JP2001358394A - Ｑスイッチ固体レーザ発振方法及びその装置 - Google Patents
Ｑスイッチ固体レーザ発振方法及びその装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】パルスレーザ光の発振タイミングが変動しない
こと。 【解決手段】光共振器３内に、Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶４
とＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５とを配置し、かつＮｄ３＋：
ＹＡＧ結晶４を光励起するためのレーザダイオード６を
配置したＱスイッチ固体レーザ発振装置におけるＣｒ
４＋：ＹＡＧ結晶５の横に、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶５に
対してＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の発振波長１．０６μｍ
のレーザ光を照射するためのレーザダイオード１０を配
置した。
こと。 【解決手段】光共振器３内に、Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶４
とＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５とを配置し、かつＮｄ３＋：
ＹＡＧ結晶４を光励起するためのレーザダイオード６を
配置したＱスイッチ固体レーザ発振装置におけるＣｒ
４＋：ＹＡＧ結晶５の横に、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶５に
対してＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の発振波長１．０６μｍ
のレーザ光を照射するためのレーザダイオード１０を配
置した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体レーザ媒質と
過飽和吸収体とを光共振器内に配置し、固体レーザ媒質
を光励起することによりビーム広がり角が小さく、かつ
パルス幅が数十ｎｓと短いいわゆるジャンアントパルス
レーザ光を発振させるＱスイッチ固体レーザ発振方法及
びその装置に関する。
過飽和吸収体とを光共振器内に配置し、固体レーザ媒質
を光励起することによりビーム広がり角が小さく、かつ
パルス幅が数十ｎｓと短いいわゆるジャンアントパルス
レーザ光を発振させるＱスイッチ固体レーザ発振方法及
びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５はＱスイッチ固体レーザ装置の構成
図である。２枚のミラー１，２により光共振器３が構成
されている。この光共振器３内には、固体レーザ媒質と
してＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４と過飽和吸収体としてＣｒ
４＋：ＹＡＧ結晶５とが配置されている。又、光共振器
３の光軸方向すなわちＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４と直列方
向となるところには、Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶４を光励起
するためのレーザダイオード６が配置されている。な
お、このレーザダイオード６は、光共振器３の横に配置
してもよい。
図である。２枚のミラー１，２により光共振器３が構成
されている。この光共振器３内には、固体レーザ媒質と
してＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４と過飽和吸収体としてＣｒ
４＋：ＹＡＧ結晶５とが配置されている。又、光共振器
３の光軸方向すなわちＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４と直列方
向となるところには、Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶４を光励起
するためのレーザダイオード６が配置されている。な
お、このレーザダイオード６は、光共振器３の横に配置
してもよい。
【０００３】このように構成された装置の動作について
図６を参照して説明する。
図６を参照して説明する。
【０００４】レーザダイオード６からレーザダイオード
光が出力されると、このレーザダイオード光はＮ
ｄ３＋：ＹＡＧ結晶４に照射され、このＮｄ３＋：ＹＡ
Ｇ結晶４は光励起される。この光励起によりＮｄ３＋：
ＹＡＧ結晶４への光励起量すなわち蛍光量が次第に増加
すると共に、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶５の損失が減少す
る。そして、Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の蛍光量が所定の
量に達し、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶５の損失がなくなる
と、ビーム広がり角が小さく、かつパルス幅が数十ｎｓ
と短いいわゆるジャンアントパルスレーザ光が出力され
る。
光が出力されると、このレーザダイオード光はＮ
ｄ３＋：ＹＡＧ結晶４に照射され、このＮｄ３＋：ＹＡ
Ｇ結晶４は光励起される。この光励起によりＮｄ３＋：
ＹＡＧ結晶４への光励起量すなわち蛍光量が次第に増加
すると共に、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶５の損失が減少す
る。そして、Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の蛍光量が所定の
量に達し、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶５の損失がなくなる
