるいはコーティングされる基体１の表面１ａに対して移動可能とされ 、使用者により操作されるように構成されているとともに；自己閉塞した制限壁 部３を基本的に有し、例えば回転対称とされ、かつ被覆される表面１ａを処理す べき領域６に対して対向して規定する処理チャンバ５を規定する、処理手段とさ れるヘッド１４と、 −処理チャンバ５内を制御下で真空に形成する手段１３と、 −流体被服材料を含む流体流れ１０を、真空下で処理チャンバ内に制御しつつ 導入する制御導入手段１６と、 −ガス流れ１８および流体流れ１９を得ることができるようにする分離する手 段１７と、 −制御導入手段１６に向けて液体流れを再循環させる手段３０と、 −制御下で真空を形成する手段１３と同様の、ガス流れ１８を再循環させる他 の手段と、 を備えている。 処理手段とされるヘッド１４は、図２にさらに詳細に示されており、概して軸 線回りに回転対称とされており、例えば略ベル状の形状を有している。この手段 １４は、外部から内部にかけて、自己閉塞した外壁部１１と、同様に閉塞してお り外壁部１１から離間しかつ該外部壁と共に環形通路１２を形成する制限壁部３ と、制限壁部３から所定距離だけ離間しているとともに、制限壁部３に対して毛 細状の円筒溝部を形成するのに十分に近傍に配置され、較正済み（calibrated） オリフィス９において終端している内壁部２０と、を備えている。これにより、 前記オリフィスの上流と下流との間の圧力差を制御しつつ、制御下で導入する制 御導入手段１６が形成されることになる。処理チャンバ５は、制限壁部３の内側 、より正確には内壁部２０の内側で規定される。構成において、外壁部１１の下 縁部１１ａは、制限壁部３の下縁部３ａの下方に位置されており、これにより、 処理手段とされるヘッド１４の使用中に、処理される基体の表面１ａと下縁部３ ａとの間に周囲空隙部４が形成されることになる。外壁部１１の下縁部１１ａに はローラ等の転がり手段２１が設けられており、これにより、基体１の表面１ａ の全体にわたって、処理手段とされるヘッド１４の摩擦のない動きが確実に実現 されることになる。被覆される表面１ａと下縁部１１ａとの間に、処理ヘッド１ ４の内側へと周囲空気を導く通路を形成するように、各ローラは配置される。 上記処理手段とされるヘッド１４は、本装置の以下に示す他の部材と結合され る： −環形通路１２は、パイプ２２を介して、制御真空手段１３すなわちポンプの 出力部に接続される。周囲空隙部４内へと較正されて通過する流入ガス流れ７を 構成するために、ポンプは、分離手段１７の出口部で得られたガス流れ１８を環 形通路１２へと再循環させる。 −処理チャンバ５からの流出ガス流れ８を排出するために、処理チャンバ５の 出口部は、パイプ２２内を気密的に通過するパイプ２３を介して、分離手段１７ の入口部と連通されている。 −較正済みオリフィス９において終端する毛細状円筒溝部は、パイプ２４を介 して、流体材料の中間リザーバ２５と連通されている。この中間リザーバ２５は ポンプ３０の出口部に接続されている。 手段１３すなわちポンプにより、処理チャンバ５に流入するガス流れ７を形成 すべく、分離手段１７から流出するガス流れ１８の再循環を確実に行うことがで きる。さらに、手段１３であるポンプの吸い込みにより、分離手段１７を介して 、制御下でチャンバ５内の真空吸引が可能となる。このような真空の制御は、周 囲空隙部４を介して制御下で流入するガス流れ７と、パイプ２３を介して処理チ ャンバ５から引き出される流出ガス流れ８と、の組み合わせでなされるものであ り、全体として、外部圧力よりも低い、即ち環形通路１２に打ち勝つ内部圧力が チャンバ５内で得られるようにすることである。 制御導入手段１６は較正済みオリフィス９と結びつけられる。この較正済みオ リフィス９は、該オリフィスの上流と下流との圧力差が流体流れ１０に関する該 オリフィスのヘッド損失よりも大きくなったときに、流体流れ１０を流すもので ある。したがって制御導入手段１６は、操作中において、チャンバ５内の真空、 すなわち環形通路１２内の外部圧力に関連するチャンバ５内の内部圧力の影響を 受けて制御されることになる。 