JPH04346484A - パルスレーザー発振器 - Google Patents
パルスレーザー発振器Info
- Publication number
- JPH04346484A JPH04346484A JP3148210A JP14821091A JPH04346484A JP H04346484 A JPH04346484 A JP H04346484A JP 3148210 A JP3148210 A JP 3148210A JP 14821091 A JP14821091 A JP 14821091A JP H04346484 A JPH04346484 A JP H04346484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- resonator
- pulse
- titanium sapphire
- laser oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 26
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チタンを添加(異種元
素としてド−プ)したサファイア、いわゆるチタンサフ
ァイアをレーザー媒体として用いたレーザー発振器に関
する。更に詳しくは、チタンサファイアをレーザー媒体
として用いたレーザー発振器に於いて、単一パルスで、
ピークパワーが大きく安定性の高い、パルスレーザーを
波長可変で発振可能とした改良レーザー発振器に関する
。
素としてド−プ)したサファイア、いわゆるチタンサフ
ァイアをレーザー媒体として用いたレーザー発振器に関
する。更に詳しくは、チタンサファイアをレーザー媒体
として用いたレーザー発振器に於いて、単一パルスで、
ピークパワーが大きく安定性の高い、パルスレーザーを
波長可変で発振可能とした改良レーザー発振器に関する
。
【0002】パルス幅の短いピークパワーの高いレーザ
ーは、精密計測、高速動作の評価などに用いられる。さ
らにチタンサファイアをレーザー媒体としたレーザーは
、波長が可変であり、分光計測などに用いられる。
ーは、精密計測、高速動作の評価などに用いられる。さ
らにチタンサファイアをレーザー媒体としたレーザーは
、波長が可変であり、分光計測などに用いられる。
【0003】
【従来の技術】チタンサファイアは波長可変のレーザー
の媒体として従来から利用されている。 液体の溶媒
に溶解した色素をレーザー媒体に用いた色素レーザーも
波長可変である。しかし、色素レーザーは、波長可変の
幅が50nm程度でチタンサファイアのそれ(500n
m)よりも狭く、又高出力の発振は難しい。又、色素レ
ーザーは通常毒性を持つ液状物を使用することが多く取
扱いが容易でない上ランニングコストが高いなどの欠点
を持っている。
の媒体として従来から利用されている。 液体の溶媒
に溶解した色素をレーザー媒体に用いた色素レーザーも
波長可変である。しかし、色素レーザーは、波長可変の
幅が50nm程度でチタンサファイアのそれ(500n
m)よりも狭く、又高出力の発振は難しい。又、色素レ
ーザーは通常毒性を持つ液状物を使用することが多く取
扱いが容易でない上ランニングコストが高いなどの欠点
を持っている。
【0004】従来、チタンサファイアをレーザー媒体と
して用いたパルス幅の短いレーザーは、連続発振のアル
ゴンイオンレーザーを発生するレーザー光の光軸方向よ
り照射し励起源として用い、電気光学(EO)素子、音
響光学(AO)素子等を共振器内に設置し、強制モード
同期を行う方法で主に使用されてきた。モード同期とは
、共振器内の唯一のレーザーモードを発振(すなわち同
期)させる手法である。すなわち、レーザー光は共振器
内を多数回往復するため、時間幅の短い一つのレーザー
光(すなわちレーザーモード)がある光学素子を通過す
る時のみその素子の光損失を小さく、その他の時を大き
くすることで、選択的に短いパルスのレーザーを発生さ
せる手法である。この光学素子は、例えば、EOやAO
素子である。したがってこの方法により短いパルスのレ
ーザーを得ようとすると、高い周波数の信号をレーザー
が通過するタイミングで正確にこの光学素子に印加しな
ければならない。この周波数は光が共振器を半往復する
時間の逆数になる。この周波数が正しい周波数でなけれ
ば安定したパルスレーザー光を得られない。また、得ら
れた場合でも、そのパルス形状が肩を有する波形になる
などきれいな時間波形にならないことが多い。さらに、
精密素子を要することになるため装置の構成が複雑にな
っていた。
して用いたパルス幅の短いレーザーは、連続発振のアル
ゴンイオンレーザーを発生するレーザー光の光軸方向よ
り照射し励起源として用い、電気光学(EO)素子、音
響光学(AO)素子等を共振器内に設置し、強制モード