と、ビーム広がり角が小さく、かつパルス幅が数十ｎｓ
と短いいわゆるジャンアントパルスレーザ光が出力され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
ダイオード６からレーザダイオード光の強度（レーザダ
イオード強度）が例えば強度ａ１又はａ２のように変動
すると、これに対応してＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の蛍光
量もレーザダイオード強度ａ１のときに蛍光量ｂ １、レ
ーザダイオード強度ａ２のときに蛍光量ｂ２のようにそ
の増加する時間が変動し、かつＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５
の損失もレーザダイオード強度ａ１のときに損失ｃ１、
レーザダイオード強度ａ２のときに損失ｃ２のようにそ
の減少する時間が変動する。
ダイオード６からレーザダイオード光の強度（レーザダ
イオード強度）が例えば強度ａ１又はａ２のように変動
すると、これに対応してＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の蛍光
量もレーザダイオード強度ａ１のときに蛍光量ｂ １、レ
ーザダイオード強度ａ２のときに蛍光量ｂ２のようにそ
の増加する時間が変動し、かつＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５
の損失もレーザダイオード強度ａ１のときに損失ｃ１、
レーザダイオード強度ａ２のときに損失ｃ２のようにそ
の減少する時間が変動する。
【０００６】このため、ジャンアントパルスレーザ光の
発振は、高いレーザダイオード強度ａ１のときに時間的
に早く発生し（時刻ｔ１）、低いレーザダイオード強度
ａ２のときに時間的に遅く発生する（時刻ｔ２）。
発振は、高いレーザダイオード強度ａ１のときに時間的
に早く発生し（時刻ｔ１）、低いレーザダイオード強度
ａ２のときに時間的に遅く発生する（時刻ｔ２）。
【０００７】このようにレーザダイオード６のレーザダ
イオード強度が変動すると、ジャンアントパルスレーザ
光の発振タイミングが変動してしまい、例えばレーザ加
工を行うと、正確にレーザ加工できない。
イオード強度が変動すると、ジャンアントパルスレーザ
光の発振タイミングが変動してしまい、例えばレーザ加
工を行うと、正確にレーザ加工できない。
【０００８】そこで本発明は、パルスレーザ光の発振タ
イミングが変動することがないＱスイッチ固体レーザ発
振方法及びその装置を提供することを目的とする。
イミングが変動することがないＱスイッチ固体レーザ発
振方法及びその装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、固体レーザ媒
質と過飽和吸収体とを光共振器内に配置し、前記固体レ
ーザ媒質を光励起することによりパルスレーザ光を発振
させるＱスイッチ固体レーザ発振方法において、前記過
飽和吸収体に対して前記固体レーザ媒質の発振波長の光
を照射することを特徴とするＱスイッチ固体レーザ発振
方法である。
質と過飽和吸収体とを光共振器内に配置し、前記固体レ
ーザ媒質を光励起することによりパルスレーザ光を発振
させるＱスイッチ固体レーザ発振方法において、前記過
飽和吸収体に対して前記固体レーザ媒質の発振波長の光
を照射することを特徴とするＱスイッチ固体レーザ発振
方法である。
【００１０】又、本発明は、上記Ｑスイッチ固体レーザ
発振方法において、前記固体レーザ媒質としてＮ
ｄ３＋：ＹＡＧ結晶を用い、前記過飽和吸収体としてＣ
ｒ４＋：ＹＡＧ結晶を用いた場合、前記Ｃｒ４＋：ＹＡ
Ｇ結晶に対して前記Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶の発振波長
１．０６μｍの光を照射することを特徴とするものであ
る。
発振方法において、前記固体レーザ媒質としてＮ
ｄ３＋：ＹＡＧ結晶を用い、前記過飽和吸収体としてＣ
ｒ４＋：ＹＡＧ結晶を用いた場合、前記Ｃｒ４＋：ＹＡ
Ｇ結晶に対して前記Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶の発振波長
１．０６μｍの光を照射することを特徴とするものであ
る。
【００１１】又、本発明は、固体レーザ媒質と過飽和吸
収体とを光共振器内に配置し、かつ前記固体レーザ媒質
を光励起するための励起光源を備えたＱスイッチ固体レ
ーザ発振装置において、前記過飽和吸収体に対して前記
固体レーザ媒質の発振波長の光を照射するための照射光
源を具備したことを特徴とするＱスイッチ固体レーザ発
振装置である。
収体とを光共振器内に配置し、かつ前記固体レーザ媒質
を光励起するための励起光源を備えたＱスイッチ固体レ
ーザ発振装置において、前記過飽和吸収体に対して前記
固体レーザ媒質の発振波長の光を照射するための照射光
源を具備したことを特徴とするＱスイッチ固体レーザ発
振装置である。
【００１２】又、本発明は、上記Ｑスイッチ固体レーザ
発振装置において、前記光源は、前記光共振器の横又は
直列方向となるところに配置されることを特徴とするも
のである。
発振装置において、前記光源は、前記光共振器の横又は
直列方向となるところに配置されることを特徴とするも
のである。
【００１３】又、本発明は、上記Ｑスイッチ固体レーザ
発振装置において、前記固体レーザ媒質としてＮ
ｄ３＋：ＹＡＧ結晶を用い、前記過飽和吸収体としてＣ
ｒ４＋：ＹＡＧ結晶を用いた場合、前記光源は、前記Ｃ
ｒ４＋：ＹＡＧ結晶に対して前記Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶
の発振波長１．０６μｍのレーザダイオード光を照射す
るレーザダイオードであることを特徴とするものであ
る。
発振装置において、前記固体レーザ媒質としてＮ
ｄ３＋：ＹＡＧ結晶を用い、前記過飽和吸収体としてＣ
ｒ４＋：ＹＡＧ結晶を用いた場合、前記光源は、前記Ｃ
