JP2001355060A - 超微粒子膜の形成方法 - Google Patents
超微粒子膜の形成方法Info
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- JP2001355060A JP2001355060A JP2000175662A JP2000175662A JP2001355060A JP 2001355060 A JP2001355060 A JP 2001355060A JP 2000175662 A JP2000175662 A JP 2000175662A JP 2000175662 A JP2000175662 A JP 2000175662A JP 2001355060 A JP2001355060 A JP 2001355060A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アーク放電を安定にし、時間に対して均一な
膜を形成する。 【解決手段】 アーク放電中に電極先端部にレーザを照
射し加熱することで、電極に材料を付着し難くし、また
電極に付着した材料を直ちに再蒸発させ電極に材料が付
着することによる電極変形を防ぐ。
膜を形成する。 【解決手段】 アーク放電中に電極先端部にレーザを照
射し加熱することで、電極に材料を付着し難くし、また
電極に付着した材料を直ちに再蒸発させ電極に材料が付
着することによる電極変形を防ぐ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アーク放電を用い
て超微粒子膜を形成する方法に関するものである。
て超微粒子膜を形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の技術としてガスデポジシ
ョン法が知られている（特許公報第２５２４６２２号、
特許第１５９５３９８号、特許第２６３２４０９号）。
初めに、図４を参照しながらガスデポジション法を簡単
に説明する。図４はガスデポジション法を用いた成膜装
置の模式図である。この成膜装置は、超微粒子生成室
１、膜形成室２、搬送管３等で構成される。ガスデポジ
ション法は、超微粒子生成室１において不活性ガス雰囲
気中でアーク加熱や抵抗加熱等で生成された金属超微粒
子を超微粒子生成室１と膜形成室２の圧力差により搬送
管３を通じて膜形成室２に導き、ノズル４から高速噴射
させることにより直接パターンを描画する乾式成膜方法
である。超微粒子生成室内の蒸発源で発生した蒸気原子
は、超微粒子生成室内に導入される不活性ガスとの衝突
で急冷され、粒径が大きくなりながら不活性ガスととも
に搬送管を移動し、超微粒子となり搬送管中を移動す
る。図４において、５はアーク電極、６はポンプ、７は
ヘリウムガス、非酸化ガス、水素ガスなどのガス源、８
は蒸発材料、９はステージ、１０は表面に膜を形成され
る基板である。
ョン法が知られている（特許公報第２５２４６２２号、
特許第１５９５３９８号、特許第２６３２４０９号）。
初めに、図４を参照しながらガスデポジション法を簡単
に説明する。図４はガスデポジション法を用いた成膜装
置の模式図である。この成膜装置は、超微粒子生成室
１、膜形成室２、搬送管３等で構成される。ガスデポジ
ション法は、超微粒子生成室１において不活性ガス雰囲
気中でアーク加熱や抵抗加熱等で生成された金属超微粒
子を超微粒子生成室１と膜形成室２の圧力差により搬送
管３を通じて膜形成室２に導き、ノズル４から高速噴射
させることにより直接パターンを描画する乾式成膜方法
である。超微粒子生成室内の蒸発源で発生した蒸気原子
は、超微粒子生成室内に導入される不活性ガスとの衝突
で急冷され、粒径が大きくなりながら不活性ガスととも
に搬送管を移動し、超微粒子となり搬送管中を移動す