同期を行う方法で主に使用されてきた。モード同期とは
、共振器内の唯一のレーザーモードを発振(すなわち同
期)させる手法である。すなわち、レーザー光は共振器
内を多数回往復するため、時間幅の短い一つのレーザー
光(すなわちレーザーモード)がある光学素子を通過す
る時のみその素子の光損失を小さく、その他の時を大き
くすることで、選択的に短いパルスのレーザーを発生さ
せる手法である。この光学素子は、例えば、EOやAO
素子である。したがってこの方法により短いパルスのレ
ーザーを得ようとすると、高い周波数の信号をレーザー
が通過するタイミングで正確にこの光学素子に印加しな
ければならない。この周波数は光が共振器を半往復する
時間の逆数になる。この周波数が正しい周波数でなけれ
ば安定したパルスレーザー光を得られない。また、得ら
れた場合でも、そのパルス形状が肩を有する波形になる
などきれいな時間波形にならないことが多い。さらに、
精密素子を要することになるため装置の構成が複雑にな
っていた。
【0005】モード同期を行う際に非連続励起光源を用
いた場合、一つには、上記に説明した周波数と同じ周波
数で繰り返されるパルス光を用いる。この際、入力され
る励起光源と上記光学素子に印加される信号とは、同一
周波数だが互いに時間の遅延が発生するため、印加信号
のタイミングを得ることがさらに困難になる。また、こ
のような光源の高い周波数を制御することも困難である
。もう一つの方法は、励起光源の1パルスの時間幅を長
くし疑似連続発光とし、そのパルス印加時間内に複数の
短パルスレーザー光を得る方法である。この際には励起
光源のタイミングを一致させる必要はないが、レーザー
パルスの一つ一つの光強度が異なる欠点を持つ。
いた場合、一つには、上記に説明した周波数と同じ周波
数で繰り返されるパルス光を用いる。この際、入力され
る励起光源と上記光学素子に印加される信号とは、同一
周波数だが互いに時間の遅延が発生するため、印加信号
のタイミングを得ることがさらに困難になる。また、こ
のような光源の高い周波数を制御することも困難である
。もう一つの方法は、励起光源の1パルスの時間幅を長
くし疑似連続発光とし、そのパルス印加時間内に複数の
短パルスレーザー光を得る方法である。この際には励起
光源のタイミングを一致させる必要はないが、レーザー
パルスの一つ一つの光強度が異なる欠点を持つ。
【0006】一方、フラッシュランプなどの励起光源に
よるレーザー媒体の側面より励起する方法、すなわち横
励起では、励起光エネルギーの大部分はレーザー発振に
使われず、光エネルギー変換効率の低いレーザーしか得
られない。又、この横励起型のチタンサファイアレーザ
ー共振器では、通常の発振で簡便にパルス光が得られる
ものの、これは一パルス上に複数の山が存在するスパイ
ク状の発振となり、ピークエネルギーの比較的小さいレ
ーザー光しか得られない。
よるレーザー媒体の側面より励起する方法、すなわち横
励起では、励起光エネルギーの大部分はレーザー発振に
使われず、光エネルギー変換効率の低いレーザーしか得
られない。又、この横励起型のチタンサファイアレーザ
ー共振器では、通常の発振で簡便にパルス光が得られる
ものの、これは一パルス上に複数の山が存在するスパイ
ク状の発振となり、ピークエネルギーの比較的小さいレ
ーザー光しか得られない。
【0007】
【問題点を解決するための手段】本発明者らは、上記し
た問題点のないレーザー発振器につき種々検討した結果
、チタンサファイアをレーザー媒体として用い、発生す
るレーザー光の光軸方向よりレーザー媒体に光を照射し
励起光源とするいわゆる縦励起型のレーザー発振器に、
EO素子又はAO素子などのQスイッチ素子を配置し、
共振器内部の光の損失を大きい状態から小さい状態へ瞬
時に切り替えるだけの、いわゆるQスイッチをかけるこ
とにより、ピークエネルギーの高い単一パルス発振の波
長可変レーザーが得られることを見出し本発明を完成し
た。
た問題点のないレーザー発振器につき種々検討した結果
、チタンサファイアをレーザー媒体として用い、発生す
るレーザー光の光軸方向よりレーザー媒体に光を照射し
励起光源とするいわゆる縦励起型のレーザー発振器に、
EO素子又はAO素子などのQスイッチ素子を配置し、
共振器内部の光の損失を大きい状態から小さい状態へ瞬
時に切り替えるだけの、いわゆるQスイッチをかけるこ
とにより、ピークエネルギーの高い単一パルス発振の波
長可変レーザーが得られることを見出し本発明を完成し
た。
【0008】即ち、本発明は、チタンサファイアをレー
ザー媒体とし、発生するレーザー光の光軸方向よりレー
ザー媒体に光を照射し励起するレーザー発振器において
、レーザー共振器内でQスイッチをかける機構を併置し
たことを特徴とする波長可変のパルスレーザー発振器に