ｒ４＋：ＹＡＧ結晶に対して前記Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶
の発振波長１．０６μｍのレーザダイオード光を照射す
るレーザダイオードであることを特徴とするものであ
る。
【００１４】又、本発明は、上記Ｑスイッチ固体レーザ
発振装置において、前記Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶に照射す
る前記レーザダイオード光のビーム径を、前記光共振器
でのＴＥＭ００モードのビーム径又はこのビーム径より
も小さく集光することを特徴とするものである。
発振装置において、前記Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶に照射す
る前記レーザダイオード光のビーム径を、前記光共振器
でのＴＥＭ００モードのビーム径又はこのビーム径より
も小さく集光することを特徴とするものである。
【００１５】又、本発明は、上記Ｑスイッチ固体レーザ
発振装置において、前記レーザダイオードは、シングル
モードのレーザダイオード光を出力することを特徴とす
るものである。
発振装置において、前記レーザダイオードは、シングル
モードのレーザダイオード光を出力することを特徴とす
るものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】(1)以下、本発明の第１の実施の
形態について図面を参照して説明する。なお、図５と同
一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略す
る。
形態について図面を参照して説明する。なお、図５と同
一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略す
る。
【００１７】図１はＱスイッチ固体レーザ発振装置の構
成図である。過飽和吸収体としてのＣｒ４＋：ＹＡＧ結
晶５の横には、このＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５に対してＮ
ｄ３ ＋：ＹＡＧ結晶４の発振波長の光を照射するための
レーザダイオード１０が配置されている。このレーザダ
イオード１０は、Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の発振波長
１．０６μｍのレーザ光を出力するものとなっている。
成図である。過飽和吸収体としてのＣｒ４＋：ＹＡＧ結
晶５の横には、このＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５に対してＮ
ｄ３ ＋：ＹＡＧ結晶４の発振波長の光を照射するための
レーザダイオード１０が配置されている。このレーザダ
イオード１０は、Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の発振波長
１．０６μｍのレーザ光を出力するものとなっている。
【００１８】次に、上記の如く構成された装置の動作に
ついて図２に示す動作タイミング図を参照して説明す
る。
ついて図２に示す動作タイミング図を参照して説明す
る。
【００１９】レーザダイオード６から励起光が出力され
ると、この励起光はＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４に照射さ
れ、このＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４は光励起される。この
光励起によりＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４への光励起量すな
わち蛍光量が次第に増加すると共に、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ
結晶５の損失が減少する。
ると、この励起光はＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４に照射さ
れ、このＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４は光励起される。この
光励起によりＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４への光励起量すな
わち蛍光量が次第に増加すると共に、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ
結晶５の損失が減少する。
【００２０】このとき、レーザダイオード６からの励起
光強度が例えば強度ａ１又はａ２のように変動すると、
これに対応してＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の蛍光量も励起
光強度ａ１のときに蛍光量ｂ１、励起光強度ａ２のとき
に蛍光量ｂ２のようにその増加する時間が変動し、かつ
Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶５の損失も励起光強度ａ１のとき
に損失ｃ１、励起光強度ａ２のときに損失ｃ２のように
その減少する時間が変動する。
光強度が例えば強度ａ１又はａ２のように変動すると、
これに対応してＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の蛍光量も励起
光強度ａ１のときに蛍光量ｂ１、励起光強度ａ２のとき
に蛍光量ｂ２のようにその増加する時間が変動し、かつ
Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶５の損失も励起光強度ａ１のとき
に損失ｃ１、励起光強度ａ２のときに損失ｃ２のように
その減少する時間が変動する。
【００２１】ここで、レーザダイオード１０からＮｄ
３＋：ＹＡＧ結晶４の発振波長１．０６μｍのレーザ光
を出力すると、このレーザ光は、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶
