JP2001356335A

JP2001356335A - 液晶表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2001356335A
Application number: JP2000174126A
Authority: JP
Inventors: Satoru Kishimoto; 覚岸本; Kazuhiko Tsuda; 和彦津田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-06-09
Filing date: 2000-06-09
Publication date: 2001-12-26

Abstract

(57)【要約】【課題】繰り返し露光における境界部分を目立たなく
させ、面内均一の凹凸形状を形成して良好な反射特性を
実現できる、画素電極の少なくとも一部に反射機能を備
えた液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１フォトマスク１０３（１回目の露光
領域）の右端部領域１０３ｂと、第２フォトマスク１０
４（２回目の露光領域）の左端部領域１０４ａとの設置
領域は互いに重なり合う。この重ね合わせ領域１０２に
おいて、１回目と２回目との両方の露光時に露光される
領域が存在しないように、すなわち、重ね合わせ領域１
０２において、円形パターン（透光部１０３ｆ，１０４
ｆ）が重なる領域が存在しないように、透光部１０３
ｆ、１０４ｆが配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画素電極の少なく
とも一部に反射機能が設けられている、液晶表示装置の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータ等のＯＡ
（Office Automation)機器のポータブル化が進み、表示
装置の低コスト化が重要な課題となってきている。該表
示装置は、電極が各々形成された一対の基板間に電気光
学特性を有する表示媒体が挟持され、該電極間に電圧を
印加することにより表示を行う構成である。このような
表示媒体としては、液晶、エレクトロルミネッセンス、
プラズマ、エレクトロクロミック等が使用されている。
特に、表示媒体として液晶を用いた液晶表示装置（ＬＣ
Ｄ：Liquid Crystal Display）は、低消費電力で表示が
可能であるため、現在最も実用化が進んでいる表示装置
であるといえる。

【０００３】上記液晶表示装置の表示モードおよび駆動
方法について考えると、超捩れネマティック（ＳＴＮ：
Super Twisted Nematic ）をはじめとする単純マトリク
ス方式は、最も低コスト化を実現できるものであるとい
える。しかし、今後、情報のマルチメディア化が進むに
つれ、ディスプレイの高解像度化、高コントラスト化、
多階調（マルチカラー、フルカラー）化、および広視野
角化が要求されるようになるため、単純マトリクス方式
では対応が困難であると考えられる。

【０００４】そこで、個々の画素にスイッチング素子
（アクティブ素子）を設けて、駆動可能な走査線の本数
を増加させるアクティブマトリクス方式が提案されてい
る。この技術により、表示装置の高解像度化、高コント
ラスト化、多階調化、および広視野角化が達成されつつ
ある。

【０００５】上記アクティブマトリクス方式の液晶表示
装置は、マトリクス状に設けられた画素電極と、該画素
電極の近傍を通る走査線とが、アクティブ素子を介して
電気的に接続された構成となっている。該アクティブ素
子としては、２端子の非線形素子、あるいは３端子の非
線形素子がある。現在、広く採用されているアクティブ
素子は、３端子素子の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin
Film Transistor）である。

【０００６】さらに、近年では、より低消費電力化の要
求が高まっているため、通常バックライトを必要とする
透過型液晶表示装置に代わり、反射型液晶表示装置の開
発が盛んに行われている。

【０００７】反射型液晶表示装置として明るい表示を得
るためには、あらゆる角度からの入射光に対し、表示画
面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加させることが
必要である。そのためには、最適な反射特性を有する反
射板の作製が必要となる。そこで、ガラス等からなる基
板上に、最適な反射特性を有するように制御された微細
な凹凸を形成し、その上に銀等の薄膜を形成した反射板
を形成する必要がある。

【０００８】特開平５−３２３３７１号公報に開示され
ている反射型液晶表示装置の製造方法では、まず基板上
に感光性樹脂が塗布され、次に円形の遮光領域が配列さ
れた遮光手段を介して上記感光性樹脂が露光および現像
される。その後、熱処理を行うことにより複数の凸部が
形成されて、該凸部上に金属薄膜からなる反射層（反射
板）が形成される。また、反射板を外側に形成する構成
では、ガラス基板の厚みの影響による二重映りの発生が
問題となる。これに対し、上記公報に開示されている反
射型液晶表示装置は、反射板を内部に形成して画素電極
を兼ねる構造とすることで、この二重映りの問題を解決
している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の反射型液晶表示装置において明るい表示を得るため
に、あらゆる角度からの入射光に対して、表示画面に垂
直な方向に散乱する光の強度を増加させるような、最適
な反射特性を有する反射板を形成するためには、制御さ
れた凹凸形状を再現性良く、均一に形成する必要があ
る。

【００１０】上記凹凸形状は、円形のものがランダムに
配置されて形成されており、その直径は１μｍ〜３０μ
ｍである。また、各凹凸が互いに隣接する間隔も、１μ
ｍ〜３０μｍと非常に微小であることから、高精細なフ
ォトリソグラフィーが要求される。従って、大面積に精
度良く上記のような凹凸形状を形成するために、大型一
括露光機やステッパ露光機等を用いて露光を行うことが
一般的である。

【００１１】大型一括露光機では、一度に広い面積を露
光することはできるが、光線の照射強度や平行度のバラ
ツキが大きいという問題がある。従って、大型一括露光
機で凹凸形状を有する反射板を形成した場合、計画どお
りの凹凸形状が形成できないため、明るさが画面全体で
一様にならない。すなわち、中央付近が明るく、周辺部
は暗い反射特性になる場合があり、良好な表示品位を得
ることができない。

【００１２】一方、ステッパ露光機は、レンズ系で光源
光を平行光に近づけることができる装置であるため、大
型一括露光機よりも明るさが面内で均一となる。しか
し、一度に露光できる領域が最大で対角６インチ程度で
あるため、これ以上の面積に対して露光する場合は、数
ショットに分けて繰り返し露光を行わなければならな
い。このような繰り返し露光を行う場合、互いに隣接す
る領域の境界部分を、下層に配されているゲート配線に
位置合わせして、目立たなくする必要がある。この位置
合わせが不十分の場合は表示品位が低下するため、さら
に高度な位置合わせ精度が要求される。このため、プロ
セスマージンの低下を招来することになる。

【００１３】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
ので、繰り返し露光において境界部分を目立たなくさ
せ、面内均一の凹凸形状を形成して良好な反射特性を実
現できる、画素電極の少なくとも一部に反射機能を備え
た液晶表示装置の製造方法を提供することを課題とす
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟
持する一対の基板のうち少なくとも一方が透光性を有す
る透光性基板であり、他方の基板に設けられた下層電極
上に、表面に凹凸形状を有する層間絶縁膜を介して反射
電極が設けられている液晶表示装置の製造方法におい
て、感光性を有するマスタ形成用絶縁膜を、複数に分割
した分割領域毎に凹凸形成用遮光手段を用いて露光する
ことにより、凹凸形成用マスタを作製する第１の工程
と、上記凹凸形成用マスタを用いて、表面に凹凸形状を
有するドライフィルムレジストを作製する第２の工程
と、上記ドライフィルムレジストを用いて、上記他方の
基板上に上記層間絶縁膜を形成する第３の工程と、上記
層間絶縁膜を所定の形状にパターニングし、上記下層電
極の位置に合わせてコンタクトホールを形成する第４の
工程と、上記層間絶縁膜上に、上記コンタクトホールを
介して上記下層電極と接続される上記反射電極を形成す
る第５の工程とを含み、さらに、上記第１の工程で行わ
れる露光では、互いに隣接する分割領域の境界部に重ね
合わせ領域が設けられており、上記凹凸形成用遮光手段
には、異なる露光時に上記重ね合わせ領域の同位置を露
光しないように透光部が配置されていることを特徴とし
ている。