タンクとされた分離手段１７は、パイプ２３を介して処理チャンバ５の出口部 と接続されている。この手段により、ポンプ３０により再循環されて中間貯蔵容 器２５へと流れる流体流れ１９と、ポンプ１３により再循環されて処理手段とさ れるヘッド１４へと流れるガス流れ１８とに、収集されて混合された流れを分離 することができる。 操作中において、処理手段とされるヘッド１４は、被覆される基体１の表面１ ａから所定距離隔てた上方に配置されるとともに、処理されるべき基体１の領域 ６を規定する。この領域６は、例えば処理手段とされるヘッド１４の手動による 移動に応じて、基体の全表面上を移動する。 ポンプ１３を始動させることにより、環形通路１２内の外部圧力よりも低い内 部圧力が処理チャンバ５内で形成されるように、処理チャンバ５内で制御された 真空が形成される。 処理チャンバ５内に真空が形成されることにより、制御された流体流れ１０が 、周囲空隙部４の高さにおいて処理チャンバ５内へと導入される。この流体流れ １０は、材料を被覆する流体を構成し、かつ、流入するガス流れ７と共に、処理 される領域６内の発達した表面１ｂに接触しつつ吸引される乱流混合流れを形成 する（図３参照）。この乱流混合流れは、凹凸があり、こぶ状で孔部が形成され た基体１の全表面に堆積し、そして、流出ガス流れ８と共にチャンバ５から排出 される。 分離手段１７へと導かれた残余の乱流混合流れは、中間容器２５へと流されて 再循環される液体流れと、処理手段とされたヘッド１４の環形通路１２へと流さ れてポンプ１３により再循環されるガス流れ１８とに分離される。 全体的に均一でむらのない連続した被覆２が、図３に示すように、基体１の発 達した表面１ｂの全体に形成されることになる。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１１年２月１５日（１９９９．２．１５） 【補正内容】 請求の範囲 １． （ａ）基体（１）の被覆される表面（１ａ）の上方に所定距離離間して配 置されかつ自己閉鎖された制限壁部（３）を有し、該制限壁部の下縁部（３ａ） と前記表面とにより周囲空隙部（４）が形成され、被覆される表面上に処理され る領域（６）を規定する処理チャンバ（５）が定義され、 （ｂ）前記処理チャンバ（５）の外部における外部圧力よりも低い内部圧力が 前記処理チャンバ（５）内で得られるように、前記周囲空隙部（４）を介して流 入ガス流れ（７）を引き込むとともに、前記処理チャンバから流出ガス流れ（８ ）を引き出すことにより、前記処理チャンバ（５）内に制御された真空を形成し 、 （ｃ）前記流体被覆材料を含む流体流れ（１０）とガス流れとの間における乱 流混合流れが、前記処理チャンバ（５）内で真空下で形成され、前記乱流混合流 れは、処理される領域（６）において発達した表面（１ｂ）に接触して、該表面 に流体材料を堆積させ、そして前記流出ガス流れ（８）と共に排出される、 流体材料の層（２）で基体（１）の表面（１ａ）を被覆するプロセスにおいて ： 前記流体流れ（１０）は、前記制限壁部（３）の前記下縁部（３ａ）と被覆さ れる前記表面（１ａ）との間における前記周囲空隙部（４）の高さ位置において 制御されて導入され、 このように制御された流体流れは、前記周囲空隙部（４）を介して流入する前 記ガス流れ（７）と共に乱流混合流れを形成し、 該乱流混合流れは、処理される領域（６）における発達した表面（１ｂ）に接 触しつつ吸い込まれることを特徴とするプロセス。 ２． 前記処理チャンバ（５）内に導入された前記流体流れ（１０）は、較正済 みオリフィス（９）により制御され、 該較正済みオリフィスは、該オリフィスの上流と下流との圧力差が前記流体流 れに関する前記オリフィスの損失ヘッドよりも大きいときに、前記流体流れを流 すようにされていることを特徴とする請求項１記載のプロセス。 ３． 前記制限壁部（３）から離間されかつ自己閉鎖された他の外壁部（１１） を設け、 これら壁部により、前記流入ガス流れ（７）用の通路１２が、前記制限壁部（ ３）の前記下縁部（３ａ）と被覆される前記表面（１ａ）との間における前記周 囲空隙部（４）を介して、規定されることを特徴とする請求項１記載のプロセス 。 ４． −基体（１）の被覆される表面（１ａ）の上方に所定距離離間して配置さ れるよう構成され、かつ自己閉鎖された制限壁部（３）を備えた処理手段（１４ ）を備え、 前記制限壁部は、被覆される前記表面（１ａ）と共に周囲空隙部（４）を形成 するよう適合された下縁部（３ａ）を有するとともに、被覆される前記表面上に 処理される領域（６）を規定する処理チャンバ（５）を定義し、 −前記処理チャンバ（５）の外部における外部圧力よりも低い内部圧力が前記 処理チャンバ（５）内で得られるように、前記周囲空隙部（４）を介して流入ガ ス流れ（７）を引き込み、かつ前記処理チャンバから流出ガス流れ（８）を引き 出すことにより、前記処理チャンバ（５）内に制御された真空を形成する制御真 空手段（１３）を備え、 −流体被覆材料を含む流体流れ（１０）とガス流れとの間で前記処理チャンバ （５）内において真空下で乱流混合流れを形成する手段を備え、前記乱流混合流 れは、処理される領域で発達した表面（１ｂ）と接触して、流体材料を堆積させ 、そして前記流出ガス流れ（８）と共に排出される、 流体材料の層（２）で基体（１）の表面（１ａ）を被覆する装置において： 乱流混合流れを形成する前記手段は、前記制限壁部（３）の前記下縁部（３ａ ）と被覆される表面（１ａ）との間の前記周囲空隙部（４）の高さ位置に配置さ れた、前記流体流れ（１０）を制御して導入する制御導入手段（１６）とされ、 制御された前記流体流れは、前記周囲空隙部（４）を介して流入する前記ガス 流れと共に乱流混合流れを形成し、 該乱流混合流れは、処理される領域（６）における発達した表面（１ｂ）に接 触しつつ吸い込まれることを特徴とする装置。 ５． 前記流体流れの制御導入手段（１６）は、較正済みオリフィス（９）を備 え、 前記較正済みオリフィスは、該オリフィスの上流と下流との圧力差が、前記流 体流れに関する前記オリフィスの損失ヘッドよりも大きいときに、前記流体流れ を流すようにされていることを特徴とする請求項４記載の装置。 ６． 前記処理手段（１４）は、前記制限壁部（３）から離間されかつ自己閉鎖 された他の外壁部（１１）を備え、 これら壁部により、前記流入ガス流れ用の通路（１２）が、前記制限壁部（３ ）の前記下縁部（３ａ）と被覆される前記表面（１ａ）との間における前記周囲 空隙部（４）を介して、規定されていることを特徴とする請求項４記載の装置。 ７． −前記混合流れを、ガス流れ（１８）と液体流れ（１９）とに分離する手 段（１７）と、 −前記制御導入手段（１６）に向けて前記液体流れを再循環させる手段（３０ ）と、 −特に前記制御真空手段と同一とされた、前記流入ガス流れ（７）として用い られるガス流れ（１８）を再循環させる他の手段（１３）と、 を備えていることを特徴とする請求項４記載の装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，Ｍ Ｗ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ， ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，Ｅ Ｓ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ， ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，Ｍ Ｇ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ， ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，Ｖ Ｎ，ＹＵ，ＺＷ 【要約の続き】 して前記流出ガス流れ（８）と共に排出されることを特 徴とする。