る。図４において、５はアーク電極、６はポンプ、７は
ヘリウムガス、非酸化ガス、水素ガスなどのガス源、８
は蒸発材料、９はステージ、１０は表面に膜を形成され
る基板である。
【０００３】超微粒子生成室内の蒸発源で生成される材
料蒸気は、アーク溶解、高周波誘導加熱、抵抗加熱、電
子ビーム、通電加熱、プラズマジェット、レーザビーム
加熱などにより生成される（超微粒子技術入門、一ノ瀬
昇等、オーム社）。これら、各種加熱方式の選定は、形
成しようとする膜材料の融点、蒸気圧などで決まる。
料蒸気は、アーク溶解、高周波誘導加熱、抵抗加熱、電
子ビーム、通電加熱、プラズマジェット、レーザビーム
加熱などにより生成される（超微粒子技術入門、一ノ瀬
昇等、オーム社）。これら、各種加熱方式の選定は、形
成しようとする膜材料の融点、蒸気圧などで決まる。
【０００４】特に低蒸気圧、高融点材料のＺｒ等の超微
粒子からなる膜を形成しようとした場合、蒸発材料の加
熱方式は、アーク加熱に絞られる（特開昭６０−２２８
６０９、特許２５９６４３４号）。レーザ加熱も蒸発さ
せることは可能であるが、アークに比較して蒸発源の温
度を高温にするのが困難であり、かつ投入パワーも大き
いものとなるため、レーザ装置自体も大きくなる。しか
も、蒸発レートもアークと比較し遅いため、現在の技術
では未だアーク加熱方式のほうが有利である。
粒子からなる膜を形成しようとした場合、蒸発材料の加
熱方式は、アーク加熱に絞られる（特開昭６０−２２８
６０９、特許２５９６４３４号）。レーザ加熱も蒸発さ
せることは可能であるが、アークに比較して蒸発源の温
度を高温にするのが困難であり、かつ投入パワーも大き
いものとなるため、レーザ装置自体も大きくなる。しか
も、蒸発レートもアークと比較し遅いため、現在の技術
では未だアーク加熱方式のほうが有利である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、アーク加熱を
用いた材料の溶解、蒸発では、継続して行うと、次第に
蒸発レートが落ちるという問題がある。通常、電極５に
はタングステン製等で、図５に示すような先端が尖った
円柱の形状のものが使用される。継続して蒸発を行う
と、電極自体に蒸発した材料が付着し次第に先端が図５
の状態から図６に示すように太っていき、それにつれ蒸
発レートが下がる。さらに、そのまま蒸発を続けると先
端に付着した材料が重力で蒸発源の側に落下し、この
時、蒸発レートはやや回復するという現象が起きる。こ
のことから、電極に付着した蒸発材料の影響で蒸発レー
トが落ちるということが分かる。
用いた材料の溶解、蒸発では、継続して行うと、次第に
蒸発レートが落ちるという問題がある。通常、電極５に
はタングステン製等で、図５に示すような先端が尖った
円柱の形状のものが使用される。継続して蒸発を行う
と、電極自体に蒸発した材料が付着し次第に先端が図５
の状態から図６に示すように太っていき、それにつれ蒸
発レートが下がる。さらに、そのまま蒸発を続けると先
端に付着した材料が重力で蒸発源の側に落下し、この
時、蒸発レートはやや回復するという現象が起きる。こ
のことから、電極に付着した蒸発材料の影響で蒸発レー
トが落ちるということが分かる。
【０００６】また、溶解する金属材料の種類にもよる
が、特に高融点材料では電極に付着しやすく、また付着
量も多い。特に電極をタングステン、材料をＺｒとした
場合、全蒸発量のうち、半分程度が電極に付着してしま
うため、材料利用効率も悪い。
が、特に高融点材料では電極に付着しやすく、また付着
量も多い。特に電極をタングステン、材料をＺｒとした
場合、全蒸発量のうち、半分程度が電極に付着してしま
うため、材料利用効率も悪い。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、上