【００１５】上記の方法によれば、画素電極および反射
板としての機能を兼ね備える反射電極と基板上の下層電
極との間に、層間絶縁膜が形成されるＰＯＰ（Pixel on
Pa-ssivation ）構造の液晶表示装置を形成する際、こ
の層間絶縁膜をドライフィルムレジストを用いて形成す
ることで、上記基板内における膜厚分布が非常に小さ
く、また膜厚の厚い層間絶縁膜を、容易に形成すること
が可能となる。これは、ドライフィルムレジストに予め
形成された、均一で所望の膜厚である、層間絶縁膜形成
用の膜を用いて、層間絶縁膜を形成するためである。

【００１６】さらに、例えば、従来のスピンコータによ
る層間絶縁膜の形成方法では、初回に滴下した材料の大
半が遠心力で基板外に飛び散るために、実際に背面基板
上に残る材料はごく僅かとなってしまうが、本発明の方
法のようにドライフィルムレジストを用いて形成するこ
とで、このような材料の無駄を省いて、コストの増加を
抑制することができる。

【００１７】さらに、上記反射電極に光拡散性を持たせ
るための凹凸形状を形成する際に、該反射電極の下地と
なる層間絶縁膜の表面に凹凸形状を形成するのだが、本
発明の方法のように、表面に凹凸形状を有する層間絶縁
膜をドライフィルムレジストを用いて形成することによ
り、層間絶縁膜の膜厚に関係なく、再現性（安定性）良
く形成された凹凸形状を有する層間絶縁膜を形成するこ
とができる。

【００１８】これにより、セル厚のムラによる表示不良
を抑制し、かつ層間絶縁膜の厚膜化と安定性の良い凹凸
形状を同時に実現して、安定した光拡散性を有する反射
電極を備えた液晶表示装置を製造することができる。

【００１９】また、上記ドライフィルムレジストを作製
する際に使用する凹凸形成用マスタには、複数に分割し
た領域毎に露光が行われて凹凸形状が形成され、且つ、
互いに隣接する分割領域の境界部には重ね合わせ領域が
設けられている。さらに、上記凹凸形成用遮光手段に
は、異なる露光時に、上記重ね合わせ領域における同位
置を露光しないように、透光部が配置されている。それ
ゆえ、数ショットに分けて繰り返し露光を行っても、上
記重ね合わせ領域で２重露光が行われる部分が生じな
い。従って、互いに隣接する分割領域の境界部分に溝な
どが形成されて目立つことはなく、凹凸形成用マスタの
全面に、均一な凹凸形状を形成することができる。

【００２０】これにより、上記凹凸形成用マスタを利用
して形成される層間絶縁膜の全面に、均一な凹凸形状を
形成することができる。よって、繰り返し露光における
境界領域とゲート配線やソース配線などの配線パターン
との位置合わせを行う必要がなくなるので、位置合わせ
精度が緩和されてプロセスマージンが大きくなり、結
果、良品率の向上につながる。

【００２１】また、上記液晶表示装置の製造方法におい
て、上記凹凸形成用遮光手段が、上記重ね合わせ領域に
対応する位置に透光部を有さないようにすることも可能
である。

【００２２】上記の方法によれば、重ね合わせ領域には
凹凸形状が形成されないことになる。しかし、例えば、
重ね合わせ領域の幅が狭い（約６μｍ以下）場合は、重
ね合わせ領域に凹凸形状が形成されない凹凸形成用マス
タを用いて層間絶縁膜の凹凸形状を形成したとしても、
基板全体の凹凸パターンとしては無視することができ
る。すなわち、重ね合わせ領域の幅が小さい場合は、凹
凸形状が形成されなくても、特に反射特性に影響を及ぼ
さない。よって、重ね合わせ領域の幅が小さい時には、
上記のような凹凸形成用遮光手段を用いることで、遮光
手段自体の設計を簡略化することができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の第１の
実施の形態について図１ないし図７に基づいて説明すれ
ば、以下のとおりである。

【００２４】図２（ａ），（ｂ）は、本実施の形態に係
る液晶表示装置の製造方法にて作製した反射型液晶表示
装置の構成を示している。図２（ａ）は、該反射型液晶
表示装置における画素基板の一画素分周辺の構成を示す
平面図である。また、図２（ｂ）は、上記反射型液晶表
示装置を図２（ａ）に示すＡ−Ａで切断した断面図であ
る。以下に、図２（ａ），（ｂ）に基づき、上記反射型
液晶表示装置の構成について説明する。

【００２５】上記反射型液晶表示装置は、反射板および
画素電極の機能を兼ね備えた反射電極８が形成された画
素基板１と、該画素基板１に対向配置された対向基板２
と、画素基板１と対向基板２とに挟持された液晶層３と
により構成されている。また、画素基板１および対向基
板２における液晶層３配置側の表面には、配向膜１５が
それぞれ形成されている。

【００２６】まず、画素基板１の構成について説明す
る。ガラス基板（絶縁性基板）４上に、複数のゲート配
線５が互いに平行に形成されており、該ゲート配線５か
らは、一画素毎にゲート電極５ａが分岐している。ま
た、ソース配線６は、後述するゲート絶縁膜１０を介
し、上記ゲート配線５と交差するように配されている。
また、該ソース配線６からは、一画素毎にソース電極６
ａが分岐している。尚、上記ゲート絶縁膜１０とは、上
記ゲート配線５およびゲート電極５ａを覆い、ガラス基
板４上のほぼ全面に設けられている層である。

【００２７】上記ソース電極６ａは、上記ゲート絶縁膜
１０、後述するａ−Ｓｉ層１１、およびコンタクト層で
あるｎ⁺ａ−Ｓｉ層１２ａを介して上記ゲート電極５ａ
の一方の側部に重畳形成されている。また、上記ゲート
電極５ａの他方の側部には、上記ゲート絶縁膜１０、上
記ａ−Ｓｉ層１１、およびコンタクト層であるｎ⁺ａ−
Ｓｉ層１２ｂを介してドレイン電極７が重畳形成されて
いる。尚、上記ａ−Ｓｉ層１１は、ゲート電極５ａの上
方にゲート絶縁膜１０を介して形成されている層であ
る。

【００２８】尚、各画素を選択的に駆動するためのスイ
ッチング素子であるＴＦＴ１４は、上記ゲート電極５
ａ、ゲート絶縁膜１０、ａ−Ｓｉ層１１、ｎ⁺ａ−Ｓｉ
層１２ａ、ｎ⁺ａ−Ｓｉ層１２ｂ、ソース電極６ａ、お
よびドレイン電極７から構成されている。

【００２９】上記ゲート配線５およびソース配線６や、
ＴＦＴ１４等の上には、ポジ型感光性樹脂からなる層間
絶縁膜１３が形成されている。該層間絶縁膜１３上に
は、アルミニウム（Ａｌ）などの金属膜からなる反射電
極８が形成されている。上記層間絶縁膜１３の表面は凹
凸形状となっているため、この凹凸形状が上層の反射電
極８に反映される。すなわち、反射電極８の表面も凹凸
形状となる。さらに、該層間絶縁膜１３は、上記ドレイ
ン電極７から引出されたドレイン電極引出し部（下層電
極）７ａの上部にコンタクトホール９が位置するよう
に、パターン形成されている。該コンタクトホール９を
介して、ドレイン電極引出し部７ａと反射電極８とが電
気的に接続されている。

