JP2001504820A - インドリルキノンを製造するための合成法およびそれから製造されるモノ―およびビス―インドリルキノン - Google Patents
インドリルキノンを製造するための合成法およびそれから製造されるモノ―およびビス―インドリルキノンInfo
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.次式のインドリルキノン化合物: 〔式中、 R1およびR2はそれぞれが独立にBr、Cl、F、I、H、OHまたは-OCORであり、 ここでRは低級アルキル、アリールまたはアルキルアリールであり; R"1はH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2-C7アルキニル、アリールア ルキルまたはアリールであり; R3〜R7はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、C2-Cmアルキニル、アルケニルカルボキシ、 アリール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアル コキシ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキ シ、スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト -2-エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数で、mは0〜12の整数である〕を 製造する方法であって、 次式の置換または無置換の2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノン化合物: 〔式中、R1およびR2は先に定義した通りである〕を少なくとも1種の次式のイ ンドール: 〔式中、R"1およびR3〜R7は先に定義した通りである〕と、極性有機溶媒中で 炭酸金属塩の存在下に反応させて、式Iの前記インドリルキノン化合物を製造 する、ことを含んでなる方法。 2.式Iのインドリルキノン化合物をアルカリ金属水酸化物と反応させて、次式 の化合物: 〔式中、R3〜R7は先に定義した通りである〕を製造することをさらに含む、請 求項1に記載の方法。 3.R1およびR2がBrである式Iのインドリルキノン化合物を、アルカリ金属水酸 化物と式R'OH〔ここでR'は低級アルキルまたはアルキルアリール〕のアルコー ルの混合物と反応させて、次式のインドリルキノン化合物: 〔式中、R'1およびR'2はそれぞれが独立に低級アルキル、アリールまたはアル キルアリールである〕を製造することをさらに含む、請求項1に記載の方法。 4.溶媒がアセトニトリル、ジメチルホルムアミド(DMF)、テトラヒドロフラン (THF)およびそれらの混合物よりなる群から選択される非プロトン性溶媒であ る、請求項1に記載の方法。 5.溶媒中の2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノンの初期濃度が少なくとも約1モル である、請求項1に記載の方法。 6.金属炭酸塩が炭酸セシウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム およびそれらの混合物よりなる群から選択される、請求項1に記載の方法。 7.金属炭酸塩が炭酸セシウムである、請求項1に記載の方法。 8.約1当量の2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノンを少なくとも2当量の式IIIのイ ンドール少なくとも1種と反応させる、請求項1に記載の方法。 9.2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノンとインドールを約-10℃から約100℃の温 度で反応させる、請求項1に記載の方法。 10.次式のインドリルキノン化合物: 〔式中、 R1およびR2はそれぞれが独立にBr、Cl、F、I、H、OHまたは-OCORであり、 ここでRは低級アルキル、アリールまたはアルキルアリールであり; R"1およびR"2はそれぞれが独立にH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2- C7アルキニル、アリールアルキルまたはアリールであり; R3〜R12はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、アルキニル、アルケニルカルボキシ、アリ ール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアルコキ シ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキシ、 スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト-2- エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数で、mは0〜12の整数である〕を製 造する方法であって、 (a)次式の置換または無置換の2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノン化合物: 〔式中、R1およびR2は先に定義した通りである〕を1当量の次式の第1インド ール: 〔式中、R"1およびR3〜R7は先に定義した通りである〕と、極性有機溶媒中で 金属炭酸塩の存在下に反応させ、 (b)工程(a)の中間生成物を1当量の次式の第2インドール: 〔式中、R"2およびR8〜R12は先に定義した通りである〕と、極性有機溶媒中で 金属炭酸塩の存在下に反応させて、式VIの前記インドリルキノン化合物を製造 する、 ことを含んでなる方法。 11.式VIのインドリルキノン化合物をアルカリ金属水酸化物と反応させて、次式 の化合物: 〔式中、R"1、R"2およびR3〜R12は先に定義した通りである〕を製造すること をさらに含む、請求項10に記載の方法。 12.R1およびR2がBrである式VIのインドリルキノン化合物を、アルカリ金属水酸 化物と式R'OH〔ここでR'は低級アルキルまたはアルキルアリール〕のアルコー ルの混合物と反応させて、次式のインドリルキノン化合物: 〔式中、R'1およびR'2はそれぞれが独立に低級アルキル、アリールまたはア ルキルアリールである〕を製造することをさらに含む、請求項10に記載の方法 。 13.溶媒がアセトニトリル、ジメチルホルムアミド(DMF)、テトラヒドロフラン (THF)およびそれらの混合物よりなる群から選択される非プロトン性溶媒であ る、請求項10に記載の方法。 14.溶媒中の2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノンの初期濃度が少なくとも約1モル である、請求項10に記載の方法。 15.金属炭酸塩が炭酸セシウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム およびそれらの混合物よりなる群から選択される、請求項10に記載の方法。 16.