記問題を鑑みてなされたものであり、アーク放電中に電
極先端部にレーザを照射し加熱しておくことで、電極に
材料を付着し難くし、また電極に付着した材料を直ちに
再蒸発させ電極に材料が付着することによる電極変形を
防ぐものである。特に、レーザ（光）を使用すると、チ
ャンバ窓から直接導入することも、またチャンバ内にポ
ートを通してレーザ用ファイバで導入してもどちらでも
大幅な装置の改造もなく容易に実施することが可能であ
る。
記問題を鑑みてなされたものであり、アーク放電中に電
極先端部にレーザを照射し加熱しておくことで、電極に
材料を付着し難くし、また電極に付着した材料を直ちに
再蒸発させ電極に材料が付着することによる電極変形を
防ぐものである。特に、レーザ（光）を使用すると、チ
ャンバ窓から直接導入することも、またチャンバ内にポ
ートを通してレーザ用ファイバで導入してもどちらでも
大幅な装置の改造もなく容易に実施することが可能であ
る。
【０００８】こうして電極変形を防ぐことにより、放電
が一定となり蒸発量が安定し、その結果時間に対して均
一な膜を形成することができる。
が一定となり蒸発量が安定し、その結果時間に対して均
一な膜を形成することができる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。 ［実施例１］図１は、本発明の一実施例に係る成膜装置
（ガスデポジション装置）の要部構成を示す。図４と共
通の部材には同一の符号を付してある。図１に示すよう
に、ガスデポジション装置の超微粒子生成室窓（ファイ
バ導入用ポート）２０からＮｄ：ＹＡＧレーザ光を導入
し、アーク電極５の先端部に照射できる構成とした。Ｙ
ＡＧレーザ光はＣＷ（連続光）、基本波１０６４ｎｍ、
ビーム径φ４ｍｍで出力８０Ｗとした。レーザ装置本体
１２からファイバ１３でチャンバ（超微粒子生成室）１
内にレーザ光を導入し、レンズ（またはレンズ系）１４
で絞ったレーザ光１８を電極５に照射できる構成とし
た。ビーム径はレンズで調整した。図１では不図示であ
るが、チャンバ１には搬送管３を介して図４に示す膜形
成室２が接続されている。
る。 ［実施例１］図１は、本発明の一実施例に係る成膜装置
（ガスデポジション装置）の要部構成を示す。図４と共
通の部材には同一の符号を付してある。図１に示すよう
に、ガスデポジション装置の超微粒子生成室窓（ファイ
バ導入用ポート）２０からＮｄ：ＹＡＧレーザ光を導入
し、アーク電極５の先端部に照射できる構成とした。Ｙ
ＡＧレーザ光はＣＷ（連続光）、基本波１０６４ｎｍ、
ビーム径φ４ｍｍで出力８０Ｗとした。レーザ装置本体
１２からファイバ１３でチャンバ（超微粒子生成室）１
内にレーザ光を導入し、レンズ（またはレンズ系）１４
で絞ったレーザ光１８を電極５に照射できる構成とし
た。ビーム径はレンズで調整した。図１では不図示であ
るが、チャンバ１には搬送管３を介して図４に示す膜形
成室２が接続されている。
【００１０】以上のような構成で、電極５にタングステ
ン（φ５ｍｍ）、蒸発材料８にＺｒ、キャリアガスにヘ
リウムを用い、電極５にレーザを照射しながら膜を形成
した。膜形成室２の基板１０をホールドしたステージ９
が移動することで基板１０上に膜が形成されるようにな
っている。ステージ９の移動速度は、０．１ｍｍ／ｓｅ
ｃでトータル５００ｍｍのラインを描画した。ノズル径
は１ｍｍのものを用いた。１５はアーク電源である。
ン（φ５ｍｍ）、蒸発材料８にＺｒ、キャリアガスにヘ
リウムを用い、電極５にレーザを照射しながら膜を形成
した。膜形成室２の基板１０をホールドしたステージ９
が移動することで基板１０上に膜が形成されるようにな
っている。ステージ９の移動速度は、０．１ｍｍ／ｓｅ
ｃでトータル５００ｍｍのラインを描画した。ノズル径
は１ｍｍのものを用いた。１５はアーク電源である。