【００３０】次に、対向基板２は、ガラス基板（透光性
基板）１６上にＩＴＯ等からなる透明電極１７が形成さ
れることにより構成されている。

【００３１】以上のように、本実施の形態に係る液晶表
示装置の製造方法によって作製される反射型液晶表示装
置は、各配線５，６やＴＦＴ１４等が形成されたガラス
基板４と反射電極８との間に層間絶縁膜１３が設けられ
た、ＰＯＰ（Pixel on Pass-ivation ）構造を採用して
いる。従って、単位画素の開口率が高くなり、その分、
明るい表示を実現することができる。

【００３２】本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方
法においては、上記層間絶縁膜１３を形成する際にドラ
イフィルムレジストが用いられる。本製造方法におい
て、層間絶縁膜１３は次のような工程によって形成され
る。

【００３３】（１）凹凸形成用金型（マスタ）の作製（２）ドライフィルムレジストの作製（３）ＴＦＴが形成された基板（後に画素基板１となる
基板）上へのドライフィルムレジストの転写（４）コンタクトホール作製以下に、上記（１）〜（４）の各工程について、詳細に
説明する。

【００３４】（１）凹凸形成用金型（マスタ）の作製図３（ａ）ないし（ｇ）を参照しながら、層間絶縁膜１
３表面の凹凸形状の作製に用いられる、ドライフィルム
レジスト作製用の凹凸形成用金型の製造方法について説
明する。

【００３５】第１工程として、まず、ガラス基板２０上
全面にポジ型の感光性樹脂（レジスト材料）が塗布され
て、感光性樹脂膜（マスタ形成用絶縁膜）２１が形成さ
れる（図３（ａ）参照。）。上記感光性樹脂には、例え
ばＯＦＰＲ−８００（東京応化社製）が用いられ、好ま
しくは５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍでスピンコートに
より塗布される。本実施の形態においては、２０００ｒ
ｐｍで３０秒間、感光性樹脂の塗布を行った。

【００３６】第２工程として、図１（ａ）に示すフォト
マスク（遮光手段）１０１を用いて、上記感光性樹脂膜
２１の全面に同じパターンが形成されるように、数ショ
ットに分けてステッパ露光機にて繰り返し「ハーフ露
光」が行われる（図３（ｂ）参照。）。尚、図３（ｂ）
においては、２回に分けて行われる露光の状態が同時に
示されている。

【００３７】以上のように繰り返し露光を行う際には、
感光性樹脂膜２１上において、各ショット毎の境界部分
が離れて遮光されない領域が生じないように、すなわち
フォトマスク１０１が設置されない無遮光領域が生じな
いようにする必要がある。そこで、各ショット毎の境界
部分においては、フォトマスク１０１が互いに重なり合
う領域（以降、重ね合わせ領域と称する。）１０２が設
けられる。この重ね合わせ領域１０２としては、約０．
１μｍ〜１０μｍ程度が好ましい。

【００３８】本実施の形態に係る製造方法においては、
重ね合わせ領域１０２がそれぞれ８μｍとなるようにフ
ォトマスク１０１を設置して、２０ショットに分けてハ
ーフ露光が行われた。

【００３９】ここで、「ハーフ露光」とは、現像完了時
に、露光された部分の感光性樹脂膜がある程度残るよう
にする、すなわち感光性樹脂膜の下地が露出しないよう
に露光を行うプロセスのことである。このようなハーフ
露光プロセスの露光量としては、３０ｍＪ〜１５０ｍＪ
が好ましい。尚、本実施の形態に係る製造方法において
は、８０ｍＪでハーフ露光を行った。

【００４０】図１（ａ）に示すように、本実施の形態に
おいて使用されるフォトマスク１０１の周端部分（破線
から端部までの領域）には、繰り返し露光時に重ね合わ
せ領域１０２となる、左端部領域１０１ａ、右端部領域
１０１ｂ、上端部領域１０１ｃ、および下端部領域１０
１ｄが設けられている。上述したように、本実施の形態
において、重ね合わせ領域１０２となるこれらの各領域
は８μｍとなっている。また、図中、フォトマスク１０
１においてハッチングが施されている領域が遮光部１０
１ｅであり、ハッチングが施されていない領域が透光部
１０１ｆである。本実施の形態における透光部１０１ｆ
の形状は、直径１０μｍの円形となっている。

【００４１】図１（ｂ）には、上記フォトマスク１０１
を用いて繰り返し露光を行う様子が、模式的に示されて
いる。同図においては、１回目と２回目の露光の様子が
同時に示されているので、区別するために、１回目に使
用されるフォトマスク１０１を第１フォトマスク１０３
とし、２回目に使用されるフォトマスク１０１を第２フ
ォトマスク１０４とする。さらに、第１フォトマスク１
０３および第２フォトマスク１０４において、フォトマ
スク１０１の各領域１０１ａ〜１０１ｆに対応する領域
を、１０３ａ〜１０３ｆ、１０４ａ〜１０４ｆとする。

【００４２】１回目の露光領域（第１フォトマスク１０
３の設置領域）と２回目の露光領域（第２フォトマスク
１０４の設置領域）とは、重ね合わせ領域１０２で重な
り合うように露光される。すなわち、第１フォトマスク
１０３の右端部領域１０３ｂと、第２フォトマスク１０
４の左端部領域１０４ａとの設置領域は、互いに重なり
合う。

【００４３】そこで、本実施の形態においては、重ね合
わせ領域１０２において、１回目と２回目との両方の露
光時に露光される領域が存在しないように、透光部１０
３ｆ、１０４ｆが配置されている。具体的には、重ね合
わせ領域１０２において、１回目の露光時に第１フォト
マスク１０３の透光部１０３ｆが配置される領域には、
２回目の露光時に第２フォトマスク１０４の遮光部１０
４ｅが配置され、かつ、２回目の露光時に第２フォトマ
スク１０４の透光部１０４ｆが配置される領域には、１
回目の露光時に第１のフォトマスク１０３の遮光部１０
３ｅが配置されるように、フォトマスク１０１の遮光部
１０１ｅと透光部１０１ｆとが設けられている。従っ
て、図１（ｂ）に示されているように、重ね合わせ領域
１０２において、円形パターン（透光部１０３ｆ，１０
４ｆ）が重なる領域は存在しない。

【００４４】３回目以降の露光についても同様である。
また、上記には、フォトマスク１０１の左端部領域１０
１ａおよび右端部領域１０１ｂが重ね合わせ領域１０２
となる場合について説明したが、上端部領域１０１ｃお
よび下端部領域１０１ｄが重ね合わせ領域１０２となる
際も同様に、重ね合わせ領域１０２で透光部１０１ｆが
重ならないように、遮光部１０１ｅと透光部１０１ｆと
が配置される。

【００４５】以上のようなフォトマスク１０１を用いて
繰り返し露光を行うことにより、重ね合わせ領域１０２
で２重露光される領域が存在しなくなる。従って、重ね
合わせ領域１０２に対してオーバー露光が行われず、結
果、繰り返し露光の境界部分が目立たないように、凹凸
形状を形成することができる。

【００４６】尚、本方法においては、直径１０μｍの円
形の透光部１０１ｆが設けられたフォトマスク１０１を
用いているが、これに限定されず、直径の相異なる円形
の透光部がランダムに設けられたフォトマスクを用いる
ことも可能である。

【００４７】第３工程では、第２工程で繰り返し露光が
終了した後、感光性樹脂膜２１の露光された部分を現像
し、該感光性樹脂膜２１の表面に円形の凸部２１ａが形
成される（図３（ｃ）参照）。これにより、凹部２１ｂ
はフォトマスク１０１の透光部１０１ｆと同様のパター
ンに形成される。また、数ショットに分けて繰り返し露
光を行った際の境界部分にも同様の凹凸形状が形成され
て、境界部分であることが目立たなくなっている。ま
た、本実施の形態においては、現像液として２．３８％
のＮＭＤ−３（東京応化社製）を用いたが、これに限定
されるものではない。