関するものである。
ザー媒体とし、発生するレーザー光の光軸方向よりレー
ザー媒体に光を照射し励起するレーザー発振器において
、レーザー共振器内でQスイッチをかける機構を併置し
たことを特徴とする波長可変のパルスレーザー発振器に
関するものである。
【0009】次に本発明の構成を詳細に説明する。
【0010】本発明に用いるレーザー媒体は、チタンを
添加したサファイア、いわゆるチタンサファイアである
。この媒体のチタン添加量は、通常用いられているチタ
ンサファイアと同様で、例えば0.01〜0.5wt%
である。このチタン添加量が0.01wt%より少ない
と増幅量が小さくなりレ−ザ−発振が困難となる。また
、0.5wt%より多いと、FOMと呼ばれるこの媒体
の性能を示す値が悪くなり、やはりレ−ザ−発振が困難
となる。
添加したサファイア、いわゆるチタンサファイアである
。この媒体のチタン添加量は、通常用いられているチタ
ンサファイアと同様で、例えば0.01〜0.5wt%
である。このチタン添加量が0.01wt%より少ない
と増幅量が小さくなりレ−ザ−発振が困難となる。また
、0.5wt%より多いと、FOMと呼ばれるこの媒体
の性能を示す値が悪くなり、やはりレ−ザ−発振が困難
となる。
【0011】本発明に用いるEO素子などのQスイッチ
素子は、チタンサファイアレーザー共振器内で、充分な
Qスイッチがかけられるものでなくてはならない。即ち
、これら素子により、この共振器内のQ値と呼ばれる値
を、発振しない値と発振する値をとる両方の共振器の状
態を、電気信号などの信号によりそれぞれ区別してとら
せることができ、かつ、それぞれの状態を、発振パルス
幅よりも速く瞬時に切り替える(スイッチングする)こ
とができるものである。ここで言うQスイッチングとは
、チタンサファイアを励起し、充分なエネルギーがチタ
ンサファイアに蓄積されるまでEO素子などにより発振
を抑制し、瞬時に発振する状態にスイッチングを行うこ
とにより、単一パルスで大きなエネルギーを持つレーザ
ー光を得る方法を意味する。したがって、スイッチング
速度は500nsec以下が望ましく、さらに、応用さ
れるレーザーは50nsec以下であるため、スイッチ
ング速度も50nsec以下にすることが好ましい。 スイッチング速度が速いほど良好のQスイッチが行われ
る。この際のスイッチングのタイミングが早いと単一パ
ルスが得られず、遅いと充分なエネルギーのレーザー光
が得られない。
素子は、チタンサファイアレーザー共振器内で、充分な
Qスイッチがかけられるものでなくてはならない。即ち
、これら素子により、この共振器内のQ値と呼ばれる値
を、発振しない値と発振する値をとる両方の共振器の状
態を、電気信号などの信号によりそれぞれ区別してとら
せることができ、かつ、それぞれの状態を、発振パルス
幅よりも速く瞬時に切り替える(スイッチングする)こ
とができるものである。ここで言うQスイッチングとは
、チタンサファイアを励起し、充分なエネルギーがチタ
ンサファイアに蓄積されるまでEO素子などにより発振
を抑制し、瞬時に発振する状態にスイッチングを行うこ
とにより、単一パルスで大きなエネルギーを持つレーザ
ー光を得る方法を意味する。したがって、スイッチング
速度は500nsec以下が望ましく、さらに、応用さ
れるレーザーは50nsec以下であるため、スイッチ
ング速度も50nsec以下にすることが好ましい。 スイッチング速度が速いほど良好のQスイッチが行われ
る。この際のスイッチングのタイミングが早いと単一パ
ルスが得られず、遅いと充分なエネルギーのレーザー光
が得られない。
【0012】モード同期の場合このスイッチングを高い
周波数で繰り返し行わなければならないが、Qスイッチ
ングの場合充分なエネルギー蓄積が行われた時の最低1
回でよい。また、スイッチングが行われるタイミングは
数μsecずれても発振するレーザー時間波形に大きな
変動はない。モード同期の場合には最悪でも10pse
cの制御を行う必要がある。
周波数で繰り返し行わなければならないが、Qスイッチ
ングの場合充分なエネルギー蓄積が行われた時の最低1
回でよい。また、スイッチングが行われるタイミングは
数μsecずれても発振するレーザー時間波形に大きな
変動はない。モード同期の場合には最悪でも10pse
cの制御を行う必要がある。
【0013】本発明の装置の構成を図面に示した一実施
態様により説明する。
態様により説明する。
【0014】図1は、EO素子であるポッケルスセルと
波長選択用のフィルタを発振器内に配置した装置の一実
施態様の概略図である。図中6は、両端面を無反射(A
R)コートしたポッケルスセル、4はチタンサファイア
のロッド、8はチタンサファイアを励起するネオジムY
AGレーザー(第2高調波出力)あるいはアルゴンイオ