【００１１】成膜条件は以下に示す通りである。 超徹粒子生成室圧力：５３０ｔｏｒｒ 膜形成室圧力：１．２ｔｏｒｒ 基板温度：１５０℃ Ｈｅ流量：４０ＳＬＭ アークパワー：６０Ａ、２０Ｖ
【００１２】描画開始前と描画後とで電極形状を比較し
たがほとんど変わっていなかった。電極重量変化を測定
したところ、描画後に２ｍｇ増加していた。また、描画
した５００ｍｍのラインについて５０ｍｍ毎にラインの
膜厚を測定した結果を表１に示す。位置０ｍｍよりライ
ンを描画し始めたものである。これより、電極形状変化
による膜厚変化はほとんど見られない。表１は、電極に
ＣＷ（連続波）のＮｄ：ＹＡＧレーザ光を照射しながら
６０Ａで描画したＺｒラインの５０ｍｍ毎の膜厚を示
す。
たがほとんど変わっていなかった。電極重量変化を測定
したところ、描画後に２ｍｇ増加していた。また、描画
した５００ｍｍのラインについて５０ｍｍ毎にラインの
膜厚を測定した結果を表１に示す。位置０ｍｍよりライ
ンを描画し始めたものである。これより、電極形状変化
による膜厚変化はほとんど見られない。表１は、電極に
ＣＷ（連続波）のＮｄ：ＹＡＧレーザ光を照射しながら
６０Ａで描画したＺｒラインの５０ｍｍ毎の膜厚を示
す。
【００１３】
【表１】
【００１４】［比較例１］比較のために、電極５へのレ
ーザ照射がないことを除き上記実施例１と同条件で、成
膜した。描画開始前と描画後とで電極形状は図５から図
６のように変わっていた。また、電極重量変化を測定し
たところ、描画後に９７ｍｇ増加していた。描画した５
００ｍｍのラインを５０ｍｍ毎にラインの膜厚を測定し
た結果を表２に示す。時間の経過とともに膜厚が薄くな
っていることが分かる。表２は電極にレーザを照射せ
ず、６０Ａで構画したＺｒラインの５０ｍｍ毎の膜厚を
示す。
ーザ照射がないことを除き上記実施例１と同条件で、成
膜した。描画開始前と描画後とで電極形状は図５から図
６のように変わっていた。また、電極重量変化を測定し
たところ、描画後に９７ｍｇ増加していた。描画した５
００ｍｍのラインを５０ｍｍ毎にラインの膜厚を測定し
た結果を表２に示す。時間の経過とともに膜厚が薄くな
っていることが分かる。表２は電極にレーザを照射せ
ず、６０Ａで構画したＺｒラインの５０ｍｍ毎の膜厚を
示す。
【００１５】
【表２】
【００１６】［実施例２］図２は本発明の第２の実施例
に係る成膜装置（ガスデポジション装置）の要部構成を
示す。図１および図４と共通の部材には同一の符号を付
してある。図２に示すように、ガスデポジション装置の
超微粒子生成室窓１１からＮｄ：ＹＡＧレーザ光を導入
し、アーク電極５の先端部に照射できる構成とした。Ｙ
ＡＧレーザ光は繰り返し周波数５Ｈｚのパルス光、基本
波１０６４ｎｍ、ビーム径φ５ｍｍで出力１００Ｗとし
た。レーザ装置本体１２から光学系１６、１７を用い、
チャンバ窓１１を通してレーザ光１８を導入した。窓材
はレーザ光に対する反射防止コーティングが施されてい
る。ビーム径はレンズ１７で調整した。
に係る成膜装置（ガスデポジション装置）の要部構成を
示す。図１および図４と共通の部材には同一の符号を付
してある。図２に示すように、ガスデポジション装置の
超微粒子生成室窓１１からＮｄ：ＹＡＧレーザ光を導入
し、アーク電極５の先端部に照射できる構成とした。Ｙ
ＡＧレーザ光は繰り返し周波数５Ｈｚのパルス光、基本
波１０６４ｎｍ、ビーム径φ５ｍｍで出力１００Ｗとし
た。レーザ装置本体１２から光学系１６、１７を用い、
チャンバ窓１１を通してレーザ光１８を導入した。窓材
はレーザ光に対する反射防止コーティングが施されてい
る。ビーム径はレンズ１７で調整した。
【００１７】以上のような構成で、電極にタングステン
（φ５ｍｍ）、蒸発材料８にＺｒ、キャリアガスにヘリ
ウムを用い、電極にレーザを照射しながら膜を形成し
た。ステージの移動速度は、０．１ｍｍ／ｓｅｃでトー