【００４８】第４工程では熱処理が施されて、凸部２１
ａおよび凹部２１ｂの角が取り除かれた滑らかな凹凸形
状が形成される（図３（ｄ）参照）。熱処理の温度とし
ては１２０℃〜２５０℃が好ましく、本実施の形態で
は、１８０℃で３０分間の熱処理が施された。

【００４９】第５工程では、表面に滑らかな凹凸形状が
形成された感光性樹脂膜２１上に、スパッタ装置を用
い、電鋳用の金属膜としてニッケル（Ｎｉ）を成膜し
て、電鋳用Ｎｉ層２２を形成する（図３（ｅ）参照）。

【００５０】第６工程では、Ｎｉ電鋳（メッキ浴：Ｎｉ
−ＳＯ₄−ＮＨ₄Ｃｌ−Ｈ₃ＢＯ₃、陽極：電解Ｎ
ｉ、）を行い、凹凸形成用金型（マスタ）２３を形成す
る（図３（ｆ）参照）。

【００５１】第７工程として、凹凸形成用金型２３が完
成する（図３（ｇ）参照）。

【００５２】（２）ドライフィルムレジストの作製以上のように作製された凹凸形成用金型２３を原版とし
てドライフィルムレジスト２７を作製する工程を、図４
（ａ）および（ｂ）に基づき説明する。

【００５３】ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）
フィルムなどのベースフィルム２４に凹凸形成用金型２
３の凹凸形状を転写する（図４（ａ）参照）。

【００５４】上記ベースフィルム２４上に、後述する
ドライフィルムレジスト作製方法を用いて、感光性樹脂
膜２５、保護フィルム２６を形成し、ドライフィルムレ
ジスト２７を作製する（図４（ｂ）参照）。

【００５５】以下に、図５（ａ）に基づき、ドライフィ
ルムレジスト作製方法について詳述する。

【００５６】図５（ａ）に示すように、ドライフィルム
レジスト２７は、例えばＰＥＴからなる透明なベースフ
ィルム２４上に、感光性樹脂を、スリットコータ等の塗
工機を用いて感光性樹脂塗布用保護スリット２８から均
一に塗布し、ヒータ２９を用いて１００℃で５分間乾燥
させて感光性樹脂膜２５を形成し、さらに、該感光性樹
脂膜２５の膜面に、ポリエチレンテレフタレートからな
る保護フィルム２６を形成することで、作製することが
できる。尚、上記保護フィルム２６は、感光性樹脂膜２
５に対する外部からの損傷や異物の付着を防止するため
に設けられる層である。

【００５７】このように形成されたドライフィルムレジ
スト２７は、ロール状に巻き取られてロール状ドライフ
ィルムレジスト２７’となる。尚、上記感光性樹脂膜２
５には、特に制限無く公知の材料が使用できるが、アク
リル系の感光性樹脂材料を用いることがより望ましい。

【００５８】（３）ドライフィルムレジストの転写以上のように作製されたドライフィルムレジスト２７
は、ＴＦＴ１４が形成されたガラス基板４（後の画素基
板１となる）上へ転写される。この転写の方法につい
て、図５（ｂ）を参照しながら以下に説明する。

【００５９】上記ドライフィルムレジスト２７は、真空
ラミネータにより、ＴＦＴ１４や下層電極として機能す
るドレイン電極引出し部７ａ等が形成されているガラス
基板４に転写される。上記真空ラミネータの例として
は、アンガーエレクトロニック（ANGER ELECTRONIC）
（ＧＭＢＨ社製）の、VACUUM LAMINATOR TYPE VCL 等が
ある。図５（ｂ）には、上記真空ラミネータを用いて、
ドライフィルムレジスト２７をガラス基板４上に転写す
る様子が模式的に示されている。尚、図５（ｂ）におい
ては、上記ガラス基板４上に形成されているＴＦＴ１４
およびドレイン電極引出し部７ａ等は省略されている。

【００６０】図５（ｂ）中において、転写（加熱・圧
着）ローラ３０とロール状ドライフィルムレジスト２
７’との間には、該ロール状ドライフィルムレジスト２
７’からのドライフィルムレジスト２７の導入領域３１
にて、ドライフィルムレジスト２７にタワミやシワが発
生しないようテンションがかけられている。上記導入領
域３１でのシワやタワミは、ガラス基板４への転写時に
発生する感光性樹脂膜２５（レジスト層となる膜）のム
ラ、気泡のかみ込みとなるため、使用される感光性樹脂
材料、および転写するガラス基板４のサイズに応じ、上
記テンションに対して適時条件出しされる。

【００６１】ガラス基板４付近まで誘導されたドライフ
ィルムレジスト２７は、該ガラス基板４への転写直前に
保護フィルム剥離装置３２により保護フィルム２６が剥
離され、転写ローラ３０によりガラス基板４に感光性樹
脂膜２５が加熱・圧着されて、感光性樹脂膜２５により
層間絶縁膜１３が形成される。尚、剥離された保護フィ
ルム２６は、保護フィルム巻取りローラ３３に巻きとら
れる。また、感光性樹脂膜２５の転写後に残るベースフ
ィルム２４は、ベースフィルム巻取りローラ３４に巻き
取られる。

【００６２】以上の工程を経て、凹凸形状を有する層間
絶縁膜１３が、ＴＦＴ１４等が形成されているガラス基
板４上に形成される。

【００６３】（４）コンタクトホールの作製次に、後の工程で形成する反射電極８と、ドレイン電極
引出し部７ａとを接続するためのコンタクトホール９を
形成する。以下、フォトリソ工程を利用してコンタクト
ホール９を形成する工程について、図６（ａ）ないし
（ｃ）を参照し、説明する。尚、分かりやすくするため
に、ドレイン電極７、ドレイン電極引出し部７ａをガラ
ス基板４上の層として示している。

【００６４】表面に凹凸形状が形成された層間絶縁膜
１３に、図７に示すフォトマスク１０５を用いて、コン
タクトホール９形成用の露光を行う（図６（ａ）参
照）。フォトマスク１０５において、ハッチングが施さ
れていない部分が透光部１０５ａである。

【００６５】現像を行い、層間絶縁膜１３の露光され
た部分を除去してコンタクトホール９を形成する（図６
（ｂ）参照）。

【００６６】反射電極８となる金属薄膜を、真空蒸着
にて２０００Åの膜厚に成膜する（図６（ｃ）参照）。
この金属薄膜（反射電極８）は、コンタクトホール９を
介して、下層のドレイン電極引出し部７ａと接続され
る。この後、該金属薄膜を画素毎にパターニングするこ
とにより、反射電極８が完成する。本実施の形態におい
ては、上記金属薄膜としてアルミニウム（Ａｌ）を用い
たが、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ク
ロム（Ｃｒ）等を用いることも可能である。

【００６７】以上の（１）〜（４）の工程を経て、反射
板と画素電極としての機能を兼ね備えた反射電極８を有
する画素基板１が完成する。

【００６８】上記画素基板１と貼り合わされる対向基板
２において、透光性基板１６上に形成される透明電極１
７は、膜厚１０００ÅのＩＴＯ膜にて形成される。ま
た、画素基板１上および対向基板２上それぞれに形成さ
れる配向膜１５は、塗布されたポリイミド等をその後焼
成することにより形成される。

【００６９】次に、画素基板１と対向基板２とを貼り合
わせる。まず、液晶層３の間隔を面内で一定に保つため
のスペーサとして、プラスチックビーズ（図２（ｂ）に
は示されていない。）が散布される。次に、液晶封止層
（図２（ｂ）には示されていない。）としてグラスファ
イバースペーサが混入された接着性シール材を、スクリ
ーン印刷することにより形成し、その後、両基板１，２
を貼り合わせる。２枚の基板間の真空脱気により液晶を
注入して液晶層３を形成し、反射型液晶表示装置が作製
される。