ンレーザーなどの励起光源、1、2は共振器を構成する
ミラー、5は波長選択素子である複屈折フィルタである
。
波長選択用のフィルタを発振器内に配置した装置の一実
施態様の概略図である。図中6は、両端面を無反射(A
R)コートしたポッケルスセル、4はチタンサファイア
のロッド、8はチタンサファイアを励起するネオジムY
AGレーザー(第2高調波出力)あるいはアルゴンイオ
ンレーザーなどの励起光源、1、2は共振器を構成する
ミラー、5は波長選択素子である複屈折フィルタである
。
【0015】本発明の構成は、上記したものに限定され
るものではなく、例えば、本発明で用いるQスイッチ素
子は圧電材料を用いたAO素子でもよい。Qスイッチ素
子としてポッケルスセルを用いる場合、例えば、電圧を
かけた状態で発振しない状態、同じくかけない状態で発
振する状態にする。スイッチング速度は、その共振器構
成によって異なるが、例えば、図1の実施態様の場合、
500nsec以下であればよい。この場合、スイッチ
ング速度が速いほど発振パルス幅は短くなる。
るものではなく、例えば、本発明で用いるQスイッチ素
子は圧電材料を用いたAO素子でもよい。Qスイッチ素
子としてポッケルスセルを用いる場合、例えば、電圧を
かけた状態で発振しない状態、同じくかけない状態で発
振する状態にする。スイッチング速度は、その共振器構
成によって異なるが、例えば、図1の実施態様の場合、
500nsec以下であればよい。この場合、スイッチ
ング速度が速いほど発振パルス幅は短くなる。
【0016】本発明でこれらを配置する位置は、共振器
内で、発振するレーザー光が少なくとも一度通過する位
置、例えば、レーザー媒体とミラーとの間などである。 Qスイッチ素子は励起光の通過する位置に置かないほう
が望ましい。
内で、発振するレーザー光が少なくとも一度通過する位
置、例えば、レーザー媒体とミラーとの間などである。 Qスイッチ素子は励起光の通過する位置に置かないほう
が望ましい。
【0017】本発明の構成は、縦励起型共振器、すなわ
ち、発生するレーザー光の光軸方向よりレーザー媒体に
光を照射し励起光源とする構成である。縦励起は横励起
に比べ、照射された光の大部分のエネルギーを増幅する
励起原子を誘発させるために使うことができる。このた
め縦励起型レーザー発振器は、横励起型より光エネルギ
ーの変換効率が高くなる。
ち、発生するレーザー光の光軸方向よりレーザー媒体に
光を照射し励起光源とする構成である。縦励起は横励起
に比べ、照射された光の大部分のエネルギーを増幅する
励起原子を誘発させるために使うことができる。このた
め縦励起型レーザー発振器は、横励起型より光エネルギ
ーの変換効率が高くなる。
【0018】励起光源の発光波長は特に400〜600
nmであることがチタンサファイアレーザー媒体には望
ましい。用いられる光源は例えば、アルゴンイオンレー
ザー、ネオジム添加の固体レーザーの第2高調波(特に
、ネオジムYAGレーザーの第2高調波)、金属蒸気レ
ーザー(特に、銅蒸気レーザー)、半導体レーザー、半
導体レーザーの第2高調波、その他のレーザーのパラメ
トリック発振光、がある。励起光源の入力エネルギーは
、最低Qスイッチをかけない場合のレーザー発振しきい
値でよいが、効率の良いQスイッチのためにはそのしき
い値の10倍以上が好ましい。
nmであることがチタンサファイアレーザー媒体には望
ましい。用いられる光源は例えば、アルゴンイオンレー
ザー、ネオジム添加の固体レーザーの第2高調波(特に
、ネオジムYAGレーザーの第2高調波)、金属蒸気レ
ーザー(特に、銅蒸気レーザー)、半導体レーザー、半
導体レーザーの第2高調波、その他のレーザーのパラメ
トリック発振光、がある。励起光源の入力エネルギーは
、最低Qスイッチをかけない場合のレーザー発振しきい
値でよいが、効率の良いQスイッチのためにはそのしき
い値の10倍以上が好ましい。
【0019】本発明に非連続発光の励起光源を用いる場
合、そのパルス時間幅は発振レーザーのパルス時間幅よ
りも長いことが望ましく、半値全幅で500nsec以
上が望ましい。これより短いと発振を抑制しなくとも最
も励起エネルギーが蓄積される状態までレーザー発振が
起こらないため、Qスイッチングを行う必要がない。 又、パルス時間幅をいくら長くしても、Qスイッチング
を行うことはできる。しかしながら、エネルギー蓄積時
間tが長いほど蓄積エネルギー量の励起光吸収に対する
効率が悪くなる。この効率ηはチタンサファイアの励起
寿命をTとすると次式で与えられる。
合、そのパルス時間幅は発振レーザーのパルス時間幅よ
りも長いことが望ましく、半値全幅で500nsec以
上が望ましい。これより短いと発振を抑制しなくとも最
も励起エネルギーが蓄積される状態までレーザー発振が