タル５００ｍｍのラインを描画した。ノズル径は１ｍｍ
のものを用いた。
（φ５ｍｍ）、蒸発材料８にＺｒ、キャリアガスにヘリ
ウムを用い、電極にレーザを照射しながら膜を形成し
た。ステージの移動速度は、０．１ｍｍ／ｓｅｃでトー
タル５００ｍｍのラインを描画した。ノズル径は１ｍｍ
のものを用いた。
【００１８】成膜条件は以下に示す通りである。 超微粒子生成室圧力：５３０ｔｏｒｒ 膜形成室圧力：１．２ｔｏｒｒ 基板温度：１５０℃ Ｈｅ流量：４０ＳＬＭ アークパワー：９０Ａ、２２Ｖ
【００１９】描画開始前と描画後とで電極形状を比較し
たがほとんど変わっていなかった。電極重量変化を測定
したところ、描画後に２ｍｇ増加していた。また、描画
した５００ｍｍのラインを５０ｍｍ毎にラインの膜厚を
測定した結果を表３に示す。位置０ｍｍよりラインを描
画し始めたものである。これより、レーザをパルスに変
えた場合でも電極形状変化による膜厚変化はほとんど見
られないことが分かる。表３は電極にパルス状のＮｄ：
ＹＡＧレーザを照射しながら９０Ａで描画したＺｒライ
ンの５０ｍｍ毎の膜厚を示す。
たがほとんど変わっていなかった。電極重量変化を測定
したところ、描画後に２ｍｇ増加していた。また、描画
した５００ｍｍのラインを５０ｍｍ毎にラインの膜厚を
測定した結果を表３に示す。位置０ｍｍよりラインを描
画し始めたものである。これより、レーザをパルスに変
えた場合でも電極形状変化による膜厚変化はほとんど見
られないことが分かる。表３は電極にパルス状のＮｄ：
ＹＡＧレーザを照射しながら９０Ａで描画したＺｒライ
ンの５０ｍｍ毎の膜厚を示す。
【００２０】
【表３】
【００２１】［比較例２］比較のために、電極へのレー
ザ照射のないこと以外は上記実施例２と同条件で、成膜
した。描画開始前と描画後とで電極形状は図５から図６
のように変わっていた。また、電極重量変化を測定した
ところ、描画後に約１２０ｍｇ増加していた。描画した
５００ｍｍのラインを５０ｍｍ毎にラインの膜厚を測定
した結果を表４に示すが、時間の経過とともに膜厚が薄
くなっている。表４は電極にレーザを照射せず、９０Ａ
で描画したＺｒラインの５０ｍｍ毎の膜厚を示す。
ザ照射のないこと以外は上記実施例２と同条件で、成膜
した。描画開始前と描画後とで電極形状は図５から図６
のように変わっていた。また、電極重量変化を測定した
ところ、描画後に約１２０ｍｇ増加していた。描画した
５００ｍｍのラインを５０ｍｍ毎にラインの膜厚を測定
した結果を表４に示すが、時間の経過とともに膜厚が薄
くなっている。表４は電極にレーザを照射せず、９０Ａ
で描画したＺｒラインの５０ｍｍ毎の膜厚を示す。
【００２２】
【表４】
【００２３】［実施例３］図３は本発明の第３の実施例
に係る成膜装置（ガスデポジション装置）の要部構成を
示す。図１、図２および図４と共通の部材には同一の符
号を付してある。図３に示すように、ガスデポジション
装置の超微粒子生成室窓１９からＣＯ2 レーザ光を導入
し、アーク電極５先端部に照射できる構成とした。ＣＯ
2 レーザはＣＷ（連続波）、ビーム径φ２ｍｍ程度であ
り、出力は４０Ｗとした。レーザ装置本体１２から直接
チャンバ窓を通してレーザ光を導入した。窓材はＺｎＳ
である。
に係る成膜装置（ガスデポジション装置）の要部構成を
示す。図１、図２および図４と共通の部材には同一の符
号を付してある。図３に示すように、ガスデポジション
装置の超微粒子生成室窓１９からＣＯ2 レーザ光を導入
し、アーク電極５先端部に照射できる構成とした。ＣＯ
2 レーザはＣＷ（連続波）、ビーム径φ２ｍｍ程度であ
り、出力は４０Ｗとした。レーザ装置本体１２から直接
チャンバ窓を通してレーザ光を導入した。窓材はＺｎＳ
である。
【００２４】以上のような構成で、電極５にタングステ