５に照射される。
３＋：ＹＡＧ結晶４の発振波長１．０６μｍのレーザ光
を出力すると、このレーザ光は、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶
５に照射される。
【００２２】このレーザ光の照射によりＣｒ４＋：ＹＡ
Ｇ結晶５の損失は短い時間で引き下げられ、これによっ
てＱスイッチ動作が起こる。この結果、ビーム広がり角
が小さく、かつパルス幅が数十ｎｓと短いいわゆるジャ
ンアントパルスレーザ光が出力される。すなわち、レー
ザダイオード６の励起光強度の変動に関係なく、励起光
のＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５への照射の直後に、ジャンア
ントパルスレーザ光が出力される。
Ｇ結晶５の損失は短い時間で引き下げられ、これによっ
てＱスイッチ動作が起こる。この結果、ビーム広がり角
が小さく、かつパルス幅が数十ｎｓと短いいわゆるジャ
ンアントパルスレーザ光が出力される。すなわち、レー
ザダイオード６の励起光強度の変動に関係なく、励起光
のＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５への照射の直後に、ジャンア
ントパルスレーザ光が出力される。
【００２３】このように上記第１の実施の形態において
は、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶５の横に、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ
結晶５に対してＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の発振波長１．
０６μｍのレーザ光を照射するためのレーザダイオード
１０を配置したので、レーザダイオード６の励起光強度
が変動したとしても、ジャンアントパルスレーザ光の発
振タイミングは、レーザダイオード１０からＣｒ４＋：
ＹＡＧ結晶５へのレーザ光の入射タイミングで決定で
き、ジャンアントパルスレーザ光の発振タイミングを時
間的に前後に変動させずに、一定の発振タイミングでジ
ャンアントパルスレーザ光を出力できる。
は、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶５の横に、Ｃｒ４＋：ＹＡＧ
結晶５に対してＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の発振波長１．
０６μｍのレーザ光を照射するためのレーザダイオード
１０を配置したので、レーザダイオード６の励起光強度
が変動したとしても、ジャンアントパルスレーザ光の発
振タイミングは、レーザダイオード１０からＣｒ４＋：
ＹＡＧ結晶５へのレーザ光の入射タイミングで決定で
き、ジャンアントパルスレーザ光の発振タイミングを時
間的に前後に変動させずに、一定の発振タイミングでジ
ャンアントパルスレーザ光を出力できる。
【００２４】従って、ジャンアントパルスレーザ光の発
振タイミングを一定のタイミングで発振でき、レーザ加
工に適用すれば、正確なレーザ加工ができる。なお、レ
ーザダイオード１０からのレーザ光の出力タイミングを
制御すれば、所望のタイミングでジャンアントパルスレ
ーザ光を発振できる。
振タイミングを一定のタイミングで発振でき、レーザ加
工に適用すれば、正確なレーザ加工ができる。なお、レ
ーザダイオード１０からのレーザ光の出力タイミングを
制御すれば、所望のタイミングでジャンアントパルスレ
ーザ光を発振できる。
【００２５】又、レーザダイオード１０からの波長１．
０６μｍのレーザ光をＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５に入射す
る際に、モードマッチングするように入射させるように
すれば、発振光のシード光となり、横モードを制御でき
る。
０６μｍのレーザ光をＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５に入射す
る際に、モードマッチングするように入射させるように
すれば、発振光のシード光となり、横モードを制御でき
る。
【００２６】又、レーザダイオード１０からＣｒ４＋：
ＹＡＧ結晶５に入射するレーザ光をシングルモードにす
ることで、縦モードもシングルモードにすることが可能
である。
ＹＡＧ結晶５に入射するレーザ光をシングルモードにす
ることで、縦モードもシングルモードにすることが可能
である。
【００２７】(2)次に、本発明の第２の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。なお、図１と同一部分に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
いて図面を参照して説明する。なお、図１と同一部分に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【００２８】図３はＱスイッチ固体レーザ発振装置の構
成図である。このＱスイッチ固体レーザ発振装置は、Ｎ
ｄ３＋：ＹＡＧ結晶４を光励起するためのレーザダイオ
ード６を、このＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の横に配置した
ものである。
成図である。このＱスイッチ固体レーザ発振装置は、Ｎ
ｄ３＋：ＹＡＧ結晶４を光励起するためのレーザダイオ
ード６を、このＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４の横に配置した
ものである。
【００２９】このような構成であっても、Ｎｄ３＋：Ｙ
ＡＧ結晶４の光励起する励起光の入射方向が異なるだけ
で、上記第１の実施の形態と同様に、レーザダイオード
６の励起光強度が変動したとしても、ジャンアントパル
スレーザ光の発振タイミングは、レーザダイオード１０
からＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５へのレーザ光の入射タイミ