【００７０】上記した、（１）凹凸形成用金型の作製の
第２工程において説明したように、本実施の形態に係る
液晶表示装置の製造方法では、ステッパ露光機を用いた
繰り返し露光にて凹凸形成用金型２３が作製される。こ
の際、各ショット毎の境界部分において、フォトマスク
１０１が互いに重なり合う領域が重ね合わせ領域１０２
として設けられ、さらに、このフォトマスク１０１は、
重ね合わせ領域１０２において２重露光が行われないよ
うに遮光部１０１ｅと透光部１０１ｆとが配置されてい
る。従って、数ショットに分けて繰り返し露光を行って
も、境界部分に溝などが形成されて目立つことはなく、
凹凸形成用金型２３の全面に均一な凹凸形状を形成する
ことができる。

【００７１】これにより、上記凹凸形成用金型２３を利
用して形成される層間絶縁膜１３の全面に、均一な凹凸
形状を形成することができる。よって、繰り返し露光に
おける境界領域とゲート配線５やソース配線６などの配
線パターンとの位置合わせを行う必要がなくなる。よっ
て、位置合わせ精度が緩和されてプロセスマージンが大
きくなり、この結果、良品率が向上する。

【００７２】さらに、本実施の形態に係る液晶表示装置
の製造方法においては、層間絶縁膜１３をドライフィル
ムレジスト２７を用いて形成する。このように、層間絶
縁膜１３を形成する際にドライフィルムレジスト２７を
用いる利点としては、スピンコータを用いる場合よりも
部材のコストメリットがあるのは当然として（スピンコ
ータでは、基板上に初回に滴下したレジスト等の大半が
遠心力で基板外に飛ぶために、実際に基板上に残るレジ
ストは僅かとなってしまう。）、膜厚の均一性が良いこ
とが挙げられる。

【００７３】たしかに、ベースフィルム２４上に塗工さ
れる感光性樹脂膜２５は、塗工の始点および終点部分
で、やはり膜厚の変動が発生する。しかし、ロール状ド
ライフィルムレジスト２７’には、非常に長いドライフ
ィルムレジスト２７が巻き取られるため、非常に長いベ
ースフィルム２４上における感光性樹脂膜２５の塗工の
始点および終点部分の領域は、全体に比べれば極僅かで
ある。これにより、膜厚の変動した上記始点および終点
部分を使用せずともコスト的にデメリットになることは
少なく、ましてスピンコータと比較した場合、問題にな
らないほどの部材が節約できる。

【００７４】また、ベースフィルム２４に感光性樹脂膜
２５を塗工した段階で、図５（ａ）に示されているヒー
タ２９により溶媒の乾燥が行われるため、スピンコータ
で塗布した時の様に、塗布した後にガラス基板４上で溶
媒の乾燥を行う必要がない。換言すれば、事前にある程
度乾燥させてあるため、仮に「乾きムラ」が発生したと
しても、その部分のフィルムを使用しなければ、パネル
に対する影響を無くすことができる。

【００７５】更に、本実施の形態においては、スリット
コータ等の塗工機により感光性樹脂膜２５を塗工するた
め、３〜６μｍ程度の厚い膜厚も容易に作製することが
できる。また、ベースフィルム２４上にもともと均一に
形成された感光性樹脂膜２５をガラス基板４上に転写す
るため、スピンコータを用いた場合のように、ガラス基
板４の中央部と周辺部とで膜厚差が大きくなることもな
い。

【００７６】以上のように、層間絶縁膜１３をドライフ
ィルムレジスト２７を用いて感光性樹脂材料により形成
することで、同一基板内の層間絶縁膜１３の均一性、お
よび層間絶縁膜１３の厚膜化といった、スピンコータで
は実現が困難であった問題を解決することができる。さ
らに、コンタクトホール９の形成工程などは、これまで
と同様に、フォトリソ工程を利用することができる。

【００７７】また、本実施の形態に係る液晶表示装置の
製造方法においては、後に層間絶縁膜１３となる上記ド
ライフィルムレジスト２７の感光性樹脂膜２５表面に凹
凸形状を形成する際に、凹凸形成用金型２３を用いる。
従って、装置依存性が非常に大きく、また作製状況にも
大きく依存するハーフ露光や熱ダレという工程を用いた
場合と比較して、凹凸形状の良好な再現性を実現するこ
とができる。

【００７８】〔実施の形態２〕本発明の第２の実施の形
態について、図８に基づいて説明すれば、以下のとおり
である。なお、説明の便宜上、前記した実施の形態１に
おいて説明した部材と同様の機能を有する部材に対して
は、同一の参照番号を付記し、その説明を省略する。

【００７９】本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方
法においては、ドライフィルムレジスト作製の際に使用
する凹凸形成用金型の作製方法が、実施の形態１の場合
と異なる。具体的には、凹凸形成用金型の作製時の繰り
返し露光において、使用される遮光手段が実施の形態１
で使用したフォトマスク１０１とは異なる。しかし、そ
の他の製造工程については実施の形態１の場合と同じで
ある。以下に、本実施の形態において用いられる遮光手
段について、図８（ａ），（ｂ）を用いて説明する。

【００８０】図８（ａ）には、本実施の形態における凹
凸形成用金型の作製時に用いられる、凹凸形成用遮光手
段としてのフォトマスク１０６の平面図が示されてい
る。図中、フォトマスク１０６においてハッチングが施
されている領域が遮光部１０６ｅであり、ハッチングが
施されていない領域が透光部１０６ｆである。該透光部
１０６ｆの形状は直径１０μｍの円形となっているが、
これには限定されず、直径が相異なる円形を、ランダム
に設けることも可能である。

【００８１】上記フォトマスク１０６の周端部分（破線
から端部までの領域）には、フォトマスク１０１と同
様、繰り返し露光時に重ね合わせ領域１０２となる左端
部領域１０６ａ、右端部領域１０６ｂ、上端部領域１０
６ｃ、および下端部領域１０６ｄが設けられている。こ
れらの各領域１０６ａ〜１０６ｄには透光部１０６ｆが
設けられていない。従って、繰り返し露光時において、
重ね合わせ領域１０２は完全に遮光された状態となり、
この領域には凹凸が形成されない。

【００８２】重ね合わせ領域１０２の幅が狭い（約６μ
ｍ以下）場合は、上記のように重ね合わせ領域１０２に
凹凸形状が形成されなくても反射特性に対する影響は特
になく、画素基板１全体のパターンとしては無視するこ
とができる。従って、本実施の形態のように、フォトマ
スク１０６の重ね合わせ領域１０２に対応する部分を、
完全に遮光部１０６ｅとすることが可能である。さら
に、このような構成により、フォトマスク１０６の設計
も簡略化することができる。

【００８３】尚、上記各領域１０６ａ〜１０６ｄの幅
は、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内、より好ましくは６
μｍ以下であることが好ましく、本実施の形態において
は３μｍとなっている。

【００８４】図８（ｂ）には、上記フォトマスク１０６
を用いて繰り返し露光を行う様子が、模式的に示されて
いる。同図においては、１回目と２回目の露光の様子が
同時に示されているので、区別するために、１回目に使
用されるフォトマスク１０６を第１フォトマスク１０７
とし、２回目に使用されるフォトマスク１０６を第２フ
ォトマスク１０８とする。さらに、第１フォトマスク１
０７および第２フォトマスク１０８において、フォトマ
スク１０６の各領域１０６ａ〜１０６ｆに対応する領域
を、１０７ａ〜１０７ｆ、１０８ａ〜１０８ｆとする。