ン（φ５ｍｍ）、蒸発材料８にＴｉ、キャリアガスにヘ
リウムを用い、電極５にレーザを照射しながら膜を形成
した。ステージの移動速度は、０．１ｍｍ／ｓｅｃでト
ータル５００ｍｍのラインを描画した。ノズル径は１ｍ
ｍのものを用いた。
ン（φ５ｍｍ）、蒸発材料８にＴｉ、キャリアガスにヘ
リウムを用い、電極５にレーザを照射しながら膜を形成
した。ステージの移動速度は、０．１ｍｍ／ｓｅｃでト
ータル５００ｍｍのラインを描画した。ノズル径は１ｍ
ｍのものを用いた。
【００２５】成膜条件は以下に示す通りである。 超微粒子生成室圧力：５３０ｔｏｒｒ 膜形成室圧力：１．２ｔｏｒｒ 基板温度：１５０℃ Ｈｅ流量：４０ＳＬＭ アークパワー：６０Ａ、２０Ｖ
【００２６】描画開始前と描画後とで電極形状を比較し
たがほとんど変わっていなかった。電極重量変化を測定
したところ、描画後に４ｍｇ増加していた。また、描画
した５００ｍｍのラインを５０ｍｍ毎にラインの膜厚を
測定した結果を表５に示す。位置０ｍｍよりラインを描
画し始めたものである。これより、膜厚変化はほとんど
見られないことが分かる。表５は電極にＣＯ2 レーザを
照射しながら６０Ａで描画したＴｉラインの５０ｍｍ毎
の膜厚を示す。
たがほとんど変わっていなかった。電極重量変化を測定
したところ、描画後に４ｍｇ増加していた。また、描画
した５００ｍｍのラインを５０ｍｍ毎にラインの膜厚を
測定した結果を表５に示す。位置０ｍｍよりラインを描
画し始めたものである。これより、膜厚変化はほとんど
見られないことが分かる。表５は電極にＣＯ2 レーザを
照射しながら６０Ａで描画したＴｉラインの５０ｍｍ毎
の膜厚を示す。
【００２７】
【表５】
【００２８】［比較例３］比較のために、電極へのレー
ザ照射のないことを除き上記実施例３と同条件で成膜し
た。描画後、電極形状は図７のように変わっていた。ま
た、電極重量変化を測定したところ、描画後に約３０ｍ
ｇ増加していた。描画した５００ｍｍのラインを５０ｍ
ｍ毎にラインの膜厚を測定した結果を表６に示すが、時
間の経過とともに膜厚が薄くなっている。表６は電極に
レーザを照射せず、６０Ａで描画したＴｉラインの５０
ｍｍ毎の膜厚を示す。
ザ照射のないことを除き上記実施例３と同条件で成膜し
た。描画後、電極形状は図７のように変わっていた。ま
た、電極重量変化を測定したところ、描画後に約３０ｍ
ｇ増加していた。描画した５００ｍｍのラインを５０ｍ
ｍ毎にラインの膜厚を測定した結果を表６に示すが、時
間の経過とともに膜厚が薄くなっている。表６は電極に
レーザを照射せず、６０Ａで描画したＴｉラインの５０
ｍｍ毎の膜厚を示す。
【００２９】
【表６】 以上より、アーク電極にレーザ光を照射すると膜厚均一
性において効果があることが分かる。
性において効果があることが分かる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
と、放電中のアーク電極にレーザ光を照射し加熱するこ
とで、電極への材料付着による電極変形を防ぐことがで
き、蒸発が安定し、その結果、描画した膜厚の時間変化
をなくすことができた。
と、放電中のアーク電極にレーザ光を照射し加熱するこ
とで、電極への材料付着による電極変形を防ぐことがで
き、蒸発が安定し、その結果、描画した膜厚の時間変化
をなくすことができた。
【図１】 ファイバを用いて超微粒子生成室にレーザ光
を導入しアーク電極に照射した実施例１の説明図であ
る。
を導入しアーク電極に照射した実施例１の説明図であ
る。
【図２】 光学系を用いて超微粒子生成室にレーザ光を
導入しアーク電極に照射した実施例２の説明図である。
導入しアーク電極に照射した実施例２の説明図である。
【図３】 レーザ装置本体から直接レーザ光をアーク電
極に照射した実施例３の説明図である。
極に照射した実施例３の説明図である。