ングで決定でき、ジャンアントパルスレーザ光の発振タ
イミングを時間的に前後に変動させずに、一定の発振タ
イミングでジャンアントパルスレーザ光を出力できる。
ＡＧ結晶４の光励起する励起光の入射方向が異なるだけ
で、上記第１の実施の形態と同様に、レーザダイオード
６の励起光強度が変動したとしても、ジャンアントパル
スレーザ光の発振タイミングは、レーザダイオード１０
からＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５へのレーザ光の入射タイミ
ングで決定でき、ジャンアントパルスレーザ光の発振タ
イミングを時間的に前後に変動させずに、一定の発振タ
イミングでジャンアントパルスレーザ光を出力できる。
【００３０】(3)次に、本発明の第３の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。なお、図１と同一部分に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
いて図面を参照して説明する。なお、図１と同一部分に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【００３１】図４はＱスイッチ固体レーザ発振装置の構
成図である。このＱスイッチ固体レーザ発振装置は、Ｃ
ｒ４＋：ＹＡＧ結晶５に対してＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４
の発振波長１．０６μｍのレーザ光を照射するためのレ
ーザダイオード１０を、光共振器３の直列方向となると
ころに配置したものである。
成図である。このＱスイッチ固体レーザ発振装置は、Ｃ
ｒ４＋：ＹＡＧ結晶５に対してＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４
の発振波長１．０６μｍのレーザ光を照射するためのレ
ーザダイオード１０を、光共振器３の直列方向となると
ころに配置したものである。
【００３２】このような構成であっても、Ｃｒ４＋：Ｙ
ＡＧ結晶５に対して発振波長１．０６μｍのレーザ光を
照射する方向が異なるだけで、上記第１の実施の形態と
同様に、レーザダイオード６の励起光強度が変動したと
しても、ジャンアントパルスレーザ光の発振タイミング
は、レーザダイオード１０からＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５
へのレーザ光の入射タイミングで決定でき、ジャンアン
トパルスレーザ光の発振タイミングを時間的に前後に変
動させずに、一定の発振タイミングでジャンアントパル
スレーザ光を出力できる。
ＡＧ結晶５に対して発振波長１．０６μｍのレーザ光を
照射する方向が異なるだけで、上記第１の実施の形態と
同様に、レーザダイオード６の励起光強度が変動したと
しても、ジャンアントパルスレーザ光の発振タイミング
は、レーザダイオード１０からＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５
へのレーザ光の入射タイミングで決定でき、ジャンアン
トパルスレーザ光の発振タイミングを時間的に前後に変
動させずに、一定の発振タイミングでジャンアントパル
スレーザ光を出力できる。
【００３３】なお、本発明は、上記第１乃至第３の実施
の形態に限定されるものでなく次の通りに変形してもよ
い。
の形態に限定されるものでなく次の通りに変形してもよ
い。
【００３４】例えば、Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶４に照射す
るレーザダイオード１０のビーム径を、光共振器４での
ＴＥＭ００モードのビーム径又はこのビーム径よりも小
さく集光してＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５に照射してもよ
い。このようにすればＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５の共振器
損失は、励起光を照射した中心部分のみが低減され、高
次モードの発振が抑制され、基本モードのみのジャンア
ントパルスレーザ光を発振できる。これは、アパーチャ
を挿入したのと同様な作用が得られる。
るレーザダイオード１０のビーム径を、光共振器４での
ＴＥＭ００モードのビーム径又はこのビーム径よりも小
さく集光してＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５に照射してもよ
い。このようにすればＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５の共振器
損失は、励起光を照射した中心部分のみが低減され、高
次モードの発振が抑制され、基本モードのみのジャンア
ントパルスレーザ光を発振できる。これは、アパーチャ
を挿入したのと同様な作用が得られる。
【００３５】又、上記第１乃至第３の実施の形態では、
固体レーザ媒質としてＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４、過飽和
吸収体としてＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５を用いた場合につ
いて説明したが、これに限らず他の物質を用いてもよ
い。
固体レーザ媒質としてＮｄ３＋：ＹＡＧ結晶４、過飽和
吸収体としてＣｒ４＋：ＹＡＧ結晶５を用いた場合につ
いて説明したが、これに限らず他の物質を用いてもよ
い。
【００３６】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、パ
ルスレーザ光の発振タイミングが変動することがないＱ
スイッチ固体レーザ発振方法及びその装置を提供でき
る。
ルスレーザ光の発振タイミングが変動することがないＱ
スイッチ固体レーザ発振方法及びその装置を提供でき
る。
【図１】本発明に係わるＱスイッチ固体レーザ発振装置