起こらないため、Qスイッチングを行う必要がない。 又、パルス時間幅をいくら長くしても、Qスイッチング
を行うことはできる。しかしながら、エネルギー蓄積時
間tが長いほど蓄積エネルギー量の励起光吸収に対する
効率が悪くなる。この効率ηはチタンサファイアの励起
寿命をTとすると次式で与えられる。
【0020】η=T/t{1−exp(−t/T)}こ
のことから、例えば、10%以上のエネルギー蓄積を行
うならば、30μsec以下のパルス光源であることが
望まれる。
のことから、例えば、10%以上のエネルギー蓄積を行
うならば、30μsec以下のパルス光源であることが
望まれる。
【0021】連続発光励起光源の場合、効率を上げるた
めに、レーザー発生直後に、再び発振を抑制して30μ
sec以下に1回のスイッチングの繰り返しでQスイッ
チを行うと良い。この場合、繰り返し周波数を3.3M
Hz以上にとると、再現性の良い、安定性の高い、きれ
いな形状の、単一パルスレーザー光、を得ることができ
る。この時、光損失が小さいときの時間を10nsec
以上1μsec以下に、大きいときの時間を500ns
ec以上30μsec以下に、することが望ましい。こ
の繰り返しQスイッチ信号を正確に入力するほど、より
安定性の高いパルスレーザーが得られる。
めに、レーザー発生直後に、再び発振を抑制して30μ
sec以下に1回のスイッチングの繰り返しでQスイッ
チを行うと良い。この場合、繰り返し周波数を3.3M
Hz以上にとると、再現性の良い、安定性の高い、きれ
いな形状の、単一パルスレーザー光、を得ることができ
る。この時、光損失が小さいときの時間を10nsec
以上1μsec以下に、大きいときの時間を500ns
ec以上30μsec以下に、することが望ましい。こ
の繰り返しQスイッチ信号を正確に入力するほど、より
安定性の高いパルスレーザーが得られる。
【0022】本発明で、その他の構成は通常の発振器の
構成と同じで良い。
構成と同じで良い。
【0023】
【発明の効果】本発明は、安定した短い単一パルスの発
振が可能で、光エネルギーの変換効率が高い、得られる
レーザー光の尖頭出力(ピークパワー)の大きい、波長
可変のレーザー発振器である。また、発振器構成が簡素
で、従来より調整が簡便である。さらに安全性が高い。
振が可能で、光エネルギーの変換効率が高い、得られる
レーザー光の尖頭出力(ピークパワー)の大きい、波長
可変のレーザー発振器である。また、発振器構成が簡素
で、従来より調整が簡便である。さらに安全性が高い。
【0024】
【実施例】次に実施例で本発明を更に説明する。
【0025】
【実施例1】図1に示した構成のレーザー発振器を製作
した。チタンサファイアのチタン添加量は0.1wt%
、そのロッド長は50mm、出力側のミラーの透過率は
2〜20%、励起用のレーザーはネオジムYAGレーザ
ーの第2高調波で、その1パルスあたりの光エネルギー
は3mJ、そのパルス幅は1μsecであった。ポッケ
ルスセル電圧3〜4kVで発振は停止した。スイッチン
グ時間50nsec以下、スイッチングのタイミングを
励起レーザーの照射から0.1〜5μsec後にした結
果、最適なタイミングで、比較例1と比べ、ピークパワ
ーが約5〜20倍の単一パルス光が得られた。この時の
パルス時間幅は20〜100nsec、1パルスレーザ
ー光エネルギーは5〜20μJであった。又、この時の
可変波長域は730〜890nmで、レーザー発振器に
用いたミラーの有効な波長域に限定されたものであった
。光エネルギー変換効率は0.2〜0.7%であった。
した。チタンサファイアのチタン添加量は0.1wt%
、そのロッド長は50mm、出力側のミラーの透過率は
2〜20%、励起用のレーザーはネオジムYAGレーザ
ーの第2高調波で、その1パルスあたりの光エネルギー
は3mJ、そのパルス幅は1μsecであった。ポッケ
ルスセル電圧3〜4kVで発振は停止した。スイッチン
グ時間50nsec以下、スイッチングのタイミングを
励起レーザーの照射から0.1〜5μsec後にした結
果、最適なタイミングで、比較例1と比べ、ピークパワ
ーが約5〜20倍の単一パルス光が得られた。この時の
パルス時間幅は20〜100nsec、1パルスレーザ
ー光エネルギーは5〜20μJであった。又、この時の
可変波長域は730〜890nmで、レーザー発振器に
用いたミラーの有効な波長域に限定されたものであった
。光エネルギー変換効率は0.2〜0.7%であった。
【0026】
【実施例2】図1に示した構成のレーザー発振器で、励
起用のレーザーを出力10Wの連続発振のアルゴンイオ
ンレーザーに変え、その他の条件は実施例1と同様にし
て試験した。Qスイッチ素子の光損失が小さい時間を3
μsecで、スイッチングの繰返し周波数を4〜50M
Hzにした結果、どの周波数でも、比較例1と比べ、ほ