【００８５】１回目の露光領域（第１フォトマスク１０
７の設置領域）と２回目の露光領域（第２フォトマスク
１０８の設置領域）とは、重ね合わせ領域１０２で重な
り合うように露光される。すなわち、第１フォトマスク
１０７の右端部領域１０７ｂと、第２フォトマスク１０
８の左端部領域１０８ａとの設置領域は互いに重なり合
う。

【００８６】以上のように、重ね合わせ領域１０２の幅
が小さい場合には、上記のようなフォトマスク１０６を
用いて繰り返し露光を行うことにより、フォトマスク１
０１を使用する場合と同様の効果が得られるとともに、
フォトマスク自体の設計が簡略化されるという効果も得
ることができる。

【００８７】〔実施の形態３〕本発明の第３の実施の形
態について、図９および図１０に基づいて説明すれば、
以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記した実
施の形態１，２において説明した部材と同様の機能を有
する部材に対しては、同一の参照番号を付記し、その説
明を省略する。

【００８８】本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方
法においては、ドライフィルムレジスト作製の際に使用
する凹凸形成用金型の作製方法が、実施の形態１，２の
場合と異なる。具体的には、凹凸形成用金型の作製時の
繰り返し露光において、使用される遮光手段が実施の形
態１で使用したフォトマスク１０１とは異なる。しか
し、その他の製造工程については実施の形態１，２の場
合と同じである。以下に、本実施の形態において用いら
れる遮光手段について、図９（ａ），（ｂ）、および図
１０（ａ），（ｂ）を用いて説明する。

【００８９】図９（ａ）には、本実施の形態で用いられ
る凹凸形成用遮光手段としてのフォトマスク１０９の平
面図が示されている。図中、フォトマスク１０９におい
てハッチングが施されている領域が遮光部１０９ｅであ
り、ハッチングが施されていない領域が透光部１０９ｆ
である。該透光部１０９ｆの形状として、ここでは直径
１０μｍの円形が用いられているが、これには限定され
ず、直径が相異なる円形をランダムに設けてもよい。

【００９０】上記フォトマスク１０９の周端部分（破線
から端部までの領域）には、フォトマスク１０１と同
様、繰り返し露光時に重ね合わせ領域１０２となる左端
部領域１０９ａ、右端部領域１０９ｂ、上端部領域１０
９ｃ、および下端部領域１０９ｄが設けられている。上
記右端部領域１０９ｂおよび上記上端部領域１０９ｃに
は透光部１０９ｆが形成されているが、繰り返し露光時
にこれらの領域と重ね合わされる上記左端部領域１０９
ａおよび上記下端部領域１０９ｄには、透光部１０９ｆ
が形成されていない。

【００９１】図９（ｂ）には、上記フォトマスク１０９
を用いて繰り返し露光を行う様子が、模式的に示されて
いる。同図においては、１回目と２回目の露光の様子が
同時に示されているので、区別するために、１回目に使
用されるフォトマスク１０９を第１フォトマスク１１０
とし、２回目に使用されるフォトマスク１０９を第２フ
ォトマスク１１１とする。さらに、第１フォトマスク１
１０および第２フォトマスク１１１において、フォトマ
スク１０９の各領域１０９ａ〜１０９ｆに対応する領域
を、１１０ａ〜１１０ｆ、１１１ａ〜１１１ｆとする。

【００９２】１回目の露光領域（第１フォトマスク１１
０の設置領域）と２回目の露光領域（第２フォトマスク
１１１の設置領域）とは、重ね合わせ領域１０２で重な
り合うように露光される。すなわち、第１フォトマスク
１１０の右端部領域１１０ｂと、第２フォトマスク１１
１の左端部領域１１１ａとの設置領域は互いに重なり合
う。

【００９３】繰り返し露光に上記のような構成のフォト
マスク１０９を用いることにより、重ね合わせ領域１０
２となる部分は、２回の露光の内、何れか一方の露光時
にのみ露光されることになる。すなわち、重ね合わせ領
域１０２において、一方の露光で凹凸形状が形成され、
他方の露光では全て遮光されるように、フォトマスク１
０９のパターン配置が設計される。これにより、実施の
形態１，２の製造方法を用いる場合と同様の作用効果を
得ることができる。

【００９４】以上のように、本実施の形態に係る液晶表
示装置の製造方法においては、繰り返し露光時に使用す
る遮光手段が、重ね合わせ領域１０２に対し、一方の露
光時にのみ、凹凸形状を形成するための露光を行う透光
部を有し、他方の露光時には完全に遮光してしまうよう
なパターン形成となっている。よって、重ね合わせ領域
１０２に２重露光部分が生じず、実施の形態１，２と同
様の効果が得られる。よって、遮光手段としては、重ね
合わせ領域１０２で何れか一方の露光時にのみ、凹凸形
状が形成されるパターンを有していれば良いため、図１
０（ａ）に示すようなフォトマスク１１２も当然使用可
能である。該フォトマスク１１２は、フォトマスク１０
９とは逆の周端部領域に凹凸形成用の透光部が設けられ
ている。つまり、左端部領域１１２ａと下端部領域１１
２ｄとに透光部１１２ｆが配置されて、右端部領域１１
２ｂと上端部領域１１２ｃとには遮光部１１２ｅのみが
配置されている。また、繰り返し露光時の様子は、図１
０（ｂ）に示されている。図中、１１３は第１フォトマ
スクであり、１１４は第２フォトマスクを示している。

【００９５】〔実施の形態４〕本発明の第４の実施の形
態について、図１１に基づいて説明すれば、以下のとお
りである。尚、説明の便宜上、前記した実施の形態１な
いし３において説明した部材と同様の機能を有する部材
に対しては、同一の参照番号を付記し、その説明を省略
する。

【００９６】本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方
法においては、ドライフィルムレジスト作製の際に使用
する凹凸形成用金型の作製方法が、実施の形態１ないし
３の場合と異なる。以下に、図１１（ａ）ないし（ｈ）
を用い、本実施の形態における凹凸形成用金型の作製方
法について説明する。

【００９７】第１工程として、まず、ガラス基板３５上
全面にポジ型の感光性樹脂が塗布されて、感光性樹脂膜
（マスタ形成用絶縁膜）３６が形成される（図１１
（ａ）参照。）。該感光性樹脂膜３６であるレジスト材
料としては、例えばＯＦＰＲ−８００（東京応化社製）
が用いられ、好ましくは５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍ
でスピンコートにより塗布される。本実施の形態におい
ては、２０００ｒｐｍで３０秒間塗布を行った。

【００９８】第２工程として、フォトマスク１０１を用
い、実施の形態１ないし３と同様の方法によって、上記
感光性樹脂膜３６の全面に同じパターンが形成されるよ
うに、数ショットに分けてステッパ露光機にて繰り返し
露光を行う（図１１（ｂ）参照）。尚、図１１（ｂ）に
おいては、２回に分けて行われる露光が同時に示されて
いる。また、遮光手段としてはフォトマスク１０１に限
らず、前期した実施の形態２および３で使用したフォト
マスク１０６，１０９，１１２も、当然使用可能であ
る。

【００９９】第３工程では、第２工程の繰り返し露光終
了後に、感光性樹脂膜３６の露光された部分を現像する
ことにより、ガラス基板３５上に該感光性樹脂膜３６か
らなる凸部３６ａが形成される（図１１（ｃ）参照）。
これにより、凸部３６ａは、フォトマスク１０１の遮光
部１０１ｅと同様なパターンとして形成される。また、
数ショットに分けて繰り返し露光を行った際の境界部分
にも、同様に凸形状（凸部３６ａ）が形成されるので、
境界部分であることが目立たなくなっている。また、本
実施の形態においては、現像液として２．３８％のＮＭ
Ｄ−３（東京応化社製）を用いたが、これに限定される
ものではない。