金属炭酸塩が炭酸セシウムである、請求項10に記載の方法。 17.2種類の異なる式IIIのインドールを使用する、請求項10に記載の方法。 18.約1当量の2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノンを少なくとも2当量の式IIIのイ ンドール少なくとも1種と反応させる、請求項10に記載の方法。 19.工程(a)および(b)をそれぞれ独立して約-10℃から約100℃の温度で実施する 、請求項10に記載の方法。 20.次式のインドリルキノン化合物: 〔式中、 R"1はH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2-C7アルキニル、アリールア ルキルまたはアリールであり; R3〜R7はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、アルキニル、アルケニルカルボキシ、アリ ール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアルコキ シ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキシ、 スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト-2- エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数で、mは0〜12の整数である〕を 製造する方法であって、 2,3,5,6-テトラブロモ-1,4-ベンゾキノンを少なくとも1種の次式のインド ール: 〔式中、R"1およびR3〜R7は先に定義した通りである〕と、極性有機溶媒中で 金属炭酸塩の存在下に反応させて、式Xの前記インドリルキノン化合物を製造 する、ことを含んでなる方法。 21.式Xのインドリルキノン化合物をアルカリ金属水酸化物と反応させて、次式 の化合物: 〔式中、R3〜R7は先に定義した通りである〕を製造することをさらに含む、請 求項20に記載の方法。 22.式Xのインドリルキノン化合物を、アルカリ金属水酸化物と式R'OH〔ここで R'は低級アルキルまたはアルキルアリール〕のアルコールの混合物と反応させ て、次式のインドリルキノン化合物: 〔式中、R'1およびR'2はそれぞれが独立に低級アルキル、アリールまたはアル キルアリールである〕を製造することをさらに含む、請求項20に記載の方法。 23.溶媒がアセトニトリル、ジメチルホルムアミド(DMF)、テトラヒドロフラン (THF)およびそれらの混合物よりなる群から選択される非プロトン性溶媒であ る、請求項20に記載の方法。 24.溶媒中のテトラブロモ-1,4-ベンゾキノンの初期濃度が少なくとも約1モル である、請求項20に記載の方法。 25.金属炭酸塩が炭酸セシウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム およびそれらの混合物よりなる群から選択される、請求項20に記載の方法。 26.金属炭酸塩が炭酸セシウムである、請求項20に記載の方法。 27.2種類の異なる式IIIのインドールを使用する、請求項20に記載の方法。 28.約1当量の2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノンを少なくとも2当量の式IIIの インドール少なくとも1種と反応させる、請求項20に記載の方法。 29.テトラブロモ-1,4-ベンゾキノンとインドールを約-10℃から約100℃の温度 で反応させる、請求項13に記載の方法。 30.アルカリ金属水酸化物か水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよびそれらの 混合物よりなる群から選択される、請求項2、3、11、12、21または22に記載 の方法。 31.インドリルキノン化合物の製造方法であって、 次式の置換または無置換の2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノン化合物: 〔式中、R1およびR2はそれぞれが独立にBr、Cl、F、I、H、OHまたは-OCORであ り、ここでRは低級アルキル、アリールまたはアルキルアリールである〕を少 なくとも1種の次式のインドール: 〔式中、 R"1はH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2-C7アルキニル、アリールア ルキルまたはアリールであり; R3〜R7はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、C2-Cmアルキニル、アルケニルカルボキシ、 アリール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアル コキシ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキ シ、スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト -2-エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数で、mは0〜12の整数である〕と 、極性有機溶媒中で金属炭酸塩の存在下に反応させることを含んでなる方法。 32.インドリルキノン化合物の製造方法であって、 2,3,5,6-テトラブロモ-1,4-ベンゾキノン化合物を少なくとも1種の次式の インドール: 〔式中、 R"1はH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2-C7アルキニル、アリールア ルキルまたはアリールであり; R3〜R7はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、C2-Cmアルキニル、アルケニルカルボキシ、 アリール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアル コキシ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキ シ、スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト -2-エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数で、mは0〜12の整数である〕と 、極性有機溶媒中で金属炭酸塩の存在下に反応させることを含んでなる方法。 33.