【図４】 ガスデポジション法を用いた成膜装置の模式
図である。
図である。
【図５】 放電前のアーク電極の模式図である。
【図６】 Ｚｒ材料を蒸発させた後電極にＺｒが付着し
形状の変化した電極の模式図である。
形状の変化した電極の模式図である。
【図７】 Ｔｉ材料を蒸発させた後電極にＴｉが付着し
形状の変化した電極の模式図である。
形状の変化した電極の模式図である。
１：超微粒子生成室、２：膜形成室、３：搬送管、４：
ノズル、５：アーク電極、６：ポンプ、７：ヘリウムガ
ス、８：蒸発材料、９：ステージ、１０：基板、１１：
反射防止コーティングを施したレーザ用窓、１２：レー
ザ装置本体、１３：レーザ用ファイバ、１４：レンズ
系、１５：アーク電源、１６：レーザ用ミラー、１７：
光学系、１８：レーザ光、１９：ＺｎＳ窓、２０：ファ
イバ導入用ポート。
ノズル、５：アーク電極、６：ポンプ、７：ヘリウムガ
ス、８：蒸発材料、９：ステージ、１０：基板、１１：
反射防止コーティングを施したレーザ用窓、１２：レー
ザ装置本体、１３：レーザ用ファイバ、１４：レンズ
系、１５：アーク電源、１６：レーザ用ミラー、１７：
光学系、１８：レーザ光、１９：ＺｎＳ窓、２０：ファ
イバ導入用ポート。
Claims (2)
- 【請求項１】 アーク放電を用いて超微粒子からなる膜
を生成する際に、アーク放電中のアーク電極先端をレー
ザで照射し加熱することを特徴とする超微粒子膜の形成
方法。 - 【請求項２】 前記超微粒子形成方法にガスデポジショ
ン法を用いることを特徴とする請求項１記載の超微粒子
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000175662A JP2001355060A (ja) | 2000-06-12 | 2000-06-12 | 超微粒子膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2000175662A JP2001355060A (ja) | 2000-06-12 | 2000-06-12 | 超微粒子膜の形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2001355060A true JP2001355060A (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=18677511
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2000175662A Pending JP2001355060A (ja) | 2000-06-12 | 2000-06-12 | 超微粒子膜の形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001355060A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015110840A (ja) * | 2009-09-25 | 2015-06-18 | エーリコン・サーフェス・ソリューションズ・アーゲー・トリューバッハ | 立方晶ジルコニア層を作製する方法 |
-
2000
- 2000-06-12 JP JP2000175662A patent/JP2001355060A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2015110840A (ja) * | 2009-09-25 | 2015-06-18 | エーリコン・サーフェス・ソリューションズ・アーゲー・トリューバッハ | 立方晶ジルコニア層を作製する方法 |
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