【０１００】第４工程では、熱処理が施されて、凸部３
６ａの角が取り除かれた滑らかな凸形状が形成される
（図１１（ｄ）参照）。熱処理の温度としては１２０℃
〜２５０℃が好ましく、本実施の形態では、１８０℃で
３０分間の熱処理を施した。

【０１０１】第５工程では、表面に感光性樹脂膜３６の
滑らかな凸部３６ａが形成されたガラス基板３５上に、
スピンコートによりレジスト樹脂を１０００ｒｐｍ〜３
５００ｒｐｍで塗布し、絶縁保護膜３７を形成する（図
１１（ｅ）参照）。該絶縁保護膜３７表面は、下層であ
る感光性樹脂膜３６の凸形状（凸部３６ａ）に応じて凹
凸形状となるが、ガラス基板３５表面の凹凸形状よりも
滑らかな形状となる。尚、本実施の形態においては、レ
ジスト樹脂を２２００ｒｐｍで２０秒間塗布し、１μｍ
の膜厚の絶縁保護膜３７を形成した。

【０１０２】第６工程では、上記絶縁保護膜３７の表面
に、スパッタ装置により、電鋳用の金属膜としてＮｉを
成膜し、電鋳用Ｎｉ層３８を形成する（図１１（ｆ）参
照）。

【０１０３】第７工程では、Ｎｉ電鋳（メッキ浴：Ｎｉ
−ＳＯ₄−ＮＨ₄Ｃｌ−Ｈ₃ＢＯ₃、陽極：電解Ｎｉ）
を行い、凹凸形成用金型（マスタ）３９を形成する（図
１１（ｇ）参照）。

【０１０４】第８工程として、凹凸形成用金型３９が完
成する（図１１（ｈ）参照）。

【０１０５】以上のような方法により作製された凹凸形
成用金型３９には、その全面に均一な凹凸形状が形成さ
れるので、繰り返し露光におけるショット毎の境界が、
溝などとなって目立つことがない。上述したように、凹
凸形成用金型３９の作製以外は、実施の形態１ないし３
の場合と同様の方法を用いて反射型液晶表示装置が作製
されるので、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方
法も、実施の形態１ないし３の製造方法と同様の作用効
果を実現することが可能である。

【０１０６】〔実施の形態５〕本発明の第５の実施の形
態について、図１２に基づいて説明すれば、以下のとお
りである。尚、説明の便宜上、前記した実施の形態１な
いし４において説明した部材と同様の機能を有する部材
に対しては同一の参照番号を付記し、その説明を省略す
る。

【０１０７】前記した実施の形態１ないし４に係る液晶
表示装置の製造方法では、それぞれ、層間絶縁膜１３を
形成する際にドライフィルムレジスト２７を用いてい
た。しかし、本実施の形態においては、ＴＦＴ１４やド
レイン電極７（ドレイン電極引き出し部７ａ）等が形成
されたガラス基板４上に形成された感光性樹脂膜４０
に、凹凸形状を直接形成する。以下、図１２（ａ）ない
し（ｆ）に基づき、層間絶縁膜１３および反射電極８の
作製方法について説明する。尚、図１２においては、図
の煩雑化を避けるために、ガラス基板４上にドレイン電
極７、ドレイン電極引き出し部７ａのみが図示されてい
る。

【０１０８】第１工程において、ＴＦＴ１４やドレイン
電極７、ドレイン電極引き出し部７ａ等が形成されたガ
ラス基板４上全面に、ポジ型の感光性樹脂（レジスト材
料）が塗布されて感光性樹脂膜４０が形成される。該感
光性樹脂としては、例えばＯＦＰＲ−８００（東京応化
社製）が用いられ、好ましくは５００ｒｐｍ〜３０００
ｒｐｍでスピンコートにより塗布される。本実施の形態
においては、２０００ｒｐｍで３０秒間塗布を行った。

【０１０９】第２工程として、図１（ａ）に示すフォト
マスク１０１を用いて、上記感光性樹脂膜４０の全面に
同じパターンが形成されるように、数ショットに分けて
ステッパ露光機にて繰り返し「ハーフ露光」を行う（図
１２（ｂ）参照）。尚、図１２（ｂ）においては、２回
に分けて行われる露光が同時に示されている。この工程
において行われる、フォトマスク１０１を用いた繰り返
し露光についての詳細は、実施の形態１において凹凸形
成用金型２３作製時の第２工程で説明したとおりであ
る。

【０１１０】第３工程として、次に、図７に示すコンタ
クトホール形成用のフォトマスク１０５を用い、上記感
光性樹脂膜４０に対して露光を行う（図１２（ｃ）参
照）。コンタクトホール９は、下層のドレイン電極引き
出し部７ａと、後の工程で形成される反射電極８とを接
続するためのものなので、ここでは、「ハーフ露光」で
はなく完全な露光が行われる。露光量としては１５０ｍ
Ｊ〜１０００ｍＪが好ましく、本実施の形態においては
３００ｍＪで露光を行った。

【０１１１】第４工程では、感光性樹脂膜４０におい
て、第２および第３工程で露光された部分を現像により
除去する（図１２（ｄ）参照）。これにより、感光性樹
脂膜４０に、表面の凹凸形状と、コンタクトホール９と
が形成される。

【０１１２】凹凸形成のための露光（上記第２工程）
は、実施の形態１で説明したとおりであるので、繰り返
し露光における露光の境界部分にも、他の部分と同様の
凹凸形状を形成することができる。

【０１１３】第５工程では、熱処理が施され、感光性樹
脂膜４０表面の凹凸部分の角がとれた滑らかな凹凸形状
が形成されて、層間絶縁膜１３が完成する（図１２
（ｅ）参照）。ここでは、１２０℃〜２５０℃で熱処理
を行うことが好ましい。本実施の形態においては、１８
０℃で３０分間の熱処理を行った。

【０１１４】第６工程では、上記のように形成された層
間絶縁膜１３上に、反射電極８となる金属薄膜を、真空
蒸着にて膜厚２０００Åで形成する（図１２（ｆ）参
照）。この金属薄膜（反射電極８）は、コンタクトホー
ル９を介して、下層のドレイン電極引き出し部７ａと接
続される。

【０１１５】この後、さらに該金属薄膜を画素毎にパタ
ーニングすることにより、反射電極８が完成し、画素基
板１が形成される。本実施の形態においては、上記金属
薄膜としてＡｌを用いたが、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ等
を用いることも可能である。

【０１１６】本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方
法においては、層間絶縁膜１３となる感光性樹脂膜４０
に、凹凸形状のための繰り返し露光を行う際、境界部分
１０２において２重に露光される領域がないように透光
部分と遮光部分とが配置されたフォトマスク１０１が用
いられる。従って、数ショットに分けて繰り返し露光を
行っても、感光性樹脂膜４０において境界部分１０２に
対応する領域に溝などが形成されて目立つことはなく、
全面に均一な凹凸形状を形成することができる。

【０１１７】これにより、全面に均一な凹凸形状が設け
られた層間絶縁膜１３を形成することができるので、繰
り返し露光時にフォトマスク１０１を配置する際に、下
層の配線パターン（ゲート配線５、ソース配線６等）と
境界部分１０２との位置を合わせる必要がなくなる。こ
の結果、位置合わせ精度が緩和されて、プロセスマージ
ンが大きくなり、良品率の向上につながる。

【０１１８】尚、本実施の形態においては、繰り返し露
光時に用いる遮光手段としてフォトマスク１０１を用い
たが、他の遮光手段、例えば図８ないし図１０に示され
ているフォトマスク１０６，１０９，１１２を用いるこ
とも、当然可能である。