ぼピークパワーが約2〜10倍の単一パルス光が得られ
た。この時、パルス時間幅は30〜200nsec、1
パルスレーザー光強度の変動は0.5%以下であった。 又、この時の可変波長域は750〜870nmであった
。光エネルギー変換効率は0.05〜0.6%であった
。
起用のレーザーを出力10Wの連続発振のアルゴンイオ
ンレーザーに変え、その他の条件は実施例1と同様にし
て試験した。Qスイッチ素子の光損失が小さい時間を3
μsecで、スイッチングの繰返し周波数を4〜50M
Hzにした結果、どの周波数でも、比較例1と比べ、ほ
ぼピークパワーが約2〜10倍の単一パルス光が得られ
た。この時、パルス時間幅は30〜200nsec、1
パルスレーザー光強度の変動は0.5%以下であった。 又、この時の可変波長域は750〜870nmであった
。光エネルギー変換効率は0.05〜0.6%であった
。
【0027】
【比較例1】図1に示した構成のレーザー発振器で、Q
スイッチをかけない以外は実施例1および2と同様の条
件で試験した。
スイッチをかけない以外は実施例1および2と同様の条
件で試験した。
【0028】実施例1の条件では、チタンサファイアレ
ーザーパルスは、2〜5本のパルス列を有するパルス時
間波形となっており、ピークパワー50〜300W、パ
ルス時間幅100〜300nsec(1本)、1パルス
エネルギー5〜50μJ、可変波長域730〜890n
mであった。
ーザーパルスは、2〜5本のパルス列を有するパルス時
間波形となっており、ピークパワー50〜300W、パ
ルス時間幅100〜300nsec(1本)、1パルス
エネルギー5〜50μJ、可変波長域730〜890n
mであった。
【0029】実施例2の条件では、チタンサファイアレ
ーザーは連続発振となり、出力100〜300mW、波
長可変域730〜890nmであった。
ーザーは連続発振となり、出力100〜300mW、波
長可変域730〜890nmであった。
【0030】
【比較例2】図2に示した構成のレーザー発振器を製作
した。これは連続発振のレーザーにより励起されたチタ
ンサファイアレーザーでモード同期を行う構成である。 図中9は連続発振のアルゴンイオンレーザー、4はチタ
ンサファイア(チタン0.1%添加)のロッド、10は
AOモードロッカー、1〜3は発振器を構成するミラー
、5は複屈折フィルタである。このレーザー発振器にお
いて、10Wのアルゴンイオンレーザーを発振させ、チ
タンサファイアを励起し、AOモードロッカーを駆動さ
せて試験した。AOモードロッカーの駆動周波数は50
〜200MHzであったが、モードロックが作動する周
波数は、共振器の微調整によって変化し、又、1%以下
の精度で周波数制御を行わなければならなかった。試験
の結果、波長可変域730〜920nm、平均出力10
0〜200mW、1パルス出力1nJ程度、のレーザー
光を得た。パルス幅、ピークパワーはそれぞれ1〜2p
sec、3〜5kWであった。
した。これは連続発振のレーザーにより励起されたチタ
ンサファイアレーザーでモード同期を行う構成である。 図中9は連続発振のアルゴンイオンレーザー、4はチタ
ンサファイア(チタン0.1%添加)のロッド、10は
AOモードロッカー、1〜3は発振器を構成するミラー
、5は複屈折フィルタである。このレーザー発振器にお
いて、10Wのアルゴンイオンレーザーを発振させ、チ
タンサファイアを励起し、AOモードロッカーを駆動さ
せて試験した。AOモードロッカーの駆動周波数は50
〜200MHzであったが、モードロックが作動する周
波数は、共振器の微調整によって変化し、又、1%以下
の精度で周波数制御を行わなければならなかった。試験
の結果、波長可変域730〜920nm、平均出力10
0〜200mW、1パルス出力1nJ程度、のレーザー
光を得た。パルス幅、ピークパワーはそれぞれ1〜2p
sec、3〜5kWであった。
【0031】
【比較例3】図3に示した構成のレーザー発振器を製作
した。これは横励起共振器にQスイッチをかけた例であ
る。チタンサファイアのチタン添加量は0.1wt%、
そのロッド長は50mm、出力側のミラーの透過率は2
〜20%、フラッシュランプへの投入エネルギーは20
0J、そのパルス幅は8μsecとした。ポッケルスセ
ル電圧3〜4kVで発振は停止した。スイッチング時間
50nsec以下、スイッチングのタイミングをフラッ
シュランプの電流立上がりから1〜5μsec後にした
結果、最適なタイミングで、Qスイッチをかけない場合
と比較してピークパワーが約5〜20倍(3〜20kW
)の単一パルス光が得られた。この時のパルス時間幅は
20〜100nsec、レーザー光出力強度は10〜1
50mJであった。光エネルギー変換効率は推量で良く
見積もって0.2%である。又、この時の可変波長域は
730〜920nmであった。