次式のインドリルキノン化合物: 〔式中、 R1、R2およびR30はそれぞれが独立にBr、Cl、F、I、H、OHまたは-OCORであ り、ここでRは低級アルキル、アリールまたはアルキルアリールであり; R"1はH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2-C7アルキニル、アリールア ルキルまたはアリールであり; R3〜R7はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、C2-Cmアルキニル、アルケニルカルボキシ、 アリール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアル コキシ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキ シ、スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト -2-エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数で、mは0〜12の整数である〕を 製造する方法であって、 次式の置換または無置換の2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノン化合物: 〔式中、R1およびR2は先に定義した通りである〕を、次式のインドール: 〔式中、R"1およびR3〜R7は先に定義した通りである〕1種と、極性有機溶媒 中で金属炭酸塩の存在下に反応させることを含んでなる方法。 34.式XIのインドリルキノン化合物をアルカリ金属水酸化物と反応させて、次式 の化合物: 〔式中、R30およびR3〜R7は先に定義した通りである〕を製造することをさら に含む、請求項33に記載の方法。 35.R1、R2およびR30がBr、F、ClまたはIである式XIのインドリルキノン化合物 を、アルカリ金属水酸化物と式R'OH〔ここでR'は低級アルキルまたはアルキル アリール〕のアルコールの混合物と反応させて、次式のインドリルキノン化合 物: 〔式中、R'1およびR'2はそれぞれが独立に低級アルキル、アリールまたはアル キルアリールである〕を製造することをさらに含む、請求項33に記載の方法。 36.溶媒がアセトニトリル、ジメチルホルムアミド(DMF)、テトラヒドロフラン (THF)およびそれらの混合物よりなる群から選択される非プロトン性溶媒であ る、請求項33に記載の方法。 37.溶媒中の2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノンの初期濃度が少なくとも約1モル である、請求項33に記載の方法。 38.金属炭酸塩が炭酸セシウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム およびそれらの混合物よりなる群から選択される、請求項33に記載の方法。 39.金属炭酸塩が炭酸セシウムである、請求項33に記載の方法。 40.約1当量の2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノンを少なくとも約1当量の式IIIの インドール1種と反応させる、請求項33に記載の方法。 41.2,5-ジブロモ-1,4-ベンゾキノンとインドールを約-10℃から約100℃の温度 で反応させる、請求項33に記載の方法。 42.合成的に製造され、約95%以上の純度を有する次式の高純度合成化合物: 〔式中、 R1およびR2はそれぞれが独立にBr、Cl、F、I、H、OHまたは-OCORであり、 ここでRは低級アルキル、アリールまたはアルキルアリールであり; R"1はH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2-C7アルキニル、アリールア ルキルまたはアリールであり; R3〜R7はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、C2-Cmアルキニル、アルケニルカルボキシ、 アリール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアル コキシ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキ シ、スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト -2-エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数で、mは0〜12の整数である〕。 43.合成的に製造され、約95%以上の純度を有する次式の高純度合成化合物: 〔式中、 R1およびR2はそれぞれが独立にBr、Cl、F、I、H、OHまたは-OCORであり、 ここでRは低級アルキル、アリールまたはアルキルアリールであり; R"1およびR"2はそれぞれが独立にH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2- C7アルキニル、アリールアルキルまたはアリールであり: R3〜R12はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、アルキニル、アルケニルカルボキシ、アリ ール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアルコキ シ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキシ、 スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト-2- エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数、好ましくは1〜7で、mは0〜12の 整数である〕。 44.約1グラム以上の量で合成的に製造された次式の高純度合成化合物: 〔式中、 R1およびR2はそれぞれが独立にBr、Cl、F、I、H、OHまたは-OCORであり、 ここでRは低級アルキル、アリールまたはアルキルアリールであり: R"1はH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2-C7アルキニル、アリールア ルキルまたはアリールであり; R3〜R7はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、C2-Cmアルキニル、アルケニルカルボキシ、 アリール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアル コキシ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキ シ、スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト -2-エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数で、mは0〜12の整数である〕。 45.