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 流体材料の層（２）で基体（１）の表面（１ａ）を被覆するプロセスであ って： （ａ）被覆される表面（１ａ）の上方に所定距離離間して配置されかつ自己閉 鎖された制限壁部（３）を有し、該制限壁部の下縁部（３ａ）と前記表面とによ り周囲空隙部（４）が形成され、被覆される表面上に処理される領域（６）を規 定する処理チャンバ（５）が定義され、 （ｂ）前記処理チャンバ（５）の外部における外部圧力よりも低い内部圧力が 前記処理チャンバ（５）内で得られるように、前記周囲空隙部（４）を介して流 入ガス流れ（７）を引き込むとともに、前記処理チャンバから流出ガス流れ（８ ）を引き出すことにより、前記処理チャンバ（５）内に制御された真空を形成し 、 （ｃ）制御された流体流れ（１０）が前記処理チャンバ（５）内へと真空下で 導入され、 該流体流れは、流体被覆材料を含むとともに、前記周囲空隙部（４）の高さ位 置において前記流入ガス流れ（７）と共に乱流混合流れを形成し、 該乱流混合流れは、処理される前記領域（６）において発達した表面（１ｂ） に接触しつつ吸い込まれて、該表面に流体材料を堆積させ、そして前記流出ガス 流れ（８）と共に排出されることを特徴とするプロセス。 ２． 前記処理チャンバ（５）内に導入された前記流体流れ（１０）は、較正済 みオリフィス（９）により制御され、 該較正済みオリフィスは、該オリフィスの上流と下流との圧力差が前記流体流 れに関する前記オリフィスの損失ヘッドよりも大きいときに、前記流体流れを流 すようにされていることを特徴とする請求項１記載のプロセス。 ３． 前記制限壁部（３）から離間されかつ自己閉鎖された他の外壁部（１１） を設け、 これら壁部により、前記流入ガス流れ（７）用の通路１２が規定されることを 特徴とする請求項１記載のプロセス。 ４． 制御された前記流体流れ（１０）は、特に前記処理チャンバ（５）の内側 とされた前記周囲空隙部（４）の高さ位置に導入されることを特徴とする請求項 １記載のプロセス。 ５． 流体材料の層（２）で基体（１）の表面（１ａ）を被覆する装置であって ： −被覆される表面（１ａ）の上方に所定距離離間して配置されるよう構成され 、かつ自己閉鎖された制限壁部（３）を備えた処理手段（１４）を備え、 前記制限壁部は、被覆される前記表面（１ａ）と共に周囲空隙部（４）を形成 するよう適合された下縁部（３ａ）を有するとともに、被覆される前記表面上に 処理される領域（６）を規定する処理チャンバ（５）を定義し、 −前記処理チャンバ（５）の外部における外部圧力よりも低い内部圧力が前記 処理チャンバ（５）内で得られるように、前記周囲空隙部（４）を介して流入ガ ス流れ（７）を引き込み、かつ前記処理チャンバから流出ガス流れ（８）を引き 出すことにより、前記処理チャンバ（５）内に制御された真空を形成する制御真 空手段（１３）を備え、 −処理される領域で発達した表面（１ｂ）の全体と接触しつつ吸い込まれて、 流体材料を堆積させ、そして前記流出ガス流れ（８）と共に排出される乱流混合 流れを、前記周囲空隙部の高さ位置において流入ガス流れ（７）と共に形成する ように、流体被覆材料を含む流体流れ（１０）を、真空下で、前記処理チャンバ （５）内に制御しつつ導入する制御導入手段（１６）を備えていることを特徴と する装置。 ６． 前記制御導入手段（１６）は、前記較正済みオリフィス（９）を備え、 前記較正済みオリフィスは、該オリフィスの上流と下流との圧力差が前記流体 流れに関する前記オリフィスの損失ヘッドよりも大きいときに、前記流体流れを 流すようにされていることを特徴とする請求項５記載の装置。 ７． 前記処理手段（１４）は、前記制限壁部（３）から離間されかつ自己閉鎖 された他の外壁部（１１）を備え、 これら壁部により、前記流入ガス流れ用の通路（１２）が規定されていること を特徴とする請求項５記載の装置。 ８． −前記混合流れを、ガス流れ（１８）と液体流れ（１９）とに分離する手 段（１７）と、 −前記制御導入手段（１６）に向けて前記液体流れを再循環させる手段（３０ ）と、 −特に前記制御真空手段と同一とされた、前記流入ガス流れ（７）として用い られるガス流れ（１８）を再循環させる他の手段（１３）と、 を備えていることを特徴とする請求項５記載の装置。