した。これは横励起共振器にQスイッチをかけた例であ
る。チタンサファイアのチタン添加量は0.1wt%、
そのロッド長は50mm、出力側のミラーの透過率は2
〜20%、フラッシュランプへの投入エネルギーは20
0J、そのパルス幅は8μsecとした。ポッケルスセ
ル電圧3〜4kVで発振は停止した。スイッチング時間
50nsec以下、スイッチングのタイミングをフラッ
シュランプの電流立上がりから1〜5μsec後にした
結果、最適なタイミングで、Qスイッチをかけない場合
と比較してピークパワーが約5〜20倍(3〜20kW
)の単一パルス光が得られた。この時のパルス時間幅は
20〜100nsec、レーザー光出力強度は10〜1
50mJであった。光エネルギー変換効率は推量で良く
見積もって0.2%である。又、この時の可変波長域は
730〜920nmであった。
【図1】本発明の一実施態様のチタンサファイアレーザ
ー発振器の概略図。
ー発振器の概略図。
【図2】強制モード同期の機構を併置したチタンサファ
イアレーザー発振器の概略図。
イアレーザー発振器の概略図。
【図3】フラッシュランプを励起源としたチタンサファ
イアレーザー発振器の概略図。
イアレーザー発振器の概略図。
1:発振器を構成するミラー
2:発振器を構成するミラー
3:発振器を構成するミラー
4:チタンサファイアのロッド
5:複屈折フィルタ
6:ポッケルスセル
7:偏光子
8:チタンサファイアを励起するレーザー源9:チタン
サファイアを励起する連続発振レーザー源10:AOモ
ードロッカー
サファイアを励起する連続発振レーザー源10:AOモ
ードロッカー
Claims (2)
- 【請求項1】チタンを添加したサファイアをレーザー媒
体とし、発生するレーザー光の光軸方向より該レーザー
媒体に光を照射し励起するレーザー発振器において、共
振器内でQスイッチをかける機構を併置したことを特徴
とする波長可変のパルスレーザー発振器。 - 【請求項2】スイッチング速度が500nsec以下の
Qスイッチである請求項1記載のパルスレーザー発振器
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3148210A JPH04346484A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | パルスレーザー発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3148210A JPH04346484A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | パルスレーザー発振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04346484A true JPH04346484A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=15447734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3148210A Pending JPH04346484A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | パルスレーザー発振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04346484A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001352118A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Cyber Laser Kk | 光源装置および同光源装置を使用したレーザ装置 |
JP2003332657A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Megaopto Co Ltd | レーザーシステム |
JP2007081065A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Sunx Ltd | レーザ装置、レーザ加工装置及び測定装置 |
CN109149348A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-01-04 | 云南大学 | 一种可调谐高能单脉冲双半高斯空心激光器 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3148210A patent/JPH04346484A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001352118A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Cyber Laser Kk | 光源装置および同光源装置を使用したレーザ装置 |