【０１１９】上記した実施の形態１ないし５において
は、製造される液晶表示装置を反射型液晶表示装置とし
たが、必ずしもこれに限定されるものではない。例え
ば、透過と反射との両方使用が可能なハイブリット型液
晶表示装置において、反射領域となる反射電極の下層の
層間絶縁膜を形成する場合に適用することにより、反射
領域における反射特性が向上したハイブリット型液晶表
示装置を実現することができる。

【０１２０】さらに、上記した実施の形態１ないし５に
おいては、露光時に用いられるレジスト（感光性樹脂膜
２１，２５，３６，４０）として、光の当たった所が除
去されるポジ型のレジストを用いているが、光の当たっ
た所が残るネガ型のレジストを用いることも当然可能で
ある。

【０１２１】

【発明の効果】以上のように、本発明の液晶表示装置の
製造方法は、感光性を有するマスタ形成用絶縁膜を、複
数に分割した分割領域毎に凹凸形成用遮光手段を用いて
露光することにより、凹凸形成用マスタを作製する第１
の工程と、上記凹凸形成用マスタを用いて、表面に凹凸
形状を有するドライフィルムレジストを作製する第２の
工程と、上記ドライフィルムレジストを用いて、一対の
基板のうちの他方の基板上に層間絶縁膜を形成する第３
の工程と、上記層間絶縁膜を所定の形状にパターニング
し、上記他方の基板上に設けられている下層電極の位置
に合わせてコンタクトホールを形成する第４の工程と、
上記層間絶縁膜上に、上記コンタクトホールを介して上
記下層電極と接続される上記反射電極を形成する第５の
工程とを含み、さらに、上記第１の工程で行われる露光
では、互いに隣接する分割領域の境界部に重ね合わせ領
域が設けられており、上記凹凸形成用遮光手段には、異
なる露光時に上記重ね合わせ領域の同位置を露光しない
ように透光部が配置されている方法である。

【０１２２】これにより、セル厚のムラによる表示不良
を抑制し、かつ層間絶縁膜の厚膜化と安定性の良い凹凸
形状を同時に実現して、安定した光拡散性を有する反射
電極を備えた液晶表示装置を製造することができるとい
う効果を奏する。さらに、繰り返し露光における境界領
域とゲート配線やソース配線などの配線パターンとの位
置合わせを行う必要がなくなるので、位置合わせ精度が
緩和されてプロセスマージンが大きくなり、結果、良品
率の向上につながるという効果も併せて奏する。

【０１２３】また、上記液晶表示装置の製造方法におい
て、上記凹凸形成用遮光手段が、上記重ね合わせ領域に
対応する位置に透光部を有さないようにすることも可能
である。

【０１２４】これにより、重ね合わせ領域の幅が小さい
時には、上記のような凹凸形成用遮光手段を用いること
で、遮光手段自体の設計を簡略化することができるとい
う効果をさらに奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る液
晶表示装置の製造方法において、凹凸形成用金型の作製
時に使用するフォトマスクの平面図であり、（ｂ）は、
該フォトマスクを用いて繰り返し露光を行う様子を模式
的に示す説明図である。

【図２】（ａ）は、本発明に係る液晶表示装置の製造方
法を用いて作製される反射型液晶表示装置の、画素基板
側の一画素分周辺の構成を示す平面図であり、（ｂ）
は、該反射型液晶表示装置を（ａ）に示すＡ−Ａで切断
した断面図である。

【図３】（ａ）ないし（ｇ）は、上記凹凸形成用金型の
作製方法を示す工程図である。

【図４】（ａ）および（ｂ）は、上記凹凸形成用金型を
原版としてドライフィルムレジストを作製する方法を示
す工程図である。

【図５】（ａ）は、上記ドライフィルムレジストを作製
する様子を模式的に示す説明図であり、（ｂ）は、該ド
ライフィルムレジストを用いて層間絶縁膜を形成する様
子を模式的に示す説明図である。

【図６】（ａ）ないし（ｃ）は、フォトリソ工程を利用
してコンタクトホールを形成する方法を示す工程図であ
る。

【図７】上記コントクトホール形成用のフォトマスクの
平面図である。

【図８】（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る液晶
表示装置の製造方法において、凹凸形成用金型の作製時
に使用するフォトマスクの平面図であり、（ｂ）は、該
フォトマスクを用いて繰り返し露光を行う様子を模式的
に示す説明図である。

【図９】（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る液晶
表示装置の製造方法において、凹凸形成用金型の作製時
に使用するフォトマスクの平面図であり、（ｂ）は、該
フォトマスクを用いて繰り返し露光を行う様子を模式的
に示す説明図である。

【図１０】（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る液
晶表示装置の製造方法において、凹凸形成用金型の作製
時に使用する、図９に示すフォトマスクとは異なる他の
フォトマスクの平面図であり、（ｂ）は、該フォトマス
クを用いて繰り返し露光を行う様子を模式的に示す説明
図である。

【図１１】（ａ）ないし（ｈ）は、本発明の第４の実施
の形態に係る液晶表示装置の製造方法において、凹凸形
成用金型の作製方法を示す工程図である。

【図１２】（ａ）ないし（ｆ）は、本発明の第５の実施
の形態に係る液晶表示装置の製造方法において、層間絶
縁膜および反射電極の作製方法を示す工程図である。

【符号の説明】

１画素基板２対向基板（透光性基板）３液晶層７ａドレイン電極引出し部（下層電極）８反射電極９コンタクトホール１３層間絶縁膜２１感光性樹脂膜（マスタ形成用絶縁膜）２３凹凸形成用金型（凹凸形成用マスタ）２７ドライフィルムレジスト３６感光性樹脂膜（マスタ形成用絶縁膜）３９凹凸形成用金型（凹凸形成用マスタ）１０１フォトマスク（凹凸形成用遮光手段）１０１ｆ透光部１０６フォトマスク（凹凸形成用遮光手段）１０６ｆ透光部１０９フォトマスク（凹凸形成用遮光手段）１０９ｆ透光部１１２フォトマスク（凹凸形成用遮光手段）１１２ｆ透光部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H042 BA03 BA15 BA20 2H088 EA03 FA10 FA17 FA25 FA27 FA30 HA08 MA02 2H091 FA16Y FB04 FB08 FC02 FC10 FC19 FC22 FC26 FC29 FC30 FD04 FD13 FD23 GA13 LA03 LA11 LA12 LA16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶層を挟持する一対の基板のうち少なく
とも一方が透光性を有する透光性基板であり、他方の基
板に設けられた下層電極上に、表面に凹凸形状を有する
層間絶縁膜を介して反射電極が設けられている液晶表示
装置の製造方法において、感光性を有するマスタ形成用絶縁膜を、複数に分割した
分割領域毎に凹凸形成用遮光手段を用いて露光すること
により、凹凸形成用マスタを作製する第１の工程と、上記凹凸形成用マスタを用いて、表面に凹凸形状を有す
るドライフィルムレジストを作製する第２の工程と、上記ドライフィルムレジストを用いて、上記他方の基板
上に上記層間絶縁膜を形成する第３の工程と、上記層間絶縁膜を所定の形状にパターニングし、上記下
層電極の位置に合わせてコンタクトホールを形成する第
４の工程と、上記層間絶縁膜上に、上記コンタクトホールを介して上
記下層電極と接続される上記反射電極を形成する第５の
工程とを含み、さらに、上記第１の工程で行われる露光では、互いに隣
接する分割領域の境界部に重ね合わせ領域が設けられて
おり、上記凹凸形成用遮光手段には、異なる露光時に上
記重ね合わせ領域の同位置を露光しないように透光部が
配置されていることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
【請求項２】上記凹凸形成用遮光手段は、上記重ね合わ
せ領域に対応する位置に透光部を有さないことを特徴と
する請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。