約1グラム以上の量で合成的に製造された次式の高純度合成化合物: 〔式中、 R1およびR2はそれぞれが独立にBr、Cl、F、I、H、OHまたは-OCORであり、 ここでRは低級アルキル、アリールまたはアルキルアリールであり; R"1およびR"2はそれぞれが独立にH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2- C7アルキニル、アリールアルキルまたはアリールであり; R3〜R12はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、アルキニル、アルケニルカルボキシ、アリ ール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアルコキ シ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキシ、 スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト-2- エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数、好ましくは1〜7で、mは0〜12の 整数である〕。 46.次式の化合物: 〔式中、 R1、R2およびR30はそれぞれが独立にBr、Cl、F、I、H、OHまたは-OCORであ り、ここでRは低級アルキル、アリールまたはアルキルアリールであり; R"1はH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2-C7アルキニル、アリールア ルキルまたはアリールであり; R3〜R7はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、C2-Cmアルキニル、アルケニルカルボキシ、 アリール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアル コキシ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキ シ、スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト -2-エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数で、mは0〜12の整数である〕。 47.高純度および高収率である、請求項46に記載の化合物。 48.次式の化合物: 〔式中、 R1およびR2はそれぞれが独立にBr、Cl、F、I、H、OHまたは-OCORであり、 ここでRは低級アルキル、アリールまたはアルキルアリールであり; R"1はH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2-C7アルキニル、アリールア ルキルまたはアリールであり; R3〜R7はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、C2-Cmアルキニル、アルケニルカルボキシ、 アリール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアル コキシ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキ シ、スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト -2-エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数で、mは0〜12の整数である〕ま たはその薬学的に許容される塩、および製薬上の担体を含有する、ヒト投与用 の医薬組成物。 49.次式の化合物: 〔式中、 R1およびR2はそれぞれが独立にBr、Cl、F、I、H、OHまたは-OCORであり、 ここでRは低級アルキル、アリールまたはアルキルアリールであり; R"1およびR"2はそれぞれが独立にH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2- C7アルキニル、アリールアルキルまたはアリールであり; R3〜R12はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、アルキニル、アルケニルカルボキシ、アリ ール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアルコキ シ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキシ、 スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト-2- エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数、好ましくは1〜7で、mは0〜12の 整数である〕またはその薬学的に許容される塩、および製薬上の担体を含有す る、ヒト投与用の医薬組成物。 50.請求項46に記載の化合物および製薬上の賦形剤を含有する医薬組成物。 51.プロテインチロシンキナーゼポリペプチド/アダプターポリペプチド複合体 が関与する細胞増殖性疾患の症状を、細胞のプロテインチロシンキナーゼポリ ペプチド/アダプターポリペプチド複合体を分解して細胞増殖性疾患の症状を 改善するのに十分な量の次式のいずれかの化合物: 〔式中、 R1およびR2はそれぞれが独立にBr、Cl、F、I、H、OHまたは-OCORであり、 ここでRは低級アルキル、アリールまたはアルキルアリールであり; R"1はH、C1-C7アルキル、C2-C7アルケニル、C2-C7アルキニル、アリールア ルキルまたはアリールであり; R3〜R7はそれぞれが独立に水素、分枝または非分枝C1-Cnアルキル、アルキ ルカルボキシ、C2-Cmアルケニル、C2-Cmアルキニル、アルケニルカルボキシ、 アリール、アルキルアリール、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、C1-Cnアル コキシ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、アミド、カルボキサミド、カルボキ シ、スルホニル、スルホンアミド、アミノ、メルカプト、または2-メチルブト -2-エン-4-イルであり、ここでnは0〜12の整数で、mは0〜12の整数である〕を 用いて改善する方法。 52.細胞増殖性疾患が哺乳動物に発生し、前記化合物を哺乳動物内の細胞に接触 させると哺乳動物の細胞増殖性疾患の症状が改善される、請求項51に記載の方 法。 53.細胞増殖性疾患がBCR-ABL関連癌、神経膠腫、神経膠芽細胞腫、メラノーマ 、卵巣癌、乳癌または前立腺癌である、請求項51に記載の方法。 54.プロテインチロシンキナーゼポリペプチド/アダプターポリペプチド複合体 を形成することができる細胞を、細胞のプロテインチロシンキナーゼポリペプ チド/アダプターポリペプチド複合体を分解して細胞増殖性疾患の症状を改善 するのに十分な量の請求項48、49または50に記載の医薬組成物と接触させるこ とを含んでなる、プロテインチロシンキナーゼポリペプチド/アダプターポリ ペプチド複合体が関与する細胞増殖性疾患の症状の改善方法。 55.化合物2,5-ジヒドロキシ-3,6-ジ-[2-(3-メチル-n-ブチル)インドール-3-イ ル]-1,4-キノン。 56.実質的に純粋な2,5-ジヒドロキシ-3,6-ジ-[2-(3-メチル-n-ブチル)インドー ル-3-イル]-1,4-キノン。
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