の第１の実施の形態を示す構成図。
の第１の実施の形態を示す構成図。
【図２】本発明に係わるＱスイッチ固体レーザ発振装置
の第１の実施の形態の動作タイミング図。
の第１の実施の形態の動作タイミング図。
【図３】本発明に係わるＱスイッチ固体レーザ発振装置
の第２の実施の形態を示す構成図。
の第２の実施の形態を示す構成図。
【図４】本発明に係わるＱスイッチ固体レーザ発振装置
の第３の実施の形態を示す構成図。
の第３の実施の形態を示す構成図。
【図５】従来のＱスイッチ固体レーザ装置の構成図。
【図６】同装置の動作タイミング図。
１，２：ミラー ３：光共振器 ４：Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶 ５：Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶 ６：レーザダイオード １０：レーザダイオード
Claims (5)
- 【請求項１】 固体レーザ媒質と過飽和吸収体とを光共
振器内に配置し、前記固体レーザ媒質を光励起すること
によりパルスレーザ光を発振させるＱスイッチ固体レー
ザ発振方法において、 前記過飽和吸収体に対して前記固体レーザ媒質の発振波
長の光を照射することを特徴とするＱスイッチ固体レー
ザ発振方法。 - 【請求項２】 前記固体レーザ媒質としてＮｄ３＋：Ｙ
ＡＧ結晶を用い、前記過飽和吸収体としてＣｒ４＋：Ｙ
ＡＧ結晶を用いた場合、前記Ｃｒ４＋：ＹＡＧ結晶に対
して前記Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶の発振波長１．０６μｍ
の光を照射することを特徴とする請求項１記載のＱスイ
ッチ固体レーザ発振方法。 - 【請求項３】 固体レーザ媒質と過飽和吸収体とを光共
振器内に配置し、かつ前記固体レーザ媒質を光励起する
ための励起光源を備えたＱスイッチ固体レーザ発振装置
において、 前記過飽和吸収体に対して前記固体レーザ媒質の発振波
長の光を照射するための照射光源、を具備したことを特
徴とするＱスイッチ固体レーザ発振装置。 - 【請求項４】 前記光源は、前記光共振器の横又は直列
方向となるところに配置されることを特徴とする請求項
３記載のＱスイッチ固体レーザ発振装置。 - 【請求項５】 前記固体レーザ媒質としてＮｄ３＋：Ｙ
ＡＧ結晶を用い、前記過飽和吸収体としてＣｒ４＋：Ｙ
ＡＧ結晶を用いた場合、前記光源は、前記Ｃｒ４＋：Ｙ
ＡＧ結晶に対して前記Ｎｄ３＋：ＹＡＧ結晶の発振波長
１．０６μｍの光を照射するレーザダイオードであるこ
とを特徴とする請求項３記載のＱスイッチ固体レーザ発
振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000180162A JP2001358394A (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | Ｑスイッチ固体レーザ発振方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000180162A JP2001358394A (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | Ｑスイッチ固体レーザ発振方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358394A true JP2001358394A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18681312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000180162A Pending JP2001358394A (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | Ｑスイッチ固体レーザ発振方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001358394A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102044836A (zh) * | 2010-10-28 | 2011-05-04 | 福州高意通讯有限公司 | 一种可调谐输出脉宽的微片激光器 |
| WO2016117870A1 (ko) * | 2015-01-20 | 2016-07-28 | 김남성 | 고효율 레이저 점화장치 |
| WO2020235222A1 (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | ソニー株式会社 | 受動ｑスイッチレーザ装置、制御方法、及びレーザ加工装置 |
-
2000
- 2000-06-15 JP JP2000180162A patent/JP2001358394A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10554009B2 (en) | 2015-01-20 | 2020-02-04 | Nam Seong Kim | Highly efficient laser ignition device |
| WO2020235222A1 (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | ソニー株式会社 | 受動ｑスイッチレーザ装置、制御方法、及びレーザ加工装置 |
| US11894652B2 (en) | 2019-05-21 | 2024-02-06 | Sony Group Corporation | Passive Q switching laser device, control method, and laser processing device |
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