JP2003332657A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Megaopto Co Ltd | レーザーシステム |
JP2007081065A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Sunx Ltd | レーザ装置、レーザ加工装置及び測定装置 |
CN109149348A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-01-04 | 云南大学 | 一种可调谐高能单脉冲双半高斯空心激光器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4370251B2 (ja) | モードロック型レーザのオシレータ起動制御のための方法および装置 | |
US5287380A (en) | Method and apparatus for generating long output pulses from flashlamp-excited lasers | |
US20070189342A1 (en) | Suppression of mode-beating noise in a q-switched pulsed laser using novel q-switch device and applications | |
KR20000069013A (ko) | 광원장치 | |
Ferguson et al. | A subpicosecond dye laser directly pumped by a mode‐locked argon laser | |
US5218609A (en) | Solid laser oscillator | |
US3978429A (en) | Mode-locked laser | |
JPH04346484A (ja) | パルスレーザー発振器 | |
KR102230744B1 (ko) | 레이저 발생 장치 | |
US6546027B1 (en) | Laser saturable absorber and passive negative feedback elements, and method of producing energy output therefrom | |
JP2001308426A (ja) | パルスレーザ発振方法及び発振装置 | |
JPH04242984A (ja) | 固体レーザー発振器 | |
JP3131079B2 (ja) | Qスイッチco2レーザ装置 | |
Wright et al. | Principles of lasers | |
Weston et al. | Ultrashort pulse active/passive mode-locked Nd: YLF laser | |
Balle et al. | Self-pulsing and instabilities in a unidirectional ring dye laser with intracavity frequency shift | |
Szabo | Repetitive self‐Q‐switching in a continuously pumped ruby laser | |
JPH06310795A (ja) | Co2レーザのqスイッチ方法 | |
JPH0653577A (ja) | 波長可変固体レーザ発振装置 | |
JP3445390B2 (ja) | マーキング加工装置 | |
Alcock et al. | Generation of 50 ps 308 nm pulses by means of truncated stimulated brillouin scattering | |
JP2001358394A (ja) | Qスイッチ固体レーザ発振方法及びその装置 | |
US7177338B2 (en) | Diode-pumped solid-state laser having a thermal lens inside the resonator | |
Koechner et al. | Mode locking | |
Selfridge et al. | Synchronously pumped double mode-locking of a rhodamine 6G-Cresyl violet mixture |